TW541849B - Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein - Google Patents

Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein Download PDF

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TW541849B
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Erika Bellmann
James Gregory Bentsen
Yong Hsu
Manoj Nirmal
Martin Benson Wolk
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Description

541849 ' A7 _____B7 五、發明説明（1 ) 背景 已對各式各樣的應用提出自供體片材將物質逐圖案地熱 轉移至受體基材。舉例來說，可將物質選擇性地熱轉移， 而形成有用於電子顯示器及其他裝置之元件。明確言之， 遽色器、黑色基質、隔離物、偏光鏡、導電層、電晶體、 鱗光質、及有機電發光物質之選擇性熱轉移皆經提出。 發明概晷 本發明係關於將具有設置於基質中之電活化物質之無定 形、非聚合性有機基質構成圖案之物質及方法，以及使用 此物質及方法形成之裝置。本發明之一具體實施例包括一 種製造有機電發光裝置之方法。將轉移層溶液塗佈於供體 基材上。轉移層包括具有設置於基質中之發光物質之無定 形、非聚合性有機基質。接著將轉移層選擇性地熱轉移至 受體。熱轉移可包括雷射熱轉移或熱頭轉移（thermal head transfer)。 另一具體實施例係包括基材及轉移層之供體片材。轉移 層包括具有設置於基質中之發光物質之經溶液塗佈的無定 形、非聚合性有機基質。可將此轉移層自供體片材選擇性 地熱轉移至鄰近設置的受體。供體片材視需要亦可包括設 置於基材上，用於將入射成像輻射轉變成熱之光至熱轉變 層。 又另一具體實施例係一種製造供體片材之方法。此方法 包括經由將塗佈組合物溶液塗佈於基材上形成具有設置於 基質中之發光物質之無定形、非聚合性有機基質，而於基 • 5 - 冢紙張尺度適财目g家料(CNS) A4規格(210X297公釐) ' -- 541849 A7 B7
五、發明説明（2 ) 材上形成轉移層。此方法視需要亦可包括在基材上形成光 至熱轉變層。 另一具體實施例係一種包括第一電極、第二電極、及設 置於第一與第二電極之間之發光層之電發光裝覃。發光層 包括具有設置於基質中之發光聚合物之無定形、非聚合性 有機基質。此種裝置包括，例如，用於，例如，照明應用 之單一 OEL裝置，及包含多個〇el裝置之像元化裝置，諸 如顯示器。 當知曉可將除發光物質外之電活化物質設置於無定形、 非聚合性有機基質中。舉例來說，可將傳導或半傳導性物 質設置於無定形、非聚合性有機基質中。應用例包括經由 將電洞輸送物質或電子輸送物質設置於無定形、非聚合性 有機基質中，而形成電洞輸送層或電子輸送層或其他的電 荷傳導層。基質可使用，例如，前述之任何物質形成。此 結構尤其可有用於傳導或半傳導性聚合物質，以產生具有 較其之聚合物低之内聚強度的層。 此外，此等物質及方法亦可有用於非熱印刷及轉移方法 匕括例如噴墨印刷、網印、及微影（photolithographic) 構圖。 星A簡單說明 本發明可經由結合附圖考慮以下之本發明之各種具體實 施例之詳述，而更完整明瞭，其中： 圖1係有機電發光顯示器構造之概略側視圖； 圖2係根據本發明之用於轉移物質之供體片材的概略側
541849 A7 ___ B7____ 五、發明説明（3 ) 視圖； 圖3係根據本發明之有機電發光顯示器之概略側視圖； 圖4A係有機電發光裝置之第一具體實施例之概略側視 圖； 圖4B係有機電發光裝置之第二具體實施例之概略側視圖； 圖4C係有機電發光裝置之第三具體實施例之概略側視圖； 圖4D係有機電發光裝置之第四具體實施例之概略側視 圖； 圖4E係有機電發光裝置之第五具體實施例之概略側視圖 :及 圖4F係有機電發光裝置之第六具體實施例之概略側視圖。 雖然本發明可有各種修改及替代的形式，但經由圖式中 之例子而顯示其之明確形式，並將作詳細說明β然而，應 明瞭其並非要將本發明限制至所說明之特殊具體實施例。 相對地’其係要涵蓋在本發明之精神及範圍内之所有的修 改、相等物、及替代物。 詳述 本發明之目的在於將於其中設置電活化物質之無定形、 非聚合性有機基質熱構成圖案之物質及方法。可使用此種 方法及物質於形成包括電活化有機物質，及尤其係包含發 光聚合物或其他發光分子之包括有機電子裝置及顯示器之 裝置。可製造之有機電子裝置之例子包括有機電晶體、光 電伏打裝置、有機電發光（OEL)裝置諸如有機發光二極體 (OLED)、及其類似物。此外，此等物質及方法亦可有用 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 541849 A7
541849 A7 B7 發，而於裝置中形成薄層。實際上，由於指定的物質-般 不會同時具有期望的電荷輸送及電發光性質，s而典型上 使用多層SM於製造有效率的〇el。 LEP物質典型上係共轭聚合或寡聚分子，其以對溶液加 工具有足夠的成膜性質較佳。f慣上，咖物質係經由將 LEP物質之浴劑溶液流延於基材上，及使溶劑蒸發，因而 留下聚合薄膜而利用。其他形成LEp薄膜之方法包括噴墨 及擠出貼面。或者，LEP可經由使先質物種反應，而在基 材上於原位形成。有效率的LEp燈係利用一、二、或多個 有機層構成。 亦可利用一或多個分子玻璃製造〇E]L。分子玻璃係用於 描述有機、低莫耳質量、無定形成膜化合物之術語。已知 電洞輸送、電子輸送、及雙極分子玻璃係包括說明於J V. Gfazulevicius，Ρ· Strohriegl，「電荷輸送聚合物及分子玻 璃（Charge-Transporting Polymers and Molecular Glasses)」 ，支進電子及ϋ材料及裝胥手冊（Handbook of Advanced Electronic and Photonic Materials and Device^. H.S. Nalwa (編輯），10，2001，233中之物質。分子玻璃之溶解度會限 制習慣上製造多層電子結構之方式。舉例來說，如兩層之 物質可溶解於相同溶劑中，則可能無法將發光聚合物層溶 液塗佈於分子玻璃之電洞輸送層的上方。裝置先前係利用 ，例如，溶液塗佈的電洞輸送—廣及蒸氣沈積的發射及電子 輸送層所形成。 關於裝置結構之一例子，圖1說明包括裝置層110及基材 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂
線 五、發明説明（6 ) 120之OEL顯示器或裝置100。顯示器1〇〇亦可包括任何其 他適當的顯示器組件。視需要可將適用於電子顯示器、裝 置、或燈之額外的光學元件或其他裝置設置於顯示器ι〇〇 與觀看者位置140之間，如由非必需的元件13〇所指示。 在如同如圖所示之一些具體實施例中，裝置層ιι〇包括 透過基材朝觀看者位置140發射光之一或多個〇EL裝置。 觀看者位置140係概略用於指示發射光的預期目標，其可 為實際的人類觀察者、螢幕、光學組件、電子裝置、或其 類似物。在其他具體實施例（未示於圖中）中，裝置層i 係設置於基材120與觀看者位置14〇之間。當基材i2〇可使 由裝置層110所發射之光透射，及當將透明導電性電極在 裝置之發.射層與基材之間設置於裝置中時，可使用圖 不之裝置形態（稱為「底部發射」）^當基材12〇可或不可 使由裝置層所發射之光透射，且設置於基材與裝置之發光 層之間之電極不可使由裝置所發射之光透射時，可使用X相 反的形態（稱為「頂部發射」）。 裝置層110可包括以任何適當方式設置之一或多個〇EL 裝置。舉例來說，在燈的應时（例如，液晶顯示器（LCD) f組之背光），裝置層110可構成跨越整個預期背光區域之 皁一 OEL裝置。或者，在其他的燈應用中，裝置層11〇可 構成複數個可同時活化之緊密隔開的裝置。舉例來說，可 將相當小且緊密隔開之紅、綠：、及藍光發射器在共同的電 極之間構成圖案，以致當將發射器活化時，裝置層i 1〇看 來係發射白光。亦可預期其他背光應用的設置。 541849 五、發明説明（ 在直接觀看或其他顯示器的應用中， 110包括複數個發射相同或不同顏色之可 袭置層
裝置。各裝置可代表像元化顯示器(例如，古解止的OEL 像元或個別的次像元、片段顯：^ 貝汛今篁顯示器）之個別的片段或次片個 - 、圖像之部分、或圖像之燈(例如，指示；二別的㈣ 士：：：些情況中，0EL裝置包括夹於陰極與陽極之間 之一或夕種適當有機物質的薄層或層。當活化時，電子自 陰極注入至有機層+，及電洞自陽極注入至有機層中。者 注入電荷朝帶相反電荷之電極移動時，其會再結合: 典型上稱為激子的電子·電洞對。可將_般形成激子的裝 置區域稱為再結合區。當此等激子或激態物種衰變回基態 時，其可以光的形式發射能量。 土〜 在OEL裝置中亦可存在其他層，諸如電洞輸送層、電子 輸送層、電洞注入層、電子注入層、電洞阻斷層、電子阻 斷層、緩衝層等等。此外，在0EL裝置中之電發光或其他 層中可存在光子發光物質’以例如，將由電發光物質所發 射之先的顏色轉變為另一顏色。可使用此等及其他的此^ 層及物質於改變或調整層狀OEL裝置之電子性質及行為， 以例如達到期望的電流/電壓響應、期望的裝置效率、期 望的顏色、期望的亮度等等。 / 圖4A至4F說明不同OEL裝置」形態之例子。各形態包括基 材250、陽極252、及陰極254。圖4C至4F之形態亦包括電 洞輸送層258，及圖4B及4D至4F之形態包括電子輸送層 -11 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 541849
260。此等層分別自陽極傳導電洞，或自陰極傳導電子。 各形態亦包括發光層256a、256b、256c，其包括根據本發 明之設置於無定形、非聚合性有機基質中之一或多個發光 聚合物或其他發光分子（例如，小分子發光化合物）。發光 層256a包括電洞輸送物質，發光層25讣包括電子輸送物質 ，及發光層256c包括電洞輸送物質及電子輸送物質兩者。 在一些具體實施例中，電洞輸送物質或電子輸送物質係形 成包含發光聚合物或其他發光分子之無定形、非聚合性有 機基質之物質。在其他具體實施例中，使用個別的基質形 成物質《此外，發光層256a、256b、256c中之電洞輸送物 質或電子輸送物質可分別與使用於電洞輸送層258或電子 輸送層26t)中之物質相同或不同。 陽極252及陰極254典型上係使用導電性物質諸如金屬、 合金、金屬化合物、金屬氧化物、導電性陶瓷、導電性分 散物、及導電性聚合物形成，其包括，例如，金、鉑、纪 、鋁、鈣、鈦、氮化鈦、銦錫氧化物（ΙΤ〇)、氟錫氧化物 (FTO)、及聚苯胺。陽極252及陰極254可為單層導電性物 夤’或其可包括多層。舉例來說，陽極或陰極可包括一層 鋁及一層金、一層鈣及一層鋁、一層鋁及一層氟化鋰、或 一金屬層及一導電性有機層。 電洞輸送層258可促進電洞之自陽極注入至裝置中，及 其之移動朝向再結合區。電洞Γ輸送層258可更作為電子到 達陽極252之障壁❶電洞輸送層258可包括，例如，二胺衍 生物，諸如Ν，Ν’-雙（3-甲基苯基）-Ν，Ν，_雙（笨基）聯苯胺（亦 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公爱） 541849 A7 B7 五、發明説明（9 ) 稱為TPD)或N，N’-雙（3-萘-2-基）-N，N’-雙（苯基）聯苯胺（NPB) ，或三芳基胺衍生物，諸如4,4，，4”-參（N，N-二苯胺基）三苯 胺（TDATA)或4,4’，4”-參（N-3-曱基苯基-N-苯胺基）三苯胺 (mTDATA)。其他例子包括酞青銅（CuPC) ; 1，3?5-參（4-二 苯胺苯基）苯（TDAPBs);及其他諸如說明於H. Fujik.awa等 人，合成金屬（Synthetic Metals). 9 1，16 1 (1997)及 J_ V. Grazulevicius，Ρ· Strohriegl，「電荷輸送聚合物及分子玻 璃」，先進電子及光子材料及裝詈手冊，HLS. Nalwa (編 輯），10, 23 3-274 (2001)中之化合物。 電子輸送層260可促進電子之注入及其之移動朝向再結 合區。若須要，電子輸送層260可更作為電洞到達陰極254 之障壁。·舉例來說，電子輸送層260可使用有機金屬化合 物參（8-羥基喳啉）鋁（Alq3)形成。電子輸送物質之其他例 子包括1，3-雙[5-(4-(1，1-二甲基乙基）苯基）-i，3,4-哼二唑-2· 基]苯、2-(聯苯-4-基）-5-(4-(1，1-二曱基乙基）苯基）-13,( 崎二嗤（tBuPBD)及其他說明於C.H· Chen等人，Macromol 如跟 125，1 (1997)及 J.V· Grazulevicius，ρ· Strohrieg卜 「電荷輸送聚合物及分子玻璃」，先進雷子及光子姑斜乃 裝[手冊，H.s· Nalwa (編輯），1〇, 233 (2001)中之化合物。 有許多方法被使用或被嘗試用於製造OEL裝置。舉例來 說，已經由連續蒸氣沈積電洞輸送、發射、及電子輸送分 子，而形成SM發光裝置。當沈積時之層為無定形，. 但層會隨時間結晶，而使其之電荷輸送及發射性質減低。 一般而言，由於SM物質當溶劑乾燥時或稍後在裝置壽命
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541849 五、發明説明（11 ) 基中之南度共輕聚合物，可 咼拉伸強度及彈性模數。實 成像中之乾淨的邊緣形成可 之不期望的後果為在轉移圖 邊緣。 具有與聚芳基醯胺纖維相當的 際上’在發光聚合物之雷射熱 能具有挑戰性。不良邊緣形成 案上之粗縫、撕裂、或破碎的 可將發光物質’諸如—或多種發光聚合物（lep)或其他 …：，溶液塗佈成為包括可形成可抵抗結晶之無定形 聚合性有機基質之物質之塗佈組合物的部分作為此等 先則方法及解決一此俞阳甘谷a j. 二别述困難的替代或改良。可將基質之 無定形性質與基質之㈣合性f結合，而提供如下所述在 自供體介質至受體之轉移過程中相較於典型聚合物轉移層 低的内水強度。|質形《物質之無定形性質亦可使多於一 個電活化物質⑽如’在其他情況中不相容的兩咖或咖 及磷光發射劑）相容化。將使用LEP作為以下說明之例子， 但當可知曉可使用其他的發光、半傳導、電洞輸送、電子 輸送、或其他電活化分子替代一或多個LEP，或在其之外 使用◊此外，將使用雷射熱轉移作為形成發光及其他層之 方法的一例子，然而，當知曉可使用其他的轉移、構成圖 案、及印刷技術，諸如喷墨印刷、網印、熱頭印刷、及微 影構圖。 可使用任何的非聚合性、有機物質，只要此物質可經溶 液塗佈而形成無定形基質，且j預期的操作及儲存條件下· 在裝置的預期壽命中將可抵抗實質的結晶即可。適當物質 的例子說明於J.V· Grazulevicius，P· Strohriegl，「電荷輸 -15- 541849 A7 _______B7 五、發明説明（12 ) 送聚合物及分子玻璃」，先電子及糸子封料及奘實手研 ，H.S· Nalwa (編輯），1〇, 233_274 (2〇〇1) ; Shir〇ta，j Mater —em" 10，1 (2000) ; Kreger等人，Synthetic 119, 163 (2001) ; PCT專利申請案公告第w〇 99/21935及w〇 00/03565號，及 Robinson等人，Adv. Mat.. 2000，12· (22)， 1701。此非聚合性有機物質在預期的操作及儲存條件下不 具有實質的形成傾向，或不會形成穩定的結晶相較佳。此 外，非聚合性有機物質及發光物質可相容或可溶解於一或 多種共同的溶劑中，且在溶液塗佈過程中實質上不會相分 離較佳’且當將溶劑移除時不會相分離更佳。 一般而言，當形成無定形基質時，降低無定形基質/LEp 摻混物中之内聚作用之臨限值係LEp成為不連續相的點（如 有兩個可觀察的相），或LEP鏈被無定形基質溶解之點（如 僅有單一相）。一般而言，發光聚合物或其他發光分子之 總量不多於塗佈組合物之固體的5〇重量百分比，且可為固 體的40重量百分比、25重量百分比以下。典型上，非聚合 性有機物質對發光物質（例如，一或多種發光聚合物）之^ 篁比係至少1.1 ’及典型上係在1:1至l〇Q:l之範圍内。一般 而言，至少1:1之比，及典型上至少2:1或3:1以上，適合於 熱轉移應用。 在一些具體實施例中，非聚合性有機物質亦係電洞或電 子輸送物質。在一些此等具豳爭施例中，使用非聚合性有· 機物質形成電洞或電子輸送層，並將其塗佈含有該非聚合 性有機物質作為發光物質之無定形基質的發光層或將其^ ___ -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 541849 五、發明説明（13 ) 佈於該發光層上。 在二具體實知例中，可經由沈積具有不同發光物質濃 度之數個層以獲致期望分佈，而形成發光物質之梯度。說 明於下之熱轉移方法可有用於經由連續轉移各層而產生此 種、，Ό構。此外，可使用不同的發光物質形成層，以獲致不 同顏色《產生’例如，具有在各像元之間之插入電極的 堆疊紅、綠、及藍色像元。 如非聚合性有機物質不為電洞或電子輸送物質，則可能 希望包括電洞或電子輸送物質作為塗佈組合物之部分。其 他可包含於塗佈組合物中之物質包括，例如，小分子摻雜 劑（例如，三重發射劑）；其他非聚合性有機物質；塗佈助 劑、表面活性劑；用於，例如，降低内聚作用之顆粒物質 ;分散劑；安定劑；及感光劑。 在一些具體貫施例中，用於形成無定形基質之非聚合性 有機物質亦係發光分子。在此等具體實施例中，將物質及 操作條件選擇成有利於發光聚合物而非形成無定形基質之 非聚合性有機物質的發射較佳。舉例來說，非聚合性有機 物質可為可在光譜之藍色區域中發射光。在此情況，可將 發光t合物選擇為在光譜之紅色或綠色區域中發射。選擇 可以，例如，分子能量轉移之機構及物質之能帶隙為基礎。 當溶液塗佈時可形成無定形基質之適當非聚合性有機物 質的例子包括具有電活化側墓-之四面體心的分子。此種分 子之例子包括四苯基曱烷1、四苯基矽烷2、及四笨基金剛 烧3 ’以及四苯基錯烧、四苯基錯烷、及四苯基錫烧（即分 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐） 541849 A7 B7 五、發明説明（Η 別以Ge、Pb、或Sn取代2中之Si) ··
3 裝 訂 線 一- uw v , rp巧两雕于自由基）、電子 (例如，作為陰離子自由基）安定，或作為發色基之一或多 個共軛官能基(例#，芳基、伸芳基、雜芳基、伸雜芳基 、烯基、或伸婦基）的取代基。各R取代基可與其他的味 代基相同或不同。當所有的&取代基皆相同時，分子典型 上具有一些對稱性。當R取代基之至少一者不同時，^子 具有可進一步促進無定形基貧之形成及維持的不對稱1。 在一些情況中，R包括稠合至R所連接之苯基，而形成， 例如，經取代或未經取代萘基或其他稠環結構的芳環。此 種物質之例子及進-步說明可見於，例如，pCT專利申靖 案公告第 wo 00/03565號及Robinson等人，Ady 2〇〇〇 12 (22)，1701。 5 在一些具體實施例中，取代基&包括具有，例如，一或 多個稀基、伸烯基m芳基（例如，伸苯基伸蔡 基、或伸蒽基）、雜芳基、或伸雜芳基官能基之一或多個 共軛結構。取代基可具有可包‘諸如氮及氧之雜原子的延 伸兀-共軛系統。共軛系統可包括使陽離子自由基（例如電 洞)安定的富含電子基團(例如三芳基胺）、使陰離子自由基 -18 541849
