JPH05126643A - 赤外線センサ - Google Patents
赤外線センサInfo
- Publication number
- JPH05126643A JPH05126643A JP3310187A JP31018791A JPH05126643A JP H05126643 A JPH05126643 A JP H05126643A JP 3310187 A JP3310187 A JP 3310187A JP 31018791 A JP31018791 A JP 31018791A JP H05126643 A JPH05126643 A JP H05126643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- cavity
- thermocouple
- infrared
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 22
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光部のダイヤフラム上の赤外線吸収層自体
の熱伝導による放熱および熱電対の冷接点近傍の温度上
昇をなくすることにより、赤外線照射によるダイヤフラ
ム上の温接点とダイヤフラムの外側の冷接点の温度差を
最大にし、熱電対の熱起電力を最大にする。 【構成】 受光部の第１の空洞３を覆って形成されたダ
イヤフラム４の外周部の上部およびダイヤフラム４の外
側のｐ型ポリシリコン５とｎ型ポリシリコン６の冷接点
Ｂの近傍上部に、第２の空洞１１を介して廂状絶縁膜９
および赤外線吸収層１０を順次形成することを特徴とし
たサーモパイル型赤外線センサ。
の熱伝導による放熱および熱電対の冷接点近傍の温度上
昇をなくすることにより、赤外線照射によるダイヤフラ
ム上の温接点とダイヤフラムの外側の冷接点の温度差を
最大にし、熱電対の熱起電力を最大にする。 【構成】 受光部の第１の空洞３を覆って形成されたダ
イヤフラム４の外周部の上部およびダイヤフラム４の外
側のｐ型ポリシリコン５とｎ型ポリシリコン６の冷接点
Ｂの近傍上部に、第２の空洞１１を介して廂状絶縁膜９
および赤外線吸収層１０を順次形成することを特徴とし
たサーモパイル型赤外線センサ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線センサに関し、特
にサーモパイル型赤外線センサの受光部に関する。
にサーモパイル型赤外線センサの受光部に関する。
【０００２】
【従来の技術】サーモパイル型赤外線センサの受光部の
単位画素は、図３に示すようにシリコン基板１の表面
に設けられた第１の空洞３の上に形成された酸化膜もし
くは窒化膜の薄膜からなるダイヤフラム４と、ｐ型ポ
リシリコン５とｎ型ポリシリコン６を対とする熱電対の
温接点Ａがダイヤフラム４の上に、冷接点Ｂがダイヤフ
ラム４の外側になるように直列に複数対配列されたサー
モパイルおよび温接点Ａの近傍のみカバー絶縁膜８を
介して積層された赤外吸収層１０とから構成されてい
る。（例えばアイイ−イ−イ−トランザクション オン
エレクトロン デバイシズ巻ＥＤ−３３ Ｎｏ．１ １
９８６年 ｐ．７２〜ｐ．７９）照射された赤外線のエ
ネルギーは、赤外線吸収層１０によって吸収され、ダイ
ヤフラムの温度上昇を引き起こしサーモパイルの両端に
熱電対の温接点Ａと冷接点Ｂの温度差に相当する熱起電
力Ｖthと直列配列された熱電対の対数Ｎとの積Ｖth×Ｎ
程度の総合熱起電力を発生させる。このサーモパイルの
両端に発生した総合熱起電力が１画素分の熱起電力とな
る。
単位画素は、図３に示すようにシリコン基板１の表面
に設けられた第１の空洞３の上に形成された酸化膜もし
くは窒化膜の薄膜からなるダイヤフラム４と、ｐ型ポ
リシリコン５とｎ型ポリシリコン６を対とする熱電対の
温接点Ａがダイヤフラム４の上に、冷接点Ｂがダイヤフ
ラム４の外側になるように直列に複数対配列されたサー
モパイルおよび温接点Ａの近傍のみカバー絶縁膜８を
介して積層された赤外吸収層１０とから構成されてい
る。（例えばアイイ−イ−イ−トランザクション オン
エレクトロン デバイシズ巻ＥＤ−３３ Ｎｏ．１ １
９８６年 ｐ．７２〜ｐ．７９）照射された赤外線のエ
ネルギーは、赤外線吸収層１０によって吸収され、ダイ
ヤフラムの温度上昇を引き起こしサーモパイルの両端に
熱電対の温接点Ａと冷接点Ｂの温度差に相当する熱起電
力Ｖthと直列配列された熱電対の対数Ｎとの積Ｖth×Ｎ
程度の総合熱起電力を発生させる。このサーモパイルの
両端に発生した総合熱起電力が１画素分の熱起電力とな
る。
【０００３】このような画素を２次元的に配列し、例え
ばＣＣＤ等の電荷転送機能素子とモノリシックに組合わ
せることによりサーモパイル型２次元赤外線センサが出
来上がる。
ばＣＣＤ等の電荷転送機能素子とモノリシックに組合わ
せることによりサーモパイル型２次元赤外線センサが出
来上がる。
【０００４】このセンサは化合物半導体を用いた量子型
センサあるいは焦電型センサに比べ、シリコンＩＣ技術
をそのまま利用できしかも出来上がったセンサを冷却せ
ずに使用できるという利点を有するものとして期待され
ている。
センサあるいは焦電型センサに比べ、シリコンＩＣ技術
をそのまま利用できしかも出来上がったセンサを冷却せ
ずに使用できるという利点を有するものとして期待され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】受光感度を最大限に向
上させるためには、赤外線吸収層１０の吸収率の最大の
材料を選ぶ必要がある。
上させるためには、赤外線吸収層１０の吸収率の最大の
材料を選ぶ必要がある。
【０００６】厚さ数μｍ以下の材料で波長１０μｍ帯の
赤外線の吸収率の最大のものは吸収率９０％以上を有す
る金黒である。これは低真空中で金を蒸着して得られ
る。（例えば「蒸着による金属黒体の形成」真空第１６
巻第５号（１９３７）ｐ．１６３〜ｐ．１６７）他の材
料では最大４０〜５０％である。ところがこの金黒は金
粒子がコロイド状になったもので非常にもろい構造をし
ているため既存のフォトレジスト技術を用いて微細パタ
ーンを形成することが不可能である。メタルマスクを用
いた金黒蒸着によっても数１００μｍ以上のパターンに
ついては可能であってもそれ以下の微細パターン化には
限度がある。
赤外線の吸収率の最大のものは吸収率９０％以上を有す
る金黒である。これは低真空中で金を蒸着して得られ
る。（例えば「蒸着による金属黒体の形成」真空第１６
巻第５号（１９３７）ｐ．１６３〜ｐ．１６７）他の材
料では最大４０〜５０％である。ところがこの金黒は金
粒子がコロイド状になったもので非常にもろい構造をし
ているため既存のフォトレジスト技術を用いて微細パタ
ーンを形成することが不可能である。メタルマスクを用
いた金黒蒸着によっても数１００μｍ以上のパターンに
ついては可能であってもそれ以下の微細パターン化には
限度がある。
【０００７】従って従来、例えば１００μｍ以下の小サ
イズ画素の赤外線吸収層として金黒を使用する場合図４
のように熱電体の冷接点Ｂ近傍も含め全面蒸着して使用
していた。
イズ画素の赤外線吸収層として金黒を使用する場合図４
のように熱電体の冷接点Ｂ近傍も含め全面蒸着して使用
していた。
【０００８】従って冷接点Ｂも赤外線吸収層１０に覆わ
れているため照射されたエネルギーの吸収による温度上
昇が幾分あり、また温接点Ａの近傍で吸収された熱も赤
外線吸収層１０自体を伝導して放熱されるため温接点と
冷接点の温度差が最大にならないという欠点があった。
金黒の高い赤外線吸収率という利点を最大限に活用する
には、冷接点Ｂの近傍およびダイヤフラムの外周部は金
黒が積層しないことが望ましい。
れているため照射されたエネルギーの吸収による温度上
昇が幾分あり、また温接点Ａの近傍で吸収された熱も赤
外線吸収層１０自体を伝導して放熱されるため温接点と
冷接点の温度差が最大にならないという欠点があった。
金黒の高い赤外線吸収率という利点を最大限に活用する
には、冷接点Ｂの近傍およびダイヤフラムの外周部は金
黒が積層しないことが望ましい。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のサーモパイル型
赤外線センサの受光部はダイヤフラム４の上に形成され
た熱電対の温接点近傍がカバー絶縁膜を介して赤外吸収
層により被覆されている他に、ダイヤフラム４の外周部
の上部およびダイヤフラムの外部に位置する熱電対の冷
接点の近傍の上部が第２の空洞を介して廂状絶縁膜とそ
の上の赤外吸収により覆われている。
赤外線センサの受光部はダイヤフラム４の上に形成され
た熱電対の温接点近傍がカバー絶縁膜を介して赤外吸収
層により被覆されている他に、ダイヤフラム４の外周部
の上部およびダイヤフラムの外部に位置する熱電対の冷
接点の近傍の上部が第２の空洞を介して廂状絶縁膜とそ
の上の赤外吸収により覆われている。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の一実施例のサーモパイル型
赤外線センサの受光部の断面図である。
赤外線センサの受光部の断面図である。
【００１２】シリコン基板１の表面に設けられたＳi Ｏ
2 等の絶縁膜２の上に、シリコン基板１の側への放熱を
遮断するための第１の空洞３を包み込む形で、窒化膜あ
るいは酸化膜等の絶縁膜からなるダイヤフラム４が形成
され、このダイヤフラム４の上を横切る様に熱電対の一
方の導電型であるｐ型ポリシリコン５と他方の導電型で
あるｎ型ポリシリコン６とが形成される。
2 等の絶縁膜２の上に、シリコン基板１の側への放熱を
遮断するための第１の空洞３を包み込む形で、窒化膜あ
るいは酸化膜等の絶縁膜からなるダイヤフラム４が形成
され、このダイヤフラム４の上を横切る様に熱電対の一
方の導電型であるｐ型ポリシリコン５と他方の導電型で
あるｎ型ポリシリコン６とが形成される。
【００１３】ダイヤフラム４の上の中央部には熱電対を
形成するｐ型ポリシリコン５とｎ型ポリシリコン６の先
端がアルミ７により電気的にオーミック接続するように
熱電対の温接点Ａが形成され、ダイヤフラム４の外側に
は熱電対の他の先端がアルミ７′と電気的にオーミック
接続された冷接点Ｂが形成され、熱起電力はアルミ７′
から取り出される。温接点Ａと冷接点Ｂの温度差に対す
る熱起電力の比であるゼーベック係数は、ｐ型ポリシリ
コンとｎ型ポリシリコンの不純物濃度が例えば２×１０
20ｃｍ-3のとき各々＋１８０μｖ／℃，−１６０μｖ／
℃と異符号であるためサーモパイルが複数の熱電対から
なる場合も各接点ごとに異なる導電型のポリシリコンど
おしがアルミで電気的にオーミック接続されるように直
列に熱電対が配列されることにより大きな熱起電力が得
られる。
形成するｐ型ポリシリコン５とｎ型ポリシリコン６の先
端がアルミ７により電気的にオーミック接続するように
熱電対の温接点Ａが形成され、ダイヤフラム４の外側に
は熱電対の他の先端がアルミ７′と電気的にオーミック
接続された冷接点Ｂが形成され、熱起電力はアルミ７′
から取り出される。温接点Ａと冷接点Ｂの温度差に対す
る熱起電力の比であるゼーベック係数は、ｐ型ポリシリ
コンとｎ型ポリシリコンの不純物濃度が例えば２×１０
20ｃｍ-3のとき各々＋１８０μｖ／℃，−１６０μｖ／
℃と異符号であるためサーモパイルが複数の熱電対から
なる場合も各接点ごとに異なる導電型のポリシリコンど
おしがアルミで電気的にオーミック接続されるように直
列に熱電対が配列されることにより大きな熱起電力が得
られる。
【００１４】温接点Ａの近傍上にはＳi Ｏ2 等のカバー
絶縁膜８を介して金黒からなる赤外線吸収層１０が低真
空蒸着により積層されているのは従来どおりだがダイヤ
フラム４の外周の上部および冷接点Ｂの近傍上部には新
たに第２の空洞１１を介してＳi Ｏ2 等の廂状絶縁膜９
と上記赤外線吸収層１０が順次形成されている。温接点
Ａの近傍は赤外線吸収層１０により、照射される赤外線
のエネルギーの９０％を吸収し、ダイヤフラム４の下方
向への放熱は第１の空洞３のためほとんど無視でき、ダ
イヤフラム４に沿った横方向の熱伝導による放熱もダイ
ヤフラム４の外周部に赤外吸収層がないため赤外吸収層
自体を伝導する分がなくなり最小限の放熱に抑えられ、
最大の温度上昇が得られる。
絶縁膜８を介して金黒からなる赤外線吸収層１０が低真
空蒸着により積層されているのは従来どおりだがダイヤ
フラム４の外周の上部および冷接点Ｂの近傍上部には新
たに第２の空洞１１を介してＳi Ｏ2 等の廂状絶縁膜９
と上記赤外線吸収層１０が順次形成されている。温接点
Ａの近傍は赤外線吸収層１０により、照射される赤外線
のエネルギーの９０％を吸収し、ダイヤフラム４の下方
向への放熱は第１の空洞３のためほとんど無視でき、ダ
イヤフラム４に沿った横方向の熱伝導による放熱もダイ
ヤフラム４の外周部に赤外吸収層がないため赤外吸収層
自体を伝導する分がなくなり最小限の放熱に抑えられ、
最大の温度上昇が得られる。
【００１５】一方、冷接点Ｂの近傍は第２の空洞１１お
よび廂状絶縁膜９と赤外吸収層１０によって遮断されて
いるため照射されるエネルギーの吸収が全くなく温度上
昇もない。
よび廂状絶縁膜９と赤外吸収層１０によって遮断されて
いるため照射されるエネルギーの吸収が全くなく温度上
昇もない。
【００１６】従って熱電対の温接点Ａと冷接点Ｂの温度
差は最大となり熱起電力を最大となる。
差は最大となり熱起電力を最大となる。
【００１７】実際に、膜厚２０００ÅのＳi Ｏ2 膜から
なる縦横８０μｍ×７０μｍの面積を有するダイヤフラ
ム４、膜厚２０００ÅのＳi Ｏ2 からなるカバー絶縁膜
８、各々の不純物２×１０20ｃｍ-3のｐ型ポリシリコン
５およびｎ型ポリシリコン６からなる膜厚８００Å幅２
μｍの熱電対１０対が直列に配列したサーモパイルの総
合熱起電力は、本発明による廂状絶縁膜９付きの場合入
射エネルギー密度０．１ｍＷ／ｃｍ2 に対し、６．６ｐ
Ｖであった。
なる縦横８０μｍ×７０μｍの面積を有するダイヤフラ
ム４、膜厚２０００ÅのＳi Ｏ2 からなるカバー絶縁膜
８、各々の不純物２×１０20ｃｍ-3のｐ型ポリシリコン
５およびｎ型ポリシリコン６からなる膜厚８００Å幅２
μｍの熱電対１０対が直列に配列したサーモパイルの総
合熱起電力は、本発明による廂状絶縁膜９付きの場合入
射エネルギー密度０．１ｍＷ／ｃｍ2 に対し、６．６ｐ
Ｖであった。
【００１８】これは同様の条件で廂状絶縁膜９がなく図
４のように金黒が全面蒸着された場合の５．１ｐＶに比
較し約３０％増であることが確認された。
４のように金黒が全面蒸着された場合の５．１ｐＶに比
較し約３０％増であることが確認された。
【００１９】本発明による図１のサーモパイル型赤外線
センサの受光部の構造は図２に示された製造工程によっ
て得られる。
センサの受光部の構造は図２に示された製造工程によっ
て得られる。
【００２０】即ち図２（ａ）のようにシリコン基板１の
上に形成したＣＶＤＳi Ｏ2 膜等の絶縁膜２の上にＣＶ
Ｄによる犠牲層ポリシリコン１２を厚さ約４０００Å成
長した後、フォトレジスト法により犠牲層ポリシリコン
１２のメサを形成し、その表面をＣＶＤ法によりＳi Ｏ
2膜２０００Åのダイヤフラム４に形成する。その後ポ
リシリコンをＣＶＤ法を用いて厚さ８００Åに成長させ
たと後、フォトレジスト法およびイオン注入法を用いて
熱電対となる幅２μｍ、不純物濃度２×１０20ｃｍ-3の
ｐ型ポリシリコン５およびｎ型ポリシリコン６を形成す
る。この熱電対の先端はスパッタ法とフォトレジスト法
を用いてアルミ７により連結される。
上に形成したＣＶＤＳi Ｏ2 膜等の絶縁膜２の上にＣＶ
Ｄによる犠牲層ポリシリコン１２を厚さ約４０００Å成
長した後、フォトレジスト法により犠牲層ポリシリコン
１２のメサを形成し、その表面をＣＶＤ法によりＳi Ｏ
2膜２０００Åのダイヤフラム４に形成する。その後ポ
リシリコンをＣＶＤ法を用いて厚さ８００Åに成長させ
たと後、フォトレジスト法およびイオン注入法を用いて
熱電対となる幅２μｍ、不純物濃度２×１０20ｃｍ-3の
ｐ型ポリシリコン５およびｎ型ポリシリコン６を形成す
る。この熱電対の先端はスパッタ法とフォトレジスト法
を用いてアルミ７により連結される。
【００２１】次いで図２（ｂ）のようにＣＶＤ法により
厚さ２０００ÅのＳi Ｏ2 等のカバー絶縁膜を成長さ
せ、フォトレジスト法を用いて必要な部分にはアルミ７
の露出したリードボンド用のパッド等を形成し、また犠
牲層ポリシリコン１２の上のダイヤフラム４には、外周
部の一部に下の犠牲層ポリシリコン１２をエッチングに
より除去するための５μｍのスルーホール１４をフォト
レジスト法およびドライエッチングで形成する。その後
更にスパッタ法により厚さ約５μｍの犠牲層アモルファ
スシリコン１３を堆積し、熱電対の温接点Ａ、冷接点Ｂ
を含む領域以外をフォトレジスト法とドライエッチング
法により除去する。次いで廂を形成するための厚さ４０
００ÅのＳi Ｏ2 膜９をＣＶＤ法により成長させたあ
と、フォトレジスト法およびエッチング法により温接点
Ａの近傍の上記Ｓi Ｏ2 膜９を除去する。
厚さ２０００ÅのＳi Ｏ2 等のカバー絶縁膜を成長さ
せ、フォトレジスト法を用いて必要な部分にはアルミ７
の露出したリードボンド用のパッド等を形成し、また犠
牲層ポリシリコン１２の上のダイヤフラム４には、外周
部の一部に下の犠牲層ポリシリコン１２をエッチングに
より除去するための５μｍのスルーホール１４をフォト
レジスト法およびドライエッチングで形成する。その後
更にスパッタ法により厚さ約５μｍの犠牲層アモルファ
スシリコン１３を堆積し、熱電対の温接点Ａ、冷接点Ｂ
を含む領域以外をフォトレジスト法とドライエッチング
法により除去する。次いで廂を形成するための厚さ４０
００ÅのＳi Ｏ2 膜９をＣＶＤ法により成長させたあ
と、フォトレジスト法およびエッチング法により温接点
Ａの近傍の上記Ｓi Ｏ2 膜９を除去する。
【００２２】最後に図２（ｃ）の如く、５０℃のヒドラ
ジン溶液中で約８時間エッチングしてアモルファスシリ
コン１３および前記スルーホール１４を通して犠牲層ポ
リシリコン１２を除去し、第１の空洞３および第２の空
洞１１を形成する。
ジン溶液中で約８時間エッチングしてアモルファスシリ
コン１３および前記スルーホール１４を通して犠牲層ポ
リシリコン１２を除去し、第１の空洞３および第２の空
洞１１を形成する。
【００２３】次いでＮ2 中１Ｔｏｒｒの低真空中で金黒
を約５μｍ蒸着すれば図１の構成が得られる。
を約５μｍ蒸着すれば図１の構成が得られる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によればサー
モパイル型赤外線センサの受光部のダイヤフラムの外周
部の上部およびダイヤフラムの外側の熱電対冷接点上部
に空洞を介して廂状絶縁膜および赤外線吸収層を順次形
成することにより、熱電対の温接点近傍からの赤外吸収
層自体を伝導する熱放散と冷接点の照射エネルギーの吸
収とを抑制できるため温接点と冷接点の温度差を最大に
できる。
モパイル型赤外線センサの受光部のダイヤフラムの外周
部の上部およびダイヤフラムの外側の熱電対冷接点上部
に空洞を介して廂状絶縁膜および赤外線吸収層を順次形
成することにより、熱電対の温接点近傍からの赤外吸収
層自体を伝導する熱放散と冷接点の照射エネルギーの吸
収とを抑制できるため温接点と冷接点の温度差を最大に
できる。
【図１】本発明によるサーモパイル型赤外線センサの受
光部断面図、
光部断面図、
【図２】本発明による赤外線センサの受光部の製造工程
を示す図、
を示す図、
【図３】従来のサーモパイル型赤外線センサの受光部断
面図を示す。
面図を示す。
【図４】従来のサーモパイル型赤外線センサの受光部断
面図を示す。
面図を示す。
１ シリコン基板 ２ 絶縁膜 ３ 第１の空洞 ４ ダイヤフラム ５ ｐ型ポリシリコン ６ ｎ型ポリシリコン ７ アルミ ７′ アルミ ８ カバー絶縁膜 ９ 廂状絶縁膜 １０ 赤外吸収層 １１ 第２の空洞 １２ 犠牲層ポリシリコン １３ 犠牲層アモルファスシリコン １４ スルーホール Ａ 温接点 Ｂ 冷接点
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の空洞上に設けたダイヤフラムの上
に温接点を有し該空洞外に冷接点を有する１つ以上の熱
電対からなるサーモパイルを受光部に配置したサーモパ
イル型赤外線センサの受光部において温接点近傍のダイ
ヤフラム及び熱電対が絶縁膜、赤外線吸収層によって順
次覆われ、かつ冷接点近傍が第２の空洞を介して廂状絶
縁膜及び赤外線吸収層により覆われていることを特徴と
する、サーモパイル型赤外線センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310187A JPH05126643A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310187A JPH05126643A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 赤外線センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05126643A true JPH05126643A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=18002226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3310187A Pending JPH05126643A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 赤外線センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05126643A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07134066A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | 赤外線センサとその製造方法 |
| JPH0815008A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Nec Corp | 熱型赤外線センサ |
| US6787387B2 (en) | 2002-06-24 | 2004-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device and method for fabricating the electronic device |
| JP2011191214A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | サーモパイル型赤外線センサおよびその製造方法 |
| JP2011191215A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | サーモパイル型赤外線センサおよびその製造方法 |
| JP2012108119A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-06-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | 電磁放射を検出するための装置 |
| KR20190096260A (ko) * | 2018-02-08 | 2019-08-19 | 한국전자통신연구원 | 적외선 센서 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3310187A patent/JPH05126643A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07134066A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | 赤外線センサとその製造方法 |
| JPH0815008A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Nec Corp | 熱型赤外線センサ |
| US6787387B2 (en) | 2002-06-24 | 2004-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device and method for fabricating the electronic device |
| JP2011191214A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | サーモパイル型赤外線センサおよびその製造方法 |
| JP2011191215A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | サーモパイル型赤外線センサおよびその製造方法 |
| JP2012108119A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-06-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | 電磁放射を検出するための装置 |
| KR20190096260A (ko) * | 2018-02-08 | 2019-08-19 | 한국전자통신연구원 | 적외선 센서 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3386830B2 (ja) | ボロメータ及び半導体基板上にボロメータ・セルを形成する方法並びにボロメータアレイで構成された赤外線検出アレイ | |
| US4558342A (en) | Thermoelectric infrared detector array | |
| JP2834202B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
| US6974953B2 (en) | Infrared sensor device and manufacturing method thereof | |
| JP3497797B2 (ja) | 赤外線センサの製造方法 | |
| EP0534768B1 (en) | Uncooled infrared detector and method for forming the same | |
| US5248884A (en) | Infrared detectors | |
| US6100525A (en) | Uncooled infrared detector | |
| JP2004317152A (ja) | 熱型赤外線検出器及び赤外線フォーカルプレーンアレイ | |
| JPH05126643A (ja) | 赤外線センサ | |
| US3760240A (en) | Light-sensitive semiconductor device | |
| US3980915A (en) | Metal-semiconductor diode infrared detector having semi-transparent electrode | |
| Dehe et al. | InGaAs/InP thermoelectric infrared sensor utilizing surface bulk micromachining technology | |
| EP0359207B1 (en) | Infrared detector having homojunction structure | |
| JP2541458B2 (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
| JP3311869B2 (ja) | 半導体光電変換素子およびこれを用いた撮像装置 | |
| JPH06137943A (ja) | 熱型赤外線センサ | |
| JP3396698B2 (ja) | 熱電変換装置 | |
| JP3385762B2 (ja) | 赤外線検知素子 | |
| JP2000164918A (ja) | ショットキー接合型半導体光検出素子 | |
| JP3235361B2 (ja) | 赤外線検知素子 | |
| Kimata et al. | A wide spectral band photodetector with PtSi/p-Si Schottky-barrier | |
| JP2503605B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| EP0345343A1 (en) | Method and apparatus for detecting infrared radiation | |
| JP7433533B1 (ja) | 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ |