KR20180062561A - 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
[화학식 1]
Description
본 발명은 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display)의 개발이 활발히 이루어지고 있다. 유기 전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치 등과는 다르고, 제1 전극 및 제2 전극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에서 재결합시킴으로써, 발광층에 포함되는 유기 화합물인 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 장치이다.
유기 전계 발광 소자로서는, 예를 들어, 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 정공 수송층, 정공 수송층 상에 배치된 발광층, 발광층 상에 배치된 전자 수송층 및 전자 수송층 상에 배치된 제2 전극으로 구성된 유기 소자가 알려져 있다. 제1 전극으로부터는 정공이 주입되고, 주입된 정공은 정공 수송층을 이동하여 발광층으로 주입된다. 한편, 제2 전극으로부터는 전자가 주입되고, 주입된 전자는 전자 수송층을 이동하여 발광층으로 주입된다. 발광층으로 주입된 정공과 전자가 재결합함으로써, 발광층 내에서 여기자가 생성된다. 유기 전계 발광 소자는 그 여기자가 다시 바닥상태로 떨어질 때 발생하는 광을 이용하여 발광한다. 또한, 유기 전계 발광 소자는 이상에 설명한 구성에 한정되지 않고, 여러 가지의 변경이 가능하다.
본 발명의 목적은 높은 발광 효율의 유기 전계 발광 소자에 사용될 수 있는 다환 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 높은 발광 효율의 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, X는 C, Si, Ge, 또는 Sn이고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 O, S, CR6R7, SiR8R9, GeR10R11, 또는 SnR12R13이고, R1 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, Q1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고, n3 내지 n5는 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이고, m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 또는 1 의 정수이고, X가 C 또는 Si일 때, m1 및 m2 중 적어도 하나는 1이다.
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서, A는 C, Si, Ge, 또는 Sn이고, R14 및 R15은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, Q2는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, n6 및 n7은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고, m3는 0 또는 1의 정수이다.
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
[화학식 3-4]
[화학식 3-5]
[화학식 3-6]
상기 화학식 3-1 내지 3-6에서 A1 및 A2는 각각 독립적으로 C, Si, Ge, 또는 Sn이고, A3 및 A4는 각각 독립적으로 O, S, CR20R21, SiR22R23, GeR24R25, 또는 SnR26R27이고, R16 내지 R27은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, Q2 및 Q3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, Z는 Ge, 또는 Sn이고, n6 내지 n9은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.
X, Q1, R1 내지 R5, 및 n1 내지 n5는 앞서 정의한 바와 동일하다.
R20 내지 R27은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기인 것일 수 있다.
Q1 내지 Q3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기인 것일 수 있다.
X는 C, Si 또는 Ge인 것일 수 있다.
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 CR6R7, 또는 SiR8R9인 것일 수 있다. R6 내지 R9는 앞서 정의한 바와 동일하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 제공된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 제공된 발광층, 상기 발광층 상에 제공된 전자 수송 영역, 상기 전자 수송 영역 상에 제공된 제2 전극을 포함한다. 상기 정공 수송 영역은 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함한다.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층 및 상기 정공 주입층 상에 배치되는 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하는 것일 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층, 상기 정공 주입층 상에 배치되는 정공 수송층 및 상기 정공 수송층 상에 배치되는 전자 저지층을 포함하고, 상기 전자 저지층은 상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하는 것일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면 및 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서, 
는 연결되는 부위를 의미한다.
본 명세서에서, "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 실릴기, 붕소기, 아릴 아민기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 아릴기 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 비페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성"한다는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다. 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 및 방향족 탄화수소 고리를 포함한다. 헤테로 고리는 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리를 포함한다. 탄화수소 고리 및 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. 또한, 인접하는 기와 서로 결합하여 형성된 고리는 다른 고리와 연결되어 스피로 구조를 형성하는 것일 수도 있다.
본 명세서에서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentene)에서 2개의 에틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 15 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n- 부틸기, s- 부틸기, t- 부틸기, i- 부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기, 섹시페닐기, 트리페닐렌기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다.
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 이종 원소로 O, N, P, S, Si 및 Ge 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하 또는 2 이상 20 이하이다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 페녹사질기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난트롤린기, 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 실릴기는 알킬 실릴기 및 아릴 실릴기를 포함한다. 실릴기의 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 붕소기는 알킬 붕소기 및 아릴 붕소기를 포함한다. 붕소기의 예로는 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아민기는 알킬 아민기 및 아릴 아민기를 포함할 수 있다. 아민기의 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 페닐아민기, 디페닐아민기, 나프틸아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물에 대해 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
화학식 1에서 X는 C, Si, Ge, 또는 Sn이다. X는 C 또는 Si일 수 있다.
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 O, S, CR6R7, SiR8R9, GeR10R11, 또는 SnR12R13이다. Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 CR6R7, 또는 SiR8R9일 수 있다.
R1 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다. 또는, R1 내지 R13은 각각 독립적으로 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, R6는 인접하는 R7과 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, R8은 인접하는 R9과 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. R1 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기일 수 있다. R1 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다. n3 내지 n5는 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이다. n1 내지 n5는 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다. n1 내지 n5는 모두 동일하게 0인 것일 수 있다. n1 내지 n5가 모두 동일하게 0일 경우, R1 내지 R5가 모두 수소일 경우와 실질적으로 동일할 수 있다.
n1이 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n2가 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n3가 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R3는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n4가 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n5가 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R5는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
Q1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다. Q1은 치환 또는 비치환된 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, Q1은 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. Q1은 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있다.
m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 또는 1 의 정수이다. X가 C 또는 Si 일 때, m1 및 m2 중 적어도 하나는 1이다. X가 C 또는 Si 일 때, m1이 0일 경우, m2는 1 의 정수이다. X가 C 또는 Si일 때, m1이 1일 경우, m2는 0 또는 1 의 정수이다. X가 C 또는 Si 일 때, m1 및 m2가 모두 0일 경우는 제외된다. X가 Ge 또는 Sn일 때, m1 및 m2는 모두 0일 수도 있다.
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
화학식 2에서, A는 C, Si, Ge, 또는 Sn 일 수 있다. A는 C, 또는 Si 일 수 있다.
R14 및 R15은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기일 수 있다. 또는, R14 및 R15은 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
n6 및 n7은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다. n6 및 n7은 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다.
Q2는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. Q2는 치환 또는 비치환된 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, Q2는 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
m3는 0 또는 1의 정수일 수 있다. m3가 0일 경우, Y1 및 Y2는 치환 또는 비치환된 페닐기가 C 또는 Si에 2치환된 구조일 수 있다. m3가 1일 경우, Y1 및 Y2는 치환 또는 비치환된 아크리딘(Acridine) 또는 치환 또는 비치환된 페나자실린(Phenazasiline) 구조를 가질 수 있다.
화학식 2로 표시되는 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
A, R14, R15, 및 Q2는 화학식 2에 대한 설명에서 정의한 바와 동일하다.
화학식 2로 표시되는 Y1 및 Y2에 대하여, m3가 1일 경우 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 화학식 2-1로 표시되는 것일 수 있다. m3가 0일 경우 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 화학식 2-2로 표시되는 것일 수 있다.
Y1 및 Y2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, Y1 및 Y2는 모두 화학식 2-1로 표시되는 것일 수 있다. 또는, Y1은 화학식 2-1로 표시되고, Y2는 화학식 2-2로 표시되는 것일 수 있다. Y1 및 Y2는 모두 화학식 2-2로 표시되는 것일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
[화학식 3-4]
[화학식 3-5]
[화학식 3-6]
화학식 3-1 내지 3-6에서, X, Q1, R1 내지 R5, 및 n1 내지 n5는 앞서 정의한 바와 동일하다.
A1 및 A2는 각각 독립적으로 C, Si, Ge, 또는 Sn일 수 있다. A1 및 A2는 각각 독립적으로 C 또는 Si일 수 있다. A1 및 A2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, A1 및 A2는 모두 C일 수 있다. 또는, A1은 C이고, A2는 Si인 것일 수 있다.
A1 및 A2는 X와 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, A1, A2 및 X는 모두 동일하게 C이거나, 동일하게 Si인 것일 수 있다. 또는, X는 Si이고, A1 및 A2는 C인 것일 수 있다.
A3 및 A4는 각각 독립적으로 O, S, CR20R21, SiR22R23, GeR24R25, 또는 SnR26R27일 수 있다. A3 및 A4는 각각 독립적으로 O, S, CR18R19, 또는 SiR20R21일 수 있다. A3 및 A4는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
R16 내지 R27은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기일 수 있다. 또는, R16 내지 R27은 각각 독립적으로 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, 서로 인접하는 R18 및 R19은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있다.
R16 내지 R27은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, R14 내지 R25 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. 예를 들어, R14 및 R15는 비치환된 메틸기일 수 있다. R16 내지 R27은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
Z는 Ge 또는 Sn일 수 있다. Z는 Ge일 수 있다.
n6 내지 n9은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다. n6가 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R16은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n7이 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R17은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n8이 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R19은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. n9이 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R20은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
Q2 및 Q3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. Q2 및 Q3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, Q2 및 Q3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
Q1 내지 Q3는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, Q1 내지 Q3는 모두 동일하게 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기일 수 있다. Q1 내지 Q3는 모두 동일하게 비치환된 페닐기일 수 있다. 또는, Q1 내지 Q3는 모두 동일하게 메틸기로 1치환된 페닐기일 수도 있다.
화학식 1에서, m1 및 m2가 모두 1일 경우, 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 화학식 3-2, 3-3 및 3-4로 표시되는 것일 수 있다. 화학식 1에서, m1 및 m2 중 어느 하나가 1이고 다른 하나는 0일 경우, 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 화학식 3-1 또는 3-6으로 표시되는 것일 수 있다.
화학식 1에서 X가 Ge 또는 Sn일 경우, m1 및 m2는 모두 0일 수 있다. 화학식 1에서 X가 Ge 또는 Sn일 경우, 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 화학식 3-6으로 표시되는 것일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[화합물군 1]
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 유기 전계 발광 소자에 적용되었을 때, 높은 발광 효율 및 낮은 구동 전압을 확보할 수 있다.
구체적으로, 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 높은 최저 삼중항 여기 에너지(T1) 및 높은 HOMO 궤도 에너지를 가진다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 유기 전계 발광 소자의 정공 수송 영역에 배치되어, 높은 정공 수송성을 가져 정공 수송이 효율적으로 이루어지고, 발광층에서 발생한 삼중항 여기자가 정공 수송 영역 쪽으로 확산되는 것을 억제하여, 유기 전계 발광 소자의 높은 발광 효율을 확보할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물과의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물에 따른다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(10)는 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)가 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
이하에서는, 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물인 정공 수송 영역(HTR)에 포함되는 것을 예를 들어 설명한다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 제공된 1층 이상의 유기층 중 적어도 하나의 층에 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 정공 수송 영역(HTR)에 하기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함한다. 정공 수송 영역(HTR)은 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 1종 또는 2종 이상 포함할 수 있다.
[화학식 1]
화학식 1에서 X, R1 내지 R5, Q1, Y1, Y2, n1 내지 n5, m1, 및 m2에 관한 구체적인 설명은 전술한 바와 동일하므로 생략한다.
화학식 1로 표시되는 다환 화합물에 관한 구체적인 설명은 전술한 설명이 그대로 적용될 수 있는 바, 생략하도록 한다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)의 두께는 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질과 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(AN)로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층, 정공 주입층(HIL)/정공 버퍼층, 정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(EBL)의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 정공 수송 재료로써 포함할 수 있다. 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함하는 층은 발광층(EML)에 인접한 층일 수 있다. 구체적으로, 도 2와 같이 정공 수송 영역(HTR)에서 정공 수송층(HTL)이 발광층(EML)에 인접할 경우, 정공 수송층(HTL)이 본 발명의 일 실시에에 따른 다환 화합물을 포함할 수 있다. 이와 달리, 도 3과 같이 정공 수송 영역(HTR)에서 정공 수송층(HTL) 상에 전자 저지층(EBL)을 더 포함할 경우, 전자 저지층(EBL)이 본 발명의 일 실시에에 따른 다환 화합물을 포함할 수 있다. 정공 수송층(HTL) 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나는 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 1종 또는 2종 이상 포함할 수 있다. 정공 수송층(HTL) 및 전자 저지층(EBL)은 화학식 1로 표시되는 다환 화합물 이외 공지의 재료를 더 포함할 수 있다.
정공 수송층(HTL) 또는 전자 저지층(EBL)이 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함하는 경우, 정공 주입층(HIL)은 예를 들어, 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diplienyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HAT-CN(1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile) 등을 포함할 수도 있다.
정공 수송층(HTL)이 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함하지 않고, 예를 들어 전자 저지층(EBL)이 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함할 경우, 정공 수송층(HTL)은 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl) 등을 포함할 수도 있다.
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 모두 포함하면, 정공 주입층(HIL)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 30Å 내지 약 1000Å 일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 정공 버퍼층 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 정공 버퍼층에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층(EBL)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)의 두께는 예를 들어, 약 100Å 내지 약 300Å인 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 레드광, 그린광, 블루광, 화이트광, 옐로우광, 시안광 중 하나를 발광하는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 예를 들어 10 nm 이상 60 nm 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다.
호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(N-vinylcabazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide) 등을 사용할 수도 있다.
도펀트는 예를 들어, 스티릴 유도체(예를 들어, 1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4’-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi), 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2,5,8,11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1,1-dipyrene, 1,4-dipyrenylbenzene, 1,4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등의 도펀트를 포함할 수 있다.
발광층(EML)이 레드광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex), 루브렌(rubrene) 및 그 유도체 및 4-디시아노메틸렌-2-(p-디메틸아미노스티릴)-6-메틸-4H-피란(DCM) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 그린광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex) 및 쿠머린(coumarin) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 블루광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex), 페릴렌(perlene) 및 그 유도체, ACRSA(10-Phenyl-10H,10'H-spiro[acridine-9,9'-anthracen]-10'-one) 등에서 선택할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL) 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층(ETL)들의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함할 경우, Al, Ag, Li, Mg 및 Ca 등의 금속 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 주입층(EIL)에는 LiF, LiQ(Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(EIL)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)가 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소 시킬 수 있다.
유기 전계 발광 소자(10)에서, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)에 각각 전압이 인가됨에 따라 제1 전극(EL1)으로부터 주입된 정공(hole)은 정공 수송 영역(HTR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동되고, 제2 전극(EL2)로부터 주입된 전자가 전자 수송 영역(ETR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동된다. 전자와 정공은 발광층(EML)에서 재결합하여 여기자(exciton)을 생성하며, 여기자가 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발광하게 된다.
유기 전계 발광 소자(10)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 전계 발광 소자(10)가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 반사형 전극일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하여, 높은 발광 효율 및 낮은 구동 전압을 확보할 수 있다. 구체적으로, 화학식 1로 표시되는 유기 전계 발광 소자에서 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 발광층에 인접한 정공 수송 영역에 포함된다. 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 발광층에 인접하는 정공 수송 재료로 사용할 경우, 높은 정공 수송성을 확보함과 동시에, 발광층에서 발생한 삼중항 여기자가 정공 수송 영역 쪽으로 확산되는 것을 억제하여, 유기 전계 발광 소자의 높은 발광 효율 및 낮은 구동 전압을 확보할 수 있다.
이하, 구체적인 제조 방법, 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 예를 들어 하기와 같이 합성할 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
(합성예)
1. 화합물 1의 합성
(화합물 A의 합성)
아르곤(Ar) 분위기하, -78℃로 냉각한 2,2’-dibromo-triphenylamine 4.0g을 포함하는 100ml THF용액에 1.6 mol/L의 n-BuLi을 포함하는 Hexane용액 15 ml을 더하고 1시간동안 교반했다. 10-phenylacridone 5.5g을 포함하는 50ml THF용액을 냉각시키며 1시간동안 적하하고, 그 후 실온에서 6시간동안 교반했다. 얻어진 반응액에 산화 암모늄 수용액을 첨가해, 진공농축한 잔사를 methylene chloride에 용해하고, 칼럼 크로마토그래피로 정제하고, 백색 분말의 화합물 A 5.0g (수율 64%)을 얻었다.
(화합물 1의 합성)
화합물 A의 5.0g을 포함하는 톨루엔 용액을 폴리인산의 존재하 60℃로 6시간 가열하고, 냉각후 물-다이클로로메테인으로 추출하고, 유기층을 감압농축한 잔사를 칼럼크로마토그래피로 정제하고, 백색 분말의 화합물 1 2.4g (수율 49%)을 얻었다. FAB－MS 측정에 의해 측정된 화합물 1의 분자량은 751이었다. 상기 결과를 통해, 백색 고체의 화합물이 화합물 1임을 확인할 수 있었다.
2. 화합물 2의 합성
(화합물 B의 합성)
아르곤 분위기하에서 -78도로 냉각한 2,2'-dibromo-triphenylamine 3.0g의 100ml THF용액에, 1.6mol/L의 n-BuLi헥산 용액 9.34 ml를 더해 1시간 교반했다. tetramethoxysilane 1.5g의 THF10 ml용액을 한꺼번에 더해, 실온에 승온후 24시간 교반했다. 얻어진 반응액에 에탄올을 첨가해서 반응을 정지하고, 지쿠로로메탄과 물로 추출후, 감압 농축에 의해 용매와 과잉의 tetraethoxysilane를 유거하고, 무색의 oil 2.0 g (수율 80%)을 얻었다. 이 oil을 다음 반응에 그대로 사용했다.
(화합물 2의 합성)
아르곤 분위기하에서 -78도로 냉각한 2,6,2',2''-tetrabromo-triphenylamine 1.5g의 100ml THF용액에, 1.6 mol/L의 n-BuLi헥산 용액 7.20 ml를 더해 1시간 교반했다. B 2.0g을 적하하고, 실온에 승온후 24시간 교반했다. 얻어진 반응액에 에탄올을 첨가해서 반응을 정지하고, 지쿠로로메탄과 물로 추출후, 유기층을 감압 농축, 잔사를 칼럼크로마토그래피에 의해 정제하고, 백색 결정의 oil 0.63g (수율 28%)을 얻었다.
3. 화합물 12의 합성
(화합물 C의 합성)
아르곤(Ar) 분위기하, 10,10’-DiphenylDihydroacridine 4.0g, o-Iodo-Bromobenzene 3.7 g, 초산팔라듐0.135 g, Xantphos 0.35 g, NaOtBu 2.31 g, Toluene 100ml을 8시간 환류하고, 냉각후 반응액을 여과, 농축하고, 칼럼크로마토그래피로 정제하고 백색 분말의 화합물 C 4.1 g(수율 70%)을 얻었다.
(화합물 D의 합성)
아르곤(Ar) 분위기하, -78℃으로 냉각한 화합물 C 4.0 g을 포함하는 100ml THF 용액에, 1.6 mol/L의 n-BuLi을 포함하는 Hexane용액 7 ml을 첨가해 1시간 교반했다. 10-phenylacridone 5.7g을 포함하는 50ml THF용액을 냉각시키며 1시간동안 적하하고, 그 후 실온에서 6시간 교반했다. 얻어진 반응액에 산화 암모늄수용액을 첨가해, 진공농축한 잔사를 methylene chloride에 용해하고, 칼럼크로마토그래피로 정제하고, 백색 분말의 화합물 D 5.2g (수율 64%)을 얻었다.
(화합물 12의 합성)
화합물 D의 5.0g의 톨루엔 용액을 폴리인산의 존재하 60℃로 6시간 가열하고, 냉각후 물-다이클로로메테인으로 추출하고, 유기층을 감압농축한 잔사를 칼럼크로마토그래피로 정제하고, 백색 분말의 화합물 12 4.6g (수율 93%)을 얻었다. FAB－MS 측정에 의해 측정된 화합물 12의 분자량은 662이었다. 상기 결과를 통해, 백색 고체의 화합물이 화합물 12임을 확인할 수 있었다.
4. 화합물 19의 합성
아르곤 분위기하에서 -78도로 냉각한 2,2'-dibromo-triphenylamine 3.0g의 100ml THF용액에, 1.6 mol/L의 n-BuLi 헥산 용액 9.34 ml를 더해 1시간 교반했다. 염화 게르마늄 0.5 ml냉각하 1시간으로 적하하고, 실온에 승온후 24시간 교반했다. 얻어진 반응액에 에탄올, 염화 암모니아수용액을 첨가해서 반응을 정지하고, 감압 농축한 잔사를 지쿠로로메탄에 용해하고, 칼럼크로마토그래피에서 정제하고, 백색의 중간체 10.63g (수율 30%)을 얻었다.
(소자 작성예)
상술한 화합물 1, 2, 12, 및 19를 전자 저지층 재료로 사용하여 실시예 1 내지 4의 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
[실시예 화합물]
하기 비교예 화합물 c1 내지 c4를 전자 저지층 재료로 사용하여 비교예 1 내지 4의 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
[비교예 화합물]
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 유기 전계 발광 소자는 ITO로 150nm 두께의 제1 전극을 형성하고, HAT-CN(1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile)로 10nm 두께의 정공 주입층을 형성하고, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diplienyl-benzidine)로 80nm 두께의 정공 수송층을 형성하고, 실시예 화합물 또는 비교예 화합물로 5nm 두께의 전자 저지층을 형성하고, DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide)에 ACRSA(10-Phenyl-10H,10'H-spiro[acridine-9,9'-anthracen]-10'-one)을 18% 도핑한 20nm 두께의 발광층을 형성하고, DPEPO로 10nm의 정공 저지층을 형성하고, 1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl) benzene(TPBi)로 30nm 두께의 전자 수송층을 형성하고, Lithium fluoride(LiF)로 0.5nm 두께의 전자 주입층을 형성하고, Al로 100nm 두께의 제2 전극을 형성하였다. 각 층은 진공 분위기 하에서 증착법에 의해 형성하였다.
다음으로, 제작한 유기 전계 발광 소자의 구동 전압 및 외부 양자 효율을 평가하였다. 각 실시예 및 비교예의 구동 전압은 10 mA/cm2의 전류 밀도에서의 측정값이다.
| 소자 작성예 | 전자 저지층 | 구동 전압(V) | 외부 양자 효율(%) |
| 실시예 1 | 실시예 화합물 1 | 5.9 | 16.5 |
| 실시예 2 | 실시예 화합물 2 | 6.1 | 16.7 |
| 실시예 3 | 실시예 화합물 12 | 6.1 | 16.0 |
| 실시예 4 | 실시예 화합물 19 | 6.0 | 17.0 |
| 비교예 1 | 비교예 화합물 c1 | 6.6 | 15.0 |
| 비교예 2 | 비교예 화합물 c2 | 6.2 | 12.0 |
| 비교예 3 | 비교예 화합물 c3 | 6.0 | 14.5 |
| 비교예 4 | 비교예 화합물 c4 | 6.1 | 12.2 |
상기 표 1의 결과를 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 높은 발광 효율 및 낮은 구동 전압을 구현할 수 있음을 알 수 있다.
표 2는 실시예 화합물 및 비교예 화합물의 HOMO 궤도 에너지 및 최저 삼중항 여기 에너지(T1)를 계산한 것이다. HOMO 궤도 에너지 및 최저 삼중항 여기 에너지의 산출은 이론화학 simulation software Gaussian09에 의해 TD-B3LYP/631-G(d)을 이용해 산출하였다.
| 화합물 | HOMO 궤도 에너지 (eV) |
최저 삼중항 여기 에너지(eV) |
| 실시예 화합물 1 | -4.85 | 3.18 |
| 실시예 화합물 2 | -5.04 | 3.22 |
| 실시예 화합물 12 | -4.96 | 3.16 |
| 실시예 화합물 19 | -4.99 | 3.27 |
| 비교예 화합물 c1 | -5.45 | 3.18 |
| 비교예 화합물 c2 | -4.70 | 3.10 |
| 비교예 화합물 c3 | -4.86 | 3.15 |
| 비교예 화합물 c4 | -5.05 | 3.08 |
실시예 화합물 1 내지 4 및 비교예 화합물 c1 내지 c4를 비교하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물은 높은 HOMO 궤도 에너지를 가짐과 동시에, 높은 최저 삼중항 여기 에너지를 가진다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 다환 화합물을 발광층에 인접하는 정공 수송 재료로 사용함으로써, 높은 정공 수송성을 확보함과 동시에, 발광층에서 발생한 삼중항 여기자가 정공 수송 영역 쪽으로 확산되는 것을 억제하여, 유기 전계 발광 소자의 높은 발광 효율 및 낮은 구동 전압을 확보할 수 있다.
비교예 화합물 c1은 실시예 화합물 1 내지 4에 비해 HOMO 궤도 에너지가 낮아, 정공 수송성이 떨어진다. 따라서 비교예 1의 유기 전계 발광 소자는 실시예 1 내지 실시예 4에 비해 높은 구동 전압을 가지고, 발광 효율이 낮다.
비교예 화합물 c2 및 c3는 실시예 화합물 1 내지 4에 비해 최저 삼중항 여기 에너지가 낮아, 발광층에서 발생한 삼중항 여기자가 확산되는 것을 억제하는 효과가 떨어진다. 이에 따라, 비교예 2 및 3의 유기 전계 발광 소자는 실시예 1 내지 실시예 4에 비해 발광 효율이 낮다.
비교예 화합물 c4는 실시예 화합물 1 내지 4에 비해 최저 삼중항 여기 에너지가 낮음과 동시에 HOMO 궤도 에너지도 낮아, 정공 수송성이 떨어지고 발광층에서 발생한 삼중항 여기자가 확산되는 것을 억제하는 효과도 적다. 따라서, 비교예 4의 유기 전계 발광 소자는 실시예 1 내지 4에 비해 발광 효율이 떨어진다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 유기 전계 발광 소자
EL1: 제1 전극
HTR: 정공 수송 영역 EML: 발광층
ETR: 전자 수송 영역 EL2: 제2 전극
HTL: 정공 수송층 EBL: 전자 저지층
HTR: 정공 수송 영역 EML: 발광층
ETR: 전자 수송 영역 EL2: 제2 전극
HTL: 정공 수송층 EBL: 전자 저지층
Claims (19)
- 하기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X는 C, Si, Ge, 또는 Sn이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 O, S, CR6R7, SiR8R9, GeR10R11, 또는 SnR12R13이고,
R1 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
Q1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
n3 내지 n5는 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이고,
m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 또는 1 의 정수이고,
X가 C 또는 Si일 때, m1 및 m2 중 적어도 하나는 1이다. - 제1항에 있어서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 표시되는 것인 다환 화합물.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
A는 C, Si, Ge, 또는 Sn이고,
R14 및 R15은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
Q2는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
n6 및 n7은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
m3는 0 또는 1의 정수이다. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 다환 화합물:
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
[화학식 3-4]
[화학식 3-5]
[화학식 3-6]
상기 화학식 3-1 내지 3-6에서
A1 및 A2는 각각 독립적으로 C, Si, Ge, 또는 Sn이고,
A3 및 A4는 각각 독립적으로 O, S, CR20R21, SiR22R23, GeR24R25, 또는 SnR26R27이고,
R16 내지 R27은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
Q2 및 Q3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
Z는 Ge, 또는 Sn이고,
n6 내지 n9은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
X, Q1, R1 내지 R5, 및 n1 내지 n5는 청구항 1에서 정의한 바와 동일하다. - 제3항에 있어서,
R20 내지 R27은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기인 것인 다환 화합물. - 제3항에 있어서,
Q1 내지 Q3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기인 것인 다환 화합물. - 제1항에 있어서,
X는 C, Si 또는 Ge인 것인 다환 화합물. - 제1항에 있어서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 CR6R7, 또는 SiR8R9이고, R6 내지 R9는 청구항 1에서 정의한 바와 동일한 것인 다환 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 적어도 하나인 것인 다환 화합물:
[화합물군 1]
- 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 제공된 정공 수송 영역;
상기 정공 수송 영역 상에 제공된 발광층;
상기 발광층 상에 제공된 전자 수송 영역; 및
상기 전자 수송 영역 상에 제공된 제2 전극을 포함하고,
상기 정공 수송 영역은 하기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하는 것인 유기 전계 발광 소자:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X는 C, Si, Ge, 또는 Sn이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 O, S, CR6R7, SiR8R9, GeR10R11, 또는 SnR12R13이고,
R1 내지 R13은 각각 독립적으로 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
Q1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
n3 내지 n5는 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이고,
m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 또는 1 의 정수이고,
X가 C 또는 Si일 때, m1 및 m2 중 적어도 하나는 1이다. - 제9항에 있어서,
상기 정공 수송 영역은
상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층; 및
상기 정공 주입층 상에 배치되는 정공 수송층을 포함하고,
상기 정공 수송층은
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하는 것인 유기 전계 발광 소자. - 제9항에 있어서,
상기 정공 수송 영역은
상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층;
상기 정공 주입층 상에 배치되는 정공 수송층; 및
상기 정공 수송층 상에 배치되는 전자 저지층을 포함하고,
상기 전자 저지층은
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물을 포함하는 것인 유기 전계 발광 소자. - 제9항에 있어서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
A는 C, Si, Ge, 또는 Sn이고,
R14 및 R15은 각각 독립적으로 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
Q2는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
n6 및 n7은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
m3는 0 또는 1의 정수이다. - 제9항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화학식 3-1 내지 3-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자:
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
[화학식 3-4]
[화학식 3-5]
[화학식 3-6]
상기 화학식 3-1 내지 3-6에서
A1 및 A2는 각각 독립적으로 C, Si, Ge, 또는 Sn이고,
A3 및 A4는 각각 독립적으로 O, S, CR20R21, SiR22R23, GeR24R25, 또는 SnR26R27이고,
R16 내지 R27은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 시아노기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
Q2 및 Q3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
Z는 Ge, 또는 Sn이고,
n6 내지 n9은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,
X, Q1, R1 내지 R5, 및 n1 내지 n5는 청구항 9에서 정의한 바와 동일하다. - 제13항에 있어서,
R20 내지 R27은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기인 것인 유기 전계 발광 소자. - 제13항에 있어서,
Q1 내지 Q3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 15 이하의 아릴기인 것인 유기 전계 발광 소자. - 제9항에 있어서,
X는 C, Si 또는 Ge인 것인 유기 전계 발광 소자. - 제9항에 있어서,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 CR6R7, 또는 SiR8R9이고, R6 내지 R9는 청구항 1에서 정의한 바와 동일한 것인 유기 전계 발광 소자. - 제9항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 적어도 하나인 것인 유기 전계 발광 소자:
[화합물군 1]
- 제9항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 다환 화합물은
열 활성 지연 형광 발광(TADF)용 재료 또는 인광 발광용 재료인 것인 유기 전계 발광 소자.
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