JPS5994023A - サ−モパイル - Google Patents
サ−モパイルInfo
- Publication number
- JPS5994023A JPS5994023A JP20489382A JP20489382A JPS5994023A JP S5994023 A JPS5994023 A JP S5994023A JP 20489382 A JP20489382 A JP 20489382A JP 20489382 A JP20489382 A JP 20489382A JP S5994023 A JPS5994023 A JP S5994023A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermocouple
- patterns
- sensitivity
- electrically insulating
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発り1は、赤外線検出器の一つとして知られているサ
ーモバイルに関する。
ーモバイルに関する。
周知のようにプ゛−モバイルは熱電対を多数直列に接続
して形成されている。従って、一対の熱電対に比べてサ
ーモバイルは電気的出力が大きく、感度が高いのが特長
である。ところで現在、より高感度のものが要求される
ところから、熱電対の数が増加される傾向にある。しか
しながら現行の丈−モバイルは、第1図に示すように熱
電対a。
して形成されている。従って、一対の熱電対に比べてサ
ーモバイルは電気的出力が大きく、感度が高いのが特長
である。ところで現在、より高感度のものが要求される
ところから、熱電対の数が増加される傾向にある。しか
しながら現行の丈−モバイルは、第1図に示すように熱
電対a。
b、c・・・を基板1上に平面的に並べた構造のもので
あるから、集光面積を変えずに熱電対の数を増加する忙
は限度があり、そのため単位面積当りの検出出力で与え
られる感度を向」ニするにも限界があるものである。
あるから、集光面積を変えずに熱電対の数を増加する忙
は限度があり、そのため単位面積当りの検出出力で与え
られる感度を向」ニするにも限界があるものである。
本発明はこのような点にあって、現行の限界を越えて感
度を向上することができる新規なサーモバイルを提供す
るものである。
度を向上することができる新規なサーモバイルを提供す
るものである。
而して木発り」に係るサーモバイルけ、電気絶縁性薄膜
を介在させて熱電対パターンを多層に形成し、各層の熱
電対パターンを直列に接続すると共に、最上層の熱電対
パターンの上に金属熱吸収膜を形成したことを要旨とす
る。
を介在させて熱電対パターンを多層に形成し、各層の熱
電対パターンを直列に接続すると共に、最上層の熱電対
パターンの上に金属熱吸収膜を形成したことを要旨とす
る。
以下に本発明の一実施例を第2図に基づき説明する。図
中11は基板、12はパターン支持#膜、13.14は
該パターン支持薄膜12の上に電気絶縁性R膜15を介
して多層(図示例では2層)に形成された熱電対パター
ンである。各熱電対パターン13.14は、異なった熱
電材料13a。
中11は基板、12はパターン支持#膜、13.14は
該パターン支持薄膜12の上に電気絶縁性R膜15を介
して多層(図示例では2層)に形成された熱電対パター
ンである。各熱電対パターン13.14は、異なった熱
電材料13a。
13b、14a、14bを接合したもので、シャドーマ
スク法、ホトリングラフ法と組合せた真空蒸着又はスパ
ッター法等で形成される。熱電対バターン13.14の
パターン形状は第1図に示したサーモパイルの一つの熱
電対aと同一のパターンとしてもよいが、シャドーマス
ク法或いはホトリソグラフ法により適宜の形状とするこ
とができる。各層の熱電対パターン13.14はその間
に介在された電気絶縁性薄膜15に形成したスルーホー
ル16によって電気的直列に接続されている。
スク法、ホトリングラフ法と組合せた真空蒸着又はスパ
ッター法等で形成される。熱電対バターン13.14の
パターン形状は第1図に示したサーモパイルの一つの熱
電対aと同一のパターンとしてもよいが、シャドーマス
ク法或いはホトリソグラフ法により適宜の形状とするこ
とができる。各層の熱電対パターン13.14はその間
に介在された電気絶縁性薄膜15に形成したスルーホー
ル16によって電気的直列に接続されている。
似し、スルーホールによらなくてもボンディング等によ
って電気的に直列接続することもi3T能である。電気
絶縁性薄膜15は熱容量が非常に小さく、熱伝達速度が
高いことが必要で、そのため非常に薄く形成する必要が
ある。だとえば510g300A程度のものが月Jいら
れる。
って電気的に直列接続することもi3T能である。電気
絶縁性薄膜15は熱容量が非常に小さく、熱伝達速度が
高いことが必要で、そのため非常に薄く形成する必要が
ある。だとえば510g300A程度のものが月Jいら
れる。
17は金親黒吸収膜で、最上層の熱電対パターン14の
上に電気絶縁性r1!I膜18を介して形成されている
。電気絶縁性薄膜18は中間の薄膜15と同様に非常に
薄く形成する必要がめる。
上に電気絶縁性r1!I膜18を介して形成されている
。電気絶縁性薄膜18は中間の薄膜15と同様に非常に
薄く形成する必要がめる。
上記構成によれば、入射した輻射光は金属黒吸収膜17
に吸収され熱に置換される。この熱は電気絶縁性#膜1
8.15を通じて速やかに各熱電対パターン13.14
に到達し、各パターンの高温接合部の温度を上昇させ、
熱起電力を生じる。
に吸収され熱に置換される。この熱は電気絶縁性#膜1
8.15を通じて速やかに各熱電対パターン13.14
に到達し、各パターンの高温接合部の温度を上昇させ、
熱起電力を生じる。
各層のパターンの熱起電力はスルーホール16を通じて
加算され、サーモパイル出力となる。従って、この出力
は、一層の場合に比べて約2倍となり、集光面積は変わ
らないから、1市度が約2倍となる。
加算され、サーモパイル出力となる。従って、この出力
は、一層の場合に比べて約2倍となり、集光面積は変わ
らないから、1市度が約2倍となる。
尚、実施例では各層に一対の熱電対パターンを形成して
いるが、各層に、第1図に示した多数対の熱電対パター
ンを形成することもできる。捷た、実施例では熱電対パ
ターンを2層しか形成していないが、3層以上多層に形
成することもできる。
いるが、各層に、第1図に示した多数対の熱電対パター
ンを形成することもできる。捷た、実施例では熱電対パ
ターンを2層しか形成していないが、3層以上多層に形
成することもできる。
その場合11−j:感度を更に高めることができる。
本発1]に係るサーモバイルは上記の如く熱電対パター
ンを多層に形成し、各層の熱電対パターンを直列に接続
することによって構成し次ので、現行のサーモバイルに
おける限界をこえて感度を凸めることができるという効
果がある。又、現行のサーモバイルであると、Ifk度
を高めるために熱電対パターンの集積密度を高める必要
があり、そのため非常に困難な製作技術が要求されるが
、本発明によれば、一層当りの熱電対パターンの集積密
度をあまり高めることなく増感することができるので、
加工性が良くなり、容易に製作できるという生産技術上
の効果も有する。
ンを多層に形成し、各層の熱電対パターンを直列に接続
することによって構成し次ので、現行のサーモバイルに
おける限界をこえて感度を凸めることができるという効
果がある。又、現行のサーモバイルであると、Ifk度
を高めるために熱電対パターンの集積密度を高める必要
があり、そのため非常に困難な製作技術が要求されるが
、本発明によれば、一層当りの熱電対パターンの集積密
度をあまり高めることなく増感することができるので、
加工性が良くなり、容易に製作できるという生産技術上
の効果も有する。
第1図は従来のサーモバイルの平面図、第2図は本発明
の一実施例としてのサーモバイルの断面図である。 13.14・・・熱電対パターン、15.18・・・電
気絶縁性薄膜、17・・・金風黒吸収膜。 第1図 ( 第2図 1
の一実施例としてのサーモバイルの断面図である。 13.14・・・熱電対パターン、15.18・・・電
気絶縁性薄膜、17・・・金風黒吸収膜。 第1図 ( 第2図 1
Claims (1)
- 電気絶縁性#膜を介在させて熱電対パターンを多層に形
成し、各層の熱電対パターンを直列に接続すると共に、
最上層の無電対パターンの上に金属熱吸収膜を形成して
なるサーモバイル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20489382A JPS5994023A (ja) | 1982-11-20 | 1982-11-20 | サ−モパイル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20489382A JPS5994023A (ja) | 1982-11-20 | 1982-11-20 | サ−モパイル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5994023A true JPS5994023A (ja) | 1984-05-30 |
Family
ID=16498137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20489382A Pending JPS5994023A (ja) | 1982-11-20 | 1982-11-20 | サ−モパイル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5994023A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59163526A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | New Japan Radio Co Ltd | サ−モパイル |
US6348650B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-02-19 | Ishizuka Electronics Corporation | Thermopile infrared sensor and process for producing the same |
-
1982
- 1982-11-20 JP JP20489382A patent/JPS5994023A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59163526A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | New Japan Radio Co Ltd | サ−モパイル |
US6348650B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-02-19 | Ishizuka Electronics Corporation | Thermopile infrared sensor and process for producing the same |
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