DE10219247A1 - Temperatursensor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Temperatursensor und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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Abstract
Es wird ein Temperatursensor mit einem stabilen Aufbau vorgeschlagen, der sich einfach einbauen und verpacken lässt, unkompliziert in der Herstellung ist und mit dem schnelle Temperaturänderungen zuverlässig erfasst werden können. DOLLAR A Der Temperatursensor (1) umfasst ein Siliziumsubstrat (2), in dem mindestens ein poröser Bereich (3) ausgebildet ist, wobei der Grad der Porosität und die Dicke des porösen Bereichs (3) so gewählt sind, dass der poröse Bereich (3) vom Siliziumsubstrat (2) thermisch entkoppelt ist. Des Weiteren umfasst der Temperatursensor (1) Temperaturmesselemente (6, 7) zum Erfassen der Temperaturdifferenz zwischen dem Siliziumsubstrat (2) und dem porösen Bereich (3). Außerdem kann der Temperatursensor noch Heizmittel zum Testen der Sensorfunktion umfassen.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor, der insbesondere zum Erfassen von schnellen Temperaturänderungen konzipiert ist, und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Temperatursensors.
- In der deutschen Patentanmeldung 100 57 258 wird vorgeschlagen, einen Temperatursensor im Rahmen der Seitenaufprallerkennung bei Kraftfahrzeugen einzusetzen. Der Temperatursensor wird dazu in einem Seitenteil des Kraftfahrzeugs angeordnet, das einen weitgehend geschlossenen Hohlkörper bildet. Im Falle eines Seitenaufpralls, der mit einer Verformung des Seitenteils verbunden ist, kommt es in der Regel zu einem adiabatischen Druckanstieg, der von einem adiabatischen, schnellen Temperaturanstieg begleitet wird. Erfasst also der in dem Seitenteil angeordnete Temperatursensor einen schnellen Temperaturanstieg, so kann dies als Hinweis für das Vorliegen eines Seitenaufpralls gewertet werden.
- Die in der deutschen Patentanmeldung 100 57 258 beschriebene Vorrichtung zur Seitenaufprallerkennung umfasst einen mikromechanischen Temperatursensor mit einer dünnen Membran, die in einen Siliziumsubstrat ausgebildet ist. Die Membran weist eine wesentlich geringere Wärmeleitfähigkeit und Wärmekapazität auf als der Siliziumrahmen, so dass Membran und Siliziumrahmen thermisch entkoppelt sind. Bei einem Temperaturanstieg erwärmt sich die Membran wesentlich schneller als der Siliziumrahmen. Die dadurch bedingte Temperaturdifferenz zwischen der Membran und dem Siliziumrahmen wird mit Hilfe von Temperaturmesselementen in Form von entsprechend angeordneten Platin-Widerständen erfasst.
- Der bekannte Temperatursensor erweist sich in mehrerlei Hinsicht als problematisch. Die für die Funktion des bekannten Temperatursensors notwendige thermische Entkopplung zwischen Membran und Siliziumrahmen bedingt eine sehr geringe Membrandicke von ca. 1 bis 5 µm. Dementsprechend ist die Membran äußerst bruchgefährdet und der Temperatursensor insgesamt mechanisch instabil, so dass es beispielsweise schon beim Einbau des Temperatursensors oder auch nur beim Zuschlagen der entsprechenden Seitentür des Kraftfahrzeugs leicht zu einem Bruch der Membran und damit zum Ausfall des Temperatursensors kommen kann. Beim Einbau und beim Verpacken des bekannten Temperatursensors, insbesondere beim Aufkleben, muss außerdem darauf geachtet werden, dass sich weder Schmutzpartikel noch Kleber in der rückseitigen Kaverne unterhalb der Membran sammeln, damit die thermische Entkopplung zwischen Membran und Siliziumrahmen gewährleistet ist. Schließlich muss das Siliziumsubstrat zur Herstellung des bekannten Temperatursensors beidseitig mikromechanisch bearbeitet werden, was relativ aufwendig ist.
- Vorteile der Erfindung
- Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Temperatursensor mit einem stabilen Aufbau vorgeschlagen, der sich einfach einbauen und verpacken lässt, unkompliziert in der Herstellung ist und mit dem schnelle Temperaturänderungen zuverlässig erfasst werden können.
- Der erfindungsgemäße Temperatursensor umfasst ein Siliziumsubstrat, in dem mindestens ein poröser Bereich ausgebildet ist, wobei der Grad der Porosität und die Dicke des porösen Bereichs so gewählt sind, dass der poröse Bereich vom Siliziumsubstrat thermisch entkoppelt ist. Außerdem sind Temperaturmesselemente zum Erfassen der Temperaturdifferenz zwischen dem Siliziumsubstrat und dem porösen Bereich vorgesehen.
- Erfindungsgemäß ist erkannt worden, dass das Sensorprinzip des bekannten mikromechanischen Temperatursensors - nämlich die Realisierung eines thermisch entkoppelten Bereichs im Siliziumsubstrat des Temperatursensors - auch durch Erzeugen eines porösen Bereichs im Siliziumsubstrat umgesetzt werden kann. Der Wärmewiderstand eines solchen porösen Bereichs ist schon allein aufgrund der Massereduzierung und der Nanostruktur des porösen Siliziums in diesem Bereich wesentlich höher als der des umliegenden Siliziumsubstrats, so dass der poröse Bereich und das Siliziumsubstrat thermisch entkoppelt sind. Allerdings ist ein Siliziumsubstrat, in dem ein poröser Bereich ausgebildet ist, wesentlich stabiler als eine in einen Siliziumrahmen eingebettete, freitragende Membran, was sich sowohl vereinfachend auf den Einbau und die Verpackung des erfindungsgemäßen Temperatursensors als auch positiv auf dessen Lebensdauer auswirkt. Außerdem ist der erfindungsgemäße Temperatursensor unempfindlich gegen Verschmutzung, da weder in der Oberfläche des Siliziumsubstrats noch in dem porösen Bereich Vertiefungen, Ausnehmungen oder Kavernen ausgebildet sind, in denen sich störende Schmutzpartikel festsetzen könnten. Im Gegensatz zu dem bekannten Temperatursensor erfordert die Herstellung des erfindungsgemäßen Temperatursensors lediglich die Bearbeitung einer Oberfläche des Siliziumsubstrats. Dadurch gestaltet sich auch die Fertigung des erfindungsgemäßen Temperatursensors unaufwendig und kostengünstig.
- Grundsätzlich gibt es verschiedene Möglichkeiten für die Realisierung eines erfindungsgemäßen Temperatursensors.
- In einer relativ einfach herzustellenden Variante besteht der poröse Bereich im Siliziumsubstrat im Wesentlichen aus porösem Silizium. Bedingt durch die geringe Kristallitgröße des porösen Materials von wenigen Nanometern bis eineigen 100 Nanometern und die Massereduzierung sind die Wärmeleitfähigkeit und die Wärmekapazität eines solchen PorSi-Bereichs gegenüber dem Siliziumsubstrat stark reduziert. In einer anderen vorteilhaften Variante besteht der poröse Bereich zumindest teilweise aus Siliziumoxid, das durch teilweise oder vollständige Oxidation des porösen Siliziums entstanden ist. Durch die Oxidation wird der poröse Bereich gegen die Temperaturbudgets nachfolgender Prozesse im Rahmen der Fertigung stabilisiert. Außerdem führt die Oxidation zu einer weiteren Verringerung der Wärmeleitfähigkeit und damit zu einer besseren thermischen Entkopplung des porösen Bereichs vom Siliziumsubstrat.
- Die Porosität des porösen Bereichs liegt vorteilhafter Weise bei mindestens 60%, um die Masse des verbleibenden, porösen Siliziums zu minimieren, aber eine ausreichende Stabilität zu gewährleisten. In diesem Fall liegt der Faktor, um den die Wärmeleitfähigkeit des porösen Bereichs gegenüber der Wärmeleitfähigkeit des Siliziumsubstrats reduziert ist, bei ca. 100. Die Güte der thermischen Entkopplung wird außerdem durch die Dicke des porösen Bereichs bestimmt. Gute Ergebnisse werden mit einer Dicke von ca. 10 bis 200 µm erreicht.
- Zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Temperatursensors muss zunächst im Siliziumsubstrat des Temperatursensors mindestens ein poröser Bereich erzeugt werden. Dann werden im Bereich des Siliziumsubstrats und im porösen Bereich Temperaturmesselemente zum Erfassen der Temperaturdifferenz zwischen dem Siliziumsubstrat und dem porösen Bereich angeordnet.
- Im Hinblick auf eine einfache Verfahrensführung erweist es sich als vorteilhaft, den porösen Bereich in einem elektrochemischen Ätzprozess zu erzeugen, insbesondere durch elektrochemisches Anodisieren unter Verwendung eines flusssäurehaltigen Mediums als Ätzlösung. Dabei entsteht eine schwammartige, poröse Siliziumstruktur mit einer großen inneren Oberfläche. Das so erzeugte poröse Silizium unterscheidet sich auch in seinen chemischen und physikalischen Eigenschaften vom Bulk-Silizium des Siliziumsubstrats. So ist beispielsweise die Reaktivität des porösen Siliziums deutlich höher als die des Bulk-Siliziums, während Wärmeleitfähigkeit und Wärmekapazität des porösen Siliziums deutlich geringer sind als die des Bulk-Siliziums.
- Die Tiefe bzw. die Dicke des porösen Bereichs wird üblicherweise durch die Ätzrate und die Dauer des Ätzprozesses bestimmt. Struktur und Porosität des porösen Siliziums werden im Wesentlichen durch die Prozessparameter während des Anodisierens, wie Stromdichte und Flusssäurezusammensetzung, und durch Typ und Höhe der Dotierung des Siliziumsubstrats bestimmt.
- Zur Herstellung eines lokal begrenzten porösen Bereichs in einem Siliziumsubstrat werden üblicherweise ein elektrochemischer Ätzstopp oder Maskierschichten, wie z. B. Siliziumnitrid, verwendet. In einer vorteilhaften Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens wird zumindest die Hauptoberfläche des Siliziumsubstrats, in der der poröse Bereich erzeugt werden soll, mit einer Ätzmaske versehen. Durch die Ätzmaske wird der zu ätzende Bereich definiert, bzw. die lateralen Abmessungen des zu ätzenden Bereichs, wobei zu berücksichtigen ist, dass es sich beim elektrochemischen Anodisieren um ein weitgehend isotropes Ätzverfahren handelt, bei dem die Ätzmaske lateral unterätzt wird. Als Ätzmaske kann beispielsweise eine Metallmaske, eine n+-Dotierung, eine SixNy-Schicht oder eine Kombination aus n+- Dotierung und SixNy-Schicht verwendet werden. Wie bereits erwähnt, kann das so erzeugte poröse Silizium nachfolgend oxidiert werden, was durch die erhöhte Reaktivität des porösen Siliziums begünstigt wird.
- Vorteilhafter Weise wird der poröse Bereich durch eine undurchlässige Schutzschicht vor späteren Umwelteinflüssen geschützt. Hierzu eignen sich beispielsweise SixNy- oder Polysiliziumschichten, die sich einfach in einem CVD (chemical vapor deposition)-Verfahren erzeugen lassen. Bei der Verwendung von halbleitenden Schutzschichten wird zusätzlich noch eine Isolationsschicht aus z. B. SiOx aufgebracht.
- Die Temperaturmesselemente des erfindungsgemäßen Temperatursensors lassen sich prozesstechnisch einfach in Form von Widerständen oder Leiterbahnen realisieren, indem auf dem Siliziumsubstrat und dem porösen Bereich durch CVD oder Sputtern leitendes oder halbleitendes Material aufgebracht und strukturiert wird. Auf diese Weise können auch Heizelemente zum Aufheizen des porösen Bereichs erzeugt werden. Die Funktionsfähigkeit des Temperatursensors kann dann einfach durch künstliches Aufheizen des porösen Bereichs getestet werden.
- Wie bereits voranstehend ausführlich erörtert, gibt es verschiedene Möglichkeiten, die Lehre der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise auszugestalten und weiterzubilden. Dazu wird einerseits auf die dem Patentanspruch 1 nachgeordneten Patentansprüche und andererseits auf die nachfolgende Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen verwiesen.
- Fig. 1 zeigt eine Schnittdarstellung eines erfindungsgemäßen Temperatursensors,
- Fig. 2 zeigt die Aufsicht auf einen weiteren erfindungsgemäßen Temperatursensor und
- Fig. 3 zeigt die Aufsicht auf einen dritten erfindungsgemäßen Temperatursensor.
- Der in Fig. 1 dargestellte Temperatursensor 1 umfasst ein Siliziumsubstrat 2, in dem ein poröser Bereich 3 ausgebildet ist. Der poröse Bereich 3 grenzt an eine Hauptoberfläche 4 des Siliziumsubstrats 2 an. Erfindungsgemäß sind der Grad der Porosität und die Dicke des porösen Bereichs 3 so gewählt, dass der poröse Bereich 3 vom Siliziumsubstrat 2 thermisch entkoppelt ist.
- Im hier dargestellten Ausführungsbeispiel besteht der poröse Bereich im Wesentlichen aus porösem Siliziumoxid, das durch elektrochemisches Anodisieren des Siliziumsubstrats 2 und nachfolgende Oxidation erzeugt worden ist. Der poröse Bereich weist eine Porosität von mindestens 60% auf und eine Dicke von ca. 10 bis 200 µm.
- Des Weiteren ist im hier dargestellten Ausführungsbeispiel eine SixNy Schutzschicht 5 auf der Hauptoberfläche 4 des Siliziumsubstrats 2 abgeschieden, die den Temperatursensor 1 und insbesondere den porösen Bereich 3 vor späteren Umwelteinflüssen schützen soll.
- Auf dem porösen Bereich 3 und auf dem Siliziumsubstrat 2 sind Temperaturmesselemente 6 und 7 integriert, mit denen die Temperaturdifferenz zwischen dem Siliziumsubstrat 2 und dem porösen Bereich 3 erfasst werden kann. Im hier dargestellten Ausführungsbeispiel handelt es sich hierbei um Platin-Widerstände. Die Temperaturmesselemente 6 und 7 können aber auch aus anderen metallischen Materialien, wie z. B. Aluminium oder Titan, oder auch aus halbleitenden Materialien, wie z. B. aus dotiertem Silizium oder Silizium-Germanium, gefertigt sein.
- Fig. 2 zeigt eine mögliche Anordnung für die Temperaturmesselemente 6 und 7 einerseits im Bereich des Siliziumsubstrats 2 (Temperaturmesselement 6) und andererseits im porösen Bereich 3 (Temperaturmesselement 7).
- Der in Fig. 2 dargestellte Temperatursensor 10 umfasst ferner Heizmittel in Form eines Heizwiderstands 11, der ebenfalls im porösen Bereich 3 angeordnet ist. Der Heizwiderstand 11 dient zum künstlichen Erwärmen des porösen Bereichs 3. Dadurch kann die Funktionsfähigkeit des Temperatursensors 10 einfach überprüft werden. Der Heizwiderstand 11 kann ebenfalls als Platin-Widerstand oder aus einem anderen metallischen oder halbleitenden Material ausgeführt sein.
- Bei der in Fig. 3 dargestellten Variante eines erfindungsgemäßen Temperatursensors 20 sind die Temperaturmesselemente nicht in Form von Widerständen realisiert sondern in Form einer sogenannten Thermokette 21. Die Thermokette 21 umfasst zwei Leiterbahnen 22 und 23 aus unterschiedlichen Materialien. Die beiden Leiterbahnen 22 und 23 sind an zwei Kontaktstellen 24 und 25 miteinander verbunden. Die eine Kontaktstelle 24 befindet sich im Bereich des "kalten" Siliziumsubstrats 2, während die andere Kontaktstelle 25 im "heißen" porösen Bereich 3 angeordnet ist. Eine Temperaturdifferenz zwischen dem Siliziumsubstrat 2 und dem porösen Bereich 3 erzeugt aufgrund des thermoelektrischen Effekts eine Thermospannung zwischen den beiden Leiterbahnen 22 und 23. Zur Steigerung des Signalhubs können auch mehrere Thermoketten aus unterschiedlichen Materialien in Reihe geschaltet werden.
- Die Leiterbahnen 22 und 23 der Thermokette 21 können ebenfalls aus metallischen Materialien, wie z. B. aus Platin, Aluminium oder Titan, oder auch aus halbleitenden Materialien, wie z. B. aus dotiertem Silizium oder Silizium-Germanium, gefertigt sein.
- Der Temperatursensor 20 umfasst außerdem noch ein im Bereich des Siliziumsubstrats 2 angeordnetes, zusätzliches Temperaturmesselement 26 und einen im porösen Bereich 3 angeordneten Heizwiderstand 11.
- An dieser Stelle sei auch darauf hingewiesen, dass sich durch geeignete Maskierung des Siliziumsubstrats beim elektrochemischen Anodisieren aufgrund des isotropen Ätzverhaltens poröse oder oxidierte poröse Bereiche mit nahezu beliebigen geometrischen Formen erzeugen lassen.
- Mit Hilfe der voranstehend beschriebenen Temperatursensoren können insbesondere auch schnelle Temperaturänderungen erfasst werden. Aufgrund ihrer Unempfindlichkeit und ihres robusten Aufbaus eignen sie sich besonders für den Einsatz in Kraftfahrzeugen, beispielsweise im Rahmen der Seitenaufprallerkennung, wie sie eingangs an Hand des Standes der Technik erläutert worden ist. Bezugszeichen 1 Temperatursensor
2 Siliziumsubstrat
3 poröser Bereich
4 Hauptoberfläche - Siliziumsubstrat
5 Schutzschicht
6 Temperaturmesselement - Siliziumsubstrat
7 Temperaturmesselement - poröser Bereich
10 Temperatursensor
11 Heizwiderstand
20 Temperatursensor
21 Thermokette
22 Leiterbahn
23 Leiterbahn
24 Kontaktstelle - Siliziumsubstrat
25 Kontaktstelle - poröser Bereich
26 Zusätzliches Temperaturmesselement
Claims (23)
1. Temperatursensor
- mit einem Siliziumsubstrat (2), in dem mindestens ein poröser Bereich (3)
ausgebildet ist, wobei der Grad der Porosität und die Dicke des porösen
Bereichs (3) so gewählt sind, dass der poröse Bereich (3) vom
Siliziumsubstrat (2) thermisch entkoppelt ist, und
- mit Temperaturmesselementen (6, 7) zum Erfassen der
Temperaturdifferenz zwischen dem Siliziumsubstrat (2) und dem porösen Bereich (3).
2. Temperatursensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
poröse Bereich im Wesentlichen aus porösem Silizium besteht.
3. Temperatursensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
poröse Bereich (3) zumindest teilweise aus Siliziumoxid besteht.
4. Temperatursensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, dass der poröse Bereich (3) eine Porosität von mindestens 60%
aufweist.
5. Temperatursensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, dass der poröse Bereich (3) eine Dicke von ca. 10 bis 200 µm
aufweist.
6. Temperatursensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, dass der poröse Bereich (3) an eine Hauptoberfläche (4) des
Siliziumsubstrats (2) angrenzt und dass zumindest über dem porösen Bereich (3)
mindestens eine Schutzschicht (5) ausgebildet ist, insbesondere eine
Schutzschicht (5) aus SixNy.
7. Temperatursensor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, dass Heizmittel (11) zum Aufheizen des porösen Bereichs und
zum Testen der Sensorfunktion vorgesehen sind.
8. Temperatursensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, dass die Temperaturmesselemente (6, 7) und/oder die Heizmittel
(11) in Form von Widerständen realisiert sind, die - je nach Funktion - im Bereich
des Siliziumsubstrats (2) und/oder im porösen Bereich (3) angeordnet sind.
9. Temperatursensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die
Widerstände (6, 7) aus metallischen Materialien gefertigt sind, insbesondere aus
Platin, Aluminium oder Titan.
10. Temperatursensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die
Widerstände aus halbleitenden Materialien gefertigt sind, insbesondere aus
dotiertem Silizium oder Silizium-Germanium.
11. Temperatursensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, dass die Temperaturmesselemente in Form mindestens einer
Thermokette (21) realisiert sind, wobei jede Thermokette (21) zwei Leiterbahnen
(22, 23) aus unterschiedlichen Materialien umfasst, die an zwei Kontaktstellen (24,
25) miteinander verbunden sind, und wobei die eine Kontaktstelle (24) im Bereich
des Siliziumsubstrats (2) angeordnet ist und die andere Kontaktstelle (25) im
porösen Bereich (3) angeordnet ist.
12. Temperatursensor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die
Leiterbahnen der Thermokette aus metallischen Materialien gefertigt sind,
insbesondere aus Platin, Aluminium oder Titan.
13. Temperatursensor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die
Leiterbahnen der Thermokette aus halbleitenden Materialien gefertigt sind,
insbesondere aus dotiertem Silizium oder Silizium-Germanium.
14. Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors mit einem
Siliziumsubstrat, insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet,
dass mindestens ein poröser Bereich in dem Siliziumsubstrat erzeugt wird und
dass im Bereich des Siliziumsubstrats und im porösen Bereich
Temperaturmesselemente zum Erfassen der Temperaturdifferenz zwischen dem Siliziumsubstrat
und dem porösen Bereich angeordnet werden.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der poröse
Bereich in einem elektrochemischen Ätzprozess, insbesondere durch
elektrochemisches Anodisieren unter Verwendung eines flusssäurehaltigen Mediums als
Ätzlösung, erzeugt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet,
dass auf mindestens einer Hauptoberfläche des Siliziumsubstrats eine Ätzmaske
erzeugt wird, durch die der zu ätzende Bereich definiert wird, wobei insbesondere
eine Metallmaske, eine n+-Dotierung, eine SixNy-Schicht oder eine Kombination
aus n+-Dotierung und SixNy-Schicht als Ätzmaske verwendet wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet,
dass die in dem Ätzprozess erzeugte Porosität durch die Dotierung des
Siliziumsubstrats, durch die Konzentration der Ätzlösung und/oder durch die während des
Ätzprozesses anliegende Stromdichte bestimmt wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet,
dass die Tiefe des porösen Bereichs durch die Dauer des Ätzprozesses bestimmt
wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet,
dass das in dem porösen Bereich erzeugte poröse Silizium zumindest teilweise
oxidiert wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet,
dass über dem porösen Bereich mindestens eine Schutzschicht, insbesondere in
einem CVD (chemical vapor deposition)-Verfahren, erzeugt wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet,
dass im Bereich des Siliziumsubstrats und/oder im porösen Bereich Widerstände
und/oder Leiterbahnen durch Aufbringen und Strukturieren von CVD- und/oder
Sputter-Schichten erzeugt werden.
22. Verwendung eines Temperatursensors nach einem der Ansprüche 1 bis 13
im Rahmen eines Kraftfahrzeugs.
23. Verwendung nach Anspruch 22 zur Seitenaufprallerkennung, wobei der
Temperatursensor in einem einen weitgehend geschlossenen Hohlkörper
bildenden Seitenteil des Kraftfahrzeugs angeordnet ist, um den adiabatischen
Temperaturanstieg im Falle eines Seitenaufpralls zu erfassen.
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