TW563359B - Image pickup device and process for producing the same - Google Patents

Image pickup device and process for producing the same Download PDF

Info

Publication number
TW563359B
TW563359B TW091101581A TW91101581A TW563359B TW 563359 B TW563359 B TW 563359B TW 091101581 A TW091101581 A TW 091101581A TW 91101581 A TW91101581 A TW 91101581A TW 563359 B TW563359 B TW 563359B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
image pickup
transparent substrate
solid
pickup element
state image
Prior art date
Application number
TW091101581A
Other languages
English (en)
Inventor
Fujio Tanaka
Masao Nakamura
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW563359B publication Critical patent/TW563359B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/02—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses
    • G02B7/025—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses using glue
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor

Description

563359 A7 B7
五、發明説明（ 發明背景 ，其係藉由主要組裝一 周邊零件、一基板等等 本發明有關於一種影像拾取裝置， 光學鏡片、一固態影像拾取元件、 減少其尺寸與厚度，以及用於製造同樣裝置之過程。 迄今已常見之影像拾取裝置，其具有類似於攝%機之尺 寸，然而，這些裝置被期望於固定於資訊領域之家用電器 上，如此，則需要如此功能強且小尺寸與厚度之裝置。 在日本專利公報Jp_A_9_ 284617中，揭示了有關於影像拾 取裝置之尺寸與厚度縮減之一種科技，圖28係在此公報中 揭不之影像拾取裝置之圖式，圖29與3〇係顯示傳統影像拾 取裝置之組裝過程之圖式，影像拾取裝置101之製造如下： 首先’應用一種晶片接合材料於一基板1 5 1，在將固態影像 拾取元件131與周邊1C 141藉由晶片接合固定於基板上之 後’藉由打線接合提供連接線1 6 1，藉此達到圖29所示之狀 怨’接著’晶片1 9 1被安裝於固態影像拾取元件1 3 1，藉此 達到圖30中所示之狀態，此外，一承載器1 8丨以一種填充料 或密封料182被安裝於基板，藉此完成如圖28所示之影像拾 取裝置101，參考數字183表示一導線。 在曰本專利公報JP-A- 9- 2 846 17所揭示之先前技藝中，一 固態影像拾取元件（裸晶）被固定於一基板上，而做為周邊 電路之1C配置於固態影像拾取元件之周邊，藉此達成影像 拾取裝置之微小化與薄化，儘管當薄化影像拾取元件時， 此方法係具優勢的，仍需要保護一區域，用於固定周邊1C 晶片’其被固定於固態影像拾取裝置之周邊，此外，當影 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 563359 A7 ----— —_B7__ 五、發明説明（2 ) 像拾取裝置之功能變強時，需被固定之零件數量會增加， 如此，則微小化該影像拾取裝置是困難的，此外，由於一 鏡片被安裝於已被固定之影像拾取元件（裸晶），同時一承 載器被以填充料安裝於該基板，當承載器需與鏡片對準 時’需要一高精確度之對位技術，如果此對位不適用，則 無法執行裸晶之足夠密封，而導致影像拾取裝置之可靠度 會降低之問題。 發明概述 本發明係用以解決上述之問題，且其一目的係提供一種 影像拾取裝置，其易於組裝、量產性加、功能強大，且被 微小化與薄化，並提供一用於製造同樣裝置之過程。 為完成上述目標，本發明提供一種影像拾取裝置，其包 含： 一種固態影像拾取元件，其具有一光接收表面； 一周邊1C晶片’處理從固態影像拾取裝置輸出之訊號； 一種鏡片承載器，可將光學鏡片安裝於其上； 一種印刷電路板，可將鏡片承載器固定於其上；以及 一種透明基板，由可傳遞可見光之材料，或已經過濾光 處理且可傳遞可見光之材料所製成，該透明基板於其上至 少一表面上有導線， 該影像拾取元件以密封劑密封，其狀態為固態影像拾取 元件連接至該透明基板上之導線，固態影像拾取元件之光 接收表面相反於透明基板，其間有一間隙，以及 鏡片承載器被安裝於透明基板上之一表面，其相反於固 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) -----一 — 563359
態影像拾取元件連接表面。 此結構使得藉由光學鏡片，透過透明基板，在固態影像 拾取元件之光接收表面形成影像成為可能，當使用2歷過
封’故可防止外來物質如灰塵 私7L讦你以弟一密封劑密 進入光接收區，其使得提 升影像拾取裝置之可靠度成為可能。 在一具體實施例中，周邊ic被以第一密封劑接合至固態 影像拾取元件之後表面，該表面相反於光接收表面。 以此安排，複數個包含固態影像拾取元件與周邊ic晶片 之裝置，被以重疊方式固定於透明基板上，而不直接將周 邊1C晶片直接固定於透明基板上，複數個裝置佔據了單一 1C晶片之晶片固定區域，如此，也使得不用黏結劑將周邊 1C晶片接合至固態影像拾取元件成為可能。 在一具體實施例中，電路板具有一穿透孔； 連接至固態影像拾取元件之透明基板之導線，透過第一 金屬材料，被連接至該電路板，其中連接至透明基板之固 態影像拾取元件，以及接合至固態影像拾取元件之周邊IC 晶片，通過電路板上之穿透孔； 該周邊1C晶片透過第二金屬材料，被連接至印刷電路 板；以及 通過電路板上穿透孔之固態影像拾取元件、周邊IC晶 片’以及第一金屬材料’被以第二密封劑密封。 透過第一金屬 在此構造中，形成於透明基板上之導線
563359 A7 B7 五、發明説明（4 材料連接至印刷電路板後，I態影像拾取元件、周邊以 片以及周邊1C晶片賴以連接至印刷電路板之第二金屬材 料，係藉由第二密封劑加以密封，如Λ，則應用第二穷封 劑’而無須任何特殊夾具是有可能的，進一步地固態影 像拾取元# ’係藉由第一與第二密封劑密封之，同時周： κ:晶片與其藉以連接至印刷電路板H屬材料，係以 ^二密封劑加以m如此’則提升了影像拾取裝置之可 靠度’此外’固態影像拾取元件所接合至之導線，與印刷 電：板，係、以第一金屬材料連接，其中連接至透明基板之 固態影像拾取元# ’與接合至該固態影像拾取元件之外為 1C晶片，通過印刷電路板上之穿透孔，如此，則可能可薄 化影像拾取裝置。 / 在-具體實施例中，透明基板之導線，為兩層結構（_
