TW548501B

TW548501B - Active matrix type liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: TW548501B
Application number: TW091105020A
Authority: TW
Inventors: Kimikazu Matsumoto
Original assignee: Nec Lcd Technologies Ltd
Priority date: 2001-03-15
Filing date: 2002-03-15
Publication date: 2003-08-21
Also published as: US20020131003A1; KR100494638B1; JP2002277889A; KR20020073447A; US7259820B2; US20040174484A1; JP4831716B2

Description

w 548501 五、發明說明（1) 【發明背景發明領域本發明係有關一種具有高性能特性之主動矩陣型液晶顯示裝置及其製造方法。 — 相關技術說明就主動矩陣型液晶顯示裝置而言，現今已發展出一種稱為面内轉換（IPS，In-Plane Switching)之方法，其係為將平行於該基板之一電場施加至主動矩顯示 5置内之液晶。IPS型之液晶顯示裝置之優點為可獲= 見廣之視角。 ' 圖1 4為一平面佈局圖，顯示根據丨PS方法製作之主動矩陣型液晶顯示裝置所包含之一單位像素區域。圖丨5則為圖1 4所顯示之液晶顯示裝置，沿著pp方向所繪製之一橫剖面圖。如圖15所示，此液晶顯示裝置包含一;/基板1〇二二一對向基板2 0 0及一液晶30 0。此液晶顯示裝置係^由在TFT' 基板100與對向基板2〇〇間之空隙填充液晶3〇〇而構成，且 TFT基板1〇〇與對向基板2〇〇係藉由間隙壁與密封構件（皆未圖示）以彼此相對之方式配置。白 # KTFT基板100包含由透明玻璃或其類似材料所構成之一第一透明基板101。掃描線1〇2 (未顯示於圖15中）及北通配線1 0 3係形成於此第一透明基板1 〇 1之一表面上。如^ 1 4所示，鄰接之二條掃描線1 02之間具有一預定間隔，"且" 以近乎平行之方式朝X方向延伸，並定義出此單位像素區

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五、發明說明（2) 域之X方向。共通配線103則以幾近平行於掃描線ι〇2之方式延伸，並α每二條共通配線103夹設—條掃描線1〇2之方式加以配置。亦即，一單位像素區域包含横跨立間之二停共通配線。此二條共通配線103係以三個此連接，其中，此三個共通'電極⑴係、朝γ方向並以近U = 於共通配線103之方式於單位像素區域内延伸。丘電極111包含一個幾乎是在此像素區域中心位置延伸^ 一 :位1Γ: ’ ：及在此中心部位11 la兩侧延伸之邊緣部位111b，其中，邊緣部位11113具有較中心部位nia大之寬度。在圖1 5中層間絕緣膜1 〇 4 a係形成於第一透明芙柄 101、掃描線102及共通配線103之上。資料線1〇6盥二像素電極112則形成於層間絕緣膜1〇4a之上。圖14所顯示之一半導體島狀物105亦形成於此層間絕緣膜1〇4&之上\此半導體島狀物1 0 5構成一薄膜電晶體（Th i n F i i m Transistor，TFT )。此半導體島狀物1〇5係透過此層間絕緣膜1 0 4 a配置於掃描線1 〇 2之上。資料線1 0 6係以Y方向並近乎垂直於掃描線丨〇 2之方式延伸，並定義出此單位像素區域之γ方向。此像素電極^ 2 包含沿著共通電極ill之γ方向延伸之二個相對部位112a，及各自以重疊一共通配線103並支撐相對部位112&之一末端之方式配置的二個支撐部位112b。此像素電極112之相對部位11 2 a係配置於鄰接之共通電極111之間，以相對於這些共通電極111。更不用說，如圖1 5所示，層間絕緣膜

548501 五、發明說明（3) 1 0 4a係配置於共通電極丨u與像素電 '極丨丨2之間。儲存電容則形成於彼此藉由層間絕緣膜1 〇 4 a相對之共通配線1 〇 3與像素電極11 2之支撐部位11 2b之間。一保護膜1 0 4 b係形成於層間絕緣嗥丨〇 4 a、資料線_ 1 〇6、像素電極丨12及TFT之上。經過表面配向處理之一配向膜116，則形成於此保護膜1〇4b之上。一偏光板119則配置於第一透明基板101之其它表面上。對向基板20 0包含一第二透明基板2〇1。具有一開口之黑色矩陣202則形成於第二透明基板2〇1之一表面上。此黑 ^矩陣係由具遮光效應之材料所構成，並以相對於定義出單位像素區域之資料線丨〇6之方式配置。此黑色矩陣2〇2之開口係由一彩色層2 〇 3所覆蓋。一平坦化膜2 〇 4及一配向膜 2〇5則形成於黑色矩陣2〇2與彩色層2〇3之上。一導電膜2〇7 及一偏光板2 0 8則形成於第二透明基板2 〇 i之外側表面上。一，液阳顯示I置係以下列之方式操作。為驅動此液晶 ”、員=叙置’一驅動電路（未圖示）會依序施加一閘極脈衝至掃描線102上，並以與閘極脈衝同步之方式，將具有與顯示色調相關之電壓的資料信號，施加至資料線丨〇6之” 七。連接至施加了閘極脈衝之掃描線丨〇 2 (亦即被選取之 =描線102 )之TFT會開啟，並且此時施加於資料線1〇6之私壓將會透過汲極電極丨0 7、半導體島狀物丨〇 5及源極電極 1 〇 8，施加至像素電極丨丨2之上。當切斷此閘極脈衝時，此TFT即關閉。此時施加於像 ”兒極112之電壓將會儲存於位於像素電極112與共通電極 548501 五、發明說明（4) 電1 容門卜之^ ^，以及位於共通配線1 0 3與像素電極1 1 2間之再施：2各與？不色調相關之電壓會在下-個選擇週期，二早/立像素區域之液晶上：施加_ 乂電極112之相對部位112a之間形成- : 場，且液晶會以一預期之狀態排列。所办色層203之顏色則會顯示出一預期之色調。 ι=ΓΛ，在此液晶顯示裝置中，-電場會形成於共 k私極111與像素電極112之相對部位U2a之間，並且此一平打於基板之電場會施加於液晶3 0 0之上。然而，資料線 106亦以相當靠近、並沿著像素電極112之相對部位ii2a之方式形成。因此，由於資料線1〇6與像素電極112間之電位差其間亦會开》成一電場。此電場會部分漏電至靠近資料線106之某些液晶3〇〇。此種稱為「漏電場」之現象會干擾液晶30 0之配向，並且造成分割的缺陷，進而破壞顯"示品質。 ’ 資料線106所形成之電場漏電至液晶3〇〇，並不是令人樂見之現象。因此，藉由配置較寬之共通電極U1之邊緣部位111 b，可減少此漏電場現象。如圖丨5所示，由資料線❼ 106所形成之電場將主要由共通電極ill之邊緣部位Hu所阻斷，而非像素電極丨丨2。是故，將可防止電場漏電至液晶 3 0 0。然而’為獲得足以對抗此漏電現象之馬防止效應（遮蔽效應），將必須加寬共通電極1 1 1之邊緣部位丨丨lb。此

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/、通笔極111通常由具有光阻斷效應之金屬所構成，例如鉻或其類似材料。所以，當此邊緣部位11 lb加寬，此液晶顯示裝置之單位像素區域之顯示區域的比率，亦即，孔巧比將會變小。工 $未審查之日本專利申請公開公報第H1 1 —1 1 9237號， ^揭露一種包含共通電極形成於資料線上之結構，以作為可獲得高遮蔽效應，並且得以避免孔徑比縮小之結構。圖 16顯不具有此一結構之液晶顯示裝置之平面佈局。圖1 7則為圖16所顯示之裝置沿著q —q方向之橫剖面圖。圖14與^ 中相同的元件係以相同之參考符號標示，並且省略迻此件之說明。 ’ 二不似圖1 5之液晶顯示裝置，在此液晶顯示裝置中，一像素電極112與一共通電極係形成於資料線1〇6上相同平面中。如圖1 7所示，部分共通電極丨丨！係形成在位於資料線 106正上方之一弟一層間絕緣膜11〇之上。如圖Μ所― 共通電極111包含重疊於共通配線丨(如圖16之此 )上、亚以X方向延伸之一支撐部位，以及自支撐部位方向延伸之二個相對部位。此相對部位之長度，係與一时位像素區域所包含之二個共通配線間之距離幾二單 41 S3， _ \ 丁相同。此共通電極111係透過貫穿第一層間絕緣膜丨04盥筮_ 緣fe 11 0之接觸孔，與共通配線1 〇 3形成電性連接。如圖1 7所示，像素電極11 2包含形成於第—爲卵 ^ /g Jgj 膜104上之一第一像素電極1〇9，以及形成於第— 、、、、、、矛—層間絕緣

第9頁 548501 五、發明說明（6) 膜110上之一第二像素電極112a。 :=3r 一列」，及於位。第-像素ΐ ΐ二連之接:二部饧私谷係形成於共通配線1〇3以及與補一像素電極1〇9之間。 ”/、通配線1〇3相對之第

第二像素電極112a包含三個相對部位，以及一個 =此，個相對部位之一支撲部位’ &因此形成字形狀。弟二像素電極1123係以與共通電極m (註：盥一像素電極11 2a位於同一平面上）接合之方式配置/笫二像素電極112a之二個鄰接相對部位之間，係夾設共通電= Π1之一相對部位。共通電極U1之支撐部位係配置成鱼丘通配線103重疊之方式，如圖16之上侧所示’並透過接觸、孔113使共通電極ill與共通配線丨〇3形成電性連接。舉例而言，共通電極111與第二像素電極1128係由具有透光性之材料所形成，如铟錫氧化物（IT0，Indium Tin 〇xide

)或其類似材料。在此液晶顯示裝置中，共通電極丨丨1所包含之邊緣部位111 b係具有較資料線1 〇 6為寬之寬度，並且配置於資料線106之上。由資料線106所形成之電場則會被此共通電極 111之邊緣部位11 lb所阻斷，如圖丨7中之箭頭所示。所以，將可防止電場漏電至液晶30 0。因此，對共通電極m

第10頁 548501 五、發明說明（7) 與像素電極112間之電場所造成之影響便可減少，並且對顯示影像的破壞程度亦可降低。然而，由於幾乎資料線1 0 6與共通電極111之邊緣部位 1 1 1 b的整體表面，係透過第二層間絕緣膜1 1 〇彼此相對應，因此資料線1 0 6與共通電極111之邊緣部位111 b之間的靜電電容會相當地大。是故，不能忽略施加至資料線1 〇 6 之k號的延遲現象。為減少此靜電電容，可使資料線1 〇 6與邊緣部位1 1 1 b 間之第二層間絕緣膜丨丨〇以較厚之方式形成。然而，在此】中’將舄要更長的時間以形成第二層間絕緣膜1 1 〇，並因此降低生產率。同時由於此第二層間絕緣膜1 1 〇較厚，便而要形成具有高縱橫比之接觸孔。因此，產率下降並使成本增加。第〜且由於資料線10 6與共通電極111之邊緣部位111 b透過 ^ =層間絕緣膜相對應之面積很大，因此資料線丨〇6與共 ^ ^極11 \之邊緣部位i i lb之間很可能因為第二層間絕緣現象之缺陷’例如針孔’而造成電性短路（層間短路）之現>1此電性短路現象在執行顯示操作時，會使線缺陷出兄之可能性提高。覆笔i t ί刊物中，亦揭露一種使共通電極之邊緣部位以電極之=二料線之方式形成之實施例。然而，在此種共通子中，♦、ί部位係以部分重疊於資料線上之方式形成的例伋。甩每會漏電至此單位像素區域中之資料線以外之部

548501 五、發明說明（8) 甚者’當第二層間絕緣膜丨1 〇係由無機膜形成時，例如二氧化矽膜或其類似材料，由於其高介電常數，因此第二層間絕緣膜1 1 〇之厚度將必須較厚，約為i至丨〇 # m。如此將會造成與上述相同之問題。相反地，當第二層間絕緣膜1 1 0係由有機膜形成時，例如丙烯酸樹脂或其類似材料，由於其低介電常數，因此將可形成具厚度約〇· 5至5 # in之苐一層間絕緣膜1 1 0。是故，將可避免厚膜所造成之問題。然而，有機膜對離子具有高穿透度。因此，為避免離子黏附至TFT之背部通道，必須限制可以作為有機膜之材料。此外，當第二層間絕緣膜係由無機膜及有機膜之雙層材料所形成時，將必須形成分別穿透無機膜及有機膜之開口。因此，製造步驟及生產成本將會大幅提高。總而=之，習知技術尚未提供一種主動矩陣液晶顯示裝置’使其可在避免大量增加製造步驟及生產成本，以及降低信號延遲現象、減少顯示缺陷之方式下形成。發明概要

為解決上述問題，本發明之一目的係為提供一低信號延遲現象及減少顯示缺陷之主動矩置，及其製造方法。主欣日日顯不裝置本發明之另一目的係為提供一，使其可在降低信號延遲現象種主動矩陣型液晶顯示的同時，亦可防止由資

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料線而來之電場漏電，以及提供其製造方法。、為達上述目的，本發明之第1實施態樣之主動矩陣刮液日日顯不裝置包含：一組基板（1 0 1、2 0 1 ); 一液晶（3 0 0 )，係密封於此組基板（丨〇丨、2 内； y ^複數個資料線（106 )及複數個掃描線（102 )，係以彼此相交之方式配置於此組基板（1 0 1、2 0 1 )其中之一夕一表面上；

藤夕元件’係具有一電流路徑，其一端連接至相對 =貝枓線（106 )之一，以及具有一控制終端，用以連接至相對應之掃描線（i 〇 2 )之一； Π Λ像素電極（1 1 2 )，係透過一絕緣膜配置於資料線之上’並連接至切換元件之電流路徑之另一；以及 ^ Ί W、共通電極（1 11 )，係透過絕緣膜（110 )與資料線 ^ 06)相對，俾以在與像素電極（112)之間產生一電 %，且其重疊於資料線上之部位（lllb)具有狹縫（115 )° 、此共通電極（m )與此像素電極（112 )可各自具有，=部位（111 c、丨丨2a )，且此共通電極（丨丨丨）與此像二電極（11 2 )之線狀部位（丨丨丨c、丨丨仏）係以實質上平仃、相距一預定長度之方式彼此相對應。此重疊部位（mb)可沿著線狀部位（lllc、n2a)

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力口以配置。此狹缝（115 )可具有實質上輿線狀部位（nic、 112a)相同之長度。此狹缝（1 1 5 )可以實質上位於重疊部位（丨丨丨b )之寬度中央之方式形成。此共通電極（111 )之重疊部位（丨丨1]b )可具有相等於或寬於此資料線（1 0 6 )之寬度的寬度。此狹缝（1 1 5 )可具有小於此資料線（丨〇 6 )之寬度寬度。又、此共通電極（111 )與此像素電極（i i 2 )可形成於 4 一平面上。 ’ 此共通電極（11 1 )與此像素電極（丨丨2 )可由透電材料所形成。 ¥ 此共通電極（11 1 )與此像素電極（丨i 2 )可形同平面上。、不此共通電極（111 )與此像素電極（丨丨2 )之間，/ 成平行於該組基板（101、201 )之方向之一電場。ϋ形人本發明第2貫施態樣之主動矩陣液晶顯示裝置，包一組基板（1 0 1、2 0 1 );

548501 五、發明說明（π) 彼此相交之方式配置於該組基板（丨〇1、2 〇 1 )其中之一之一表面上；一切換元件，係具有一電流路徑，其一端連接至相對應之資料線（1 〇 6 )之一，以及具有一控制終端，用以連接至相對應之掃描線（i 0 2 )之一；- 一像素電極（11 2 )，係透過一絕緣膜（1 1 〇 )配置於資料線（1 0 6 )之上，並連接至切換元件之電流路徑之另一端；一共通電極（111 )，係透過絕緣膜（丨i )與資料線 (106 )相對，俾以在與該像素電極（112 )之間產生一電〇場’且其重疊於資料線上之部位（Ulb )具有狹縫（115 );以及一第一導電膜（202a )，係配置於該組基板（1(H、 201 )之另一個之上，以透過狹縫（115 )與資料線（1〇6 )相對，並且設定成具有與該共通電極〇11)相同之電位0 此共通電極（1 1 1 )與此像素電極（丨丨2 )可各自具有線狀部位（1 1 1 C、1 1 2a )，且此共通電極（丨丨丨）與此像 ^電極（112)之線狀部位（1Uc、112〇係以實質上平行、相距一預定長度之方式彼此相對應。此重疊部位（111b)可沿著線狀部位（lllc、112a) 加以配置。此狹縫（11 5 )可具有實質上與線狀部位（丨丨丨c、 1 12a )相同之長度。

麵第15頁 548501 五、發明說明（12) 此狹缝（115)可以實質上位於重疊部位（ιιι 寬度中央之方式形成。此共通電極（111)之重最部你, 、 J <里宜錚位（111 b )可具有相等於或寬於資料線（1 0 6 )之寬度的寬度。此狹缝（115)可具有小於資料、ς-(106)之寬度的寬度。此共通電極（111 )與此像素電極（112 )可形成於同一平面上。此共通電極（ill )與此像素電極（112 )可由透明導電材料所形成。此共通電極（111 )與此像素電極（112 )可形同平面上。此主動矩陣型液晶顯示裝置可更包含一插塞（118 ，用以使第一導電膜（ 202a )與共通電極（111)彼此形成電性連接。此主動矩陣型液晶顯示裝置可更包含：一共通配線（1 0 3 )，係配置於異於共通電極（111 ) 之一=面，且電性連接至共通電極（111);以及插塞（1 1 8 係連接至共通配線（1 〇 3 )，並使第 :導電膜（ 202a )與共通電極（n丨）彼此形成電性連接。第二導電膜（139a)可配置於第一導電膜（ 202a) ^ ^通配線（103 )之間，以加強第一導電膜（2〇2a )與共通配線（1 〇 3 )之連接。

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共通電極（111)或像相等於或較寬於狹縫此第二導電膜（139a)可由與 '、電極（11 2 )相同之材料所形成此第一導電膜（ 202a )可具有 (115)寬度之寬度。 /、匕第導電膜（2 〇 2 a )可作為一黑色矩陣。此主動矩陣型液晶顯示裝置可更包含一里色矩陣，此黑色矩陣（202 )係以—預；圖'案：置：該組土反ι〇1、201)中之另一個之上，並且由一平坦化膜 (2〇4 )所覆蓋。

此第一導電膜（2〇9a)可配置於平坦化膜（204)之上。 ’ 此第一導電膜（ 202a )具有實質上與該黑色矩陣相同之一圖案。此共通電極（111 )與此像素電極（11 2 )之間，可形成與該組基板（101、201)之方向平行之一電場。為達上述目的，本發明第3實施態樣之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，係為一種液晶顯示裝置之製造方法，而此液晶顯示裝置包含：一組基板（1 〇 1、20 1 )、配φ 置於該組基板（101、201)其中之一上之一薄膜電晶體、連接至此薄膜電晶體之一汲極之資料線（1 〇 6 )、連接至此薄膜電晶體之一源極之一像素電極（11 2 )，及與此像素電極（11 2 )間產生電場之一共通電極（1 1 1 )，此方法包含：

第17頁 548501 五、發明說明（14) 於貧料線（1 0 6 )上形成一絕緣膜（11 〇 ); ^絕緣膜（110)上形成一第一金屬膜U31);及藉由圖案化第一金屬膜（131)，以形成此共通電極 (1 1 1 )’且在此共通電極（1 11 )重燊於資料線之部也 (111 b )，形成狹縫（11 $ )。此主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法可更包含：使此像素電極（11 2 )以具有一預定長度之線狀部位 (1 1 2 a )之形狀加以形成。在形成共通電極（111)之步驟中，會形成與像素電極（11 2 )之線狀部位（11 2a )相對應之部俾（11 1 c )，乂及有黑貝上與該線狀部位（11 2 a )相同長度之狹縫 (115) 〇、、^ =成共通電極（1 i 1 )之步驟中，狹縫（i i 5 )可形成於貫質上為該重疊部位（lllb)之寬度中央的位置。，，成共通電極（111)之步驟中，共通電極（U1) 之^°卩位（1 11 b )係形成具有相等於或較寬於資料線 (106 )寬度之寬度。在形成共通電極（1 11 )之步驟中，狹缝（11 5 )可形成具有較小於資料線（1〇6 )寬度之寬度。、此共通電極與此像素電極可於實質上之同一步驟中形、本發明第4實施例之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法係為一種液晶顯示裝置之製造方法，而此液晶顯示

第18頁五、發明說明（15) " 裝置包含一組基板（101、201)、配置於該組基板 (101、201 )其中之一上之一薄膜電晶體、連接至此薄膜 2晶體之一沒極之資料線（106)、連接至此薄膜電晶體、 ^源極之一像素電極Cll2) ’及與此像素電極（112) 間產生電場之一共通電極（111 )，此方法包含： 548501 形成覆蓋資料線（1 0 6 )之一絕緣膜（11 q ) · 於絶緣膜（110)上形成一第一金屬膜（131) · 藉由圖案化第一金屬膜（131)，以形成共通電極 (111)，並且在共通電極（111)重疊於資料線（1〇6) 之部位（111 b )，形成狹缝（11 5 );及 ^於該組基板（1〇1、201)中之另一個上形成一第一導電膜（ 2 02a)，此第一導電膜（2〇2a)係透過狹縫（ii5 )與資料線（1 〇 6 )相對應。

此主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法可更包含：使像素電極形成具有一預定長度之線狀部位之形狀；其中，在形成共通電極（111)之步驟中，可形成與像素電極（112 )之該線狀部位（112a )相對之部位（111C 1 :二A具有實質上與該線狀部位（112a )相同長度之狹 / 、在=成共通電極（U1 )之步驟中，此狹縫（115) 形成於貝貝上為該重疊部位（lllb)之寬度中央的位置在形，共通電極（1 u )之步驟中，此共通電極（工】 )之該重疊部位（lllb )可形成具有相等於線（106 )寬度之寬度。竿見於貝

548501 五、發明說明（16) 在形成共通電極（1 1 1 )之步驟中，此狹縫（1 1 5 )可形成具有較小於該資料線（1 〇 6 )寬度之寬度。此共通電極（111)與此像素電極（112)可於實質上之同一步驟中形成。此共通電極（1 1 1 )係連接至一共通配線（丨〇 3 )，而此共通配線（1 〇 3 )係配置於與形成共通電極（1丨1 )之平面相異之一平面上。此主動矩卩車型液晶顯不裝置之製造方法可更包含形成一插塞（1 1 8 )之步驟，俾以使共通配線（丨〇 3 )與第一導電膜（ 202a )彼此形成電性連接。，此主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法可更包含在共通配線（1 0 3 )與插塞（11 8 )之間形成一第二導電膜、 (139a )之步驟。此第二導電膜（139a)可與共通電極（in)或像素電極（112)於同一步驟中形成。 ' 此主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法可更包含：於該組基板（101、201)之另一個之—表面上，形成具有一預定圖案之一黑色矩陣（202);以及於=黑色矩陣（ 202 )上方形成一平坦化膜（2〇4)。此第一導電膜（2 0 9 a )係形成於此平坦化膜（2 〇 4 ) 之上。在形成第一導電膜（2〇9a)之步驟中，此第一導電膜 ( 20 9a )係形成具有與黑色矩陣（2〇2 )相同之一圖案。、

548501 五、發明說明（17) 較佳實施例之說明第1實施例以下，將參昭HI -' 晶顯示裝置做一說明丁第〗本與發明弟1貫施例之主動矩陣液 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ Switching，IPS )模泞 ++ 去轉換（In-Plane 圖1為弟1實施例之主動矩曰頜不裝置所構成。佈局圖。圖2為圖1所示 =頜不裝置之整體平面位的放大圖示。圖3為圖1^晶顯示！置之邊緣部單位像素之平面佈局n @/ 動矩陣液晶顯示裝置之向A-A所繪製之橫剖面圖。之早位像素沿著方如圖1所示，此液曰- 此液晶顯示裝μdi具有近乎矩形之形狀。之形狀、且大致形成於液θ顯干获罢5 f具有近乎正方形以及一個環娃此後去r u日日”、、/裝置1上之像素區域11，们％%此像素區域i〗之外圍區域丨2。如下面内容所欲描述的，矩形之單位像素區· ：像素：：具有複數個排成

乃使雜v 土杉色層、一作為切換元件之TFT 及/、類似者係配置於每一個單位像素區域内。一此外圍區域1 2構成此液晶顯示裝置1之一終端區祕。貝=線終端2、掃描線終端3及共it g己線終端4 二外圍區域12内。。置於此

資料線終端2係沿著此液晶顯示裝置之一線狀（ > 著X

第21頁 548501 五、發明說明（18) 方向延伸之線狀）配。、間隔加以配置。如圖2所示固育料線終端2係以規則之一個資料線終端2。這4資料資料線106係連接至每置之線狀，以近乎垂直之方H106係自資料線終端2所配線終端2之資料俨贫合诱過朝Y方向延伸。施加至資料極，以下监五从。儿曰透貝料線1〇6，供給至TFTs之汲以下將再做說明。二-二不，掃描線終端13係沿著此液晶顯示裝置1之 5 μ之線狀加以配置。複數個掃描線終端3係以規則亇二隔加以配置。如圖2所示，複數個掃描線丨〇2係連接至母個掃描線終端3。這些掃描線1 0 2係自掃描線終端3所配置之線狀，以近乎垂直之方式朝X方向延伸。施加至掃描線終端3之掃描信號，會透過掃描線1〇2供給至TFTs之閘極° 如圖1及2所示，共通配線終端4係以覆蓋此液晶顯示裝置周圍之方式加以配置。施加至共通配線終端4之共通電壓’會供給至一共通電極，以下將再做說明。圖3顯示此液晶顯示裝置1之一單位像素區域丨丨^之平面佈局圖。圖4顯示此液晶顯示裝置1之橫剖面圖。此橫剖面圖係為圖3所示之液晶顯示裝置1沿著A-A線之剖面，同時此圖亦顯示外圍區域1 2之剖面。如圖4所示，本實施例之液晶顯示裝置1包含一TFT基板100、一對向基板2〇〇，以及一液晶30 0。TFT基板100與對向基板2 0 0係透過一間隙壁，以彼此相對之方式配置。 TFT基板1〇〇與對向基板2〇〇之周圍，係利用一密封構件

第22頁 548501 五、發明說明（19) (未圖示）相連接。液晶3〇〇則填充於订了基板丨〇〇、對基板2 0 0及密封構件所形成之一液晶胞（亦即所形成之资封容器）中。 & 此TFT基板100包含由透明玻璃、遷明塑膠或類似材料所形成之一第一透明基板1〇1。掃描線1〇2 (未顯示於圖4 中）與共通配線103係形成於第一透明基板1〇1 上。掃描線…及共通配線103係由，例如鉻、銘、：面鈕、銅、鋁銅合金、鋁銅矽化物、鈦、鎢，或一不透光膜，例如主要由上述金屬所形成之化合物金屬，或具有透光性之膜二例如銦錫氧化物（IT〇，indium Tin 〇。心 )，或由這些膜所構成之疊層膜所構成。示 11 圖5顯示掃描線丨02與共通配線1〇3之圖案。如圖5所掃描線102係朝1方向延伸，並定義出此單位像素區威之X方向。共通配線103係沿著掃描線1〇2朝1方向延伸。二 ”線1〇3係於二條鄰接之掃描線102之間延伸。因此？在早位像素區域lla中，具有二條共通配線1〇3。囷斤示第一層間絕緣膜1 〇 4係形成於第一透明基板101、掃描線102及共通配線103之上。第一層弟透缘係由，例如氧化矽膜、氮化矽些膜所構成之疊層膜所形成。 1者由把 ^^ ί ^ ^ ^ ^ ^ 鉻、铭、翻、素電極109係由，例如、、’ t、銅、鋁銅合金、鋁銅矽化物、鈦、鎢， 548501 五、發明說明（20) 一 ------- ^透光膜，例如主要由上述金屬所形成之化合物金 ’或具有透光性之膜，例如銦錫氧化物（，這些=所構成之疊層膜所構成。成由貝料」線106與第一像素電極109之圖形顯示於圖5中。口 =5所示，資料線1〇6係往¥方向延伸_，並且資料線⑽彼 φ 1 方向具有一間隔。往γ方向延伸之資料線1〇6定義在單位像素區域11 a於γ方向之邊緣。第一，素電極109係形成為近乎字母η之形狀，且大致配置於此單位像素區域11 a之中心。具有字母II形狀之第一像素電極11a之二個相對線狀部位，係以重疊於橫越此單 7像素區域11 a之内部之共通配線丨〇 3之方式形成。此字母元狀之。第一像素電極丨〇 9之中心線狀部位，係於近乎此單 =像素區域之中心部位，沿著資料線丨〇 6往¥方向延伸。補侦電容係形成於彼此以第一層間絕緣膜丨〇4相對之第一像素電極1 0 9與共通配線1 〇 3之間。構成一TFT之半導體島狀物丨〇5係配置於單位像素區域 Ua中。如圖5所示，此半導體島狀物1〇5係形成於靠近掃描線102與資料線1 〇β之接合部位之位置，並且重疊於掃描線1 02之上。雖然圖4並未顯示出來，但此半導體島狀物 105係形成於位於掃描線1〇2上之第一層間絕緣膜1〇4之上。此半導體島狀物1 〇 5係由非結晶矽、多晶矽或類似材料所形成。摻雜磷或類似掺質之一汲極區域及一源極區域則形成於此半導體島狀物丨〇 5之表面。

一没極電極107與一源極電極丨〇8則分別連接至此半導

第24頁 548501 五、發明說明（21) 體f狀物1 0 5之汲極區域與源極區域。源極電極丨〇 7係連接至貧料線106，並由實質上與資料線1〇6共用之金屬膜構成:源極電極108則連接至第一像素電極1〇9，並由實質上與第'像素電極109共用之金屬膜所構成。此半導體島狀物105係藉由第一層間絕緣膜1〇4而配置於掃描線丨〇2之上°掃描線102係作為此tft之閘極。在圖4中，一第二層間絕緣膜110係形成於資料線 1⑽、第一像素電極1〇9及第一層間絕緣膜1〇4之上。此一層間絕緣膜1 1 〇係由透明樹脂所 κ ^ ^ ^ 或其類似材料。4月树月曰所形成，例如丙烯酸樹腊第二層間絕緣膜110之一表面係為被平坦化的，因此，此第二層間絕緣膜110係作為絕緣膜11 0可由不具有平扫化胜地——协眠弟一層間 1 . 化特性之無機絕緣膜構成，例口，氧化石夕膜、氮化石夕膜或類似材料。二共通電極1U及一第二像素電極112係形成於第二声 2絕緣膜no之上。共通電極U1及第二像素電極n2係厂曰、鈕、_、銘銅合金、銘銅石夕化物、入物全屬：戈且有透Ϊ !·生例如主要由上述金屬所形成之化 )，或由這坻膜所構成之聂芦腔例如鋼錫氧化物（ΙΤ0 徑比，最好使用具有透光性之材成*獲侍較南之孔料。之材枓，例如IT0或其類似材圖6顯示共通電極111及第二則所示，共通電極ln包含沿著H電極112之圖形。如者入方向延伸之部位111 a、

548501 五、發明說明（22) 沿著Y方向延伸之部位i 11 b，以及相對部位1 1 1 C。共通電極1 11之X方向延伸部位111 a與丫方向延伸部位 1 Π b係分別朝X與γ方向延伸，並且以彼此大致垂直之方式配置。如圖3所示，X方向延伸部位111 a係以重疊於共通配線103其中之一上、但不覆蓋半導體島狀物丨〇5之方式配置。亦即，X方向延伸部位1 Π a係配置用以重疊圖5所示二條共通配線1 03之上面那一條共通配線1 〇3。共通電極丨j j 係透過其接觸孔1 1 3電性連接至共通配線1 〇 3，其接觸孔 1 1 3之位置係顯示於圖3與圖5中。共通電極111之Y方向延伸部位111 b係朝γ方向延伸，並且以沿著圖5所示之資料線1 〇 6及重疊於其上之方式配置。Y方向延伸部位1 1 1 b之寬度係等於或較寬於資料線 1 0 6。如以下所欲描述之内容，此共通電極丨u之丫方向延伸部位111 b可透過第二層間絕緣膜11 〇阻斷由資料線1 〇 6所產生之電場。如圖6所示’共通電極111之相對部位1丨丨c係呈線狀狀’並且自X方向延伸部位111 a朝γ方向突出。此相對部位 111c係以複數個的方式形成於單位像素區域lla中，例如2 個。如圖3所示，此相對部位111 c於γ方向之長度，係和與其相對應之第一像素電極1 0 9之長度幾乎相同。、第二像素電極112係大致配置於單位像素區域lla之中心位置，並且呈一梳狀。此第二像素電極丨丨2具有一梳狀結構’包含複數個（例如3個）沿Y方向延伸之線狀狀相對部位112a，以及用以支撐相對部位11 2a並朝X方向延伸之

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-線狀狀支撐部位U2b。第二像素電極u 位112a#以近乎转的方式與共通電極⑴之相對 111C相對應之方式配置。如以下所欲描述之内容，像素電極112之相對部位112a與共通電極lu之相對部位一 111 C之間，會產生用以控制液晶分子之一電場。

如圖3所不，弟二像素電極112係以部分重疊於極108上之方式配置。一像素電極之接觸孔114會形成於極電極108與部分第二像素電極之重疊部位。第二像素電'、極11 2可藉由穿透第二層間絕緣膜丨丨〇之像素電極之接觸孔 114，與源極電極1〇8 (亦即，第一像素電極1〇9)形成電性連接。 ’ 共通電極111之Y方向延伸部位lllb，於其寬度中央各自具有狹缝115。除了X方向延伸部位llla與γ方向延伸部位111 b之相交部位外，每一狹缝1 i 5係沿著整個γ方向延伸部位1 11 b之長度形成。舉例而言，當資料線106之寬度為1〇而Y方向延伸部位111 b之寬度為1 8 # m時，狹縫11 5之寬度將設定為5 。在此例中，γ方向延伸部位n lb之寬度自資料線丨㈣之兩個侧邊起，尚多出4 # m，因此可對稱地覆蓋資料線 1 〇 6之兩個側邊。當量測方式係以上述方式設定時，γ方向延伸部位11 1 b最好具有自資料線1 0 6之兩個側邊起至少1 β 5 V m之寬度。如圖4所示，配向膜11 6係形成於共通電極111、第二像素電極112及第二層間絕緣膜110之上。此配向膜116係

第27頁 548501 五 '發明說明（24) 由，例如聚醯亞胺樹脂，所形為平坦化的，ϋ已經過一配^田配向膜116之表面係程。配向處理，例如摩擦或類似之過在外圍區域12中，用以連接基板之—接觸孔丨貫穿第二層間絕緣膜1 1 〇及第— / 係以成。用以連接TFT基板與對向笑二〇’巴之' 膜J之方式形於此接觸孔117巾，以連接這些基板。此插塞ιΐ8係由真充如銀膠，所形成。此插塞118可由其它金屬膠形成’、。’例一偏光板119係黏附至第一透明基板1〇1之另一對向基板200包含由透明姑殖所形成之-第二透明基板201相、透明塑膝或類似材料一黑色矩陣202係形成於第二透明基板2〇1之一表面士。此黑色矩陣202係由具有光阻斷特性之導電材成，例如鉻、碳黑或類似材料。黑色矩陣202具有提高像素間對比之功能。此黑色矩 = 02^成”複數個開σ之形狀。同時’此黑色矩陣 2 〇 2匕3至少覆盍資料線1 〇 6之部^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 區域12之部位202b。 Η立202a，以及配置於外圍如圖4所示，Y方向延伸部位1Ub係位於黑色矩位2〇2a與資料線106之間。如上所述，γ方向延伸部位mb 具有狹缝115。因此，黑色矩陣2q2之部位2心與資料線 1 0 6可透過此狹縫丨丨5彼此相對應。黑色矩陣202之部位202a係以與狹缝丨15重疊之方式形成並且具有專於或較見於此狹縫115之寬度。舉例而

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五、發明說明（25) 言，當狹缝11 5之寬度係如上述為5只„1時，黑色矩陣2〇2 之部位202a的寬度則設定為至少等於或較寬於5#m。如以下所欲描述之内容，以僅覆蓋狹縫115之方式形成之黑色矩陣之部位2〇2a，會阻斷由資料線1 〇6所產生、且诱仍狹缝115所浅漏之電場。u且透過一彩色層2 0 3係形成於黑色矩陣2〇2之每一開口部位中。此部位係有關於一顯示區域。此彩色層2 〇 3係由樹脂所形成，例如，包含摻雜了三種顏料，紅色（R )、綠色（G ) 及藍色（B)其中之一的丙烯酸樹脂。

一平坦化膜204係形成於黑色矩陣2〇2、彩色層203及第二透明基板201之上。此平坦化膜2〇4係由透明樹脂，例如丙烯酸樹脂或其類似材料所形成。此平坦化膜2〇4的表面係為平坦化的。一配向膜2 0 5係形成於此平坦化膜2 〇 4之上。此配向膜 20 5係由例如醯亞胺所形成。此配向膜2〇5之表面係為平坦化的，且已經過一配向處理或類似之過程。

黑色矩陣202之另一部位（亦即，部位2〇2b )係形成於對向基板20 0之外圍區域12。用以連接基板之接觸孔206 係形成於此平坦化膜2 04中。黑色矩陣之部位2〇2b係曝露於用以連接基板之接觸孔2 〇 6之底部。此處需注意的是，配向膜205並未配置於外圍區域12中。

用以連接基板之接觸孔206係以相對於TFT基板100 中’用以連接基板之接觸孔11 7之方式配置。同一插塞11 8 係填充於接觸孔2 0 6之中，用以連接這些基板。因此，τ F T

第29頁 548501 五、發明說明（26) 基板1 0 0之共通配線1 〇 3與對向基板2 〇〇之黑色矩陣係2 〇 2彼此電性連接，並且可設定成同一電位。由I T 0或其類似材料等具有透光性之材料所形成之導電膜207，係形成於第二透明基板2〇1之其它表面上。一偏光板2 0 8則黏附於此導電膜2 〇 7之上。以下，將就具有上述結構之液晶顯示裝置之顯示操作方式做一說明。為驅動此液晶顯示裝置1，一驅動電路（未圖示）會依序施加一閘極脈衝至掃描線丨〇 2，並以與閘極脈衝大致同步之方式’將具有與顯示色調相關之電壓之資料信號施加至資料線106。連接至施加了閘極脈衝之掃描線1〇2 (亦 =，被選取之掃描線1〇2 )之TFT會開啟，並且此時施加於資料線1 0 6之電壓將會透過汲極電極丨〇 7、半導體島狀物 105、源極電極1〇8以及像素電極之接觸孔丨14，施加至第二像素電極11 2之上。當切斷此閘極脈衝時，此TFT即關閉。此時施加於第二像素電極112之電壓將會儲存於位於像素電極丨12與共通電極111間之電容，以及位於第一像素電極1〇9與共通配線 1 〇 3間之補償電容中。所以’與顯示色調相關之電壓會在下一個選擇週期，，施加至每一單位像素區域lla之液晶3〇〇上。此時，將會第二像素電極112之相對部位112a與共通電極丨丨}之γ方向延伸部位111 b及相對部位丨丨丨c之間，形成與基板平行之電場。同時，液晶30 0會以一預期之狀態排列，而彩色層2〇3 548501

之顏色則會顯示出一預期之色調。在上述之顯示操作時，於資料線i 〇 6附近所形成之* 場係顯示於圖7中。由資料線丨〇6所形成之電場，合 a 其上方之共通電極111之γ方向延伸部位lllb所阻^。由於 Y方向延伸部位1 1 lb之寬度係等於或大於資料線〗〇6之寬、度，因此由資料線106所形成之電場幾乎皆可被γ方向延部位111b所阻斷。是故，此方式將可防止在此單位像素區域11a中，電場漏電至位於資料線1〇6二側上方之液晶之現象。因此，將可避免因為漏電場所造成之顯示影像的3缺陷。、狹缝11 5係形成於γ方向延伸部位111 &中。因此，資料線106與Y方向延伸部位Ulb之對應面積，會因為此狹縫" 11 5所形成之開口面積而減少。是故，儲存於資料線丨〇 6與 Y方向延伸部位111 b間之靜電電容將可被降低至一相當低的程度，並因此減少信號延遲之現象。部分由資料線106所形成之電場，會經由狹縫115漏電至位於狹缝1 1 5上之液晶3 0 0。然而，黑色矩陣2 〇 2之部位 2 0 2 a係以對應至資料線1 〇 6之方式，形成於對向基板2 〇〇之中。如上所述’黑色矩陣2 0 2係透過外圍區域1 2中之插塞 118連接至共通配線103，並且設定成具有與共通配線1〇3 相同之電位。經由狹縫11 5所洩漏之電場會被配置於狹缝 Π5正上方之黑色矩陣20 2之部位20 2a所阻斷。黑色矩陣2 0 2之部位2 0 2 a之寬度係等於或大於狹縫11 5 之寬度。因此，經由狹缝11 5所洩漏之電場幾乎皆可被黑

第31頁 548501 五、發明說明（28) 色矩陣202之部位202a所阻斷。如上所述，根據第1實施例，由資料線1 0 6所形成之電場將可被透過絕緣膜與資料線1 0 6相對應之共通電極11 1的 Y方向延伸部位11 1 b所阻斷。Y方向延伸部位1 1 1 b係形成具有等於或較寬於資料線1 0 6之寬度，因此將可完全地防止電場漏電至液晶3 0 0。

Y方向延伸部位111 b具有狹縫1 1 5。因此，Y方向延伸部位與資料線1 06之對應面積相當小，因此γ方向延伸部位 11 1 b與資料線1 〇 6間之靜電電容可降低至相當低的程度。是故，便可減少由此靜電電容所造成之信號延遲的現象。此靜電電容的減少乃是藉由在共通電極111中設置一狹縫11 5而達成。因此，便不需使用相當薄之第二層間絕緣膜110，且可避免因為第二層間絕緣膜11〇中所產生之針孔所造成之層間短路的機率。 Y方向延伸部位lllb係形成幾乎與資料線1〇6相同之寬度。因此，即使當共通電極丨u係由不透光之材料，例如 1各f其類似材料，所形成時，亦可在實質上不縮針孔徑比的情況下’防止漏電場現象，以及減少信號延遲之現象。 Φ 此外’經由狹縫11 5所洩漏之電場將會被配置於此狹泰U 5上方’且設定成與共通配線2 〇 3及共通電極丨u相同，位之黑色矩陣2〇2的部位2〇2a所阻斷。因此，此方式將可有效地藉由減少靜電電容而防止漏電場之現象。教、甚者L上述此種液晶顯示裝置1之結構可藉由改良一曰通製造程序，例如除了用以嵌入插塞11 8之部分外，改

548501 五、發明說明（29) ---- 變共通電極111之一蝕刻圖案，並且此種結構並不恭量地增加製造步驟及製造成本。而大以下，將參照附圖對具有上述結構之液晶顯示裝置之製造方法做一說明。圖8A至8J顯示此TFT基板1〇〇之製造+ 驟。圖8A至圖8J係顯示圖3所示之液晶顯示裝置沿著6/方^ 向、CC方向、DD方向所繪製之橫剖面圖，以及逐步地形成用以連接基板之接觸孔11 7、資料線終端2或掃描線終端3 之每一部位的橫剖面結構。 '' 以下所欲描述之方法僅為一實例，並且任何其它可獲

得相同結果之方法皆可採用。同時，所使用的材料並不^《I 於以下所描述的種類。 ^ 首先，如圖8 A所示，利用鉻或其類似材料以如濺鍍之方式於第一透明基板1〇1之一表面形成一第一金屬膜131。之後，如圖8B所示，藉由一微影技術，對第一金屬膜131 進行圖案化以形成掃描線1 0 2、共通配線1 〇 3等。之後，如圖8C所示，利用沉積方法如CV])，於第一透明基板101上幵> 成一氧化矽膜132。之後，再藉由如電漿 CVD方法，於氧化矽膜132上形成一氮化矽膜133。氧化矽膜132與氮化矽膜133構成第一層間絕緣膜1〇4。之後，藉由如電漿CVD方法，係依序地於氮化矽膜丨33 之上形成一非晶矽層1 34及一n+型摻雜矽層1 35。如圖8D所示，藉由一微影技術對非晶矽層134及#型矽層135進行圖案化，以形成半導體島狀物丨〇 5。此n+型摻雜矽層丨3 5可藉由濺鍍或其類似方法，對非晶矽層134摻雜磷或類似摻質

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而形成。材料Ξ = ΐ圖8E所示，藉由如錢之方式以鉻或其類似材枓於基板上形成一第二金屬膜136。以及，如圖“所不，利用一微影技術使·第二鉻膜136圖案化，㈣6、錄電極m、卜像素電韻9及源極料此外，對汲極電極1〇7與源極電極108之晶石夕層U5進行選擇性㈣，以形成到達非晶：層=雜 f槽。依此方 <，便可形成由n+型摻雜晶矽所構成之汲極與源極區域，以及且右非日石々展1 W接#

石夕層構成之歐二有夕層134構成之通道與… 接著’如圖8G所示，藉由如電漿CVD之方法，於某板上形成一氮化矽膜137。之後’利用旋塗之方式以如二 if脂之材料，於氮化賴137上形成—有機膜138，以構 >、/ t的第一層間絕緣膜丨丨〇。此第二層間絕緣膜1 1 〇係由氮化石夕膜137與有機膜138所構成。尸接著’對有機膜1 3 8進行蝕刻以形成開口。之後， 1氮化矽膜137、氮化矽膜133及氧化矽膜132進行蝕刻以形成開口。有機膜丨38之蝕刻係以形成具有錐形開口之方

式進行。氮化矽膜1 3 7及類似者之蝕刻則係用以曝露中之金屬膜。 ° 如圖8H所示，共通電極之接觸孔113、像素電極之接，孔11 4、連接基板之接觸孔11 7、資料線之接觸孔〗2 〇、掃描線之接觸孔121皆藉由蝕刻加以完成。之後，如圖8 I所示，利用如濺鑛之方式以I τ 〇或其類 548501 五、發明說明（31) ，材料’於基板上形成一第三金屬膜丨3 9。之後，藉由一 U衫技術使第三金屬膜丨3 9圖案化，以形成具有圖8】與圖6 所示結構之共通電極1U及第二像素電極112。此時，可形成具有狹缝115之共通電極111。蝕刻後，用以連接基板之接觸孔11 7内之第三金屬膜 139會被移除，因此，共通配線1〇3會曝露於此接觸孔117 之底部。分別形成於資料線之接觸孔丨2 Q與掃描線之接觸孔1 21内之電極1 2 2及電極1 2 3，則各自形成一資料線終端2 及一掃描線終端3。、之後，如圖4所示，除了外圍區域丨2外，以醯亞胺樹脂或其類似材料於基板上形成配向膜丨丨6。最後，摩擦此配向膜11 6表面以進行一配向處理。因此，便可完成一丁基板。以下，將就對向基板20 0之形成方法做一說明。首先，利用鉻 '碳黑或其類似材料，於第二 :表面上形成具有光阻斷特性之導電膜。接著，使此導電膜圖案化成一預定形狀。藉由此圖案化之過程，可形成黑土矩^2。此時’如上所述，便可形成如則所示之具；一預疋免度之黑色矩陣之部位2 〇 2 a。一料感5性樹脂或其類似材料於基板表面形成

Cl J 由圖案化此樹脂層，形成覆蓋黑色矩陣202之開口的彩色層2〇3。之後，以丙烯酸樹脂或其類似材料，於平坦化膜204。接著，對此平化膜2 」土板上形成卞一化膘進行蝕刻以形成連 548501 五、發明說明（32) 接基板之接觸孔2 Q 6。之後，由醯亞胺或其類似材料於平坦化膜2 〇 4 ) 成配向膜205。接著，摩擦此配向膜2〇5以進行一配向户开y 理。於此配向膜20 5上之摩擦方向係與TFT基板上之摩^ 向相反。依此方式，便可.完成此配向基板2〇〇。接著，利用一間隙壁與一密封構件將所形成之TF 板1 0 0與對向基板2 0 0，以彼此配向膜相對之方式組合在一起。之後，於此二基板之間、由密封構件所形成之二隙 (或稱「胞」），填充液晶30 0，並密封此液晶胞。=最、

後，分別在第一透明基板101之另一表面及第二透明基板 201之另一表面，黏附偏光板119及2〇8。 ’ 土在將TFT基板1〇〇與對向基板2〇〇接合之前，先於用以連接基板之接觸孔117中填充銀膠，並使其自接觸孔ιΐ7 温出。當TFT基板1〇〇與對向基板2〇〇組合在一起時，銀膠之上部會產生移動，並填充於對向基板2〇〇之用以連^基板之接觸孔20 6中。因此，便可形成用以連接共通配線‘ 及黑色矩陣202之插塞118。依此方式，便可完成第一與例之液晶顯示裝置1。貝

根據上述第1實施例，共通電極丨丨丨之¥方向延伸部位 111 b會防止電％漏電至單位像素區域11 a中之液晶3 〇〇。是故，Y方向延伸部位111 b僅需沿著單位像素區域丨丨a之邊線配置，並不需以γ方向連續地延伸於複數個單位像素區域 Ua中之方式形成。因此，共通電極ιη於χ方向可呈連續狀，而其γ方向延伸部位〗Ub則可依每一單位像素區域以Y

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五、發明說明（33) 方向分隔，如圖9所示弟2實施例 ^ /10顯示本發明第2實施例之液晶顯示裝置之結構。第2貫施例之液晶顯示裝置之一單位像素區域的平面佈局圖，係與圖3所不第1實施例之單位像素區域的平面佈局相同。是故，此處省略其平面佈局圖，而圖1〇則顯示其單位像素區域沿著圖3之A-A線所繪製之橫剖面圖。在圖丨〇中，與圖3、圖4相同之部位係以相同的元件符號標示，並且此處亦省略其說明。 ’ 如圖10所不，根據第2實施例，一連接膜139a係形成於用以連接基板之接觸孔n 7之側壁上（此接觸孔117係形成於TFT基板1 〇〇中），以及形成於曝露於接觸孔丨丨7底部之共通配線103的表面上。此連接膜1393實質上係由構成 $通電極⑴、像素電極112等之相同材料所形成，例如 10或八類似材料。亦即，此連接膜139a係為圖8i所示步知中所形成之第三金屬膜139，並於圖8;之蝕刻留於接觸孔117中（註：在此姓刻步驟中，並未被蚀刻構成插塞11 8之銀滕孫_ m 士人、土 & .。，胗係配置於連接膜139a之上。因

此，此插基1 1 8係透過連接膜彳卩Q iL ^ ^ ^ 1 Π 〇 ^ «逆接膜139a連接至共通配線103。當

共通配線1 〇 3係由易裊务夕44* M 孫ffl u ® j g b虱化之材枓所形成時，此連接膜139a 係用Μ彌補銀膠盘其通曾把 .....通電極間之受到損壞的連接狀況。 548501 五、發明說明（34) 此種結構在共通電極11 1、第二像素電極1 12等皆由 1T0形成時’特別有用。由於不樂見之氧化IT0會形成於曝露在接觸孔1 17中之共通配線1〇3之上，因此銀膠與共通配線1 03間受到破壞之連接狀況便可依據此種結構加以補救。是故’便可抑制共通配線1〇3與黑色矩陣2〇2間之共通電位的壓降情形，並且可改善防止漏電場之保護作用。圖1 0所示之苐2貫施例亦揭示其黑色矩陣2 〇 2 ，、 ▼ 一，I /、 /*、、 ι-γ* La \β Lj 口

2 〇2a具有較小於第1實施例之部位2 02a之寬度的例子朴如上所述，黑色矩陣2〇2之部位202a僅需具有足以覆盍共通電極111之γ方向延伸部位丨丨丨b之狹縫丨i 5的寬度。如圖10所不之結構，黑色矩陣2〇2之部位202a之寬度幾乎 =資料線106相同。是故，黑色矩陣2()2之部位2() 可以隨著單位像素區域而減少，並因此改善其孔徑比。第3實施例第3Λ; Λ本日發明第3實施例之液晶顯示裝置之結構。弟d貝轭例之液晶顯示裝置之一單位圖，係與圖3所示第i實施例之單位象素£域的平面佈局同。是故’此處省略其平面佈局_象：=平面佈局相像素區域沿著圖3之A — A線所繪製 =11則顯示其單位鱼同q m a a 七气剖面圖。在圖1 1中， :圖3、圖4相同之部位係以相同的 α : 處亦省略其說明。仵付唬軚不，並且此根據第3實施例’用以阻斷經由狹縫115攻漏之電場之

第38頁 548501 五、發明說明（35) 一導電膜，係配置於黑色矩陣旁2 〇 2。如圖11所示，一導電膜209係形成於對向基板2〇〇之平坦化膜204之上。此導電膜2〇9係由，如鉻、鋁、鉬、鈕、銅、鋁銅合金、鈦、或鎢、或一不透患膜如主要由這些金屬構成之化合物金屬，或具有透光性之膜，如I To，或者由這些膜所形成之層狀膜。此導電膜2〇9係由配向膜2〇5所覆蓋。

此導電膜209係利用圖案化黑色矩陣2〇2之一遮罩，進行圖案化而形成，或者利用幾乎具有與此遮罩相同圖案之一遮罩來進行。因此，此導電膜2〇9包含各皁對應於黑色矩陣202之部位202a及202b之部位209a及209b。此&電膜209之部位209a係配置於共通電極；[11之γ方向延伸部位1 1 lb與黑色矩陣2〇2之部位202a之間，並且透過狹縫11 5對應於資料線1 〇 6。此導電膜2 0 9之部位2 0 9b則以對應於外圍區域丨2中之共通配線1 03之方式加以配置。在第3實施例之液晶顯示裝置中，用以連接基板之接觸孔2〇6並未配置於平坦化膜204 之中。此導電膜209之部位209b係透過插塞118電性連接至

共通配線103。因此，導電膜2 〇9係設定成具有與共通配線 1 0 3相同之電位。此導電膜20 9之部位209a會取代第1實施例之黑色矩陣 2 0 2之部位2〇2a，用以阻斷經由狹縫115所洩漏之電場。具有得以阻斷漏電場之導電膜2〇9之結構，會有下列優點。首先，黑色矩陣202之材料將不會受到限制。例

548501 五、發明說明（36) 如，由於不需要透過插塞連接黑色矩陣2〇2與共通配線1 0 3，因此碳黑這種具有較差之金屬連接特性及高阻值，但是具有焉光阻辦特性之材料，亦可作為黑色矩陣 202 ° 相對地，由於導電膜209並不需具有光阻斷特性，因此其可由具有低阻值及良好連接特性之材料所形成。是故，將可降低導電膜20 9之共通電位產生壓降的可能性，並且改善用以防止漏電場之遮蔽效應。根據第3實施例，導電膜2〇9係形成具有與黑色矩陣 2 0 2相同之圖案。然而，這並不是導電膜2 〇 9的限制條件。導電膜20 9與黑色矩陣202可具有彼此相異之圖案。例如，導電膜209可由如ITO之透明材料所形成，且其部位2〇仏可形成具有較黑色矩陣202之部位2〇2a為寬之寬度。在此例中，在不考慮黑色矩陣202之部位2 02a之寬度的情況下， :=9最之:化位^之寬度可大致設“^ ::二效應之寬度。另外，在導電膜2〇9之 σ位2〇9&之寬度較黑色矩陣之部位2〇2a 1 Μ况下，皆可防止孔徑比減少。第4實施例圖1 2顯示本發明第4實施例之液晶第‘實施例之液晶顯示裝置之一單位像素區域局

