TW594794B - Illumination apparatus for microlithography - Google Patents

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TW594794B TW090124045A TW90124045A TW594794B TW 594794 B TW594794 B TW 594794B TW 090124045 A TW090124045 A TW 090124045A TW 90124045 A TW90124045 A TW 90124045A TW 594794 B TW594794 B TW 594794B
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Martin Antonl
Wolfgang Singer
Johannes Wangler
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Description

594794
本發明係關於一種供波長$丨9 3毫微米之照明裝置，以 及一種具有此種照明裝置之投影曝光裝置。 ,j 了能進一步減低電子組件之結構寬度，特別是在次微 米範圍，必要減低供微影平版印刷利用之光的波長。平版 印刷具有非常深紫外光輻射，所謂vuv(Very deep uv)平 版=刷，或具有軟χ-射線輻射，所謂EUy (extre託㈣， 遠紫外線）平版印刷，例如為可想像在波長小於丨93毫微 米。 # 自美國專利5，3 3 9，3 4 6號，曾已知一種供平版印刷裝 置，使用EUV輻射之照明系統，為供在標線片平面均勻照 明，並填滿光瞳，美國專利5, 339, 346號建議一種聚光 器’其構造成如一集光透鏡，並包含對稱設置之至少4對 鏡小面。使用一電漿光源作為光源。 在美國專利5，7 3 7，1 3 7號，揭示一具有電漿光源，包含 聚光裔鏡之照明系統，其中將行予以照明之光罩或標線 片，其照明係藉球面鏡達成。 美國專利5，3 61，2 9 2號揭示一種照明系統，其中提供一 電漿光源，並且點電漿光源藉一聚光器予以成像在一/環形 照明表面，其有五個偏離中心而設置的非球面鏡。 y 自美國專利5，5 81，6 0 5號，已知一種照明系統，其中藉 一具有凹面光柵元件之平板，將一光子束分裂成為複數9個 次級光源。以此方式，便在標線片平面達成一種均質或均 勻之照明。藉一習知之縮小光學裝置，產生標線片之成像 在將行曝光之晶圓。
C:\總檔\90\90124045\90124045(替換H .PU 5947^4 案號 90124045 五、發明說明（2) EP-A-〇 939 34 1號揭示一種在弓形 線波長光，供照明一表面之日召明夺统:、明場，利用X-射 统包含^ p g n Γ 及曝光裝置。照明系 統b 3各有δ午多反射兀件之第一及第二 及第二光學積分器予以相對設置，因二予、刀ϋ 之許多及Μ $杜# β i > 口而在第二光學積分器 A2於，要在r平μ 夕光源影像。根據EP G 9 3 9 34 1 件ΐί 戀場，第-光學積分器之反 製造複雜。 3形。此專反射70件 ΕΡ-Α-1 〇26 547號也揭示一種具有- σ 明系統。相似於ΕΡ-Α-0 939 341號< ^ &光學積分器之照 器之反射元件具有一種弓形，供在第-光學積分 場。 1社％千面形成一弓形照明 在ΕΡ-Α-0 9 5 5 64 1號裡，揭示一稽 之系統。該二個光學積分器各包含；；分器 至少-掠入射場鏡而形成以之弧形場係藉由 容，經予參考併人本案所專利巾請案之内 FP1 兄之所有系統’例如’根據Ep-“ 939 341號或 E - _"26 547號之系統，具有照明系 軌長度大： 缺點。 因此本發明之一目的，為克服根據技藝現況之照明系統 之缺點，並提供一種供微影技術之照明裝置，其滿足波長 少於或等於1 93毫微米之先進平版印刷之需求。照明裴置 應3在尺寸上更為輕巧，並提供一平面，在其上可置放裝
^1^^0124045 修正 曰 五、發明說明（3) 置，以改變照明模式或 本發明之目的係藉一昱f'光束之輻射。 特色之照明裝置，及藉二如申睛專利範圍第1項之諸多 光裝置所解決。 如申凊專利範圍第2 0項之投影曝 该裝置將一設置在胛 明，其將會被一投影物浐j，之影像平面之結構標線片照 平版印刷裴置，標線片、兄成像至一感光基板。在掃描器型 中需要在場内之^描能Ϊ矩形或弧形場予以照明，其 佳於± 5%。掃描能量予=二布之預先給定均勻性，例如較 積分。場^狀係依投貪=為在掃描彳向在幻金度之線 物鏡一般具有一由产/鏡之類型而定。所有反射投影 需求為位於投影物^乂 =分段所給定之弧形場。一另外 明。需要出射光瞳之近之照明系統出射光瞳之照 祉、士 Ρ ，Λ < ^于场獨立的照明。 t、:皮長在100毫微米與2。。毫 射，例如1 93毫微米tArP + 至尤你曷激兀雷 1?fi古叫止Λ木之ArF_雷射、157毫微米之F2-雷射、 波/^立^备I雷射、及1〇9毫微米之NeF_雷射。供在此 ΐίη統，使用_、⑽、BaF2或其他晶體之折 署 由於光學材料之透射隨減少之波長而惡化，照明 f置予以設計為具有折射及反射組件之一種組合。供波長 f EUV波長部位，在10毫微米與2〇毫微米之間，投影曝光 裝置予以設計為全反射。一種典型Εϋν光源為雷射產生之 電水源、插縮電漿源（ρ n c h — ρ 1 a s m a — s 〇 u r c e )、擺動器源 (Wiggler-Source)或波動器源（Undulat〇r —s〇urce)。 將此初級光源之光導向至一第一光學元件，其中第一光 C: \總檔\90\90124045\90124045(替換）-1 .ptc 第9頁 594794 _ 案號 90124045 修正 曰 五、發明說明（4) 學元件為一第一光學組件之一 為許多第一光栅元件，並將初級:二將第:光學元件編組 源。每一第一光柵元件對應於一 a f變換成為許多次級光 一光柵元件相交之所有射^所界=級光源，並使一由與第 之次級光源。次級光源予以讲之入射線束聚焦至對應 或靠近此平面，一第二光學=件照:裝置之一光瞳平面 明裝置之影像平面之間，以使次2设置在光瞳平面與照 出射光瞳，#對應於一後隨投^物源成像至照、明裝置之 將第-光栅元件成像至影；;:：鏡，入射光瞳。 份重疊在一必須予以照明之場。因了:其影像為至少部 件或場蜂窩結構。 ’“已知為場光柵元 使用在EUV波長部位之全反射投影 方視場（object field)為環形之一分严兄，田、尘具有一物 件之影像至少部份重疊之照明裝置，匕在場光柵元 象平面或在-與影4:::;;;又：必；靠近 片，產生照明場之形狀。 貝9加之葉 ^根據本發明，照明裝置之第二光學組件包含— 糸統’包含至少—第三場鏡，在一與照明裝置之：：二 m:;第二光學系統予以成像至照明裝 為照明裝置出射光瞳之三級光源之影像稱 場光柵元件較佳為矩形。矩形場光柵元件具有其可予以 c:\ 總檔\90\90124045\90124045(替換）4 ptc 第10頁 594794 j號901?編匕 五、發明說明（5) —修正 曰 Λ__L·
VOJ f列。又置’對彼此移位之優點。依將行予以照明之場而 疋:其具有側面縱橫比在5 ·· 1及20 :1之範圍。矩形場光 ^ 70件之長度一般為在15毫米與50毫米之間，寬度為在1 耄米與4毫米之間。 風，在影，平面利用矩形場光柵元件照明弧形場，第二光 學組件之第一場鏡較佳為將矩形場光柵元件之矩形影像變 =至弧形影像。弧形長度一般為在8〇毫米至丨〇5毫米之範 μ ϊ ϊ £度在5毫米至9毫米之範圍。矩形場光栅元件之 =衫认之變換，可藉錐形反射完 :光焦；之掠入射鏡。換言<，使場光柵元件：=有 方視場之形狀所確定。第一場鏡較 物鏡之物 影像平面之前面’㊣中應該有 ：：α:裝置之 標線片之組態，自由工作距離必須適心：：為了反射 影物鏡之射線不因第一場鏡而漸 σ自軚線片行進至投 第-場鏡之表面較佳為-旋轉 段，其可予以設計為非球面或球面。^射表面之離軸分 通過表面之頂點。因此一繞頂點之八承表面之對稱軸線 包括頂點之表面之每一分段稱為離:又稱為同軸，其中不 對稱而可較容易製造。在產生支承。支承表面由於旋轉 知之技術予以切開。 巧、面後，分段可利用熟 第一場鏡之表面也可予以設計為一、— 軸分段。因此表面必須予以局部處:複曲面反射表面之同 前可產生周圍形狀之優點。 ’但具有在表面處置 $ 11頁 C: \總檔\90\90124045\90124045(替換）-1 .ptc 月 a ----MM 90124045 五、發明說明（6) ____ 在第場鏡在入射線之入射點，入 八射角較佳為大於 ， 一 3對於表面法線 _。 ，、¥致弟場鏡之反射率超過 有正光焦度之第二場 ， 一 之離軸分段，A ^ 一知轉對稱反射表面 G ά丄士 卞从自又计為非球面或抹 反射表面之同軸分段。 /面，或一複曲面 在第二場鏡，在入射線之入射點， 線入射角較佳為低於25。。 铲=線相對於表面法 加反射率 線入射鏡 巧。 利用第 波長部位，入射線之轄散及二多層以編 其應該較佳於65%。利用第_為4曰儘可能低，以增 將光束路徑摺疊，並可將第昭-:鏡設置如-法 將恥明襞置作成更為輕 光學組件之第三場鏡，可、士/ :。將第三場鏡設置在具有次級光照明裝置之長 間。 尤，原之平面與第二場鏡之 第三場鏡具有正光隹度， 產生次級光源之影冑，、形成三級^與第二場鏡間之平面 由於具有三級光源之平面設置為盘、 ::用：配置掩蔽葉片，以改變以二光瞳共概’此平 “。在光束路徑之此位置具有可乂'式，或增加透射濾 要在第二與第三場鏡之間不具右由通達之優點。 第二及第三鏡之折射率，在、很大距離，並減低至 軛平面為虛擬共軛平面。此咅:光學組件至影像平面之妓 平面，其中弧形場係形成於可通達共軛真實影像 Ί組件〇 C: \總檔\90\90124045\90124045(替換 )-1.ptc $ 12頁 594794 修正 曰 五、發明說明 種輕巧設計。再者，具有 此為有利之 遠，為容易製造。 *丹有，具有低光焦度之場铲 第三場鏡為相 、見 面之離軸分段，；弟一場鏡，較佳為一旋轉對 射表面之同軸分段。 _表面或球面，或—複曲面反 之入射角較佳為^射線之入射點’入射線相對於表面、去 射鏡，光束路徑可予 =二穷鏡故置為一法線入 大小。 予指逢並因此減低照明裳置之總體 要避免光束路徑之漸晕，第一 設置在一非定中系此 ,^ ^ 弟一及第二％鏡較佳為 光軸界定為一在場铲:’用、；？之共同對稱軸線。可將一 依場鏡之傾斜角而定，使光軸在場U。連接線，其中 =照明裝置之反射組件之傾斜角，可將組件間之 ^ 弓曲。因此可根據總體系統之需求配置光源所射出光 束錐之取向，及影像平面系統之取向。一種較佳組態有一 在一方向射出光束錐之光源，及一有一表面法線取^幾乎 垂直於此方向之影像平面。在一實施例裡光源係水平射 出，並且影像平面有一垂直表面法線。有些光源如波動器 或擺動器源’僅在水平平面射出。在另一方面，為重力原 因’ b線片應予以水平設置。因此必須使光束路經在光源 與衫像平面之間弯曲約幾乎9 0。。由於具有入射角在3 〇。 與6 0 °間之鏡導致偏光效應，並因此導致光損耗，故必須 僅利用掠入射或法線入射鏡完成光束彎曲。為效率原因， C:\ 總檔\90\90124045\90124045(替換）-l.Ptc 第13頁
_^號 90124fUFI 曰 修正 五、發明說明（8) 鏡之數目必須儘可能小。 照明裝置較佳為包含一有許 元件。有利為將—有第二光 f 了光栅兀件之第二光學 一光栅元件之第一光學元件=牛第二光學元件，在有第 柵元件各對應於第二光柵元件之亡在：徑’其：諸第-光 之偏轉角予以設計為使照射在第此杜第：，栅元件 像平面，其;=== 窩：構：為避免由於在次級光源之高強度而損壞第二光栅 =件;第二光栅元件較佳設置為自次級光源散焦，但在一 自〇>毫米至第一與第二光柵元件間距離1〇%之範圍。 按照定義，在影像平面與場相交之所有射線，必須通過 照明裝置之出射光瞳。場之位置及出射光瞳之位置，係由 物方視場及投影物鏡之入射光瞳所界定。對於有些投影物 鏡為定中系統，物方視場係設置為自一光軸離軸，其中入 射光瞳同軸設置在一至物方平面之有限距離。對於此等投 影物鏡’可在一自物方視場中心至入射光瞳中心之直線與 物方平面之表面法線之間界定一角度。對於EUV投影物 鏡，此角度為在3 °至1 〇。之範圍。因此照明裝置之組件 必須以一種致使與投影物鏡之物方視場相交之所有射線通 過離中心之投影物鏡入射光瞳至物方視場之方式予以組態 及設置。對於具有反射標線片之投影曝光裝置，與標線片
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以便在照明裝 相父之所有射線需要具有入射角大於〇。 置之組件’避免所反射射線之漸暈。 在EUV波長部位，所有組件均為反射組件，其 ::致使在組件之所有入射角均低於25、戈大於為: 二予以没置。因此使供入射角約45。角所發生之偏 ^至最少。由於掠入射鏡具有反射率大於8〇%，較之於^ 線入射鏡，其在光學設計上為較佳： 聂’、—、 般设置在一機械式箱。將光束路徑與鏡摺 箱之總體大小。此箱較佳為不妨礙在其設 =線二，線片支承系統之影像平面。因此反射組件有 ==:種致使所有組件均完全設置在標線片之一側面之方 ^ =配置及傾斜。如果場透鏡僅包含偶數個法 鏡’便可達成如此。 壯口 =面所說明之照明裝置，可較佳使用在一投影曝光 二綠：/、包含照明裝置，一設置在照明裝置之影像平面之 2.，及一使標線片成像至一設置在投影物鏡路徑之影 =描，t曰日圓之投影物鏡。標線片及晶圓均設置在一允許 、或掃描標線片或晶圓之支承單元。 田11物鏡可為一如自美國專利5,402,267號所已知，供 #~ f在100耄微米及20 0毫微米之間範圍之折反射透 、兄。4等系統一般具有一種透射標線片。 ^於EUV波長範圍，投影物鏡較佳為全反㈣統，具有 =一八個鏡，如例如自美國專利申請案09/5 0 3640號已知 揭不一種六鏡投影透鏡。此系統典型具有一種反射標線 594794 月 曰 案號90】24fUR_ 五、發明說明（1〇) 片。 對於具有反射標線片之系統，光 束路徑，以及標線片與晶圓間之浐与决片間之照明光 靠近標線片時有所妨礙，”束路捏’較佳為僅 :又除了““部位外，可使照明I置及投影物鏡：夕 投影物鏡較佳為有一投影光束 像元件之間，其予以向投影物鏡之光；；線 置及投影物鏡之分開。…置’較容易達成照明襄 以下將依據圖式說明本發明。 敉佳體例之詳細說明 圖1顯示本發明之純反射具體例的示意圖，包含光源 820 1、集光器鏡8203，具有場# — $ | ^ 光瞳光栅元件之平板8215第“：：牛之平板8209、具有 8229以及出射二3。第第件8221、影像平面 8??^ .弟一先學組件包含具有第三場鏡 β、子糸、、充以及具有第二場鏡8223之第二光學系 、，先。苐二％鏡8225及第二場鏡8223具有正光隹度。再者， 組件包含第一場鏡8m。第—場鏡8227為一具有 ϋίί以供場成形之掠入射鏡。在圖1中所示之純反射 ^體例中，場鏡8225及場鏡㈣均為形成離軸格里高里 (Gregorian)望遠鏡組態之m而於 上日 8207成像在場鏡，與場鏡8223\門:鏡8225使次原 兄0以ύ t間形成三級光源8259之 C:\總檔\90\90124045\90124045(替換）-1 .ptc 第16頁 594794 ---案號90124045__年月日 條正 五、發明說明（iG ' " "' ' --- 出射光瞳共軛之平面。在圖1中，僅顯示中央次級光源 820 了之成像。在三級光源82 5 9與出射光曈共軛之平面，設 置一掩蔽單元8 26 1，以改變出射光瞳8233的照明模式。利 用光圈葉片，可掩蔽三級光源8259，並因此改變照明裝置 之出射光瞳8233之照明。可能之光圈葉片具有圓形或^如 一或四個圓形開口，例如供四極照明。另一種選擇戍是除 了光圈葉片外’透射濾光器也可設置在或靠近有三級光源 之平面。場鏡8223及場鏡8227使三級光源825 9成像至形成 四級光源8 2 3 5的照明裝置之出射光瞳8 2 3 3。 照明裝置之光軸8245並非直線，而是由在諸單一組件之 間’在諸組件之中心被光軸8245相交之連接線所界定。因 此照明裝置為一具有光轴8 2 4 5在每一組件予以弯曲以便 獲得無漸暈之光束路徑的非定中系統。並無共同對稱轴線 以供光學組件。供EUV曝光裝置用之投影物鏡典型為有直 線光軸及有離軸物方視場之定中系統。投影物鏡之光軸 8247係顯示為一短劃線。場823 1之中心與投影物鏡之光軸 8 247間之距離等於場半徑Rf ield。場鏡8223、82託予以設 計如同軸複曲面鏡，其意為光軸82 45路徑通過同軸複曲= 鏡82 23、8225及8227之頂點。第二及第三場鏡8223及8225 為法線入射鏡，其意為在第二及第三鏡之入射線的入射 點，入射線相對於表面法線之入射角較佳為低於25。。 第一場鏡8227為一掠入射鏡，其意為在第一鏡之入射線 的入射點’入射線相對於表面法線之入射角較佳 70 ° ° '
594794
在圖1中所示之具體例，包含第一 8227、第二8 223及第 一场鏡8 2 2 5之弟一光學組件僅有虛擬共輛平面至影像平面 8 2 2 9。這提供苐一光學組件之輕巧大小，且具有供場鏡之 低折射率。 ' 圖2為一詳圖顯示一 E U V投影曝光裝置。對應元件具有與 圖1中相同之元件編號而增加2 0 0。因此，此等元件之說明 見於圖1之說明。根據圖2之照明裝置，包含一有許多反射 表面之掠入射集光器8403，代替法線入射集光器82〇3。再 者’為了將波長過濾，照明裝置包含一格栅元件84〇4及一 光闌8 4 0 6。初級光源8 4 0 1之中間影像8 4 0 8位於光闌8 4 0 6。 如圖1中所示之裝置，該裝置包含一具有第一光柵元件 8409之第一光學元件，以及一具有第二光栅元件8415之第 一光學元件’以及一具有第一場鏡8427、第二場鏡8423及 第三場鏡8425之第二光學組件。第二場鏡8423及第三場鏡 8425均為凹面鏡。場鏡8425使次級光源成像在與場鏡8425 及場鏡8 4 2 3間形成三級光源之出射光瞳共輛之平面。在具 有三級光源與出射光瞳共輛之平面84 5 8，可設置一掩蔽單 元846 1，以改變出射光瞳之照明模式。場鏡8423及場鏡 8427使三級光源成像至圖2中未顯示之形成四級光源之照 明系統的出射光瞳。 表1中列示根據圖2之裝置之光學組件之資料。諸組件係 以y - z剖面圖顯示，其中對於每一組件，顯示具有y -及z -軸之局部座標系統。對於場鏡8423、8425及8427，局部座 標系統予以界定在鏡之頂點。對於具有光柵元件之二個平
C:\ 總檔\90\90124045\90124045(替換 第18頁 594794 修正 曰 五、發明說明（13) :反：局部座標系統予以界定在板的中心。在表】中，故〜 =對於影像平面之局部座標系統的局部座標系統。在= 之參考座標系統平移至局部座標系統後，產生繞 座才示糸統之X-軸的傾斜角α。戶斤古 局部 統。 月α所有座標糸統均為右旋系 表1 :光學組件之座標系統 y Z α Rx Ry Rz 中間影像8404 1031.11 '1064.50 38.9 埸光柵元件8409 478.51 -379.65 32.75 -833.27 球面 光瞳光棚元件8415 830.71 **1094.97 212.1 — — -972.9 球面 Γ ---- 第三埸鏡8425 104.54 *144.22 30.6 "264.68 -268.67 至出射光瞳 164.59 '281.68 203.6 之共瓤平面 1 一 〜 一 第二埸鏡8423 424.82 -877.31 208.9 -331,34 球面 第一場鑌8427 -219.99 113.40 -5,05 -77.126 雙曲面 十1479 影像平面8429 ----—--- 出射光瞳 0 -125 0 ----— -1189.27 0 0 ___ ------ -----^ 標線片8467設置在照明裝置之影像平面8429。 8467由一支承系統8469予以定位。具有六鏡之投^物 8471使標線片8467成像至也由一支承系統8475予以 晶圓8473。投影物鏡8471之諸鏡予以定中在一共同直 = 軸8447。弧形物方視場予以離軸設置。在標線片'^”盥於 影物鏡8471之第一鏡8477間之光束路徑，其方向予以;|頃^ 至投影物鏡8471之光軸8447。主射線8479相對於桿線片μ 第19頁 C:\ 總檔\90\90124045\90丨 24045(替換）-1. ptc 594794 _案號90124045_年月曰 修正_ 五、發明說明（14) 846 7之法線的角度為在3 °與10 °之間，較佳為5 °與7 ° 之間。如圖1中所示，照明裝置予以自投影物鏡847 1完全 分開。照明及投影光束路徑僅因靠近標線片8467而有所妨 礙。 元件編號說明 82 0 1 光源 820 3 集光器鏡 820 7 次級光源 820 9 平板 8215 平板 822 1 第二光學組件 8223 第二場鏡 8225 第三場鏡 8227 第一場鏡 822 9 影像平面 823 1 場 823 3 出射光瞳 8235 四級光源 8245 光軸 8247 光軸 825 9 三級光源 840 1 初級光源 840 3 集光器鏡 8404 格柵元件
C:\ 總檔\90\90124045\90124045(替換）-l.ptc 第20頁 594794 案號90124045_年月日 修正 五、發明說明 (15) 8406 光闌 8408 中間影像 840 9 第一光柵元件 8415 第二光柵元件 8423 第二場鏡 8425 第三場鏡 8427 第一場鏡 8429 影像平面 8447 光軸 8458 平面 846 1 掩蔽單元 8467 標線片 8469 支承系統 847 1 投影物鏡 8473 晶圓 8475 支承系統 8477 第一鏡 8479 主射線
C:\ 總檔\90\90124045\90124045(替換）-l.pt c 第21頁 594794 _案號90124045_年月曰 修正_ 圖式簡單說明 在附圖中： 圖1為根據本發明之具有二個共軛光瞳平面的照明裝置 之一具體例的示意圖。 圖2為具有根據圖1之照明裝置的投影曝光裝置之詳圖。
C:\ 總檔\90\90124045\90124045(替換）-l.ptc 第22頁

Claims (1)

  1. 594794 案號 90124045 年 六、申請專利範圍 學組件（8221 )之影像平面（8229 )的共輛平面為虛擬共輕 面。 、个 3·如申請專利範圍第I項之照明裝置，其中，第 (8223)及第三場鏡（8225)形成一離軸格里高里 (Gregorian)望遠鏡。 專利範圍第1項之照明裝置，#中，介於該第 光子系沆/、该第二光學系統間之平面為可自由通達。 5. 如申請專利範圍第！項之照明裝置，更包含一掩蔽單 ，供改變照明模式，其中，該掩蔽單元予以設置在或靠 近该许多二級光源。 6. 如申請專利範圍第1項之照明裝置，丈中，一透射濾 光器予以設置在或靠近該許多三 /、 7·如申請專利範圍@ 九肩、 视图弟1項之照明裝置 各以-入射角相對於表面 (8223，8423 )相交。 、 8 ·如申請專利範圍第] 鏡（ 8223，8423)為一旋轉對f明裝置，其1c 9·如申請專利範圍第丨、％反射表面之離軸分权 γ 鏡（8223，8423)為一複曲 …月表置，其中，J弟 1 0 ·如申請專利簕圚贷，面反射表面之同軸分段。 τ月寸〜乾圍第1項之昭 婷多射铸 以一入射角相對於矣 …、月凌置，其中，々 其中 而與該第 其中，該第 場鏡 4午多射線 場鏡 場 場鏡 各以一入射角相對於表面丰=照明裝置，其中，介 ( 822 5，8425 )相交。 ’線少於25。而與該第三 1 1 ·如申請專利範圍第1 鏡（ 8225，8425 )為一旋赫之照明裝置，其中，該第二· 、稱反射表面之離軸分段。
    第24頁 594794
    & 1 2 ·如申請專利範圍第i項之照明裝置，其中，該第三場 妩（8225 ’8425)為一複曲面反射表面之同軸分段。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之照明裝置，其中，該許多第 一光柵元件（ 820 9，840 9 )為矩形， 其中，該場為一環形之一分段，以及 其中’該第二光學組件（8221，8421)包括一第一場鏡 (8 2 2 7 ’ 8 4 2 7)’供使該場成形至該環形之該分段。 1 4 ·如申請專利範圍第丨3項之照明裝置，其中，該用以 將場成形至環形分段之第一場鏡具有負光焦度。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項之照明裝置，其中，許多射 線各以一入射角相對於表面法線大於7 0。而與該用以將場 成形至環形分段之第一場鏡相交。 _ 1 6 ·如申請專利範圍第1 3項之照明裝置，其中，該用以 將場成形至環形分段之第一場鏡（ 8 227，8427)為一旋轉對 稱反射表面之離軸分段。 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項之照明裝置，其中，該用以 將場成形至環形分段之第一場鏡（8 227，8427)為一複曲面 反射表面之同軸分段。 1 8 ·如申請專利範圍第1 3項之照明裝置，其中，該第一 光學組件更包含一具有許多第二光柵元件（8215 ,8415)之 第二光學元件，以及 其中，該許多第一光柵元件（ 82 0 9，840 9 )各對應於該等 第二光栅元件（8215，8415)之一。 1 9.如申請專利範圍第丨8項之照明裝置，其中，該許多
    c:\總 檔\90\90124045\90124045(替換）·1. ptc 第25頁 594794 修正 曰 案號 90124045 六、申請專利範圍 第二光柵元件（8215，8415)以及該第二光學組件（8221， 842 1 )使該等對應之許多第一光栅元件（82〇9，840 9 )成像 至該影像平面（8229，8429 )。 2 0.如申請專利範圍第1 8項之照明裝置，其中，該許多 第二光栅元件（8 21 5，8 4 1 5.)為凹面鏡。 2 1 ·如申請專利範圍第5項之照明裝置，豆 :組卿"之影像平面咖)的共麵平面為虛 22·如申請專利範圍第5項之照明裝置，1 (8223 )及第三場鏡（8225)形成一離軸格里=，苐二場鏡 (Gregorian)望遠鏡。 回里 23.如申請專利範圍第5項之照 一光學系統與該第二光學系統間之平面，介於該第 24·如申請專利範圍第5項之照明裝置由通達。 光器予以設置在或靠近該許多三級光源，、中，-透射濾 25.如申請專利範圍第5項之照明裝置 各以-入射角相對於表面法 置？中，許多射線 (8223，8423 )相交。 - 而與該第二場鏡 26·如申請專利範圍第5項之昭 鏡（8223，8423)為一旋轉對稱2‘土二，其中，該第二場 2 7 ·如申請專利範圍第$項 昭 衣面之離軸分段。 各以一入射角相對於表面法線；於2;置’丨中’許多射線 _ 、 而與該第三場鏡
    C:\ 總檔\90\90124045\90124045(替換）-i.ptc 第26頁 鏡（8223，8423)為一複曲面反射j ^置，其中，該第二場 28.如中請專利範圍第5項之U同轴分段。
    594794 _案號90124045_年月日 修正 _ 六、申請專利範圍 其中’該許多第一光栅元件（8209，8409)各對應於該等 第二光柵元件（8215，8415)之一。 37·如申請專利範圍第36項之照明裝置，其中，該許多 第二光柵元件（8215，8415)以及該第二光學組件（ 822 1， 842 1 )使該等對應之許多第一光栅元件（ 82 0 9，840 9 )成像 至該影像平面（8229，8429 )。 3 8 ·如申請專利範圍第3 6項之照明裝置，其中，該許多 第二光柵元件（8215，8415)為凹面鏡。 3 9 ·如申請專利範圍第1項之照明裝置，其係使用於微影 技術之投影曝光裝置中，該投影曝光裝置包含： 一標線片（ 8467)，位於該影像平面（ 8429 ); 一在支承系統（8 4 7 5 )之上的感光物體； 以及一投影物鏡（8471 )，使該標線片（ 8467 )成像至該感 光物體上。 4 0 ·如申請專利範圍第5項之照明裝置，其係使用於微影 技術之投影曝光裝置中，該投影曝光裝置包含： 一標線片（8467)，位於該影像平面（ 8429 ); 一在支承系統（8475 )之上的感光物體； 以及一投影物鏡（ 8471 )，使該標線片（ 8467)成像至該感 光物體上。
    C:\總檔\90\90124045\90124045(替換)-l.Ptc 第 28 頁
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI465857B (zh) * 2007-11-27 2014-12-21 尼康股份有限公司 Lighting optics, exposure devices and parts manufacturing methods

Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10053587A1 (de) * 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
US20050002090A1 (en) * 1998-05-05 2005-01-06 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a folding geometry
DE19935404A1 (de) 1999-07-30 2001-02-01 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen
US6947120B2 (en) * 1998-05-05 2005-09-20 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7126137B2 (en) * 1998-05-05 2006-10-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
US7142285B2 (en) * 1998-05-05 2006-11-28 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7186983B2 (en) * 1998-05-05 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7006595B2 (en) * 1998-05-05 2006-02-28 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Illumination system particularly for microlithography
DE19903807A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
USRE41667E1 (en) * 1998-05-05 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7329886B2 (en) * 1998-05-05 2008-02-12 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element
USRE42065E1 (en) 1998-05-05 2011-01-25 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US20070030948A1 (en) * 1998-05-05 2007-02-08 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
US6858853B2 (en) * 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
DE10100265A1 (de) * 2001-01-08 2002-07-11 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit Rasterelementen unterschiedlicher Größe
US7109497B2 (en) * 1998-05-05 2006-09-19 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US6859328B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
US6947124B2 (en) 1998-05-05 2005-09-20 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
DE50014428D1 (de) * 1999-07-30 2007-08-02 Zeiss Carl Smt Ag Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
US6856630B2 (en) * 2000-02-02 2005-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, semiconductor device, and method of fabricating the semiconductor device
EP1202100A3 (de) * 2000-10-27 2005-04-06 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungssystem mit reduzierter Wärmebelastung
TW573234B (en) * 2000-11-07 2004-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method
DE10138284A1 (de) * 2001-08-10 2003-02-27 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit genesteten Kollektoren
WO2003014833A2 (de) * 2001-08-10 2003-02-20 Carl Zeiss Smt Ag Kollektor mit befestigungseinrichtungen zum befestigen von spiegelschalen
JP2003185798A (ja) * 2001-12-13 2003-07-03 Nikon Corp 軟ｘ線光源装置およびｅｕｖ露光装置ならびに照明方法
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4099423B2 (ja) * 2002-03-18 2008-06-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイス製造法
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4639352B2 (ja) 2002-05-10 2011-02-23 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 波長≦１００ｎｍで物体を検査する検査系
JP2005536900A (ja) * 2002-08-26 2005-12-02 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 極紫外線リソグラフィーシステム内で所定の帯域の放射線を取り除く格子ベースのスペクトルフィルター
WO2004031854A2 (de) 2002-09-30 2004-04-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine wellenlänge ≤ 193 nm mit sensoren zur bestimmung der ausleuchtung
KR100958765B1 (ko) 2002-12-19 2010-05-18 칼 짜이스 에스엠티 아게 향상된 집광기 광학계를 구비하는 조명 시스템
DE10308174B4 (de) 2003-02-24 2010-01-14 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Debrisreduktion bei einer Strahlungsquelle auf Basis eines Plasmas
WO2005015314A2 (en) * 2003-07-30 2005-02-17 Carl Zeiss Smt Ag An illumination system for microlithography
AU2003267015A1 (en) * 2003-08-27 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Oblique reflector normal incidence collector system for light sources, in particular for euv plasma discharge sources
EP1668421A2 (en) * 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
DE10343333A1 (de) * 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
CN101726863B (zh) * 2004-01-16 2012-08-29 卡尔蔡司Smt有限责任公司 偏振调制光学元件
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
JP4551666B2 (ja) * 2004-02-19 2010-09-29 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
US20060138349A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405871B2 (en) * 2005-02-08 2008-07-29 Intel Corporation Efficient EUV collector designs
US7982854B2 (en) 2005-04-20 2011-07-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure system, method for manufacturing a micro-structured structural member by the aid of such a projection exposure system and polarization-optical element adapted for use in such a system
WO2006136353A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-28 Carl Zeiss Smt Ag A double-facetted illumination system with attenuator elements on the pupil facet mirror
US20070143032A1 (en) * 2005-09-15 2007-06-21 Carl Zeiss Smt Ag Apparatus and method for the detection of a surface reaction, especially for cleaning of an arbitrary two-dimensional surface or three-dimensional body
JP2007150295A (ja) 2005-11-10 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム
DE102006017336B4 (de) * 2006-04-11 2011-07-28 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungssystem mit Zoomobjektiv
DE102006031654A1 (de) * 2006-04-24 2007-10-25 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel mit einer Vielzahl von Spiegelsegmenten
DE102006036064A1 (de) * 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
DE102006039760A1 (de) * 2006-08-24 2008-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit einem Detektor zur Aufnahme einer Lichtintensität
DE102007008448A1 (de) 2007-02-19 2008-08-21 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung von Spiegelfacetten für einen Facettenspiegel
KR20090115712A (ko) * 2007-02-20 2009-11-05 칼 짜이스 에스엠테 아게 다수의 일차 광원을 갖는 광학 소자
US20080258356A1 (en) 2007-04-19 2008-10-23 Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container comprising an inner layer and an outer layer comprising energy absorbing additives, and preform for making it
US20080259298A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080257883A1 (en) 2007-04-19 2008-10-23 Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having an inner layer and the outer layer made of the same material and preform for making it
US9475611B2 (en) 2007-04-19 2016-10-25 Anheuser-Busch Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having interface vents opening to the atmosphere at location adjacent to bag's mouth, preform for making it; and processes for producing the preform and bag-in-container
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
KR101422882B1 (ko) * 2007-06-07 2014-07-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 도구를 위한 반사 일루미네이션 시스템
US20090015814A1 (en) 2007-07-11 2009-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Detector for registering a light intensity, and illumination system equipped with the detector
DE102008002377A1 (de) 2007-07-17 2009-01-22 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einem derartigen Beleuchtungssystem
US20090040493A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Hideki Komatsuda Illumination optical system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8245162B2 (en) * 2007-09-14 2012-08-14 Abrams Daniel S Write-pattern determination for maskless lithography
DE102007045396A1 (de) * 2007-09-21 2009-04-23 Carl Zeiss Smt Ag Bündelführender optischer Kollektor zur Erfassung der Emission einer Strahlungsquelle
DE102007047446A1 (de) * 2007-10-04 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element
JP5326259B2 (ja) * 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
KR101593712B1 (ko) 2008-02-15 2016-02-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 사용하기 위한 패싯 미러
DE102009000099A1 (de) * 2009-01-09 2010-07-22 Carl Zeiss Smt Ag Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik
JP5241270B2 (ja) 2008-02-27 2013-07-17 キヤノン株式会社 照明光学系、これを用いた露光装置及びデバイス製造方法
DE102008000788A1 (de) 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
EP2146248B1 (en) 2008-07-16 2012-08-29 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102009032194A1 (de) 2008-10-16 2010-04-22 Carl Zeiss Smt Ag Optischer Spiegel mit einer Mehrzahl benachbarter Spiegelelemente und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Spiegels
NL2003449A (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Asml Netherlands Bv Fly's eye integrator, illuminator, lithographic apparatus and method.
US8497977B2 (en) * 2009-03-12 2013-07-30 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2474997A4 (en) * 2009-09-01 2014-01-15 Ihi Corp PLASMA LIGHT SOURCE SYSTEM
CN102484938B (zh) 2009-09-01 2014-12-10 株式会社Ihi 等离子体光源
JP2011054376A (ja) 2009-09-01 2011-03-17 Ihi Corp Ｌｐｐ方式のｅｕｖ光源とその発生方法
DE102011004615A1 (de) * 2010-03-17 2011-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
US8653454B2 (en) 2011-07-13 2014-02-18 Luminescent Technologies, Inc. Electron-beam image reconstruction
TWI472893B (zh) * 2011-07-27 2015-02-11 Nat Applied Res Laboratories 光學控制系統及其方法
KR101352908B1 (ko) * 2011-12-21 2014-01-22 엘지디스플레이 주식회사 노광용 조명장치 및 이를 이용한 노광장치
DE102012201235B4 (de) 2012-01-30 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012204273B4 (de) 2012-03-19 2015-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102012207866A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
DE102012208064A1 (de) 2012-05-15 2013-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012208514A1 (de) 2012-05-22 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Justagevorrichtung sowie Masken-Inspektionsvorrichtung mit einer derartigen Justagevorrichtung
DE102012210073A1 (de) 2012-06-15 2013-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV- Projektionslithographie
DE102012210174A1 (de) 2012-06-18 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
KR101999514B1 (ko) * 2012-10-31 2019-07-12 엘지디스플레이 주식회사 노광용 조명장치 및 이를 이용한 노광장치
DE102013204441A1 (de) 2013-03-14 2014-04-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102013211268B4 (de) 2013-06-17 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtunsoptik für die lithografische Projektionsbelichtung
DE102013218128A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem
DE102013218132A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102013218749A1 (de) 2013-09-18 2015-03-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102013223808A1 (de) 2013-11-21 2014-12-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Spiegeleinrichtung zur Reflexion eines Bündels von EUV-Licht
DE102013223935A1 (de) 2013-11-22 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Belichtungslithographie
KR20170086559A (ko) 2014-11-18 2017-07-26 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 리소그라피를 위한 광학 서브시스템 및 투영 리소그라피를 위한 조명 광학 유닛
DE102014223453A1 (de) 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102014226917A1 (de) 2014-12-23 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
WO2016128253A1 (de) 2015-02-11 2016-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie
DE102015208571A1 (de) 2015-05-08 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102015202411A1 (de) 2015-02-11 2016-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102015203469A1 (de) 2015-02-26 2015-04-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer gekrümmten optischen Spiegelfläche
DE102015208514A1 (de) 2015-05-07 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für die EUV-Projektionslithografie sowie Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Facettenspiegel
DE102015209175A1 (de) 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel
DE102017200663A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelich-tungsanlage für die Projektionslithografie
DE102017202930A1 (de) 2017-02-23 2017-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Regelung einer Beleuchtungsdosis einer Beleuchtung eines Objekt-feldes einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens
DE102017205548A1 (de) 2017-03-31 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe zum Führen eines Ausgabestrahls eines Freie-Elektronen-Lasers
DE102017217251A1 (de) 2017-09-27 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Anordnung zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems
DE102018201457A1 (de) 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102019217507A1 (de) 2019-02-04 2020-08-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102023203095A1 (de) 2023-04-04 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vorgeben einer Soll-Verteilung einer Beleuchtungs-Intensität über eine Feldhöhe eines Feldes einer Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2593657B2 (fr) * 1977-01-26 1988-05-13 Trt Telecom Radio Electr Dispositif de balayage optico-mecanique.
US4195913A (en) 1977-11-09 1980-04-01 Spawr Optical Research, Inc. Optical integration with screw supports
DE2910280C2 (de) 1978-03-18 1993-10-28 Canon Kk Optische Abbildungssysteme
EP0066295B1 (en) 1981-06-03 1986-02-05 Hitachi, Ltd. Reflection type optical focusing apparatus
US4389115A (en) 1981-08-06 1983-06-21 Richter Thomas A Optical system
US4651012A (en) 1985-03-21 1987-03-17 Martin Marietta Corporation High brilliance lensless projection system of test patterns
US5148442A (en) 1986-09-30 1992-09-15 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Dye lasing arrangement including an optical assembly for altering the cross-section of its pumping beam and method
DE3750174T2 (de) * 1986-10-30 1994-11-17 Canon Kk Belichtungseinrichtung.
US4740276A (en) 1987-05-08 1988-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Fabrication of cooled faceplate segmented aperture mirrors (SAM) by electroforming
US4996441A (en) 1988-09-16 1991-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Lithographic apparatus for structuring a subject
US5222112A (en) 1990-12-27 1993-06-22 Hitachi, Ltd. X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system
US5402267A (en) 1991-02-08 1995-03-28 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric reduction objective
US5257125A (en) * 1991-11-27 1993-10-26 Xerox Corporation Afocal optical system for focus error correction in laser scanning systems
CZ278791B6 (en) 1992-12-21 1994-06-15 Miroslav Hanecka Lighting system for lamps, projection and enlarging apparatus
JP2655465B2 (ja) 1993-01-20 1997-09-17 日本電気株式会社 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置
JP3316699B2 (ja) * 1993-02-10 2002-08-19 株式会社ニコン Ｘ線反射用光学素子およびそれを有するｘ線光学系
JP3144175B2 (ja) * 1993-09-14 2001-03-12 株式会社ニコン Ｘ線光学素子およびｘ線光学系
JPH0794397A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Nikon Corp 照明装置及びそれを有する露光装置
JPH07249561A (ja) * 1994-03-09 1995-09-26 Nikon Corp 照明光学装置
US5581605A (en) 1993-02-10 1996-12-03 Nikon Corporation Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus
US5439781A (en) 1993-05-10 1995-08-08 At&T Corp. Device fabrication entailing synchrotron radiation
US5361292A (en) 1993-05-11 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Condenser for illuminating a ring field
US5339346A (en) 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
US5552856A (en) * 1993-06-14 1996-09-03 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5677939A (en) 1994-02-23 1997-10-14 Nikon Corporation Illuminating apparatus
JP3371512B2 (ja) * 1994-02-23 2003-01-27 株式会社ニコン 照明装置及び露光装置
JPH0950958A (ja) * 1995-05-29 1997-02-18 Nikon Corp 照明光学装置及びそれを備えた投影露光装置
US5512759A (en) 1995-06-06 1996-04-30 Sweatt; William C. Condenser for illuminating a ringfield camera with synchrotron emission light
US5755503A (en) 1995-11-13 1998-05-26 Industrial Technology Research Institute Optical illumination system having improved efficiency and uniformity and projection instrument comprising such a system
US5737137A (en) 1996-04-01 1998-04-07 The Regents Of The University Of California Critical illumination condenser for x-ray lithography
JP3862347B2 (ja) 1996-04-11 2006-12-27 キヤノン株式会社 Ｘ線縮小露光装置およびこれを利用したデバイス製造方法
JP3284045B2 (ja) 1996-04-30 2002-05-20 キヤノン株式会社 Ｘ線光学装置およびデバイス製造方法
JPH1152289A (ja) 1997-08-05 1999-02-26 Minolta Co Ltd 二次元照明光学系及びこれを用いた液晶プロジェクター
JP3691242B2 (ja) * 1998-02-26 2005-09-07 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
EP0955641B1 (de) * 1998-05-05 2004-04-28 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
DE19908526A1 (de) * 1999-02-26 2000-08-31 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem mit Feldspiegeln zur Erzielung einer gleichförmigen Scanenergie
DE19903807A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
DE19923609A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
JP2000098619A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Sanee Giken Kk 光源装置
DE10040898A1 (de) * 2000-08-18 2002-02-28 Zeiss Carl Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
US6195201B1 (en) 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI465857B (zh) * 2007-11-27 2014-12-21 尼康股份有限公司 Lighting optics, exposure devices and parts manufacturing methods

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004510341A (ja) 2004-04-02
KR20030097784A (ko) 2003-12-31
JP2004510340A (ja) 2004-04-02
EP1320855A2 (en) 2003-06-25
EP1320853A2 (en) 2003-06-25
WO2002027400A2 (en) 2002-04-04
EP1320854A2 (en) 2003-06-25
US6438199B1 (en) 2002-08-20
JP2004510345A (ja) 2004-04-02
WO2002027400A3 (en) 2002-07-11
WO2002027402A3 (en) 2002-07-11
EP1320854B1 (en) 2004-11-03
JP4804704B2 (ja) 2011-11-02
WO2002027401A2 (en) 2002-04-04
DE60106966T2 (de) 2006-07-06
JP2004510342A (ja) 2004-04-02
WO2002027406A3 (en) 2002-07-04
EP1320856A2 (en) 2003-06-25
KR20040004384A (ko) 2004-01-13
WO2002027401A3 (en) 2002-07-04
WO2002027406A2 (en) 2002-04-04
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