Uye卜structure)之導線，其包含一絕緣層或一形成於該表 =，除對應於該固態影像拾取元件之光接收區域外之下層 金屬層，或包含一形成於絕緣層或下層金屬層上之第三金 屬材料層。 ’ 此安排使得提升導線與基板間黏結劑之可靠度成為可 能，其使得要保護球電極在導線上形成第一金屬材料之球 電極之合金接面強度成為可能。 在一具體實施例中，透明基板之導線包含用於與固態影 像拾取疋件連接之電極終端、鄰近透明基板周邊之外部輸 入/輸出電極終端、以及用於定位，鄰近外部輸入/輸出電 極終端之辨認記號。
563359 A7
在此構造中，當形成球電極 .. 々上於用於與固態畢^傻於敗； 件，與外部輸入/輸出電極 ’、° 該固態影像拾取元件於透明=妾之：極，上、當固定 與/或當固定該透明基板於印刷:固=周邊1c晶片 忐A叮At 、> 0 1 塔板時，利用該辨認記號 成為可此，ilk升了固定之精確度。 在一具體實施例中，印刷雷故仏女 植卢甘“ u⑥· 板有一孔口平面部分，圍 、冗在/、月面上之穿透孔，該背面匕 X θ面月對於印刷電路板連接至 透明基板之導線之表面，且兮品加八口 1 4輛面部分具有第二金屬材料 與其連接之終端。 此安排使其可能確實地以第：密封劑，密㈣固態影像 拾取元件、該周邊叫，以及第二金屬材料，其已被插 入印刷電路板之穿透孔，進一步&，形成於印刷電路板上 之穿透孔，可作為一屏障，防止第二密封劑往外流。 在一具體實施例中，印刷電路板包含接合在一起之一硬 基板與一軟性板，兩者均具有一穿透孔，且硬基板與軟性 板之穿透孔，具有不同之操作區域，如此可提供孔口平面 部分。 在此具體貫施例中’孔口平面部分係藉由僵硬基板與軟 性板接合在一起而形成，如此易於完成具有預期截面形狀 之孔口平面部分。 在一具體實施例中，晶片承載器有一二階（tw〇- stepped) 孔口平面部分，鏡片承載器在此安裝置透明基板上，而鏡 片承載器係以一黏結劑連接至印刷電路板與透明基板。 以此安棑，當鏡片承載器之二階孔口平面部分之第_ -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 563359 A7 B7
P白’與透明基板以黏結劑接合時，二階孔口平面部分之第 二階可作為黏結劑之排出用。 在-具體實施例中，鏡片承載器係被安裝於透明基板盘 印刷電路板上，使用透明基板之側表面做為參考平面。 在此情況中，鏡片承載器以高精確度被固定於透明基板 與印刷電路板上，而無須使用一高精確度對位技術。 在一具體實施例中，周邊IC晶片能夠攜帶另一周邊晶 片，其位於相反於接合至固態影像拾取元件之表面之表面 上，因此，即使將被使用之零件之數量增加，以便使該影 像拾取裝置功能強大，也不需要增加基板面積，也就是影 像拾取裝置之尺寸。 本發明也提供用於製造一影像拾取裝置之過程，其中與 固態影像拾取元件相固定之透明基板、與處理來自固態影 像拾取元件之5虎之周邊1C晶片、光學鏡片可安裝上之鏡 片承載器’以及一印刷電路板’被接合在一起，該透明基 板係由可傳遞可見光之材料，或經歷濾光處理，且可傳遞 可見光之材料所製成， 該過程包含下列步驟： 於複數個電性信號輸入/輸出終端上形成球電極，該終端 包含於形成於透明基板上一表面之導線中，以及 固定固態影像拾取元件，以其相反於透明基板之光接收 表面固定於透明基板之表面上，其以球電極將固態影像拾 取元件，與透明基板連接。 在此過程中，由於不具球電極之固態影像拾取元件，被 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 訂
線 563359 A7 B7
固疋於以球電極藉由向下接合所形成之透明基板上，故可 能固定並將固態影像拾取元件，接合至透明基板，而不會 產生外界物質黏附至固態影像拾取元件之光接收表面，^ 使外界物質黏附至透明基板，在透明基板上，比較起固態 影像拾取元件之表面，也會有較少之凹凸部分，因此，其 可能藉由清洗輕易地去除黏附之外界物質。 在一具體貫施例中，固態影像拾取元件係藉由一超音波 接合方法，接合至透明基板之導線，當透明基板之導線係 由具冋擴散係數之金屬材料所形成，其可能在一低溫最多 120°C執行接合，進一步地，只有藉由應用超音波，可形成 一合金以完成接合，因此，可能達到一明顯的生產效能。 在一具體實施例中，在固定固態影像拾取元件之後，該 過程包含步驟有： 用一密封劑於固定在透明基板上固態影像拾取元件之外 為’以便密封該影像拾取元件； 固定該周邊1C晶片於固態影像拾取元件上，相反於光接 收表面之表面上，透過該密封劑，藉以將周邊IC與固態影 像拾取元件相連接；以及 硬化該密封劑 在此情況中，固態影像拾取元件與周邊IC晶片以重疊之 方式被固定於裝置固定區，而不需直接固定周邊⑴晶片於 基板上’其可能減少基板面積，進_步地，此亦可能將周 邊1C晶片接合至固態影像拾取元件，而不需新用一種黏結 劑0 __ -11 - 本紙張尺度返用中國國家標準(CNS) A4規格(21GX297公登 1 --
裝 訂
563359 A7 ____B7 五、發明説明（8 ) 在一具體實施例中，硬化密封劑之步驟後，該過程包含 步驟有： 藉由覆晶接合，在插入接合至透明基板之固態影像拾取 元件’以及連接至固態影像拾取元件之周邊1C晶片，進入 印刷電路板上之穿透孔同時，固定該透明基板於印刷電路 板上；以及 將鏡片承載器安裝至印刷電路板，與透明基板之一表 面，其相反於固態影像拾取元件使用透明基板之側表面做 為參考表面之表面。 在此具體實施例中，當相反於憑藉透明基板之固態影像 拾取元件之光接收表面’影像拾取元件面朝上被連接至透 明基板，且以密封劑密封，鏡片承載器被安裝至透明基板 與印刷電路板上，使用該透明基板之側表面做為參考平 面，因此，不向傳統影像拾取裝置，要容易且高精確度地 組裝一影像拾取裝置，而無須使用高精確度對位技術是可 能的。 本發明其他目標、特徵、以及優點，由以下敘述將變得 明顯。 附圖之簡短敘述 本發明由以下之詳細敘述與附圖，將可更完整瞭解，附 圖僅作說明，而非限制本發明，其中： 圖1係一概要斷面圖式，顯示根據本發明之一具體實施例 之影像拾取裝置； 圖2A與2B係分解透視圖式，用於解釋一透明基板之導線 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 563359 A7
結構； 圖3係以導線形成之透明基板之平面圖式； H4A與4B係透視圖式，顯示大尺寸透明基板，其外觀形 式個別均不同； 、圖5 A與5B分別係形成球電極於透明電極上時之透視圖 式，以及具有球電極之透明基板之側視圖式； 圖6係一透明晶圓之透視圖式，其上固定有固態影像拾取 元件； 圖7係該透明基板之側視圖式，其上固定有固態影像拾取 元件； 圖8係一側視圖式，顯示一種狀況，應用樹脂於該透明晶 圓，其上固定有固態影像拾取元件； 圖9係該透明晶圓之透視圖式，其上固定有周邊IC晶片； 圖10係該透明基板（晶圓）之側視圖式，一周邊IC晶片固 定於一固態影像拾取元件上； 圖Π係一透視圖式’其顯示一種狀況，該透明晶圓經歷 切割； 圖12A與1 2B分別係一印刷電路板之透視圖式，與沿著圖 12A中線12B-12B之斷面圖式； 圖13係一透視圖式，顯示該印刷電路板上，錫膏施加之 位置； 圖14係一透視圖式，顯示一狀況，晶片零件被固定於印 刷電路板上； 圖1 5係一透視圖式，顯示一狀況，一透明基板藉由覆晶 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公
裝 訂
