CN1402064A - 透射－反射型液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

透射－反射型液晶显示器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1402064A
CN1402064A CN02127661A CN02127661A CN1402064A CN 1402064 A CN1402064 A CN 1402064A CN 02127661 A CN02127661 A CN 02127661A CN 02127661 A CN02127661 A CN 02127661A CN 1402064 A CN1402064 A CN 1402064A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode film
film
reflective
substrate
transparent electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02127661A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1196962C (zh
Inventor
坂本道昭
井樋田悟史
池野英德
筱原正树
木村茂
森尾健二
佐伯和郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianma Japan Ltd
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of CN1402064A publication Critical patent/CN1402064A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1196962C publication Critical patent/CN1196962C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
    • A47J37/04—Roasting apparatus with movably-mounted food supports or with movable heating implements; Spits
    • A47J37/045—Roasting apparatus with movably-mounted food supports or with movable heating implements; Spits with endless conveyors
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
    • A47J37/06—Roasters; Grills; Sandwich grills
    • A47J37/07—Roasting devices for outdoor use; Barbecues
    • A47J37/0786—Accessories
    • A47J2037/0795—Adjustable food supports, e.g. for height adjustment
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
    • A47J37/04—Roasting apparatus with movably-mounted food supports or with movable heating implements; Spits
    • A47J37/041—Roasting apparatus with movably-mounted food supports or with movable heating implements; Spits with food supports rotating about a horizontal axis
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
    • A47J37/06—Roasters; Grills; Sandwich grills
    • A47J37/07—Roasting devices for outdoor use; Barbecues
    • A47J37/0745—Roasting devices for outdoor use; Barbecues with motor-driven food supports
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
    • A47J37/06—Roasters; Grills; Sandwich grills
    • A47J37/07—Roasting devices for outdoor use; Barbecues
    • A47J37/0786—Accessories
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133504—Diffusing, scattering, diffracting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

在每个像素中设有透明区域和发射区域的透射－反射型LCD中，当在有源矩阵基板12上形成波纹膜11、以形成反射电极膜6的波纹时，所述波纹膜11特别地在透射和反射区域中形成几乎相同的厚度，以在这两个区域形成几乎相同的基板之间的间隙，以致它们具有几乎相同的V－T特性，另外，形成由Al/Mo制造的反射电极膜6，使得在透射电极膜5的外周边周围，与由ITO制造的透射电极膜5重叠至少2微米的宽度，从而抑制在透射电极膜5边缘上发生ITO和Al材料之间的电腐蚀。

Description

透射-反射型液晶显示器及其制造方法
本发明背景
本发明领域
本发明涉及一种液晶显示器(LCD)和其制造方法，特别涉及，在其像素中具有透射区域和反射区域的透射-反射(transflective)有源矩阵型LCD和其制造方法。
现有技术说明
因为LCD具有小而薄的几何形状和低的功率损耗，所以已在各种应用中，如，在OA(办公室自动化)设备和便携式设备中实际使用。各种LCD分类成透射型和反射型，透射型的LCD与CRT或EL显示器不同，本身不具有发射光的功能，所以单独设有背光光源，使得可以通过透射/阻挡它的液晶的背光控制显示器。
虽然透射型LCD能够不依靠周围的环境使用背光获得光亮显示，但是，一般它的背光光源的功率损耗大，大致为它的全部功率损耗一半，因此，导致整个的功率损耗增加。如果特别是LCD由电池驱动，它的操作时间减小，同时如果大尺寸的电池安装其上，它的整个重量增加，这妨碍了它在尺寸和重量中的改进。
为了解决由于背光光源的大的耗电量所造成的上述问题，提出了反射型的LCD，它利用周围的光进行显示。反射型的LCD使用代替背光光源的一个反射板，透射/阻挡反射板反射的周围光，以便控制显示，不需要设置背光光源，从而降低它的耗电量、尺寸和重量；但是，同时，如果周围环境是暗的，则它的可见度显著变坏，这是严重的问题。
虽然透射形和反射型的LCD各有其优缺点，为了获得稳定的显示，背光光源是需要的，但是，如果仅是用背光作LCD的光源，则不可避免地增加LCD的功耗。为了解决这个问题，例如，日本专利申请(KOKOKU)公报No.Hei 11-101992公开了一种透射-反射型LCD，它能够抑制它的背光光源的功耗，并且不依赖周围环境地确保可见度，其中在每个像素中设置透射区域和反射区域，使得能够在单一的液晶板上提供透射方式的显示和反射方式的显示。
下面参照图18说明现有技术的透射型-反射型LCD。图18是现有技术的透射-反射型LCD的剖视图。
如图18所示，现有技术的透射-反射形LCD包括一个有源矩阵基板12，在其上形成一个开关元件，如薄膜晶体管(下面简称TFT)3；一个相对基板16，在其上形成滤色片，黑色基体等；液晶层17，它被上述两个基板夹在中间；和背光光源18，它排列在有源矩阵基板12之下。
在有源矩阵基板12上设置栅极线路、数据线路、和在它们的交点附近的TFT3，在这样的配置中使得，TFT3的漏极2a和源极2b分别连接到数据线路和像素电极。在这样的结构中每个像素分成透射区域和反射区域，所述透射区域透射背光，反射区域反射周围光，使得透射区域具有在钝化膜10上形成的透明电极膜5，并且反射区域具有机材料制成的不规则膜11上的金属的反射电极膜6。
在这样的透射-反射型LCD的结构中，在透射区域中，从有源矩阵基板12的后侧辐射的背光通过液晶层17，并从相对基板16发射出去，同时，在反射区域中，通过相对基板16入射的周围光一旦进入液晶层17，并由反射电极膜6反射，通过液晶层17返回，然后从相对基板发射出去，使得在透射区域和反射区域之间存在光程长度的差。
为了避免这个现象，现有技术是，调节发射光的偏振状态，通过在反射区域中形成比在透射区域中厚的有机波纹膜11，以致反射区域中的液晶层17的间隙可能大致是在透射区域的一半，从而使得在这两个区域中的液晶层17的光程长度彼此均衡。
一般来说，在透射区域和反射区域中的液晶板的灰度-亮度特性需要相同，使得在透射模式中的图象印迹能够与在反射模式中的匹配。为此，在透射模式中的板的电压-亮度特性(V-T)能够与反射模式的一致。
但在上述现有技术的透射-反射型LCD中，在透射区域和反射区域中的液晶层17的间隙不同，即在有源矩阵基板12一侧和在相对基板16一侧，相对于电极的间隙不同，以致，在各区域在液晶上施加的电场强度不能够相等，造成在这些区域中的亮度的改变，因此产生降低显示质量的问题。
本发明概述
鉴于上述情况，本发明的主要目的是，提供一种透射-反射型LCD和其制造方法，它能够将在反射模式中的板的电压-亮度特性与在反射模式中的匹配，并且能够抑制反射电极膜或透明电极膜引起的像素缺陷的发生。
为了到达上述目的，根据本发明的透射-反射型LCD包括：在第一基板上的多个扫描线路和多个信号线路，它栅极大体彼此垂直，并且在所示扫描线路和所述信号线路之间的各交点附近设置一个开关元件；透射区域和反射区域，其中透射区域中形成透明电极膜，发射区域中形成反射电极膜，所述这些区域设置在被所述扫描线路和所述信号线路包围的各像素中；和液晶，夹在所述第一基板和与第一基板相对设置的第二基板之间的间隙中，其中所述反射电极膜位于所述反射电极膜波纹之下，在所述反射电极膜下的有机膜，以几乎相同的厚度，也形成在所述透明电极膜之下，形成为波纹形状，使得在所述透射区域和所述反射区域中的所述的间隙能够基本相等。
而且，在所述的透射-反射型LCD中，其中所述反射电极膜形成在设置所述开关元件的像素一侧，使得通过在所述有机膜中的通孔，所述的开关元件的终端与所述反射电极膜连接，并且在透明电极膜和反射电极膜的重叠区域，所述透明电极膜与所述反射电极膜连接。
而且，在所述透射-反射型LCD中，其中在所述第一基板的周围，借助栅极层引出所述信号线路的部分(G-D转换部分)与所述反射电极膜和所述透射电极膜中任何一个连接。
而且，在所述透射-反射型LCD中，其中：在第一基板和第二基板夹着所述液晶的两侧的相反方向上的每一侧上，从所述基板的一侧开始顺序设置λ/4的板和偏振板；安排在所述第一基板的外侧上的所述偏振板和在第二基板外侧上的偏振板，使它们的偏振轴线能够彼此垂直；并且所述液晶的扭转角设定在72度。
而且，根据本发明制造透射-反射型LCD的方法，所述透射-反射型LCD具有第一基板，它设有彼此基本垂直的多个扫描线路，并多个信号线路和在所述扫描线路和信号线路之间的每个交点附近设置开关元件，在所述透射-反射型LCD中，在所述扫描线路和所述信号线路包围的每个像素中形成具有反射电极膜的反射区域和具有透明电极膜的透射区域，液晶被夹在所述第一基板和相对于所述第一基板设置的第二基板之间的间隙中，所述方法包括步骤：在所述反射电极膜和透明电极膜下形成基本上相同膜厚度的有波纹的有机膜时，在所述像素部分中形成具有透射部分、屏蔽部分和透射-反射部分的半色调掩模；和形成所述波纹，并同时形成，要使用所述掩模完全除去的所述有机膜的部分。
而且，在根据本发明的制造透射-反射型LCD的方法中，所述透射-反射型LCD具有第一基板，它设有彼此基本垂直的多个扫描线路和多个信号线路，和在所述扫描线路和信号线路之间的交点附近设置的开关元件，在所述透射-反射型LCD中，在所述扫描线路和所述信号线路包围的每个像素中形成具有反射电极膜的反射区域和具有透明电极膜的透射区域，液晶被夹在所述第一基板和相对于所述第一基板的第二基板之间的间隙中，所述方法包括步骤：在所述反射电极膜和所述透明电极膜下形成有基本相同膜厚度的具有波纹的有机膜时，形成散布成点的第一有机膜；进行预定的热处理，形成各凸起；和用第二有机膜适度覆盖以形成所述预定的波纹。
而且，在本发明的方法中，其中在通过除去一部分所述反射电极膜形成所述透射部分的窗口部分时，蚀刻所述反射电极膜，使得从所述基板的法线方向观察时，围绕所述窗口部分的整个周边与所述透射电极膜重叠预定宽度；最好是，进行所述腐蚀使得重叠的宽度约为2微米。
而且，在本发明的方法中，其中所述反射电极膜是由阻挡层金属膜和反射金属膜组成的两层结构，每层的膜厚度约100纳米，最好约200纳米。
而且，在本发明的方法中，在形成所述阻挡层金属膜和所述反射金属膜的至少之一时，金属膜一次形成预定的膜厚度，然后用碱溶液洗，然后再形成到希望的膜厚度。
而且，在本发明的方法中，用Mo作为阻挡层金属膜材料，用Al作为所述反射金属膜材料。
而且，在本发明的方法中，在所述透明电极膜形成前用紫外线(UV)洗的步骤中，紫外线的施加量限制在小于100毫焦耳(mJ)以下。
而且，本发明提供一种制造透射-反射型有源矩阵基板的方法，所述透射-反射型有源矩阵基板设有彼此基本垂直的多个扫描线路和多个信号线路，并且在这样的结构中在所述扫描线路和信号线路之间的各交点附近设置开关元件，使得具有反射电极膜的反射区域和具有透明电极膜的透射区域形成在由所述扫描线路和所述信号线路包围的每个像素中，所述的方法至少包括步骤：在形成所述扫描线路、所述信号线路和所述开关元件的基板上沉积钝化膜，然后在围绕所述基板的部分(G-D转换部分)中形成第一接触孔，以借助栅极层引出所述信号线路；用预定导电材料填充第一接触孔，用它连接所述G-D转换部分；在所述透射区域和所述反射区域沉积有机膜到几乎相同的膜厚度，然后在表面上形成波纹，在所述开关元件的终端上除去所述有机膜，以形成第二接触孔；在所述透射区域中的有机膜上形成透明电极膜；和形成反射电极膜，使得其与所述透明电极膜在所述透明电极膜周围重叠预定宽度，以通过所述第二接触孔，互连所述终端和所述反射电极膜。
而且，本发明提供一种制造透射-反射型有源矩阵基板的方法，所述透射-反射型有源矩阵基板设有彼此基本垂直的多个扫描线路和多个信号线路，并且在这样的结构中在所述扫描线路和信号线路之间的各交点附近设置开关元件，使得具有反射电极膜的反射区域和具有透明电极膜的透射区域形成在，由所述扫描线路和所述信号线路包围的每个像素中，所述的方法至少包括步骤：在形成所述扫描线路、所述信号线路和所述开关元件的基板上沉积钝化膜，然后在围绕所述基板的部分(G-D转换部分)中形成第一接触孔，以借助栅极层引出所述信号线路；在所述透射区域和所述反射区域沉积有机膜到几乎相同的膜厚度，然后在表面上形成波纹，在所述开关元件的终端上除去所述有机膜，以形成第二接触孔；在所述透射区域中的有机膜上形成透明电极膜，并用所述透明电极膜填充所述第一接触孔，以用它连接所述G-D转换部分；和形成反射电极膜，使得所述透明电极膜与所述透明电极膜在其周围重叠预定宽度，以通过所述第二接触孔，互连所述终端和所述反射电极膜。
