JP2005524080A - 温度センサーおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

簡単に取り付けおよび包装することができ、製造が複雑でなく、急激な温度変化を確実に把握できる、安定な構造を有する温度センサーが提案される。温度センサー（１）はシリコン基板（２）を有し、シリコン基板内に少なくとも１個の多孔質領域（３）が形成され、その際多孔質領域（３）がシリコン基板（２）から熱的に結合されないように多孔性の程度および多孔質領域（３）の厚さが選択される。更に温度センサー（１）はシリコン基板（２）と多孔質領域（３）との温度の差を把握するために温度測定素子（６，７）を有する。更に温度センサーはセンサー機能を試験するためになお熱媒を有することができる。

Description

本発明は、特に急激な温度変化を把握するために考案される温度センサーおよびこの温度センサーの製造方法に関する。

ドイツ特許第１００５７２５８号明細書において、自動車の側面衝突認識の枠内で温度センサーを使用することが提案される。このために温度センサーは自動車の側面部分に配置され、側面部分は十分に閉鎖された空隙を形成する。側面部分の変形と結びついた側面衝突の場合に、一般に断熱による急激な温度上昇に伴う断熱による圧力上昇を生じる。従って側面部分に配置された温度センサーが急激な温度上昇を把握した場合に、側面衝突が存在する指標として評価することができる。

ドイツ特許第１００５７２５８号明細書に記載される側面衝突を認識する装置はシリコン基板内に形成される薄い膜を有するマイクロメカニック温度センサーを有する。この膜はシリコンフレームよりかなり低い熱伝導率および熱容量を有し、膜とシリコンフレームが熱的に結合されていない。温度が上昇する場合に膜はシリコンフレームよりかなり速く加熱する。これにより引き起こされる膜とシリコンフレームの温度の差は相当して配置された白金抵抗の形の温度測定素子を使用して把握する。

公知の温度センサーは多くの点で問題があることが明らかである。公知の温度センサーの機能に必要な膜とシリコンフレームの熱的な分離は約１〜５μｍのきわめて少ない膜厚を生じる。それに応じて膜はきわめて壊れやすく、温度センサーは全体として機械的に不安定であり、例えば温度センサーの取り付けの際にすでにまたは自動車の相当するサイドドアーを閉める際に膜が容易に破壊され、温度センサーが停止することがある。公知の温度センサーの取り付けおよび包装の際に、特に接着の際に、更に汚れの粒子および接着剤が膜の下の裏側の空隙に集まらないことに配慮しなければならず、これにより膜とシリコンフレームの熱的分離が保証される。最後にシリコン基板を公知の温度センサーを製造するために両面でマイクロメカニック処理しなければならず、これはかなり費用がかかる。

発明の利点
本発明により、簡単に取り付け、包装することができ、製造が複雑でなく、急激な温度変化を確実に把握できる、安定な構造を有する温度センサーが提案される。

本発明の温度センサーはシリコン基板を有し、シリコン基板に少なくとも１個の多孔質領域が形成され、その際多孔質領域がシリコン基板から熱的に結合されないように多孔性の程度および多孔質領域の厚さを選択する。更にシリコン基板と多孔質領域との温度の差を把握するために温度測定素子が設けられている。

本発明により、公知のマイクロメカニック温度センサーのセンサー原理、すなわち温度センサーのシリコン基板内の熱的に結合していない領域の実現を、シリコン基板内の多孔質領域の形成により置き換えることができる。この多孔質領域の熱抵抗は質量減少およびこの領域の多孔質シリコンのナノ構造によってのみ、包囲するシリコン基板の熱抵抗より高く、多孔質領域およびシリコン基板が熱的に結合されていない。しかし多孔質領域が形成されるシリコン基板は、シリコンフレームに埋め込まれた自立する膜よりかなり安定であり、これが本発明の温度センサーの取り付けおよび包装を簡単にし、その寿命に有利に作用する。更に本発明の温度センサーは汚れに反応しにくく、それというのもシリコン基板の表面にも多孔質領域にも、汚れ粒子が固着することがある空所、切り欠きまたは空洞が形成されないからである。公知の温度センサーと異なり、本発明の温度センサーの製造はシリコン基板の表面の処理のみを必要とする、これにより本発明の温度センサーの製造は煩雑でなく、廉価に形成される。

原則的に本発明の温度センサーの実現の種々の可能性が存在する。

かなり簡単に製造すべき変形において、シリコン基板内の多孔質領域は主に多孔質シリコンからなる。数ナノメートルから数１００ナノメートルまでの多孔質材料の少ない結晶子の大きさに起因してこのＰｏｒＳｉ領域の熱伝導率および熱容量はシリコン基板に比べて著しく減少する。他の有利な変形において多孔質領域は少なくとも部分的に酸化珪素からなり、酸化珪素は多孔質シリコンの部分的なまたは完全な酸化により形成される。酸化により多孔質領域が製造の範囲で引き続く工程の温度の供給に対して安定化する。更に酸化は熱伝導率を更に減少させ、これによりシリコン基板からの多孔質領域の熱的分離が改良される。

多孔質領域の多孔度は。残留する多孔質シリコンの質量を最小にするために、しかし十分な安定性を保証するために、有利には少なくとも６０％である。この場合に多孔質領域の熱伝導率がシリコン基板の熱伝導率に対して減少する割合は約１００である。更に熱的分離の程度は多孔質領域の厚さにより決定される。約１０〜２００μｍの厚さで良好な結果が達成される。

本発明の温度センサーを製造するために、まず温度センサーのシリコン基板に少なくとも１個の多孔質領域を形成しなければならない。その後シリコン基板の領域におよび多孔質領域に、シリコン基板と多孔質領域の温度の差を把握するために温度測定素子を配置する。

簡単な方法の実施を考慮して、多孔質領域を、エッチング溶液としてフッ化水素酸含有媒体を使用して電気化学的エッチング工程により、特に電気化学的陽極処理により製造することが有利であると示された。その際大きい内部表面を有するスポンジ状の多孔質シリコン構造が形成される。こうして形成された多孔質シリコンはシリコン基板のバルクシリコンと化学的および物理的特性が異なる。従って例えば多孔質シリコンの反応性はバルクシリコンの反応性より明らかに高いが、多孔質シリコンの熱伝導率および熱容量はバルクシリコンの熱伝導率および熱容量より明らかに少ない。

多孔質領域の深さもしくは厚さは一般にエッチング速度およびエッチング工程の時間により決定する。多孔質シリコンの構造および多孔度は主に電流密度およびフッ化水素酸組成のような陽極処理中の処理パラメーターによりおよびシリコン基板のドーピングの種類および高さにより決定する。

シリコン基板内に位置的に限定された多孔質領域を製造するために、一般に電気化学的エッチングストップまたは、例えば窒化珪素のようなマスキング層を使用する。本発明の方法の有利な変形において、多孔質領域を製造すべきシリコン基板の主要表面にエッチングマスクを備える。エッチングマスクによりエッチングすべき領域もしくはエッチングすべき領域の側面の寸法を決定し、その際電気化学的陽極処理が十分に等方性のエッチング法であり、エッチングマスクが横方向にアンダーエッチングされることを考慮すべきである。エッチングマスクとして、例えば金属マスク、ｎ^＋ドーピング、Ｓｉ_ｘＮ_ｙ層またはｎ^＋ドーピングとＳｉ_ｘＮ_ｙ層の組み合わせを使用することができる。すでに述べたように、こうして形成される多孔質シリコンを引き続き酸化することができ、これは多孔質シリコンの高められた反応性により促進される。

有利な方法で多孔質領域を後からの環境の影響に対して貫通しない保護層により保護する。このために、例えばＣＶＤ（化学蒸着）法により簡単に製造できるＳｉ_ｘＮ_ｙ層またはポリシリコン層が適している。半導体保護層を使用する場合に付加的になお、例えばＳｉＯ_ｘからなる絶縁層を堆積する。

本発明の温度センサーの温度測定素子は、シリコン基板および多孔質領域にＣＶＤまたはスパッタリングにより導電性材料または半導体材料を堆積し、パターン化することにより、処理技術的に簡単に抵抗または導体路の形で実現することができる。このやり方で発熱体を多孔質領域を加熱するために製造することができる。温度センサーの機能性は多孔質領域の人工的加熱により簡単に試験することができる。

図面
すでに述べたように、本発明の発想を有利なやり方で形成し、実現する種々の可能性が存在する。このために一方で請求項１に続く請求項および他方で本発明の多くの実施例の引き続く説明が示される。

図１は本発明の温度センサーの断面図である。

図２は本発明の他の温度センサーの平面図である。

図３は本発明の第３の温度センサーの平面図である。

実施例の説明
図１に示される温度センサー１はシリコン基板２を有し、シリコン基板内に多孔質領域３が形成される。多孔質領域３はシリコン基板２の主要表面４に隣接する。本発明により多孔質領域３がシリコン基板２から熱的に結合されていないように多孔性の程度および多孔質領域３の厚さを選択する。

ここに示される実施例において、多孔質領域は主に多孔質酸化珪素からなり、酸化珪素はシリコン基板２の電気化学的陽極処理および引き続く酸化により形成される。多孔質領域は少なくとも６０％の多孔度を有し、約１０〜２００μｍの厚さを有する。

更にここに示される実施例においてＳｉ_ｘＮ_ｙ保護層５をシリコン基板２の主要平面４に堆積し、この層は温度センサー１および特に多孔質領域３を後からの環境の影響に対して保護すべきである。

多孔質領域３およびシリコン基板２に温度測定素子６および７を集積し、これらによりシリコン基板２と多孔質領域３との温度の差を把握することができる。ここに示される実施例において、この場合に白金抵抗を使用する。温度測定素子６および７は他の金属材料、例えばアルミニウムまたはチタンからまたは半導体材料、例えばドーピングシリコンまたはシリコン−ゲルマニウムから製造することができる。

図２は一方でシリコン基板２の領域の（温度測定素子）および他方で多孔質領域３（温度測定素子７）の温度測定素子６および７の可能な配置を示す。

図２に示される温度センサー１０は更に熱抵抗１１の形の熱媒を有し、熱媒は同様に多孔質領域３に配置されている。熱抵抗１１は多孔質領域３を人工的に加熱するために用いる。これにより温度センサーの機能を簡単に試験することができる。熱抵抗１１は同様に白金抵抗としてまたは他の金属材料または半導体材料から形成することができる。

図３に示される本発明の温度センサー２０の変形は抵抗の形で実現されるのでなく、いわゆる熱電対２１の形で実現される温度測定素子である。熱電対２１は異なる材料からなる２個の導体路２２および２３を有する。２つの導体路２２および２３は２つの接触位置２４および２５で互いに結合している。一方の接触位置２４は冷たいシリコン基板２の領域に存在し、他方の接触位置２５は熱い多孔質領域３に配置される。シリコン基板２と多孔質領域３の温度の差は２つの導体路２２および２３の熱起電力の熱電効果により生じる。信号の幅を上昇するために、異なる材料からなる多くの熱電対を連続して接続することができる。

熱電対２１の導体路２２および２３は同様に金属材料、例えば白金、アルミニウムまたはチタンから、または半導体材料、例えばドーピングシリコンまたはシリコン−ゲルマニウムから製造することができる。

温度センサー２０は更になおシリコン基板２の領域に配置された、付加的な温度測定素子２６および多孔質領域３に配置された熱抵抗１１を有する。

この位置でシリコン基板の適当なマスキングにより電気化学的陽極処理の際に等方性エッチング法により多孔質領域または酸化された多孔質領域をほぼ任意の形状に形成することができる。

前記の温度センサーを使用して特に急激な温度変化を把握することができる。温度センサーはその非反応性および強靱な構造により特に自動車の使用に、例えば冒頭に技術水準により説明したように、側面衝突の認識の枠内で適している。

本発明の温度センサーの断面図である。

本発明の他の温度センサーの平面図である。

本発明の第３の温度センサーの平面図である。

Claims (23)

1. シリコン基板（２）を有し、シリコン基板内に少なくとも１個の多孔質領域（３）が形成され、多孔質領域（３）がシリコン基板（２）から熱的に結合されないように多孔質の程度および多孔質領域（３）の厚さが選択され、およびシリコン基板（２）と多孔質領域（３）との温度の差を把握するための温度測定素子（６，７）を有する温度センサー。
2. 多孔質領域（３）が実質的に多孔質シリコンからなる請求項１記載の温度センサー。
3. 多孔質領域（３）が少なくとも部分的に酸化珪素からなる請求項１記載の温度センサー。
4. 多孔質領域（３）が少なくとも６０％の多孔度を有する請求項１から３までのいずれか１項記載の温度センサー。
5. 多孔質領域（３）が約１０〜２００μｍの厚さを有する請求項１から４までのいずれか１項記載の温度センサー。
6. 多孔質領域（３）がシリコン基板（２）の主要表面（４）に隣接し、少なくとも多孔質領域（３）の上に少なくとも１個の保護層（５）、特にＳｉ_ｘＮ_ｙからなる保護層（５）が形成されている請求項１から５までのいずれか１項記載の温度センサー。
7. 多孔質領域を加熱し、センサー機能を試験するために、熱媒（１１）が設けられている請求項１から６までのいずれか１項記載の温度センサー。
8. 温度測定素子（６，７）および／または熱媒（１１）が抵抗の形で実現され、抵抗が機能に応じて、シリコン基板（２）の領域におよび／または多孔質領域（３）に配置されている請求項１から７までのいずれか１項記載の温度センサー。
9. 抵抗（６，７）が金属材料、特に白金、アルミニウムまたはチタンから製造される請求項８記載の温度センサー。
10. 抵抗が半導体材料、特にドーピングシリコンまたはシリコン−ゲルマニウムから製造される請求項８記載の温度センサー。
11. 温度測定素子が少なくとも１個の熱電対（２１）の形で実現され、それぞれの熱電対（２１）が異なる材料からなる２個の導体路（２２、２３）を有し、導体路が２つの接触位置（２４，２５）で互いに結合しており、一方の接触位置（２４）はシリコン基板（２）の領域に配置され、他方の接触位置（２５）は多孔質領域（３）に配置されている請求項１から７までのいずれか１項記載の温度センサー。
12. 熱電対の導体路が金属材料、特に白金、アルミニウムまたはチタンから製造される請求項１１記載の温度センサー。
13. 熱電対の導体路が半導体材料、特にドーピングシリコンまたはシリコン−ゲルマニウムから製造される請求項１１記載の温度センサー。
14. シリコン基板を有する温度センサー、特に請求項１から１３までのいずれか１項記載の温度センサーを製造する方法において、シリコン基板内に少なくとも１個の多孔質領域を形成し、シリコン基板の領域および多孔質領域に、シリコン基板と多孔質領域との温度差を把握するために温度測定素子を配置することを特徴とする、温度センサーを製造する方法。
15. エッチング溶液としてフッ化水素酸含有媒体を使用して電気化学的エッチング工程により、特に電気化学的陽極処理により多孔質領域を形成する請求項１４記載の方法。
16. シリコン基板の少なくとも１個の主要表面にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクによりエッチングすべき領域を決定し、その際エッチングマスクとして、特に金属マスク、ｎ^＋ドーピング、Ｓｉ_ｘＮ_ｙ層またはｎ^＋ドーピングおよびＳｉ_ｘＮ_ｙ層からの組み合わせを使用する請求項１４または１５記載の方法。
17. エッチング工程で製造される多孔度をシリコン基板のドーピングにより、エッチング溶液の濃度によりおよび／またはエッチング工程中に印加される電流密度により決定する請求項１５または１６記載の方法。
18. 多孔質領域の深さをエッチング工程の時間により決定する請求項１５から１７までのいずれか１項記載の方法。
19. 多孔質領域に形成される多孔質シリコンを少なくとも部分的に酸化する請求項１４から１８までのいずれか１項記載の方法。
20. 多孔質領域の上に少なくとも１個の保護層を、特にＣＶＤ（化学蒸着）法により形成する請求項１４から１９までのいずれか１項記載の方法。
21. シリコン基板の領域におよび／または多孔質領域にＣＶＤ層および／またはスパッタ層を堆積し、パターン化することにより抵抗および／または導体路を形成する請求項１４から２０までのいずれか１項記載の方法。
22. 自動車の範囲の請求項１から１３までのいずれか１項記載の温度センサーの使用。
23. 側面の衝突の場合の断熱温度上昇を把握するために、十分に閉鎖された空隙を形成する自動車の側面部分に温度センサーが配置される、側面衝突を認識するための請求項２２記載の使用。

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