JP4390233B2 - ArFポジ型光画像形成用組成物 - Google Patents
ArFポジ型光画像形成用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4390233B2 JP4390233B2 JP19027699A JP19027699A JP4390233B2 JP 4390233 B2 JP4390233 B2 JP 4390233B2 JP 19027699 A JP19027699 A JP 19027699A JP 19027699 A JP19027699 A JP 19027699A JP 4390233 B2 JP4390233 B2 JP 4390233B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- component
- meth
- forming composition
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はArFポジ型光画像形成用組成物に関し、さらに詳しくは、ArFエキシマレーザ(193nm)を用いる光リソグラフィに適するポジ型光画像形成用組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の高集積化は、光リソグラフィにおける微細加工用露光光源の短波長化を促してきた。1990年代半ば過ぎまで量産露光光源の主役であった水銀ランプのg線(λ=436nm)、i線(同365nm)から、現在主役のKrFエキシマレーザ(248nm)へと短波長化が進み、21世紀初頭には従来よりさらに短波長のArFエキシマレーザ(193nm)が量産適用されると予想される。
このような短波長化に伴い、ホトレジスト材料も長らく主役であったノボラック/ナフトキノンジアジド系から、KrF世代ではポリビニルフェノール/化学増幅系へと変遷し、開発、改良が精力的に行われてきた。
微細加工に用いられるホトレジスト材料には、解像性、感度、耐ドライエッチング性、密着性などが要求されるが、従来のホトレジスト材料は、フェノール系樹脂の酸性度を利用したアルカリ現像液への優れた溶解性と、樹脂中の芳香族環による耐ドライエッチング性がその性能を支えてきた。
【0003】
しかし、これらフェノール系ホトレジスト材料は、樹脂中の芳香族環が193nmで極めて吸光度が大きく不透明であり、ArF露光による微細加工は不可能である。
このため、アクリル系ポリマーを基本骨格とするホトレジストが提案されたが耐エッチング性に欠けていた。耐エッチング性を向上させためにアクリル系ポリマーの側鎖に実効的炭素密度の高い脂環基(J.Photopolym.Sci.Technol.;5,439(1992)など)やナフチル基(Jan.J.Apply.Phys.;33,7028(1994))を導入したホトレジスト材料や、主鎖に脂環基を持つポリノルボルネン系ホトレジスト材料(J.Photopolym.Sci.Technol.;11,481(1998)など)が提案された。
しかし、これらのホトレジスト材料は、耐ドライエッチング性、密着性に劣る問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題に鑑みてなされたものであり、透明性、感度、耐ドライエッチング性、密着性、解像性のいずれにも優れており、ArFエキシマレーザ(193nm)を用いる光リソグラフィに適したポジ型光画像形成用組成物を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者等はこの課題を解決するため鋭意研究した結果、側鎖にチオフェン残基とエステル残基を導入した新規なアクリル系コポリマーを用い、光酸発生剤と組み合わせて用いるか、あるいはさらに酸増殖剤を組み合わせて用いることにより、目的を達成できることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0006】
上記目的を達成するために、請求項1のArFポジ型光画像形成用組成物は、(A)2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートと(メタ)アクリル酸エステルとを共重合して得られる共重合体と、(B)光酸発生剤とを必須成分として含むことを特徴とするものである。
【0007】
(A)成分のアクリル系共重合体の側鎖にチオフェン残基を導入することにより高い透明性、耐ドライエッチング性、および基材に対する高い密着性を期待できる。また、(A)成分のアクリル系共重合体の側鎖に第3級アルキルエステル基などのエステル基を導入することにより、高い透明性を期待できる。
本発明のポジ型光画像形成用組成物に光を照射すると(B)成分の光酸発生剤からプロトンが生成し、このプロトンの触媒作用により(A)成分のアクリル系共重合体の第3級アルキルエステル基などのエステル基が脱離反応を起こして(メタ)アクリル酸基となるため、この離脱反応前はアルカリ現像液に対して不溶であった(A)成分のアクリル系共重合体が、この離脱反応後はアルカリ現像液に対して可溶となる。これにより標準的に用いられているアルカリ現像液を用いた現像が可能となる。
