TW442690B - Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, electronic apparatus comprising the panel, and method for manufacturing substrate for liquid crystal panel - Google Patents
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Description
/1. Λ ..C /1. Λ ..C 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印« Α7 ___ Β7 五、發明說明(1 ) 技術領域 本發明係屬於構成反射型液晶面板的反射電極側的液 晶面板用基板的構造、使用該液晶面板用基板構成的液晶 面板以及使用該液晶面板構成的電子機器以及這種液晶面 板用基板的製造方法之技術領域。 背景技術 近年來,行動電話或攜帶資訊終端機等攜帶機器等之 資訊顯示元件使用到液晶面板。顯示的資訊內容,從文字 顯示程度的發展到一次可以顯示很多資訊的點陣型液晶面 板’像素數也逐漸增多成爲高功能。於這種攜帶機器雖然 使用單純矩陣型液晶面板,但是在單純矩陣型液晶面板實 際進行多工(multiplex )驅動時其行掃描線的選擇訊號在 越高功率時必須要越高的電壓,至少對於想要減低耗電量 的要求非常強烈的進行電池驅動的攜帶機器而言成爲大問 題。 因此,本發明的發明人,於曰本專利特願平 1 0-2 1 1 2 9 3號公報,提出了以半導體基板作爲液 晶面板的基板,在半導體基板上每個像素都形成記憶體電 路,而根據記憶體電路的保持資料進行顯示控制的靜態驅 動型之反射型液晶面板。根據此種反射型液晶面板,因爲 反射從外部入射的光而進行顯示的緣故,不需要光源之背 光所以耗電量很低,可以薄型化輕量化。 然而,上述之由本發明的發明人所提出的反射型液晶 本紙張尺度適用中Η國家楳準(CNSXA4规格(210 * 297公釐〉 (锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 --------I I I I , •4- Α7 Β7 五、發明說明(2) 面板或者使用此之電子機器,雖然平衡地具備有對比高、 反應速度較快、驅動電壓低,階調顯示容易等等作爲顯示 器最基本所需要的各種性能,但是另一方面,仍有原理上 視角狹窄,不適於明亮顯示等問題點。 本發明係有鑑於上述問題點,以提供視角寬而且亮度 高的高品質反射型顯示的反射型液晶面板用基板、使用該 液晶面板用基板的液晶面板、使用該液晶面板的電子機器 以及前述液晶面板用基板的製造方法爲課題。 發明之揭示 本發明的液晶面板用基板爲了解決上述課題|特徵爲 在基板上具有:電晶體,及被接續於前述電晶體的遮光膜 ,及被接續於前述遮光膜的反射電極,及於前述反射電極 的下方透過層間絕緣膜在對應於前述反射電極的區域被層 積同時被形成爲凹凸狀的凹凸膜。 經濟部智慧財產局貝工消t合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明的液晶面板用基板,對應於凹凸膜之凹凸 形狀,於其上方中介著層間絕緣膜被形成的反射電極的表 面(亦即反射面),也被形成爲凹凸狀。因.此,因應反射 電極的表面之凹凸度,可以提高反射光的散射度。結果, 使用該液晶面板用基板構成直視型之反射型液晶裝置的話 ,藉由具有可以對無論來自任何角度的入射光都可以使朝 '向垂直於顯示畫面的方向散射的光的強度增加的最佳反射 特性的反射電極,可以進行視角寬而且在自然的—下底面上、 之明亮的高品質反射型顯示 本紙張尺度適用中國困家標準(CNS>A4现格(210 X 297公釐) -5- ^ 4426 9 0 A7 B7 五、發明說明(3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明的液晶面板用基板的一個樣態,前述遮光膜 ,從垂直於前述基板的方向來看遮住了前述反射電極的間 隙,同時由與前述凹凸膜相同之膜所構成的。 根據此樣態,凹凸膜例如由鋁膜等所構成,而設有由 此同一膜遮住反射電極的間隙的遮光膜。亦即,反射電極 及凹凸膜的下方配置電晶體的話*藉由此遮光膜,可以中 介著反射電極的間隙而遮住入射的光,所以可以避免此光 進入構成電晶體的半導體層而引起光洩漏電流的情形。而 藉由使凹凸膜與遮光膜雙方由同一膜形成,可以不必增加 層積構造之層數|可以謀求液晶面板用基板之裝置構成以 及製造程序的單純化。又,凹凸膜即使是透明的膜也只要 是被形成爲凹凸狀都可以維持對反射電極賦予凹凸的基本 機能,所以都可以得到本發明的藉由反射電極提高反射光 的散射度的效果》 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,前述凹凸膜 ,係由一導電膜所構成,進而具有與該導電膜相同之膜所 形成的配線。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 根據此樣態|凹凸膜例如由鋁膜等一個導電膜所構成 ,例如連結反射電極與電晶體的中繼配線等配線,由此一 導電膜來形成。亦即,藉由使凹凸膜與配線膜雙方由同一 膜形成,可以不必增加層積構造之層數,可以謀求液晶面 板用基板之裝置構成以及製造程序的單純化。又’凹凸膜 即使是絕緣膜也只要是被形成爲凹凸狀都可以維持對反射 電極陚予凹凸的基本機能,所以都可以得到本發明的藉由 本紙張尺度適用中困B家標準(CNS)A4规格(210 X 297公* ) -6 - 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 4 4 2 6 9 0 A7 B7 五、發明說明(4) 反射電極提高反射光的散射度的效果。 在此樣態,在前述一導電膜與前述基板之間’也可以 構成爲透過層間絕緣膜進而被層積其他的導電膜,而由於 該其他導電膜的存在與不存在使高低差產生於由位於該其 他導電膜的上方的前述一導電膜部份所構成的前述凹凸膜 0 如此構成的話,相較於例如以單純被開孔於平坦膜的 貫通孔作爲凹部的凹凸膜的場合其表面只有2種高度,可 以藉由位在凹凸膜的下方的其他導電膜的存在與不存在使 凹凸膜的表面存在3種以上的高度。藉此,可以效率佳地 提高反射光的散射度。在此場合,關於其他的導電膜也可 以在凹凸膜的一面產生細微的高低差的方式積極圖案化, 或者是直接利用由其他導電膜形成的配線等的圖案而產生 高低差的方式來構成。 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,前述凹凸膜 ,藉由在平坦膜不規則地形成多數微細孔而被形成爲凹凸 狀。 根據此樣態,形成平坦膜後,藉由蝕刻開孔的話可以 形成凹凸膜的緣故,可以比較容易地形成凹凸膜。特別是 在以與該凹凸膜相同的膜形成配線或遮光膜的場合,藉由 光蝕刻以及蝕刻圖案化這些配線或遮光膜的同時可以開孔 出這種孔的緣故,在簡化製程上有利。 又,取代用孔的方式而藉由形成細微的突起狀部份形 成凹凸膜,亦即使其不是具有凹部而是以具有凸部的方式 本紙張尺度適用中國Η家標準(CNS)A4现格(210 * 297公着> (請先Μ讀背面之注項再填寫本頁) i裝! 訂---------線. _B7__ 五、發明說明(5 ) 形成凹凸膜亦爲可能。即使於此場合,在以與該凹凸膜相 同的膜形成配線或遮光膜的場合,藉由光蝕刻或蝕刻圖案 化這些配線或遮光膜的同時可以形成凹凸膜的緣故,所以 在製程的簡化上有利。 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,前述基板, 可以由半導體基板所構成。 根據此樣態,可以在半導體基板上形成反射電極的開 關控制用的電晶體。 在此樣態,前述基板,亦可由單結晶矽所形成的。 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,前述基板, 係由透明基板所構成。 根據此樣態,也可以使用中介著SOG膜被蓄積的凹 凸膜使反射電極的表面形成凹凸狀,於S 0 G膜上利用 S〇G技術形成電晶體。 在此樣態,前述基板,亦可由玻璃所形成的。 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,於前述層間 絕緣膜,包含S 0 G (於玻璃上之矽:Silicon On Glass ) 膜。 根據此樣態,可以使用中藉著S 0G膜被層積的凹凸 膜使反射電極的表面成爲凹凸狀·可以於S 0G膜上利用 S 0 G技術形成電晶體。 在此樣態,前述S 0 G膜,亦可被回蝕(etch back ) ο 如此使S 0G膜被回蝕的話,可以使被形成於其上方 本紙張尺度適用中a國家標準(CNS>A4 in袼(210 X 297公釐> <锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁》 裝 1111 訂·1!! 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 * 8 - A7 A7 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 B7_ 五、發明說明(6 > 的反射電極具有更良好的反射特性。 本發明的液晶面板爲了解決上述課題,特徵爲:其係 於上述知本發明的液晶面板用基板與透明的對向基板之間 挾持液晶而成者。 根據本發明的液晶面板,因爲具備上述之本發明的液 晶面板用基板,所以使用該液晶面板構成直視型的反射型 液晶裝匱的話,可以藉由具有最佳的^射特性之反射電極 ,進行視角寬而且在自然的下底面上之明亮的高品質的反 射型顯示。 本發明之電子機器爲了解決上述課題,特徵爲:具備 上述之本發明的液晶面板。 根據本發明的電子機器,因爲具備上述之本發明的液 晶面板的緣故,所以藉由使用該液晶面板構成的直視型的 反射型液晶裝置,可以進行視角寬而且在自然的下底面上 之明亮的高品質的反射型顯示。 本發明的液晶面板用基板之製造方法爲了解決上述課 題,係於基板上具有複數掃描線以及複數資料線,及被接 續於前述掃描線及前述資料線的電晶體,及被接續於前述 電晶體的反射電極的液晶面板用基板之製造方法,其特徵 爲具備:於前述基板上之對應於前述反射電極的預定區域 ,形成凹凸狀的凹凸膜的工程,及在該凹凸膜上透過層間 絕緣膜形成前述反射電極的工程。 根據本發明的液晶面板用基板的製造方法,首先在基 板上之對應於反射電極的預定領域,形成凹凸狀的凹凸膜 本紙張尺度‘適用中困國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) ! 1 I ί 訂· !11111 ^^ _ 9 - 經濟部智慧財產局3工消t合作社印製 A7 _B7 五、發明說明(7 > 。此工程,可以例如於形成平坦膜後,藉由蝕刻開孔出多 數微細孔而比較容易地進行。其次,於該凹凸膜上,中介 著層間絕緣膜形成反射電極。亦即|可以比較容易而且再 現性佳地製造上述之本發明的液晶面板用基板。 本發明的液晶面板用基板,其特徵爲:在基板上*具 有相互交叉的複數行掃描線以及複數列掃描線*及沿著前 述列掃描線排列的複數資料線,及供給電壓訊號的電壓訊 號線,及對應於前述行掃描線與前述列掃描線的交叉而被 配置的複數像素驅動電路:前述像素驅動電路,具有:像 素電極:及在前述行掃描線被選擇時成爲導通狀態,前述 行掃描線與前述列掃描線的至少一方未被選擇時成爲非導 通狀態的開關電路:及在前述開關電路爲導通狀態時取入 前述資料線的資料訊號,前述開關電路爲非導通狀態時保 持資料訊號的記憶電路:及具備被保持於前述記憶電路的 資料訊號爲第1位準的場合,從前述電壓訊號線對前述像 素電極輸出第1之前述電壓訊號|而第2位準的場合,從 前述電壓訊號線對前述像素電極輸出第2之前述電壓訊號 的像素驅動器,前述像素驅動器透過遮光膜被接續於反射 電極,在前述反射電極的下方*具有透過層間絕緣膜被層 積於對應前述反射電極的區域同時被形成爲凹凸狀的與前 述遮光膜相同的膜所構成的凹凸膜。 根據本發明的相關構成,反射電極因爲透過遮光膜被 接續至像素驅動器,所以在對應於反射電極的間隙部之領 域,可以不使入射的光進入像素驅動器造成像素驅動器光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公* ) (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁》 'I — — — — ——I— — lull -10- Α7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 ___Β7_五、發明說明(8 ) 洩漏的方式來遮光。此外,藉由與遮光膜相同的膜在對應 於反射電極的領域形成凹凸膜,對應於凹凸膜之凹凸形狀 |於其上方中介著層間絕緣膜被形成的反射電極的表面( 亦即反射面)也被形成爲凹凸狀。因此,因應反射電極的 表面之凹凸度•可以提高反射光的散射度。結果,使用該 液晶面板用基板構成直視型的反射型液晶裝置的話,藉由 具有對於來自所有角度的入射光皆可於朝向垂直於顯示畫 面的方向散射的光的強度增加之最佳反射特性的反射電極 ,可以進行視野寬而且在自然的下底面上之明亮的高品質 的反射型顯示。 本發明這種作用以及其他功效可由接下來說明的實施 形態得到確認。 圖面之簡單說明 第1圖係適用本發明的構成反射型液晶面板的反射電 極側的液晶面板用基板的第1實施形態之像素領域的剖面 圖。 第2圖係適用本發明的構成反射型液晶.面板的反射電 極側的液晶面板用基板的第2實施形態之像素領域的剖面 圖。 第3圖係適用本發明的構成反射型液晶面板的反射電 極側的液晶面板用基板的第3實施形態之像素領域的剖面 圖。 第4圖係適用本發明的構成反射型液晶面板的反射電 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝! —訂!1
n I 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4婕格(210 X 297公* ) •11 - ^ 442690 A7 B7_____ 五、發明說明(9 ) 極側的液晶面板用基板的第4實施形態之像素領域的剖面 圖。 (請先Μ讀背面之注专7#項再填寫本頁> 第5圖係第1、第2及第4實施形態之像素領域的凹 部及遮光層的配置之平面圖(第5圖(a ))以及其中擴 大反射電極的間隙部份而顯示的平面圖(第5圖(b )) 〇 第6圖係顯示第3實施形態之像素領域的凹部及遮光 層的配置之平面圖。 第7圖係顯示使用各實施形態之液晶面板用基板構成 的液晶面板的像素及其驅動電路等之一例的方塊圖。 第8圖係根據第7圖以CM 0 S電晶體構成驅動電路 的電路圖。 第9圖係彩色液晶面板的場合之各實施形態之像素領 域的驅動電路的構成例之電路圖。 第1 0圖係被包含於第9圖的驅動電路的1個液晶像 素驅動電路的記號圖(第1 0圖(a ))以及對應於此的 具體電路構成之電路圖(第10圖(b))。 第1 1圖係顯示第9圖的驅動電路的配置圖案之平面 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 圖。 第1 2圖係擴大顯示相關於第1 1圖的驅動電路的配 置圖案之中的1個液晶像素驅動電路的部份的平面圖。 第13圖係使用各實施形態的液晶面板用基板構成的 反射型液晶面板的平面圖。 第14圖係第13圖的A-A'剖面圖。 本紙張尺度適用中國Η家標準(CNS)A4蚬格(210 * 297公* ) : A7 B7 五、發明說明(1 2) 第15圖係使用各實施 電話的立體圖(第1 5圖( (第1 5圖(b ))以及 符號說明 形態的反射型液晶面板的行動 a))、手錶型電視的立體圖 人電腦的立體圖(第1 5圖( 1 基 板 2 井 領 域 3 效 氧 化 膜 6 a 、6 b 源 極 / 7 第 1 層 間 絕 緣 膜 8 a 、8 B 第 1 導 9 第 2 層 間 絕 緣 膜 汲極領域 電層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2導電層 c 第3層間絕緣膜 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 1 1 a 、1 1 b 1 1 1 2 接續接 頭 1 3 反射 電 極 2 0 影 像 顯 γϊπχχ 示 領 域 2 2 輸 入 資 料 線 2 5 遮 光 膜 2 6 墊 域 3 0 液 晶 面 板 3 3 共 通 電 極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 * 297公釐) -13- 1 b 接觸孔 2 1 0 a 、1 〇 b 第 442690 A7 B7 五、發明說明(11) 3 5 對向基板 3 6 密封材 3 7 液晶 1 11 行掃描 線 驅 動 電 路 1 13 列掃描 線 驅 動 電 路 供實施發明的最佳形態 以下,根據圖面說明本發明較佳的實施形態。 液晶面板的槪要構成與本發明的液晶面板用基板的第 1實施形態 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 最初,參照第1圖及第5圖以及第1 3圖與第1 4圖 說明具備本發明的液晶面板用基板而構成的液晶面板全體 的槪要構成•與本發明的液晶面板用基板的第1實施形態 之構成。此處,第1圖係本發明的第1實施形態之反射電 極側的液晶面板用基板的像素領域的剖面圖,第5圖(a )係此像素領域的平面圖,第5圖(b )係擴大顯示第5 圖(a )之反射電極的間隙部之平面圖。此外,第1 3圖 係液晶面板全體的平面圖,第1 4圖係其A _ A >剖面圖 〇 本發明之反射電極側的液晶面板用基板如第1圖所示 ,使用半導體基板作爲基板1。又,此基板1的材料並不 以本實施形態爲限定。例如使用如玻璃基板那般的透明基 板亦可。 此處首先參照第1 3圖與第1 4圖說明本發明的反射 本紙張尺度適用中國國家棵準(CNS)A4现格(210 X 297公釐) -14- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 4 42 6 9 0 A/ B7 五、發明說明(12〉 型液晶面板的全體構成之槪要。 ‘ 如第1 3圖與第1 4圖所示,於反射電極側(在第 1 4圖爲下側)的基板1的中央部設有影像顯示領域2 0 ’於影像顯示領域2 0後述之行掃描線與列掃描線被配置 爲矩陣狀。因應行掃描線與列掃描線之交點被配置各像素 ,於各像素設反射電極1 3 ,進而於各反射電極1 3之基 板1上如後述般設有液晶像素驅動電路。於影像顯示領域 2 0的周邊領域,被配置著對行掃描線供給行掃描訊號的 行掃描線驅動電路1 1 1、對列掃描線供給列掃描訊號的 列掃描線驅動電路1 1 3以及透過墊領域2 6從外部取入 輸入資料的輸入資料線2 2。基板1 ,與被與此對向配置 同時於內面被形成共通電極3 3的例如由玻璃所構成的透 明的對向基板3 5 ,係藉由密封材3 6於實線與單點虛線 所夾的領域被黏著固定,於其間隙被封入液晶3 7而構成 液晶面板3 0。又,在基板1上之影像顯示領域2 0的周 圍以虛線夾住的陰影線領域,被形成防止光入射至行掃描 線驅動電路1 1 1 、列掃描線驅動電路1 1 3以及輸入資 料線2 2同時規定影像顯示領域2 0的框緣之遮光膜2 5 〇 其次,參照第1圖詳細說明液晶面板用基板的第1實 施形態的剖面構造》 於第1圖,基板1例如由單晶矽之p型半導體基板( 或者N型半導體基板)所構成,於基板1的表面被形成較 基板1不純物濃度更高的N型井領域2 (或者P型井領域 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝! 訂------線 本紙張尺度‘適用中B國家棵率(CNS>A4现格<210 * 297公* ) -15- 經濟部智慧財產局具工消費合作杜印製 2 6 9 0 A7 ____B7___ 五、發明說明(13) )。此井領域2 ,亦可與第1 3圖所示的構成列掃描線驅 動電路113或行掃描線驅動電路111、輸入資料線 2 2等周邊電路的元件被形成的部份之井領域,係分離而 形成的。 於井領域2上,被形成有形成於基板1上的元件分離 用的場效氧化膜(所謂的LOCOS) 3。場效氧化膜3 例如藉由選擇性熱氧化來形成。於場效氧化膜3被形成開 口部,於此開口部的內側中央,透過藉由矽基板表面的熱 氧化而被形成的閘極氧化膜被形成由多晶矽或者金屬矽化 物等所構成的閘極電極5,此閘極電極5的兩側的井領域 2的表面被形成由不純物層(以下,稱爲摻雜層)所構成 的源極/汲極領域6 a、6 b,而構築出場效電晶體(以 下稱爲FET)。而,在源極/汲極領域6 a及6b的上 方,透過例如 BPSG ( Boron Phosphorus Silica Grass ) 膜所構成的第1層間絕緣膜7,被形成由基板1側數起第 1層的第1導電層8a、8B。此第1導電層8a、8B 例如藉由以濺鍍法堆積5 0 0 nm的鉅層而形成。第1導 電層8 a'中介著被形成於第1層間絕緣膜的接觸孔與源極 領域(或者汲極領域)6a導電接續,構成FET的源極 (或者汲極)。此外,第1導電層8 b,中介著被形成於 第1層間絕緣膜7的接觸孔導電接續於汲極領域(或者源 極領域)6 b,構成FET的汲極(或者源極)。 於第1導電層8a 、8b的上方,被形成例如由矽氧 化膜所構成的第2層間絕緣膜9,於第2層間絕緣膜9被 衣^張尺度適用中S困家標準(CNSXA4媒格(210 X 297公釐) ~ 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ! 11 — I 訂·!1!11 . ,;η、、 Α7 __Β7 五、發明說明(丨4 ) 開孔著接觸孔9 b。進而於其上方,被形成從基板1側起 算第2層之第2導電層l〇a、10b。此第2導電層 1 0 a ' 1 〇 b例如以濺鍍法堆積5 0 0 nm的鋁層或者 鉬層而形成。第1導電層8 b與第2導電層1 〇 b,係透 過接觸孔9 b導電接續。又,第2層間絕緣膜可以藉由濺 鏟法或者使用TEOS (四乙基原矽酸鹽:tetraethyl ortho-silicate )的電漿C V D法形成。在本實施形態,例如 藉由TE0S的電漿CVD堆積矽氧化膜1 l〇〇nm, 而形成第2層間絕緣膜9。 第2導電層1 〇 a ,於在一方對應於反射電極1 3的 間隙部的領域’具有遮光的機能,可以避免入射的光進入 基板1上的半導體層側(井領域2)而使FET產生光洩 漏。亦即’在此領域,並未特別形成凹部(亦即沒有被開 孔出細微的孔穴),而以覆蓋反射電極13的間隙的方式 被平面配置g另一方面,第2導電層l〇a ,於對應於反 射電極1 3的領域,被形成孔穴被配置爲不規則地配置爲 巢穴狀的凹部。又,此孔穴的直徑以〇 . 5〜10//m較 佳。在此範圍的任意尺寸或者數種類的尺寸亦可。此外, 孔穴的形狀並不以本實施形態爲限定。例如適用如正八角 形之類的多角形亦可。 又,形成如此的孔穴的工程,可以與藉由從第2導電 層1 0 a、1 〇 b蝕刻以及光蝕刻配線或遮光膜的工程同 時進行的緣故在製程上有利。 此外,在本實施形態,第2導電層1 0 b,透過接觸 本紙張尺度適用中國困家標準(CNS>A4规格(210 X 297公* > <請先閱讀背面之>i意事項再填寫本買) 裝 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 -17- 442690 A7 B7 五、發明說明(15) 孔9 b直接接續第1導電層8 b ,但是使用由鎢等高融點 金屬所構成的接觸接頭來接續亦可° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 進而,於第2導電層l〇a 、l〇b的上方’被形成 具有3層構造的第3層間絕緣膜1 1 a、1 1 b,1 1 C 。在本實施形態,第3層間絕緣膜1 1 a ’例如藉由 TEOS的電漿CVD之膜厚6 0 0 nm的矽氧化膜所形 成,第3層間絕緣膜1 1 b ’例如藉由S 0 G ( Spin On Glass )膜之膜厚3 2 0 nm的矽氧化膜所構成。又’ S 0G膜的厚度,並不以本實施形態爲限定,爲了在對應 於反射電極]3的領域形成適當的凹部,以1 0 0〜 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 5 0 0 nm程度較佳。此外由S OG膜形成第3層間絕緣 膜1 1 b後,將此SOG膜與第3層間絕緣膜1 1 a以沒 有選擇性的條件或是以任意條件蝕刻亦可。在本實施形態 ,將SOG膜所構成的第3層間絕緣膜1 1 b以及1 1 a ,以沒有選擇性的條件蝕刻5 0 0 n m。又•此時的蝕刻 量,並不以本實施形態爲限定,以1 0 0〜5 0 0 nm程 度較佳。進而,第3層間絕緣膜11c與第3層間絕綠膜 1 1 a同樣,例如由根據TEOS的電漿CVD形成膜厚 5 ◦ 0 n m的矽氧化膜所構成。如此進行而在對應於反射 電極1 3的第3層間絕緣膜1 1 a、1 1 b、1 1 c的表 面所形成的凹部的推拔(緩坡),成爲平滑的曲線形狀, 因此於其上被形成具有良好的反射特性的反射電極1 3。 與第2導電層1 0 a同時被形成的第2導電層1 0 b 與反射電極1 3之接續,係於被開口於第3層間絕緣膜 本紙張尺度適用中國团家棵準(CNS)A4现格(210 X 297公* ) -18 4 42 6 90 A7 B7 五、發明說明(16) 以CVD法等埋入由 2而進行接續的。 起算第3層的第3導 11a、lib、 11c的接觸孔 鎢等高融點金屬所構成的接續接頭] 形成接續接頭1 2後,由基板 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 電層例如由低溫濺鍍法以鋁形成,作爲反射電極1 3。藉 此,可以形成具有9 0%以上的高反射率的反射電極1 3 〇 藉由以上所述方法,可以在不增加製程的情形下容易 而且再現性佳地製作具有最佳反射特性的反射電極,可以 提供視野寬廣而且在自然的下底面上可進彳了明亮的商品質 的反射形顯示之反射型液晶面板。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 又,在本實施形態,特別如第1圖所示,係隨著第1 導電層8 a ' 8b的存在與不存在,而於爲在第1導電層 8 a、8 b膜的上方的第2導電層1 0 a產生高低差,而 以藉由此高低差最終也在反射電極13產生高低差的方式 被構成的。因此,假設與在平坦的第2導電層1 0 a被形 成凹部的場合相比,於反射電極1 3的表面可以存在著4 種高度。亦即,可以效率佳地提高反射光的散射度。特別 是假設在平坦的導電層1 0 a被形成凹部的場合所會產生 的雙重映射等不良情形可以避免掉。又,在本實施形態, 是直接利用由第1導電膜8 a 、8 b所形成的配線等圖案 使產生高低差的方式構成的|但如後述之第2實施形態, 對於第1導電膜8a、8b,也可以使跨過第2導電層 1 0 a的一面產生細微高低差的方式以具有多數微小的凹 凸部的方式積極圖案化亦可。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 * 297公* ) 19 - 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 ;6 3 Ο Α7 _____Β7__五、發明說明(17) 其次.,參照第5圖說明被顯示於第1圖之液晶面板用 基板之像素領域的凹部以及遮光層之配置。 於第5圖(a ),在第1實施形態的液晶面板用基板 的像素領域,於被形成多數凹部的第2導電層1 0 a上’ 被形成具有多數的圓滑凹凸部的反射電極1 3 ,未被形成 凹部的第2導電層1 0 a以覆蓋反射電極1 3的間隙的方 式被形成。進而,·於各反射電極1 3的中央,如前述般被 形成成爲汲極電極(或者源極電極)8 b與第2導電層 1 0 b之接續部的接觸孔9 b,於此鄰接被形成供接續第 2導電層1 Ob與反射電極1 3之用的接續接頭1 2。 如擴大於第5圖(b )所顯示的,第2導電層1 0 a ,在對應於反射電極1 3的領域B,被形成孔穴被不規則 地配置爲巢穴狀的凹部,除此領域B在對應於反射電極 1 3的間隙部的領域,爲了避免使入射的光線進入基板1 上的半導體層側造成F E T光洩漏,而未被形成凹部。 在本實施形態,孔穴的形狀適用圓形》又,孔穴的直 徑以0.5〜5較佳,在此範圍的任意尺寸或者數種 類的尺寸之孔穴亦可。此外,孔穴的形狀並不以本實施形 態爲限定。例如可以適用正八角形等多角形= 此外,於第5圖(b),從反射電極13的端部到凹 部領域的端部爲止的距離A,雖未有特別限定•但是爲了 具有遮光機能以在約3 w m以上較佳。 本發明之液晶面板用基板的第2實.施形態 其次,參照第2圖及第5圖說明本發明的液晶面板用 (請先W讀背面之注意ί項再填寫本頁) 裝 訂----- 線 本紙張尺度適用中囲a家櫟準(CNS>A4现格(210 * 297公釐> -20- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 …J J A7 _B7 _五、發明說明(18) 基板的第2實施形態。此處,第2圖係適用本發明的反射 型液晶面板的反射電極側之液晶面板用基板的第2實施形 態的剖面圖。又,在第2圖,對於與顯示在第1圖的構成 要素相同的構成要素賦予同樣的參考符號,省略其說明。 如第2圖所示,在第2實施形態,不使用如第1實施 形態那般的接續接頭1 2,而使第2導電層1 0與反射電 極1 3透過接觸孔直接接續。藉此,本實施形態於工程程 序的簡化上非常有效。進而•在第2實施形態,除了第1 導電層8a 、8b之外,還形成第1導電層8c 。第1導 電層8 c ,係以使橫跨第2導電層1 〇 a的一面產生細微 高低差的方式,被圖案化爲具有被開孔多數微小的凹部的 部份。藉此,假設與平坦的第2導電層1 0 a處被形成凹 部的場合相比,可以橫跨反射電極1 3的表面全體形成4 種高度*可以效率佳地提高反射光的散射度》關於其他的 構成,與第1實施形態的場合相同。特別是關於第2實施 形態之像素領域的凹部及遮光層的配置,也與第5圖所示 的第1實施形態的場合相同。 本發明的液晶面板用基板的第3實施形態 其次,參照第3圖及第6圖說明本發明的液晶面板用 基板的第3實施形態。此處,第3圖係適用本發明的反射 型液晶面板的反射電極側之液晶面板用基板的第3實施形 態的剖面圖。又,在第3圖,對於與顯示在第1圖的構成 要素相同的構成要素賦予同樣的參考符號,省略其說明。 如第3圖所示,在第3實施形態,不使用如第1實施 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 !|訂----- 線 本紙張尺度ίβ用中B困家標準<CNS)A4现袼(210 X 297公* > -21 - 44269 0 A7 B7 五、發明說明(19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 形態那般的第2導電層1 0 b作爲中繼配線,ffii使汲極電 極(或者源極電極)8 b與反射電極1 3 ,藉由接續接頭 1 2導電接續。接續接頭1 2使用鎢等高融點金屬。 此時,如第6圖所示,第2導電層1 0 a之孔穴被不 規則配置爲巢穴狀的凹部,除了各像素之接續接頭1 2被 形成的接觸孔的周圍與反射電極1 3的間隙部以外|可以 橫跨像素顯示領域2 0的全區域而形成,進而可以形成具 有最佳反射特性的反射電極。 此外,在第3實施形態•如第3圖所示,於層間絕緣 膜9被施以平坦化處理。如此進行平坦化處理的話,可以 不隨著第2導電層1 0 a的下底之高低差或凹凸,而藉由 被形成在第2導電層1 0的凹部形成均勻的凹凸狀。關於 其他的構成,與第1圖所示的第1實施形態的場合相同。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本發明的液晶面板用基板的第4實施形態 其次,參照第4圖及第5圖說明本發明的液晶面板用 基板的第4實施形態。此處,第4圖係適用本發明的反射 型液晶面板的反射電極側之液晶面板用基板的第4實施形 態的剖面圖。又,在第4圖,對於與顯示在第1圖的構成 要素相同的構成要素賦予同樣的參考符號,省略其說明^ 如第4圖所示,在第4實施形態,與第1實施形態的 場合相異,基板1 >係由石英或無鹼性的玻璃基板所構成 ,此基板1 “上被形成單晶或者多晶或者非晶之矽膜(源 極•汲極領域6a / · 6b >的形成層)’於此矽膜上被 形成由例如熱氧化而形成的熱氧化矽膜與藉c V D法堆積 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4现格(210 * 297公釐) -22- 442690 A7 B7____ 五、發明說明(20) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 的氮化矽膜之二層構造所構成的絕緣膜形成閘極絕緣膜。 此外,於此矽膜,被摻雜N型不純物(或者P型不純物) ,形成TFT的源極•汲極領域6a — · 6b >,於鬧極 絕緣膜上,T F T的閘極電極5藉由多晶矽或者金屬矽化 物等形成。關於其他的構成與第1實施形態的場合相同, 特別於閘極電極5上,與第1實施形態的場合同樣,依序 被層積形成第1層間絕緣膜7、第1導電層8a 、8b、 第2層間絕緣膜9、第2導電層10a、l〇b、第3層 間絕緣膜1 1 a 、1 1 b、1 1 c以及反射電極1 3。此 外,第4實施形態之像素領域的凹部以及遮光層的配置, 與第5圖所示的第1實施形態的場合相同》 又,在第4圖閘極電極5係位於通道上方的頂閘形式 者,但也可以是先形成閘極,再中介著閘極絕緣膜配置作 爲通道的矽膜之底閘形式。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 此外,於以上所說明的第1至第4實施形態,藉由在 第2導電層1 0 a開孔出孔穴,亦即藉由形成凹部使第2 導電層10 a形成爲凹凸狀(參照第1圖至第4圖),但 是藉由在第2導電層形成凸部或者使笫2導.電層形成微細 的多數突起,使第2導電層1 0 a形成爲凹凸狀亦可。於 此場合,也可以與形成第2導電層1 0 b的工程同時藉由 光蝕刻及蝕刻使第2導電層形成爲凹凸狀》 本發明的液晶面板的像素及其驅動電路的說明 其次,參照第7圖及第8圇說明將如上述各實施形態 而被構成的反射電極作爲像素電極而以驅動每個像素的方 未紙張尺度適用中國國家標準(CNSXA4规格<210 X 297公* ) -23 * A7 442690 B7___ 五、發明說明(21) <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 式被構成的被设於各像素的驅動電路之一例。此處,第7 圖係顯示本發明的液晶面板的像素及其驅動電路等之一例 的方塊圖,第8圖係將第7圖的驅動電路以CMO S電晶 體構成的場合的電路圖。 於第7圖,在影像顯示領域,行掃描線1 〇 〇 ~ n ( η係顯示行掃描線的行的自然數)與列掃描線1 1 2- m (m係顯示列掃描線的列的自然數)被配置爲矩陣狀,於 相互的掃描線交叉點被配置各像素的驅動電路。此外,於 影像顯示領域也被配置著沿著列掃描線1 1 2 - m從輸入 資料線1 1 4分岔的列資料線1 1 5 - d ( d係顯示列資 料線的列之自然數)。於影像顯示領域的行側的周邊領域 被配置行掃描線驅動電路1 1 1 ,於影像顯示領域的列側 的周邊領域被配置列掃描線驅動電路1 1 3。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 藉由行掃描線驅動電路用控制訊號1 2 0控制行掃描 線驅動電路1 1 1 ,對被選擇的行掃描線1 1 〇 - η輸出 選擇訊號。未被選擇的行掃描線被設定爲非選擇電位。同 樣地,藉由列掃描線驅動電路用控制訊號1 2 1控制列掃 描線驅動電路1 1 3,對被選擇的列掃描線1 1 2 — m輪 出選擇訊號,非選擇的列掃描線被設定爲非選擇電位。選 擇任一之行掃描線以及任一之列掃描線係藉由控制訊號 1 20、1 2 1來決定的。總之,控制訊號1 20、 1 2 1係指定選擇像素的位址訊號。 被配置於被選擇的行掃描線110-η與被選擇的列 掃描線1 1 2-m的交叉點附近的開關控制電路1 0 9 , 本紙張尺度適用中國困家棵準<CNS)A4 ft袼(210 * 297公釐) ,24- 4 426 90 A7 B7 五、發明說明(22) <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁> 接受兩掃描線的選擇訊號輸出打開(ON )訊號’行掃描 線110_n與列掃描訊號112_m的至少一方成爲非 選擇的話輸出關閉(〇 F F )訊號)亦即’僅有從位在被 選擇的行掃描線與列掃描線的交叉點的像素的開關控制電 路被輸出打開訊號,而從其他的開關控制電路1 〇 9被輸 出關閉訊號。在本實施形態,藉由此開關控制電路1 〇 9 的打開、關閉訊號來控制液晶像素驅動電路1 0 1。 其次,參照第7圖說明液晶像素驅動電路1 0 1的構 成以及動作。 如第7圖所示,液晶像素驅動電路1 0 1 1被構成爲 具備開關電路1 0 2、記億體電路1 0 3以及液晶像素驅 動器1 0 4。 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 開關電路1 0 2藉由開關控制電路1 0 9的打開訊號 成爲導通狀態,藉由關閉訊號成爲非導通狀態。開關電路 1 0 2成爲導通狀態的話,使被接續於該處的列資料線 1 1 5 - d的資料訊號透過開關電路1 0 2寫入記億體電 路1 0 3 »另一方面,開關電路1 0 2藉由開關控制電路 1 0 9的關閉訊號成爲非導通狀態而保持被寫入記憶體電 路10 3的資料訊號。 被保持於記憶體電路1 0 3的資料訊號,被供給至被 配置於每個像素的液晶像素驅動器1 0 4 »液晶像素驅動 器1 0 4因應被供給的資料訊號的電壓,而將被供給至第 1電壓訊號線1 1 8的第1電壓1 1 6或者被供給至第2 電壓訊號線1 1 9的第2電壓1 1 7之任一供給至液晶像 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4现格<210 297公釐) -25- 5 9 Ο Α7 _Β7_____ 五、發明說明(23) 素1 05.的反射電極1 3。第1電壓1 1 6 ’是在液晶面 板爲常態白色〃 normally white )顯示的場合’使液晶像素 1 0 5成爲黑色顯示的電壓,另一方面第2電壓1 1 7係 使液晶像素1 0 5成爲白色顯示狀態的電壓。 被保持於記憶體電路1 0 3的資料訊號爲Η位準的場 合,於液晶像素驅動器1 0 4,被接續於在常白顯示的場 合使液晶顯示爲黑的第1電壓訊號線118的閘極成爲導 通狀態,藉由各像素之反射電極13被供給的第1電壓 1 1 6與,被供給給對向電極1 0 8的基準電壓1 2 2的 電位差使液晶像素1 0 5成爲黑顯示狀態。同樣的,被保 持的資料訊號爲L位準的場合,於液晶像素驅動器1 〇 4 被接續於第2错壓訊號線1 1 9的閘極成爲導通狀態,第 2電壓被供給至反射電極1 3使液晶像素1 0 5成爲白顯 示狀態。 藉爲以上的構成,電源電壓、第1電壓1 1 6、第2 電壓1 1 7以及基準電壓1 1 2也可以邏輯電壓程度動, 而且在畫面顯示沒有必要改寫的場合可以藉由記憶體電路 1 0 3的資料保持機能保持顯示狀態的緣故幾乎沒有電流 流動。 又,液晶像素1 0 5,因應被保持的資料訊號使從液 晶像素驅動器1 0 4輸出的第1電壓1 1 6或者第2電壓 1 1 7之任一方被選擇而被供給的反射電極1 3被設於每 一像素,對中介於此反射電極1 3與對向電極1 0 8之間 的液晶層1 〇 7被施加兩電極的電位差,因應此因應這電 本紙張尺度適用中國國家櫟準(CNS)A4蚬格(210 * 297公* ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝! —訂·!!
線V 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 -26- 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(24) 位差的液晶分子的配向變化而成爲黑顯示狀態(也稱爲打 開顯示狀態)與白顯示狀態(也稱爲關閉顯示狀態)。液 晶面板,如上述般,於半導體基板等基板1與玻璃等基板 3 5之間封入挾持液晶3 7 (參照第1 4圖),於基板1 上,配置反射電極1 3爲矩陣狀,於該反射電極1 3的下 方形成液晶像素驅動電路1 0 1 、行掃描線1 1 〇_ η、 列掃描線1 1 2 — m、列資料線1 1 5 - d '行掃描線驅 動電路1 1 1 '列掃描線驅動電路1 1 3等而構成(參照 第13圖)。各像素,於反射電極13與對向電極3 3之 間對每一像素施加電壓,對中介於其間的每一像素的液晶 層3 7供給電鲇,使每個像素的液晶分子的配向改變。 其次,說明如上述般構成的液晶像素驅動電路等的具 體電路構成之一例》 如第8圖所示,於本實施形態,開關控制電路1 0 9 可以藉由CMOS電晶體構成的NOR閘電路1 〇 9 _ 1 與CMO S電晶體構成的反相器1 〇 9 - 2的邏輯電路來 構成。NOR閘電路1 0 9 — 1在2個輸入同時被輸入負 邏輯的選擇訊號時輸出正邏輯的打開訊號,藉由反相器 1 0 9 - 2輸出負邏輯的打開訊號。此外,開關電路 1 〇 2可以藉由CMO S電晶體構成的傳輸閘1 0 2 — 1 來構成。傳_閘1 0 2 - 1係根據開關控制電路1 0 9的 打開訊號導通而聯繫列資料線1 1 5與記憶體電路1 0 3 ,根據關閉訊號成爲非導通。記憶體電路1 〇 3可以爲使 C Μ 0 S電晶體構成的時間控制反相器1 〇 3 - 1與 (請先闓讀背面之沒意事項再填寫本頁) 裝------丨—訂!! 線 本紙張尺度遠用中0國家標準(CNS>A4蚬格<210 * 297公* > • 27· 442 6 9 0 A7 B7 _ 五、發明說明(25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) CMOS電晶體構成的反相器1 0 3-2回歸'接續的構成 。資料訊號藉*開關控制電路1 0 9的打開訊號而從開關 電路1 0 2被取入記憶體電路1 0 3,藉由反相器1 ◦ 3 - 2反轉,藉由以開關控制電路1 0 9的關閉訊號動作的 時間控制反相器1 0 3 - 1回歸輸出而保持資料訊號。液 晶像素驅動器1 0 4可以藉由2個CMOS電晶體構成的 傳輸閘1 0 4_ 1以及1 0 4_2來構成。被保持於記億 體1 0 3的資料訊號爲Η位準的場合,於液晶像素驅動器 1 0 4,被接續於在常白顯示的場合使液晶進行黑顯示的 第1電壓訊號線1 1 8的傳輸閘1.0 4 - 1成爲導通狀態 ,於反射電極1 3被供給第1電壓1 1 6,藉由與被供給 至對向電極1 0 8的基準電壓1 2 2之電位差使液晶像素 1 0 5成爲黑顯示狀態。同樣地,被保持的資料訊號爲L 位準的場合,被接續於第2電壓訊號線1 1 9的傳輸閘 1 0 4 - 2成爲導通狀態,於反射電極1 3被供給第2電 壓1 1 7而液晶像素1 05成爲白顯示狀態。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 其次,參照第9 11至第1 2圖說明如上述各實施形態 構成的反射電極作爲像素電極而以驅動每一像索的方式被 構成的設於各像素的驅動電路之其他例》此處,第9圖係 顯示本發明的液晶面板的像素以及其驅動電路等其他例之 電路圖•第10圖係其中1個液晶像素驅動電路的詳細構 成之電路圖,第1 1圖係顯示其配置圖案之平面圖,第 1 2圖係部份擴大顯示相關於其中1個液晶像素驅動電路 的平面圖。又,第9圖至第1 2圖中與第7圖及第8圖所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4规格(210 X 297公* ) -28- 442690 A7 B7 經濟部智慧財產局S工消费合作社印製 五、發明說明(26) 示的構成要素相同的構成要素被賦予同樣的參照符號,省 略其說明。 第9圖所示的驅動電路的構成例,特別適於彩色液晶 面板,於一個開關控制電路1 0 9 >,被接續著依序在行 方向被配列R G B R G B用的6個液晶像素驅動電路 101 >。而在這6個液晶像素驅動電路101 >,以分 別透過其他的輸入資料線1 1 4 /,使被序列-平行變換 的6個(依序爲R ' G、B、R、G、B用的)影像訊號 ,在藉由同一開關控制電路1 〇 9 <的控制下(亦即,作 爲同一位址的驅動電路),分別同時被輸入的方式構成的 °於被接續在各液晶像素驅動電路1 0 1 /的反射電極 1 3,在基板1或者基板2上的對向位置被形成各色(R 、0或8 )的彩色濾光膜,藉由6個液晶像素驅動電路使 得因應各像素之彩色影像訊號的顏色的顯示成爲可能。 又,在此構成例,開關控制電路109 <,與第8圖 所示者同樣,以由CMO S電晶體構成的NOR閘電路以 及CMO S電晶體構成的反相器所構成,透過時脈訊號線 1 2 5對6個液晶像素驅動電路1 0 1 /的.時脈輸入端子 供給時脈訊號CK同時透過反轉時脈訊號線1 2 6對6個 液晶像素驅動電路1 0 1 /的反轉時脈輸入端子供給反轉 時脈訊號/CK的方式構成》 此外*第9圖所示的電路之中,1個液晶像素驅動電 路101 <,係如第10圖(a)的記號圖所示,與此對 應的具體電路構成,例如第1 0圖(b )所示,與第8圖 本紙張尺度適用中國B家標準(CNS>A4親格<210 » 297公釐) <請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 II訂·!-線 29- 經濟部智懸財產局貝工消费合作社印製 4 .j. □ y ο A7 ____B7___ 五、發明說明(27> 所示者同樣地,由C Μ 0 S電晶體構成的傳輸閘、 C Μ Ο S電晶體構成的時間控制反相器以及反相器所構成 ,因應以時脈訊號CK的計時從輸入資料線1 1 4 —被供 給而被保持的資料(DATA)使第1電壓1 1 6或第2 電壓1 1 7施加於反射電極1 3的方式被構成。 亦即|關於第9圖所示的驅動電路的動作,除了同時 驅動複數反射電極1 3這一點以外,與第7圖及第8圖所 示的場合相同。 此處*顯示於第9圖的驅動電路的具體平面配置圖案 之一例顯示於溟1 1圖,相關於其中1個液晶像素驅動電 路1 0 1 >的部份擴大顯示於第1 2圖。 如第1 1圖及第1 2圖所示,於各像素電極1 3下被 配置液晶像素驅動電路101/以及被接續於此的各種配 線。特別是於第12圖,輸入資料線1 14 ~、行掃描線 1 1 0、列掃描線1 1 2、時脈訊號線1 2 5、反轉時脈 訊號線126、接地線(GND)、指定電源線(Vcc )、第1電壓訊號線1 1 8、第2電壓訊號線1 1 9等各 種配線之大部分,係由第1導電層(被形成於圖中以網狀 陰影表示的領域的層)所形成的。此外,在這些配線有交 叉的必要的部份,由主要與閘極電極相同的導電性多晶矽 膜(圖中•被形成於以無陰影顯示的領域的膜)形成中繼 配線部份。又,圖中,導電接續相異的導電層或半導體層 間的接觸孔分別以黑色四角形顯示•於各接觸孔接續接頭 可被配置亦可不配置。此外於各電晶體,由導電性多晶矽 本紙張尺度適用中國a家標準(CNS)A4现格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂------——^ -30- A7 AA2690 B7___ 五、發明說明( 膜所構成的閘極電極透過未圖示的絕緣膜被對向配置於P 型或N型半導體膜(圖中’被形成於以斜線顯示的領域的 膜)。進而於反射電極13的幾乎中央,與第5圖所示者 同樣地,藉由第2導電層1 0 b以及接續接頭1 2接續第 1導電層(汲極或者源及電極)與反射電極1 3。 由第11圖及第12圖可知,第2導電層l〇b ,由 平面來看只要被形成於少許的領域即可,所以使第2導電 層擴展形成於基板上的大部分的領域成爲可能,在第1 1 圖以及第1 2圖藉由使未圖示的第2導電層1 〇 a (參照 第1至第6圖)形成爲凹凸狀,於基板上的大部分領域可 以使反射電極1 3具有良好的反射特性。進而,因爲使用 第1導電層形成各種配線的緣故,可以如前述般利用第1 導電層8 a的存在與不存在透過第2導電層1 0 a在反射 電極1 3的表面造成高低差,而可以更爲提高其反射特性 又,於第1 2圖,利用第1導電層8 a未被形成的平面 領域(亦即,配線未被形成的領域),藉由如前述第2實 施形態積極圖案化第1導電層8c (參照第2圖),可以 對第2導電層1 0 a施以遍佈的細微高低差。 本發明的液晶面板的構造之說明 其次,再次參照第1 3圖及第1 4圖更詳細說明具備 上述各實施形態的液晶面板用基板而構成的液晶面板全體 的構造。此處•第1 3圖係液晶面板全體的平面圖,第 1 4圖係其A _ A >剖面圖。 如第1 3圖所示於液晶面板3 0 *作爲區動像素的電 本纸張尺度適用中國困家標準(CNS)A4规格(210 * 297公藿) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 !11訂---------祿 經濟部智慧財產局興工消费合作社印* -31 - 442690 經濟部智慧財痩局Μ工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明(29 ) 路,首先.於以遮光膜2 5覆蓋的框緣領域,如前述般設有 行掃描線驅動電路1 1 1、列掃描線驅動電路1 1 3以及 輸入資料線2 2 ,進而於影像顯示領域2 0中(反射電極 1 3下)如前所述,設有開關控制電路1 0 9 、開關電路 1 0 2、記憶體電路1 0 3以及液晶像素驅動器1 〇 4。 遮光膜2 5,係以與第1圖所示的反射電極1 3相同的工 程所形成的第3導電層構成的,以施加L C共通電極電位 等之指定電位的方式被構成。又,於墊領域2 6,被形成 有供作供給電源電壓之用的墊或是端子。 如第1 4圖所示,於基板1 ,在其背面由玻璃或者陶 瓷等所構成的基板3 2藉由黏著劑被黏著著。與此同時, 於基板1的表面側隔開適當的間隔被配置具有由L C共通 電極電位被施加的透明導電膜(I TO)所構成的對向電 極3 3的入射側的玻璃基板3 5 ,將周圍形成於第6圖的 密封材形成領域3 6的以密封材3 6黏著的間隙內,被充 塡著作爲液晶3 7之習知的TN (扭曲絲狀:Twisted Nematic )型液晶或者在電壓無施加狀態下液晶分子幾乎被 垂直配向的S H ( Super Homeotropic )型液晶等而被構成 爲液晶面板3 0。又,爲了從外部輸入訊號而以使墊領域 2 6來到密封材3 6的外側的方式設定設有密封材3 6的 位置。’ 周邊電路上的遮光膜2 5 ,以中介著液晶3 7與對向 電極3 3相對方向的方式被構成。而,對遮光膜2 5施加 L C共通電極電位的話,因爲於對向電極3 3施加L C共 本紙張尺度適用中0國家標舉(CNS>A4现格(210 X 297公釐) !!丨丨 — — — _ I I I 丨訂- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -32- 經濟部智慧財產局霣工消f合作社印製 4 ? a 9 η A7 ___B7 五、發明說明(30 ) 通電極電位的緣故,於中介在其間的液晶部份變成不施加 直流電壓。因此,T N型液晶的話液晶分子成爲總是幾乎 被扭曲9 0度的狀態,而S Η型液晶的話液晶分子總是被 保持於被垂直配向的狀態。亦即於對向於遮光膜2 5的領 域藉由遮光膜2 5的電位變動不會使液晶3 7打開關閉或 是泛白。更一般而言,關於被配置在以密封材3 7包圍的 領域內,對向於液晶37的第1、第2或第3導電層所構 成的遮光膜(亦即,並非配線用而是被形成爲遮光用的任 一導電層),除了常黑模式或常白模式之外,因應圖框反 轉驅動、行反轉驅動*列反轉驅動、點反轉驅動等反轉驅 動的方式,例如藉由使成爲與對向電極3 3等相同的電位 或者與指定電位相同的電位•使液晶3 7不泛白而成爲高 對比的方式使對向於液晶3 7的部份定常地固定爲黑或白 者較佳,同時以不會由於直流電流的施加而使液晶3 7劣 化者較佳。 於此實施形態,特別是由半導體基板所構成的基板1 ,因爲在其背面由玻璃或陶瓷等所構成的基板3 2是藉由 黏著劑接合的,所以其強度顯著提高結果,使基板3 2 接合於基板1之後進行與對向基板(玻璃基板3 5 )之貼 合的話,具有橫亙面板全體使液晶層的間距均一化的優點 9 以上參照第1圖至第1 4圖說明的各實施形態之液晶 面板3 0的基板1上,進而因應驅動像素的方式而追加設 置將影像訊號以指定的計時採樣之採樣電路、爲減輕影像 本紙張尺度適用中國B家標準(CNS>A4燒格(210 * 297公 (請先«讀背面之注項再填寫本頁) 裝-----——訂·!!结 -33· 4 4. A7 ___B7 五、發明說明(31 ) 訊號之對資料線的寫入負荷而針對各資料線先予影像訊號 的計時而寫入指定電位的預充電訊號之預充電電路 '製造 途中或出貨時之檢査該液晶裝置的品質、缺陷等之用的檢 查電路等各種電路亦可。 在以上參照第1圖至第1 4圖說明的各實施形態,於 對向基板3 5的外側,因應例如TN模式、VA ( vertically Aligned )模式、P D L C (高分子分散液晶: Polymer Dispersed Liqiud Crystal )模式等的動作模式 * 或 是常白模式/常黑模式之外,偏光膜、相位差膜、偏光板 等以指定的方向被配置。此外,於相對向於反射電極1 3 的指定領域將R G B彩色濾光膜與其保護膜共同形成於對 向基板3 5上亦可。或者,在對應於基板1上的RG B的 反射電極1 3上以彩色光阻劑等形成彩色濾光膜層亦爲可 能。如此一來,於直視型或反射型的彩色液晶電視等彩色 液晶裝置可以適用各實施形態的液晶面板。進而,於對向 基板3 5上,藉由堆積多層折射率相異的干涉層,形成利 用光的干涉作出R G B色的二色性濾光膜亦可。根據此具 有二色性濾光膜的對向基板,可以實現更明亮的彩色液晶 裝置。 使用本發明的液晶面板的電子機器的說明 其次,說明使用本發明的反射型液晶面板作爲顯示裝 置之電子機器之例。 第1 5圖(A)係顯示行動電話之立體圖。行動電話 1 0 0具有使用本發明的反射型液晶面板的液晶顯示部 本紙張尺度適用中0 B家螵準(CNS)A4蚬格(210 X 297公釐) <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 111 訂· I i 111 -線 經濟部暫慧財產局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明說明(32) 10 0 1° (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 第1 5圖(B )係手錶型電子機器之立體圖。手錶 1 1 0 0,具備使用本發明的反射型液晶面板之液晶顯示 部1 1 0 1 。此液晶面板’因爲與從前的手錶顯示部相比 具有高精細旳像素,所以可以顯示電視影像’可以實現手 錶型電視。 第1 5圖(c)係顯示文書處理機、電腦等攜帶型資 訊處理裝置之立體圖。資訊處理裝置1 2 0 0具備鍵盤等 輪入部1 2 0 2、使用本發明的反射型液晶面板之液晶顯 示部1 2 0 6以及資訊處理裝置本體1 2 0 4。 各電子機器係藉由電池驅動的電子機器,使用不具有 光源燈泡的反射型液晶面板的話,可以延長電池的壽命。 此外,如本發明這般可以將周邊電路內藏於面板基板的緣 故,零件數目大幅減少,可以更輕量化、小型化。 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製 除了以上第1 5圖所示的電子機器以外,在液晶電視 、觀景窗型或者監視器直視型的攝影機、汽車導航裝置、 電子手冊、計算機、文書處理機、工程工作站(EW S ) 、電視電話、P 0 S終端、具備觸摸面板的.裝置等電子機 器,也可以適用使用第1至第4實施形態的液晶面板用基 板之液晶面板》 又,本發明並不以上述說明的實施形態爲限定,在不 變更本發明的要旨的範圍內可以適當變更而實施本發明的 實施形態。 本紙張尺度適ϋ國困家標準(CNS)A4现袼(210 * 297公釐) 71 !
Claims (1)
- A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ills — — — — — — I - I I (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 .—種液晶面板用基板,其特徵爲在基板上具有: 電晶體,及被接續於前述電晶體的遮光膜,及被接續於前 述遮光膜的反射電極,及於前述反射電極的下方透過層間 絕緣膜在對應於前述反射電極的區域被層積同時被形成爲 凹凸狀的凹凸膜。 2 .如申請專利範圍第1項之液晶面板用基板,其中 前述遮光膜|從垂直於前述基板的方向來看遮住了前述反 射電極的間隙,同時由與前述凹凸膜相同之膜所構成的。 3 .如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板, 其中前述凹凸膜,係由一導電膜所構成,進而具有與該導 電膜相同之膜所形成的配線。 --線· 4 .如申請專利範圍第3項之液晶面板用基板,其中 前述一導電膜與前述基板之間,透過餍間絕緣膜進而被層 積其他的導電膜,而由於該其他導電膜的存在與不存在使 高低差產生於由位於該其他導電膜的上方的前述一導電膜 部份所構成的前述凹凸膜。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板, 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 ‘其中前述凹凸膜,藉由.在平坦膜不規則地形成多數微細孔 而被形成爲凹凸狀。 6 .如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板’ 其中前述基板,係由半導體基板所構成。 7 _如申請專利範圍第6項之液晶面板用基板’其中 前述基板,係由單結晶矽所形成的。 8 如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板 本紙張尺度適用中困國家標準(CNS>A4蜣格(210 * 297公釐> -36 -經濟部智慧財產局員工消#合作社印製 六、申請專利範圍 其中前述基板,係由透明基板所構成。 9 ·如申請專利範圍第8項之液晶面板用基板,其中 前述基板,係由玻璃所形成的。 1 〇 ·如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板 ’其中於前述層間絕緣膜,包含s 0G (於玻璃上之矽: Silicon On Glass )膜。 1 1、如申請專利範圍第1 〇項之液晶面板用基板, 其中前述S 0G膜,被回蝕(etch back )。 、 1 2 . —種液晶面板,其特徵爲:其係於申請專利範 置f第1項至第1 1項之任一項所記載之液晶面板用基板與 透明的對向基板之間挾持液晶而成者》 1 3 . —種電子機器,其特徵爲:具備申請專利範圍 第1 2項所記載之液晶面板。 1 4 . 一種液晶面板用基板之製造方法,係於基板上 具有複數掃描線以及複數資料線,及被接續於前述掃描線 及前述資料線的電晶體,及被接續於前述電晶體的反射電 極的液晶面板用基板之製造方法,其特徵爲具備: 於前述基板上之對應於前述反射電極的預定區域,形 成凹凸狀的凹凸膜的工程,及 在該凹凸膜上透過層間絕緣膜形成前述反射電極的工 15·—種顯示面板用基板,其特徵爲: 在基板上,具有相互交叉的複數行掃描線以及複數列 掃描線,及沿著前述列掃描線排列的複數資料線,及供給 本紙張尺度適用中國國家櫟準<CNS)A4 Λ格(210 X 297公* > 11-----------裝·丨1 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *s - -線- -37- A8B8C8D8 :442690 六、申請專利範圍 電壓訊號的電壓訊號線,及對應於前述行掃描線與前述歹tj 掃描線的交叉而被配置的複數像素驅動電路; 前述像素驅動電路,具有:像素電極:及在前述行胃 描線被選擇時成爲導通狀態,前述行掃描線與前述列掃$ 線的至少一方未被選擇時成爲非導通狀態的開關電路:& 在前述開關電路爲導通狀態時取入前述資料線的資料訊@ ,前述開關電路爲非導通狀態時保持資料訊號的記憶電 :及具備被保持於前述記憶電路的資料訊號爲第1位準@ 場合,從前述電壓訊號線對前述像素電極輸出第1之前& 電壓訊號,而第2位準的場合,從前述電壓訊號線對前述 像素電極輸出第2之前述電壓訊號的像素驅動器,前述像 素驅動器透過遮光膜被接續於反射電極,在前述反射電極 的下方,具有透過層間絕緣膜被層積於對應前述反射電極 的區域同時被形成爲凹凸狀的與前述遮光膜相同的膜所構 成的凹凸膜。 — 1!1111!裝·· I <精先wit背面之注意事項再填寫本頁) 訂: -_線- 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家楳準(CNS)A4规格(210 * 297公釐) -38-
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JP4499481B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-07-07 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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US7528907B2 (en) * | 2006-01-26 | 2009-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods of forming mirror layers and structures thereof |
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