TW442690B - Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, electronic apparatus comprising the panel, and method for manufacturing substrate for liquid crystal panel - Google Patents

Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, electronic apparatus comprising the panel, and method for manufacturing substrate for liquid crystal panel Download PDF

Info

Publication number
TW442690B
TW442690B TW088115686A TW88115686A TW442690B TW 442690 B TW442690 B TW 442690B TW 088115686 A TW088115686 A TW 088115686A TW 88115686 A TW88115686 A TW 88115686A TW 442690 B TW442690 B TW 442690B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
film
crystal panel
reflective electrode
Prior art date
Application number
TW088115686A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenori Katayama
Ryo Ishii
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW442690B publication Critical patent/TW442690B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00Function characteristic
    • G02F2203/02Function characteristic reflective

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

/1. Λ ..C /1. Λ ..C 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印« Α7 ___ Β7 五、發明說明(1 ) 技術領域 本發明係屬於構成反射型液晶面板的反射電極側的液 晶面板用基板的構造、使用該液晶面板用基板構成的液晶 面板以及使用該液晶面板構成的電子機器以及這種液晶面 板用基板的製造方法之技術領域。 背景技術 近年來,行動電話或攜帶資訊終端機等攜帶機器等之 資訊顯示元件使用到液晶面板。顯示的資訊內容,從文字 顯示程度的發展到一次可以顯示很多資訊的點陣型液晶面 板’像素數也逐漸增多成爲高功能。於這種攜帶機器雖然 使用單純矩陣型液晶面板,但是在單純矩陣型液晶面板實 際進行多工(multiplex )驅動時其行掃描線的選擇訊號在 越高功率時必須要越高的電壓,至少對於想要減低耗電量 的要求非常強烈的進行電池驅動的攜帶機器而言成爲大問 題。 因此,本發明的發明人,於曰本專利特願平 1 0-2 1 1 2 9 3號公報,提出了以半導體基板作爲液 晶面板的基板,在半導體基板上每個像素都形成記憶體電 路,而根據記憶體電路的保持資料進行顯示控制的靜態驅 動型之反射型液晶面板。根據此種反射型液晶面板,因爲 反射從外部入射的光而進行顯示的緣故,不需要光源之背 光所以耗電量很低,可以薄型化輕量化。 然而,上述之由本發明的發明人所提出的反射型液晶 本紙張尺度適用中Η國家楳準(CNSXA4规格(210 * 297公釐〉 (锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 --------I I I I , •4- Α7 Β7 五、發明說明(2) 面板或者使用此之電子機器,雖然平衡地具備有對比高、 反應速度較快、驅動電壓低,階調顯示容易等等作爲顯示 器最基本所需要的各種性能,但是另一方面,仍有原理上 視角狹窄,不適於明亮顯示等問題點。 本發明係有鑑於上述問題點,以提供視角寬而且亮度 高的高品質反射型顯示的反射型液晶面板用基板、使用該 液晶面板用基板的液晶面板、使用該液晶面板的電子機器 以及前述液晶面板用基板的製造方法爲課題。 發明之揭示 本發明的液晶面板用基板爲了解決上述課題|特徵爲 在基板上具有:電晶體,及被接續於前述電晶體的遮光膜 ,及被接續於前述遮光膜的反射電極,及於前述反射電極 的下方透過層間絕緣膜在對應於前述反射電極的區域被層 積同時被形成爲凹凸狀的凹凸膜。 經濟部智慧財產局貝工消t合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明的液晶面板用基板,對應於凹凸膜之凹凸 形狀,於其上方中介著層間絕緣膜被形成的反射電極的表 面(亦即反射面),也被形成爲凹凸狀。因.此,因應反射 電極的表面之凹凸度,可以提高反射光的散射度。結果, 使用該液晶面板用基板構成直視型之反射型液晶裝置的話 ,藉由具有可以對無論來自任何角度的入射光都可以使朝 '向垂直於顯示畫面的方向散射的光的強度增加的最佳反射 特性的反射電極,可以進行視角寬而且在自然的—下底面上、 之明亮的高品質反射型顯示 本紙張尺度適用中國困家標準(CNS>A4现格(210 X 297公釐) -5- ^ 4426 9 0 A7 B7 五、發明說明(3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明的液晶面板用基板的一個樣態,前述遮光膜 ,從垂直於前述基板的方向來看遮住了前述反射電極的間 隙,同時由與前述凹凸膜相同之膜所構成的。 根據此樣態,凹凸膜例如由鋁膜等所構成,而設有由 此同一膜遮住反射電極的間隙的遮光膜。亦即,反射電極 及凹凸膜的下方配置電晶體的話*藉由此遮光膜,可以中 介著反射電極的間隙而遮住入射的光,所以可以避免此光 進入構成電晶體的半導體層而引起光洩漏電流的情形。而 藉由使凹凸膜與遮光膜雙方由同一膜形成,可以不必增加 層積構造之層數|可以謀求液晶面板用基板之裝置構成以 及製造程序的單純化。又,凹凸膜即使是透明的膜也只要 是被形成爲凹凸狀都可以維持對反射電極賦予凹凸的基本 機能,所以都可以得到本發明的藉由反射電極提高反射光 的散射度的效果》 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,前述凹凸膜 ,係由一導電膜所構成,進而具有與該導電膜相同之膜所 形成的配線。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 根據此樣態|凹凸膜例如由鋁膜等一個導電膜所構成 ,例如連結反射電極與電晶體的中繼配線等配線,由此一 導電膜來形成。亦即,藉由使凹凸膜與配線膜雙方由同一 膜形成,可以不必增加層積構造之層數,可以謀求液晶面 板用基板之裝置構成以及製造程序的單純化。又’凹凸膜 即使是絕緣膜也只要是被形成爲凹凸狀都可以維持對反射 電極陚予凹凸的基本機能,所以都可以得到本發明的藉由 本紙張尺度適用中困B家標準(CNS)A4规格(210 X 297公* ) -6 - 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 4 4 2 6 9 0 A7 B7 五、發明說明(4) 反射電極提高反射光的散射度的效果。 在此樣態,在前述一導電膜與前述基板之間’也可以 構成爲透過層間絕緣膜進而被層積其他的導電膜,而由於 該其他導電膜的存在與不存在使高低差產生於由位於該其 他導電膜的上方的前述一導電膜部份所構成的前述凹凸膜 0 如此構成的話,相較於例如以單純被開孔於平坦膜的 貫通孔作爲凹部的凹凸膜的場合其表面只有2種高度,可 以藉由位在凹凸膜的下方的其他導電膜的存在與不存在使 凹凸膜的表面存在3種以上的高度。藉此,可以效率佳地 提高反射光的散射度。在此場合,關於其他的導電膜也可 以在凹凸膜的一面產生細微的高低差的方式積極圖案化, 或者是直接利用由其他導電膜形成的配線等的圖案而產生 高低差的方式來構成。 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,前述凹凸膜 ,藉由在平坦膜不規則地形成多數微細孔而被形成爲凹凸 狀。 根據此樣態,形成平坦膜後,藉由蝕刻開孔的話可以 形成凹凸膜的緣故,可以比較容易地形成凹凸膜。特別是 在以與該凹凸膜相同的膜形成配線或遮光膜的場合,藉由 光蝕刻以及蝕刻圖案化這些配線或遮光膜的同時可以開孔 出這種孔的緣故,在簡化製程上有利。 又,取代用孔的方式而藉由形成細微的突起狀部份形 成凹凸膜,亦即使其不是具有凹部而是以具有凸部的方式 本紙張尺度適用中國Η家標準(CNS)A4现格(210 * 297公着> (請先Μ讀背面之注項再填寫本頁) i裝! 訂---------線. _B7__ 五、發明說明(5 ) 形成凹凸膜亦爲可能。即使於此場合,在以與該凹凸膜相 同的膜形成配線或遮光膜的場合,藉由光蝕刻或蝕刻圖案 化這些配線或遮光膜的同時可以形成凹凸膜的緣故,所以 在製程的簡化上有利。 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,前述基板, 可以由半導體基板所構成。 根據此樣態,可以在半導體基板上形成反射電極的開 關控制用的電晶體。 在此樣態,前述基板,亦可由單結晶矽所形成的。 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,前述基板, 係由透明基板所構成。 根據此樣態,也可以使用中介著SOG膜被蓄積的凹 凸膜使反射電極的表面形成凹凸狀,於S 0 G膜上利用 S〇G技術形成電晶體。 在此樣態,前述基板,亦可由玻璃所形成的。 在本發明的液晶面板用基板的其他樣態,於前述層間 絕緣膜,包含S 0 G (於玻璃上之矽:Silicon On Glass ) 膜。 根據此樣態,可以使用中藉著S 0G膜被層積的凹凸 膜使反射電極的表面成爲凹凸狀·可以於S 0G膜上利用 S 0 G技術形成電晶體。 在此樣態,前述S 0 G膜,亦可被回蝕(etch back ) ο 如此使S 0G膜被回蝕的話,可以使被形成於其上方 本紙張尺度適用中a國家標準(CNS>A4 in袼(210 X 297公釐> <锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁》 裝 1111 訂·1!! 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 * 8 - A7 A7 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 B7_ 五、發明說明(6 > 的反射電極具有更良好的反射特性。 本發明的液晶面板爲了解決上述課題,特徵爲:其係 於上述知本發明的液晶面板用基板與透明的對向基板之間 挾持液晶而成者。 根據本發明的液晶面板,因爲具備上述之本發明的液 晶面板用基板,所以使用該液晶面板構成直視型的反射型 液晶裝匱的話,可以藉由具有最佳的^射特性之反射電極 ,進行視角寬而且在自然的下底面上之明亮的高品質的反 射型顯示。 本發明之電子機器爲了解決上述課題,特徵爲:具備 上述之本發明的液晶面板。 根據本發明的電子機器,因爲具備上述之本發明的液 晶面板的緣故,所以藉由使用該液晶面板構成的直視型的 反射型液晶裝置,可以進行視角寬而且在自然的下底面上 之明亮的高品質的反射型顯示。 本發明的液晶面板用基板之製造方法爲了解決上述課 題,係於基板上具有複數掃描線以及複數資料線,及被接 續於前述掃描線及前述資料線的電晶體,及被接續於前述 電晶體的反射電極的液晶面板用基板之製造方法,其特徵 爲具備:於前述基板上之對應於前述反射電極的預定區域 ,形成凹凸狀的凹凸膜的工程,及在該凹凸膜上透過層間 絕緣膜形成前述反射電極的工程。 根據本發明的液晶面板用基板的製造方法,首先在基 板上之對應於反射電極的預定領域,形成凹凸狀的凹凸膜 本紙張尺度‘適用中困國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) ! 1 I ί 訂· !11111 ^^ _ 9 - 經濟部智慧財產局3工消t合作社印製 A7 _B7 五、發明說明(7 > 。此工程,可以例如於形成平坦膜後,藉由蝕刻開孔出多 數微細孔而比較容易地進行。其次,於該凹凸膜上,中介 著層間絕緣膜形成反射電極。亦即|可以比較容易而且再 現性佳地製造上述之本發明的液晶面板用基板。 本發明的液晶面板用基板,其特徵爲:在基板上*具 有相互交叉的複數行掃描線以及複數列掃描線*及沿著前 述列掃描線排列的複數資料線,及供給電壓訊號的電壓訊 號線,及對應於前述行掃描線與前述列掃描線的交叉而被 配置的複數像素驅動電路:前述像素驅動電路,具有:像 素電極:及在前述行掃描線被選擇時成爲導通狀態,前述 行掃描線與前述列掃描線的至少一方未被選擇時成爲非導 通狀態的開關電路:及在前述開關電路爲導通狀態時取入 前述資料線的資料訊號,前述開關電路爲非導通狀態時保 持資料訊號的記憶電路:及具備被保持於前述記憶電路的 資料訊號爲第1位準的場合,從前述電壓訊號線對前述像 素電極輸出第1之前述電壓訊號|而第2位準的場合,從 前述電壓訊號線對前述像素電極輸出第2之前述電壓訊號 的像素驅動器,前述像素驅動器透過遮光膜被接續於反射 電極,在前述反射電極的下方*具有透過層間絕緣膜被層 積於對應前述反射電極的區域同時被形成爲凹凸狀的與前 述遮光膜相同的膜所構成的凹凸膜。 根據本發明的相關構成,反射電極因爲透過遮光膜被 接續至像素驅動器,所以在對應於反射電極的間隙部之領 域,可以不使入射的光進入像素驅動器造成像素驅動器光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公* ) (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁》 'I — — — — ——I— — lull -10- Α7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 ___Β7_五、發明說明(8 ) 洩漏的方式來遮光。此外,藉由與遮光膜相同的膜在對應 於反射電極的領域形成凹凸膜,對應於凹凸膜之凹凸形狀 |於其上方中介著層間絕緣膜被形成的反射電極的表面( 亦即反射面)也被形成爲凹凸狀。因此,因應反射電極的 表面之凹凸度•可以提高反射光的散射度。結果,使用該 液晶面板用基板構成直視型的反射型液晶裝置的話,藉由 具有對於來自所有角度的入射光皆可於朝向垂直於顯示畫 面的方向散射的光的強度增加之最佳反射特性的反射電極 ,可以進行視野寬而且在自然的下底面上之明亮的高品質 的反射型顯示。 本發明這種作用以及其他功效可由接下來說明的實施 形態得到確認。 圖面之簡單說明 第1圖係適用本發明的構成反射型液晶面板的反射電 極側的液晶面板用基板的第1實施形態之像素領域的剖面 圖。 第2圖係適用本發明的構成反射型液晶.面板的反射電 極側的液晶面板用基板的第2實施形態之像素領域的剖面 圖。 第3圖係適用本發明的構成反射型液晶面板的反射電 極側的液晶面板用基板的第3實施形態之像素領域的剖面 圖。 第4圖係適用本發明的構成反射型液晶面板的反射電 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝! —訂!1
n I 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4婕格(210 X 297公* ) •11 - ^ 442690 A7 B7_____ 五、發明說明(9 ) 極側的液晶面板用基板的第4實施形態之像素領域的剖面 圖。 (請先Μ讀背面之注专7#項再填寫本頁> 第5圖係第1、第2及第4實施形態之像素領域的凹 部及遮光層的配置之平面圖(第5圖(a ))以及其中擴 大反射電極的間隙部份而顯示的平面圖(第5圖(b )) 〇 第6圖係顯示第3實施形態之像素領域的凹部及遮光 層的配置之平面圖。 第7圖係顯示使用各實施形態之液晶面板用基板構成 的液晶面板的像素及其驅動電路等之一例的方塊圖。 第8圖係根據第7圖以CM 0 S電晶體構成驅動電路 的電路圖。 第9圖係彩色液晶面板的場合之各實施形態之像素領 域的驅動電路的構成例之電路圖。 第1 0圖係被包含於第9圖的驅動電路的1個液晶像 素驅動電路的記號圖(第1 0圖(a ))以及對應於此的 具體電路構成之電路圖(第10圖(b))。 第1 1圖係顯示第9圖的驅動電路的配置圖案之平面 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 圖。 第1 2圖係擴大顯示相關於第1 1圖的驅動電路的配 置圖案之中的1個液晶像素驅動電路的部份的平面圖。 第13圖係使用各實施形態的液晶面板用基板構成的 反射型液晶面板的平面圖。 第14圖係第13圖的A-A'剖面圖。 本紙張尺度適用中國Η家標準(CNS)A4蚬格(210 * 297公* ) : A7 B7 五、發明說明(1 2) 第15圖係使用各實施 電話的立體圖(第1 5圖( (第1 5圖(b ))以及 符號說明 形態的反射型液晶面板的行動 a))、手錶型電視的立體圖 人電腦的立體圖(第1 5圖( 1 基 板 2 井 領 域 3 效 氧 化 膜 6 a 、6 b 源 極 / 7 第 1 層 間 絕 緣 膜 8 a 、8 B 第 1 導 9 第 2 層 間 絕 緣 膜 汲極領域 電層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2導電層 c 第3層間絕緣膜 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 1 1 a 、1 1 b 1 1 1 2 接續接 頭 1 3 反射 電 極 2 0 影 像 顯 γϊπχχ 示 領 域 2 2 輸 入 資 料 線 2 5 遮 光 膜 2 6 墊 域 3 0 液 晶 面 板 3 3 共 通 電 極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 * 297公釐) -13- 1 b 接觸孔 2 1 0 a 、1 〇 b 第 442690 A7 B7 五、發明說明(11) 3 5 對向基板 3 6 密封材 3 7 液晶 1 11 行掃描 線 驅 動 電 路 1 13 列掃描 線 驅 動 電 路 供實施發明的最佳形態 以下,根據圖面說明本發明較佳的實施形態。 液晶面板的槪要構成與本發明的液晶面板用基板的第 1實施形態 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 最初,參照第1圖及第5圖以及第1 3圖與第1 4圖 說明具備本發明的液晶面板用基板而構成的液晶面板全體 的槪要構成•與本發明的液晶面板用基板的第1實施形態 之構成。此處,第1圖係本發明的第1實施形態之反射電 極側的液晶面板用基板的像素領域的剖面圖,第5圖(a )係此像素領域的平面圖,第5圖(b )係擴大顯示第5 圖(a )之反射電極的間隙部之平面圖。此外,第1 3圖 係液晶面板全體的平面圖,第1 4圖係其A _ A >剖面圖 〇 本發明之反射電極側的液晶面板用基板如第1圖所示 ,使用半導體基板作爲基板1。又,此基板1的材料並不 以本實施形態爲限定。例如使用如玻璃基板那般的透明基 板亦可。 此處首先參照第1 3圖與第1 4圖說明本發明的反射 本紙張尺度適用中國國家棵準(CNS)A4现格(210 X 297公釐) -14- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 4 42 6 9 0 A/ B7 五、發明說明(12〉 型液晶面板的全體構成之槪要。 ‘ 如第1 3圖與第1 4圖所示,於反射電極側(在第 1 4圖爲下側)的基板1的中央部設有影像顯示領域2 0 ’於影像顯示領域2 0後述之行掃描線與列掃描線被配置 爲矩陣狀。因應行掃描線與列掃描線之交點被配置各像素 ,於各像素設反射電極1 3 ,進而於各反射電極1 3之基 板1上如後述般設有液晶像素驅動電路。於影像顯示領域 2 0的周邊領域,被配置著對行掃描線供給行掃描訊號的 行掃描線驅動電路1 1 1、對列掃描線供給列掃描訊號的 列掃描線驅動電路1 1 3以及透過墊領域2 6從外部取入 輸入資料的輸入資料線2 2。基板1 ,與被與此對向配置 同時於內面被形成共通電極3 3的例如由玻璃所構成的透 明的對向基板3 5 ,係藉由密封材3 6於實線與單點虛線 所夾的領域被黏著固定,於其間隙被封入液晶3 7而構成 液晶面板3 0。又,在基板1上之影像顯示領域2 0的周 圍以虛線夾住的陰影線領域,被形成防止光入射至行掃描 線驅動電路1 1 1 、列掃描線驅動電路1 1 3以及輸入資 料線2 2同時規定影像顯示領域2 0的框緣之遮光膜2 5 〇 其次,參照第1圖詳細說明液晶面板用基板的第1實 施形態的剖面構造》 於第1圖,基板1例如由單晶矽之p型半導體基板( 或者N型半導體基板)所構成,於基板1的表面被形成較 基板1不純物濃度更高的N型井領域2 (或者P型井領域 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝! 訂------線 本紙張尺度‘適用中B國家棵率(CNS>A4现格<210 * 297公* ) -15- 經濟部智慧財產局具工消費合作杜印製 2 6 9 0 A7 ____B7___ 五、發明說明(13) )。此井領域2 ,亦可與第1 3圖所示的構成列掃描線驅 動電路113或行掃描線驅動電路111、輸入資料線 2 2等周邊電路的元件被形成的部份之井領域,係分離而 形成的。 於井領域2上,被形成有形成於基板1上的元件分離 用的場效氧化膜(所謂的LOCOS) 3。場效氧化膜3 例如藉由選擇性熱氧化來形成。於場效氧化膜3被形成開 口部,於此開口部的內側中央,透過藉由矽基板表面的熱 氧化而被形成的閘極氧化膜被形成由多晶矽或者金屬矽化 物等所構成的閘極電極5,此閘極電極5的兩側的井領域 2的表面被形成由不純物層(以下,稱爲摻雜層)所構成 的源極/汲極領域6 a、6 b,而構築出場效電晶體(以 下稱爲FET)。而,在源極/汲極領域6 a及6b的上 方,透過例如 BPSG ( Boron Phosphorus Silica Grass ) 膜所構成的第1層間絕緣膜7,被形成由基板1側數起第 1層的第1導電層8a、8B。此第1導電層8a、8B 例如藉由以濺鍍法堆積5 0 0 nm的鉅層而形成。第1導 電層8 a'中介著被形成於第1層間絕緣膜的接觸孔與源極 領域(或者汲極領域)6a導電接續,構成FET的源極 (或者汲極)。此外,第1導電層8 b,中介著被形成於 第1層間絕緣膜7的接觸孔導電接續於汲極領域(或者源 極領域)6 b,構成FET的汲極(或者源極)。 於第1導電層8a 、8b的上方,被形成例如由矽氧 化膜所構成的第2層間絕緣膜9,於第2層間絕緣膜9被 衣^張尺度適用中S困家標準(CNSXA4媒格(210 X 297公釐) ~ 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ! 11 — I 訂·!1!11 . ,;η、、 Α7 __Β7 五、發明說明(丨4 ) 開孔著接觸孔9 b。進而於其上方,被形成從基板1側起 算第2層之第2導電層l〇a、10b。此第2導電層 1 0 a ' 1 〇 b例如以濺鍍法堆積5 0 0 nm的鋁層或者 鉬層而形成。第1導電層8 b與第2導電層1 〇 b,係透 過接觸孔9 b導電接續。又,第2層間絕緣膜可以藉由濺 鏟法或者使用TEOS (四乙基原矽酸鹽:tetraethyl ortho-silicate )的電漿C V D法形成。在本實施形態,例如 藉由TE0S的電漿CVD堆積矽氧化膜1 l〇〇nm, 而形成第2層間絕緣膜9。 第2導電層1 〇 a ,於在一方對應於反射電極1 3的 間隙部的領域’具有遮光的機能,可以避免入射的光進入 基板1上的半導體層側(井領域2)而使FET產生光洩 漏。亦即’在此領域,並未特別形成凹部(亦即沒有被開 孔出細微的孔穴),而以覆蓋反射電極13的間隙的方式 被平面配置g另一方面,第2導電層l〇a ,於對應於反 射電極1 3的領域,被形成孔穴被配置爲不規則地配置爲 巢穴狀的凹部。又,此孔穴的直徑以〇 . 5〜10//m較 佳。在此範圍的任意尺寸或者數種類的尺寸亦可。此外, 孔穴的形狀並不以本實施形態爲限定。例如適用如正八角 形之類的多角形亦可。 又,形成如此的孔穴的工程,可以與藉由從第2導電 層1 0 a、1 〇 b蝕刻以及光蝕刻配線或遮光膜的工程同 時進行的緣故在製程上有利。 此外,在本實施形態,第2導電層1 0 b,透過接觸 本紙張尺度適用中國困家標準(CNS>A4规格(210 X 297公* > <請先閱讀背面之>i意事項再填寫本買) 裝 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 -17- 442690 A7 B7 五、發明說明(15) 孔9 b直接接續第1導電層8 b ,但是使用由鎢等高融點 金屬所構成的接觸接頭來接續亦可° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 進而,於第2導電層l〇a 、l〇b的上方’被形成 具有3層構造的第3層間絕緣膜1 1 a、1 1 b,1 1 C 。在本實施形態,第3層間絕緣膜1 1 a ’例如藉由 TEOS的電漿CVD之膜厚6 0 0 nm的矽氧化膜所形 成,第3層間絕緣膜1 1 b ’例如藉由S 0 G ( Spin On Glass )膜之膜厚3 2 0 nm的矽氧化膜所構成。又’ S 0G膜的厚度,並不以本實施形態爲限定,爲了在對應 於反射電極]3的領域形成適當的凹部,以1 0 0〜 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 5 0 0 nm程度較佳。此外由S OG膜形成第3層間絕緣 膜1 1 b後,將此SOG膜與第3層間絕緣膜1 1 a以沒 有選擇性的條件或是以任意條件蝕刻亦可。在本實施形態 ,將SOG膜所構成的第3層間絕緣膜1 1 b以及1 1 a ,以沒有選擇性的條件蝕刻5 0 0 n m。又•此時的蝕刻 量,並不以本實施形態爲限定,以1 0 0〜5 0 0 nm程 度較佳。進而,第3層間絕緣膜11c與第3層間絕綠膜 1 1 a同樣,例如由根據TEOS的電漿CVD形成膜厚 5 ◦ 0 n m的矽氧化膜所構成。如此進行而在對應於反射 電極1 3的第3層間絕緣膜1 1 a、1 1 b、1 1 c的表 面所形成的凹部的推拔(緩坡),成爲平滑的曲線形狀, 因此於其上被形成具有良好的反射特性的反射電極1 3。 與第2導電層1 0 a同時被形成的第2導電層1 0 b 與反射電極1 3之接續,係於被開口於第3層間絕緣膜 本紙張尺度適用中國团家棵準(CNS)A4现格(210 X 297公* ) -18 4 42 6 90 A7 B7 五、發明說明(16) 以CVD法等埋入由 2而進行接續的。 起算第3層的第3導 11a、lib、 11c的接觸孔 鎢等高融點金屬所構成的接續接頭] 形成接續接頭1 2後,由基板 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 電層例如由低溫濺鍍法以鋁形成,作爲反射電極1 3。藉 此,可以形成具有9 0%以上的高反射率的反射電極1 3 〇 藉由以上所述方法,可以在不增加製程的情形下容易 而且再現性佳地製作具有最佳反射特性的反射電極,可以 提供視野寬廣而且在自然的下底面上可進彳了明亮的商品質 的反射形顯示之反射型液晶面板。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 又,在本實施形態,特別如第1圖所示,係隨著第1 導電層8 a ' 8b的存在與不存在,而於爲在第1導電層 8 a、8 b膜的上方的第2導電層1 0 a產生高低差,而 以藉由此高低差最終也在反射電極13產生高低差的方式 被構成的。因此,假設與在平坦的第2導電層1 0 a被形 成凹部的場合相比,於反射電極1 3的表面可以存在著4 種高度。亦即,可以效率佳地提高反射光的散射度。特別 是假設在平坦的導電層1 0 a被形成凹部的場合所會產生 的雙重映射等不良情形可以避免掉。又,在本實施形態, 是直接利用由第1導電膜8 a 、8 b所形成的配線等圖案 使產生高低差的方式構成的|但如後述之第2實施形態, 對於第1導電膜8a、8b,也可以使跨過第2導電層 1 0 a的一面產生細微高低差的方式以具有多數微小的凹 凸部的方式積極圖案化亦可。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 * 297公* ) 19 - 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 ;6 3 Ο Α7 _____Β7__五、發明說明(17) 其次.,參照第5圖說明被顯示於第1圖之液晶面板用 基板之像素領域的凹部以及遮光層之配置。 於第5圖(a ),在第1實施形態的液晶面板用基板 的像素領域,於被形成多數凹部的第2導電層1 0 a上’ 被形成具有多數的圓滑凹凸部的反射電極1 3 ,未被形成 凹部的第2導電層1 0 a以覆蓋反射電極1 3的間隙的方 式被形成。進而,·於各反射電極1 3的中央,如前述般被 形成成爲汲極電極(或者源極電極)8 b與第2導電層 1 0 b之接續部的接觸孔9 b,於此鄰接被形成供接續第 2導電層1 Ob與反射電極1 3之用的接續接頭1 2。 如擴大於第5圖(b )所顯示的,第2導電層1 0 a ,在對應於反射電極1 3的領域B,被形成孔穴被不規則 地配置爲巢穴狀的凹部,除此領域B在對應於反射電極 1 3的間隙部的領域,爲了避免使入射的光線進入基板1 上的半導體層側造成F E T光洩漏,而未被形成凹部。 在本實施形態,孔穴的形狀適用圓形》又,孔穴的直 徑以0.5〜5較佳,在此範圍的任意尺寸或者數種 類的尺寸之孔穴亦可。此外,孔穴的形狀並不以本實施形 態爲限定。例如可以適用正八角形等多角形= 此外,於第5圖(b),從反射電極13的端部到凹 部領域的端部爲止的距離A,雖未有特別限定•但是爲了 具有遮光機能以在約3 w m以上較佳。 本發明之液晶面板用基板的第2實.施形態 其次,參照第2圖及第5圖說明本發明的液晶面板用 (請先W讀背面之注意ί項再填寫本頁) 裝 訂----- 線 本紙張尺度適用中囲a家櫟準(CNS>A4现格(210 * 297公釐> -20- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 …J J A7 _B7 _五、發明說明(18) 基板的第2實施形態。此處,第2圖係適用本發明的反射 型液晶面板的反射電極側之液晶面板用基板的第2實施形 態的剖面圖。又,在第2圖,對於與顯示在第1圖的構成 要素相同的構成要素賦予同樣的參考符號,省略其說明。 如第2圖所示,在第2實施形態,不使用如第1實施 形態那般的接續接頭1 2,而使第2導電層1 0與反射電 極1 3透過接觸孔直接接續。藉此,本實施形態於工程程 序的簡化上非常有效。進而•在第2實施形態,除了第1 導電層8a 、8b之外,還形成第1導電層8c 。第1導 電層8 c ,係以使橫跨第2導電層1 〇 a的一面產生細微 高低差的方式,被圖案化爲具有被開孔多數微小的凹部的 部份。藉此,假設與平坦的第2導電層1 0 a處被形成凹 部的場合相比,可以橫跨反射電極1 3的表面全體形成4 種高度*可以效率佳地提高反射光的散射度》關於其他的 構成,與第1實施形態的場合相同。特別是關於第2實施 形態之像素領域的凹部及遮光層的配置,也與第5圖所示 的第1實施形態的場合相同。 本發明的液晶面板用基板的第3實施形態 其次,參照第3圖及第6圖說明本發明的液晶面板用 基板的第3實施形態。此處,第3圖係適用本發明的反射 型液晶面板的反射電極側之液晶面板用基板的第3實施形 態的剖面圖。又,在第3圖,對於與顯示在第1圖的構成 要素相同的構成要素賦予同樣的參考符號,省略其說明。 如第3圖所示,在第3實施形態,不使用如第1實施 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 !|訂----- 線 本紙張尺度ίβ用中B困家標準<CNS)A4现袼(210 X 297公* > -21 - 44269 0 A7 B7 五、發明說明(19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 形態那般的第2導電層1 0 b作爲中繼配線,ffii使汲極電 極(或者源極電極)8 b與反射電極1 3 ,藉由接續接頭 1 2導電接續。接續接頭1 2使用鎢等高融點金屬。 此時,如第6圖所示,第2導電層1 0 a之孔穴被不 規則配置爲巢穴狀的凹部,除了各像素之接續接頭1 2被 形成的接觸孔的周圍與反射電極1 3的間隙部以外|可以 橫跨像素顯示領域2 0的全區域而形成,進而可以形成具 有最佳反射特性的反射電極。 此外,在第3實施形態•如第3圖所示,於層間絕緣 膜9被施以平坦化處理。如此進行平坦化處理的話,可以 不隨著第2導電層1 0 a的下底之高低差或凹凸,而藉由 被形成在第2導電層1 0的凹部形成均勻的凹凸狀。關於 其他的構成,與第1圖所示的第1實施形態的場合相同。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本發明的液晶面板用基板的第4實施形態 其次,參照第4圖及第5圖說明本發明的液晶面板用 基板的第4實施形態。此處,第4圖係適用本發明的反射 型液晶面板的反射電極側之液晶面板用基板的第4實施形 態的剖面圖。又,在第4圖,對於與顯示在第1圖的構成 要素相同的構成要素賦予同樣的參考符號,省略其說明^ 如第4圖所示,在第4實施形態,與第1實施形態的 場合相異,基板1 >係由石英或無鹼性的玻璃基板所構成 ,此基板1 “上被形成單晶或者多晶或者非晶之矽膜(源 極•汲極領域6a / · 6b >的形成層)’於此矽膜上被 形成由例如熱氧化而形成的熱氧化矽膜與藉c V D法堆積 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4现格(210 * 297公釐) -22- 442690 A7 B7____ 五、發明說明(20) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 的氮化矽膜之二層構造所構成的絕緣膜形成閘極絕緣膜。 此外,於此矽膜,被摻雜N型不純物(或者P型不純物) ,形成TFT的源極•汲極領域6a — · 6b >,於鬧極 絕緣膜上,T F T的閘極電極5藉由多晶矽或者金屬矽化 物等形成。關於其他的構成與第1實施形態的場合相同, 特別於閘極電極5上,與第1實施形態的場合同樣,依序 被層積形成第1層間絕緣膜7、第1導電層8a 、8b、 第2層間絕緣膜9、第2導電層10a、l〇b、第3層 間絕緣膜1 1 a 、1 1 b、1 1 c以及反射電極1 3。此 外,第4實施形態之像素領域的凹部以及遮光層的配置, 與第5圖所示的第1實施形態的場合相同》 又,在第4圖閘極電極5係位於通道上方的頂閘形式 者,但也可以是先形成閘極,再中介著閘極絕緣膜配置作 爲通道的矽膜之底閘形式。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 此外,於以上所說明的第1至第4實施形態,藉由在 第2導電層1 0 a開孔出孔穴,亦即藉由形成凹部使第2 導電層10 a形成爲凹凸狀(參照第1圖至第4圖),但 是藉由在第2導電層形成凸部或者使笫2導.電層形成微細 的多數突起,使第2導電層1 0 a形成爲凹凸狀亦可。於 此場合,也可以與形成第2導電層1 0 b的工程同時藉由 光蝕刻及蝕刻使第2導電層形成爲凹凸狀》 本發明的液晶面板的像素及其驅動電路的說明 其次,參照第7圖及第8圇說明將如上述各實施形態 而被構成的反射電極作爲像素電極而以驅動每個像素的方 未紙張尺度適用中國國家標準(CNSXA4规格<210 X 297公* ) -23 * A7 442690 B7___ 五、發明說明(21) <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 式被構成的被设於各像素的驅動電路之一例。此處,第7 圖係顯示本發明的液晶面板的像素及其驅動電路等之一例 的方塊圖,第8圖係將第7圖的驅動電路以CMO S電晶 體構成的場合的電路圖。 於第7圖,在影像顯示領域,行掃描線1 〇 〇 ~ n ( η係顯示行掃描線的行的自然數)與列掃描線1 1 2- m (m係顯示列掃描線的列的自然數)被配置爲矩陣狀,於 相互的掃描線交叉點被配置各像素的驅動電路。此外,於 影像顯示領域也被配置著沿著列掃描線1 1 2 - m從輸入 資料線1 1 4分岔的列資料線1 1 5 - d ( d係顯示列資 料線的列之自然數)。於影像顯示領域的行側的周邊領域 被配置行掃描線驅動電路1 1 1 ,於影像顯示領域的列側 的周邊領域被配置列掃描線驅動電路1 1 3。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 藉由行掃描線驅動電路用控制訊號1 2 0控制行掃描 線驅動電路1 1 1 ,對被選擇的行掃描線1 1 〇 - η輸出 選擇訊號。未被選擇的行掃描線被設定爲非選擇電位。同 樣地,藉由列掃描線驅動電路用控制訊號1 2 1控制列掃 描線驅動電路1 1 3,對被選擇的列掃描線1 1 2 — m輪 出選擇訊號,非選擇的列掃描線被設定爲非選擇電位。選 擇任一之行掃描線以及任一之列掃描線係藉由控制訊號 1 20、1 2 1來決定的。總之,控制訊號1 20、 1 2 1係指定選擇像素的位址訊號。 被配置於被選擇的行掃描線110-η與被選擇的列 掃描線1 1 2-m的交叉點附近的開關控制電路1 0 9 , 本紙張尺度適用中國困家棵準<CNS)A4 ft袼(210 * 297公釐) ,24- 4 426 90 A7 B7 五、發明說明(22) <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁> 接受兩掃描線的選擇訊號輸出打開(ON )訊號’行掃描 線110_n與列掃描訊號112_m的至少一方成爲非 選擇的話輸出關閉(〇 F F )訊號)亦即’僅有從位在被 選擇的行掃描線與列掃描線的交叉點的像素的開關控制電 路被輸出打開訊號,而從其他的開關控制電路1 〇 9被輸 出關閉訊號。在本實施形態,藉由此開關控制電路1 〇 9 的打開、關閉訊號來控制液晶像素驅動電路1 0 1。 其次,參照第7圖說明液晶像素驅動電路1 0 1的構 成以及動作。 如第7圖所示,液晶像素驅動電路1 0 1 1被構成爲 具備開關電路1 0 2、記億體電路1 0 3以及液晶像素驅 動器1 0 4。 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 開關電路1 0 2藉由開關控制電路1 0 9的打開訊號 成爲導通狀態,藉由關閉訊號成爲非導通狀態。開關電路 1 0 2成爲導通狀態的話,使被接續於該處的列資料線 1 1 5 - d的資料訊號透過開關電路1 0 2寫入記億體電 路1 0 3 »另一方面,開關電路1 0 2藉由開關控制電路 1 0 9的關閉訊號成爲非導通狀態而保持被寫入記憶體電 路10 3的資料訊號。 被保持於記憶體電路1 0 3的資料訊號,被供給至被 配置於每個像素的液晶像素驅動器1 0 4 »液晶像素驅動 器1 0 4因應被供給的資料訊號的電壓,而將被供給至第 1電壓訊號線1 1 8的第1電壓1 1 6或者被供給至第2 電壓訊號線1 1 9的第2電壓1 1 7之任一供給至液晶像 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4现格<210 297公釐) -25- 5 9 Ο Α7 _Β7_____ 五、發明說明(23) 素1 05.的反射電極1 3。第1電壓1 1 6 ’是在液晶面 板爲常態白色〃 normally white )顯示的場合’使液晶像素 1 0 5成爲黑色顯示的電壓,另一方面第2電壓1 1 7係 使液晶像素1 0 5成爲白色顯示狀態的電壓。 被保持於記憶體電路1 0 3的資料訊號爲Η位準的場 合,於液晶像素驅動器1 0 4,被接續於在常白顯示的場 合使液晶顯示爲黑的第1電壓訊號線118的閘極成爲導 通狀態,藉由各像素之反射電極13被供給的第1電壓 1 1 6與,被供給給對向電極1 0 8的基準電壓1 2 2的 電位差使液晶像素1 0 5成爲黑顯示狀態。同樣的,被保 持的資料訊號爲L位準的場合,於液晶像素驅動器1 〇 4 被接續於第2错壓訊號線1 1 9的閘極成爲導通狀態,第 2電壓被供給至反射電極1 3使液晶像素1 0 5成爲白顯 示狀態。 藉爲以上的構成,電源電壓、第1電壓1 1 6、第2 電壓1 1 7以及基準電壓1 1 2也可以邏輯電壓程度動, 而且在畫面顯示沒有必要改寫的場合可以藉由記憶體電路 1 0 3的資料保持機能保持顯示狀態的緣故幾乎沒有電流 流動。 又,液晶像素1 0 5,因應被保持的資料訊號使從液 晶像素驅動器1 0 4輸出的第1電壓1 1 6或者第2電壓 1 1 7之任一方被選擇而被供給的反射電極1 3被設於每 一像素,對中介於此反射電極1 3與對向電極1 0 8之間 的液晶層1 〇 7被施加兩電極的電位差,因應此因應這電 本紙張尺度適用中國國家櫟準(CNS)A4蚬格(210 * 297公* ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝! —訂·!!
線V 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 -26- 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(24) 位差的液晶分子的配向變化而成爲黑顯示狀態(也稱爲打 開顯示狀態)與白顯示狀態(也稱爲關閉顯示狀態)。液 晶面板,如上述般,於半導體基板等基板1與玻璃等基板 3 5之間封入挾持液晶3 7 (參照第1 4圖),於基板1 上,配置反射電極1 3爲矩陣狀,於該反射電極1 3的下 方形成液晶像素驅動電路1 0 1 、行掃描線1 1 〇_ η、 列掃描線1 1 2 — m、列資料線1 1 5 - d '行掃描線驅 動電路1 1 1 '列掃描線驅動電路1 1 3等而構成(參照 第13圖)。各像素,於反射電極13與對向電極3 3之 間對每一像素施加電壓,對中介於其間的每一像素的液晶 層3 7供給電鲇,使每個像素的液晶分子的配向改變。 其次,說明如上述般構成的液晶像素驅動電路等的具 體電路構成之一例》 如第8圖所示,於本實施形態,開關控制電路1 0 9 可以藉由CMOS電晶體構成的NOR閘電路1 〇 9 _ 1 與CMO S電晶體構成的反相器1 〇 9 - 2的邏輯電路來 構成。NOR閘電路1 0 9 — 1在2個輸入同時被輸入負 邏輯的選擇訊號時輸出正邏輯的打開訊號,藉由反相器 1 0 9 - 2輸出負邏輯的打開訊號。此外,開關電路 1 〇 2可以藉由CMO S電晶體構成的傳輸閘1 0 2 — 1 來構成。傳_閘1 0 2 - 1係根據開關控制電路1 0 9的 打開訊號導通而聯繫列資料線1 1 5與記憶體電路1 0 3 ,根據關閉訊號成爲非導通。記憶體電路1 〇 3可以爲使 C Μ 0 S電晶體構成的時間控制反相器1 〇 3 - 1與 (請先闓讀背面之沒意事項再填寫本頁) 裝------丨—訂!! 線 本紙張尺度遠用中0國家標準(CNS>A4蚬格<210 * 297公* > • 27· 442 6 9 0 A7 B7 _ 五、發明說明(25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) CMOS電晶體構成的反相器1 0 3-2回歸'接續的構成 。資料訊號藉*開關控制電路1 0 9的打開訊號而從開關 電路1 0 2被取入記憶體電路1 0 3,藉由反相器1 ◦ 3 - 2反轉,藉由以開關控制電路1 0 9的關閉訊號動作的 時間控制反相器1 0 3 - 1回歸輸出而保持資料訊號。液 晶像素驅動器1 0 4可以藉由2個CMOS電晶體構成的 傳輸閘1 0 4_ 1以及1 0 4_2來構成。被保持於記億 體1 0 3的資料訊號爲Η位準的場合,於液晶像素驅動器 1 0 4,被接續於在常白顯示的場合使液晶進行黑顯示的 第1電壓訊號線1 1 8的傳輸閘1.0 4 - 1成爲導通狀態 ,於反射電極1 3被供給第1電壓1 1 6,藉由與被供給 至對向電極1 0 8的基準電壓1 2 2之電位差使液晶像素 1 0 5成爲黑顯示狀態。同樣地,被保持的資料訊號爲L 位準的場合,被接續於第2電壓訊號線1 1 9的傳輸閘 1 0 4 - 2成爲導通狀態,於反射電極1 3被供給第2電 壓1 1 7而液晶像素1 05成爲白顯示狀態。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 其次,參照第9 11至第1 2圖說明如上述各實施形態 構成的反射電極作爲像素電極而以驅動每一像索的方式被 構成的設於各像素的驅動電路之其他例》此處,第9圖係 顯示本發明的液晶面板的像素以及其驅動電路等其他例之 電路圖•第10圖係其中1個液晶像素驅動電路的詳細構 成之電路圖,第1 1圖係顯示其配置圖案之平面圖,第 1 2圖係部份擴大顯示相關於其中1個液晶像素驅動電路 的平面圖。又,第9圖至第1 2圖中與第7圖及第8圖所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4规格(210 X 297公* ) -28- 442690 A7 B7 經濟部智慧財產局S工消费合作社印製 五、發明說明(26) 示的構成要素相同的構成要素被賦予同樣的參照符號,省 略其說明。 第9圖所示的驅動電路的構成例,特別適於彩色液晶 面板,於一個開關控制電路1 0 9 >,被接續著依序在行 方向被配列R G B R G B用的6個液晶像素驅動電路 101 >。而在這6個液晶像素驅動電路101 >,以分 別透過其他的輸入資料線1 1 4 /,使被序列-平行變換 的6個(依序爲R ' G、B、R、G、B用的)影像訊號 ,在藉由同一開關控制電路1 〇 9 <的控制下(亦即,作 爲同一位址的驅動電路),分別同時被輸入的方式構成的 °於被接續在各液晶像素驅動電路1 0 1 /的反射電極 1 3,在基板1或者基板2上的對向位置被形成各色(R 、0或8 )的彩色濾光膜,藉由6個液晶像素驅動電路使 得因應各像素之彩色影像訊號的顏色的顯示成爲可能。 又,在此構成例,開關控制電路109 <,與第8圖 所示者同樣,以由CMO S電晶體構成的NOR閘電路以 及CMO S電晶體構成的反相器所構成,透過時脈訊號線 1 2 5對6個液晶像素驅動電路1 0 1 /的.時脈輸入端子 供給時脈訊號CK同時透過反轉時脈訊號線1 2 6對6個 液晶像素驅動電路1 0 1 /的反轉時脈輸入端子供給反轉 時脈訊號/CK的方式構成》 此外*第9圖所示的電路之中,1個液晶像素驅動電 路101 <,係如第10圖(a)的記號圖所示,與此對 應的具體電路構成,例如第1 0圖(b )所示,與第8圖 本紙張尺度適用中國B家標準(CNS>A4親格<210 » 297公釐) <請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 II訂·!-線 29- 經濟部智懸財產局貝工消费合作社印製 4 .j. □ y ο A7 ____B7___ 五、發明說明(27> 所示者同樣地,由C Μ 0 S電晶體構成的傳輸閘、 C Μ Ο S電晶體構成的時間控制反相器以及反相器所構成 ,因應以時脈訊號CK的計時從輸入資料線1 1 4 —被供 給而被保持的資料(DATA)使第1電壓1 1 6或第2 電壓1 1 7施加於反射電極1 3的方式被構成。 亦即|關於第9圖所示的驅動電路的動作,除了同時 驅動複數反射電極1 3這一點以外,與第7圖及第8圖所 示的場合相同。 此處*顯示於第9圖的驅動電路的具體平面配置圖案 之一例顯示於溟1 1圖,相關於其中1個液晶像素驅動電 路1 0 1 >的部份擴大顯示於第1 2圖。 如第1 1圖及第1 2圖所示,於各像素電極1 3下被 配置液晶像素驅動電路101/以及被接續於此的各種配 線。特別是於第12圖,輸入資料線1 14 ~、行掃描線 1 1 0、列掃描線1 1 2、時脈訊號線1 2 5、反轉時脈 訊號線126、接地線(GND)、指定電源線(Vcc )、第1電壓訊號線1 1 8、第2電壓訊號線1 1 9等各 種配線之大部分,係由第1導電層(被形成於圖中以網狀 陰影表示的領域的層)所形成的。此外,在這些配線有交 叉的必要的部份,由主要與閘極電極相同的導電性多晶矽 膜(圖中•被形成於以無陰影顯示的領域的膜)形成中繼 配線部份。又,圖中,導電接續相異的導電層或半導體層 間的接觸孔分別以黑色四角形顯示•於各接觸孔接續接頭 可被配置亦可不配置。此外於各電晶體,由導電性多晶矽 本紙張尺度適用中國a家標準(CNS)A4现格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂------——^ -30- A7 AA2690 B7___ 五、發明說明( 膜所構成的閘極電極透過未圖示的絕緣膜被對向配置於P 型或N型半導體膜(圖中’被形成於以斜線顯示的領域的 膜)。進而於反射電極13的幾乎中央,與第5圖所示者 同樣地,藉由第2導電層1 0 b以及接續接頭1 2接續第 1導電層(汲極或者源及電極)與反射電極1 3。 由第11圖及第12圖可知,第2導電層l〇b ,由 平面來看只要被形成於少許的領域即可,所以使第2導電 層擴展形成於基板上的大部分的領域成爲可能,在第1 1 圖以及第1 2圖藉由使未圖示的第2導電層1 〇 a (參照 第1至第6圖)形成爲凹凸狀,於基板上的大部分領域可 以使反射電極1 3具有良好的反射特性。進而,因爲使用 第1導電層形成各種配線的緣故,可以如前述般利用第1 導電層8 a的存在與不存在透過第2導電層1 0 a在反射 電極1 3的表面造成高低差,而可以更爲提高其反射特性 又,於第1 2圖,利用第1導電層8 a未被形成的平面 領域(亦即,配線未被形成的領域),藉由如前述第2實 施形態積極圖案化第1導電層8c (參照第2圖),可以 對第2導電層1 0 a施以遍佈的細微高低差。 本發明的液晶面板的構造之說明 其次,再次參照第1 3圖及第1 4圖更詳細說明具備 上述各實施形態的液晶面板用基板而構成的液晶面板全體 的構造。此處•第1 3圖係液晶面板全體的平面圖,第 1 4圖係其A _ A >剖面圖。 如第1 3圖所示於液晶面板3 0 *作爲區動像素的電 本纸張尺度適用中國困家標準(CNS)A4规格(210 * 297公藿) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 !11訂---------祿 經濟部智慧財產局興工消费合作社印* -31 - 442690 經濟部智慧財痩局Μ工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明(29 ) 路,首先.於以遮光膜2 5覆蓋的框緣領域,如前述般設有 行掃描線驅動電路1 1 1、列掃描線驅動電路1 1 3以及 輸入資料線2 2 ,進而於影像顯示領域2 0中(反射電極 1 3下)如前所述,設有開關控制電路1 0 9 、開關電路 1 0 2、記憶體電路1 0 3以及液晶像素驅動器1 〇 4。 遮光膜2 5,係以與第1圖所示的反射電極1 3相同的工 程所形成的第3導電層構成的,以施加L C共通電極電位 等之指定電位的方式被構成。又,於墊領域2 6,被形成 有供作供給電源電壓之用的墊或是端子。 如第1 4圖所示,於基板1 ,在其背面由玻璃或者陶 瓷等所構成的基板3 2藉由黏著劑被黏著著。與此同時, 於基板1的表面側隔開適當的間隔被配置具有由L C共通 電極電位被施加的透明導電膜(I TO)所構成的對向電 極3 3的入射側的玻璃基板3 5 ,將周圍形成於第6圖的 密封材形成領域3 6的以密封材3 6黏著的間隙內,被充 塡著作爲液晶3 7之習知的TN (扭曲絲狀:Twisted Nematic )型液晶或者在電壓無施加狀態下液晶分子幾乎被 垂直配向的S H ( Super Homeotropic )型液晶等而被構成 爲液晶面板3 0。又,爲了從外部輸入訊號而以使墊領域 2 6來到密封材3 6的外側的方式設定設有密封材3 6的 位置。’ 周邊電路上的遮光膜2 5 ,以中介著液晶3 7與對向 電極3 3相對方向的方式被構成。而,對遮光膜2 5施加 L C共通電極電位的話,因爲於對向電極3 3施加L C共 本紙張尺度適用中0國家標舉(CNS>A4现格(210 X 297公釐) !!丨丨 — — — _ I I I 丨訂- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -32- 經濟部智慧財產局霣工消f合作社印製 4 ? a 9 η A7 ___B7 五、發明說明(30 ) 通電極電位的緣故,於中介在其間的液晶部份變成不施加 直流電壓。因此,T N型液晶的話液晶分子成爲總是幾乎 被扭曲9 0度的狀態,而S Η型液晶的話液晶分子總是被 保持於被垂直配向的狀態。亦即於對向於遮光膜2 5的領 域藉由遮光膜2 5的電位變動不會使液晶3 7打開關閉或 是泛白。更一般而言,關於被配置在以密封材3 7包圍的 領域內,對向於液晶37的第1、第2或第3導電層所構 成的遮光膜(亦即,並非配線用而是被形成爲遮光用的任 一導電層),除了常黑模式或常白模式之外,因應圖框反 轉驅動、行反轉驅動*列反轉驅動、點反轉驅動等反轉驅 動的方式,例如藉由使成爲與對向電極3 3等相同的電位 或者與指定電位相同的電位•使液晶3 7不泛白而成爲高 對比的方式使對向於液晶3 7的部份定常地固定爲黑或白 者較佳,同時以不會由於直流電流的施加而使液晶3 7劣 化者較佳。 於此實施形態,特別是由半導體基板所構成的基板1 ,因爲在其背面由玻璃或陶瓷等所構成的基板3 2是藉由 黏著劑接合的,所以其強度顯著提高結果,使基板3 2 接合於基板1之後進行與對向基板(玻璃基板3 5 )之貼 合的話,具有橫亙面板全體使液晶層的間距均一化的優點 9 以上參照第1圖至第1 4圖說明的各實施形態之液晶 面板3 0的基板1上,進而因應驅動像素的方式而追加設 置將影像訊號以指定的計時採樣之採樣電路、爲減輕影像 本紙張尺度適用中國B家標準(CNS>A4燒格(210 * 297公 (請先«讀背面之注項再填寫本頁) 裝-----——訂·!!结 -33· 4 4. A7 ___B7 五、發明說明(31 ) 訊號之對資料線的寫入負荷而針對各資料線先予影像訊號 的計時而寫入指定電位的預充電訊號之預充電電路 '製造 途中或出貨時之檢査該液晶裝置的品質、缺陷等之用的檢 查電路等各種電路亦可。 在以上參照第1圖至第1 4圖說明的各實施形態,於 對向基板3 5的外側,因應例如TN模式、VA ( vertically Aligned )模式、P D L C (高分子分散液晶: Polymer Dispersed Liqiud Crystal )模式等的動作模式 * 或 是常白模式/常黑模式之外,偏光膜、相位差膜、偏光板 等以指定的方向被配置。此外,於相對向於反射電極1 3 的指定領域將R G B彩色濾光膜與其保護膜共同形成於對 向基板3 5上亦可。或者,在對應於基板1上的RG B的 反射電極1 3上以彩色光阻劑等形成彩色濾光膜層亦爲可 能。如此一來,於直視型或反射型的彩色液晶電視等彩色 液晶裝置可以適用各實施形態的液晶面板。進而,於對向 基板3 5上,藉由堆積多層折射率相異的干涉層,形成利 用光的干涉作出R G B色的二色性濾光膜亦可。根據此具 有二色性濾光膜的對向基板,可以實現更明亮的彩色液晶 裝置。 使用本發明的液晶面板的電子機器的說明 其次,說明使用本發明的反射型液晶面板作爲顯示裝 置之電子機器之例。 第1 5圖(A)係顯示行動電話之立體圖。行動電話 1 0 0具有使用本發明的反射型液晶面板的液晶顯示部 本紙張尺度適用中0 B家螵準(CNS)A4蚬格(210 X 297公釐) <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 111 訂· I i 111 -線 經濟部暫慧財產局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明說明(32) 10 0 1° (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 第1 5圖(B )係手錶型電子機器之立體圖。手錶 1 1 0 0,具備使用本發明的反射型液晶面板之液晶顯示 部1 1 0 1 。此液晶面板’因爲與從前的手錶顯示部相比 具有高精細旳像素,所以可以顯示電視影像’可以實現手 錶型電視。 第1 5圖(c)係顯示文書處理機、電腦等攜帶型資 訊處理裝置之立體圖。資訊處理裝置1 2 0 0具備鍵盤等 輪入部1 2 0 2、使用本發明的反射型液晶面板之液晶顯 示部1 2 0 6以及資訊處理裝置本體1 2 0 4。 各電子機器係藉由電池驅動的電子機器,使用不具有 光源燈泡的反射型液晶面板的話,可以延長電池的壽命。 此外,如本發明這般可以將周邊電路內藏於面板基板的緣 故,零件數目大幅減少,可以更輕量化、小型化。 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製 除了以上第1 5圖所示的電子機器以外,在液晶電視 、觀景窗型或者監視器直視型的攝影機、汽車導航裝置、 電子手冊、計算機、文書處理機、工程工作站(EW S ) 、電視電話、P 0 S終端、具備觸摸面板的.裝置等電子機 器,也可以適用使用第1至第4實施形態的液晶面板用基 板之液晶面板》 又,本發明並不以上述說明的實施形態爲限定,在不 變更本發明的要旨的範圍內可以適當變更而實施本發明的 實施形態。 本紙張尺度適ϋ國困家標準(CNS)A4现袼(210 * 297公釐) 71 !

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ills — — — — — — I - I I (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 .—種液晶面板用基板,其特徵爲在基板上具有: 電晶體,及被接續於前述電晶體的遮光膜,及被接續於前 述遮光膜的反射電極,及於前述反射電極的下方透過層間 絕緣膜在對應於前述反射電極的區域被層積同時被形成爲 凹凸狀的凹凸膜。 2 .如申請專利範圍第1項之液晶面板用基板,其中 前述遮光膜|從垂直於前述基板的方向來看遮住了前述反 射電極的間隙,同時由與前述凹凸膜相同之膜所構成的。 3 .如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板, 其中前述凹凸膜,係由一導電膜所構成,進而具有與該導 電膜相同之膜所形成的配線。 --線· 4 .如申請專利範圍第3項之液晶面板用基板,其中 前述一導電膜與前述基板之間,透過餍間絕緣膜進而被層 積其他的導電膜,而由於該其他導電膜的存在與不存在使 高低差產生於由位於該其他導電膜的上方的前述一導電膜 部份所構成的前述凹凸膜。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板, 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 ‘其中前述凹凸膜,藉由.在平坦膜不規則地形成多數微細孔 而被形成爲凹凸狀。 6 .如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板’ 其中前述基板,係由半導體基板所構成。 7 _如申請專利範圍第6項之液晶面板用基板’其中 前述基板,係由單結晶矽所形成的。 8 如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板 本紙張尺度適用中困國家標準(CNS>A4蜣格(210 * 297公釐> -36 -
    經濟部智慧財產局員工消#合作社印製 六、申請專利範圍 其中前述基板,係由透明基板所構成。 9 ·如申請專利範圍第8項之液晶面板用基板,其中 前述基板,係由玻璃所形成的。 1 〇 ·如申請專利範圍第1或2項之液晶面板用基板 ’其中於前述層間絕緣膜,包含s 0G (於玻璃上之矽: Silicon On Glass )膜。 1 1、如申請專利範圍第1 〇項之液晶面板用基板, 其中前述S 0G膜,被回蝕(etch back )。 、 1 2 . —種液晶面板,其特徵爲:其係於申請專利範 置f第1項至第1 1項之任一項所記載之液晶面板用基板與 透明的對向基板之間挾持液晶而成者》 1 3 . —種電子機器,其特徵爲:具備申請專利範圍 第1 2項所記載之液晶面板。 1 4 . 一種液晶面板用基板之製造方法,係於基板上 具有複數掃描線以及複數資料線,及被接續於前述掃描線 及前述資料線的電晶體,及被接續於前述電晶體的反射電 極的液晶面板用基板之製造方法,其特徵爲具備: 於前述基板上之對應於前述反射電極的預定區域,形 成凹凸狀的凹凸膜的工程,及 在該凹凸膜上透過層間絕緣膜形成前述反射電極的工 15·—種顯示面板用基板,其特徵爲: 在基板上,具有相互交叉的複數行掃描線以及複數列 掃描線,及沿著前述列掃描線排列的複數資料線,及供給 本紙張尺度適用中國國家櫟準<CNS)A4 Λ格(210 X 297公* > 11-----------裝·丨1 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *s - -線- -37- A8B8C8D8 :442690 六、申請專利範圍 電壓訊號的電壓訊號線,及對應於前述行掃描線與前述歹tj 掃描線的交叉而被配置的複數像素驅動電路; 前述像素驅動電路,具有:像素電極:及在前述行胃 描線被選擇時成爲導通狀態,前述行掃描線與前述列掃$ 線的至少一方未被選擇時成爲非導通狀態的開關電路:& 在前述開關電路爲導通狀態時取入前述資料線的資料訊@ ,前述開關電路爲非導通狀態時保持資料訊號的記憶電 :及具備被保持於前述記憶電路的資料訊號爲第1位準@ 場合,從前述電壓訊號線對前述像素電極輸出第1之前& 電壓訊號,而第2位準的場合,從前述電壓訊號線對前述 像素電極輸出第2之前述電壓訊號的像素驅動器,前述像 素驅動器透過遮光膜被接續於反射電極,在前述反射電極 的下方,具有透過層間絕緣膜被層積於對應前述反射電極 的區域同時被形成爲凹凸狀的與前述遮光膜相同的膜所構 成的凹凸膜。 — 1!1111!裝·· I <精先wit背面之注意事項再填寫本頁) 訂: -_線- 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家楳準(CNS)A4规格(210 * 297公釐) -38-
TW088115686A 1998-09-10 1999-09-10 Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, electronic apparatus comprising the panel, and method for manufacturing substrate for liquid crystal panel TW442690B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25729098 1998-09-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW442690B true TW442690B (en) 2001-06-23

Family

ID=17304328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088115686A TW442690B (en) 1998-09-10 1999-09-10 Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, electronic apparatus comprising the panel, and method for manufacturing substrate for liquid crystal panel

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6750836B1 (zh)
JP (2) JP3321807B2 (zh)
KR (1) KR100533802B1 (zh)
TW (1) TW442690B (zh)
WO (1) WO2000016153A1 (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW522374B (en) * 2000-08-08 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device and driving method of the same
US6992652B2 (en) * 2000-08-08 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
US6987496B2 (en) * 2000-08-18 2006-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
TW518552B (en) * 2000-08-18 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of driving a portable information device having the liquid crystal display device
US7180496B2 (en) * 2000-08-18 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
TW514854B (en) * 2000-08-23 2002-12-21 Semiconductor Energy Lab Portable information apparatus and method of driving the same
US7184014B2 (en) * 2000-10-05 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6747623B2 (en) * 2001-02-09 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
KR100803566B1 (ko) * 2001-07-25 2008-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100461092B1 (ko) * 2001-11-08 2004-12-09 에이유 오프트로닉스 코퍼레이션 거친 확산기를 갖는 반사형 tft-lcd의 제조 방법
TWI273539B (en) 2001-11-29 2007-02-11 Semiconductor Energy Lab Display device and display system using the same
JP3913534B2 (ja) * 2001-11-30 2007-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びこれを用いた表示システム
JP4237442B2 (ja) * 2002-03-01 2009-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型液晶表示装置
JP4087620B2 (ja) * 2002-03-01 2008-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4101533B2 (ja) * 2002-03-01 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型の液晶表示装置の作製方法
JP4067878B2 (ja) * 2002-06-06 2008-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びそれを用いた電気器具
US6982727B2 (en) * 2002-07-23 2006-01-03 Broadcom Corporation System and method for providing graphics using graphical engine
JP4499481B2 (ja) * 2004-06-03 2010-07-07 富士通株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4742851B2 (ja) * 2005-12-22 2011-08-10 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置及び電子機器
US7528907B2 (en) * 2006-01-26 2009-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming mirror layers and structures thereof
TWI322374B (en) * 2006-04-14 2010-03-21 Ritdisplay Corp Light transmission touch panel and manufacturing method thereof
TWI329232B (en) * 2006-11-10 2010-08-21 Au Optronics Corp Pixel structure and fabrication method thereof
JP5019859B2 (ja) * 2006-12-05 2012-09-05 ソニーモバイルディスプレイ株式会社 液晶装置および電子機器
KR100876235B1 (ko) * 2007-06-28 2008-12-26 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시 장치
KR100876234B1 (ko) * 2007-06-28 2008-12-26 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시 장치
KR100914978B1 (ko) 2007-09-10 2009-09-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그의 제조 방법
TWI474305B (zh) * 2008-07-31 2015-02-21 Sitronix Technology Corp The polarity switching structure of point conversion system
BRPI0919823A2 (pt) * 2008-09-24 2016-04-05 Sharp Kk dispositivo de visor de cristal líquido, substrato de matriz ativa, e dispositivo eletrônico
JP2010091612A (ja) * 2008-10-03 2010-04-22 Seiko Epson Corp 電気泳動表示装置、電子機器及び電気泳動表示装置の駆動方法
KR101540341B1 (ko) * 2008-10-17 2015-07-30 삼성전자주식회사 패널 구조체, 패널 구조체를 포함하는 표시장치 및 이들의 제조방법
WO2010140287A1 (ja) * 2009-06-03 2010-12-09 シャープ株式会社 液晶表示装置
US9224759B2 (en) 2010-12-20 2015-12-29 Japan Display Inc. Pixel array substrate structure, method of manufacturing pixel array substrate structure, display device, and electronic apparatus

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5766472A (en) * 1980-10-13 1982-04-22 Suwa Seikosha Kk Liquid crystal indicator unit
DE69220643T2 (de) * 1991-09-10 1998-01-22 Sharp Kk Flüssigkristall-Anzeigegerät vom Reflexionstyp und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0553775B1 (en) * 1992-01-28 1998-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a semiconductor device
JPH05241127A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Canon Inc 液晶表示装置
JP2771392B2 (ja) * 1992-06-26 1998-07-02 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
JPH0675237A (ja) * 1992-08-28 1994-03-18 Sharp Corp 反射型液晶表示装置
JP2768313B2 (ja) * 1995-06-13 1998-06-25 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置
JP3316115B2 (ja) * 1995-09-01 2002-08-19 パイオニアビデオ株式会社 反射型液晶表示装置
US5945972A (en) * 1995-11-30 1999-08-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device
JP3249077B2 (ja) * 1996-10-18 2002-01-21 キヤノン株式会社 マトリクス基板と液晶装置
JP2952343B2 (ja) 1997-01-31 1999-09-27 工業技術院長 上層階からの降下装置
JP3270821B2 (ja) * 1997-03-12 2002-04-02 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000352716A (ja) 2000-12-19
KR20010031885A (ko) 2001-04-16
WO2000016153A1 (fr) 2000-03-23
JP3321807B2 (ja) 2002-09-09
KR100533802B1 (ko) 2005-12-06
JP3982148B2 (ja) 2007-09-26
US6750836B1 (en) 2004-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW442690B (en) Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, electronic apparatus comprising the panel, and method for manufacturing substrate for liquid crystal panel
TW530184B (en) Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel
CN100443968C (zh) 液晶装置及电子设备
KR100426980B1 (ko) 전기 광학 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기
TWI242086B (en) Electro-optical panel and electronic equipment
JP2003344836A (ja) 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器
CN101788733A (zh) 显示设备和信息输入设备
JP2001166311A (ja) 電気光学装置及びその製造方法、電気光学装置用基板
JP2008209858A (ja) 液晶装置、及び電子機器
JP3775071B2 (ja) 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、ならびに電気光学装置を用いた電子機器
JP4709532B2 (ja) 液晶表示装置
CN101276108B (zh) 透反射型液晶显示面板及其制造方法
CN112965307A (zh) 双面反射显示面板
JP3864636B2 (ja) 液晶パネル用基板、液晶パネル及びそれを用いた電子機器並びに液晶パネル用基板の製造方法
JP4035992B2 (ja) 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
JP2009080303A (ja) 液晶装置および電子機器
JP3951694B2 (ja) 半透過・反射型電気光学装置、電子機器、および半透過・反射型電気光学装置の製造方法
JP4078928B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
JP2000193996A (ja) 電気光学装置及びその製造方法
JP3979077B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
JP4544239B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2003344840A (ja) 液晶装置、およびそれを用いた電子機器
JP3876583B2 (ja) 表示装置およびそれを用いた電子機器
JP3740868B2 (ja) 電気光学装置用基板及びその製造方法、電気光学装置並びにそれを用いた電子機器
JP2000214483A (ja) 電気光学装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees