TW589356B

TW589356B - Composition for forming ceramic material and process for producing ceramic material

Info

Publication number: TW589356B
Application number: TW085108625A
Authority: TW
Inventors: Yasuo Shimizu; Hideki Matsuo; Kazuhiro Yamada
Original assignee: Clariant Int Ltd
Priority date: 1995-07-13
Filing date: 1996-07-16
Publication date: 2004-06-01
Also published as: KR970706357A; EP0781815A4; US5922411A; KR100317569B1; EP0781815A1; WO1997003131A1; DE69638288D1; EP0781815B1; KR100307839B1

Description

589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明係有關形成陶瓷質物質用組成物，陶瓷質物質 ’陶瓷質物質之製造方法，對固體表面形成陶瓷質被膜之方法及表面具有陶瓷質被膜的固體製品。聚矽胺烷或聚含金屬矽胺烷等矽胺烷系聚合物係可以陶瓷質化之特異聚合物，藉由陶瓷質化該聚合物而可以得到耐熱性、耐摩損性、耐腐蝕性等物性等極優異，實質上由s i〇2所成陶瓷質物質。利用矽胺烷系聚合物之此種特異性質，使用矽胺烷系聚合物做爲塗料（塗敷劑）中之被膜成份係廣爲人所知者 (特開昭6 2 — 9 9 3 2 7號公報，特開平 1一203476號公報）。使用含矽胺烷系聚合物之塗料欲在基體上形成陶瓷質被膜時，通常採用在基體上塗佈該塗料形成該聚合物之被膜後，使該聚合物被膜陶瓷質化之方法。惟這種以往方法中使矽胺烷系聚合物陶瓷質化方法係燒成此聚合物至9 0 0 °C左右之方法，所以所得陶瓷質被膜上有極易產生漏塗或針孔，龜裂等被膜上缺陷之問題。另一方面，爲在較低溫度下施行矽胺烷系聚合物之陶瓷質化，有提案在氧化氣氛下燒成該聚合物被膜的方法（ WO 9 3/0 2 4 7 2號說明書）或使用含有聚矽胺烷與聚矽氧烷化合物之混合物於塗料之方法（特開平 6—73340號公報）。依此等方法時的確可以在4 5 0°C左右之溫度陶瓷質化矽胺烷系聚合物，得到緻密性極佳、耐龜裂性優之陶瓷本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (请先閲讀背面I注意事項死Vv馬水fo

589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ). 質被膜。惟此等方法欲在半導體裝置領域，液晶裝置領域等電子產品領域，或塑膠製品領域中適用做爲形成陶瓷質被膜用技術時，該陶瓷質化溫度仍然太高，無法適用做爲此領域中之陶瓷質被膜形成用技術。又，上述以往之使矽胺烷系聚合物予以陶瓷質化時，由於該聚合物燒成溫度太高，所以聚合物燒成時會有低分子量聚合物被飛散，聚合物耗損或燒成裝置受污染等問題〇本發明之其一目的係在於提供可在較低溫度順利地陶瓷化之矽胺烷系聚合物組成物。本發明之另一目的係在於提供使用矽胺烷系聚合物組成物，以較低溫度順利地製造陶瓷質物質之方法。本發明之又一目的係在於提供使用矽胺烷系聚合物組成物，於表面上，以較低溫溫度順利地製造陶瓷質被膜之方法。本發明之另一目的係在提供使用矽胺烷系聚合物組成物’在電子製品領域中所用基板上，以較低溫度順利地形成陶瓷質被膜之方法。本發明之又一目的係在提供使用矽胺烷系聚合物組成物’在塑膠表面上，以較低之溫度順利地形成陶瓷質被膜之方法。本發明之又一目的係在提供使用矽胺烷系聚合物組成物’在長條狀塑膠薄膜表面以較低之溫度順利地形成陶瓷質被膜的方法。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再#寫本頁)

589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ). 本發明之又一目的係在提供表面具有藉由上述方法所形成之陶瓷質被膜的固體製品。本發明之其他目的想必由以下記載即能極易了解。. 本發明人等係針對在較低溫度使矽胺烷系聚合物予以陶瓷質化進行各種研究之結果，發現對於添加至少一種選自胺化合物，酸化合物及過氧化物中之化合物做爲陶瓷質化促進劑的矽胺烷系聚合物，使其與水蒸汽接觸時，即使在5 0 °C以下之低溫度亦可以順利地使矽胺烷系聚合物予以陶瓷質化。又，本發明人等亦發現使含有上述化合物水溶液與矽胺烷系聚合物接觸時，在5 0°C以下之低溫度亦可以'順利地陶瓷質化矽胺烷系聚合物。另外，本發明還發現分別或同時使上述化合物之蒸汽及水蒸汽與矽胺烷系·聚合物接觸時，亦可以順利地陶瓷質化矽胺烷系聚合物。本發明係根據上述發現而被完成者。依本發明時，可提供由矽胺烷系聚合物，與至少一種選自胺化合物、酸化合物及過氧化物中之陶瓷質化促進劑的混合物所成形成陶瓷質物質用組成物。依本發明時可提供一種陶瓷質物質之製造方法，其特徵爲使水蒸汽與矽胺烷系聚合物及上述陶瓷質化促進劑所成混合物接觸，使該聚合物予以陶瓷質化。又’依本發明時可提供一種陶瓷質物質之製造方法，其特徵爲使含有上述陶瓷質化促進劑之水溶液與矽胺烷系聚合物相接觸，使該聚合物予以陶瓷質化^ 另外’依本發明時可提供一種陶瓷質物質之製造方法本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再¾本頁)

589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) ’其特徵爲分別或同時使上述陶瓷化促進劑之蒸汽及水蒸汽與矽胺烷系聚合物接觸，以陶瓷質化該聚合物。又，依本發明時可提供藉由上述方法所得之陶瓷質物質。又，依本發明時可提供在固體表面上形成由矽胺烷系聚合物，與陶瓷質化促進劑所成被膜，使水蒸汽與此被膜接觸，使該被膜陶瓷質化爲特徵之對固體表面形成陶瓷質被膜的方法。又，依本發明時可提供對固體表面形成陶瓷質被膜的方法，其特徵爲使含有上述陶瓷質化促進劑之水溶液與固體表面上所形成之矽胺烷系聚合物所成被膜接觸，使該被膜陶瓷質化。又，依本發明時可提供對固體表面形成陶瓷質被膜之方法，其特徵爲分別或同時使上述陶瓷質化促進劑之蒸汽及水蒸汽與固體表面上所形成之矽胺烷系聚合物所成被膜接觸，使該被膜陶瓷質化。又，依本發明時可提供表面上具有藉由上述陶瓷質被膜之形成方法所形成陶瓷質被膜的固體製品。本發明中使用之矽胺烷系聚合物係主鏈上含有以下式 (I )所示構造單位之聚合物，可用各種以往公知者 R1 —卜 S i - γ ^— (1 ) R2 R3 上述式R1、R 2及R3係氫原子或有機基，惟其中至本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再^.本頁) -裝------訂--- 線 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明（5 ) 少一個爲氫原子。這時之有機基除可以爲直接結合於該矽原子（S i )或氮原子（N)之原子爲碳原子的有機基以外，還可以包含雜原子之有機基。雜原子可爲矽原子、氮原子、氧原子、硫原子。有機基之具體例可爲烷基、烯基、環烷基、芳基、芳烷基等烴基；烷基矽烷、芳基矽烷基等具有烴基之矽烷基 ;烷胺基、芳胺基等具有烴基之胺基；烷氧基、芳氧基、芳烷氧基等烴氧基等。上述烴基之碳數係以1〜18，較佳以1〜12，更佳以1〜8爲宜。又，上述烴基均可具有取代基。這時之取代基可爲鹵素原子、烷氧基、胺基、羧基、羥基、烷氧羰基、硝基等。本發明中使用之矽胺烷系聚合物係除一般之聚矽胺烷以外，還可包含聚含金屬矽胺烷，或矽胺烷共聚物等各種聚胺烷改性物。又，矽胺烷系聚合物可以爲具有鏈狀構造或環狀構造，或具有此等雙方構造之聚合物亦可。另外，矽胺烷系聚合物亦可在分子中具有交連構造。本發明中使用之矽胺烷系聚合物係具有1 〇〇〜 50，〇〇〇，較佳具有200〜10，〇〇〇之數量平均分子量。本發明中使用之矽胺烷系聚合物除可以用單獨一種之聚合物以外，還可以做爲二種以上矽胺烷系聚合物之混合物使用。另外，本發明中使用之矽胺烷系聚合物還可以爲其他聚合物與矽胺烷系聚合物之混合物的形態使用。其次，將本發明中所用矽胺烷系聚合物之代表例示如本紙張尺度適财關家鮮（CNS ) A4^ ( 210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再^V%本頁) .IT. · 裝-- ——訂 --線 589356' :广，

A7 B7 五、發明説明（6 ) 以下，當然並不限於此等者。具有上述式（I )所示構造單位之矽胺烷系聚合物（以下有時僅稱爲聚合物）中，R1、R 2及R3均爲氫原子之聚合物係全氫化聚矽胺烷，其製造方法有例如特開昭 6 0 — 145903 號公報，D. Seyferth 等之 Communication of Am. Cer. Soc. , C-13, January 1983中的報告。依此等方法所得者係具有各種構造之聚合物混合物，惟基本上在分子內係包含鏈狀部份與環狀部份，可如下述化學式表示

(ID (請先閱讀背面之注意事項晃>寫本頁) -裝_

、1T 示全氫化聚矽胺烷之構造一例如下

SiH

SiH2

SiH2-NH

NH 一 SiH2 NH-SiH2 (111) 線 SLH2 .SiH2

SiHs 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

I 1 2 具有上述式.（I )之構造單位的聚合物中，R1及R2爲氫 3 原子，R3爲甲基之聚合物，其製造方法有D. Seyferth 等 Polym. Prepr. Am. Chem. Soc. , d i v. Po 1 ym. Chem., 25，1 0 ( 1 9 84 )所提出報告。依此方法所得之聚矽胺係重覆單位爲一（S i H2NCH3) —之鏈狀聚合物與環狀聚合物，均不具有充連構造。 589356 A7 B7 五、發明説明（7 ) 具有上述式（I )之構造單位的聚合物中，R1及 R2爲氫原子，R3爲有機基之聚有機基（氫化）矽胺烷之製造法已報告於D. Seyferth 等 Polym. Prepr. Am. Ch -e m. S o c.，d i v · P ο 1 y in. C h e m, 2 5 , 1 0 ( 1 9 8 4 )及特開昭 6 1 — 8 9 2 3 0號公報等。依此等方法所得之聚矽胺烷中係含有一（R2S i HNH) -做爲重覆單位，主要有聚合度爲3〜5的環狀構造者，或以化學式 (R 3 S i Η N H ) X [ ( R 2 S i Η ) D〕…（ 0 . 4<X<1)所示之分子內同時具有鏈狀構造與環狀構造者。具有上述式（I )所示構造單位之聚合物中，R1爲氫原子，R2，R3爲有機基之聚矽胺烷及R1及R2爲有機基，R3爲氫原子之聚矽胺烷係含有做爲重覆單位之一（ RiRss i NR3) —，主要具有聚合度爲3〜5之環狀構造。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項-s-每寫本頁) 其次，舉本發明中使用之其他聚合物的代表例。聚有機基（氫化）矽胺烷中亦有D. Seyferth等Communication of Am. Cer. Soc. C-132, July 1 984 所報告之分子內具有交鏈構造者。示其一例有如下者本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 Α7 _ Β7五、發明説明（8 ) ·

r = ch3 本發明中還可以使用如特開昭4 9 一 6 9 7 1 7號公報中所報告之藉由氨分解RiS i Χ3(Χ :鹵素）所得具有交連構造的聚矽胺烷R1Si (ΝΗ)Χ，或同時氨分解 R1S i χ3及R22s i又2所得之具有以下構造的聚砍胺烷〇 HI N I 1 il 2 risir / V ID % / HIN - I .1 Η RISIN—

ID

V (請先閱讀背面之注意事項再^'·寫本頁) mr 裝_

、1T (m，η :正之整數）經濟部中央標準局員工消費合作社印製本發明中使用之聚合物係具有如上述式〔I〕所示構造單位所成之主架構，惟式（I )所示構造單位有時會如上述被環狀化，這時該環狀部份會成爲末端基。另一方面，未被環狀化時主架構之末端可爲與R1，R2，R3——樣之基或氫原子。又，本發明中之聚矽胺烷改性物可使用如以下所示構造（式中側鏈之金屬原子Μ亦可以成爲交連）之含金屬的聚合金屬矽胺烷。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 589356 /· A7 B7 五、發明説明（9 )

R丨 SIR

HIN

R 丨 sIM

HIN

V

/(V m Μ η 金數整 3 之子正原經濟部中央標準局員工消費合作社印製除此外，本發明中還可同樣地使用如特開平 62 — 195024號公報所記載，重覆單位爲〔（SiH2)n(NH)n^〔（SiH2)r〇〕（此等式中η，m，r係分別爲1，2或3)所示之聚矽氧胺烷 ;特開平2 — 8 4 4 3 7號公報所記載之聚矽胺烷與硼化合物反應所得耐熱性優之聚硼化矽胺烷；特開平 63 — 81122 號，特開昭 63i 191832 號，特開平2 - 7 7 4 2 7號之各公報所記載使聚矽胺烷與烷氧基金屬反應所得聚金屬化矽胺烷；如特開平 1 一 138108號，特開平1 — 138107號，特開平1一203429號，特開平1-203430號，特開平4 — 63833號，特開平3 — 320167號各公報所記載的無機矽烷胺高聚合物或改性聚矽胺烷；如特H 平2 — 175726號，特開平5 — 86200號，特開平5 — 3 3 1 29 3號，特開平3 — 3 1 3 26號各公報所記載之聚矽胺烷中導入有機成份的對較厚膜有利之共聚砂胺烷；如特開平5—238827號公報，特開平 6-122852號，特開平6 — 299118號，特開 •裝-- 、V1' (請先閱讀背面之注意事項再續寫本頁) 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 平6 — 240208號，特開平7— 196986號中所記載爲促進聚矽胺烷之陶瓷質化而附加或添加觸媒性化合物，亦可施工在塑膠或鋁等金屬之更低溫下可以陶瓷質化之聚矽胺烷等。本發明中更可以使用特開平5 — 2 3 8 8 2 7號公報中所記載之改性聚矽胺烷。此改性之聚矽胺烷係加熱反應具有上述式（I )所示構造單位的聚矽胺烷，與以下式（ VII )：

Si ( 0 R 4 ) 4 ( VH ) (式中R4可爲相同或不同，表示氫原子，碳數1〜2 0 之烷基或芳基，至少一個R4爲上述烷基或芳基）所示烷氧基矽所得之來自烷氧基化合物之矽/來自聚矽胺烷之矽原子比爲0 · 0 0 1〜3之範圍內，且數量平均分子量爲約2 0 0〜5 0萬的烷氧基矽加成的聚矽胺烷。另外，本發明中還可使用如特開平6 — 1 2 2 8 5 2 號公報所記載之改性聚矽胺烷。此改性聚矽胺烷係使上述式（I )所示聚矽胺烷與去水甘油反應所得，去水甘油/ 聚矽胺烷重量比爲0 · 0 〇 1〜2範圍內，且數量平均分子量爲約2 0 0〜5 0萬之去水甘油加成之聚矽胺烷。本發明中更可以使用乙醯丙酮合錯合物加成之聚矽胺烷。此改性之聚矽胺烷係使具有上述式（I)所示構造單位之聚矽胺烷，與含有金屬之鎳、鉑、鈀或鋁之乙醯丙酮合錯合物反應所得，乙醯丙酮合錯合物/聚矽胺烷重量比本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再^^冷本頁)

589356 Α7 Β7 五、發明説明（11 ) 爲0 . 000001〜2範圍內且數量平均分子量爲約 2 0 〇〜5 0萬之乙醯丙酮合錯合物加成聚矽胺烷。上述含有金屬之乙醯丙酮合錯合物係藉由酸解離自乙醯基丙酮 (2 ，4 —戊二酮）所生成之陰離子a c a c -配位於金屬原子之錯合物，以式（CH3C〇CHC〇CH3)n Μ 〔式中Μ係表示η價之金屬〕表示者。本發明中還可以使用特開平6 — 2 9 9 1 1 8號公報中所記載之羧酸金屬鹽加成之聚矽胺烷。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再穿寫本頁) 此改性之聚矽胺烷係使具有上述式（I)表示之構造單位的聚矽胺烷，與含有至少一種選自鎳、鈦 '鉑、鍺、鈷、釕、餓、鈀、銥、鋁之群金屬的羧酸金屬鹽反應所得，羧酸金屬鹽/聚矽胺烷重量比爲0 . 000001〜2 範圍內且數量平均分子量爲約2 0 0〜5 0萬之羧酸金屬鹽加成聚矽胺烷。上述羧酸金屬鹽係以式 (RCOO) η Μ (式中R係碳數1〜2 2之脂肪族基或脂環式基，Μ係至少一種選自上述金屬群之金屬，η係金屬，Μ之原價〕所示者。上述羧酸金屬鹽可爲無水物，亦可爲水合物。又，羧酸金屬鹽/聚矽胺烷重量比係較佳爲 0 · 001〜1 ，更佳係0 · 01〜〇 · 5。可以參照上述特開平6 — 2 9 9 1 1 8號公報調製羧酸金屬鹽加成聚矽胺烷。本發明中使用之矽胺烷系聚合物的代表例係如上述者，惟本發明中使用之聚合物並不限定於此等。由聚合物所生成之陶瓷質物質的硬度或緻密性觀點考量時，以使用全本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 589356 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（12) 氫化矽胺烷系聚合物爲宜，另外就聚合物所生成之陶瓷質物質的撓性考量時則以使用有機基矽胺烷系聚合物爲宜。本發明中係可以配合所需之陶瓷質物質的特性而選擇適當之聚合物。本發明之形成陶瓷質物質用組成物係由如上述之聚矽胺烷或聚矽胺烷之改性物，與至少一種選自胺化合物，酸化合物及過氧化物中的陶瓷質化促進劑（以下僅稱爲 CPA)的混合物所成者。上述胺化合物係包含鏈狀胺化合物及環狀胺化合物者，鏈狀胺化合物可爲例如以下式（W )所示者 R 5 R 6 R 7 N ( VE ) 上述式中R5，R6，R 7係氫原子或有機基，惟其中至少有一個係有機基。這時之有機基係除包含直接結合於其氮原子（Ν)之原子爲碳原子之有機基，以外，還有雜原子的有機基。雜原子可爲矽原子、氮原子、氧原子、硫原子等。有機基之具體例可爲烷基、烯基、芳基、芳烷基等烴基；烷基矽烷基、芳基矽烷基等具有烴基之矽烷基；烷胺基、芳胺基等具有烴基之胺基；烷氧基、芳.氧基、芳烷氧基等烴氧基等。上述烴基之碳數係以1〜1 8，較佳以1 〜12 ’更佳以1〜8爲宜。又，上述烴基均可具有取代基。這時之取代基可爲鹵素原子、烷氧基、胺基、羧基、 (請先閱讀背面之注意事項再'>寫本頁) 裝. 訂線太鉍珞它疳沾珀Φ圃固宕炫电/r rNS ) Α4损抵ί 210'乂？97公貉) 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（l3) _基、烷氧羰基、.硝基等。上述式（W)所示胺化合物之具體例有如下者。甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、丙胺、二丙胺、三丙胺、丁胺、二丁胺、三丁胺、戊胺、二戊胺、三戊胺、己胺、二己胺、三己胺、庚胺、二庚胺、辛胺、二辛胺、三辛胺、苯胺、二苯胺、三苯胺等。本發明中使用之較佳鏈狀胺化合物係三乙胺、三戊胺、三丁胺、三己胺、三庚胺及三辛胺。環狀胺化合物可爲例如吡啶、α -皮考啉、β -皮考啉、r —皮考啉、六氫吡啶、二甲基吡啶、嘧啶、嗒阱等。更可爲DBU (1 ，8 —二氮雜雙環〔5，4，0〕7 一十一碳烯）、DBN (1 ，5 -二氮雜雙環〔4，3 , 〇〕5 -壬烯）等。另一方面，酸化合物係包含有機酸及無機酸者。有機酸可爲具有一 C Ο Ο Η之有機羧酸或具有一 S 03H之有機磺酸等。具體言可爲例如乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、順丁烯二酸、乙磺酸等，無機酸有例如鹽酸、硝酸、磷酸、氯酸、次氯酸、硫酸等。過氧化物有過氧化氫、過氧化鈉、過氧化鈣、過氧化氫加成物、過氧酸、過氧酸鹽等。過氧化氫加成物則有尿素/過氧化氫加成物〔CO (NH) 2; H202〕，矽酸鹽/過氧化氫加成物〔Na2S i 03; H202〕等。過氧酸及其鹽可爲過氧二硫酸、過氧二硫酸鹽、過氧碳酸鹽、過氧硼酸鹽等。一般言，只要溶解於水或酸性水溶液時可發生過氧化氫者即可士々it ZJt I?办-'Λ田士撕撕古扭拖，πχκ：、A /U目故^ Ο 1 rw 107 y乂毯、 (請先閱讀背面之注意事項再琴«-本頁) -裝· 、11 線 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（l4 ) 以任意使用。上述胺化合物、酸化合物及過氧化物均可以單獨或以混合物之形態使用。本發明中係尤以丙酸、鹽酸及過氧化氫最適於使用。本發明之組成物係由矽胺烷聚合物，與上述陶瓷質化促進劑（C P A )之混合物所成者。此組成物可爲粉體狀組成物或液體狀組成物。粉體狀組成物時做爲聚合物係使用粉體狀者。這時使用之C P A可爲固體狀或液體狀者。另一方面，液體狀組成物時聚合物係使用固體狀或液體狀者。這時使用之C P A係可爲氣體狀、液體狀或固體狀者。欲得液體狀組成物時可將聚合物及C P A混合於有機溶劑。有機溶劑係只要爲對聚合物具有溶解性者，即任何種類均可使用。上述有機溶劑可使用脂肪族烴、脂環式烴、芳香族烴等烴等；鹵化甲烷、鹵化乙烷、鹵化苯等鹵化烴類；脂肪族醚、脂環式醚等醚化合物；羧酸酯化合物等。較佳之溶劑係液化甲烯、氯仿、四氯化碳、三溴甲烷、氯化乙烯、二氯化乙烷、三氯乙烷、四氯乙烷等鹵化烴類；乙醚、異丙醚、乙一丁基醚、丁醚、1 ，2 —二氧乙烷、二氧陸圜、二甲基二氧陸圜、四氫呋喃、四氫哌喃等醚類；戊烷、己烷、異己烷、甲基戊烷、庚烷、異庚烷、辛烷、異辛烷、環戊烷、甲基環戊烷、環己烷、甲基環己烷、苯、甲苯、二甲苯、乙苯、乙基環己烷、環己烯、對！烷、檸檬烯、棻烷、四氫化棻、苯基環己烷、壬烷、癸烷等烴類；二甲基二乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷等矽烷化合物。又木紙張尺度適用中國國家標举（CNS ) A4規格（210X297公釐） —

(請先閲讀背面之注意事項再ir寫本百C

589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（15 ) ’羧酸酯可爲乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯·、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸正戊酯、乙酸異戊酯、乙酸正己酯、乙酸異己酯、乙酸環己酯、乙酸苯酯等乙酸乙酯，或同樣之丙酸酯、丁酸酯、戊酸酯、等，另外還可爲順丁烯二酸二甲酯、草酸二甲酯、草酸二乙酯、酞酸一甲酯、献酸一乙酯等二價羧酸酯。上述溶劑亦可以混合二種以上溶劑使用。本發明之液體狀組成物可爲溶液狀或漿液狀之組成物。含於此液體狀組成物中之聚合物比率並不特別限制，惟通吊以0·01〜99重量％，較佳以〇·1〜5〇重量 %爲宜。 C P A之添加比率係c P A爲使用胺化合物時其添加比率係對聚合物爲1重量p pm以上，較佳係1 〇重量 p pm〜1 〇〇重量％，更佳係1 〇〇重量p pm〜5 〇重量％。藉由胺化合物使聚合物進行陶瓷質化的作用係該胺化合物之鹼性度（水溶液中之p K b )愈強時其作用有愈大之傾向’又’隨著該胺化合物之沸點愈高而有愈大之傾向。做爲C P A使用酸化合物或過氧化物時，其添加比率係對聚合物爲0 · 1重量ppm以上，較佳係1重量 p pm〜1 0重量％，更佳係1 〇重量p pm〜5重量％〇本發明之組成物可以視其需要合適量之無機質填充劑。無機質填充劑有矽膠、氧化鉻溶膠、氧化鋁溶膠、氧化 --裝-- (請先閲讀背面之注意事項再蟥寫本頁)

、1T 線 589356 A7 B7 五、發明説明（16). 鈦溶膠等金屬氧化物溶膠；矽砂、石英、均密石英岩、矽藻土、合成不定形矽石等矽質物質；高嶺土、雲母、矽灰石、石棉、矽酸鈣、矽酸鋁、沸石、海泡石、矽石礦等矽酸鹽；玻璃粉末、玻璃球、中空玻璃球、玻璃鱗片、泡玻璃球、玻璃纖維等玻璃質物質；氮化硼、氮化鋁、氮化矽、氮化鈦等金屬氮化物；碳化硼、碳化鋁、碳化矽、碳化鈦等金屬碳化物；硼化鈦等金屬硼化物；碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋇、碳酸鎂等金屬碳酸鹽；氧化鋅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氧化锆、氧化鈹等金屬氧化物；硫酸鋇、二硫化鉬、二硫化鎢、氟化碳等無機化合物；鋁、青銅、鉛、不銹鋼、鋅等金屬粉末；碳黑、焦炭、石墨、熱分解碳、中空碳球等碳質物質等。做爲無機填充劑尤以使用氧化鋅、氧化鈦、氧化鋁、氧化鉻等金屬氧化物之超微粒子及矽溶膠爲宜。上述無機質填充劑可單獨或以混合物之形態使用。無機質填充劑可成爲短纖維狀、粒狀、鱗片狀等各種形狀。無機質填充劑之平均粒徑係〇 . 001〜100 ，較佳係〇 · 〇〇1〜lem。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再續寫本頁) 本發明之組成物還可視其需要再含有慣用之補助成份。這類補助成份可爲顏料、塗平劑、消泡劑、防帶電劑、紫外線吸收劑、pH調節劑、分散劑、表面改質劑、可塑劑、乾燥促進劑、止流劑等。紫外線吸收劑可以採用氧化鋅、氧化鈦、氧化鈽等。欲使用本發明之粉體狀聚合物組成物形成陶瓷質物質時係成形此組成物爲所要形狀，使此成形物與水蒸汽接觸 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（17) 。成形粉體狀組成物之方法可以採用將該組成物放入成形塑模中壓縮之方法，或以層狀使該組成物附著於固體表面上之方法等以往公知之粉體成形法。成形物之形狀可爲薄膜狀、板狀、容器狀、塊狀、棒狀、筒體狀等各種形狀。塗佈液狀組成物（塗料）於固體表面上之方法可採用浸漬塗佈、輥塗佈、棒塗佈、刷塗、噴塗、噴絲塗佈（輪轉吻輥塗、塑模、橡皮等），旋轉塗、流塗等以往公知之方法。塗佈液體組成物之固體表面係最好施予脫脂處理，或粗面化處理等表面改質處理爲宜。對固體表面施予此種表面改質處理，即可以提高組成物對固體表面之附著性能〇使如上述所得之聚合物與C P A之混合物所成的成形物與水蒸汽接觸之方法，可採用使噴嘴噴出之水蒸汽與成形物接觸之方法，或使含有水蒸汽之氣體（例如空氣、氮氣等）與成形物接觸之方法等。成形物與水蒸汽之接觸溫度係2 0〜5 0 0 °C，較佳係2 0〜2 0 0 °C，更佳係 3 0〜1 0 0°C。使成形物與水蒸汽接觸之較佳方法係使含有水蒸汽之空氣與成形物接觸之方法。含水蒸汽之空氣 ♦可爲相對濕度爲0 · 1〜100%，較佳爲10〜100 %之空氣。成形物與水蒸汽接觸之時間係足夠使成形物被陶瓷質化之時間。成形物與水蒸汽接觸之最適當時間係視接觸溫度，或與成形物接觸之氣氛中相對濕度等之不同而異，以極簡單之預先試驗即可決定其最適當之接觸時間。本發明之由聚合物與C P A之混合物所成成形物係在 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--- 訂--

UF 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 A7 B7 五、發明説明（18). 5 0°C以下低溫度亦可被陶瓷質化，又’放置於大氣中亦可以陶瓷質化。. 藉由使成形物與水蒸汽接觸，構成成形物之聚合物中的S i — N鍵、S i— Η鍵及N — H鍵均會消失，新生成 S i —〇鍵，被形成爲以S i— ◦鍵爲主體之S i〇2系陶瓷質物質。將本發明之粉體狀組成物及液體狀組成物附著於固體表面時的固體表面可以使用任意之固體物質表面，並不受任何限制。這類固體物質可爲例如金屬、塑膠、玻璃、陶瓷、木材、紙等。金屬可爲銅、鎳、鈷、鈀、鉑、鐵、錫、焊錫、鈦、不銹鋼、鎳合金等。由金屬所成之固體物質可爲成薄膜狀、纖維狀、棒狀、筒體狀、容器狀、塊狀等各種形狀之固體製品。又，由金屬所成之固體物質係至少表面由金屬所成之各種機械零件、電氣零件、及電子零件等。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再.境寫本頁) 塑膠所成固體物質可爲由熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、合成橡膠等各種樹脂或高分子所形成之固體物質。由耐熱性及耐溶劑性等觀點，塑膠所成之較佳固體物質係聚對苯二甲酸二乙酯（PET)、聚醯亞胺（ P I :例如以商品名Capton市販之均苯四甲酸酐與二胺基二苯醚之聚縮合生成物）、聚碳酸酯（PC)、液晶聚合物、聚丙烯、聚苯硫醚（PPS)、聚棻酸伸乙酯（ PEN)、聚醚硕（PES)、聚醚醯亞胺（PEI)、太祕掁尺疳搞用Φ囫圃定煃進f ΓΝ5； ) A4说格（210X297公鰲） 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（19 ) 聚醚一醚酮（PEEK)、聚芳基化物（PAR) 、聚苯乙烯、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚氯化乙烯、聚酯系樹脂、（例如Ronza公司製I SARYL)、丙烯酸酯系樹脂、聚原冰片烯系樹脂（例如日本合成橡膠公司製 A R T 0 N ) 、Zeonex (日本Zeon公司製）、乙酸纖維素、芳香族聚醯亞胺、原冰片烯系聚烯烴等。由塑膠所成之固體物質可爲成薄膜狀、板狀、棒狀、筒體狀、容器狀、塊狀、纖維狀等各種形狀之固體製品。又，由塑膠所成之固體物質係至少表面由塑膠所成之各種機械零件、電氣零件、及電子零件等。塑膠所成之較佳固體物質係爲塑膠薄膜。塑膠薄膜可爲由上述樹脂或高分子所形成之薄膜。此塑膠薄膜可爲二軸延伸薄膜或一軸延伸薄膜。薄膜之厚度並不特別限制。極薄之塑膠薄膜可被支持於支持體上。塑膠薄膜可對其表面施予電弧放電處理、矽烷偶合劑處理、粗面化處理等表面處理，以提高該組成物之附著性。使用本發明組成物在塑膠薄膜上形成陶瓷質被膜時由於可在低溫迅速地形成該陶瓷質被膜，所以不會使該塑膠薄膜劣化。由玻璃所成之固體物質可爲成薄膜狀、纖維狀、板狀、棒狀、筒體狀、容器狀、塊狀等各種形狀之固體製品。陶瓷所成固體物質可爲由矽石、氧化鋁、氧化鈦、.氧化鉻等金屬氧化物、或氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氮化欽、氮化鉻等金屬氮化物；碳化矽、碳化硼、碳化鈦、碳化 (請先聞讀背面之注意事項再磺寫本頁} mr 裝·

、1T 線_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（20 ) 鉻等金屬碳化物；硼化锆、硼化鈦等金屬硼化物等所形成之固體物質。由陶瓷所成之固體物質可爲成薄膜狀、板狀、棒狀、筒體狀、容器狀、塊狀、纖維狀等各種形狀之固體製品。由木材所成之固體物質可爲成板狀、棒狀、筒體狀、容器狀、塊狀等各種形狀之固體製品。本發明之另一陶瓷質物質之製造方法係包含使c P A 含於不含C P A之矽胺烷系聚合物成形物，成爲含C P A 之成形物後再使其與水蒸汽接觸之方法，使不含C P A之聚合物成形物與含C P A之水溶液接觸或分別或同時使. C P A蒸汽及水蒸汽與其接觸之方法。使C P A含於成形物之方法可以用液體狀或氣體狀使C P A含於成形物。矽胺烷系聚合物成形物可藉由以粉體成形法成粉體狀聚合物之方法，或藉由溶液成形法成形聚合物溶液之方法等獲得〇使C P A水溶液接觸予矽胺烷系聚合物成形物之方法，可以採用浸漬成形物於該C P A水溶液之方法，或以噴嘴噴塗該C P A溶液於成形物表面之方法等。水溶液中之 CPA濃度係只要爲〇·1重量ppm以上即可，並不特別限制，惟較佳係10重量ppm〜10重量％。使C P A蒸汽與矽胺烷系聚合物成形物接觸之方法可採用使噴嘴中噴出之C P A蒸汽與成形物接觸之方法，或使含有C P A蒸汽之氣體（例如空氣、氮氣等）與成形物接觸之方法等。成形物與水蒸汽之接觸溫度係2 0〜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " (請先閱讀背面之注意事項再續寫本頁) -裝- 訂 0, 線 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五.、發明説明（21 ) 5〇〇°C，較佳係20〜200°C，更佳係30〜1〇0 °c。成形物與水蒸汽接觸之時間係1 〇〜6 0分鐘左右。使C P A蒸汽與成形物接觸之較佳方法係使含有C p a蒸汽之氣體（空氣、氮氣等）與成形物接觸之方法。含 c P A蒸汽之氣體中的c P A蒸汽濃度並不特別被限制，惟以1容積P pm以上，較佳以1〜5 0容積％以上爲宜〇產生C P A蒸汽之較佳方法係使用空氣或氮氣等氣體做爲載體氣體，將此載體氣體吹入C P A溶液中使其起泡之方法。依此方法時可得C P A蒸汽與水蒸汽與載體氣體所成之混合氣體。這時C P A水溶液中之C P A濃度係 CPA爲胺化合物時爲10重量ppm以上，較佳爲 100重量ppm〜50重量％，更佳爲〇 · 1〜20重量％。另一方面，C P A爲酸化合物或過氧化物時水溶液中之CPA濃度係0 · 1重量ppm以上，較佳係1〇重量 p pm〜1 0重量％，更佳係1 0 0重量p pm〜1重量 %。吹入載體氣體時之C P A水溶液溫度並不被特別限制，通常係0°C〜水溶液之沸點溫度範圍。使水蒸汽與成形物接觸之方法可採用上述之各種方法〇使C P A蒸汽與水蒸汽接觸成形物時，可採用使 C P A蒸汽與成形物接觸後，再與水蒸汽接觸之方法，或使C P A蒸汽與水蒸汽同時與成形物接觸的方法等。可以 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 ^ — (請先閲讀背面之注意事項再^寫本頁)

589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五.、發明説明（22 ) 使C P A水溶液中吹入起泡用氣體所得之C P A蒸汽、7jc 蒸汽及載體氣體所成混合氣體與成形物相接觸，可同時達成與C P A蒸汽之接觸，與水蒸汽之接觸。使C P A蒸汽及水蒸汽接觸予成形物時，可以將該等蒸汽導入爲乾燥未乾燥狀態之成形物而用乾燥區域進行該接觸。這時可以與乾燥成形物同時進行成形物與乂 P A蒸汽之接觸，以及成形物與水蒸汽之接觸。如上述藉由使C P A蒸汽及水蒸汽接觸於成形物，構成成形物之聚合物即被陶瓷質化。又，如上述被陶瓷質化之成形物係視其需要爲更提高其成形物之陶瓷質化，可以使其與水蒸汽、水、鹼性水溶液或酸性水溶液相接觸。本發明之較佳實施形態之一係包括在被使用於電子製品之各種基板及元件表面形成陶瓷質被膜做爲絕緣膜或保護膜的方法。這時形成陶瓷質被膜的方法可採用上述之方上述基板可包括半導體裝置中之基板，或液晶裝置中之基板等。半導體裝置之基板可爲安裝半導體用基板、印刷電路配線基板等。又，此等基板還可爲矽板或玻璃板、氧化鋁板、塑膠薄膜等。半導體裝置中之元件有半導體元件、電容器元件、電阻元件等。另一方面，液晶裝置中之基板則有顯示基板。此顯示基板可爲玻璃板、矽板、塑膠薄膜等。液晶裝置中之元件有透明電極板、像素電極、彩色濾光器等。本發明之·形成陶瓷質被膜的方法係可在 1 0 0 °c以下之低溫進行，所以對此等基板或元件之表面本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項#..填寫本頁)

589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（23 ) ’對此等基板或元件不會有不良影響即可形成陶瓷質被膜〇本發明之另一較佳實施形態係包括在塑膠薄膜表面形成陶瓷質被膜的方法。這時形成陶瓷質被膜於塑膠薄膜表面的方法可按照上述方法進行。本發明之方法可在1 〇〇 C以下低溫實施’所以對塑膠薄膜表面不致於有所影響，即可形成陶瓷質被膜。本發明之又一較佳實施形態係包括爲了在固體製品上形成陶瓷質被膜連續地施行以下步驟之方法，即在固體製品上塗佈含矽胺烷系聚合物之塗料，於該固體製品上形成該塗料被膜之塗佈步驟；與乾燥該固體製品上之塗料被膜 ’在該固體製品上形成該聚合物被膜之乾燥步驟；與陶瓷質化該固體製品上之聚合物被膜的陶瓷質化步驟。此方法中聚合物被膜之陶瓷質化可依上述方法實施。即，使用含矽胺烷系聚合物與C P A之塗料做爲該塗料時，陶瓷質化步驟係藉由使水蒸汽接觸於聚合物被膜予以實施。另一方面，做爲該塗料若使不含CPA之塗料時，陶瓷質化步驟係使C P A水溶液與聚合物被膜接觸，或分別或同時使 C P A蒸汽與水蒸汽予以接觸。本發明中之陶瓷質化步驟係可在1 0 〇°C以下低溫度且迅速實施，所以依本發明時，對耐熱性佳之固體製品自不用說，對耐熱性不佳之固體製品亦可以極有效率地形成陶瓷質被膜。上述乾燥步驟及陶瓷質化步驟可以分別實施，亦可同 (請先閱讀背面之注意事項再續寫本頁) ,mr 裝------訂— 0— 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 589356 Μ Β7 五、發明説明（24 ) 時實施。爲同時實施此等二步驟，可採用以下方法實施。 (1) 塗料中包含CPA時使用含聚合物與C P A之塗料時可採用係在乾燥步驟中導入水蒸汽，在水蒸汽存在下實施塗料被膜之乾燥的方法。藉此方法可同時實施乾燥步驟與陶瓷質化步驟。這時較佳之實施方式係導入水蒸汽於乾燥固體製品上所形成塗料被膜用的乾燥區域中，形成爲具有1 〇〜1 〇〇%RH ，較佳爲5 0〜1 0 0%RH之相對濕度與3 0〜1 0 0 °<3溫度之乾燥區域，以滯留時間5〜6 0分鐘之條件使具有塗料被膜之固體製品通過乾燥區域。 (2) 塗料中不含CPA時使用不含C P A之塗料時係可採用在乾燥步驟中導入 C P A蒸汽與水蒸汽，在C P A蒸汽及水蒸汽存在下實施塗料被膜之乾燥的方法。經濟部中央標準局員工消費合作社印製這時較佳之實施方法係導入C P A蒸汽與水蒸汽於乾燥固體製品上所形成塗料被膜用的乾燥區域中，形成爲具有1 0〜1 0 0%RH，較佳爲5 0〜1 00%RH之相對濕度與3 0〜1 0 0°C溫度之乾燥區域，以滯留時間5 〜6 0分鐘之條件使具有塗料被膜之固體製品通過乾燥區域。導入C P A蒸汽與水蒸汽時可以分別導入此等蒸汽，亦可導入混合二者之氣體。欲得混合C P A蒸汽與水蒸汽 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 ~ 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（25 ) 之氣體時可以在含C P A之水溶液中吹入載體氣體使其冒泡即可。通過水溶液中之載體氣體會帶有C P A蒸汽與水蒸汽。此含有C P A蒸汽與水蒸汽之載體氣體係被導入乾燥上述塗料被膜之乾燥區域。載體氣體可以使用氮氣等惰性氣體或空氣。依本發明時可使固體製品依序通過塗佈步驟，乾燥步驟及陶瓷質化步驟，得到具有陶瓷質被膜的固體製品。如上述所得表面上具有陶瓷質被膜之製品還可視其需要使該陶瓷質被膜更高度陶瓷質化，施予與水蒸汽之接觸處理，或與水之接觸處理，與酸性化合物之接觸處理，與鹼性化合物之接觸處理等後處理。又，如上述所得表面具有陶瓷質被膜之固體製品可將其放置於大氣中亦可使該陶瓷質被膜成爲更高度陶瓷質化之被膜。本發明之另一較佳之實施形態係在固體製品上接連地施行塗佈含矽胺烷系聚合物之塗料於該固體製品上形成該塗料被膜之塗佈步驟；與乾燥該固體製品上之塗料被膜，在該固體製品上形成聚合物被膜的乾燥步驟；與使C P A 蒸汽與液體與該固體製品上之聚合物被膜接觸之添加 C P A步驟；與使水蒸汽與含有C P A之聚合物被膜接觸之陶瓷質化步驟之方法。此方法中可以使C P A存在於乾燥步驟，而可以同時進行乾燥步驟與C P A添加步驟。又，使水蒸汽存在於C P A添加步驟中，而可以同時進行 C P A添加步驟與陶瓷質化步驟。上述固體製品可使用各種類者，尤以極適於使用長時本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羞) ' (請先閱讀背面之注意事項#,填寫本頁) -裝

、1T 0, 線 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五.、發明説明（26) 之塑膠薄膜。欲在此長條狀塑膠薄膜之一面或兩面形成陶瓷質被膜時，可依序輸送此長條狀塑膠薄膜通過塗佈區域，乾燥區域及陶瓷質化區域。所得製品薄膜可以捲在滾筒上。固體製品上形成之陶瓷質被膜的厚度係最好規定於 5 0A‘〜5 //m，較佳爲1 Ο 0A〜2 /zm範圍。此被膜較厚於5 //m時，被膜上極易發生裂痕，被膜之撓曲性亦變差。另一方面，該被膜之厚度若爲5 0A以下時則無法充分表現陶瓷質被膜的功能。又，固體製品上所形成陶瓷質被膜中所含氮之量係最好規定在原子百分率0·005〜5%範圍。氮含量爲5 %以上時該被膜無法充分陶瓷質化，不能充分表現陶瓷質被膜之功能'。可視陶瓷化條件調節此氮含量。使用胺化合物爲C P A時，有時會在陶瓷質被膜中殘留該胺化合物。此胺化合物之殘留量可藉由胺化合物之種類或陶瓷質化條件來加以控制，形成爲不殘留胺化合物之被膜。以下藉由實施例更詳細說明本發明，惟本發明之技術範圍並不受此等所限制。參考例1 〔合成全氫化聚矽胺烷〕在內容積1公升之四口燒瓶裝配氣體吹入管，機械式攪拌機，杜瓦冷凝器。脫氧反應器之內部以乾燥氮取代後，於四口燒瓶中裝入4 9 OmP脫氣之乾燥吡啶，並予以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Z ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

589356 A7 B7 五·、發明説明（27 ) 冰冷。其次，加入51.9g二氯矽烷，即生成白色固體狀之加成化合物（S i H2Cj?2· 2 C5H5N)。冰冷反應混合物’一邊攪拌一邊使其通過氫氧化鈉管及活性碳管 ’吹入51 · Og精製之氨後，於1〇〇 °c加熱。反應完後離心分離反應混合物，使用乾燥吡啶予以洗淨後，再於乾燥氮氣氛下過濾，得8 5 Omj?濾液。自5 mj?濾液減壓除去溶媒，得〇 · i〇2g樹脂狀固體全氫化聚矽胺烷。所得聚合物之數量平均分子量係以冰點降低法（溶媒 :乾燥苯）測定，結果爲1 1 20。自其I R (紅外吸收 )譜圖（溶媒：乾燥鄰二甲苯；全氫化聚矽胺烷之濃度： 10 .2g /义分別確認波數（am-1) 3390及 1 180之N — Η吸收，2170之S i— Η吸收， 1 040 〜8 0 0 之 S i — Ν — S i 吸收。參考例2 〔聚甲基（氫化）矽胺烷之合成〕經濟部中央耩準扃負；消貧合作社印繁 (請先閲讀背面之注意事項見植寫本頁) 在內容積1公升之四口燒瓶裝配氣體吹入管，機械式攪拌機，杜瓦冷凝器。脫氧反應器之內部以乾燥氮取代後，於四口燒瓶中裝入甲基二氯矽烷（CH3S i HC又2 24 · 3g ，0 · 221莫耳）與300m又乾燥二氯甲烷。冰冷反應混合物，一邊攪拌一邊吹入20·5g( 1·20莫耳）乾燥氨與氮氣進行氨分解。反應完後離心分離反應混合物後過濾。減壓除去濾液中之溶媒，得8 · 7g無色液體之聚甲基（氫化）矽胺烷本紙張適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 589356 五、發明説明（28 °以冰點降低法分子量，結果係其次，在1 管，溫度計，冷將1 2 m $四氫氧化鉀放入四口入5 · 〇〇 g聚呋喃，滴入氫氧將 1 · 6 0 g ( 四氫呋喃放入滴時後，減壓除去正己烷予以離心媒，即可得'4 . (溶媒 3 10 0 0m 凝器及呋喃及燒瓶中甲基（化鉀與 11 . 下漏斗反應混分離， 8 5 g :乾燥苯）測定生成物之數量平均〇义內容積之四口燒瓶裝配氣體導入滴下漏斗，以氬氣取代反應系內。〇.189g(4.71 莫耳）氫 ’開始磁力攪拌。在滴下漏斗中放氫化）矽胺烷及5 Omj?乾燥四氫四氫呋喃。於室溫反應1小時後， 3毫吴耳）碘化甲院及1 m $乾燥 ’滴入反應液中。於室溫反應3小合物中之溶媒，加入4 Omp乾燥並予以過濾。減壓除去濾液中之溶白色粉末之聚甲基（氫化）矽胺烷 11 . (請先閲讀背面之注意事項再'填寫本頁j •裴· 訂所生成之聚合物的數量平均分子量係1 〇 6 0 β自其 IR (紅外線吸收）譜（溶媒：乾燥鄰二甲苯；聚甲基（氫化）矽胺烷之濃度：43 · 2g/i?)分別確認波數3 380 及 1170 之 N — Η 吸收，2140 之 Si - Η 吸收，1250之Si-CH3吸收。比較例1 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於二甲苯，使用自旋塗佈器（lOOOrpm，20 秒）將此溶液塗佈於直徑4吋，厚〇 · 5 mm之矽晶圓上。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐）線經濟部中央標準局員工消費合作社印製 589356 A7 _________B7_ 五、發明説明（29 ) 於室溫乾燥3 0分鐘。所得被膜之I R譜係與上述全氫化聚矽胺烷之I R譜相同。繼而在9 5°C，8 0%RH恆溫恆溼器中加濕處理10分鐘此塗佈有全氫化聚矽胺烷的矽板。測試所得被膜之I R譜。由所得圖譜可知殘留許多波數（cm-1) 3350 及 1200 之 N — Η 吸收， 2190 之 Si— Η 吸收，1020 〜820 之 S i — N— S i 吸收。實施例1 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷溶解於二甲苯，在1 0 g此溶液中於室溫一邊攪拌一邊緩緩地添加'2 0 mg丙酸與5 0 Omg三丁胺。使用自旋塗佈器將此溶液塗佈於直徑4吋，厚0 . 5 mm之矽晶圓上（ 1000rpm，20 秒），於 50°C，80%RH 之恆溫恆溼器中加濕處理3小時。經濟部中央標準局員工消費合作社印製以I R譜測試所得薄膜，自所得I R圖譜確認出聚矽胺烷之吸收，即波數（cm-1) 339及1180之 N — Η之吸收，2170之Si— Η的吸收，1040〜 8 0 0之3丨一1^一5丨吸收均已消失，分別有波數（ cm-1) 3700 〜·3100 之〇一Η 吸收，1180 及 4 6 0之S i — 〇之吸攸。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係1 1 0 0A/分鐘，獲知係具有高度〇〇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五.、發明説明（30) 緻密性者。上述蝕刻率係如以下求得。將試料之被覆部份浸漬於混合1 〇〇m々6 0重量％硝酸與lmj? 5 0重量％氟酸所形成之腐蝕液2分鐘後 ’以Eri pun測儀測試其被膜厚度，算出減少之被膜厚度。依該減少之被覆厚度求得該被膜之蝕刻率（A/分鐘）。實施例2 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之聚甲基（氫化 )矽胺烷溶於二甲苯，在1 0 g此溶液中於室溫一邊攪拌一邊緩緩地添加2 Omg丙酸與5 0 Omg三丁胺。使用自旋塗佈器將此溶液塗佈於直徑4吋，厚0 · 5ππη之矽晶圓上 (1000\〇111，20秒），於50°(：，80%尺1^之恆溫恆溼器中加濕處理3小時。以I R譜測試所得薄膜，自所得I R圖譜確認波數（ cm-Μ 3380 及 1170 之 N-H 之吸收，2140 之S i — Η的吸收，均已消失，分別有波數（cm-1) 700〜3300之〇一Η吸收，1270之Si— CH3吸收，1130及440之Si—〇吸收。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係1 5 0 0 A/分鐘。實施例3 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺 (請先閱讀背面之注意事項再續寫本頁) b, 裝· 、11 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 A7 ____ B7_____ 五、發明説明（31 ) 烷溶解於二甲苯，在1 0 g此溶液中於室溫一邊攪拌一邊緩緩地添加2 0 mg乙酸與5 0 Omg三丁胺。使用自旋塗佈器將此溶液塗佈於直徑4吋，厚0 · 5nmi之矽晶圓上（ 1000rpm，20 秒），於 50°C，80%RH 之恆溫恆溼器中加濕處理3小時。以I R譜測試所得薄膜，自所得I R圖譜確認波數（ cm-1) 33 90 及 1180 之 N — Η 之吸收，2170 之 S i— Η 的吸收，1040 〜800 之 S i— N— S i 吸收均已消失，分別有波數（cm-1) 3700〜 3100之〇一Η吸收，1190及460之Si —〇吸收。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係1000A/分鐘。實施例4 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷溶解於二甲苯，在1 〇 g此溶液中於室溫一邊攪拌一邊緩緩地添加2 0 mg丙酸與5 0 Omg二戊胺。使用自旋塗佈器將此溶液塗佈於直徑4吋，厚〇 · 5 mm之矽晶圓上（ 1000rpm，20 秒），於 50°C，80%RH 之恆溫恆溼器中加濕處理3小時。以I R譜測試所得薄膜，自所得I R圖譜確認波數（ cm-1) 3390 及 1180 之 N-Η 之吸收，2170 之 Si— Η 的吸收，1〇4〇〜800 之 Si - N-Si 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 A7 B7 五、發明説明（32) 吸收均已消失，分別有波數（cm-1) 3700〜 3000之〇一Η吸收，1180及460之Si —〇吸收。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係1 2 0 0 A /分鐘。實施例5 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷溶解於二甲苯，在1 0 g此溶液中於室溫一邊攪拌一邊緩緩地添加1 0 Omg丙酸。使用自旋塗佈器將此溶液塗佈於直徑4吋，厚0 · 5腿之砍晶圓上（lOOOrpm， 20秒），於50°C，80%RH之恆溫恆溼器中加濕處理5小時。以I R譜測試所得薄膜，自所得I R圖譜確認波數（ cm-Μ 3390 及 1180 之 N — Η 之吸收，2170 之 Si— Η 的吸收，1040 〜800 之 Si - N— Si 吸收均已消失，分別有波數（cm-Μ 2170之Si — Η弱吸收，3700〜3200之〇一Η吸收，1180 及460之Si—〇吸收。實施例δ 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷溶解於二甲苯，在1 〇 g此溶液中於室溫一邊攪拌一邊緩緩地添加5 0 Omg三戊胺。使用自旋塗佈器將此溶液塗請先閲讀背面 5，意事項再，、-填： I一裝頁訂

經濟部中央標準局員工消費合作社印製太鉍珞涪诎用Φ圃圃定德進f rRS ) A4親·格（210X297公鰲） 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（33 ) 佈於直徑4吋，厚0 · 5 ram之砂晶圓上（1000 rPm ，20秒），於95°C，80%RH之恆溫恆溼器中加濕處理1小時。以I R譜測試所得薄膜，自所得I R圖譜確認波數（ cm-1) 3390 及 1180 之 N — Η 之吸收，2170 之 Si — Η 的吸收，1040 〜800 之 Si— N— Si 吸收均已消失，分別有波數（cm 一 Ο 3 7 0 0〜 3000之〇一Η吸收，1170及450之Si —〇吸收。又，藉由FT - I R之累積減低噪吸收，擴大 2 9 0 0 cm-1附近之吸收時確認出三戊胺C — Η吸收之微弱吸收（2820〜2950cm-1)。實施例7 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於二甲苯，使用自旋塗佈器（1 000 r pm，20 秒）將此溶液塗佈於直徑4吋，厚0 . 5 mm之砂晶圓上。其次在2 0 0 Omj容量之燒杯中放入5 0 g三乙胺與 9 5 0 g純水，一邊攪拌一邊以罩式加熱器加熱爲5 0°C ，將塗佈全氫化聚矽胺烷之矽晶圓浸漬於其中15分鐘。測試所得被膜之I R譜。由所得圖譜可知，波數（ cm-1) 3390 及 11 80 之 N — Η 吸收，2170 之 Si- Η 吸收，1040 〜800 之 Si— N — Si 吸收均大約消失，分別確認出波數（cm-1) 3600〜太紙掁尺疳祕用+國囫定摁進i CNS ) A4規格ί 210X297公螫) " (請先閲讀背面之注意事項再f寫本頁)

589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（34 ) 3100之〇一Η吸收，1000〜1250及440之 S i —〇吸收。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係2 5 0 0A/分鐘。實施例8 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於二甲苯，使用自旋塗佈器（1 000 r pm，20 秒）將此溶液塗佈於直徑4吋，厚0 · 5 mm之矽晶圓上。其次在2 0 0 Omj?容量之燒杯中放入5 0 g正丁胺與 9 5 0 g純水，於室溫（2 0°C)攪拌。在此水溶液中浸漬塗佈全氫化聚矽胺烷之矽晶圓1小時。測試所得被膜之I R譜。由所得圖譜可知，波數（ c m - M 3 3 9 0 及 1 1 8 0 之 N — H 吸收，2 1 7 0 之 S i-H 吸收，1040 〜800 之 Si —N — Si 吸收均減少，分別確認出波數（cm-Μ 3600〜3200 之〇一Η吸收，1000〜1250及460之Si —〇吸收。實施例9 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於二甲苯，使用自旋塗佈器（lOOOrpm，20 秒）將此溶液塗佈於直徑4吋，厚0·5匪之矽晶圓上。其次在2 0 0 〇m$容量之燒杯中放入5 g乙酸與5 0 g (請先閱讀背面之注意事項系填寫本頁) -裝· 、11 線太Μ银涪描田Φ圃固宕後進f 、A4找技f 710乂川7办貉、 589356 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（35 ). ' 正戊胺與9 5 0 g純水，一邊攪拌一邊以罩式加熱器加熱至5 0 °C。浸漬塗佈有全氫化聚矽胺烷之矽晶圓於此水溶液中1小時。測試所得被膜之I R譜。由所得圖譜可知，波數（ cm-1) 33 90 及 1180 之 N — Η 吸收，2170 之 S i — Η 吸收，1040 〜800 之 S i— N — S i 吸收均大約已消失，分別確認出波數（cm-1) 3600〜 3100 之〇— Η 吸收，1000 〜1250 及 440 之 S i — 0吸收。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係2 2 0 0 A /分鐘。實施例1 0 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於二甲苯，使用自旋塗佈器（1 000 r pm，20 秒）將此溶液塗佈於直徑4吋，厚0 . 5 fflin之矽晶圓上。其次在2 0 〇 OmP容量之燒杯中放入5 g三乙胺與 9 5 0 g純水，一邊攪拌一邊以罩式加熱器加熱至5 0°C 。將塗佈有全氫化聚矽胺烷之矽晶圓懸掛在此燒杯之氣相部份3 0分鐘。測試所得被膜之I R譜。由所得圖譜可知，波數（ cm-1) 3390 及 1180 之 N — Η 吸收，2170 之 S i— Η 吸收，1〇40 〜800 之 Si — N — Si 吸收均大約已消失，分別確認出波數（cm-1) 3600〜 (請先閱讀背面之注意事項#,填寫本頁) .裝· 訂線太紙後尺庶试用中國國定榇進（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（36 ) . 31〇0之〇一H吸收，1000〜125^及450之 s i —〇吸收。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係2200A /分鐘。實施例1 1 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於二甲苯，使用自旋塗佈器（1 〇〇〇 r pm，20 秒）將此溶液塗佈於直徑4吋，厚0 . 5 mm之矽晶圓上。其次在2 0 0 Omj?容量之燒杯中放入濃度3 0%之 1 〇 0 0 g過氧化氫水，一邊攪拌一邊以罩式加熱器加熱爲5 〇°C。其次，浸漬塗佈有全氫化聚矽胺烷之矽晶圓於此過氧化氫水徑3 0分鐘。以I R譜測試所得薄膜，自所得I r圖譜確認波數（ cm-1) 3390 及 1180 之 N — Η 之吸收，2170 之 Si— Η 的吸收，1〇40 〜800 之 Si— N— Si 吸收均大約已消失，分別有波數（cm-1) 3600〜 2900之〇一Η吸收，1〇〇〇〜1300及450之 S i — 0吸收。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係2 0 0 0A/分鐘。參考例3 〔合成聚甲基（氫化）矽胺烷〕在內容積5 〇〇mi之四口燒瓶裝配氣體吹入管，機本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項界績寫本頁) •裝--

、1T 線 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（37 ) 械式攪拌機，杜瓦冷凝器。脫氧反應器之內部以乾燥氮取代後，於四口燒瓶中裝入甲基二氯砂院（ CH3S i HCj?2 24-3g，0.221 莫耳）與 3 0 〇mj?乾燥二氯甲烷。冰冷反應混合物，一邊攪拌一邊吹入20 · 5g (1 · 20莫耳）乾燥氣與氮氣。反應完後離心分離反應混合物後過濾。減壓除去濾液中之溶媒，得8 · 7 9 g無色液體之聚甲基（氫化）矽胺烷。比較例2 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成全氫化聚矽胺烷於十氫棻中。在大氣中（25°C，50%RH)，以 3 0 〇〇 r pmx 2 0秒條件旋塗於矽板及玻璃板。於 9 5 °C，8 0 % R Η恆溫恆濕器中加濕處理1 〇小時。所得被膜之緻密性以其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估，結果蝕刻率係1 0 0 0 0Α/分鐘以上。又，顯微鏡觀察（ 1 2 0倍）所得被膜，結果看出有很多凹凸不均勻之處。比較例3 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於十氫某中。在大氣中（25°C，50%RH)，以 3 0 0 0 r pmx 2 0秒條件旋塗於矽板及玻璃板。於大氣氣氛中（25°C，50%RH) ，250 °C熱板上加熱 3分鐘。這時發生大量之煙，被膜之重量係減少成爲加熱本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再，填寫本頁) -裝· 線 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（38 ) 前之7 5%。在大氣氣氛中，於4 5 0°C燒成1小時。以其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係1 0 0 0 0A /分鐘以上。以顯微鏡觀察（ 1 2 0倍）所得被膜，獲知有許多凹凸或球狀（1〜1 〇 # m )孔，極不均勻。比較例4 以2 0重量％濃度溶解參考例3所合成聚甲基（氫化 )矽胺烷於二甲苯中。在大氣中（25°C，50%RH) ，以3 Ο Ο 0 r pmx 2 0秒條件旋塗於矽板及玻璃板。於9 5 °C，8 0 % R Η恆溫恆濕器中加濕處理1〇小時。所得被膜之緻密性以其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估，結果蝕刻率係1 〇〇〇〇Α /分鐘以上。又，顯微鏡觀察 (1 2 0倍）所得被膜，結果看出有很多凹凸不均勻之處〇比較例5 以2 0重量％濃度溶解參考例3所合成之聚甲基（氫化）矽胺烷於二甲苯中。在大氣中（25°C，50%RH )，以3000rpmx20秒條件旋塗於矽板及玻璃板。於大氣氣氛中（25°C，5 0%RH) ，250 °C熱板上加熱3分鐘。這時發生大量之煙，被膜之重量係減少成爲加熱前之7 5%。在大氣氣氛中，於4 5 0 °C燒成1小時。以其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再'續寫本頁) -裝------訂線 589356 A7 B7 五、發明说明（39) — 性’結果其触刻率係1 2 〇〇〇a /分鐘以上。以顯微鏡觀察（1 2 0倍）所得被膜，獲知有許多凹凸或球狀（1 〜1 〇/zm)孔，極不均句。 (請先閲讀背面之注意事項#,'填寫本頁) 實施例1 2 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷溶解於十氫棻，在1 0 g此溶液中於室溫一邊攪拌一邊緩緩地添加2 0 Omg三正戊胺。於大氣中（2 5°C，5 0 %RH) ’以3000rpmx20秒條件旋塗於溶液於矽板及玻璃板。然後在9 5°C，8 0%RH之恆溫恆溼器中加濕處理1小時。以其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係1 5 0 0A /分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸極爲均勻。實施例1 3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷溶解於十氫某。於室溫在1 0 g此溶液中一邊攪拌一邊慢慢添加200 mg三正戊胺。於大氣中（25 °C，50% RH)以3 0 0 0 r pmx2 0秒之條件旋塗所得溶液於矽板及玻璃板上。於大氣中（2 5°C，5 0%RH)， 2 5 0 °C之熱板上加熱3分鐘。這時並沒有發煙，被膜之重量係加熱前之102%。於大氣氣氛中，450 °C下燒成1小時。藉其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央標準局員工消費合作社印製 589356 A7 ____________B7__ 五、發明説明（40) ' 〜- 之緻密性’結果其蝕刻率係8 〇〇A /分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸或球狀（丄〜 1 0 /zm)孔極爲均勻。實施例1 4 以2 0重量％濃度將參考例3所合成之聚甲基（氫化 )矽胺烷溶解於二甲苯，在1 〇 g此溶液中於室溫一邊擾拌一邊緩緩地添加2 0 Omg三正戊胺。於大氣中（2 ，50%RH)，以3000rpmx20秒條件旋塗此溶液於矽板及玻璃板。然後在9 5°C，8 0%RH之@溫恆溼器中加濕處理1小時。以其對酸之腐蝕速度（蝕刻率 )評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係1 6 0 〇A/ 分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸極爲均勻。實施例1 5 以2 0重量％濃度將參考例3所合成之聚甲基（氫化 )矽胺烷溶解於二甲苯。於室溫在1 0 g此溶液中一邊攪拌一邊緩緩地添加2 0 Omg三正戊胺。於大氣中（2 5°C ，5 0 % R Η )以3 0 0 0 r p m X 2 0秒之條件旋塗所得溶液於矽板及玻璃板上。於大氣中（25 °C，50% RH) ，25 0°C之熱板上加熱3分鐘。這時並沒有發煙，被膜之重量係加熱前之9 9%。於大氣氣氛中，4 5 0 °C下燒成1小時。藉其對酸之腐蝕速度（·蝕刻率）評估所本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項晃填寫本頁) .裝------訂線· 589356 A7 一---^B7 五、發明説明（41 得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係丨2 〇〇 A /分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸或球狀（1〜10#m)孔極爲均勻。實施例1 6 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺院溶解於十氫荛’在1 0 g此溶液中於室溫一邊攪拌一邊緩緩地添加2 Omg丙酸與5 〇〇mg二丁胺。在大氣中（2 5C’ 50%RH)以 30〇〇rpmx20 秒之條件旋塗所得溶液於砂板及玻璃板。於9 5°C，8 0%RH之恆溫恆溼器中加濕處理1小時。藉由酸之腐蝕速度（蝕刻率 )評估所得被膜之緻密性，結果蝕刻率係1 5 0 0A/分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，結果未見凹凸，極爲均勻。實施例1 7 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷溶解於十氫菓。於室溫在1 0 g此溶液中一邊攪拌一邊緩緩添加2 0 mg丙酸與5 0 Omg二丁胺。於大氣中（2 5 °C，50%RH)以3000rpmx2〇秒之條件旋塗所得溶液於矽板及玻璃板上。於大氣中（2 5°C，5 0% R Η ) ，2 5 0 °C之熱板上加熱3分鐘。這時並沒有發煙，被膜之重量係加熱前之1 0 1%。於大氣氣氛中’ 4 5 0 °C下燒成1小時。藉其對酸之腐蝕速度（触刻率）本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）請先閲讀背之注意事項再填- 寫本頁訂經濟部中央標準局員工消費合作社印製

A A 589356 A7 _____B7 五、發明説明（42) — 評估所得被膜之緻密性，結果其触刻率係7 〇分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸或球狀（1〜1 孔極爲均勻。 (請先閱讀背面之注意事項再填'寫本頁) 實施例1 8 以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷溶解於十氫棻，在1 0 g此溶液中於室溫一邊攪拌一邊緩緩地添加2 Omg乙酸及3 0 Omg三丁胺。於大氣中（ 25°C，50%RH)，以 30〇〇rpmx20 秒條件旋塗此溶液於砂板及玻璃板。然後在9 5°C，8 0%RH 之恆溫恆溼器中加濕處理1小時。以其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係 1 4 0 0A/分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸極爲均勻。實施例1 9 經濟部中央標準局員工消費合作社印製以2 0重量％濃度將參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷溶解於十氫棻。於室溫在1 0 g此溶液中一邊攪拌一邊慢慢添加2 0 mg乙酸及3 0 Omg三丁胺。於大氣中（2 5 °C，50%RH)以3000rpmx20秒之條件旋塗所得溶液於矽板及玻璃板上。於大氣中（2 5°C，5 0% RH) ，2 5 0 °C之熱板上加熱3分鐘。這時並沒有發煙，被膜之重量係加熱前之1 0 4%。於大氣氣氛中， 4 5 0°C下燒成1小時。藉其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）、張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐] -45 - 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明（43 ) 評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係8 5 0A/分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸或球狀（1〜1 0//m)孔極爲均勻。. 實施例2 0 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於十氫棻使用自旋塗佈器（3000 r pm，20秒 )將此溶液於大氣中（2 5°C，5 0%RH)塗佈於矽板及玻璃板。在2 0 0 OmP容積之燒杯中放入5 0 g三乙胺與9 5 0 g純水，一邊攪拌一邊以罩式加熱器加熱爲 5 0°C。將上述所得塗佈有全氫化聚矽胺烷之矽板及玻璃板浸漬於所得溶液1 5分鐘。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果蝕刻率係2 3 0 0 A / 分鐘。又，以顯微鏡觀察所得被膜，結果未見凹凸極爲均勻。實施例2 1 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺院於十氫某使用自旋塗佈器（3000 r pm，20秒 )將此溶液於大氣中（25°C，50%RH)塗佈於矽板及玻璃板。在2 0 0 OmP容量之燒杯中放入5 0 g三乙胺與9 5 0 g純水。將上述所得塗佈有全氫化聚矽胺烷之矽板及玻璃板浸漬於所得溶液中5秒鐘。這時並沒有發煙，被膜之重量係加熱前之1 0 6%。於大氣氣氛中，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝.

、1T 線 -46 - 589356 A7 B7 五、發明説明（44 ) 請閲讀背面之注意事項再填寫本頁 4 5 0°C下燒成1小時。藉其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係1 〇〇〇A/分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸或球狀（1〜1 O/zm)孔極爲均勻。實施例2 2 以2 0重里％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚砂 fee院於十氨系使用自旋塗佈器（3 0 0 〇 r pm，2 0秒 )將此溶液於大氣中（2 5°C，5 0%RH)塗佈於矽板及玻璃板。在2 0 0 OmP容量之燒杯中放入5 0 g正丁胺與9 50g純水，在室溫（20° )攪拌。將上述所得塗佈有全氫化聚矽胺烷之矽板及玻璃板浸漬於所得溶液中 1小時。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係2 8 0 0 A /分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸極爲均勻。實施例2 3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於十氫某。使用自旋塗佈器（3 0 0 0 r pm，2 0 秒）將此溶液於大氣中（25°C，50%RH)塗佈於矽板及玻璃板。於室溫在2 0 0 OmP容量之燒杯中放入5 g三乙胺與9 5 0 g純水，一邊攪拌一邊以罩式加熱器加熱爲5 0°C。將上述所得塗佈有全氫化聚矽胺烷之矽板及玻璃板懸掛在此燒杯之氣相部份3 0分鐘。藉由對酸之腐本紙張尺度適用中國國家標準（ CNsl A4規格（210X297公釐）^ 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（45 ) 蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果蝕刻率係 1 9 0 0A/分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，結果未見凹凸，極爲均勻。實施例2 4 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於十氫某。使用自旋塗佈器（3 0. 00 r pm，20 秒）將此溶液於大氣中（25°C，50%RH)塗佈於矽板及玻璃板。於室溫在2 0 0 Omj?容量之燒杯中放入5 g三乙胺與9 5 0 g純水。將上述所得塗佈有全氫化聚矽胺烷之矽板及玻璃板懸掛於此燒杯之氣相部份10秒鐘。於大氣中（25°C，50%RH) ，250°C之熱板上加熱3分鐘。這時並沒有發煙，被膜之重量係加熱前之 1 0 1%。於大氣氣氛中，450 °C下燒成1小時。藉其對_酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係8 0 0A /分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸或球狀（1〜1 0 //m)孔極爲均勻。實施例2 5 · 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成.之全氫化聚矽胺烷於十氫棻。使用自旋塗佈器（3000 r pm，20 秒）將此溶液於大氣中（2 5°C，5 0%RH)塗佈於矽板及玻璃板。在2 0 0 0 m P量之燒杯中放入1 〇〇〇 g 太紙忮尺麿谪用中國國家標糸（CNS ) A4規格（210X297公釐） , n _ — I --- I — 士 *9^ - - ϋ 、*-、/ (請先閲讀背面之注意事項再寫本頁) 、1Τ 線 589356 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（46 ) 濃度3 0重量％之過氧化氫水。一邊攪拌一邊以罩式加熱器加熱爲5 0 °C。將上述所得塗佈有全氫化聚矽胺烷之矽板及玻璃板浸漬於此過氧化氫水中3 0分鐘。藉由對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係1 70 0A/分鐘。又，以顯微鏡（1 20倍）觀察所得被膜，未見到凹凸或球狀（1〜1 0 #m)孔極爲均勻。實施例2 6 以2 0重量％濃度溶解參考例1所合成之全氫化聚矽胺烷於十氫棻。使用自旋塗佈器（3000 r pm，20 秒）將此溶液於大氣中（25°C，50%RH)塗佈於矽板及玻璃板。在2 0 0 Omj?容積之燒杯中於室溫下注入 1 0 0 0 g濃度3 0重量％之過氧化氫水。將塗佈有全.氫化聚矽胺烷之矽板及玻璃板懸掛於燒杯之氣相部份1 0秒鐘。於大氣中（25°C，50%RH) ，250 °C之熱板上加熱3分鐘。這時並沒有發煙，被膜之重量係加熱前之 105%。於大氣氣氛中，450 °C下燒成1小時。藉其對酸之腐蝕速度（蝕刻率）評估所得被膜之緻密性，結果其蝕刻率係7 0 0A/分鐘。又，以顯微鏡（1 2 0倍）觀察所得被膜，未見到凹凸或球狀（1〜1.0 孔極爲均勻。實施例2 7 太紙掁尺唐谪用Φ國圃定镱進i CNS ) A4規格（210X297公嫠） (請先閱讀背面之注意事項再镇寫本頁) •裝· mr 線 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（47 ) 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。一邊攪拌一邊於室溫下慢慢添加乙酸於此溶液中使其成爲5重量％。以2m /分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 ) 在7 5 厚，寬6 0 cm，總延長3 0 0 m之聚對苯甲酸二乙酯（P E T )薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次·，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過導入水蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度7 0%RH，內部輸送距離10m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間5 分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 6 0 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 3 0分鐘。實施例2 8 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。一邊攪拌一邊於室溫下慢慢添加丙酸於此溶液中使其成爲5重量％。以2m /分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 ) 在7 5 //m厚，寬6 0 c m，總延長3 0 〇m之聚醚硕（ P E S )薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過導入水蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度7 0%RH，太紙掁尺唐诚用中國國定德進f CNS ) A4規格（210X297公嫠） (請先閲讀背面之注意事項再積寫本頁)

589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（48 ) 內部輸送距離10m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間5 分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 6 0 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 3 0分鐘。實施例2 9 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。一邊攪拌一邊於室溫下慢慢添加乙酸於此溶液中使其成爲5重量％。以2m /分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 ) 在7 5 # m厚，寬6 0 c m，總延長3 0 0 m之多芳基化物（PAR)薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過導入水蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度7 0%RH，內部輸送距離10m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間5 分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 6 0 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 3 0分鐘。實施例3 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再續寫本頁)

589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（49 ) 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。一邊攪拌一邊於室溫下慢慢添加乙酸於此溶液中使其成爲2 5重量％。以2 分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 )在8 0 // m厚，寬6 0 c m，總延長3 0 0 m之三乙酸酯（TAC)薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過導入水蒸汽之乾燥區域（溫度8 0 °C，相對濕度7 0 % R Η，內部輸送距離10m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間5 分鐘）。捲取通過乾燥區域後之塗佈聚矽胺烷薄膜，然後再以 1m/分鐘之輸送速度再次自滾筒中拉出薄膜使其通過上述乾燥區域，使聚矽胺烷被膜爆露於水蒸汽氣氛中10分鐘。實施例3 1 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。一邊攪拌一邊於室溫下慢慢添加三戊胺於此溶液中使其成爲2 5重量％。以 2m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥 #80)在75em厚，寬60cm，總延長300m之 P E T薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過導入水蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度7 0%RH， (請先閲讀背面之注意事項I镇寫本頁) -裝..‘

、1T 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（5〇 ) 內部輸送距離10m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間5 分鐘）。捲取通過乾燥區域後之塗佈聚矽胺烷薄膜，然後再以 1m/分鐘之輸送速度再次自滾筒中拉出薄膜使其再通過上述乾燥區域，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中1 0 分鐘。實施例3 2 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。一邊攪拌一邊於室溫下慢慢添加正辛胺於此溶液中使其成爲2 5重量％。以 2m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥 #80)在75//m厚，寬60cm，總延長300m之 P E S薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過導入水蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度7 0%RH，內部輸送距離10m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間5 分鐘）。捲取通過乾燥區域後之塗佈聚矽胺烷薄膜，然後再以 1m/分鐘之輸送速度再次自滾筒中拉出薄膜使其再通過上述乾燥區域，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中1 0 分鐘。實施例3 3 (請先閲讀背面之注意事項再撗寫本頁) 裝---- 、1Τ b. 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（51 ). 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。一邊攪拌一邊於室溫下慢慢分別添加1重量％丙酸，1〇重量％二正丁胺於此溶液中。以2m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在7 5em厚，寬60 cm，總延長 3 0 〇m之P E T薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過導入水蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度7 0%RH，內部輸送距離10m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間5 分鐘）。捲取通過乾燥區域後之塗佈聚矽胺烷薄膜，然後再以 lm/分鐘之輸送速度再次自滾筒中拉出薄膜使其再通過上述乾燥區域，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中1 〇分鐘。實施例3 4 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#8 0)在75 /zm 厚，寬6 0 cm，總延長3 0 Om之PET薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自3 0重量％過氧化氫水所發生含過氧化氫水蒸汽之乾燥區域（溫度2 5°C，相對濕度6 0%RH，內部輸送距 (請先閲讀背面之注意事項再楨寫本頁)

訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（52 ) 離5m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於過氧化氫水蒸汽（滯留時間1分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 6 0 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘。實施例3 5 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在厚，寬60 cm，總延長300m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自10重量％鹽酸水溶液所發生含氯化氫蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度4 0%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於氯化氫蒸汽中（滯留時間1分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘。實施例3 6 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — (請先閲讀背面之注意事項再^/寫本頁)

.JL 裝------訂---- b, 線_ 589356 A7 B7 五、發明説明（53) 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#8 0)在7 5 厚，寬6 0 cm，總延長30 〇m之PAR薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自10重量％乙酸水溶液所發生含乙酸蒸汽之乾燥區域 (溫度80°C，相對濕度40%RH，內部輸送距離5m )，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於乙酸蒸汽中（滯留時間1分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘^ 實施例3 7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項*.續寫本頁) 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m /分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在75/zm 厚，寬6 0 cm，總延長300m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自液化甲胺所發生含甲胺蒸汽之乾燥區域（溫度8 〇°C ，相對濕度40%RH，內部輸送距離5m)，使聚矽胺本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ' 589356 A7 B7 五、發明説明（54 ) 烷被膜乾燥，同時使其曝露於甲胺蒸汽中（滯留時間1分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘。實施例3 8 將參考例1合成之全氫化聚矽胺^烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在7, 5/zm 厚，寬6 0 cm，總延長3 0 〇m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項#,填寫本頁) 以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自3重量％三乙胺水溶液所發生含三乙胺蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度40%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於三乙胺蒸汽中（滯留時間1分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘。實施例3 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（55). 、將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以2m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#8〇)在75/zm 厚，寬6 0 c m，總延長3 0 〇m之P E S薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自3重量％三乙胺水溶液所發生含三乙胺蒸汽之乾燥區域（溫度80°C，相對濕度40%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於三乙胺蒸汽中（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度9 0°C，內部輸送距離2 5m之蒸餾水浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於蒸餾水中5分鐘。實施例4 0 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#8 0)在75 厚，寬6 0 cm，總延長3 0 Om之PE S薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自3重量％三乙胺水溶液所發生含三乙胺蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度4 0%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於三乙胺蒸汽本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項界填寫本頁) 裝-- 丨訂-----線經濟部中央標準局員工消費合作社印製 589356 A7 _____ B7 五、發明説明（56 ) 中（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度9 0°C，內部輸送距離2 5m之1重量％硫酸水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於1 %之硫酸水溶液中5 分鐘。實施例4 1 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m /分鐘之.輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在75//m 厚，寬6 0 cm，總延長3 0 0m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自3重量％三乙胺水溶液所發生含三乙胺蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度40%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於三乙胺蒸汽中（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度9 0°C，內部輸送距離2 5m之1%磷酸水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於1 %之磷酸水溶液中5分鐘〇實施例4 2 ’ 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 (請先閱讀背面之注意事項再填'寫本頁)

589356 A7 ___B7_ 五、發明説明（57 ) 調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在75//m 厚，寬6 0 cm，總延長300m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自3重量％三乙胺水溶液所發生含三乙胺蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度4 0%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於三乙胺蒸汽中（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度9 0°C，內部輸送距離2 5m之〇 · 1重量％氫氧化鈉水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於〇 . 1重量％之氫氧化鈉水溶液中5分鐘。實施例4 3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#8 0)在7 5 //m 厚，寬6 0 cm，總延長3 00m之PE S薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自3重量％三乙胺水溶液所發生含三乙胺蒸汽之乾燥區域（溫度80°C，相對濕度40%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於三乙胺蒸汽一 60 - (請先閱讀背面之注意事項再續寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（58 ) 中（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度9 5 °C，內部輸送距離2 5m之〇 . 1重量％氯化銨水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於0 · 1重量％之氯化銨水溶液中5分鐘。實施例4 4 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，· 調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#8 0)在7 5 //m 厚，寬6 0 cm，總延長300m之PE S薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自5重量％三乙胺水溶液所發生含三乙胺蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度4 0%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於三乙胺蒸汽中（滯留時間1分鐘）。以具有透氣性之分離薄片（不織布或側邊帶）與全面薄膜或端薄膜一起挾住通過乾燥區域後之塗佈聚矽胺烷薄膜捲於滾筒。然後將該滾筒放置於2 5°C，5 0%RH之大氣中2 4小時。實施例4 5 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯， (請先閱讀背面之注意事項再^寫本頁) 裝丨訂——·— --線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（59 ) 調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在7 5 /zm 厚，寬60 cm，總延長3 00m之TAC薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自3重量％三丁胺水溶液所發生含三丁胺蒸汽之乾燥區域（溫度80°C，相對濕度40%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於三丁胺蒸汽中（滯留時間1分鐘）。 •依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘。實施例4 6 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在75/zm 厚，寬60 cm，總延長300m之PET薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自5重量％乙酸/5重量％/三乙胺水溶液所發生含乙酸/三乙胺蒸汽之乾燥區域（溫度2 5 °C，相對濕度6 0 %RH，內部輸送距離5m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再«-'-'寫本頁) :裝- 訂 589356 A7 B7 五、發明説明（60 ) 時使其曝露於乙酸/三乙胺蒸汽中（滯留時間1分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘。實施例4 7 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，/ 調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。一邊攪拌一邊於室溫下添加丙酸鈀於此溶液中使其成爲1重量％。以5m/ 分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 )在 75//m厚，寬60cm，總延長300m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域之內部自3重量％三乙胺水溶液所發生含三乙胺蒸汽之乾燥區域（溫度8 0°C，相對濕度40%RH，內部輸送距離5 m)，使聚矽胺烷被膜乾燥，同時使其曝露於三乙胺蒸汽中（滯留時間1分鐘）。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 1 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 3分鐘。實施例4 8 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（61 ) 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以1〇m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 )在7 5 //m厚，寬60cm，總延長300m之PAR薄膜基材之一面塗佈此溶液。以上述輸送速度使塗佈後之薄膜通過於乾燥區域（熱風溫度8 0 °C，內部輸送距離10m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度5 0°C，內部輸送距離1 5 Om之3 0重量％過氧化氫水浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於3 0重量％之過氧化氫水中1 5分鐘。實施例4 9 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以1〇m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 )在8 0 //m厚，寬6 0 cm，總延長300m之TAC薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過溶劑乾燥區域（熱風溫度8 0 °C，內部輸送距離l〇m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留畤間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度5 0°C，內部輸送距離1 5 〇m之5重量％乙本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再束寫本頁) -- - - - - - ----- III - - - In "Jm i ϋϋ 線 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（62 ) 酸水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於5重量·％之乙酸水溶液中1 5分鐘。實施例5 0 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以1〇m/分鐘之輸送速度’以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在7 5 厚，寬6 Ocm，總延長300m之PET_膜基材之一面塗佈此溶液。其次’以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過溶劑乾燥區域（熱風溫度80 °C，內部輸送距離10m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滞留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度5 0°C，內部輸送距離1 5 0m之5重量％丙酸水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於5重量％之丙酸水溶液中1 5分鐘。實施例5 1 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以1 〇m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 )在7 5 厚，寬6 0 cm，總延長300m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過乾燥本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 士 _ - - 1 - 1 -II · - -- - - \""J - _ 1 = 、τ 線 589356 A7 B7 五、發明説明（63 ) 區域（熱風溫度8 0 °C，內部輸送距離l〇m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度5 0°C，內部輸送距離1 5 0m之5重量％己酸水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於5重量％之己酸水溶液中1 5分鐘。實施例5 2 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以1Om/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在7 5 /zm厚，寬60 cm，總延長3 0 Om之P E S薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過乾燥區域（熱風溫度8 0 °C，內部輸送距離l〇m)，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間1分鐘）。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再资#本頁) 以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度2 5°C，內部輸送距離1 5 Om之5重量％三甲胺水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於5重量％之三甲胺水溶液中1 5分鐘。實施例5 3 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以1〇m/分鐘之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ ' ' 589356 經濟部中央榡準局員工消費合作衽印製 A7 B7 五、發明説明（64 ) 輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#8 0)在7 5 厚，寬60cm，總延長300m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過乾燥區域（熱風溫度8 0 °C，內部輸送距離l〇m )，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度2 5 °C，內部輸送距離5 〇m之3重量％正丁胺水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於3重量％之正丁胺水溶液中5分鐘。實施例5 4 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以1 〇m /分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 )在7 5 厚，寬6 0 cm，總延長3 0 Om之PE S薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過導入水蒸汽之乾燥區域（熱風溫度8 0°C，內部輸送距離1 〇 m )，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度5 0°C，內部輸送距離1 5 Om之5重量％辛胺水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於5重量％之辛胺水溶液中1 5分鐘。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再貧寫本頁)

589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（65 ). 實施例5 5 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以l〇m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#8 0 )在7 5 Mm厚，寬6 0 cm，總延長300m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。其次，以上述輸送速度，使此塗佈後之薄膜通過導入水蒸汽之乾燥區域（熱風溫度8 0°C，內部輸送距離1 〇 m )，乾燥聚矽胺烷被膜（滯留時間1分鐘）。以上述輸送速度，使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷薄膜通過溫度5〇°C，內部輸送距離1 5 0m之1重量％乙酸/3重量％正戊胺水溶液浴內，浸漬聚矽胺烷被膜於1 重量％乙酸/3重量％正戊胺水溶液中15分鐘。實施例5 6 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥#80)在75 厚，寬6 0 cm，總延長3 00m之PES薄膜基材之一面塗佈此溶液。此實施例中係採用在另一蒸汽發生裝置中使胺化合物之水溶液蒸發所得胺化合物之蒸汽與水蒸汽與氮氣之混合物搬到乾燥區域，自噴嘴噴霧之方式。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0'〆297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) :'|衣.

、1T 線 589356 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（66 ) 即，在放入氯化甲胺5重量％水溶液容器，以及放入蒸餾水之容器中分別吹入氮氣使之在各液體中冒泡，分別獲得甲胺蒸汽與水蒸汽。這時係以可以使容器之內壓成爲 1 · 5xl05 Pa (1 · 5kgf/cm2)之流量吹入氮氣。自此等容器之氣相取出含甲胺蒸汽及水蒸汽之氮氣，介由管路搬送至乾燥區域，自噴嘴噴出。這時之管路係在中途分爲4支，各分支管係分別連接在距離乾燥區域入口約3m地點，對薄膜輸送方向成垂直方向以約4 0 cm 間隔配置的4支噴嘴。其次，以上述輸送速度使上述所得塗佈後之薄膜通過上述乾燥區域（內部輸送距離5m)時，在距離入口 3m 之區域（溫度80°C，相對濕度40%RH，〇 · 6分鐘 )乾燥部份薄膜，在剩下之2m區域（室溫，〇 · 4分鐘 )自被配置於被膜面上高2 0 mm處之4支噴嘴同時噴出甲胺蒸汽及水蒸汽與氮氣。在此乾燥區之甲胺濃度係平均約 1容量％。又，滯留於乾燥區域之全部時間係1分鐘。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘。實施例5 7 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製12重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5m/分鐘之輸 (請先閱讀背面之注意事項再皆寫本頁)

JL 裝口線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 A7 _ B7 五、發明説明（67 ) 送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 )在7 5 //m 厚，寬6 0 cm，總延長3 0 Om之P ET薄膜基材之一面塗佈此溶液。此實施例中係與實施例5 6 —樣採用在另一蒸汽發生裝置中使胺化合物之水溶液蒸發所得胺化合物之蒸汽搬到乾燥區域，自噴嘴噴霧之方式。即，對於放入三乙胺3重量％水溶液容器吹入氮氣。這時係以可以使容器之內壓成爲1.5X105 Pa ( 1 · 5 k g f /cm2)之流量吹入氮氣使之冒泡。自此等容器之氣相取出含三乙胺蒸汽及水蒸汽之氮氣，介由管路搬送至乾燥區域，自噴嘴噴出。這時之管路係在中途分爲 4支，各分支管係分別連接在距離乾燥區域入口約3 m地點，對薄膜扁送方向成垂直方向以約4 0 c m間隔配置的 4支噴嘴。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再瑣寫本頁) 其次，以上述輸送速度使上述所得塗佈後之薄膜通過上述乾燥區域（內部輸送距離5m)時，在距離入口 3m 之區域（於室溫，0 . 6分鐘）乾燥部份薄膜，在剩下之 2m區域（室溫，〇 . 4分鐘）自被配置於被膜面上高 2 0画處之4支噴嘴同時噴出三乙胺蒸汽及水蒸汽與氮氣。在此乾燥區之三乙胺濃度係平均約1容量％。又，.滯留於乾燥區域之全部時間係1分鐘。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 A7 B7 五、發明説明（68) 5分鐘。實施例5 8 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶解於間二甲苯，調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。以5 m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法（輥# 8 0 )在8 0 # m 厚，寬6 0 cm，總延長3 00m之TAC薄膜基材之一面塗佈此溶液。此實施例中係與實施例5 6 —樣採用在另一蒸汽發生裝置中使胺化合物之水溶液蒸氣化所得胺化合物之蒸汽搬到乾燥區域，自噴嘴噴霧之方式。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再靖'寫本頁) 良P，在放入三乙胺單體之容器，以及放入蒸餾水之容器中分別吹入氮氣使之在各液體中冒泡。這時係以可以使容器之內壓成爲1 · 5xl05 Pa (1 · 5kgf/ c m2)之流量吹入氮氣。自此二容器之氣相取出含三乙胺蒸汽之氮氣及含水蒸汽之氮氣，介电管路使此等氣體合流於一管路內，搬至乾燥區域，介由乾燥區域之管路噴出。這時之管路係在中途分爲4支，各分支管係分別連接在距離乾燥區域入口約3m地點，對薄膜輸送方向成垂直方向以約40cm間隔配置的4支噴嘴。其次，以上述輸送速度使上述所得塗佈後之薄膜通過上述。以5m/分鐘之輸送速度，以輪轉（逆向）塗佈法 (輥#80)在75μιη厚，寬60cm，總延長300 m之P E T薄膜基材之一面塗佈此溶液。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 589356 A7 , __B7 五、發明説明（69 ) 此實施例中係與實施例5 6 —樣採用在另一蒸汽發生裝置中使胺化合物之水溶液蒸氣化所得胺化合物之蒸汽與水蒸汽與氮氣之混合物搬到乾燥區域，自噴嘴噴霧之方式〇即，在放入三乙胺單體之容器，以及放入蒸餾水之容器中分別吹入氮氣使之在各液體中冒泡。這時係以可以使容器之內壓成爲1 · 5X105 Pa (1 · 5kgf/ c m2)之流量吹入氮氣。自此二容器之氣相取出含三乙胺蒸汽之氮弟及含水蒸汽之氮氣，介由管路使此等氣體合流於一管路內，搬至乾燥區域，介由乾燥區域之管路噴出。這時之管路係在中途分爲4·支，各分支管係分別連接乾燥區域（內部輸送距離5m)時，在距離入口 3m之區域.（於室溫，0 · 6分鐘）乾燥部份薄膜，在剩下之2m區域 (室溫，0 · 4分鐘）自被配置於被膜面上高2 0πιπι處之 4支噴嘴同時噴出三乙胺蒸汽及水蒸汽與氮氣。在此乾燥區之三乙胺濃度係平均約1容量％。又，滯留於乾燥區域之全部時間係1分鐘。依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘。實施例5 9 , 將參考例1合成之全氫化聚矽胺烷溶^解於間二甲苯，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項#,镇寫本頁)

589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7G). 調製1 2重量％濃度之聚矽胺烷溶液。在距離乾燥區域入口約3m地點，對薄膜輸送方向成垂直方向以約4 Om間隔配置的4支噴嘴。其次，以上述輸送速度使上述所得塗佈後之薄膜通過上述乾燥區域（內部輸送距離5m)時，在距離.入口 3 m 之區域（於室溫，0 . 6分鐘）乾燥部份薄膜，在剩下之 2. m區域（室溫，〇 .4分鐘）自被配置於被膜面上高 2 0 mm處之4支噴嘴同時噴出三乙胺蒸汽及水蒸汽與氮氣。在此乾燥區之三乙胺濃度係平均約1容量％。又，滯留於乾燥區域之全部時間係1分鐘。〜依上述輸送速度使通過乾燥區域之塗佈聚矽胺烷之薄膜通過被維持於9 5 °C溫度，8 0%RH之內部輸送距離 2 5 m之加濕爐內，使聚矽胺烷被膜曝露於水蒸汽氣氛中 5分鐘。評估膜特性上述實施例2 7〜5 9所得陶瓷質被膜係藉由I R分光法中之S i — Η振動（N- Η振動）巔值之消失，以及出現S i - Ο振動巔值，而可以確認全部已實質上轉化爲氧化矽。又，此等陶瓷質被膜之膜厚係使用藉由分光法而產生可視領域之光譜干擾的巔值予以計算’結果獲知全部均爲0 · 6 β m。依以下項目評估此等被膜之特性。另外除其緊貼性以外亦對使用之塑膠基材本身的特性進行同樣之評估供參照本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再續寫本頁) .装.

、1T 589356 A7 B7 五、發明説明（71 ) 。評估結果示於表1。 (1 )氧透過率（單位：cc / c m2 / 2 4小時/ atm) (請先閱讀背面之注意事項再楨寫本頁) 使用Mocon製測定器於2 5 °C，6 5 % R Η測定。 (2 )水蒸汽透過率（單位：g / m2 / 2 4小時）使用Mocon製測定器於4 0 °C測定。 (3 )光透過率使用霧度計測定可視光平均透過率。 (4 )耐擦傷性以鋼絲棉#000號，荷重250g，100次旋轉 (6 0 r p m )之條件測試，以目視觀察其傷痕數，以5 階段予以評估。評價A :無傷痕，評價B :傷痕2條以下，評價C:傷痕3〜5條，評價D:傷痕6〜10條，評' 價E :傷痕1 1條以上。 (5 )緊貼性以棋盤格狀黏膠帶進行剝離試驗。經濟部中央標準局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 A7 B7 五、發明説明（72) 表一1 氣透過率 6 4 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 0.5 25 350 400 180 實施例 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 PET 75 PES 75 Mm PAr 75 TAC 80 水蒸汽透過率 2.0 2.8 2.8 20.0 1.2 · 2.8 1.8 2.0 2.8 2.8 2.8 1.8 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 • 1.8 15.0 1.6 2.3 2.8 20.0

光透過率耐擦傷性緊貼性 91 B 100/100 93 B 100/100 93 B 100/100 .95 B 100/100 91 B 100/100 93 B 100/100 93 B 100/100 91 B 100/100 93 B 100/100 93 B 100/100 93 B 100/100 93 A-B 100/100 93 A-B 100/100 93 A-B 100/100 93 A-B 100/100 93 A-B 100/100 93 B 100/100 93 B 100/100 95 B 100/100 91 B 100/100 93 A-B 100/100 93 A-B 100/100 95 A-B 100/100 91 A-B 100/100 93 A-B 100/100 93 A-B 100/100 93 A-B 100/100 93 A-B 100/100 93 A-B 100/100 93 B 100/100 91 B 100/100 95 B 100/100 91 B 100/100 88 E 87 E 89 E 92 E (請先閲讀背面之注意事項再瑣寫本頁) 2.0 2.8 2.8 2.8 2.8 2.8 0.9 0.8 5.0 0.8 12 40 50 460 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589356 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（73 ) 由上述可知，使用本發明之含聚矽胺烷的組成物時可以在低溫下順利地得到S i 0 2系陶瓷質物質。這時可以在1 0 0°C以下，尤其5 0°C以下之低溫下迅速地使其陶瓷質化。因此依本發明時可以在聚合物中之低分子量蒸發以前，完成該聚合物之陶瓷質化，所以所得陶瓷質物質係表面極平滑者。又，由於沒有低分子聚合物之蒸發，所以不會有聚合物之損失，或因聚合物之蒸發而有污染裝置之問題。由於本發明之矽胺烷系聚合物的陶瓷質化係可以如上述於低溫且迅速地實施，所以本發明極適於做爲電子製品領域中所使用之基板或元件上形成陶瓷質被膜的方法，在塑膠薄膜形成陶瓷質被膜的方法應用。圖面之簡單說明：圖1係表示參考例1所得全氫化聚矽胺烷之IR光譜圖。圖2係表示參考例2所得聚甲基（氫化）矽胺烷之 I R光譜圖。圖3係表示比較例所得聚矽胺烷處理品之I R光譜圖〇圖4係表示實施例1所得聚矽胺烷處理品之Ir光譜圖。圖5係表示實施例2所得聚矽胺烷處理品之IR光譜圖。，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -裝-- ••-\s..一 (請先閱讀背面之注意事項再頊寫本頁) 、11 線 -76 - 589356 A7 B7 所得聚矽胺烷處理品之I R光譜 A '發明説明（74 ) 6係表示實施例圖。圖7係表示實施例4所得聚矽胺烷處理品之I R光譜圖。圖8係表示實施例5所得聚矽胺烷處理品之IR光譜圖9係表示實施例6所得聚矽胺烷處理品之I R光譜圖。 . 圖10係表示實施例6所得聚矽胺烷處理品之IR光譜圖在2 9 0 0 cm-1附近之擴大圖。圖1 1係表示實施例7所得聚矽胺烷處理品之I R光 (請先閲讀背面之注意事項再'填寫本頁) 裝· 圖譜圖

IX 例施實示表係光 R H 之品彐二理處烷胺矽聚得所

、1T 圖譜例施實示表係光 R H 之品彐二理處烷胺矽聚得所經濟部中央標準局員工消費合作社印製。圖圖圖圖圖譜譜譜光光例施實示表係例施實示表係谦 R I 之品 mil 理處烷胺矽聚得所 R I 之品 mil 理處烷胺矽聚得所本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -77 -

Claims

589356

六、申請專利範圍第8 5 1 〇 8 6 2 5號「形成陶瓷質物質用組成物及陶瓷物質之製造方法」專利案 (93镝4月1日修正本） 1 · 一種形成陶瓷質用組成物，其特徵爲由矽胺烷系聚合物，及下列式（VII)所示之鏈狀胺化合物或環狀化合物、及至少一種選自過氧化氫、過氧化鈉、過氧化鈣、過氧化氫加成物、過氧酸、過氧酸鹽之過氧化物陶瓷質化促進劑、及有機溶劑之混合物；前述陶瓷質化促進劑於有胺化合物下，相對於矽胺院系聚合物之添加量爲1重量ΡΡΙΏ以上；前述陶瓷質化促進劑於有過氧化物下，相對於矽胺烷系聚合物之添加量爲0 . 1重量ppm以上； R5R6R7N 式（VI I ) (式中，R5、R6、R7爲各種氫原子或有機基、至少有一爲甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、丙胺、二丙胺、三丙胺、丁胺、二丁胺、三丁胺、戊胺、二戊胺、三戊胺、己胺、二己胺、三己胺、庚胺、二庚胺、辛胺、二辛胺、三辛胺、苯胺、二苯胺、三苯胺、吡啶、α -皮考啉、々-皮考啉、r -皮考啉、六氫吡啶、二甲基吡啶、嘧啶、嗒畊、DBU(1，8-二氮雜雙環 [5,4,0]7-十一碳烯）、DBN(1 ,5-二氮雜雙環[4,3,0]5-壬烯）之有機基）所成。六、申請專利範圍 2 . —種陶瓷質物質之製造方法，其特徵爲使用如申請專利範圍第1項之形成陶瓷質用組成物，使水蒸汽接觸使該聚合物進行陶瓷質化者。 3 . —種陶瓷質物質之製造方法，其特徵爲分別或同時使至少一種選自胺化台物、酸化合物及過氧化物中之陶瓷質化促進劑之蒸汽及水蒸汽，與矽胺烷系聚合物接觸，以陶瓷質化該聚合物者。 4 . 一種陶瓷質物質，其特徵爲藉由如申請專利範圍第2 或3項之方法所得者。 5. —種對固體表面形成陶瓷質被膜之方法，其特徵爲在固體表面上形成由矽胺烷系聚合物，與如申請專利範圍第1項之形成陶瓷質化組成物所成之被膜，使水蒸汽與此被膜相接觸，使該被膜陶瓷質化者。 6. —種對固體表面形成陶瓷質被膜之方法，其特徵爲在固體表面上形成矽胺烷系聚合物之被膜，使該被膜與至少一種選自胺化合物、酸性化合物及過氧化物中之陶瓷質化促進劑的水蒸汽分別或同時接觸，以陶瓷質化該被膜者。 7 .如申請專利範圍第5或6項之方法，其中使水蒸汽、水、酸性水溶液或鹼性水溶液與陶瓷質被膜相接觸。 8 . —種固體製品，其特徵爲表面上具有以如申請專利範圍第5〜7項中任一方法所形成之陶瓷質被膜。 9· 一種固體製品上形成陶瓷質被膜的方法，其特徵爲包六、申請專利範圍含 (1 )在固體表面上塗佈含有矽胺烷系聚合物，及下列式（V I I )所示之鏈狀胺化合物或環狀化合物、及至少一種選自過氧化氫、過氧化鈉、過氧化鈣、過氧化氫加成物、過氧酸、過氧酸鹽之過氧化物陶瓷質化促進劑、及有機溶劑之混合物；前述陶瓷質化促進劑於有胺化合物下，相對於矽胺院系聚合物之添加量爲1重量ppm以上；前述陶瓷質化促進劑於有過氧化物下，相對於矽胺烷系聚合物之添加量爲0 · 1重量ppm以上；在該固體製品上形成該塗料被膜之步驟； (i i )乾燥該固體製品上之塗料被膜，在該固體製品上形成該聚合物被膜之乾燥步驟； (i i i )使水蒸汽與該固體製品上之聚合物被膜相接觸，以陶瓷質化聚合物之陶瓷質化步驟； R5R6R7N 式（VII) (式中’ R5、R6、R7爲各種氫原子或有機基、至少有一爲甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、丙胺、二丙胺、三丙胺、丁胺、二丁胺、三丁胺、戊胺、二戊胺、三戊胺、己胺、二己胺、三己胺、庚胺、二庚胺、辛胺、二辛胺、三辛胺、苯胺、二苯胺、三苯胺、吡啶、α -皮考啉、万-皮考啉、r —皮考啉、六氫吡啶、二甲基吡啶、嘧啶、嗒畊、DBU(1，8_二氮雜雙環 589356 六、申請專利範圍 [5,4,0]7-十一碳烯）、08?^(1，5-二氮雜雙環[4,3,0]5-壬烯）之有機基）所成。 1 〇 .如申請專利範圍第9項之方法，其中使水蒸汽存在於該乾燥步驟中，同時進行該乾燥步驟中，同時進行該乾燥步驟與該陶瓷質化步驟。 11. 一種在固體製品上形成陶瓷質被膜的方法，其特徵爲包含 (i )在固體表面上塗佈含有矽胺烷系聚合物之塗料，在該固體製品上形成該塗料被膜之步驟； (i i )乾燥該固體製品上之塗料被膜，在該固體製品上形成該聚合物被膜之乾燥步驟； (i i i )使含有至少一種選自胺化合物、酸化合物及過氧化物中之陶瓷質化促進劑的蒸汽及水蒸汽分別或同時與該固體製品上之聚合物被膜相接觸，以陶瓷質化聚合物之陶瓷質化步驟； R5R6R7N 式（VII ) (式中，R5、R6、R7爲各種氫原子或有機基、至少有一爲甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、丙胺、二丙胺、三丙胺、丁胺、二丁胺、三丁胺、戊胺、二戊胺、三戊胺、己胺、二己胺、三己胺、庚胺、二庚胺、辛胺、二辛胺、三辛胺、苯胺、二苯胺、三苯胺、吡啶、α -皮考啉、/3-皮考啉、r _皮考啉、六氫吡啶、二甲基吡啶、嘧啶、嗒畊、DBU(1，8-二氮雜雙環

589356 六、申請專利範圍 [5,4,0]7-十一碳烯）、_ DBN( 1 ,5-二氮雜雙環[4,3,〇]5_壬烯）之有機基）所成。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之方法，其中使該陶瓷胃& 促進劑之蒸汽與水蒸汽存在於該乾燥步驟中，同日寺進@ 乾燥步驟與陶瓷質化步驟者。 1 3 .如申請專利範圍第9〜1 2項中任一項的方法，其中該固體製品爲電子製品中所用基板或元件。 1 4 .如申請專利範圍第9〜1 2項之任一項的方法，其中該固體製品爲長條狀之塑膠薄膜。 15·—種表面上具有陶瓷質被膜之固體製品，其特徵爲藉由如申I靑專利圍第9〜1 4項中任一項的方法所得者。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之固體製品，其中該陶瓷質被膜中之氮含量係以原子比爲0.005〜5%。