DE4446890A1 - Kapazitiver Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Kapazitiver Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number
DE4446890A1
DE4446890A1 DE4446890A DE4446890A DE4446890A1 DE 4446890 A1 DE4446890 A1 DE 4446890A1 DE 4446890 A DE4446890 A DE 4446890A DE 4446890 A DE4446890 A DE 4446890A DE 4446890 A1 DE4446890 A1 DE 4446890A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
acceleration sensor
movable electrode
plate
capacitive acceleration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4446890A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayoshi Suzuki
Takao Sasayama
Keizi Hanzawa
Norio Ichikawa
Junichi Horie
Yukiko Sugisawa
Yuuji Ogasawara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Automotive Engineering Co Ltd
Publication of DE4446890A1 publication Critical patent/DE4446890A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00—Details of instruments
    • G01P1/02—Housings
    • G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen kapazitiven Beschleunigungssensor, der insbesondere in einem Fahrzeug angebracht werden kann und dazu dient, Fahrzeugsysteme wie etwa ein Airbag-Entfaltungssystem oder Fahrzeugan­ triebs- und Fahrzeugbremssysteme anhand erfaßter Be­ schleunigungen zu steuern.
In der Vergangenheit sind viele verschiedene Typen von Beschleunigungssensoren vorgeschlagen worden, die Senso­ ren des Drucktyps und Sensoren des Typs mit Dehnungsmeß­ streifen umfassen. Kapazitive Beschleunigungssensoren, wie sie von der vorliegenden Erfindung in Betracht gezogen werden, besitzen in weiten Temperaturbereichen ausgezeichnete Genauigkeitseigenschaften.
Aus dem Patent US 5,095,752 ist ein kapazitiver Beschleu­ nigungsmesser bekannt, den die vorliegende Erfindung zu verbessern versucht. Die Inhalte dieses Patents US 5,095,752 sind in die vorliegende Erfindung durch Litera­ turhinweis eingefügt, um den Hintergrund der vorliegenden Erfindung und die grundlegenden Funktionsprinzipien von kapazitiven Beschleunigungssensoren zu veranschaulichen. Außerdem ist aus der JP 1-253657-A ein herkömmlicher kapazitiver Beschleunigungssensor bekannt. Ferner wird für die Diskussion von kapazitiven Beschleunigungssenso­ ren, die die vorliegende Erfindung zu verbessern ver­ sucht, auf eine Veröffentlichung Bezug genommen, die den Titel "Semiconductor Capacitance-Type Accelerometer with PWM Electrostatic Servo Technique" hat und in SAE Inter­ national Congress and Exposition, Detroit, Michigan, 25. Februar bis 1. März 1991, gedruckt als SAE Technical Paper Series 910274, veröffentlicht worden ist.
Fig. 2 zeigt schematisch ein Schaltbild eines herkömmli­ chen Beschleunigungssensors des Kapazitätstyps der obenbeschriebenen Art, während Fig. 3 schematisch eine herkömmliche Erfassungseinheit oder Meßeinheit für das in Fig. 2 gezeigte Sensorsystem zeigt. In Fig. 2 wird die Beschleunigung G mit einer Erfassungseinheit ("Meßeinheit") 1 erfaßt, wobei das Signal an eine elek­ tronische Schaltung 2 geliefert wird, die elektrostati­ sche Kapazitätsänderungen (ΔC) erfaßt, wobei das Aus­ gangssignal der Schaltung 2 in einer Halteschaltung 3 und einer Einstellschaltung 4 weiter verarbeitet wird, um am Anschluß 13 eine Ausgangsspannung V₀ zu erhalten, die zur Beschleunigung G direkt proportional ist.
Die Meßeinheit 1 besitzt eine bewegliche Elektrode 5, die als Gewicht dient, das zwischen die obere statische Elektrode 6 und die untere statische Elektrode 7 einge­ fügt ist, wobei die bewegliche Elektrode 5 an einem biegsamen Träger zwischen den statischen Elektroden 6 und 7 unterstützt ist.
Da die statischen Elektroden 6 und 7 und die bewegliche Elektrode 5 in einer im wesentlichen ebenen Beziehung einander zugewandt sind, sind zwischen ihnen elektrosta­ tische Kapazitäten C₁ und C₂ vorhanden, deren Werte an einen der Anschlüsse des Operationsverstärkers 10 der ΔC-Detektoreinheit 2 geliefert werden.
Wenn auf die Meßeinheit 1 eine Beschleunigung G wirkt, wird die bewegliche Elektrode 5 wegen der Beschleunigung (nach oben oder nach unten in Fig. 2) durch die Trägheit bewegt. Daher ändern sich die Abstände zwischen der beweglichen Elektrode 5 und den Elektroden 6 bzw. 7, so daß sich auch die elektrostatischen Kapazitäten C₁, C₂ ändern. Die ΔC-Detektoreinheit 2 arbeitet in der Weise, daß sie unter Verwendung der beiden Generatoren 8, 9, eines Kondensators 11 für die Ladungsintegration und eines Schalters 12 für die Entladung die Differenzen C₁-C₂ (ΔC) erfaßt. Das Ausgangssignal des Verstärkers 10 stellt eine zu ΔC direkt proportionale Spannung dar. Da die Spannung aufgrund der obenbeschriebenen Erfassungs­ operation zeitlich nicht immer konstant ist, ist die Halteschaltung 3 vorgesehen, welche die Spannung modu­ liert und eine analoge Spannung V₀ erzeugt, die zur Beschleunigung G direkt proportional ist. Da die vorlie­ gende Erfindung nicht direkt auf die Einzelheiten der Funktion dieser Schaltung gerichtet ist, werden im folgenden Einzelheiten der Funktion der ΔC-Detektorein­ heit 2 nicht beschrieben, statt dessen wird auf die obenerwähnten Veröffentlichungen des Standes der Technik sowie auf weitere Offenbarungen verwiesen, die für den Fachmann ohne weiteres zugänglich sind.
In Fig. 3 ist eine herkömmliche Struktur einer herkömmli­ chen Meßeinheit 1 für die Verwendung in dem System von Fig. 2 gezeigt, wobei die Meßeinheit 1 von Fig. 3 der Ausführungsform ähnlich ist, die in Fig. 25 des obener­ wähnten Patents US 5,095,572 gezeigt ist. In Fig. 3 enthält eine bewegliche Elektrode ein Gewicht 5, das als bewegliche Elektrode für die Kapazitätserfassung dient. Das Gewicht 5 ist durch einen einteilig ausgebildeten Arm 14 und einen Gewichtsträger 20 unterstützt (der Gewichts­ trägerabschnitt 21 ist ebenfalls Teil des Gewichtsträ­ gers, der mit dem Gewichtsträger 20 vor und hinter der Zeichenebene von Fig. 3 verbunden ist). Der Gewichtsträ­ ger 20, 21 ist an Unterstützungselementen von Glasplatten 22, 23 befestigt, die oberhalb und unterhalb des Trägers angeordnet sind, wie in Fig. 3 gezeigt ist.
Auf der der beweglichen Elektrode 5 zugewandten Seite der Glasplatte 22 ist eine statische Elektrode 6 angeordnet und über eine Durchgangsbohrung 15, die durch Bohren eines Lochs durch die Glasplatte 22 gebildet wird, mit einer äußeren Elektrode 16 verbunden. Die Struktur der Glasplatte 23 an der Unterseite ist ähnlich derjenigen der Glasplatte 22, wobei an der der beweglichen Elektrode 5 zugewandten Seite der Glasplatte 23 eine statische Elektrode 7 angeordnet ist, die über eine Durchgangsboh­ rung 17, die durch Bohren eines Lochs in die Glasplatte 23 ausgebildet wird, mit einer äußeren Elektrode 19 verbunden ist.
Bei dem obenbeschriebenen herkömmlichen kapazitiven Beschleunigungssensor besteht das Problem, daß bei der genauen Ausbildung der Durchgangsbohrungen in den Glas­ platten für die Herausführung der statischen Elektroden sowie bei der Befestigung der Leitungsdrähte technische Schwierigkeiten auftreten. Diese Schwierigkeiten haben bei der Herstellung von Sensoren dieses Typs erhebliche Probleme geschaffen.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen kapazitiven Beschleunigungssensor der obenbeschrie­ benen allgemeinen Art zu schaffen, bei dem jedoch die Verbindung der Leitungsdrähte mit den statischen Elektro­ den in hohem Maß vereinfacht ist.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen kapazitiven Beschleunigungssensor der obenbeschrie­ benen Art zu schaffen, bei dem die Detektorschaltung und die bewegliche Elektrode als einzige Einheit ausgebildet sind.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, neue und verbesserte Verfahren zum Herstellen von kapazi­ tiven Beschleunigungssensoren zu schaffen.
Diese Aufgaben werden erfindungsgemäß gelöst durch einen kapazitiven Beschleunigungssensor sowie durch Verfahren zu dessen Herstellung, wie sie in den entsprechenden unabhängigen Ansprüchen beansprucht sind.
Der erfindungsgemäße kapazitive Beschleunigungssensor umfaßt eine bewegliche Elektrode, die aufgrund einer Beschleunigung beweglich ist, eine erste statische Elektrode, die der beweglichen Elektrode zugewandt ist, sowie ein erstes Festkörperdielektrikum, das zwischen der beweglichen Elektrode und der ersten statischen Elektrode angeordnet ist. In diesem Sensoraufbau dient das Festkör­ perdielektrikum dazu, die statische Elektrode zu positio­ nieren und zu unterstützen, ohne daß wie im Falle der obenbeschriebenen Anordnungen des Standes der Technik durch das Festkörperdielektrikum ein Loch gebohrt werden muß.
In bevorzugten Ausführungsformen ist die bewegliche Elektrode auf einem Siliciumplattenelement ausgebildet, das zwischen Platten oder Folien unterstützt ist, die ein erstes und ein zweites Festkörperdielektrikum bilden, die außerdem auf ihren von der beweglichen Elektrode abge­ wandten Seiten jeweils eine statische Elektrode tragen.
Auf diese Weise wird das als bewegliche Elektrode dienen­ de Siliciumplattenelement zuverlässig an seiner Position zwischen den Festkörperdielektrika gehalten, ferner werden die statischen Elektroden zuverlässig mit den Festkörperdielektrika verbunden.
In besonders bevorzugten Ausführungsformen umfaßt der kapazitive Beschleunigungssensor für die Lösung der obigen Aufgabe der Erzielung eines einfacheren Aufbaus mittels einer Einheit aus dem beweglichen Plattenelement und der Detektorschaltung ein einziges monokristallines Plattenelement mit einem beweglichen Ausleger-Plattenab­ schnitt, der eine bewegliche Elektrode bildet, die aufgrund einer Beschleunigung beweglich ist, eine erste statische Elektrode, die der beweglichen Elektrode zugewandt ist, sowie in dem einzigen Plattenelement eine integrierte Schaltung, die aufgrund von Kapazitätsände­ rungen zwischen dem beweglichen Ausleger-Plattenabschnitt und der ersten statischen Elektrode analoge Signale erzeugt, die die Beschleunigungskräfte wiedergeben.
Die bevorzugten Verfahren zum Herstellen des kapazitiven Beschleunigungssensors verwenden eine einzige Konfigura­ tion, bei der die statischen Elektroden an von der beweglichen Elektrode abgewandten Seiten der dielektri­ schen Unterstützungselemente angebracht sind. Außerdem verwenden die bevorzugten Verfahren einteilige, monokri­ stalline Plattenelemente, die die bewegliche Elektrode bilden und die integrierte Schaltung für die Verarbeitung von Kapazitätsänderungen enthalten, welche von der durch die Beschleunigung induzierten Bewegung der beweglichen Elektrode verursacht werden, um Ausgangssignale zu erzeugen, die der Beschleunigung eines den Sensor tragen­ den Fahrzeugs entsprechen.
Die abhängigen Ansprüche sind auf bevorzugte Ausführungs­ formen der vorliegenden Erfindung gerichtet.
Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden deutlich beim Lesen der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen, die auf die beigefügten Zeichnungen Bezug nimmt; es zeigen
Fig. 1 eine Schnittansicht einer Beschleunigungssensor- Meßeinheit gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 die bereits erwähnte Darstellung eines herkömmli­ chen kapazitiven Beschleunigungssensorsystems;
Fig. 3 die bereits erwähnte Schnittansicht, die die Meßeinheit des herkömmlichen Sensors von Fig. 2 veranschaulicht;
Fig. 4 ein elektrisches Ersatzschaltbild der Meßeinheit von Fig. 1;
Fig. 5 eine Schnittansicht einer Beschleunigungssensor- Meßeinheit gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 eine Schnittansicht einer Beschleunigungssensor- Meßeinheit gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 eine Schnittansicht einer Beschleunigungssensor- Meßeinheit gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 8 eine Ansicht einer Beschleunigungssensor-Meßein­ heit gemäß einer fünften Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung; und
Fig. 9 eine Ansicht einer Beschleunigungssensor-Meßein­ heit gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Nun wird mit Bezug auf Fig. 1 eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. In Fig. 1 besit­ zen die Elemente mit den gleichen Konstruktionen wie die herkömmlichen Elemente in den Fig. 2 und 3 die gleichen Bezugszeichen. Obwohl die Einheit der beweglichen Elek­ trode in Fig. 1 eine bewegliche Elektrode 5, einen Ausleger 14, einen Gewichtsträgerabschnitt 20 und einen Gewichtsträgerabschnitt 21 enthält, sind die statischen Elektroden nur aus den mit dem Bezugszeichen 24 und 25 bezeichneten Elementen ohne die in Fig. 3 mit dem Bezugs­ zeichen 6, 7, 15 und 16 bezeichneten Elemente aufgebaut. Bei dieser Konstruktion kann die herkömmliche Erfassung der elektrostatischen Kapazität ausgeführt werden, so daß die Veränderung der elektrostatischen Kapazität zwischen dem Gewicht 5 des beweglichen Elektrodenabschnitts und der statischen Elektrode 24 (oder 25) sicher erfaßt werden kann.
Fig. 1A ist eine Draufsicht, die die Doppelanordnung der die bewegliche Elektrode 5 tragenden Ausleger 14 veran­ schaulicht. Die bewegliche Elektrode 5, die Ausleger 14 sowie die Gewichtsträgerabschnitte 20 und 21 sind sämt­ lich aus einer einzigen Siliciumplatte gebildet. Die Länge der Ausleger 14 ist in bezug auf die Länge der beweglichen Elektrode so bemessen, daß sich die bewegli­ che Elektrode 5 in bezug auf die statischen Elektroden 24 und 25 im wesentlichen in einer ebenen räumlichen Bezie­ hung bewegt. In bestimmten bevorzugten Ausführungsformen beträgt die effektive Armlänge des Auslegers 14 ungefähr 2000 µm (Mikrometer), wobei der Spalt zwischen der beweglichen Elektrode 5 und den dielektrischen Träger­ platten 22 oder 23 ungefähr 4 µm beträgt und die Dicke der dielektrischen Platten 22 und 23 ungefähr 400 µm beträgt.
In besonders bevorzugten Ausführungsformen sind die dielektrischen Platten 22 und 23 aus einem der folgenden Materialien hergestellt: Glas, Siliciumdioxid und Silici­ umnitrid. Für bestimmte Anwendungen wird Siliciumoxid und Siliciumnitrid vorgezogen, da das im Glas enthaltene Natrium gewisse Funktionsverschlechterungen verursachen kann. In bevorzugten Ausführungsformen sind die Elektro­ den 24 und 25 aus Aluminiumblechen hergestellt, die an die dielektrischen Platten angeklebt sind.
Durch Anordnen der dielektrischen Platten 22 und 23 zwischen der beweglichen Elektrode und den statischen Elektroden 24, 25 wird die Empfindlichkeit der Kapazi­ täts-Meßeinheit im Vergleich zu der oben mit Bezug auf Fig. 2 beschriebenen herkömmlichen Anordnung wesentlich reduziert. Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben jedoch entdeckt, daß trotz dieser wesentlichen Reduzie­ rung des Kapazitätserfassungswirkungsgrades wegen der weiter entfernten Anordnung der festen Elektroden die Anordnung der vorliegenden Erfindung mit dem zwischen der beweglichen Elektrode und den festen Elektroden befindli­ chen dielektrischen Material die Herstellungstechniken insbesondere im Hinblick auf die Zuverlässigkeit und die Einfachheit der Verbindung der festen Elektroden mit dem übrigen Schaltungssystem wesentlich verbessert, wobei dennoch eine ausreichende Erfassung der Kapazitätsände­ rung gewährleistet ist, um einen wesentlich verbesserten Beschleunigungssensor zu schaffen.
Das in Fig. 1 gezeigte Ersatzschaltbild für die elektro­ statische Kapazität kann wie in Fig. 4 gezeigt veran­ schaulicht werden. Das Symbol d₁ bezeichnet die Dicke der Glasplatte, das Symbol d₀ bezeichnet den anfänglichen Spaltabstand zwischen dem Gewicht 5 und der Glasplatte 22 (23), wobei das Symbol x die Veränderung des Spaltabstan­ des aufgrund einer einwirkenden Beschleunigung bezeich­ net, das Symbol ε₀ bezeichnet die Dielektrizitätskon­ stante des Vakuums, schließlich bezeichnet das Symbol ε₁ die Dielektrizitätskonstante des Glases. Bei Verwendung dieser Werte kann die elektrostatische Kapazität C₁ zwischen der äquivalenten äußeren Elektrode 24A und dem Gewicht 5 folgendermaßen ausgedrückt werden:
Das Symbol S bezeichnet die effektive Fläche der elektro­ statischen Kapazität in dem als bewegliche Elektrode dienenden Gewichtsabschnitt gegenüber der Elektrode 24. Aus der obigen Gleichung ist verständlich, daß sich bei einer Veränderung x der Spaltbreite bei Einwirkung der Beschleunigung die elektrostatische Kapazität C₁ verän­ dert, so daß die Beschleunigung durch Messen der Größe von C₁ erhalten werden kann.
An der unteren Elektrode tritt ein ähnliches Phänomen auf (wobei die Spaltänderung in entgegengesetzter Richtung erfolgt), so daß die Kapazität C₂ folgendermaßen ausge­ drückt werden kann:
Fig. 5 zeigt eine zweite Ausführungsform des erfindungs­ gemäßen Beschleunigungssensors. In diesem Fall sind in Verbindung mit dem Gewichtsabschnitt 5 zusätzliche elektrisch leitende Abschnitte 26, 27 vorgesehen. Dadurch wird der die elektrostatischen Kapazitäten C₁ und C₂ bestimmende dielektrische Fluß auf die statischen Elek­ troden 24 und 25 fokussiert. Mit anderen Worten, die Elemente 26 und 27 haben die Funktion einer den dielek­ trischen Fluß fokussierenden Elektrode. Daher kann die Erfassungsgenauigkeit verbessert werden. Im übrigen ist die in Fig. 5 gezeigte Ausführungsform der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform ähnlich, indem etwa die festen Elektroden 24 und 25 von dielektrischen Platten 22 bzw. 23 getragen werden.
Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungs­ gemäßen Beschleunigungssensors. In dieser Ausführungsform ist ein Teil 28 (29) der statischen Elektrode 24 (25) so konstruiert, daß dessen zur Seite des Glases und damit zur beweglichen Elektrode 5 vorstehende Dicke unter­ schiedlich ist. Da in diesem Fall der Abstand zwischen den Elektroden verkürzt ist, wird die elektrostatische Kapazität C₁ (C₂) durch das Glas kaum beeinflußt, so daß die Genauigkeit verbessert werden kann. Da ferner die Bearbeitung der Glasplatte verhältnismäßig einfach ist, können die Herstellungskosten des Sensors gesenkt werden.
Fig. 7 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungs­ gemäßen Beschleunigungssensors. In der Figur sind das Verfahren, mit dem die Drähte von den drei Elektroden (einer beweglichen Elektrode und zwei statischen Elektro­ den) herausgeführt werden, sowie das Verfahren für die elektrische Verbindung der Struktur veranschaulicht. Der Draht für die obere statische Elektrode wird aus dem Abschnitt 24 herausgeführt, während das elektrisch leitende Element 32 an der Bodenfläche der unteren statischen Elektrode 25 befestigt ist (die Herstellung des elektrisch leitenden Elements ist ähnlich einfach wie die Herstellung eines elektrisch leitenden Elements auf einem für Hybrid-IC′s oder dergleichen verwendeten Keramiksubstrat), wobei der Draht vom Abschnitt 32A herausgeführt wird. Ferner ist in der Glasplatte 22 für den statischen Abschnitt 21 der beweglichen Elektrode ein Einkerbungsabschnitt 30 ausgebildet, wobei durch den Einkerbungsabschnitt ein leitendes Element 31 geführt ist, das als Elektrode verwendet wird. Diese Ausführungs­ form hat den Vorteil, daß sie leicht an eine Schaltung angeschlossen werden kann.
Fig. 8 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungs­ gemäßen Beschleunigungssensors. In dieser Ausführungsform sind in einem Abschirmungsgehäuse 33 eine Meßeinheit 1 sowie ein einen ΔC-Detektor enthaltender IC-Chip 2, eine Halteschaltung, eine Einstellschaltung usw. dicht einge­ schlossen enthalten, wobei über einen Anschluß 34 ein Ausgangssignal, das das Ausgangssignal V₀ repräsentiert, ausgegeben wird. Die Meßeinheit 1 besitzt eine Drei­ schichtstruktur, wovon jede Schicht über einen Leitungs­ draht mit Schaltungsanschlußflächen des Chips 2 verbunden ist. Da in der Ausführungsform die Meßeinheit und der IC von einer metallischen Abschirmung umgeben sind, wird der Sensor von elektromagnetischen Störungen von außerhalb des Gehäuses kaum beeinflußt.
In Fig. 9 ist eine weitere Ausführungsform des erfin­ dungsgemäßen Beschleunigungssensors gezeigt. In dieser Ausführungsform sind eine Meßeinheit und ein IC auf einem einzigen Siliciumsubstrat 40 ausgebildet. Die Schaltung 41 ist auf dem Substrat 40 ausgebildet und integriert. Die Herstellung kann mit einem für IC′s üblichen Halblei­ terherstellungsprozeß erfolgen. Die statischen Elektroden 23, 24 sind mit dem IC 41 über Leitungsdrähte 42, 25A verbunden.
Da in der in Fig. 9 gezeigten Ausführungsform die Länge der Leitungsdrähte für den Anschluß im Vergleich zu den obenbeschriebenen Ausführungsformen verkürzt werden kann, kann die Genauigkeit bei der Erfassung der Kapazität verbessert werden. Da ferner der IC und die statischen Elektroden 23, 24 nahe beieinander angeordnet sind, kann die Streukapazität zwischen den beiden Elektroden abge­ senkt werden, so daß der Sensor durch äußere Einflüsse wie etwa Temperatur und Feuchtigkeit, elektromagnetische Störung, Wirkung äußerer Anlagen usw., kaum beeinflußt wird. Da insbesondere die Leitungsdrähte 42, 25A verkürzt sind und die Oberfläche der statischen Elektrode eine wirksame Abschirmungsfunktion gegenüber elektromagneti­ scher Strahlung besitzt, kann die Einheit vor elektroma­ gnetischen Störungen und vor Induktion gut geschützt werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es einfach, die Drähte von den statischen Elektroden herauszuführen, so daß die Zuverlässigkeit des Sensors erhöht und der Herstellungsprozeß vereinfacht werden können.
Obwohl die vorliegende Erfindung im einzelnen beschrieben und erläutert worden ist, dient diese Beschreibung lediglich der Veranschaulichung und als Beispiel und in keiner Weise als Beschränkung. Der Geist und der Umfang der vorliegenden Erfindung sind lediglich durch die beigefügten Ansprüche begrenzt.

Claims (27)

1. Kapazitiver Beschleunigungssensor,
gekennzeichnet durch
eine bewegliche Elektrode (5), die aufgrund einer Beschleunigung beweglich ist,
eine erste statische Elektrode, (24; 25), die der beweglichen Elektrode (5) zugewandt ist, und
ein erstes Festkörperdielektrikum (22; 23), das zwischen der beweglichen Elektrode (5) und der ersten statischen Elektrode (24; 25) angeordnet ist.
2. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die bewegliche Elektrode (5) auf einem monokri­ stallinen Plattenelement (20; 21) ausgebildet ist.
3. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das monokristalline Plattenelement (20; 21) ein Siliciumplattenelement ist.
4. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Festkörperdielektrikum (22; 23) eine Glasplatte ist.
5. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Festkörperdielektrikum (22; 23) eine aus Siliciumdioxid hergestellte Platte ist.
6. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
eine zweite statische Elektrode (25; 24) vorgese­ hen ist, die von der ersten statischen Elektrode (24; 25) beabstandet ist,
die bewegliche Elektrode (5) ein Auslegerelement (14) ist, das zwischen der ersten und der zweiten stati­ schen Elektrode (24, 25) angeordnet und diesen zugewandt ist, und
zwischen der beweglichen Elektrode (5) und der zweiten statischen Elektrode (25; 24) ein zweites Fest­ körperdielektrikum (23; 22) angeordnet ist.
7. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die bewegliche Elektrode (5) auf einem monokri­ stallinen Plattenelement ausgebildet ist.
8. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das monokristalline Plattenelement ein Silicium­ plattenelement ist.
9. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Festkörperdielektrikum (22; 23) eine Glasplatte ist.
10. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Festkörperdielektrikum (22; 23) eine aus Siliciumdioxid hergestellte Platte ist.
11. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das monokristalline Plattenelement ein Paar von elastisch biegsamen Auslegerarmen (14) enthält, die die bewegliche Elektrode (5) mit verhältnismäßig starren Trägerabschnitten (20, 21) des monokristallinen Platten­ elements verbinden.
12. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das monokristalline Plattenelement ein Paar von elastisch biegsamen Auslegerarmen (14) enthält, die die bewegliche Elektrode (5) mit verhältnismäßig starren Trägerabschnitten (20, 21) des monokristallinen Platten­ elements verbinden.
13. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Festkörperdielektrika (22, 23) Plattenelemente sind, die sich mit den dazwischen befindlichen Plattenelement-Trägerabschnitten (20, 21) in einer Stoßverbindung befinden.
14. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten statischen Elektroden (24, 25) Metallelektroden sind, die auf den entsprechenden Festkörperdielektrika (22, 23) unterstützt sind.
15. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
auf einer der ersten statischen Elektrode (24; 25) gegenüberliegenden Seite des ersten Festkörperdielek­ trikums (22; 23) eine elektrisch leitende Schicht (26) vorgesehen ist, und
die leitende Schicht (26) der beweglichen Elek­ trode (5) zugewandt ist und dazu dient, die Kapazitätsän­ derungssignale des Sensors zu verbessern.
16. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf den der ersten statischen Elektrode (24) bzw. der zweiten statischen Elektrode (25) gegenüberliegenden Seiten des ersten bzw. des zweiten Festkörperdielektri­ kums (22, 23) jeweils elektrisch leitende Schichten (26) vorgesehen sind, die dazu dienen, die Kapazitätsände­ rungssignale des Sensors zu verbessern.
17. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten statischen Elektrode (24) bzw. der zweiten statischen Elektrode (25) gegenüberliegenden Seiten des ersten bzw. des zweiten Festkörperdielektri­ kums (22, 23) jeweils elektrisch leitende Schichten (26) vorgesehen sind, die dazu dienen, die Kapazitätsände­ rungssignale des Sensors zu verbessern.
18. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und das zweite Festkörperdielektrikum (22, 23) mit dicken Trägerabschnitten ausgebildet sind, die über einen der beweglichen Elektrode (5) zugewandten dünneren Abschnitt verbunden sind.
19. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die bewegliche Elektrode (5) auf einem monokri­ stallinen Plattenelement ausgebildet ist, das eine integrierte Schaltung (41) enthält, die elektrische Ausgangssignale erzeugt, die eine beschleunigungsindu­ zierte Bewegung der beweglichen Elektrode (5) repräsen­ tieren.
20. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die bewegliche Elektrode (5) auf einem monokri­ stallinen Plattenelement ausgebildet ist, das eine integrierte Schaltung (41) enthält, die elektrische Ausgangssignale erzeugt, die eine beschleunigungsindu­ zierte Bewegung der beweglichen Elektrode (5) repräsen­ tieren.
21. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die bewegliche Elektrode (5) durch Atzen der monokristallinen Platte von deren zwei Seiten ausgebildet wird.
22. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das monokristalline Plattenelement ein Silicium­ plattenelement ist.
23. Kapazitiver Beschleunigungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
eine zweite statische Elektrode (25; 24) vorgese­ hen ist, die von der ersten statischen Elektrode (24; 25) beabstandet ist,
die bewegliche Elektrode (5) ein Auslegerelement (14) ist, das zwischen der ersten und der zweiten stati­ schen Elektrode (24, 25) angeordnet und diesen zugewandt ist, und
ein zweites Festkörperdielektrikum (23, 22) zwischen der beweglichen Elektrode (5) und der zweiten statischen Elektrode (25; 24) angeordnet ist.
24. Kapazitiver Beschleunigungssensor, gekennzeichnet durch
ein monokristallines Plattenelement mit einem beweglichen Plattenabschnitt (14), der eine bewegliche Elektrode (5) bildet, die aufgrund einer Beschleunigung beweglich ist,
eine erste statische Elektrode (24; 25), die der beweglichen Elektrode (5) zugewandt ist, und
eine integrierte Schaltung (41) im monokristalli­ nen Plattenelement, die aufgrund von Kapazitätänderungen zwischen dem beweglichen Ausleger-Plattenabschnitt (14) und der ersten statischen Elektrode (24; 25) analoge Signale erzeugt, die die Beschleunigungskräfte repräsen­ tieren.
25. Verfahren zum Herstellen eines kapazitiven Beschleunigungssensors, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Ätzen einer Siliciumplatte, um eine von einem Ausleger (14) unterstützte bewegliche Elektrode (5) auszubilden, die mit starren Trägerabschnitten der Siliciumplatte verbunden ist,
Befestigen einer ersten Platte eines Festkörper­ dielektrikums (22; 23) auf einer Seite der starren Trägerabschnitte (20, 21) der Siliciumplatte,
Befestigen einer ersten statischen Elektrode (24; 25) an der ersten dielektrischen Platte an einer der beweglichen Elektrode (5) gegenüberliegenden Seite der ersten dielektrischen Platte (22; 23) und
Befestigen einer elektrischen Leitung an der ersten statischen Elektrode (24; 25).
26. Verfahren nach Anspruch 25, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Befestigen eines Plattenelements eines Festkör­ perdielektrikums (23; 22) an einer Seite der Silicium­ platte, die der einen Seite gegenüberliegt,
Befestigen einer zweiten statischen Elektrode (25; 24) am zweiten Plattenelement eines Festkörperdi­ elektrikums (23; 22) an einer Seite des zweiten Platten­ elements eines Festkörperdielektrikums, die der bewegli­ chen Elektrode (5) zugewandt ist und
Befestigen einer zweiten elektrischen Leitung an der zweiten statischen Elektrode (25; 24).
27. Verfahren zum Herstellen eines kapazitiven Beschleunigungssensors, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Ätzen einer Siliciumplatte, um eine mittels eines Auslegers (14) unterstützte bewegliche Elektrode (5) zu bilden, die mit starren Trägerabschnitten (20, 21) der Siliciumplatte verbunden ist,
Anordnen einer ersten festen Elektrode (24; 25) in der Weise, daß sie der beweglichen Elektrode (5) zugewandt ist, und
Ausbilden einer integrierten Schaltung (41) auf der Siliciumplatte, die elektrische Ausgangssignale erzeugt, die Kapazitätsänderungen repräsentieren, welche durch eine relative Bewegung der beweglichen Elektrode (5) zur ersten festen Elektrode (24; 25) verursacht werden.
DE4446890A 1993-12-27 1994-12-27 Kapazitiver Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung Withdrawn DE4446890A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5331003A JPH07191055A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 静電容量式加速度センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4446890A1 true DE4446890A1 (de) 1995-06-29

Family

ID=18238746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4446890A Withdrawn DE4446890A1 (de) 1993-12-27 1994-12-27 Kapazitiver Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5616844A (de)
JP (1) JPH07191055A (de)
DE (1) DE4446890A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19541388A1 (de) * 1995-11-07 1997-05-15 Telefunken Microelectron Mikromechanischer Beschleunigungssensor
WO1998011442A1 (de) * 1996-09-12 1998-03-19 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Anordnung zur beschleunigungsmessung
WO2001004595A1 (de) * 1999-07-08 2001-01-18 Eads Deutschland Gmbh Mikromechanisches bauelement mit kontaktdurchführungen, sowie verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements
EP2919019A1 (de) * 2014-03-14 2015-09-16 Robert Bosch Gmbh Inertialsensor und herstellungsverfahren zum herstellen eines inertialsensors

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5911738A (en) * 1997-07-31 1999-06-15 Medtronic, Inc. High output sensor and accelerometer implantable medical device
JP3567052B2 (ja) * 1996-09-02 2004-09-15 三菱電機株式会社 半導体のマイクロマシニング方法
US5917264A (en) * 1996-09-05 1999-06-29 Nagano Keiki Co Ltd Electrostatic capacitance type transducer and method for producing the same
JPH1090299A (ja) * 1996-09-12 1998-04-10 Mitsubishi Electric Corp 静電容量式加速度センサ
US6146917A (en) * 1997-03-03 2000-11-14 Ford Motor Company Fabrication method for encapsulated micromachined structures
US6167757B1 (en) 1997-09-08 2001-01-02 The Regents Of The University Of Michigan Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same
US6718605B2 (en) 1997-09-08 2004-04-13 The Regents Of The University Of Michigan Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same
US6035714A (en) * 1997-09-08 2000-03-14 The Regents Of The University Of Michigan Microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same
TW425478B (en) * 1997-09-26 2001-03-11 Hokuriku Elect Ind Acceleration sensor and 3-axis acceleration sensor
JPH11258265A (ja) * 1998-03-16 1999-09-24 Akebono Brake Ind Co Ltd 半導体加速度センサ及びその製造方法
US6196067B1 (en) * 1998-05-05 2001-03-06 California Institute Of Technology Silicon micromachined accelerometer/seismometer and method of making the same
CA2254538C (en) 1998-11-26 2006-02-07 Canpolar East Inc. Collision deformation sensor for use in the crush zone of a vehicle
CA2254535C (en) 1998-11-26 2003-10-28 Canpolar East Inc. Sensor for detection of acceleration and attitude within a vehicle
US6871544B1 (en) * 1999-03-17 2005-03-29 Input/Output, Inc. Sensor design and process
AT3609U1 (de) * 1999-06-02 2000-05-25 Austria Mikrosysteme Int Mikrosensor
JP3932302B2 (ja) * 2000-12-27 2007-06-20 独立行政法人産業技術総合研究所 圧力センサ
AUPR245301A0 (en) * 2001-01-10 2001-02-01 Silverbrook Research Pty Ltd An apparatus (WSM06)
WO2002073673A1 (en) * 2001-03-13 2002-09-19 Rochester Institute Of Technology A micro-electro-mechanical switch and a method of using and making thereof
AU2002303933A1 (en) * 2001-05-31 2002-12-09 Rochester Institute Of Technology Fluidic valves, agitators, and pumps and methods thereof
US7211923B2 (en) * 2001-10-26 2007-05-01 Nth Tech Corporation Rotational motion based, electrostatic power source and methods thereof
US7378775B2 (en) * 2001-10-26 2008-05-27 Nth Tech Corporation Motion based, electrostatic power source and methods thereof
US6854330B2 (en) * 2001-10-26 2005-02-15 Nth Tech Corporation Accelerometer and methods thereof
US6829937B2 (en) * 2002-06-17 2004-12-14 Vti Holding Oy Monolithic silicon acceleration sensor
US6862795B2 (en) * 2002-06-17 2005-03-08 Vty Holding Oy Method of manufacturing of a monolithic silicon acceleration sensor
US7217582B2 (en) * 2003-08-29 2007-05-15 Rochester Institute Of Technology Method for non-damaging charge injection and a system thereof
US7287328B2 (en) * 2003-08-29 2007-10-30 Rochester Institute Of Technology Methods for distributed electrode injection
DE102005003548A1 (de) * 2004-02-02 2006-02-09 Volkswagen Ag Bedienelement für ein Kraftfahrzeug
US8581308B2 (en) * 2004-02-19 2013-11-12 Rochester Institute Of Technology High temperature embedded charge devices and methods thereof
JP2007046927A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Wacoh Corp 加速度・角速度センサおよびその製造方法
US20070074731A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-05 Nth Tech Corporation Bio-implantable energy harvester systems and methods thereof
US7180019B1 (en) * 2006-06-26 2007-02-20 Temic Automotive Of North America, Inc. Capacitive accelerometer or acceleration switch
JP4954801B2 (ja) * 2007-06-11 2012-06-20 株式会社オーディオテクニカ 電気音響変換器
FR2924813B1 (fr) * 2007-12-11 2011-06-24 Memscap Accelerometre pendulaire et procede de fabrication de celui-ci
JP4743226B2 (ja) * 2008-05-09 2011-08-10 株式会社デンソー 半導体力学量センサ
US8322216B2 (en) * 2009-09-22 2012-12-04 Duli Yu Micromachined accelerometer with monolithic electrodes and method of making the same
US9502993B2 (en) * 2011-02-07 2016-11-22 Ion Geophysical Corporation Method and apparatus for sensing signals
CN102156203B (zh) 2011-03-15 2013-07-24 迈尔森电子（天津）有限公司 Mems惯性传感器及其形成方法
JP2013007653A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 外力検出装置及び外力検出センサー
DE102015212669B4 (de) * 2015-07-07 2018-05-03 Infineon Technologies Ag Kapazitive mikroelektromechanische Vorrichtung und Verfahren zum Ausbilden einer kapazitiven mikroelektromechanischen Vorrichtung
KR20170069806A (ko) * 2015-12-11 2017-06-21 현대자동차주식회사 멤스센서의 제조방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4783237A (en) * 1983-12-01 1988-11-08 Harry E. Aine Solid state transducer and method of making same
JPH0672899B2 (ja) * 1988-04-01 1994-09-14 株式会社日立製作所 加速度センサ
SU1620944A1 (ru) * 1988-10-03 1991-01-15 Предприятие П/Я А-1891 Электростатический акселерометр
US5095570A (en) * 1989-12-12 1992-03-17 Orthofeet Inc. Method for producing an insole
DE69116435T2 (de) * 1990-05-30 1996-08-14 Hitachi Automotive Eng Halbleiterbeschleunigungsmesser und Kraftfahrzeugsteuerungssystem mit einem solchen
JP3194594B2 (ja) * 1990-09-26 2001-07-30 株式会社日立製作所 構造体の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19541388A1 (de) * 1995-11-07 1997-05-15 Telefunken Microelectron Mikromechanischer Beschleunigungssensor
US5905203A (en) * 1995-11-07 1999-05-18 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Micromechanical acceleration sensor
WO1998011442A1 (de) * 1996-09-12 1998-03-19 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Anordnung zur beschleunigungsmessung
US6112594A (en) * 1996-09-12 2000-09-05 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Acceleration measurement device
WO2001004595A1 (de) * 1999-07-08 2001-01-18 Eads Deutschland Gmbh Mikromechanisches bauelement mit kontaktdurchführungen, sowie verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements
EP2919019A1 (de) * 2014-03-14 2015-09-16 Robert Bosch Gmbh Inertialsensor und herstellungsverfahren zum herstellen eines inertialsensors

Also Published As

Publication number Publication date
US5616844A (en) 1997-04-01
US5676851A (en) 1997-10-14
JPH07191055A (ja) 1995-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4446890A1 (de) Kapazitiver Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19906067B4 (de) Halbleitersensor für physikalische Größen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005043906B4 (de) Sensor vom kapazitiven Typ für eine physikalische Größe, der einen Sensorchip und einen Schaltkreischip aufweist
DE68902534T2 (de) Kapazitiver Beschleunigungsmesser und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE69206770T2 (de) Dreiachsiger Beschleunigungsmesser
EP0623824B1 (de) Mikromechanische Beschleunigungsmessvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE69505426T2 (de) Senkrecht montierbarer Beschleunigungsmesser-Chip
DE102005043645B4 (de) Halbleitersensor für eine physikalische Grösse und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE19810534C2 (de) Mehrachsenbeschleunigungssensor und Herstellungsverfahren eines Mehrachsenbeschleunigungssensor
DE69015766T2 (de) Kapazitiver Beschleunigungsmesser.
DE3741941C2 (de)
DE102006025373B4 (de) Elektrostatischer Kapazitätsbeschleunigungssensor
DE102012200929B4 (de) Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur
DE3223987A1 (de) Beschleunigungsmesser
DE10054964B4 (de) Beschleunigungssensor mit einem Beschleunigungsdetektorchip in dem Durchgangsloch eines Signalverarbeitungschips auf einem Montageträger
EP2106551B1 (de) Mehrachsiger mikromechanischer beschleunigungssensor
DE19526903A1 (de) Drehratensensor
DE3938624A1 (de) Resonanzbruecken-mikrobeschleunigungs-messfuehler
DE19734530A1 (de) Halbleiterbeschleunigungssensor
DE102004042761B4 (de) Sensoranordnung eines Kapazitätstyps für eine dynamische Grösse
DE102004043259B4 (de) Dynamischer Halbleitersensor mit variablem Kondensator auf laminiertem Substrat
DE102017219901B3 (de) Mikromechanischer z-Inertialsensor
DE102004014708B4 (de) Halbleitersensor für eine dynamische Grösse
DE19539178B4 (de) Halbleiterbeschleunigungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0710843B1 (de) Kapazitiver Beschleunigungssensor

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee