CN101551535B - 液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种液晶显示面板,包括相对放置的第一基板和第二基板,在所述第一基板和所述第二基板之间具有液晶层,所述第一基板具有透射区和反射区,在所述第一基板朝向所述第二基板侧的反射区具有复数个凸块;在所述凸块的朝向所述第二基板的表面、所述凸块的侧壁,以及所述凸块的间隙处覆盖有反射层;在所述反射层和透射区的朝向所述第二基板的表面覆盖有彩膜层,所述彩膜层朝向所述第二基板的表面为平坦表面;所述彩膜层的朝向所述第二基板的表面覆盖有下透明电极;所述下透明电极的朝向所述第二基板的表面覆盖有液晶层,降低了在液晶显示面板反射区进行液晶分子配向的难度,提高了液晶显示面板的质量。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,尤其涉及一种液晶显示面板及其制造方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)具备轻薄、节能、无辐射等诸多优点,因此已经逐渐取代传统的阴极射线管(CRT)显示器。目前液晶显示器广泛应用于高清晰数字电视、台式计算机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、移动电话、数码相机等电子设备中。
液晶显示装置根据液晶显示面板的反射方式可以分为透射型(transmissive)、反射型(reflective)以及半透反型(transflective)三种基本类型。透射型液晶显示装置的液晶显示面板具有背光光源,可以达到穿透显示,因此在正常光线及暗光线下仍能维持良好的显示效果,但是功耗较高。反射型液晶显示装置的液晶显示面板没有背光光源,其可以利用环境周围的光线,因此可以节省功耗,但是其对外界环境光线的依赖性较强,在外界光线充足的环境下均有良好的显示效果,在外界光线不足的环境下则不易辨识显示内容。半透反型液晶显示装置则结合了透射型与反射型二者的优点。
目前的半透反型液晶显示面板有两种类型:单盒间隙(single cell gap)和双盒间隙(dual cell gap),分别如图1和图2所示。图1为常规的单盒间隙半透反型液晶显示面板的剖面结构示意图,图2为常规的双盒间隙半透反型液晶显示面板的剖面结构示意图。
在单盒间隙半透反型液晶显示装置的显示面板中,如图1所示,第一基板10和第二基板20相对放置,在第一基板10和第二基板20之间具有多个液晶分子的液晶层30。第一基板10包括:下透明基板11,形成于下透明基板11上表面的保护层12,形成于保护层12上表面的下透明电极13,在该液晶显示面板的反射区对应的下透明电极13上表面覆盖有金属铝形成的铝反射层16,在铝反射层16上表面和该液晶显示面板的透射区对应的下透明电极13上表面覆盖有下配向膜14。其中,保护层12、下透明电极13、铝反射层16以及下配向膜14在反射区的对应位置具有凸起和凹陷,如图1中虚线框内所示。第二基板20包括:上透明基板21,设置于上透明基板21下表面的彩膜层25,以及依次形成于彩膜层25下表面的上透明电极23和上配向膜24。其中,图1中箭头所示为光线的照射方向。
在双盒间隙半透反型液晶显示装置的显示面板中,如图2所示,第一基板40和第二基板50相对放置,在第一基板40和第二基板50之间具有多个液晶分子的液晶层60,该液晶层在透射区具有厚度2d,在反射区具有厚度d。第一基板40包括:下透明基板41,形成于下透明基板41上表面的下保护层42,形成于下保护层42上表面的下透明电极43,在该液晶显示面板的反射区对应的下透明电极43上表面覆盖有金属铝形成的铝反射层46,在铝反射层46上表面和该液晶显示面板的透射区对应的下透明电极43上表面覆盖有下配向膜44。其中,下保护层42、下透明电极43、铝反射层46以及下配向膜44在反射区的对应位置具有凸起和凹陷,如图2中虚线框内所示。第二基板50包括:上透明基板51,设置于上透明基板51下表面的彩膜层55,在反射区设置于彩膜层55下表面的厚度为d的上保护层52,形成于上保护层52下表面和透射区彩膜层55的下表面的上透明电极53,以及形成于上透明电极53下表面的上配向膜54。其中,图2中箭头所示为光线的照射方向。
上述图1和图2所示的常规的单、双盒间隙半透反型液晶显示面板为使入射液晶显示面板反射区的外界环境光从不同方向反射出去,在常规的单、双盒间隙半透反型液晶显示面板的反射区,铝反射层均要被做成具有凸起与凹陷的表面,如图1和图2中所示。该凸起与凹陷给摩擦配向工艺也带来一定程度上的困难,从而导致该凸起与凹陷的表面使得在该表面附近的液晶分子的配向发生异常,例如在常黑(normal black)状态下,少数配向发生异常的液晶分子会导致漏光现象的发生。
进一步的,该凸起通常是利用有机材料做成,这样就需要采用单独的工艺步骤完成,使得工艺步骤复杂。
发明内容
本发明的目的是提供一种液晶显示面板及其制造方法,降低了在液晶显示面板反射区进行液晶分子配向的难度,提高了液晶显示面板的质量。
为达到上述目的,本发明提供了一种液晶显示面板,包括相对放置的第一基板和第二基板,在所述第一基板和所述第二基板之间具有液晶层,所述第一基板具有透射区和反射区,在所述第一基板的透射区具有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管具有第一金属层形成的栅极,非晶硅形成的沟道层,第二金属层形成的源极和漏极,以及位于栅极和沟道层之间的绝缘层和位于沟道层以及源极和漏极上表面的钝化层,
在所述第一基板朝向所述第二基板侧的反射区具有复数个凸块;
在所述凸块的朝向所述第二基板的表面、所述凸块的侧壁,以及所述凸块的间隙处覆盖有反射层,所述反射层的上表面为凹凸表面;
在所述反射层和透射区的朝向所述第二基板的表面覆盖有彩膜层,所述彩膜层朝向所述第二基板的表面为平坦表面;
所述彩膜层的朝向所述第二基板的表面覆盖有下透明电极;
所述下透明电极的朝向所述第二基板的表面覆盖有液晶层。
优选的,所述凸块的形状为楔形,其中楔形底面位于所述第一基板上,楔形顶端朝向所述第二基板。
优选的,所述楔形凸块的侧面与底面的夹角为8°~12°。
优选的,所述凸块包括层叠的复数层子凸块,其中靠近第一基板的子凸块的平行于第一基板的截面面积大于靠近第二基板的子凸块的平行于所述第一基板的截面面积。
优选的,所述凸块为叠层结构;所述叠层结构包括从第一基板向第二基板方向依次层叠的第一金属层,覆盖于所述第一金属层朝向第二基板表面以及所述第一金属层侧壁的绝缘层,覆盖于所述绝缘层朝向第二基板表面的所述第一金属层对应位置的非晶硅层,覆盖于所述非晶硅层朝向第二基板表面的第二金属层,覆盖于所述第二金属层朝向第二基板表面、所述第二金属层侧壁及部分所述绝缘层上表面的钝化层。
优选的,所述凸块的高度为彩膜层厚度的1/2。
相应的,本发明还提供了一种液晶显示面板的制造方法,包括步骤:
提供下透明基板,在所述下透明基板上表面的透射区和反射区分别同时形成薄膜晶体管和复数个凸块;
形成反射层,所述反射层覆盖所述凸块的上表面、所述凸块的侧壁,以及所述凸块的间隙处,所述反射层的上表面为凹凸表面;
形成彩膜层,所述彩膜层覆盖所述透射区和反射区,且所述彩膜层的上表面为平坦表面;
形成下透明电极,所述下透明电极覆盖所述彩膜层的上表面;
至此,形成第一基板;
将第二基板在第一基板上方相对放置,并在所述第一基板和所述第二基板之间填充液晶层。
优选的,所述薄膜晶体管和所述凸块的形成方法包括步骤:
形成第一金属层,所述第一金属层位于所述下透明基板上表面的反射区和透射区,且所述第一金属层为分立的结构;
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖于所述第一金属层上表面以及所述第一金属层侧壁;
形成非晶硅层,所述非晶硅层覆盖于所述绝缘层上表面的所述第一金属层对应位置;
形成第二金属层,所述第二金属层覆盖于所述非晶硅层上表面;
形成钝化层,所述钝化层覆盖于所述第二金属层上表面、所述第二金属层侧壁及部分所述绝缘层上表面。
所述透射区的第一金属层、绝缘层、非晶硅层和第二金属层以及钝化层形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极和漏极以及覆盖于薄膜晶体管上的钝化层;所述反射区的第一金属层、绝缘层、非晶硅层和第二金属层以及钝化层形成凸块的堆叠结构。
在上述方案中,将彩膜层设置在第一基板的铝反射层和透射区的上表面,因为彩膜层形成时可以对凸块的上表面、凸块的侧壁以及凸块的间隙进行填充,从而使得形成彩膜层后的第一基板的上表面为平坦表面,这样在后续的形成电极层时,电极层的上表面为平坦表面,这样在第一基板的摩擦配向工艺中方便配向,从而使得在第一基板和第二基板之间灌注液晶分子后,液晶分子具有良好的配向。又因为铝反射层与第二基板之间均为透明物质,所以反射光线可以被铝反射层的凹凸表面向各个方向反射,形成较好的漫反射效果,进一步的因为第一基板上表面为平坦表面,因此和第一基板接触的液晶层的液晶分子不会因为第一基板凹凸的表面而发生漏光。
附图说明
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明,本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。
图1为常规的单盒间隙半透反型液晶显示面板的剖面结构示意图;
图2为常规的双盒间隙半透反型液晶显示面板的剖面结构示意图;
图3为本发明第一实施例的液晶显示面板的剖面结构示意图;
图3a为图3中凸块120的局部放大图;
图4为本发明第二实施例的液晶显示面板的剖面结构示意图;
图4a为图4中凸块120的局部放大图;
图5为本发明实施例的液晶显示面板的制造方法流程示意图;
图6为图5中薄膜晶体管和凸块的形成方法流程图;
图7a-13a为本发明液晶显示面板的制造方法的示意图,图7b-13b分别为图7a-13a对应的平面示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
本发明利用示意图进行详细描述,在详述本发明实施例时,为便于说明,表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是实例,其在此不应限制本发明保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
第一实施例
参照图3,其为本发明第一实施例的液晶显示面板的剖面结构示意图。下面为了描述方便,将从第一基板向第二基板方向定义为从下到上。本实施例的液晶显示面板为单盒间隙半透反型。该液晶显示面板包括:相对放置的第一基板100和第二基板200以及两个基板之间的液晶层300,所述第一基板100具有透射区100a和反射区100b。其中,第一基板100包括:下透明基板110,在下透明基板110上表面且对应第一基板100反射区100b处设置有复数个凸块120。在凸块120的上表面及其侧壁、以及凸块120之间的间隙处,覆盖有铝反射层126,并且该铝反射层的上表面为凹凸表面。在铝反射层126和透射区100a的上表面覆盖有彩膜层130。彩膜层130的上表面覆盖有下透明电极140,该彩膜层130及该下透明电极140的上表面均为平坦表面。其中,铝反射层126覆盖的区域形成该半透反型液晶显示面板的反射区100b。其中,铝反射层126还可以是其它材料的反射层。
第一基板100还包括:依次层叠设置于下透明基板110下表面的第一下补偿膜、第二下补偿膜以及下偏振片。第二基板200包括:上透明基板210,设置于该上透明基板210下表面的上透明电极240,以及依次层叠设置于该上透明基板210上表面的第一上补偿膜、第二上补偿膜以及上偏振片。所述上透明基板210和下透明基板110的材料可以为玻璃。在图3所示的液晶显示面板中,所述第一下补偿膜和所述第一上补偿膜为λ/4波片,所述第二下补偿膜和所述第二上补偿膜为λ/2波片。
在本实施例中,利用与液晶显示面板连接的驱动电路(未图示)来调节加在液晶层300(液晶电容)两侧的电压,从而可以调节进入液晶层300的透射光线300a(透射区对应的光线)和反射光线300b(反射区对应的光线)的光程,使得进入液晶层300的透射和反射光线的光程略相等。
当然,在其它实施例中,液晶显示面板也可以为双盒间隙半透反型,不通过加在液晶层300(液晶电容)两侧的电压来调节进入的液晶层透射光线和反射光线的光程,而通过在第一基板200的下表面设置凸台来调节进入的液晶层透射光线和反射光线的光程,例如反射区凸台的厚度为透射区的液晶层的1/2,使得进入的液晶层透射光线和反射光线的光程略相等。
在上述方案中,通过将彩膜层130设置在第一基板100的铝反射层126和透射区100a的上表面,因为彩膜层130形成时可以对凸块120的上表面及其侧壁以及凸块之间的间隙进行填充,从而使得形成彩膜层130后的第一基板100的上表面为平坦表面,这样在后续的形成下透明电极140时,下透明电极140的上表面为平坦表面,这样第一基板100的摩擦配向工艺方便,从而使得在第一基板100和第二基板200之间灌注液晶分子后,液晶分子具有良好的配向。
又因为铝反射层126与第二基板200之间均为透明物质,所以反射光线可以被铝反射层126的凹凸表面向各个方向反射,形成较好的漫反射效果,进一步的因为第一基板100上表面为平坦表面,因此和第一基板100接触的液晶层300的液晶分子不会因为第一基板100凹凸的表面而发生漏光。
参考图3a,其为图3中凸块120的局部放大图,下面结合图3a对上述方案的优选方案进行说明。优选的,所述凸块120包括层叠的复数层子凸块,例如子凸块120a和120b,其中靠近第一基板100的子凸块120a的平行于第一基板100的截面面积大于靠近第二基板200的子凸块120b的平行于所述第二基板200的截面面积。
由于子凸块120a包括的部分叠层结构和子凸块120b包括的部分叠层结构可以在相同的步骤中形成,因此为了描述方便,下面从叠层结构的角度,不区分子凸块120a和120b对本实施例的凸块120进行详细说明。优选的,凸块120从下到上依次包括:设置于下透明基板110上的第一金属层121、覆盖于该第一金属层121上表面以及侧壁的绝缘层122、覆盖于该绝缘层122上表面的第一金属层121对应位置的非晶硅层123、覆盖于该非晶硅层123上表面的第二金属层124、覆盖于该第二金属层124上表面及其侧壁和部分绝缘层上表面的钝化层125。铝反射层126覆盖于钝化层125上表面及其侧壁,形成所述凸块120的反射表面。
通常,在第一基板100上具有薄膜晶体管(TFT,thin film transistor),而该TFT的形成过程中通常需要形成第一金属层121、绝缘层122、非晶硅层123、第二金属层124和钝化层125。所述TFT的制造工艺为本领域技术人员熟知的,因此不再赘述。
采用上述优选的方案可以使凸块的制造过程兼容在TFT的制造过程中。在现有技术中为了在第二基板上形成凹凸表面的反射层,通常需要在反射层下形成凹凸结构,所述凹凸结构通常是有机物材料,因此需要利用和TFT制造过程不同的步骤来形成,但本发明就可以在形成TFT的同时形成凸块,从而形成凹凸结构的反射层表面,因此节省了工艺步骤,简化了工艺,降低了成本。
优选的,该凸块120的高度为彩膜层130厚度的1/2,这样,反射光线在彩膜层中的光程与透射光线在彩膜层中的光程约略相等,又因为反射光线在液晶层中的光程与透射光线在液晶层中的光程约略相等,这样在该单盒间隙半透反型液晶显示面板中具有均一的光穿透率,从而提高对比度。
第二实施例
在本实施例中所述液晶显示面板的结构和实施例一的液晶显示面板结构近似,但在本实施例中的凸块120的形状和实施例一中不同,区别在于:
参考图4和4a,图4为本发明的液晶显示显示面板的剖面结构示意图。图4a为图4中凸块120的放大结构示意图。凸块120为楔形,也就是垂直于底面的截面为三角形。具体的,凸块120的侧面120c与凸块底面120d的夹角范围为8°~12°,该角度范围使得液晶显示面板在人眼垂直于该液晶显示面板时,反射入人眼的反射光形成漫反射,因此具有最大的穿透率。
优选的,该凸块120为正棱锥,凸块120的高度为1.25μm,凸块120的底面边长为12~18μm,这一高度和长度使得反射入人眼的反射光具有最大的穿透率。
当然,在上述两个实施例中,图3a及4a中所示的凸块120的结构仅为举例说明,在其它实施例中,该凸块120也可以是其他结构,例如为圆锥型或者垂直于底面的截面为梯形的部分锥型结构,或侧面与底面夹角在8°~12°范围的其它锥形或柱形结构。
图5为本发明实施例的液晶显示面板的制造方法流程示意图。图6为图5中薄膜晶体管和凸块的形成方法流程图。图7a-13a为本发明液晶显示面板的制造方法的示意图,图7b-13b分别为图7a-13a对应的平面示意图。
下面参考图5~图13对本发明的液晶显示面板的制造方法进行说明,所述液晶显示面板的制造方法包括步骤:
S1:提供下透明基板110,在下透明基板110上表面的透射区和反射区分别同时形成薄膜晶体管和复数个凸块120。
参考图6,所述薄膜晶体管和所述凸块120的形成方法包括步骤:
S10:在下透明基板110上表面的透射区和反射区形成第一金属层121,第一金属层121为分立的图形。
第一金属层121通过PECVD(电浆辅助化学气相沉积)法或溅镀法等已经公知的气相沉积法形成。第一金属层121所采用的物质例如可以是铝、银、铜、钼或其它金属或合金,例如本实施例中采用的是AlNd(铝钕合金)。然后,依公知的曝光、蚀刻等技术将反射区的该第一金属层(AlNd)图案化,从而形成分立图形的第一金属层121,例如可以为如图7a和7b所示的分立的间隔排列的圆形图形。
同时,还可以在透射区形成由第一金属层121构成的TFT的栅极(未图示)。
S20:在第一金属层121上表面及其侧壁形成绝缘层122,在绝缘层122上表面形成非晶硅层123,非晶硅层123位于绝缘层122上表面与第一金属层121对应位置。
具体的,可以在第一金属层121上表面及其间隙处的下透明基板110上表面形成绝缘层122,绝缘层122可以是SiOx或SiNx物质,可以利用本领域技术人员熟知的方法形成,例如PECVD(电浆辅助化学气相沉积)法或溅镀法等。
然后,再在该绝缘层122的上表面通过利用PECVD法或溅镀法等形成非晶硅层,然后,依公知的曝光、蚀刻等技术将该非晶硅层在与第一金属层对应的位置形成分立图形。该分立图形分别形成如图8a、8b中所示的非晶硅层123和位于透射区中与第一金属层对应位置处的非晶硅层(未图示)。当然在其它实施例中也可以在蚀刻位于反射区的非晶硅层123的同时将绝缘层122位于反射区的部分一起蚀刻。
同时,还可以在透射区的第一金属层(未图示)上形成由绝缘层122构成的TFT的栅绝缘层(未图示),在绝缘层122上形成由非晶硅层123构成的沟道层(未图示)。
S30:在非晶硅层123上表面形成第二金属层124。
具体的,先利用PECVD法或溅镀法等在非晶硅层123上表面及其间隙处的绝缘层122的上表面形成第二金属层。如图9a所示,然后用曝光、蚀刻等技术,分别形成如图9a、9b中所示的与非晶硅层123对应的分立的第二金属层124和位于透射区的第二金属层。
其中该位于透射区的第二金属层与同样位于透射区的非晶硅层被同时进行曝光、蚀刻等工艺,形成TFT的沟道层和源/漏极。
S40:在非晶硅层123和第二金属层形成的分立图形的上表面及其侧壁、以及该分立图形之间的间隙形成钝化层125。
具体的,利用PECVD法或溅镀法等,形成钝化层125,并利用曝光、蚀刻等技术,将位于反射区的钝化层形成如图10a、10b所示的与同样位于该反射区的第二金属层124上表面及其侧壁以及绝缘层122上表面及其侧壁对应的分立图形。
上述步骤S10~S40在反射区形成复数个分立的凸块120,该凸块120包括依次层叠的第一金属层121、绝缘层122、非晶硅层123、第二金属层124以及钝化层125。
同时,上述步骤S10~S40在透射区形成薄膜晶体管(TFT)以及覆盖于该薄膜晶体管上的钝化层。因为形成的该薄膜晶体管以及形成该薄膜晶体管的方法同公知技术,故此处未作赘述与图示。
S2:在凸块的上表面及其间隙处形成铝反射层126。
具体的,参考图11a、11b,利用PECVD法或溅镀法等在位于反射区的钝化层125上表面及其侧壁以及间隙处的下透明基板110上表面形成铝反射层126。在其它实施例中如果所述钝化层125被蚀刻成和非晶硅层相同的形状,那么就在所述凸块的侧壁,以及所述凸块的间隙处形成铝反射层126。
S3:在第一基板100的透射区和反射区形成彩膜层130。
具体的,参考图12a、12b,该彩膜层130设置于第一基板100上,并且覆盖铝反射层126的上表面,以及透射区的钝化层125,换言之,覆盖整个透射区和反射区。并且该彩膜层130具有平坦的上表面。
优选的,该彩膜层130的厚度为凸块120的高度的2倍,其形成方法与公知技术的在阵列基板上形成彩膜层的方法相同(COA:color filter on array),此处不作赘述。然后,在一个像素区域中的彩膜层一次形成R、G、B彩膜层。
S4:在彩膜层130的上表面形成下透明电极140。
如图13a、13b所示,具体的,该下透明电极140所采用的物质为透明导电物质,如可以是氧化锌、二氧化锡、氧化铟锡等,如本实施例中采用的是氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxides)。
在完成以上步骤S1~步骤S4后,完成的单盒间隙半透反型液晶显示面板的第一基板100后,将第二基板200与第一基板100相对放置(请参阅图3),再分别在该第一基板的上表面、第二基板的下表面涂敷配向膜(PI),在第一、第二基板间具有单一的盒间隙,并且,在第一基板100的反射区具有平坦表面,故对之后的摩擦配向工艺方便配向,从而使得在第一、第二基板之间灌注液晶分子之后,液晶分子具有良好的配向。又因彩膜层130与下透明电极140均为透明物质,所以反射光线反射至铝反射层126后仍可以向各个方向反射,并且与第一基板接触的液晶分子也不会因为凸起和凹陷的表面而发生漏光。
在以上步骤S10~步骤S40中,在凸块中分别形成第一金属层121、绝缘层122、非晶硅层123以及第二金属层124,在依次形成各该层的同时,该第一金属层121、绝缘层122、非晶硅层123以及第二金属层124在下透明基板110的透射区上依次形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层,沟道层以及薄膜晶体管的源、漏极。因该部分的形成为公知的技术,故未作赘述。该凸块的形成与薄膜晶体管的形成可以在相同的工艺中同时完成,故对该单盒间隙半穿反型液晶显示面板的制造并未增加额外的工艺,具有简单的工艺流程。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上,然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (8)
1.一种液晶显示面板,包括相对放置的第一基板和第二基板,在所述第一基板和所述第二基板之间具有液晶层,所述第一基板具有透射区和反射区,在所述第一基板的透射区具有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管具有第一金属层形成的栅极,非晶硅形成的沟道层,第二金属层形成的源极和漏极,以及位于栅极和沟道层之间的绝缘层和位于沟道层以及源极和漏极上表面的钝化层,其特征在于,
在所述第一基板朝向所述第二基板侧的反射区具有复数个凸块;
在所述凸块的朝向所述第二基板的表面、所述凸块的侧壁,以及所述凸块的间隙处覆盖有反射层,所述反射层的上表面为凹凸表面;
在所述反射层和透射区的朝向所述第二基板的表面覆盖有彩膜层,所述彩膜层朝向所述第二基板的表面为平坦表面;
所述彩膜层的朝向所述第二基板的表面覆盖有下透明电极;
所述下透明电极的朝向所述第二基板的表面覆盖有液晶层。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述凸块的形状为楔形,其中楔形底面位于所述第一基板上,楔形顶端朝向所述第二基板。
3.根据权利要求2所述的液晶显示面板,其特征在于,所述楔形凸块的侧面与底面的夹角为8°~12°。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述凸块包括层叠的复数层子凸块,其中靠近第一基板的子凸块的平行于第一基板的截面面积大于靠近第二基板的子凸块的平行于所述第一基板的截面面积。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述凸块为叠层结构;所述叠层结构包括从第一基板向第二基板方向依次层叠的第一金属层,覆盖于所述第一金属层朝向第二基板表面以及所述第一金属层侧壁的绝缘层,覆盖于所述绝缘层朝向第二基板表面的所述第一金属层对应位置的非晶硅层,覆盖于所述非晶硅层朝向第二基板表面的第二金属层,覆盖于所述第二金属层朝向第二基板表面、所述第二金属层侧壁及部分所述绝缘层上表面的钝化层。
6.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述凸块的高度为彩膜层厚度的1/2。
7.一种液晶显示面板的制造方法,其特征在于,包括步骤:
提供下透明基板,在所述下透明基板上表面的透射区和反射区分别同时形成薄膜晶体管和复数个凸块;
形成反射层,所述反射层覆盖所述凸块的上表面、所述凸块的侧壁,以及所述凸块的间隙处,所述反射层的上表面为凹凸表面;
形成彩膜层,所述彩膜层覆盖所述透射区和反射区,且所述彩膜层的上表面为平坦表面;
形成下透明电极,所述下透明电极覆盖所述彩膜层的上表面;
至此,形成第一基板;
将第二基板在第一基板上方相对放置,并在所述第一基板和所述第二基板之间填充液晶层。
8.根据权利要求7所述的液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述薄膜晶体管和所述凸块的形成方法包括步骤:
形成第一金属层,所述第一金属层位于所述下透明基板上表面的反射区和透射区,且所述第一金属层为分立的结构;
形成绝缘层,所述绝缘层覆盖于所述第一金属层上表面以及所述第一金属层侧壁;
形成非晶硅层,所述非晶硅层覆盖于所述绝缘层上表面的所述第一金属层对应位置;
形成第二金属层,所述第二金属层覆盖于所述非晶硅层上表面;
形成钝化层,所述钝化层覆盖于所述第二金属层上表面、所述第二金属层侧壁及部分所述绝缘层上表面,
所述透射区的第一金属层、绝缘层、非晶硅层和第二金属层以及钝化层形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极和漏极以及覆盖于薄膜晶体管上的钝化层;所述反射区的第一金属层、绝缘层、非晶硅层和第二金属层以及钝化层形成凸块的堆叠结构。
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