15 (例如電子）安定的電子稀少基團、或作為發色基之在紫外 光至可見範圍中之HOMO-LUMO (最高佔用分子軌城-最低 未佔用分子軌域）能隙。適當R基團之例子包括，俱不限於 下列基團：
適當的四面體心物質之明確-例子包括化合物 4-6 : -19· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱） 541849
裝
Ri
訂 X為C、Si、Ge、Pb、或Sn，及r2為H或烧基。化合物5及 包括可為發色性的苐基團。此等特定的苐典型上具有在丨 色至紫外光範圍内之能帶隙。此種物質可有用於^红色」 綠色區域中發射之LEP，以致發射係主要或完全來自LEp， 此類型之化合物亦包括螺化合物諸如化合物:
線 -20- 541849 A7
9 其中各R分別係具有一或多個稀基、伸烯基、芳基、伸芳 例如，伸苯基、伸萘基、或伸蒽基）、雜芳基、或伸雜 芳基官能基之共軛結構。取代基可具有可包括諸如氮及氧 之雜原子的延伸π-共軛系統。共軛系統可包括使陽離子自 由基（例如電洞）安定的富含電子基團（例如三芳基胺）、使 陰離子自由基（例如電子）安定的電子稀少基團、或作為發 色基之在紫外光至可見範圍中之HOMO-LUMO (最高佔用 分子軌域-最低未佔用分子軌域）能隙。 其他可使用於形成無定形、非聚合性有機基質之物質包 * —* 括枝狀體（dendrimer)。枝狀化-合物具有心基團，其具有三 個以上延伸自心基團之枝狀取代基。適當心基團的例子包 括三苯胺、苯、吡啶、嘧啶、及其他說明於PCT專利申請 -21 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 541849 A7 B7 五、發明説明（18 ) 案序號W〇 99/21935中之化合物。枝狀取代基典型上包含 Z多個芳基、伸芳基（例如，伸苯基）、雜芳基、伸雜芳 土。烯基、或伸烯基取代基。在一些具體實施例中，取代 基可：具有-或多個烯基、伸烯基、芳基、伸梦基(例如 伸苯基、伸萘基、或伸蒽基）、雜芳基、或伸雜芳基基 團之共軛結構。枝狀取代基可相同或不同。枝狀化合物之 例子包括以，例如，三苯胺為主之星狀化合物，諸如化合 物10-16 :
-22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 541849 A7 B7 五、發明説明（19 )
16 各 Ri 及 R2分別為Η、F、Cl、Br、I、-SH、-0H、烷基、芳 基、雜芳基、氟烷基、氟烷基烷氧基、烯基、烷氧基、胺 基、或烷基-COOH。各R3分別為Η、F、Cl、Br、I、烷基 、氟烷基、烷氧基、芳基、胺基、氰基、或硝基。各 別為0、S、Se、NR3、BR3、或PR3。任何此等取代基之烷 基、芳基、及雜芳基部分可經取代或未經取代。各R i、R2 、R3、及Xi可與類似標示的取代基相同或不同（即所有的 Ri取代基可相同，或1^取代基之一或多者可彼此不同）。 _____ -23- 本纸張尺度適用中關冢標準(CNS) 乂4規格(21GX297公爱) --- 541849 A7 B7
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明（21 各a !及A r 2分別為經取代或未經取代 括，例如，經取代或未經取代的苯基 、噻吩、或以下結構之其中一者：
的芳基或雜芳基，包 、σ比啶、吡咯、呋喃 各Ri及R2分別為Η、F、c卜Br、I、-SH、-0Η、烷基、芳 基、雜芳基、氟烷基、氟烷基烷氧基、烯基、烷氧基、胺 基、或烷基-COOH。各R3分別為η、F、a、Br、I、烧基 、氟烷基、烷氧基、芳基、胺基、氰基、或硝基。各&及 X2分別為0、S、Se、NR3、BR3-、或pr3。任何此等取代基 之烷基、芳基、及雜芳基部分可經取代或未經取代。各Rl 、R2、R3、X1、及X2可與類似標示的取代基相同或不同（即 __ -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 541849 A7 B7 五、發明説明（22 或Ri取代基之一或多者可彼此不 所有的R1取代基可相同， 同）。 其他的無定形物質包括，例如，化合物27-32
各An及Ah分別為經取代或未經取代的芳基或雜芳基，n 為在1至6之範圍内之整數，及各Ri分別為H、F、a、汾 、I、-SH、-〇Η、烷基、芳基、雜芳基、氟烷基、氟烷基 烷氧基、烯基、烷氧基、胺基 '或烷基4〇〇11。各&分別 為H、F、C卜Br、I、烷基、氟烷基、烷氧基、芳基、胺 基、氰基、或硝基。各X、X!、及χ2分別為〇、S、Se、 NR;、BR3、或Pi ^任何此等取代基之烷基、芳基、及雜 芳基部分可經取代或未經取代。各Ri、R2、r3、X、Χι、 及X2可與類似標示的取代基相同或不同（即所有的Ri取代 基可相同，或1^取代基之一或多者可彼此不同）。 除非特別指示，否則術語「烷基」包括直鏈、分支鏈、 及環烧基，且包括未經取代及經取代的烷基兩者。除非特 別指示，否則烷基典型上為C1-C20。此處所使用之「烷基」 的例子包括，但不限於，甲基、乙基、正丙基、正丁基、 正戊基、異丁基、及異丙基等等。 本紙張尺度咖中國國家標準(CNS) A4規格(2ι〇Χ297公董) 541849 A7
發明説明 除非特別指示，否則術語「伸烷基」包括直鏈、分支鏈 、及環狀二價烴基根，且包括未經取代及經取代的伸烷基 兩者。除非特別指示，否則伸烷基典型上為C丨-C2〇。此處 所使用之「伸烧基」的例子包括，但不限於，亞曱基、伸 乙基、伸丙基、伸丁基、及伸異丙基等等。 除非特別指示，否則術語「烯基」包括具有一或多個雙 鍵之直鏈、分支鏈、及環狀單價烴基根，且包括未經取代 及經取代的烯基兩者。除非特別指示，否則烯墓典型上為 C 2 - C 2 0。此處所使用之r稀基」的例子包括，但不限於， 乙烯基、丙烯基等等。 除非特別指示，否則術語「伸烯基」包括具有一或多個 雙鍵之直鏈、分支鏈、及環狀二價烴基根，且包括未經取 代及經取代的伸烯基兩者。除非特別指示，否則伸烯基典 型上為C2-C20。此處所使用之「伸烯基」的例子包括，但 不限於，乙烯_1，2-二基、丙烯·ΐ，3-二基等等。 除非特別指示，否則術語「芳基」係指具一至十五個環 之單價不飽和芳族碳環基根，諸如苯基或聯苯基，或多個 稠裱，諸如萘基或蒽基、或其之組合。此處所使用之芳基 的例子包括，但不限於，苯基、2_萘基、卜萘基、聯苯基 ' 2-經苯基、2·胺苯基、2_曱氧苯基等等。 除非特別指示，否則術語「伸芳基」係指具一至十五個 %之二價不飽和芳族碳環基根£諸如伸苯基，或多嗰稠環· ’諸如伸萘基或伸蒽基、或其之組合。此處所使用之「伸 芳基」的例子包括，但不限於，苯-丨，^二基、苯-丨，3·二基 -27-
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本-1，4-二基、萘 _i，8-二基 恩-1，4 ' 基等寸。 除非特別指示，否則術語「雜 個分別選自s、o、^之雜原子的單價五至七二二: H:此一雜芳環視需要可稠合至-或多個另-二 :雜方環、芳環、環烯基環、或環烧基環。此處所使 之雜方基」的例子包括，但不限於"夫喃基、硫苯基 y比洛基、㈣基l坐基、三越、四唾基、㈣基、 号坐基異十坐基、巧二唾基、嗟二唾基、異嗟嗤基、咐
啶基、嗒畊基、吡畊基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、苯 并呋喃基、苯并硫苯基、吲哚基、及吲唑基等等。 除非特別指示，否則術語「伸雜芳基」係指含具有一或 夕個分別選自S、〇、或N之雜原子的二價五至七員芳環基 根的官能基。此一伸雜芳基環視需要可稠合至一或多個另 装 一雜環狀環、雜芳環、芳環、環烯基環、或環烷基環。此 處所使用之「伸雜芳基」的例子包括，但不限於，呋喃_ 2,5-二基、噻吩·2,4-二基、l，3,4-呤二唑-2,5-二基、1，3,4-售二嗤-2,5-二基、l，3-嗟唑·2,4-二基、1，3_ 嗟唑-2,5-二基 、吡啶-2,4-二基、吡啶-2,3-二基、吡啶-2,5·二基、嘧啶- 2,4-二基、喹啉_2,3-二基等等。 經取代烧基、伸烧基、稀基、伸婦基、芳基、伸芳基、 雜芳基、及伸雜芳基之適當的取代基包括，但不限於，烷 基、伸烷基、烷氧基、芳基：伸芳基、雜芳基、伸雜芳基 、烯基、伸烯基、胺基、F、Cl、Br、I、-OH、-SH、氰 基、硝基、-C00H、及-C00-烷基。 ____ -28- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 訂
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當知曉可將除發光物質外之電活化物質設置於無定形、 !!:合性有機基質中。舉例來說，可將傳導或半傳導性物 貝設置於無定形、非聚合性有機基質中。應用例包括經由 等電洞輸送物質或電子輸送物質設置於無定形、非聚合性 有機基負中，而形成電洞輸送層或電子輸送層或其他電荷 傳導層。&質可使用，例如，前述之任何物質形成。此結 構尤其可有用於傳導或半傳導性聚合物質，以製造具有較 聚合物之本身低之内聚強度的層。 可使用包括LEP及SM發光劑之各式各樣的發光物質。適 田LEP物質之種類的例子包括聚（伸苯基伸乙烯基）（ppVs) 、聚對伸苯基（PPPs)、聚第（PFs)、其他目前已知或稍後發 展出之LEP物質、及其之共聚物或摻混物。適當的lep亦 可分子摻雜、分散螢光染料或其他PL物質，摻混活化或非 /舌化物質’分散活化或非活化物質等等。適當Lep物質之 例子說明於Kraft等人，Angew Chem Tnt. Ed.. 37, 402-428 (1998);美國專利第 5,621，131、5,708，130、5,728,801、 5,840,217、5,869,350、5,900,327、5,929，194、6，132,641 、及6,169,163號；及PCT專利申請案公告第99/40655號。 SM物質一般係可使用於〇el顯示器及裝置中作為發射 劑物質、電荷輸送物質，作為發射劑層（例如，用於控制 發射顏色）或電荷輸送層中之摻雜劑及其類似物的非聚合 物有機或有機金屬分子物質。-常用的SM物質包括金屬鉗 合化合物，諸如參（8-羥基喳啉）鋁（Alq3)、及N，N，-雙（3-曱 基苯基）-N，N’-二笨基聯苯胺（TPD)。其他的SM物質揭示於 _-29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
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線 541849 A7 B7 五、發明説明（26 ) ，例如，C.H· Chen等人，Macromol. Svmp.3 125，1 (1997) ;曰本公開專利申請案2000-195673 ;美國專利第6,030,715 、6，150,043、及6,24251 15號；及卩(：丁專利申請案公告第 WO 00/18 851 (二價鑭系金屬錯合物）、w〇 00/70655 (環金 屬化銥化合物等等）、及WO 98/55561號。 再回來參照圖1，裝置層110係設置於基材12〇上。基材 120可為適合於OEL裝置及顯示器應用之任何基材。舉例 來說，基材120可包括玻璃、透明塑膠、或其他對可見光 實質上為透明的適當材料。基材12〇亦可對可見光爲不透 明，例如不銹鋼、結晶矽、多晶矽、或其類似物。由於 OEL裝置中之一些物質可能尤其易受因曝露至氧或水所致 之損壞，.因而基材120以提供適當的環境障壁，或設有提 供適當環境障壁之一或多個層、塗層、或層合物較佳。 基材120亦可包括任何數目之適用於〇el裝置及顯示器 中之裝置或組件諸如電晶體陣列及其他電子裝置；濾色器 、偏光鏡、波片、擴散器、及其他光學裝置；絕緣體、障 壁肋（barrier ribs)、黑色基質、光罩工作件及其他此等組 件；及其類似物。一般而言，在形成〇EL裝置之其餘的一 或多個層或裝置層110之裝置之前，將一或多個電極塗佈 、沈積、構成圖案、或以其咚方式設置於基材120上。當 使用光透射基材120，且OEL·裝置為底部發射時，設置於 基材120與發射物質之間之一或多個電極實質上對光透明 較佳，例如透明導電電極諸如銦錫氧化物（1丁⑺或許多其 他透明導電性氧化物之任何一者β
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疋件130可為適用於〇el顯示器或裝置1〇〇之任何元件或 凡件之組合。舉例來說，當裝置1〇〇為背光時，元件13〇可 為LCD模組。可將一或多個偏光鏡或其他元件設置klcd 核組與背光裝置100之間，例如吸收或反射性淨化偏光鏡 。或者，當裝置100之本身為資訊顯示器時，元件13〇可包 括偏光鏡、波片、觸碰面板、抗反射塗層、防污塗層、投 影螢幕、亮度增進薄膜、或其他光學組件、塗層、使用者 界面裝置或其類似物之一或多者。 包含發光用物質之有機電子裝置可至少部分經由將發光 物質自熱轉移供體片材選擇性熱轉移至期望的受體基材而 製得。舉例來說，可經由將LEP及可形成無定形基質之非 聚合性有機物質塗佈於供體片材上，然後再將LEp層單獨 或連同其他的裝置層或物質選擇性地轉移至顯示器基材， 而製得發光聚合物顯示器及燈。 3有機電子裝置用之發光物質之層的選擇性熱轉移可使 用熱轉移供體進行。圖2顯示適用於本發明之熱轉移供體 200的一例子。供體元件2〇〇包括基材21〇、非必需的下層 212、非必需的光至熱轉變層（LTHC層）214、非必需的中 間層216、及包含經取向或可取向發射物質或官能校準層 之轉移層218。各此等元件更辞細說明於隨後的論述中。 亦可存在其他層。適當供體或供體之層的例子揭示於美國 專利第 6,242，152、6,228,555 -、6,228,543、6,221 553、 6,221，543、6,214,520、6，194，119、6，1 14,088、5,998,085 、5,725,989、5,710,097、5,695,907、及 5,693,446號，及
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線 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 541849 五、發明説明（28 於共同受讓的美國專射請案序⑽/853，G62、G9/844,695 ' 09/844,100 . 09/662,980 ^ 09/662,845 ^ 09/473 1 14 ^ ^ 09/451,984 中。 ，及 ☆在本發明之方法中’可經由將供體㈣之轉移層鄰接於 文體放置，及選擇性地加熱供體元件，而將發射有機物質 i括LEP或其他物質，自供體片材之轉移層選擇性地轉 移至受體基材。舉例來說，可經由將供體元件照射可被設 =於供體中，通常係於個別的LTHC層中之光至熱轉變物 質吸收，並轉變為熱之成像輻射，而將供體元件選蘀性地 加熱。在此等情況中，供體可透過供體基材、透過受體、 或兩者，而曝露至成像輻射。輕射可包括一或多個波長， 包括可見光、紅外輻射、或紫外輕射，其例如來自雷射、 燈:或其他此種輻射源。亦可使用其他的選擇性加熱方法 ’諸如使用熱印刷頭或使用熱打印器（thermal — (例如，圖案化熱打印器諸如具有可用於選擇性地加熱供 體之凹凸圖案的加熱聚石夕氧打印器）。可以此方式將來自 熱轉移層之物質選擇性地轉移至受體，而於受體上逐影像 地形成轉移物質之圖案。在許多情況中，使用來自，例如 ，燈或雷射之光，以使供體逐圖案曝露之熱轉移由於通常 可達到㈣綠度及精確度而考利。轉移圖案（例如，線條 圓方形、或其他形狀）的尺寸及形狀可經由，例如， 選擇光束之尺寸、光束之曝露画案、與供體片材直接光束. 接觸的期間、或供體片材之物質而控制。轉移圖案亦可經 由透過光罩照射供體元件而控制。 -32- 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS) A4規格(2l〇X297公爱 541849 -33- ‘發明説明（29 如所提及，亦可使用埶印 或以其他方式）於直接選擇生/頁Λ其他加熱元件（圖案化 移層之部分逐圖案地轉s 、、、供體70件’因而將轉 /、轉移。在此種情況中，供體片材中之 先至熱轉變物質係非必需。 n 南熱印刷頭或其他加熱元件可能 尤其適用於製造物質之較低解 控制位置的元件構成圖案析度的圖案，或將不需精密 :可自供體片材轉移轉移層，而不選擇性地轉移轉移層 芙:例來說:可將轉移層形成於供體基材上，此供體基材 “上係作為於轉移層與受體基材接觸之後(典型上係經 =加熱或壓力)可剝離的暫時襯裡。可使用此-稱為層 ，之方法於將整個轉移層，或其之大部分，轉移至受 體0 * 熱質量轉移之模式可視所採用之選擇性加熱之類型、若 使用於使供體曝露之輻照之類型、物質之類型及非必需 LTHC層之性質、轉移層中之物質之類型供體之整體構 造、受體基材之類型等等而異。不希望受限於任何理論， 轉移-般係經由—或多個機構而發生，其之一或多者在選 擇性轉移過程中視成像條件、供體構造等等而定，而可能 重要或不重要。熱轉移之_機構包括熱溶融黏著轉移，其 中在熱轉移層與其餘之供體元件之間之界面的局部加熱會 使在選擇位置之熱轉移層對供體之黏著降低。熱轉移層之 選擇部分可較黏著至供趙更強A地黏著至受體，以致當將 供體元件移除時’轉移層之選擇部分會殘留於受體上。熱 轉移之另-機構包括燒姓轉移’其中可使用局部加熱於將 本紙張尺度適財_家料(⑽）规格(2lGX297»^ 裝 訂 線 541849 五 、發明説明（3〇 s之部分自供體元件燒蝕掉，因而將燒蝕物質導向受 V ΐ轉？之又另一機構包括昇華，，中分散於轉移層中 之勿貝可藉由於供體元件中產生之熱而昇華。一部分的昇 $物質可於文體上凝結。本發明審視包括一或多種此等及 ”他機構之轉移模式’丨中可使用供體片材之選擇性加熱 於使物質自轉移層轉移至受體表面。 σ吏用各種輻射發射源於加熱供體片材。對於類比技術 (例如，透過光罩曝光），高功率光源（例如，氣閃光燈及雷 射）有用。對於數位成像技術，紅外、可見、及紫外雷射 、/、有用適^的雷射包括，例如，高功率亳瓦）單 一2式雷射二極體、纖維偶合雷射二極體、及二極體泵送 7 I、田射（例如，Nd:YAG&Nd:YLF)。雷射曝露持續時間 可自L例如，數百微秒至數十微秒以上大大地變化，且雷 ^通1可在自’例如，約G別至約^焦耳/平方公分以上之 範圍内其他輻射源及輻照條件尤其可基於供體元件構造 三轉移層物質、熱質量轉移之模式、及其他此等因素而適 ^ 〇 ♦昌在大的基材面積上需要高的點設置準確度時（例如， 田將供同二貝、訊谷量顯示器及其他此等應用之元件構成圖案 時），雷射尤其可有用作為輻射源。雷射源亦可與大的硬 質基材（例如，1米x 1米χ 1 · 1·亳米玻璃）及連續或片材薄膜 基材（例如，1〇〇微米厚之聚醯並胺片材）兩者相容。 、. 、在成像過程中，可使供體片材與受體密切接觸（如同熱 熔融黏著轉移機構所可能的典型情況），或供體片材可與 34- 本紙張尺度適财297_ 繼開-些距離(如同可能係燒韻轉移機構或物質昇華 轉移機構之情況）。在至少 你王〆一些情況中，可使用壓力或真 空於使供體片材與受體保持密切接觸。在一些情況 將光罩置於供體片材與受體之間。此一光罩可為可移除， 或其於轉移之後，留於受體上。如供體中存在光至熱轉變 物質’則可接者使用輻射源於以逐影像的方式(例如，以 數位方式或透過光罩經由類比曝光）加熱lthc層（或其他 含輻射吸收劑之層），以推；^1 進订轉移層自供體片材至受體之 逐影像的轉移或構成圖案。 典型上’將轉㈣之選擇部分轉移至受體，而不轉移供 體片材之其他層（諸如非必需之中間層或LTHc層）的顯著 部分。非必需之中間層的存在可消除或降低物質之自 LTHC層轉移至受體’或降低轉移層之轉移部分中的扭曲 。在成像條件下，非必需之中間層對LTHC層之黏著較中 間層對轉移層之黏著大較佳。中間層可對成像輻射為透射 性、反射性、或吸收性，且可被用於使透射通過供體之成 像輻射的量值衰減或以其他方式進行控制，或控制供體中 之溫度，例如降低在成像過程中對轉移層之以熱 主的損壞。可存在多個中間層。 — 可使用大的供體片材，包括具有一米以上之長度及寬度 尺寸的供體片材。在操作時V可使雷射掃描或以其他方^ 移動通過大的供體片材，雷射係經選擇性地操作，以根據 期望的圖案而照明供體片材之部分。或者，雷射可固定不 動，及使供體片材或受體基材在雷射下方移動。 541849 A7 B7 五、發明説明（32 ) 在一些情況中’可能需要、希望、或方便地連續使用二 或多個不同的供體片材，而於受體上形成電子裝置。舉例 來說’可經由轉移個別的層或來自不同供體片材之層的個 別堆疊，而形成多層裝置。多層堆疊亦可自單一供體元件 以單一轉移單元轉移。舉例來說，電洞輸送層及LE.P層可 自單一供體共同轉移。另一例子為半傳導性聚合物及發射 層可自單一供體共同轉移。亦可使用多個供體片材於在受 體上在相同層中形成個別組件。舉例來說，可使用各具有 包含可發射不同顏色（例如，紅、綠、及藍色）之LEp之轉 移層的三個不同供體於形成全色偏振光發射電子顯示器之 裝 RGB -人像元qel裝置。另一例子為可經由自一供體熱轉移 ，隨後自·一或多個其他供體將發射層選擇性熱轉移，以於 顯示器中形成複數個OEL裝置，而將傳導性或半傳導性聚 訂 合物構成圖案。又另一例子為可經由將電活化有機物質（經 或未經取向）選擇性熱轉移，隨後再將一或多個像元或次 像元元件諸如濾色器、發射層、電荷輸送層、電極層、及 其類似物選擇性熱轉移構成圖案，而將有機電晶體之層構 成圖案。 θ 線 了將來自個別供體片材之物質轉移至鄰接於受體上之其 他物質，而形成相鄰裝置、相鄰裝置之部分、或相同裝置 之不同部分。或者，可將來自個別供體片材之物質直接轉 移於先前經由熱轉移或一些其J他方法（例如，微影 過孔板沈積等等）而於受體上構成圖案之其他層或物質的 上方，或與其部分覆蓋對準。可使用二或多個供體片材之
541849 、發明説明（33 :種其他的組合於形成裝置，各供體片 夕個部分。當明瞭此等裝置之其他部分或受體^之-或 =部或部分利用任何適當的方法，包括微影他二 墨方法、及各種其他之以印刷哎 万去贺 係慣用方法或新近發展出之方法形成。 …、娜八 回來參照圖2,現將說明供體片材200之各種層。. ★供體基材21〇可為聚合物薄膜。—種適當^的聚合物 缚膜為聚s旨缚琪，例如，聚對笨二曱酸乙二醋（PE乃或聚 萘二甲酸乙二6旨（臟）薄膜。然@，可使用具有視特殊應 用而定之足夠光學性質’包括在特定波長下之光之高透射 、或足夠的機械及熱安定性性質的其他薄膜。在至少一些 情況中之供體基材為平坦，以致可於其上形成均勻的塗層 。供體基材典型上亦係選自儘管將供體之一或多個層加熱 ’其仍可保持安定的物質。然而，如以下所說明，·可使用 在基材與LTHC層之間包含下層，以使基材與在成像過程 中於LTHC層中產生之熱隔絕。供體基材之典型厚度係自 0.025至0.15毫米’以〇.〇5至0.1毫米較佳，雖然較厚或較 薄的供體基材亦可使用。 可選擇用於形成供體基材及非必需之相鄰下層的物質， 以改良在供體基材與下層之間_的黏著，控制在基材與下層 之間之熱輸送，控制至LTHC層之成像輻射輸送，降低成 像瑕疵等等。可使用非必需之底塗層於提高在將後續層塗 佈於基材上之過程中之均勻度，以及提高在供體基材與相 鄰層之間之黏合強度。 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS^A4規格(21〇X297公6 裝 訂 線 541849
可將非必需之下層212塗佈或以其他方式設置於 材與LtHC層之間，例如用於控制在成像過程中在基㈣ LTHC層之間之熱流，或提供供體元件儲存、操縱、供體 加工、或成像用之機械安定性。適當之下層及提供下層之 方法的例子揭示於共同受讓之美國專利申請案序曰號 09/743,114 中。 下層可包括賦予供體元件期望機械或熱性質之物質。舉 例來說，下層可包括相對於供體基材展現低比熱χ密度或 低導熱性之物質。可使用此一下層於提高至轉移層之熱流 ，例如改良供體之成像敏感度。 下層亦可包括基於其之機械性質或在基材與Lthc之間 之黏著的·物質。使用改良在基材與1^11(：層之間之黏著的 下層可導致轉移影像中之較少扭曲.舉例來說，在一些情 況中，可使用降低或消除，例如，在其他情況中會在供體 介質之成像過程中發生之LTHC層之脫層或分離的下層。 此可降低由轉移層之轉移部分所展現的物理扭曲量。然而 ’在其他情況中，可能希望使用促進在成像過程中在層之 間之至少一些程度之分離的下層，以例如，在成像過程中 在層之間產生可提供熱絕緣功能之空氣間隙。成像過程中 之分離亦可提供使會在成像過程中由加熱LTHC層所產生之 氣體釋放的通道。提供此一通道可導致較少的成像瑕疲。 下層在成像波長下可實質上為透明，或亦可至少部分吸 收或反射成像輻射。可使用成像輻射被下層之衰減或反射 於控制成像過程中之熱產生。 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐)
541849 A7 B7 五、發明説明（35 再次參照圖2，可將LTHC層214包含於本發明之供體片 材中，以將輻射能量連結至供體片材中。LTHC層以包括 吸收入射輻射（例如，雷射光），及將至少一部分之入射輻 射轉變為可將轉移層自供體片材轉移至受體之熱的輻射吸 收劑較佳。 一般而言’ LTHC層中之輻射吸收劑吸收電磁光譜之紅外 、可見、或紫外區域中之光，並將吸收輻射轉變為熱。輻 射吸收背]典型上係南度吸收所選擇的成像輻射，而提供在 成像輻射之波長下具有在約〇·2至3以上之範圍内之光學密 度的LTHC層。層的光學密度係透射通過層之光之強度對 入射於層上之光之強度之比之對數（以10為底）的絕對值。 可將幸昌射吸收劑物質均勻地設置於整個LTHC層中，或 可將其不均勻地分佈。舉例來說，如說明於共同受讓之美 國專利申請案序號〇9/474,0〇2，可使用不均勻的LTHC層於 控制供體元件中之溫度分佈。此可產生具有改良轉移性質 (例如，在預計轉移圖案與實際轉移圖案之間的較佳保真 度）的供體片材。 適當的輻射吸收物質可包括，例如，染料（例如，可見 染料、紫外染料、紅外染料、螢光染料、及輻射偏光染料） 、韻料、金屬、金屬化合物、金屬薄膜、及其他適當的吸 收物質。適當輻射吸收劑之例子包括碳黑、金屬氧化物、 及金屬硫化物。適當LTHC層之一例子可包括顏料，諸如 石反黑，及黏合劑，諸如有機聚合物。另一適當的LTHc層 包括形成為薄膜之金屬或金屬/金屬氧化物，例如，黑链 39- 本紙張國家標準(CNS) A4規格(膨297公爱) 541849 A7 B7 五、發明説明（36 (即具有黑色視覺外觀之部分氧化鋁）。金屬及金屬化合物 薄膜可利用諸如’比方說，濺鐘及蒸發沈積之技術形成。 顆粒塗層可使用黏合劑及任何適當的乾或濕塗佈技術形成 LTHC層亦可經由將包含相似或不相似物質之二或多個 LTHC層結合而形成。舉例來說，LTHC層可經由將τ薄層 之黑鋁蒸氣沈積在包含設置於黏合劑中之碳黑的塗層上而 形成。 適合使用作為LTHC層中之輻射吸收劑的染料可以顆粒 形式、溶解於黏合劑物質中、或至少部分分散於黏谷劑物 質中存在。當使用分散顆粒輻射吸收劑時，至少在一些情 況中，顆粒大小可為約10微米以下，且可為約！微米以下。 適當的染料包括在光譜之IR區域中吸收的染料。可基於諸 如，在特定之黏合劑或塗佈溶劑中之溶解度，及與其之相 谷f生以及吸收之波長範圍的因素，而選擇特定的染料。 亦可將顏料物質使用於LTHC層中作為輻射吸收劑。適 當顏料之例子包括碳黑及石墨，以及酞青素，鎳二硫唑烯 (nickel dithiolenes)，及其他說明於美國專利第5，166,〇24 及5,351，617號中之顏料。另外，以例如…比唾_黃、聯甲 氧苯胺紅、及鎳偶氮黃之銅或鉻錯合物為主之黑色偶氮顏 料可能有用。亦可使用無機科料，其包括，例二，金屬諸 如紹、鉍、錫、銦、鋅、鈦、·鉻、鉬、鎢、鈷、銥、鎳、 鈀、翻、銅、銀、金、鍅、鐵：錯、及碲之氧化物及硫化 物。亦可使用金屬硼化物、碳化物、氮化物、碳氮化物、 青銅結構氧化物、及結構上與青銅族相關的氧化物（例如
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541849 A7 B7 五、發明説明（37 ) ，W02.9) 〇 金屬輻射吸收劑可以顆粒形式（例如，如說明於美國專 利第4,252,671號中）或以薄膜（如揭示於美國專利第 5,256,506號）使用。適當的金屬包括，例如，&、絲、錫 、銦、蹄及鋅。 使用於LTHC層中之適當的黏合劑包括成膜聚合物，諸 如，比方說’盼系樹脂（例如’可溶可炼（n〇v〇Uk)及可溶 酚醛樹脂）、聚乙烯縮丁醛樹脂、聚乙酸乙烯醋、聚乙烯 縮醛、聚偏二氣乙烯、聚丙烯酸醋、纖維素醚及醋：硝基 纖維素、及聚妷酸酯》適當的黏合劑可包括經或可經聚合 或交聯之單體、寡聚物、或聚合物。亦可包含添加劑諸如 光引發劑·，以促進LTHC黏合劑之交聯。在一些具體實施 例中，黏合劑主要係使用可交聯單體或具有非:需聚合物 之募聚物的塗料形成。 包含熱塑性樹脂（例如，聚合物）在至少一些情況中可改 良LTHC層之性能（例如，轉移性質或可塗佈性）。據認為 熱塑性樹脂可改良LTHC層對供體基材之黏著。在一具體 實施例中’黏合劑包括25至50重量百分比（當計算重量百 分比時不包括溶劑）之熱塑性樹脂，及以3〇至45重量百分 比-之熱塑性樹脂較佳，雖然亦一可使用較低量的熱塑性樹脂 (例如，1至15重量百分比）。熱塑性樹脂典型上係經選擇成 可與黏合劑之其他物質相容（即形成一個相的組合）。在至 少一些具體實施例中，選擇具有在9至13 (卡/立方公分）^ 之範圍内之溶解度參數（以9.5至12 (卡/立方公分）ι/2較佳）