【0008】
以上のように光照射により(B)成分の光酸発生剤から生成した少量の酸が触媒となって、(A)成分のアクリル系共重合体の前記化学反応を繰り返し引き起こし、このアクリル系共重合体のアルカリ現像液に対する溶解性を変化させる。(B)成分の光酸発生剤から酸を発生するというミクロな変化が、酸触媒反応を介して(A)成分のアクリル系共重合体のアルカリ現像液に対する溶解性の変化というマクロな変化にまで増幅される。
【0009】
本発明の請求項2は、請求項1記載のArFポジ型光画像形成用組成物において、(B)光酸発生剤が4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートであることを特徴とするものである。
(B)成分の4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートは光を照射すると容易にプロトンを生成し、本発明のArFポジ型光画像形成用組成物中に酸の潜像が形成される。
【0010】
本発明の請求項3は、(A)2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートと(メタ)アクリル酸エステルとを共重合して得られる共重合体と、(B)光酸発生剤と、(C)酸増殖剤とを必須成分として含むことを特徴とするArFポジ型光画像形成用組成物に関するものである。
【0011】
本発明のArFポジ型光画像形成用組成物に光を照射すると、(B)成分の光酸発生剤から生成したプロトンが(C)成分の酸増殖剤に対して触媒的に作用して、(C)成分の酸増殖剤から多量の新たな強酸がねずみ算的に放出され、これらの全ての酸の触媒作用により(A)成分のアクリル系共重合体の第3級アルキルエステル基などのエステル基が脱離反応を起こして加速的に分解されて(メタ)アクリル酸基となるため感度が大幅に向上する。
酸増殖反応を組み込むことで改善されるのは感度だけではない。
酸触媒を用いると空気中の塩基性物質によって、フィルム表面の酸が失活してしまうという問題がある。フィルム表面の酸触媒反応が酸の失活により抑制されると、アルカリ現像液がフィルム内部に浸透できず解像度が低下してしまう。
しかし、(C)成分の酸増殖剤を併用することにより、フィルム中で酸が増殖するので、空気中の塩基性物質の影響はほとんど問題にならず、感度だけでなく解像度も向上する。
【0012】
本発明の請求項4は、請求項3記載のArFポジ型光画像形成用組成物において、(B)光酸発生剤が4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートであり、(C)酸増殖剤が下記式(1)で表される化合物であることを特徴とするものである。
【0013】
【化2】
【0014】
(B)成分の4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートは光を照射すると容易にプロトンを生成し、本発明のArFポジ型光画像形成用組成物中に酸の潜像が形成される。
一方、酸が存在しないと上記式(1)で表される(C)成分の酸増殖剤は熱的に安定性が高い。しかし、加熱すると(B)成分から生成した酸が上記式(1)で表される(C)成分の酸増殖剤に対して触媒的に作用して、多量の新たな強酸が放出される。この強酸の触媒作用により(A)成分のアクリル系共重合体の第3級アルキルエステル基などのエステル基が離脱反応により加速的に分解されて(メタ)アクリル酸基となるため感度が大幅に向上する。
上記式(1)で表される(C)成分の酸増殖剤はチオフェン誘導体であるが、芳香環を持つにもかかわらずArFエキシマレーザ(193nm)に対するモル吸光係数が小さく、透明性を阻害する度合いが少ない。上記式(1)で表される(C)成分の酸増殖剤は(A)成分のアクリル系共重合体と組み合わせて使用すると酸増殖反応効率が高い。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明で用いる(A)成分のアクリル系共重合体は、2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートと(メタ)アクリル酸エステルとを共重合して得られる共重合体である。この共重合体の共重合の形態はランダム共重合体でもブロック共重合体でもグラフト共重合体でも、あるいはこれらの組み合わせでもよく特に限定されない。中でもランダム共重合体は好ましく使用できる。
【0016】
本発明で用いる2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートは、炭素数1〜5の直鎖状および/または分岐状アルキル(メタ)アクリレートを好ましく使用でき、例えば、2−チェニルメチルメタアクリレート、2−チェニルメチルアクリレート、2−チェニルエチルメタアクリレート、2−チェニルエチルアクリレート、2−チェニルプロピルメタアクリレート、2−チェニルプロピルアクリレート、2−チェニルn−ブチルメタアクリレート、2−チェニルn−ブチルアクリレート、2−チェニルi−ブチルメタアクリレート、2−チェニルi−ブチルアクリレート、2−チェニルn−ペンチルメタアクリレート、2−チェニルn−ペンチルアクリレート、2−チェニルi−ペンチルメタアクリレート、2−チェニルi−ペンチルアクリレート、およびこれらの2以上の混合物を挙げることができる。2−チェニルメチルメタアクリレート、2−チェニルメチルアクリレートはさらに好ましく使用できる。
【0017】
本発明で用いる2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートを合成する方法は特に限定されない。例えば、2−チェニルメチル(メタ)アクリレートの合成例としては具体的には、2−チエニルメタノールとメタクリル酸クロリドを塩化メチレン中で室温で反応させて2−チエニルメチルメタクリレート(TMMA)を合成する例を挙げることができる。
【0018】
本発明で用いる他方のモノマーの(メタ)アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび/またはメタアクリル酸エステルであり、両者を任意の割合で組み合わせたものでもよい。
本発明で好ましく用いる(メタ)アクリル酸エステルの代表的な例を図1および図2に示す。図1に示した、A−1、A−2、A−3、A−4、A−5、A−6、図2に示したA−7、A−8、A−9、A−10、A−11、A−12の(メタ)アクリル酸エステルおよびそれらの中の2つ以上の混合物はいずれも使用できるが、中でも、A−1やA−3の(メタ)アクリル酸第3級ブチルエステルはさらに好ましく使用できる。
【0019】
2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートと(メタ)アクリル酸エステルとを共重合する際、これらと共重合可能なアクリルアミドやその他各種のアクリル系モノマーから選択される1種以上のモノマーを本発明の作用効果を損なわない範囲で共重合することができる。
【0020】
本発明で用いる(A)成分のアクリル系共重合体の分子量(Mw)、分子量分布(Mw/Mn)なども特に限定されるものではない。しかし、分子量(Mw)は通常3,000〜1,000,000が好ましく、更に4,000〜500,000がより好ましく、特に5,000〜100,000が好ましい。分子量が3,000未満ではフィルム成形しにくく、1,000,000を超えるとフィルム化が困難となる恐れがある。
【0021】
分子量分布(Mw/Mn)は小さい方が好ましく、通常1〜10程度が好ましく、更に1〜5程度がより好ましく、特に1〜4程度が好ましい。分子量分布(Mw/Mn)が10を超えるとフィルムの強度が低下する恐れがある。
【0022】
本発明において、2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートと(メタ)アクリル酸エステルとのモル比は1〜50:99〜50の範囲でよく、好ましくは5〜40:95〜60、更に好ましくは10〜30:90〜70である。
本発明において、2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートのみを用いた単独重合体は、アルカリ現像液に可溶であるので使用できず、(メタ)アクリル酸エステルのみを用いた単独重合体は、耐ドライエッチング性、密着性が悪く好ましくない。
【0023】
本発明で用いる(A)成分のアクリル系共重合体の合成例を図3に示す。
図3には、(A)成分のアクリル系共重合体を合成する際の原料モノマー、反応式および中間生成物や生成物の化学構造が示されている。
【0024】
図3に示すように、この例においては、先ず、2−チエニルメタノール(a)とメタクリル酸クロリド(b)を塩化メチレン中で室温で反応させて2−チエニルメチルメタクリレート(TMMA)(c)を合成する。
次いで、このTMMA(c)とメタアクリル酸第3級ブチルエステル(tBMA)(d)とを、THFを溶媒とし、AIBNを開始剤として用いて、67℃、24時間、ラジカル共重合させて、TMMA単位(20モル%)とtBMA単位(80モル%)とを含む(A)成分のアクリル系共重合体(e)(Mw=5.2×104 、Mw/Mn=3.9、Tg=101℃)を合成する。
【0025】
図4に、前記のようにして合成したアクリル系共重合体(e)(図中、m=0.2、n=0.8)のフィルムの光(波長193nm〜440nm)に対する透過度(%)を測定した(ポリマー濃度;溶媒中1重量%。フィルム厚さ;40nm)結果を示す。
比較のためにフェノール系ホトレジスト材料(f)のフィルムおよびメタアクリル酸第3級ブチルエステルのみを用いた単独重合体(g)のフィルムについても同様にして測定した結果を図4に合わせて示す。
【0026】
図4から前記アクリル系共重合体(e)は193nmの光に対して高い透明性を示すことが判る。また、メタアクリル酸第3級ブチルエステルのみを用いた単独重合体(g)は193nmの光に対して高い透明性を示すが、フェノール系ホトレジスト材料(f)は193nmの光に対して透明性が低いことが判る。
【0027】
本発明で用いる(B)成分の光酸発生剤は従来公知のものを使用することができる。従来公知の光酸発生剤の代表例を図5および図6に示す。図5に示した光酸発生剤B−1、B−2、B−3、B−4、B−5、図6に示した光酸発生剤B−6、B−7、B−8、B−9、B−10、B−11、あるいはこれらの2つ以上の組み合わせは何れも好ましく使用できるが、中でもB−7の4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートはより好ましく使用できる。
【0028】
(B)成分の配合量は、本発明のArFポジ型光画像形成用組成物全体に対して、1〜20重量%が好ましく、さらに好ましくは2〜15重量%、特に好ましくは3〜10重量%である。1重量%未満では光を照射した時に発生するプロトン量が不十分となり、20重量%を超えると透明性に悪影響がでる恐れがあるので好ましくない。
【0029】
本発明で用いる(C)成分の酸増殖剤は従来公知のものを使用することができる。従来公知の酸増殖剤の代表例を図7および図8に示す。図7に示した酸増殖剤C−1、C−2、C−3、C−4、C−5、C−6、C−7、C−8、図8に示した酸増殖剤C−9、C−10、C−11、C−12、C−13、あるいはこれらの2つ以上の組み合わせは何れも好ましく使用できるが、中でも前記式(1)で示したC−1の酸増殖剤はより好ましく使用できる。
【0030】
図9に、他の公知の酸増殖剤1、2および3の化学構造式を示すとともにこれらの酸増殖剤1、2および3が、酸触媒の存在下、加熱された時に、分解して強酸(p−トルエンスルホン酸)を生成し、この強酸が自己触媒として働くため、強酸(p−トルエンスルホン酸)がねずみ算的に生成することを示す反応式を示す。
【0031】
(C)成分の酸増殖剤の配合量は本発明のArFポジ型光画像形成用組成物全体に対して、1〜30重量%が好ましく、さらに好ましくは2〜20重量%、特に好ましくは3〜10重量%である。1重量%未満では酸増殖反応効率が低く、30重量%を超えると透明性に悪影響がでる恐れがある。
【0032】
図10に、縦軸を転化率(%)、横軸を加熱時間(min.)として、上記式(1)で表される酸増殖剤を溶剤CDCl3 (重水素化クロロホルム)中で100℃に加熱した時[酸触媒TsOH(p−トルエンスルホン酸)14mol%の場合と同酸触媒0mol%の場合について]の分解挙動を示す。
また、図10に、酸増殖剤をp−トルエンスルホン酸触媒の存在下、加熱すると、分解して強酸(チオフェン基を有するスルホン酸)を生成し、この強酸が自己触媒として働くため、強酸(チオフェン基を有するスルホン酸)がねずみ算的に生成することを示す反応式を示す。
【0033】
図10に示したように、p−トルエンスルホン酸(TsOH)を添加しない時は120分加熱しても上記式(1)の酸増殖剤は分解せず、熱安定性がよい。しかし、TsOHを14モル%添加すると、およそ60分加熱すると分解して強酸のチオフェン基を有するスルホン酸が生成され、生成したスルホン酸が自己触媒として働いて上記式(1)の酸増殖剤がねずみ算的に急激に分解されて同スルホン酸が多量に放出される。
【0034】
図11に、前記のようにして合成した(A)成分のアクリル系共重合体(e)(図中、m=0.2、n=0.8)(アルカリ現像液に対して不溶)に対して、(B)成分の光酸発生剤として4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートを5重量%添加した組成物に、(C)成分の酸増殖剤として上記式(1)で表される酸増殖剤(図中、AAで示す)を0重量%、5重量%、10重量%、20重量%添加した組成物につき、感光性を試験した結果を示す[横軸;ArFエキシマレーザ(193nm)露光量(mJ/cm2 )、縦軸;相対膜厚]。
【0035】
また、図11に、光を照射(hν)すると(B)成分の光酸発生剤からプロトン(H+ )が生成され、そして加熱する(△)とこのプロトン(H+ )が(C)成分の酸増殖剤に対して触媒的に作用して、(C)成分の酸増殖剤から多量の新たな強酸のチオフェン基を有するスルホン酸がねずみ算的に放出され、これらの全ての酸の触媒作用により(A)アクリル系共重合体の第3級ブチルエステル基が加速的に分解されて(メタ)アクリル酸基となることを示す反応式を示す。
【0036】
光を照射(hν)すると(B)成分の光酸発生剤からプロトン(H+ )が生成され、酸の潜像が形成される。そして加熱する(△)とこのプロトン(H+ )が(C)成分の酸増殖剤に対して触媒的に作用して、(C)成分の酸増殖剤から多量の新たな強酸のチオフェン残基を有するスルホン酸がねずみ算的に放出され、これらの全ての酸の触媒作用により(A)成分のアクリル系共重合体の第3級ブチルエステル基が加速的に分解されて(メタ)アクリル酸基となり、(A)成分のアクリル系共重合体(e)はアルカリ現像液に対して可溶となる。
図11から、(C)成分の酸増殖剤(AA)の添加量を増加することにより感度が大幅に向上することが判る。
【0037】
図12(イ)〜(ホ)に、本発明のArFポジ型光画像形成用組成物を用いて画像を形成するプロセスの一実施形態を示す。
工程(イ);シリコンウエハー上に本発明のArFポジ型光画像形成用組成物の溶液をコーテイングする。
【0038】
工程(ロ);コーテイングした後、100℃で60秒間プリベークしてポリマーフィルムを形成する。
【0039】
工程(ハ);次いで、ホトマスクを用い、Hg−Xeランプ(波長313nm)により露光する。(B)成分の光酸発生剤から微量のプロトン(H+ )が発生する。そして、露光された部分に酸潜像(H+ )が形成される。この時点では(A)成分のアクリル系共重合体(e)(図中、m=0.2、n=0.8)の第3級ブチルエステル基は分解されていない。
【0040】
工程(ニ);次いで、100℃で90秒間ポストベークする。このポストベークにより(B)成分の光酸発生剤から生成した微量の酸がトリガーとなって(C)成分の酸増殖剤から多量の新たな強酸がねずみ算的に放出され酸が増殖する。これらの全ての酸の触媒作用により(A)アクリル系共重合体の第3級ブチルエステル基が加速的に分解されて(メタ)アクリル酸基となる(アルカリ現像液に対して可溶)。
【0041】
工程(ホ);次いで、3重量%(CH3 )4 N+ OH- (テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液を用いて現像して画像を形成する。
【0042】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではないので、特許請求の範囲に記載の趣旨から逸脱しない範囲で各種の変形実施が可能である。
【0043】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明を説明する。もちろん本発明は以下に示す実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
2−チエニルメタノールとメタクリル酸クロリドを塩化メチレン中で反応させて2−チエニルメチルメタクリレート(TMMA)を得た。
さらに、TMMAと(メタ)アクリル酸第3級ブチルエステル(tBMA)をTHF(溶媒)中でAIBN(開始剤)を用いてラジカル共集合させ本発明で用いる(A)成分のアクリル系共重合体(Mw=52,000、Mw/Mn=3.9)を収率71%で合成した。
(A)成分のアクリル系共重合体のフィルムの透明度を、この共重合体の1重量%シクロヘキサノン溶液を石英基板上にスピンコートしてフィルムを作成して測定した。測定した結果、198nm光に対して75%以上の高い透明度を示した。
【0044】
(C)成分の前記式(1)で表される酸増殖剤(5〜20重量%)/(A)成分のアクリル系共重合体(85重量%)/(B)成分の光酸発生剤(4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート)(5重量%)からなる本発明のArFポジ型光画像形成用組成物を作った。
【0045】
本発明のArFポジ型光画像形成用組成物の感度特性は厚さ1.2μmのフィルムを作り、Hg−Xeランプ(波長313nm)の光で照射した後、100℃で加熱し、3重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で10分間現像して得られたフィルムの厚さを測定することにより評価した。(C)成分の酸増殖剤の添加量を0〜20重量%へ増加することにより感度が順次大幅に向上することが判った。
【0046】
本発明のArFポジ型光画像形成用組成物は石英基板やシリコンウエハーなどに対して優れた密着性を示し、現像時に剥がれやクラックなどが生じることがなかった。
【0047】
【発明の効果】
本発明の請求項1のArFポジ型光画像形成用組成物に用いる(A)成分のアクリル系共重合体は、透明性に優れるアクリル系樹脂をバックボーンとし、200nm以下の波長領域で高いモル吸光係数を有する共役二重結合を排除した化学構造の側鎖を有する。
【0048】
このアクリル系共重合体は193nmの光に対して75%以上の高い透明性を有する。側鎖のデザインにおいては、(メタ)アクリル酸エステルの例えば第3級ブチルエステル基が酸による脱離反応を起こして(メタ)アクリル酸基となる構造を採用することで感度と解像性を獲得し、標準アルカリ現像液への適用性も満たすことができ、現像時に剥がれやクラックの生じやすい(メタ)アクリル酸エステル基構造含有ポリマー特有の問題を他方のチオフェンエステル基の高い極性でバランスを取ることによって高い耐ドライエッチング性および剥がれやクラックなどのない高い密着性を得ることができる。
【0049】
本発明の請求項1のArFポジ型光画像形成用組成物の露光部では、(B)成分の光酸発生剤から生じた酸が露光後の加熱によって触媒的に作用し、(メタ)アクリル酸エステルの例えば第3級ブチルエステル基が脱離反応を起こして(メタ)アクリル酸基となってアルカリ可溶となることでポジ型パターンを形成できる。
【0050】
本発明の請求項2のArFポジ型光画像形成用組成物は、(B)成分の光酸発生剤が4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートである。(B)成分の4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートは光を照射すると容易にプロトンを生成して酸の潜像を形成する。
【0051】
本発明の請求項3のArFポジ型光画像形成用組成物は、(A)成分のアクリル系共重合体と、光を照射してプロトンを発生する(B)成分の光酸発生剤以外にさらに(C)成分として酸増殖剤が添加されているので、光を照射して(B)成分の光酸発生剤から生成したプロトンが(C)成分の酸増殖剤に対して触媒的に作用して、(C)成分の酸増殖剤から多量の新たな強酸がねずみ算的に放出され、これらの全ての酸の触媒作用により(メタ)アクリル酸エステルの例えば第3級ブチルエステル基が脱離反応を起こして加速的に分解されて(メタ)アクリル酸基となるため感度が大幅に向上する。
【0052】
酸触媒を用いると空気中の塩基性物質によって、フィルム表面の酸が失活してしまい、フィルム表面の酸触媒反応が酸の失活により抑制されると、アルカリ現像液がフィルム内部に浸透できず解像度が低下する問題があるが、(C)成分の酸増殖剤を併用することにより、フィルム中で酸が増殖するので、空気中の塩基性物質の影響はほとんど問題にならず、感度だけでなく解像性も向上する。
【0053】
本発明の請求項4のArFポジ型光画像形成用組成物は、(B)光酸発生剤が4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートであり、(C)酸増殖剤が前記式(1)で表される化合物である。(B)成分の4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートは光を照射すると容易にプロトンを生成して酸の潜像を形成する。酸が存在しないと上記式(1)で表される(C)成分の酸増殖剤は熱的に安定性が高い。しかし、加熱すると(B)成分から生成した酸が上記式(1)で表される(C)成分の酸増殖剤に対して触媒的に作用して、多量の新たな強酸が放出される。この強酸の触媒作用により(A)成分のアクリル系共重合体の(メタ)アクリル酸エステルの例えば第3級ブチルエステル基が離脱反応により加速的に分解されて(メタ)アクリル酸基となるため感度がさらに大幅に向上し、生産性の向上を図れる。
【0054】
上記式(1)で表される(C)成分の酸増殖剤はチオフェン誘導体であるが、芳香環を持つにもかかわらずArFエキシマレーザ(193nm)に対するモル吸光係数が小さく、透明性を阻害する度合いが少ない。上記式(1)で表される(C)成分の酸増殖剤は(A)成分のアクリル系共重合体と組み合わせて使用すると酸増殖反応効率が高い。
【0055】
本発明の請求項1〜4記載のArFポジ型光画像形成用組成物は、透明性、感度、耐ドライエッチング性、密着性、解像性のいずれにも優れているので、ArFエキシマレーザ(193nm)を用いる光リソグラフィに適したポジ型ArFホトレジストとして使用できることは勿論のこと、印刷、エレクトロニクス関連分野で有用に使用できる。レーザーによる走査記録、ホログラム記録などにも応用可能であり有用性が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のArFポジ型光画像形成用組成物に用いる(A)成分のアクリル系共重合体を合成する際の原料モノマーの1つの(メタ)アクリル酸エステルの代表例の化学構造を示す説明図である。
【図2】 本発明のArFポジ型光画像形成用組成物に用いる(A)成分のアクリル系共重合体を合成する際の原料モノマーの1つの(メタ)アクリル酸エステルの他の代表例の化学構造を示す説明図である。
【図3】 本発明のArFポジ型光画像形成用組成物に用いる(A)成分のアクリル系共重合体を合成する際の原料モノマー、反応式および中間生成物や生成物の化学構造を示す説明図である。
【図4】 合成したアクリル系コポリマーおよび比較のためのポリマーのフィルムの光(波長193nm〜440nm)に対する透過度(%)を測定した結果を示すグラフである。
【図5】 本発明のArFポジ型光画像形成用組成物に用いる(B)成分の光酸発生剤の代表例の化学構造を示す説明図である。
【図6】 本発明のArFポジ型光画像形成用組成物に用いる(B)成分の光酸発生剤の他の代表例の化学構造を示す説明図である。
【図7】 本発明のArFポジ型光画像形成用組成物に用いる(C)成分の酸増殖剤の代表例の化学構造を示す説明図である。
【図8】 本発明のArFポジ型光画像形成用組成物に用いる(C)成分の酸増殖剤の他の代表例の化学構造を示す説明図である。
【図9】 (C)成分の酸増殖剤を、酸の存在下、加熱すると強酸を生成し、この強酸が自己触媒として働いて急激に分解されて強酸が多量に生成する反応を示す説明図である。
【図10】 (C)成分の酸増殖剤を強酸の存在下および強酸の存在なしで溶剤中で100℃に加熱した時の分解挙動を示すグラフ、および酸の存在下、加熱すると強酸を生成し、この強酸が自己触媒として働いて(C)成分が急激に分解されて強酸が多量に生成する反応を示す説明図である。
【図11】 本発明のArFポジ型光画像形成用組成物の感光性を試験した結果を示すグラフ、および、光を照射すると(B)成分の光酸発生剤からプロトン(H+ )が生成され、そして加熱するとこのプロトン(H+ )が(C)成分の酸増殖剤に対して触媒的に作用して多量の新たな強酸がねずみ算的に放出され、これらの酸の触媒作用により(A)成分のアクリル系共重合体の第3級ブチルエステル残基が加速的に分解されて(メタ)アクリル酸基となることを示す反応を示す説明図である。
【図12】 (イ)はシリコンウエハー上に本発明のArFポジ型光画像形成用溶液をコーテイングする工程、(ロ)はコーテイングした後、100℃で60秒間プリベークしてポリマーフィルムを形成する工程、(ハ)は、ホトマスクを用いてHg−Xeランプ(波長313nm)により露光する工程、(ニ)は、100℃で90秒間ポストベークする工程、(ホ)は、3重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像して画像を形成する工程を示す説明図である。
Claims (4)
- (A)2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートと(メタ)アクリル酸エステルとを共重合して得られる共重合体と、(B)光酸発生剤とを必須成分として含むことを特徴とするArFポジ型光画像形成用組成物。
- (B)光酸発生剤が4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートであることを特徴とする請求項1記載のArFポジ型光画像形成用組成物。
- (A)2−チェニルアルキル(メタ)アクリレートと(メタ)アクリル酸エステルとを共重合して得られる共重合体と、(B)光酸発生剤と、(C)酸増殖剤とを必須成分として含むことを特徴とするArFポジ型光画像形成用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19027699A JP4390233B2 (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | ArFポジ型光画像形成用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19027699A JP4390233B2 (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | ArFポジ型光画像形成用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001022069A JP2001022069A (ja) | 2001-01-26 |
JP4390233B2 true JP4390233B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=16255476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19027699A Expired - Fee Related JP4390233B2 (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | ArFポジ型光画像形成用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4390233B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4494159B2 (ja) * | 2004-10-13 | 2010-06-30 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP4848910B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-12-28 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物用重合体、及び感放射線性樹脂組成物 |
JP4752794B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2011-08-17 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及び感放射線性樹脂組成物用重合体 |
JP5162293B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-03-13 | 富士フイルム株式会社 | 電子線、x線又はeuv光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4966796B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2012-07-04 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物 |
EP2450746A1 (en) | 2007-08-10 | 2012-05-09 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and pattern forming method using the composition |
JP5353434B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2013-11-27 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP5783118B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-09-24 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び重合体 |
-
1999
- 1999-07-05 JP JP19027699A patent/JP4390233B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001022069A (ja) | 2001-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4939070A (en) | Thermally stable photoresists with high sensitivity | |
JP4127941B2 (ja) | フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子の製造方法 | |
JP3763693B2 (ja) | 感光性組成物及びパターン形成方法 | |
KR100604751B1 (ko) | 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 | |
JP5687442B2 (ja) | 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト | |
KR19980069706A (ko) | 에너지-감수성 내식막 물질 및 에너지-감수성 내식막 물질을 사용한 장치의 제작을 위한 방법 | |
EP0254853A2 (en) | Lithographic method employing thermally stable photoresists with high sensitivity forming a hydogen-bonded network | |
JP2011215647A (ja) | フェノール/脂環式コポリマーおよびフォトレジスト | |
JP2007299002A (ja) | フォトレジスト組成物及びその製造方法 | |
TWI249080B (en) | 193NM resist with improved post-exposure properties | |
KR20000047041A (ko) | 신규의 포토레지스트 가교 단량체, 그 중합체 및이를 이용한포토레지스트 조성물 | |
JP3609326B2 (ja) | 感光性重合体及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物 | |
JP4390233B2 (ja) | ArFポジ型光画像形成用組成物 | |
JP2008111120A (ja) | スルホニル基を含むフォトレジストモノマー、ポリマー及びこれを含むフォトレジスト組成物 | |
US6737217B2 (en) | Photoresist monomers containing fluorine-substituted benzylcarboxylate and photoresist polymers comprising the same | |
US6653047B2 (en) | Photoresist monomers containing fluorine-substituted benzylcarboxylate and photoresist polymers comprising the same | |
JP2000122291A (ja) | 化学増幅レジスト用材料、感光性樹脂組成物および該組成物を半導体装置の製造に使用する方法 | |
JP3840052B2 (ja) | レジスト用樹脂 | |
JP4212515B2 (ja) | レジスト樹脂用モノマー | |
JPH1130865A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JPH09222724A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP3632383B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト用感放射線性樹脂組成物 | |
KR20000034148A (ko) | 신규의 포토레지스트 가교제 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물 | |
JP3709657B2 (ja) | 感放射線性組成物 | |
KR100732284B1 (ko) | 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060704 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090915 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091005 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |