DE19526903A1 - Drehratensensor - Google Patents
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Description
Die Erfindung geht aus von einem Drehratensensor nach der
Gattung des unabhängigen Patentanspruchs
Aus der DE 19 504 151 ist bereits ein Drehratensensor
bekannt, der aus einem mehrschichtigen Substrat aufgebaut
ist. Das mehrschichtige Substrat weist eine untere
Siliziumschicht und eine obere Siliziumschicht auf, zwischen
denen eine isolierende Opferschicht vorgesehen ist. Aus dem
mehrschichtigen Substrat ist ein Schwinger
herausstrukturiert, der an Schwingbalken aufgehängt ist. Auf
dem Schwinger ist ein Beschleunigungssensor vorgesehen, der
zur Messung von Coriolisbeschleunigungen, die senkrecht zur
Schwingachse auftreten können, geeignet ist.
Aus der EP 539 393 B1 ist bereits ein Drehratensensor
bekannt, bei dem Schwinger aus mehrschichtigen Substraten
herausstrukturiert werden. Aus dieser Schrift sind auch eine
Vielzahl von Anregungsmethoden für derartige Schwinger
bekannt, insbesondere durch elektrostatischen Antrieb,
elektromagnetischen Antrieb und thermomechanischen Antrieb.
Der erfindungsgemäße Drehratensensor mit den Merkmalen des
unabhängigen Anspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß
die Auslenkungen des Schwingers durch Anschläge begrenzt
werden und so die Betriebssicherheit und Robustheit des
Sensors erhöht wird. Insbesondere wird durch die Verwendung
von Anschlägen die Empfindlichkeit des Sensors gegenüber
großen Linearbeschleunigungen verringert.
Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten
Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und
Verbesserungen des im unabhängigen Anspruch angegebenen
Drehratensensors möglich.
Da der Schwinger parallel zum Substrat besonders leicht
ausgelenkt werden kann, werden vorteilhafterweise
Parallelanschläge vorgesehen, die derartige Auslenkungen
beschränken. Um die Ätzzeiten bei der Herstellung der
Sensoren zu verringern, sollte die Dicke der unteren
Siliziumschicht unterhalb des Schwingers verringert werden.
Um Auslenkungen des Schwingers senkrecht zur
Schwingungsrichtung zu begrenzen, sind dann Anschläge
vorgesehen, die entweder aus der unteren Siliziumschicht 1
herausstrukturiert sind oder auf einer zusätzlichen Platte
vorgesehen werden. Sofern die Dicke der unteren
Siliziumschicht 1 von vornherein dünn genug gewählt werden
kann, so kann eine Begrenzung der Auslenkung auch durch
Montage des Sensors auf einer Platte erzielt werden. Dabei
kann der Abstand zwischen Platte und Schwinger besonders
einfach durch eine entsprechend dicke Verbindungsschicht
eingestellt werden. Durch einen Deckel wird der
Drehratensensor vor Verschmutzungen geschützt, und es wird
so die Auslenkung des Schwingers nach oben hin begrenzt.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen
Fig. 1, 2 und 3 ein
Herstellungsverfahren für den Drehratensensor nach dem Stand
der Technik, Fig. 3 einen schematischen Querschnitt durch
einen fertigen Drehratensensor, Fig. 4 eine Aufsicht auf
einen Drehratensensor nach der Fig. 3, Fig. 5 und 6 zwei
weitere Ausführungsbeispiele von Drehratensensoren, Fig. 7
und 8 ein weiteres Herstellungsverfahren für einen
Drehratensensor und Fig. 9 einen Drehratensensor, der nach
dem Verfahren der Fig. 7 und 8 hergestellt ist.
In der Fig. 1 wird ein mehrschichtiges Substrat 10 gezeigt,
welches eine untere Siliziumschicht 1 und eine obere
Siliziumschicht 3 aufweist. Zwischen den beiden
Siliziumschichten 1, 3 ist eine isolierende Opferschicht 2
angeordnet. Bei der unteren Siliziumschicht 1 handelt es
sich in der Regel um einen Siliziumwafer, auf den eine
Opferschicht 2 beispielsweise aus Siliziumoxid,
Siliziumnitrid oder Glas aufgebracht wird. Darauf wird dann
durch Abscheiden aus einem Plasma oder durch Bonden eines
weiteren Siliziumwafers eine obere Siliziumschicht 3
erzeugt. Je nach Herstellungsverfahren kann die obere
Siliziumschicht 3 aus einem polykristallinen,
einkristallinen oder einer Mischung von einkristallinem und
polykristallinem Siliziummaterial bestehen. In der Rückseite
des mehrschichtigen Substrats 10 kann eine Ausnehmung 7
eingebracht werden, durch die die Dicke der unteren
Siliziumschicht 1 bereichsweise verringert wird. Diese
Verringerung der Dicke der unteren Siliziumschicht 1 dient
dazu, die Ätzzeiten zu verringern, wenn Gräben durch die
untere Siliziumschicht 1 hindurch eingebracht werden sollen.
Auf der Oberseite des mehrschichtigen Substrats 10 wird eine
erste Ätzmaskierung 8 aufgebracht. Diese erste Ätzmaske 8
enthält die Strukturen für einen Beschleunigungssensor, der
weiter unten in den Fig. 3 und 4 beschrieben wird. Es
erfolgt dann ein Ätzschritt, mit dem die Strukturen der
Ätzmaske 8 in die obere Siliziumschicht 3 eingeätzt werden,
wobei die dadurch gebildeten Gräben bis zur Opferschicht 2
reichen. Als Material für die erste Ätzmaske 8 kann
Photolack oder entsprechend strukturierte Siliziumoxid- oder
Siliziumnitridschichten verwendet werden.
In der Fig. 2 wird gezeigt, daß in einem weiteren Schritt
eine zweite Ätzmaske 9 aufgebracht wird. Durch diese zweite
Ätzmaske 9 werden Strukturen definiert, die dazu genutzt
werden, Ätzgräben in das mehrschichtige Substrat 10
einzubringen, die durch die obere Siliziumschicht 3, die
Opferschicht 2 und die untere Siliziumschicht 1 reichen.
Durch die zuvor eingebrachte Ausnehmung 7 wird die dazu
benötigte Ätzzeit verringert. Anschließend wird die
Ätzmaskierung 9 wieder entfernt. In einem weiteren
Prozeßschritt erfolgt dann eine Ätzung der Opferschicht 2.
Dieser Ätzschritt der Opferschicht 2 erfolgt isotrop, so daß
auch Bereiche der Opferschicht 2 geätzt werden, die zwischen
der oberen Siliziumschicht 3 und der unteren Siliziumschicht
1 angeordnet sind, so daß eine Unterätzung der in der oberen
Siliziumschicht 3 eingebrachten Strukturen erfolgt. Die
Ätzung wird jedoch nur für eine kurze Zeit durchgeführt, so
daß nur Strukturen mit geringen lateralen Ausdehnungen
vollständig unterätzt werden.
Die Fig. 3 zeigt das mehrschichtige Substrat 10 nach dem
Ätzen der Opferschicht 2. Durch das Herstellungsverfahren
ist nun ein Sensorelement mit einer Vielzahl von
unterschiedlichen Bereichen hergestellt worden. Der Rahmen
11 weist noch die ursprüngliche Dicke der Schichten 3, 2 und
1 auf und ist besonders gut zur Halterung des Sensors
geeignet.
Weiterhin sind Schwingbalken 5 geschaffen, deren Abmessungen
in X-Richtung relativ gering sind gegenüber den Abmessungen
in Y-Richtung. Die Schwingbalken 5 lassen sich daher in X-
Richtung besonders leicht aus lenken, während sie hingegen in
Y-Richtung vergleichsweise steif sind. Weiterhin ist der
obere Bereich der Schwingbalken 5, der aus der oberen
Siliziumschicht 3 herausgebildet wurde, mechanisch fest,
jedoch isolierend durch die Opferschicht 2 mit dem unteren
Teil, der aus der unteren Schicht 1 herausstrukturiert
wurde, verbunden.
Weiterhin ist ein Schwinger 4 herausstrukturiert, der durch
die Schwingbalken 5 mit dem Rahmen 11 verbunden ist. Der
Schwinger 4 weist eine untere Platte 14 auf, die aus der
ersten Siliziumschicht 1 herausstrukturiert ist. Die obere
Siliziumschicht 3 des Schwingers 4 weist Verankerungen 23
auf, die durch die isolierende Opferschicht 2 fest mit der
unteren Platte 14 des Schwingers verbunden ist.
Weiterhin ist aus der oberen Siliziumschicht 3 des
Schwingers 4 ein beweglicher Zentralbalken 22 bzw.
bewegliche Elektroden 21 herausstrukturiert, die in der
Aufsicht nach der Fig. 4 zu erkennen sind. Der
Zentralbalken 22 ist an Biegefedern 24 aufgehängt, die
wiederum an Verankerungen 23 befestigt sind. Die Biegefedern
24 sind in Z-Richtung relativ schmal ausgestaltet, so daß
der Zentralbalken 22 und die beweglichen Elektroden 21 durch
eine Beschleunigung in Z-Richtung verschiebbar sind. Dadurch
ändert sich die Kapazität zwischen den beweglichen
Elektroden 21 und feststehenden Elektroden 20, die durch
Verankerungen 23 starr mit der unteren Platte 14 des
Schwingers 4 verbunden sind. Die Verankerungen 23, die
Biegefedern 24 der Zentralbalken 22, die beweglichen
Elektroden 21 und die feststehenden Elektroden 20 bilden
somit einen Beschleunigungssensor 25, der Beschleunigungen
in Z-Richtungen mißt.
Wie in der Fig. 4 zu erkennen ist, sind die Verankerungen
23 derart aus der oberen Siliziumschicht 3 des Schwingers 4
herausstrukturiert, daß die Verankerungen 23 bzw. Gruppen
von Verankerungen 23 gegeneinander elektrisch isoliert sind.
Es ist eine Gruppe von Verankerungen 23 zur Aufhängung der
Biegefedern 24 vorgesehen. Weiterhin sind zwei Verankerungen
23 für feststehende Elektroden 20 vorgesehen, die jeweils
gegeneinander isoliert sind. Wie in der Fig. 3 gezeigt
wird, sind diese Verankerungen 23 mit der oberen
Siliziumschicht 3 der Schwinger 5 unmittelbar verbunden, so
daß ein elektrisches Signal der feststehenden Elektroden 20
über die Schwingbalken 5 auf den Rahmen 11 geführt werden
kann. Auf dem Rahmen 11 sind aus der oberen Siliziumschicht
3 Kontaktbereiche 12 herausstrukturiert, die mit der oberen
Siliziumschicht 3 der Schwingbalken 5 verbunden sind. An den
Kontaktbereichen 12 kann somit ein elektrisches Signal
abgegriffen werden, welches an den feststehenden Elektroden
20 auftritt. Durch diesen Aufbau ist es somit möglich, eine
Kapazitätsänderung an den Plattenkondensatoren des
Beschleunigungssensors 25 zu messen. In der Fig. 4 ist nur
die Kontaktierung der feststehenden Elektroden 20 gezeigt.
In gleicher Weise erfolgt natürlich auch eine Kontaktierung
der Verankerungen 23 der Biegebalken 24, wodurch ein
elektrisches Signal von den beweglichen Elektroden 21
abgreifbar wird. Aus Gründen einer übersichtlichen
Darstellung wurde dies jedoch in der Fig. 4 nicht
zeichnerisch dargestellt.
Die Fig. 3 zeigt einen Prinzipquerschnitt des Sensors
entlang der Linie III-III. Dabei sind jedoch die einzelnen
Abmessungen nicht proportional zueinander angegeben,
beispielsweise wurde die Breite der in Fig. 3 gezeigten
Verankerungsbereiche 23 stark verkürzt.
Der Sensor nach den Fig. 3 und 4 entspricht im
wesentlichen dem Sensor, wie er bereits aus der deutschen
Patentanmeldung 19 504 151 bekannt ist.
Zum Betrieb des in den Fig. 3 und 4 gezeigten
Drehratensensors wird der Schwinger 4 in Schwingungen in X-
Richtungen versetzt. Antriebsmittel für derartige
Schwingungen sind beispielsweise aus dem europäischen Patent
EP 539 393 bekannt. Nur als Beispiel wird in der Fig. 4 auf
dem Schwinger 4 ein aufgebrachter Bereich 30 eines
magnetischen Materials gezeigt. Durch ein äußeres
Magnetfeld, dessen Stärke zeitlich variiert, kann so der
Schwinger 4 zu Schwingungen angeregt werden.
Im Betrieb wird der Schwinger 4 zu Schwingungen in der X-
Richtung angeregt. Erfolgt dann eine Drehung um die Y-Achse,
so wird in Z-Richtung eine Coriolisbeschleunigung erzeugt.
Diese Coriolisbeschleunigung wird durch den
Beschleunigungssensor 25 nachgewiesen und ist ein Maß für
die Drehung um die Y-Achse.
Der Schwinger 4 ist in X-Richtung sehr weich aufgehängt, so
daß er durch externe lineare Beschleunigungen sehr leicht in
X-Richtung ausgelenkt werden kann. Wenn diese
Beschleunigungen in X-Richtung sehr groß werden, kann es so
zu einer Zerstörung des Sensors kommen, indem die
mechanische Festigkeit der Schwingbalken 5 überschritten
wird. Um dies zu verhindern, sind Parallelanschläge 41 und
42 aus dem Rahmen 11 und aus dem Schwinger 4
herausstrukturiert. Die Anschläge 41 und 42 werden als
Parallelanschläge bezeichnet, da sie die Auslenkung des
Schwingers 4 parallel zu den einzelnen Siliziumschichten
begrenzt. In der Fig. 4 sind die Anschläge 42 des
Schwingers durch eine entsprechende Formgebung der unteren
Platte 14 gebildet, d. h. die Anschläge 42 sind nur aus der
unteren Schicht 1 herausstrukturiert. Der Anschlag 41 des
Rahmens 11 ist sowohl aus der unteren Siliziumschicht 1 wie
auch aus der oberen Siliziumschicht 3 herausstrukturiert. Im
vorliegenden Fall weist der Rahmen 11 nur einen Anschlag 41
auf, der zwischen zwei Anschlägen 42 des Schwingers 4
angeordnet ist. Alternativ ist es natürlich auch möglich,
beliebige Mehrfachanordnungen von Anschlägen 41, 42
vorzusehen.
In der Fig. 5 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel des
erfindungsgemäßen Drehratensensors gezeigt, welches bis auf
die Ausgestaltung der Anschläge dem bereits aus der Fig. 3
bekannten Drehratensensor entspricht. Gleiche Bezugszeichen
bezeichnen gleiche Gegenstände wie bei den Fig. 3 und 4.
Im Unterschied zur Fig. 3 ist jedoch am Schwinger 4 ein
unterer Anschlag 43 vorgesehen, durch den die Auslenkung des
Schwingers 4 in negativer Y-Richtung begrenzt wird. Der
Rahmen 11 des Drehratensensors ist über eine
Verbindungsschicht 33 mit einer Trägerplatte 32 verbunden.
Bei einer derartigen Trägerplatte kann es sich
beispielsweise wieder um Silizium, Glas oder andere
Materialien handeln. Aufgrund des geringen thermischen
Ausdehnungskoeffizienten wird jedoch Silizium bevorzugt. Als
Material für die Verbindungsschicht eignet sich
Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Glas, Klebstoff oder ein Lot.
Der untere Anschlag 43 wird dadurch erzeugt, daß die
Ausnehmung 7 im wesentlichen nur unterhalb der Biegebalken 5
vorgesehen wird, so daß der Anschlag 43 in Verbindung mit
der unteren Platte 14 des Schwingers 4 zusammen die Dicke
der ursprünglichen unteren Siliziumschicht 1 aufweist. Der
Abstand zwischen dem unteren Anschlag 43 und der
Trägerplatte 42 kann so durch die Wahl einer entsprechenden
Dicke der Verbindungsschicht 33 eingestellt werden oder
durch ein definiertes lokales Rückätzen des unteren
Anschlags. Die Auslenkung des Schwingers 4 in Y-Richtung
wird hier durch einen Deckel 31 beschränkt. Dieser Deckel 31
kann aus einer Vielzahl von Materialien, beispielsweise
Keramik oder Metall bestehen, jedoch wird aufgrund des
angepaßten Ausdehnungskoeffizienten wieder Silizium
bevorzugt.
Weiterhin ist vorteilhaft, daß durch den Deckel 31 und die
untere Trägerplatte 32 ein hermetischer Hohlraum geschaffen
wird, indem der Drehratensensor versiegelt ist. Das
Sensorelement wird auf diese Weise besonders gut vor
störenden und schädlichen Umwelteinflüssen geschützt.
In der Fig. 6 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel des
erfindungsgemäßen Drehratensensors gezeigt, welches im
wesentlichen mit der Fig. 5 übereinstimmt. Im Unterschied
zur Fig. 5 ist jedoch der untere Anschlag 43 aus der
Trägerplatte 32 herausstrukturiert bzw. auf die Trägerplatte
32 aufgebracht. Bei dieser Ausgestaltung kann der Abstand
zwischen Schwinger 4 und unterem Anschlag 43 unabhängig von
der Dicke der Verbindungsschicht 33 gewählt werden. Dabei
müssen jedoch sehr genaue Fertigungstoleranzen der Höhe des
unteren Anschlags 43 eingehalten werden.
In den Fig. 7 und 8 wird ein weiteres Verfahren zur
Herstellung von Drehratensensoren mit Anschlägen
beschrieben. Dieses Verfahren geht aus von einem
Siliziumwafer 50, auf dem eine dielektrische
Isolationsschicht 51 und darauf eine Siliziumschicht 1
aufgebracht ist. Derartige Siliziumwafer sind als sogenannte
SOI-Wafer zur Herstellung von dielektrisch isolierten
Schaltkreisen erhältlich. Die Siliziumschicht 1 dient dann
als untere Siliziumschicht für die Herstellung eines
Drehratensensors. Durch Abscheiden oder thermische Oxidation
wird dann auf der Oberseite der Siliziumschicht 1 eine
dielektrische Isolationsschicht 2 erzeugt. Durch Abscheiden
wird dann eine polykristalline Siliziumschicht 3
abgeschieden. Der Siliziumwafer 50 weist typischerweise eine
Dicke von einigen 100 µm auf. Die dielektrische
Isolationsschicht 51 hat typischerweise eine Dicke zwischen
0,5 bis 2 µm, die Siliziumschicht 1 eine Dicke zwischen
50 bis 100 µm, die dielektrische Opferschicht 2
typischerweise eine Dicke zwischen 0,5 und 2 µm, und die
obere Siliziumschicht 3 hat typischerweise eine Dicke
zwischen 10 und 50 µm. Ausgehend von der Rückseite werden
Ausnehmungen 60 in den Siliziumwafer 50 eingeätzt, die bis
zur dielektrischen Schicht 51 reichen. In der Fig. 7 werden
zwei Ausnehmungen 60 gezeigt, zwischen denen ein Block 61
angeordnet ist. Dem Fachmann ist klar, daß eine beliebige
Anzahl von Ausnehmungen 60 verwendet werden kann,
beispielsweise kann auch nur eine große Ausnehmung 60
vorgesehen werden, so daß Block 62 entfällt. Anschließend
erfolgt ein isotroper Ätzschritt, bei dem die
Isolationsschicht 51 geätzt wird. Aufgrund der Isotropie
erfolgt dabei auch seitlich eine kontrollierte Unterätzung,
deren Größe durch die Ätzrate und die Ätzzeit kontrolliert
wird. In den oberen Schichten 1, 2, 3 kann nun, wie bereits
zu den Fig. 1 bis beschrieben wurde, ein
Herstellungsverfahren für einen Drehratensensor durchgeführt
werden. Da die Dicke der Siliziumschicht 1 bereits vorher in
dem gewünschten Maß gewählt werden kann, kann dabei jedoch
das Einbringen einer Ausnehmung 7 in die Rückseite der
unteren Siliziumschicht 1 entfallen. Durch den weiteren
Siliziumwafer 50 wird zudem die Stabilität des
Drehratensensors erhöht, so daß auch der Rahmen 11 dünner
ausgestaltet werden kann. Durch den Siliziumwafer 50 wird
dabei ein unterer Anschlag gebildet.
Sofern es erwünscht ist, daß die Dicke der unteren
Siliziumschicht 1 im Bereich des Schwingers noch verringert
wird, so kann dies ebenfalls erfolgen. Dies wird in der
Fig. 8 gezeigt. Die Ätzung der unteren Siliziumschicht 1
erfolgt hier jedoch durch einen isotropen Ätzprozeß, bei dem
das Ätzmedium durch die Ausnehmungen 60 zugeführt wird. Auch
bei derartigen isotropen Ätzprozessen läßt sich die
Restdicke der unteren Siliziumschicht 1 mit hoher Präzision
einstellen.
In der Fig. 9 wird ein schematischer Querschnitt durch
einen Drehratensensor gezeigt, der ausgehend von der Fig. 8
mit den aus den Fig. 1 bis 4 bekannten
Fertigungsschritten hergestellt wurde. Die Auslenkung des
Schwingers 4 nach unten wird nun durch die untere
Siliziumplatte 50 beschränkt. Die Auslenkung des Schwingers
nach oben wird durch den Deckel 31 beschränkt.
Claims (9)
1. Drehratensensor aus einem mehrschichtigen Substrat, bei
dem auf einer unteren Siliziumschicht (1) eine isolierende
Opferschicht (2) und darauf eine obere Siliziumschicht (3)
aufgebracht sind, wobei aus dem mehrschichtigen Substrat
(10) ein Schwinger (4), der an Schwingbalken (5) aufgehängt
ist, herausstrukturiert ist, wobei Mittel zur Anregung des
Schwingers (4) zu Schwingungen in einer ersten Richtung
vorgesehen sind, und wobei auf dem Schwinger (4) ein
Beschleunigungssensor (25) angeordnet ist, dadurch
gekennzeichnet, daß aus dem mehrschichtigen Substrat (10)
Anschläge (41, 42, 43) herausstrukturiert sind, die eine
Auslenkung des Schwingers (4) begrenzen.
2. Drehratensensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schwinger (4) parallel zum mehrschichtigen Substrat
(10) schwingt, daß der Schwinger (4) von einem Rahmen (11)
umgeben ist, und daß die Anschläge als Parallelanschläge
(41, 42) am Rahmen (11) und am Schwinger (4) derart
vorgesehen sind, daß die Auslenkungen des Schwingers (4)
parallel zum Substrat (10) beschränkt werden.
3. Drehratensensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß unter dem Schwinger (4) die Dicke der
unteren Siliziumschicht (1) verringert ist, und daß ein
unterer Anschlag (43) vorgesehen ist, durch den die
Auslenkung des Schwingers (4) senkrecht zur
Schwingungsrichtung beschränkt wird.
4. Drehratensensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der untere Anschlag (43) aus der unteren Schicht (1)
herausstrukturiert ist.
5. Drehratensensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die untere Schicht (1) des Rahmens (11) auf einer
weiteren Platte (32, 50) befestigt ist.
6. Drehratensensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die weitere Platte als Trägerplatte (32) ausgebildet
ist, die einen unteren Anschlag (43) aufweist.
7. Drehratensensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die weitere Platte durch einen Siliziumwafer (50)
gebildet wird, in dem mindestens eine Ausnehmung (60)
eingeätzt ist.
8. Drehratensensor nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß der Schwinger (4) eine untere
Platte (14) in der Dicke der ersten Schicht (1) aufweist,
daß der Rahmen (11) mit seiner unteren Schicht (1) durch
eine Isolationsschicht (51) mit einem Siliziumwafer (50)
verbunden ist und daß die Isolationsschicht (51) unterhalb
des Schwingers (4) und der Biegebalken (5) entfernt ist.
9. Drehratensensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberseite des Rahmens
(11) ein Deckel (31) vorgesehen ist.
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