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線 -41 - 541849 42- 發明説明（38 的熱塑性樹脂作為黏合劑。適當熱塑性樹脂之例子包括聚 丙烯酸系、笨乙烯-丙烯酸系聚合物及樹脂、及聚乙= 丁醛。 可加入習知之塗佈助劑，諸如表面活性劑及分散劑，以 使塗佈方法容易。可使用技藝中已知之各種塗佈方法將 LTHC層塗佈於供體基材上。在至少—些情況中，可將聚 合或有機LTHC層塗佈至0·05微米至2〇微米之厚度，以q.5 微米至10微米較佳，及丨微米至7微米更佳。在至少一些情 況中，可將無機LTHC層塗佈至在〇._5至1〇微求之= 内之厚度，及以〇〇〇1至1微米較佳。 再次參照圖2，可將非必需之中間層216設置於LTHc層 214與轉移層218之間。可將中間層使用於，例如，使轉^ 層之轉移部分的損壞及污染減至最小，及亦可降低轉移層 :轉移部分中的扭曲》中間層亦會影響轉移層對其餘之： 體片材的黏著。典型上，中間層具高耐熱性。中間層在成 像條件下不會扭曲或化學分解，尤其係至使得轉移^像無 功能之程度較佳。中間層在轉移方法中典型上與LTHi 保持接觸，且其實質上不會隨轉移層而轉移。 曰 適當的中間層包括’例如，聚合物薄膜 '金屬層(例如 蒸氣沈積金屬層）、無機層丨例如，溶膠沈積層及盔 化物(例如，氧化石夕、二氧化鈦、及其他金屬氧化物)之基 乳沈積層）' 及有機/無機複合物層。適合作為中間層物質. 之有機物質包括熱固性及熱塑性物質兩者。適當的熱 物質包括可藉由熱、輻射、或化學處理而交聯之樹脂，其 本紙張尺國S家料(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂 轉 541849 A7
H ’但不限於，交聯或可交聯聚丙烯酸酯、《曱基丙烯 二酉曰聚自日、環氧樹脂、及聚胺基甲酸醋。可將熱固性物 質以，例>，熱塑性先質塗佈於LTHC層上，接著再交聯 而形成交聯中間層。
裝 〆適當的熱塑性物質包括，例如，聚丙稀酸醋、聚甲基丙 烯=酉曰$笨乙婦、聚胺基甲酸g旨、聚石風n及聚酿 亞：。此等熱塑性有機物質可利用習知之塗佈技術(例如 合劑塗佈、冑塗、或擠出貼面）塗佈。典型上，適用於 中間層之熱塑性物質的玻璃轉移溫度為25以丄，以 50 C以上較佳。在一些具體實施例中，中間層包括具有較 在成像過程中在轉移層中所達到之任何溫度大之Tg的熱塑 性物質。·中間層在成像輻射波長下可為透射性、吸收性、 反射性、或其之一些組合。
適合作為中間層物質之無機物質包括，例如，金屬 '金 屬氧：物、金屬硫化物、及無機碳塗料，包括在成像光波 長下高度透射性或反射性之物質。此等物質可利用習知之 技術(例如’真空濺鍍、真空蒸發、或電漿噴射沈積)塗佈 至光至熱轉變層。 中間層可提供許多利益。中間層可為抵抗物質自光至熱 轉變層之轉移的障壁。其亦可…調節在轉移層中達到之溫度 ,以致可轉移熱不安定的物質。舉例來說，中間層可作為 熱擴散器，以相對於在LTHC>!中達到之溫度而控制在中 間層與轉移層之間之界面的溫度。此可改良轉移^之品質 (即表面糙度、邊緣糙度等等）。存在中間層亦可^轉=物
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質中產生改良的塑性記憶。 中間層可包含添加劑，包括，例如，光引發劑、表面活 性劑、顏料、塑化劑、及塗佈助劑。中間層之厚度可視諸 如，比方說，中間層之物質、LTHC層之物質及性質、轉 移層之物質及性質、成像輻射之波長、及供體片材曝露至 成像輻射之期間的因素而定。關於聚合物中間層，中間層 之厚度典型上係在0_05微米至10微来之範圍内。關於 中間層（例如，金屬或金屬化合物中間層），中間層之^度 典型上係在0.005微米至10微米之範圍内。 ^ 再次參照圖2,在供體片材2〇〇中包含熱轉移層218。轉 移層21 8可包括單獨或與其他物質結合之設置於一或多個 層中之一或多種任何適當的物質。當供體元件曝露至直接 加熱或可被光至熱轉變物質吸收並轉變為熱之成像輻射時 ，轉移層21 8可藉由任何適當的轉移機構而以一個單元或 以部分選擇性地轉移。 / 本發明審視轉移層包括設置於形成作為轉移層之部分之 無定形基質之非聚合性有機物質中之發光、電荷輸送、電 荷阻斷、或半傳導性物質。本發明審視轉移層包括乙即或 其他發光分子作為發光物質。提供轉移層的一種方式為經 由將發光物質及非聚合性有機物質溶液塗佈於供體上，而 形成包含發光物質之無定形基質。在此方法中，發光物質 及非聚合性有機物質可經由加八適當的相容溶劑而溶解，· 及經由旋塗、凹槽輥塗佈、梅耶棒（mayer r〇d)塗佈、刮刀 塗佈4荨而塗佈於校準層上。所選擇之溶劑以不會不期望 -44- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱)_ 潤脹或 而留下 地與供體片材中之任何已存在層交互作用(例如 溶解）較佳。接著可使塗層退火，及使溶劑蒸發 含有無定形基質之轉移層。 接著可將轉移層自供體元件選擇性地熱轉移至鄰近 2受體基材。若須要，可有多於—個轉㈣，以致使用又單 -供體片材而轉移多層構造。額外的轉移層可包括盖定形 、非聚合性有機基質或一些其他物質。受體基材可為任何 適合於特殊應用之物件，其包括，但不限於，玻璃、透明 薄膜、反射性薄膜、金屬、半導體、及塑膠。舉例4說， 受體基材可為適合於顯示器應用<任何類型的基材或顯示 器元件》it用於_器諸Μ晶顯#器或發射顯示器之受 體基材包括實質上可透射可見光之硬質或軟質基材。適當 的硬質受體之例子包括經塗佈銦錫氧化物或利用其構成圖 案，或利用低溫多晶矽（LTPS)或其他電晶體結構，包括有 機電晶體電路化之玻璃及硬質塑膠。 適當的軟質基材包括實質上透明及透射性的聚合物薄膜 、反射性薄膜、半反半透性（transflective)薄膜、偏光薄膜 、多層光學薄膜、及其類似物。亦可將軟質基材塗佈電極 物質或電晶體（例如直接形成於軟質基材上，或於形成於 暫時性載體基材上之後再轉脊至軟質基材之電晶體陣列） ，或利用其構成圖案。適當的聚合物基材包括聚酯基質（例 如，聚對苯二甲酸乙二酯、聚—萘二甲酸乙二酯）、聚碳酸 酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚乙烯基樹脂（例如，聚氯乙烯、 聚偏二氣乙烯、聚乙烯基縮醛等等）、纖維素酯基質（例如 -45- 541849 A7
’三醋酸纖維素m維素）、及其他習知之使用作為 支承物之聚合薄膜。為在塑膠基材上製造OEL,通常希望 包括障壁薄膜，或在塑膠基材之一或兩面上塗佈，以保護 5機發光裝置及其電極避免曝露至不期望量值的水、氧等 等。 可利用電極、電晶體、電容器、絕緣肋、隔離物、濾色 益、黑色基質、電洞輸送層、電子輸送層、及其他有用於 電子"’員示器或其他裝置之元件的任何一者或多者將受體基 材預先構成圖案。 ，- 本發明審視偏振光發射〇EL顯示器及裝置。在一具體實 施例中，可將OEL顯示器製成為發射光，且具有可發射不 同顏色之光的鄰接裝置。舉例來說，圖3顯示包括設置於 基材320上之複數個0EL裝置31〇的〇肛顯示器3〇〇。可將 相鄰的裝置310製成為發射不同顏色的光。 示於裝置3 10之間的分離僅係作為說明之用。相鄰的裝 置可分離、互相接觸、重疊等等，或其可在顯示器基材上 在多於一個方向中具有其之不同組合。舉例來說，可將平 行條紋狀透明導電性陽極之圖案形成於基材上，隨後再形 成電洞輸送物質之條紋圖案及紅、綠、及藍色發光LEP層 之锋紋重複圖案，隨後再形成除極之條紋圖案，其中陰極 條紋係經定向成垂直於陽極條紋。此一構造可適用於形成 被動陣列顯示器。在其他具磕實施例中，可將透明導電性 陽極墊於基材上以二維圖案設置，並與編址電子元件諸如 一或多個電晶體、電容器等等結合，其諸如適用於製造主 __ -46- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 541849
動陣列顯示器。接著可將其他層，包括發光層，以單層塗 佈或沈積，或可將其於陽極或電子裝置上構成圖案（例如 ，平行條紋、與陽極相稱的二維圖案等等）。本發明亦審 視任何其他適當的構造。 在一具體實施例中，顯示器300可為多色顯示器。因此 ，可能希望將非必需的偏光鏡330設置於發光裝置與觀看 者之間’以例如，增進顯示器之對比。在範例的具體實施 例中’各裝置310發射光。圖3所說明之一般構造涵蓋許多 顯示器及裝置構造。將一些構造論述如下。 OEL背光可包括發射層。構造可包括裸露或電路化的基 材、陽極、陰極、電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層 、電子注入層、發射層、變色層、及其他適用於〇EL裝置之 層及物質。構造亦可包括偏光鏡、擴散器、光導、透鏡、 光控制薄膜、亮度增進薄膜、及其類似物。應用包括白色 或單色大面積單像元燈，例如其中之發射物質係經由熱打 印轉移、層合轉移、電阻頭熱印刷等等而設置；具有藉由 雷射引發熱轉移而構成圖案之大量緊密隔開之發射層的白 色或單色大面積單電極對燈；及可調色多電極大面積燈。 低解析度OEL顯示器可包括發射層。構造可包括裸露或 電峰化的基材、陽極、陰極 '電洞輸送層、電子輸送層、 電洞注入層、電子注入層、發射層、變色層 '及其他適用 於OEL裝置之層及物質。構造士可包括偏光鏡、擴散器、 光導、透鏡、光控制薄膜、亮度增進薄膜、及其類似物。 應用包括圖畫指示器燈（例如，圖像）；片段字母數字顯示 -47- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
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器（例如，裝置的時間指示器）；小的單色被動或主動陣列 顯示器；小的單色被動或主動陣列顯示器加上圖晝指示器 燈作為整體顯示器（例如，行動電話的顯示器）之部分；大 面積像元顯示器塊（例如，各具有相當少數像元之複數個 模組或塊），其諸如可適用於戶外用顯示器；及安全顯示 器應用。 高解析度OEL顯示器可包括發射層。構造可包括裸露或 毛路化的基材、陽極、陰極、電洞輸送層、電子輸送層、 黾洞注入層、電子注入層、發射層、變色層、及其‘適用 於OEL裝置之層及物質。構造亦可包括偏光鏡、擴散器、 光導、透鏡、光控制薄膜、亮度增進薄膜、及其類似物。 應用包括主動或被動陣列多色或全色顯示器；主動或被動 陣列多色或全色顯示器加上片段或圖晝指示器燈（例如， 高解析度裝置之雷射引發轉移加上在相同基材上之圖像的 熱打印器）；及安全顯示器應用。 實施例 f施例1 :受體之製備 形成三種不同類型的受體：（A)僅有銦錫氧化物（ITO); (B) PDOT (聚（3,4-伸乙基二氧噻吩））/ITO ;及（C) mTDATA (4,4’，4”-參（N-(3 -曱基苯基）-N_-苯胺基）三苯胺）/PDOT/ITO 。為製得受體表面（A)，將ITO玻璃（Delta Technologies， Stillwater，MN ;薄片電阻低於100歐姆/平方，1.1毫米厚） 於 Deconex 12NS (Borer Chemie AG，Zuchwil Switzerland) 之熱的3%溶液中超音波洗淨。接著將基材置於Plasma -48 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂 541849 A7 B7 五、發明説明（45 )
Science PS0500型電漿處理器（4th State Inc.，Belmont，CA) ，在以下條件下進行表面處理： 時間： 2分鐘 功率： 500瓦（165瓦/平方公分） 氧流量： 100 seem 為製得受體表面（B)，將ITO如同受體表面（A)之製備的 說明進行洗淨及電漿處理。於電漿處理之後，立即將 PDOT溶液（CH-8000，購自 Bayer AG，Leverkusen，Germany ，經去離子水1:1稀釋）過濾及分配通過Whatman Puradisc™ 0.45微米聚丙烯（pp)注射過濾器而至ITO基材上。接著使 基材在每分鐘2000轉（2000 rpm)下旋轉（Headway Research spincoater) 30秒，而產生40奈米（nm)之PDOT薄膜厚度。 使所有基材在氮氣中加熱至200°C 5分鐘。 為製得受體表面（C)，如關於受體表面（B)之製備的說明 將PDOT薄膜沈積於ITO上。於基材冷卻之後，使mTDATA (OSA 3939，Η· W. Sands Corp·，Jupiter，FL) 2.5% (w/w)之 甲苯溶液過濾及分配通過Whatman Puradisc™ 0.45微米聚 丙烯（PP)注射過濾器而至經塗佈PDOT之ITO基材上。使基 材在每分鐘 3000轉下旋轉（Headway Research spincoater) 30_秒，而產生40奈米之mTDATA薄膜厚度。 沒右棘移層之供體·片材的製備 、 以下列方式製備熱轉移供饈爿材。 將表I所示之LTHC溶液塗佈於購自Teijin (日本大阪）之 0·1毫米厚的聚對苯二甲酸乙二酯（PET)薄膜基材上。塗佈
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五、發明説明（46 ) 係使用 Yasui Seiki Lab Coater，CAG-150型，使用每線性 英吋具有150個螺線格之微凹槽輥進行。將LTHC塗層在 8O°C下線上乾燥，及在紫外（UV)輻射下固化。
表I : LTHC塗佈溶液 . S__ 成份 商品名 重量份數 Raven 760 Ultra(1) 3.55 蹄縮丁醛樹脂 Butvar B-98 (2) 0.63 系樹脂 Joncryl 67 ⑶ 1.90 劑 Disperbyk 161 (4) 0.32 '性劑 FC_430 (5) Q.01 可溶可熔丙烯酸酯 Ebecryl 629 (6) 12.09 酸系樹脂 Elvacite 2669 (7) 8.06 2-苄基-2-(二甲胺基)小(4-嗎福啉基)苯 _基)丁酮 Irgacure 369 ⑻ 0.82 上查環己基苯基酮 Irgacure 184 ⑻ 0.12 上丁酮 45.31 1，2-丙二醇單甲基醚乙酸酯 27.19 ("購自 Columbian Chemicals Co.，Atlanta, GA
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(2) 購自 Solutia Inc·，St. Louis，MO
(3) 購自 S. C. Johnson & Son，Inc·，Racine, WI
(4) 購自 Byk-Chemie USA, Wallingford, CT (5) 購自 Minnesota Mining and Manufacturing Co·，St·
Paul，MN L6)購自 UCB Radcure Inc·，Nr-Augusta，SC ⑺購自 ICI Acrylics Inc·，Memphis，TN (8)講自 Ciba-Geigy Corp·，Tarrytown，NY 接下來，利用輪轉凹輥塗佈方法，使用包括每線性英吋 具有180個螺線格之微凹槽輥之Yasui Seiki Lab Coater， -50- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 訂
541849 A7 B7 五、發明説明（47 ) 0八0-150型，將表11所示之中間層塗佈於固化的乙丁11(：層上 。將此塗層在60°C下線上乾燥並UV固化。 表II :中間層塗佈溶液 成份 重量份數 SR351HP (三經曱基丙烧三丙烯酸酯，購自Sartomer，Exton， PA) 14.85 Butvar B-98 0.93 Joncryl 67 2.78 Irgacure 369 1.25 Irgacure 184 0.19 2-丁酮 48.00 1-曱氧-2-丙醇 32.00 實施例3 :韓蒋屉用滚液之製備 製備以下之溶液： (a) Covion Green.蔣購自 Covion Organic Semiconductors
GmbH (Frankfurt，Germany)之 Covion Green PPV Polymer HB 1270 (100毫克）稱重至具有PTFE蓋的琥珀色玻璃瓶中 。於其中加入9.9克之曱苯（HPLC級，購自Aldrich Chemical， Milwaukee，WI)。將含有溶液的玻璃瓶置於75°C之聚矽氧 油浴中60分鐘。將熱溶液過濾通過〇·45微米聚丙烯（PP)注 射過滤器。 (b) Covxon Super Yellow.將 Covion PD Y 132「Super Yellow」（75毫克）稱重至具有PTFE蓋的琥珀色玻璃瓶中。 於其中加入9.925克之甲苯（HPLC級，購自Aldrich Chemicals) 及攪拌棒。將溶液攪拌隔夜、將溶液過濾通過5微米 MilliporeMillex注射過濾器。 (c) ΠΐΧβΑΙ^將 100毫克之mTDATA (OSA 3939，購自 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
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線 541849 A7 B7 五、發明説明（48 H.W. Sands Corp，Jupiter，FL)稱重至容器中。於其中加入 3.9克之甲苯（HPLC級，購自 Aldrich Chemical; Milwaukee， WI)。使溶液邊於聚矽氧油浴中攪拌，邊在75 °C下加熱25 分鐘。將熱溶液過濾通過Whatman Puradisc™ 0.45微米聚 丙烯（PP)過濾器。 ， (d)第三丁某PBD.將100亳象之第三丁某PBD (2-(聯苯-4-基）-5-(4-(1，1-二甲基乙基）苯基）-1，3,4-呤二唑，購自 Aldrich Chemical Co·，Milwaukee，WI)稱重至容器中。於 其中加入3·9克之曱苯（HPLC級，購自Aldrich Chemicals) 。將溶液檟:拌25分鐘，並過渡通過Whatman Puradisc™ 0.45微米聚丙烯（PP)過濾器。 實施例4-8 :供體片材上之韓移層的製備及韓移層之韓移 使用根據表ΠΙ之實施例3之溶液的摻混物，將轉移層形 成於實施例2之供體片材上。為製得摻混物，將前述溶液以 適當比混合，及使所得之摻混溶液在室溫下攪拌20分鐘。 經由在約每分鐘2000轉下旋轉（Headway Research spincoater) 30秒，以產生大約100奈米之薄膜厚度，而將 轉移層設置於供體片材上。
表III 轉移層組合物之重量份數 實施例 編號 Covion Green Covion Super Yellow mTDATA 第三丁基 PBD 4 1 — 一 • 2 5 2 - - 5 6 1 - - 3 7 1 - 1 1 8 - 1 3 - -52- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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發明説明（49 使如於實施例4-8中所製備之供 所製備之受體基材接觸。接下來使用片材與如於實施例1中
雷射使供體成像。彳吏用線性電流^兩單一模式Nd:YAG 土 …μ <糸統，使用f-θ掃描 透鏡作為近遠心形怨之部分，將姓入 你Τ二U β 、〇 σ的雷射光束聚焦於影 像平面上，而進订掃插。雷射能|宓 v 、w 2砼危 田身言月匕篁铪度為0·4至0.8焦耳/平 方公分。以1 /e強度測量之雷射光 ,φ λ+ # s. ^ 4尺寸為30微米乘350微 米。線性雷射光點速度可在i 0及3 n ^ *母秒（在影像平面測 量）之間調整。雷射光點係以約1〇〇 K任心傢十面別 W木之振幅番首於主^ 移方向抖動。將轉移層以線條轉移於 ； 的預計寬度為約100微米。 土材上’且線條 裝 轉移層係以與ιτο條紋重疊對準的 早的〜系列線條轉移於受 體基材上。成像釔果不於表IV。 表IV 轉移結果 實施例 基材(A) ~ 甚--- ij 編號 ITO ITO/PDOT 基材(C) 4 優異的轉移；優異的邊 緣品質__ 優異的轉移； ITO/PDOT/mTDATA π 〇 .始的轉移， 有污點 無連續^ 有污點 無連續疼 良好的 婷的邊！ 具有一些孔洞瑕 疵之良好轉移； 優異的邊緣品質 優異的轉移；良好的 • \ 緣品質 優異的轉移；良好的 6 優異的轉移； 邊緣品質 緣品質 優異的轉移；良好的 7 1 優異的轉移 m · 緣品質 優異的轉移；優異的 8 在^雷射劑量 一邊緣品！^ ψ*· · 轉移；在高雷射劑量下 之優異的邊緣品質 1異的轉移；優異的 邊緣品質 實狡AiJ一OEL裝詈之遛備 -53-
541849 A7 B7 五、發明説明（5〇 ) . 使用實施例4-6之三個轉移層組合物於製備ITO/PDOT/ mTDATA/轉移層/Ca/Ag構造之發光二極體。於使如實施例 4-6所說明之轉移層轉移之後，使用以下條件真空蒸氣沈 積Ca/Ag陰極： 厚度 速率 塗佈時間 Ca 400埃 1.1埃/秒 5分51秒 Ag 4000埃 5.0埃/秒 13分20秒 在所有的情況中，觀察二極體行為及綠色光發射。 不應將本發明視為受限於前述的特定實施例，反$，應 明暸其係涵蓋如精確記述於隨附之申請專利範圍中之所有 的發明態樣。熟悉本發明之相關技藝的人士當回顧本說明 書時，當可容易明白可應用本發明的各種修改、相等方法 、以及許多結構。 以上引述之各專利、專利文件、及公告係以引用的方式 併入本文件中，如同將其完全再現於此。 Γ -54-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

  1. 541849 、申請專利範圍 . 1·一種製造有機電發.光裝置之方法，此方法包括： 將轉移層溶液塗佈於供體基材上，該轉移層包括具有 設置於基質中之發光物質之無定形、非聚合性有機基質 ，•及 將轉移層選擇性地熱轉移至受體。 · 2·根據申請專利範圍第旧之方法，其更包括在供體基材 上形成光至熱轉變層，及其中將轉移層選擇性地熱轉移 至受體包括以成像輻射選擇性地照射光至熱轉變層，及 將成像輻射轉變為熱。 ， 3·根據申請專利範圍第丨項之方法，其更包括在基材上形 成至少一額外的轉移層，及其中將轉移層選擇性地熱轉 移至受艟包括將轉移層及至少一額外的轉移層選擇性地 熱轉移至受體。 4. 根據中請專利範圍第旧之方法，纟中該發光物質包括 發光聚合物。 5. 根據中請專利範圍第i項之方法，纟中該基質包括選自 下列之至少一無定形、非聚合性有機化合物：
    其中各R为別係包括選自稀基、伸稀基、芳基、伸芳基 、雜芳基、及伸雜芳基之至少一官能基之取代基。土 -55- 本纸張尺度適财關家鮮(CNS) Μ規格㈣χ 297公爱） 541849 8 8 8 8 A BCD 申請專利範圍 6. 根據申請專利範圍.第1項之方法，其中該基質包括至少 二|定形、非聚合性有機枝狀體（dendrimer)。 7. 據申請專利範圍第6項之方法’其中該枝狀體係
    C 裝 訂 線 -56- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 541849 8 8 8 8 A BCD 六、申請專利範圍
    其中各1及112分別係Η、F·、CM、Br、I、_stI、-〇H、烧 基、芳基、雜芳基、氣烧基、氟院基燒氧基、稀基、烧 氧基、胺基、或烧基-COOH，各R3分別係η、f、Cl、Br 、I、烧基、氣烧基、烧氧基、方基、胺基、氛基、或 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 541849
    .确基’各X!分別係〇、S、Se、叫、BR3、或％ ,及 各An及八!：2分別係經取代或未經取代的芳基或雜芳基。 8·根據申請專利範圍第丨項之方法，其中該基質包括無定 形、非聚合性有機螺化合物。 9.根據申請專利範圍第丨項之方法，其中該無定形、，非聚 合性有機基質包括電洞輸送物質。 10·根據申請專利範圍第1項之方法，其中該無定形、非聚 合性有機基質包括電子輸送物質。 11·根據申請專利範圍第1項之方法，其中亦將電洞輸送物質 或電子輸送物質設置於無定形、非聚合性有機基質内。 12·根據申請專利範圍第丨項之方法，其中該無定形、非聚 合性有機基質對發光物質之重量比係至少丨· 1。 1 3 ·根據申请專利範圍第1項之方法，其中將轉移層，選擇性 地熱轉移至受體包括將轉移層選擇性地熱轉移至包括受 體基材及設置於受體基材上之複數個電極之受體。 14 ·根據申請專利範圍第13項之方法，其中將轉移層選擇性 地熱轉移至受體包括將轉移層選擇性地熱轉移至包括受 體基材、設置於受體基材上之複數個電極、及設置於複 數個電極上之電洞輸送層之受體。 1 5 ·根據申請專利範圍第13項之-方法，其更包括將複數個電 極設置於選擇性地熱轉移至受體之轉移層的一部分上。 16.—種供體片材，包括： 一基材； 一設置於基材上之光至熱轉變層，其係用於將入射的 -58- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 541849 A8 B8 C8 D8 本纸張尺度適用_______- 六、申請專利範圍 .成像輻射轉變為熱.；及 一設置於光至熱轉變層上方之轉移層，該轉移層包括 具有設置於基質中之發光物質之經溶液塗佈的無定形、 非聚合性有機基質，其中該轉移層可自供體片材選擇性 地熱轉移至鄰近設置的受體。 . 17·根據申請專利範圍第16項之供體片材，其更包括形成設 置於光至熱轉變層上方之至少一額外的轉移層，及其中 該至少一額外的轉移層可與轉移層一起自供體片材選擇 性地熱轉移至鄰近設置的受體。 1 8·根據申請專利範圍第16項之供體片材，其中該發光物質 包括發光聚合物。 19·根據申請專利範圍第16項之供體片材，其中該基質包括 選自下列之至少一無定形、非聚合性有機化合物：
    其中各R分別係包括選自烯基、伸烯基、芳基、伸芳基 、雜芳基、及伸雜芳基之至^少一官能基之取代基。 20·根據申請專利範圍第16項之供體片材，其中該基質包括 至少一無定形 '非聚合性有機枝狀體。 21·根2申請專利範圍第16項之供體片材，其中該基質包括 無定形、非聚合性有機螺化合物。 59- 丨）Α4規格(2ι〇Χ297公复)
    裝 訂
    541849 ABCD 六 圍範 tu¥ 專請 中 22··根據申請專利範圍.第16項之供體片材，其中該無定形、 非聚合性有機基質包括電洞輸送物質。 2 3 ·根據申请專利範圍第16項之供體片材，其中該無定形、 非聚合性有機基質包括電子輸送物質。 2 4 ·根據申请專利範圍第16項之供體片材，其中亦將電洞輸 送物質或電子輸送物質設置於無定形、非聚合性有機基 質内。 25·—種製造供體片材之方法，此方法包括： 於基材上形成一光至熱轉變層；及 於基材上形成一轉移層，其中形成轉移層包括將塗佈 組合物溶液塗佈於基材上，而形成具有設置於基質中之 發光物質之無定形、非聚合性有機基質。 26· —種電發光裝置，包括： 一第一電極； 一第二電極；及 一 0又置於第一與第一電極之間之發光層，該發光層包 括具有設置於基質中之發光聚合物之無定形、非聚合性 有機基質。 27·根據申請專利範圍第26項之電發光裝置，其中該基質包 括選自下列之至少一無定形一、非聚合性有機化合物：
    本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS) A4規格(210X297公釐) 541849
    其中分別係包括選自埽基、伸烯基、芳基、伸芳基 、雜方基、及伸雜芳基之至少一官能基之取代基。 28·根據中請專利範圍第26項之電發光裝置，其中該基質包 括至少一無定形、非聚合性有機枝狀體。 29·根據申請專利範圍第26項之電發光裝置，其中該基質包 括無定形、非聚合性有機螺化合物。 30.根據申請專利範圍第26項之電發光裝置，其中該無定形 、非聚合性有機基質包括電洞輸送物質。 … ^ 31·根據申請專利範圍第26項之電發光裝置，其中該無'定形 、非聚合性有機基質包括電子輸送物質。 32·根據申請專利範圍第26項之電發光裝置，其中亦將電洞 輸送物質或電子輸送物質設置於無定形、非聚合性有機 基質内。 -61 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
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