CN115574950A - 一种红外传感器模组及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种红外传感器模组及制备方法，涉及红外传感器领域，红外传感器模组包括：红外传感器外壳、快门装置、热电堆阵列结构和ASIC芯片；所述快门装置与所述红外传感器外壳固定连接；所述热电堆阵列结构设置在所述红外传感器外壳内；所述ASIC芯片设置在所述红外传感器外壳远离所述快门装置的一侧；所述快门装置和所述热电堆阵列结构均与所述ASIC芯片连接；所述快门装置还与所述热电堆阵列结构连接；所述热电堆阵列结构包括依次设置的衬底层、第一氧化硅层、多晶硅条、第二氧化硅层、金属层和掩膜。本发明能够降低红外传感器的尺寸。
Description
技术领域
本发明涉及红外传感器领域，特别是涉及一种红外传感器模组及制备方法。
背景技术
热电堆红外传感器是一种可以将目标辐射的红外线转换为热能，并将温度变化转换成电能的传感器，因其可以在完全无光的环境中测量高温、危险或移动的物体且不会污染或损坏被测物体而广泛地被运用于耳式体温计、食品级温度测量及目标识别等领域。
有的现有技术通过在六边形底边排列热电堆的方式，解决了有热电堆结构的红外传感器热区面积小，冷区面积大、输出电压较小的问题，然而其六边形结构阵列排布后单位空间内无法紧凑排布、可放置像素点较少，难以进行红外成像。
有的现有技术使用多卡扣、定位板、弹簧等结构解决了透镜与红外传感器上的管帽直接连接不稳等问题，提升了红外传感器的灵敏度，但其直插式封装形式工艺流程复杂且封装体积较大，使其应用场景受到一定限制。
随着微型机器人、微型无人机等技术的发展，目前常见的基于热电堆的微型红外传感器通常使用金属管壳封装，此封装将红外热电堆结构置于管座上，分立的用于过滤有效红外辐射的光学系统置于管帽上。但这种封装结构使得器件的整体体积较大，难以适应微型平台对载荷的要求，而受限于热电堆结构的尺寸，红外传感器芯片的尺寸也难以缩减。
发明内容
本发明的目的是提供一种红外传感器模组及制备方法，以降低红外传感器的尺寸。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种红外传感器模组，包括：红外传感器外壳、快门装置、热电堆阵列结构和ASIC芯片；
所述快门装置与所述红外传感器外壳固定连接；所述热电堆阵列结构设置在所述红外传感器外壳内；所述ASIC芯片设置在所述红外传感器外壳远离所述快门装置的一侧；所述快门装置和所述热电堆阵列结构均与所述ASIC芯片连接；所述快门装置还与所述热电堆阵列结构连接；
所述热电堆阵列结构包括依次设置的衬底层、第一氧化硅层、多晶硅层、第二氧化硅层、金属层和掩膜。
可选地，所述快门装置为窗口型快门；所述窗口型快门上设置镜头；所述镜头与所述热电堆阵列结构连接。
可选地，所述红外传感器模组还包括卡扣；所述红外传感器外壳通过所述卡扣与所述快门装置固定连接。
可选地，所述衬底层上刻蚀热结区空腔；所述衬底层为硅衬底层。
本发明还提供一种红外传感器模组制备方法，所述红外传感器模组制备方法用于制备上述任意一项所述的红外传感器模组，所述红外传感器模组制备方法包括：
在衬底层上热氧化生长第一氧化硅层；
利用低压化学沉积法在所述第一氧化硅层上沉积多晶硅层；
对所述多晶硅层进行依次进行交替掺杂、刻蚀和多晶硅条腐蚀，得到刻蚀和腐蚀后的结构；
在所述刻蚀和腐蚀后的结构的表面利用化学气相沉积法沉积第二氧化硅层；
在所述第二氧化硅层上腐蚀引线孔；
在所述引线孔上溅射金属层，得到热电偶和金属引线结构；
利用化学气相沉积方法在所述热电偶和金属引线结构沉积掩膜，得到热电堆阵列结构；
将所述热电堆阵列结构置入红外传感器外壳的内部；
将ASIC芯片焊接在所述红外传感器外壳的外部；
将所述红外传感器外壳与开门装置固定连接，得到红外传感器模组。
可选地，所述热氧化生长的温度为900℃，所述热氧化生长的时间为15min。
可选地，所述交替掺杂使用的元素为硼和磷；硼的掺杂浓度为1014cm-3；磷的掺杂浓度为1017cm-3。
可选地，所述第一氧化硅层的厚度为0.4μm；所述多晶硅层的厚度为0.55μm；所述第二氧化硅层、所述金属层和所述掩膜的厚度均为0.55μm。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明提供的红外传感器模组，包括：红外传感器外壳、快门装置、热电堆阵列结构和ASIC芯片；所述快门装置与所述红外传感器外壳固定连接；所述热电堆阵列结构设置在所述红外传感器外壳内；所述ASIC芯片设置在所述红外传感器外壳远离所述快门装置的一侧；所述快门装置和所述热电堆阵列结构均与所述ASIC芯片连接；所述快门装置还与所述热电堆阵列结构连接；所述热电堆阵列结构包括依次设置的衬底层、第一氧化硅层、多晶硅层、第二氧化硅层、金属层和掩膜，本发明提供的红外传感器模组能够降低红外传感器的尺寸。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的红外传感器模组的结构示意图；
图2为本发明提供的红外传感器模组的背面示意图；
图3为本发明提供的红外传感器模组剖视图；
图4为本发明在硅片上热氧化后的热电堆阵列截面图；
图5为本发明生成了多晶硅条后的热电堆阵列截面图；
图6为本发明产生多晶硅条的引线孔后的热电堆阵列截面图；
图7为本发明溅射金属层后的热电堆阵列截面图；
图8为本发明沉积氮化硅层并刻蚀后的热电堆阵列截面图；
图9为本发明形成悬浮热结区后的热电堆阵列截面图。
符号说明：
101-红外传感器外壳，102-快门装置，103-镜头，104-引脚，105-ASIC芯片，106-热电堆阵列结构，107-卡扣，201-硅衬底层，202-第一氧化硅层，203-P型多晶硅，204-N型多晶硅，205-第二氧化硅层，206-金属层，207-氮化硅，208-热结区空腔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种红外传感器模组及制备方法，以降低红外传感器的尺寸。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1至图3，本发明提供的一种红外传感器模组，包括：红外传感器外壳101、快门装置102、热电堆阵列结构106和ASIC芯片105。
所述热电堆阵列结构106为热电堆传感模块，用于感知目标辐射的红外线，所述快门装置102用于调节曝光时间，快门装置102与所述红外传感器外壳101固定连接；所述热电堆阵列结构106设置在所述红外传感器外壳101内；所述ASIC芯片105设置在所述红外传感器外壳101远离所述快门装置102的一侧；所述快门装置102和所述热电堆阵列结构106均与所述ASIC芯片105连接；所述快门装置102还与所述热电堆阵列结构106连接。热电堆阵列结构106底部有ASIC芯片105以及引脚104，引脚104与所述ASIC芯片105连接。
所述热电堆阵列结构106包括依次设置的衬底层、第一氧化硅层202、多晶硅层、第二氧化硅层205、金属层206和掩膜。其中，掩膜的材料为氮化硅207。多晶硅层包括掺杂硼的P型多晶硅203和掺杂磷的N型多晶硅204。其中，P型多晶硅203为掺杂硼的P型多晶硅，N型多晶硅204为掺杂磷的N型多晶硅。
在实际应用中，所述快门装置102为窗口型快门；所述窗口型快门上设置镜头103；所述镜头103与所述热电堆阵列结构106连接。
在实际应用中，红外传感器模组还包括卡扣107；所述红外传感器外壳101通过所述卡扣107与所述快门装置102固定连接，具体是两者通过4个卡扣107进行固定。
在实际应用中，所述衬底层上刻蚀热结区空腔208；所述衬底层为硅衬底层201。
如图4至图9所示，本发明还提供一种红外传感器模组制备方法，所述红外传感器模组制备方法用于制备上述所述的红外传感器模组，所述红外传感器模组制备方法包括：
在衬底层上热氧化生长第一氧化硅层。所述热氧化生长的温度为900℃，所述热氧化生长的时间为15min。
利用低压化学沉积法在所述第一氧化硅层上沉积多晶硅层。
对所述多晶硅层进行依次进行交替掺杂、刻蚀和多晶硅条腐蚀，得到刻蚀和腐蚀后的结构。所述交替掺杂使用的元素为硼和磷；硼的掺杂浓度为1014cm-3；磷的掺杂浓度为1017cm-3。
在所述刻蚀和腐蚀后的结构的表面利用化学气相沉积法沉积第二氧化硅层。
在所述第二氧化硅层上腐蚀引线孔。
在所述引线孔上溅射金属层，得到热电偶和金属引线结构。
利用化学气相沉积方法在所述热电偶和金属引线结构沉积掩膜，得到热电堆阵列结构。
将所述热电堆阵列结构置入红外传感器外壳的内部。
将ASIC芯片焊接在所述红外传感器外壳的外部。
将所述红外传感器外壳与开门装置固定连接，得到红外传感器模组。
在实际应用中，所述第一氧化硅层的厚度为0.4μm；所述多晶硅层的厚度为0.55μm；所述第二氧化硅层、所述金属层和所述掩膜的厚度均为0.55μm。
将本发明制备的红外传感器模组，封装入微型模组中，实现微型红外传感器模组的制造。本发明的制备方法包括：在清洗后的硅衬底上热氧化生长第一氧化硅层；淀积一层多晶硅；进行两次光刻使得多晶硅图案化；对图案化后的多晶硅交替进行掺杂后退火，之后刻蚀形成带多晶硅条的氧化硅表面；之后在上述表面淀积一层氧化硅，BOE工艺产生多晶硅条引线孔；在上述多晶硅条引线孔上溅射并刻蚀形成金属层，形成热电偶结构；之后在上述热电偶结构上淀积一层氮化硅层，并通过光刻及反应离子刻蚀的形式形成释放孔；利用上述氮化硅结构作为掩膜，对硅衬底进行刻蚀，形成悬浮的热结区空腔，最终完成热电堆阵列结构的制作。将上述热电堆阵列结构置入外壳内，外壳与快门装置通过卡扣的形式相连。
单个热电堆结构的平面尺寸为16μm×16μm，热电堆阵列结构的尺寸为2600μm×2000μm×80μm。红外传感器外壳尺寸为6mm×6mm×3mm，快门装置尺寸为8.5mm×8.5mm×0.8mm。
为保证热电堆的感热效果，所述热氧化工艺生长的氧化硅层厚度为0.4μm，所述多晶硅层厚度为0.55μm，淀积的氧化硅、金属层及氮化硅层的厚度均为0.55μm，热结区空腔的厚度应在1~3μm之间，本实例中厚度为2μm。
淀积氧化硅及氮化硅层使用的工艺为低压化学气相沉积。金属层的材料为铝。
每一个热电堆悬浮结构均有一个红外吸收区，因此每一个热电堆悬浮结构为红外传感器的一个像素单元，可根据需要的分辨率设置热电堆阵列结构数量，本实例中热电堆阵列结构的数量为160×120个。
本发明利用标准CMOS工艺制成热电堆阵列结构，主要的工艺流程如图2所示。具体工艺步骤包括热氧化生成氧化硅薄膜、低压化学沉积（LPCVD）生成多晶硅、沉积第二层氧化硅并刻蚀引线孔、溅射金属铝生成金属引线、钝化层沉积与释放孔制作以及干法刻蚀形成悬浮结构等。热电堆阵列结构的制造工艺如下：
第一步，如图4所示，热氧化生长氧化硅。使用空白的硅片作为衬底，使用49%的氢氟酸溶液清洗衬底表面，去除表面氧化硅，在清洗后的硅片上采取热氧化的工艺生长0.4μm厚的硅氧化层。
第二步，如图5所示形成多晶硅条。在前步生成的热氧化硅保护层上通过低压化学沉积（LPCVD）的方法淀积一层0.55μm厚的多晶硅层，然后分两次光刻，分别对已图形化的部分交替进行硼元素和磷元素的注入进行掺杂，本实例中，硼元素的掺杂浓度为1014cm-3，磷元素的掺杂浓度为1017cm-3，之后退火处理将方块电阻调节为30~50Ω，本实例为40Ω，之后用干法腐蚀的方法将多晶硅层腐蚀为多晶硅条。
第三步，如图6所示光刻引线孔。采用化学气相沉积（CVD）的工艺淀积一层0.55μm厚的氧化硅层，然后再进行一次光刻，利用缓冲氧化刻蚀剂 （BOE）腐蚀产生多晶硅条的引线孔。
第四步，如图7所示形成金属铝引线和热电偶。在上步形成的引线孔中形成金属层，本实例中通过溅射工艺形成0.55μm厚的Al层，之后利用干法刻蚀的工艺去除多余的金属层，形成完整的热电偶与金属引线结构。
第五步，如图8所示光刻刻蚀开口。采用化学气相沉积的方法沉积一层0.55μm的氮化硅（Si3N4）层。再进行一次光刻后应用反应离子刻蚀（RIE）的方式刻蚀之前生成的Si3N4层，产生之后进行结构释放的释放孔，并同时将热电堆阵列结构的焊盘露出。
第六步，如图9所示干法刻蚀硅衬底释放微结构。利用热电堆阵列结构自身的氮化硅层作为腐蚀掩膜，XeF2气体经由第五步中形成的刻蚀开口进行硅衬底的刻蚀，形成厚度为2μm的悬浮的热结区，最终完成热电堆悬浮结构的制作。
如图3所示，将制得的热电堆阵列结构通过点焊的方式置入外壳内部，另一侧的ASIC芯片以点焊的形式焊至外壳外部，外壳与快门装置通过卡扣的形式组装到一起。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的装置及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (8)
1.一种红外传感器模组，其特征在于，包括：红外传感器外壳、快门装置、热电堆阵列结构和ASIC芯片；
所述快门装置与所述红外传感器外壳固定连接；所述热电堆阵列结构设置在所述红外传感器外壳内；所述ASIC芯片设置在所述红外传感器外壳远离所述快门装置的一侧；所述快门装置和所述热电堆阵列结构均与所述ASIC芯片连接；所述快门装置还与所述热电堆阵列结构连接；
所述热电堆阵列结构包括依次设置的衬底层、第一氧化硅层、多晶硅层、第二氧化硅层、金属层和掩膜。
2.根据权利要求1所述的红外传感器模组，其特征在于，所述快门装置为窗口型快门；所述窗口型快门上设置镜头；所述镜头与所述热电堆阵列结构连接。
3.根据权利要求1所述的红外传感器模组，其特征在于，还包括卡扣；所述红外传感器外壳通过所述卡扣与所述快门装置固定连接。
4.根据权利要求1所述的红外传感器模组，其特征在于，所述衬底层上刻蚀热结区空腔；所述衬底层为硅衬底层。
5.一种红外传感器模组制备方法，其特征在于，所述红外传感器模组制备方法用于制备权利要求1-4任意一项所述的红外传感器模组，所述红外传感器模组制备方法包括：
在衬底层上热氧化生长第一氧化硅层；
利用低压化学沉积法在所述第一氧化硅层上沉积多晶硅层；
对所述多晶硅层进行依次进行交替掺杂、刻蚀和多晶硅条腐蚀，得到刻蚀和腐蚀后的结构；
在所述刻蚀和腐蚀后的结构的表面利用化学气相沉积法沉积第二氧化硅层；
在所述第二氧化硅层上腐蚀引线孔；
在所述引线孔上溅射金属层，得到热电偶和金属引线结构；
利用化学气相沉积方法在所述热电偶和金属引线结构沉积掩膜，得到热电堆阵列结构；
将所述热电堆阵列结构置入红外传感器外壳的内部；
将ASIC芯片焊接在所述红外传感器外壳的外部；
将所述红外传感器外壳与开门装置固定连接，得到红外传感器模组。
6.根据权利要求5所述的红外传感器模组制备方法，其特征在于，所述热氧化生长的温度为900℃，所述热氧化生长的时间为15min。
7.根据权利要求5所述的红外传感器模组制备方法，其特征在于，所述交替掺杂使用的元素为硼和磷；硼的掺杂浓度为1014cm-3；磷的掺杂浓度为1017cm-3。
8.根据权利要求5所述的红外传感器模组制备方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为0.4μm；所述多晶硅层的厚度为0.55μm；所述第二氧化硅层、所述金属层和所述掩膜的厚度均为0.55μm。
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| CN202211568149.0A CN115574950A (zh) | 2022-12-08 | 2022-12-08 | 一种红外传感器模组及制备方法 |
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| US6348650B1 (en) * | 1999-03-24 | 2002-02-19 | Ishizuka Electronics Corporation | Thermopile infrared sensor and process for producing the same |
| CN102322961A (zh) * | 2011-07-27 | 2012-01-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种具有高占空比的微机械热电堆红外探测器及制作方法 |
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2022
- 2022-12-08 CN CN202211568149.0A patent/CN115574950A/zh active Pending
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| US6348650B1 (en) * | 1999-03-24 | 2002-02-19 | Ishizuka Electronics Corporation | Thermopile infrared sensor and process for producing the same |
| CN102322961A (zh) * | 2011-07-27 | 2012-01-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种具有高占空比的微机械热电堆红外探测器及制作方法 |
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