KR102289820B1 - 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

축합환 화합물 및 상기 축합환 화합물을 포함한 유기 발광 소자가 제시된다.

Description

축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자{Condensed cyclic compound and organic light emitting device including the same}
축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 제시된다.
유기 발광 소자(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일예에 따르면, 유기 발광 소자는, 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층 포함할 수 있다. 상기 애노드와 발광층 사이에는 정공 수송 영역이 구비될 수 있고, 상기 발광층과 캐소드 사이에는 전자 수송 영역이 구비될 수 있다. 상기 애노드로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
신규 축합환 화합물 및 이를 채용한 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물이 제공된다:
<화학식 1>
Figure 112014073287905-pat00001
상기 화학식 1 중,
X1은 O 또는 S이고;
X2는 C, Si 또는 Ge이고;
고리 A1은 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;
R1 내지 R4은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 -B(Q6)(Q7) 중에서 선택되고;
a1은 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고, a2, a3 및 a4는 서로 독립적으로, 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고, a1이 2 이상일 경우 2 이상의 R1은 서로 동일하거나 상이하고, a2가 2 이상일 경우 2 이상의 R2는 서로 동일하거나 상이하고, a3가 2 이상일 경우 3 이상의 R3는 서로 동일하거나 상이하고, a4가 2 이상일 경우 2 이상의 R4는 서로 동일하거나 상이하고;
상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;
상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
다른 측면에 따르면, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 발광층을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 적어도 1종 이상 포함한 유기층을 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
상기 축합환 화합물은 우수한 전기적 특성 및 열적 안정성을 갖는 바, 상기 축합환 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 저구동 전압, 고효율, 고휘도 및 장수명 특성을 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2의 유기 발광 소자의 시간-휘도 데이터이다.
상기 축합환 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다:
<화학식 1>
Figure 112014073287905-pat00002
상기 화학식 1 중 X1은 O 또는 S일 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1 중 X1은 O일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중 X2는 C, Si 또는 Ge일 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 2 중 X2는 C일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중 A1은 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중 고리 A1은, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C20헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 1 중 고리 A1은,
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기(phenyl), 펜탈레닐기(pentalenyl), 인데닐기(indenyl), 나프틸기(naphthyl), 아줄레닐기(azulenyl), 헵탈레닐기(heptalenyl), 인다세닐기(indacenyl), 아세나프틸기(acenaphthyl), 플루오레닐기(fluorenyl), 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기(phenalenyl), 페난트레닐기(phenanthrenyl), 안트라세닐기(anthracenyl), 플루오란트레닐기(fluoranthrenyl), 트리페닐레닐기(triphenylenyl), 파이레닐기(pyrenyl), 크라이세닐기(chrysenyl), 나프타세닐기(naphthacenyl), 피세닐기(picenyl), 페릴레닐기(perylenyl), 펜타페닐기(pentaphenyl), 헥사세닐기(hexacenyl), 피롤일기(pyrrolyl), 이미다졸일기(imidazolyl), 피라졸일기(pyrazolyl), 피리디닐기(pyridinyl), 피라지닐기(pyrazinyl), 피리미디닐기(pyrimidinyl), 피리다지닐기(pyridazinyl), 이소인돌일기(isoindolyl), 인돌일기(indolyl), 인다졸일기(indazolyl), 푸리닐기(purinyl), 퀴놀리닐기(quinolinyl), 이소퀴놀리닐기(isoquinolinyl), 벤조퀴놀리닐기(benzoquinolinyl), 프탈라지닐기(phthalazinyl), 나프티리디닐기(naphthyridinyl), 퀴녹살리닐기(quinoxalinyl), 퀴나졸리닐기(quinazolinyl), 시놀리닐기(cinnolinyl), 카바졸일기(carbazolyl), 페난트리디닐기(phenanthridinyl), 아크리디닐기(acridinyl), 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl), 페나지닐기(phenazinyl), 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 벤조이미다졸일기(benzoimidazolyl), 푸라닐기(furanyl), 벤조푸라닐기(benzofuranyl), 티오페닐기(thiophenyl), 벤조티오페닐기(benzothiophenyl), 티아졸일기(thiazolyl), 이소티아졸일기(isothiazolyl), 벤조티아졸일기(benzothiazolyl), 이소옥사졸일기(isoxazolyl), 옥사졸일기(oxazolyl), 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기(oxadiazolylene), 트리아지닐기(triazinyl), 디벤조푸라닐기(dibenzofuranyl), 디벤조티오페닐기(dibenzothiophenyl), 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디미디닐기, 이미다조피리디닐기, 피리도인돌일기(pyridoindolyl), 벤조푸로피리디닐기(benzofuropyridinyl), 벤조티에노피리디닐기(benzothienopyridinyl), 피리미도인돌일기(pyrimidoindolyl), 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기(pyridobenzooxazinyl) 및 피리도벤조티아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란트레닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조옥사졸일기, 벤조이미다졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 벤조티아졸일기, 이소옥사졸일기, 옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디미디닐기, 이미다조피리디닐기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 고리 A1은,
페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기;
중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 1 중 R1 내지 R4은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 -B(Q6)(Q7) 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중 R1 내지 R4은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C20헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 -B(Q6)(Q7) 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 1 중 R1 내지 R4는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란트레닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조옥사졸일기, 벤조이미다졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 벤조티아졸일기, 이소옥사졸일기, 옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디미디닐기, 이미다조피리디닐기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란트레닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조옥사졸일기, 벤조이미다졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 벤조티아졸일기, 이소옥사졸일기, 옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디미디닐기, 이미다조피리디닐기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 및
-N(Q1)(Q2) 및 -Si(Q3)(Q4)(Q5); 중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q5 및 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 R1 내지 R4는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염 및 인산기 또는 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 및
-N(Q1)(Q2) 및 -Si(Q3)(Q4)(Q5); 중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q5 및 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기;
중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중,
고리 A1은 하기 화학식 2-1 내지 2-54로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
상기 R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 하기 화학식 2-1 내지 2-59로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있다:
Figure 112014073287905-pat00003
Figure 112014073287905-pat00004
Figure 112014073287905-pat00005
Figure 112014073287905-pat00006
Figure 112014073287905-pat00007
Figure 112014073287905-pat00008
상기 화학식 2-1 내지 2-59 중
Y11은 O, S, N(Z3) 또는 C(Z3)(Z4)이고,
Y12는 단일 결합, O, S, N(Z5) 또는 C(Z5)(Z6)이고,
Z1 내지 Z6는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C20아릴옥시기, C6-C20아릴티오기, C2-C20헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C20아릴옥시기, C6-C20아릴티오기, C2-C20헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기, C6-C20아릴옥시기, C6-C20아릴티오기, C2-C20헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35); 중에서 선택되고;
상기 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로, 수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, 페닐기로 치환된 C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
b2는 1 또는 2이고, b3는 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고, b4는 1 내지 4의 정수 중에서 선택되고, b5는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고, b6는 1 내지 6의 정수 중에서 선택되고,
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
예를 들어, 상기 화학식 2-1 내지 2-59 및 -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 중 Z1 내지 Z6는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q5 및 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 2-34 내지 2-39 중 Y11은 O, S 또는 N(Z3)이고, Y12는 단일 결합 또는 O일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중
상기 고리 A1은 상기 화학식 2-1 내지 2-10 및 2-35 내지 2-54로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
상기 R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 상기 화학식 2-1 내지 2-10 및 2-35 내지 2-54로 표시되는 그룹 중에서 선택되되,
상기 화학식 2-1 내지 2-10 및 2-35 내지 2-54 중
Y11은 O, S 또는 N(Z3)이고,
Y12는 단일 결합 또는 O이고,
Z1 내지 Z6는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중에서 선택되고,
상기 Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로,
C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고,
b2 내지 b6는 서로 독립적으로 1 또는 2이고,
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중
상기 고리 A1은 하기 화학식 3-1 내지 3-121로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
상기 R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, 상기 Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, 페닐기, 페닐기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기 중에서 선택됨) 및 하기 화학식 3-1 내지 3-131로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014073287905-pat00009
Figure 112014073287905-pat00010
Figure 112014073287905-pat00011
Figure 112014073287905-pat00012
Figure 112014073287905-pat00013
Figure 112014073287905-pat00014
Figure 112014073287905-pat00015
Figure 112014073287905-pat00016
Figure 112014073287905-pat00017
Figure 112014073287905-pat00018
Figure 112014073287905-pat00019
Figure 112014073287905-pat00020
Figure 112014073287905-pat00021
Figure 112014073287905-pat00022
Figure 112014073287905-pat00023
상기 화학식 1 중 a1은 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고, a2, a3 및 a4는 서로 독립적으로, 0 내지 4의 정수 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중 a1 내지 a4는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다. 또는, 상기 화학식 1 중 a1 내지 a4는 서로 독립적으로, 0 또는 1일 수 있다
상기 화학식 1 중 a1이 2 이상일 경우 2 이상의 R1은 서로 동일하거나 상이하고, a2가 2 이상일 경우 2 이상의 R2는 서로 동일하거나 상이하고, a3가 2 이상일 경우 3 이상의 R3는 서로 동일하거나 상이하고, a4가 2 이상일 경우 2 이상의 R4는 서로 동일하거나 상이하다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중 a1 + a2 + a3 + a4 = 2일 수 있다. 또는, 상기 화학식 1 중 a1 + a2 + a3 + a4 = 1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 a1은 0이고, a2는 1이고, R2는 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고, 고리 A1은 R2와 상이할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 a1은 0이고, a3은 1이고, R3은 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고, 고리 A1은 R3과 상이할 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 a1은 0이고, a4는 1이고, R4는 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고, 고리 A1은 R4와 상이할 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은, 하기 화학식 1-1 내지 1-8 중 하나로 표시될 수 있다:
<화학식 1-1> <화학식 1-2>
Figure 112014073287905-pat00024
Figure 112014073287905-pat00025
<화학식 1-3> <화학식 1-4>
Figure 112014073287905-pat00026
Figure 112014073287905-pat00027
<화학식 1-5> <화학식 1-6>
Figure 112014073287905-pat00028
Figure 112014073287905-pat00029
<화학식 1-7> <화학식 1-8>
Figure 112014073287905-pat00030
Figure 112014073287905-pat00031
상기 화학식 1-1 내지 1-8 중 X1, X2, 고리 A1, R2 및 R4에 대한 설명은 제1항에 기재된 바와 동일하되, 단, R1 내지 R4는 수소가 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1 내지 1-8 중 X1은 O이고, X2는 C일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1 내지 1-8 중 고리 A1은 상기 화학식 2-1 내지 2-54로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, 상기 R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, 상기 Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, 페닐기, 페닐기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기 중에서 선택됨) 및 상기 화학식 2-1 내지 2-59로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1 내지 1-8 중 상기 고리 A1이 하기 화학식 3-1 내지 3-121로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, 상기 R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, 상기 Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, 페닐기, 페닐기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기 중에서 선택됨) 및 하기 화학식 3-1 내지 3-131로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1 내지 1-8 중 R2 내지 R4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 1-2 내지 1-4 중 고리 A1과 R2 내지 R4 각각은 서로 상이할 수 있다. 이로써, 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물의 전하 수송 능력이 효과적으로 제어되어 상기 축합환 화합물은 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1 내지 1-8 중 R2 내지 R4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
상기 화학식 1-2 내지 1-4 중 고리 A1과 R2 내지 R4 각각은 서로 동일할 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은, 하기 화학식 1(1) 내지 1(4) 중 하나로 표시될 수 있다:
<화학식 1(1)> <화학식 1(2)>
Figure 112014073287905-pat00032
Figure 112014073287905-pat00033
<화학식 1(3)> <화학식 1(4)>
Figure 112014073287905-pat00034
Figure 112014073287905-pat00035
상기 화학식 1(1) 내지 1(4) 중 X1, X2, 고리 A1, R2 내지 R4 및 a1 내지 a4에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바와 동일하다.
예를 들어, 상기 화학식 1(1) 내지 1(4) 중,
a2 = 0이고, a3 = 0이고, a4 = 1이거나;
a2 = 0이고, a3 = 1이고, a4 = 0이거나;
a2 = 1이고, a3 = 0이고, a4 = 0이거나;
a2 = 0이고, a3 = 1이고, a4 = 1이거나;
a2 = 1이고, a3 = 0이고, a4 = 1이거나;
a2 = 1이고, a3 = 1이고, a4 = 0이거나; 또는
a2 = 1이고, a3 = 1이고, a4 = 1; 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1(1) 내지 1(4) 중 X1은 O이고, X2는 C일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1(1) 내지 1(4) 중 고리 A1은 상기 화학식 2-1 내지 2-54로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, 상기 R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, 상기 Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, 페닐기, 페닐기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기 중에서 선택됨) 및 상기 화학식 2-1 내지 2-59로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
a2 내지 a4는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1(1) 내지 1(4) 중 상기 고리 A1이 하기 화학식 3-1 내지 3-121로 표시되는 그룹 중에서 선택되고, 상기 R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, 상기 Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, 페닐기, 페닐기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기 중에서 선택됨) 및 하기 화학식 3-1 내지 3-131로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1(1) 내지 1(4) 중 R2 내지 R4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물의 분자량은 예를 들면, 300 내지 2000일 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물의 분자량은, 예를 들면, 348 내지 1500일 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물의 분자량이 상기 범위를 만족할 경우, 승화정제법을 이용하여 상기 축합환 화합물을 용이하게 정제할 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은, 하기 화합물 1 내지 532 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
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상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 코어는 2개의 "X1"을 갖는다. 이들은 동시에 O 또는 S이다. 따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 코어는 X축 기준으로 서로 대칭이 되므로(하기 화학식 1' 참조), 분자 내에 도입되는 치환기에 대한 코어의 영향이 동일한 환경이 제공되어, 치환기 도입에 의한 특성 변화 조절이 용이하게 되고, 분자간 상호 작용이 효과적으로 유도되어, 상기 축합환 화합물은 우수한 열안정성 및 전하 이동도를 가질 수 있다.
<화학식 1'>
Figure 112014073287905-pat00081
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 본 명세서에서 정의된 바와 같은 고리 A1을 반드시 포함하는데, 상기 고리 A1은 상기 화학식 1'에서 확인할 수 있는 바와 같이, "탄소"를 통하여 화학식 1의 코어와 결합되어 있다. 이로써, 고리 A1은 "탄소-탄소 결합"을 통하여 화학식 1의 코어와 결합되어 있으므로, 상기 축합환 화합물의 정제 및/또는 증착시 고리 A1이 화학식 1의 분자로부터 분해되는 것이 방지될 수 있는 등, 상기 축합환 화합물은 우수한 열 안정성을 가질 수 있다. 따라서, 예를 들어, 상기 축합환 화합물은, 10-8 torr 내지 10-3 torr의 진공도 하에서의 승화 온도보다 높은 분해 온도를 가질 수 있다. 그 결과, 상기 축합환 화합물의 분자 내에, 도입되는 치환기의 개수를 줄이거나, 간단한 구조의 치환기를 도입하더라도, 상기 화학실 1로 표시되는 축합환 화합물은 우수한 공정성을 가질 수 있는 바, 이를 포함한 유기 발광 소자의 구동 시 소자 안정성이 향상되어 장수명 소자를 구현할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물의 합성 방법은, 후술하는 합성예를 참조하여, 당업자가 용이하게 인식할 수 있다.
따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 유기 발광 소자의 유기층, 예를 들면, 상기 유기층 중 발광층의 호스트로 사용하기 적합할 수 있는 바, 다른 측면에 따르면, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 발광층을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 적어도 1종 이상 포함한 유기층;을 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
상기 유기 발광 소자는 상술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함한 유기층을 구비함으로써, 저구동 전압, 고효율, 고휘도 및 장수명을 가질 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 유기 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이에 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 축합환 화합물은 발광층, 제1전극과 발광층 사이의 정공 수송 영역(예를 들면, 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함함) 및 발광층과 제2전극 사이의 전자 수송 영역(예를 들면, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함함) 중 적어도 하나에 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 상기 발광층에 포함되어 있을 수 있다. 이 때, 상기 발광층은 도펀트를 더 포함하고, 상기 발광층에 포함된 축합환 화합물은 호스트의 역할을 할 수 있다. 상기 발광층은 녹색광 또는 청색광을 방출하는 녹색 발광층 또는 청색 발광층일 수 있고, 상기 도펀트는 인광 도펀트일 수 있다.
본 명세서 중 "(유기층이) 축합환 화합물을 1종 이상 포함한다"란, "(유기층이) 상기 화학식 1의 범주에 속하는 1종의 축합환 화합물 또는 상기 화학식 1의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 축합환 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기층은 상기 축합환 화합물로서, 상기 화합물 1만을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1은 상기 유기 발광 소자의 발광층에 존재할 수 있다. 또는, 상기 유기층은 상기 축합환 화합물로서, 상기 화합물 1과 화합물 2를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1과 화합물 2는 동일한 층에 존재(예를 들면, 상기 화합물 1과 화합물 2는 모두 발광층에 존재할 수 있음)하거나, 서로 다른 층에 존재할 수 있다.
상기 제1전극은 정공 주입 전극인 애노드이고 상기 제2전극은 전자 주입 전극인 캐소드이거나, 상기 제1전극은 전자 주입 전극인 캐소드이고 상기 제2전극은 정공 주입 전극인 캐소드이다.
예를 들어, 상기 제1전극은 애노드이고, 상기 제2전극은 캐소드이고, 상기 유기층은, i) 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되고, 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역; 및 ii) 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역;을 포함할 수 있다.
본 명세서 중 "유기층"은 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 층을 가리키는 용어이다. 상기 "유기층"은 유기 화합물뿐만 아니라, 금속을 포함한 유기금속 착체 등도 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. 유기 발광 소자(10)는 제1전극(11), 유기층(15) 및 제2전극(19)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
상기 제1전극(11) 하부 또는 제2전극(19) 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
상기 제1전극(11)은 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(11)은 애노드일 수 있다. 상기 제1전극용 물질은 정공 주입이 용이하도록 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(11)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등과 같은 금속을 이용할 수 있다.
상기 제1전극(11)은 단일층 또는 2 이상의 층을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(11)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(11) 상부로는 유기층(15)이 배치되어 있다.
상기 유기층(15)은 정공 수송 영역(hole transport region); 발광층(emission layer); 및 전자 수송 영역(electron transport region);을 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 제1전극(11)과 발광층 사이에 배치될 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 및 버퍼층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층만을 포함하거나, 정공 수송층만을 포함할 수 있다. 또는, 상기 정공 수송 영역은, 제1전극(11)로부터 차례로 적층된, 정공 주입층/정공 수송층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있다.
정공 수송 영역이 정공 주입층을 포함할 경우, 정공 주입층(HIL)은 상기 제1전극(11) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 약 100 내지 약 500℃, 진공도 약 10-8 내지 약 10-3torr, 증착 속도 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 코팅 조건은 정공주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층 및 전자 저지층 형성 조건은 정공 주입층 형성 조건을 참조한다.
상기 정공 수송 영역은, 예를 들면, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, α-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산), PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:
Figure 112014073287905-pat00082
Figure 112014073287905-pat00083
<화학식 201>
Figure 112014073287905-pat00084
<화학식 202>
Figure 112014073287905-pat00085
상기 화학식 201 중, Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 201 중, 상기 xa 및 xb는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수, 또는 0, 1 또는 2일 수 있다. 예를 들어, 상기 xa는 1이고, xb는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201 및 202 중, 상기 R101 내지 R108, R111 내지 R119 및 R121 내지 R124는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등) 및 C1-C10알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기 등);
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염 및 인산기 또는 이의 염 중 하나 이상으로 치환된, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201 중, R109는,
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기; 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 201A>
Figure 112014073287905-pat00086
상기 화학식 201A 중, R101, R111, R112 및 R109에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화합물 HT1 내지 HT20을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014073287905-pat00087
Figure 112014073287905-pat00088
Figure 112014073287905-pat00089
Figure 112014073287905-pat00090
상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층을 모두 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 HT-D1 등과 같은 시아노기-함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<화합물 HT-D1> <F4-TCNQ>
Figure 112014073287905-pat00091
Figure 112014073287905-pat00092
상기 정공 수송 영역은, 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 효율을 증가시키는 역할을 수 있다.
상기 정공 수송 영역 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및/또는 청색 발광층이 적층된 구조를 가짐으로써, 백색광을 방출할 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.
상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함할 수 있다. 상기 발광층은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 인광 도펀트 및 형광 도펀트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광층 중 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함할 수 있다.
상기 발광층 중 도펀트는 형광 방출 메커니즘에 따라 광을 방출하는 형광 도펀트로서 또는 인광 방출 메커니즘에 따라 광을 방출하는 인광 도펀트를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 발광층 중 도펀트는 인광 도펀트일 수 있고, 상기 인광 도펀트는 하기 화학식 81로 표시되는 유기금속 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 81>
Figure 112014073287905-pat00093
상기 화학식 81 중,
M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 또는 톨륨(Tm)이고;
Y1 내지 Y4는 서로 독립적으로, 탄소(C) 또는 질소(N)이고;
Y1과 Y2는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고, Y3와 Y4는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고;
CY1 및 CY2는 서로 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 인덴, 피롤, 티오펜, 퓨란(furan), 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸(isooxazole), 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 카바졸, 벤조이미다졸, 벤조퓨란(benzofuran), 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 트리아진, 디벤조퓨란(dibenzofuran) 및 디벤조티오펜 중에서 선택되고, CY1과 CY2는 선택적으로(optionally), 단일 결합 또는 유기 연결기(organic linking group)를 통하여 서로 결합되고;
R81 및 R82는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, -SF5, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 -B(Q6)(Q7) 중에서 선택되고;
a81 및 a82는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고;
n81은 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고;
n82는 1, 2 또는 3이고;
L81은 1가 유기 리간드, 2가 유기 리간드 또는 3가 유기 리간드이다.
상기 R81 및 R82에 대한 설명은 본 명세서 중 R2에 대한 설명을 참조한다.
상기 인광 도펀트는 하기 화합물 PD1 내지 PD78 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014073287905-pat00094
Figure 112014073287905-pat00095
Figure 112014073287905-pat00096
Figure 112014073287905-pat00097
Figure 112014073287905-pat00098
Figure 112014073287905-pat00099
Figure 112014073287905-pat00100
Figure 112014073287905-pat00101
Figure 112014073287905-pat00102
Figure 112014073287905-pat00103
Figure 112014073287905-pat00104
Figure 112014073287905-pat00105
Figure 112014073287905-pat00106
Figure 112014073287905-pat00107
또는, 상기 인광 도펀트는 하기 PtOEP 또는 FIr6를 포함할 수 있다:
Figure 112014073287905-pat00108
Figure 112014073287905-pat00109
상기 형광 도펀트는 하기 DPAVBi, BDAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6 및 C545T 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure 112014073287905-pat00110
Figure 112014073287905-pat00111
상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우, 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 20 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
다음으로 발광층 상부에 전자 수송 영역이 배치된다.
전자 수송 영역은 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역은 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층 또는 전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전자 수송층은 단일층 또는 2 이상의 서로 다른 물질을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 수송 영역의 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 형성 조건은 정공 주입층의 형성 조건을 참조한다.
상기 전자 수송 영역이 정공 저지층을 포함할 경우, 상기 정공 저지층은 예를 들면, 하기 BCP, Bphen 및 TmPyPB 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112014073287905-pat00112
Figure 112014073287905-pat00113
상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층은 상기 BCP, Bphen 및 하기 Alq3, Balq, TAZ 및 NTAZ 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
Figure 112014073287905-pat00114
또는, 상기 전자 수송층은 하기 화합물 ET1 및 ET2 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112014073287905-pat00115
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.
Figure 112014073287905-pat00116
또한 전자 수송 영역은, 제2전극(19)으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층은, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
상기 유기층(15) 상부로는 제2전극(19)이 구비되어 있다. 상기 제2전극(19)은 캐소드일 수 있다. 상기 제2전극(19)용 물질로는 상대적으로 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 제2전극(19) 형성용 물질로 사용할 수 있다. 또는, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용하여 투과형 제2전극(19)을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중 C1-C60알킬기는 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C60알콕시기는 -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 C2-C60알케닐기는 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알키닐기는 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기(ethynyl), 프로피닐기(propynyl), 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알킬기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 2 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C2-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromacity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 2 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C2-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예는, 2,3-히드로퓨라닐기, 2,3-히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C2-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함한다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.
본 명세서 중 C2-C60헤테로아릴기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 2 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C2-C60헤테로아릴렌기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 2 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C2-C60헤테로아릴기의 구체예는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함한다. 상기 C2-C60헤테로아릴기 및 C2-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함(예를 들어, 탄소수는 8 내지 60일 수 있음)하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹을 의미한다. 상기 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예는 플루오레닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소(예를 들어, 탄소수는 2 내지 60일 수 있음) 외에 N, O, P 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은, 카바졸일기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 상기 치환된 C1-C60알킬렌기, 치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환된 C2-C60알키닐렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택될 수 있다.
또한, 본 명세서 중 상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
본 명세서 중 "비페닐기"는 "페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다.
이하, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 하기 합성예 중 "'A' 대신 'B'를 사용하였다"란 표현 중 'B'의 사용량과 'A'의 사용량은 몰당량 기준으로 동일하다.
[실시예]
합성예 1: 화합물 5의 합성
하기 반응식에 따라 화합물 5를 합성하였다.
Figure 112014073287905-pat00117
중간체 (1)의 합성
1-브로모-4-메톡시-2-페녹시벤젠(1-Bromo-4-methoxy-2-phenoxybenzene) (7 g, 25 mmol) 을 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran) 80 ml에 녹인 후, -78℃로 온도를 낮춘 다음, 천천히 n-부틸리튬(n-BuLi (20 ml, 50 mmol, 2.5 M in hexane))을 추가하고, 저온에서 30분간 교반 후, 실온으로 올려서 2시간 교반하였다. 이로부터 수득한 혼합물을 -78℃로 낮춘 후, 케뉼라를 이용하여, 3-메톡시-9H-잔텐-9-온 (3-methoxy-9H-xanthen-9-one, 5.7 g, 25 mmol)을 테트라하이드로퓨란 40 ml과 혼합한 혼합물(-78℃)에 천천히 넣고, 19시간 교반하였다. 이로부터 수득한 반응물에 염화암모늄(NH4Cl) 포화 수용액을 20 ml 천천히 가해서 반응을 종료시킨 후, 생성된 고체를 셀라이트 필터를 하고, 용매를 감압 농축시킨 다음, 디클로로메탄(dichlromethane)으로 여과액을 세정하였다. 이로부터 수득한 유기층을 무수 황산나트륨(Na2SO4)로 건조시킨 다음, 농축 아세톤(acetone)을 사용하여 불순물을 씻어내어 흰색 고체를 수득(8.6 g, 20 mmol)한 다음, 이를 80 ml 무수 아세트산(acetic anhydride)와 50 ml 진한 염산(saturated HCl) 혼합 용액에 넣고, 6시간 동안 환류시켰다. 이 후, 무수 아세트산과 아세트산을 감압 하에서 제거한 후, 디클로로메탄(dichloromethane)과 포화 탄산수소나트륨(NaHCO3) 수용액으로 세정하고, 유기층을 무수 황산나트륨(Na2SO4)로 건조시킨 후, 농축하고, 아세톤(acetone)을 사용하여 불순물을 씻어내어 흰색 고체 상태인 중간체 (1)을 수득하였다 (5.8 g, 14 mmol, 수율 56%).
중간체 (2)의 합성
중간체 (1) (5.8 g, 14 mmol)을 디클로로메탄(dichloromethane) 100 ml에 녹이고 트리브로모보론(BBr3, 7 g, 28 mmol)을 천천히 추가한 다음, 실온에서 17시간 더 교반하고, 증류수와 디클로로메탄(dichloromethane)으로 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 무수 황산나트륨(Na2SO4)로 건조시킨 후, 농축하여 생성된 고체를 재결정(dichlromethane/ethaol)하여 흰색 고체인 중간체 (2)를 수득하였다 (5.2 g, 14 mmol, 수율 98%).
중간체 (3)의 합성
중간체 (2) (5.2 g, 14 mmol)와 트리에틸아민(triethylamine, 5.7 g, 56 mmol)를 디클로로메탄(dichloromethane) 200 ml에 녹이고 0℃로 온도를 낮춘 후, 무수 트리플릭산 (triflic anhydride, 7.9 g, 28 mmol)을 10% 염산 수용액을 가해 반응을 종료시키고 디클로로메탄(dichloromethane)으로 추출하고, 포화 탄산수소나트륨(NaHCO3) 수용액으로 세정하였다. 이로부터 수득한 유기층을 무수 황산나트륨(Na2SO4)로 건조시킨 후, 농축하여 생성된 고체를 재결정(dichlromethane/ethaol)하여 흰색 고체인 중간체 (3)를 수득하였다 (5.9 g, 9.2 mmol, 수율 65%).
화합물 5의 합성
중간체 (3) (5.9 g, 9.2 mmol), 페닐보론산(phenylboronic acid, 2.5 g, 20 mmol), 팔라듐 테트라키스트리페닐포스핀(Pd(PPh3)4, 0.46 g, 0.4 mmol)과 탄산칼륨(K2CO3, 8.3 g, 60 mmol)을 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran) 80 ml와 증류수 40 ml에 넣고 가열하여 환류시켰다. 반응 종료 후, 실온으로 냉각시키고 유기층을 에틸아세테이트(ethyl acetate)로 추출하고 무수 황산나트륨(Na2SO4)로 건조시킨 후, 농축하여 생성된 고체를 재결정(dichlromethane/acetone)하여 흰색 고체인 화합물 5를 합성하였다 (4 g, 8 mmol, 수율 87%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 500.18 g/mol, 측정치: 499.98 g/mol)
합성예 2 : 화합물 507의 합성
화합물 5 합성시 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 디벤조[b,d]퓨란-4-닐-보론산(dibenzo[b,d]furan-4-ylboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법을 이용하여 화합물 507을 합성하였다 (5.2 g, 수율 54%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 600.20 g/mol, 측정치: 600.01 g/mol)
합성예 3 : 화합물 508의 합성
화합물 5 합성시 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 벤조퓨로[3,2-c]피리딘-6-닐-보론산(benzofuro[3,2-c]fpyridin-6-ylboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법을 이용하여 화합물 508을 합성하였다 (7 g, 수율 66%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 682.19 g/mol, 측정치: 682.00 g/mol)
합성예 4 : 화합물 510의 합성
화합물 5 합성시 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 비페닐 -3-닐-보론산(biphenyl-3-ylboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법을 이용하여 화합물 510을 합성하였다 (6.3 g, 수율 88%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 652.24 g/mol, 측정치: 652.03 g/mol)
합성예 5 : 화합물 64의 합성
중간체 (4)의 합성
Figure 112014073287905-pat00118
중간체 (1) 합성시 3-메톡시-9H-잔텐-9-온 (3-methoxy-9H-xanthen-9-one) 대신 3-페닐-9H-잔텐-9-온(3-phenyl-9H-xanthen-9-one)을 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 중간체 (1), (2) 및 (3)의 제조 방법을 차례로 수행하여 중간체 (4)를 얻었다.
화합물 64의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (4)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 9-페닐 -9H-카바졸-3-닐-보론산((9-phenyl-9H-carbazol-3-ylboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 64을 합성하였다 (8 g, 수율 78%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 665.24 g/mol, 측정치: 665.11 g/mol)
합성예 6 : 화합물 425의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (4)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 3-(피리딘-3-닐)페닐보론산((3-(pyridine-3-yl)phenyl)lboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 425을 합성하였다 (5.1 g, 수율 65%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 577.20 g/mol, 측정치: 577.00 g/mol)
합성예 7 : 화합물 465의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (4)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 디벤조[b,d]퓨란-1-닐-보론산(dibenzo[b,d]furan-1-ylboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 465을 합성하였다 (7.5 g, 수율 60%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 590.19 g/mol, 측정치: 589.99 g/mol)
합성예 8 : 화합물 304의 합성
중간체 (5)의 합성
Figure 112014073287905-pat00119
중간체 (1) 합성시 3-메톡시-9H-잔텐-9-온 (3-methoxy-9H-xanthen-9-one) 대신 3-(피리딘-2-닐)-9H-잔텐-9-온(3-(pyridine-2-yl)-9H-xanthen-9-one)을 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 중간체 (1), (2) 및 (3)의 제조 방법을 차례로 수행하여, 중간체 (5)를 얻었다.
화합물 304의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (5)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 9-페닐 -9H-카바졸-3-닐-보론산((9-phenyl-9H-carbazol-3-ylboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 304를 합성하였다 (4.2 g, 수율 52%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 666.23 g/mol, 측정치: 666.05 g/mol)
합성예 9 : 화합물 468의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (5)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 디벤조[b,d]싸이오펜-1-닐-보론산(dibenzo[b,d]thiophen-1-ylboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 468을 합성하였다 (3.5 g, 수율 43%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 607.16 g/mol, 측정치: 606.98g/mol)
합성예 10 : 화합물 474의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (5)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 벤조퓨로[2,3-c]피리딘-5-닐-보론산(benzofuro[2,3-c]pyridin-5-ylboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 474을 합성하였다 (2.5 g, 수율 32%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 592.18 g/mol, 측정치: 592.01 g/mol)
합성예 11 : 화합물 16의 합성
중간체 (6)의 합성
Figure 112014073287905-pat00120
중간체 (1) 합성시 3-메톡시-9H-잔텐-9-온 (3-methoxy-9H-xanthen-9-one) 및 1-브로모-4-메톡시-2-페녹시벤젠(1-Bromo-4-methoxy-2-phenoxybenzene) 대신 3,6-디메톡시-9H-잔텐-9-온(3,6-dimethoxy-9H-xanthen-9-one) 및 1-브로모-2-페녹시벤젠(1-bromo-2-phenoxybenzene)을 각각 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 중간체 (1), (2) 및 (3)의 제조 방법을 차례로 수행하여, 중간체 (6)을 얻었다.
화합물 16의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (6)을 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 16을 합성하였다 (5.2 g, 수율 52%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 500.18 g/mol, 측정치: 499.99 g/mol)
합성예 12 : 화합물 32의 합성
중간체 (7)의 합성
Figure 112014073287905-pat00121
중간체 (1) 합성시 3-메톡시-9H-잔텐-9-온 (3-methoxy-9H-xanthen-9-one) 및 1-브로모-4-메톡시-2-페녹시벤젠(1-Bromo-4-methoxy-2-phenoxybenzene) 대신 1-메톡시-9H-싸이오잔텐-9-온(1-methoxy-9H-thioxanthen-9-one) 및 2-브로모-3-메톡시페닐페닐썰판((2-bromo-3-methoxyphenyl)(phenyl)sulfane)을 각각 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 중간체 (1), (2) 및 (3)의 제조 방법을 차례로 수행하여, 중간체 (7)을 얻었다.
화합물 32의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (7)을 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 32을 합성하였다 (3.1 g, 수율 34%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 532.13 g/mol, 측정치: 531.97 g/mol)
합성예 13 : 화합물 409의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (4)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 3-비페닐보론산(3-Biphenylboronic acid)을 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 409을 합성하였다 (6.9 g, 수율 82%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 576.21 g/mol, 측정치: 576.01 g/mol)
합성예 14 : 화합물 417의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (4)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 2-페닐-피리딘-6-보론산을 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 417을 합성하였다 (4.3 g, 수율 63%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 577.20 g/mol, 측정치: 577.01 g/mol)
합성예 15 : 화합물 433의 합성
중간체 (4) (6.0 g, 10.5 mmol), 카바졸(1.68 g, 10.5 mmol), Pd2(dba)3(0.1 g, 1.1 mmol), 트리-tert-부틸포스핀(tri-tert-butylphosphine, ttbp) 1.0 mL (50% in toluene, 2.1 mmol)과 소듐-tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide) (2.0 g, 21 mmol)을 자일렌(xylene) 100 mL에 넣은 후 145 ℃에서 가열 교반하였다. 반응 종료 후, 상온으로 냉각시키고 실리카 겔을 통과해 감압 필터하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 디클로로메탄/아세톤 조건에서 재결정을 통해 정제하여 화합물 433을 합성하였다 (5.1 g, 수율 67%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 589.20 g/mol, 측정치: 589.13 g/mol)
합성예 16 : 화합물 473의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (4)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 벤조퓨로[2,3-c]피리딘-5-닐-보론산(benzofuro[2,3-c]pyridin-5-ylboronic acid)을 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 473을 합성하였다 (5.1 g, 수율 67%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 591.18 g/mol, 측정치: 591.00 g/mol)
합성예 17 : 화합물 475의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (4)를 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 벤조티에노[2,3-c]피리딘-5-닐-보론산(benzothieno[2,3-c]pyridin-5-ylboronic acid)을 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 475를 합성하였다 (3.4 g, 수율 65%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 607.16 g/mol, 측정치: 606.98 g/mol)
합성예 18 : 화합물 486의 합성
중간체 (8)의 합성
Figure 112014073287905-pat00122
중간체 (1) 합성시 3-메톡시-9H-잔텐-9-온 (3-methoxy-9H-xanthen-9-one) 대신 3-(피리딘-4-닐)-9H-잔텐-9-온(3-(pyridine-2-yl)-9H-xanthen-9-one)을 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 중간체 (1), (2) 및 (3)의 제조 방법을 차례로 수행하여, 중간체 (8)를 얻었다.
화합물 486의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (8)을 사용하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 9-페닐 -9H-카바졸-3-닐-보론산((9-phenyl-9H-carbazol-3-ylboronic acid)를 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 486를 합성하였다. (2.9 g, 수율 44%)
MALDI-TOF Mass (계산치: 666.23 g/mol, 측정치: 666.05 g/mol)
합성예 19 : 화합물 509의 합성
중간체 (9)의 합성
Figure 112014073287905-pat00123
중간체 (1) 합성시 3-메톡시-9H-잔텐-9-온 (3-methoxy-9H-xanthen-9-one) 및 1-브로모-4-메톡시-2-페녹시벤젠(1-Bromo-4-methoxy-2-phenoxybenzene) 대신 1-메톡시-9H-잔텐-9-온(1-methoxy-9H-xanthen-9-one) 및 2-브로모-1-메톡시-3-페녹시벤젠(2-Bromo-1-methoxy-3-phenoxybenzene)을 각각 사용하였다는 점을 제외하고는 합성예 1의 중간체 (1), (2) 및 (3)의 제조 방법을 차례로 수행하여, 중간체 (9)을 얻었다.
화합물 509의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (9)을 사용하였다는 점을 제외하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 3-비페닐보론산(3-Biphenylboronic acid)을 사용하였다는 점을 제외하고는 는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 509을 합성하였다 (3.3 g, 수율 45%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 680.20 g/mol, 측정치: 680.02 g/mol)
합성예 20 : 화합물 512의 합성
중간체 (10)의 합성
Figure 112014073287905-pat00124
중간체 (9) (5.0 g, 7.76 mmol), 트리에틸아민(4.72 g, 46.6 mmol), PdCl2(dppf) (0.34 g, 0.47 mmol)을 무수 다이옥산(dioxane) 50ml에 녹인다. 피나콜보란(pinacolborane, 5.0 g, 38.8 mmol)을 가해주고 16시간동안 가열 환류시킨다. 100ml 증류수를 가해서 반응을 종료시킨 후, 디클로로메탄으로 추출한 후, 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조시키고 농축한다. 디클로로메탄에 다시 녹인 후, 짧은 실리카필터를 통과시켜 촉매를 제거하고 디클로로메탄/헥산 조합으로 침전 형성하여 중간체 (10)을 합성하였다. (2.56g, 수율 55%)
화합물 512의 합성
화합물 5 합성시 중간체 (3) 대신 중간체 (10)을 사용하였다는 점을 제외하고, 페닐보론산(phenylboronic acid) 대신 2-클로로-4,6-디페닐피리미딘(2-chloro-4,6-diphenylpyrimidine)을 사용하였다는 점을 제외하고는 는 합성예 1의 화합물 5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 512을 합성하였다. (2.1 g, 수율 37%).
MALDI-TOF Mass (계산치: 808.28 g/mol, 측정치: 808.12 g/mol)
평가예 1 : HOMO, LUMO 및 삼중항(T1) 에너지 레벨 평가
표 1의 방법에 따라 화합물 5, 16, 32, 64, 304, 409, 417, 425, 433, 465, 468, 473, 474, 475, 486, 507, 508, 509, 510, 512 및 A, B, C의 HOMO, LUMO 및 T1 에너지 레벨을 평가하여 그 결과를 표 2에 나타내었다.
HOMO 에너지 레벨 평가 방법 Cyclic voltammetry (CV) (전해질: 0.1 M Bu4NClO4 / 용매: 2-MeTHF을 / 전극: 3전극 시스템(작업전극: GC, 기준전극: Ag/AgCl, 보조전극: Pt))를 이용하여 각 화합물의 전위(V)-전류(A) 그래프를 얻을 후, 상기 그래프의 환원 온셋(reduction onset)으로부터 각 화합물의 HOMO 에너지 레벨을 계산함
LUMO 에너지 레벨 평가 방법 각 화합물을 2-MeTHF에 1x10-5M의 농도로 희석시켜, 시마즈 유브이-350 스펙트로메터(Shimadzu UV-350 Spectrometer)를 이용하여, 상온에서 UV 흡수 스펙트럼을 측정한 후, 상기 흡수 스펙트럼의 에지(edge)로부터의 광학 밴드갭(optical band gap)(Eg)를 이용하여 LUMO 에너지 레벨을 계산함
T1 에너지 레벨 평가 방법 2-MeTHFd와 각 화합물의 혼합물(2-MeTHF 3cc에 각 화합물 1mg을 녹임)을 석영 셀에 넣은 후 액체 질소(77K)에 넣고 포토루미네센스 측정기기를 이용하여 포토루미네센스 스펙트럼을 측정하고 이를 일반 상온 포토루미네센스 스펙트럼과 비교하여 저온에서만 관측되는 피크만을 분석하여 T1 에너지 레벨을 계산함
화합물 No. HOMO(eV)
(실측치)		 LUMO(eV)
(실측치)		 T1 에너지 레벨(eV)
화합물 5 -6.11 -2.22 2.81
화합물 16 -6.12 -2.16 2.80
화합물 32 -5.99 -1.85 3.05
화합물 64 -5.65 -2.12 2.78
화합물 304 -5.62 -2.40 2.73
화합물 409 -6.12 -2.24 2.77
화합물 417 -6.10 -2.45 2.65
화합물 425 -6.15 -2.33 2.77
화합물 433 -5.70 -2.30 2.81
화합물 465 -6.20 -2.35 2.70
화합물 468 -6.18 -2.48 2.68
화합물 473 -6.28 -2.70 2.73
화합물 474 -6.15 -2.48 2.67
화합물 475 -6.29 -2.60 2.78
화합물 486 -5.69 -2.45 2.68
화합물 507 -6.05 -2.42 2.62
화합물 508 -6.19 -2.62 2.66
화합물 509 -5.87 -2.22 2.79
화합물 510 -6.10 -2.26 2.74
화합물 512 -5.75 -2.78 2.62
화합물 A -5.77 -2.80 2.15
화합물 B -5.95 -2.61 2.34
<화합물 A> <화합물 B>
Figure 112014073287905-pat00125
Figure 112014073287905-pat00126
상기 표 2로부터 상기 화합물들은 유기 발광 소자용 재료로 사용하기에 적합한 전기적 특성을 가짐을 확인할 수 있다. 특정 이론에 의하여 한정되려는 것은 아니나, 상기 화합물 A 및 B는 상대적으로 낮은 T1 에너지 레벨을 갖는 바, 예를 들면, 청색 발광층 재료로 사용하기에 적절치 않음을 확인할 수 있다.
평가예 2: 열적 특성 평가
상기 화합물 5, 64, 304 및 화합물 B에 대하여 TGA(Thermo Gravimetric Analysis) 및 DSC(Differential Scanning Calorimetry)를 이용하여 열분석 (N2 분위기, 온도구간 : 상온~ 800℃ (10℃/min)-TGA ,상온에서 400℃까지-DSC, Pan Type : Pt Pan in 일회용 Al Pan(TGA) , 일회용 Al pan(DSC))을 수행하여 그 결과를 표 3에 분해 온도로 정리하였다. 표 3에 따르면, 화합물 5, 64, 및 304는 화합물 B에 대비 우수한 열안정성을 가짐을 확인할 수 있다.
화합물 No. 분해시작 온도 (℃)
5 309
64 380
304 372
B 281
실시예 1
1500Å 두께의 ITO (Indium tin oxide)전극(제1전극, 애노드)이 형성된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 진공 층착기로 상기 기판을 이송하였다.
상기 유리 기판의 ITO 전극 상에 화합물 NPB를 진공 증착하여 1200Å 두께의 정공 수송층을 형성하고, 상기 정공 수송층 상에 mCP를 증착하여 100Å 두께의 전자 저지층을 형성하여, 정공 수송 영역을 형성하였다.
상기 정공 수송 영역 상에 상기 화합물 5(호스트) 및 화합물 FIr6(도펀트, 10wt%)를 공증착하여 300Å 두께의 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 상에 TmPyPB을 진공 증착하여 100Å 두께의 정공 저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 상에 Alq3를 진공 증착하여 250Å 두께의 전자 수송층을 형성한 다음, 상기 전자 수송층 상에 LiF를 증착하여 5Å 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상에 1000Å 두께의 Al 제2전극(캐소드)를 형성함으로써, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure 112014073287905-pat00127
Figure 112014073287905-pat00128
Figure 112014073287905-pat00129
Figure 112014073287905-pat00130
실시예 2
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 16을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 32를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 4
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 64를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 5
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 304를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 6
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 409를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 7
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 417을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 8
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 425를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 9
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 433을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 10
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 465를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 11
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 468을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 12
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 473을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 13
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 474를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 14
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 475를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 15
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 486을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 16
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 507을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 17
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 508을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 18
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 509를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 19
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 510을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 20
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 512를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 1
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 A를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 2
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 B를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 3
발광층 형성시 호스트로서 화합물 5 대신 화합물 C를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
<화합물 C>
Figure 112014073287905-pat00131

평가예 3: 유기 발광 소자의 특성 평가
실시예 1 내지 20 및 비교예 1 내지 3에서 제조된 각각의 유기 발광 소자에 대하여 Kethley SMU 236 및 휘도계 PR650를 이용하여 구동 전압, 전류 효율 및 휘도를 측정하여, 실시예 2 내지 20 및 비교예 1 내지 3의 구동 전압 및 전류 효율을, 실시예 1의 유기 발광 소자의 구동 전압 및 전류 효율을 각각 "100"으로 나타내었을 때, 이에 대한 상대값으로 환산하여 표 4에 나타내었다. 한편, 표 4 중 수명(T95)은, 500nit 하의 초기 휘도를 100%라 할 때, 구동 후 휘도가 95%가 되는데 걸리는 시간(hr)을 측정한 것이다. 표 4 중 실시예 2 내지 20 및 비교예 1 내지 3의 수명(T95)은, 실시예 1의 유기 발광 소자의 수명(T95)을 "100"으로 나타내었을 때, 이에 대한 상대값으로 환산하여 나타내었다.
호스트 도펀트 구동전압
(V)
(상대값)		 효율
(cd/A)
(상대값)		 T95
(hr)
(상대값)
실시예 1 화합물 5 FIr6 100 100 100
실시예 2 화합물 16 FIr6 105 92 97
실시예 3 화합물 32 FIr6 110 95 88
실시예 4 화합물 64 FIr6 89 105 121
실시예 5 화합물 304 FIr6 85 107 110
실시예 6 화합물 409 FIr6 82 97 105
실시예 7 화합물 417 FIr6 83 98 99
실시예 8 화합물 425 FIr6 80 101 96
실시예 9 화합물 433 FIr6 92 109 93
실시예 10 화합물 465 FIr6 97 97 94
실시예 11 화합물 468 FIr6 103 97 90
실시예 12 화합물 473 FIr6 102 95 92
실시예 13 화합물 474 FIr6 100 93 89
실시예 14 화합물 475 FIr6 112 93 80
실시예 15 화합물 486 FIr6 95 101 93
실시예 16 화합물 507 FIr6 110 99 97
실시예 17 화합물 508 FIr6 108 102 92
실시예 18 화합물 509 FIr6 112 92 89
실시예 19 화합물 510 FIr6 81 105 103
실시예 20 화합물 512 FIr6 119 89 75
비교예 1 화합물 A FIr6 123 72 67
비교예 2 화합물 B FIr6 120 75 72
비교예 3 화합물 C FIr6 113 78 75
상기 표 4로부터, 실시예 1 내지 20의 유기 발광 소자는 비교예 1 내지 3의 유기 발광 소자에 비하여, 저구동 전압, 고효율 및 장수명을 가짐을 확인할 수 있다. 특정 이론에 의하여 한정되려는 것은 아니나, 화합물 C는 큰 분자량(1121.37g/mol)을 가져 상대적으로 높은 증착 온도를 갖고, 카바졸과 코어 사이에 4개의 C-N 결합을 가지므로, 상대적으로 높은 구동 전압과 낮은 수명을 가질 수 있다.
10: 유기 발광 소자
11: 제1전극
15: 유기층
19: 제2전극

Claims (21)

  1. 하기 화학식 1(4)로 표시되는 축합환 화합물:
    <화학식 1(4)>
    Figure 112020135644469-pat00225

    상기 화학식 1(4) 중,
    X1은 O 또는 S이고;
    X2는 C, Si 또는 Ge이고;
    고리 A1은 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;
    R2 내지 R4은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 -B(Q6)(Q7) 중에서 선택되고;
    a2, a3 및 a4는 서로 독립적으로, 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고, a2가 2 이상일 경우 2 이상의 R2는 서로 동일하거나 상이하고, a3가 2 이상일 경우 3 이상의 R3는 서로 동일하거나 상이하고, a4가 2 이상일 경우 2 이상의 R4는 서로 동일하거나 상이하고;
    상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는,
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
    -N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;
    상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서,
    X2는 C인, 축합환 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    고리 A1은,
    시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기(phenyl), 펜탈레닐기(pentalenyl), 인데닐기(indenyl), 나프틸기(naphthyl), 아줄레닐기(azulenyl), 헵탈레닐기(heptalenyl), 인다세닐기(indacenyl), 아세나프틸기(acenaphthyl), 플루오레닐기(fluorenyl), 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기(phenalenyl), 페난트레닐기(phenanthrenyl), 안트라세닐기(anthracenyl), 플루오란트레닐기(fluoranthrenyl), 트리페닐레닐기(triphenylenyl), 파이레닐기(pyrenyl), 크라이세닐기(chrysenyl), 나프타세닐기(naphthacenyl), 피세닐기(picenyl), 페릴레닐기(perylenyl), 펜타페닐기(pentaphenyl), 헥사세닐기(hexacenyl), 피롤일기(pyrrolyl), 이미다졸일기(imidazolyl), 피라졸일기(pyrazolyl), 피리디닐기(pyridinyl), 피라지닐기(pyrazinyl), 피리미디닐기(pyrimidinyl), 피리다지닐기(pyridazinyl), 이소인돌일기(isoindolyl), 인돌일기(indolyl), 인다졸일기(indazolyl), 푸리닐기(purinyl), 퀴놀리닐기(quinolinyl), 이소퀴놀리닐기(isoquinolinyl), 벤조퀴놀리닐기(benzoquinolinyl), 프탈라지닐기(phthalazinyl), 나프티리디닐기(naphthyridinyl), 퀴녹살리닐기(quinoxalinyl), 퀴나졸리닐기(quinazolinyl), 시놀리닐기(cinnolinyl), 카바졸일기(carbazolyl), 페난트리디닐기(phenanthridinyl), 아크리디닐기(acridinyl), 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl), 페나지닐기(phenazinyl), 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 벤조이미다졸일기(benzoimidazolyl), 푸라닐기(furanyl), 벤조푸라닐기(benzofuranyl), 티오페닐기(thiophenyl), 벤조티오페닐기(benzothiophenyl), 티아졸일기(thiazolyl), 이소티아졸일기(isothiazolyl), 벤조티아졸일기(benzothiazolyl), 이소옥사졸일기(isoxazolyl), 옥사졸일기(oxazolyl), 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기(oxadiazolylene), 트리아지닐기(triazinyl), 디벤조푸라닐기(dibenzofuranyl), 디벤조티오페닐기(dibenzothiophenyl), 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디미디닐기, 이미다조피리디닐기, 피리도인돌일기(pyridoindolyl), 벤조푸로피리디닐기(benzofuropyridinyl), 벤조티에노피리디닐기(benzothienopyridinyl), 피리미도인돌일기(pyrimidoindolyl), 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기(pyridobenzooxazinyl) 및 피리도벤조티아지닐기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란트레닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조옥사졸일기, 벤조이미다졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 벤조티아졸일기, 이소옥사졸일기, 옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디미디닐기, 이미다조피리디닐기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 중에서 선택되고,
    상기 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
    수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기;
    중에서 선택된, 축합환 화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    고리 A1은,
    페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 중에서 선택되고,
    상기 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
    수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기;
    중에서 선택된, 축합환 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 R2 내지 R4는 서로 독립적으로,
    수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
    시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란트레닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조옥사졸일기, 벤조이미다졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 벤조티아졸일기, 이소옥사졸일기, 옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디미디닐기, 이미다조피리디닐기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란트레닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조옥사졸일기, 벤조이미다졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 벤조티아졸일기, 이소옥사졸일기, 옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디미디닐기, 이미다조피리디닐기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 및
    -N(Q1)(Q2) 및 -Si(Q3)(Q4)(Q5); 중에서 선택되고,
    상기 Q1 내지 Q5 및 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
    수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기;
    중에서 선택된, 축합환 화합물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 R2 내지 R4는 서로 독립적으로,
    수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염 및 인산기 또는 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
    페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리도인돌일기, 벤조푸로피리디닐기, 벤조티에노피리디닐기, 피리미도인돌일기, 벤조푸로피리미디닐기, 벤조티에노피리미디닐기, 페녹사지닐기, 피리도벤조옥사지닐기 및 피리도벤조티아지닐기; 및
    -N(Q1)(Q2) 및 -Si(Q3)(Q4)(Q5); 중에서 선택되고,
    상기 Q1 내지 Q5 및 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
    수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기;
    중에서 선택된, 축합환 화합물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 고리 A1이 하기 화학식 2-1 내지 2-54로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
    상기 R2 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 하기 화학식 2-1 내지 2-59로 표시되는 그룹 중에서 선택되는, 축합환 화합물:
    Figure 112020135644469-pat00133

    Figure 112020135644469-pat00134

    Figure 112020135644469-pat00135

    Figure 112020135644469-pat00136

    Figure 112020135644469-pat00137

    Figure 112020135644469-pat00138

    상기 화학식 2-1 내지 2-59 중
    Y11은 O, S, N(Z3) 또는 C(Z3)(Z4)이고,
    Y12는 단일 결합, O, S, N(Z5) 또는 C(Z5)(Z6)이고,
    Z1 내지 Z6는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기, 퀴나졸리닐기, -N(Q31)(Q32) 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중에서 선택되고,
    상기 Q1 내지 Q5 및 Q31 내지 Q35는 서로 독립적으로,
    수소, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고,
    b2는 1 또는 2이고, b3는 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고, b4는 1 내지 4의 정수 중에서 선택되고, b5는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고, b6는 1 내지 6의 정수 중에서 선택되고,
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 화학식 2-34 내지 2-39 중 Y11은 O, S 또는 N(Z3)이고, Y12는 단일 결합 또는 O인, 축합환 화합물.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 고리 A1이 하기 화학식 2-1 내지 2-10 및 2-35 내지 2-54로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
    상기 R2 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 하기 화학식 2-1 내지 2-10 및 2-35 내지 2-54로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
    상기 화학식 2-1 내지 2-10 및 2-35 내지 2-54 중
    Y11은 O, S 또는 N(Z3)이고,
    Y12는 단일 결합 또는 O이고,
    Z1 내지 Z6는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중에서 선택되고,
    상기 Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로,
    C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고,
    b2 내지 b6는 서로 독립적으로 1 또는 2이고,
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트인, 축합환 화합물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 고리 A1이 하기 화학식 3-1 내지 3-121로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
    상기 R2 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, 상기 Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, 페닐기, 페닐기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기 중에서 선택됨) 및 하기 화학식 3-1 내지 3-131로 표시되는 그룹 중에서 선택되는, 축합환 화합물:
    Figure 112020135644469-pat00139

    Figure 112020135644469-pat00140

    Figure 112020135644469-pat00141

    Figure 112020135644469-pat00142

    Figure 112020135644469-pat00143

    Figure 112020135644469-pat00144

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    Figure 112020135644469-pat00148

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    Figure 112020135644469-pat00150

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    Figure 112020135644469-pat00153
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 하기 화합물들 중 하나인, 축합환 화합물:
    Figure 112021051673223-pat00272

    Figure 112021051673223-pat00273

    Figure 112021051673223-pat00274

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    Figure 112021051673223-pat00280

    Figure 112021051673223-pat00281

    Figure 112021051673223-pat00282

    Figure 112021051673223-pat00283

    Figure 112021051673223-pat00284

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    Figure 112021051673223-pat00287
    Figure 112021051673223-pat00288

    Figure 112021051673223-pat00289

    Figure 112021051673223-pat00290

    Figure 112021051673223-pat00291

    Figure 112021051673223-pat00292

    Figure 112021051673223-pat00293

    Figure 112021051673223-pat00294

    Figure 112021051673223-pat00295

    Figure 112021051673223-pat00296

    Figure 112021051673223-pat00297

    Figure 112021051673223-pat00298

    Figure 112021051673223-pat00299

    Figure 112021051673223-pat00300

    Figure 112021051673223-pat00301

    Figure 112021051673223-pat00302

    Figure 112021051673223-pat00303
    .
  17. 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 발광층을 포함하고, 제1항 내지 제10항 및 제16항 중 어느 한 항의 화학식 1(4)로 표시되는 축합환 화합물을 1종 이상 포함한 유기층;을 포함한, 유기 발광 소자.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1전극은 애노드이고, 상기 제2전극은 캐소드이고, 상기 유기층은, i) 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되고, 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역; 및 ii) 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역;을 포함한, 유기 발광 소자.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 축합환 화합물이 상기 발광층에 포함되어 있는, 유기 발광 소자.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 발광층이 인광 도펀트를 더 포함하고, 상기 발광층 중 상기 축합환 화합물은 호스트의 역할을 하는, 유기 발광 소자.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 인광 도펀트가 하기 화학식 81로 표시되는 유기금속 화합물을 포함한, 유기 발광 소자:
    <화학식 81>
    Figure 112014073287905-pat00223

    상기 화학식 81 중,
    M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 또는 톨륨(Tm)이고;
    Y1 내지 Y4는 서로 독립적으로, 탄소(C) 또는 질소(N)이고;
    Y1과 Y2는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고, Y3와 Y4는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고;
    CY1 및 CY2는 서로 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 인덴, 피롤, 티오펜, 퓨란(furan), 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸(isooxazole), 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 카바졸, 벤조이미다졸, 벤조퓨란(benzofuran), 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 트리아진, 디벤조퓨란(dibenzofuran) 및 디벤조티오펜 중에서 선택되고, CY1과 CY2는 선택적으로(optionally), 단일 결합 또는 유기 연결기(organic linking group)를 통하여 서로 결합되고;
    R81 및 R82는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, -SF5, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 -B(Q6)(Q7) 중에서 선택되고;
    a81 및 a82는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고;
    n81은 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고;
    n82는 1, 2 또는 3이고;
    L81은 1가 유기 리간드, 2가 유기 리간드 또는 3가 유기 리간드이다.
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WO2013139431A1 (de) * 2012-03-23 2013-09-26 Merck Patent Gmbh 9,9'-spirobixanthenderivate für elektrolumineszenzvorrichtungen

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