TWI510766B - 共享薄膜式熱電堆感測器陣列 - Google Patents

Description

共享薄膜式熱電堆感測器陣列 發明領域

本發明所揭露內容大致是關於熱電堆，且更特別是關於具有一共享式薄膜的熱電堆感測器陣列。

發明背景

熱電堆是一種通常被用作於非接觸式溫度測量的紅外線輻射(IR)偵測器。例如，熱電堆係用在耳溫計、臨近感測器、熱通量感測器及諸如此類者之中。熱電堆是由一串聯的電連接之熱電耦對所製成，各對熱電耦是由具有不同賽貝克(Seebeck)係數的不相似導電或半導電材料所製成。例如，N型多晶矽及P型多晶矽就常常被用在傳統的熱電堆中。

一般而言，各熱電耦的一端係放置成與一可操作來收集IR能量之薄膜相接觸，並且另外一端係放置在一支持基材上。所收集的IR能量建立一跨越熱電耦的溫度梯度，造成熱電耦經由賽貝克效應產生一輸出電壓。對於具有習知特性之熱電耦，輸出電壓可被轉換成一溫度值。

由於熱電耦之輸出電壓相當的小，一般都在幾個微伏特的範圍中，因此輸出電壓在轉換成溫度值之前必須經過放大。然而，放大可能會將誤差界限(margin of error)或雜訊導入測量結果中。因此，為了降低所導入誤差的量，會希望有較大的輸出電壓，因為較大的電壓需要較少的放大。為了達到如此，某些熱電堆會包括串聯連接的多數熱 電耦，以便產生較大的輸出電壓。

多數熱電堆可於一矽晶片上一起配置成一線以便形成一熱電堆陣列。這些熱電堆可用在例如臨近偵測器、溫度計、安全偵測器、監測器及諸如此類者之中。傳統熱電堆陣列使用一放置在矽晶片上的薄的SiN或SiO₂ 薄膜，且每熱電堆“像素”具有一薄膜。一形成在該陣列中每像素的個別薄膜之矽“冷”框架係環繞各個像素。在這些熱電堆陣列中，該等冷框架係緊密鄰近地配置至該感測器的“熱”(輻射吸收)接點，該熱接點限制薄膜的溫度上升，以及因其而造成的熱電堆的溫度上升。特別是，所吸收的IR輻射會加熱該熱接點，但此熱會非常快速地傳導或傳導一有限的量到矽冷框架。這會降低跨越各熱電堆所形成的溫度梯度之大小，而導致較低的熱電堆輸出電壓。特別是，沿著像素線中相鄰於先前及下一個像素的側邊上具有一冷框架的必要性，其會降低跨越各熱電堆所形成的溫度梯度之大小。這些溫度梯度的降低係非所欲的，其係由於輸出需要更大量的放大，因而導入更大的誤差界限或雜訊。

此外，沿著像素線中相鄰於先前及下一個像素的側邊上具有一冷框架的必要性，其會使用到珍貴的空間，而在該陣列中留下必須的“死"空間。這會導致失去收集輻射的機會，或是在光譜應用中，一起錯過頻譜特徵。

因此，一具有較高的熱感測度之緻密性熱電堆感測器並所欲的。

發明概要

本發明係揭露一用於監測輻射之熱電堆感測器陣列。該熱電堆感測器陣列可包括一半導體基材；一定位在該半導體基材上之共享式支持薄膜；複數個熱電堆，其係配置在該等共享式支持薄膜及半導體基材上，其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆的一的第一部分係與該共享式支持薄膜接觸，且其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆的一第二部分係與該半導體基材接觸；及一或更多個吸收體，其係熱耦接至該等複數個熱電堆之各熱電堆，其中該等複數個熱電堆之各熱電堆係可操作為回應自該一或更多個吸收體接收輻射來產生一電壓，該電壓對應至所接收輻射的量。

在某些例子中，該共享式支持薄膜可為一單一連續式薄膜。在其他的例子中，該熱電堆感測器陣列可只包括一個共享式支持薄膜。該共享式支持薄膜可包含氮化矽、二氧化矽、或有機塑膠。該共享式支持薄膜的厚度可介於0.1μm至5μm之間。

在某些例子中，一空腔可形成在該共享式支持薄膜下方，使得該共享式支持薄膜至少部分地覆蓋該空腔。

在某些例子中，各熱電堆可與一相鄰熱電堆分隔一小於12μm之距離。該熱電堆感測器陣列可包括8、16、32、64或更多個熱電堆。該熱電堆感測器陣列可包括該共享式支持薄膜之一邊緣與該等複數個熱電堆中任一熱電堆之間的距離，且該距離至少係100μm、150μm或200μm。

在某些例子中，該等複數個熱電堆可配置在一2x2陣 列、線陣列、或圓形陣列中。在其他的例子中，該等複數熱個電堆之各熱電堆包含複數熱電耦接腳，且其中該等複數個熱電堆之各熱電堆之熱電耦接腳係垂直地配置在該共享式支持薄膜上。

在另外的例子中，該熱電堆感測器陣列可包括一半導體基材；一共享式支持薄膜，其定位在該半導體基材上，其中該共享式支持薄膜包含一具有導熱度小於約30W/mK的材料；複數個熱電堆，其係以一實質平行之組態沿著該共享式支持薄膜及半導體基材之長度配置，其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆的一第一部分係與該共享式支持薄膜接觸，且其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆的一第二部分係與該半導體基材接觸；及一或更多個吸收體，其係熱耦接至該等複數個熱電堆之各熱電堆，其中該等複數個熱電堆之各熱電堆係可操作為回應自該一或更多個吸收體接收輻射來產生一電壓，該電壓對應至所接收輻射的量。

圖式簡單說明

第1圖係例式一示範性共享式薄膜熱電堆陣列之上視圖。

第2圖係例式一對於每一像素具有分隔的支持薄膜之示範性熱電堆陣列的熱圖(heat-map)。

第3圖係例式一示範性共享式支持薄膜熱電堆陣列的熱圖。

第4A至4C圖係例式具有不同尺寸之死空間的示範性共享式支持薄膜熱電堆陣列的熱圖。

較佳實施例之詳細說明

以下所呈之敘述係能夠使該領域中具有通常技藝者製造及使用各種實施例。特定裝置、技術及應用的敘述僅係提供來作為範例。針對本文中所述範例的各種修改對於該領域中具有通常技藝者是極其明顯的，並且本文中所界定的一般性原則可應用到其他範例及應用中而不背離各種實施例的精神及範疇。因此，各種實施例並非只限制在本文中所述及所示之範例，而是根據與申請專利範圍相符合之範疇。

第1圖係例示一示範性共享式薄膜熱電堆陣列100之上視圖。共享式薄膜熱電堆陣列100可形成在矽基材101上。共享式薄膜熱電堆陣列100可包括一共享式支持薄膜103，以對熱電堆提供結構支持。共享式支持薄膜103可包含一具有低導熱度之材料，例如小於大約30 W/mK、小於大約20 W/mK、小於大約15 W/mK或小於大約10 W/mK之導熱度。共享式支持薄膜103可包括，例如氮化矽、二氧化矽、有機塑膠或諸如此類者，且具有0.05μm至7μm範圍中的一厚度，例如大約0.1μm、大約2μm、大約3μm、大約4μm、大約5μm、或大約7μm。選擇此一材料會幫助限制藉由共享式支持薄膜103而導離熱電堆的熱量。此外，在某些實施例中，共享式支持薄膜103可懸浮在一空腔上方(未示出)用來提供共享式支持薄膜103與矽基材101之間的至少部分熱絕緣。共享式支持薄膜103，在某些實施例中，可為一連續式 薄膜。換言之，共享式支持薄膜103可包含一單一的大致上不間斷的薄膜材料片。

共享式薄膜熱電堆陣列100可進一步包括定位在共享式支持薄膜103上的一或更多熱電堆107。熱電堆107包括具有不同賽貝克(Seebeck)係數的一或更多對熱電耦接腳105。例如數對熱電耦接腳105可包括不相似導電或半導電材料，諸如N型多晶矽及P型多晶矽。各熱電耦接腳105的一端可放置成與共享式支持薄膜103相接觸以收集IR能量，同時另一端係放置在支持矽基材101上。所收集的IR能量建立一跨越該對熱電耦接腳105的溫度梯度，造成熱電耦經由賽貝克效應產生一輸出電壓。

為了增加藉由數對熱電耦接腳105建立的輸出電壓，數對熱電耦接腳105可以串聯電耦接。因此，熱電堆107可包括一或更多對的熱電耦接腳105。數對熱電耦接腳105可沿著共享式支持薄膜103的表面水平地配置，或如美國申請案第61/324,221號(其整體係併入本文中以作為參考)中所述可垂直地堆疊。雖然熱電堆107只顯示有四對熱電耦接腳105，但具有通常技藝者可瞭解熱電堆107可包括任何數目的熱電耦對。此外，其應能瞭解任何數目的熱電堆107皆可被使用。例如共享式薄膜熱電堆陣列100中可包括8、16、32、64或更多個熱電堆107。

此外，雖然熱電堆107只顯示呈平行配置，但也可能是其他的組態，諸如2x2陣列、1xN線陣列、2xN雙線陣列、圓形陣列，及諸如此類者。此外，雖然熱電堆107只顯示呈 平行配置且具有熱電耦接腳105之“冷”端在基材上方，但也可能是其他的組態，例如熱電堆107係配置成2x2方形陣列、3x3方形陣列、或更大的方形陣列。

共享式薄膜熱電堆陣列100可進一步包括定位在熱電堆107的一部分的上方或下方之一或更多個吸收體111。吸收體111可組配來吸收IR輻射並且可以任何熱吸收性材料製成，諸如碳黑、黑金、其他化合物或有機化合物或混合物，或諸如此類者。

在某些實施例中，共享式薄膜熱電堆陣列100可包括一單一吸收體111，其橫跨在陣列的長度及/或寬度以及定位在各熱電堆107上方，或者在其他實施例中，可包括多數吸收體111，其定位在所有熱電堆107之一子集合上方。又在其他實施例中，多數吸收體111可定位在各熱電堆107上方。吸收體111可配置成任何形狀，例如方形、矩形、三角形或諸如此類者。與吸收體111熱接觸之熱電耦接腳105的端部在此係指“熱接點”。與熱接點相對之熱電耦接腳105的端部在此係指“冷接點”。

一或更多熱電堆107可形成像素109，其係共享式薄膜熱電堆陣列100能夠測量IR能量的所在區域。更特別是，該等像素可藉由一或更多熱電堆107的熱接點所形成。例如，如第1圖所示者，各熱電堆107之熱接點係呈陰影來表示具有寬度115之分開的(在此圖例中為三角形)像素109。因此，為了增加共享式薄膜熱電堆陣列100的敏感度，希望可以將像素109定位成盡可能的靠近在一起以縮小像素之間的“死 空間”。藉由使用一單一共享式支持薄膜103，而非用於各像素109的個別薄膜，像素之間的空間可以縮小，因而增加共享式薄膜熱電堆陣列100的像素密度。另外，藉由使用一單一共享式支持薄膜103，而非用於各像素109的個別薄膜，位於各像素之間本應降低跨越各熱電堆所形成的溫度梯度的冷框架區段可被消除，因而增加共享式薄膜熱電堆陣列100的像素密度。然而，具有通常技藝者應能瞭解到降低像素之間的距離及移除各像素之間的這些冷框架區段可能導致“串擾(crosstalk)”的增加。串擾係指在一個像素處所接收的輻射會向外輻射而干擾相鄰像素所做的測量結果之現象。其係可能藉由小心地選擇像素尺寸、像素之間的距離、及其他幾何上的變化來將此串擾極小化。

在一項示範性實施例中，共享式薄膜熱電堆陣列100可具有大約4.5 mm之長度及大約0.58 mm之寬度113。此外，各熱電堆107可具有大約10μm之寬度及大約260μm之長度(像素的一半)。熱電堆107可與相鄰熱電堆107分隔一段距離，該距離係一單一熱電耦之寬度最小值加上熱電耦之間的間隙，例如10μm+2μm=12μm。吸收體111的寬度，且因此各像素115的寬度，可為大約70μm。雖然上述係提供特定的數值，但需瞭解其他的尺度可視所欲之應用而使用。舉例來說，使用單一共享式薄膜的其中一項益處在於熱電堆107之寬度可藉由增加每熱電堆之熱電耦對之數目來增加，而不用調整薄膜尺度。此外，可增加共享式薄膜熱電堆陣列100的長度來容許包括進更多的熱電堆107。在 某些例子中，熱電堆陣列100的長度可基於可加工性、應用、及成本限制而增加20%或更多。

除了改善矽基材101上的空間的使用外，使用單一共享式支持薄膜103會導致像素109處及各熱電堆之熱接點的較高溫度。像素109處的較高溫度及各熱電堆之熱接點會產生跨越數對熱電耦接腳105的較大溫度梯度，導致較大的輸出電壓。由於較大的輸出電壓需要較少的放大，使其可所欲地產生更精確的測量結果。

其之所以可能達到較高的溫度，係因像素109不再於所有四側上與“冷”矽基材101框架接壤，且在傳統熱電堆感測器陣列中也是一樣的情況。例如，第2圖顯示一示範性傳統熱電堆感測器陣列200之熱圖，該熱電堆感測器陣列200具有針對各熱電堆207的分離支持薄膜。熱電堆207的暗部區域代表較高的溫度，而明亮區域則代表較低的溫度。由於熱電堆感測器陣列200中的各熱電堆207係形成在實體上分離支持薄膜上，對應至吸收體像素209的熱接點會於四側(左、右、上及下側，如第2圖所示者)上被矽基材201之矽材料所包圍。由於相較支持薄膜的導熱度(例如小於大約10-30 W/mK)，矽材料具有較高的導熱度(例如大約148 W/mK)，及在截面為厚的，且相對於熱電堆207之熱接點係維持冷的，這樣的組態會降低薄膜的溫度上升，並因此降低吸收體像素209的溫度上升。這會導致像素209處的較低溫度、跨越熱電堆207的較小溫度梯度、由熱電堆207產生的較低輸出電壓，以及最終，較不精確的測量結果。

現在參照第3圖，其係顯示一示範性共享式薄膜熱電堆陣列100之熱圖。與第2圖之熱圖類似，熱電堆107的暗部區域代表較高的溫度，而明亮區域則代表較低的溫度。由第3圖可見，位於朝向共享式薄膜熱電堆陣列100之中心(第3圖的底部)的熱電堆107在其等之熱接點處具有比位於靠近陣列端部(第3圖的頂部)的熱電堆107具有更高的溫度。這是因為靠近陣列端部的熱電堆107係被定位在緊鄰於，或至少靠近由矽基材101所形成的冷矽端架116，因而限制這些位置的溫度上升。然而，靠近陣列中心的熱電堆107之熱接點，不會與冷矽框架接壤並因此容許上升至較高的溫度。如上所述，在熱接點處的較高溫度會導致跨越熱電堆107的較大溫度梯度，並因而產生更精確的IR測量結果。

將第2圖中所示之熱圖與第3圖中所示之熱圖相比較，可以看出由共享式薄膜熱電堆陣列100的熱電堆107之至少某些熱接點所得到的溫度係高於由熱電堆感測器陣列200的熱電堆207所得到的溫度。在某些例子中，跨越共享式薄膜熱電堆陣列100中之熱電堆所產生的溫度梯度可為熱電堆感測器陣列200中者的十倍或更大。

如上所述且如第3圖所示者，位於靠近冷矽端架116之熱電堆(例如標記為117之熱電堆)可能不會達到與靠近中心的熱電堆(例如標記為107者)一樣高的溫度。因此，在某些實施例中，共享式薄膜熱電堆陣列100的各端部與最外面的熱電堆117之間的距離可能會增加。換言之，“死”空間可有意地形成在共享式支持薄膜103之端部處，以提供矽基材 101的冷矽端架116與最外面的熱電堆117之間的額外熱絕緣。在某些實施例中，死空間可為大約50μm、大約75μm、大約100μm、大約150μm、大約200μm或更大。孰習此技藝者應知道如何基於共享式薄膜熱電堆陣列100之組態來選擇死空間的寬度。在某些例子中，其選擇係可基於極小化熱電堆117上的溫降與添加至矽基材101的浪費的空間量之間之平衡。

第4A至4C圖係例示當均勻的輻射量施加至各像素時，在共享式薄膜熱電堆陣列100上使用各種尺寸的死空間的效果。特別是，第4A圖例示一具有極少到沒有死空間的共享式薄膜熱電堆陣列100之熱圖。其係可以看出共享式薄膜熱電堆陣列100的靠近邊緣(圖式左側)的熱電堆117於其等之對應熱接點處，相比於朝向中心(圖式右側)的熱電堆，具有非常不同的溫度。視熱電堆的尺度而定，並非只有熱電堆117可顯示相較於中心熱電堆107不同的溫度。此係因最外面的熱電堆117或熱電堆118靠近冷矽端架116，而內熱電堆107則是藉由共享式支持薄膜103來接壤之關係。在這樣的組態中及在一個具有32像素的示範性實施例中，經模擬顯示其可產生855℃的總dT。

第4B圖顯示具有大約150μm之死空間401之共享式薄膜熱電堆陣列100的一個實施例之熱圖。在該圖式中可以看出，跨越熱電堆107、117及118之熱接點的溫度均勻度較大。此係因熱電堆117、118與由死空間401所提供的冷矽端架116之間的熱絕緣。在這樣的組態中及在一個具有32像素 的示範性實施例中，經模擬顯示其可產生905℃的總dT。這會對如第4A圖中所示具有極少到沒有死空間的共享式薄膜熱電堆陣列建立一趨近5.8%的效能增加。此外，熱接點至熱電堆117、118之冷框架的溫差可增加2倍。

第4C圖顯示具有大約200μm之死空間403之共享式薄膜熱電堆陣列100的另一實施例之熱圖。在該圖示中可以看出，靠近邊緣(圖式左側)的熱電堆117、118在其等之熱接點處，相比於朝向中心(圖式右側)的熱電堆，具有較高的溫度。在這個情況中，死空間中的裸露薄膜，相比於由熱電耦接腳覆蓋並增加其導熱度的薄膜，係可作為一較佳的熱絕緣體。在這樣的組態中及在一個具有32像素的示範性實施例中，經模擬顯示其可產生912℃的總dT。這會對如第4A圖中所示具有極少到沒有死空間的共享式薄膜熱電堆陣列100建立一趨近6.7%的效能增加。

共享式薄膜熱電堆陣列的各種組態係提供於上述例子中。雖然一特徵可能在有關的特定實施例中被敘述過，但該領域中熟習此技藝者應能認知所述實施例的各種特徵可被組合。另外，在有關的實施例中所述之面相也可為自足獨立。

100‧‧‧共享薄膜式熱電堆陣列

101‧‧‧矽基材

103‧‧‧共享式支持薄膜

105‧‧‧熱電耦接腳

107‧‧‧熱電堆

109‧‧‧像素

111‧‧‧吸收體

113‧‧‧寬度

115‧‧‧寬度

116‧‧‧冷矽端架

117‧‧‧熱電堆

118‧‧‧熱電堆

200‧‧‧熱電堆感測器陣列

207‧‧‧熱電堆

209‧‧‧像素

401‧‧‧死空間

403‧‧‧死空間

第1圖係例式一示範性共享式薄膜熱電堆陣列之上視圖。

第2圖係例式一對於每一像素具有分隔的支持薄膜之示範性熱電堆陣列的熱圖(heat-map)。

第3圖係例式一示範性共享式支持薄膜熱電堆陣列的熱圖。

第4A至4C圖係例式具有不同尺寸之死空間的示範性共享式支持薄膜熱電堆陣列的熱圖。

100‧‧‧共享薄膜式熱電堆陣列

101‧‧‧矽基材

103‧‧‧共享式支持薄膜

105‧‧‧熱電耦接腳

107‧‧‧熱電堆

109‧‧‧像素

111‧‧‧吸收體

113‧‧‧寬度

115‧‧‧寬度

116‧‧‧冷矽端架

Claims (27)

1. 一種用於監測輻射之熱電堆感測器陣列，該熱電堆感測器陣列包含：一半導體基材；一共享式支持薄膜，其係定位在該半導體基材上；複數個熱電堆，其係配置在該等共享式支持薄膜及半導體基材上，其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆的一第一部分係與該共享式支持薄膜接觸，且其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆的一第二部分係與該半導體基材接觸；及一或更多個吸收體，其係熱耦接至該等複數個熱電堆中之各熱電堆，其中該等複數個熱電堆中之每一個別熱電堆係可操作為回應自該一或更多個吸收體接收輻射來產生一分開、獨立的輸出電壓，且其中由每一個別熱電堆所產生的該分開、獨立的輸出電壓係對應至該每一個別熱電堆所接收的輻射量。
2. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜係一單一連續式薄膜。
3. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該熱電堆感測器陣列僅包含一個共享式支持薄膜。
4. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜包含一具有導熱度小於30W/mK的材料。
5. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜包含氮化矽、二氧化矽、或有機塑膠。
6. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜具有大約0.1μm至5μm之一厚度。
7. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中一空腔係形成在該半導體基材內，且其中該共享式支持薄膜係定位成至少部分地覆蓋該空腔。
8. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆係與一相鄰熱電堆分隔一小於12μm之距離。
9. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該等複數個熱電堆包含32或更多個熱電堆。
10. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該等複數個熱電堆包含64或更多個熱電堆。
11. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜之一邊緣與該等複數個熱電堆中的任一熱電堆之間的距離至少係100μm。
12. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜之一邊緣與該等複數個熱電堆中的任一熱電堆之間的距離至少係150μm。
13. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜之一邊緣與該等複數個熱電堆中的任一熱電堆之間的距離至少係200μm。
14. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該等複數個熱電堆係配置在一2x2陣列、線陣列、或圓形陣列中。
15. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆包含複數個熱電耦接腳，且其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆之該等複數個熱電耦接腳係垂直地配置在該共享式支持薄膜上。
16. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中與該半導體基材接觸的每個熱電堆亦與該共享式支持薄膜接觸。
17. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中該等複數個熱電堆中之每一熱電堆係與該等複數個熱電堆中之其他熱電堆電絕緣。
18. 如申請專利範圍第1項之熱電堆感測器陣列，其中只有一個吸收體與該等複數個熱電堆之每一熱電堆熱耦接。
19. 一種用於監測輻射之熱電堆感測器陣列，該熱電堆感測器陣列包含：一半導體基材；一共享式支持薄膜，其係定位在該半導體基材上，其中該共享式支持薄膜包含一具有導熱度小於30W/mK的材料；複數個熱電堆，其係以一實質平行之組態沿著該等共享式支持薄膜及半導體基材之長度配置，其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆的一第一部分係與該共享式支持薄膜接觸，且其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆的一第二部分係與該半導體基材接觸；及一或更多個吸收體，其係熱耦接至該等複數個熱電 堆中之各熱電堆，其中該等複數個熱電堆中之每一個別熱電堆係可操作為回應自該一或更多個吸收體接收輻射來產生一分開、獨立的輸出電壓，且其中由每一個別熱電堆所產生的該分開、獨立的輸出電壓係對應至該每一個別熱電堆所接收的輻射量。
20. 如申請專利範圍第19項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜具有大約0.1μm至5μm之一厚度。
21. 如申請專利範圍第19項之熱電堆感測器陣列，其中該等複數個熱電堆中之各熱電堆係與一相鄰熱電堆分隔一小於12μm之距離。
22. 如申請專利範圍第19項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜之一邊緣與該等複數個熱電堆中之任一熱電堆之間的距離至少係100μm。
23. 如申請專利範圍第19項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜之一邊緣與該等複數個熱電堆中之任一熱電堆之間的距離至少係150μm。
24. 如申請專利範圍第19項之熱電堆感測器陣列，其中該共享式支持薄膜之一邊緣與該等複數個熱電堆中之任一熱電堆之間的距離至少係200μm。
25. 如申請專利範圍第19項之熱電堆感測器陣列，其中與該半導體基材接觸的每個熱電堆亦與該共享式支持薄膜接觸。
26. 如申請專利範圍第19項之熱電堆感測器陣列，其中該等複數個熱電堆中之每一熱電堆係與該等複數個熱電 堆中之其他熱電堆電絕緣。
27. 如申請專利範圍第19項之熱電堆感測器陣列，其中只有一個吸收體與該等複數個熱電堆中之每一熱電堆熱耦接。