k 563359 A7 _____ B7 五、發明説明（10 ) " 接合，固定於該印刷電路板上； 圖1 6係該印刷電路板之斷面圖式，其上藉由覆晶接合， 固定有一透明基板； 圖1 7係一透視圖式，顯示一狀況，該周邊I c晶片經歷打 線接合， 圖18係已經打線接合之該透明基板與該印刷電路板之斷 面圖式； 圖1 9係一透視圖式，顯示一狀況，塗層樹脂施加於周邊 1C ; 圖20係該透明基板與該印刷電路板之透視圖式，塗層樹 脂施加於其上； 圖2 1係鏡片承載器之斷面圖式； 圖22係一透視圖式，顯示一狀況，鏡片承載器正處於被 安裝至透明基板與印刷電路板之狀態； 圖23係一透視圖式，顯示一狀態，鏡片處於被安裝至鏡 片承載器； 圖24係一透視圖式，顯示一狀態，另一周邊IC晶片被固 定於同一方向之周邊1C晶片上； 圖25係一透視圖式，顯示一裝備有直式軟性印刷電路板 (FPC)導線之影像拾取裝置之外觀； 圖26係一透視圖式，顯示一裝備有直式軟性印刷電路 (FPC)導線之影像拾取裝置之外觀，該導線僅由輸入/輸出 終端組成； 圖27係一透視圖式，顯示裝備有軟性印刷電路板導線之 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董) 563359 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（彳彳) 影像拾取裝置之外觀，該導線有彎曲； 圖28係傳統影像拾取裝置之概要構造圖式； 圖29係一示意圖，顯示該傳統影像拾取裝置之組裝階 段；以及 圖30係一示意圖，顯示該傳統影像拾取裝置之另一組裝 階段。 發明之詳細敘述 圖1係一概要斷面圖式，顯示根據本發明依據體實施例， 影像拾取裝置1之構造，影像拾取裝置1具有一透明基板 11、一固態影像拾取元件3 1、一周邊1C晶片4 1、一印刷電 路板51、一軟性印刷電路板導線（“fpc lead”）54、晶片零 件57、一鏡片承載器81，以及一光學鏡片91。 在影像拾取裝置1中，固態影像拾取元件3 1係藉由合金接 面透過錫球，連接至透明基板1 1，以其光接收面背對透明 基板11 (亦即，面向上），藉由影像拾取裝置1所攝得之一物 體之景> 像’透過鏡片9 1與透明基板1 1，形成於固態影像拾 取元件3 1上，影像拾取元件3 1 ’被以第一密封材料，一種 熱固性樹脂3 2加以密封，周邊1C晶片4 1如處理輸出自固態 影像拾取元件3 1之信號之數位信號處理ic，以熱固性樹脂 32，被接合至並置於固態影像拾取元件3丨之後表面之側 面’其背對光接收表面，進一步地，隨著影像拾取元件3 i 與周邊1C晶片4 1，被插入形成於印刷電路板5丨中，具有鑽 孔或孔口平面部分53之穿透孔52 (見圖12B)，透明基板n 係透過第一金屬材料金線銲球24 (見圖5 A),被連接至印刷 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 563359 A7 B7 五、發明説明（12 電路板5 1上’除此之外’印刷電路板5 1中，孔口平面部分 53上之導線電極，藉由導線6丨被打線接合至周邊Ic晶片 4 1 ’導線6 1、固態影像拾取元件3丨，以及周邊IC晶片4 j , 以第二密封材料，塗層樹脂71加以密封，鏡片承載器81係 黏附至透明基板上，背對於固態影像拾取元件3丨所連接表 面之後表面’也以黏結劑82黏附至印刷電路板5丨上，做為 參考平面之透明基板丨丨之側表面。 在根據本發明之影像拾取裝置丨中，上述構造使得以重疊 方式將複數個裝置，固定於一裝置固定區成為可能，此 外，由於固態影像拾取元件3丨被以樹脂雙倍地覆蓋，故其 可罪度很南，金一部地，上述構造使其可能製造一種小尺 寸影像拾取裝置，其易於組裝、量產性佳、功能性強，且 在低成本下更小更薄，此外，由於複數個裝置如上述被重 疊或置於另一裝置上，故其可能僅於印刷電路板51之一表 面上，固定晶片零件如一電阻或電容，此意謂不需將晶片 零件固定於影像拾取裝置之底面上，導致容易拿取影像於 取裝置1。 σ -種組裝影像拾取裝置丨之過程’將在稍後以過程步驟之 順序被敛述。 (1)圖2Α與2Β細分解透視圖式，用於關經、乐〇口 # 用於闡釋透明基板之導線 結構，圖3係以導線形成之透明基板之丰 土锻< 十面圖式，圖4α與4Β 係不同大尺寸透明基板之透視圖式’顯示其外部形式。 首先，如圖2Α所示，準備0· 5 mm 5 η 7 广 _主0·7 厚，由玻璃或 類似者所代表之可見光傳遞材料所掣# 汀衣成之透明板，或經歷 -16 -
563359
遽光處理之透明板（稍後意指濾光器），接著，藉著CVD或 濺鍍，形成一絕緣薄膜12如Si〇2薄膜，於透明板或濾光器9 上’除了將變成光接收區域10之區域，進一步地，即將成 為、纟巴緣溥膜12上導線之一種金屬材料如八丨（鋁），藉由濺 鍍，形成1000 nm至2〇〇〇 nm之厚度，如此形成之八丨層，被 蝕刻以形成導線13，藉此製造一透明基板丨j。 在透明基板1 1中，導線以二層結構形成之原因如下：藉 由提供絕緣薄膜12於由金屬材料如鋁所形成之導線丨3，與 透明板或濾光器9之間，可提高材料間之黏結，藉此保護即 將在下個步驟中形成之錫球之合金接合強度，因此，只要 達到足夠之黏力，即將成為二層結構之第一層之絕緣薄膜 層’如圖2B所示，可以金屬薄膜12{3作為下塗層加以取代， 當第一層由作為下塗層之金屬薄膜12b所組成，則當然金屬 薄膜12b需要經圖案製作，以便有與導線13，即第二層，相 同之圖案。 如圖3所示，經圖案製作之導線丨3，由用於與固態影像拾 取元件連接之電極終端14 (以下“影像拾取元件連接電極終 ^14 )，其為電性信號輸入/輸出終端、外部輸入/輸出電 極終端15、兩終端14與15個別連接，且辨識記號16位於外 部輸入/輸出電極終端1 5附近，辨識記號16在數個製程步驟 中被使用’也就是說，他們被使用在稍後所敘述，影像拾 取裝置1之製程中，錫球接合時之圖案辨識，固態影像拾取 元件3 1面向下接合過程時之辨識、周邊IC晶片4丨之晶片接 合時之辨識、以及透明基板1丨之覆晶接合於印刷電路板5 i -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 563359 A7 ____B7 五、發明説明（:" 上時之辨識’因此，在固定狀態中使用辨識記號’使其可 能提升固定之精確度。 上述導線1 3係以矩陣方式排列在如圖4 a與4B所示，具有 四邊行之大尺寸透明基板（以下指透明晶圓）1 7，或具有圓 形之透明晶圓1 8，透明晶圓1 7與1 8在稍後所述之切割過程 中，被切割成為複數個透明基板丨i。 (2)錫球電極形成過程 圖5 A與5B分別係在透明基板上，形成錫球電極時，透明 基板之透視圖式，以及具有錫球電極之透明基板之側視 圖。 如圖5A所示，Au線22衍生出之Au球23，被接合至影像拾 取元件連接電極終端14與外部輸入/輸出電極終端丨5，以便 形成Au線球（球電極）24，此時當固態影像拾取元件3 1被以 錫球連接至透明基板11時，形成之Au線球（以下指錫球）係 塑性變形者’基於此原因，錫球24形成高度至少2〇 μ. 30 μπι，尚於位於固態影像拾取元件3 1之光接收表面3 1 ^上之微 透鏡南度’如此則微透鏡不會與透明基板1 1接觸，錫球24 包含用於影像拾取元件連接電極終端之錫球25，以及用於 外部輸入/輸出電極終端之錫球26。 假若錫球24形成於固態影像拾取元件3丨上，毛細管2 1與 起S波磨刀之操作，會在固態影像拾取元件3 1之光接收表 面3 1 f上執行，然而，在本發明中，錫球係形成於透明基板 11之側’其可避免外界物質黏附於固態影像拾取元件31之 光接收表面上，進一步地，與固態影像拾取元件3 1相比 -18- - —1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 563359 A7 —----- B7_ 五、發明説明（15 ) 一 〜---- 車乂透明基板11之表面上，有較少之凹凸部分，因此，即 使外界物質黏附在透明基板11±，也可能藉由清洗輕易地 消除黏附之外界物質。 (3) 影像拾取元件連接過程 -圖6係-透明晶圓之透視圖式’其上固定有固態影像拾取 疋件’圖7係透明基板之側面圖心其±固定有一固態影像 拾取元件。 固態影像拾取元件3 1係放置於形成於透明晶圓17上之錫 球24上，如圖6與7所示，固態影像拾取元件3ι之電極終端 與錫球24接觸，該固態影像拾取元件31之光接收表面31『背 對於透明晶圓1 7之錫球形成表面丨7f，此時，由於預定之間 隙35形成於固態影像拾取元件3丨之光接收表面，與透明基 板11之間，故位於固態影像拾取元件31之光接收表面3if^ 之微透鏡，不與透明基板丨丨接觸。 隨後，將成為透明基板11之透明晶圓17之獨立部分，透 過合金接面，被連接至固態影像拾取元件3丨，將固態影像 拾取元件3 1，接合至透明基板丨丨，使用超音波接合法之原 因為，可在低溫與高生產力（高良率）下達到接合，也就是 說，由於在透明基板側邊之導線，係由具高擴散係數之ai 金屬所形成，故可能在最高約12〇t：之低溫下執行接合，進 一步地，僅有藉由應用超音波，才可形成一種合金完成接 合，因此，可能達到高生產效能。 (4) 影像拾取元件密封過程 圖8係一側面圖式，顯示樹脂施加於其上固定有固態影像 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 563359 A7 ________ B7 五、發明説明（16 ) \ 拾取元件之透明晶圓。 一種熱固性樹脂，被施加於固態影像拾取元件上，背對 光接收表面之側面與後表面3丨b，以便密封該固態影像拾取 元件3 1，如圖8所示，在施加熱固性樹脂時，使用一網印 法，以防止熱固性樹脂32黏附於用於透明晶圓17上所形 成，外部輸入/輸出終端之錫球26，也就是說，有一預定形 狀之光罩33，被至於透明基板17上，接著，使用橡膠清潔 器34施加熱固性樹脂。 施加熱固性樹脂32至固態影像使取元件3 1之側面，其目 的在於防止含切屑之晶圓，進入固態影像拾取元件3丨之光 接收區（間隙3 5 )，進一步地，施加熱固性樹脂至固態影像 拾取元件31之後表面，其目的在於，在接合周邊IC晶片4ι 當中，使用該熱固性樹脂32作為晶片接合材料。 在熱固性樹脂當中，具有黏性約2〇〇-3〇〇 Pa · s ,且具有 榣溶性者’可應用於熱固性樹脂32，使用這種熱固性樹 月旨’使其可能控制該樹脂被導引向介於固態影像拾取元件 3 1 ’以及透明晶圓17之間之間隙3 5之量。 (5)周邊1C固定過程 圖9係透明晶圓之透視圖式，其上固定有周邊IC晶片，圖 10係該固定有固定影像拾取元件之透明晶圓之一部份（對應 於透明基板）之側視圖式，其上固定有一周邊IC晶片。 隨後，周邊1C晶片如數位信號處理IC，面向上被晶片接 合（固疋）至固怨影像拾取元件之後表面，即熱固性樹脂3 2 施加者，之後，熱固性樹脂32硬化，IC晶片41被連接於個 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 563359 A7 ____Β7_ 五、發明説明（17 ) 別相關之固態影像拾取元件3 1，由於在先前過程中，施加 於固態影像拾取元件3 1之熱固性樹脂32，現在被用作晶片 接合材料，晶片接合之後之熱固性樹脂3 2被安裝，以便在 覆蓋固態影像拾取元件3 1時，固定周邊1C晶片4 1之後表 面，例如，儘管如圖10所示之一種情況，周邊IC晶片4 1之 尺寸，大於固態影像拾取元件3 1者，但即使周邊ic晶片之 尺寸小於固態影像拾取元件3 1者，也不會有問題。 (6) 圖11係一透視圖式，顯示一狀態，透明晶圓17被切 割。 如圖11所示’透明晶圓17，其中已在先前過程中完成固 定固態影像拾取元件3 1與周邊IC經4 1，被以切割刀具4 2切 割成分開之透明基板1 1。 (7) 圖12A係一印刷電路板之概要透視圖式，而圖12B係沿 著圖12A中12B- 12B線，印刷電路板之斷面圖式，圖13係一 透視圖式，顯示錫膏施加之印刷電路板之位置，圖丨4係一 透視圖式，顯示一狀態，晶片零件被固定於印刷電路板 如圖12A、12B與圖13，製作一印刷電路板，版51上有一 穿透孔52從其上表面51f穿透至後表面51b，後表面側形成 有一孔口平面部分5 3，印刷電路板5 1之前表面5 1 f具有一塊 面積用於連接透明基板11，以及面積5 8用於固定晶片零件 如電阻與電容，進一步地，在印刷電路板5 1之後表面5 1 b之 一側’在孔口平面部分5 3有導線電極（終端），用於透過接 合導線連接至周邊1C晶片4 1。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 563359 A7 B7 五、發明説明（18 ) 儘管未描述，印刷電路板51可藉由接合一具有預定開口 面積之穿透孔，與具有較大開口面積之穿透孔之軟性印刷 電路板（FPC)在一起而形成，如此則所形成之印刷電路板^ 具有預期之截面开> 狀，用於提供孔口平面部分5 3，交替 地，印刷私路板5 1可藉由接合具有欲映開口面積之Fpc.，與 具有較大開口面積之穿透孔之硬基板在一起而形成。 如圖1 3所不，一錫膏56藉由網印技術被施加至印刷電路 板51之前表面51f之面積58上，晶片零件如電阻或電容將被 口疋處，接著，再如圖14所示，將晶片零件57固定於面積 58上之後，執行一迴銲（refl〇w)。 (8)覆晶接合過程 圖1 5係一透視圖式，顯示一狀態，一透明基板藉由覆晶 接σ被固疋於印刷電路板上，圖丨6係該印刷電路板之斷面 圖式’其上固定有該透明基板。 如圖1 5所不，一透明基板丨丨，其上固定有固態影像拾取 ^件31與周邊IC晶片41，係從透明基板丨丨中所得，該透明 曰曰圓在項目（6)中切割過程中被切割成該透明基板1丨，接 著所得透明基板11藉由覆晶接合技術，被固定於印刷電 路板5 1之表面5 i €上，該印刷電路板5丨具有先前過程中固定 於其上之晶片零件，為了如圖丨6所示，將透明基板Η與印 刷包路板5 1接合在一起，可使用Acp (非等向性導電錫膏） 接合與超音波接合方法，然而，假若使用超音波接合方 法，需要將填膠注入於透明基板丨丨與印刷電路板5丨之間之 間隙。 -22- 本紙張尺家料(CNS) A4規格(21QX 297公釐〉
裝 訂
k 563359 A7 B7 五、發明説明（19 ) 在本過程中’背面向下固定之固態影像拾取元件3丨，在 周邊IC晶片4 1從面向上固定狀態轉變成面向下時，轉變成 面向下固定。 (9)圖17係一透視圖式，顯示一狀態，周邊IC晶片被打線 接合，圖1 8係已被打線接合之透明基板與印刷電路板之斷 面圖式。 在反轉在前半過程中其上固定透明基板1 1之印刷電路板 5 1時，如圖1 7所示，周邊1C晶片4 1被導引向上，其孔口平 面部分53面向上，在此狀態中，周邊ic晶片之電極終端藉 由打線接合，透過導線6 1被連接至導線終端，產生如圖1 8 所示之狀態。 (1 0)圖19係一透視圖式，顯示一狀態，塗層樹脂被施加 於周邊1C晶片，圖20係已施加塗層樹脂於其上之透明基板 與印刷電路板之斷面圖式。 隨後，如圖1 9所示，一塗層樹脂7 1以注射器7 2施加至經 連接之外為1C晶片4 1，接著硬化，藉由使用如塗層樹脂7 1 極低黏性與良好流動性之樹脂，該塗層樹脂7 1也被導引向 固態影像拾取元件3 1之周邊，以便雙倍地覆蓋該元件，使 其可能達到高可靠性之密封，進一步地，穿透孔52具有孔 口平面部分5 3，如此，即使使用低黏性之樹脂，定義孔口 平面部分53之側表面，仍可作為一屏障（水牆），防止樹脂 流出，如此，即使施加大量之樹脂，塗層樹脂亦不會流出 孔口平面部分53，如圖20所示。 (1 1)鏡片承載器安裝過程 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 563359 A7 B7 五、發明説明（20 圖2=鏡片承載器之斷面圖式，圖22係一透視圖式，顯 示-狀態，該鏡片承載器正被安裝至透明基板與印刷電路 板上。 製作如圖所示之鏡片承載器81，鏡片承載器8ι具有— 穿透孔82 上側形成一插人孔85，i其下表面形成孔口 平面部分83與84，成為二階形狀。 孔口平面部分83 (第一階）係用於達到鏡片承載器81之高 精確度安裝，也就是說，安裝鏡片承載器8丨，使得透明基 板11藉由使用透明基板11之側表面做為參考平面，安裝入 孔口平面部分83，孔口平面部分84 (第二階）作為黏結劑82 之排出口。 如圖22所不，鏡片承載器81位於且被固定於透明基板與 印刷電路板5 1上，兩者周邊均施加了黏結劑。 (12)圖23係一透視圖式，顯示一狀態，鏡片正被安裝至 鏡片承載器。 最後’如圖23所示，安裝一鏡片9 i至鏡片承載器8 i，完 成影像拾取裝置1，以上所述為製造影像拾取裝置1之基本 過程。 圖24係一透視圖式，顯示一狀態，一周邊IC晶片4丨額外 地以同一方向被置於周邊1C晶片43上，圖25係一透視圖 式，顯示一影像拾取裝置之外觀，該裝置裝備有一直式FPC 導線，圖26係一透視圖式，顯示一影像拾取裝置之外觀， 該裝置裝備有一僅由輸入/輸出終端所組成之直式]PPC導 線，顯示一影像拾取裝置之外觀，該裝置裝備有一具彎曲 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
装 訂
563359 A7 — _______ B7 五、發明説明（21 ) 直式FPC導線。 上述7L件思指單晶片固定，其中周邊IC晶片4 1係背對背 被接合至固態影像拾取元件，然而，也可能將額外之外為 1C曰曰片43固疋於周邊1C晶片41上，使他們如圖24所示呈同 一方向，以此構造，即使影像拾取裝置丨之零件數量增加使 其功能變強，也不需增加影像拾取裝置1之尺寸。 進步地，藉由改變作為輸入/輸出導線之Fpc導線部分 54之形狀，可處理各種類行之影像拾取裝置，例如，如圖 25所示，安裝了 一直式FPC導線之影像拾取裝置、如圖“所 不，安裝了僅由輸入/輸出終端所組成之直式FPc導線之影 像拾取裝置、如圖27所示，安裝了一具彎曲54b直式Fpc導 線之影像拾取裝置，以及類似者。 發明經如此敘述，很明顯地，可以許多方式改變相同裝 置，此種改變不被認為是與本發明之精神及範圍相背離， 且所有對習知該記憶者明顯之修正，係意圖被包含於以下 申請專利範圍之範圍當中。 -25- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 χ 297公釐)

Claims (1)

  1. 第〇9110丨581號專利申請案 文申請專利範圍替換本(92年9月) 六、申請專利範園 1· 一種影像拾取裝置，其包含·· 一固態影像拾取元件，其具有一光接收表面； 一周邊1C晶片，其處理由該固態影像拾取裝置輸出之 信號； 鏡片承載器，可適於承載一光學鏡片； 一印刷電路板，可固定該鏡片承載器；以及 -透明基板，由可傳遞可見光之材料，或已經過濾光 處理且能夠傳遞可見光之材料所製成，該透明基板至少 有一表面上有導線， 該影像拾取元件以-密封劑密封，其中該固態影像卜 取元件係連接於透明基板之表面上之導線，該固態影像 拾取元件之光接收表面相對於透明基板，兩者間有一預 定之間隙，以及 該鏡片承載器被安裝至透明基板之一表面，其相對於 該固態影像拾取元件所連接至之表面。 、 2·如申請專利範圍第！項之影像拾取裝置，其中該周邊π 晶片係以密封劑接合至該固態影像拾取元件之後表面 上’該後表面相反於光接收表面。 3.如申請專利範圍第2項之影像拾取裝置，其中 該印刷電路板具有一穿透孔； 連接至該固態影像拾取裝置之該透明基板之導線，透 過一第一金屬材料，連接至印刷電路板，其中連接至該 透明基板之該固態影像拾取元件，與接合至該固態影像 拾取元件之周邊1C晶片，通過該印刷電路之穿透 563359 ABCD 申請專利範圍 該周邊ic晶片透過一第二金屬材料，連接至該印刷電 路板；以及 通過該印刷電路板之穿透孔之該固態影像拾取元件、 周邊1C晶片，以及第二金屬材料，以第二密封劑加以密 封。 4.如申請專利範圍第1項之影像拾取裝置，其中透明基板 之導線係兩層結構之導線，其包含形成於該表面對應於 該固態影像拾取裝置之光接收區域之外區域之一絕緣金 屬層或下塗覆金屬層，以及在絕緣層或下塗覆金屬層上 之第三金屬材料層。 5·如申請專利範圍第1項之影像拾取裝置，其中該透明基 板之導線，包含電極終端，用於與該固態影像拾取元 件、鄰近透明基板周邊之外部輸入/輸出電極終端，以 及鄰近外部輸入/輸出電極終端，用於定位之辨識記 號。 6·如申咕專利範圍第3項之影像拾取裝置，其中該印刷電 路板在後表面上有一環繞穿透孔之孔口平面部分，其後 表面相對於印刷電路板連接至透明基板導線之表面，且 孔口平面部分具有終端，第二金屬材料與其連接。 7·如申凊專利範圍第6項之影像拾取裝置，其中該印刷電 路板包含一硬基板及與其接合之軟性板，兩者均有一穿 透孔’而該硬基板與軟性板之穿透孔具有不同開口面 積，以提供孔口平面部分。 8·如申請專利範圍第1項之影像拾取裝置，其中該鏡片承 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 六、申請專利範園 載器於其t裝置透明基板之表面上，有一二階孔口平面 P刀而該鏡片承載器係以一黏結劑連接至該印刷電路 板與該透明基板。 9·=申請專利範圍8項之影像拾取裝置，#中該鏡片承載 器被安裝至該透明基板與該印刷電路板上，以該透明基 板之側表面做為參考平面。 土 10.如申清專利範圍第2項之影像拾取裝置，其中該周邊1C 晶片能夠在一表面上，攜帶另一周邊1(:晶片，該表面相 對於接合至該固態影像拾取元件之表面。 η·一種用於製造一影像拾取裝置之方法，其中一固定有一 固態影像拾取元件與處理冑出㈣固態影像拾取元件之 信號之周邊1C晶片之透明基板、一光學鏡片可安裝於其 上之鏡片承載器、以及一印刷電路板，被連接在一起， 該透明基板係由-種可傳遞可見光之材料，或—種已經 過濾光處理且能夠傳遞可見光之材料所製成， 該方法包含下列步驟·· 形成球電極於導線所包含之複數個電性信號輸入/輸出 終端，該導線形成於該透明基板之—表面上；以及 以其光接收表面相反於該透明基板，將該固態影像拾 取元件，固定於有球電極形成之透明基板之—表面上， 以連接該固態影像拾取元件與該透明基板。 12·如申請專利範圍u項之用於製造_影像拾取裝置之方 法八中^亥固態衫像拾取元件係藉由一超音波接合法連 接至該透明基板之導線。 563359 圍範利專 請 t' ABCD 3.:申請專利範圍η項之用於製造一影像拾取裝置之方 法，其中在固定該固態影像拾取元件之步驟之後，該方 法包含下列步驟： 施加-密封劑至固定於該透明基板上之該固態影像拾 取凡件之周邊，以密封該影像拾取元件； 藉由該密封劑，將該周邊1C晶片固定於該固態影像拾 取几件之一表面上，該表面相反於光接收表面，藉此連 接該周邊1C晶片與該固態影像拾取元件；以及 硬化該密封劑。 14·如申請專利範圍13項用於製造一影像拾取裝置之方法， 其中在硬化該密封劑後，該方法包含下列步驟：/ 當插入與該透明基板連接之該固態影像拾取元件，及 與該固態影像拾取元件連接之該周邊1(：晶片，於該印刷 電路板之穿透孔時，藉由覆晶接合，將該透明基板固定 於該印刷電路板上；以及 將該鏡片承載器安裝至該印刷電路板與該透明基板之 一表面，該表面以該透明基板之側表面做為參考平面， 相對於該固態影像拾取元件之表面。 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐）
TW091101581A 2001-02-02 2002-01-30 Image pickup device and process for producing the same TW563359B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001026953A JP3540281B2 (ja) 2001-02-02 2001-02-02 撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW563359B true TW563359B (en) 2003-11-21

Family

ID=18891688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091101581A TW563359B (en) 2001-02-02 2002-01-30 Image pickup device and process for producing the same

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7242433B2 (zh)
JP (1) JP3540281B2 (zh)
KR (1) KR100494044B1 (zh)
TW (1) TW563359B (zh)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4698874B2 (ja) * 2001-04-24 2011-06-08 ローム株式会社 イメージセンサモジュール、およびイメージセンサモジュールの製造方法
CN1249991C (zh) * 2001-08-07 2006-04-05 日立麦克赛尔株式会社 照相机组件
KR100442698B1 (ko) * 2002-06-19 2004-08-02 삼성전자주식회사 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법
JP2004029554A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Olympus Corp 撮像レンズユニットおよび撮像装置
JP2004104078A (ja) * 2002-06-28 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュールおよびその製造方法
US6892449B1 (en) 2002-10-09 2005-05-17 Cypress Semiconductor Corp. Method of manufacturing electro-optical devices
US6815729B1 (en) 2002-10-09 2004-11-09 Cypress Semiconductor Corp. Electro-optical apparatus
US7129722B1 (en) 2002-10-09 2006-10-31 Cypress Semiconductor Corp. Methods of improving reliability of an electro-optical module
US6890107B1 (en) * 2002-10-09 2005-05-10 Cypress Semiconductor Corp. Electro-optical apparatus
JP3813944B2 (ja) * 2003-04-28 2006-08-23 松下電器産業株式会社 撮像装置
JP3729817B2 (ja) * 2003-04-28 2005-12-21 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4510403B2 (ja) * 2003-05-08 2010-07-21 富士フイルム株式会社 カメラモジュール及びカメラモジュールの製造方法
KR101025769B1 (ko) 2003-11-18 2011-04-04 삼성테크윈 주식회사 연성 회로기판이 연결되는 밀착형 화상 감지 모듈 및이들을 연결하는 방법
JP4236594B2 (ja) * 2004-01-27 2009-03-11 シャープ株式会社 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法
KR100673950B1 (ko) * 2004-02-20 2007-01-24 삼성테크윈 주식회사 이미지 센서 모듈과 이를 구비하는 카메라 모듈 패키지
DE102004018222A1 (de) * 2004-04-15 2005-11-10 Robert Bosch Gmbh Opto-elektronisches Modul
JP4686134B2 (ja) * 2004-04-26 2011-05-18 パナソニック株式会社 光学デバイスおよびその製造方法
JP4606063B2 (ja) 2004-05-14 2011-01-05 パナソニック株式会社 光学デバイスおよびその製造方法
KR100674911B1 (ko) * 2004-08-06 2007-01-26 삼성전자주식회사 이미지 센서 카메라 모듈 및 그 제조방법
JP4482434B2 (ja) * 2004-12-07 2010-06-16 新光電気工業株式会社 撮像モジュール
US7215492B2 (en) * 2005-03-17 2007-05-08 Konica Minolta Opto, Inc. Image pickup lens, image pickup apparatus, and mobile terminal provided with image pickup apparatus
US7084391B1 (en) * 2005-04-05 2006-08-01 Wen Ching Chen Image sensing module
KR100721163B1 (ko) * 2005-09-27 2007-05-23 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈과 이를 이용한 카메라 모듈 및 카메라모듈의 제조방법
US20070236591A1 (en) * 2006-04-11 2007-10-11 Tam Samuel W Method for mounting protective covers over image capture devices and devices manufactured thereby
JP2007288755A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Optopac Co Ltd カメラモジュール
US8456560B2 (en) 2007-01-26 2013-06-04 Digitaloptics Corporation Wafer level camera module and method of manufacture
CN101271885B (zh) * 2007-03-21 2010-06-09 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装及其应用的影像摄取装置
CA2685080A1 (en) 2007-04-24 2008-11-06 Flextronics Ap Llc Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip-chip assembly
CN101320120A (zh) * 2007-06-07 2008-12-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 相机模组
US7825985B2 (en) * 2007-07-19 2010-11-02 Flextronics Ap, Llc Camera module back-focal length adjustment method and ultra compact components packaging
CN101436603B (zh) * 2007-11-14 2010-11-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 成像模组
DE102007057172B4 (de) * 2007-11-26 2009-07-02 Silicon Micro Sensors Gmbh Stereokamera zur Umgebungserfassung
US9350976B2 (en) 2007-11-26 2016-05-24 First Sensor Mobility Gmbh Imaging unit of a camera for recording the surroundings with optics uncoupled from a circuit board
JP4443600B2 (ja) * 2007-12-03 2010-03-31 シャープ株式会社 固体撮像装置の製造方法
KR101070058B1 (ko) * 2008-12-24 2011-10-04 삼성전기주식회사 카메라 모듈 패키지
CN101771057A (zh) * 2008-12-26 2010-07-07 佛山普立华科技有限公司 相机模组
JP4582245B1 (ja) * 2009-06-05 2010-11-17 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法及び製造装置
TWM372595U (en) * 2009-07-31 2010-01-11 Cheng Uei Prec Ind Co Ltd Digital still camera module
US9419032B2 (en) 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
US8866919B2 (en) * 2009-11-06 2014-10-21 Samsung Techwin Co., Ltd. Shake correction module, camera module comprising the same, and method of manufacturing the camera module
JP2011134431A (ja) * 2009-11-30 2011-07-07 Victor Co Of Japan Ltd 光ピックアップ装置
JP5422484B2 (ja) * 2010-05-20 2014-02-19 株式会社東芝 カメラモジュール
US10009528B2 (en) 2011-02-24 2018-06-26 Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Autofocus camera module packaging with circuitry-integrated actuator system
US8953088B2 (en) * 2011-02-24 2015-02-10 Prebesh Pavithran Low profile camera module packaging
KR101849223B1 (ko) * 2012-01-17 2018-04-17 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2016027586A (ja) * 2012-11-29 2016-02-18 パナソニック株式会社 光学装置および光学装置の製造方法
JP6102941B2 (ja) * 2012-11-30 2017-03-29 パナソニック株式会社 光学装置及びその製造方法
JP2017139258A (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 ソニー株式会社 撮像素子パッケージ及び撮像装置
CN109547680A (zh) * 2016-02-18 2019-03-29 宁波舜宇光电信息有限公司 基于模塑工艺的摄像模组及其模塑线路板组件及制造方法
JP2017223739A (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 富士通株式会社 光モジュール及び光モジュール製造方法
US20180234595A1 (en) * 2017-02-10 2018-08-16 Google Inc. Camera Module
DE102017210379A1 (de) * 2017-06-21 2018-12-27 Robert Bosch Gmbh Bildsensormodul
WO2019217516A1 (en) * 2018-05-08 2019-11-14 Eastern Blue Technologies, Inc. Module and methods of assembly for large area flat panel detectors
TWI778829B (zh) * 2021-05-05 2022-09-21 勝麗國際股份有限公司 非迴焊式感測鏡頭

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63308375A (ja) * 1987-06-10 1988-12-15 Hitachi Ltd 固体撮像装置
US5400072A (en) * 1988-12-23 1995-03-21 Hitachi, Ltd. Video camera unit having an airtight mounting arrangement for an image sensor chip
US5040069A (en) * 1989-06-16 1991-08-13 Fuji Photo Optical Co., Ltd. Electronic endoscope with a mask bump bonded to an image pick-up device
US5418566A (en) * 1990-09-10 1995-05-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics
JPH04286159A (ja) * 1991-03-14 1992-10-12 Hitachi Ltd 固体撮像装置
JPH06112460A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Sony Corp 固体撮像装置
JP3498775B2 (ja) 1995-05-31 2004-02-16 ソニー株式会社 撮像装置
JP3417225B2 (ja) * 1996-05-17 2003-06-16 ソニー株式会社 固体撮像装置とそれを用いたカメラ
US6795120B2 (en) * 1996-05-17 2004-09-21 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and camera using the same
JP2000049319A (ja) * 1998-07-27 2000-02-18 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JP2000269472A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Canon Inc 撮像装置
JP2000286401A (ja) * 1999-03-29 2000-10-13 Miyota Kk 固体撮像装置およびその製造方法
JP2000332225A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Canon Inc 撮像装置
US7375757B1 (en) * 1999-09-03 2008-05-20 Sony Corporation Imaging element, imaging device, camera module and camera system
JP2001119006A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Sony Corp 撮像デバイス及びその製造方法
US6266197B1 (en) * 1999-12-08 2001-07-24 Amkor Technology, Inc. Molded window array for image sensor packages
JP2001358997A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP4405062B2 (ja) * 2000-06-16 2010-01-27 株式会社ルネサステクノロジ 固体撮像装置
JP3725012B2 (ja) * 2000-08-17 2005-12-07 シャープ株式会社 レンズ一体型固体撮像装置の製造方法
JP4467958B2 (ja) * 2003-11-19 2010-05-26 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像装置のフォーカス制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002231916A (ja) 2002-08-16
KR100494044B1 (ko) 2005-06-13
US20030128442A1 (en) 2003-07-10
KR20020064662A (ko) 2002-08-09
US7242433B2 (en) 2007-07-10
JP3540281B2 (ja) 2004-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW563359B (en) Image pickup device and process for producing the same
US7345349B2 (en) Solid state imaging device and producing method thereof
US7414663B2 (en) Imaging element, imaging device, camera module and camera system
JP3527166B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP3207319B2 (ja) 光電変換装置及びその製造方法
KR100427993B1 (ko) 고체 촬상장치 및 그 제조방법
JP3186941B2 (ja) 半導体チップおよびマルチチップ半導体モジュール
TW200537152A (en) Module for optical devices, and manufacturing method of module for optical devices
JP2002231918A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2001257334A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
WO1997005660A1 (fr) Dispositif de prise de vues a semi-conducteurs et fabrication dudit dispositif
TW200531227A (en) Structure and method of making capped chips having vertical interconnects
KR20100014677A (ko) 관통 비아에 의해 전면 컨택트에 연결되는 배면 컨택트를 갖는 칩
JP2002231921A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2002231920A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP4361300B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
JP2000228573A (ja) モジュールの基板構造
JP3712584B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
TWI258210B (en) Method for wafer level package of sensor chip
JPS6362266A (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR100634419B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
JPH10223626A (ja) 半導体チップ，半導体チップの製造方法，半導体装置，電子装置
JP2002334976A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000183368A (ja) 光電変換装置およびその製造方法
JPH0917986A (ja) 固体撮像装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees