DE10033589A1 - Mikrostrukturierter Thermosensor - Google Patents
Mikrostrukturierter ThermosensorInfo
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Abstract
Es wird ein mikrostrukturierter Thermosensor (5), insbesondere ein Infrarot-Sensor, vorgeschlagen, der einen Tragkörper (12) und mindestens ein darauf befindliches Thermoelement (20) aufweist. Das Thermoelement (20) weist weiter ein erstes Material (13) und ein zweites Material (14) auf, die zumindest punktuell mindestens einen Thermokontakt (10, 11) miteinander bilden. Weiter ist vorgesehen, dass das erste und/oder das zweite Material (13, 14) zumindest bereichsweise in Form einer mäanderförmigen oder wellenförmigen Leiterbahn (15, 16) ausgebildet und auf dem Tragkörper (12) geführt sind. Daneben wird ein mikrostrukturierter Thermosensor (5) mit bevorzugt ebenfalls derart strukturierten Leiterbahnen (15, 16) vorgeschlagen, bei dem das erste Material (13) Platin oder Aluminium und das zweite Material (14) dotiertes oder undotiertes poly-Silizium-Germanium ist.
Description
Die Erfindung betrifft einen mikrostrukturierten Thermosen
sor, insbesondere einen Infrarot-Sensor, nach der Gattung
der unabhängigen Ansprüche.
Bekannte Infrarot-Sensoren, wie sie beispielsweise in der
Sicherheitstechnik, der Anlagentechnik oder der Hausgerä
tetechnik eingesetzt werden, messen die Temperatur eines
Körpers anhand der von ihm ausgesandten Infrarot-Strahlung.
Grundsätzlich unterscheidet man dabei sogenannte pyro
elektrische, bolometrische sowie thermoelektrische Sensoren.
Im Fall der thermoelektrischen Sensoren ist bekannt, diese
in Dünnschichttechnik beispielsweise auf Polyimid-Folie zu
realisieren. Weiter sind auch bereits mikrostrukturierte
Thermosensoren auf Basis der Silizium-Technik bekannt.
So wurde in der Anmeldung DE 199 32 308.9 vorgeschlagen, ei
nen Thermosensor in Form einer auf einer zumindest weitge
hend freitragenden Membran angeordneten Thermosäule herzu
stellen, wobei die Thermokontakte dieser Thermosäule abwech
selnd in Form von "heißen" und "kalten" Thermokontakten aus
gebildet und mit entsprechenden Kontaktsäulen mit einem
Tragkörper verbunden und darüber auch elektrisch ansteuerbar
sind. Weiter wurde darin vorgeschlagen, die auf der Oberflä
che der weitgehend freitragenden Membran verlaufenden Ther
moelemente in Form von Leiterbahnen zu realisieren, die ab
wechselnd aus einem ersten und einem zweiten Material gebil
det werden, so dass in dem Bereich, in dem sich diese beiden
Materialien berühren, Thermokontakte entstehen. Das erste
Material ist dabei Aluminium während als zweites Material
poly-Silizium eingesetzt wird.
In der Anmeldung DE 100 09 593.3 ist vorgeschlagen worden,
einen mikrostrukturierten Thermosensor in Form eines Infra
rot-Sensors auszuführen, indem auf einem Silizium-Substrat,
beispielsweise mit Hilfe einer Opferschichttechnik oder ei
nes anderen Ätzverfahrens, zunächst eine dünne freitragende
Membran erzeugt wird, die aufgrund ihrer geringen Wärmeleit
fähigkeit von einem darunter befindlichen Substrat thermisch
entkoppelt ist, so dass sich die Membran bei Einfall von In
frarot-Strahlung stärker als das Substrat erwärmt. Auf der
Membran befinden sich dann eine Vielzahl von mikrostruktu
rierten Sensorelementen bzw. Thermoelementen, die eine Tem
peraturdifferenz zwischen der Mitte der Membran und dem Sub
strat thermoelektrisch in ein dazu proportionales elektri
sches Signal wandeln. Für die auf der freitragenden Membran
in Form von Leiterbahnen realisierten Thermoelemente werden
gemäß DE 100 09 593.3 die Materialkombinationen Platin/poly-
Silizium, Aluminium/poly-Silizium oder p-dotiertes poly-
Silizium/n-dotiertes poly-Silizium eingesetzt. Die Material
kombination poly-Silizium/Aluminium, die vor allem in der
Bulk-Mikromechanik eingesetzt wird, hat dabei den Vorteil,
dass sie CMOS-kompatibel ist.
Schließlich ist bekannt, dass als Materialien für Thermoele
mente auch Gold, Antimon, Wismut und Bleitelluride einge
setzt werden können, wobei Gold sich auch für die Bulk-
Mikromechanik eignet.
Aufgabe der vorliegenden Erfindungen war die Realisierung
eines gegenüber bekannten mikrostrukturierten Thermosensoren
hinsichtlich Empfindlichkeit und der Stabilität bei höheren
Temperaturen verbesserten mikrostrukturierten Thermosensors.
Der erfindungsgemäße mikrostrukturierte Thermosensor hat ge
genüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass durch die
Struktur der auf dem Tragkörper befindlichen Leiterbahnen
und/oder die spezielle Wahl der Materialien für das Thermo
element eine erhöhte Temperaturempfindlichkeit erreicht
wird, ohne dass dazu wesentliche Änderungen des bisherigen
Herstellungsverfahrens für mikrostrukturierte Thermosensoren
erforderlich sind. Insbesondere wird erfindungsgemäß ledig
lich das Layout der erzeugten Leiterbahnen der Thermoelemen
te und/oder das zur Abscheidung dieser Leiterbahnen einge
setzte Material modifiziert.
Weiter ist vorteilhaft, dass durch die Wahl der Materialien
für das Thermoelement, das heißt die Materialkombination
Platin oder Aluminium mit dotiertem oder undotiertem poly-
Silizium-Germanium, erreicht wird, dass der hergestellte mi
krostrukturierte Thermosensor eine deutlich erhöhte Tempera
turstabilität gegenüber bekannten Thermosensoren aufweist,
bei denen beispielsweise Aluminium mit poly-Silizium als Ma
terial für das Thermoelement verwendet werden.
Zudem kann durch die Wahl der Materialien für das Thermoele
ment nun auch vermieden werden, dass bei Temperaturen größer
als 200°C Migrationseffekte und damit Stabilitätsprobleme
des erhaltenen mikrostrukturierten Thermosensors auftreten,
wie dies vielfach bei Sensoren auf Basis von poly-Silizium
und Aluminium als Thermoelementmaterial der Fall ist.
Darüber hinaus ist das bisher vielfach eingesetzte Aluminium
ein sehr guter Wärmeleiter, was bedeutet, dass die thermo
elektrische Effektivität des damit hergestellten Thermoele
mentes relativ niedrig ist, wohingegen Platin einerseits bei
Temperaturen bis 400°C einsetzbar ist, und andererseits ge
genüber Aluminium eine um den Faktor 3 niedrigere Wärmeleit
fähigkeit aufweist. Zudem zeigt auch polykristallines, do
tiertes oder undotiertes poly-Silizium-Germanium im Gegen
satz zu polykristallinem Silizium eine um den Faktor 3 bis 8
niedrigere Wärmeleitfähigkeit und führt daher ebenfalls zu
einer deutlich erhöhten thermoelektrischen Effektivität des
hergestellten Thermoelementes.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
dem in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
So wird insbesondere durch eine Kombination des neuartigen,
mäanderförmigen oder wellenförmigen Layouts der mikrostruk
turierten Leiterbahnen auf der Oberfläche des Tragkörpers
mit den erläuterten, speziellen Materialien für das Thermo
element eine besonders hohe Empfindlichkeitssteigerung und
besonders gute Temperaturstabilität des Thermosensors er
reicht.
Vorteilhaft ist weiter, dass je nach Anwendung des mi
krostrukturierten Thermoelementes, beispielsweise als Infra
rot-Sensor, die genannten Materialien für das Thermoelement
untereinander kombinierbar sind, wobei das Halbleitermateri
al p-dotiert oder n-dotiert sein kann.
Da bei mikrostrukturierten Thermosensoren eine Temperatur
differenz zwischen sogenannten "heißen" und "kalten" Kontak
ten thermoelektrisch in eine messbare elektrische Spannung
gewandelt wird, müssen die "kalten" Stellen entweder auf einer
konstanten Temperatur gehalten werden, oder diese Tempe
ratur muss gegenüber der Temperatur des "heißen" Kontaktes
bekannt bzw. referenziert sein. Üblicherweise werden dazu
bisher sogenannte Thermistoren in Hybridtechnik auf dem
Tragkörper für das Thermoelement integriert, da die einge
setzten Materialien Aluminium und poly-Silizium zum Bestim
men dieser Referenztemperatur vielfach nicht empfindlich ge
nug sind.
Bei der Verwendung von Platin als thermoelektrisches Materi
al ist es in diesem Zusammenhang nunmehr weiter vorteilhaft
möglich, ein hochpräzises, resistives Temperaturmesselement
im gleichen Herstellungsschritt wie die entsprechende Lei
terbahn bzw. Zuleitung mit auf dem Silizium-Chip beziehungs
weise dem das Thermoelement tragenden Tragkörper zu inte
grieren bzw. abzuscheiden. Somit erübrigt sich ein zusätzli
cher Thermistor.
Die Ausführung der Leiterbahnen in Form von mäanderförmigen
oder wellenförmigen, auf dem Tragkörper verlaufenden Leiter
bahnen bietet weiter die Möglichkeit, nur die Leiterbahn mit
dem niedrigeren Innenwiderstand als Mäander auszuführen, da
es bei einem Material mit einem hohen elektrischen Wider
stand durch die Mäanderform bzw. Wellenform zu einer erhöh
ten Rauschspannung kommt.
Weiter sei betont, dass die mäanderförmigen bzw. wellenför
migen Leiterbahnen sowohl nebeneinander verlaufend als auch
zumindest bereichsweise überlappend oder übereinander ver
laufend ausgeführt sein können, wobei diese dann durch ge
eignete Isolationsschichten aus beispielsweise Oxiden elek
trisch isolierend voneinander getrennt sein müssen. Sofern
ausreichend Fläche zur Verfügung steht, ist es in der Regel
vorteilhaft, die Leiterbahnen nebeneinander zu führen.
Schließlich ist es nun in einfacher Weise möglich, die Emp
findlichkeit des erhaltenen mikrostrukturierten Thermosen
sors auch dadurch zu variieren bzw. zu steigern, indem man
die Anzahl der Wellen bzw. Mäander variiert. Dabei macht man
sich zunutze, dass mit zunehmender Länge einer Leiterbahn
deren Wärmewiderstand zunimmt, d. h. der Wärmewiderstand ei
ner mäanderförmigen Leiterbahn ist größer als der einer ent
sprechenden Geraden.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen und in den nach
folgenden Beschreibung näher erläutert. Die Figur zeigt ein
einzelnes, auf der Oberfläche eines Tragkörpers in Form von
aufgebrachten, nebeneinander verlaufenden Leiterbahnen er
zeugtes Thermoelement.
Die Erfindung geht im erläuterten Ausführungsbeispiel zu
nächst von einem Infrarot-Sensor aus, wie er in der Anmel
dung DE 100 09 593.3 bereits vorgeschlagen worden ist. Der
dort vorgeschlagene Infrarot-Sensor wird jedoch in zweierlei
Hinsicht modifiziert.
Im Einzelnen wird zunächst auf einem gut wärmeleitenden Ma
terial wie Silizium als Substrat, wie bereits in
DE 100 09 593.3 vorgeschlagen, eine zumindest weitgehend
freitragende Membran aus einem schlecht wärmeleitenden Mate
rial wie beispielsweise einem Oxid, einem Nitrid oder einer
Kombination beider Materialien erzeugt. Bevorzugt besteht
diese zumindest weitgehend freitragende Membran, die im Wei
teren dann als Tragkörper 12 für ein darauf aufzubringendes
Thermoelement 20 dient, dabei aus Siliziumdioxid, Silizium
nitrid oder aus porösem Silizium.
Danach werden auf der Oberfläche dieses Tragkörpers 12 eine
Vielzahl von in Serie geschalteten, kreuzförmig oder stern
förmig angeordneten Thermoelementen 20 erzeugt, wobei gemäß
der Figur, die lediglich ein einzelnes dieser Thermoelemente
20 zeigt, vorgesehen ist, dass auf dem Tragkörper 12 zu
nächst ein erstes Material 13 in Form einer ersten, mäander
förmigen Leiterbahn 15 und anschließend ein zweites Material
14 in Form einer zweiten, ebenfalls mäanderförmigen Leiter
bahn 16 abgeschieden wird. Die erste Leiterbahn 15 und die
zweite Leiterbahn 16 verlaufen dabei, wie in der Figur dar
gestellt, zumindest weitgehend parallel nebeneinander.
Weiter ist vorgesehen, dass sich das erste Material 13 und
das zweite Material 14 im Bereich eines ersten Thermokontak
tes 10 und eines zweiten Thermokontaktes 11 berühren, und
dass weiter Zuleitungen 17 zu dem Thermoelement 20 vorgese
hen sind, die analog der zweiten Leiterbahn 16 ausgebildet
und aufgebracht worden sind, so dass das Thermoelement 20
über diese Zuleitungen 17 elektrisch in an sich bekannter
Weise mit nicht dargestellten elektronischen Bauelementen
verschaltet bzw. angesteuert werden kann.
In der Figur ist weiter dargestellt, dass der erste Thermo
kontakt 10 einer ersten Temperatur T1 und der zweite Thermo
kontakt 11 einer zweiten Temperatur T2 ausgesetzt ist. Dabei
ist die Temperatur T2 die eigentliche, von dem mikrostruktu
rierten Thermosensor 5 zu detektierende bzw. zu messende
Temperatur, während die Temperatur T1 entweder zumindest nä
herungsweise konstant gehalten wird oder alternativ mittels
einer zusätzlichen Messeinrichtung bestimmbar ist. Insofern
dient die Temperatur T1 des ersten Thermokontaktes 10 ("kal
ter" Thermokontakt) als Referenztemperatur für die zu mes
sende Temperatur T2 des zweiten Thermokontakt 11 ("heißer"
Thermokontakt).
Die Breite der Leiterbahnen 14, 15 und der Zuleitungen 17
liegt im Übrigen zwischen 20 nm und 200 µm, bevorzugt zwi
schen 1 µm bis 20 µm. Ihre Dicke beträgt 10 nm bis 10 µm,
bevorzugt 100 nm bis 2 µm. Das Erzeugen der ersten bzw.
zweiten Leiterbahn 15, 16 sowie deren mäanderförmige Struk
turierung, und das Erzeugen der Zuleitungen 17 erfolgte in
bekannter Weise durch Aufsputtern oder Aufdampfen der jewei
ligen Materialien 13, 14, beispielsweise mittels PECVD
("Physically Enhanced Chemical Vapour Deposition) oder LPCVD
(Low Pressure Chemical Vapour Deposition").
Konkret ist im erläuterten Ausführungsbeispiel das erste Ma
terial 13 n-dotiertes poly-Silizium-Germanium mit einer Wär
meleitfähigkeit von 3 bis 8 W/Km. Das zweite Material 14 ist
im erläuterten Beispiel Platin mit einer Wärmeleitfähigkeit
von 70 W/Km. Darüber hinaus sind auch die Zuleitung 17 je
weils analog der zweiten Leiterbahn 16 in Form einer Platin
leiterbahn ausgeführt, so dass sich zwei Thermokontakte 10,
11 ergeben, die jeweils von der Materialkombination Pla
tin/poly-Silizium-Germanium gebildet werden.
Alternativ zu dem erläuterten Ausführungsbeispiel gemäß der
Figur kann auch vorgesehen sein, dass die erste Leiterbahn
14 und die zweite Leiterbahn 15 bereichsweise oder vollstän
dig übereinander verlaufen, und, abgesehen von den Thermo
kontakten 10, 11, elektrisch voneinander isoliert geführt
sind. Die elektrische Isolation wird in diesem Fall durch
eine oxidische, elektrisch isolierende Zwischenschicht zwi
schen den Leiterbahnen 15, 16 gewährleistet.
Weiter ist offensichtlich, dass an Stelle von zwei Thermo
kontakten 10, 11 auch eine Mehrzahl von Thermokontakten vor
gesehen sein kann, die nach Art einer Thermokette oder einer
Thermosäule angeordnet sind. Dabei sind dann mindestens zwei
der Thermokontakte unterschiedlichen Temperaturen ausge
setzt.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird in
Weiterführung des ersten Ausführungsbeispiels zusätzlich ein
Teil einer zusätzlichen Messeinrichtung in Form einer Lei
terbahn zu Bestimmung der ersten Temperatur T1 auf dem Trag
körper 12 erzeugt bzw. integriert. Damit kann dann auf die
Integration eines üblichen Thermistors auf der Oberfläche
des Tragkörpers 12 im Bereich des ersten Thermokontaktes 10
verzichtet werden.
Im Einzelnen ist diese Messeinrichtung dann dadurch reali
siert, dass in einer Umgebung des ersten Thermokontaktes 10
eine zusätzliche Referenzleiterbahn aus Platin als sensiti
ves Bauteil dieser Messeinrichtung vorgesehen ist, die über
entsprechende Zuleitungen ebenfalls mit an sich bekannten
Auswertemitteln zur Bestimmung eines temperaturabhängigen
elektrischen Widerstandes dieser Referenzleiterbahn ver
schaltet ist. Diese Referenzleiterbahn ist dabei beispiels
weise analog der Zuleitung 17 oder der zweiten Leiterbahn 16
ausgeführt.
Alternativ kann diese Messeinrichtung jedoch auch dadurch
realisiert sein, dass ein Abschnitt der zweiten Leiterbahn
16 oder der Zuleitungen 17 als Referenzleiterbahn genutzt
wird und mit entsprechenden Auswertemitteln zur Bestimmung
des Temperatur abhängigen elektrischen Widerstandes dieses
Teils der Leiterbahn verschaltet ist.
Diese Möglichkeit der Integration einer zusätzlichen Refe
renzleiterbahn auf dem Tragkörper 12 bzw. die Möglichkeit
der Nutzung eines Teiles der zweiten Leiterbahn 16 oder der
Zuleitung 17 als Referenzleiterbahn auf dem Tragkörper 12
zur Messung bzw. Überwachung der Temperatur T1 ergibt sich
aus der Eignung von Platin zur hochpräzisen resistiven Tem
peraturmessung.
Hinsichtlich weiterer Details zum Aufbau des Thermoelementes
20 und der Funktion und dem weiteren Aufbau des Thermoele
mentes 5 gemäß der Figur sei auf die Anmeldung
DE 100 09 593.3 verwiesen, in der dieser Thermosensor 5, ab
gesehen von dem speziellen Layout der Leiterbahnen 15, 16
des Thermoelementes 20 und der speziellen Wahl der Materia
lien für das Thermoelement 20, in Form eines Infrarot-
Sensors beschrieben ist.
Claims (12)
1. Mikrostrukturierter Thermosensor, insbesondere Infra
rot-Sensor, mit einem Tragkörper und mindestens einem darauf
befindlichen Thermoelement, das ein erstes Material und ein
zweites Material aufweist, die zumindest punktuell minde
stens einen Thermokontakt miteinander bilden, dadurch ge
kennzeichnet, dass das erste und/oder das zweite Material
(13, 14) zumindest bereichsweise in Form einer mäanderförmi
gen oder wellenförmigen Leiterbahn (15, 16) ausgebildet und
auf dem Tragkörper (12) geführt ist.
2. Mikrostrukturierter Thermosensor nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, dass das erste Material (13) und das
zweite Material (14) in Form von zumindest weitgehend neben
einander verlaufenden, abgesehen von den Thermokontakten
(10, 11) elektrisch voneinander isolierten Leiterbahnen (15,
16) oder in Form von zumindest bereichsweise übereinander
verlaufenden, abgesehen von den Thermokontakten (10, 11)
elektrisch voneinander isolierten Leiterbahnen (15, 16) ge
führt ist.
3. Mikrostrukturierter Thermosensor nach Anspruch 1 oder
2, dadurch gekennzeichnet, dass das Thermoelement (20) eine
Mehrzahl von Thermokontakten (10, 11) aufweist, die nach Art
einer Thermokette oder einer Thermosäule angeordnet sind,
wobei mindestens zwei der Thermokontakte (10, 11) unter
schiedlichen Temperaturen (T1, T2) ausgesetzt sind.
4. Mikrostrukturierter Thermosensor nach Anspruch 3, da
durch gekennzeichnet, dass ein einer zu detektierenden oder
zu messenden zweiten Temperatur (T2) ausgesetzter zweiter
Thermokontakt (11) und ein einer zumindest näherungsweise
konstant gehaltenen oder konstanten ersten Temperatur (T1)
ausgesetzter erster Thermokontakt (10) vorgesehen ist, wobei
insbesondere weiter vorgesehen ist, dass die erste Tempera
tur (T1) mittels einer zusätzlichen Messeinrichtung bestimm
bar ist.
5. Mikrostrukturierter Thermosensor nach Anspruch 4, da
durch gekennzeichnet, dass die Messeinrichtung einen in ei
ner Umgebung des ersten Thermokontaktes (10) befindlichen
Teil einer der Leiterbahnen (15, 16) oder einer der Zulei
tungen (17) oder eine in einer Umgebung des ersten Thermo
kontaktes (10) befindliche Referenzleiterbahn als sensitives
Bauteil sowie Auswertemittel zur Bestimmung eines tempera
turabhängigen elektrischen Widerstandes des Teils der Lei
terbahn (15, 16), der Zuleitung (17) oder der Referenzlei
terbahn aufweist.
6. Mikrostrukturierter Thermosensor nach mindestens ei
nem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
dass das erste und/oder das zweite Material (13, 14) ein Ma
terial mit geringer Wärmeleitfähigkeit ist.
7. Mikrostrukturierter Thermosensor nach mindestens ei
nem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
dass das erste und das zweite Material (13, 14) aus der
Gruppe Platin, Gold, den Bleitelluriden, Aluminium, Titan,
poly-Silizium, dotiertes poly-Silizium, poly-Silizium-
Germanium oder dotiertes poly-Silizium-Germanium ausgewählt
ist.
8. Mikrostrukturierter Thermosensor nach Anspruch 7, da
durch gekennzeichnet, dass das zweite Material (14) Platin
und das erste Material (13) dotiertes oder undotiertes poly-
Silizium-Germanium ist.
9. Mikrostrukturierter Thermosensor nach Anspruch 5 oder
8, dadurch gekennzeichnet, dass der Teil der Leiterbahn (15,
16), der Zuleitung (17) oder der Referenzleiterbahn eine
Platinleiterbahn ist.
10. Mikrostrukturierter Thermosensor, insbesondere Infra
rot-Sensor, mit einem Tragkörper und mindestens einem darauf
befindlichen Thermoelement, das ein erstes Material und ein
zweites Material aufweist, die zumindest punktuell minde
stens einen Thermokontakt miteinander bilden, dadurch ge
kennzeichnet, dass das zweite Material (14) Platin oder Alu
minium und das erste Material (13) dotiertes oder undotier
tes poly-Silizium-Germanium ist.
11. Mikrostrukturierter Thermosensor nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, dass das erste und/oder das zweite
Material (13, 14) zumindest bereichsweise in Form einer mä
anderförmigen oder wellenförmigen Leiterbahn (15, 16) ausge
bildet und auf dem Tragkörper (12) geführt ist.
12. Mikrostrukturierter Thermosensor nach Anspruch 10
oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Thermoelement (20)
eine Mehrzahl von Thermokontakten (10, 11) aufweist, die
nach Art einer Thermokette oder einer Thermosäule angeordnet
sind, wobei mindestens zwei der Thermokontakte (10, 11) un
terschiedlichen Temperaturen (T1, T2) ausgesetzt sind.
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