JP3836229B2 - 熱電堆型赤外線検知素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱電堆型の赤外線検知素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の熱電堆型赤外線検出素子の一例として、図5に示すようなものがある。検出素子には、大きく分けて量子型素子と熱型素子があるが、図5の例は熱型素子に属す。前記例は、温接点となる絶縁性薄膜上の中央部と外形の冷接点となるリム部に熱電堆の接合部を配置した一般的な構成の熱電堆型赤外線検知素子である。
【0003】
熱電堆型赤外線検出素子51は、半導体基板からなる冷接点58上に形成された絶縁性薄膜57上に第1の熱電堆材料薄膜52及び第2の熱電堆材料薄膜53からなる熱電堆の両端に電極54を設置することで構成される。温接点となる部分の絶縁性薄膜57の下部の半導体基板はアルカリ性のエッチング液で溶解、除去されて凹部59を形成している。また、図6の熱電堆型赤外線検知素子61は、図5で説明した前記例の2辺方向からの熱電堆配置を4辺方向から垂直に配置した型で、熱電対数を前記例の2倍程度に増やすことができるので、熱起電力を大幅に高めることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、赤外線検知素子には、量子型と熱型の2種類があり、量子型素子は感度が高く応答速度も速いが、冷却を必要とするので、冷却設備と良質の化合物半導体が要求され、コストが非常に高くなる。これに対し、熱型素子は、常温で作動するため、使用コストは大幅に低減される利点の反面、応答速度がやや遅く、感度も低いという欠点がある。
【0005】
しかしながら、数10msecから数100msecの応答速度でも十分な場合、熱型赤外線検出素子は利用価値が高いと言える。一般的に、熱型赤外線検知素子の中でも、温度変化による容量変化を利用する焦電型や温度変化による電気抵抗変化を利用するボロメータ型よりは、熱起電力を利用する熱電堆型の方が応答速度は優るので、熱電堆型赤外線検知素子で感度を高められれば非常に有用である。
【0006】
一般的に、熱電堆型赤外線検知素子の熱起電力Sは、次式で表される。
S=n・α・Rth・P ・・・・・(1)
n;熱電対対数、
α;n型とp型の両方を足し合わせたゼーベック係数
Rth;熱抵抗
P;入射エネルギー
この式から、熱起電力Sを大きくするには、熱電対数nを増加させること、ゼーベック係数αの大きい材料を選択すること、熱抵抗Rthを大きくすること、または、入射エネルギーPを大きくすることが考えられる。
【0007】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するため、本発明では、熱電対数を増加させることに主眼をおき、下記記載の方法を採用した。
【0008】
基板の一主平面上に形成された薄膜の直下の前記基板は数カ所に分かれて除去され複数の凹部を形成し、前記薄膜上には連続した熱電堆が配置されて複数の赤外線検出部が形成され、ひとつの赤外線検出素子となることを主旨とする。
【0009】
本発明によれば、従来ひとつの赤外線検出部に熱電堆が置かれていたものを複数個の検出部に分けたため、検出部を分離する基板が冷接点の働きをするので、直列に配置した熱電対の基本構成である温接点、冷接点の繰り返し回数が飛躍的に増大する。即ち、熱電対数が増加することになる。
【0010】
本発明の基本概念を図1に示す。赤外線検出部11は薄膜上には熱電堆を備え、前記赤外線検出部11となっている前記薄膜の直下は基板が除去されて凹部となっており、温接点の性質を備える。また、複数の赤外線検出部に分けている前記基板は冷接点となり、前記冷接点上で熱電堆材料を切り替えることができる。前記熱電堆は隣接する他の赤外線検出部の熱電堆と直列に接続されており、本例では4つの赤外線検出部でひとつの赤外線検出素子を形成している。
【0011】
【発明の実施の形態】
基板の一主平面上に形成された薄膜の直下の前記基板は数カ所に分かれて除去され複数の凹部を形成し、前記薄膜上には連続した熱電堆が配置されて複数の赤外線検出部が形成され、ひとつの赤外線検出素子となることを特徴とする赤外線検出素子。
【0012】
【実施例】
(実施例1)
以下、図2及び図3を用いて、本発明の第1の実施例を説明する。
【0013】
オリフラの面方位が(110)面であるシリコン半導体基板において、一主平面に絶縁性薄膜として、窒化シリコン膜21をプラズマCVDにより、2μmの厚みで成膜する。次に、前記窒化シリコン膜21上にスパッタリングにより、クロム及び金を500Åずつ成膜し、電極を形成するため、レジストをスピンコートにより塗布した後、電極用フォトマスクによりパターニングし、エッチング液にて所望のパターン形状を形成して、電極端子26、熱電堆引き出し電極24を形成する。従って、前記電極端子26、前記熱電堆引き出し電極24の構成はいずれもクロム/金の2層構造になっている。また、裏面も同様にクロム500Å/金1000Åの2層構造薄膜をスパッタリングにて形成しておく。
【0014】
さて、第1の熱電堆を形成するには、リフトオフ法を用いるので、第1の熱電堆用マスクにて、あらかじめ塗布されたネガレジストをパターニングし、抵抗加熱蒸着により第1の熱電堆として、アンチモンを1〜5μmの厚みになるように蒸着する。リフトオフにより、ネガレジストを剥離すれば、第1の熱電堆アンチモン22のパターンが形成される。
【0015】
次に第2の熱電堆パターンを形成するには、同じくリフトオフ法を用いるので、第2の熱電堆用マスクにて、あらかじめ塗布されたネガレジストをパターニングし、抵抗加熱蒸着により第2の熱電堆として、ビスマスを1〜5μmの厚みになるように蒸着する。リフトオフにより、ネガレジストを剥離すれば、第2の熱電堆ビスマス23のパターンが形成される。
【0016】
このときのアンチモンとビスマスの2種類の熱電堆パターンは、図5で説明した前記従来例と比較して、対数は約3倍に増えている。これは、本発明の熱電堆は、図5の前記従来例における同一材料の熱電対パターン途中で、別材料の熱電対に切り替わるため、線密度は同じでも熱電対数は約3倍に増えている。
【0017】
最後に、温接点となるダイヤフラムを形成する。前記熱電堆22及び23が成膜されている主平面とは反対側の面を、冷接点となる部分を除いて半導体部分を除去する。このとき、冷接点として残す部分にポジレジストを塗布、パターニングしておき、強アルカリ性エッチング液として30wt%水酸化カリウムを用い、80℃の条件にて、シリコン半導体基板の一部を所望の形状に除去、加工する。面方位が(110)面のシリコン半導体は、等方性エッチングされるので、下面側からほぼ垂直に、レジストでマスクされていない部分の前記シリコン半導体基板はエッチングされ、窒化シリコン膜21が露出したところで、エッチング速度は激減し、エッチングはほぼ終了した状態になる。窒化シリコン膜21が残り、ダイヤフラムとなって温接点の働きをする。このとき、連結された熱電堆の連結部は、冷接点28と温接点27上に交互に存在し、熱起電力を発生させる構造となっている。
【0018】
図3に、本発明の熱電堆型赤外線検出素子の下面から見た形状を示す。半導体基板は面方位が(110)面であるので、等方的にエッチングされる。即ち、ポジレジストでマスクされた部分を残して、水酸化カリウムに接している直角三角形の面積部はほぼ垂直に溶解、除去されていくので、図3のような下面形状となり、温接点37となるダイヤフラム状の窒化シリコン膜と冷接点38は形成される。
【0019】
図2に示すとおり、本発明の熱電堆型赤外線検知素子は、前記図5の従来例の素子の温接点を4分割した形になっており、前記図5の従来例では温接点となるべき中央部が本発明では対角線交差型冷接点になっているので、前記対角線交差型冷接点上で熱電対材料を交替すれば、約3倍の熱電対数を稼げる。
【0020】
(実施例2)
次に、図4を用いて本発明の第2の実施例を説明する。
【0021】
図4の実施例は、4辺方向から熱電堆を垂直に配置した型(図6参照)の熱電対集積度を更に高めた型である。
【0022】
オリフラの面方位が(110)面であるシリコン半導体基板において、一主平面に絶縁性薄膜として、窒化シリコン膜41をプラズマCVDにより、2μmの厚みで成膜する。次に、前記窒化シリコン膜41上にスパッタリングにより、クロム及び金を500Åずつ成膜し、電極を形成するため、レジストをスピンコートにより塗布した後、電極用フォトマスクによりパターニングし、エッチング液にて所望のパターン形状を形成して、熱電堆引き出し電極44、密着用下地膜45、電極端子46を形成する。従って、前記熱電堆引き出し電極44、前記密着用下地膜45、前記電極端子46の構成はいずれもクロム/金の2層構造になっている。また、裏面も同様にクロム500Å/金1000Åの2層構造薄膜をスパッタリングにて形成しておく。
【0023】
さて、第1の熱電堆を形成するには、リフトオフ法を用いるので、第1の熱電堆用マスクにて、あらかじめ塗布されたネガレジストをパターニングし、抵抗加熱蒸着により第1の熱電堆として、アンチモンを1〜5μmの厚みになるように蒸着する。リフトオフにより、ネガレジストを剥離すれば、第1の熱電堆アンチモン42のパターンが形成される。
【0024】
次に第2の熱電堆パターンを形成するには、同じくリフトオフ法を用いるので、第2の熱電堆用マスクにて、あらかじめ塗布されたネガレジストをパターニングし、抵抗加熱蒸着により第2の熱電堆として、ビスマスを1〜5μmの厚みになるように蒸着する。リフトオフにより、ネガレジストを剥離すれば、第2の熱電堆ビスマス43のパターンが形成される。本実施例では、アンチモン42とビスマス43の窒化シリコン膜41上の接続部での密着性を向上させるためにクロム/金膜からなる前記密着用下地膜45を介してアンチモン42とビスマス43は接続されている。
【0025】
このときのアンチモンとビスマスの2種類の熱電堆パターンは、図6で説明した前記従来例と比較して、対数は約2倍に増えている。これは、本発明の熱電堆は、図6の前記従来例における同一材料の熱電堆パターン途中で、別材料の熱電対に切り替わるため、線密度は同じでも熱電対数は約4倍に増えている。
【0026】
最後に、温接点となるダイヤフラムを形成する。前記熱電堆42及び43が成膜されている主平面とは反対側の面を、冷接点となる部分を除いて半導体部分を除去する。このとき、冷接点として残す部分にポジレジストを塗布、パターニングしておき、強アルカリ性エッチング液として30wt%水酸化カリウムを用い、80℃の条件にて、シリコン半導体基板の一部を所望の形状に除去、加工する。面方位が(110)面のシリコン半導体は、等方性エッチングされるので、下面側からほぼ垂直に、レジストでマスクされていない部分の前記シリコン半導体基板はエッチングされ、窒化シリコン膜41が露出したところで、エッチング速度は激減しエッチングはほぼ終了した状態になり、凹部49が形成されて、窒化シリコン膜41が残り、ダイヤフラムとなって温接点の働きをする。このとき、連結された熱電対の連結部は、冷接点48と温接点47上に交互に存在し、熱起電力を発生させる構造となっている。
【0027】
また、本実施例の下面構造も、図3と同様である。
【0028】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、実施例1に記載の本発明によれば、熱電堆型赤外線検知素子の熱電対数は同型寸法の従来型素子に対して約3倍に増幅できるので、熱起電力も約3倍の大きさになる。実際には、温接点と冷接点の温度勾配が前記従来型素子よりもやや小さくなるので、正確に3倍とはならないが、3倍に準ずる出力を確保することができる。
【0029】
実施例2に記載の本発明によれば、4辺各方向から熱電堆を配置するので、最も有効にダイヤフラム状になった温接点を活用することができ、最大数の熱電堆を確保することができる。また、密着性確保のための下地層があるので、リフトオフ時などに外部から応力が加わるが、それらの衝撃にも耐えることができ、アンチモン、ビスマスとも剥離することなく、非常に高い歩留まりが得られる。
【0030】
以上まとめると、コストのかかる冷却装置の要らない熱型赤外線検知素子は、低コストで常温使用のコンパクトな形状になることなどが、非常に有利な点であるが、感度が低く、応答速度が遅いことが欠点である。しかしながら、応答速度が数10msecから数100msecでも使用可能であれば、熱型赤外線検知素子でも感度次第で非常に有効な手段となる。本発明により、熱型赤外線検知素子の中でも、比較的応答速度が速い熱電堆型赤外線検知素子の外形寸法を変えることなく、熱電対数を倍増させることができるので、感度は高くなり、非常に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の概念を説明した複数の赤外線検出部を持つ赤外線検出素子の上面図と断面図である。
【図2】本発明の2辺から熱電堆を配置した熱電堆型赤外線検出素子の実施例の上面図とA−A'断面図である。
【図3】本発明の熱電堆型赤外線検出素子の実施例の下面図である。
【図4】本発明の4辺から熱電堆を配置した熱電堆型赤外線検出位素子の実施例の上面図とA−A'断面図である。
【図5】従来の2辺から熱電堆を配置した熱電堆型赤外線検出素子の例である。
【図6】従来の4辺から熱電堆を配置した熱電堆型赤外線検出素子の例である。
【符号の説明】
61 窒化シリコン膜
62 アンチモン
63 ビスマス
64 引き出し電極
65 密着用下地膜
66 電極端子
67 温接点
68 冷接点
69 凹部
Claims (4)
- 基板の一主平面上に形成された薄膜の直下の前記基板は数カ所に分かれて除去され複数の凹部を形成し、前記薄膜上には連続した熱電堆が配置されて複数の赤外線検出部が形成され、一体の赤外線検出素子を構成した熱電堆型赤外線検知素子において、前記基板は四角形状をなし、各辺に底辺を有する三角形状の凹部を形成してなることを特徴とする熱電堆型赤外線検知素子。
- 前記赤外線検出部は、前記基板の相対する二辺に平行に櫛歯状の複数の熱電堆を連続的に形成してなることを特徴とする請求項1に記載の熱電堆型赤外線検知素子。
- 前記赤外線検出部は、前記基板の各辺に垂直かつ三角形状の凹部に対応した櫛歯状の複数の熱電堆を連続的に形成してなることを特徴とする請求項1に記載の熱電堆型赤外線検知素子。
- 前記基板は半導体シリコン基板からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の熱電堆型赤外線検知素子。
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