TW471237B

TW471237B - Display apparatus and method for fabricating the same

Info

Publication number: TW471237B
Application number: TW089121749A
Authority: TW
Inventors: Jiro Yamada; Tatsuya Sasaoka; Mitsunobu Sekiya; Naoki Sano; Yasuhiro Chiba
Original assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-10-28
Filing date: 2000-10-18
Publication date: 2002-01-01
Also published as: KR20010051318A; JP2001195008A; JP3809758B2

Description

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1.發明領域本發明有關一種顯示裝置，包含各具有一個有機發光層之有機電致發光裝置，及此顯示裝置之製造方法。 2 ·相關技藝描述 ☆ 一種基於有機材料的電致發光之有機電致發光（下文簡 =$'裝置係具有一個含有一有機電洞運送層之有機層一個=設於一下電極與一上電極之間的有機發光層，並作為成以低壓直流電驅動作高耀度發光之發光裝置引了大幅注意。因，此有機EL裝置可具有！微秒或更快的反應速度，使有舰顯示裝置可由…簡見矩陣功率作業所驅動署 Ί見項問題：更需將大電流瞬間施加至有機EL f $ ’以回應像素數增加的趨勢，而可確在可能損宝梦丟沾J隹你LL·顯不衣置未來光強度。… 更兩功率運作狀況時，將具有足夠的發另方面’在主動矩陳作紫巾提供的—個伴持帝&即，f 因為可由對於各別像素為TFT)來維持訊號電塵，可依據訊;;；；；體(下文簡稱、J;作電流固定施加至有舰裝置：；個視框期間十月形不同，不需要瞬間士 1=1此與f矩陣作業之 EL裝置的損害。 "hiL，所以可降低對於有機顯示器）中在^用^此有機EL裝置的主動矩陣顯亍#胃/ ——基材上的各個像素^夂置（f即有舰

第6頁

节谷具有—個TFT，這些 471237 五、發明說明（2) 丁FT覆有一個層間絕緣膜，在該層間絕緣膜上進一& 有機EL裝置。各有機EL裝置包含：—個下電極，對於又各像素具有圖案以連接至TFT ; 一個有機層，用以覆蓋下電極；及一個上電極，用以覆蓋有機層。此主動矩陣顯示裝置中，上電極形成為覆蓋一個所謂毯㈣，並對於這些所㈣素料一個」= 極。在能作彩色顯示之顯示裝置中，有機層對於 : 的各色具有分別的圖案。 i t 在覆蓋住基材上的TFT的絕緣膜上方設有有祕裝置之此顯示裝置卻有下列姑點·告％一壯' 1另卜夕j缺點· §顯不裝置設計為傳輸型時，其中伙基材側可觀察到有機層發丨機EL裝置的開孔變窄。予肝便有上=2矩陣顯示裝置’ ’有利情形係預定採用所謂文稱為頂部發射型)，其中從基材的-個 =將先抽回以確保有紐裝置具枝夠開孔。種示裝置具有頂部發光型構造時下電極需由- 造：而上共同電極由-種透明材料製造 ^(]υ〇λ u ,, 電膜白知使用的氧化銦錫（I TO )及氧化銦鋅C I X0 )材料比今屬g女 > ^ ^ Λ Λ /Λ F"? ^ ^ ^ ^ 示性質嚴重變差，因J:f度而造成壓降，這可能造成顯的電壓t得不均句口==至顯示板上的&別有機el裝置小。 J 亚因為顯不板中心部份的發光強度減雖…可以洛發或濺擊構成譬如I了〇或Iχ〇等透明導電膜，

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、發明說明（3) ^，法難以產生具有良好品質的膜，且所獲得的膜容易具鬲電阻係數及低的光傳輸係數。因此在顯示裝置製程/中以濺擊形成透明導電膜，然而，濺擊比蒸氣沉積具^ I高的粒子能量沉積，所以進行沉積的上方表面更可能受損了因為有機EL裝置的基本結構係與一個無機半導體材& ^造之發光二極體相類似，施加在下方有機層上之此損害$造成漏電流，可能進一步導致產生不發光的像素（稱為C:死^ 素。

^為了避免產生此死像素，提議使上共同電極設有一個夠薄的金屬膜而具有足夠的光傳輸性。但此金屬膜可能難以避免因變薄而造成高的片電阻，並與透明導電膜的情形相似將在上共同電極中產生電壓梯度’造成壓降而使顯^性質明顯變差。上共同電極的變薄造成另一項問題：電極無法完全防止環境濕度或氧氣侵入有機層中’而使有機層加速劣化。發明概論

因此本發明之一目的係提供一種主動矩陣型顯示裝置，其可確保有機EL裝置具有具有足夠的發光強度並可具有改良的顯示性質。為了達成上述目的’本發明的第一型態有關一種具有多數像素的顯示裝置，其包含：一個第一電極，形成於一基材上；一個發光層，形成於第一電極上；及 —個第二電極，形成於發光層上，其中：

五、發明說明（4) 以一個凸肋分隔多的厚度且具有至少一連接至第二電極。因為具有導電材料線路，可成功抑制第種高電阻係數材料製足夠的發光強度。並部作為一個固定件，固定件及輔助線路保留像素面積。根據本發明的第裝置，包含：數的像素，該凸個導電材料，‘而肋具有比發光層更大 #導電材料層係電性的凸肋係對於第二電極的壓降，造時，各別像素且’凸肋亦對於 $不需要在各相這可節省每個相二電極作為一個輔助口此在第二電極由一的有機發光層可保持將有機層圖案化的| 鄰像素之間分別提供鄰像素之間的空間並 _型恶，提供一種具有多數像素的顯示一個場效電晶體，形、一第二電極及_第=^極了個基材上並具有一第一電極一個層間絕緣膜，开彡=认二一個下雷托^成於％效電晶體上；第一電極；° 、”二由層間絕緣膜上形成之一個開口連接至一：ί層’形成於下電極上並具有-發光層；及们上电極，形成於有機層上，豆中：的數的像素，…具有比有機層更大連=^ ^個導電材料；而該導電材料層係電性條主上電極。根據本發明第二型態之顯示裝置，顯示板上的所有像素、有機發光層可保持足夠的發光強度，同時藉由在每個相

第9頁 & 兒明（5) 鄰像素之間提俾節省以保留足夠的：专：：每個相鄰像素之間達成空間的 =部作為固定件、肋精於將有機層圖案化作為辅助電極。f可道岛=廉"，、員不板的整體平面之上電極之改良。動矩陣型顯示裝置的顯示性質根據本發明的第三型能，素的顯示裝置之方法，^含挺I、—種用於製造具有多數像一項在一第一電極上形成一 -項在多數像素中的相鄰像素=之步驟；材料的凸肋之步驟； ’、間形成一個具有一導電 ~項將一罩部置於凸肋上並在有更小厚度的-個發光層之步驟上形成比凸肋具 —項在發光層上及凸肋上二f外根據本發明的第四型態，提：極之步驟。素的顯示裝置之方法，包含·· 衣k 一個具有多數像 :，在一基材上形成一個場效體具有—第一電極、一第曰曰^步驟，場效電晶 —項在場效電晶體上形 ° 一弟二電極； —項形成對於層間絕緣膜的一個步驟； -項在層間絕緣膜上形成 =’· 的下電極之步驟； 1U，.二由開口連接至第—電木 —項在多數像素中的相鄰像料的凸肋之步驟； ” 3 >成一個具有導電和 —項將一罩部置於凸肋肋上亚在下電極上形成—個具有比 47123? 五、發明說明（6) 凸肋更薄的一發光層之有機層之步驟；及一項在有機層上形成一個上電極及一個保護層之步驟，保護層係由一種絕緣材料或一種導電材料所有機層保持不暴露於空氣。 D T使圖式簡單說明土 ”明之目前較佳實施例的下文描顯二知本發明的上述及其他目的、特徵及優點圖式奏部發明的-項實施例的-顯示襄复其申，汽伤的剖視圖；夏欠灸，圖2為說明根據本發明的實施奏部份的平面圖； Ί顯不衣复欠，至3C為說明圖!及2所示顯示芝圖為延續圖3C說明製程之剖視圖；、疋< :至5C為延續圖4說明製程. 延續圖5C說明製程之剖視圖 ::延續圖6說明製程之剖視圖；圖9為根據本發明另ϋί:;;:視圖；及部份的平面圖。U例的另一顯示一、、圖式坪細描述本發圖1為顯示根據本發 — 區域之示意剖視圖為：二的-顯不裝复之示意平面圖。圖！ Α為』不圖1的顯示裝t二、_ 圖1為沿圖2的線卜I之剖面圖的卞 \ &

II 第11頁 471237 五、發明說明（7) — 較接近下層側依序說明的示有機層11R、ug、11b 一個°上#/^/中’圖1現僅顯這些圖*的有機EL顯示裝置俜為_八5包極12及凸肋14。梦罟 > 直彳^、為一種主動矩陣型彩色顯干衣置，亦麥照其他的圖3A、3B、3C、4 /已.、.、不 7顯示其在製程之後的構造。 5C、6、首先如圖3 A所示，對於| ^ -個薄膜電晶體2。薄膜電曰個4Γ每個像素"a"製造 —個未圖示的掃、电日日祖2的一個閘電極3係連接至閘型表示，亦Γ ^ 。雖然此圖中的薄膜電晶體2以底置身ί r美1 / 個頂間型薄膜電晶體。對於顯示事 A河馬攸基材1相對側 4不衣 ’基材1不需限於由透明；::Ϊ之：發射型的情形而言基材1側觀察到發光之傳° ί於顯示裝置身為由明材料製造。 lj h死/而5 ，基材1需由一種透然後，在基材1上破螭）氧化矽基材料製:j氧化矽或譬如PSG (磷矽酸鹽電晶體2，其中磷矽“诂：：層間絕緣膜4，以覆蓋薄膜層間絕緣膜4隨後加工:右^係為含填的石夕氧化物。第- 後在第-層間絕緣膜4:=洞（未圖示）’ -個線路6隨電晶體2的—個來词/ M /成圖木，以經由導電洞與薄膜號線且譬如由紹戈鋁區作接觸。線路6可月於一個訊妙仏 Α鋁〜銅合金製造。 Λ、、、後，如圖3 B所示，在笛二層間絕緣膜7以覆罢—層間絕緣膜4上形成—個第加工設有導電洞8而；:’且隨後將第二層間絕緣膜7 因為覆蓋住圖案化轉抵達線路6。第二層間絕緣膜7 6而較佳由譬如聚醯亞胺膜等容易

471237 五、發明說明（8) 整平之一後續形成之一個有機層的濕曰朕7因為可望防止的發光強度，故較佳亦由且有j ，因而可保持所需製造。 I由具有小的吸水係數之一個材料膜 7上而對各別^ a有呈义L裝置9係形成於第二層間絕緣膜堆疊之-個下電極舰=含依此順序共同電極1 2。或1 B、及一個上具體而言首先如圖3C所示之下雷搞in在r二”二一 ”丨小，對每個像素，，a,’形成圖# 絕绫胺7张成於第二層間絕緣膜7上以經由第二層r 二 °電極或一個陰極電極，在頂發射型顯示裝置 ;F置：Ξ :1°由一種高反射性材料製造，但在傳輸型衣置中則由一種透明材料製造。

#二示示範性顯示裝置為頂發射型，其中使用下電極10 : 陽極電極。下電極1 〇由一種具有大的工作函數及大的光反射係數之導電材料製造，譬如鉻（Cr)、鐵（Fe)、始 (C〇)、鎳（Ni)、銅（Cu)、钽（Ta)、鎢（W) ' 鉑（Pt)、咬金 (Au) 〇、在頂發射型顯示裝置的情形中，使用下電極1 0作為一陰極笔極’下電極1 0由一個具有小的工作函數及大的光反射係數的導電材料製造，譬如鋁（A1)、銦（In)、鎂（Mg) -銀 (Ag)合金、鋰（Li)-氟（F)混合物或鋰（Li)_氧（0)化合物。在傳輸型顯示裝置的情形中，使用下電極1 〇作為一個

第13頁 471237 五、發明說明（9) 陽極電極，下雷搞1 n 係數之一種導電材：公、f大的工作函數及大的光傳輪裝置的情形中了0扉。在傳輸型顯示製造:有小的工作函數及大的光傳輸係數之一種導電材料緣覆如蓋圖住緣膜13 對絕緣膜U開啟的一個窗。，因二，二電辟極10係暴露於迭。因 ^ 、乡巴緣膜13譬如由氧化石夕製凸在ί緣膜13上，形成身為本發明的獨特組件之-個 14b相属構成肋14由一個絕緣材料層14a及一個導電材料層各像辛t 咬目且形成晶格圖案以分隔整個顯示區域上的辅ίΐ路°並使用上導電材料層⑽作為一個 m主目連接至隨後進行圖案化之上共同 %極12(〇月見圖1)。現在頌緣士士少i m ：：ΓΛΤΛ) 電材料⑽可由可單獨使用編使二: 〇鋁（A1)或鉻（Cr)等低電阻係數材料所製造。

第14頁 471237 五、發明說明（ίο) " ----- 後士第5 A、5 B、5 C圖所示，各發射顏色相對應之有機a 1 1 R 1 1 〇、1 1 B係對於各像素"a "連續形成於下電極1 〇上。具體而言，具有與像素各色相對應圖案排列的開口之一個金屬罩部2 0係放置於凸肋1 4上作為一個固定件，且各別的有機層11 R、11 G、11 B係在下電極1 〇上連續蒸發。形的有機層11R、11G、11B以完全覆蓋下電極1〇的暴 L 卩伤且員貝由一個有機電洞運送層、一個有機發光層、及一個選擇性有機電子運送層依情形需要而從下電極i 0 側以此順序堆疊形成，但圖中未顯示。下文描述各別有機層11R、11G、11B之製造程序的一項特定範例。 ' 首先如圖5A所示’金屬罩部2〇的位置可使其開口與負責發綠光的像素"a ”相對準’且輔以電阻加熱來蒸發有機材料。亦即，藉由m-MTD ΑΤΑ [4, 4’，4” -三（3-曱基-苯基胺）三苯胺](m-MTDA^ΓA[4,4，，4n-tris(3- πlethylphenyphenylamino)triphenylamine]) 之蒸發來形成2 5愛被米厚的一個電洞注射層，藉由以—ν p d 4_雙（ν — 1-苯基-Ν-笨胺）聯笨](a-NPD[4, 4 —bis(N—卜naphthyl — N-pheny lamino)bipheny 1 ])之蒸發來形成30毫微米厚的一個電洞運送層，並藉由A1 q 3 [三（8 -羥基喹啉）鋁（I I I)] (Alq3[tris(8-quinolinolato)aluminium(III)])之蒸發來形成亦作為一個電子運送層之5 〇毫微米厚的一個發光層。這二層係在一蒸發裝置的單一室内以連續方式蒸發。然後如圖5B所示，金屬罩部20的配置可使其開口與負責

第15頁 471237 五、發明說明（π) '^ 發藍光的像素"a"相對準，且輔以電阻加熱來蒸發有機材料。亦即，藉由m_MTDΑΤΑ之蒸發來形成丨8毫微米厚的一個電洞注射層，藉由譬如α _NPD之蒸發來形成3〇毫微米厚一個電洞運送層，並藉由洛銅靈（2,9-二曱基—4, 二笨、基-1，1〇 -菲羅啉）（Bathocuproine(2,9-dimethyl-4,7〜 diphenyl-1’ l〇 — phenanthr〇1 ine))之蒸發來形成亦作為— 個電洞阻擋層之丨4毫微米厚的一個發光層，及藉由A丨⑽之蒸發來形成譬如3 〇毫微米厚的一個發光層。這四層係 — 蒸發裝置的單一室内以連續方式蒸發。進一步如圖5C所示，金屬罩部20的配置可使其開口與負責發紅光的像素” a"相對準，且輔以電阻加熱來蒸發有機、材料。亦即，藉由m-MTDATA之蒸發來形成55毫微米厚的一個電洞注射層，藉由譬如a—NpD之蒸發來形成3()毫微米广的一個電洞運送層，並藉*BSB_BCN[2, 5一雙u — (n—曱气二基-N-苯胺）苯乙烯基丨苯二腈](BSB —bcn[2, 5 —本 {4-(N-methoxypheny-N-phenylamino)styryl}benzene- l’4-dic^rb0nitrile])之蒸發來形成一個發光層，及藉由 A lq3之蒸發來形成3〇毫微米厚的一個電子運。二係在一蒸發裝置的單一室内以連續方式蒸發。9 ° " 辛二开方匕成有機層11R、11G、UB之後'對於所有像一個上共同電極12以如圖6所示覆蓋顯示區域成上共同電極12 ’以覆蓋具有推拔狀側壁亚連接至包含凸肋14上部但由有機層111^、、ΠΒ及絕緣膜13與下電極1〇相隔離之導電材料層。

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471237 五、發明說明（12) ，用上共同電極1 2作為-個陽極f極或—個陰極電極， :顯？裝置設計為頂發射型時係由一種透明材料製造，、告田顯不I置由傳輪型設計時則由—種高反射係數材料製 H i Ϊ同電極12較佳由—種譬如蒸發或化學氣相沉積等下士: &八中具有夠小所沉積粒子的能量而足以避免對有機：1不t f。亦較佳在沉積裝置的相同室中自形成免有i展π'ρ〗、11Β的程序連續形成上共同電極12，以有祛層11 R、11 G、1丨Β因環境濕氣而劣化。具' 有作為I%·極電極的丁逮► h 1 η > 構造中，使用上i£ π下電木〇此種頂發射型顯示裝置有小Ui 作為一陰極電極。現較佳以具之—種透明材料形成上共同電極12,以供 =子有效率地射入有機層11R、11G、11B中，产言如氣相沉積等薄膜忐刑、土搂更仏U 了由該方法具有較小的金屬膜加以形成， -個金屬膜，該金屬膜链如為：：二共：電極12現設有更高）的Mg-Ag合金，可;，4:2輸係數（較佳為30%或成。了开/成14笔微米厚的Mg-Ag合金而達之另一方面陰極電極時反射係數之極2€ = #為1極電極時’上共同電極12作為陽 1電極，此情形中上共同電極12較佳由且m作為一％屬膜製造。草又仏由可用裔發法構成的一個金當顯示裝置為傳輸型且上共上共同電極m系由具有小二:，為- 種導電材料製造。當顯示褒置：：；及高光衣罝為傳輸型且上五'發明說明（13) 共同電極1 2作為一陽搞帝士工作函數及高光反射传;/之：二共同電極12由具有大的在如圖7所示之後，個導一 Λ二材/似一個薄金屬膜製成之透明^w或絕緣保護膜16係形成於在由譬如蒸發電極12上’保護膜16現的所沉積粒子能量而能；：：：成’其中具有夠小佳在沉積裝置的相同室ί 方層的不良影響。亦較形成保護膜16，而不使：1 =共同電極12的程序連續成保護膜16，同時防止有機12暴露於環境。因此形或濕氣而劣化。有機層11R、12G、11B因環境氧氣保護膜1 6係進一步預定阶μ # Π R，所以,員疋防止濕虱抵達有機層11 R、11 G、 1 β 所乂保σ又膜1 6需由一種攸、、蟲奋、办，未製造，且具有足夠厚产。告：」:度：透性及吸濕性材料〜幻♦度。§顯不裝置為頂發膜16需由一種可讓有機声nj? 、 ^ 保5又好料剩、土日卜f 層1R、11G、118所發光線通過之材枓衣以，且杈佳具有80%或更高的特別在此情形中，利用一鞴绍缕从上丨，』1宁默即，絕緣保護㈣直二；：：；料膜16，亦 / w a m田早一潯金屬膜盖上共同電極12上。《腰所構成之 » ； ί ί ί ί# ^ ^ ' 非日日糸石反化矽（α -S i C)、非曰条乳化石夕（α-SbA)、非晶系碳（a_c)。此等無機非_晶曰曰^ 緣材料由⑤無顆粒結才冓的紋路將造成：而= 構成優良的保護膜16。乳参透性而可在預定以非晶系氮切作為保護賴材料的情形中，以 471237

法構成2至3微米厚的保護膜，現較佳將薄膜成形溫度 = 溫度，以免因為有機層UR、UG、uB劣化而降 Λ 2嗜強度，且較佳亦在可盡量減少膜應力的條件之下形烕保4膜1 6，以免保護膜丨6剝離。在以一種導電材料製造保護膜16的情形中，可適當地使用種透明的導電材料，譬如I τ 〇或IX 〇。 ^在以此方式形成保護膜16之後，保護膜16上如圖1所示矛用-個紫外線固化樹脂層17選擇性固定一個玻璃基材 1 8 ’因此將顯示裝置加以光製。

在此方式製造的有機EL顯示裝置中，上共同電極丨2係與 ^:』不平面整體區域上方作為一個輔助線路之凸肋1 4相 ’故可抑制毯覆住顯示平面之上共同電極1 2的電壓梯又因此防止電壓降。這對於顯示平面中的各個像素"a" 所提供之有機EL裝置9成功地確保足夠的發光強度。

广特別在頂發射型顯示裝置中，上共同電極i 2若由—種可有機層UR、11G、UB所發光線通過之薄金屬膜製造 Y二片電阻將升高。但凸肋1 4的導電材料層1 4b對於上共同包極1 2作為一個輔助線路且可抑制顯示平面内的此上共 3包極1 2之電壓梯度’故可抑制顯示平面中心周圍處的電此構造可對於顯示平面内的各像素"^所提供的有機EL j置9具有足夠的發光強度，即使一種絕緣材料製造的保 =膜1 6直接形成於以一薄金屬膜製造的上共同電極丨2上時 ’、^ 可由音如洛發或化學氣相沉積等方法，其中具有夠

第19頁五、發明說明（15) 小的所沉積薄膜成形粒旦影響，故可避免損害有機層二^ 潯金屬膜製造的此上共同带 11Β，而形成以一膜16 ’這將防止產生漏：：緣材料製造的保護的不發光像素。 A 口此防止產生所謂"死像素，，

、11G、11^ $ :但作為輔助線路並對將有機層"R Β圖案化的罩部2 〇作兔同a 個相鄰像素"" U作為固疋件，所以不需要在每省每個相鄰像素定：f輔助線路，這可節將陣有機以顯示裝置的顯示性質。亦將節_ 1凸肋14)連接至高電阻係數的上共同電極12 有：二Π置的功，，並確保所需的顯示性質，這亦需的顯示性質，因為可抑制自上共同電極12 凸肋m有機層11R、11G、11B產生劣化。個雙層二禮緣材料14a及導電材料層14b堆疊成之- 固定S之古庵且由絕緣材料14&確保凸肋14具有足以作為 U，因此，可容易地構成需有特定高度之凸肋上材料層14b不會產生餘刻殘留。 1 4a 例中，雖以導電材料層1 4b堆疊在絕緣材料層雙層结槿W結構來描述凸肋14，凸肋14亦可包含另一種料i Hb上，，、中如圖8所示將絕緣材料層14a堆疊在導電材材二声，式'雖然未圖示，絕緣材料層表面可覆有一導電電材：層構Ϊ凸肋14可僅包含一個導電材料層。若僅由導曰成凸肋1 4，將可使所連接的凸肋1 4及上共同電

471237 五、發明說明（16) 極1 2降低電阻係數在凸月f，佳具有推拔狀側壁，當然的上共同電極12構係連接至有·裝置高水平位置J:;;:比有機層miG'UB位於更 1 1 G、1 1 B蒗發期門界^ R安凸肋1 4可對在此有機層ΠR ' 件。案用之金屬罩㈣作為—個固定圖9顯示根據本發明另一每之一顯示_區域之示意平面圖“例的一種有舰顯示裝置圖9所示的有機E L顯示於：凸肋14,具有一種雙層結：圖匕2::裝置之差異在餘部份則相同電材料層14b作為一辅助線路，其亦即在有機R顯示裝置，晶格狀設置導電材料層l4b，、:個相鄰像素"a11之間’以一個島狀圖案的一個絕 1晶格的每個交點處設置 μ i έ77 Λ4. μ τ叶層 1 4 a 〇 / ί.表材料層1 4a，確保可望 :曰4高度，其中絕緣材料/作為-個固定件之凸肋，覆盍住此絕緣材料層1 4 a，、側壁係形成推拔狀，使盍。、上共同電極12具有所需的覆亚且，在具有此構造的凸因為高電阻係數透明導電之有機EL顯示裝置中，至位於整體顯示平面上方二衣造的上共同電極1 2係連接 …、一輔助線路之導電材料層 14b，所以可抑制m — 因此，可確保顯示、平下品域内之上共同電極〗2的電壓降。有足夠的發光強度，的各別像素、，，之有機£L裝置料層14b之堆疊部份 4的絕緣材料層14a’及導電材之罩部作為—個固定件士於將有機層UR、11G、UB圖案化別提供固定件及辅助線路二ff?個相鄰像素之間分置相似，可改良頂發射：：上f實施例的有舰顯示裝性質。主動矩陣有機EL顯示裝置之顯示因為以絕緣材料；部份之高度，係容二：：預Π為固定件之凸肋“， 3 :此外，因為絕緣材料；Ua特：：士的此固定件部份構定咼度（因此需有特定曰 Ί -島狀圖f，需有特積。這可使得心材底料之間s又有一個較窄的圖 s i4b在母個相鄰像素” a” 顯示性質。木見度，而可擴大像素面積並改良 =然上述說明係針對導電圖-的絕緣材料層14a，所::二i4b及其上形成的島狀係二關由島狀絕緣材料層及導：=，，另-可能情形之凸肋14，。屯材料層在一部份重疊形成食已藉由具有某程产顯然可作多種變化及Ϊ改：型式來描述本發明，實施本菸日日因此瞭解可由ί»、+、、，„ 而不背離本發明的精神與範圍外的方式

Claims

1 . 一種顯示裝置，具有複數個像素，包含：一個第一電極，其形成於一個基材上； - 一個發光層，其形成於該第一電極上；及 · 一個第二電極，其形成於該發光層上’其中：利用一個比該發光層更厚且至少具有一個導電材料之 -凸肋來分隔該等多數像素；及該導電材料係電性連接至該第二電極。 2 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該凸肋額外具有一個絕緣材料層。 3 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該凸肋具有一個台面型剖面，使其寬度朝該基材變寬。 0 4. 如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該凸肋具有一個台面型剖面，使其寬度朝該基材變寬。 5 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，進一步包含：一保護膜，其由一絕緣材料或一導電材料製成且形成於該第二電極上；及一第二基材，其堆疊在該保護膜上。 - 6.如申請專利範圍第5項之顯示裝置，進一步包含一光固化樹脂層，其設置於該保護膜及該第二基材之間。 ’ 7 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中一個絕緣膜形成於該凸肋下方。 8 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該凸肋形成 # 一島狀。 9.如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該凸肋形成

O:\66\66172.ptc 第1頁 2001.11.12.024 471237 _案號89121749 你年< f月日修正_一 . 六、申請專利範圍一島狀。 1 0.如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第二電極 ^ 一體形成於該等複數個像素的上方。 ♦ 1 1 .如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第二電極及該導電材料分別由不同材料製成。 - 1 2.如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第一電極具有比該第二電極更高的光反射係數。 1 3. —種具有複數個像素之顯示裝置，包含：一場效電晶體，其形成於一個基材上並具有一第一電極、一第二電極及一第三電極；一層間絕緣膜，其形成於該場效電晶體上；一下電極，其經由穿過該層間絕緣膜所形成之一個開口而連接至該第一電極；一有機層，其形成於該下電極上並具有一個發光層 ;及一上電極，其形成於該有機層上，其中：以一個凸肋分隔該等複數個的像素，該凸肋具有比 -該有機層更大的厚度且具有至少一個導電材料；及該導電材料層係電性連接至該上電極。 ’ 1 4.如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中該凸肋額外具有一個絕緣材料層。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中該凸肋具有一個台面型剖面，使其寬度朝該基材變寬。 16.如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中該凸肋具

O:\66\66172.ptc 第2頁 2001.11.12.025 471237 _案號89121749_ft年11月日修正_；六、申請專利範圍有一個台面型剖面，使其寬度朝該基材變寬。 1 7.如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，進一步包含：一保護膜’其由一絕緣材料或一導電材料製成且形成於該弟二電極上，及一透明基材，其堆疊在該保護膜上。 18.如申請專利範圍第17項之顯示裝置，進一步包含一光固化樹脂層，其設置於該保護膜及該透明基材之間。 1 9.如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中一個絕緣膜形成於該凸肋下方。 2 0 .如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中該凸肋形成一島狀。 21.如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中該凸肋形成一島狀。 2 2 .如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中該上電極一體形成於該等複數個像素的上方。 2 3.如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中該上電極及該導電材料分別由不同的材料製成。 2 4.如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中該下電極具有比該上電極更高的光反射係數。 2 5.如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中該有機層具有一用於運送電子之電子運送層及一用於運送電洞之電洞運送層。 2 6,如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中該場效電晶體為一個底閘型場效電晶體。

O:\66\66172.ptc 第3頁 2001.11.12.026 471237 案號 89121749 β年I丨月ίΓ日修正六、申請專利範圍 27·如申請專利範圍第13項之顯示裝置，其中該凸肋大略位於該開口上方。 28· —種用於製造具有複數個像素的顯示裝置之方法，包含：一在一個基材上形成一第一電極之步驟；一在該等多數像素中的相鄰像素之間形成一具有一導電材料的凸肋之步驟；一將一罩部置於該凸肋上並在該第一電極上形成比該凸肋更薄的一個發光層之步驟；及一在該發光層上及該凸肋上形成一第二電極之步驟。 2 9.如申請專利範圍第2 8項之顯示裝置製造方法，其中該凸肋係由一絕緣材料及一導電材料所製成。 3 0.如申請專利範圍第2 8項之顯示裝置製造方法，其中該凸肋具有一個台面型剖面，使其寬度朝該基材變寬。 3 1 .如申請專利範圍第2 9項之顯示裝置製造方法，其中該凸肋具有一個台面型剖面，使其寬度朝該基材變寬。 3 2 .如申請專利範圍第2 8項之顯示裝置製造方法，進一步包含：一在該第二電極上形成由一絕緣材料或一導電材料製成的一個保護膜之步騍；及一利用一光固化樹脂在該保護膜上黏著一第二基材之步驟。 33.如申請專利範圍第28項之顯示裝置製造方法，進一步包含將一絕緣膜形成於該凸肋下方之一步驟。

O:\66\66172.ptc 第4頁 2001.11.12. 027 471237 _案號89121749_fo年U月日修正_^ 六、申請專利範圍 34.如申請專利範圍第28項之顯示裝置製造方法，其中該凸肋係在該構成凸肋步驟中形成一島狀。 3 5 .如申請專利範圍第2 8項之顯示裝置製造方法，其中該第二電極及該導電材料層分別由不同的材料製成。 36. 如申請專利範圍第28項之顯示裝置製造方法，其中該第一電極具有比該第二電極更南的光反射係數。 37. —種具有複數個像素的顯示裝置之製造方法，包含在成形上材基驟步之晶電效場個效場該極 1 第一有具體晶電第及極電極電三第 ; 該驟至步接之；連膜驟口緣步開絕之該間口由層開經個一個一的一成膜成形緣形上絕上體間膜晶層緣電該絕效於間場對層該成該在形在第下的極 ^H 之多等該在數凸的料材電導之將置 βρ 戈口罩素—該有具個 1 成形間之素像鄰相的驟t驟個一成形上極電下該在並上肋凸，用士V 驟Η - 同及步，之- 層造驟ί製牛^ 層電，及機¾導有Μ種之上一層或發彡材 :,緣治邑 ¥層纟薄$種更-一有肋1由 -V5 rL在係該一層比護有保具該該. 使8 以層機有專請中如肋-凸9 3 該由係持彳緣不圍材氣空於露第項及導專請申如第圍項之之中其法方造製置裝示顯成製所料材電中其法方造製置裝示顯 O:\66\66172.ptc 第5頁 2001.11.12. 028 471237 和年丨丨月（Γ日 _ 案號 89121749 六、申請專利範圍該凸肋具有一個台面型剖面，使其寬度朝該基材變寬。 40. 如申請專利範圍第38項之顯示裝置製造方法，其中該凸肋具有一個台面型剖面，使其寬度朝該基材變寬。 41. 如申請專利範圍第37項之顯示裝置製造方法，進一步包含利用一光固化樹脂在該保護膜上黏著一個第二基材之一步驟。 4 2 ·如申請專利範圍第3 7項之顯示裝置製造方法，進一步包含將一個絕緣膜形成於該凸肋下方之一步驟。 4 3.如申請專利範圍第3 7項之顯示裝置製造方法，其中該凸肋係在該構成凸肋步驟中形成一島狀。 4 4 .如申請專利範圍第3 7項之顯示裝置製造方法，其中該上電極及該導電材料層分別由不同的材料製成。 4 5.如申請專利範圍第3 7項之顯示裝置製造方法，其中該下電極具有比該上電極更局的光反射係數。

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