I 第40頁 548501 五、發明說明（37) 圖，係與圖3所示第1實施例之單位像素區域的平面佈同。是故，此處省略其平面佈局圖，而圖丨2則顯示其像素區域沿著圖3之A-A線所繪製之橫剖面圖。在圖丨2 與圖3、圖4、圖1 0及圖11相同之部位俾以相同的元標示，並且此處亦省略其說明。、如圖1 2所示，第4實施例之液晶顯示裝置具有一於第2實施例之連接膜13仏，以及類似於第3實施心膜209 。、守电由於此種液晶顯示裝置之結構，此實施例將可與 2實施例及第3實施例所能達成的功效。亦即，可加^ 1 8與共通配線1 〇3之連接，以及減少出現壓降的可能性。同時，可改善防止漏電場之效果。第5實施例圖13顯示本發明第5實施例之液晶顯示裝置之結 =實施例之液晶顯示裝置之-單位像素區域的平面佈局，與圖3所示第之單位像素區域的平面佈局相 ::疋故，此處省略其平面佈局^，而圖u :素區域沿著圖3之Η線所繪製之横；，二圖3、，4及圖12相同之部位係以相同的元件符號標I，亚且此處亦省略其說明。丁订派知不第5實施例之液晶顯示裝置具有示I置相同之結構。如圖13所示，有在\2圖12之液晶顯 π不在弟5實施例之TFT基板

第41頁 548501 五 '發明說明（38) 100中’第2像素電極112係形成於與共通電極ill所在之層別相異之一層上。亦即，用以覆蓋共通電極之一第三層間絕緣膜1 2 4係形成於第二層間絕緣膜〗丨〇之上，如圖j 3 所不。第二像素電極丨12係形成於第三層間絕緣膜124之上^且由配向膜11 6所覆蓋。第三層間絕緣膜1 24係由氧化矽膜、無機膜如氮化矽膜、有機膜如樹脂，或由這些膜所構成之多層膜所形成。第一像素i極11 2係透過圖3所示之像素電極之接觸孔用以貫穿第三層間介電層124)，連接至源極電極有下列係彼此素之顯由於共 ’因此將可更，係利以說明屬絕緣些 TFTs 裝置可極111與第二像素電極112形成於不同層之神與範圍内液晶顯示裝置之結構，具極111與苐二像素電極112 t電短路所造成之未亮像時，由設計的觀點來看，並不是在同一步驟中形成的佈局圖及材料。是故，在第1至第5實施例中液晶顯示裝置作為例子加 TFTs ’其它如二極體、金者皆可作為主動元件。這錯型。此外，，t液晶顯示型液晶顯示裝置。在不偏離本發明之精優點。例如，由於共通電分隔，因此由此二電極間示缺陷，會較少出現。同通電極111與像素電極112 此二電極可各自使用不同進一步改善顯示品質。用具有TFTs之主動矩陣型。然而，本發明並不限於體金屬（MIMs)及其類似可為反轉交錯型或正常交為不包含主動元件之被動仍可有多種實施方 548501 五、發明說明（39) 式與變化。上述實施例僅為了說明之用，而不是用以限制本發明之範圍。本發明之範圍係如以下之申請專利範圍所示，而非實施例而已。利用相當於本發明申請專利範圍之概念，或在本發明申請專利範圍之内的_概念所做的多種變化，皆視做本發明之範圍。

第43頁 548501

圖1顯示本發明第1實施例之主動矩陣型液晶顯示裝之—整體結構； " 圖2為圖1之局部放大圖；圖3為本發明第1實施例之一單位像素區域之平面佈局圖4為圖3沿著A-A線之剖面圖；圖5顯示TFT基板所包含之元件的圖案；圖6顯示TFT基板所包含之元件的圖案；圖7為資料線上方之電場之示意圖；圖8A至8J逐步地顯示第1實施例之TFT基择之製造過圖9為根據第1實施例改良之TFT基板之平面佈局圖. 圖1 0為本發明第2實施例之主動矩陣型液晶顯示裳置液晶顯示裝置液晶顯示裝置圖11為本發明第3實施例之主動矩陣型之橫剖面圖；圖1 2為本發明第4實施例之主動矩陣型之橫剖面圖；之橫=本發明第5實施例之主動矩陣型液晶顯示裝置圖圖14為一習知主動矩陣型液晶顯示裝置之一平面佈局圖15為圖14沿著P-P線之横剖面圖；圖1 6為一習知主動矩陣型液晶顯示裝置之一平面佈局

548501 圖式簡單說明圖，圖17為圖16沿著Q-Q線之橫剖面圖。符號說明 I 液晶顯不裝置 100 TFT基板 101 第一透明基板 102 掃描線 10 3 共通配線 104 第一層間絕緣膜 104a 層間絕緣膜 104b 保護膜 105 半導體島狀物 106 資料線 10 7 >及極電極 108 源極電極 109 第一像素電極 II 像素區域 110 第二層間絕緣膜 III 共通電極 111a 共通電極之中心部位 111b 共通電極之邊緣部位 111c 共通電極之相對部位 112 像素電極

第45頁 548501 圖式簡單說明 112a 像素電極之相對部 112b 像素電極之支撐部 113 接觸孔 114 像素電極之接觸孔 115 狹縫 115 狹縫 116 配向膜 117 接觸孔 118 插塞 119 偏光板 11a 單位像素區域 12 外圍區域 120 資料線之接觸孔 121 掃描線之接觸孔 122 電極 123 電極 124 第三層間絕緣膜 131 第一金屬膜 132 氧化$夕膜 133 氮化矽膜 134 非晶矽層 135 矽層 136 第二金屬膜 137 氮化矽膜

第46頁 548501 圖式簡單說明 1 3 8 有機膜 1 39 第三金屬膜 139a 第二導電膜 18 插塞 2 資料線終端 20 0 對向基板

201 第二透明基板 20 2 黑色矩陣 20 2a 第一導電膜 20 2b 黑色矩陣配置於外圍區域之部位 20 3 彩色層 204 平坦化膜 2 0 5 配向膜 2 0 6 接觸孔 20 7 導電膜 208 偏光板 20 9 導電膜

2 0 9a 導電膜之部位 20 9b 導電膜之部位 3 掃描線終端 3 0 0 液晶 4 共通配線終端

第47頁

Claims

5485)

六、申請專利範圍 1 · 一種主動矩陣型液晶顯示裝置，包、含· 板（1 0 1 ' 2 0 1 ); 3 0 0 )，係密封於該組基板組基一液 101 、 201 内彼此相交之一表面上；一切換應之該資料連接至相對一像素線之上，並一共通元件，係具有一電流路徑，其一端連接至相對線（1 0 6 )之一，以及具有一控制終端，用以、應之該掃描線（1 〇 2 )之一；電場，且 115 電極（11 2 )，係透過一絕緣膜配置於該資料連接至該切換元件之電流路徑之另一端；以及電極（111)，係透過該絕緣膜（110)與节二欠料線（106)相對，俾以在與該像素電極（112)之間產2 其重疊於該資料線上之部位（丨丨丨b )具有狹縫 2 ·如申凊專利範圍第丨項之主動矩陣型液晶顯示裝置， ^ ，，、該共通電極（111)與該像素電極（112)各自具 =部位（111 C、丨丨2a )，且該共通電極（丨丨i )與該像素龟極（Η 2 )之線狀部位（11 1 c、1 1 2 a )係以實質上平、仃、相距=預定長度之方式彼此相對應；口亥重宜部位（111 b )係沿著該線狀部位（111 c、1 1 2 a

第48頁 548501 六、申請專利範圍 )加以配置；以及 111 該狹縫（11 5 )具有實質上與該線狀部位 112a)相同之長度。 3. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該狹縫（1 1 5 )係以實質上位於該重疊部位（111 b ) 之寬度中央之方式形成。 4. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型液晶_示裝置，其中，該共通電極（111)之該重疊部位（111b)具有相等於或寬於該資料線（1 0 6 )之寬度的寬度。 5. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該狹縫（1 1 5 )具有小於該資料線（1 0 6 )之寬度的寬度。 6. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該共通電極（111 )與該像素電極（11 2 )係形成於同一平面上。

第49頁 548501 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該共通電極（111 )與該像素電極（11 2 )係由透明導電材料所形成。 _ 8. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，

該共通電極（111)與該像素電極（112)係形成於不同平面上。 9. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該共通電極（111 )與該像素電極（11 2 )之間，係形成與該組基板（101、201)之方向平行之一電場。 10. 一種主動矩陣型液晶顯示裝置，包含：一組基板（1 0 1、2 0 1 ); 一液晶（3 0 0 )，係密封於該組基板（1 0 1、2 0 1 )之

間；複數個資料線（1 0 6 )及複數個掃描線（1 0 2 )，係以彼此相交之方式配置於該組基板（1 01、2 01 )其中之一之一表面上；一切換元件，係具有一電流路徑，其一端連接至相對應之該資料線（1 0 6 )之一，以及具有一控制終端，用以

第50頁 548501

六、申請專利範圍連接該資之另至相對應之該掃描線（丨〇 2 )之一· :像素電極（U2)，係透過一絕緣膜（11〇)配置於料線（1 06 ) u，並連接至該切換元件之電流路徑祖 /、i ’極（111 ),係透過該絕緣膜（11 0 )與該資二了 H 1 〇 6相對，俾以在與該像素電極（11 2 )之間產生電％，且其重豐於該資料線上之部位（n丨b )具有狹縫 (11 5 );以及

第導電膜（2〇2a)，係配置於該組基板（iM、 0 1 )之另個之上，以透過該狹缝（11 5 )與該資料線 (106)相對，並且設定成具有與該共通電極’（111 )相之電位。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該共通電極（111 )與該像素電極（i丨2 )各自具有線 =邻位（111c、112a)，且該共通電極（hi)與該像素，極（11 2 )之線狀部位（丨丨丨^、n 2a )係以實質上平

订、相距一預定長度之方式彼此相對應；、丄該重臺部位（111 b )係沿著該線狀部位（111 c、11 )加以配置；以及丄“ ygL ^及縫（i i 5 )具有實質上與該線狀部位工c、 2a)相同之長度。

第51頁六、 12 其之 13, 其於 14· 其度 1 5. 其 16. 其電中 548501 申請專利範圍 •如申請專利範圍第1 〇項之主動矩俥型液晶顯中，該狹缝（1 1 5 )係以實質上位於該重疊部位（J 寬度中央之方式形成。，如申請專利範圍第1 〇項之主動矩陣型液晶顯示中，該共通電極（111)之該重疊部位（lllb)具七或見於該資料線（106)之寬度的寬度。如申凊專利範圍第1 0項之主動矩陣型液晶顯示中，該狹縫（11 5 )具有小於該資料線（丨〇 6 )之寬如申請專利範圍第1〇項之主動矩陣型液晶顯示 j 該/、通電極（11 1 )與該像素電極（1 1 2 )係形面上。如申請專利範圍第10項之主動矩陣型液晶顯示时極⑴"與該像素電極⑴2)係由裝置， lib ) 裝置， ί相等裝置，度的寬裝置，成於同裝置，透明導 548501 六、申請專利範圍 1 7.如申請專利範圍第i-Ο項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該共通電極（111 )與該像素電極（11 2 )係形成於不同平面上。 18.如申請專利範圍第1 0項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，此裝置更包含一插塞（118)，用以使該第一導電膜（ 20 2a )與該共通電極（111 )彼此形成電性連接。 1 9.如申請專利範圍第1 0項之主動矩陣型液晶顯示裝置，更包含：一共通配線（1 0 3 )，係配置於異於該共通電極（111 )之一平面，且電性連接至該共通電極（1 1 1 );以及一插塞（11 8 )，係連接至該共通配線（1 0 3 )，並使該第一導電膜（ 202a )與該共通電極（111 )彼此形成電性連接。 2 0.如申請專利範圍第1 9項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該裝置更包含：一第二導電膜（13 9a)，係配置於該第一導電膜 (2 0 2a )與該共通配線（103 )之間，以加強該第一導電膜（202a)與該共通配線（103)之連接。

第53頁 548501 六、申請專利範圍 2 1 ·如申睛專利範圍第2 〇項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該第二導電膜（139a )係由與該共通電極（m )及 /或该像素電極（Π 2 )相同之材料所开|成。 22.如申請專利範圍第10項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中，該第一導電膜（202a)係具有相等於或較寬於該狹缝 (U5 )寬度之寬度。 2 3.如申睛專利範圍第1 0項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中該第一導電膜（2 〇 2 a )係作為一黑色矩陣。 24,如申請專利範圍第1 〇項之主動矩陣型液晶顯示裝置，更包含一黑色矩陣（2 〇 2 )，此黑色矩陣（2 〇 2 )係以一預定圖案配置於該組基板（1〇1、201)中之另一個之上，並且由一平坦化膜（ 204 )所覆蓋，其中，該第一導電膜 (20 9a )係配置於該平坦化膜（20 4 )之上。 25·如申請專利範圍第24項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中該第一導電膜（ 20 2a )具有實質上與該黑色矩陣相同之一圖案。 26·如申請專利範圍第1 〇項之主動矩陣型液晶顯示裝置，

第54頁

548501 六、申請專利範圍其中該共通電極（1 Π )與該像素電極（112 )之間，係形成與該組基板（1〇1、201)之方向平行之一電場。 2 7 · —種主動矩陣型液晶顯示裝置之製逵方法，該液晶顯示裝置包含一組基板（101'201)、配置於該組基板 (101、201)其中之一上之一薄膜電晶體、連接至該薄膜電晶體之一没極之資料線（1 06 )、連接至該薄膜電晶體之一源極之一像素電極（11 2 )，及與該像素電極（11 2 ) 間產生電場之一共通電極（111 )，該方法包含：於該資料線（1 0 6 )上形成一絕緣膜（11 〇 ); 於该絕緣膜（110)上形成一第一金屬膜（131);及藉由圖案化該第一金屬膜（131)，以形成該共通電極（1 1 1 ) ’且在該共通電極（111 )重疊於該資料線之部位（111 b )，形成狹缝（11 5 )。 2 8 ·如申請專利範圍第2 7項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，更包含：使該像素電極（1 1 2 )以具有一預定長度之線狀部位 (112a )之形狀加以形成；其中，在形成該共通電極（11 1 )之步驟中，會形成與該像素電極（1丨2 )之線狀部位（11 2a )相對之部位 (me)，以及具有實質上與該線狀部位（1123)相度之該狹縫（1丨5 )。

第55頁 548501 六、申請專利範圍 2 9. 如申請專利範圍第2 7項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，其中，在形成該共通電極（111 )之步驟中，該狹缝（11 5 ) 係形成於實質上為該重疊部位（11 1 b )之寬度中央的位置。 30. 如申請專利範圍第27項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，其中，在形成該共通電極（111)之步驟中，該共通電極 (111 )之該重疊部位（11 lb )係形成具有相，等於或較寬於該資料線（1 0 6 )寬度之寬度。 31. 如申請專利範圍第2 7項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，其中，在形成該共通電極（111 )之步驟中，該狹縫（11 5 ) 係形成具有較小於該資料線（1 0 6 )寬度之寬度。 32.如申請專利範圍第27項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，其中該共通電極與該像素電極係實質上於同一步驟中形成。 33. 一種主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝置包含一組基板（1 0 1、2 0 1 )、配置於該組基板 (101、201)其中之一上之一薄膜電晶體、連接至該薄膜

第56頁 548501 六、申請專利範圍電晶體之一汲極之資料線（1 〇 6 )、連接i該薄膜電晶體之一源極之一像素電極（11 2 )，及與該像素電極（11 2 ) 間產生電場之一共通電極（1 Π )，該方法包含：形成覆蓋該資料線（1 0 6 )之一絕等族（11 〇 ); 於該絕緣膜（11 〇 )上形成一第一金屬膜（1 31 ); 藉由圖案化該第一金屬膜（131)，以形成該共通電極（111 )，並且在該共通電極（丨丨1 )重疊於該資料線 (106 )之部位（lllb )，形成狹缝（115 );及於該組基板（101、201 )中之另一個上形成一第一導電膜（202a )，該第一導電膜（2〇2a )係透過該狹缝 (11 5 )與該資料線（1 q 6 )相對應。 34.如申請專利範圍第33項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，更包含：使該像素電極以具有一預定長度之線狀部位之形狀加以形成；盥今^ Ϊ，在形成該共通電極（11 1 )之步驟中，會形成 ϋ素電極（112)之該線狀部位（ll2a)相對之部位产之iL’以及具有實質上與該線狀部位（ii2a)相同長没之邊狹縫（1 1 5 )。之 35·如申請專利範圍第33頊之1：韌拓瞌亦,* 製造方法，其中，員之主動矩陣型液晶顯示裝置在形成該共通電極（Π 1 )之步驟中，該狹缝（115

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六、申讀專利範圍係形成於貫質上為該重疊部位，（11 1 b )之寬度中央的4 置。 3 6 ·如申請專利範圍第3 3項之主動矩陣型液晶顯示瓜置製造方法，其中，在形成該共通電極（U1)之步驟中，該共通電極# (111 )之該重疊部位（；[i lb )係形成具有相等於或較寬於該資料線（1 〇 6 )寬度之寬度。 3 7 ·如申请專利範圍第3 3項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，其中，在形成該共通電極（i u )之步驟中，該狭缝（丨丨5 ) 係形成具有較小於該資料線（丨〇 6 )寬度之寬度。 3 8·如申請專利範圍第3 3項製造方法，其中，之主動矩陣型液晶顯示裝置之 (11 2 )係實質上於同該共通電極（111 )與該像素電極步驟中形成。 39.如申請專利範圍第33項之主動製造方法，其中，主欲日日顯不裝置之該共通電極（丨丨丨）係連接至一丘該共通配線（103)係配置於與：電;】，而面相異之一平面上通電極（111 )之平

第58頁 548501 六、申請專利範圍該方法更包含形成一插塞（11 8 )之步驟，俾以使該共通配線（103 )與該第一導電膜（ 202a )彼此形成電性連接。 40. 如申請專利範圍第39項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，更包含：在該共通配線（1 0 3 )與該插塞（11 8 )之間形成一第二導電膜（139a )。 41. 如申請專利範圍第40項之主動矩陣型液晶顯示裝置之〇製造方法，其中，該第二導電膜（13 9a)係與該共通電極（111)及/ 或該像素電極（11 2 )於同一步驟中形成。 4 2.如申請專利範圍第33項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，更包含：於該組基板（101、201)之另一個之一表面上，形成具有一預定圖案之一黑色矩陣（202);以及於該黑色矩陣（ 202 )上方形成一平坦化膜（204 ) ， L· 其中，該第一導電膜（209a)係形成於該平坦化膜（204 )之上。 43.如申請專利範圍第42項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製造方法，其中，

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