DE3628017A1 - Thermischer durchflusssensor - Google Patents

Thermischer durchflusssensor

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen thermischen Durchflußmesser gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen Durchflußmesser des Typs "hot film" mit einem Heizwiderstand und einem die Temperatur eines Fluides erfassenden Widerstand, wobei beide aus einem dünnen Film bestehen, der auf einem isolierenden Substrat aufgebracht ist.
Thermische Durchfluß-Sensoren oder Durchflußmesser, auch Strömungsmesser genannt, bei denen ein Hauptstromrohr und ein Bypaßrohr, durch welches ein Teil des Hauptstromes fließt, verwendet werden und an welches eine Heizeinrichtung angeschlossen ist, werden in großem Umfange verwendet. Derartige Durchflußmesser erfassen die Durchflußrate aus der Wärmeverteilung, die sich einstellt, wenn das Fluid durch das Beipaßrohr fließt, während dieses beheizt wird. Derartige Durchflußmesser haben eine ausgezeichnete Genauigkeit, so daß sie in großem Umfange für die Kontrolle oder Steuerung der Durchflußrate von Halbleitergasen etc. verwendet werden. Sie sind jedoch nicht geeignet für eine Miniaturisierung und/oder eine Massenproduktion. Darüber hinaus sind ihre Herstellkosten so groß, daß sie nur für begrenzte Anwendungsfälle eingesetzt werden.
Ein weiterer bekannter thermischer Durchflußsensor enthält einen Heizwiderstand (genannt: "heißer Draht") und einen die Fluidtemperatur messenden Meßwiderstand (genannt: "kalter Draht"), wobei die Durchflußmenge auf der Basis von Änderungen der Wärmemenge errechnet wird, die von dem Heizwiderstand auf das ihn umgebende Fluid übertragen wird. Berücksichtigt man die Temperatur des Fluides, die durch den die Temperatur des Fluides messenden Widerstandes ermittelt wird, so wird die Temperaturdifferenz zwischen dem Fluid und dem Heizwiderstand auf einem konstanten Wert gehalten, so daß eine Kompensation für Änderungen der Fluidtemperatur durchgeführt werden kann und unabhängig von der Wärmekapazität des Heizwiderstandes eine schnelle Meßantwort erhalten werden kann. Für den Heizwiderstand und den Fluidtemperatur-Meßwiderstand wird ein Draht aus Platin, Wolfram etc. verwendet. Allerdings ist der Widerstand des Drahtes klein und der Widerstandswert der Durchflußsensoren streut in weiten Bereichen, so daß die Heiztemperatur schlecht eingestellt werden kann und die Genauigkeit der Temperaturmessung ungenügend ist. Darüber hinaus ist bei Verwendung eines dünnen Drahtes die Herstellung schwierig, so daß eine Massenproduktion nicht möglich ist.
Weiterhin existiert ein Durchflußmesser des Typs "hot wire", bei dem ein dünner Metallfilm, der in einem Muster auf einem isolierenden Substrat angeordnet ist, anstelle des oben erwähnten Durchflußmessers des Typs "hot film" verwendet wird. Aufgrund der Anwendung eines dünnen, in einem Muster verteilten Metallfilmes kann der Durchflußmesser miniaturisiert werden. Da weiterhin eine gewisse Anzahl von Einheiten auf einem einzigen Substrat untergebracht werden kann, ist eine Massenproduktion möglich; auch treten geringere Streuungen auf. Daher wird dieser Typ von Durchflußmessern derzeit gründlich untersucht.
Weiterhin existiert auch noch ein Durchflußmesser mit einem Heiz-Diffusions-Widerstand (oder Transistor) und einem die Fluidtemperatur erfassenden Diffusions- Widerstand (oder Transistor), wobei beide auf einem Siliziumchip aufgebracht sind. Dieser Durchflußmesser wird unter Anwendung einer Silizium-Verarbeitungstechnik hergestellt, so daß eine Massenproduktion gut möglich ist. Allerdings variieren die Temperaturcharakteristiken der Sensoren, so daß es schwierig ist, eine hohe Heiztemperatur zu erreichen.
Der Durchflußsensor des Typs "hot film" enthält einen Heizwiderstand und einen Fluidtemperatur-Meßwiderstand ähnlich wie der Durchflußsensor des Typs "hot wire". Auch ist das Wirkungsprinzip des Durchflußmessers des Typs "hot film" gleich dem des Durchflußmessers des Typs "hot wire", was durch folgende Gleichung (1) dargestellt werden kann:
wobei I der durch den Heizwiderstand fließende Strom, Rh der Widerstand des Heizwiderstandes, Th die Temperatur des Heizwiderstandes, Ta die Fluidtemperatur (d. h. die Temperatur des Fluidtemperatur-Meßwiderstandes), U die Durchflußrate des Fluides und A bzw. B Konstanten sind.
Zunächst wird dem Heizwiderstand ein elektrischer Strom zugeführt, so daß in ihm Wärme erzeugt wird. Wenn die Durchflußrate des zu messenden Fluides hoch ist, so wird eine große Wärmemenge von dem Heizwiderstand an das Fluid übertragen. Ist umgekehrt die Durchflußrate des Fluides klein, so wird dagegen nur eine geringe Wärme von dem Heizwiderstand zu dem Fluid übertragen. Folglich kann die Durchflußrate des Fluides dadurch bestimmt werden, daß man Änderungen der von dem Heizwiderstand an das Fluid übertragenen Wärmemenge in folgender Weise mißt: der an den Heizwiderstand angelegte elektrische Strom wird auf einem festen Wert gehalten und die Temperaturen des Heizwiderstandes und des Fluides werden gemessen, während das Fluid fließt. Alternativ hierzu kann die Temperaturdifferenz zwischen dem Fluid und dem Heizwiderstand auf einem festen Wert gehalten werden, indem der an den Heizwiderstand angelegte elektrische Strom geregelt wird. Aus den Änderungen des elektrischen Stromes kann dann die Durchflußrate des Fluides errechnet werden. Üblicherweise wird aus Gründen einer schnellen Meßantwort die letzt genannte Methode angewandt, bei der die Temperaturdifferenz zwischen dem Fluid und dem Heizwiderstand auf einem festen Wert gehalten wird.
Unabhängig davon, welche der beiden beschriebenen Methoden man verwendet, müssen die Temperatur Ta des Fluides und die Temperatur Th des Heizwiderstandes kontinuierlich gemessen werden. Zu diesem Zwecke benötigt man also einen Fluidtemperatur-Meßwiderstand, der die Temperatur des Fluides mißt zusätzlich zur Temperatur des Heizwiderstandes. Um sowohl die Temperatur des Fluides als auch die des Heizwiderstandes mit hoher Genauigkeit messen zu können, müssen der Heizwiderstand und der die Temperatur des Fluides messende Widerstand thermisch voneinander isoliert sein. Herkömmliche thermische Durchflußmesser mußten daher eine solche Struktur haben, daß der Heizwiderstand und der die Fluidtemperatur messende Widerstand auf separaten Platten angeordnet waren, was den Nachteil hat, daß die herkömmlichen Durchflußmesser relativ groß bzw. sperrig waren und für eine Massenproduktion nicht geeignet waren.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, den thermischen Durchflußmesser der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, daß er bei kleiner Bauweise genaue Meßergebnisse liefert und zwar in kurzer Meßzeit. Weiterhin soll er in Massenproduktion herstellbar sein.
Diese Aufgabe wird bei einem Durchflußmesser der gattungsbildenden Art durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Merkmale gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Der thermische Durchflußmesser nach der Erfindung, der die obige Aufgabe löst sowie zahlreiche weitere Nachteile des Standes der Technik vermeidet, enthält ein ätzbares Substrat, einen auf dem Substrat aufgebrachten elektrisch isolierenden Film, dessen Ätzcharakteristik von der des Substrates verschieden ist, einen auf dem isolierenden Film aufgebrachten Heizwiderstand und einen Fluidtemperatur-Meßwiderstand, der auf dem isolierenden Film in einem vorgegebenen Abstand von dem Heizwiderstand angeordnet ist, wobei der Abschnitt des Substrates, der mindestens einem von beiden Widerständen, d. h. dem Heizwiderstand und dem Fluidtemperatur- Meßwiderstand zugeordnet ist und die Umgebung dieses Bereiches weggeätzt ist.
Im einem bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht das Substrat aus Silizium.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht der isolierende Film aus einem einschichtigen Film oder einem mehrschichtigen Film, der zumindest aus einem der nachfolgenden Materialien besteht: Aluminium, Zircon, Stickstoffsilicid und Siliziumoxid. Alternativ hierzu kann der isolierende Film auch aus einer isolierenden Paste hergestellt sein.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind der Heizwiderstand und der Fluidtemperatur-Meßwiderstand aus Platin, Nickel, einer Nickellegierung oder einem Thermistor- Material.
Mit der Erfindung werden folgende Ziele erreicht:
(1) Es wird ein thermischer Durchflußmesser geschaffen, bei dem der Heizwiderstand und der Fluidtemperatur- Meßwiderstand auf einem einzigen Substrat angeordnet sind, wobei ein Teil des Substrates, das zumindest einem dieser Widerstände entspricht sowie die Umgebung dieses Teiles mittels Ätzen entfernt sind, so daß diese Widerstände thermisch voneinander isoliert sind und der Sensor miniaturisiert werden kann;
(2) es wird ein thermischer Durchflußmesser geschaffen, der eine ausgezeichnete thermische Isolierung zwischen dem Heizwiderstand und dem Fluidtemperatur- Meßwiderstand aufweist, was zu einer verbesserten Meßgenauigkeit führt;
(3) es wird ein thermischer Durchflußmesser geschaffen, der weniger elektrische Energie verbraucht;
(4) es wird ein thermischer Durchflußmesser geschaffen, der eine schnelle (thermische) Meßantwort liefert;
(5) es wird ein thermischer Durchflußmesser geschaffen, der in Massenproduktion herstellbar ist;
(6) es wird ein thermischer Durchflußmesser geschaffen, bei dem der isolierende Film aus einem pastösen Material sein kann, so daß die Herstellung des isolierenden Filmes unter den Bedingungen einer Massenproduktion einfach auszuführen ist;
(7) es wird ein thermischer Durchflußmesser geschaffen, bei dem der isolierende Film, der durch Sintern eines pastösen Materiales bei hoher Temperatur hergestellt wird, sehr fest mit dem Substrat verbunden ist, wodurch eine verbesserte mechanische Festigkeit des fertigen Sensors erreicht wird; und
(8) es wird ein thermischer Durchflußmesser geschaffen, bei dem eine gute thermische Isolierung zwischen den beiden Widerständen und dem Substrat vorhanden ist und zwar aufgrund der geringen thermischen Leitfähigkeit des pastösen Materiales, aus dem der isolierende Film auf dem Substrat gebildet ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispieles im Zusammenhang mit der Zeichnung ausführlicher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1(A), 1(B) und 1(C) schematische Schnittzeichnungen verschiedener Herstellstufen des thermischen Durchflußmessers nach der Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht des thermischen Durchflußmessers, der nach den Arbeitsschritten der Fig. 1(A), 1(B) und 1(C) erhalten wird; und
Fig. 3 ein Prinzipschaltbild des thermischen Durchflußmessers, der mit den Arbeitsschritten Fig. 1(A), 1(B) und 1(C) erhalten wird.
Die Erfindung schafft einen thermischen Durchflußmesser, bei dem sowohl der Heizwiderstand als auch der Fluidtemperatur- Meßwiderstand auf einem einzigen Substrat mit kleinen Ausmaßen angeordnet sind, wobei zumindest ein Teil des Substrates, der mindestens einem dieser beiden Widerstände entspricht sowie zusätzlich angrenzende Teile dieses Bereiches weggeätzt sind, so daß diese Widerstände thermisch voneinander isoliert sind, womit man hohe Leistungsfähigkeit, Miniaturisierung und Massenproduzierbarkeit erhält.
Ausführungsbeispiel 1
Die Fig. 1(A), 1(B) und 1(C) zeigen die Verfahrensschritte zur Herstellung des thermischen Durchflußmessers nach der Erfindung.
Die Herstellschritte laufen wie folgt ab: auf einem Substrat aus Silizium oder ähnlichem, das leicht geätzt werden kann, wird ein isolierender Film 2 aus Aluminium oder ähnlichem, der eine ausgezeichnete elektrische Isolation bildet und chemisch widerstandsfähig ist, durch ein Vakuum-Dampfabscheiden, eine Aufsprühmethode, ein plasmaunterstütztes, chemisches Dampfabscheiden etc. aufgebracht. Sodann wird ein dünner Metallfilm 3 aus Platin oder ähnlichem aufgebracht, wobei dieser Film einen hohen Widerstands-/ Temperatur-Koeffizienten hat. Dieser Film wird mit den gleichen Methoden aufgebracht wie der isolierende Film 2. Er wird auf dem isolierenden Film 2 aufgebracht (vgl. Fig. 1(A)). Darauf wird der dünne Metallfilm 3 mittels einer Ätztechnik in eine vorgegebene Form gebracht, womit ein Heizwiderstand 4 und ein Fluidtemperatur-Meßwiderstand 5 gebildet werden, wobei diese beiden in einem vorgegebenen Abstand zueinander auf dem isolierenden Film 2 liegen (vgl. Fig. 1(B)). Der Abschnitt des Substrates 1, der dem Heizwiderstand 4 entspricht sowie angrenzende Bereiche dieses Abschnittes werden dann mittels einer Ätztechnik entfernt. Dies führt zu einer Diaphragma- bzw. Membranstruktur, bei der der Heizwiderstand 4 ausschließlich von dem isolierenden Film 2 getragen wird (vgl. Fig. 1(C)). Wie in Fig. 2 dargestellt sind elektrische Anschlüsse 44, die mit dem Heizwiderstand 4 verbunden sein müssen, außerhalb der "Membran" 100 angeordnet, womit verhindert wird, daß die Membran 100 bei den nachfolgenden Arbeitsschritten für die Verbindung einer Zufuhrleitung zu dem Heizwiderstand 4 bricht. Wahlweise kann auch eine Einrichtung zur Steuerung des Widerstandes des Heizwiderstandes 4 außerhalb der Membran 100 angeordnet sein.
Das für den isolierenden Film 2 verwendete Material muß nicht Aluminium sein; es kann auch aus Keramik (z. B. Zirkon, etc.), Stickstoffsilicid, Siliziumoxid etc. sein. Der isolierende Film muß nicht notwendigerweise ein einschichtiger Film sein; er kann auch ein mehrschichtiger Film sein. Der isolierende Film kann auch aus einer Mischung aus zwei oder mehreren Arten von Filmmaterialien bestehen. Die Dicke des isolierenden Filmes sollte möglichst gering sein, um den Effekt der thermischen Isolierung zu vergrößern; andererseits hat ein extrem dünner Film nur eine geringe mechanische Festigkeit, so daß die Dicke des Filmes in der Größenordnung von vorzugsweise 1 µm bis 10 µm liegen sollte. Das Material für die dünne Metallschicht 3 muß nicht unbedingt Platin sein; es kann stattdessen auch Nickel oder eine Nickellegierung verwendet werden, aufgrund des höheren Widerstands-/Temperatur-Koeffizienten. Statt des dünnen Metallfilmes 3 können anstatt von Metallen auch Feucht-Widerstands-Materialien verwendet werden, wie sie in Thermistoren verwendet werden.
Als Ätztechnik für das Ätzen des Siliziumsubstrates kann entweder eine isotropische Ätztechnik verwendet werden mit einem Ätzmittel, das aus einer Lösung aus Flourwasserstoffsäure und Salpetersäure besteht oder eine anisotrope Ätztechnik, bei der eine Lösung aus Ethylendiamin-Pyrokatechin-Wasser verwendet wird.
Obwohl in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel derjenige Bereich des Substrates 1, der dem Heizwiderstand 4 und dessen Umgebung entspricht, mittels einer Ätztechnik entfernt wurde, kann natürlich auch der Teil des Substrates 1 entfernt werden, der dem Fluidtemperatur- Meßwiderstand 5 und dessen Umgebung entspricht oder auch Teile des Substrates 1, die beiden Widerstände 4 und 5 und deren Umgebung entspricht. In der Tat wird die Entfernung von Teilen des Substrates, die beiden Widerständen 4 und 5 und deren Umgebung entspricht, bevorzugt, da der thermische Isolationseffekt hierdurch verbessert wird und damit auch eine schnelle thermische Meßantwort.
Der resultierende Chip des thermischen Durchflußmessers ist sehr klein und hat eine Größe von nur einigen Millimetern, so daß er in Wafer-Technik hergestellt werden kann, bei dem mehrere Chips gleichzeitig produziert werden. Ein durch Schneiden des Wafers erhaltener Chip wird dann auf einer (nicht dargestellten) Stützplatte befestigt und mit den notwendigen Elementen mit Leitungen verbunden, womit man dann den thermischen Durchflußmesser gemäß Fig. 3 erhält.
Fig. 3 zeigt einen Durchflußmesser mit den beschriebenen Heiz- und Fluidtemperatur-Meßwiderständen, wobei der Fluidtemperatur-Meßwiderstand 6 und der Heizwiderstand 7 in einem Durchflußweg 10 angeordnet sind, durch welchen das Fluid in Richtung der Pfeile fließt. Der Fluidtemperatur-Meßwiderstand 6 ist stromaufwärts zum Heizwiderstand 7 angeordnet. Der Fluidtemperatur-Meßwiderstand 6 und der Heizwiderstand 7 sind mit elektrischen Widerstandselementen 8 bzw. 9 in einer Brückenschaltung verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen den Widerstandselementen 8 und 9 ist geerdet. Die Brückenschaltung ist mit einem Rückkopplungsschaltkreis verbunden, in welchem die Potentialdifferenz zwischen einem Brückenzweig (zusammengesetzt aus dem Temperaturmeßwiderstand 6 und dem Widerstandselement 8) und der andere Brückenzweig (zusammengesetzt aus dem Temperaturmeßwiderstand 7 und dem elektrischen Widerstandselement 9) mit einem Differentialverstärker 11 verstärkt werden. Das Ausgangssignal des Differentialverstärkers 11 steuert das Basispotential eines Transistors 12, dessen Emitter mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des Fluidtemperatur-Meßwiderstandes 6 und des Heizwiderstandes 7 verbunden ist, womit der Transistor getrieben wird. Sowohl der Fluidtemperatur-Meßwiderstand 6 als auch der Heizwiderstand 7 werden durch den Rückkopplungsschaltkreis gesteuert, so daß die Temperaturdifferenz zwischen dem Widerstand 6 und dem Widerstand 7 unabhängig von Temperaturänderungen des Fluides auf einem festen Wert gehalten werden kann. Das Fluid kann hierbei beispielsweise ein Öl, ein chemisches Reagens, ein Gas etc. sein, das durch den Strömungsweg 10 fließt.
Wenn der Transistor 12 eingeschaltet ist, wird elektrischer Strom von einem Eingangsanschluß 13 zu dem Heizwiderstand 7 geleitet, so daß in letzterem Wärme erzeugt wird.
Will man die Durchflußrate auch dann bestimmen, wenn sich die Temperatur des Fluides ändert, so ist - wie in Fig. 3 gezeigt - der Fluidtemperatur-Meßwiderstand 6 stromaufwärts zum Heizwiderstand 7 in einer Brückenschaltung anzuordnen, so daß die Temperatur des Fluides gemessen wird. Dabei wird der zum Heizwiderstand 7 zugeführte elektrische Strom durch den Rückkopplungsschaltkreis so gesteuert, daß die Temperaturdifferenz zwischen dem Fluid und dem Heizwiderstand konstant gehalten wird. Wird die Temperaturdifferenz in der beschriebenen Weise auf einem konstanten Wert gehalten, so kann unabhängig von der Wärmekapazität des Heizwiderstandes eine schnelle Meßantwort auf Änderungen der Durchflußrate erhalten werden. Hält man die Temperaturdifferenz auf einem hohen Wert, so kann der Ausgang (Signalausgang) des Durchflußmessers vergrößert werden.
Ausführungsbeispiel 2
Ein anderer Durchflußmesser nach der Erfindung kann in gleicher Weise wie im Ausführungsbeispiel 1 hergestellt werden mit Ausnahme, daß der isolierende Film aus einer Paste ist.
Auf einem Siliziumsubstrat wird eine Glaspaste oder ähnliches, die eine ausgezeichnete elektrische Isolationsfähigkeit hat, mittels einer Filmauftragetechnik wie z. B. Siebdrucken, Drall-Auftragen (spin-coating), Aufsprühen etc. aufgetragen, sodann getrocknet und gesintert, womit man den isolierenden Film 2 erhält. Das für den isolierenden Film dabei verwendete Material muß nicht unbedingt eine Glaspaste sein. Es kann auch eine dielektrische Paste, eine keramische Paste etc. sein. Wünschenswert ist es, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient dieses pastösen Materiales möglichst nahe bei dem des Siliziumsubstrates 1 liegt, so daß (mechanische) Spannungen des isolierenden Filmes minimiert werden, womit man eine feste Bindung des isolierenden Filmes an das Substrat erhält.
Um den Effekt der thermischen Isolierung des isolierenden Filmes zu verbessern, wird vorzugsweise pastöses Material mit einer sehr geringen thermischen Leitfähigkeit verwendet. Die Dicke des isolierenden Filmes soll sehr klein sein, um seine thermische Kapazität zu verringern und den Effekt der thermischen Isolierung zu vergrößern. Allerdings haben extrem dünne Filme wieder den Nachteil geringer mechanischer Festigkeit, so daß die Dicke des Filmes in der Größenordnung von vorzugsweise 1 µm bis einige 10 µm liegen sollte.
Sodann wird ein dünner Metallfilm 3 aus Platin oder ähnlichem mit einem hohen Widerstands-/Temperatur- Koeffizienten auf dem isolierenden Film 2 mittels Vakuumdampfabscheidetechnik, Aufsprühtechnik etc. aufgebracht. Danach folgt die Musterbildung des dünnen Metallfilmes 3 in gleicher Weise wie im Ausführungsbeispiel 1. Damit erhält man den Heizwiderstand 4 und den Fluidtemperatur-Meßwiderstand 5 in einem vorgegebenen Abstand auf dem isolierenden Film 2. Danach wird die Diaphragma- bzw. Membranstruktur in dem Abschnitt des Substrates 1 gebildet, der mindestens einem der beiden Widerstände 4 und 5 und deren Umgebung entspricht und zwar in gleicher Weise wie im Ausführungsbeispiel 1 beschrieben, womit man den thermischen Durchflußsensor erhält. Als Ätzprozeß für das Siliziumsubstrat kann entweder eine anisotrope Ätztechnik mit einem Ätzmittel wie z. B. einem System von Äthylendiamin- pyrokatechol-Wasser, eine wässrige Lösung aus Kaliumhydroxid oder ähnliches verwendet werden, wobei darauf zu achten ist, daß die Glaspaste damit nicht geätzt wird.
Der fertige Durchflußmesser arbeitet dann in gleicher Weise wie der des Ausführungsbeispieles 1 (vgl. auch Fig. 3).
Es sei darauf hingewiesen, daß verschiedene Modifikationen von einem Fachmann durchgeführt werden können, ohne daß der Schutzumfang und das Wesen der Erfindung verlassen werden. Entsprechend sei darauf hingewiesen, daß der Schutzumfang der Patentansprüche nicht durch die obige Beschreibung eingeschränkt wird und daß die Patentansprüche alle patentfähigen Merkmale der vorliegenden Erfindung enthalten, einschließlich all diejenigen Merkmale, die vom Fachmann des vorliegenden Gebietes als Äquivalente angesehen werden.

Claims (5)

1. Thermischer Durchflußmesser mit einem Substrat und darauf je einem Heizwiderstand und einem Temperaturmeßwiderstand, dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar auf dem Substrat (1) ein elektrisch isolierender Film (2) aufgebracht ist, daß das Substrat (1) und der Film (2) beide ätzbar sind, jedoch unterschiedliche Ätzcharakteristiken bzw. Ätzeigenschaften haben, daß der Heizwiderstand (4) und der Temperaturmeßwiderstand (5) in einem Abstand zueinander auf dem Film (2) aufgebracht sind und daß ein Abschnitt (100) des Substrates, der mindestens einem der beiden Widerstände (4 oder 5) und dessen Umgebung entspricht, weggeätzt ist.
2. Thermischer Durchflußmesser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) aus Silizium ist.
3. Thermischer Durchflußmesser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierende Film (2) ein einschichtiger oder ein mehrschichtiger Film ist, wobei er aus Aluminium und/oder Zirkon und/oder Stickstoffsilicid und/oder Siliziumoxid ist.
4. Thermischer Durchflußmesser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierende Film aus einer isolierenden Paste (2) hergestellt ist.
5. Thermischer Durchflußmesser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Heizwiderstand (4) und der Fluidtemperatur-Meßwiderstand (5) aus Platin und/oder Nickel und/oder einer Nickellegierung und/oder einem Thermistormaterial sind.
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