TW459010B

TW459010B - Cross-linker for photoresist, and photoresist composition comprising the same

Info

Publication number: TW459010B
Application number: TW088120825A
Authority: TW
Inventors: Jae-Chang Jung; Keun-Kyu Kong; Myoung-Soo Kim; Hyoung-Gi Kim; Hyeong-Soo Kim
Original assignee: Hyundai Electronics Ind
Priority date: 1998-11-27
Filing date: 1999-11-26
Publication date: 2001-10-11
Also published as: CN1163796C; JP4127941B2; ITTO991042A1; DE19956531A1; GB2344104B; IT1308659B1; FR2786491A1; JP2000181064A; NL1013685C2; US6368773B1; GB2344104A; CN1255652A; NL1013685A1; FR2786491B1; GB9927637D0; ITTO991042A0

Description

A7 五、發明説明（/) 發明領域本發明係有關適合用於光阻劑組成物中之交聯劑（交 (請先閣讀背面之注意事項再一本頁) 聯劑），其聚合物，及含其之光阻劑組成物。更特定言之，本發明係有關用於光阻劑中之交聯劑，該光阻劑係適合使用KrF ( 248奈米），ArF(193奈米），E-束，離子束或 EUV光源之光微影成像法所用者。其係用以製備高積體半導體元件的微電路者；及有關採用該交聯之光阻劑組成物〇發明背暑最近，化學擴大型DUV(深紫外光)光阻劑業經證明可於半導體製造中在製備微電路所用方法中達到高敏感性。彼等光阻劑係經由將光酸產生劑(photoacid generator)與具有酸不安定性構造的聚合物基質巨分子摻合而製備成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製根據彼等光阻劑的反應機制，該光酸產生劑在受到光源的照射時會產生酸，而該聚合的基質巨分子所含主鏈或枝鏈會與所產生的酸交聯形成交聯構造。如此，暴露到光源的部份不會被顯像溶液所溶解而保留未改變，由是產生光罩在基材上的負影像。於石版印刷術程序中，解析率 (Vesohmon)係與光源所具波長有關-波長愈短，可形成的圖樣愈小。不過，在將光源的波長減小以期形成微圖樣〔例如，在使用193奈米波長或EUV(極紫外)光〕之時，會有不利之處亦即曝光裝置的透鏡會被光源所變形因而減短其壽命。三聚氣胺(melamice)--種習用的交聯劑一具有有限數本紙張尺度適用中國國家揉準（0^)六4規格（210父297公釐> Λ59〇^ 0 Α7 Β7 五、發明説明（>) (請先閲讀背面之注意事項再一,,.,¾本頁) 目（三個）可與酸形成交聯鍵結之官能基。再者，在使用三聚氰胺作爲交聯劑時，因爲酸會被交聯反應所消耗’所以必須產生大量的酸。其結果爲對於彼等交聯劑需要使用高能量光之曝光β 爲了克服上述缺點，宜於採用可與光阻劑樹脂交聯且. 使用較低量的能量之化學擴大型化合物’不過’彼等化學擴大型交聯劑至今尙未被開發出。再者，於高積體率圖樣中，顯像溶液可能浸透劑經交聯的部位內而使該經交聯部位膨脹起來°因此’爲了形成較高積體率之圖樣，需要摻加可更精緻地實施交聯之新穎交聯劑。圖丨顯示出一種光阻圖樣其係經由使用包括一習用交聯劑的光阻劑組成的所形成的U.Photopolymer Science and Technology, Vol.11, No.3，1998，507-512)。該圖樣係以採用 ArF光源的影印石版術和單體型交聯劑所製得之0.225微米 L/S圖樣。如從圖1可看出者，於傳統光阻劑圖樣中有發生膨脹現象，使得難以得到小於0.225微米L/S之圖樣。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製發明槪述本發明的目的提供一種光阻劑交聯劑，及其製備方法〇本發明的另一項目的爲提供一種光阻劑組成物，其包括該交聯劑，及一種製備該組成物的方法。本發明的又另一項目的爲提供一種經由使用該光阻劑 5 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS〉A4規格（2[〇x297公釐） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（3 ) 組成物製造之半導體元件。爲了達到這些目的’本發明提供一種交聯劑單體’其包括一種由下面化學式1所表示之化合物。 <化學式1> R3 I CH2 = C 人 0 0 I I Ri R2 其中，Ri與R2個別表示直鏈或枝鏈Cm。烷基’直鏈或枝鏈 Cm。酯，直鏈或枝鏈CiM酮，直鏈或枝鏈Cwo羧酸，直鏈或枝鏈Ch。縮醛，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cm。烷基，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cw。酯，包括至少 —個羥基之直鏈或枝鏈Ch。酮’包括至少一個羥基直鏈或枝鏈之Cm。羧酸，及包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈（：_ 縮醒；及Rj表示氫或甲基。爲了達到本發明另一目的’乃提出一種光阻劑組成物，其包括⑴一光阻劑聚合物，⑴)上述光阻劑交聯劑，（iii) 光酸產生劑及(W)有機溶劑。圖..式之簡略說明圖1顯示經由使用傳統交聯劑製得之光阻圖案。圖2至圖12顯示出使用根據本發明的交聯劑製得之光阻圖案。發明之詳細說曰月本案發明人業已實施徹底的硏究以達成上文所述本發本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再!本頁) -裝. 訂線

A A7 B7 五、發明説明（γ) 明諸目的，且發現以下面化學式1所表示的化合物具有恰當性質以在負光阻劑聚合物的形成中作爲交聯單體。 <化學式1> R3

I

CHj = C 於該式中，:^與R2個別表示直鏈或枝鏈Cw。烷基，直鏈或枝鏈Cm。酯，直鏈或枝鏈Cm。酮，直鏈或枝鏈。羧酸，直鏈或枝鏈Cm。縮醛，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈 Cwo烷基，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cm。酯，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Ci.i。酮，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Chm羧酸，及包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈 Cl-ι。縮醒；及R3表示氫或甲基。具有從化學式1化合物衍生出的重複單位之交聯劑聚合物可在酸存在下與具有羥基的光阻劑樹脂反應，以在光阻劑聚合物之間誘發交聯反應。該化合物爲一種化學擴大型交聯劑，因而可再與光阻劑樹脂組合產生酸(H+)而誘導出連續的鏈型交聯反應。因此，在半導體製造方法的後一烘烤步驟之過程中，光阻劑樹脂的曝光部份可被硬化到高密度，藉以獲得一優異的圖案。根據本發明的光阻劑交聯劑可爲化學式1所表示之化* 合物的同元聚合物；不過，更佳爲該交聯劑爲一種包括： ⑴化學式1所表示的化合物及(ii)一或多種選自包括：丙燦酸、甲基丙烯酸與順丁烯二酸酐之化合物的共聚物°於此 7 _ 本紙張尺度逋用中國固家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） ^^^1- ^^^1 ^—41— nn ^^^1 —^ϋ n (請先閲讀背面之注意事項再1,.¾本頁) 訂· 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五'發明説明（f) 情況中’根據本發明的交聯劑可以下面化學式2或化學式 3表示： <化學式2>

其中，1與R2個別表示直鏈或枝鏈烷基，直鏈或枝鏈 Cm。酯，直鏈或枝鏈Cm。酮，直鏈或枝鏈Cu。羧酸，直鏈或枝鏈G.U)縮醛，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Ct.u»烷基，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cm。酯，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Ο.,。酮，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cm。羧酸，及包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈縮醛：且R;和R4個別表示氫或甲基；且a : b=10-100莫耳 % : 0-90 莫耳％。 <化學式3> d· m·-- I - 請先聞讀背面之注意事項再r-烏本頁訂線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

其中，1與R:個別表示直鏈或枝鏈Cm。烷基’直鏈或枝鏈 Cm。酯，直鏈或枝鏈Cm。酮，直鏈或枝鏈Cmc)羧酸’直鏈 8 本紙浪尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（2丨〇><297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（L) 或枝鏈Cm。縮醛，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cu。烷基，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Gw酯，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cm。酮，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cwo羧酸，及包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cm。縮 '醛；及R3和R4個別表示氫或甲基；且a : b=10-90莫耳％ :10-90 莫耳％。下文要參照下面所示反應流程圖1說明根據本發明的交聯劑之反應機制。首先，將根據本發明的交聯劑混合一光阻劑樹脂，並將該混合物塗覆在一習用的半導體基材上(階段1)。然後，於將該基材的預定區曝光時，曝光部份會產生酸（階段2 )。由於曝光部份產生的酸所致，本發明交聯劑會與光阻劑組合在一起，且彼等交聯反應會繼續產生酸，藉以進行連續的鏈型交聯反應（階段3)。請先閲讀背面之注意事項為本頁 -裝訂線本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2iOX297公釐> A7 B7 五、發明説明（ <反應流程圖1>

交聯劑八 0 0 I I Ri Rs

〇〇 ] OH

OH OH GH OH 具有羧基之光阻劑聚合物曝光時酸產生

OO 八 0 0 I I Ri R3

OH ----t---，丨裝-- (請先閲讀背面之注意事項^ 本頁)

,1T Η' 酸

m 0Ή OH OH 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製

L ? 011 +(^) +obX^oh /

RaGH 作爲催化劑，因爲在交聯之後酸再次被產生 (化學擴大型之交聯劑）本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） ,N A7 B7 五、發明説明（士）交聯劑之製備本發明交聯劑之製備要在下面的實施例1至8中明確 (請先閲讀背面之注意事項再fijr本頁地說明。於實施例1至8中，係使用AIBN作爲聚合起始劑， '不過別的習用自由基聚合起始劑例如過氧化月桂基也可以取代使用。於諸實施例中，係使用四氫呋喃作爲聚合反應溶劑，不過其它的溶劑例如丙二醇、甲基、甲醚和乙酸酯也可以取代使用。光阻劑組成物之製備使用本發明交聯劑製備負型光阻劑組成物之方法說明於下：由於本發明交聯劑爲化學擴大型交聯劑，因此本發明光阻劑組成物包括⑴負型光阻劑樹脂，（ii)根據本發明之交聯劑，及（in)光酸產生劑，以及(iv)將這些物質混合到其中之有機溶劑。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製有關光酸產生劑，較佳者爲使用硫化物或鎗型 (oniumtype)化合物。例如，該光酸產生劑可爲一或多種選自包括：碘化二苯基六氧磷酸鹽（diphenyl iodide hexafluorophosphate)，碘化二苯基六氟砷酸鹽，碘化二苯基六氟銻酸鹽，二苯基對-甲基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-甲苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對_異丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯酯對-第三丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，三苯基銃六氟磷酸鹽，三苯基毓六氟砷酸鹽，三苯基毓 11 本紙張尺度適用中國國家榇隼{ CNS ) A4規格（210X297公釐） d59〇'0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（1) 六氟銻酸鹽，三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽和二丁基萘基銃三氟甲烷磺酸鹽之化合物。有關有機溶劑，可以使用環己酮，3-甲氧基丙酸甲酯，3-乙氧基丙酸乙酯，丙二醇甲基醚乙酸酯，或其它習用的有機溶劑。光阻劑圖樣之形成將根據本發明製得之光阻劑組成物施塗在矽晶圓上以形成一薄膜，並將該膜置於70至200°C，較佳者80至150 t的烘箱內或電熱板上“軟烤”（soft-boked) 1至5分鐘。然後使用一深紫外光曝光器或激生分子雷射曝光器(exdmei: laser exposer)將該光阻膜曝光，再置於10至200°C，更佳者100至2CKTC下“後-烘烤”（post-baked)。有關其光源，可以使用ArF光、KrF光、E-束、X-射線、EUV(極紫外光) 、DUV(深紫外光)或類似者。曝光能量較佳者爲0.1至100 毫焦耳/平方厘米。將曝光過的晶圓經由將晶圓浸漬於一鹼性顯像溶液例如2.38重量％或2.5重量％氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液內 —般預定之時間，較佳者1.5分鐘，予以顯影而得到超微米圖案(圖2)。在光阻劑組成物係經由使用根據本發明的新穎交聯劑製備時，該光阻劑樹脂在曝光部份與未曝光部份之間有明顯的硬化性差異，由是得到具有更優異輪廓(profile)之光阻劑圖案。再者，由於本發明交聯劑爲化學擴大型。因此只要使用少量的光酸產生劑，該交聯劑即可達到足夠之結果 12 本紙法尺度適用中國國家樣準（CNS ) M規潘（210X297公釐） A7 B7___ 五、發明説明（Λ) -------·-----裝—— 、' (請先聞讀背面之注項再flpr本頁。因此，可克服使用大量光酸產生劑所引起的問題。該光阻劑組成物顯示出優良的光敏感性，所以採用低照射能量來曝光即可達到充分的曝光，因此之故’其適合用於採用極短波長的光源，例如ArF(193奈米)之光微影成像法。駿佳實施例之詳細說明本發明藉由參照下面的實施例更詳細地說明，但必須特別提及者本發明不受彼等實施例所限制。實施例1 :聚（3,3-二甲氣某丙烯）之合成訂將以下面化學式4所表示的丙烯醛(30克），AIBN(0.6 克)和四氫呋喃(75克)置於一 200-毫升燒瓶中，並在65°C氮氣或氬氣大氣下反應8小時。於聚合反應完成之後，用乙醚沉澱出聚丙烯醛(產率：60%)。線將如此得到之聚丙烯醛(20克）和甲醇(200克)置於一 500毫升圓底燒瓶中，並予以密切地混合。於其中加入三氟甲烷磺酸(0.5克），並將所得混合物於80°C下回流加熱24 小時，再用TMAH溶液中和到PH7-8。之後，使用旋轉蒸發器將反應混合物濃縮，並用蒸餾水沉澱剩餘物。將沉澱物真空乾燥而得化學式5之聚0,3-二甲氧基丙烯)樹脂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (產率：60%)。化學式5化合物係經由其NMR光譜從在8至9ppm處的醛譜峰之消失而確定的。化學式5化合物的分子量較佳在4,000至6,000範圍之內。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 _______Β7 五、發明説明（/ /) <化學式4> c=o <化學式5>

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於式中’ η表示參與同元聚合的單元數目。實施例2 :聚（3,3-二甲氧某丙烯/丙烯酸)之合成將化學式4的丙烯醛（3〇克），丙烯酸（3克）， ΑΙΒΝ(0.66克)和四氫呋喃(80克)置於一200-毫升燒瓶中，並在6CTC氮氣或氬氣大氣下將混合反應8小時。於聚合反應完成之後，用水沉澱而得聚合物（16克，產率：50%)。將如此得到之聚合物(16克)和甲醇(300克)置於一圓底燒瓶中’並予以密切地混合。於其中加入三氟甲烷磺酸(0,8毫克），並將所得混合物於80°C下回流加熱8小時，再用 TMAH溶液中和到ρΗ7·8。之後，使用旋轉蒸發器將反應混合物濃縮’並將所得溶液溶解於氯仿(300克)之中。將該溶液置於一分液漏斗內，並於其中加入蒸餾水(300克）。分離出蒸餾水層並在減壓下蒸發濃縮而得化學式6之聚(3,3-二甲氧基丙烯/丙烯酸）樹脂（產率：70%，分子量：4,000至 7,000) ° 14

In· - - —l·— n n (請先閱讀背面之注意事項再^¾本頁) *π 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 五、發明説明（/丄） <化學式6>

'式中，a和b個別表示各共單體的聚合比例。實例3 :聚（3、3-二乙氧某丙烯）之合成重複實施例1之步驟但使用乙醇取代甲醇，以獲化學式7所表的化合物，聚(3,3-二乙氧基丙烯)(產率；67%)。 <化學式7> (請先閱讀背面之注意事項He,¾本頁

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製式中，η表示參與同元聚合的單體之數目。實施例4 :聚Π.3-二乙氣基丙烯/丙烯酸）之合成重複實施例2之步驟但使用乙醇取代甲醇，以獲化學式8表示的化合物，聚(3,3-二乙氧基丙烯/丙烯酸)(產率： 67%)。 <化學式8>

式中，a和b個別表示各共單體的聚合比例。 15 本紙張尺度適用中國國家楳準（CNS ) A4規格（2[OX297公釐> r 459 01 Ο A7 B7 五、發明説明（丨3 ) 實施例5 :聚Π.3-二甲氣基丙烯/順丁烯二酸酐）之合成將化學式9的3,3-二甲氧基丙烯(0.3莫耳），順丁烯二酸酐(0.1莫耳），AIBN(0.8克)和四氫呋喃(42)克置於一 100-毫升燒瓶中，並在65°C氮氣或氬氣大氣下反應8小時。於聚合反應完成之後，用乙醚沉澱出聚合物。將聚合物沉澱物真空乾燥以獲得下面化學式1〇所表示之純樹脂： <化學式9> λ CH3 CH3 <化學式10> f—1---：----裝-- (請先閱讀背面之注意事項再ir-為本頁)

、-a 其中，a和b個別表示各共單體的聚合比例。實施例6 :聚G.3-二乙氬某丙烯/順丁烯二酸酐）之合成重複實施例5之步驟但使用化學式11的3,3-二乙氧基丙烯(0.3莫耳)取代化學式9的3,3-二甲氧基丙烯(0.3莫耳) ，以獲得得化學式12所表的化合物(產率：51%)。 <化學式11 > 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

2HJ ο-C-C 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（//) <化學式12>

CHj CH3 實施例7 :聚GJ-二甲氬基-2-甲某丙烯）之含成重複實施例1之程序但使用甲基丙烯醛取代丙烯醛以獲得化學式13所表示的化合物，聚(3,3-二甲氧基-2-甲基丙嫌）。 <化學式13> 請先閱讀背面之注意事項h.'4本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製式中η表示參與同元聚合的單體之數目。實施例8 :聚（3.3-二乙氬基-2-甲基丙烯)之合成重複實施例3之步驟C但使用甲基丙烯醛取代丙烯醛以獲得化學式14所表示的化合物，聚(3,3-二乙氧基-2-甲基丙烯）。 <化學式14>

式中η表示參與同元聚合的單體之數目。實施例9 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（2IOX297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（ίί) 將⑴下面化學式15所表示的光阻劑樹脂，亦即，聚( 雙環[2,2，1]庚-5-烯/2-羥基乙基雙環[2,2，1]庚-5-烯2-羧酸/順丁烯二酸酐)(20克），（U)本發明實施例1所得之聚(3,3-二甲氧基丙烯)交聯劑(5克)及(iii)作爲光酸產生劑的三氟甲烷磺酸三苯基銃(0.6克)溶解在作爲有機溶劑的丙二醇甲醚乙酸酯(200克)中，以製備光阻劑組成物。 <化學式15>

將如此製得之光阻劑組成物塗覆在一矽晶圓上，並在 110°C下軟烤90秒，使用ArF曝光器予以曝光，在ll〇°C下後-烘烤90秒，然後用2.38重量％TMAH顯影溶液顯影。其結果得到0.13微米L/S超微米負圖案，如圖3中所示者 9 此時的曝光能量爲18毫焦耳/平方厘米。該光阻劑組成物的硬化敏感度於此種微小強度的曝光能量下很是優良，如圖1中所示者，未觀察到膨脹現象。彼等結果是由於聚(3,3-二甲氧基丙烯)樹脂之非常優良的硬化性，根據本發明的交聯劑，及彼等所導致的密切交聯。因此，該超微米圖案顯示出優異的圖案輪廓。實施例10 18 (請先閱讀背面之注意事項再f烏本頁 -裝. 訂線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 ___B7 五、發明説明（將⑴化學式15所表示的光阻劑樹脂，亦即，聚（雙_ [2,2，1]庚·5-嫌/2·羥基乙基雙環[2.2.1]庚-5-烯2-羧酸醋/順丁烯二酸酐，（20克），（ii)本發明實施例2所得之聚(3,3_二甲氧基丙烯/丙烯酸)交聯劑(20克），和(iU)作爲光酸產生劑的三氟甲烷磺酸三苯基銃(0.7克)溶解在作爲有機溶劑的丙二醇甲醚乙酸酯(200克)中而製得光阻劑組成物。 ' 將如此製得之光阻劑組成物塗覆在矽晶圓上， 110°C下軟烤90秒，使用ArF曝光器予以曝光，在U(rcT 後-烘烤90秒，然後用2.38重量％TMAH顯影溶液予以顯影而得-0.13微米L/S超微米負型圖案。此外同樣地，雖貝fJ 曝光能量如同實施例1 一般非常微弱(18毫焦耳/平方厘平），但仍得到具有優良圖案輪廓之超微米圖案（圖4)。眚施例11-16 重複相同的步驟，使用實施例3至實施例8所得交聯劑，其結果，得到如同實施例9和10 —般優異之微圖案（圖5至圖10)。奮施例17 將⑴化學式16所表示的光阻劑樹脂(20克），經濟部智慧財產局員工消費合作社印製明實施例2所得之聚(3,3-二甲氧基丙烯/丙烯酸)交聯齊克），及(iii)作爲光酸產生劑的三氟甲烷磺酸三苯基綺(〇.6 克)溶解在作爲有機溶劑的丙二醇甲基醚乙酸酯(2〇〇克）巾，以製備光阻劑組成物。將如此製得之光阻劑組成物塗覆在矽晶圓上，於11〇 °C下軟烤90秒，使用ArF曝光器予以曝光，在供 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS >从規格（210Χ297公釐> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（ι7 ) 烤90秒，然後用2.38重量％ΤΜΑΗ顯影溶液予以顯影，而得0.13微米L/S超微米負圖案。此時同樣地，雖則曝光能量如同實施例1中般非常弱（15毫焦耳/平方厘米），但仍得到具有優異圖案輪廓之超微圖案(圖11)。

CH2

OH 實施例18 重複根據實施例17之步驟但使用化學式17之光阻劑樹脂取代化學式16之樹脂以製得0.18微米L/S超微負圖案 (圖 12)。

ch2 c=o on i

I CH.

I CK.

I

OH 實施例19 重複根據實施例17之步驟但使用化學式18之光阻劑樹脂取代化學式16之樹脂以製得0.20微米L/S超微負圖案〇 <化學式18> 20 ---l·------裝------訂------線 I- ^ (請先閱讀背面之注意事項再垆寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐} 五、發明説明（ΐίΓ )

CH-, l _ OH A7 B7 C=0

CH， I ' CH2 CH2 OH 實施例20 重複根據實施例Π之步驟但使用化學式19之光阻劑樹脂取代化學式16之樹脂而製得-0.20微米L/S超微負圖案。 <化學式19>

o=c c=o I I OH OH C=0

CHi 1 ~ CHZ OH 請先鬩讀背意事項再 % 本頁裝訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製眚施例21 重複根據實施例Π之步驟但使用化學式20之光阻劑樹脂取代化學式16之樹脂而製得-0,20微米L/S超微負圖案。 <化學式20> 21 本紙張尺度適用中國國家標準（〇^)八4規格（210'乂297公釐）線 459010 A7 B7 五、發明説明（/?)

I CH-. I ^ CH-, r CH-i ' OH OH OH 〇 — 訂線 f ί (請先閱讀背面之注意事項再妒寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐}

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製：-L· * 453 0 - 0 § if D8 · ' Λ I I·::···: I .... 六、申請專利範圍 1. 一種光阻劑交聯劑單體，其包括下面化學式1所表示之化合物： <化學式1> R3 I CH2 = C 人〇〇 I I Ri Rs 其中，1與R2個別表直鏈或枝鏈型Cmo烷基，直鏈或枝鏈 Cho酯，直鏈或枝鏈CLH)酮，直鏈或枝鏈Cuw羧酸，直鏈或枝鏈CH。縮醛，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cm。烷基，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈〇.1()酯，包括至少一個羥基直鏈或枝鏈Cwo酮，包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Cw。羧酸，及包括至少一個羥基之直鏈或枝鏈Ch。縮醛 ;且R3表氫或甲基。 2. —種光阻劑交聯劑，其包括化學式1所表示之化合物的同元聚合物或共聚物。 3. 如申請專利範圍第2項之光阻劑交聯劑，其中該共聚物更包括一或多種選自包括丙烯酸，甲基丙烯酸和順丁烯二酸酐所構成之化合物。 4. 如申請專利範圍第2項之光阻劑交聯劑，其係選自包括：聚（3,3-二甲氧基丙烯）；聚（3,3-二乙氧基丙烯）；聚 (3,3-二甲氧基丙烯/丙烯酸）；聚0,3-二乙氧基丙烯/丙烯酸) ;聚(3,3-二甲氧基丙烯顯丁烯二酸酐）；聚0,3-二乙氧基丙烯/順丁烯二酸酐）；聚(3,3-二甲氧基-2-甲基丙烯）：聚(3,3-二乙氧基-2-甲基丙烯）。 -1-- 本紙張尺度逋用中國國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .—I * 裝 , 訂線 (請先閔讀背面之注意事項再氣 4頁) ί 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 5. 〜種光阻劑組成物，其包括ω—光阻劑聚合物’（ii) 如申請專利範圍第2項之矣聯劑，（iii)光酸產生劑及(iv)有機溶劑。 6. 如申請專利範圍第5項之光阻劑組成物’其中該光阻劑聚合物包括羥基。 7. 如申請專利範圍第6項之光阻劑組成物’其中該光阻劑聚合物係選自包括下列化學式15至20所表示之化合物： <化學式15>^ 厂、^ k (。==^。^=〇》：=0 7> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 {hj ch2 OH <化學式16>

本紙張尺度適用中國國家椟率（CNS ) A4«l格（210x297公釐） n n I 1— I 1♦1 n n n I I n n T n I n U3 、趸期 <請先閲讀背面之注意事項再1 4頁) 一 A8 BS C8 D8 申請專利範圍 <化學式18>

CH， I -0H r° CH. I CH， I CH2 OH r <化學式19> ο 0 o气宁=0 OH OH C=0 1 0 I c沁 1 " ch2 b (請先閩讀背面之注意事項再^-4頁) OH

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I CH， I ' OH 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8.如申請專利範圍第5項之光阻劑組成物，其中該光酸產生劑爲一或多種選自包括：碘化二苯基六氟磷酸鹽 (diphenyl iodide hexafluorophosphate)，碘化二苯基六氟砷酸鹽，碘化二苯基六氟銻酸鹽，二苯基對-甲基苯基三氟甲本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Μ規格（210Χ297公釐）六、申請專利範圍院磺酸鹽，二苯基對一甲苯基三氟甲烷磺酸鹽’二苯基對 -異丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯酯對一第三丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，三苯基銃六氟磷酸鹽’三苯基錡六氟砷酸鹽，三苯基銃六氟銻酸鹽，三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽和二丁基蔡基錡三氟甲烷磺酸鹽之化合物。 9. 如申請專利範圍第5項之光阻劑組成物’其中該有機溶劑選自包括：環己酮，3-甲氧基丙酸甲酯’ 3-乙氧基丙酸乙酯和丙二醇甲基醚乙酸酯。 10. —種形成光阻圖案之方法，其包括下列步驟：⑷將如申請專利範圍第5項之組成物塗覆在一晶圓上’（b)丨吏用曝光器使該晶圚曝光’及(c)將曝光過的晶圓顯影。 11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該光源彳系選自包括：ArF光（193奈米）、KrF光(248奈米)' E-束、χ-射線、EUV和DUV(深紫外光）。 12. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該顯像步，驟係使用鹼性顯影溶液進行的。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該顯像溶液爲2.38重量％或2.5重量％的ΤΜΑΗ水溶液。 14. 一種半導體元件，其係由如申請專利範圍第10項之方法製造。本紙張尺度適用中國困家棣車（CNS ) Α4规格（210X297公釐）