JP2000343702A - 液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを用いた液体吐出装置 - Google Patents

液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを用いた液体吐出装置

Info

Publication number
JP2000343702A
JP2000343702A JP11158362A JP15836299A JP2000343702A JP 2000343702 A JP2000343702 A JP 2000343702A JP 11158362 A JP11158362 A JP 11158362A JP 15836299 A JP15836299 A JP 15836299A JP 2000343702 A JP2000343702 A JP 2000343702A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
discharge
flow rate
element substrate
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11158362A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Tanetani
陽一 種谷
Masahiko Kubota
雅彦 久保田
Akihiro Yamanaka
昭弘 山中
Yoshiyuki Imanaka
良行 今仲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP11158362A priority Critical patent/JP2000343702A/ja
Priority to DE60022123T priority patent/DE60022123T2/de
Priority to EP00111677A priority patent/EP1057636B1/en
Priority to US09/584,484 priority patent/US6454379B1/en
Publication of JP2000343702A publication Critical patent/JP2000343702A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/04541—Specific driving circuit
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/04543—Block driving
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/04571—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits detecting viscosity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/0458—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits controlling heads based on heating elements forming bubbles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
    • B41J2/14032—Structure of the pressure chamber
    • B41J2/14048—Movable member in the chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
    • B41J2/14153—Structures including a sensor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2002/14354—Sensor in each pressure chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
    • B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
    • B41J2202/13—Heads having an integrated circuit

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液体の吐出量のばらつきを補正する。 【解決手段】 素子基板１と天板３とを接合させること
で形成された液流路７内に自由端６ｂを有する可動部材
６が形成されており、液流路７は、吐出口５に連通する
第１の液流路７ａと気泡発生領域を有する第２の液流路
７ｂとを有する。天板３には、第１の液流路７ａ内を流
れる液体の流量を計測するための流量検出部２００が設
けられている。流量検出部２００は並列に配列された各
液流路７の第１の液流路７ａ内を流れる液体の流量をそ
れぞれ計測するため、各液流路７にそれぞれ設けられて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱エネルギを液体
に作用させることで起こる気泡の発生によって、所望の
液体を吐出する液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを
用いた液体吐出装置に関する。
【０００２】また、本発明は、紙、糸、繊維、布、金
属、プラスチック、ガラス、木材、セラミックなどの被
記録媒体に対して記録を行う、プリンタ、複写機、通信
システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワ
ードプロセッサなどの装置、さらには各種処理装置と複
合的に組み合わされた産業用記録装置に適用することが
できるものである。
【０００３】なお、本発明における「記録」とは、文字
や図形などのように意味を持つ画像を被記録媒体に対し
て付与するすることだけでなく、パターンなどのように
意味を持たない画像を付与することをも意味するもので
ある。
【０００４】
【従来の技術】熱などのエネルギを水分を含む液体に与
えることで、液体に急峻な体積変化（気泡の発生）を伴
う状態変化を生じさせ、この液体の状態変化に基づく作
用力によって吐出口から液体を吐出し、これを被記録媒
体上に付着させて画像形成を行うインクジェット記録方
法、いわゆるバブルジェット記録方法が従来知られてい
る。このバブルジェット記録方法を用いる記録装置に
は、米国明細書第４７２３１２９号に開示されているよ
うに、液体を吐出するための吐出口と、この吐出口に連
通する液流路と、液流路内に配された、液体を吐出する
ためのエネルギ発生手段としての電気熱変換体を有する
液体吐出ヘッドが一般に配されている。
【０００５】このような記録方法によれば、品位の高い
画像を高速、低騒音で記録することができると共に、こ
の記録方法を行う液体吐出ヘッドでは液体を吐出するた
めの吐出口を高密度に配置することができるため、小型
の装置で高解像度の記録画像、さらにカラー画像をも容
易に得ることができるという多くの優れた利点を有して
いる。このため、このバブルジェット記録方法は、近
年、プリンター、複写機、ファクシミリなどの多くのオ
フィス機器に利用されており、さらに、捺染装置などの
産業用システムにまで利用されるようになってきてい
る。
【０００６】上述の液体吐出ヘッドでは、製造時の誤差
等により各吐出口から吐出される液体の吐出量にばらつ
きを生じる場合があった。このような液体の吐出量のば
らつきの補正は、ヘッドの製造工程において、実際に液
体を吐出させ、被記録媒体上に着弾した液体のドット径
から、各吐出口より吐出される液体の吐出量を割り出し
て補正データをＲＯＭ等に書き込むことで行っていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、製造工程において実際に液体を吐出させること
で各吐出口から吐出される液体の吐出量のばらつきを補
正した場合、補正後の初期の液体の吐出量のばらつきは
解消できるものの、例えば、補正後時間を経て液体に含
まれる水分が蒸発することにより、液体の粘度が増加す
ることで生じる吐出量のばらつきを補正することができ
ない。このため、近年要求されている高品位の画像を長
期にわたり、形成することが困難となる場合があった。
【０００８】そこで、本発明は、長期間高品位の画像を
形成することが可能な液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘ
ッドを用いた液体吐出装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の液体吐出ヘッドは、液体に気泡を発生させる
ための熱エネルギ発生するエネルギー発生素子が表面に
並列に複数設けられた素子基板と、前記素子基板に対向
して接合されることで、前記各エネルギ発生素子に対応
し、かつ、液体を吐出する吐出口に連通する複数の液流
路を形成する天板とを有する液体吐出ヘッドにおいて、
前記各液流路内に、前記各液流路内を流れる液体の流量
を検出する、少なくとも１つの流量検出素子と、前記流
量検出素子からの出力に基づいた駆動パルスを前記各エ
ネルギ発生素子に印加する吐出量制御手段とを有する。
【００１０】上記の通り構成された本発明の液体吐出ヘ
ッドは、各液流路内を流れる液体の流量を検出する流量
検出素子からの出力に基づいて、吐出量制御手段が、各
液流路の液体の吐出量を求めるとともに、各液流路間で
の液体の吐出量のばらつきをなくすための駆動パルスを
エネルギ発生素子に印加することで、各液流路間での液
体の吐出量のばらつきを補正する。
【００１１】また、本発明の液体吐出ヘッドは、エネル
ギー発生素子は液体に熱エネルギーを作用させることで
液体に気泡を発生させるものであり、液流路にはエネル
ギー発生素子に面して配され吐出口に向かう下流側が自
由端となる可動部材が設けられており、流量検出素子が
可動部材に設けられているものであってもよい。
【００１２】さらに、各流量検出素子は、天板の、各液
流路内を流れる液体に面する壁面に設けられているもの
であってもよいし、各流量検出素子は、素子基板の、各
液流路内を流れる液体に面する壁面に設けられているも
のであってもよいし、各流量検出素子は、各液流路を構
成する壁面から各液流路内へと突出した立体構造部内に
設けられているものであってもよい。また、流量検出素
子は、温度センサを有するものであってもよいし、流量
検出素子は、ヒータを有するものであってもよい。
【００１３】また、吐出量制御手段は、各吐出口から吐
出される液体の各吐出量を略同一にするように、各エネ
ルギ発生素子に印加する駆動パルスのパルス幅を制御す
るものであってもよいし、吐出量制御手段は、素子基板
に設けられ、全ての液流路内の液体を加熱する保温ヒー
タに駆動信号を印加するものであってもよい。
【００１４】また、本発明の液体吐出装置は、被記録媒
体を搬送する搬送手段と、液体を吐出し、前記被記録媒
体に記録を行う本発明の液体吐出ヘッドを保持し、か
つ、前記被記録媒体の搬送方向に対して交差する方向に
往復移動する保持手段とを有する。
【００１５】本発明の液体吐出装置は、各流量検出素子
からの出力信号により本発明の液体吐出ヘッド内の液体
を吸引する回復動作を行う回復手段を有するものであっ
てもよい。
【００１６】なお、本発明の説明で用いる「上流」「下
流」とは、液体の供給源から気泡発生領域（または可動
部材）を経て、吐出口へ向かう液体の流れ方向に関し
て、またはこの構成上の方向に関しての表現として用い
られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）次に、本発明
の第１の実施形態の、液体を吐出する複数の吐出口と、
互いに接合されることでそれぞれ吐出口と連通する複数
の液流路を構成するための第１の基板および第２の基板
と、電気エネルギーを液流路内の液体の吐出エネルギー
に変換するために各液流路内に配された複数のエネルギ
ー変換素子と、液流路内の液体の流量を検出する流量検
出素子と、エネルギー変換素子の駆動条件を制御するた
めの、機能が異なる複数の素子あるいは電気回路とを有
し、上記素子あるいは電気回路がその機能に応じて第１
の基板と第２の基板とに振り分けられている液体吐出ヘ
ッドの説明を行う。
【００１８】図１（ａ）は、本実施形態の液体吐出ヘッ
ドの液流路方向に沿った断面図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）に示したＢ部の拡大図である。
【００１９】図１（ａ）に示すように、この液体吐出ヘ
ッドは、液体に気泡を発生させるための熱エネルギーを
与える複数個（図１では１つのみ示す）の吐出ヒータ２
が並列に設けられた素子基板１と、この素子基板１上に
接合され、複数個（図１では１つのみ示す）の流量検出
部２００が並列に設けられた天板３と、素子基板１およ
び天板３の前端面に接合されたオリフィスプレート４
と、素子基板１と天板３とで構成される液流路７内に設
置された可動部材６とを有する。
【００２０】素子基板１は、シリコン等の基板上に絶縁
および蓄熱を目的としたシリコン酸化膜または窒化シリ
コン膜を成膜し、その上に、吐出ヒータ２を構成する電
気抵抗層および配線をパターニングしたものである。こ
の配線から電気抵抗層に電圧を印加し、電気抵抗層に電
流を流すことで吐出ヒータ２が発熱する。
【００２１】天板３は、各吐出ヒータ２に対応した複数
の液流路７および各液流路７に液体を供給するための共
通液室８を構成するためのもので、天井部分から各吐出
ヒータ２の間に延びる流路側壁９が一体的に設けられて
いる。天板３はシリコン系の材料で構成され、液流路７
および共通液室８のパターンをエッチングで形成した
り、シリコン基板上にＣＶＤ等の公知の成膜方法により
窒化シリコン、酸化シリコンなど、流路側壁９となる材
料を堆積した後、液流路７の部分をエッチングして形成
することができる。
【００２２】この天板３には、第１の液流路７ａ内を流
れる液体の流量を測定するための流量検出部２００が、
吐出ヒータ２による発熱の影響を受けない距離をもって
吐出ヒータ２よりも上流側に設けられている。また、図
１（ｂ）に示すように、流量検出用発熱部２０１と、温
度検出部２０２とからなり、温度検出部２０２の温度検
出面２０３は、天板３の第１の液流路７ａに面する面と
面一に形成されており、流量検出用発熱部２０１は温度
検出部２０２の上面側に設けられている。流量検出用発
熱部２０１は温度検出部２０２を加熱することで、温度
検出部２０２の温度を第１の液流路７ａ内を流れる液体
の温度よりも高くさせるためのものである。
【００２３】天板３を形成する際、シリコン基板上に絶
縁および蓄熱を目的としたシリコン酸化膜または窒化シ
リコン膜を成膜し、その上に、流量検出用発熱部２０１
を構成する電気抵抗層および配線をパターニングするも
のでもよい。この場合、この配線から電気抵抗層に電圧
を印加し、電気抵抗層に電流を流すことで流量検出用発
熱部２０１が発熱する。温度検出部２０２は、ＰＮダイ
オードあるいはＡｌ温度センサ等、熱により両端電圧あ
るいは抵抗値が変わる素子からなり、上述のようにして
形成された流量検出用発熱部２０１上に積層して形成さ
れるものでもよい。このようにして形成された天板３
は、温度検出部２０２と素子基板１とが対面するように
して素子基板１と接合される。
【００２４】なお、温度検出部２０２は、印加する電圧
により自己発熱をする温度検出センサであるサーミスタ
等を用いるものであってもよい。この場合、サーミスタ
は、電圧が印加されることによって自身の温度を上昇さ
せるため、流量検出用発熱部２０１は不要となり、流量
検出部２００の構成を簡単にすることができる。
【００２５】オリフィスプレート４には、各液流路７に
対応しそれぞれ液流路７を介して共通液室８に連通する
複数の吐出口５が形成されている。オリフィスプレート
４もシリコン系の材料からなるものであり、例えば、吐
出口５を形成したシリコン基板を１０〜１５０μｍ程度
の厚さに削ることにより形成される。なお、オリフィス
プレート４は本発明には必ずしも必要な構成ではなく、
オリフィスプレート４を設ける代わりに、天板３に液流
路７を形成する際に天板３の先端面にオリフィスプレー
ト４の厚さ相当の壁を残し、この部分に吐出口５を形成
することで、吐出口付きの天板とすることもできる。
【００２６】可動部材６は、液流路７を吐出口５に連通
した第１の液流路７ａと、吐出ヒータ２を有する第２の
液流路７ｂとに分けるように、吐出ヒータ２に対面して
配置された片持梁状の薄膜であり、窒化シリコンや酸化
シリコンなどのシリコン系の材料で形成される。
【００２７】この可動部材６は、液体の吐出動作によっ
て共通液室８から可動部材６を経て吐出口５側へ流れる
大きな流れの上流側に支点６ａを持ち、この支点６ａに
対して下流側に自由端６ｂを持つように、吐出ヒータ２
に面した位置に吐出ヒータ２を覆うような状態で吐出ヒ
ータ２から所定の距離を隔てて配されている。この吐出
ヒータ２と可動部材６との間が気泡発生領域１０とな
る。
【００２８】上記構成に基づき、吐出ヒータ２を発熱さ
せると、可動部材６と吐出ヒータ２との間の気泡発生領
域１０の液体に熱が作用し、これにより吐出ヒータ２上
に膜沸騰現象に基づく気泡が発生し、成長する。この気
泡の成長に伴う圧力は可動部材６に優先的に作用し、可
動部材６は図１に破線で示されるように、支点６ａを中
心に吐出口５側に大きく開くように変位する。可動部材
６の変位もしくは変位した状態によって、気泡の発生に
基づく圧力の伝搬や気泡自身の成長が吐出口５側に導か
れ、吐出口５から液体が吐出する。
【００２９】つまり、気泡発生領域１０上に、液流路７
内の液体の流れの上流側（共通液室８側）に支点６ａを
持ち下流側（吐出口５側）に自由端６ｂを持つ可動部材
６を設けることによって、気泡の圧力伝搬方向が下流側
へ導かれ、気泡の圧力が直接的に効率よく吐出に寄与す
ることになる。そして、気泡の成長方向自体も圧力伝搬
方向と同様に下流方向に導かれ、上流より下流で大きく
成長する。このように、気泡の成長方向自体を可動部材
によって制御し、気泡の圧力伝搬方向を制御すること
で、吐出効率や吐出力または吐出速度等の根本的な吐出
特性を向上させることができる。
【００３０】一方、気泡が消泡工程に入ると、可動部材
６の弾性力との相乗効果で気泡は急速に消泡し、可動部
材６も最終的には図１に実線で示した初期位置に復帰す
る。このとき、気泡発生領域１０での気泡の収縮体積を
補うため、また、吐出された液体の体積分を補うため
に、上流側すなわち共通液室８側から液体が流れ込み、
液流路７への液体の充填（リフィル）が行われるが、こ
の液体のリフィルは、可動部材６の復帰作用に伴って効
率よく合理的かつ安定して行われる。
【００３１】また、本実施形態の液体吐出ヘッドは、吐
出ヒータ２を駆動したりその駆動を制御するための回路
や素子を有する。これら回路や素子は、その機能に応じ
て素子基板１または天板３に分担して配置されている。
また、これら回路や素子は、素子基板１および天板３が
シリコン材料で構成されていることから、半導体ウェハ
プロセス技術を用いて容易かつ微細に形成することがで
きる。
【００３２】以下に、半導体ウェハプロセス技術を用い
て形成された素子基板１の構造について説明する。
【００３３】図２は、図１に示す液体吐出ヘッドに用い
られる素子基板の断面図である。図２に示すように、本
実施形態の液体吐出ヘッドに用いられる素子基板１で
は、シリコン基板３０１の表面に、蓄熱層としての熱酸
化膜３０２および、蓄熱層を兼ねる層間膜３０３がこの
順番で積層されている。層間膜３０３としては、ＳｉＯ
2膜またはＳｉ3Ｎ4膜が用いられている。層間膜３０３
の表面に部分的に抵抗層３０４が形成され、抵抗層３０
４の表面に部分的に配線３０５が形成されている。配線
３０５としては、Ａｌまたは、Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ
などのＡｌ合金配線が用いられている。この配線３０
５、抵抗層３０４および層間膜３０３の表面に、ＳｉＯ
2膜またはＳｉ3Ｎ4膜から成る保護膜３０６が形成され
ている。保護膜３０６の表面の、抵抗層３０４に対応す
る部分およびその周囲には、抵抗層３０４の発熱に伴う
化学的および物理的な衝撃から保護膜３０６を守るため
の耐キャビテーション膜３０７が形成されている。抵抗
層３０４表面の、配線３０５が形成されていない領域
は、抵抗層３０４の熱が作用する部分となる熱作用部３
０８である。
【００３４】この素子基板１上の膜は半導体の製造技術
によりシリコン基板３０１の表面に順に形成され、シリ
コン基板３０１に熱作用部３０８が備えられている。
【００３５】図３は、図２に示す素子基板１の主要素子
を縦断するように素子基板１を切断した模式的断面図で
ある。
【００３６】図３に示すように、Ｐ導電体であるシリコ
ン基板３０１の表層にはＮ型ウェル領域４２２およびＰ
型ウェル領域４２３が部分的に備えられている。そし
て、一般的なＭｏｓプロセスを用いてイオンプラテーシ
ョンなどの不純物導入および拡散によって、Ｎ型ウェル
領域４２２にＰ−Ｍｏｓ４２０が、Ｐ型ウェル領域４２
３にＮ−Ｍｏｓ４２１が備えられている。Ｐ−Ｍｏｓ４
２０は、Ｎ型ウェル領域４２２の表層に部分的にＮ型あ
るいはＰ型の不純物を導入してなるソース領域４２５お
よびドレイン領域４２６や、Ｎ型ウェル領域４２２の、
ソース領域４２５およびドレイン領域４２６を除く部分
の表面に厚さ数百Åのゲート絶縁膜４２８を介して堆積
されたゲート配線４３５などから構成されている。ま
た、Ｎ−Ｍｏｓ４２１は、Ｐ型ウェル領域４２３の表層
に部分的にＮ型あるいはＰ型の不純物を導入してなるソ
ース領域４２５およびドレイン領域４２６や、Ｐ型ウェ
ル領域４２３の、ソース領域４２５およびドレイン領域
４２６を除く部分の表面に厚さ数百Åのゲート絶縁膜４
２８を介して堆積されたゲート配線４３５などから構成
されている。ゲート配線４３５は、ＣＶＤ法により堆積
した厚さ４０００Å〜５０００Åのポリシリコンから成
るものである。これらのＰ−Ｍｏｓ４２０およびＮ−Ｍ
ｏｓ４２１からＣ−Ｍｏｓロジックが構成されている。
【００３７】Ｐ型ウェル領域４２３の、Ｎ−Ｍｏｓ４２
１と異なる部分には、電気熱変換素子駆動用のＮ−Ｍｏ
ｓトランジスタ４３０が備えられている。Ｎ−Ｍｏｓト
ランジスタ４３０も、不純物導入および拡散などの工程
によりＰ型ウェル領域４２３の表層に部分的に備えられ
たソース領域４３２およびドレイン領域４３１や、Ｐ型
ウェル領域４２３の、ソース領域４３２およびドレイン
領域４３１を除く部分の表面にゲート絶縁膜４２８を介
して堆積されたゲート配線４３３などから構成されてい
る。
【００３８】本実施形態では、電気熱変換素子駆動用の
トランジスタとしてＮ−Ｍｏｓトランジスタ４３０を用
いたが、複数の電気熱変換素子を個別に駆動できる能力
を持ち、かつ、上述したような微細な構造を得ることが
できるトランジスタであれば、このトランジスタに限ら
れない。
【００３９】Ｐ−Ｍｏｓ４２０とＮ−Ｍｏｓ４２１との
間や、Ｎ−Ｍｏｓ４２１とＮ−Ｍｏｓトランジスタ４３
０との間などの各素子間には、５０００Å〜１００００
Åの厚さのフィールド酸化により酸化膜分離領域４２４
が形成されており、その酸化膜分離領域４２４によって
各素子が分離されている。酸化膜分離領域４２４の、熱
作用部３０８に対応する部分は、シリコン基板３０１の
表面側から見て一層目の蓄熱層４３４としての役割を果
たす。
【００４０】Ｐ−Ｍｏｓ４２０、Ｎ−Ｍｏｓ４２１およ
びＮ−Ｍｏｓトランジスタ４３０の各素子の表面には、
厚さ約７０００ÅのＰＳＧ膜またはＢＰＳＧ膜などから
成る層間絶縁膜４３６がＣＶＤ法により形成されてい
る。熱処理により層間絶縁膜４３６を平坦化した後に、
層間絶縁膜４３６およびゲート絶縁膜４２８を貫通する
コンタクトホールを介して第１の配線層となるＡｌ電極
４３７により配線が行われている。層間絶縁膜４３６お
よびＡｌ電極４３７の表面には、厚さ１００００Å〜１
５０００ÅのＳｉＯ2膜から成る層間絶縁膜４３８がプ
ラズマＣＶＤ法により形成されている。層間絶縁膜４３
８の表面の、熱作用部３０８およびＮ−Ｍｏｓトランジ
スタ４３０に対応する部分には、厚さ約１０００ÅのＴ
ａＮ0.8,he x膜から成る抵抗層３０４がＤＣスパッタ法
により形成されている。抵抗層３０４は、層間絶縁膜４
３８に形成されたスルーホールを介してドレイン領域４
３１の近傍のＡｌ電極４３７と電気的に接続されてい
る。抵抗層３０４の表面には、各電気熱変換素子への配
線となる第２の配線層としての、Ａｌの配線３０５が形
成されている。
【００４１】配線３０５、抵抗層３０４および層間絶縁
膜４３８の表面の保護膜３０６は、プラズマＣＶＤ法に
より形成された厚さ１００００ÅのＳｉ3Ｎ4膜から成る
ものである。保護膜３０６の表面に形成された耐キャビ
テーション膜３０７は、厚さ約２５００ÅのＴａなどの
膜から成るものである。
【００４２】次に、素子基板１および天板３への回路や
素子の構成について説明する。
【００４３】図４は、図１に示した液体吐出ヘッドの回
路構成を説明するための図であり、同図（ａ）は素子基
板の平面図、同図（ｂ）は天板の平面図である。なお、
図４（ａ）および（ｂ）は、互いの対向面を表わしてい
る。
【００４４】図４（ａ）に示すように、素子基板１に
は、並列に配列された複数の吐出ヒータ２と、画像デー
タに応じてこれら吐出ヒータ２を駆動するドライバ１１
と、入力された画像データをドライバ１１に出力する画
像データ転送部１２とが設けられている。
【００４５】画像データ転送部１２は、シリアルに入力
される画像データを各ドライバ１１にパラレルに出力す
るシフトレジスタ、およびシフトレジスタから出力され
るデータを一時記憶するラッチ回路で構成される。な
お、画像データ転送部１２は、各吐出ヒータ２に個別に
対応して画像データを出力するものでもよいし、吐出ヒ
ータ２の並びを複数のブロックに分け、ブロック単位に
対応して画像データを出力するものでもよい。特に、１
つのヘッドについて複数のシフトレジスタを備え、記録
装置からのデータの転送を複数のシフトレジスタに振り
分けて入力するようにすることで、印字速度の高速化に
容易に対応することもできる。
【００４６】一方、図４（ｂ）に示すように、天板３に
は、前述したように液流路および共通液室を構成する溝
３ａ，３ｂが形成される他に、第１の液流路７ａ内を流
れる液体の流量を検出する流量検出部２００と、流量検
出部２００を駆動する流量検出部駆動部１７と、流量検
出部駆動部１７により駆動された流量検出部２００の温
度検出部２０２からの出力結果に基づいて吐出ヒータ２
の駆動条件を制御する吐出ヒータ制御部１６とが設けら
れている。なお、天板３には、外部から共通液室に液体
を供給するために、共通液室に連通した供給口３ｃが開
口している。
【００４７】さらに、素子基板１および天板３の接合面
の、互いの対向する部位にはそれぞれ、素子基板１に形
成された回路等と天板３に形成された回路等とを電気的
に接続するための接続用コンタクトパッド１４，１８が
設けられている。また、素子基板１には、外部からの電
気信号の入力端子となる外部コンタクトパッド１５が設
けられている。素子基板１の大きさは天板３の大きさよ
りも大きく、外部コンタクトパッド１５は、素子基板１
と天板３とを接合したときに天板３から露出する位置に
設けられている。
【００４８】ここで、素子基板１および天板３への回路
等の形成手順の一例について説明する。
【００４９】素子基板１については、まず、シリコン基
板上に、上記ドライバ１１、画像データ転送部１２を構
成する回路を半導体ウェハプロセス技術を用いて形成す
る。次いで、前述したようにして吐出ヒータ２を形成
し、最後に、接続用コンタクトパッド１４および外部コ
ンタクトパッド１５を形成する。
【００５０】天板３については、まず、シリコン基板上
に、上記吐出ヒータ制御部１６と、流量検出部２００
と、流量検出部駆動部１７を構成する回路とを半導体ウ
ェハプロセス技術を用いて形成する。次いで、上述した
ように、成膜技術およびエッチングによって、液流路や
共通液室を構成する溝３ａ，３ｂおよび供給口３ｃを形
成し、最後に、接続用コンタクトパッド１８を形成す
る。
【００５１】上記のように構成された素子基板１と天板
３とを位置合わせして接合すると、各液流路に対応して
吐出ヒータ２が配置されるとともに、それぞれの接続用
パッド１４，１８を介して素子基板１および天板３に形
成された回路等が電気的に接続される。この電気的接続
は例えば、接続用パッド１４，１８に金バンプ等を載せ
て行う方法があるが、それ以外の方法でもよい。このよ
うに、素子基板１と天板３との電気的接続を接続用コン
タクトパッド１４，１８によって行うことで、素子基板
１と天板３との接合と同時に、上述した回路同士の電気
的接続を行うことができる。素子基板１と天板３との接
合後に、液流路７の先端にオリフィスプレート４を接合
し、これにより液体吐出ヘッドが完成する。
【００５２】なお、図１に示したように液体吐出ヘッド
は可動部材６を有しているが、この可動部材６について
も、上述のようにして素子基板に回路等を形成した後、
フォトリソグラフィプロセスを用いて素子基板１上に形
成される。可動部材６の形成工程については後述する。
【００５３】このようにして得られた液体吐出ヘッドを
ヘッドカートリッジや液体吐出装置に搭載する場合に
は、図５に示すように、プリント配線基板２３が搭載さ
れたベース基板２２上に固定し、液体吐出ヘッドユニッ
ト２０とされる。図５において、プリント配線基板２３
には、液体吐出装置のヘッド制御部と電気的に接続され
る複数の配線パターン２４が設けられ、これら配線パタ
ーン２４は、ボンディングワイヤー２５を介して外部コ
ンタクトパッド１５と電気的に接続される。外部コンタ
クトパッド１５は素子基板１のみに設けられているの
で、液体吐出ヘッド２１と外部との電気的接続は、従来
の液体吐出ヘッドと同様にして行うことができる。ここ
では、外部コンタクトパッド１５を素子基板１に設けた
例について説明したが、素子基板１ではなく天板３のみ
に設けてもよい。
【００５４】以上説明したように、吐出ヒータ２の駆動
や制御のための各種回路等を素子基板１と天板３とに両
者の電気的接合を考慮した上で振り分けることで、これ
らの回路等が１つの基板に集中しなくなるので、液体吐
出ヘッドの小型化が可能になる。また、素子基板１に設
けられた回路等と天板３に設けられた回路等との電気的
接続を接続用コンタクトパッド１４，１８によって行う
ことで、ヘッド外部への電気的接続部の数が減り、信頼
性の向上、部品点数の削減、ヘッドのより一層の小型化
を実現することができる。
【００５５】以上、本実施形態の基本的な構成について
説明したが、以下に、上述した回路等に関して詳細に説
明する。なお、同様の動作を行う回路構成であれば、以
下に示す詳細な回路の構成に限定されるものではない。
【００５６】次に、吐出ヒータへの印加エネルギーを制
御する素子基板および天板の回路構成に関して、図６を
用いて説明する。
【００５７】図６（ａ）に示すように、素子基板１に
は、一列に配列された吐出ヒータ２と、図４（ａ）で示
したドライバ１１を構成するパワートランジスタ４１、
パワートランジスタ４１の駆動を制御するためのＡＮＤ
回路３９及びパワートランジスタ４１の駆動タイミング
を制御するための駆動タイミング制御ロジック回路３８
と、図４（ａ）で示した画像データ転送部１２を構成す
る、シフトレジスタおよびラッチ回路からなる画像デー
タ転送回路４２とが形成されている。
【００５８】駆動タイミング制御ロジック回路３８は、
装置の電源容量を少なくする目的で、全ての吐出ヒータ
２を同時に通電するのではなく吐出ヒータ２を分割駆動
して時間をずらして通電するためのものであり、この駆
動タイミング制御ロジック回路３８を駆動するイネーブ
ル信号は、図４（ａ）で示した外部コンタクトパッド１
５を構成するイネーブル信号入力端子４５ｋ〜４５ｎか
ら入力される。
【００５９】また、素子基板１に設けられる外部コンタ
クトパッド１５としては、イネーブル信号入力端子４５
ｋ〜４５ｎの他に、吐出ヒータ２の駆動電源の入力端子
４５ａ、パワートランジスタ４１の接地端子４５ｂ、吐
出ヒータ２を駆動するエネルギーを制御するために必要
な信号用の入力端子４５ｃ〜４５ｅ、ロジック回路の駆
動電源端子４５ｆ、接地端子４５ｇ、画像データ転送回
路４２のシフトレジスタに入力されるシリアルデータの
入力端子４５ｉおよびこれに同期するシリアルクロック
信号の入力端子４５ｈ、ラッチ回路に入力されるラッチ
クロック信号の入力端子４５ｊがある。
【００６０】一方、図６（ｂ）に示すように、天板３に
は、図４（ｂ）で示した流量検出部駆動部１７を構成す
る、流量検出部２００を駆動するための流量検出部駆動
回路４７と、図４（ｂ）で示した吐出ヒータ制御部１６
を構成する、流量検出部２００からの出力をモニタしそ
の結果に応じて吐出ヒータ２への印加エネルギーを制御
するための駆動信号制御回路４６と、流量検出部２００
で検出された、温度データあるいは温度からランク分け
されたコード値、および予め測定されている各吐出ヒー
タ２による液体吐出量特性（液流路内を流れる液体によ
り冷却される温度検出部２０２からの出力値と、所定の
印加パルスにおける液体吐出量との関係）をヘッド情報
として記憶し駆動信号制御回路４６に出力するメモリ４
９とが形成されている。
【００６１】また、図４（ｂ）で接続用コンタクトパッ
ドとして、素子基板１および天板３２には、外部から上
記吐出ヒータ２を駆動するエネルギーを制御するために
必要な信号用の入力端子４５ｃ〜４５ｅと駆動信号制御
回路４６とを接続する端子４４ｂ〜４４ｄ，４８ｂ〜４
８ｄ、駆動信号制御回路４６の出力をＡＮＤ回路３９の
一方の入力端子に入力させるための端子４８ａ等が設け
られている。
【００６２】なお、メモリ４９に記憶されるヘッド情報
としては、上述した液体吐出量特性等の他に、吐出する
液体の種類（液体がインクの場合には、インクの色等）
も含めることもできる。液体の種類によってはその物性
が異なり、吐出特性が異なるからである。これらのヘッ
ド情報のメモリ４９への記憶は、この液体吐出ヘッドの
組立後に不揮発的に行ってもよいし、この液体吐出ヘッ
ドを搭載した液体吐出装置の立ち上げ後に装置側から転
送されることで行ってもよい。
【００６３】また、図６に示した例では、メモリ４９
は、素子基板１側のスペースが許せば、天板３ではなく
素子基板１に設けてもよい。
【００６４】以上の構成においての液体の吐出に関して
の説明は後述する。
【００６５】次に、素子基板の温度を制御する素子基板
および天板の回路構成を図７を用いて説明する。
【００６６】図７（ａ）に示すように、素子基板１に、
液体の吐出用の吐出ヒータ２とは別に、素子基板１の温
度を調節するために素子基板１自体を加熱する保温ヒー
タ５５と、その保温ヒータ５５のドライバとなるパワー
トランジスタ５６とが、図６（ａ）に示した素子基板１
に対して付加されている。また、センサ６３としては、
素子基板１の温度を測定する温度センサが用いられる。
【００６７】一方、図７（ｂ）に示すように、天板３に
は、センサ６３からの出力及びメモリ４９に記憶され
た、流量検出部２００で検出された温度データに応じて
保温ヒータ５５の駆動を制御するための保温ヒータ制御
回路６６が形成されている。保温ヒータ制御回路６６は
コンパレータを有しており、素子基板１の必要とされる
温度に基づいて予め決定された閾値とセンサ６３からの
出力とを比較し、閾値よりもセンサ６３からの出力が大
きい場合に、保温ヒータ５５を駆動するための保温ヒー
タ制御信号を出力する。上記の素子基板１の必要とされ
る温度とは、この液体吐出ヘッド内の液体の粘性が安定
吐出範囲にあるような温度である。
【００６８】そして、保温ヒータ制御回路６６から出力
される保温ヒータ制御信号を、素子基板１に形成された
保温ヒータ用のパワートランジスタ５６に入力させるた
めの端子６４ａ，６８ａが、接続用コンタクトパッドと
して素子基板１および天板３に設けられている。その他
の構成は図６に示した構成と同様である。
【００６９】上記の構成により、保温ヒータ制御回路６
６により保温ヒータ５５が駆動され、素子基板１の温度
が所定の温度に保たれる。その結果、液体吐出ヘッド内
の液体の粘性が安定吐出範囲に保たれ、良好な吐出が可
能となる。
【００７０】なお、センサ６３には、固体差による出力
値のばらつきがある。より正確な温度調節を行いたい場
合には、このばらつきを補正するために、ヘッド情報と
して出力値のばらつきの補正値をメモリ４９に記憶さ
せ、メモリ４９に記憶された補正値に応じて、保温ヒー
タ制御回路６６に設定された閾値を調整してもよい。
【００７１】ところで、図１に示した実施形態では、液
流路７を構成するための溝は天板３に形成し、吐出口５
が形成された部材（オリフィスプレート４）も素子基板
１及び天板３とは別の部材で構成した例を示したが、本
発明が適用される液体吐出ヘッドの構造は、これに限ら
れるものではない。
【００７２】例えば、天板の端面にオリフィスプレート
の厚さ相当の壁を残しておき、この壁に、イオンビーム
加工や電子ビーム加工等により吐出口を形成すれば、オ
リフィスプレートを用いずに液体吐出ヘッドを構成する
ことができる。また、天板に溝を形成することによって
ではなく素子基板に流路側壁を形成すれば、吐出ヒータ
に対する液流路の位置精度が向上し、かつ、天板の形状
を簡易なものとすることができる。
【００７３】次に、フォトリソグラフィプロセスを利用
して、素子基板へ可動部材を設けるタイプの基板の製造
方法について説明する。
【００７４】図８は、液体吐出ヘッドへの可動部材６の
製造方法の一例を説明するための図であり、図８では、
液流路７の流路方向に沿った断面が示されている。図８
に基づいて説明する製造方法では、素子基板１上に可動
部材６を形成してなるものと、天板に流路側壁を形成し
てなるものとを接合することで、構成の液体吐出ヘッド
を製造する。従って、この製造方法では、可動部材６が
作り込まれた素子基板１に天板を接合する前に、天板に
流路側壁が作り込まれる。
【００７５】まず、図８（ａ）では、素子基板１の吐出
ヒータ２側の面全体に、吐出ヒータ２との電気的な接続
を行うための接続用パッド部分を保護するための第１の
保護層としてのＴｉＷ膜７６をスパッタリング法によっ
て厚さ約５０００Å形成する。
【００７６】次に、図８（ｂ）では、ＴｉＷ膜７６の表
面に、間隙形成部材７１ａを形成するためのＡｌ膜をス
パッタリング法によって厚さ約４μｍ形成する。間隙形
成部材７１ａは、後述する図８（ｄ）の工程において、
ＳｉＮ膜７２ａがエッチングされる領域までに延在され
ている。
【００７７】形成されたＡｌ膜を、周知のフォトリソグ
ラフィプロセスを用いてパターニングすることで、その
Ａｌ膜の、可動部材６の支持固定部に対応する部分のみ
を除去し、ＴｉＷ膜７６の表面に間隙形成部材７１ａを
形成する。従って、ＴｉＷ膜７６表面の、可動部材６の
支持固定部に対応する部分が露出することになる。この
間隙形成部材７１ａは、素子基板１と可動部材６との間
の間隙を形成するための、Ａｌ膜からなるものである。
間隙形成部材７１ａは、吐出ヒータ２と可動部材６との
間の気泡発生領域１０に対応する位置を含む、ＴｉＷ膜
７６の表面の、可動部材６の支持固定部に対応する部分
を除く部分全てに形成されている。従って、この製造方
法では、ＴｉＷ膜７６の表面の、流路側壁に対応する部
分にまで間隙形成部材７１ａが形成されている。
【００７８】この間隙形成部材７１ａは、後述するよう
にドライエッチングにより可動部材６を形成する際のエ
ッチングストップ層として機能する。これは、ＴｉＷ膜
７６や、素子基板１における耐キャビテーション膜とし
てのＴａ膜、および抵抗体上の保護層としてのＳｉＮ膜
が、液流路７を形成するために使用するエッチングガス
によりエッチングされてしまうからであり、それらの層
や膜のエッチングを防止するために、このような間隙形
成部材７１ａを素子基板１上に形成する。これにより、
可動部材６を形成するためにＳｉＮ膜のドライエッチン
グを行う際にＴｉＷ膜７６の表面が露出することがな
く、そのドライエッチングによるＴｉＷ膜７６および、
素子基板１内の機能素子の損傷が間隙形成部材７１ａに
よって防止される。
【００７９】次に、図８（ｃ）では、間隙形成部材７１
ａの表面全体および、ＴｉＷ膜７６の、露出した面全体
に、プラズマＣＶＤ法を用いて、可動部材６を形成する
ための材料膜である厚さ約４．５μｍのＳｉＮ膜７２ａ
を、間隙形成部材７１ａを被覆するように形成する。こ
こで、プラズマＣＶＤ装置を用いてＳｉＮ膜７２ａを形
成する際には、図９を参照して次に説明するように、素
子基板１を構成するシリコン基板などを介して、素子基
板１に備えられたＴａからなる耐キャビテーション膜を
接地する。これにより、プラズマＣＶＤ装置の反応室内
でのプラズマ放電により分解されたイオン種およびラジ
カルの電荷に対して素子基板１内の吐出ヒータ２やラッ
チ回路などの機能素子を保護することができる。
【００８０】図９に示すように、ＳｉＮ膜７２ａを形成
するためのプラズマＣＶＤ装置の反応室８３ａ内には、
所定の距離をおいて互いに対向するＲＦ電極８２ａおよ
びステージ８５ａが備えられている。ＲＦ電極８２ａに
は、反応室８３ａの外部のＲＦ電源８１ａによって電圧
が印加される。一方、ステージ８５ａのＲＦ電極８２ａ
側の面上には素子基板１が取り付けられており、素子基
板１の吐出ヒータ２側の面がＲＦ電極８２ａと対向して
いる。ここで、素子基板１が有する、吐出ヒータ２の面
上に形成されたＴａからなる耐キャビテーション膜は、
素子基板１のシリコン基板と電気的に接続されており、
間隙形成部材７１ａは、素子基板１のシリコン基板、お
よびステージ８５ａを介して接地されている。
【００８１】このように構成されたプラズマＣＶＤ装置
においては、前記耐キャビテーション膜が接地された状
態で供給管８４ａを通して反応室８３ａ内にガスを供給
し、素子基板１とＲＦ電極８２ａとの間にプラズマ４６
を発生させる。反応室８３ａ内でのプラズマ放電により
分解されたイオン種やラジカルが素子基板１上に堆積す
ることで、ＳｉＮ膜７２ａが素子基板１上に形成され
る。その際、イオン種やラジカルにより素子基板１上に
電荷が発生するが、上述したように耐キャビテーション
膜が接地されていることにより、素子基板１内の吐出ヒ
ータ２やラッチ回路などの機能素子がイオン種やラジカ
ルの電荷によって損傷することが防止される。
【００８２】次に、図８（ｄ）では、ＳｉＮ膜７２ａの
表面に、スパッタリング法によりＡｌ膜を厚さ約６１０
０Å形成した後、形成されたＡｌ膜を、周知のフォトリ
ソグラフィプロセスを用いてパターニングし、ＳｉＮ膜
７２ａ表面の、可動部材６に対応する部分に第２の保護
層としてのＡｌ膜（不図示）を残す。その第２の保護層
としてのＡｌ膜は、可動部材６を形成するためにＳｉＮ
膜７２ａのドライエッチングを行う際の保護層（エッチ
ングストップ層）すなわちマスクとなる。
【００８３】そして、誘電結合プラズマを使ったエッチ
ング装置を用い、前記第２の保護層をマスクにしてＳｉ
Ｎ膜７２ａをパターニングすることで、そのＳｉＮ膜７
２ａの残った部分で構成される可動部材６を形成する。
そのエッチング装置ではＣＦ 4とＯ2の混合ガスを用いて
おり、ＳｉＮ膜７２ａをパターニングする工程では、可
動部材６の支持固定部が素子基板１に直接固定されるよ
うにＳｉＮ膜７２ａの不要な部分を除去する。可動部材
６の支持固定部と素子基板１との密着部の構成材料に
は、パッド保護層の構成材料であるＴｉＷ、および素子
基板１の耐キャビテーション膜の構成材料であるＴａが
含まれる。
【００８４】ここで、ドライエッチング装置を用いてＳ
ｉＮ膜７２ａをエッチングする際には、図１０を参照し
て次に説明するように素子基板１などを介して間隙形成
部材７１ａを接地する。これにより、ドライエッチング
の際にＣＦ4ガスの分解により生じるイオン種およびラ
ジカルの電荷が間隙形成部材７１ａに留まることを防止
して、素子基板１の吐出ヒータ２やラッチ回路などの機
能素子を保護することができる。また、このエッチング
の工程において、 ＳｉＮ膜７２ａの不要な部分を除去
することで露出する部分、すなわちエッチングされる領
域には、上述したように間隙形成部材７１ａが形成され
ているため、ＴｉＷ膜７６の表面が露出することがな
く、間隙形成部材７１ａによって素子基板１が確実に保
護される。
【００８５】図１０に示すように、ＳｉＮ膜７２ａをエ
ッチングするためのドライエッチング装置の反応室８３
ｂ内には、所定の距離をおいて互いに対向するＲＦ電極
８２ｂおよびステージ８５ｂが備えられている。ＲＦ電
極８２ｂには、反応室８３ｂの外部のＲＦ電源８１ｂに
よって電圧が印加される。一方、ステージ８５ｂのＲＦ
電極８２ｂ側の面上には素子基板１が取り付けられてお
り、素子基板１の吐出ヒータ２側の面がＲＦ電極８２ｂ
と対向している。ここで、Ａｌ膜からなる間隙形成部材
７１ａは、素子基板１に備えれたＴａからなる耐キャビ
テーション膜と電気的に接続されており、かつ、その耐
キャビテーション膜は、前述したように素子基板１のシ
リコン基板と電気的に接続されており、間隙形成部材７
１ａは、素子基板１の耐キャビテーション膜やシリコン
基板、およびステージ８５ｂを介して接地されている。
【００８６】このように構成されたドライエッチング装
置において、間隙形成部材７１ａが接地された状態で供
給管８４ａを通して反応室８３ａ内にＣＦ4とＯ2の混合
ガスを供給し、ＳｉＮ膜７２ａのエッチングを行う。そ
の際、ＣＦ4ガスの分解により生じるイオン種やラジカ
ルによって素子基板１上に電荷が発生するが、上述した
ように間隙形成部材７１ａが接地されていることによ
り、素子基板１内の吐出ヒータ２やラッチ回路などの機
能素子がイオン種やラジカルの電荷によって損傷するこ
とが防止される。
【００８７】本実施形態では、反応室８３ａの内部に供
給するガスとして、ＣＦ4とＯ2の混合ガスを用いたが、
Ｏ2が混合されていないＣＦ4ガスまたはＣ2Ｆ6ガス、あ
るいはＣ2Ｆ6とＯ2の混合ガスなどを用いてもよい。
【００８８】次に、図８（ｅ）では、酢酸、りん酸およ
び硝酸の混酸を用いて、可動部材６に形成したＡｌ膜か
らなる前記第２の保護層や、Ａｌ膜からなる間隙形成部
材７１ａを溶出して除去し、素子基板１上に可動部材６
を作り込む。その後、過酸化水素を用いて、素子基板１
に形成したＴｉＷ膜７６の、気泡発生領域１０およびパ
ッドに対応する部分を除去する。
【００８９】以上のようにして、可動部材６が設けられ
た素子基板１が製造される。ここでは、可動部材６の支
持固定部が素子基板１に直接固定されているものを製造
する場合で説明したが、この製造方法を適用して、可動
部材が台座部を介して素子基板に固定された液体吐出ヘ
ッドを製造することもできる。この場合、図８（ｂ）に
示した間隙形成部材７１ａを形成する工程の前に、可動
部材の、自由端と反対側の端部を素子基板に固定するた
めの台座部を素子基板の吐出ヒータ側の面上に形成す
る。この場合でも、台座部と素子基板との密着部の構成
材料には、パッド保護層の構成材料であるＴｉＷ、およ
び素子基板の耐キャビテーション膜の構成材料であるＴ
ａが含まれる。
【００９０】上述した例では、流路側壁９を天板３に形
成した場合について説明したが、フォトリソグラフィプ
ロセスを用いて、素子基板１への可動部材６の形成と同
時に、流路側壁９を素子基板１に形成することもでき
る。
【００９１】以下に、素子基板１に可動部材６及び流路
側壁９を設けた場合の、可動部材６及び流路側壁の形成
工程の一例について、図１１及び図１２を参照して説明
する。なお、図１１及び図１２は、可動部材及び流路側
壁が形成される素子基板の液流路方向と直交する方向に
沿った断面を示している。
【００９２】まず、図１１（ａ）では、素子基板１の吐
出ヒータ２側の面全体に、吐出ヒータ２との電気的な接
続を行うための接続用パッド部分を保護するための第１
の保護層として、不図示のＴｉＷ膜をスパッタリング法
によって厚さ約５０００Å形成する。この素子基板１の
吐出ヒータ２側の面に、間隙形成部材７１を形成するた
めのＡｌ膜をスパッタリング法によって厚さ約４μｍ形
成する。形成されたＡｌ膜を、周知のフォトリソグラフ
ィプロセスを用いてパターニングし、図１に示した吐出
ヒータ２と可動部材６との間の気泡発生領域１０に対応
する位置に、素子基板１と可動部材６との間の間隙を形
成するための、Ａｌ膜からなる間隙形成部材７１を複数
形成する。それぞれの間隙形成部材７１は、後述する図
１２（ｂ）の工程において、可動部材６を形成するため
の材料膜であるＳｉＮ膜７２がエッチングされる領域ま
で延在されている。
【００９３】間隙形成部材７１は、後述するようにドラ
イエッチングにより液流路７および可動部材６を形成す
る際のエッチングストップ層として機能する。これは、
素子基板１におけるパッド保護層としてのＴｉＷ層や、
耐キャビテーション膜としてのＴａ膜、および抵抗体上
の保護層としてのＳｉＮ膜が、液流路７を形成するため
に使用するエッチングガスによりエッチングされてしま
うからであり、これらの層や膜のエッチングが間隙形成
部材７１により防止される。そのため、ドライエッチン
グにより液流路７を形成する際に素子基板１の吐出ヒー
タ２側の面や、素子基板１上のＴｉＷ層が露出しないよ
うに、それぞれの間隙形成部材７１における液流路７の
流路方向と直行する方向の幅は、後述する図１２（ｂ）
の工程で形成される液流路７の幅よりも広くなってい
る。
【００９４】さらに、ドライエッチング時には、ＣＦ4
ガスの分解によりイオン種およびラジカルが発生し、素
子基板１の吐出ヒータ２や機能素子にダメージを与える
ことがあるが、Ａｌからなる間隙形成部材７１は、これ
らイオン種やラジカルを受け止めて素子基板１の吐出ヒ
ータ２や機能素子を保護するものとなっている。
【００９５】次に、図１１（ｂ）では、間隙形成部材７
１の表面、および素子基板１の間隙形成部材７１側の面
上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、可動部材６を形成す
るための材料膜である厚さ約４．５μｍのＳｉＮ膜７２
を、間隙形成部材７１を被覆するように形成する。ここ
で、プラズマＣＶＤ装置を用いてＳｉＮ膜７２を形成す
る際には、図９を参照して説明したように、素子基板１
を構成するシリコン基板などを介して、素子基板１に備
えられたＴａからなる耐キャビテーション膜を接地す
る。これにより、プラズマＣＶＤ装置の反応室内でのプ
ラズマ放電により分解されたイオン種およびラジカルの
電荷に対して素子基板１内の吐出ヒータ２やラッチ回路
などの機能素子を保護することができる。
【００９６】次に、図１１（ｃ）では、ＳｉＮ膜７２の
表面に、スパッタリング法によりＡｌ膜を厚さ約６１０
０Å形成した後、形成されたＡｌ膜を、周知のフォトリ
ソグラフィプロセスを用いてパターニングし、ＳｉＮ膜
７２表面の、可動部材６に対応する部分、すなわちＳｉ
Ｎ膜７２表面の可動部材形成領域に第２の保護層として
のＡｌ膜７３を残す。Ａｌ膜７３は、ドライエッチング
により液流路７を形成する際の保護層（エッチングスト
ップ層）となる。
【００９７】次に、図１２（ａ）では、ＳｉＮ膜７２お
よびＡｌ膜７３の表面に、流路側壁９を形成するための
ＳｉＮ膜７４を、マイクロ波ＣＶＤ法を用いて厚さ約５
０μｍ形成する。ここで、マイクロ波ＣＶＤ法によるＳ
ｉＮ膜７４の成膜に使用するガスとしては、モノシラン
（ＳｉＨ4）、窒素（Ｎ2）およびアルゴン（Ａｒ）を用
いた。そのガスの組み合わせとしては、上記以外にも、
ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）やアンモニア（ＮＨ3）などとの
組み合わせや、混合ガスを用いてもよい。また、周波数
が２．４５［GHz］のマイクロ波のパワーを１．５［ｋ
Ｗ］とし、ガス流量としてはモノシランを１００［scc
m］、窒素を１００［sccm］、アルゴンを４０［sccm］
でそれぞれのガスを供給して、圧力が５［mTorr］の高
真空下でＳｉＮ膜７４を形成した。また、ガスのそれ以
外の成分比でのマイクロ波プラズマＣＶＤ法や、ＲＦ電
源を使用したＣＶＤ法などでＳｉＮ膜７４を形成しても
よい。
【００９８】ＣＶＤ法によりＳｉＮ膜７４を形成する際
には、図９に基づいて前述したようなＳｉＮ膜７２を形
成する方法と同様に、吐出ヒータ２の面上に形成されて
いるＴａからなる耐キャビテーション膜を素子基板１の
シリコン基板を介して接地する。これにより、ＣＶＤ装
置の反応室内でのプラズマ放電により分解されたイオン
種およびラジカルの電荷に対して素子基板１内の吐出ヒ
ータ２やラッチ回路などの機能素子を保護することがで
きる。
【００９９】そして、ＳｉＮ膜７４の表面全体にＡｌ膜
を形成した後に、形成されたＡｌ膜を、フォトリソグラ
フィなどの周知の方法を用いてパターニングして、Ｓｉ
Ｎ膜７４の表面の、液流路７に対応する部分を除く部分
にＡｌ膜７５を形成する。前述したように、それぞれの
間隙形成部材７１における液流路７の流路方向と直行す
る方向の幅は、次の図１２（ｂ）の工程で形成される液
流路７の幅よりも広くなっているので、Ａｌ膜７５の側
部が間隙形成部材７１の側部の上方に配置されている。
【０１００】次に、図１２（ｂ）では、誘電結合プラズ
マを使ったエッチング装置を用いてＳｉＮ膜７４および
ＳｉＮ膜７２をパターニングして流路側壁９および可動
部材６を同時に形成する。そのエッチング装置では、Ｃ
Ｆ4とＯ2の混合ガスを用いて、Ａｌ膜７３，２５および
間隙形成部材７１をエッチングストップ層すなわちマス
クとして、ＳｉＮ膜７４がトレンチ構造となるようにＳ
ｉＮ膜７４およびＳｉＮ膜７２のエッチングを行う。こ
のＳｉＮ膜７２をパターニングする工程では、図１に示
したように可動部材６の支持固定部が素子基板１に直接
固定されるようにＳｉＮ膜７２の不要な部分を除去す
る。可動部材６の支持固定部と素子基板１との密着部の
構成材料には、パッド保護層の構成材料であるＴｉＷ、
および素子基板１の耐キャビテーション膜の構成材料で
あるＴａが含まれる。
【０１０１】ここで、ドライエッチング装置を用いてＳ
ｉＮ膜７２および２４をエッチングする際には、図１０
を参照して説明したように素子基板１などを介して間隙
形成部材７１を接地する。これにより、ドライエッチン
グの際にＣＦ4ガスの分解により生じるイオン種および
ラジカルの電荷が間隙形成部材７１に留まることを防止
して、素子基板１の吐出ヒータ２やラッチ回路などの機
能素子を保護することができる。また、このエッチング
の工程で形成される液流路７の幅よりも間隙形成部材７
１の幅の方が広くなっているため、ＳｉＮ膜７４の不要
な部分を除去した際に素子基板１の吐出ヒータ２側の面
が露出することがなく、間隙形成部材７１によって素子
基板１が確実に保護される。
【０１０２】次に、図１２（ｃ）では、酢酸、りん酸お
よび硝酸の混酸を用いてＡｌ膜７３および２５を加温エ
ッチングすることで、Ａｌ膜７３および７５や、Ａｌ膜
からなる間隙形成部材７１を溶出して除去し、素子基板
１上に可動部材６および流路側壁９を作り込む。その
後、過酸化水素を用いて、素子基板１に形成したパッド
保護層としてのＴｉＷ膜の、気泡発生領域１０およびパ
ッドに対応する部分を除去する。素子基板１と流路側壁
９との密着部にも、パッド保護層の構成材料であるＴｉ
Ｗ、および素子基板１の耐キャビテーション膜の構成材
料であるＴａが含まれている。
【０１０３】以上、本実施形態の構成及び製造方法につ
いて説明してきたが、以下に、ヘッドが吐出する液体の
吐出量の制御に一例に関して、液体の流量の検出に関し
て説明するタイミングチャートである図１３を用いて説
明する。
【０１０４】なお、図１３において、上段のラインａは
流量検出用発熱部２０１に印加されるパルス電圧を、中
段のラインｂは温度検出部２０２から出力される電圧値
を示し、下段のラインｃは吐出ヒータ２を駆動するため
に印加されるパルス電圧をそれぞれ示すものである。
【０１０５】まず、吐出される液体の吐出量の測定に関
して説明する。
【０１０６】流量検出部駆動回路４７から流量検出用発
熱部２０１へと駆動パルスが出力されて（ラインａ）、
これにより、流量検出用発熱部２０１は発熱する。流量
検出用発熱部２０１からの熱は温度検出部２０２へと伝
導し、温度検出部２０２の温度は、一次遅れ系で温度上
昇（ラインｂ）し、温度検出部２０２は検出電圧をメモ
リ４９へと出力する。一方、駆動信号制御回路４６は、
流量検出部駆動回路４７から流量検出用発熱部２０１へ
印加された駆動パルスの立ち下がり後であり、かつ、温
度検出部２０２の出力する検出電圧が高い状態、すなわ
ち、温度検出部２０２が流量検出用発熱部２０１により
加熱されることで温度検出部２０２の温度が高い状態の
ときに、駆動パルスを吐出ヒータ２に印加する（ライン
ｃ）。これにより、吐出ヒータ２が発熱して気泡が発生
し、可動部材６を変位させて吐出口５から液体が吐出さ
れる。液体の吐出後、気泡が消滅するに伴い、可動部材
６も初期の位置に戻る際に、吐出された液体の体積分を
補うために、上流側すなわち共通液室８側から液体が流
れ込み、液流路７への液体の充填（リフィル）が行われ
る。液体が第１の液流路７ａ内を流れることで、温度検
出部２０２の温度検出面２０３近傍を流れる液体により
温度検出部２０２の熱が奪われ、温度検出部２０２の温
度が低下し温度検出部２０２の出力する検出電圧は低下
する。温度検出部２０２の温度検出面２０３と液体との
間での熱の伝達は、温度検出面２０３の面積と、そのと
きの液体の物性値と、液体の流速とに影響を受け、ま
た、第１の液流路７ａの断面積と液体の流速との関係か
ら液体の流量が求まる。これらの関係より、温度検出部
２０２が出力する電圧の低下分を、リフィル時における
第１の液流路７ａ内の液体の流量として算出し、さら
に、リフィル時に第１の液流路７ａ内に流れ込む液体の
体積分は、吐出された液体の体積分に等しいことより液
体の吐出量が算出されることとなる。
【０１０７】ただし、温度検出部２０２の出力する電圧
の低下分を実際に検出するのは、図１３中のＡで示すタ
イミング、すなわち、吐出ヒータ２に複数回のパルスを
印加した後に行う。これは、吐出ヒータ２に印加される
パルスの１発の時間が数μｓｅｃ〜数十μｓｅｃのオー
ダであるため、１発のパルスのみでは液体が温度検出部
２０２から熱を奪うに要する時間が短すぎること、ま
た、可動部材６が図１（ａ）の破線で示すように変位す
ることで生じる、上流側へと伝播するバック波による液
体の流れのノイズ成分が、下流側へ流れる液体の流れに
対して大きいこと等の影響を小さくするためである。す
なわち、吐出ヒータ２に複数回のパルスを印加すること
で、液体が流れる際に温度検出部２０２から熱を奪う時
間を多くしてやることで温度検出部２０２の出力する電
圧の低下が大きくなるとともに、液体の流れが見かけ
上、上流側から下流側に定常的に流れるようになり、バ
ック波によるノイズ成分の影響を小さくすることがで
き、よって測定誤差を小さくすることできる。
【０１０８】なお、以上説明した液体の吐出量の測定は
各液流路毎に測定がなされるが、各液流路に設けられた
流量検出部２００は半導体プロセスを用いて同時に形成
されているため、各流量検出部２００の特性のばらつき
はほとんどないため、その測定結果も各液流路において
ほとんどばらつきのない測定結果がえられる。
【０１０９】次に、上述の液体の吐出量の測定結果に基
づいた、液体の吐出量の制御に関して説明する。
【０１１０】まず、上述のようにして得られた液体の吐
出量が各液流路間でばらつきがある場合の、吐出量の制
御に関して説明する。
【０１１１】液体の流量の差違、すなわち、液体の吐出
量の差違は、以下のようにして計測される。
【０１１２】例えば、図１３に示すように、第１の液流
路７ａ内を流れる液体の流量が少ないと、温度検出部２
０２が奪われる熱量は小さく、よって温度検出部２０２
からの出力電圧のカーブはｂ1のようになる。一方、液
体の流量が多いと、温度検出部２０２が奪われる熱量は
大きく、よって温度検出部２０２からの出力電圧のカー
ブはｂ2のように、ｂ1の下側を通るカーブとなる。この
ため、測定タイミングであるＡでの温度検出部２０２か
らの出力電圧は、液体の流量が少ない場合は電圧値Ｖ1
となり、液体の流量が多い場合は電圧値Ｖ2となり、電
圧差ｄＶを生じることとなる。これらの出力電圧はメモ
リ４９に記憶され、駆動信号制御回路４６はこの記憶さ
れたデータを基に、図１４に示すような印加パルスを吐
出ヒータ２に出力するようにＡＮＤ回路３９に信号を出
力する。すなわち、駆動信号制御回路４６は、液体の流
量が少ない状態を示す電圧値Ｖ1を出力した液流路７に
設けられた吐出ヒータ２に、液体の流量が多い状態を示
す電圧値Ｖ2を出力した、液流路７に設けられた吐出ヒ
ータ２に印加される駆動パルス幅ｔ2に対して、吐出量
を増加させることで液体の吐出量の差違をなくすため、
Δｔだけパルス幅の広いｔ1を印加する。これにより、
各液流路間での吐出量のばらつきをなくすことができ
る。
【０１１３】次に、各液流路間での吐出量の相対的な差
違ではなく、各液流路からの絶対的な液体の吐出量の制
御に関して説明する。
【０１１４】各液流路からの絶対的な液体の吐出量は、
以下のようにして計測される。
【０１１５】予めメモリ４９に液体の吐出量と温度検出
部２０２からの出力電圧値との関係である液体吐出量特
性を記憶させておき、この記憶しておいた電圧値と、例
えば、図１３に示すＡのタイミングで測定した電圧値Ｖ
1あるいは電圧値Ｖ2とを比較することで、電圧値Ｖ1あ
るいは電圧値Ｖ2の吐出量を知ることができる。
【０１１６】液体の所望の吐出量における電圧値Ｖと、
電圧値Ｖ1あるいは電圧値Ｖ2に電圧差がある場合は、上
述したように、液体の所望の吐出量との差違をなくすべ
く、吐出ヒータ２に印加される駆動パルスのパルス幅を
変えてやることで、液体の吐出量を制御する。
【０１１７】あるいは、液体吐出ヘッドから吐出される
液体の吐出量が全体的に少ない場合は、保温ヒータ制御
回路６６が保温ヒータ５５を駆動するように信号を出力
し、これにより、液体の粘度を下げて、液体の吐出量を
増加させるようにするものでもよい。
【０１１８】また、これら吐出ヒータ２に印加される駆
動パルスのパルス幅を変えての液体の吐出量制御と保温
ヒータ５５を駆動することで液体の粘度を下げての液体
の吐出量制御とを組み合わせて液体の吐出量を制御する
ものであってもよい。
【０１１９】ここで、上述した液体の吐出量の制御の一
例に関する全体の流れを、図１５に示すフローチャート
を用いてまとめる。なお、ここで用いる「ノズル」と
は、液体を吐出するために必要な、吐出ヒータ２と、オ
リフィスプレート４に形成された吐出口５と、天板３と
素子基板１とを接合することにより構成される液流路７
とを含むものを指す。
【０１２０】まず、温度検出部２０２を流量検出用発熱
ヒータ２０１により加熱し、温度検出部２０２の温度を
上昇させておく（ステップ６０１）。次に、初期設定条
件で液体を複数回吐出させ（ステップ６０２）、これに
より第１の液流路７ａ内を液体が流れることによって低
下する温度検出部２０２の温度の低下量を測定する（ス
テップ６０３）。測定した温度の低下量より駆動信号制
御回路４６で各ノズルの吐出量を算出する（ステップ６
０４）。ここで、まず、駆動信号制御回路４６は液体を
吐出していないノズルがあるかどうかを判別する（ステ
ップ６０５）。不吐出ノズルがあれば、液体を吐出でき
るように回復動作を実行し（ステップ６０６）、再度ス
テップ６０１〜６０５のステップを実行する。ステップ
６０５で不吐出ノズルがないと判断された場合は、液体
の平均吐出量が正常な範囲であるかどうかを判別する
（ステップ６０７）。液体の平均吐出量が少ないと判断
された場合は、保温ヒータ５５を駆動する（ステップ６
０８）ことで液体の粘度を低下させ、平均吐出量を増加
させる。そして、再度ステップ６０１〜６０７のステッ
プを実行する。一方、液体の平均吐出量が多いと判断さ
れた場合は、吐出ヒータ２に印加するエネルギーを下げ
る（ステップ６０９）ことで、液体の吐出量を少なくさ
せる。そして、再度ステップ６０１〜６０７のステップ
を実行する。以上のようにして、液体吐出ヘッドの各ノ
ズルの液体の平均吐出量が正常範囲に収まった後、各ノ
ズルのそれぞれの液体の吐出量を所望の吐出量となるよ
うにさらに調整する（ステップ６１０）。
【０１２１】以上のようにして、各ノズルの液体の吐出
量は制御される。
【０１２２】なお、本実施形態において流量検出部２０
０は、天板３に設けられているものとして説明したが、
これに限定されることなく、可動部材６あるいは素子基
板１に設けられているものであってもよい。シリコン系
の材料からなる可動部材６に流量検出部２００を形成す
る場合は、素子基板１及び天板３と同様の半導体プロセ
ス技術を用いて形成される。
【０１２３】また、流量検出部２００は、図１６に示す
立体構造部１３１内に設けられているものであってもよ
い。立体構造部１３１は、天板３から突出した支柱１３
１ａと、支柱１３１ａから延びた梁１３１ｂとからな
り、梁１３１ｂ内の先端部分に配線１３３で流量検出部
駆動回路４７と電気的に接続された流量検出部２００が
設けられている。梁１３１ｂの延びる方向は、液体の流
れを阻害しない方向であれば、どのような方向であって
もよい。この流量検出部２００を有する立体構造部１３
１も半導体プロセス技術を用いて形成されているもので
あってもよい。このような構成にすることで、第１の液
流路７ａ内を流れる液体にさらされる流量検出部２００
の検出面を流量検出部２００の両面とすることができる
とともに、壁面から離れているため、壁面付近の液体の
流れの境界層の影響を受けない領域で流量を測定するこ
とができる。なお、立体構造部１３１は、図１６に示す
ような形状に限定されるものではなく、梁１３１ｂを有
さずに、支柱１３１ａのみの形状で支柱１３１ａ内に流
量検出部２００が設けられているものであってもよい。
【０１２４】また、流量検出部２００は、各液流路７内
に１つづつ設けられているものとして説明したが、複数
個づつ設けられているものであってもよい。複数個の流
量検出部２００が設けられている場合は、天板３、素子
基板１、可動部材６、立体構造部１３１のいずれかに複
数の流量検出部２００が設けられている構成であっても
よいし、複数の流量検出部２００を、天板３と、可動部
材６と、素子基板１と、立体構造部１３１とを組み合わ
せて設けるものであってもよい。
【０１２５】またさらに、吐出ヒータ２を駆動したにも
関わらず、流量検出部２００からの出力値が液体を吐出
しているような出力値でない、例えば、液体が上流側か
ら下流側へと流れることにより温度検出部２０２が冷却
されているのではなく、可動部材６のバック波により液
体が攪拌されたことのみによる冷却である場合は、吐出
口５の目詰まり等により液体が吐出されていない状態で
あると流量検出部駆動部１７が判断し、不図示の回復制
御部に後述の吸引回復動作を実行させる信号を出力す
る。これにより、液体吐出ヘッドの吐出特性を回復させ
るものであってもよい。
【０１２６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、各液流路における液体の流量を測定することで液体
の吐出量を把握するとともに、各液流路の液体の吐出量
を制御することで、時間を経ることによる液体の粘度の
増加に起因する各液流路間での液体の吐出量にばらつき
を補正することができる。 （第２の実施形態）次に、本発明の第２の実施形態の液
体吐出ヘッドに関して説明を行う。
【０１２７】図１７は本実施形態の液体吐出ヘッドの液
体吐出ヘッドの液流路方向に沿った断面図である。
【０１２８】本実施形態の液体吐出ヘッドは、可動部材
６に関する構成がない点、及び流量検出部５００が素子
基板５０１側に設けられている点以外は、第１の実施形
態の液体吐出ヘッドと基本的に同様であるため、詳細の
説明は省略する。
【０１２９】流量検出部５００は吐出ヒータ５０２によ
る熱の影響を受けない距離をもって、素子基板５０１に
設けられている。
【０１３０】なお、本実施形態においても、流量検出部
５００は、各液流路５０７内に１つづつではなく、複数
個づつ設けられているものであってもよい。
【０１３１】また、流量検出部５００は、素子基板５０
１に設けられているものとして説明したが、これに限定
されることなく、天板５０３側に設けられているもので
あってもよいし、第１の実施形態で示した立体構造部を
液流路５０７内に突出させて、この立体構造部内に流量
検出部５００を設けるものであってもよい。この立体構
造部は素子基板５０１に設けられているものでもよい
し、天板５０３側に設けられているものであってもよ
い。
【０１３２】さらに、流量検出部５００は、各液流路７
内に１つづつ設けられているものとして説明したが、複
数個設けられているものであってもよく、この場合、素
子基板５０１、天板５０３、立体構造部のいずれかに複
数の流量検出部５００が設けられている構成であっても
よいし、素子基板５０１と天板５０３とに設けられてい
る構成、素子基板５０１と立体構造部とに設けられてい
る構成、天板５０３と立体構造部とに設けられている構
成、あるいは素子基板５０１と天板５０３と立体構造部
との全てに設けられている構成であってもよい。
【０１３３】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、各液流路における液体の流量を測定することで液体
の吐出量を把握するとともに、各液流路の液体の吐出量
を制御することで、時間を経ることによる液体の粘度の
増加に起因する各液流路間での液体の吐出量にばらつき
を補正することができる。
【０１３４】次に、上述した液体吐出ヘッドが搭載され
る液体吐出装置について、図１８を参照して説明する。
【０１３５】図１８は、本発明の液体吐出装置の一例の
概略斜視図である。また、図１９は図１８に示した液体
吐出装置に用いられる本実施形態の液体吐出ヘッドカー
トリッジ５８０の外観斜視図である。図１８において、
本体フレーム５５１には、螺旋溝５５３の刻まれたリー
ドスクリュー５５２が回転自在に軸支されている。リー
ドスクリュー５５２は、駆動モータ５５９の正逆回転に
連動し、駆動力伝達ギア５６０，５６１を介して回転駆
動される。さらに、本体フレーム５５１には、キャリッ
ジ５５５を摺動自在に案内する案内レール５５４が固定
されている。キャリッジ５５５には、螺旋溝５５３に係
合するピン（不図示）が設けられており、駆動モータ５
５９の回転によりリードスクリュー５５２を回転させる
ことで、キャリッジ５５５が図示矢印ａ，ｂ方向に往復
移動できるようになっている。紙押え板５７２は、キャ
リッジ５５５の移動方向にわたって、被記録媒体５９０
をプラテンローラ５７３に対して押圧する。
【０１３６】キャリッジ５５５には、液体吐出ヘッドカ
ートリッジ５８０が搭載される。液体吐出ヘッドカート
リッジ５８０は、上述した本発明の液体吐出ヘッドをイ
ンクタンクと一体化したものである。また、この液体吐
出ヘッドカートリッジ５８０は、キャリッジ５５５に設
けられている位置決め手段および電気的接点によってキ
ャリッジ５５５に固定支持されるとともに、キャリッジ
５５５に対して着脱可能に設けられている。
【０１３７】フォトカプラ５５７，５５８は、キャリッ
ジ５５５のレバー５５６のこの域での存在を確認して駆
動モータ５５９の回転方向の逆転等を行うためのホーム
ポジション検知手段を構成する。液体吐出ヘッド７０の
前面（吐出口５が開口した面）をキャップするキャップ
部材５６７は、支持部材５６２によって支持され、さら
に吸引手段５６６を備え、キャップ内開口５６８を介し
て液体吐出ヘッドの吸引回復動作を行う。本体支持板５
６４には支持板５６５が取り付けられており、この支持
板５６５に摺動自在に支持されたクリーニングブレード
５６３は、図示しない駆動手段によって前後方向に移動
される。クリーニングブレード５６３の形態は図示する
ものに限られず、公知のものが適用できることはいうま
でもない。レバー５７０は、液体吐出ヘッド７０の吸引
回復動作を開始するためのもので、キャリッジ５５５と
当接するカム５７１の移動に伴って移動し、駆動モータ
５５９から駆動力がギアやラッチ切換え等の公知の伝達
手段によって移動制御される。
【０１３８】これらのキャッピング、クリーニング、吸
引回復の各処理は、キャリッジ５５５がホームポジショ
ン側領域に移動したときにリードスクリュー５５２の作
用によって、それぞれの対応位置で行われるようになっ
ている。周知のタイミングで所望の動作を行うようにす
れば、本例にはいずれも適用できる。
【０１３９】以上説明した液体吐出装置においては、搭
載した液体吐出ヘッドの電気熱変換体を駆動するための
記録信号を液体吐出ヘッドに与える記録信号供給手段を
有し、液体吐出装置の動作を司る制御部を備えている。
【０１４０】本発明の液体吐出装置は、上述した本発明
の液体吐出ヘッドを搭載しているのでインクの吐出が安
定し、その結果、画像品位の劣化が少ない記録装置を達
成することができる。なお、上述した液体吐出装置キャ
リッジ５５５に液体吐出ヘッドカートリッジ５８０が着
脱可能に搭載される例を示したが、これに限らず、液体
吐出ヘッド７０をキャリッジ５５５に一体化し、インク
タンクのみを着脱可能に搭載する構成としてもよい。
【０１４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、各
液流路内を流れる液体の流量を検出する流量検出素子か
らの出力に基づいて、吐出量制御手段が、各液流路の液
体の吐出量を求めるとともに、各液流路間での液体の吐
出量のばらつきをなくすための駆動パルスをエネルギ発
生素子に印加することで、各液流路間での液体の吐出量
のばらつきを補正する。このため、時間を経ることによ
る液体の粘度の増加に起因する各液流路間での液体の吐
出量にばらつきを補正することができ、よって、長期間
高品位の画像を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の液体吐出ヘッド構造
を説明するための、液流路方向に沿った断面図及び一部
拡大図である。
【図２】図１に示した液体吐出ヘッドに用いられる素子
基板の断面図である。
【図３】図２に示した素子基板の主要素子を縦断するよ
うに素子基板を切断した模式的断面図である。
【図４】図１に示した液体吐出ヘッドの回路構成を説明
するための図であり、同図（ａ）は素子基板の平面図、
同図（ｂ）は天板の平面図である。
【図５】図１に示す液体吐出ヘッドを搭載した液体吐出
ヘッドユニットの平面図である。
【図６】センサ出力に応じて吐出ヒータへの印加エネル
ギーを制御する例の素子基板および天板の回路構成を示
す図である。
【図７】センサ出力に応じて素子基板の温度を制御する
例の素子基板および天板の回路構成を示す図である。
【図８】素子基板上に可動部材を形成する方法を説明す
るための図である。
【図９】プラズマＣＶＤ装置を用いて素子基板上にＳｉ
Ｎ膜を形成する方法を説明するための図である。
【図１０】ドライエッチング装置を用いてＳｉＮ膜を形
成する方法を説明するための図である。
【図１１】素子基板上に可動部材及び流路側壁を形成す
る方法を説明するための図である。
【図１２】素子基板上に可動部材及び流路側壁を形成す
る方法を説明するための図である。
【図１３】液体の流量の検出に関して説明するタイミン
グチャートである。
【図１４】吐出ヒータ制御部から吐出ヒータに印加され
る印加パルスを示す図である。
【図１５】液体の吐出量の制御の一例に関する全体の流
れを説明するフローチャートである。
【図１６】流量検出部を立体構造部に設けた構成を説明
する図である。
【図１７】本発明の第２の実施形態の液体吐出ヘッド構
造を説明するための、液流路方向に沿った断面図であ
る。
【図１８】本発明の液体吐出装置の一例の概略斜視図で
ある。
【図１９】本発明の液体吐出ヘッドカートリッジの一実
施形態の外観斜視図である。
【符号の説明】
１、５０１ 素子基板 ２、５０２ 吐出ヒータ ３５０３ 天板 ３ａ、３ｂ 溝 ３ｃ 供給口 ４ オリフィスプレート ５ 吐出口 ６ 可動部材 ６ａ 支点 ６ｂ 自由端 ７、５０７ 液流路 ７ａ 第１の液流路 ７ｂ 第２の液流路 ８ 共通液室 ９ 流路側壁 １０ 気泡発生領域 １１ ドライバ １２ 画像データ転送部 １４、１８ 接続用コンタクトパッド １５ 外部コンタクトパッド １６ 吐出ヒータ制御部 １７ 流量検出部駆動部 ２０ 液体吐出ヘッドユニット ２１ 液体吐出ヘッド ２２ ベース基板 ２３ プリント配線基板 ２４ 配線パターン ２５ ボンディングワイヤ ３８ 駆動タイミング制御ロジック回路 ３９ ＡＮＤ回路 ４１、５６ パワートランジスタ ４２ 画像データ転送回路 ４５ａ、４５ｃ〜４５ｅ、４５ｉ、４５ｈ、４５ｊ、４
５ｋ〜４５ｎ 入力端子 ４５ｂ、４５ｇ 接地端子 ４５ｆ 駆動電源端子４５ｆ ４６ 駆動信号制御回路 ４７ 流量検出部駆動回路 ４８ａ〜４８ｄ 端子 ４９ メモリ ６３ センサ ６６ 保温ヒータ制御回路 ７１、７１ａ 間隙形成部材 ７２、７２ａ、７４ ＳｉＮ膜 ７３、７５ Ａｌ膜 ７６ ＴｉＷ膜 ８１ａ、８２ａ、８１ｂ、８２ｂ ＲＦ電源 ８３ａ、８３ｂ 反応室 ８４ａ、８４ｂ 供給管 ８５ａ、８５ｂ ステージ ８６ プラズマ １３１ 立体構造部 １３１ａ 支柱 １３１ｂ 梁 １３３ 配線 ２００、５００ 温度検出部 ２０１ 流量検出用発熱部 ２０２ 温度検出部 ２０３ 温度検出面 ３０１ シリコン基板 ３０２ 熱酸化膜 ３０３ 層間膜 ３０４ 抵抗層 ３０５ 配線 ３０６ 保護膜 ３０７ 耐キャビテーション層 ３０８ 熱作用部 ４２２ Ｎ型ウェル領域 ４２３ Ｐ型ウェル領域 ４２５、４３２ ソース領域 ４３６、４３１ ドレイン領域 ４２８ ゲート絶縁膜 ４３４ 蓄熱層 ４３５ ゲート配線 ４３６、４３８ 層間絶縁膜 ４３７ Ａｌ電極 ４２０ Ｐ−Ｍｏｓ ４２１ Ｎ−Ｍｏｓ ４２４ 酸化膜分離領域 ５５１ 本体フレーム ５５２ リードスクリュー ５５３ 螺旋溝 ５５４ 案内レール ５５５ キャリッジ ５５６、５７０ レバー ５５７、５５８ フォトカプラ ５５９ 駆動モータ ５６０、５６１ 駆動力伝達ギア ５６２ 支持部材 ５６３ クリーニングブレード ５６４ 本体支持板 ５６５ 支持板 ５６６ 吸引手段 ５６７ キャップ部材 ５６８ キャップ内開口 ５７１ カム ５７２ 紙押え板 ５７３ プラテンローラ ５８０ 液体吐出ヘッドカートリッジ ５９０ 被記録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 昭弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 今仲 良行 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2C057 AF24 AG12 AG76 AG85 AL03 AL11 AL17 AL25 AM03 AM15 AM18 AR17 BA03 BA13 DB01 DD02 DD06

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液体に気泡を発生させるための熱エネル
    ギを発生するエネルギー発生素子が表面に並列に複数設
    けられた素子基板と、前記素子基板に対向して接合され
    ることで、前記各エネルギ発生素子に対応し、かつ、液
    体を吐出する吐出口に連通する複数の液流路を形成する
    天板とを有する液体吐出ヘッドにおいて、 前記各液流路内に、前記各液流路内を流れる液体の流量
    を検出する、少なくとも１つの流量検出素子と、 前記流量検出素子からの出力に基づいた駆動パルスを前
    記各エネルギ発生素子に印加する吐出量制御手段とを有
    することを特徴とする液体吐出ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記液流路には前記エネルギー発生素子
    に面して配され前記吐出口に向かう下流側が自由端とな
    る可動部材が設けられており、前記流量検出素子が前記
    可動部材に設けられている請求項１に記載の液体吐出ヘ
    ッド。
  3. 【請求項３】 前記各流量検出素子は、前記天板の、前
    記各液流路内を流れる液体に面する壁面に設けられてい
    る請求項１または２に記載の液体吐出ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記各流量検出素子は、前記素子基板
    の、前記各液流路内を流れる液体に面する壁面に設けら
    れている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液体
    吐出ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記各流量検出素子は、前記各液流路を
    構成する壁面から前記各液流路内へと突出した立体構造
    部内に設けられている請求項１ないし４のいずれか１項
    に記載の液体吐出ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記流量検出素子は、温度センサを有す
    る請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘ
    ッド。
  7. 【請求項７】 前記流量検出素子は、ヒータを有する請
    求項６に記載の液体吐出ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記吐出量制御手段は、各吐出口から吐
    出される液体の各吐出量を略同一にするように、前記各
    エネルギ発生素子に印加する前記駆動パルスのパルス幅
    を制御する請求項１ないし７のいずれか１項に記載の液
    体吐出ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記吐出量制御手段は、前記素子基板に
    設けられ、全ての前記液流路内の液体を加熱する保温ヒ
    ータに駆動信号を印加する請求項１ないし８のいずれか
    １項に記載の液体吐出ヘッド。
  10. 【請求項１０】 被記録媒体を搬送する搬送手段と、液
    体を吐出し、前記被記録媒体に記録を行う請求項１ない
    し９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドを保持し、
    かつ、前記被記録媒体の搬送方向に対して交差する方向
    に往復移動する保持手段とを有することを特徴とする液
    体吐出装置。
  11. 【請求項１１】 前記各流量検出素子からの出力信号に
    より前記液体吐出ヘッド内の液体を吸引する回復動作を
    行う回復手段を有する請求項１０に記載の液体吐出装
    置。
JP11158362A 1999-06-04 1999-06-04 液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを用いた液体吐出装置 Pending JP2000343702A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11158362A JP2000343702A (ja) 1999-06-04 1999-06-04 液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを用いた液体吐出装置
DE60022123T DE60022123T2 (de) 1999-06-04 2000-05-31 Flüssigkeitsausstosskopf und Flüssigkeitsausstossvorrichtung mit Ausstossvolumenkorrekturverfahren für diesen Flüssigkeitsausstosskopf
EP00111677A EP1057636B1 (en) 1999-06-04 2000-05-31 Liquid discharge head and liquid discharge apparatus that uses the liquid discharge head, and discharge volume correction method for the liquid discharge head
US09/584,484 US6454379B1 (en) 1999-06-04 2000-06-01 Liquid discharge head and liquid discharge apparatus that uses the liquid discharge head, and discharge volume correction method for the liquid discharge head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11158362A JP2000343702A (ja) 1999-06-04 1999-06-04 液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを用いた液体吐出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000343702A true JP2000343702A (ja) 2000-12-12

Family

ID=15670030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11158362A Pending JP2000343702A (ja) 1999-06-04 1999-06-04 液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを用いた液体吐出装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6454379B1 (ja)
EP (1) EP1057636B1 (ja)
JP (1) JP2000343702A (ja)
DE (1) DE60022123T2 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003025577A (ja) * 2001-07-11 2003-01-29 Canon Inc 液体吐出ヘッド
JP2003145765A (ja) * 2001-11-15 2003-05-21 Canon Inc 記録装置およびその吐出方法
US7344218B2 (en) * 2003-11-06 2008-03-18 Canon Kabushiki Kaisha Printhead driving method, printhead substrate, printhead, head cartridge and printing apparatus
TWI267446B (en) * 2003-11-06 2006-12-01 Canon Kk Printhead substrate, printhead using the substrate, head cartridge including the printhead, method of driving the printhead, and printing apparatus using the printhead
CN100503248C (zh) * 2004-06-02 2009-06-24 佳能株式会社 头基板、记录头、头盒、记录装置以及信息输入输出方法
EP1768848B1 (en) * 2004-06-28 2010-07-21 Canon Kabushiki Kaisha Liquid discharge head manufacturing method, and liquid discharge head obtained using this method
KR100938943B1 (ko) * 2004-11-10 2010-01-26 캐논 가부시끼가이샤 액체 토출 헤드
JP5167704B2 (ja) * 2007-06-27 2013-03-21 セイコーエプソン株式会社 液体吐出装置
KR20090024380A (ko) * 2007-09-04 2009-03-09 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트 헤드
JP5078529B2 (ja) * 2007-09-28 2012-11-21 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドおよびそれを備えるインクジェット記録装置
JP5393596B2 (ja) 2010-05-31 2014-01-22 キヤノン株式会社 インクジェット記録装置
JP5765924B2 (ja) * 2010-12-09 2015-08-19 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの駆動方法、液体吐出ヘッド、及び液体吐出装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1127227A (en) 1977-10-03 1982-07-06 Ichiro Endo Liquid jet recording process and apparatus therefor
GB2179748B (en) * 1985-08-20 1989-09-06 Sharp Kk Thermal flow sensor
CA2025558C (en) * 1989-09-18 1996-01-02 Makiko Kimura Ink jet apparatus
US5726690A (en) * 1991-05-01 1998-03-10 Hewlett-Packard Company Control of ink drop volume in thermal inkjet printheads by varying the pulse width of the firing pulses
NL9201906A (nl) * 1992-11-02 1994-06-01 Huiberts Albertus T Werkwijze en inrichting voor het meten van het debiet van een mediumstroom.
JP3347502B2 (ja) * 1993-12-28 2002-11-20 キヤノン株式会社 インクジェットヘッドおよびインクジェット装置
JPH08150713A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Canon Inc インクジェット記録装置および該装置の不吐出検出方法
US5992769A (en) * 1995-06-09 1999-11-30 The Regents Of The University Of Michigan Microchannel system for fluid delivery
DE19537160C1 (de) 1995-10-06 1996-12-19 Francotyp Postalia Gmbh Verfahren und Anordnung zur Überwachung der Funktion eines Tintendruckkopfes
GB9607257D0 (en) * 1996-04-04 1996-06-12 British Gas Plc Liquid metering
DE69733980T2 (de) * 1996-06-07 2006-02-23 Canon K.K. Verfahren und Vorrichtung zum Ausstossen von Flüssigkeit
US6062678A (en) 1996-06-26 2000-05-16 Canon Kabushiki Kaisha Ink-jet recording head with a particular arrangement of thermoelectric transducers and discharge openings
JPH1029321A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Canon Inc インクジェットプリント装置およびプリント方法
US6183056B1 (en) * 1997-10-28 2001-02-06 Hewlett-Packard Company Thermal inkjet printhead and printer energy control apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1057636A3 (en) 2001-03-14
EP1057636A2 (en) 2000-12-06
DE60022123T2 (de) 2006-04-13
US6454379B1 (en) 2002-09-24
DE60022123D1 (de) 2005-09-29
EP1057636B1 (en) 2005-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1057634B1 (en) Liquid discharge head, liquid discharge apparatus and method for manufacturing liquid discharge head
US6688729B1 (en) Liquid discharge head substrate, liquid discharge head, liquid discharge apparatus having these elements, manufacturing method of liquid discharge head, and driving method of the same
JP2000343707A (ja) 微小電気機械装置および液体吐出ヘッドおよびその製造方法
US6464342B1 (en) Liquid discharge head, head cartridge mounted on liquid discharge head and liquid discharge apparatus, and method for manufacturing liquid discharge head
JP2000343702A (ja) 液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを用いた液体吐出装置
US6485132B1 (en) Liquid discharge head, recording apparatus, and method for manufacturing liquid discharge heads
JP3647317B2 (ja) 液体吐出ヘッド用基板、液体吐出ヘッド、前記液体吐出ヘッド用基板の製造方法、及び前記液体吐出ヘッドの製造方法
JP4587417B2 (ja) 液体吐出ヘッド用基板、液体吐出ヘッド、及び前記液体吐出ヘッドの駆動方法
JP3647316B2 (ja) 液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを用いた液体吐出装置
US6491834B1 (en) Method for manufacturing liquid discharge head, liquid discharge head, head cartridge, and liquid discharge recording apparatus
CN101125482B (zh) 具有贯通孔的结构体、其制造方法及液体排出头
JP2000343696A (ja) 液体吐出ヘッドおよび液体吐出記録装置
JP2000343704A (ja) 液体吐出ヘッド、ヘッドカートリッジ、液体吐出装置、および前記液体吐出ヘッドの製造方法
JP2002166552A (ja) 液体吐出ヘッド、液体吐出記録装置、および移動体に搭載された前記記録装置での液体吐出記録方法
JP2000343701A (ja) 液体吐出ヘッドおよび液体吐出記録装置
JP2000343700A (ja) 液体吐出ヘッドおよび液体吐出記録装置
JP2002166620A (ja) 液体吐出記録装置および液体吐出記録方法
JP4261823B2 (ja) インクジェット記録装置
JP2000343699A (ja) 液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドを用いたヘッドカートリッジおよび液体吐出装置
US6305783B1 (en) Liquid discharge method, liquid discharge head, manufacturing method of the head, head cartridge, and liquid discharge device
JP2000343706A (ja) インクジェット記録ヘッド及びその製造方法
JP2000225710A (ja) 液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッド、ヘッドカートリッジおよび液体吐出記録装置
JP2000225704A (ja) 液体吐出方法、液体吐出ヘッド、該ヘッドの製造方法、ヘッドカートリッジおよび液体吐出装置
JPH11300977A (ja) 液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッド、ヘッドカートリッジ及び液体吐出装置
JP2000343698A (ja) 液体吐出ヘッドとこれを用いた記録装置