CN100417996C - 液晶显示器的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种液晶显示器的制造方法。液晶显示器包括薄膜晶体管区域及像素区域，且其制造方法包括下列步骤。首先，提供一基板，门极线位于基板上。门极介电层位于门极线和基板上，主动层位于门极介电层上，掺杂层位于主动层上，并且金属层位于掺杂层上。其后，形成一光阻层覆盖部分金属层，其中在薄膜晶体管区域的光阻层至少具有两不同厚度。接下来，以光阻层为掩模，构型金属层、掺杂层及主动层，以在薄膜晶体管区域上形成一薄膜晶体管，并且在像素区域上形成一反射层，其中反射层可反射由液晶显示装置上方入射的光线。

Description

液晶显示器的制造方法

【技术领域】

本发明有关于一种液晶显示器的制造方法，特别是有关反射式液晶显示器的制造方法。

【背景技术】

反射式液晶显示器(RLCD)可分为「全反射式」与「半透射式」两大类。全反射式LCD不用背光源，利用附在LCD面板上的反射板来反射外部光线，好处是极为省电，但是缺点是在较暗的场合看不到显示屏幕内容且对比度较差，因此一般会用前光源作为辅助光源。而半透射式LCD是当外部光线足够时就用外部光源，不足时可点亮背光源，是兼具省电以及具辅助光线的方式，因此是许多手机、个人数字助理(PDA)的优先选择。

请参阅图1，显示已知半透射式LCD结构的一例的示意图。已知半透射式LCD的结构，包括有：一下基底100，其上具有一绝缘层110；一像素区165，位于该绝缘层110上；一上基底160，相对于该下基底100；一滤色片150，位于上基底160的内侧表面上；一公共电极140，位于该滤色片150上；一液晶层130，夹于下基底100与上基底160的间，一反射层120，邻接于下基底100外侧，反射层120具有使光线部分穿透，部分反射的功能，一般为镀上数百厚度的金属例如Al，在基底100外侧的偏光板上。

然而，上述已知半透射式LCD在使用时，因为环境光(即反射光)170，由于玻璃折射造成反射光与入射光不一定经过同一像素电极165，亦即有像差的问题。其解决方法为将反射电极制作在面板的下基板内侧，然而此类将反射电极制作在面板内的技术往往需要6道光掩模以上，其制程较复杂，且成本亦较高。

【发明内容】

本发明的一目的为提供液晶显示装置的制造方法，其可将反射层制作在面板内，以避免像差。此外，根据本发明实施例的液晶显示装置的制造方法，其用以制作全反射式LCD或是半反半透射式LCD的制程，仅需要4道光掩模，可达到节省成本及提高生产效率的目的。

因此，根据上述的问题，本发明提供一液晶显示器的制造方法。液晶显示装置包括薄膜晶体管区域及像素区域，且其制造方法包括下列步骤。首先，提供一基板，门极线位于基板上。门极介电层位于门极线和基板上，主动层(active layer)位于门极介电层上，掺杂层位于主动层上，并且金属层位于掺杂层上。其后，形成一光阻层覆盖部分金属层，其中在薄膜晶体管区域的光阻层至少具有两不同厚度。接下来，以光阻层为掩模，构型金属层、掺杂层及主动层，以在薄膜晶体管区域上形成一薄膜晶体管，并且在像素区域上形成一反射层，其中反射层可反射由液晶显示装置上方入射的光线。

本发明提供一液晶显示器的制造方法。液晶显示装置包括薄膜晶体管区域及像素区域，并且液晶显示装置的制造方法包括下列步骤。首先，提供一基板，门极线位于基板上。门极介电层位于门极线和基板上，主动层位于门极介电层上，掺杂层位于主动层上，并且金属层位于掺杂层上。后续，构型金属层，使金属层在薄膜晶体管区域形成源极和漏极接触，并且在同一构型步骤在至少在像素区域的部分区域上形成一反射层，其中反射层用以反射由该液晶显示装置上方入射的光线。

【附图说明】

图1是显示已知半透射式LCD结构的一例的示意图。

图2A~2H为本发明一实施例半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。

图3A~3F为本发明一实施例半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。

图4A~4C为显示本发明一实施例具有凹凸结构反射层的半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。

图5A~5F为本发明一实施例全反射式液晶显示器制作方法的示意图。

【符号说明】

100~下基底；       110~绝缘层；

120~反射层；       130~液晶层；

140~公共电极；     150~滤色片；

160~上基底；       170~外部光(反射光)；

168~像素电极；     200~基板；

202~门极线；       204~储存电容；

206~门极介电层；   208~主动层；

210~掺杂层；       212~第二金属层；

214~第一光阻层；   216~第一区域；

218~第二区域；     220~第三区域；

222~第四区域；     224~薄膜晶体管区域；

226~像素区域；     228~保护层；

230~开口；         232~像素电极；

300~基板；         302~门极线；

304~储存电容线；   306~门极介电层；

308~主动层；       310~掺杂层；

312~第二金属层；        314~第一光阻层；

315~第一光阻层；        316~第一区域；

317~凹面底部；          318~第二区域；

320~第三区域；          322~第四区域；

324~薄膜晶体管区域；    326~像素区域；

328~保护层；            330~像素电极；

500~基板；              502~门极线；

504~储存电容线；        506~门极介电层；

508~主动层；            510~掺杂层；

512~第二金属层；        514~第一光阻层；

516~沟道；              518~源/漏极区域；

520~薄膜晶体管区域；    522~像素区域；

524~保护层；            526~像素电极。

【具体实施方式】

图2A~2H为本发明一实施例半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。其中由于金属层的厚度与透光率有关，因此当金属层的厚度达到数千埃时，相当于一反射层，反之，当金属层的厚度足够薄时，则该金属层可以形成部份穿透、部份反射的半穿半反层，以下的本发明实施例中，即以控制金属层的厚度来制作反射层、穿透层、及半穿半反层。

请参照图2A，首先提供一基板，例如玻璃基板、低碱玻璃基板或无碱玻璃基板，但本发明不限于此。其后，以一沉积方法形成一第一金属层(未图示)于基板200上。此第一金属层可以为单一金属层，例如Al或Mo，或是合金例如AlNd。此外，第一金属层亦可以为双层或是多层的金属层，例如Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al或Ti/AlNd。较佳者，第一金属层系为Ti/Al/TiN的堆栈层。上述的沉积方法可以为例如化学气相沉积法CVD或是物理气相沉积法CVD，但本发明不限于此。

之后，通过已知的光刻和蚀刻技术构型第一金属层，以在基板200上形成门极线202和储存电容204。接下来，如图2B所示，以一沉积方法，在基板200、门极线202及储存电容204上依序形成门极介电层206、主动层208、掺杂层210和第二金属层212。上述的沉积方法可包括任何已知或新颖的沉积技术，例如化学气相沉积法CVD、物理气相沉积法PECVD或原子层沉积法ALD，但本发明不限于此。

门极介电层206可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅、或其组合，或是堆栈层。主动层208可以为半导体层，例如硅或锗，于此处，以掺杂氢离子的非晶硅层为例。掺杂层210可以为掺杂的半导体层，例如掺杂磷的n型非晶硅或掺杂砷的n型非晶硅，其用以降低第二金属层212和主动层208的接触电阻。第二金属层212可以为单一金属层，例如Al或Mo，或是合金例如AlNd。此外，第二金属层212亦可以为双层或是多层的金属层，例如Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al或Ti/AlNd。较佳者，第二金属层212系为Ti/Al的堆栈层。

接下来，如图2C所示，涂布一光阻层于第二金属层212上。之后，采用半色调(Halftone)曝光制程，以使在显影之后，在第二金属层212上形成不同厚度的第一光阻层214。在本实施例中，液晶显示组件包括一薄膜晶体管区域224及一像素区域226，而薄膜晶体管区域224包括第一区域216和第二区域218，像素区域226包括第三区域220和第四区域222。薄膜晶体管区域224的第一区域可为一沟道216。第二区域可为一源/漏极区域218。第三区域220可为一接触区域。第四区域222可为一反射区域。如图2C所示，在本实施例中，曝光后的第一光阻层214在薄膜晶体管区域224上包括不同的厚度，例如：在沟道216上的第一光阻层214较源/漏极区域218上的第一光阻层214为薄。此外，在像素区域上的第一光阻层包括不同的厚度，例如：在接触区域220上的第一光阻层214较反射区域222上的第一光阻层214为厚。并且，较佳者，沟道216上的第一光阻层214较反射区222上的第一光阻层214为薄。在本发明的一范例中，涂布的光阻层厚度为15000埃、沟道216上的第一光阻层214为4000埃、反射区域222上的第一光阻层214为7000埃。

上述的半色调(Halftone)曝光制程，可通过光掩模制作技术，在制作光掩模时在沟道区216和反射区214上制作额外的图案，因此可在曝光时减少此区域曝光的能量，进而达到形成具有不同厚度的光阻层214的效果。

接下来，如图2D所示，以上述的第一光阻层214为掩模，依序蚀刻第二金属层212、掺杂层210及主动层208，至暴露出未被第一光阻层214覆盖的门极介电层206。在此，可调整蚀刻制程及半色调所形成的光阻厚度，使蚀刻上述的层后，沟道216上的第一光阻层214亦被蚀刻去除，而其它区域(特别是反射区222)上仍保留一定厚度的第一光阻层214。亦或，在蚀刻上述层212、210、208之后，以轻微的等离子蚀刻法(例如掺入O₃的等离子蚀刻法)去除沟道区216上剩余的第一光阻层214。

后续，如图2E所示，以第一光阻层214为掩模，蚀刻第二金属层212，以去除沟道区216上第二金属层212，并且蚀刻部分反射区222上的第二金属层212。在本实施例中，由于上述步骤已将沟道区216的第一光阻层214完全去除，而在反射区222上仍保留部分的第一光阻层214，因此，可以在此以蚀刻制程控制将沟道区216上的第二金属层212完全去除，而在反射区222上保留一定厚度的第二金属层212，以供作半穿半反层，例如厚度在50埃以下的氮化钛层，其穿透率在50％以下，反射率则约为20％，而钛层的穿透率可达40％，反射率为30％以上。在一实施例中，第二金属层212可以为一双层金属或是多层金属结构。以Al/TiN的第二金属层212为例，可以湿蚀刻法(例如浸泡HCl)去除沟道区216上的Al层，而此时沟道区216仍保留TiN层，并且反射区222上的第二金属层212尚未被蚀刻。接下来，进行一干蚀刻步骤(例如反应离子蚀刻RIE)，以去除沟道区216上的TiN层，同时去除反射区222上的第一光阻层。后续，再进行一湿蚀刻制程，以去除反射区222上剩余的铝。如此，沟道区216上的第二金属层212完全被去除，而在反射区222上尚保留部分第二金属层212(TiN层)。

接下来，如图2F所示，以第一光阻层214及第二金属层212为掩模，蚀刻掺杂层210。在此步骤，用以去除沟道区216上的掺杂层210，如此在主动层208的源/漏极区域218上，形成接触的结构。后续，如图2G所示，以一沉积方法(例如CVD或是等离子化学气相沉积法PECVD)形成一保护层228(例如氮化硅层)覆盖门极介电层206及上述蚀刻后的第二金属层212、主动层208。接着，以已知的光刻及蚀刻制程，构型保护层228，以在接触区上形成一开口230。后续，如图2H所示，形成一像素电极层(例如：铟锡氧化物ITO)于保护层228上，并填入开口230中，以供电性连接。最后，以已知的光刻及蚀刻制程，构型像素电极层，以做为液晶显示装置的像素电极232。

根据本实施例，仅在定义第一金属层、定义第一光阻层、定义保护层及定义像素电极层需用到光掩模步骤。因此，根据本实施例的方法，其仅需4道光掩模，可简化已知技术复杂的步骤，减少制作成本。此外，在反射区上的第二金属层厚度较接触区及源/漏极区上的第二金属层厚度为薄，可调整控制其厚度，例如可选择厚度50~200埃的钛层，或50~200埃的氮化钛层，以作为一半穿半反式液晶显示器的反射层。

图3A~3F为本发明一实施例半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。其和上述实施例相同或相类似的部分在此不详细描述。请参照图3A，首先提供一基板300(例如玻璃基板、低碱玻璃基板或无碱玻璃基板)，并以一沉积方法形成一第一金属层于基板上。之后，通过已知的光刻和蚀刻技术构型第一金属层，以在基板上形成门极线302和储存电容线304。接下来，以一沉积方法，在基板300和门极线302及储存电容线304上依序形成门极介电层306、主动层308、掺杂层310和第二金属层312。门极介电层306可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅、或其组合，或是堆栈层。主动层308可以为半导体层，例如硅或锗，于此处，以掺杂氢离子的非晶硅层为例。掺杂层310可以为掺杂的半导体层，例如掺杂磷的n型非晶硅或掺杂砷的n型非晶硅。第二金属层312可以为单一金属层，例如Al或Mo，或是合金例如AlNd。此外，第二金属层312亦可以为双层或是多层的金属层，例如Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al或Ti/AlNd。较佳者，第二金属层312为Ti/Al的堆栈层。

接下来，如图3B所示，涂布一光阻层于第二金属层312上。之后，采用半色调(Halftone)曝光制程，以使在显影之后，在第二金属层312上形成不同厚度的第一光阻层314。特别是，在本实施例中，液晶显示组件包括一薄膜晶体管区域324及一像素区域326，而薄膜晶体管区域324包括第一区域316和第二区域318，像素区域326包括第三区域320和第四区域322。薄膜晶体管区域324的第一区域316可为一沟道。第二区域318可为一源/漏极区域。第三区域320可包括一接触区域321及一反射区域323。第四区域322可为一穿透区域。如图3B所示，在本实施例中，曝光后的第一光阻层314在薄膜晶体管区域324上包括不同的厚度，例如：在沟道316上的第一光阻层314较源/漏极区域318上的第一光阻层314为薄。此外，在像素区域326上的部分区域上覆盖第一光阻层314，例如：在接触区域321和反射区域323上覆盖有第一光阻层314，而在穿透区322上未覆盖第一光阻层314。较佳者，在接触区域321和反射区域323上的第一光阻层314大体上具有相同的厚度。更佳者，在接触区域321和反射区域323上的第一光阻层的厚度和源/漏极区318上的第一光阻层314的厚度大约相同。在本发明的一范例中，接触区域321和反射区域323上的第一光阻层314厚度为15000埃，而沟道区316上的第一光阻层314为4000埃。

接下来，如图3C所示，以上述的第一光阻层314为掩模，依序蚀刻第二金属层312、掺杂层310及主动层308，至暴露出未被第一光阻层314覆盖的门极介电层306。在此，可调整蚀刻制程及半色调所形成的光阻厚度，使蚀刻上述的层后，沟道区316上的第一光阻层314亦被蚀刻去除。亦或，在蚀刻上述层312、310、308之后，以轻微的等离子蚀刻法(例如掺入O₃的等离子蚀刻法)去除沟道区316上的第一光阻层314。

后续，如图3D所示，以第一光阻层314为掩模，蚀刻第二金属层312，以去除沟道区316上第二金属层312。接下来，如图3E所示，以第一光阻层314及第二金属层312为掩模，蚀刻掺杂层310。后续，如图3F所示，以一沉积方法形成一保护层328，例如氮化硅层，覆盖门极介电层306及上述的第二金属层312、主动层308。接着，以已知的光刻及蚀刻制程，构型保护层328，以在接触区上形成一开口。后续，形成一像素电极层(例如：铟锡氧化物ITO)于保护层上，并填入开口中，以供电性连接。最后，以已知的光刻及蚀刻制程，构型像素电极层，以做为液晶显示装置的像素电极330。

相类似于上述实施例，根据本实施例，仅在定义第一金属层、定义第一光阻层、定义保护层及定义像素电极层需用到光掩模步骤。因此，根据本实施例的方法，其仅需4道光掩模，可简化已知技术复杂的步骤，减少制作成本。此外，在像素区域上，仅有反射区上的仍保留金属层，可供作反射层，而穿透区域未覆盖金属层，以使液晶显示器的像素区的部分区域可供光反射，部分区域可供光穿透，以形成一半穿半反式液晶显示器。

此外，本发明亦可在形成上述实施例的金属反射层时，在不增加光掩模步骤的情形下，将金属反射层制作成具有凹凸状(Bump)的结构，以使反射层可增加反射环境光的角度。以下仅就本发明上述的一实施例，将金属反射层做成凹凸状的步骤做说明，但本发明不限于此，亦即本发明所有实施例的制程步骤，均可运用以下的技术，将反射层制作成具有凹凸状。例如：上述实施例的图2E的反射层212亦可采用以下的方法将反射层制作成凹凸状。

图4A~4C为显示本发明一实施例具有凹凸结构反射层的半穿半反式液晶显示器制作方法的示意图。其和上述实施例相同或相类似的部分在此不详细描述。

请参照图4A，涂布一光阻层于第二金属层312上。之后，采用半色调(Halftone)曝光制程，以使在显影之后，在第二金属层312上形成不同厚度的第一光阻层315。特别是，在本实施例中，曝光后的第一光阻层315在薄膜晶体管区域上包括不同的厚度，例如：在沟道316上的第一光阻层315较源/漏极区域318上的第一光阻层315为薄。在像素区域356上的部分区域上覆盖第一光阻层315，例如：在接触区域321和反射区域323上的覆盖有第一光阻层315，而在穿透区322上未覆盖第一光阻层315。另外，在反射区322上的第一光阻层可通过半色调(Halftone)曝光技术，将其制作成表面具有凹凸状的结构。

接下来，如图4B所示，以上述的第一光阻层为掩模，依序蚀刻第二金属层308、掺杂层310及主动层312，至暴露出未被在反射区具有凹凸表面的第一光阻层315覆盖的门极介电层306。在此，可调整蚀刻制程及半色调所形成的光阻厚度，使蚀刻上述的层后，沟道区316上的第一光阻层315亦被蚀刻去除。亦或，在蚀刻上述层308、310、312之后，以轻微的等离子蚀刻法(例如掺入O₃的等离子蚀刻法)去除沟道区316上的第一光阻层315。此外，反射区323上凹凸状的光阻层315亦被蚀刻一部分，整体厚度减少，特别是使其凹面底部317的厚度减少，或是其凹面处暴露第二金属层312的表面。

后续，如图4C所示，以第一光阻层315为掩模，蚀刻第二金属层312，以去除沟道区316上第二金属层315。同时，在反射区依照凹凸状第一光阻层315的图案，而将其凹凸状转移至此区第二金属层312的表面，使得第二金属层312表面具有凹凸状。此处，需注意的是，反射区第二金属层312的凹面的深度，可在此调整蚀刻制程，或是依照上述凹凸状第一光阻层图案的密集度和深度而决定的。此凹凸状结构的宽度W及深度D可以产品的需求及设计的需要而决定的。较佳者，D/W的比例可介于1/40~1/10。之后，将第一光阻层315去除，以完成具有凹凸表面的反射区323的第二金属层312的制作。

另外，本发明亦可运用于制作全反射式液晶显示器。以下将描述本发明另一实施例，仅以4道光掩模步骤制作全反射式液晶显示器的制程步骤。图5A~5F图为本发明一实施例全反射式液晶显示器制作方法的示意图。其和上述实施例相同或相类似的部分在此不详细描述。

请参照图5A，首先提供一基板500(例如玻璃基板、低碱玻璃基板或无碱玻璃基板)，并以一沉积方法形成一第一金属层于基板上。之后，通过已知的光刻和蚀刻技术构型第一金属层，以在基板500上形成门极线502和储存电容线504。接下来，以一沉积方法，在基板500和门极线502及储存电容线504上依序形成门极介电层506、主动层508、掺杂层510和第二金属层512。

接下来，如图5B所示，涂布一光阻层于第二金属层512上。之后，采用半色调(Halftone)曝光制程，以使在显影之后，在第二金属层512上形成不同厚度的第一光阻层514。在本实施例中，曝光后的第一光阻层514在薄膜晶体管区域520上包括不同的厚度，例如：在沟道516上的第一光阻层514较源/漏极区域518上的第一光阻层514为薄，而在像素区域522上的第一光阻层具有相同的厚度。较佳者，在像素区域522上的第一光阻层514的厚度和源/漏极区518上的第一光阻层514的厚度大约相同。在本发明的一范例中，像素区域522和源/漏极区518上的第一光阻层514厚度为15000埃，而沟道区516上的第一光阻层514为4000埃。

接下来，如图5C所示，以上述的第一光阻层514为掩模，依序蚀刻第二金属层512、掺杂层510及主动层508，至暴露出未被第一光阻层514覆盖的门极介电层506。在此，可调整蚀刻制程及半色调所形成的光阻厚度，使蚀刻上述的层后，沟道区516上的第一光阻层514亦被蚀刻去除。后续，如图5D所示，以第一光阻层514为掩模，蚀刻第二金属层512，以去除沟道区516上第二金属层512。接下来，如图5E所示，以第一光阻层514及第二金属层512为掩模，蚀刻掺杂层510。后续，如图5F所示，以一沉积方法形成一保护层524，例如氮化硅层，覆盖门极介电层506及上述的第二金属层512、主动层。接着，以已知的光刻及蚀刻制程，构型保护层524，以在形成一开口。后续，形成一像素电极层(例如：铟锡氧化物ITO)于保护层524上，并填入开口中，以供电性连接。最后，以已知的光刻及蚀刻制程，构型像素电极层，以做为液晶显示装置的像素电极526。

另外，本发明此实施例所形成的全反射电极亦可以采用上述实施例的方法于全反射电极电极表面形成凹凸状。但本发明不限于此，亦即本发明亦可以在相同的架构下，在形成第二金属层后，多加一道光掩模，以在反射区的第二金属层表面制作凸起。

根据本发明的上述实施例，本发明可以将反射层制作在面板内，改善已知技术TFT-LCD像差的问题。此外，本发明用以制作半反半穿式TFT-LCD或是全反射式TFT-LCD，仅需4道光掩模，可减少制作成本，制作时间及制程复杂度。

虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的熟练技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与等效替换，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (19)

1. 一种液晶显示器的制造方法，包括下列步骤：

提供一基板，其定义有一薄膜晶体管区域及一像素区域；

依序形成一门极线、一门极介电层、一主动层及一掺杂层于该基板上；

在该掺杂层表面形成一金属层；

在该薄膜晶体管区域定义该金属层、掺杂层及主动层以形成一薄膜晶体管；及

在该像素区域定义该金属层以形成一具有一第一厚度的第一金属部及一具有第二厚度的第二金属部，该第一金属部作为接触区，其中该第一厚度厚于该第二厚度，且该第二金属部的第二厚度大小足以使入射的光线部份穿透且部份反射，而在该像素区域形成一半穿半反区。

2. 根据权利要求1所述的液晶显示器的制造方法，其中该基板为一玻璃基板。

3. 根据权利要求1所述的液晶显示器的制造方法，其中在该薄膜晶体管区域定义该金属层、掺杂层及主动层及在该像素区域定义该金属层的步骤包括：

形成一光阻层覆盖部分该金属层，其中在薄膜晶体管区域的光阻层至少具有两个不同厚度，且在像素区域的光阻层至少具有两个不同厚度；及

以该光阻层为掩模，构型该金属层、该掺杂层及该主动层，以在该薄膜晶体管区域上形成一薄膜晶体管，并且在该像素区域上形成具有至少两个不同厚度的金属层，该金属层包括反射层。

4. 根据权利要求3所述的液晶显示器的制造方法，其中该接触区用以连接一像素电极，且在该半穿半反区上的光阻层较该接触区的光阻层薄。

5. 根据权利要求3所述的液晶显示器的制造方法，该薄膜晶体管区域包括一沟道区域及一源/漏极区域，其中形成该薄膜晶体管及该反射层，包括下列步骤：

构型该金属层、该掺杂层及该主动层，并且去除该沟道区域上的光阻层，并且在同一步骤去除部份该金属层上的光阻层；

以该光阻层为掩模去除该沟道区域上的金属层，并去除该半穿半反区上的该光阻层及部分金属层；及

去除该沟道区域上的该掺杂层。

6. 根据权利要求3所述的液晶显示器的制造方法，该薄膜晶体管区域包括一沟道区域及一源/漏极区域，且该金属层包括一第一金属层及一第二金属层，其中形成该薄膜晶体管及该反射层，包括下列步骤：

构型该金属层、该掺杂层及该主动层，并且去除该沟道区域上的光阻层，同时去除部份该金属层上的光阻层；

以一湿蚀刻法去除该沟道区域上的第二金属层；

以一干蚀刻法去除该沟道区域上的第一金属层及该半穿半反区上的光阻层；及

以该湿蚀刻法去除该反射区域上剩余的第二金属层。

7. 根据权利要求6所述的液晶显示器的制造方法，其中该第一金属层包括Ti、TiN及Mo，且该第二金属层包括Al或AlNd。

8. 根据权利要求6所述的液晶显示器的制造方法，其中该第一金属层由50~200埃的Ti所组成。

9. 根据权利要求6所述的液晶显示器的制造方法，其中该第一金属层由50~200埃的TiN所组成。

10. 根据权利要求3所述的液晶显示器的制造方法，其中该薄膜晶体管区域包括一沟道区域及一源/漏极区域，且该沟道区域上的光阻层较该半穿半反区上的光阻层薄。

11. 根据权利要求3所述的液晶显示器的制造方法，其中至少部分的该像素区域上该光阻层包括凹凸结构的表面。

12. 一种液晶显示器的制造方法，包括下列步骤：

提供一基板，其定义有一薄膜晶体管区域及一像素区域；

在该基板上依序形成一门极线、一门极介电层、一主动层及一掺杂层；

在该掺杂层表面形成一金属层；

在该薄膜晶体管区域定义该金属层、掺杂层及主动层以形成一薄膜晶体管；及

在该像素区域定义该金属层、掺杂层及主动层以形成一第一金属部、一第二金属部及一露出该门极介电层表面的穿透区，其中该第一金属部作为接触区，且该第二金属部的厚度大小足以使入射的光线反射而形成一反射区。

13. 根据权利要求12所述的液晶显示器的制造方法，其中在该薄膜晶体管区域定义该金属层、掺杂层及主动层及在该像素区域定义该金属层的步骤包括：

形成一光阻层覆盖部分该金属层，其中在薄膜晶体管区域的光阻层至少具有两个不同厚度，且在像素区域的光阻层暴露部分该金属层；及

以该光阻层为掩模，构型该金属层、该掺杂层及该主动层，以在该薄膜晶体管区域上形成一薄膜晶体管，并且在该像素区域上形成该第一金属部、该第二金属部及该露出该门极介电层表面的穿透区。

14. 根据权利要求13所述的液晶显示器的制造方法，该薄膜晶体管区域包括一沟道区域及一源/漏极区域，其中该像素区域上的金属层上的该光阻层和该薄膜晶体管区域上的该光阻层具有相同厚度。

15. 根据权利要求13所述的液晶显示器的制造方法，其中部分的该像素区域上该光阻层包括凹凸结构的表面。

16. 一种液晶显示器的制造方法，包括下列步骤：

提供一基板，其定义有一薄膜晶体管区域及一像素区域；

在该基板上依序形成一门极线、一门极介电层、一主动层及一掺杂层；

在该掺杂层表面形成一金属层；

在该薄膜晶体管区域定义该金属层、掺杂层及主动层以形成一薄膜晶体管；及

在该像素区域定义该金属层以形成一金属部，其中该金属部的厚度大小足以使入射的光线反射而形成一反射区。

17. 根据权利要求16所述的液晶显示器的制造方法，其中在该薄膜晶体管区域定义该金属层、掺杂层及主动层及在该像素区域定义该金属层的步骤包括：

形成一光阻层覆盖部分该金属层，其中在薄膜晶体管区域的光阻层至少具有两个不同厚度，且在该像素区域上的该光阻层具有相同的厚度；及

以该光阻层为掩模，构型该金属层、该掺杂层及该主动层，以在该薄膜晶体管区域上形成一薄膜晶体管，并且在该像素区域上形成该金属部。

18. 根据权利要求17所述的液晶显示器的制造方法，该薄膜晶体管区域包括一沟道区域及一源/漏极区域，其中该像素区域上的金属层上的该光阻层和该薄膜晶体管区域上的该光阻层具有相同厚度。

19. 根据权利要求17所述的液晶显示器的制造方法，其中该像素区域上的光阻层包括凹凸结构的表面。

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