TW514764B - Non-corrosive photoresist stripping and cleaning composition - Google Patents

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514764 A7 ----- B7五、發明説明（1 ) — 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明背景 1·發明範疇 本發明係有關一種非腐蝕性#阳名丨丨私i 士 ^ _ 碉蝕性光阻剥離和清洗組合物，它 含有下列物質之特定百分赵刼人· $心曰刀数組合·（1)經選擇的溶劑；（ 經選擇的烷醇胺化合物；（3 )細愛 口奶，經選擇的腐蝕抑制劑；（ 水。 2·技藝簡述 光阻剝離劑/等離子體蝕刻殘留物清洗劑技術充滿許多 有關組合物，它們或者是包含—種極性溶劑或—種燒醇燒 化口物’或者同時含有二者。已知在光阻剝離劑組合物中 含有一種烷醇胺對於有效地除去已交聯的抗蝕膜是必需 的。然而，烷醇胺型光阻剝離劑有時會有嚴重的腐蝕問 題’尤其是對於銘基板。 相仏腐蝕作用有一邵分是在剝離後之水清洗過程中由水 與烷醇胺之離子化作用所造成，因爲在剝離步驟進行後， 殘留之剝離劑溶液可能仍然保留在基板表面和/或基板載 體上。換s之’剝離劑組合物中的燒醇胺成份本身並不會 腐蝕基板，但它能促使水引起腐蝕。 爲解決這一問題，在剝離步驟和剝離後水洗步驟之間採用 一種有機溶劑（例如異丙醇）進行中間清洗的步驟。但是這 樣的中間清洗不一定是合乎需要的，因爲它使整個剥離操 作變得更復雜而產生額外的溶劑浪費。是故，如果再採用 含烷醇胺之剥離劑，就有必要無需中間有機溶劑浪費之情 況下來解決這腐蝕問題。 I _ Γ--衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-5口 •费 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 514764 A7 B7 五、發明説明（2 此外’这已知金屬腐蚀的其它機構。例如，金屬卣化物 諸如氯化鋁會以等離子體蚀刻副產物之形式產生。在的清 洗過程之後之水洗過程中，當金屬自化物與來自水洗過程 之水接觸時就可能引起基板的腐蝕。另一種腐蚀機構特別 容易發生於合金諸如Al-Cu-Si之清洗或清洗後的漂洗過 程。已發現這種類型的腐蝕作用通常只局部發生並被稱之 爲點蚀。點蝕被認爲是具有不同陰電性的兩種金屬之間發 生電蚀型電化學反應所引起的。 本發明針對所有上述腐蝕類型提供一種解決方法。 還有，在爲通路接點、金屬圖案和鈍化開口進行的各向 異性等離子體蚀刻過程中，”侧壁殘留物”常常沉積在抗 蚀膜側壁上。在光阻膜經氧等離子體灰化之後，這些殘留 物就變爲金屬氧化物。這些殘留物若不能完全除去會干擾 圖案明晰度和/或完全充填通孔。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 I.„——I---^---0^II t - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-兑 ▼線 已確定有數種化學品可用以除去蚀刻後的殘留物，特別 是那些金屬氧化物類型的。例如，鹼水溶液顯影劑諸如含 有氫氧化四甲基按（TMAH)的水溶液已知可攻擊銘。這 樣，氧化鋁殘留物即可用TMAH蝕去。然而，與多種金屬 系統諸如Al/Si/Cu體系相關的其它類型蝕刻後殘留物卻不 能輕易地被TMAH除去。TMAH對來自聚矽氧等離子蚀刻 過程中的殘留物亦無效果。 金屬氧化物類型側壁殘留物也可使用下列混合物除去： (1)氳氟酸與乙二醇醚之混合物，或（2)硝酸、乙酸與氯 氟酸之混合物。這些溶液需有極嚴格之程序控制以防止關 5- 514764 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 鍵性金屬和氧化物層被過度攻擊。在某些裝置結構中，此 等溶液由於其攻擊機構無選擇性而無法使用。 近來，Wai M· Lee 在 1993 年5 月 16-21 日於 Honolulu，HI 舉 行的 Interconnects、Contact Metallization and Multilevel Metallization Symposium，（電化學協會第183次春季會議） 上描述了一種基於胺/水而含羥胺之剝離劑組合物，它能 除去某些種類的側壁殘留物。雖然羥胺具有增進剝離能力 和/或金屬腐蚀抑制劑的潛力，但它在加熱時不穩定。因 而不建議使用幾胺，尤其是在高驗性媒質中。 是故，羥胺不適合於高溫下剝離光阻膜的或清洗蚀刻後 殘留物。 參考材料中提及含有一種極性溶劑及/或烷醇胺化合物 之光阻剝離或等離子體蝕刻殘留物清洗組合物之實例有·· 1986年10月14日授權給Sizensky等人的美國專利第 4,617,251號中描述了一種正片型光阻剝離組合物，它含有 (A)經選擇的胺類化合物[例如2-(2-胺基乙氧基）乙醇；2-(2-胺基乙基胺基）乙醇；及其混合物]，及（b)經選擇的極 性溶劑（例如N-甲基-2-吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇、異佛爾 酮、二甲基亞砜、己二酸二甲酯、戊二酸二甲酯、四氫嘧 吩-1，1-二氧化物（sulf〇lane)、r 丁内酯、N，N_二甲基乙醯 胺及其混合物）。該參考資料另外敎示可把水及染料或著 色劑、潤濕劑、表面活性劑和消泡劑添加於該組合物中。 I988年9月13日授權給Ward的美國專利第4,77〇,713號描 述了一種正片型光阻剝離組合物，它包含（A)—種經選擇 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- Μ 514764 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1、發明説明（4 ) 之醯胺（例如，N，N_二甲基乙醯胺；N_甲基乙醯胺；N，N_ 二乙基乙醯胺；N，N-二丙基乙醯胺；n，N-二甲基丙醯胺； Ν,Ν-二乙基丁醯胺和N-甲基-N-乙基-丙醯胺）及（B)，一種 經選擇的胺類化合物（例如，單乙醇胺、單丙醇胺、甲基 胺基乙醇）。這一專利也描述了這種剝離劑可選擇性地含 有一種可與水混溶之非離子性洗滌劑（例如，氧化烯縮合 物、醯胺類和半極性的非離子表面活性劑）。 I989年4月2 5日授權給Lee的美國專利第4,824,763號描 述了一種正片型光阻剝離組合物，它包含（A)三胺，（例 如二伸乙基三胺）和（B ) —種極性溶劑（例如，N-甲基-2-吡 咯烷酮，二甲基甲醯胺、丁内酯、脂肪族烴類、芳族烴 類、氯化烴類）。 1"0年2月27曰授權給Miyashita等人的美國專利第 4,904,571號敎示一種印刷電路板光阻剝離組合物，它包含 (A ) —種溶劑（例如水、醇類、醚類、酮類、氯化烴類和 芳族烴類）；（B ) —種溶解於該溶劑中的鹼性化合物（例 如，一級胺、二級胺、三級胺、環狀胺、多胺類、四級銨 氫氧化物、颯鏘氫氧化物，驗金屬氫氧化物、驗金屬碳酸 鹽、鹼金屬磷酸鹽及鹼金屬焦磷酸鹽）；以及（C) 一種溶 解於該溶劑之硼氫化合物（例如，硼氫化納、硼氫化經、 二甲基胺硼烷、三甲基胺硼烷、吡啶硼烷、第三丁胺硼 燒、三乙胺硼燒和嗎福淋硼燒）。 I"4年1月1 8日授權給Lee的美國專利第5,279,771號敎 示一種從基板上除去抗蚀物的剝離組合物，它包含（A )經 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再4'寫本頁) 裝· 訂 ·線· 514764 Λ7 ______ B7 五、發明説明（5 ) 胺（例如NH2OH) ; (B)至少一種烷醇胺；及選擇性；（c) 至少一種極性溶劑。 授權給Ward的美國專利第5,417,877號揭示—種8_窥基峻 琳其與醯胺和胺的混合物結合使用作爲腐蝕抑制劑。 授權給Ward的美國專利第5,563，119號揭示—種基本不 含任何無胺化合物的水性剝離組合物。該組合物是貌醇 胺、氫氧化四貌基銨和一種抑制劑的含水混合物。揭示的 有用抑制劑是兒茶酚、焦倍酚、氨茴酸、蓓酸、葆酸酷 等。 。曰 轉讓給Mitsubishi Gas Chemical公司的美國專利第 5,567,574號揭示分別使用糖或糖醇於含有四級銨氫氧化物 或烷醇胺的剝離水溶液中作爲腐蚀抑制劑之用途。 授權給Ward的美國專利第5,571，447號揭示一種剝離和 清洗組合物’它含有60-85重量百分比的多元醇、約〇 5_ 1〇重量百分比的氟硼酸，約5-40重量百分比的極性溶劑， 其餘爲含氟化合物。揭示之有用抑制劑是兒茶酚、焦倍 酚、氨茴酸、蓓酸、蓓酸酯等。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ^ II--0^-- (請先閲讀背面之注意Ϋ*項再填寫本頁) ••線 轉讓給J.T· Baker Inc·的歐洲專利公告第647884號揭示一 種非水性光阻剝離組合物，其含有⑴一種剝離溶劑（例如 N_甲基_2_吡咯燒酮），（丨丨）一種親核性胺（例如單乙醇胺）， 及（iii) 一種還原劑諸如水楊醛肪、蓓酸和蓓酸酯。 1990年3月1日授權給schulz的德國公開專利公告第 DE3 828513號敎示一種正片型和負片型光阻剝離組合物， 其含有（A) —種非質子極性溶劑（例如丨，夂二甲基咪唑烷 -8 - 本紙張尺度適财酬家標準（(：叫44規格（21(^297公釐） ----- 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 A7 B7 五、發明説明（6 ) 酮或I3-一甲基_四氫嘧啶酮；（B) —種有機鹼（例如烷醇 胺）。 1981 年 9 月 1 0 日發布並轉讓給 San Ei Chemical Industries， kk的日本公開專利申請案第56-ii5368號敎示一種光阻剝 離、$物其含有（A)非離子性表面活化劑（例如，一種 聚乙一醇醚）；（B )有機溶劑（例如環己酮）；及（C ) 一種溶 脹劑（例如聚乙二醇）或滲透劑（例如2-胺基乙醇）。 1988 年 8 月 2 9 曰授權給 r 〇htani (Kanto Chemical)的曰本 a開專利申明案弟63-208043號敎示一種正片型光阻剝離 組合物’其含有（A)丨，3-二甲基-2-咪唑烷酮；（B) —種水 落性有機胺（例如單乙醇胺，2_(2_胺基乙氧基）乙醇，三伸 乙基四胺）。該專利申請案中亦敎示一種可添加到這種剝 離劑中的表面活性劑。 1989 年 4 月 3 曰授權給 s. Shiotsu (Nagase Denshi Kagaku) 的曰本公開專利申請案第64-088548號敎示使用2- 丁炔-1，4-二醇作爲正片型光阻剝離劑的腐蝕抑制劑。 1989 年 3 月 28 曰授權給K· Matsumoto (Asahi Chemical)的 日本公開專利申請案第1-081949號敎示一種正片型光阻剝 離組合物，其含有（A)尸_丁内酯、N-甲基甲醯胺、N，N_二 甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺或N-甲基-2-峨洛嫁酮； (B)—種胺基醇（例如，N-丁基乙醇胺和N-乙基二乙醇胺） 及（C )水。 1992 年4 月 24 曰授權給 K· Wakiya (Tokyo 〇hka Kogyo)的 曰本公開專利申請案第4-124668號敎示使用含磷酸基之表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I-：I I-^---0^------1T-----•線 * * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 514764 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ Β7 五、發明説明（7 ) 面活性劑於光阻剝離劑中作爲腐蝕抑制劑之用途。 1992 年 1 2 月 4 曰授權給 η. Goto (Texas Instruments，Japan and Kanto Chemical，Inc·)的日本公開專利申請案第‘ 3 50660號敎示一種供正片型光阻使用的剝離劑，其包含 (A) 1，3-二甲基_2_咪唑烷酮；（B)二甲亞砜和一種水溶 性胺（例如一乙醇胺或2-(2-胺基乙氧基）乙醇），其中水溶 性胺的含量係爲7·30重量百分比。 1995年10月20日發布並轉讓給Tokyo ohka kogyo公司的 曰本公開專利申請案第7_271057號敎示一種正片型光阻組 合物，其含有N，N-二乙基胺。較佳調配物亦含有烷醇胺 (例如單乙醇胺）；可與水混溶的有機溶劑（例如N•甲基_2_ 吡咯烷酮）；水；添加劑（例如羥基芳族化合物或三唑類化 合物）；或含羧酸基之有機化合物或其某些組合物。水楊 醇是較佳羥基芳族化合物中之一。 在上述參考文獻中只有日本公開專利申請案第7_271〇57 號中提出把水楊醇添加到由一種可與水混溶的極性溶劑和 一種虎醇胺形成的混合物中，以應用於光阻剥離組合物或 等離子體蝕刻殘留物清洗組合物。但是，該參考文獻要求 含有羥胺化合物N，N-二乙基羥胺（DEHA)以達到所需性 發明簡述 本發明一方面有關一種非腐蝕性剥離和清洗組合物，其 包含： (a)約5%至約5〇%的溶劑，選自包括^甲其 τ I 比洛坑 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格（210Χ297公釐)一 -------- ----l·------ (請先閲讀背面之注意事項再4-寫本頁)

、1T M4764 A7 B7 五 、發明説明（8 ) _、N-窺乙基_2_峨哈燒酮、ι，3-二甲基-2-咪峻燒_、二甲 亞職、Ν，Ν_二甲基乙醯胺、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇及 其混合物； (b) 約10%至約90%的燒醇胺，選自包括二（乙二醇） 胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2-胺基乙基胺基） 乙醇及其混合物； (c) 約0.1%至約4%的具有式（I)之腐蝕抑制劑：

(I) «I-1——I——0^II 雛 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其中Rl-R4可分別選自包括氫、具有1-4個碳原子的烷基、 /、有1·4個碳原子的燒氧基、_素、胺基、經基、幾基； 及 (d)約〇. 1。/。至40%的水，所有重量百分比均按整體剝離 及清洗組合物之總重計算。 較佳具體實例描述 如本發明所定義，術語”非腐蚀性”是指可抑制任何會逐 漸損耗基板的化學作用的性質。術語”剝離和清洗組合物 疋才曰兼具（1)從半導體基板上除去或剝除光阻（或其它類 似的有機聚合物材料）薄膜或薄層及從半導體基板上除 去或洗除各種類型的等離子體蝕刻殘留物（有時也被稱爲 等離子體側壁聚合物）之能力之組合物。

、1T -11 - 514764 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 如如文所述，本發明的非腐蝕性剝離和清洗組合物含有 4種成份，即一種或多種經選擇的溶劑、一種或多種^選 擇的烷醇胺類化合物、一種或多種經選擇的腐蝕抑制劑以 及水。這4種成份必須以特定之百分比存在。而且，本發 明以不含羥胺類化合物諸如羥胺或N，N•二乙基羥胺爲佳。 在本發明的剝離和清洗組合物中使用的溶劑包括队甲基 -2-p比洛垸酮（NMP )、乙基 _2-p比洛燒 _ ( jjEp )、J % 一 甲基-2-咪唑烷酮（DMI)_二甲亞颯（DMS〇)、N，N_二甲基 乙醯胺（DMAC)、二丙酮醇（DAAL)、乙二醇（eg)、丙-醇（PG)或其組合物。其中NMp係爲較佳溶劑。此等溶劑 在光阻剝離说力方面特別有效，而於本發明中佔優勢。 另一種較佳的溶劑混合物是H E p和一種或多種其它溶劑 的混合物，其中HEP對其它溶劑的混合比率約爲1〇 : 9〇重 量百分比至大約90 : 10重量百分比，因爲HEp是一種已知 較安全並且粘稠的溶劑，而其它溶劑則是低黏度之強力剝 離;▲劑。一般，藉著降低剥離劑溶液的枯度可以增加其剥 離能力。 如前文所述，烷醇胺亦包括於剝離和清洗組合物中。較 佳的燒醇類包括二（乙二醇）胺（DEGA)、單乙醇胺 (MEA)、二乙醇胺（DEA)、三乙醇胺（TEA)、2_(2_胺基乙 基胺基）乙醇及其混合物。其中以MES最佳的。 可用於本發明之腐蝕抑制劑包括水楊醇及其經取代衍生 物，如上式（I)中所包括的那些。此類化合物已被發現可 有效地抑制腐蚀作用而不使剝離能力降低。此等化合物於 -12· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（2丨0'〆297公釐） • ~φτ裝丨· (請先閱讀背面之注意Ϋ·項再填寫本頁) 、1Τ .管 A7 五、發明説明（1〇 ) 各種功能和經濟要求提供優越之平衡狀態，包括有效的防 止基板表面被金屬污染及爲達到所需腐蝕抑制效果之優勢 材料成本。於一個較佳具體實例中，RkR4都是氫，從而 產生水楊醇的結構（CAS Νο· 9(M)1_7 ;也稱爲2_經基节 醇），它可用下式（II)表示： ch2oh

Cj (ιι) 在另個較佳具體實例中’ Ri和R3係爲氫而和r4係爲 甲基，從而產生可用式（ΙΠ)表示之2,4-二甲基_6_羥甲基苯 酚：

CH2OH |l (III) H3C"^^CH3 第4種關鍵性成份是水。已經指出當本發明的組合物被 用作等離子體蝕刻後殘留物的清洗劑時，水的存在將增加 其清洗能力。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明的剝離和清洗組合物中之選擇性成份包括水溶性 表面活性劑。表面活性劑的實例包括聚（氧化乙烯）與脂膀 醇類的縮合物，其係由位於Norwalk，CT的οηπ Corporation 製造的，商標爲"POLY-TERGENT® CS-1"。 此等成份之較佳用量爲極性溶劑約8-40%，胺類化合物 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 514764 A7 五、發明説明（ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 約20_8〇。/❶，腐蝕抑制劑約〇 2_3 ，水約5_35%，如果使 用表面活性化合物，則其用量爲0.01-2% ;所有用量皆係 以剥離和清洗組合物之重量計。此等成份之較佳用量爲極 性/谷劑約1〇_35%，胺類化合物約3〇_7〇%，腐蚀抑制劑約 0.5-3.5%，水約1〇_3〇%，如果使用表面活性化合物，則其 用里約爲0.05_1〇/〇 ;所有用量皆係以整體組合物之重量 計。 熟習此技者所熟知之各種其他成份亦可選擇性地包括在 該剝離和清洗組合物中，例如，染料或著色劑、潤濕劑、 消泡劑等。一般，該等其他選擇性成份每一種之用量以整 體組合物计約爲〇 · 〇 〇 5重量百分比。 本發明的剝離和清洗组合物可藉著在室溫下將一種或多 種經選擇的腐蝕抑制劑溶於_種或多#經選擇的溶劑和一 種或多種經選擇的烷醇類化合物中而製得。如前文所述， 亦可添加選擇性成份。 前述剝離和清洗組合物的一種功能是從基板上除去或剝 離有機聚合物材料。本發明的這—方面是藉著將有機聚人 物材料諸如光阻膜與前述剝離和清洗組合物接觸而進行: 前述組合物亦可於金屬化晶圓經等離子體蝕刻後用以除去 等離子體蝕刻後的副產物。這些等離子體蝕刻副產物有， 例如，鋁、鈦、銅或相關金屬的氧化物或由化物，諸如 A1C13、aif3、ai2〇3、SiF4、Si〇2等。本發明的這一方面窃 藉著使等離子體蚀刻殘留物與前述清洗溶液接觸而進<一疋 實際條件，即溫度、時間等可大幅變化，_般係根據:除 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 I— I I - -14- Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇χ 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 -----------B7 五、發明説明（12 ) — 去的有機聚合物材料或等離子體蝕刻殘留物的性質和厚度 =定，亦有習於此技者所熟悉之其它因素。不過一般溫度 範圍約25 C至約100。(：，時間约i 〇分鐘至約6 〇分鐘。 在實施本發明時，可採用許多方法使有機聚合物及/或 等離子體蝕刻殘留物與剝離和清洗組合物接觸。例如，可 把含有這類有機聚合物材料和/或等離子體蝕刻殘留物的 基板浸入剝離和清洗液浴中，或把剝離和清洗組合物噴灑 於邊有機聚合物材料和等離子體蝕刻殘留物之表面上，如 熟W此技者所熟知。 本發明的剝離和清洗組合物可自基板上除去各式各樣有 機聚合物材料和等離子體蝕刻殘留物。例示之有機聚合物 材料包括正片型和負片型g/i線和遠紫外光抗蚀劑、電子 束抗蚀劑、X-射線抗蝕刻、離子束抗蝕劑以及有機介電材 料諸如聚醯亞胺樹脂等。能在本發明的實施過程中被除去 的有機聚合物材料的特例包括含有酚醛樹脂或聚（對乙烯 基酚）的正片型光阻，含有環化聚異戊二烯或聚（對乙烯基 紛）的負片型光阻，及含有聚甲基丙烯酸甲酯的抗蚀劑。 已發現地種剝離和清洗組合物特別對除去含有酚醛清漆樹 脂和重氮蕃醌型敏化劑例如鄰位蓁醌二疊氮化物磺酸酯的 正片型抗蝕劑極爲有效。此類抗蝕劑包括HPR 204系列正 片型抗蝕劑、HPR 504系列正片型抗蚀劑、〇iR32系列正 片型抗蝕劑和HPR 6500系列正片型抗蚀劑，所有這些化 合物都可以從康》圼狄格洲Norwalk的Olin Microelectronic Materials公司買到。該有機聚合物殘留物可從熟習此技者 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ί丨丨丨^： φ-裝------訂-----·線 (請先閲讀背面之注意^w項再填寫本頁) 514764 A7

514764 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（14 ) 從去離子水中取出晶片並藉氮氣吹掃表面而乾燥。 卵片經眞it蒸鍍金後於掃描式電子顯微鏡（SEM )下觀 察。得到晶片的S E上視圖和剖面圖，用以目測珍片上的 PR和PER殘留物。此外。可在SEM下觀察曝露之金屬層 表面以評估金屬表面的任何腐蚀情況。 SEM的觀察結果顯示本發明NMP/MEA/H20/Salal = 30/57/10/3調配物同時可除去PR和PER兩種殘留物而不造 成對金屬的腐蚀，即使在剥離後不使用一種有機溶劑諸如 異丙醇（IP A清洗）進行中間清洗時亦然。 實施例2-10 實施例2-10説明在不同剝離條件下使用溶劑、燒醇胺、 水及水％醇之其他組合物的結果。詳細的配方和試驗條件 皆列於表1中並附有每種情況下的SEM觀察結果。 對照調配物 除上述實施例1-10以外，也製備了以下供不含腐蝕抑制 劑的對照調配物：ΝΜΡ/ΜΕΑ/Η20 = 33/57/10。剝離試驗條 件與實施例1中所描述的相同。 SEM觀察結果顯示PR和PER兩種殘留物皆如實施例i般 地被完全除去。然而，與實施例1的調配物比較，金屬層 被嚴重腐蝕。 比較調配物 在與實施例1中所描述的相同條件下，檢驗了含有其它 腐蝕抑制劑（水揚酸、（nSaladoxn)、蓓酸（’’Gallad”）和蓓酸 丙酯（"Progal”）之剝離/清洗調配物與NMP/MEA/H2〇混合 -17- (請先閲讀背面之注意事 4 項再填· 裝— :寫本頁) 、-口 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（21〇Χ297公釐） A7 ------五、發明説明（15 ) 物結合使用之效果。 在表1中，CIN是腐蝕抑制劑；pR是光阻剝離；脈是 等離子體蚀刻殘留物清洗，+++是最高級數；+/_表示無 效；一是負面效果。 基於表1中所示結果可作出以下結論。 (1) 局防止金屬在光阻剝離和等離子體蚀刻殘留物清洗 過程中被腐蝕，在溶劑、烷醇胺和水的混合物中含有水楊 醇係屬必需。 (2) 水楊醇濃度與腐蝕抑制具相依性。 (3) 用水揚醇時的腐蝕抑制作用也受剝離過程參數諸如 溫度和時間所影響。因而存在剝離溫度和時間的最佳條 件。 (4) 在使用針對腐蝕抑制最佳化之化學組成時，無需於 剝離後使用有機溶劑如異丙醇進行中間清洗。 (5) 在經試驗之數種化合物中，水楊醇是最佳腐蝕抑制 劑。其它抑制劑無法兼具腐蚀抑制作用及剝離/清洗能 力。水揚醇不會有該種無法兼顧性，可能是由於它獨特的 化學結構和螯合性所致，特別是對基板金屬及/或等離子 體蝕刻副產物的螯合性所致。 丨-„-I^ :---0^II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 冒線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -18 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ϋ公釐了 514764 A7 B7 五、發明説明（16 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 comp. 3 comp. 2 comp. 1 控制組1 00 Os Ln u> K) H-^ 1實施例 U) U) U) U) U) U) U) U) U) U) K) U) U) U) NMP (wt%) 调配物 Ln Ln Lh Lh U\ U\ Lh Ln U\ MEA (wt%) 一 U) 〇 — H-^ 一 h2o (wt%) Progal (3%) Gallad (3%) Saladox (3%) O Salal (3%) Salal (3%) Salal (3%) Salal (3%) Salal (3%) Salal (3%) Salal (1%) Salal (2%) Salal (3%) Salal (3%) CIN (wt%) 心i }¥ IPA 漂洗 條件 00 溫度 (°C) Κ) K) to U\ N) U\ N) Lh N) U\ to N> KJ\ N> U\ N) KJ\ N) LA N) LA 1 ++ ++ +++ + + + + ++ +++ ++ +++ ++ + + + + + + + 性能 + + + +++ + + + + + + ++ ++ +++ ++ +++ +++ + + + + + + PER 之 1 + 1 + 1 1 1 之 1 +++ +++ + +++ 之 1 + + + + + + + + 腐蚀 抑制劑 ___-19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事 4 * •項再填· 裝— :寫本頁)

、1T 514764 ΑΊ ------------ ----_________ 五、發明説明（17 ) 一' 雖然已參照特定具體實例對本發明做了上面的描述，但 顯然還可在不偏離本發明的概念下做出許多變動、修改和 變化。本發明因而包括所有介於申請專利範園的精神和範 圍内的變動、修改和變化。本發明所引證的專利申請案、 專利和其它刊物全部供作參考。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 準 標 |家 國 I I中 用 I適 反 -尺 一張 一紙 本 20 |釐 公 7 9 2

Claims (1)

1. ABCD

   514764 第87106936號專利申請案 中文申請專利範圍修正本(90年7月) 六、申請淳利範圍 1. 一種非腐蝕性光阻剝離及清洗組合物，該組合物不含羥 胺化合物，其包含： (a) 5%至50%的·落劑，其係選自N_甲基_2-吡咯烷 酮、N-羥乙基-2-吡咯烷酮、丨，3_二甲基_2_咪唑烷酮、二 甲亞職N，N- 一一甲基乙醯胺、二丙酮醇、乙二醇、丙 二醇及其混合物所組成之群； 抑（b) 10%至90%的烷醇胺，其係選自二（乙二醇）胺、 ^乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、2_(2_胺乙基胺基）乙 醇及其混合物所組成之群； ----.--·---- (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) (c) 0.1%至4%之式（I)腐蝕抑制劑

   (I) 、1T 具 八中Ri-FU可分別選自氫、具有丨_4個碳原子的烷基” 有個碳原子的烷氧基、自素、胺基、羥基、羧基或 其組合；及 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (d) 0.1% 至 40% 的水； 所有百分比均按剥離及清洗組合物之總重計。 2. $據申請專利範圍第丨項之非腐蝕性光阻剝離及清洗組 石物’其中該腐蝕抑制劑係為水楊醇。 2據申凊專利範圍第丨項之非腐蝕性光阻剝離及清洗組 σ物，其中该溶劑包含8-4〇%，該烷醇包含2〇_8〇%，該 本’氏張尺度適用中國國家標準（⑽）Α刪M 21GX297公釐） 、〜-〜___ _D8 .、申^~~- ，蚀抑制劑包含H3.8%，而該水包含5_35%，所有重 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4量百分比皆基於剝離及清洗組合物:之總重量計算。 $據申請專利範圍第丨項之非腐蝕性光阻剝離及清洗組 二物’其中該溶劑包含10-35%，該烷醇胺包含30-70%， =腐蝕抑制劑包含0.5-3.5%，該水包含1〇-3〇%，所有重 量百分比皆基於剝離及清洗組合物之總重量計算。 $據申凊專利範圍第1項之非腐蝕性光阻剝離及清洗組 口物，其另外包含〇·〇 1至2重量百分比之表面活性化合 物，讀百分比是基於組合物之總重量計算。 6· $據申請專利範圍第丨項之非腐蝕性光阻剥離及清洗組 合物’其中该腐蚀抑制劑係為2,4_二甲基_6_經甲基苯 酉分。 7.種不含羥胺化合物之非腐蝕性光阻剝離和清洗組合 物，它包含： (a) 8-40%之N-甲基吡咯烷酮； (b) 20-80%之單L醇胺； (c) 0.2-3 · 8%之水楊醇；及 (d) 5-35%之水； 經濟部中央榡準局員工消費合作社印裝 所有重量百分比皆基於剝離和清洗組合物之總重量計 _____ __— —__-2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（公釐）