CN101276108B - 透反射型液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明披露了一种透反射型液晶显示面板及其制造方法，其通过在像素区域的反射部分内的耦合电容器使反射曲线和透射曲线匹配而能够在像素区域内实现均匀的灰度级值，该透反射型液晶显示面板包括基板上的栅线；与该栅线交叉以限定由透射部分和反射部分构成的像素区域的数据线；与该栅线和数据线的交点相邻的薄膜晶体管；在覆盖该薄膜晶体管的钝化膜上的第一绝缘膜；在该像素区域的该透射部分内用于反射入射光的反射电极；形成在覆盖该反射电极的第二绝缘膜上并通过接触孔连接到该薄膜晶体管的漏极的像素电极；以及通过根据从该漏极提供的数据电压使反射部分的该反射曲线标准化而使该反射部分的反射曲线与该透射部分的透射曲线匹配的耦合电容器。

Description

透反射型液晶显示面板及其制造方法

本申请要求于2007年3月26日提交的韩国专利申请号P2007-29293的权益，在此引用其全部内容作为参考。

技术领域

本发明的实施例涉及一种透反射(透射-反射)型液晶显示面板及其制造方法，并且特别是，涉及一种通过像素区域的反射部分内的耦合电容器使反射曲线与透射曲线匹配从而能够实现像素区域内的均匀灰度级值的透反射型液晶显示面板。

背景技术

通常，液晶显示(LCD)器件通过利用电场控制液晶的光透射率来显示图像。根据驱动液晶的电场方向，液晶显示器件大体被分为垂直电场施加模式和水平电场施加模式。

垂直电场施加模式液晶显示器件通过在上基板上的公共电极和下基板上的像素电极之间的垂直电场来驱动扭曲向列TN模式的液晶，其中公共电极面对像素电极。这种垂直电场施加模式液晶显示器件具有高孔径比的优点，同时其具有窄视角的缺点。

水平电场施加模式液晶显示器件通过在形成在下基板上的像素电极和公共电极之间的水平电场驱动共平面开关IPS模式的液晶。这种水平电场施加模式具有宽视角的优点。

同样，液晶显示器件大体可分为利用背光单元产生的光的透射型液晶显示器件和利用周围环境光的反射型液晶显示器件。透射型液晶显示器件具有大功耗的缺点。反射型液晶显示器件在黑暗环境下不能显示所需要的图像，因为反射型液晶显示器件利用周围环境光。

为了克服这些问题，研究和开发了透反射(透射-反射)型液晶显示器件。透反射型液晶显示器件可以同时在透射模式和反射模式下工作，因为透反射型液晶显示器件同时具有透射部分和反射部分，由此使用来自背光单元的透射光和周围环境光。也就是说，如果具有足够量的周围环境光，那么透反射型液晶显示器件通过反射模式工作。相反，如果没有足够的周围环境光，那么透反射型液晶显示器件利用背光单元产生的透射光通过透射模式工作。由此，与透射型液晶显示器件相比，透反射型液晶显示器件可以降低功耗。另外，与反射型液晶显示器件不同，透反射型液晶显示器件没有周围环境光的限制。

以下，参考图1解释现有技术的透反射型液晶显示器件及其结构和操作。

如图1所示，现有技术的透反射型液晶显示器件在每个像素区域中包括透射部分和反射部分，其既通过垂直电场也通过水平电场驱动。如图1所示，透反射型液晶显示器件由包含多条线和薄膜晶体管的薄膜晶体管基板11，面对薄膜晶体管基板11的滤色片基板21，以及形成在薄膜晶体管基板11和滤色片基板21之间的液晶层16构成。

薄膜晶体管基板11包括彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线，与栅线和数据线的交叉部分相邻地形成的薄膜晶体管，形成在反射部分内的有机绝缘膜18，形成在有机绝缘膜18上用于反射来自外部的入射光的反射电极60，在透射部分内作为与反射电极60相同的层形成的像素电极17，用于覆盖反射电极60和像素电极17的钝化膜19，以及形成在钝化膜19上用于与像素电极17一起形成水平电场的公共电极24。

此时，现有技术的透反射型水平电场模式液晶显示器件在透射部分内具有盒间隙，由于形成在反射部分内的有机绝缘膜18，透射部分内的盒间隙大约是反射部分内的盒间隙的两倍大，以便能够补偿反射部分和透射部分之间的相位差，由此在像素区域内实现均匀的亮度特性。

为了形成用于在像素区域内实现均匀亮度特性的双盒间隙结构，需要在反射部分内形成有机绝缘膜18的额外步骤，由此造成复杂的工序和低效率。

为了解决具有双盒间隙结构的透反射型液晶显示器件的问题，考虑和研究了通过利用具有大阶梯差补偿特性的有机绝缘材料将像素区域的透射部分和反射部分之间的阶梯差去除的具有单一盒间隙结构的透反射型液晶显示器件。

在具有单一盒间隙结构的透反射型液晶显示器件的情况下，由于在反射部分和透射部分之间的液晶的有效折射率差，反射部分的反射曲线和透射部分的透射曲线并不匹配。因此，在现有技术的具有单一盒间隙结构的透反射型液晶显示面板中，难以使反射部分的反射曲线和透射部分的透射曲线匹配，由此用于构成像素区域的反射部分和透射部分具有不同的灰度级。

发明内容

因此，本发明涉及一种透反射型液晶显示面板及其制造方法，其实质上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。

本发明的目的是提供一种能够通过像素区域的反射部分中的耦合电容器使反射曲线和透射曲线匹配而能够在像素区域内形成均匀的灰度级的透反射型液晶显示面板。

本发明的其他优点、目的和特征将在随后的描述中进行部分阐述，并且对本领域普通技术人员而言从对后面内容的验证或者可能从本发明的实践中学习到的内容可以在某种程度上变得更加清楚。本发明的目的和其他优点可以通过在书面的说明书及其权利要求以及附图中所特别指出的结构来实现和达到。

为了实现基于本发明目的的这些目的和其他优点，如此处所具体化和广泛描述的，一种透反射型液晶显示面板包括：在基板上的栅线；与该栅线交叉以限定由透射部分和反射部分构成的像素区域的数据线；与该栅线和该数据线的交点相邻的薄膜晶体管；在覆盖该薄膜晶体管的钝化膜上的第一绝缘膜；在该像素区域的该反射部分内用于反射入射光的反射电极；形成在覆盖该反射电极的第二绝缘膜上并通过接触孔连接到该薄膜晶体管的漏极的像素电极；以及通过根据从该漏极施加的数据电压使反射部分的该反射曲线标准化来使该反射部分的反射曲线与该透射部分的透射曲线匹配的耦合电容器。

此时，该第一绝缘膜由感光亚克力(photo-acryl)的有机绝缘材料形成。

同时，该第二绝缘膜由无机绝缘材料形成。

该耦合电容器包括第一耦合电容器，该第一耦合电容器包含该反射电极，以及在将该第一绝缘膜插入其间的状态下与该反射电极重叠的该漏极；以及第二耦合电容器，该第二耦合电容器包含该像素电极，以及在将该第二绝缘膜插入其间的状态下与该像素电极重叠的该反射电极。

该第一和第二耦合电容器并联连接。

同样，该第二耦合电容器的电容根据形成在该反射部分内的该像素电极的面积而改变。

在另一方面，一种制造透反射型液晶显示面板的方法包括：在基板上形成栅线；形成与该栅线交叉以限定由透射部分和反射部分构成的像素区域的数据线；与该栅线和该数据线的交点相邻地形成薄膜晶体管；在覆盖该薄膜晶体管的钝化膜上形成第一绝缘膜；在该像素区域的该反射部分内形成用于反射入射光的反射电极；形成通过包含在覆盖该反射电极的该第二绝缘膜内的接触孔连接到该薄膜晶体管的漏极的像素电极；以及形成耦合电容器以根据从该漏极提供的数据电压使该反射部分的反射曲线标准化，以与该透射部分的透射曲线匹配。

应当理解，本发明前面的大概描述和随后的详细描述都是示范性和解释性的，意欲对本发明的权利要求提供进一步的解释。

附图说明

包括进来以提供对本发明的进一步理解并被囊括构成本申请的一部分的附图描绘了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在图中：

图1是描绘根据现有技术的具有双盒间隙结构的透反射型液晶显示面板的截面图；

图2是描绘根据本发明的透反射型液晶显示面板的平面图；

图3是描绘沿图2的I-I′线的透反射型液晶显示面板的截面图；

图4是描绘根据本发明的透反射型液晶显示面板的等效电路图；

图5是描绘包含在根据本发明的透反射型液晶显示面板的像素区域内的透射部分的透射曲线和反射部分的标准化反射曲线之间的关系的曲线图；以及

图6A至6F是描绘制造根据本发明的透反射型液晶显示面板的方法的截面图。

具体实施方式

现在详细参考本发明的优选实施例，其实例描绘于附图中。在可能的情况下，在所有图中使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。

以下，参考附图描述根据本发明的透反射型液晶显示面板及其制造方法。

参考图2和3解释根据本发明的透反射型液晶显示面板的结构和操作。

如图2和3所示，根据本发明的透反射型液晶显示面板包括在基板101上的栅线102；与栅线102交叉以限定其内由透射部分和反射部分构成的像素区域的数据线108；与栅线102和数据线108的交点相邻的薄膜晶体管TR；在覆盖薄膜晶体管TR的钝化膜116上的第一绝缘膜118；形成在像素区域的反射部分内用于反射入射光的反射电极120；形成在用于覆盖反射电极120的第二绝缘膜122上并通过接触孔124连接到薄膜晶体管TR的像素电极126；以及通过对从存储电容器提供的数据电压进行充电或放电而用于使反射部分的反射曲线标准化以与透射部分的透射曲线匹配的耦合电容器128。

栅线102将栅信号提供到包含在薄膜晶体管TR内的栅极104，其中栅信号由与栅焊盘接触的栅驱动器(未示出)提供。同样，数据线108根据栅极104的导通/截止操作将数据信号提供到薄膜晶体管TR的源极110和漏极112，其中数据信号由与数据焊盘接触的数据驱动器(未示出)提供。数据线108与栅线102交叉，并且栅绝缘膜106插入于其间，由此限定由反射部分114a和透射部分114b构成的像素区域114。

薄膜晶体管TR响应于栅线102的栅信号用像素信号对像素电极126充电。薄膜晶体管TR包括连接到栅线102的栅极104；连接到数据线108的源极110；以及在其间插入沟道的状态下与源极110相对并通过接触孔124连接到像素电极126的漏极112。

另外，薄膜晶体管TR包括半导体图案115，其中半导体图案115包括形成在栅极104上方并且栅绝缘膜106插入于其间的有源层115a，以及形成在有源层115a上方并且与源极110和漏极112欧姆接触的欧姆接触层115b。

反射电极120将入射到滤色片基板上的外部光反射到滤色片，其中反射电极120形成在第一绝缘膜118上用于覆盖具有薄膜晶体管TR的像素区域114的反射部分114a。此时，反射电极120在将第一绝缘膜118插入其间的状态下与薄膜晶体管TR的漏极112重叠。反射电极120形成像素区域114的反射部分114a内的耦合电容器128的第一耦合电容器128a。

第一绝缘膜118由绝缘材料形成，例如具有良好平整化特性的感光亚克力(photo-acryl)。同样，第一绝缘膜118具有压印有图案的表面以使来自滤色片基板的入射光散射，由此提高反射效率。由于第一绝缘膜118由诸如感光亚克力的有机绝缘材料形成，因此第一耦合电容器128a具有低的电容，由此对于从存储电容器Cst输入的数据电压存在快速的充电或放电，由此在像素区域114的反射部分114a内形成快速改变的反射曲线RV。

像素电极126形成在用于覆盖反射电极120的第二绝缘膜122上，并与公共电极一起形成用于使液晶排列的垂直电场。同样，像素电极126通过穿过第二绝缘膜122、第一绝缘膜118和钝化膜116的接触孔124与薄膜晶体管TR的漏极112电连接。像素电极126在插入无机绝缘材料的第二绝缘膜122的状态下与反射电极120重叠，由此在像素区域114的反射部分114a内形成耦合电容器128的第二耦合电容器128b。

由于第二绝缘膜122由无机绝缘材料构成，因此第二耦合电容器128b具有高的电容，由此对于从存储电容器Cst提供的数据电压存在缓慢的充电或放电，由此在像素区域114的反射部分114a内形成渐变的反射曲线RV。

通过在将第二绝缘膜122插入其间的状态下改变像素电极126与反射电极的重叠面积，例如在像素区域114的反射部分114a内形成的面积，可以控制第二电容器128b的电容。

耦合电容器128通过控制对从存储电容器Cst提供的数据电压的充电或放电使反射部分114a的反射曲线标准化来使反射部分114a的反射曲线与透射部分114b的透射曲线相匹配。如图4所示，耦合电容器128由在像素区域114的反射部分114a内并联连接的至少两个电容器(以下，称作第一和第二耦合电容器)构成。

此时，第一耦合电容器128a包括形成在像素区域114的反射部分114a内的反射电极120；以及在插入了诸如感光亚克力的有机绝缘材料的第一绝缘膜118的状态下与反射电极120重叠的薄膜晶体管TR的漏极112。由于第一绝缘膜118由诸如感光亚克力的有机绝缘材料形成，因此第一耦合电容器128a具有低的电容。因此，如图4所示，对于从存储电容器Cst提供的数据电压存在快速的充电或放电，由此在像素区域114的反射部分114a内形成快速改变的反射曲线RV1。

第二耦合电容器128b由形成在像素区域114的反射部分114a内的像素电极126以及在插入无机绝缘材料的第二绝缘膜122的状态下与像素电极126重叠的反射电极120构成。由于第二绝缘膜122由无机绝缘层形成，因此第二耦合电容器128b具有高电容。因此，如图4所示，对于从存储电容器Cst提供的数据电压存在缓慢的充电或放电，由此在像素区域114的反射部分114a内形成逐渐改变的反射曲线RV2。

如上所述，耦合电容器128由彼此并联连接的第一和第二耦合电容器构成。如图5所示，通过对于提供到像素区域114的反射部分114a的数据电压充电或放电形成的第一和第二反射曲线被标准化，从而使第一和第二反射曲线与像素区域114的透射部分114b内形成的透射曲线匹配。由于通过在像素区域114的反射部分114a内的耦合电容器128使反射部分114a的反射曲线标准化来使反射部分114a的反射曲线与透射部分114b的透射曲线匹配，因此在包含在像素区域114内的反射部分114a和透射部分114b内使灰度级值均匀化。

图6A至6F是描绘制造根据本发明的透反射型液晶显示面板的方法的截面图。

如图6A所示，通过第一掩模工艺在基板101上形成包含栅线102和栅极104的第一导电图案。特别是，通过溅射在基板101上形成栅金属层。此时，栅金属层可以形成为包含铝基金属、铜Cu、铬Cr和钼Mo的至少之一的单层结构，或包含顺序沉积的铝/钕A1Nd和钼的双层结构。

在包含栅金属层的基板101的整个表面上涂敷光刻胶之后，执行利用第一掩模的光刻工艺，由此形成光刻胶图案以使除了用于栅金属层内的第一导电图案的预定部分之外的其他部分暴露。在蚀刻了通过光刻胶图案暴露的栅金属层之后，对剩余的光刻胶图案进行灰化(ashing)处理。由此在基板101上完成第一导电图案，其包括栅线102，和连接到栅线102的栅极104。

参考图6B，通过第二掩模工艺，在覆盖第一导电图案的栅绝缘膜106上形成用于形成沟道和欧姆接触的半导体图案115。更明确地，栅绝缘膜106形成在包含第一导电图案的基板101的整个表面上，并且由a-Si层和n+硅层构成的半导体层形成在栅绝缘膜106上。在半导体层的整个表面上涂敷了光刻胶之后，执行利用第二掩模的光刻工艺，由此形成光刻胶图案以暴露形成在除了薄膜晶体管TR的沟道区域之外的其他部分内的半导体层。此时，顺序蚀刻通过光刻胶图案暴露的半导体层，并将剩余的光刻胶图案去除，由此形成由用于形成沟道的有源层115a和用于欧姆接触的欧姆接触层115b构成的半导体图案115。

如图6C所示，通过第三掩模工艺，将包含数据线108、连接到数据线108的源极110、和漏极112的第二导电图案形成在包含半导体图案115的基板101上。

对此将详细解释如下。首先，将数据金属层沉积在包含半导体图案115的栅绝缘膜106的整个表面上。在数据金属层的整个表面上涂敷了光刻胶之后，执行利用第三掩模的光刻工艺，由此形成光刻胶图案以暴露除了用于数据金属层内的第二导电图案的预定部分之外的其他部分。在蚀刻了通过光刻胶图案暴露的数据金属层之后，使剩余的光刻胶图案灰化由此形成第二导电图案，第二导电图案由数据线108、连接到数据线108的源极110和与源极110相对并且在其间设置沟道的漏极112构成。此时，半导体图案和第二导电图案可以通过半色调(half-tone)掩模或衍射曝光掩模同时形成。

如图6D所示，用于反射光的反射电极120通过第四掩模工艺形成在像素区域114的反射部分114a内。更详细地，将钝化膜116和第一绝缘膜118形成在包含第二导电图案的基板101的整个表面上。此时，钝化膜116由诸如氮化硅的无机绝缘材料形成，并且第一绝缘膜118由诸如感光亚克力的有机绝缘材料形成。

在第一绝缘膜118上形成反射金属层之后，执行利用第四掩模的光刻工艺，由此形成光刻胶图案以暴露用于在反射金属层内形成反射电极120的预定部分以外的其他部分。此时，反射金属层由具有良好反射性的金属形成，诸如铝Al，铜Cu或铬Cr。

在蚀刻了通过光刻胶图案暴露的反射金属层之后，对剩余的光刻胶图案进行灰化处理，由此在覆盖像素区域114的反射部分114a的第一绝缘膜118上形成用于将光反射到滤色片基板的反射电极120。此时，反射电极120在将第一绝缘膜118插入其间的状态下与薄膜晶体管TR的漏极112重叠，由此在像素区域114的反射部分114a内形成第一耦合电容器128a。由于第一绝缘膜118由具有良好平整化特性的有机绝缘材料，例如感光亚克力，形成，因此由反射电极120形成的第一耦合电容器128a对于由存储电容器Cst提供的数据电压进行快速的充电或放电，由此在像素区域114的反射部分114a内形成快速改变的反射曲线。

如图6E所示，执行第五掩模工艺以形成用于使薄膜晶体管TR的漏极112暴露的接触孔124。更具体地，在像素区域114的反射部分114a内在包含反射电极120的基板101的整个表面上形成第二绝缘膜122。在第二绝缘膜122的整个表面上涂敷光刻胶之后，执行利用第五掩模的光刻工艺，由此形成光刻胶图案以使在第二绝缘膜122内用于接触孔124的预定部分暴露。

在顺序蚀刻了通过光刻胶图案暴露的第二绝缘膜122、第一绝缘膜118和钝化膜116之后，对剩余的光刻胶图案执行灰化处理，由此形成穿过第二绝缘膜122、第一绝缘膜118和钝化膜116的接触孔124，以暴露薄膜晶体管TR的漏极112。

如图6F所示，执行第六掩模工艺以在像素区域114内形成像素电极126，其中像素电极126与公共电极一起形成使液晶排列的垂直电场。更明确地，通过PECVD将透明导电层ITO沉积在第二绝缘膜122的整个表面上。然后，将光刻胶涂敷在透明导电层ITO上，并执行利用第六掩模的光刻工艺，以形成光刻胶图案以暴露除了在透明导电层ITO内用于像素电极126的预定部分之外的其他部分。在蚀刻了通过光刻胶图案暴露的透明导电层ITO之后，对剩余的光刻胶图案执行灰化处理，由此在像素区域114内形成像素电极126以与公共电极一起形成使设置在盒间隙内的液晶排列的垂直电场。

此时，像素电极126通过穿过第二绝缘膜122、第一绝缘膜118和钝化膜116的接触孔124与薄膜晶体管TR的漏极112连接。根据通过漏极112提供的数据电压，像素电极126和公共电极形成使液晶排列的垂直电场。

同样，像素电极126在将第二绝缘膜122插入其间的状态下与反射电极120重叠，由此在像素区域114的反射部分114a内形成耦合电容器128的第二耦合电容器128b。此时，第二耦合电容器128b的电容可以根据在将第一绝缘膜118插入其间的状态下像素电极126与反射电极120重叠的面积而可变。

由于第二绝缘膜122由有机绝缘材料形成，因此第二耦合电容器128b具有大的电容。由此，第二耦合电容器128b对于从存储电容器Cst提供的数据电压进行缓慢的充电或放电，由此在像素区域114的反射部分114a内形成渐变的反射曲线。

如图4所示，由于第一和第二耦合电容器128a和128b并联连接，因此通过第一和第二耦合电容器128a和128b使像素区域114的反射部分114a内的反射曲线标准化以与像素区域的透射部分内的透射曲线相匹配。因此，使像素区域114的反射部分114a内的反射曲线标准化以与透射部分的透射曲线相匹配，由此有可以在形成为单个盒间隙的像素区域114的反射部分114a和透射部分114b内实现均匀的灰度级。

如上所述，根据本发明的透反射型液晶显示面板及其制造方法具有如下优点。

在根据本发明的透反射型液晶显示面板中，通过形成在像素区域的反射部分内的耦合电容使反射曲线和透射曲线匹配，由此在像素区域的反射部分和透射部分内实现均匀的灰度级。

本领域技术人员应当清楚，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以对本发明进行各种改进和改变。由此，意欲使本发明覆盖在附加的权利要求及其等效物的范围内提供的本发明的改进和改变。

Claims (10)

1.一种透反射型液晶显示面板，包括：

基板上的栅线；

与所述栅线交叉以限定由透射部分和反射部分构成的像素区域的数据线；

与所述栅线和数据线的交点相邻的薄膜晶体管；

在覆盖所述薄膜晶体管的钝化膜上的第一绝缘膜；

在所述像素区域的所述反射部分内用于反射入射光的反射电极；

在覆盖所述反射电极的第二绝缘膜上形成的像素电极，所述像素电极通过接触孔连接到所述薄膜晶体管的漏极；以及

耦合电容器，所述耦合电容器通过根据从所述漏极提供的数据电压使反射部分的反射曲线标准化，使得所述反射部分的反射曲线与所述透射部分的透射曲线相匹配，

其中，所述耦合电容器包括：

第一耦合电容器，所述第一耦合电容器包括所述反射电极和所述漏极，所述漏极在将所述第一绝缘膜插入在所述漏极和所述反射电极之间的状态下与所述反射电极重叠；以及

第二耦合电容器，所述第二耦合电容器包括所述像素电极和所述反射电极，所述反射电极在将所述第二绝缘膜插入在所述像素电极和所述反射电极之间的状态下与所述像素电极重叠。

2.根据权利要求1所述的透反射型液晶显示面板，其特征在于，所述第一绝缘膜由感光亚克力的有机绝缘材料形成。

3.根据权利要求1所述的透反射型液晶显示面板，其特征在于，所述第二绝缘膜由无机绝缘材料形成。

4.根据权利要求1所述的透反射型液晶显示面板，其特征在于，所述第一和第二耦合电容器并联连接。

5.根据权利要求4所述的透反射型液晶显示面板，其特征在于，所述第二耦合电容器的电容根据在所述反射部分内形成的所述像素电极的面积而改变。

6.一种制造透反射型液晶显示面板的方法，包括：

在基板上形成栅线；

形成与所述栅线交叉以限定由透射部分和反射部分构成的像素区域的数据线；

与所述栅线和数据线的交点相邻地形成薄膜晶体管；

在覆盖所述薄膜晶体管的钝化膜上形成第一绝缘膜；

在所述像素区域的所述反射部分内形成用于反射入射光的反射电极；

形成通过接触孔连接到所述薄膜晶体管的漏极的像素电极，所述接触孔被包含在覆盖所述反射电极的第二绝缘膜内；

形成耦合电容器以根据从所述漏极提供的数据电压将所述反射部分的反射曲线标准化，以与所述透射部分的透射曲线匹配，

其中，形成所述耦合电容器包括：

形成第一耦合电容器，所述第一耦合电容器包括所述反射电极和所述漏极，所述漏极在所述反射电极和所述漏极之间插入所述第一绝缘膜的状态下与所述反射电极重叠；以及

形成第二耦合电容器，所述第二耦合电容器包括所述像素电极和所述反射电极，所述反射电极在所述像素电极和所述反射电极之间插入所述第二绝缘膜的状态下与所述像素电极重叠。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘膜由感光亚克力的有机绝缘材料形成。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘膜由无机绝缘材料形成。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一和第二耦合电容器并联连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二耦合电容器的电容根据在所述反射部分内形成的所述像素电极的面积而改变。

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