在根据本发明的配置中，在透射区域和反射区域中的液晶层的间隙可以基本相等，以致在透射模式中的V-T特性能够与在反射模式中的一致；另外，通过改进透明电极膜的贴附性，以牢固保护透明电极膜的边，能够抑制在形成反射电极膜的PR(光刻抗蚀)步骤时由于显影剂引起的缺陷。
附图的简要说明
图1是关于本发明第一实施例的透射-反射型LCD的结构平面图；
图2是关于本发明第一实施例的透射-反射型LCD的结构剖视图；
图3是关于本发明第一实施例的透射-反射型LCD的入射光和反射光的偏振状态；
图4是在液晶的扭转角和在透射区域和透射区域中的间隙之间的关系曲线图；
图5是液晶的预定扭转角和透射和反射区域的间隙的V-T特性曲线图；
图6是关于本发明第二实施例的透射-反射型LCD的结构平面图；
图7是关于本发明第二实施例的透射-反射型LCD的结构剖视图；
图8是剖视图，示出现有技术的透射-反射型LCD的问题；
图9是关于本发明第三实施例的透射-反射型LCD效果的剖视图；
图10是显微图象，示出现有技术透射-反射型LCD的不正常显示；
图11是剖视流程图，示出关于本发明第四实施例的透射-反射型LCD制造方法；
图12是剖视流程图，示出本发明第四实施例的透射-反射型LCD制造方法；
图13是剖视流程图，示出关于本发明第四实施例的透射-反射型LCD制造方法；
图14是剖视流程图，示出关于本发明第五实施例透射-反射型LCD制造方法；
图15是剖视流程图，示出关于本发明第五实施例的透射-反射型LCD制造方法；
图16是平面图，示出关于在本发明的在先申请的透射-反射型LCD的结构；
图17是剖视图，示出关于本发明的在先申请透射-反射型LCD的结构；和
图18是现有技术透射-反射型LCD结构的剖视图。
优选实施例的说明
下面参照附图说明本发明的优选实施例。
如上所述，在透射-反射型LCD中一般是，LCD板的灰度-亮度特性必须在透射区域和反射区域中相同，使得透射模式中的图象印迹和反射模式的匹配。为此，在透射模式中的板的电压-亮度的特性(V-T特性)必须与反射模式的一致。
为此目的，本发明人在在先申请(日本专利申请No.2001-132744)提出了一种透射-反射型LCD，它不仅在反射区域，而且在透射区域具有预定膜厚的绝缘膜，使得这两个区域能够具有几乎相同的液晶层间隙；它也具有在所述液晶板两侧上的由偏振板和相差板构成的偏振调节装置，以调节这些光学元件的光特性和使用的液晶的扭转角，因此实现良好的显示。在说明本申请前，就图16和17说明关于这个在先申请的技术。图16是关于在先申请的透射-反射型LCD的有源矩阵基板结构的平面图。图17是图16的c-c’线的剖视图。
如图16和17所示，关于上述的在先申请的透射-反射型LCD包括：有源矩阵基板12；相对基板16；这两个基板之间加着的液晶层17；设置在有源矩阵基板12下的背光光源18；和多个相差板20a和20b和偏振板19a和19b，它们分别排列在有源矩阵基板12和相对基板16的外侧。
有源矩阵基板12还包括栅极线路1；栅极电极1a；共用存储线路4；形成在透明绝缘基板8上的一个辅助电容电极4a；半导体层；数据线路2；源/漏极；电容累积电极2c，它通过栅极绝缘膜9形成；覆盖这些元件的钝化膜10；第一绝缘膜11a，它在钝化膜10上分散地形成；第二绝缘膜11b，它填充在第一绝缘膜之间的间隙，从而形成一定的波纹(irregularity)；反射电极膜6，它形成在第二绝缘膜11b上；和透明电极膜5，它与在第二绝缘膜11b上的反射电极膜6部分重叠。
第一绝缘膜11a在反射区域中形成分散的点，在透射区域中是扁平的，并且取决于第一绝缘膜11a的表面形状，反射电极膜6可以在反射区域中的第二绝缘膜11b上成形为波纹形状，透明电极膜5可以在透射区域的第二绝缘膜11b上形成扁平的。
在这个结构中，通过恰当地设定每个位置的光学特性，如：排列在有源矩阵基板和相对基板外侧的相差板20a和20b的排列角度和偏振板19a和19b的偏振角，这两个基板的摩擦角，液晶的扭转角，液晶层17的间隙等，能够除去残余延迟并补偿在宽带内的相差，因此获得高对比度。
但是，在所述的在先申请中，在第一绝缘膜11a形成为在反射区域的散开的点，并然后在预定条件下加热处理，从而形成希望的凸起形状时，加热处理前的绝缘膜11a的结构形状在透射区域和反射区域中是不同的，以致在加热处理后，第一绝缘膜11a在反射区域变薄，在透射区域变厚，因此，造成在这些区域之间的液晶层17的间隙的细微差别。
另外，如图16所示，形成反射电极膜6，使其在每个像素中心与透明电极膜5重叠，而在相邻像素的边界上(例如，在图中上部的栅极线路1上)，这两个电极彼此不重叠，使得形成反射电极膜6的光刻步骤(PR)期间，显影剂通过在透射电极膜5的边上的反射电极膜5的裂纹渗入到反射电极膜5中，引发在反射电极膜6的Al和透射电极膜5的ITO之间的电腐蚀，因此可能腐蚀Al或ITO材料。
另外，在用导电密封剂将相对电极15与在有源矩阵基板12一侧的电极片连接时，导电密封剂设置在引出线上，以便防止在液晶外侧使得密封区域附近发生短路，最好是，数据线路2与栅极层连接，使得栅极层可以提供引出线(下面称G-D转换)。为此，需要通过将在其上层金属上的栅极和漏极金属互连进行G-D转换，以降低接触电阻，因此，建立一个工艺过程，以便在抑制上述的Al和ITO材料之间电腐蚀的同时，用较少的PR步骤制造产品。
为此，本发明提出这样的透射-反射型LCD结构和其制造方法，它能够提供在透射区域和反射区域中的相同间隙，使得它们的V-T特性能够彼此一致，并且能够抑制在反射电极膜6和透明电极膜5之间发生电腐蚀。下面参照附图详细说明。第一实施例
下面参照图1-5说明本发明第一实施例的的透射-反射型LCD的结构和原理。图1是本发明第一实施例透射-反射型LCD的结构平面图。图2是在图1的线A-A‘取的剖视图。图3是关于第一实施例的透射-反射型LCD的每个位置的偏振状态说明图。图4是在扭转角和间隙之间关系曲线图。图5是在预定状态下V-T特性曲线图。在此应注意，本发明的特征是，与反射区域一样波纹膜也形成在透射区域，以在这些区域形成相同的间隙。
如图1和2所示，第一实施例透射-反射型LCD包括：有源矩阵基板12；相对基板16；液晶层12，它夹在这两个基板之间；背光光源18，它设置在有源矩阵基板12下；和相差板20a和20b以及偏振板19a和19b，它们分别设置在有源矩阵基板12和相对基板16的外侧。
有源矩阵基板12还包括：栅极线路1；栅极电极1a；共用存储器线路4；辅助电容电极4a；栅极绝缘膜9；半导体层；数据线路2；源/漏极；电容累积电极2c，它形成在透明绝缘基板8上；和波纹膜11，它形成在覆盖这些的钝化膜10上，在透射区域和反射区域中具有相同形状。另外，在透射区域中形成由ITO等制造的透明电极膜5，同时在反射区域中形成例如由Al/Mo等金属制造的反射电极膜6。因此，在反射区域和透射区域上形成相同形状的波纹膜11，所以具有几乎相同的高度(具体地，有1微米以下的高度差别)，因此在它们本身中产生液晶层17的几乎相同的间隙。
参照图3-5下面说明在两个基板外侧上偏振板和相差板的排列和液晶的扭转角的设定，和反射和透射区具有几乎相同的间隙的意义。[在上侧排列偏振板和/4板]
为了形成反射区域的正常的白色状态，即，在相对的基板和像素电极之间未施加电压情况下液晶横卧(laid)时，反射区域是白色的，和在液晶直立时它是黑色的状态，相差板(λ/4板)20b被安排在液晶层17和偏振板19b之间。然后将λ/4板相对于偏振板19b的光轴旋转45度，并将它夹在中间，通过偏振板19b的线性偏振光(水平的)被变换成顺时针圆偏振光。通过将间隙d1设定在预定值，这个顺时针圆偏振光作为线性偏振光，到达反射电极膜6。该线性偏振光被反射电极膜6反射仍为线性偏振光，它又从液晶层17走出成为顺时针圆偏振光。这个圆偏振光由λ/4板转换成线性偏振光(水平的)，然后从具有水平光轴的偏振板19b走出，产生白色显示。
另一方面，如果电压施加在液晶层17上，液晶变为直立。此时，作为顺时针圆偏振入射到液晶层17的光，作为顺时针圆偏振光，到达反射电极膜6，它又由反射电极膜6反射成反时针圆偏振光。它从液晶层17发射被反时针地圆偏振，并被λ/4板转换成线性偏振光(竖直的)，并在其中被吸收，而不从它发射出。因此，显示出黑色。[在下侧排列λ/4板和偏振板]
在透射方式中，确定在下侧上的λ/4板20a和偏振板19a的光轴的排列角，使得在电压施加到液晶上时显示黑色。下侧的偏振板19a以交叉尼科耳方式排列，即相对于上侧偏振板19b旋转90度。另外，为了消除(补偿)上侧λ/4板20b的影响，下侧λ/4板20a也旋转90度排列。因为在电压施加上时液晶直立，在偏振状态光不改变，使得它基本上在光学上等同于偏振板19a和19b被排列在交叉尼科耳方式中，因此提供在施加电压时的黑色显示。这样一来，确定了透射—反射型LCD液晶屏的光学组件的排列和它们的光学轴的排列角。
图4示出在上述排列角排列各光学组件和液晶的扭转角φ在0-90度改变时，使得白色的反射率和透射率最大化的、最佳的反射区域和透射区域的相应的间隙d1和d2。图4表示，在液晶扭转角72度时，透射区域的最佳的间隙是与反射区域的相同，并且随着液晶扭转角减小，反射区域的最佳间隙变得比透射区域小。
根据这些，本申请人使用带有Δn(折射率各向异性)＝0.086的向列相液晶，并且从图4设定这样的条件，使得间隙值d1＝d2＝2.7微米，和扭转角为72度。在这些条件下的透射和反射方式中的板的电压一亮度特性(V-T特性)示于图5A。图5B示出作为一个比较例子的，在常规条件下(扭转角为0度，d1＝1.5微米，和d2＝2.7微米)的V-T特性。
图5示出，在本实施例配置中，透射方式的V-T特性与反射方式的充分一致，并且也示出，波纹膜11能够在像素区域的整个表面上以相同形状形成，以提供在反射和透射区域内，液晶的几乎相同的间隙，以及几乎相同V-T特性，因此改善了显示质量。
虽然在本实施例中，不仅在反射区域而且也在透射区域形成了具有相同形状的波纹膜11，但是，只要是反射和透射区域具有基本相同的间隙，波纹膜11的形状也可以是不同的。例如，在上述的在先申请的配置中，可以在两个步骤形成第一绝缘膜，使得考虑到形状的改变，在分散成点状的反射区域较厚一些，这样在这两个区域中形成包括第二绝缘膜厚度的几乎相同的膜的总厚度。第二实施例
下面参照图6和7说明关于本发明第二实施例的透射-反射型LCD。本实施例的特征是，为了抑制在由ITO等制造的透明电极膜和由Al/Mo等制造的反射电极膜之间的反应，调整这些电极膜的位置关系。
本实施例的透射-反射型LCD包括：有源矩阵基板12；相对基板16；和由这两个基板夹在中间的液晶层17，其结构是这样的，在有源基板12和相对基板16的外侧，以相对光轴的上面提到的排列角分别排列λ/4板和偏振板。作为液晶，例如能够使用Chisso公司制造的向列液晶NR523LA(Δn＝0.086)，上述设定值为间隙值2.7微米和扭转角为72度。相对基板还包括滤色片和供给参考电位的相对电极。
如图6和7所示，在有源矩阵基板12上排列供给扫描信号的栅极线路1；共用存储器线路4，它给出电容；辅助电容电极4a；数据线路2，用于供给图象信号；TFT3，它作为开关元件，连接到这些交点；和像素电极，它们在各晶体管上排列成矩阵。栅极线路1连接到TFT3的栅极电极1a，数据线路2连接到它的漏极。
另外，为了保护TFT3，在其上形成钝化膜10，在所述钝化膜上又形成由光敏丙烯酸树脂制造的波纹层11，它在反射电极膜6的波纹下。在这上面还形成由ITO等制造的透明导电膜构成的透明电极膜5，在其上形成由高反射率的金属如铝等制造的反射电极膜6。
在此应注意，如上所述，在本申请人的在先申请中(见图16和17)，在相邻的像素之间的区域中透明电极膜5和反射电极膜6是彼此分开的，当构图反射电极膜时，在此区域中，透明电极膜5在它的边缘上被腐蚀，因此在一些情况中产生有缺陷的像素。
为了抑制在反射电极膜6和透明电极膜5之间的电腐蚀作用，本专利申请使用各种防范措施。一个是调节反射电极膜6和透明电极膜5的之间的位置关系。具体是，如图6所示，在每个像素中，提供反射区域的窗口部分形成在反射电极膜6中，从而设定反射电极膜6和透明电极膜5之间的位置关系，使得这两个膜可以在这个窗口部分的整个周边彼此重叠。
也就是说，腐蚀的一个原因考虑如下：在透明电极膜5的边缘上，其上沉积的反射电极膜6由于裂纹等原因覆盖不严，在形成反射电极膜6的抗蚀剂图形时，通过这些裂纹，显影剂渗入覆盖不严的部分中。为了防止这个现象，在透明电极膜5和反射电极膜6之间设置预定的重叠区域，用抗蚀剂图形盖住透明电极膜5的边缘，以便防止显影剂与其直接接触，从而避免透明电极膜5的腐蚀。应注意，重叠的程度应足以仅盖住覆盖不严的部分，具体地，本发明人试验确定为2微米左右。
另外，通过这样形成反射电极膜6，使得它可以围绕透明电极膜整个周边与其重叠，可使这两个膜5和6彼此接触的区域增大，这是有利的。即，在TFT3一侧形成反射区域时，通过波纹层11和钝化膜10形成的接触孔7能够互连TFT3的源极和反射电极膜6，以将透明电极膜5连接到反射电极膜6，从而互连接源极和透明电极膜5，以致通过形成这两个膜在整个周边彼此重叠，能够降低在透明电极膜5和反射电极膜6之间的接触电阻。而且，通过在透明电极膜5的整个周边连接透明电极膜5，能够期望得到这样的效果，即，在透明电极膜5上各处形成均匀的电位，因此能够准确地控制施加到液晶上的电压。
虽然本实施例是参照在反射电极膜6上形成矩形窗口部分的结构说明的，但是，本发明不限于此；例如，只要反射电极膜6与透明电极膜5围绕透明电极膜5的整个周边重叠，所述窗口也可以是多边形的、圆的、椭圆的或任何其他形状的，并且可以在每个像素中形成一个或更多个窗口。另外，虽然图7中波纹膜11的形状在反射区域是波纹状的，在透射区域是平的，但是如图2所示，也可以在这两个区域5和6都是波纹状的，并且它们的表面也可以是任意形状的。第三实施例
下面参照图8-10说明关于本发明第三实施例的透射-反射型LCD。图8-10是说明在有源矩阵基板的制造过程中的问题。应注意，本实施例的特征是，抑制在透明电极膜和反射电极膜之间发生电腐蚀反应。
在上述的第二实施例中，如图8B所示(图8A的有缺陷部分的放大图)，通过调节反射电极膜6和透明电极膜5之间的平面位置关系解决了，在反射电极膜6的处理的PR过程当中，在透明电极膜5的边缘上，显影剂通过反射电极膜6的裂纹，渗入到反射电极膜6的问题。为了更可靠地抑制在反射电极膜6和透明电极膜5之间发生的电腐蚀，必须提高透明电极膜5的粘着力，以改进在透明电极膜5的边缘区域中反射电极膜6的覆盖。鉴于此，本实施例的特征是，形成方法，调节反射电极膜厚度和优化在透明电极膜5之前的清洁步骤，从而抑制在反射电极膜6和透明电极膜5之间的电腐蚀。下面说明抑制在透明电极膜5的ITO材料和反射电极膜6的Al材料之间发生电腐蚀的机制。(1)ITO-Al电腐蚀的机制
在Al为基的材料和ITO之间的结合是很不好的，前者是强反应性的，并且与氧很容易反应形成氧化物膜(Al2O3)，后者是氧化物导体。特别在形成是由Al制造的上层和由ITO制造的下层构成的分层膜上形成正抗蚀图形时，发生所谓的电腐蚀，腐蚀Al(氧化)和分解ITO(还原)，从而在Al和ITO之间产生不良的接触(见图8B)。这个电腐蚀反应被认为是通过下述的机制发生的：
1.具有很多晶格缺陷的或杂质的Al部分作为局部阳极分解，产生小孔；
2.通过这样形成的小孔，显影剂接触在下面的ITO；
3.在显影剂中Al的氧化电位和ITO的还原电位之间的电位差触发这个反应，因此促进Al的氧化和ITO的还原，它们分别由以下的反应式表示：
       (1)
      (2)
(2)作为阻挡层金属的Mo的膜厚度
通过在这些材料中间插入作为阻挡层金属的Mo等，上述在Al和ITO基板之间发生的电腐蚀现象能够被抑制到某种程度。但是，通过溅射沉积的Al和ITO材料一般是柱状晶体，以致于如果Al和Mo不具有足够的膜厚度，则显影剂通过在晶柱之间的间隙渗入到它们中触发电腐蚀。因此，本发明人研究了在ITO上形成的Al和MO膜厚度分别改变时电腐蚀发生的程度。在下表中给出这些之间的相关关系。在所述表中，×表示电腐蚀显著发生，△表示部分发生，○表示几乎不发生和⊙表示不发生。
[表1]
Mo膜厚(纳米)      Al膜厚(纳米)     电腐蚀
   50                 50              ×
                      100             ×
                      200             ×
   100                50              ×
                      100             △
                      200             ○
   200                50              ×
                      100             △
                      200             ○
   100二次            50              ×
                      100             △
                      200             ⊙
                      100二次         ⊙
表1表示出，为了抑制电腐蚀的发生，必须将Mo和Al膜形成到膜厚度100纳米(1000Å)或更多，最好至少为200纳米或更多。另外，还发现，在形成Mo和Al膜时，不是一次将它们形成到例如200纳米厚，最好是将它们形成到100纳米厚度，然后用碱溶液洗一次，再形成到200纳内米的厚度，以提高它们的作为阻挡层的性能。虽然尚不清楚，但是原因可能是，通过用碱洗溶解了Mo的表面并且减少了柱状结构，以致一旦暴露到空气中，或洗液中，Mo表面上形成薄膜，在第二次形成Mo膜时膜的结晶度改变。(3)在波纹(有机)膜上ITO的粘着力
在上面的段落(1)和(2)中说明了如何提高阻挡层金属的性能。但是，不管阻挡层金属性能如何改进，如果由ITO形成的透明电极膜5不以良好的粘着力构图在下面的波纹膜11上，显影剂仍会通过间隙渗入到反射电极膜6中，产生如图8C所示的电腐蚀。
一般来说，在ITO溅射前，用紫外线辐射，分解油等的有机物，然后使用纯水或弱碱性溶液清洗，所述清洗的步骤经本发明人试验确认对ITO的粘着力有影响。下表2示出，在电腐蚀和ITO溅射前紫外线应用量的关系。在试验中，300纳米波长的紫外线以0mJ(毫焦耳)到1焦耳的量施加。
[表2]
紫外线应用量            电腐蚀
0mJ(毫焦耳)                ○
100mJ(毫焦耳)              △
250mJ(毫焦耳               ×
500mJ(毫焦耳)              ×
1焦耳                      ×
表2表示出，在100mJ(毫焦耳)或更多的紫外线施加量易发生电腐蚀。其机制被认为是：例如丙烯酸等有机物制造的波纹膜11的表面上聚合物网被紫外线破坏，并在ITO膜在其上边形成和用光刻法(PR)构图时，当蚀刻步骤时，在其上聚合物网被破坏的波纹膜11的表面在蚀刻溶液中溶解，因此引起ITO的边缘隆起。
因此在ITO被剥离时，如果在反射电极膜6形成阻挡层金属，则这个阻挡层不能够完全覆盖隆起。特别是，在图8所示的结构中，在ITO的边缘上反射电极膜6未被重叠，为了进行反射电极膜的处理使用的抗蚀剂图形21没有覆盖ITO的边缘，以致在显影步骤时，显影剂通过在电极之间的间隙渗入，如通过实验确认的，引起电腐蚀。
相反，在本实施例的结构中，如图9所示，反射电极膜6完全地覆盖ITO的边，蚀刻反射电极膜6使用的抗蚀剂图形也覆盖ITO的边缘，从而阻挡显影剂，因此在显影步骤防止它不利的渗入。
因此，在ITO溅射前的清洗步骤，通过限制紫外线的施加量到100mJ(毫焦耳)以下，或甚至取消施加紫外线的步骤，并且通过将阻挡层金属和反射电极膜6的Al膜的厚度都设定在100纳米或更多，最好是200纳米，能够有效抑制在ITO和Al基板之间的电腐蚀，因此防止ITO和Al的通常的分解(见图10的显微图象)。
虽然上述实施例使用Mo作为反射电极膜6的阻挡层金属，但是阻挡层金属不限于此，也可以用Cr、Ti和W等。另外，虽然Al和Mo的膜厚度设定为100纳米或更大，最好是200纳米，但是可以根据包括溅射等的膜形成条件适当地调节最佳的膜厚。第四实施例
下面参照图11-13说明根据本发明第四实施例的透射-反射型LCD制造方法。图11和12是说明本发明第四实施例的透射-反射型LCD制造方法的剖视图。图13是剖视流程图，说明形成波纹膜的方法。本实施例给出一种特定的制造方法，除了考虑上述实施例的说明的条件外，它使得G-D转换能够防止由于导电密封剂引起的引线的短路。参照这些图说明该方法。
首先，如图11A所示，在玻璃制造的透明绝缘基板8上沉积如Cr等金属，并用公知的光刻和蚀刻技术构图所述金属形成栅极线路、栅极极1a、共用存储器线路和辅助电容电极4a。然后，通过由SiO2、SiNx、SiON等制造的栅极绝缘层膜9沉积非晶硅等制成的半导体层，并构图成岛，在其上又沉积并构图Cr等金属，形成数据线路、漏极2a、源极2b和电容累积电极2c。
接下来，如图11B所示，用等离子强化的CVD(化学汽相沉积)形成保护TFT3的由SiNx等制造的钝化膜10，此后，在在G-D转换部分和终端部分上的栅极绝缘膜9和钝化膜10被部分地除去，形成接触孔。然后，ITO、Al等的导电材料被沉积形成终端电极23和在G-D转换部分上互连漏极和栅极层的G-D转换电极22。
接下来，如图11C所示，为了在钝化膜10上形成反射电极膜6的波纹，以提高反射光的可见度，形成波纹膜11。这个波纹膜11是用旋涂法，通过施加光敏丙烯酸树脂，例如JSR公司制造的PC403、415G、405G等形成的。另外，光敏丙烯酸树脂在波纹的预期的凹处区域，用较小量的曝光量进行不足的曝光，在它们的预期的凸起区域上不曝光，在预期的接触孔区域足量曝光量曝光。
为了这样的曝光，在形成反射膜的与预期凸起区相对应的部分上可以使用半色调(灰色)掩模，在与预期接触孔区域相对应的部分上形成透射掩模，在与预期凹处相对应的部分上形成透射-反射膜，因此要求仅一次曝光，就形成波纹。此时，通过用不同的曝光量分开地曝光预期的接触孔和凹处区域，甚至能够使用仅由反射/透射膜构成的通常掩模形成波纹。
接下来，通过利用在碱性溶液中预期的凹区、凸起区和接触孔区的分解速率的不同，用碱性显影剂形成波纹。应注意，根据本发明，即使在透射区域为了形成波纹膜11，通过曝光整个表面，使丙烯酸膜脱色，以抑制透射光被波纹膜11衰减。然后，所述表面例如在220℃固化一小时，形成希望形状的波纹膜11。
虽然上述这个波纹膜11可以通过形成一层光敏丙烯酸树脂和然后部分地变化曝光量形成，但是，也可以使用多种光敏丙烯酸树脂形成。例如，如图13A所示，通过形成岛形状的第一层光敏丙烯酸树脂，然后加热处理它形成第一绝缘膜11a，在其上涂敷预定粘度值的光敏丙烯酸树脂的第二绝缘膜11b，然后填充在第一绝缘膜11a的岛之间的间隙，能够形成希望的波纹。
接下来，如图12A所示，通过溅射形成ITO等的透明导电膜，在此步骤中，最好是如第三实施例说明的，UV的施加量为100mJ(毫焦耳)或更低，然后，这样形成的ITO被构图成为预定形状，以形成在透射区域中的透明电极膜5。
接下来，如图12B所示，用Mo作为阻挡层金属，抑制在ITO和反射电极的Al之间的电腐蚀，形成分别起阻挡层金属和反射金属作用的Mo和Al膜。此时，如第三实施例所述，Mo和Al膜的形成厚度为100纳米或以上，最好是200纳米，并在两个步骤形成，以抑制柱状晶通过溅射增长。然后，将Mo和Al膜集中地湿式蚀刻，以构图反射电极膜6。此时，如第二实施例所述，为了抑制ITO的边缘被显影剂腐蚀，最好是，将Mo和Al膜的位置关系设定成，它们围绕ITO的整个周边彼此重叠。
因此，这个制造有源矩阵基板的方法能够获得透射-反射型LCD，其中透明电极膜5的剥离和在透明电极膜5和反射电极膜6之间的电腐蚀能够被抑制，防止发生有缺陷的像素，并且在液晶屏的外周边周围进行G-D转换。第五实施例
下面参照图14和15说明关于本发明第五实施例的透射-反射型LCD和其制造方法。图14和15是关于本发明第五实施例透射-反射型LCD制造方法的流程剖视图。本实施例与第四实施例比较，简化了制造方法。下面参照图说明该方法。
首先，根据上述第四实施例，如图14所示，在玻璃透明绝缘基板上顺序形成：栅极线路、栅极电极1a、共用储存器线路和辅助电容电极4a，在它们上又顺序形成：栅极绝缘膜9、半导体层、数据线路、漏极、源极和电容累积电极2C。然后，在形成保护TFT3的钝化膜10后，蚀刻在G-D转换部分和终端部分上的栅极绝缘膜9和钝化膜10，以形成接触孔。
在第四实施例中，在接触孔形成后，形成G-D转换的ITO、Al等导电的材料的膜并构成图形，与此相比，本实施例通过利用在顺序步骤中形成的透明电极膜5和反射电极膜6，简化制造步骤，互连G-D转换部分的漏极和栅极层，并形成终端电极。
接下来，如图14B所示，形成波纹膜11，以形成反射电极膜6的波纹。例如，光敏聚丙烯酸树脂在波纹的预期的在凹处区域用较少曝光量不足曝光，在波纹的预期的凸起区域不曝光，在预期的接触孔7的区域充分曝光。然后，利用在碱性溶液中这些区域的分解速率差，用碱性显影剂形成波纹。然后，所述表面彻底地曝光使得聚丙烯酸膜脱色，并在220℃固化一小时，形成波纹膜11。
接下来，在UV施加量为100mJ(毫焦耳)或少于100mJ(毫焦耳)的条件下清洗表面，如图14C所示，通过溅射形成ITO等制造的透明导电膜，并进行构图以形成在透射区域中的透明电极膜5。同时，也在终端部分形成ITO，以形成终端电极23。
接下来，如图14D所示，膜厚度100纳米或更厚、最好是200纳米的Mo膜，以及膜厚度100纳米或更厚、最好是200纳米的Al膜，相继地形成。然后，对Al/Mo膜集中进行湿法蚀刻，以对反射电极膜6构图。同时，在G-D转换部分也形成Al/Mo膜，互连它的漏极和源极层。
这样一来，通过上述制造方法，G-D转换部分的各层用反射电极膜6互连，并且用透明电极膜5形成了终端电极23，以致与第四实施例比较，能够取消形成和构图G-D转换部分等的ITO膜的步骤。
虽然本实施例在接触孔7中沉积反射电极膜6，以将它与源电极连接，然后在它的重叠部分与透明电极膜5连接，但是，在一些情况中仅用反射电极膜6接触可能是不充分的，因为形成接触孔7的波纹膜11具有一个大的台阶。为了确保接触，可以用下述的制造方法。
首先，如图15A所示，在透明绝缘基板8上顺序形成：栅极线路、栅极电极1a、辅助电容电极4a、栅极绝缘膜9、半导体层、数据线路、漏极2a、源极2b和电容累积电极2C。然后，在形成保护TFT3的钝化膜10后，蚀刻在G-D转换部分和终端部分上的栅极绝缘膜9和钝化膜10，以形成接触孔。
接下来，如图15B所示，形成波纹膜11，以形成反射板的波纹。例如，光敏聚丙烯酸树脂在波纹的预期的凹处区域用较少曝光量不足曝光，在波纹的预期的凸起区域不曝光，在预期的接触孔的区域充分曝光。然后，利用在碱性溶液中这些区域的分解速率差，用碱性显影剂形成波纹。然后，所述表面彻底地曝光使得聚丙烯酸膜脱色，并在220℃固化一小时，形成波纹膜11。
接下来，在UV施加量为100mJ(毫焦耳)或少于100mJ(毫焦耳)的条件下清洗表面之后，如图15C所示，通过溅射形成ITO等制造的透明导电膜，并对其构图以形成在透射区域中的透明电极膜5和终端电极23。同时，也在接触孔7中沉积ITO用它完全填充或部分填充。
接下来，如图15D所示，厚度各为100纳米或更厚、最好是200纳米的Mo膜反射Al金属膜，相继地形成。然后集中地湿法蚀刻Al/Mo膜，以构成反射电极膜6。同时，在G-D转换部分也形成反射电极膜6，以互连它的漏极和源极层。此时，透明电极膜5已经在接触孔7中沉积，以致即使接触孔具有大的纵横比(aspect ratio)，在源电极和反射电极膜6之间也能够获得可靠的接触。
这样一来，通过上述制造方法，在TFT3的源电极2c上提供的接触孔依次地电连接到反射电极膜6和透明电极膜5，以致即使波纹膜11是厚的并且接触孔7具有大的纵横比，也能够确保接触。
如上所述，本发明的透射-反射型LCD和其制造方法具有下面的效果。
作为本发明的第一效果，例如，透射模式的V-T特性与反射模式的一致，从而提高显示质量。
原因是在像素区域表面上各处波纹膜几乎以相同的形状形成，从而形成在反射区域和透射区域中的间隙几乎相同。
作为第二效果，能够抑制在ITO制造的透明电极膜和Al制造的反射电极膜之间发生的电腐蚀，从而防止出现不正常的显示。
原因是，反射电极膜形成在整个围绕ITO膜的边缘的结构中，因此在形成抗蚀剂时，可以用处理反射电极膜的抗蚀剂覆盖所述边缘，因此防止显影剂与其接触。
另外，通过使用Mo作为反射电极膜的阻挡层金属，设定Mo和Al膜的厚度在预定值或以上，并且在形成ITO膜前的清洗步骤，限制UV的施加量在预定值以下，提高了ITO膜的紧密的接触程度，从而防止显影剂渗透。

Claims (17)

1.一种透射-反射型LCD，包括：
在第一基板上的多个扫描线路和多个信号线路和开关元件，所述多个扫描线路和多个信号线路大体彼此垂直，所述开关元件在所述扫描线路和所述信号线路之间的各交点附近；
透射区域和反射区域，其中在所述透射区域中形成透明电极膜，在反射区域中形成反射电极膜，所述这些区域设置在被所述扫描线路和所述信号线路包围的各像素中；和
液晶，夹在所述第一基板和在第一基板相对设置的第二基板之间的间隙中，
其中处在所述反射电极膜波纹下的反射电极膜下的有机膜，以几乎相同的厚度，也以波纹形状形成在所述透明电极膜下，使得在所述透射区域和所述反射区域中的所述的间隙能够基本相等。
2.根据权利要求1的透射-反射型LCD，其特征在于：所述反射电极膜形成在设置所述开关元件的像素一侧，使得通过在所述有机膜中形成的通孔，所述的开关元件的终端与所述反射电极膜连接，并且在透明电极膜和反射电极膜的重叠区域，所述透明电极膜与所述反射电极膜连接。
3.根据权利要求1的透射-反射型LCD，其特征在于：在所述第一基板的周围，借助栅极层引出所述信号线路的部分(G-D转换部分)与所述反射电极膜和所述透射电极膜中任何一个连接。
4.根据权利要求1的透射-反射型LCD，其特征在于：在中间夹着所述液晶的第一和第二基板的两侧的相反方向的、所述第一基板和第二基板各一侧上，从所述基板的一侧顺序设置λ/4的板和偏振板；
在所述第一基板的外侧上的所述偏振板和在第二基板外侧上的偏振板的排列使得它们的偏振轴能够彼此垂直；和
所述液晶的扭转角设定在72度。
5.一种制造透射-反射型LCD的方法，所述透射-反射型LCD具有第一基板，所述第一基板设有彼此基本垂直的多个扫描线路和多个信号线路和在所述扫描线路和信号线路之间的各交点附近设置的开关元件，在所述扫描线路和所述信号线路包围的每个像素中形成具有反射电极膜的反射区域和具有透明电极膜的透射区域，液晶被夹层在所述第一基板和相对所述第一基板的第二基板之间的间隙中，所述方法包括步骤：
在所述反射电极膜和透明电极膜下形成在其上具有波纹的基本厚度相同的有机膜时，
在所述像素部分中形成具有透射部分、屏蔽部分和透射-反射部分的半色调掩模；和，
形成所述波纹，和同时使用所述掩模完全除去所述有机膜的部分。
6.一种制造透射-反射型LCD的方法，所述透射-反射型LCD具有第一基板，所述第一基板设有彼此基本垂直的多个扫描线路和多个信号线路，和在所述扫描线路和信号线路之间的各交点附近设置的开关元件，在所述扫描线路和所述信号线路包围的每个像素中形成具有反射电极膜的反射区域和具有透明电极膜的透射区域，液晶被夹层在所述第一基板和相对所述第一基板的第二基板之间的间隙中，所述方法包括步骤：
在所述反射电极膜和所述透明电极膜下形成相同厚度的其上具有波纹的有机膜时，
形成散布成点的第一有机膜；
进行预定加热处理，形成各凸起；和
用第二有机膜适度覆盖以形成所述预定的波纹。
7.根据权利要求5的制造透射-反射型LCD的方法，其特征在于：在通过除去一部分所述反射电极膜形成所述透射部分的窗口部分时，
蚀刻所述反射电极膜，使得从所述基板的法线观察时，围绕所述窗口部分的整个周边，所述反射电极膜与所述透射电极膜重叠预定宽度。
8.根据权利要求7的制造透射-反射型LCD的方法，其特征在于：进行所述蚀刻使得重叠的宽度约为2微米(μm)。
9.根据权利要求5的制造透射-反射型LCD的方法，其特征在于：所述反射电极膜是由阻挡层金属膜和反射金属膜组成的两层结构，每层的膜厚度约为100纳米(nm)或更多。
10.根据权利要求5的制造透射-反射型LCD的方法，其特征在于：所述反射电极膜是由阻挡层金属膜和反射金属膜组成的两层结构，每层的膜厚度约为200纳米或更多。
11.根据权利要求9的制造透射-反射型LCD的方法，其特征在于：在形成所述阻挡层金属膜和反射金属膜至少一个时，金属模一次形成到预定膜厚，然后用碱溶液清洗，然后再形成到希望的膜厚。
12.根据权利要求9的制造透射-反射型LCD的方法，其特征在于：用Mo作为所述阻挡层金属模材料，用Al作为所述反射金属膜材料。
13.根据权利要求5的制造透射-反射型LCD的方法，其特征在于：形成所述透明电极膜前用紫外射线清洗的步骤中，紫外线的施加量限制在小于100mJ(毫焦耳)。
14.一种制造透射-反射型有源矩阵基板的方法，所述透射-反射型有源矩阵基板设有彼此基本垂直的多个扫描线路和多个信号线路，和在所述扫描线路和信号线路之间的各交点附近设置的开关元件，在这样的结构中使得具有反射电极膜的反射区域和具有透明电极膜的透射区域形成在由所述扫描线路和所述信号线路包围的每个像素中，所述方法至少包括步骤：
在形成所述扫描线路、所述信号线路和所述开关元件的基板上沉积钝化膜，然后，在围绕所述基板的部分(G-D转换部分)中形成第一接触孔，以借助栅极层引出所述信号线路；
用预定的导电材料填充所述第一接触孔，以用它连接所述G-D转换部分；
在所述透射区域和所述反射区域，将有机膜沉积到几乎相同的膜厚度，然后在表面上形成波纹，在所述开关元件的终端上除去所述有机膜，以形成第二接触孔；
在所述透射区域中的有机膜上形成透明电极膜；和
形成反射电极膜，使得所述反射电极膜能够与所述透明电极膜围绕所述透明电极膜整个周边重叠预定的宽度，以通过所述第二接触孔互连所述终端和所述反射电极膜。
15.一种制造透射-反射型有源矩阵基板的方法，所述透射-反射型有源矩阵基板设有彼此基本垂直的多个扫描线路和多个信号线路，和在所述扫描线路和信号线路和之间的各交点附近设置的开关元件，在这样的结构中使得具有反射电极膜的反射区域和具有透明电极膜的透射区域形成在由所述扫描线路和所述信号线路包围的每个像素中，所述方法至少包括步骤：
在形成所述扫描线路、所述信号线路和所述开关元件的基板上沉积钝化膜，然后，在围绕所述基板的部分(G-D转换部分)中形成第一接触孔，以借助栅极层引出所述信号线路；
在所述透射区域和所述反射区域将有机膜沉积到几乎相同的膜厚度，然后在表面上形成波纹，在所述开关元件的终端上除去所述有机膜，形成第二接触孔；
在所述透射区域中的有机膜上形成透明电极膜，并且还用所述透明电极膜填充所述第一接触孔，以用它连接所述G-D转换部分；和
形成反射电极膜，使得所述反射电极膜能够与所述透明电极膜围绕所述透明电极膜整个周边重叠预定的宽度，以通过所述第二接触孔互连所述终端和所述反射电极膜。
16.一种制造透射-反射型有源矩阵基板的方法，所述透射一反射型有源矩阵基板设有，彼此基本垂直的多个扫描线路和多个信号线路，和在所述扫描线路和信号线路和之间的各交点附近设置的开关元件，在这样的结构中使得具有反射电极膜的反射区域和具有透明电极膜的透射区域形成在由所述扫描线路和所述信号线路包围的每个像素中，所述方法至少包括步骤：
在形成所述扫描线路、所述信号线路和所述开关元件的基板上沉积钝化膜，然后，在围绕所述沉积的部分(G-D转换部分)中形成第一接触孔，以借助栅极层引出所述信号线路；
在所述透射区域和所述反射区域将有机膜沉积到几乎相同的膜厚度，然后，在表面上形成波纹，在所述开关元件的终端上除去所述有机膜，形成第二接触孔；
在所述透射区域中的所述有机膜上形成透明电极膜；和
形成反射电极膜，使得所述反射电极膜能够与所述透明电极膜围绕所述透明电极膜整个周边重叠预定的宽度，然后，通过第二接触孔互连所述终端和所述反射电极膜，并用所述反射电极膜填充所述第一接触孔，用它连接所述G-D转换部分。
17.根据权利要求16的制造透射-反射型有源矩阵基板的方法，其特征在于：在形成所述透明电极膜时，用所述透明电极膜填充所述第二接触孔。
CNB021276617A 2001-08-06 2002-08-06 透射－反射型液晶显示器及其制造方法 Expired - Lifetime CN1196962C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP237887/2001 2001-08-06
JP2001237887A JP3895952B2 (ja) 2001-08-06 2001-08-06 半透過型液晶表示装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1402064A true CN1402064A (zh) 2003-03-12
CN1196962C CN1196962C (zh) 2005-04-13

Family

ID=19068896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021276617A Expired - Lifetime CN1196962C (zh) 2001-08-06 2002-08-06 透射－反射型液晶显示器及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (3) US6853421B2 (zh)
EP (4) EP2345924A3 (zh)
JP (1) JP3895952B2 (zh)
KR (3) KR100570404B1 (zh)
CN (1) CN1196962C (zh)
NO (1) NO20023694L (zh)
TW (1) TW561299B (zh)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100380211C (zh) * 2004-09-08 2008-04-09 三菱电机株式会社 半透射型液晶显示装置及其制造方法
CN100397207C (zh) * 2004-09-03 2008-06-25 精工爱普生株式会社 液晶显示装置、电子设备
CN100401148C (zh) * 2005-06-23 2008-07-09 爱普生映像元器件有限公司 半透射型液晶显示器
CN100410746C (zh) * 2006-04-06 2008-08-13 友达光电股份有限公司 液晶驱动电极构造
CN100412631C (zh) * 2005-05-25 2008-08-20 爱普生映像元器件有限公司 液晶装置及电子设备
CN100451778C (zh) * 2004-02-02 2009-01-14 富士通株式会社 液晶显示器及其制造方法
US7495382B2 (en) 2003-05-16 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having display surfaces with polarizing plates
US7683987B2 (en) 2004-12-17 2010-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
US7714958B2 (en) 2005-11-15 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN1869775B (zh) * 2005-05-24 2010-05-12 三星电子株式会社 液晶显示器的制造方法
CN101261396B (zh) * 2003-12-09 2010-07-21 富士通株式会社 液晶显示器
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7839471B2 (en) 2006-03-14 2010-11-23 Epson Imaging Devices Corporation Transflective liquid crystal device having a wire serpentinely bypassing a light-shielding layer in an interpixel region
CN102253546A (zh) * 2007-11-13 2011-11-23 友达光电股份有限公司 像素结构
CN1630443B (zh) * 2003-12-15 2012-03-28 株式会社半导体能源研究所 发光装置和电子装置
CN101563647B (zh) * 2007-03-15 2012-04-11 夏普株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN101276108B (zh) * 2007-03-26 2012-05-16 乐金显示有限公司 透反射型液晶显示面板及其制造方法
CN102062967B (zh) * 2009-11-13 2013-03-13 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置
CN112014989A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 北京小米移动软件有限公司 显示模组、显示设备、显示设备控制方法及存储介质
CN113219748A (zh) * 2018-06-29 2021-08-06 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4689900B2 (ja) * 2001-08-22 2011-05-25 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
KR100806166B1 (ko) * 2001-10-08 2008-02-22 삼성전자주식회사 반사율 향상을 위한 액정표시장치 및 그 제조방법
TWI226965B (en) * 2001-10-30 2005-01-21 Nec Lcd Technologies Ltd Semi-transmission type liquid crystal display and fabrication method thereof
JP3895600B2 (ja) * 2002-01-04 2007-03-22 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
US7064799B2 (en) * 2002-07-10 2006-06-20 Nec Lcd Technologies, Ltd. Semi-transmissive-type liquid crystal display device and method for manufacturing same
US7209107B2 (en) * 2002-11-06 2007-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and manufacturing method for the same
TWI358053B (en) * 2002-12-06 2012-02-11 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device having a thin film t
KR100936905B1 (ko) * 2002-12-13 2010-01-15 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR100936954B1 (ko) * 2002-12-31 2010-01-14 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법
KR100491258B1 (ko) * 2002-12-31 2005-05-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP4052123B2 (ja) * 2003-01-17 2008-02-27 ソニー株式会社 液晶パネル
JP4181905B2 (ja) * 2003-03-25 2008-11-19 アルプス電気株式会社 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
TW594201B (en) * 2003-03-28 2004-06-21 Toppoly Optoelectronics Corp Reflective LCD having two driving matrixes
KR100519377B1 (ko) 2003-04-08 2005-10-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR100713885B1 (ko) * 2003-04-14 2007-05-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 액정표시장치
KR100531410B1 (ko) * 2003-04-15 2005-11-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100524621B1 (ko) * 2003-05-23 2005-10-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4260563B2 (ja) * 2003-07-17 2009-04-30 アルプス電気株式会社 半透過反射型液晶表示パネルおよび半透過反射型液晶表示装置ならびに半透過反射型液晶表示パネルの製造方法
TWI224234B (en) * 2003-08-12 2004-11-21 Quanta Display Inc Pixel structure and fabricating method thereof
US7274418B2 (en) * 2003-10-21 2007-09-25 Symbol Technologies, Inc. Method and system for improving the contrast of LCDs using circular polarization
KR101066410B1 (ko) * 2003-11-14 2011-09-21 삼성전자주식회사 어레이 기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 액정 표시 장치
KR100659912B1 (ko) * 2003-12-03 2006-12-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100617037B1 (ko) * 2003-12-29 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR20050070773A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시소자 및 반투과형 액정표시소자
KR101064185B1 (ko) * 2004-02-05 2011-09-14 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 갖는 액정 표시장치
TWI300863B (en) * 2004-03-19 2008-09-11 Toppoly Optoelectronics Corp Transmissive liquid crystal display
JP4628693B2 (ja) * 2004-03-31 2011-02-09 富士通株式会社 液晶表示装置用基板及びその製造方法並びにそれを備えた液晶表示装置
KR100623255B1 (ko) 2004-05-10 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP4761425B2 (ja) * 2004-05-12 2011-08-31 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置および表示装置の製造方法
US7177000B2 (en) * 2004-05-18 2007-02-13 Automotive Systems Laboratory, Inc. Liquid crystal display cell structure and manufacture process of a liquid crystal display comprising an opening formed through the color filter and partially the buffer layer
US7271865B2 (en) * 2004-12-02 2007-09-18 Research Foundation Of The University Of Central Florida, Inc. General film compensated reflective twisted nematic liquid crystal display
KR101147261B1 (ko) * 2004-12-04 2012-05-18 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4127267B2 (ja) * 2005-01-14 2008-07-30 三菱電機株式会社 表示装置
JP4083752B2 (ja) 2005-01-31 2008-04-30 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
TWI339306B (en) * 2005-05-09 2011-03-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel, active device array substrate and fabricating method thereof
KR100648223B1 (ko) * 2005-05-11 2006-11-24 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
CN100592174C (zh) * 2005-05-21 2010-02-24 香港科技大学 一种透反式液晶器件及其制备方法
JP2006330021A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
KR20060122489A (ko) * 2005-05-27 2006-11-30 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI279918B (en) * 2005-06-29 2007-04-21 Quanta Display Inc A method for forming a liquid crystal display
TWI324264B (en) 2005-06-29 2010-05-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display
KR101287702B1 (ko) * 2005-06-30 2013-07-24 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN100394286C (zh) * 2005-07-14 2008-06-11 友达光电股份有限公司 液晶显示装置
CN100417996C (zh) * 2005-07-14 2008-09-10 友达光电股份有限公司 液晶显示器的制造方法
KR20070019162A (ko) * 2005-08-11 2007-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI314658B (en) * 2005-09-09 2009-09-11 Au Optronics Corp Pixel structure of transflective tft lcd panel and fabricating method thereof
CN100343734C (zh) * 2005-09-23 2007-10-17 广辉电子股份有限公司 半穿透半反射液晶显示面板的像素结构及其制造方法
US8149346B2 (en) * 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP4663485B2 (ja) 2005-11-04 2011-04-06 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法、半透過型液晶表示装置
US20070132923A1 (en) * 2005-12-09 2007-06-14 Toppoly Optoelectronics Corp. Systems for displaying images involving transflective thin film transistor liquid crystal displays
KR101174164B1 (ko) * 2005-12-29 2012-08-14 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치
KR101301731B1 (ko) 2006-01-19 2013-08-30 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
US8023073B2 (en) 2006-01-26 2011-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Color filter display panel, thin film transistor array panel, liquid crystal display thereof, and method thereof
KR20070082957A (ko) * 2006-02-20 2007-08-23 삼성전자주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치
KR100839172B1 (ko) * 2006-02-27 2008-06-17 김창현 이중 피펫, 이를 이용한 수핵난자의 탈핵 및 핵이식 방법및 체세포 복제동물의 생산방법
TWI333112B (en) * 2006-03-16 2010-11-11 Au Optronics Corp Liquid crystal driving electrode and liquid crystal display using the same
US7589703B2 (en) * 2006-04-17 2009-09-15 Au Optronics Corporation Liquid crystal display with sub-pixel structure
KR20070109521A (ko) * 2006-05-11 2007-11-15 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판, 그를 포함하는 액정 표시 패널, 및그 액정 표시 패널의 제조 방법
KR100744401B1 (ko) * 2006-06-07 2007-07-30 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 액정표시장치의 어레이 기판 및 이의 제조 방법
TW200807067A (en) * 2006-07-21 2008-02-01 Wintek Corp Transflective liquid crystal display
US20080049176A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor-array substrate, transflective liquid crystal display device with the same, and method for manufacturing the same
TW200815859A (en) * 2006-09-19 2008-04-01 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal display device
US8289461B2 (en) * 2007-01-24 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP2007193371A (ja) * 2007-04-26 2007-08-02 Advanced Display Inc 液晶表示装置
TW200844548A (en) * 2007-05-01 2008-11-16 Au Optronics Corp Display
KR101420428B1 (ko) * 2007-10-09 2014-07-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4205144B2 (ja) * 2007-10-12 2009-01-07 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JP2009111201A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Mitsubishi Electric Corp 積層導電膜、電気光学表示装置及びその製造方法
KR101522241B1 (ko) * 2008-12-16 2015-05-21 엘지디스플레이 주식회사 시야각 제어가 가능한 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101582941B1 (ko) 2008-12-24 2016-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5262966B2 (ja) * 2009-04-30 2013-08-14 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
TWI385455B (zh) * 2009-05-22 2013-02-11 Au Optronics Corp 半穿透半反射式畫素結構及顯示面板
US8665192B2 (en) * 2009-07-08 2014-03-04 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101781788B1 (ko) * 2009-12-28 2017-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR101872678B1 (ko) 2009-12-28 2018-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
US9000438B2 (en) * 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101790161B1 (ko) * 2010-08-09 2017-10-26 삼성디스플레이 주식회사 광 센서, 광 센서의 제조 방법, 및 광 센서를 포함하는 액정 표시 장치
CN102645774B (zh) * 2011-02-22 2016-05-04 上海天马微电子有限公司 一种液晶显示装置
US8709920B2 (en) * 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
KR20130114996A (ko) 2012-04-10 2013-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
CN104777649A (zh) * 2015-04-21 2015-07-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
KR102471130B1 (ko) * 2016-02-17 2022-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102572128B1 (ko) * 2016-03-14 2023-08-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP7393927B2 (ja) * 2019-11-29 2023-12-07 シャープ株式会社 液晶表示パネル

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188265A (ja) * 1992-12-22 1994-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
WO1997023810A1 (fr) 1994-06-27 1997-07-03 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Structure en lamine pour operation de chauffage
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
US6330047B1 (en) * 1997-07-28 2001-12-11 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP2955277B2 (ja) 1997-07-28 1999-10-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
WO1999028782A1 (en) * 1997-12-04 1999-06-10 Flat Panel Display Co. (Fpd) B.V. Display device
JP3361278B2 (ja) * 1997-12-26 2003-01-07 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置とその製造方法、ならびに回路基板の製造方法
US6628357B1 (en) 1998-02-04 2003-09-30 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic device
JP3410656B2 (ja) 1998-03-31 2003-05-26 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100394023B1 (ko) * 1998-08-06 2003-10-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 반사형 액정표시장치
JP2000075305A (ja) 1998-09-02 2000-03-14 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示装置用カラーフィルタ及びその製造方法
KR100306546B1 (ko) * 1998-09-28 2001-11-02 마찌다 가쯔히꼬 액정 표시 장치의 제조 방법
JP2000148042A (ja) 1998-11-12 2000-05-26 Sharp Corp 電極配線基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法
JP3992393B2 (ja) 1999-02-25 2007-10-17 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 反射型液晶表示装置の製造方法及び反射型液晶表示装置の製造用マスク
JP3566874B2 (ja) 1999-03-08 2004-09-15 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR20010004911A (ko) * 1999-06-30 2001-01-15 김영환 반사형 액정표시장치의 반사판 형성방법
CN1254710C (zh) 1999-07-07 2006-05-03 松下电器产业株式会社 半透射型液晶显示装置
JP3767255B2 (ja) 1999-07-16 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器
KR20010015373A (ko) * 1999-07-20 2001-02-26 구본준 반사투과 액정 표시장치
JP3765203B2 (ja) 1999-07-29 2006-04-12 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2001188112A (ja) 1999-10-21 2001-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射板、その製造方法、表示素子、表示装置
JP2001132744A (ja) 1999-11-05 2001-05-18 Akashi Corp シャフトの支持方法及び支持機構
KR100655278B1 (ko) * 1999-12-06 2006-12-08 삼성전자주식회사 반투과 반사형 박막트랜지스터 액정표시장치
KR100656696B1 (ko) 1999-12-21 2006-12-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치
JP2001194662A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Nec Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
TW483038B (en) * 2000-05-26 2002-04-11 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
KR100372579B1 (ko) * 2000-06-21 2003-02-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
TWI240811B (en) * 2000-09-13 2005-10-01 Au Optronics Corp Manufacturing method of liquid crystal display device
KR20020057228A (ko) * 2000-12-30 2002-07-11 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 하프톤 패터닝을 이용한 반사형 엘시디의 반사판 제조방법
JP5131505B2 (ja) 2001-04-27 2013-01-30 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶表示装置
KR100803109B1 (ko) * 2001-06-14 2008-02-13 삼성전자주식회사 반사 투과형 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR100803165B1 (ko) * 2001-07-20 2008-02-14 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조방법

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7495382B2 (en) 2003-05-16 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having display surfaces with polarizing plates
CN101261396B (zh) * 2003-12-09 2010-07-21 富士通株式会社 液晶显示器
CN1630443B (zh) * 2003-12-15 2012-03-28 株式会社半导体能源研究所 发光装置和电子装置
US7903211B2 (en) 2004-02-02 2011-03-08 Fujitsu Limited Liquid crystal display having reflection electrodes
CN100451778C (zh) * 2004-02-02 2009-01-14 富士通株式会社 液晶显示器及其制造方法
CN100397207C (zh) * 2004-09-03 2008-06-25 精工爱普生株式会社 液晶显示装置、电子设备
CN100380211C (zh) * 2004-09-08 2008-04-09 三菱电机株式会社 半透射型液晶显示装置及其制造方法
US7683987B2 (en) 2004-12-17 2010-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
US8097480B2 (en) 2005-05-24 2012-01-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method of making the same
CN1869775B (zh) * 2005-05-24 2010-05-12 三星电子株式会社 液晶显示器的制造方法
CN100412631C (zh) * 2005-05-25 2008-08-20 爱普生映像元器件有限公司 液晶装置及电子设备
CN100401148C (zh) * 2005-06-23 2008-07-09 爱普生映像元器件有限公司 半透射型液晶显示器
US7714958B2 (en) 2005-11-15 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI414842B (zh) * 2005-11-15 2013-11-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
CN1967335B (zh) * 2005-11-15 2010-12-15 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
US9703140B2 (en) 2005-12-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US10739637B2 (en) 2005-12-28 2020-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US11269214B2 (en) 2005-12-28 2022-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US10444564B1 (en) 2005-12-28 2019-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8634044B2 (en) 2005-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7839471B2 (en) 2006-03-14 2010-11-23 Epson Imaging Devices Corporation Transflective liquid crystal device having a wire serpentinely bypassing a light-shielding layer in an interpixel region
CN100410746C (zh) * 2006-04-06 2008-08-13 友达光电股份有限公司 液晶驱动电极构造
CN101563647B (zh) * 2007-03-15 2012-04-11 夏普株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN101276108B (zh) * 2007-03-26 2012-05-16 乐金显示有限公司 透反射型液晶显示面板及其制造方法
CN102253546A (zh) * 2007-11-13 2011-11-23 友达光电股份有限公司 像素结构
CN102062967B (zh) * 2009-11-13 2013-03-13 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置
CN113219748A (zh) * 2018-06-29 2021-08-06 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN113219748B (zh) * 2018-06-29 2023-05-26 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN112014989A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 北京小米移动软件有限公司 显示模组、显示设备、显示设备控制方法及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
JP3895952B2 (ja) 2007-03-22
JP2003050389A (ja) 2003-02-21
KR20030014132A (ko) 2003-02-15
EP2372438A1 (en) 2011-10-05
CN1196962C (zh) 2005-04-13
EP1284433A3 (en) 2003-03-19
KR20050048561A (ko) 2005-05-24
NO20023694D0 (no) 2002-08-05
NO20023694L (no) 2003-02-07
US7817229B2 (en) 2010-10-19
TW561299B (en) 2003-11-11
KR100570404B1 (ko) 2006-04-11
EP2345925A2 (en) 2011-07-20
KR100746779B1 (ko) 2007-08-06
EP2345924A2 (en) 2011-07-20
KR20050104322A (ko) 2005-11-02
EP2345925A3 (en) 2012-02-22
US20110027460A1 (en) 2011-02-03
US20030030768A1 (en) 2003-02-13
EP2345924A3 (en) 2011-08-31
KR100746778B1 (ko) 2007-08-06
US6853421B2 (en) 2005-02-08
EP1284433A2 (en) 2003-02-19
US20050094067A1 (en) 2005-05-05
US7990501B2 (en) 2011-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1402064A (zh) 透射－反射型液晶显示器及其制造方法
CN1310073C (zh) 半透型液晶显示装置及其制造方法
CN1892385A (zh) 液晶显示器及其制造方法
JP3768367B2 (ja) 液晶表示装置
CN1101555C (zh) 透射型液晶显示器件及其制造方法
CN1258117C (zh) 用于液晶显示器的薄膜晶体管及其制造方法
CN1707340A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1819217A (zh) 有源矩阵衬底及其制造方法
CN1716062A (zh) 液晶显示器件的阵列基板的制造方法
KR100802457B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
CN1282021C (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN1287205C (zh) 液晶显示装置
CN1790141A (zh) 显示装置和薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
JP2000275660A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP2007156019A (ja) 表示装置とその製造方法
CN2567606Y (zh) 电光装置
CN1932595A (zh) 液晶显示器及其制造方法
US20090079920A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR101131608B1 (ko) 반투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP2010032765A (ja) Ｔｆｔアレイ基板およびそれを用いた液晶表示装置
CN1892308A (zh) 半透射型tft阵列衬底以及半透射型液晶显示装置
JPH08194212A (ja) 液晶表示素子
JP4404747B2 (ja) 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3511264B2 (ja) 反射型液晶表示装置の製造方法
JP2007072484A (ja) 半透過型液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NIPPON ELECTRIC CO

Effective date: 20030806

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20030806

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: NEC Corp.

Co-applicant after: NEC LCD Technologies, Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: NEC Corp.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Free format text: FORMER OWNER: NEC LCD TECHNOLOGY CO.,LTD

Owner name: NEC LCD TECHNOLOGY CO.,LTD

Free format text: FORMER OWNER: NIPPON ELECTRIC CO., LTD.

Effective date: 20100604

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: TOKYO, JAPAN TO: KANAGAWA, JAPAN

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20100604

Address after: Kanagawa, Japan

Patentee after: NEC LCD Technologies, Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Co-patentee before: NEC LCD Technologies, Ltd.

Patentee before: NEC Corp.

C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: NEC LCD TECHNOLOGIES LTD.

Free format text: FORMER NAME: NEC LCD TECH CORP.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Kanagawa, Japan

Patentee after: NLT TECHNOLOGIES, Ltd.

Address before: Kanagawa, Japan

Patentee before: NEC LCD Technologies, Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20050413

CX01 Expiry of patent term