TW479123B - Thermopile-type infrared sensor and process for producing the same - Google Patents

Thermopile-type infrared sensor and process for producing the same Download PDF

Info

Publication number
TW479123B
TW479123B TW089105509A TW89105509A TW479123B TW 479123 B TW479123 B TW 479123B TW 089105509 A TW089105509 A TW 089105509A TW 89105509 A TW89105509 A TW 89105509A TW 479123 B TW479123 B TW 479123B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
insulating film
layer
polycrystalline silicon
aforementioned
type polycrystalline
Prior art date
Application number
TW089105509A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruyuki Endo
Takeshi Fuse
Tadashi Matsudate
Yasutaka Tanaka
Toshikazu Okada
Original Assignee
Ishizuka Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ishizuka Electronics Corp filed Critical Ishizuka Electronics Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW479123B publication Critical patent/TW479123B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Description

123 123
發明說明(1 ··· (2) 〔發明之背景〕 〔發明所屬之技術領域〕 本發明係有關於熱電堆型紅外線感测器及其製造方 法,詳而言之係有關藉改善感測器之熱電對圖案構造嘩长 提高S/Ν(信號/噪聲)比、改善熱電堆型 ' 外線感测器及其 I造時合格率之熱電堆型紅外線感測器之製造方法。 〔習知之技術〕 通常,熱型紅外線感測器之熱平衡式可如下的表示。 C·打…G· n ⑴ " 其中,c係熱容量、5τ係受光部溫度變化、G係受光 部與周圍之熱導、w係受光能量。受光能 exp(jot)變化時,5T係如下述表示。 叫=W。/G(l + 2广2 其中’熱時定數r係如下的表示。 ^ ^ C / G...... (3) 由上述式熱型紅外線感測器之敏感度作大(熱時定數 r作小)時有需要將熱容量C作小,熱傳導G作大。不過, G作大時,對同一受光能量受光部溫度變化5丁變小,感 度會降低。因而,謀求提高熱型紅外線感測器之感度或敏 感度係將G作小、更且有需要將c作小。由這樣的觀點而 a,熱電堆型紅外線感測器之感度及敏感度係將溫接點配 置之感熱部作為由數微米厚度構成之薄膜構造,將其熱容 量C及與基板之熱傳導G作成變小,作成可達成提高其熱 之特性。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工,消費合作社印製 4 479123 A7 B7 ♦ 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 五、發明說明(2 再者’熱電堆等熱電元件之性能指數已可以次式表 示 z = α2· σ / λ 〇c τη^'2{μ / AL)......(4) 但是’ α :西貝克(溫差電動勢)係數 口:導電率、;I:熱傳導率、 m* :電子或正孔之有效質量、 #:載體之移動度、 λ L :格子熱傳導率 亦即,了解為提高熱電元件之電氣性能係由上式將西 貝克(溫差電動勢)係數α作大,導電率(7作大,而且有需 要將熱傳導率λ作小。因而,作為熱電材料係採用與金屬 相較性能指數ζ大的半導體材料。 一方面,作為熱電材料之η型矽之西貝克(溫差電動勢) 熱電係數α係表示如下。 « = (VF IT + 2k /q)...... (5) 但是’ VF :傳導帶之底與費米能級間之能量差、 T :絕對溫度、k ··波爾茲曼常數 q:電子的電荷 再者’ vF與導電率σ之關係是以如下的表示。 G 二 q · η · μ......(6) 但是,η:載體數、# :載體之移動長度 n ^ Nc /[exp (VF / kT )]…··· (7) 但是,Nc :傳導帶之實效狀態密度 (參考文獻,參照半導體設計、S· M· Sze著) -----·---------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
479123 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(3 因而,導電率σ係如下的表示。 σ = q · Nc · MUxV{VF/kT)·····. (8) 由上式了解為將西貝克(溫差電動勢)係數作大,有所 作大時則載體數減少’ σ變小之互相交換之關係。 再者,單結^之λ由於共有結切原子,雖格子熱傳導 率非常大的支’但多結晶⑪那樣結晶性變差時格子献傳 導率變小。而且有所謂”也變小,σ降低之互相交換關 係。因而’作為熱電材料之性能參數係可舉出不純物密度、 結晶性、熱電元件大小、熱電對數等,有需要施行該等參 數之最合適設計。 作為習知例1係在單結晶矽基板上採用半導體微細加 工技術,積層二氧化矽、氮化矽薄膜,作為熱電材料組合 使用Ρ型多結晶矽一金/鉻或η型多結晶矽一金/鉻,將最後 的基板藉EDP(乙撐二胺焦兒茶酚)各向異性蝕刻設置空洞 部,藉感熱〆作成薄膜架橋構造、謀求高感度化之熱電堆 被記載著。(文獻:參照「一種矽熱電堆為主的紅外線感 測配置用於自動製造」(即,電子裝置,券次;ED_33,編 號;1,頁次:72〜79,年份1986)。 再者,第21圖係在特開平3_191834號公報所宣告謀求 高感度化之熱電堆。該習知例2之熱電堆係在單結晶石夕基 板20設置外延層21 ,在外延層21内藉p型擴散層22形成熱 電對材料,更且隔著絕緣物23形成由其上n型多結晶矽層24 構成之熱電對材料,藉鋁層25與多結晶矽層24連接,開示 由單結晶矽一鋁多結晶矽構成之多層的熱電堆構造。藉熱 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱) 6 ---------------------^---------^^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479123 A7 B7 五、發明說明(4 經 濟, 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 電材料多層的構成,增加每單位面積之熱電對數,並高功 率化’圖謀晶片尺寸之小型化。 〔發明欲解決之課題〕 不過’習知之熱電堆有如以下說明之問題。習知例! 之熱電堆係在單結晶石夕基板上積層二氧切、氮化石夕薄 膜,作為熱電材料係使用金/鉻與西貝克(溫差電動勢)係 數大的多結晶矽。不過,金由於熱傳導率高、吸收的熱之 散失很大’受光部之溫度上升比例並不足夠。亦即,有得 不到高的溫度上升值之缺點。 更且,使用p型多結晶矽作為熱電材料。不過,由於p 31夕、、Ό曰曰矽夕數載體之正孔移過度小,電阻率較高。因而, 由於輸出電壓與約翰遜熱噪聲之信號/噪聲比變低,作為 非接觸溫度計之感測器使用時有精確度差之缺點。再者, 熱電材料之多結晶矽層之圖案由於未分布、均一的配置(布 置)於薄膜架橋部全體,在各向異性蝕刻於薄膜時容易彎 曲或裂縫,有所謂合格率降低之問題點。 一方面,習知例2之熱電堆係為解決上述之問題 谋求咼感度化。於熱電材料使用單結晶石夕與多結晶石夕 個作成Ρ型與η型,藉反對起電力之極性謀求高輸出化 過,該熱電堆由於在熱電材料之一方使用在單結晶矽基板 表面擴散之Ρ型擴散層,有需要餘留由其層厚度5微米以 構成之外延層與單結晶矽層。 單結晶矽係藉控制不純物濃度,可將西貝克(溫差 動勢)係數作大,再者熱傳導率也與其他的材料有較高 且 各 不 上 電 之 ^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .. •線· 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
五、 發明說明(5) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 特徵。因而,即使厚度薄至10微米程度,由吸收膜構成的 感溫部内之溫接點部與形成於基板上之冷接點部之熱絕緣 也差,平均單位紅外線入射能量的感溫部之溫度上升變 化’結果有所謂輸出電壓變低之問題。 更且’在熱電材料使用p型與η型多結晶矽並在表觀 上,即使增加起電力,如前述ρ型多結晶矽層多數載體之 正孔由於與電子相較移動度小、電阻率很高、與η型矽相 較、輸出電壓與約翰遜熱噪聲之信號/噪聲比低,也與前 例同樣作為非接觸溫度計之感測器使用時也有精確变變低 之缺點。 更且,由於多結晶矽之圖案佈置未配置於薄膜薄部全 體,藉各向異性姓刻時之應力集中容易產生裂縫、有所謂 合格率變低之問題點或不純物未宣告最適合之滚度,有所 明作為熱電堆之信號/噪聲比得不到更高值之問題點。 本發明係鑑於如上述之課題而達成,提供一種可提高 輸出電壓一約輪遜熱噪聲之信號/噪聲比,以平坦強固 4膜構造形成、改善紅外線吸收特性或製造時之合格率 廉價的熱電堆型紅外線感測器及其製造方法作為目的。 〔為解決課題之手段〕 本發明係為解決上述問題點而達成,如申請專利範 第1項之發明係在具有空洞部之單結晶矽基板形成有熱 疋件之熱電堆型紅外線感測器, 其特徵在於: 在覆蓋前述空洞部之第1絕緣膜上、配置自晶片中 的 之 圍 電 心 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- ·1111. 本紙張尺度_巾_ (CNS)A4規格⑵〇 χ 297公釐) 479123
近旁放射狀的延伸之複數n型多結晶矽層,藉前述11型多結 晶石夕層與金屬薄膜層之接觸,分別於晶片中心側形成溫接 點部,於其周緣部側形成冷接點部,在前述金屬薄膜層將 鄰接之前述η型多結晶碎層間之溫接點部與冷接點部相互 連結,而在前述第1絕緣膜上至少形成一個直列連結之熱 電元件列。 ^ 再者,申請專利範圍第2項之發明係在具有空洞部之 單結晶矽基板上形成有熱電元件之熱電堆型紅外線感測 器,其特徵在於: 在覆蓋前述空洞部之第〗絕緣膜上,配置自晶片中心 近旁放射狀的延伸之複數η型多結晶矽層,藉前述11型多結 晶矽層與金屬薄膜層之接觸、分別於晶片中心側形成溫接 點部,於其周緣部側形成冷接點部,並在前述金屬薄膜層、 將鄰接之前述η型多結晶矽層間之溫接點部與冷接點部相 互連結,而在前述第1絕緣膜上至少形成一個直•列連結之 熱電元件列,且在前述熱電元件列上透過絕緣膜形成紅外 線吸收膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 .線. 两 :: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍第1或2項發明係自晶片中心近旁形成放 射狀的熱電堆元件,作成均一的分佈在絕緣膜上,作成熱 應力強的元件,同時在絕緣膜上形成許多元件,藉形成直 列連結之熱電元件列,可改善信號/噪聲比、提高檢出效 率。由於如此在絕緣膜上形成放射狀的熱電元件,由於在 一面可形成許多的熱電元件,而可提高檢出效率。再者, 申請專利範圍第2項之發明由於形成紅外線吸收膜、更加 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 9 479123 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 A7 五、發明說明(7 ) 提南紅外線之檢出效率。 再者,申冑專利範圍第3項之發明係在具有空洞部之 單結晶石夕基板形成有熱電元件之熱電堆型紅外線感測器, 其特徵在於: 在覆蓋前述空洞部之第丨絕緣膜上、相互咬合地配置 自晶片中心近旁的圓周上與其外側複數之同心圓上位置向 晶片周緣方向放射狀的延伸之複數n型多結晶矽層,並在 覆蓋前述η型多結晶矽層與前述第丨絕緣膜之第2絕緣膜設 置開口部,透過前述開口部藉前述η型多結晶矽層與金屬 薄膜層之接觸,分別於晶片中心側形成溫接點部、於其周 緣部側形成冷接點部,並在前述金屬薄膜層,將鄰接之前 述η型多結晶矽層間之溫接點部與冷接點部相互連結,在 前述第1絕緣膜上形成直列連結之熱電元件列,且在前述 熱電元件列上透過絕緣膜形成紅外線吸收膜。 再者,申請專利範圍第4項之發明係在具有空洞部之 單結晶矽基板形成有熱電元件之熱電堆型紅外線感測器, 其特徵在於包含有: 第1絕緣膜,係設置於前述單結晶矽基板、用以覆蓋 空洞部; η型多結晶矽層,係在前述第1絕緣膜上、自晶片中心 近旁之圓周上與其外側複數之同心圓上位置向晶片周緣方 向放射狀的延伸、複數相互咬合那樣的配置; 第2絕緣膜,係形成於前述η型多結晶矽層與前述第1 絕緣膜上; ‘紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) --------訂·--------: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479123
經濟部智慧財產局員工1消費合作社印製 A7 五、發明說明(8 ) 開口部’係為分別形成溫接點部與冷接點部於複數11 型多結晶矽層之晶片中心側與周緣側,而形成於前述第2 絕緣膜者; 金屬薄膜層,係透過前述開口部、與前述η型多結晶 矽層接觸,用以形成前述溫接點部與冷接點部; 熱電元件列、係藉前述金屬薄膜層將前述溫接點部與 _ 冷接點部相互連結而形成; 第3絕緣膜,係形成於前述第2絕緣膜上與前述金屬薄 膜層上; 紅外線吸收膜,係覆蓋前述溫接點部那樣形成於前述 第3絕緣膜上;以及 電極襯塾部,係形成於前述直列連結的熱電元件列之 終端部。 申請專利範圍第3或4項之發明係採用與p型矽的多數 載體之正孔相較在多數載體具有移動度高的電子之^型多 結晶矽層作為熱電材料,藉控制不純物濃度與多結晶矽膜 形成時之成膜溫度控制結晶性,將格子熱傳導率作小、將 西貝克(溫差電動勢)係數α與導電率^·作成最合適,由於 熱電材料以η型多結晶矽層構成,與ρ型相較、成為載體的 電子之移動度較大,由於即使是同樣的西貝克(溫差電動 勢)係數,電阻率也較低,與習知的相較,可謀求提高輸 出電壓一約翰遜熱噪聲之信號/噪聲比。再者,將η型多結 晶矽膜之圖案佈置作為放射狀之條紋圖案配置於薄膜部全 體,更且由於將溫接點部設置於放射狀的條紋圖案之三個 ----------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^123 A7 B7 五、 發明說明(9) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同心圓上部份之構造’分散、緩和起因於多結晶矽層薄膜 部内之應力,可減少在薄膜部發生之裂縫或彎曲,並可/ 善各向異性蝕刻時之合格率。再者,可降低構成各熱電元 件的多結晶矽層之電阻,同時藉入射紅外線變成薄膜上高 溫度之部份,在中心附近係圓形的分佈,由於有效的抽2 輸出電壓,獲得S/N(信號/噪聲)比優越之紅外線感測器。 再者,申請專利範圍第5項之發明係在具有空洞部之 單結晶矽基板形成有熱電元件熱電堆型紅外線感測器,其 特徵在於: ^ 在覆蓋前述空洞部之第1絕緣膜上,相互咬合地配置 自晶片中心近旁之圓周上的位置向晶片周緣方向放射狀的 延伸之複數η型多結晶矽層,藉前述11型多結晶矽層與金屬 薄膜層之接觸、於晶片中心側形成溫接點部,於其周緣側 形成冷接點部,自前述溫接點部導出之前述金屬薄臈層 延於前述第1絕緣膜上、連結於鄰接之11型多結晶矽層之 述冷接點部、在前述第1絕緣膜上形成直列連結之熱電 件列,且在覆蓋前述熱電元件列之第2絕緣膜上形成紅 線吸收膜。 本發明係藉連結溫接點部與冷接點部之金屬薄臈層形 成於前述第1絕緣膜上,由於不需要前述第2絕緣膜與形成 於前述絕緣膜之開口部,可削減工數。 再者,申請專利範圍第6項之發明係在具有空洞部 .單結晶石夕基板形成有熱電元件之熱電堆型紅外線感測器 其特徵在於: 蔓 元外 之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ▼裝--------訂---------- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公复) 12 479123
五、發明說明(10 ) 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 在覆蓋前述空洞部之第丨絕緣膜上,自晶片中心近旁 之圓周上與其外側之複數同心圓上的位置向晶片周緣方向 放射狀的延伸之複數第以型多結晶矽層相互咬合的配置, y成覆蓋别述第1 n型多結晶石夕層與前述第1絕緣膜之第2絕 緣膜,在前述第2絕緣膜上具有與前述第匕型多結晶矽層 同樣的圖案形狀,對前述第丨η型多結晶矽層之圖案在圓周 方向形成錯開半節距之圖案構成之複數第2η型多結晶矽 層,形成覆蓋前述第2η型多結晶矽層上之第3絕緣膜,在 則述第1與第2η型多結晶矽層上之前述第2與第3絕緣膜設 置開口部,藉透過前述開口部與金屬薄膜之接觸,分別於 前述第1與第2η型多結晶矽層之晶片中心側形成溫接點 一 於其周緣側形成冷接點部’同時將前述溫接點部與鄰 接之η型多結晶矽層之冷接點部在前述金屬薄膜層相互的 連結’形成直列連結之熱電元件列,且在前述熱電元件列 上透過絕緣膜形成紅外線吸收膜。 本發明係藉與一層構造時同數的η型多結晶石夕層之圖 案佈置作成兩層構造,由於可擴寬!!型多結晶矽層之面積, 可降低多結晶矽層之電阻,其結果可提高信號/噪聲比。 再者,申請專利範圍第7項之發明係在申請專利範圍 第卜2、3、4、5或6項中任一項之熱電堆型紅外線感測器, 其中, 刖述早結晶石夕基板之面方位係(10 0)面,本發明由於 單結晶矽基板之面方位係(100)面,藉各向異性姓刻可有 效的形成空洞部。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 13 III — I I I I I — — — — — — II ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479123 A7
五、發明說明(11 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者,申請專利範圍第8項之發明係在申請專利範圍 第卜2、3、4、5或6項中任-項之熱電堆型紅外線感測器, 其中, 自晶片中心放射狀的配置之前述n型多結晶矽層係向 晶片周緣方向伸展之扇形圖案之組合,本發明為有效的使 用薄膜部之面積,由於在圓形平面取得相互咬合的η型多 結晶矽膜之圖案幅度較寬闊,可降低溫接點部與冷接點部 間的η型多結晶矽膜之電阻。因而,可提高熱電堆元件之 輸出電壓一約翰遜熱噪聲(信號/噪聲)比。再者,由於在 薄膜之全面形成η型多結晶矽膜,可作為應力等堅強之構 造。 再者,申請專利範圍第9項之發明係在申請專利範圍 第卜2、3、4、5或6項中任一項之熱電堆型紅外線感測器, 其中 前述溫接點部係配置於自晶片中心半徑Γ1〜r3之同心 圓上,且係rl<r2<r3之關係。 本發明係藉熱電元件之溫接點部配置於同心圓,可降 低構成各熱電元件的多結晶矽層之電阻,同時因入射紅外 線變成薄膜上之高溫度部份,由於在中心部附近係圓形的 分佈,可有效的抽出輸出電壓,可獲得信號/噪聲比優越 之紅外線感測器。 再者,申請專利範圍第10項之發明,係在申請專利範 圍第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱電堆型紅外線感測 器,其中, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >裝---- ·111111. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 14 479123 •經濟部智慧財產局員工.消費合作社印制π A7 _____Β7____ 五、發明說明(I2 ) 設置於前述熱電元件列上之紅外線吸收膜係自蝴石夕g曼 系玻璃、聚醯亞胺系樹脂、乙烯基系樹脂或丙烯基系樹脂 之一種構成。 本發明係譬如由硼矽酸系玻璃構成之玻璃絕緣膜鍛 燒、熔化一次、可憾少氣孔,而且由於係硼矽酸系玻璃, 可擴大吸收紅外線之波長領域。再者,樹脂的情形,藉添 加顏料或碳粉末,由於可擴大紅外線吸收率或吸收之波長 域’可提高紅外線感測器之感度。 再者’申請專利範圍第11項之發明係在申請專利範圍 第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱電堆型紅外線感測器, 其中, 覆蓋前述熱電元件列之絕緣膜係磷矽酸鹽玻璃與氮化 石夕之兩層絕緣膜,本發明可緩和薄膜部之應力。 再者,申請專利範圍第12項之發明係在申請專利範圍 第卜2、3、4、5或6項中任一項之熱電堆型紅外線感測器, 其中, 月’J述第1絕緣膜係由二氧化矽與氮化矽之兩層,或氮 化矽隔二氧化矽之三層構所構成,本發明係適宜的組合二 氧化矽與氮化矽、緩和薄膜部之應力,同時可作為空洞部 形成時之蝕刻停止層使用。 再者,申請專利範圍第13項之發明係在申請專利範圍 第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱電堆型紅外線感測器, 其中, 前述η型多結晶矽層之周緣部除了形成溫接點部、冷 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
4/^123 A7 五、發明說明(13 ) ' - 接點部外之部份,係形成階梯狀。 $月係藉η型多結晶矽膜之圖案邊緣形狀作成階 狀解决步進補償之問題,變成可將多結晶石夕膜 接觸的金屬薄膜層之膜厚作薄。由於藉它可降低金屬薄: 層之壓力、平坦的薄膜之製造變為容易,可提高合格率。 再者,申請專利範圍第14項之發明係在申請專利範圍 第卜2、3、4、5或6項中任—項之熱電堆型紅外線感測器, 其中, 刚述η型多結晶矽層之周緣斷面係錐形狀。 本發明係藉η型多結晶矽層之圖案邊緣形狀作成錐形 狀,可解決步進補償之問題結果,連結溫接點部與冷接點 4間的金屬肖膜層沒有斷線、同時由於金屬薄膜層之膜厚 可更薄,可降低因金屬薄膜層產生之應力,變成容易製造 平坦的薄膜部並提高合格率。 再者,申請專利範圍第15項之發明係在申請專利範圍 第卜2、3、4、5或6項中任一項之熱電堆型紅外線感測器, 其中, 月’J述η型多結晶矽層之電阻率係ι〜1〇兆歐·公分。 本發明係藉η型多結晶矽膜之電阻率在1〜1〇兆歐·公 分之範圍,變成可將西貝克係數與電氣電阻值之互相交換 關係作成最合適。亦即,η型多結晶矽層之電阻率比丨兆歐· 公分小時,西貝克係數變小,就不能獲得成為實用之輸出 電壓,10兆歐·公分以上時,雖西貝克係數變大但西貝克 係數之溫度係數與約翰遜熱噪聲也變大,有信號/噪聲比 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------- 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 16 ^123 ^123 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(Μ) 降低之缺點’故η型多結晶石夕膜之電阻率在1〜ι〇兆歐·公 分之範圍較佳。 再者,申請專利範圍第16項之發明係在申請專利範圍 第卜2、3、4、5或6項中任一項之熱電堆型紅外線感測器, 其中, 覆蓋前述熱電元件列之絕緣膜係至少含有二氧化矽、 氮化矽、氮矽酸、磷矽酸鹽玻璃、三氧化二鋁、Sial〇n(一 種陶瓷)中之一種。 本發明係藉適宜組合使用成膜之二氧化矽、氮化矽或 氮矽酸作為純化膜,可製作氣密度高、且緩和加於薄膜部 之應力、平坦的薄膜部。更且,至少使用磷矽酸鹽玻璃、 三氧化二鋁、Sailon(—種陶瓷)中之一種,更且由於形成 硼矽酸系玻璃、可緩和加於薄膜部之應力。 再者,申請專利範圍第17項之發明係在申請專利範圍 第1、2、3、4、5或6項中任一項之由過濾材構成之窗材, 前述窗材係四角形或六角形,前述開口部之形狀與前述窗 材之形狀一致,且形成在前述開口部之各隅角部形成之凹 部,藉前述凹部以定位保存前述窗材。 申請專利範圍第19、20項之發明係在設置於捲裝之蓋 的開口部將窗材之形狀使其—致,將窗材嵌插於開口部而 固疋的,在窗材之隅角部嵌插之開口部形成彎曲之缺口 W,作成隅角部嵌入缺口部内、將間隙儘可能的作小。再 者申明專利範圍第20項之發明係在開口部之四隅形成突 出外側之凹部,將窗材嵌入開口部,且將窗材之四隅接 本紙張尺度適_ A4規格⑵Q χ挪公^
------------i, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線· 479123 經濟部智慧財產局員工,消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(I5 ) 於凹部之底面,由於粘附窗材與蓋,可將蓋強固的固定於 窗材。再者’由於窗材與蓋之厚度方向可正確的對位,可 將窗材與蓋表面作成。 再者,申請專利範圍第21項之發明係在熱電堆型紅外 線感測器之製造方法, 包含下列步驟,即: 第1步驟,係在單結晶矽基板之兩面藉熱氧化、化學 氣相澱積或濺射形成第1絕緣膜; 第2步驟,係在前述第丨絕緣膜表面上藉化學氣相澱積 或賤射將多結晶矽層成膜; 第3步驟,係在前述多結晶矽層藉擴散不純物、形成 電阻率1〜10兆歐·公分範圍之η型多結晶矽層; 第4步驟,係臨摹前述η型多結晶矽層,形成自晶片中 心半徑rl之位置作為起點、自形成於外側半徑r2間放射狀 之扇形圖案條紋狀的延伸到前述基板上之圖案、還有自晶 片中心半徑Γ2之位置作為起點向外周方向放射狀條紋狀的 延伸到前述基板上之圖案與最離開半徑^之位置作為起點 朝向外周方向條紋狀的延伸到前述基板上之圖案構成之第 1圖案; 第5步驟,係在以前述第1圖案形成的複數之^型多結 晶矽層及第1絕緣膜上,藉化學氣相澱積、玻璃塗布或濺 射形成第2絕緣膜; 第6步驟,係在相對於溫接點部及冷接點部各部份之 前述第2絕緣膜設置開口部; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^---------*
A7 五、 發明說明(l6 Ο 經 濟- 部 智 慧 財 產 局 員 工 ’消 費 合 作 社 印 製 第乂驟係、於則述第6步驟之後,藉滅射或蒸鑛將金 屬薄膜層成膜;以及 第8步驟’係臨摹前述金屬薄膜層,將前述η型多結晶 石夕層與前述金屬薄膜層在前述開口部電阻接觸,直列連結 由溫接點部與冷接點部構成之各熱電元件,形成熱電元件 列;並包含有: 在則述金屬薄膜層與前述第2絕緣膜上形成第3絕緣 、 在曰曰片中央部形成紅外線吸收膜,最後步驟其中, ,述單結晶矽基板裡面之前述第i絕緣膜設置開口部, 〜d在刖述基板之裡面形成空洞部,自裡面露出前述第 1絕緣獏之步驟。 再者,申請專利範圍第22項之發明係熱電堆型紅外線 感測器之製造方法, 包含下列步驟,即 ^第1步驟,係將單結晶矽基板之兩面藉熱氧化、化學 氣相澱積或濺射形成第1絕緣膜; 第2步驟,係在前述第丨絕緣膜上藉化學氣相澱積或濺 射將多結晶石夕層成膜; 第3步驟,係在前述多結晶矽層藉擴散不純物形成 阻率在1〜10兆歐·公分範圍之η型多結晶矽層; 第4步驟,係在前述η型多結晶矽層,臨摹自晶片中〜 半拴Γΐ之位置作為起點、自形成於外側半徑r2間放射狀的 扇形圖案條紋狀延伸到前述基板之圖案、更且自晶片中心 電 心 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
19 479123 A7 五、發明說明(Π ) U之位置作為起點自外周方向放射狀條紋狀的延伸到 刚述基板上之圖案與最離開的半卵之位置作為起點朝向 外周方向條紋狀延伸到前述基板上之圖案,姓刻前述η型 多結晶矽層之一部份並作成台面狀; 4夕第5步驟,係藉臨摹與以前述第4步驟形成的台面狀^ 型多結晶矽層相似、更大的圖案,留下並蝕刻前述台面狀 η型多結晶石夕層周緣部之㈣多結晶石夕層,形成附帶錐形的 階梯狀η型多結晶矽層; 第6步驟,係在前述第5步驟之後的前述階梯狀η型多 釔曰曰矽層上形成第2絕緣膜,在相對於溫接點部及冷接點 部各部份之前述第2絕緣膜設置開口部; 第7步驟,係在前述第6步驟之後,藉濺射或蒸鍍將金 屬薄膜層成膜;以及 第8步驟,係臨摹前述金屬薄膜層,將前述階梯狀^型 多結晶石夕層與前述金屬、薄膜層纟前述開口部電阻接觸,直 列連結自 >益接點部與冷接點部冑成之各熱電元彳,形成熱 電元件列; 並包含有·· 第9步驟,係在前述第2絕緣膜與前述金屬薄膜層上形 成第3絕緣膜,在前述第3絕緣膜上形成紅外線吸收膜;以 及 第10步驟,係在前述單結晶矽基板之裡面形成空洞 部’自裡面露出前述第1絕緣膜。 再者,申請專利範圍第23項之發明係熱電堆型紅外線 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裳--------訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20
479123 五、發明說明(is) 感測器之製造方法,包含下列步驟,即: 第1步驟’係在單結晶矽基板之兩面形成第1絕緣膜; 第2步驟,係在前述第丨絕緣膜上藉化學氣相澱積或濺 射將第1多結晶矽層成膜; 第3步驟’係由自晶片中心半徑r 1之位置作為起點, 自形成於外側半徑r2間的放射狀扇狀圖案條紋狀延伸到前 述基板上之圖案,自晶片中心半徑r2之位置作為起點向外 周方向放射狀條紋狀的延伸到前述基板上之圖案及最離開 的半徑r 3之位置作為起點朝向外周方向條紋狀延伸到前述 基板上之圖案所構成之第丨圖案那樣,臨摹前述第丨多結晶 夕層之後,堆積第2多結晶石夕層、擴散不純物、藉電阻率 在1〜10兆歐·公分範圍之前述第丨圖案形成第“型多結晶 矽層與第2n型多結晶矽層; 第4步驟,係前述第3步驟之後,將前述第以型多結晶 矽層藉臨摹以與前述第丨圖案相似、更大的第2圖案,藉前 述第2圖案將n型多結晶矽層之周緣形成附帶錐形狀之階梯 狀; 第5步驟,係前述第4步驟之後,藉前述第2圖案在^^型 多結晶矽層上形成第2絕緣膜,在相對於溫接點部與冷接 點部在各部份之前述第2絕緣膜設置開口部; 第6步驟,係前述第5步驟之後,藉濺射或蒸鍍將金屬 薄膜層成膜;以及 第7步驟,係臨摹前述金屬薄膜層,將前述n型多結晶 石夕層與前述金屬薄膜層在前述開口部電阻接觸,連結溫 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4 &格(210 χ 297公釐) 1~21---- ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -經^部智慧財產局員工.消費合作社印製 479123 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(l9 點部與冷接點部,形成直列連結之熱電元件列; 並包含有: 第8步驟,係在前述第2絕緣膜與前述金屬薄膜層上形 成第3絕緣膜之後,在前述第3絕緣膜上形成紅外線吸收 膜;以及 第9步驟,係在前述單結晶矽基板之裡面形成空洞部, 自裡面露出前述第1絕緣膜。 再者申明專利範圍第24項之發明係熱電堆型紅外線 感測器之製造方法, 包含下列步驟,即: 七第1步驟,係在單結晶矽基板之兩面、藉熱氧化、化 學氣相澱積或濺射形成第1絕緣膜; 第2步驟,係在前述第〖絕緣膜表面上藉化學氣相澱積 或錢射將第1多結晶矽層成膜; 、第3步驟,係在前述第丨多結晶矽層藉擴散不純物、形 成電阻在1〜10兆歐·公分範圍之第In型多結晶矽層; 第4步驟,係臨摹前述第“型多結晶矽層,形成由晶 片中^半控:r 1之位置作為起點、自形成於外側半徑間放 射狀的扇形圖案條紋狀的延伸到前述基板上之圖案、更且 曰片中〜半徑r2之位置作為起點向外周方向放射狀條紋 狀的延伸到前述基板上之圖案與最離開的半徑r3之位置作 為起點朝向外周方向條紋狀的延伸到前述基板上之圖案構 成之第1圖案; 第5步驟,係在前述第丨圖案形成之複數η型多結晶矽 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^--------^---------.
本纸張尺度剌巾關家標準(CNS)A伐格⑵G χ 297公爱) 經„濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 A7 發明說明(2〇 層及第1絕緣膜上藉化學氣相澱積、玻璃塗布或濺射形成 第2絕緣膜; 第6步驟,係在前述第5步驟之後,堆積前述第2多結 夕層在則述第2多結晶石夕層藉擴散不純物、摻雜並形 成電阻率在1〜10兆歐·公分範圍之第2η型多結晶矽層; 第7步驟,係前述摻雜步驟之後,形成由相對於前述 第1η型多結晶矽層之第i圖案,在圓周方向錯開半節距所 構成的前述第2n型多結晶矽層之第2圖案; 第8步驟,係在圖案化之前述第1與第2η型多結晶矽層 上形成第3絕緣膜,在相對於溫接點部及冷接點部各部份 之則述第2或第3絕緣膜設置開口部; 第9步驟,係在前述第3絕緣膜上形成金屬薄膜層並臨 摹,藉在前述開口部前述第i、第2η型多結晶矽層與前述 金屬薄膜層之接觸形成之前述溫接點部與冷接點部連結形 成熱電元件列; 第10步驟,係在前述第3絕緣膜與前述金屬薄膜層上 形成第4絕緣膜,在前述第4絕緣膜上形成紅外線吸收膜; 以及 、, ★ π步驟,係在前述單結晶矽基板之裡面形成空洞 部’自裡面露出前述第1絕緣膜。 再者,申請專利範圍第25項之發明係熱電堆型紅外線 感測器之製造方法, 包含下列步驟,即: 第1步驟,係在面方位(100)之單結晶矽基板之兩面, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 23 ----.-----------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明(2i ) 藉熱氧化、化學氣相搬積或減射形成第鴻緣膜; …第2步驟’係在前述第1絕緣膜表面上藉化學氣相澱積 或濺射將第1多結晶矽層成膜; 第3步驟,係在前述多結晶石夕層藉擴散不純物形成電 阻率在1〜U)兆歐·公分範圍之_多結晶矽層; 第4步驟,係臨摹前述n型多結晶石夕層,形成自晶片中 心半徑以位置料起點,自形成於外側半如間放射狀 的扇型圖案條紋狀的延伸到前述基板上之圖案、更且自晶 中半kr2之位置作為起點、向外周方向放射狀的條紋 狀的延伸到前述基板上之圖案與最離開的半徑^之位置作 案I 朝肖外周方向條紋狀的延伸到前述基板上之圖 第5步驟,係在前述第i絕緣膜及前述打型多結晶石夕層 上將金屬薄臈層成膜; •夕第6步驟,係臨摹前述金屬薄膜層,將圖案化之前述η 3L夕結晶石夕層之前述溫接點部與冷接點部藉與前述金屬薄 膜層之接觸而形成,同時藉前述金屬薄膜層將前述溫接點 4與冷接點部相互連結而形成熱電元件列; 第7步驟,係在前述第i絕緣膜、前述金屬薄膜層盥前 述^案化之η型多結晶石夕層上形成絕緣膜,在該絕緣膜上 之曰曰片中央部形成紅外線吸收膜;以及 第8步驟,係蝕刻前述基板以形成空洞部,自裡面露 出前述第1絕緣膜。 再者,申請專利範圍第26項之發明係在申請專利範圍 479123 經,濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(22 ) 第21、22、23、24或25項中任一項之熱電堆型紅外線感測 器之製造方法,其中 形成於前述熱電元件列上之紅外線吸收膜係由硼石夕酸 系玻璃、聚醯亞胺系樹脂、乙稀基系樹脂或丙埽基系樹脂 中之一種所構成。 再者’申請專利範圍第27項之發明係在申請專利範圍 第21、22、23、24或25項中任一項之熱電堆型紅外線感測 器之製造方法,其中, 其係經加熱步驟而將前述紅外線吸收膜之表面作成具 有凹凸條紋狀圖案。 本發明由於紅外線吸收膜形成凹凸,可提高紅外線之 吸收率。 再者’申請專利範圍第28項之發明係在申請專利範圍 第27項熱電堆型紅外線感測器之製造方法,其中 前述紅外線吸收膜之膜厚係丨〜15微米,而前述紅外 線吸收膜之表面則形成有1〜10微米之凹凸。 本發明由於紅外線吸收膜之膜厚在15微米以上時則降 低吸收效率,故1〜15微米之範圍較為理想,由於凹凸之 尺寸作成10微米以上時,可提高反射率、降低吸收率,藉 作成1〜10微米之範圍’可提高吸收效率。 在上述製造方法其中,藉減壓化學氣相殿積將多結晶 矽層成膜時之溫度作為攝氏600度〜700度,進行矽之結晶 化並多結晶化,則載體移動度變高、多結晶矽膜之電阻率 降低,將西貝克(溫差電動勢)熱電係數作高,則可提高輸 本纸張尺度適用中關家標準(CNS)A4 £格(21Q χ 297公爱) 25
--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -_線· 479123 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(23) 出電壓一約翰遜熱噪聲(信號/噪聲)比之一種熱電堆型紅 外線感測器之製造方法。 本發明係藉熱電元件之溫接點部配置於同心圓、可降 低構成各熱電元件的η型多結晶矽層之電阻,同時藉入射 紅外線薄膜上變成高溫度部份由於左中心部附近係圓形的 分布,可有效的抽出輸出電壓,可獲得信號/噪聲比優越 之紅外線感測器,同時η型多結晶矽層之布置藉自前述空 洞部中心部配置溫接點於半徑r 1 < Γ2 < r3的同心圓之各圓 周上,則構成因多結晶矽層在薄膜内發生之應力並不會其 中。 此外,本發明之熱電堆型紅外線感測器係依使用形 態、有將熱電堆元(晶片)按裝於基板使用的情形或將晶片 封裝使用的情形,本發明之熱電堆型紅外線感測器作為該 封裝,則使用熱傳導率高的金屬盒或由三氧化二鋁或氮化 鋁構成之陶瓷壓電元件,藉該晶片以陶瓷壓電元件封入, 對周圍溫度之變化追從性變佳,在封裝内不會發生溫度 差,變成可咼精確度的施行冷接點部之溫度補償。 〔發明之實施形態〕 以下,就有關於本發明熱電堆型紅外線感測器及其製 造方法,參照表示其實施形態之圖式予以說明。此外,本 發明係參照實施形態1到4說明之。 (實施形態1) 關於本發明之實施形態丨,參照第!圖〜第6圖予以說 明。第1圖係表示有關於實施形態丨熱電堆型紅外線感測器 本纸張尺度適”國國家標準(CNS)A4規格⑵◦ χ 297公爱巧_________ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝---------訂---------\ 479123 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印J
五、發明說明(24 ) 之熱電堆元件(晶片)一部份缺口斜視圖,第2圖係為說明 熱電堆型紅外線感測器之各熱電元件之連結之說明圖。第 3(a)圖係第1圖的多結晶矽層之平面圖,絕緣膜、純化膜 及樹脂吸收膜等之圖示係省略的,第3(b)圖係形成絕緣膜 時之第3(a)圖X-X斷面圖。第4圖表示本實施形態熱電堆型 紅外線感測器之概要的部份平面圖,第5圖係形成絕緣膜 時之在第4圖所示部份斷面圖。第6(a)、(b)圖係在熱電堆 元件形成純化膜或紅外線吸收膜之模式斷面圖。 第1圖其中,在單結晶矽基板1形成空洞部13,如覆蓋 空洞部13,形成絕緣臈2a並形成薄膜部14。覆蓋空洞部13 之絕緣膜2a上係形成放射狀的n型多結晶矽層,在該等n型 多結晶矽層與鋁等金屬薄膜層之接觸部形成溫熱點部與冷 接點部。由於在金屬薄膜層,將鄰接之η型多結晶矽層間 之溫接點部與冷接點部相互連結,直列連結之熱電元件列 即形成於絕緣膜2a上。溫接點部係形成於空洞部13上之絕 緣膜2a上,冷接點部係形成於單結晶矽基板丨上之絕緣膜“ 上。熱電70件列之引出線係連結形成於外周部之電極襯墊 部12。如此覆蓋基板i之空洞部13那樣,形成薄膜架橋狀 的絕緣膜2a,其上面藉熱電元件列形成感熱部。更且,將 如後述如覆蓋感熱部形成純化膜與紅外線吸收膜等。 首先,為容易瞭解本實施形態、參照第2圖就各熱電 元件之連結予以說明。如第2圖所示,在絕緣膜上形成島 狀的η型多結晶石夕層3ι〜33〇η型多結晶石夕私之溫接點部 Ta係藉金屬薄膜層7知型多結晶石夕私之冷接點部几連 297公釐) 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺錢財國國家標準(C'NS)A4規格(2:^ 27 479123 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 A7 ---------- B7_ — 五、發明說明(25 ) 結’且η型多結晶矽層%之溫接點部Ta係在金屬薄膜層連 接於η型多結晶矽層3S之冷接點部Tb。如此η型多結晶矽層 之溫接點部Ta係藉金屬薄膜層7、連結於鄰接之η型多結晶 石夕層之冷接點部Tb,熱電元件係在金屬薄膜層7直列連結 並形成熱電元件列,該等之最終端係如第1圖所示,連結 於電極襯塾部12。 接著’參照第3(a)圖說明時,本實施形態熱電堆型紅 外線感測器之圖案,n型多結晶矽層3 i〜33與配線圖案之 金屬薄膜層71〜73係放射狀的形成,形成熱電元件列。譬 如、接點部Ta四個係形成於晶片中心近旁的圓周上,36個 形成於其外側同心圓之圓周上,更且40個形成於其外側同 〜圓之圓周上’更且4〇個形成於其外側同心圓之圓周上。 該等熱元件之冷接點部几係與形成於基板絕緣膜上之晶 片周緣的溫接點部形成同數8〇個。如此熱電元件放射狀的 形成於晶片中心。 熱電堆型紅外線感測器之圖案係組合島狀的η型多結 晶石夕層3i〜之各種圖案所構成,η型多結晶矽層3l係晶 片中心側主要的扇形圖案與自該扇型圖案與自該扇型圖案 向晶片周緣方向延伸之條紋狀部所構成。η型多結晶矽層3ι 的條紋狀部所構成。n型多結晶矽層3!的條紋狀部之圖案 形狀係釣型之n型多結晶矽層,除去與其他圖案之咬合部 份以外’晶片周緣部之寬度係擴展形狀。在該η型多結晶 石夕層3 i之缺口位置係咬合那樣的配置條紋狀的鉤型之η型 多結晶矽層32,在η型多結晶矽層3!、32之缺口部係咬合 本紙張尺度適用中國國冢標準(CNS)A4規格(21G X 297公爱) 28 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
---------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖示第4圖之A-A、B-B、C-C、D-D斷面圖,該圖係形成 絕緣膜。第6(a)、(b)圖係為說明本實施形態熱電堆型紅外 線感測器熱電元件之膜構成之模式斷面圖。 本貫施形態之熱電堆型紅外線感測器係如第4圖、第5 圖所示,η型多結晶矽層3!〜33之溫接點部Ta分別形成於 自晶片中心c半徑rl到半徑r2間之扇形圖案3a與自該扇形 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 29 A7 A7 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 ' --—------ 五、發明說明(27 ) 圖案3a延伸到近外緣部條紋狀之鉤型圖案3b構成,鈞型圖 案3b係自半徑r2到半徑r3與自半徑r3向外周部有些變成寬 度擴展的扇狀。彌補η型多結晶碎層3 i之缺口部那樣,幵; 成η型多結晶矽層32,η型多結晶矽層之圖案係由自半徑 r2向外周方向延伸到接近基板外緣部之鉤型圖案3b,構成 之條紋狀圖案。彌補釣型圖案3 b、3 b ’之缺口部那樣,配 置η型多結晶矽層33之圖案,η型多結晶矽層33之圖案係由 自半徑r3向外周方向延伸條紋狀圖案3c構成。此外,半徑 rl〜r3係rl<r2<r3之關係。此外,半徑rl係接近中心c之 位置。再者,在晶片中心c留下圓形之多結晶矽層也可。 η型多結晶矽層3!〜33係覆蓋絕緣膜4,η型多結晶石夕 層的扇形圖案3a頂端部之絕緣膜4係如第5(a)圖所示形成 接觸孔(開口部)15a,η型多結晶矽層32、33頂端部之絕緣 膜也如第5(b)、(c)圖所示,分別形成開口部15b、15c。由 於在該等開口部15a〜15c金屬薄膜層7電阻接觸,形成溫 接點部Ta。η型多結晶矽層3l〜h之他端係如第5(d)圖所 示,在絕緣膜4形成開口部15d ,由於金屬薄膜層7與自開 口部15d露出之n型多結晶矽層電阻接觸,形成冷接點部 Tb。如此,η型多結晶矽層3l〜33係在其晶片中心側形成 溫接點部Ta,在他端形成冷接點部Tb。 如此’本實施形態之熱電堆型紅外線感測器係以一層 之η型多結晶矽層構成’在形成於單結晶矽基板1表面之絕 緣膜2a上係條紋狀、多數放射狀的形成η型多結晶矽層3。 而且在形成於絕緣膜2 a及η型多結晶碎層3上之絕緣膜4 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 30 -----·----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I I I 11111111 經·濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 479123 A7 _ B7 五、發明說明(28) 形成開口部15a〜15d,在絕緣膜4上將鋁等之金屬薄膜層 成膜之後’臨摹並將溫接點部與冷接點部相互連結形成金 屬薄膜層7。 ; 上述實施形態之各熱電元件直列連結之熱電元件列上 係如第6(a)圖所示,形成氮化矽之絕緣膜8,覆蓋其感熱 部中央之溫接點部Ta那樣,形成二氧化矽(絕緣膜)1 〇被覆 之硼矽酸系玻璃層9。再者,如第6(b)圖所示,覆蓋感熱 > 部中央之溫接點部Ta那樣,形成藉PSG(罐矽酸鹽玻璃)層 一與氮化矽之絕緣膜8,更且為使紅外線之吸收良好,覆 蓋薄膜中央部(感熱部)那樣形成樹脂吸收膜16。如此藉形 成玻璃層或樹脂吸收膜,可提高作為感測器之紅外線吸收 特性。絕緣膜8係在氮化矽以外,至少含有二氧化石夕、 PSG(磷矽酸鹽玻璃)、三氧化二鋁、sial〇n(—種陶究)中之 一種。 此外,第6(a)圖之絕緣膜10係為自蝕刻步驟中保護硼 石夕酸系玻璃層9而形成。該棚石夕酸系玻璃層9與絕緣膜1 〇係 姓刻除去並留下薄膜中央部、玻璃層9與絕緣膜1〇係具有 作為紅外線吸收膜之機能。一方面,第6(b)圖之樹脂吸收 膜16係使用聚醯亞胺系樹脂、乙烯基系樹脂、苯酚系樹脂、 環氧基系樹脂、丙烯基系樹脂及合成橡膠等。再者,在基 板1之裡面係形成絕緣膜2b,將絕緣膜2b藉餘刻開口,藉 自裡面藉驗性蝕刻等之蝕刻液各向異性蝕刻,形成空洞部 13。此外,第1圖所示之電極襯墊部12係蝕刻開口絕緣膜8 之一部份,臨摹形成金屬薄膜11、12。金屬薄膜層u、12 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 31 ----,---------裳--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^/^123 ^/^123 A7 B7
經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 接著,就實施形態1熱電堆型紅外線感測器之製造方 法的一實施形態,參照第1圖〜第6圖予以說明。 ① 基板1係面方位(100),其厚度係由400微米程度之 半導體單結晶石夕基板構成,以攝氏900〜11 〇〇度程度之溫 度熱氧化’在基板1之兩面形成由厚度〇1〜1微米之二氧 化矽(Si〇2)構成之絕緣膜2a、2b。此外,絕緣膜2a係二氧 化矽之一層、二氧化矽+氮化矽之兩層、或二氧化矽+氮 化矽+二氧化矽+氮化矽+二氧化矽之三層構造之任一種 也可。 ② 該絕緣膜2a上係藉LP-CVD低壓一化學氣相澱積法 或濺射法形成膜厚〇」〜2微米之無膠漿多結晶矽層,更且 在該矽膜以三氣化磷酸作為不純物源,以攝氏8〇〇〜115〇 度之溫度摻雜磷。將形成於摻雜後表面之磷矽酸鹽玻璃 (PSG)藉緩衝氫氟酸蝕刻。該多結晶矽層變成電阻率 兆歐·公分之η型多結晶矽層。 ③ 在η型多結晶矽層3上形成膜厚丨〜4微米之光致抗蝕 劑。該抗蝕劑作為掩膜,如第4圖所示,形成由自晶片中 心放射狀的條紋狀之多結晶矽層構成之圖案。該條紋狀圖 案係由自晶片中心作為起點自半徑rl向其外周方向半徑r2 間之扇狀圖案3a與自扇狀圖案3a延伸到接近基板外緣部的 圖案3b之條紋狀圖案所形成。更且,形成由自半徑以向晶 片外周方向延伸到接近前述基板之外緣部之釣型圖案3b, 32
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 · 479123 A7 B7 ♦ 經'濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 五、發明說明(30) 與自半徑1*3向外周方向延伸到接近前述基板之外緣部的條 紋狀圖案3c構成之圖案。 該η型多結晶矽之各圖案係將_多結晶矽層使用反應 性離子蝕刻(RIE)等臨摹,η型多結晶矽層3ι〜33係島狀, 在相互咬合之配置形成。此外,藉離子蝕刻作為η型多結 晶矽膜之蝕刻氣體,譬如六氟化硫較佳,藉設定矽膜之蝕 刻氣體,譬如六敦化硫較佳,藉設定適當的條件,蝕刻過 之η型多結晶矽層3ι〜33之邊緣形狀變成錐形狀。藉將各η 型多結晶矽層之邊緣形狀作成錐形狀,可改善形成於矽層 上之上層膜之步進補償之問題(配線之斷線等)。此外,藉 各向同性蝕刻η型多結晶矽層,將其周緣部形成錐形狀或 階梯狀也可。 ④ 更且,將鋁一矽藉濺射法堆積到膜厚〇2〜丨微米之 後,使用磷酸作為蝕刻劑臨摹而形成金屬薄膜層7。在該 步驟中,形成多數的溫接點部丁a與冷接點部Tb ,由熱電 元件直列連結之熱電元件列形成感熱部。 ⑤ 接著,在感熱部上,藉等離子化學氣相澱積法或濺 射法,形成膜厚0.2〜2微米之氮化矽作為絕緣膜,更且在 絕緣膜8上形成膜〇·3〜3微米之硼矽酸系玻璃層9。硼矽酸 系玻璃層9係藉在攝氏3〇〇〜600度之溫度退火並軟炼,可 改善氣孔降低或步進補償,更且,在硼矽酸系玻璃層9上、 係藉賤射法、形成膜厚〇· 1〜2微米之二氧化石夕1 〇。此外, 絕緣膜8係作成可緩和膜之張力或壓縮壓力,自二氧化矽、 氮化矽或氮矽酸的材料之中選擇並組合使用。譬如作為二 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479123 A7
五、發明說明(31 ) 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 氧化矽之兩層、或在二氧化矽隔著氮化矽之三層構造。 ⑥ 钱刻除去薄膜部14上之蝴石夕酸系玻璃層9與二氧化 矽10之一部份,留下薄膜中央部作為紅外線吸收膜。 ⑦ 電極襯墊部係蝕刻絕緣膜8之一部份並開口,臨幕 金屬薄膜層11、12,在絕緣膜8重疊那樣的形成。⑧ 最終步驟係藉#刻基板1裡面之絕緣膜2b並開口, 藉自裡面將基板1藉鹼性蝕刻劑等之蝕刻液作各向異性蝕 刻’在基板1形成空洞部13。 在最終步驟基板1裡面之餘刻,譬如,將(1 〇 〇 )面單结 晶石夕藉氫氧鉀作各向異性蝕刻時,如第i圖所示,形成54.7 度角度之錐形。該製造方法由於有在分批處理時可大量的 處理之優點,有可製作廉價的元件之優點。不過,該製造 方法由於形成起因於結晶構造之錐形,在晶片上產生無用 的部份,晶片尺寸之縮小化有困難。 面對晶片尺寸縮小化之要求係採用藉乾蝕刻法將矽基 板垂直的蝕刻之製造方法。該製造方法係藉採用RIE(電抗 離子蝕刻裝置)之乾蝕刻技術,將單結晶矽可在87〜9〇度 之角度垂直的蝕刻加工。該方法係使用適用於可發生高密 度等離子體之ICP(感耦等離子體)之ICP-RIE裝置,作為蝕 刻之掩膜作用二氧化矽或抗蝕劑,將矽基板有可能垂直的 蝕刻。藉使用如此的方法加工,可縮小晶片尺寸。 接著,以第6(b)圖為例說明關於樹脂製紅外線吸收膜 之製造方法。樹脂吸收膜(紅外線吸收膜)16係覆蓋薄膜中 央部那樣的形成。紅外線吸收膜16係選擇聚醯亞胺系樹 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 34 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
479123 A7 Ο 經一 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明(32) 月曰乙稀基祕月曰或丙稀基系樹脂中至少一種,在該樹脂中 添加顏料用以提高碳等的紅外線吸收特性。 作為上述紅外線吸收膜之成膜方法,有使用自旋塗層 之光電金屬版印刷術或印刷法。譬如採用光電金屬版印刷 法之紅外線吸收膜之成膜方法係在使用自旋塗層之晶片上 滴下感光性抗蝕劑,塗布之抗蝕劑之膜厚作為01微米〜30 微米。 k姓劑膜係藉恆溫槽或熱板等之加熱手段,在攝氏80 120度程度之溫度加熱(預烤)。預烤之後,成膜之膜係 藉掩膜校準器將希望的圖案校準之後,曝光顯像、除去成 為紅外線吸收膜部份之抗蝕劑。接著,經過潤洗步驟之後, 被事後烘烤,形成最後的形狀。 接著,將成為紅外線吸收膜含碳微粒子之樹脂液自旋 塗層為膜厚1〜30微米。更且,在攝氏80度〜12〇度程度之 溫度加熱(事先烘烤)之後,藉溶解抗蝕劑之剝離液卸下。 最終被加熱(事後烘烤)而形成最後的紅外線吸收膜。該最 終加熱步驟其中,藉控制溫度、時間、加熱方法,雖出示 於第19圖,但在成膜之樹脂吸收膜之表面形成凹凸由ι〜1〇 微米構成之條紋狀圖案。此外,第19圖之圖像係表示藉熱 板在約攝氏150〜300度最終加熱2〜15分鐘時的吸收膜之 表面。 作為使用於紅外線吸收膜之樹脂,在本發明宣告之樹 脂以外,使用感光性樹脂也可。使用感光性樹脂時,可省 略卸下步驟。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 35 I — — — — —---* 裝·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_ · --線· 479123
五、發明說明(33) 此外,使用光電金屬版印刷術臨摹時,自施塗層後之 表面係形成凹凸1微米以下非常平坦的膜。該平坦的膜有 在曝光時增加析象清晰度等許多的優點。不過,由於光學 的係平坦,入射之紅外線在該表面反射。藉習知之成膜方 法所形成平坦的膜之紅外線透射率,雖在波長10微米其中 係5%程度,但由於反射率高至25%程度,紅外線吸收率 實際上降低。 不過,如本實施形態,藉在紅外線吸收膜之表面形成 1〜10微米的凹凸之條紋狀圖案,在紅外線吸收膜之表面 形成的凹凸入射紅外線會散亂,紅外線之反射率可降低 10%程度。藉降低紅外線吸收膜之反射率,紅外線吸收率 即提高、感測器之輸出可提高約5%。 (實施形態2) 經濟部智慧財產局員工,消費合作社印製 就有關於本發明熱電堆型紅外線感測器之實施形態 2 ,參照第7圖〜第9圖予以說明。第7圖表示熱電堆型紅外 線感測器之圖案的1/2概略圖。第8圖係表示全圖案的1/4 之概略主要部份擴大圖。此外,第7圖、第8圖係省略絕緣 膜或純化層等之圖示。第9(a)〜(d)圖係圖示在第8圖所示 A-A、B-B、C-C、D-D斷面之膜構成。 本實施形態係降低實施形態ln型多結晶矽層31〜^之 電阻,提高信號/噪聲比作為目的,將n型多結晶矽層之膜 厚作厚者,其圖案表示於第7圖。本實施形態係與實施形 態1同樣,使用具有空洞部之單結晶矽基板,在其兩面形 成絕緣膜。形成於絕緣膜上之熱電材料之^型多結晶石夕層 A7
-經,濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 五、發明說明(34 係有將一層的多結晶矽層之膜厚較厚的形成之製造方法① 與形成兩層之η型多結晶矽層較厚的形成之製造方法②。 首先’就實施形態2之熱電堆型紅外線感測器、參照 第7圖予以說明時,就如在上述實施形態之說明,η型多結 晶石夕層3i〜33係自絕緣膜上之晶片中心放射狀的配置,且 形成相互分離之島狀。此第3(a)圖之n型多結晶矽層3ι〜^ 之圖案還小些的臨摹並蝕刻,形成台面狀的η型多結晶矽 層3 η〜3S1。其後,藉形成η型多結晶矽層h之圖案, 該等之周緣部具有附帶錐形的階梯狀之形狀。在其上形成 第2絕緣膜4並形成開口部後,藉濺射並臨摹金屬薄膜層, 前述開口部其中,藉η型多結晶矽層與金屬薄膜層接觸, 形成溫接點部Ta與冷接點部Tb。藉該等η型多結晶矽層之 周緣部作成附錐形之階梯狀、解除陡峭的斷坡,可防止在 金屬薄膜層之η型多結晶矽層的周緣部之金屬薄膜層的斷 線。 接著,就藉①一層之多結晶矽層的製造方法之實施形 態簡單的說明之。在單結晶矽基板形成絕緣膜2&,藉低壓 一化學氣相澱積法或濺射法,在絕緣膜2a上形成膜厚〇1 〜2微米之無膠漿。多結晶、矽層,更且在該多結晶矽層 將三氯化碟酸作為不純物源、在攝氏8〇〇〜丨15〇度之溫度 純化磷而形成η型多結晶矽層。該η型多結晶矽層電阻率為 1〜10兆歐·公分。形成η型多結晶矽層之後,藉緩衝氫氟 酸除去其表面之磷矽酸鹽玻璃(PSG),接著,以與實施形 態1之圖案相似、較小的圖案臨摹,形成台面狀的η型多結 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 37 ----.---------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^123 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印
本纸張尺度刺巾關家鮮祕⑵“挪公爱.了 五、發明說明(35 曰曰矽層3η〜3;ι,接著,以與實施形態1之n型多鈐曰矽層 同一的圖案臨摹,形成階梯狀之η型多結晶石夕層3〜3 : 其後,經在實施形態1說明之製造步驟,形成純化膜與紅 外線吸收膜等,可製造熱電堆型紅外線感測器。 接著,就藉0兩層之多結晶矽層的製造方法之實施形 態簡單的說明之。參照第7圖〜第9圖予以說明。此外,將 圖案化之一層的多結晶矽層作成覆蓋第2層之多結晶石夕層 那樣,與在①之製造方法說明之形狀大致相同的形狀,相 當於η型多結晶矽層3〗〜33之部份係在一層與兩層之多結 晶矽層形成,η型多結晶矽層相當之部份係在一層 之多結晶矽層形成。首先,在單結晶矽基板形成絕緣膜以, 藉LP(低壓)—化學氣相澱積法或濺射法、在絕緣膜&上形 成膜厚0.1〜2微米之無膠漿多結晶矽層。接著,接用形成 上述η型多結晶矽層3^-3^之掩膜,形成相互分離之多結 晶矽層之圖案。更且在前述多結晶矽層上,以同樣的製造 方法,形成0·1〜2微米之無膠漿多結晶矽層。接著,在該 等多結晶矽層,將三氣化磷酸作為不純物源,在攝氏8〇〇 〜Η50度之溫度純化磷。接著,使用η型多結晶矽層3ι〜& 之圖案形成相當於η型多結晶矽層3ι〜33之圖案。該n型多 結晶矽層電阻率為1〜10兆歐·公分。經如此的製造步驟, 在絕緣層上η型多結晶矽層3ι〜放射狀的形成於晶片中 心,在η型多結晶矽層3!〜33上,分別形成與n型多結晶矽 層3i〜33相似、較小的11型多結晶矽層3!1〜。接著,在 該等上面形成絕緣膜並形成開口部,形成將n型多結晶矽 38 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝--------訂--------- 發明說明(36) 層作為熱電材料的各熱電元件之溫接點部Ta與冷接點部 Tb,且形成各熱電元件直列連結之熱電元件列。此外, 作為熱電材料之η型多結晶石夕層係如上述將藉無膠浆多結 夕層之圖帛層-層的形成作為兩層接著,擴散不純 ,為η型多結晶矽層也可,在每—層純化不純物於多結 晶矽層,形成兩層之η型多結晶矽層也佳。 而且’ η型多結晶碎層33之溫接點部Ta係如第9⑷圖所示, 在形成於η型多結晶梦層33上的絕緣膜4之開口部Me,金 屬薄膜層7與„型多結晶矽層33接觸,通過絕緣膜4上,連 結於鄰接的η型多結晶石夕層31之冷接點部几。如此形成溫 接點部Ta與冷接點部Tb之熱電㈣係如第6⑷、(b)圖所 示,覆蓋純化膜與前述溫接點部那樣形成紅外線吸收膜, 進一步就本實施形態詳細的說明時,η型多結晶矽層1 之溫接點部Ta係如第9⑷圖所示’在形成於n型多結晶矽 層3,上的絕緣膜4之開σ部…㈣多結晶w 3丨與金屬 薄膜層7接觸而形成。該金屬薄膜層7係如第_、⑷圖所 示’無需通過η型多結晶石夕層3"上,將n型多結晶石夕層3丨之 絕緣膜4上延伸於晶片周緣方向。而且,金屬薄膜層7係如 第9(d)圖如示,在開口部15d接觸於㈣多結晶石夕層形 成冷接點部Tbi型多結晶傾&之溫接點部Ta係如第9⑻ 圖所示’在開”15b n型多結晶梦料與金屬薄琪層了接 觸而形成’金屬薄膜層7係如第9(e)圖所示,通過以絕緣 膜4覆盍之n型多結晶梦層32上,如第9_所示在鄰接 之"型多結晶㈣33之開口部15d接觸、形成冷接點部几。 /423 /423 % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 1、發明說明(37) 製作熱電堆型紅外線感測器。 當然,本實施形態係與上述實施形態同樣、η型多結 晶矽層3 i〜3;之圖案係自晶片中心放射狀的咬合那樣形成 於絕緣膜上,藉放射狀均一的配置於絕緣膜2a上,可均_ 的分布薄膜構造之應力。且,η型多結晶石夕層之周緣係為 規避陡峭的斷坡作成錐形狀。 就有關於本發明熱電堆型紅外線感測器之實施形態, 參照第10圖及第11圖予以說明。第1 〇圖係圖示本實施形雖 的1/4圖案之概略,第U圖係表示第10圖之冬A、b-B、 C、D-D、E-E斷面之膜構成。本實施形態係如第1 〇圖、第 11圖所示,藉金屬薄膜層7配置於絕緣膜2a上,以絕緣膜4 覆蓋以往所說明臨摹之n型多結晶矽層,不需要在該絕緣 膜4形成開口部15之製造步驟。因而,實施形態3之製造方 法由於係自實施形態1之製造方法除去形成開口部15的絕 緣膜4之製造步驟,可省略其詳細的說明。 第10圖、第11圖其中,本實施形態係在單結晶矽基板 之絕緣膜2a上,藉與以往說明之製造步驟和同樣的步驟, 形成多結晶矽層施行不純物擴散,接著,臨摹形成η型多 結晶矽層3i〜33。構成熱電元件係為一方之材料,兼帶配 線之金屬薄層7係自溫接點部Ta通過絕緣膜2a上連結於冷 接點部Tb那樣的構成。因而,n型多結晶矽層3!之圖案係 與上述圖案多少的不同,除去藉金屬薄膜層7配線正下面 之η型多結晶矽層,形成於絕緣膜2&上。 η型多結晶矽層Ji-S3雖與上述實施形態大致相同 ------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
479123
五、發明說明(38) E4 經濟部智慧財產局員工,消費合作社印製 案仁η型夕結晶矽層3丨之圖案係具有楔之扇狀圖案h。 =型多、结晶石夕層3ι與金屬、薄膜層7之接觸部^形成溫接點 邛Ta,自該溫接點部Ta伸長之金屬薄膜層7係通過在扇狀 圖案之η型多結晶矽層3ι溝部露出之絕緣膜。上,連結在 與金屬薄膜層7的接觸部7(1之冷接點部Tb。再者,自n型 多結晶矽層32之接觸部几通過絕緣膜仏上,與鄰接之^型 多結晶矽層3;之接觸部7c接觸。更且,自η型多結晶矽層^ 之接觸部7c通過絕緣膜2a上,與鄰接之η型多結晶矽層& 之接觸部7d接觸。形成直列連結之熱電元件列。 本貫施形態係不需要用以形成開口部之絕緣膜,有可 削減製造工數之優點,也可期待提高合格率。再者,藉將 η型多結晶矽層之周緣部作成階梯狀,可防止金屬薄膜之 配線圖案斷線,更且由於^型多結晶矽層與金屬薄膜層均 等的配置於晶片表面,變成可防止因應力而發生之裂縫。 (實施形態4) 就有關於本發明熱電堆型紅外線感測器之實施形態, 參照第12圖〜第14圖予以說明。第12圖係熱電堆型紅外線 感測器之1/4圖案之概略表示圖,第14(a)、(b)係表示第π 圖之Α·Α、Β·Β、C-C、D-D、E-E斷面圖。再者,第12圖 雖未圖示覆蓋熱電元件之絕緣膜,但第14圖、第15圖則圖 示絕緣膜。再者,第12圖係藉金屬薄膜層與η型多結晶石夕 層之接觸形成之溫接點部Ta與冷接點部Tb作為接觸部圖 示,為形成溫接點部Ta與冷接點部Tb在絕緣膜形成的開 口部之圖示係省略了。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 41 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工,消費合作社印製 479123 A7 _ B7 五、發明說明(39) 此外,本實施形態,熱電元件的熱電材料之η型多結 晶石夕層係隔著絕緣膜兩層的形成。亦即,第1層η型多結晶 矽層係與實施形態1之圖案同一的圖案,對該實施形態1之 η型多結晶矽層之圖案、透過絕緣膜將同一圖案之η型多結 晶石夕層向圓周方向錯開半節距形成的。只要與第1圖之實 施形態同一圖案,雖可形成160個之熱電元件、但只要形 成80個的熱電元件就可,分別形成第1層η型多結晶矽層之 40個、第2層η型多結晶石夕層之40個,由於形成8〇個的熱電 元件,實用上是沒有問題。 第13(a)〜(c)圖、第14(a)、(b)圖表示第12圖之Α-Α、 Β·Β、C-C、D-D、E-E斷面圖。該等之圖係表示通過溫接 點部Ta或冷接點部Tb的切斷面之斷面圖。該實施形態係 將一層之多結晶矽層作為階梯狀,形成錐形,被覆熱電元 件之純化膜或紅外線吸收膜係作為與上述實施形態同樣的 態樣。 參照第12圖〜第14圖說明時,與實施形態丨同樣,在 單結晶矽基板形成之絕緣膜2a上,第ιη型多結晶矽層31〜 3 3與上述貫施幵> 態同樣條紋狀多數放射狀的形成著。其上 部係形成絕緣膜4,更且第2η型多結晶矽層5ι〜53條紋狀 的形成於絕緣膜4上。N型多結晶矽層5!〜53之第2圖案係 相對於η型多結晶矽層3l〜3S之第1圖案錯開半節距之圖 案。而且,在其上形成絕緣膜6。第丨條紋狀之11型多結晶 矽層3!〜3;上之兩層的絕緣膜4、6係形成開口部,第211型 多結晶矽層5i〜53上之絕緣膜6也形成開口部。該等之開 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------·
^123
五、發明說明(4〇) 經養部智慧財產局員工,消費合作社印製 口。ίΜ系用以形成熱電元件之溫接點部與冷接點冑,在絕緣 膜6上’將㈣之金屬薄膜層朗,藉臨摹、將構成熱電 元件的一方之材料之配線形成兼帶金屬薄膜層7,η型多結 晶矽層3i〜33、5l〜53與金屬薄膜層7之接觸部成為熱電元 件之溫接點部Ta與冷接點部Tb。 溫接點部Ta之斷面係表示於第13(a)〜(c)圖,冷接點 部Tb之斷面係表示於第14(a)、(13)圖。第ln型多結晶矽層I 〜3s之冷接點部係表示於第14(b)圖,在設置於絕緣膜4之 開口部金屬薄膜層7與η型多結晶矽層3i〜33接觸而形成。 第2η型多結晶矽層5i〜53之冷接點部係表示於第14(a)圖, 在設置於絕緣膜6之開口部、金屬薄膜層7與n型多結晶矽 層5!〜53接觸,形成冷接點部Tb。而且,第2η型多結晶石夕 層之溫接點部Ta與鄰接的第In型多結晶矽層之冷接點部 Tb連結,在金屬薄膜層7,構成直列連結之熱電元件列。 更且,構成多數溫接點部之薄膜部係如第6(a)、(b)圖所示, 形成由絕緣膜8構成之純化膜與紅外線吸收膜。 雖上述實施形態1〜3之情形也同樣,但藉氮化矽形成 在絕緣膜8上由硼矽酸系玻璃層9構成之紅外線吸收膜,可 提高作為感測器之紅外線吸收特性。此外,絕緣膜1 〇係形 成由前述紅外線吸收膜構成之感熱部時,自蝕刻步驟中用 以保護硼酸系玻璃層9而成膜。電極襯墊部12係蝕刻絕緣 膜8之一部份並開口,臨摹金屬膜11、12,在絕緣膜8重疊 那樣的形成。再者,如第6(b)圖所示,在薄膜中央部作為 紅外線吸收膜16,形成由聚醯亞胺系樹脂、乙烯基系樹脂、 本、紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 43 ·---------裳--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479123 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(41 ) 或丙稀基系樹脂等構成之樹脂膜也可。如此,即使一層構 造之η型多結晶石夕層、兩層構造之η型多結晶石夕層,也可形 成第6圖所示之純化膜或紅外線吸收膜等。 接著’關於本貫施形態之製造方法,參照第12圖〜第 14圖予以說明。此外,在形成於單結晶矽基板表裡之絕緣 膜2a上形成第1層η型多結晶石夕層之步驟,由於與以 往說明之製造步驟同樣,省略其說明,從接下來的步驟說 明之。 ① 在第12圖虛線表示的第ln型多結晶矽層^〜^上 4,進行形成絕緣膜4之步驟。絕緣膜4係藉(低壓)一化 學氣相澱積法形成膜厚0.丨〜2微米之二氧化矽。此外,作 為絕緣膜4係如前述熱氧化多結晶矽層,藉在多結晶矽表 面形成約10毫微米〜100毫微米之二氧化矽作為層間絕緣 膜之構成,當然可謀求層間絕緣性之提高。 ② 前進第2η型多結晶⑨層之形成步驟,首先,將基板 溫度作為攝氏600度〜700度,藉LP(低壓)一化學氣相澱積 法在該絕緣膜4上形成膜厚〇.丨〜2微米之無膠多結晶矽 膜,更且藉離子砸入法,施行磷離子砸入之後,在攝氏肋〇 〜1150度之溫度熱處理以擴散磷。藉該純化步驟,無膠漿 多結晶矽層變成電阻率丨〜⑺兆歐·公分之η型多結晶矽 層。 ③ 在前述η型多結晶矽層上、形成膜厚i〜4微米之光 致抗姓劑膜,係與$ln型多結晶石夕膜31〜33形成時以同樣 的圖案,對自晶片中心C面對第ln型多結晶矽膜3丨〜^之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^---------·
479123 A7
經'濟部智慧財產局員工,消費合作社印製 五、發明說明(42 ) 第1圖案’向圓周方向錯開半節距之第2圖案,如第圖實 線所不的臨摹。藉此,形成自晶片中心面向周邊部放射狀 „狀圖案。該放射狀圖案與以往形成於底基的第_ 夕、口曰曰夕層3丨〜33之條紋圖案同一。該圖案作為掩膜,藉 採用RIE(電抗離子敍刻)等,臨摹η型多結晶石夕層ϋ。 ④將第1及第2η型多結晶石夕層31〜33及51〜53的條紋圖 案邊緣4上之絕緣膜4及6藉光電金屬版印刷術臨摹,藉 RIE(電k離子|纟刻)法似彳,形成開^部用以形成溫接點 部與冷熱部。 ⑤分別在第In型多結晶矽層3ι〜33與第2n型多結晶石夕 層5,〜53,為形成溫接點部與冷接點部並連結,藉濺射法 將鋁矽之金屬薄膜層7成膜到膜〇·2〜1微米,接著,藉 光電金屬版印刷術臨摹,使用磷酸作為蝕刻劑蝕刻,連結 各溫接點部Ta、冷接點部Tb,料形成底基電極概塾部 用以形成朝外部之抽出電極12。 ⑤形成金屬薄膜層7之後,藉等離子化學氣相澱積法 或濺射法,形成氮化矽、二氧化矽等膜厚〇2〜2微米之絕 緣膜8。更且,藉濺射法將膜厚〇·3〜3微米之硼酸系玻璃 層9成膜於絕緣膜8上。該玻璃層9以攝氏3〇〇〜6〇〇度之溫 度熱處理,用以減低氣孔並改善步進補償,減低該氣孔之 步驟即使在上述實施形態也有效果。 ⑦在熱處理之前述玻璃層9上,藉濺射法形成由膜厚 〇·5〜2微米構成的二氧化矽之絕緣膜1〇。而且,藉光電金 屬版印刷術臨摹,留下薄膜中央部、蝕刻除去硼酸系玻璃 I---.---------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479123 A7 B7 五、發明說明(43 ) 層9及絕緣膜10。更且,藉光電金屬版印刷術臨摹、蝕刻 除去電極襯墊部上之絕緣膜8,成膜鉻為50〜300毫微米、 金為100〜500毫微米厚度之後,作為電極襯塾11、12,藉 卸下臨幕® ⑧將基板1之裡面絕緣膜2b藉光電金屬版印刷術蝕刻 形成開口部,自裡面將單結晶矽基板1以鹼性蝕刻劑等各 向異性蝕刻除去基板部份,形成空洞部丨3,完成含成為紅 外線受光部溫接點部的薄膜部14形成之感測器晶片。 而且’在最後步驟,作為紅外線吸收膜之樹脂膜之形 成方法有網板印刷法、油墨喷射法、或自旋塗層樹脂之後, 使其硬化、藉光電金屬版印刷術臨摹形成之方法等。油墨 喷射法的情形係即使形成空洞部之後也可形成樹脂膜。此 外,配合需要、為提高紅外線吸收特性,於樹脂分散碳等 也可。 更且,上述貫施形態其中,作為形成於金屬薄膜層7 上之絕緣膜係在二氧化矽、氮化矽、氮矽酸以外,含pSG(磷 石夕酉文鹽玻璃)二氧化二链、Sial〇n(一種陶瓷)之任一種絕緣 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 膜也可。再者’覆蓋金屬薄膜層7之絕緣膜以填矽酸鹽玻 璃與氮化矽構成的也佳。 上述實施形態之熱電堆型紅外線感測器係通常如第i 5 圖所示封入包裝作為紅外線檢出器使用。同圖表示熱電堆 元件TA固定於芯軸SA上之狀態。使用之芯軸SA,譬如以 鐵或鐵一鎳一鈷等之金屬製、在固定熱堆電元件TA之中 央部係形成凹部。· 479123 A7 五、發明說明(44 ) 經 濟, 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 再者’熱電堆元件TA係藉熱傳導性非常好的粘合劑 固定於芯軸上。使用於溫度補償用之熱敏電阻觸點。TB 也藉導電性焊錫膏粘合於芯軸上。熱電堆元件TA之電極 4電極知子。卩之連結係以金線或紹一石夕線藉線結合連結。 載置固定熱電堆元件丁八與熱敏電阻觸點TB於芯軸sa 上並電氣式連結之後,將紅外線滲透性過濾材藉環氧系粘 合劑或銲藥粘合固定於蓋開口部之附帶窗蓋子SB、被覆 於在軸SA藉焊接等之方法氣密封止。封裝内以乾燥氮、 氬、氪或氙氣等熱傳導性低之氣體封止、或以真空封止。 藉以熱傳導性氣體或真空封止,可減低前述封止氣體朝周 圍環境氣體之熱傳導,可謀求紅外線檢出器之高輸出化。 一方面,附帶窗之蓋子SB係設置成為窗材之紅外線 滲透性過濾材F。紅外線滲透性過濾材在矽基板或鍺 之基板表面’為控制透射率、由於形成由硫化鋅或鍺等構 成的數十層之多層膜,為非常的高價。因而,為製造廉價 的紅外線感測器,有必要將封裝尺寸作小、過濾器尺寸儘 夏作小。不過,過濾器尺寸極端的小時,因入射紅外線線 量減少,致感測器輸出降低。 從如此觀點而言,就過濾器尺寸可能範圍内、有效能 利用之蓋子構造’參照第16(c)、(d)圖予以說明。附帶窗 之蓋子SB係在蓋子SB設置開口部27,構成在該開口部27 嵌入紅外線透射性過濾材F。不過,使用壓床等之金屬模 具加工、製作時,開口部27係圓形時雖不成問題,但四角 形或六角形之開口部時,由於存在隅角部份,在四角形或 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 47 -----.---------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .. --線- -I I / · ^123 A7 ----------B7_ ------ 五、發明說明(45 ) 六角形之邊與邊交接部份之隅角有發生圓形之加工特性。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 譬如、開口部27係正方形,其一邊係2公厘時,開口 部27之隅角部份之圓形係半徑為最小在〇·2〜〇·3公厘。半 徑係0.2公厘時,間隙G1變成約0.1公厘。考慮開口部之加 工精確度時,其間隙變成更多。 如此,為使過濾材F之角嵌入開口部27那樣,在開口 部之隅角部形成圓形,因可插入過濾材F,間隙G1變更大。 由於發生該間隙G1,在過滤材F與開口部27之钻合需要多 量的钻合劑。再者,粘合劑有漏出入射側之面之虞,理想 的係作為以下說明的第16(a)、(13)之附帶窗之蓋子沾構 造。當然,即使該間隙G1之情形,藉填充樹脂28,也能 充分實施。 經濟部智慧財產局員工,消費合作社印製 接著,就第16(a)、(b)圖附帶窗之蓋子構造予以說明。 在同圖其中、附帶窗之蓋子SB係在蓋子SB設置開口部%, 在戎開口部26嵌入紅外線透射性過濾材F。開口部%該等 之隅角係形成圓形的缺口部,藉切粒加工運出之紅外線透 射性過濾材F之四隅角係分別嵌入圓形或彎曲之缺口部 26a,嵌插於開口部26。過濾材卩與蓋子沾之間隙Q、可 考慮加工精確度之容許誤差之尺寸,可作成非常小。 如此,開口部26之隅角部其中,藉各邊之延長上之交 點,藉在外側方向形成缺口部26a,將窗材?嵌插於開口部 /夺不會掛住,藉起因於隅角部之開口部與窗材之間隙, 可作為更加小。因而,提高氣密封止之信賴性,轴合㈣ 擠出窗材表面等之不良可作成最小限度。
48
經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 接著,參照第17(a)、(b)圖,就其他的實施形態予以 說明。同圖係表示附帶窗之蓋子構造一部份缺口斜視圖, 同圖(a)係為設置窗材形成的開口部,自蓋子内部側之斜 視圖’同圖(b)表示設置窗材之蓋子外觀之斜視圖。 在同圖其中’蓋子SB係設置四角形之開口部26,在 開口部26之四隅設置凹部26b。凹部26b係自蓋子裡面側向 外側犬出那樣形成。窗材F是四角形,由於調節凹部26b 之深度,窗材F嵌入開口部26時,窗材F之表面(紅外線入 射面)與蓋子SB之表側成為一面。當然,窗材ρ當喪入開 口部26時,即使蓋子SB表面有稍微凹凸時,雖也無問題, 但不產生高低差異那樣的嵌入則較理想。接著,在窗材F 之周圍與凹部26b、自蓋子SB之裡側填充樹脂,將窗材ρ 固定於蓋子之開口部26。該開口部26係窗材F之尺寸一 致’窗材F頂接固定於四隅凹部26b之底部。因而,本實 施形態可以窗材F之全面作面吸收紅外線之面,可作成此 習知的窗材之形狀更小的形狀,具有高價的窗材F有助降 低成本的經濟上效果。 第18(a)圖係使用氧化鋁那樣的陶瓷封裝作為封裝之 例子’熱電堆元件TA或熱敏電阻觸點TB藉線結合配線, 第18(b)圖係在陶瓷封裝内,熱電堆元件TA之空洞部侧成 為紅外線之受光面那樣的載置,表示作為熱敏電阻觸點TB 使用面實裝型之例子。氧化鋁係熱傳導率高到20 W/m · K 程度’作為紅外線檢出器之盒子使用時,由於在封裝時發 生之溫度分布變小,有測定溫度誤差小之優點。作為封裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 49 --------------裝--------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) /叫3 A7 ------------- 五、發明說明(47 ) 材料,並非限定於氧化鋁,只要使用氮化鋁,由於熱傳導 率大到170W/m · K可獲得更佳的特性。以如第18(b)圖的 形狀使用時,在空洞部側形成硼矽酸系玻璃或紅外線吸收 膜時好。 接著’關於本發明之熱電堆型紅外線感測器之紅外線 吸收光譜,參照第20圖予以說明。第20(a)圖表示在薄膜 部二氧化矽膜時之紅外線吸收特性,同圖(b)表示在薄膜 部形成硼矽酸鋁玻璃膜時之紅外線吸收特性。由同圖(b) 清楚明白,作為硼矽酸系玻璃9(參照第6(a)圖),使用硼矽 酸雜玻璃時,在約6〜11微米之波長有吸收帶(換算溫度約 攝氏-10〜210度)。再者,由同圖(a)明白清楚,二氧化石夕 膜係在約8〜9.5微米之波長有吸收帶(換算溫度約攝氏3〇 〜90度)亦即,如實施形態之熱電堆型紅外線感測器,藉 爛石夕酸系玻璃作為絕緣膜使用,與習知使用之二氧化石夕膜 相較,可檢知廣泛的溫度範圍。更且,使用氮化矽膜作為 純化膜時,在10〜12微米之波長有吸收帶,藉成膜時導入 氧作成氮矽酸膜,可將吸收帶移至短波長側。因而,藉組 合氮矽酸與硼矽酸玻璃膜,可擴張吸收帶,可更加提高感 度。此外,作為硼矽酸系玻璃膜,雖表示使用硼矽酸鉛玻 璃膜,雖表示使用硼矽酸鉛玻璃膜之情形,但代替鉛添加 其他的元素作為熱處理者也可。當然,無添加之硼矽酸玻 璃膜也佳。 此外,本實施形態雖在一層之η型多結晶矽層形成80 個熱電元件,但並不限定於此,藉改變晶片中心同心圓之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------· 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 50 479123 A7 B7 ♦ 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 五、發明說明(48 ) 半徑或圖案寬度,可進一步增減個數。實施形態2係在受 光能量密度1.25平mW/平方公分之條件下、可製造信號/ 噪聲比84分貝之感測器。 此外,本發明之熱電堆型紅外線感測器,由於小型且 可雨精確度的非接觸溫度測定,變成最適合作為可高速的 測疋人的體溫之耳式體溫計用感測器之感測器。 再者,本發明其中,在元件表面形成一個以上之熱電 元件列’構成熱電元件列在外部直列連結也可。 〔發明之效果〕 如上述,根據本發明,藉使用n型多結晶矽層作為熱 電材料,與ρ型多結晶矽層相較,成為載體的電子之移動 度較大,即使同樣的電阻率、由於西貝克(溫差電動勢)係 數變大、輸出電壓一約翰遜熱噪聲之信號/噪聲比變大。 不過,如實施形態1〜3,藉自熱電元件之空洞部中心朝半 徑rl<r2<r3之距離順序同心圓的配置溫接點部,可緩和 因η型多結晶矽層薄膜部之應力集中,且藉儘可能更寬形 成η型多結晶矽層之條紋寬度,構成可減低熱電堆元件之 電阻其結果,輸出電壓對約翰遞熱噪聲之信號/噪聲比 可高,再者,由於薄膜部全體的應力減低,可提高各向異 性触刻時之合格率,纟結果變成有可製造廉價的熱電堆元 件之優點。 更且,如實施形態4所示,將η型多結晶矽層透過絕緣 膜積層至兩層,或將上下矽膜之圖案錯開半節距形成,更 且,藉自熱電堆元件空洞部之中心朝半徑rl<r2<r3
· ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J
479123
發明說明(49) 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 離順序同心圓的配置溫接點部,可緩和因n型多結晶矽層 薄膜部之應力集中,再者,將與實施形態卜3的情形心 的溫接點數之圖案,形成錯開的兩層η型矽層時,可擴展 形成條紋寬度,熱電堆元件之電阻可低。其結果,可更加 提高輸出電壓對約翰遜熱噪聲之信號/噪聲比,又由於薄 膜部全體之應力可降低,可提高各向異性㈣時之合格 率’可製造廉價的熱電堆型紅外線感測器。 再者,根據本發明、作為構成熱電堆之熱電材料,藉 將η型多結晶石夕膜之電阻率作成以歐·公分〜職歐·公 分,將輸出電壓與約輪遜熱燥聲之信號/噪聲比作大,可 將電壓感度之溫度依存性作小。換言之,多結晶西貝克(溫 差電動勢)係數變小,不能獲得成為實用之輸出電壓,為 增大輸出電壓,由於非增加接點數不可,所以,勢電對之 全長變長,有製造合格率降低之缺點。再者,1〇兆歐·公 分以上時,雖西貝克(溫差電動勢)係數變大、約翰遜熱燥 聲也變大、有信號/噪聲比降低之缺點。 再者,藉η型多結晶矽層之電阻率設定於1兆歐·公分 之範圍,熱電對數、η型多結晶石夕層之圖案形狀及溫接點 部之位置、感測器之信號/噪聲比等之參數可最適合,有 以製造合格率等之關係容易量產之優點。 再者’藉η型多結晶石夕層之圖案邊緣形狀作成階梯狀 或錐形狀’由於可緩和對成膜於多結晶石夕層上的膜之步進 補償,變成多結晶石夕層之膜厚可作厚。再者,由於斷坡變 低變緩,故成膜於多結晶層上之膜可薄膜化,並設有斷坡 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) . ^裝--------II--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ^123
五、發明說明(5〇 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 上之金屬膜斷線等之問題。 更且,藉使用硼矽酸系玻璃或SiNO(氮矽酸)作為紅外 線吸收膜,與習知之二氧化矽相較,可謀求3〇%程度之高 輸出化。再者’與由樹脂等構成之吸收膜相較,由於可形 成於各向異性蝕刻之前,變成可削減元件製作成本。 此外’藉使用三氧化二鋁或氮化鋁等之陶瓷作為封裝 材’可製作一種廉價且溫度偏差少的小型之熱電堆元件。 再者,藉使用將電阻值以狹偏差分類之觸點散熱電阻 或薄膜熱敏電阻作為冷接點溫度補償元件,作為非接觸溫 度感測器使用時,可削減出貨時校正工數或高精確度的測 定對象物體之溫度。 再者’本發明由於將形成於元件之紅外線吸收膜之表 面作成條紋狀,可抑制紅外線之反射、提高吸收率,可提 南紅外線之檢出效率,同時有助於信號/噪聲比之提高。 再者,本發明由於在蓋子按裝高價的窗材,可不浪費 有效的利用窗材,由於在蓋子形成開口部,可提供一種廉 4貝的紅外線感測器。再者,形成於開口部之四隅的凹部, 由於強固的有效固定窗材於蓋子,可有效的密封注入蓋子 内之惰性氣體。 〔圖式之簡單的說明〕 〔第1圖〕 表示本發明熱電堆型紅外線感測器之實施形態1之一 部份缺口斜視圖。 〔第2圖〕 . Μ--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製
本紙張尺度適用中關表標準(cNS)A4規格⑽χ 297公爱) ”、、說明本發明之熱電堆型紅料❹B 〔第3圖〕 _ ⑷係第1圖之熱電堆型紅外線感測器之平面圖 其X-X斷面圖。 、 〔第4圖〕 第1圖的熱電堆型紅外線感測器之部份擴大平面圖。 〔第5圖〕 ⑷〜⑷係第4圖之A-A、B_B、c-c、㈣斷面圖。 〔第6圖〕 ⑷係有關於本發明熱電堆型紅外線感測器之一實施 j之模式斷面圖’(b)係表示其他的實施例之模式斷面圖。 〔第7圖〕 表示本發明熱電堆型紅外線感測器之實施形態2之部 份平面圖。 〔第8圖〕 第7圖之熱電堆型紅外線感測器之部份擴大平面圖。 〔第9圖〕 (a)〜(d)係第8圖之A-A、B-B、C-C、D-D斷面圖。 〔第10圖〕 表示本發明熱電堆型紅外線感測器之實施形態3之部 份擴大平面圖。 〔第11圖〕 (a)〜(e)係第 1〇 圖之 A-A、B-B、C-C、D-D、Ε·Ε斷面 圖。 54
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝--------訂---------, 479123
五、發明說明(52 〔第12圖〕份二明熱電堆型紅外線感測11之實施形態4之部 〔第13圖〕 (a)〜(c)係第1〇圖之α·α、 〔第14圖〕 Β-Β、C-C斷面圖 -經濟部智慧財產局員工,消費合作社印製
it1 ⑷、⑻係第10圖之DO、Ε·_〔f 1」圖〕〜 表示將熱電堆元件收納於芯軸型之封裝構 造之分解斜視圖。 〔第16圖〕 ⑷、(c)係用以收納熱電堆元件的蓋子之正面圖,⑻、 (d)係其斷面圖。 〔第17圖〕 (a)係自蓋子之裡側之一部份缺口斜視圖,(b)係自蓋 子之表側之一部份缺口斜視圖。 〔第18圖〕 (a)、(b)係表示將熱電堆元件收納於陶瓷封裝型之封 裝構造分解斜視圖。 〔第19圖〕 表不升y成於紅外線吸收膜表面之條紋狀凹凸之數位像 片。 〔第20圖〕 一一 -^ 錢 面圖 明熱電堆型紅外線感測器之紅外線吸收特性表示 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 55 , 裝--------訂---------^ f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479123 A7 B7_ 五、發明說明(53 ) 圖。 〔第21圖〕 習知之熱電堆元件之主要部份斜視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂--------- 4 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 56 479123 Α7 Β7 五、發明說明(54 ) 文件標號對照 經濟部智慧財產局員工,消費合作社印製 1…單結晶石夕基板 2(2a、2b)…絕緣膜 3…多結晶石夕層 3 i〜3 3…η型多結晶石夕層 3 12〜332···多結晶石夕層 3a…扇型圖案 3b、3b’…鉤型圖案 3c…條紋狀圖案 4…絕緣膜 5···多結晶矽層 5ι〜53…多結晶石夕層(η型) 6···絕緣膜 7、'〜73···金屬薄膜層 7 a〜7 d…接觸部 8···絕緣膜 8r"PSG(填石夕酸鹽玻璃) L···氮化石夕 9···硼矽酸玻璃 10…二氧化矽(絕緣膜) 11、12···電極襯墊(金屬薄膜) 13…空洞部 14…薄膜部 15、15a〜15d···開口部 16…紅外線吸收膜 20…單結晶矽基板 21…外延層 22…p型擴散層 23…絕緣物 24…η型多結晶矽層 25…鋁層 26···開口部 26b…凹部 C…晶片中心 F…窗材 TA…熱電堆元件 TB…熱敏電阻觸點 Ta…溫接點部 Tb···冷接點部 SA…芯軸 SB…蓋子 r 1、r2、r3 ·· ·半;^ ----.---------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 479123 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1· -種熱電堆型紅外線感測器,係在具有空洞部之單結 晶矽基板形成有熱電元件者,其特徵在於·· 在覆蓋前述空洞部之第1絕緣膜上,配置自晶片中 心近旁放射狀的延伸的複數_多結晶碎層,藉前^ 型多結晶矽層與金屬薄膜之接觸,分別於晶片中心側 ,形成溫接點部,於其周緣部側形成冷接點部,並在 前述金屬薄膜層將_之前述n型多結^層間之溫接 點部與冷接點部相互連結,而在前述第i絕緣膜上至少 形成一個直列連結之熱電元件列。 一種熱電堆型紅外線感測器,係在具有空洞部之單結 晶矽基板形成有熱電元件者,其特徵在於: 在覆蓋前述空洞部之第丨絕緣膜上,配置自晶片中 心近旁放射狀的延伸之複數n型多結晶矽層,藉前述 型多結晶矽層與金屬薄膜層之接觸,分別於晶片中 側形成溫接點部,於其周緣側形成冷接點部,並在前 述金屬薄膜層將鄰接之前述n型多結晶矽層間之温接點 4與冷接點部相互連結,而在前述第1絕緣膜上至少形 成一個直列連結之熱電元件列,且在前述熱電元件列 2. η 心 . --------IT---------線4^- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工诮費合作社印製 上透過絕緣膜形成紅外線吸收膜。 ^ · 一種熱電堆型紅外線感測器,係在具有空洞部之單 晶石夕基板形成有熱電元件者,其特徵在於: 在覆蓋刖述空洞部之第1絕緣膜上,相互咬合地配 置自晶片中心近旁之圓周上與其外側的複數之同心 上之位置向晶片周圍方向以放射狀延伸的複數η型多 結 圓 結 ‘紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 58 479123 A8 B8 C8 D8
    Μ 濟- 部 ,智 慧 財 產 局 員 工 •消 費 合 作 社 印 製 六、申請專利範圍 晶矽層,並在覆蓋前述11型多結晶矽層與前述第丨絕緣 膜之第2絕緣膜設置開口部,透過前述開口部藉前述〇 型多結晶矽層與金屬薄膜之接觸,分別於晶片中心側 形成溫接點部,於其周緣側形成冷接點部,並在前述 金屬薄膜層將鄰接的前述η型多結晶矽層間的溫接點部 與冷接點部相互連結,而在前述第丨絕緣膜上至少形成 直列連結之熱電元件列,且在前述熱電元件列上透過 絕緣膜形成紅外線吸收膜。 4· 一種熱電堆型紅外線感測器,係在具有空洞部之單結 晶矽基板形成有熱電元件者,其特徵在於包含有: 第1絕緣膜,係設置於前述單結晶矽基板,用以覆 蓋空洞部; 複數η型多結晶矽層,係配置在前述第丨絕緣膜上 ,自晶片中心近旁的圓周上與其外側的複數之同心圓 上的位置向晶片周緣方向放射狀的延伸並相互咬合; 第2絕緣膜,係形成於前述η型多結晶矽層與前述 第1絕緣膜上; 開口部,係為分別形成溫接點部與冷接點部於複 數之η型多結晶矽層之晶片中心側與周緣側而形成於前 述第2絕緣膜者; 金屬薄膜層,係透過前述開口部與前述η型多結晶 矽層接觸’以形成前述溫接點部與冷接點部; 熱電元件列’係藉前述金屬薄膜層將前述溫接點 部與冷接點部相互連結而形成; 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱) 59 479123 六、申請專利範圍 第3絕緣膜,係形成於前述第2絕緣膜上與前述金 屬薄膜層上; 紅外線吸收膜,係做成覆蓋前述溫接點部,形成 於前述第3絕緣膜上;以及 電極襯墊部,係形成於前述直列連結的熱電元件 列之終端部; 5. 經 濟 部 智 慧 財 產 局 6. ,消 費 合 作 社 印 製 一種熱電堆型紅外線感測器,係在具有空洞部之單結 晶石夕基板形成有熱電元件者,其特徵在於: 在覆蓋前述空洞部之第1絕緣膜上,相互咬合地配 置自晶片中心近旁的圓周上與其外側複數的同心圓上 之位置向晶片周緣方向放射狀的延伸的複數11型多結晶 矽層,藉前述η型多結晶矽層與金屬薄膜層之接觸,於 晶片中心側形成溫接點部,並於其周緣部側形成冷接 點部,並使自前述溫接點部導出之前述金屬薄膜層蔓 延於前述第1絕緣膜以連結鄰接之η型多結晶矽層的前 述冷接點部,而在前述第1絕緣膜上形成直列連結之熱 電το件列,且在覆蓋前述熱電元件列第2絕緣膜上形成 紅外線吸收膜。 一種熱電堆型紅外線感測器,係在具有空洞部之單結 晶矽基板形成有熱電元件者,其特徵在於: 在覆蓋前述空洞部之第1絕緣膜上,相互咬合地配 置自晶片中心近旁之圓周上與其外側之複數的同心圓 上之位置向晶片周緣方向放射狀延伸的複數第ln型多 結晶矽層,形成覆蓋前述第1 η型多結晶矽層與前述第i 本紙張尺度適用中賴家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱 60 六
    申請專利範圍 4 •經冬部智慧財產局員工誚費合作社印製 ΐΓ:,Γ絕緣膜’在前述第2絕緣膜上具有與前述 =多結晶梦層同樣的圖案形狀,並形成由相對於 月』迹第In型多結晶石夕層之圖幸 、 回周方向錯開半間距 :所構成的複數第2„型多結晶石夕層,且形成覆蓋 =第㈣多結晶石夕層上之第3絕緣膜,在前述第】與 立2η型多結晶石夕層上之前述第2與第3絕緣膜設置開口 部,透過前述開口部藉與金屬薄膜之接觸,分別於前 述第1與第2 η型多結晶石夕層之晶片中心側形成溫接點部 ,於其周緣側形成冷接點部,同時,在前述金屬薄膜 層將前述溫接點部與鄰接的η型多結晶石夕狀冷接點部 相互連結,形成直列連結之熱電元件列,且在前述熱 電元件列上透過絕緣膜形成紅外線吸收膜。 7·如申請專利範圍第丨、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,前述單結晶矽基板之面 方位係(100)面。 如申#專利範圍第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,自晶片中心放射狀的配 置之則述η型多結晶石夕層係向晶片周緣方向伸展的扇型 圖案之組合。 9·如申请專利範圍第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,前述溫接點部係自晶片 中心至半徑rl〜r3之同心圓上,具有ri<r2<r3之關係 〇 10·如申請專利範圍第2、3、4、5或6項中任一項之熱電均 本表張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 61 479123 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工謂費合作社印製 六、申請專利範圍 型紅外線感測器,其中,設置於前述熱電元件列上之 紅外線吸收膜係由硼矽酸系玻璃、聚醯亞胺系樹脂、 乙烯基系樹脂或丙烯基系樹脂之一種所構成。 11·如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,覆蓋前述熱電元件列之 絕緣膜係PSG(磷矽酸鹽玻璃)與SiN(氮化矽)之兩層絕 緣膜。 12·如申請專利範圍第i、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,前述第丨絕緣膜係由二氧 化石夕(Si〇2)與氮化石夕(SiN)之兩層或以二氧化石夕夾住氮 化矽之三層構造所構成。 13 ·如申凊專利範圍第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,前述η型多結晶矽層之周 緣部除了形成溫接點部,冷接點部之部份以外,形成 階梯狀。 14.如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,前述η型多結晶矽層之周 緣斷面係錐形狀。 15·如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,前述η型多結晶矽膜之電 阻率係1〜10兆歐·公分。 16·如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,覆蓋前述熱電元件列之 絕緣膜係二氧化矽、氮化矽、氮矽酸、填矽酸鹽玻璃 本紙張〜沒洲中關家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) ----------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 62
    ,經濟部如曰慧財產局員工诮費合作社印製 、二氧化二I呂、Sialon(—種陶兗)中之一種。 Π·如申請專利範圍第!、2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,前述金屬薄膜層係鋁、 鉻、鈕、鉬、鎢、鎳、鉻中至少一種構成。 如申咕專利範圍第2、3、4、5或6項中任一項之熱電堆 型紅外線感測器,其中,前述紅外線吸收膜之表面具 有凹凸之條紋狀圖案。 &如申請專利範圍第h2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,在封入前述熱電堆型紅 外線感測器的捲裝之蓋部份形成之開口部,設置有由 透過紅外線的過濾材構成之窗材,前述窗材係四角形 或六角形,前述開口部之形狀與前述窗材之形狀係一 致,且在前述開口部之各隅角部形成之缺口部係形成 於比前述四角形或六角形各邊之交點還外側。 2〇·如申請專利範圍第卜2、3、4、5或6項中任一項之熱 電堆型紅外線感測器,其中,在封入前述熱電堆型紅 外線感測器的捲裝之蓋部份形成之開口部,設置由透 過紅外線的過濾材構成之窗材,前述窗材係四角形或 六角形,前述開口部之形狀與前述窗材之形狀係一致 ,且形成在前述開口部之各隅角部形成之凹部,藉前 述凹部以定位保持前述窗材。 21·—種熱電堆型紅外線感測器之製造方法,包含以下步 驟,即: 第1步驟’係在單結晶矽基板之兩面藉熱氧化、化
    本紙張尺度中關家標準 X 297公釐) 479123 六'申請專利範圍 學氣相澱積或濺射形成第1絕緣膜; 第2步驟,係在前述第1絕緣膜表面上藉化學氣相 搬積或濺射將多結晶矽層成膜; 第3步驟,係在前述多結晶石夕層藉擴散不純物形成 電阻率1〜10兆歐·公分範圍之η型多結晶矽層; 訂 第4步驟,係臨摹前述η型多結晶矽層,形成自晶 片中心到半徑^之位置作為起點,自形成於外側的I 徑d間放射狀之扇形圖案到條紋狀的前述基板上延伸 疋圖案、還有自晶片中心到半徑r2之位置作為起點到 向外周方向放射狀的前述基板上條紋狀的延伸之圖案 與最離開半徑r3之位置作為起點朝向外周方向到前述 基板上條紋狀延伸之圖案所構成之第1圖案; 第5步驟,係在以前述第丨圖案形成之複數的n型多 結晶矽層及第1絕緣膜上,藉化學氣相澱積玻璃塗布或 濺射形成第2絕緣膜; 第6步驟,係在對應於溫接點部及冷接點部各部份 之前述第2絕緣膜設置開口部; 第7步驟,係於前述第6步驟之後,藉濺射或蒸鍍 將金屬薄膜層成膜;以及 第8步驟,係臨摹前述金屬薄膜層,將前述11型多 結晶矽層與前述金屬薄膜層在前述開口部電阻接觸, 由溫接點部與冷接點部構成之各熱電元件直列連結, 形成熱電元件列; 並包含有: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱 64 六、申請專利範圍 在前述金屬薄膜層與前述第2絕緣膜上形成第3絕 緣膜,且在晶片中央部形成紅外線吸收膜,最後步驟 其中,在前述單結晶矽基板裡面之前述第丨絕緣膜設置 開°卩藉钱刻在别述基板裡面形成空洞部,自前述 第1絕緣膜裡面露出之步驟。 22. —種熱電堆型紅外線感測器之製造方法,包含以下步 驟,即: 第1步驟,係將單結晶石夕基板之兩面藉熱氧化、化 學氣相殿積或濺射形成第1絕緣膜; 第2步驟,係在前述第丨絕緣膜上藉化學氣相澱積 或濺射將多結晶矽層成膜; 第3步驟,係在前述多結晶矽層藉擴散不純物形成 電阻率1〜10兆歐·公分範圍之n型多結晶矽層; 第4步驟,係臨摹在前述η型多結晶石夕層,自晶片 中心到半徑rl之位置作為起點自形成於外側之半徑r2 間的放射狀之扇形圖案條紋狀的延伸到前述基板之圖 案、還有自晶片中心到半徑。之位置作為起點到外周 方向放射狀的前述基板上條紋狀的延伸之圖案與最離 開半徑r3之位置作為起點、朝向外周方向到前述基板 上條紋狀的延伸之圖案,將前述11型多結晶矽層之一部 份#刻作成台面狀; 第5步驟,係在以前述第4步驟形成之台面狀n型多 結晶矽層,藉臨摹相似、更大的圖案,餘會前述台面 狀η型多結晶矽層周緣部之n型多結晶矽層並蝕刻,形 經濟部智慧財產局員工誚費合作社印製 六、申請專利範圍 成附帶錐狀階梯狀η型多結晶矽層; 夕2 6步驟’係在前述第5步驟之後的前述階梯狀^型 夕結晶石夕層上形成第2絕緣⑮,在對應於溫接點部及冷 接點部各個部份之前述第2絕緣膜設置開口部;" 第7步驟,係在前述第6步驟之後,藉濺射或蒗鍍 將金屬薄獏層成膜;以及 、又 ,第8步驟,係臨摹前述金屬薄膜層,將前述階梯狀 η型多結晶矽層與前述金屬薄膜層在前述開口部電阻接 觸,直列連結自溫接點部與冷接點部構成之各熱電元 件,形成熱電元件列; 並包含有: 第9步驟,係在前述第2絕緣膜與前述金屬薄膜層 上形成第3絕緣膜,在前述第3絕緣膜上形成紅外線吸 收膜;以及 第10步驟,係在前述單結晶矽基板裡面形成空洞 部,自裡面露出前述第i絕緣膜。 23. —種熱電堆型紅外線感測器之製造方法,包含以下步 驟,即: 第1步驟,係在單結晶矽基板之兩面形成第1絕緣 膜; 第2步驟,係在前述第丨絕緣膜上藉化學氣相澱積 或濺射將第1多結晶矽層成膜; 第3步驟,係自晶片中心半徑rl之位置作為起點, 自形成於外側半徑r2間放射狀的扇狀圖案條紋狀的延 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 66
    Μ 部 、智 慧 財 產 局 .消 費 合 社 印 製 ^C8 ^^^ _ 08______ ^、申請專利範圍 伸到則述基板上之圖案,自晶片中心半徑d之位置作 為起點到向外周方向放射狀的前述基板上條紋狀的延 伸之圖案與最離開半徑6之位置作為起點變成由朝向 外周方向到前述基板上條紋狀的延伸之圖案構成之第i 圖案那樣,臨摹前述第丨多結晶矽層之後,堆積第2多 結晶矽層、擴散不純物、藉電阻率丨〜1〇兆歐·公分範 圍之刚述第1圖案形成第In型多結晶矽層與第2n型多結 晶石夕層; 第4步驟,係在前述第3步驟之後,將前述第以型 多結晶矽層藉臨摹與前述第丨圖案相似、更大的第2圖 案,藉前述第2圖案η型多結晶矽層之周緣形成附帶錐 形狀之階梯狀; 第5步驟,係前述第4步驟之後,在藉前述第2圖案 η型多結晶矽層上形成第2絕緣膜,在相對於溫接點部 與冷接點部之各個部份之前述第2絕緣膜設置開口部; 第6步驟,係前述第5步驟之後,藉濺射或蒸鍍將 金屬薄膜層成膜; 第7步驟’係臨摹前述金屬薄膜層,將前述型多 結晶石夕層與前述金屬薄膜層在前述開口部電阻接觸, 連結溫接點部與冷接點部、形成直列連結之熱電元件 列; 並包含有: 第8步驟,係在前述第2絕緣膜與前述金屬薄膜層 上形成第3絕緣膜之後,在前述第3絕緣膜上形成紅外 本紙張尺錢㈣關賴(21G χ 297公&_ 67 經濟部智慧財產局員工誚費合作社印 479123 六、申請專利範圍 線吸收膜;以及 第9步驟,係在前述單結晶矽基板裡面形成空洞部 ’自裡面露出前述第1絕緣膜。 24·—種熱電堆型紅外線感測器之製造方法,包含下列步 驟,即: ^ 第1步驟,係在單結晶矽基板之兩面藉熱氧化、化 學氣相澱積或濺射形成第1絕緣膜; 第2步驟,係在前述第丨絕緣膜表面上藉化學氣相 赢積或錢射將第1多結晶石夕層成膜; 第3步驟,係在前述第丨多結晶矽層藉擴散不純物 形成電阻率1〜1G兆歐·公分範圍之第_多結晶石夕層 第4步驟,係形成由臨摹前述第^型多結晶矽層, 自晶片中心半徑^之位置作為起點自形成於外側半徑 1*2間放射狀的扇形圖案條紋狀的延伸到前述基板上之 圖案、還有自晶片中心半徑!*2之位置作為起點向外周 方向放射狀的到前述基板上條紋狀的延伸之圖案與最 離開半徑r*3之位置作為起點朝向外周方向到前述基板 上條紋狀的延伸之圖案所構成之第丨圖案; 第5步驟,係在以前述第丨圖案形成之複數的n型多 結晶矽層及第1絕緣膜上、藉化學氣相澱積、玻璃塗布 或濺射形成第2絕緣膜; 第6步驟,係在前述第5步驟之後,堆積第2多結晶 矽層,在前述第2多結晶矽層藉擴散不純物、砌圓頂拱 本纸張尺度適用中國國豕準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) · ΦΜ--------1---------^φί (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 68 o 經 濟· 部 慧 財 產 局 •消 費 合ί; 社 印 製 申請專利範圍 形成電阻率1 A8 B8 C8 D8 10兆歐·公分範圍之第2η型多結晶石夕層 第7步驟,係前述第6步驟之後,形成由相對於前 述第In型多結晶矽層之第丨圖案,在圓周方向錯開半間 距所構成的前述第2n型多結晶矽層之第2圖案; 第8步驟,係在圖案化之前述第1與第以型多結晶 矽層上形成第3絕緣膜,在相對於溫接點部及冷接點部 各個部份之前述第2或第3絕緣膜設置開口部; 第9步驟,係在前述第3絕緣膜上形成金屬薄膜層 並臨摹,在前述開口部藉連結前述第1與第2η型多結晶 夕層與則述金屬薄膜層之接觸形成之前述溫接點部與 冷接點部而形成熱電元件列; 第10步驟,係在前述第3絕緣膜與前述金屬薄膜層 上形成第4絕緣膜,在前述第4絕緣膜上形成紅外線吸 收膜;以及 第11步驟,係在前述單結晶矽基板之裡面形成空 洞部,自裡面露出前述第丨絕緣膜。 25· —種熱電堆型紅外線感測器之製造方法,包含下列步 驟,即: 第1步驟,係在單結晶矽基板之兩面藉熱氧化、化 學氣相殿積或濺射形成第1絕緣膜; 第2步驟,係在前述第丨絕緣膜表面上藉化學氣相 澱積或濺射將第1多結晶矽層成膜; 第3步驟,係在前述多結晶矽層藉擴散不純物形成 ---------------M i — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·. 線-
    經濟部智慧財產局員工1費合作社印製 479123 A8 B8 C8 ___ —___D8 六、申請專利範圍 電阻率1〜10兆歐·公分範圍之η型多結晶矽層; 第4步驟,係臨摹前述η型多結晶矽層,形成自晶 片中心半徑rl之位置作為起點,自形成於外側半徑r2 間放射狀的扇型圖案條紋狀的延伸到前述基板上之圖 案’還有自晶片中心半徑r2之位置作為起點向外周方 向放射狀的到前述基板上條紋狀延伸之圖案與最離開 的半徑r3之位置作為起點朝向外周方向條紋狀的延伸 到前述基板上之圖案; 第5步驟’係在前述第1絕緣膜及前述^型多結晶石夕 層上將金屬薄膜層成膜; 第6步驟,係臨摹前述金屬薄膜層,將圖案化之前 述η型多結晶矽之前述溫接點部與冷接點部藉與前述金 屬薄膜層之接觸形成之同時,藉前述金屬薄膜層、前 述溫接點部與冷接點部相互連結形成熱電元件列; 第7步驟,係在前述第1絕緣膜、前述金屬薄膜層 與前述圖案化之η型多結晶矽層上形成絕緣膜,在該絕 緣膜上之晶片中央部形成紅外線吸收膜;以及 第8步驟’係姓刻前述基板形成空洞部,自裡面露 出前述第1絕緣膜。 26.如申請專利範圍第21、22、23、24或25項中任一項之 熱電堆型紅外線感測器之製造方法,其中在前述熱電 元件列上形成之紅外線吸收膜係由硼矽酸系玻璃、聚 醯亞胺系樹脂、乙烯基系樹脂或丙烯基系樹脂中之一 種所構成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----:----------------訂---------線^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 70 479123 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 27·如申請專利範圍第21、22、23、24或25項中任一項之 熱電堆型紅外線感測器之製造方法,其係經加熱步驟 而將前述紅外線吸收膜之表面作成具有凹凸之條紋狀 圖案。 28·如申請專利範圍第27項熱電堆型紅外線感測器之製造 方法,其中前述紅外線吸收膜之膜厚係1〜15微米,而 ^ 前述紅外線吸收膜之表面則形成有1〜10微米之凹凸。 --------------裝— (請先閱讀背面之注音》事項再填寫本頁} 訂.· -線· ,經濟部%慧財產局員工誚費合作社印製 本紙張&度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐 71
TW089105509A 1999-03-24 2000-03-24 Thermopile-type infrared sensor and process for producing the same TW479123B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7905299 1999-03-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW479123B true TW479123B (en) 2002-03-11

Family

ID=13679136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089105509A TW479123B (en) 1999-03-24 2000-03-24 Thermopile-type infrared sensor and process for producing the same

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6348650B1 (zh)
EP (1) EP1039280B1 (zh)
CN (1) CN1203295C (zh)
DE (1) DE60044383D1 (zh)
TW (1) TW479123B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI492417B (zh) * 2012-03-30 2015-07-11 Panasonic Corp 紅外線放射元件及其製造方法
TWI510766B (zh) * 2011-04-15 2015-12-01 Excelitas Technologies Singapore Pte Ltd 共享薄膜式熱電堆感測器陣列

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001349787A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Seiko Epson Corp 赤外線検出素子および測温計
DE10033589A1 (de) * 2000-07-11 2002-01-31 Bosch Gmbh Robert Mikrostrukturierter Thermosensor
US6467275B1 (en) * 2000-12-07 2002-10-22 International Business Machines Corporation Cold point design for efficient thermoelectric coolers
US6670538B2 (en) * 2001-01-05 2003-12-30 Endevco Corporation Thermal radiation sensor
JP3929705B2 (ja) * 2001-02-05 2007-06-13 ユーディナデバイス株式会社 半導体装置及びチップキャリア
JP4009046B2 (ja) * 2001-04-10 2007-11-14 浜松ホトニクス株式会社 赤外線センサ
US20040155188A1 (en) * 2001-06-08 2004-08-12 Markus Kohli Infrared sensor and method for making same
DE10225377B4 (de) * 2001-06-11 2014-10-09 Denso Corporation Verfahren zur Herstellung eines Thermosäuleninfrarotstrahlungssensors
DE10144343A1 (de) * 2001-09-10 2003-03-27 Perkinelmer Optoelectronics Sensor zum berührugslosen Messen einer Temperatur
JP2003207391A (ja) 2002-01-17 2003-07-25 Nissan Motor Co Ltd 赤外線検知素子とその製造方法及びその製造装置
US6617175B1 (en) * 2002-05-08 2003-09-09 Advanced Technology Materials, Inc. Infrared thermopile detector system for semiconductor process monitoring and control
US7129519B2 (en) * 2002-05-08 2006-10-31 Advanced Technology Materials, Inc. Monitoring system comprising infrared thermopile detector
JP3743394B2 (ja) * 2002-05-31 2006-02-08 株式会社村田製作所 赤外線センサおよびそれを用いた電子装置
AU2003265988A1 (en) * 2002-09-09 2004-03-29 Rosemount Aerospace, Inc. Method for making an infrared detector and infrared detector
US7063097B2 (en) * 2003-03-28 2006-06-20 Advanced Technology Materials, Inc. In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration
WO2004088415A2 (en) * 2003-03-28 2004-10-14 Advanced Technology Materials Inc. Photometrically modulated delivery of reagents
US20050034749A1 (en) * 2003-08-12 2005-02-17 Chung-Nan Chen Structure of thermopile sensor
DE10341433A1 (de) * 2003-09-09 2005-03-31 Braun Gmbh Beheizbarer Infrarot-Sensor und Infrarot-Thermometer mit einem derartigen Infrarot-Sensor
EP1667717A2 (en) * 2003-09-09 2006-06-14 GPC Biotech AG Therapeutic human anti-mhc class ii antibodies and their uses
JP4337530B2 (ja) * 2003-12-09 2009-09-30 株式会社デンソー 赤外線吸収膜の製造方法
DE102004028032B4 (de) * 2004-06-09 2008-04-17 Perkinelmer Optoelectronics Gmbh & Co.Kg Sensorelement
DE102004028022B4 (de) 2004-06-09 2006-11-16 Perkinelmer Optoelectronics Gmbh & Co.Kg Sensor
US20060000500A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Ioan Sauciuc Thermoelectric module
JP2006071601A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Denso Corp 赤外線センサ、赤外線式ガス検出器、及び赤外線光源
JP2006105651A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Ishizuka Electronics Corp サーモパイル素子及びそれを用いた赤外線センサ
JP2006214758A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Denso Corp 赤外線検出器
US7338640B2 (en) 2005-03-31 2008-03-04 General Electric Company Thermopile-based gas sensor
DE102005040236B3 (de) * 2005-08-24 2007-01-11 Therm-O-Tech Gmbh Thermoelektrishcer Generator als elektrische Energiequelle
US20070095380A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Dewes Brian E Infrared detecting device with a circular membrane
US20080006775A1 (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Arno Jose I Infrared gas detection systems and methods
US7785002B2 (en) * 2006-12-05 2010-08-31 Delphi Technologies, Inc. P-N junction based thermal detector
US7726876B2 (en) 2007-03-14 2010-06-01 Entegris, Inc. System and method for non-intrusive thermal monitor
DE102008002157B4 (de) * 2008-06-02 2020-08-13 Robert Bosch Gmbh Sensorelement zur Messung von Infrarot-Strahlung und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2333499A4 (en) * 2008-09-25 2012-07-25 Panasonic Corp INFRARED SENSOR
CN101814867B (zh) * 2009-02-20 2013-03-20 清华大学 热电发电装置
WO2010138930A2 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Advanced Technology Materials, Inc. Tpir apparatus for monitoring tungsten hexafluoride processing to detect gas phase nucleation, and method and system utilizing same
US20110094556A1 (en) * 2009-10-25 2011-04-28 Digital Angel Corporation Planar thermoelectric generator
WO2012073235A1 (en) * 2010-11-29 2012-06-07 Ophir Optronics Ltd. Fast response thermopile power sensor
TWI452272B (zh) * 2011-05-24 2014-09-11 Univ Nat Kaohsiung Applied Sci Thermopile sensing element
US8552380B1 (en) 2012-05-08 2013-10-08 Cambridge Cmos Sensors Limited IR detector
JP6291760B2 (ja) * 2012-09-18 2018-03-14 株式会社リコー 熱電対、サーモパイル、赤外線センサー及び赤外線センサーの製造方法
US9250126B2 (en) 2012-10-26 2016-02-02 Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd Optical sensing element arrangement with integral package
FR2999805B1 (fr) * 2012-12-17 2017-12-22 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un dispositif de detection infrarouge
US9423304B2 (en) * 2014-03-27 2016-08-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Infrared ray detecting element and infrared ray detector including the same
EP3324159A4 (en) * 2015-07-15 2019-03-13 Eko Instruments Co., Ltd. PYRANOMETER
KR20170024456A (ko) * 2015-08-25 2017-03-07 삼성전기주식회사 적외선 검출기 및 이를 포함한 온도 센서
GB2551397B (en) * 2016-06-17 2020-03-25 X Fab Semiconductor Foundries Gmbh Thermopile Test Structure And Methods Employing Same
TWI608639B (zh) * 2016-12-06 2017-12-11 財團法人工業技術研究院 可撓熱電結構與其形成方法
CN106698331B (zh) * 2017-01-17 2018-11-02 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种包含梁膜结构的单晶硅红外热堆结构及其制作方法
CN106981166A (zh) * 2017-05-25 2017-07-25 欧阳培光 一种网络智能光电感烟火灾探测报警器控制系统及其控制方法
CN109141686B (zh) * 2018-09-27 2021-04-13 北京遥测技术研究所 一种基于热电堆原理的热流传感器
JP7327470B2 (ja) 2019-04-16 2023-08-16 住友電気工業株式会社 光センサ
TWI689710B (zh) * 2019-07-12 2020-04-01 久尹股份有限公司 熱電堆感測元件之封裝結構
CN111969098A (zh) * 2020-08-26 2020-11-20 中国科学院微电子研究所 高吸收热电堆及其制作方法
RU2761119C1 (ru) * 2021-05-07 2021-12-06 Федеральное государственное казенное учреждение "12 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации Устройство для исследования энергетических и временных параметров светового излучения
CN115574950A (zh) * 2022-12-08 2023-01-06 西北工业大学 一种红外传感器模组及制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2247962C3 (de) 1972-09-29 1979-03-01 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Thermoelementanordnung auf Halbleiterbasis
JPS53132282A (en) 1977-04-23 1978-11-17 Japan Radio Co Ltd Radiation wave detector
US4111717A (en) 1977-06-29 1978-09-05 Leeds & Northrup Company Small-size high-performance radiation thermopile
JPS5994023A (ja) 1982-11-20 1984-05-30 Horiba Ltd サ−モパイル
DD221604A1 (de) 1983-12-06 1985-04-24 Adw Ddr Thermoelektrischer detektor
JPS648644A (en) 1987-06-30 1989-01-12 Sharp Kk Manufacture of semiconductor device
JPH03191834A (ja) 1989-03-24 1991-08-21 Nippon Steel Corp シリコンを使用したサーモパイル及びその製造方法
JP2929204B2 (ja) * 1989-10-12 1999-08-03 株式会社トーキン サーモパイル
JPH0443783A (ja) 1990-06-08 1992-02-13 Sharp Corp 磁気記録再生装置の映像信号ドロップアウト補正回路
US5100479A (en) * 1990-09-21 1992-03-31 The Board Of Regents Acting For And On Behalf Of The University Of Michigan Thermopile infrared detector with semiconductor supporting rim
JP3191834B2 (ja) 1992-04-20 2001-07-23 富士ゼロックス株式会社 用紙整合装置
DE4221037C2 (de) 1992-06-26 1998-07-02 Heimann Optoelectronics Gmbh Thermischer Strahlungssensor
JP3189653B2 (ja) * 1995-12-12 2001-07-16 株式会社村田製作所 赤外線センサの製造方法
DE29818875U1 (de) * 1998-10-22 1998-12-24 Bartec Componenten & Syst Gmbh Strahlungssensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI510766B (zh) * 2011-04-15 2015-12-01 Excelitas Technologies Singapore Pte Ltd 共享薄膜式熱電堆感測器陣列
TWI492417B (zh) * 2012-03-30 2015-07-11 Panasonic Corp 紅外線放射元件及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1039280B1 (en) 2010-05-12
CN1203295C (zh) 2005-05-25
CN1274078A (zh) 2000-11-22
DE60044383D1 (de) 2010-06-24
EP1039280A3 (en) 2002-09-25
EP1039280A2 (en) 2000-09-27
US6348650B1 (en) 2002-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW479123B (en) Thermopile-type infrared sensor and process for producing the same
JP4511676B2 (ja) サーモパイル型赤外線センサ及びその製造方法
KR100925214B1 (ko) 볼로미터 및 그 제조 방법
US5288649A (en) Method for forming uncooled infrared detector
US9222837B2 (en) Black silicon-based high-performance MEMS thermopile IR detector and fabrication method
EP0534768B1 (en) Uncooled infrared detector and method for forming the same
JP3097591B2 (ja) 熱型赤外線検出素子
CN103698020B (zh) 复合薄膜作为红外吸收层的热电堆红外气体探测器及其加工方法
KR101182406B1 (ko) 적외선 감지 센서 및 그 제조 방법
TWI443317B (zh) Photodetector
CN106629578B (zh) 具有微桥结构的红外探测器及其制造方法
JP2012173191A (ja) 熱型光検出器、熱型光検出装置及び電子機器
US20080135758A1 (en) Bolometer and method of manufacturing the same
JP5760297B2 (ja) 熱型赤外線センサ、及び熱型赤外線センサの製造方法
KR100971962B1 (ko) 비접촉식 적외선 온도 센서 모듈 및 이의 제조 방법
KR20080052169A (ko) 볼로미터 및 그 제조 방법
US9412927B2 (en) Formation of a thermopile sensor utilizing CMOS fabrication techniques
JP2811709B2 (ja) 赤外線センサ
KR100759013B1 (ko) 비접촉식 적외선 온도 센서 및 이의 제조 방법
JP2541458B2 (ja) 赤外線センサおよびその製造方法
CN113432726B (zh) 一种具有组合柱状结构的红外探测器
KR100509443B1 (ko) 2층 구조의 볼로미터형 적외선 센서 및 그 제조방법
JP4052041B2 (ja) 赤外線センサとその製造方法
TWI809668B (zh) 微機電紅外光感測裝置及其製造方法
US11656128B2 (en) Microelectromechanical infrared sensing device and fabrication method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent