JP2000148042A

JP2000148042A - 電極配線基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2000148042A
Application number: JP10322682A
Authority: JP
Inventors: Hisakazu Nakamura; 久和中村
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-11-12
Filing date: 1998-11-12
Publication date: 2000-05-26

Abstract

(57)【要約】【課題】上層がエッチングレートが遅い金属層であ
り、下層がそれよりもエッチングレートが速い金属層で
ある２層以上の金属層に対してパターニングを行って、
膜剥がれが生じ難く、膜強度が高い配線又は電極を得
る。【解決手段】端子領域には、接続用端子電極の最上層
としてＩＴＯ層を形成する。表示領域には、上層に反射
効率の高いＡｌ層、その下層にバリアメタルとしてのＭ
ｏ層を有する反射電極を形成する。Ａｌ層とＭｏ層のパ
ターニングを行う際に、エッチング液を膜厚方向に噴射
して膜厚方向へのエッチング速度を速くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパーソナル
コンピュータ等のＯＡ（ＯｆｆｉｃｅＡｕｔｏｍａｔ
ｉｏｎ）機器やテレビジョンセット等のＡＶ（Ａｕｄｉ
ｏＶｉｓｕａｌ）機器等に利用される液晶表示装置の
製造方法及びそれに好適に用いられる電極配線基板の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置の中でも、カラー表
示が可能な反射型液晶表示装置は、低消費電力であるこ
と、携帯が利便であることなど観点から開発が進んでい
る。

【０００３】この反射型液晶表示装置において、反射手
段としては、従来、下側基板（背面側の基板）の外側に
反射板を設置したものが用いられてきた。しかし、画素
サイズが小さくなって表示容量が増大するに従って、ガ
ラス板等からなる基板の厚みで視差が生じるという問題
が発生している。

【０００４】この問題を解決するために、液晶層に接す
る面に反射手段を設けることが考えられ、その代表的な
構成としては、反射手段として反射機能と電極機能を併
せ持つ反射画素電極構造が挙げられる。この反射画素電
極の材料としては、反射率が高く、パターニング性が良
好で、低抵抗である等の理由から、Ａｌが使用されるこ
とが多い。

【０００５】ところで、反射画素電極が形成される基板
には、他にも種々の金属配線が形成されている。

【０００６】例えば、図１２に示すように、液晶表示装
置の基板端部にある端子領域には、外部からの駆動信号
を入力するためのドライバが設置されている。そして、
このドライバと画素電極に電圧を供給する配線とを接続
する接続端子電極も基板端部に形成されている。この図
１２では、液晶層を挟んで対向配置される上側ガラス基
板１１０と下側ガラス基板１０５のうち、下側ガラス基
板１０５の表示領域１１１よりも外側の端子領域に、端
子部１１４とゲート側端子部１１２とソース側端子部１
１３とが設けられている。１１５はコモン転移電極部で
ある。

【０００７】ゲート側端子部１１２では、図１３（ａ）
に示すように、ゲート配線１０３と同じ材料からなる金
属層１０３ａ上の絶縁膜１０４に開口部が設けられ、そ
の上にソース配線と同じ材料からなる金属層１０２ａ及
びＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）層１０
１が積層形成されて、突起電極を介してゲート駆動用Ｉ
Ｃと接続されている。

【０００８】ソース側端子部１１３では、図１３（ｂ）
に示すように、ゲート配線と同じ材料からなる金属層１
０３ａ上の絶縁膜１０４に開口部が設けられ、ソース配
線と同じ材料からなる金属層１０２ａ及びＩＴＯ層１０
１が積層形成されて、突起電極を介してソース駆動用Ｉ
Ｃと接続されている。

【０００９】端子部１１４では、ゲート配線と同じ材料
からなる金属層１０３ａがゲート側端子部１１２やソー
ス側端子部１１３から延設され、その上の絶縁膜１０４
の開口部上にソース配線と同じ材料からなる金属層１０
２ａ及びＩＴＯ層１０１が積層形成されている。

【００１０】このように、端子領域に設けられる接続端
子電極の最上層の材料としては、空気に対して安定であ
ること、及び接続抵抗が低いこと等の理由から、ＩＴＯ
が使用されてきた。しかし、ＩＴＯ層が形成されている
基板にＡｌからなる配線や電極を形成すると、電食反応
が起こってＩＴＯ層が欠落するという問題が生じる。

【００１１】そこで、ＩＴＯ層とＡｌ層との間に保護金
属層としてＭｏ層を形成することが検討されている。Ａ
ｌ層とＭｏ層とは、別々のエッチング液でパターニング
しなくても、同じエッチング液でパターニング可能なこ
とが知られている。

【００１２】このときのエッチング方法としては、図１
４に示すようなディップ方式が知られている。この方法
は、基板４０を上ローラ４１ａと下ローラ４１ｂとに挟
み、エッチング槽内に進入させた後でエッチング液４２
に基板が浸るようにするか、又はエッチング液４２が充
填されている槽内に基板を進入させる方法である。ま
た、金属層の表面においてエッチング液の濡れ性を向上
させるために、ディップ方式にシャワー方式を併用した
方法も知られている。いずれの方法でも、少なくとも基
板の膜面側にエッチング液が浸る状態でエッチングが行
われる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、電食防
止を目的として形成したＭｏ層をＡｌ層の下層側に配置
すると、上層膜であるＡｌ層よりも下層膜であるＭｏの
エッチングレートが速い膜構成となる。このため、同一
のエッチング液を用いて１回のエッチング処理でパター
ニングする際に、従来のように、図１４に示すようなデ
ィップ方式のみでエッチングを行ったり、シャワー方式
を併用してもディップ成分が多いエッチングを行うと、
図１５に示すように、断面が逆テーパのきのこ形状とな
り、膜強度が低くなって膜剥がれが生じやすい。ここ
で、１はガラス基板、２はＭｏ層、３はＡｌ層を示す。

【００１４】以下に、ディップ方式によるＡｌ層及びＭ
ｏ層のエッチングについて、図７を用いてさらに詳細に
説明する。

【００１５】図１６（ａ）に示すように、ガラス基板１
上に積層形成したＭｏ層２及びＡｌ層３の上に、フォト
レジスト膜４を所望の形状にパターニングして配置す
る。

【００１６】この基板に対してディップ方式によりエッ
チングを行うと、Ａｌ層及びＭｏ層は以下のようにして
等方的にエッチングされる。

【００１７】まず、図１６（ｂ）に示すように、上層で
あるＡｌ層３でエッチングが進行し、Ａｌ層３のエッチ
ングが終了された後に、図１６（ｃ）に示すようにＭｏ
層２がエッチングされる。このとき、Ｍｏ層２のエッチ
ングレートはＡｌ層３のエッチングレートよりも速いの
で、Ａｌ層３の水平方向へのエッチングが進行する以上
の速さでＭｏ層３の水平方向へのエッチングが進行して
いく。図１６（ｂ）及び図７（ｃ）において、矢印の長
さはエッチングの速さを示している。

【００１８】従って、Ｍｏ層２の膜厚方向へのエッチン
グが終了したときには、図１６（ｄ）に示すように、上
層膜であるＡｌ層の形状よりも細った形状でパターニン
グされることになる。その後、フォトレジスト膜４を除
去すると、図１６（ｅ）に示すようなきのこ形状の断面
となる。

【００１９】さらに、シャワー方式を併用した場合で
も、従来は、金属層の表面においてエッチング液の濡れ
性を向上させて、金属層の面内でエッチングレートが均
一になるようにするのが目的であった。このため、Ａｌ
層とＭｏ層のエッチングレートへの影響は殆ど無く、同
様なきのこ形状の断面となっていた。

【００２０】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、下層よりもエッチングレ
ートが遅い金属層が上層に配置されていても、下層の細
りや膜剥がれを防ぐことができる電極配線基板の製造方
法及び液晶表示装置の製造方法を提供することを目的と
する。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の電極配線基板の
製造方法は、エッチングレートの異なる２種類以上の金
属層からなり、そのうちの隣合う２層に、エッチングレ
ートが遅い層を上層とし、それよりもエッチングレート
が速い層を下層として積層されたものを含む配線又は電
極が形成されている電極配線基板の製造方法であって、
基板上に該下層及び該上層となる金属膜を積層形成する
工程と、該金属膜に対して膜厚方向にエッチング液を噴
射することにより金属膜をパターニングする工程とを含
み、そのことにより上記目的が達成される。

【００２２】本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶
層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの少な
くとも一方の基板上に、エッチングレートの異なる２種
類以上の金属層からなり、そのうちの隣合う２層に、エ
ッチングレートが遅い層を上層とし、それよりもエッチ
ングレートが速い層を下層として積層されたものを含む
配線又は電極が形成されている液晶表示装置の製造方法
であって、該基板上に該下層及び該上層となる金属膜を
積層形成する工程と、該金属膜に対して膜厚方向にエッ
チング液を噴射することにより金属膜をパターニングす
る工程とを含み、そのことにより上記目的が達成され
る。

【００２３】前記上層がＡｌ層であり、その下層がＭｏ
層である２層を含んでいてもよい。

【００２４】前記２種類以上の金属層からなる配線又は
電極の基板側に、ＩＴＯ層からなる他の配線又は電極が
形成されていてもよい。

【００２５】以下に、本発明の作用について説明する。

【００２６】本発明にあっては、配線又は電極を構成す
る金属層が、上層にエッチングレートが遅い金属層、下
層にそれよりもエッチングレートが速い金属層が隣合っ
て積層された２層を含んでいる場合に、膜厚方向にエッ
チング液を噴射してパターニングを行う。後述する実施
形態において図２に示すようにシャワー方式によりエッ
チングを行うか、又はディップ方式と併用する場合でも
シャワー成分が支配的になるようにすれば、図３に示す
ように水平方向よりも膜厚方向へのエッチングの速度が
速くなる。その結果、図１に示すような断面形状の配線
や電極が得られ、膜強度が低くなったり、膜剥がれが生
じたりすることはない。

【００２７】例えば、反射画素電極としてＡｌ層を用い
た反射型液晶表示装置において、接続端子電極の最上層
にＩＴＯ層を用いた場合、Ａｌ層の下層にＭｏ層を形成
してＩＴＯ層とＡｌ層の電食を防ぐことができる。Ｍｏ
層はＡｌ層よりもエッチングレートが速いが、Ｍｏ層の
膜厚方向へのエッチングの速度を水平方向よりも速く
し、さらに、Ａｌ層の水平方向へのエッチングの速度を
遅くすることができる。これにより、順テーパ状の断面
形状が得られ、膜強度の低下や膜剥がれを防ぐことがで
きる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００２９】本発明にあっては、エッチングレートが遅
い金属膜の下層に、エッチングレートがそれよりも速い
金属膜が積層形成されている場合に、図１に示すような
順テーパの断面形状を有する電極又は配線を得るため
に、シャワー方式を用い、又はシャワー方式とディップ
方式を併用して、膜厚方向にエッチング液を噴射しなが
らエッチングを行う。シャワー方式とディップ方式とを
併用する場合には、シャワー成分が支配的になるように
する。

【００３０】シャワー方式のエッチング方法において
は、図２に示すように、基板４０を上ローラ４１ａと下
ローラ４１ｂとに挟んでエッチング槽内に進入させて、
膜面側からエッチング液４２をシャワー方式により噴射
する。この方法でエッチングを行うと、膜厚方向へのエ
ッチングレートが速くなって水平方向のエッチングより
も膜厚方向へのエッチングが支配的になるので、図１に
示すような順テーパ形状が得られる。

【００３１】以下に、シャワー方式によるＡｌ層及びＭ
ｏ層のエッチングについて、図３を用いてさらに詳細に
説明する。

【００３２】図３（ａ）に示すように、ガラス基板１上
に積層形成したＭｏ層２及びＡｌ層３の上に、フォトレ
ジスト膜４を所望の形状にパターニングして配置する。

【００３３】この基板に対してシャワー方式によりエッ
チング液を噴射させてエッチングを行うと、まず、図３
（ｂ）に示すように、上層であるＡｌ層３でエッチング
が進行してゆく。このとき、膜厚方向にエッチングされ
る速度は、水平方向にエッチングされる速度よりも速
い。このため、図３（ｃ）に示すように、水平方向への
エッチング量が少ないうちに膜厚方向へのエッチングが
完了する。

【００３４】次に、Ｍｏ層２のエッチングが始まる。こ
のとき、Ａｌ層３と同様に、シャワー方式によりエッチ
ング液を噴射させてエッチングを行うと、水平方向への
エッチング量が少ないうちに膜厚方向にエッチングされ
ていくので、図３（ｄ）のような断面形状にエッチング
が進行する。

【００３５】その後、フォトレジスト膜４を除去する
と、図３（ｅ）に示すような断面形状の配線又は電極が
得られる。

【００３６】複数の金属層を積層した配線又は電極にお
いて、図１のような順テーパ形状が得られるので、この
基板に対してそれ以降、液晶表示装置を製造するための
プロセスを行ったとしても、強い膜強度を保つことがで
き、膜剥がれが生じるのを防ぐことができる。

【００３７】以下に、本発明のさらに具体的な実施形態
について、反射型液晶表示装置を一例として説明する。

【００３８】図４は本実施形態の反射型液晶表示装置に
おけるアクティブマトリクス基板の１画素分の構成を示
す平面図であり、図７（ｈ−１）はそのアクティブマト
リクス基板のＡ−Ａ’線部分（表示領域）の構成を示す
断面図であり、図７（ｈ−２）はそのアクティブマトリ
クス基板において基板端にある端子領域の構成を示す断
面図である。

【００３９】このアクティブマトリクス基板２０は、図
４及び図７（ｈ−１）に示すように、絶縁性基板である
ガラス基板１１の上に、走査線としての複数のゲートバ
スライン２２及び信号線としての複数のソースバスライ
ン２４が互いに交差して設けられている。このソースバ
スライン２４は、金属層３１ａとＩＴＯ層３０の２層構
造からなる。各ゲートバスライン２２及び各ソースバス
ライン２４によって区切られた各領域には、各バスライ
ンに一部重畳して反射板としても兼用される画素電極
（反射電極）１９が形成されている。画素電極１９は、
上層に光反射率の高い材料であるＡｌ層１９ａ、その下
層にＭｏ層１９ｂを有する２層構造の電極である。

【００４０】各画素電極１９が配置された領域内の隅部
には、ゲートバスライン２２から画素電極１９に向かっ
て分岐されたゲート電極２３が設けられ、その先端部分
にスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）２１が形成されている。ゲート電極２３は、ＴＦＴ
２１の一部を構成する。

【００４１】ＴＦＴ２１は、図７（ｈ−１）に示すよう
に、ガラス基板１１の上に形成されたゲート電極２３の
上に配設されている。ゲート電極２３はゲート絶縁膜１
２により覆われており、その上にゲート電極２３と対向
するように半導体層２７が積層されている。この半導体
層２７の両端部に重畳して、半導体層２７の上で２つに
分断されたコンタクト層２８ａ、２８ｂが形成されてい
る。

【００４２】一方のコンタクト層２８ａの上には、ソー
スバスライン２４からＴＦＴ２１に向かって分岐された
ソース電極２５が重畳されてＴＦＴ２１の一部を構成し
ている。他方のコンタクト層２８ｂの上には、ＴＦＴ２
１のドレイン電極２６がソース電極２５と間隔を開けて
設けられている。このドレイン電極２６は、下地電極３
１ｂにより、高分子樹脂膜１５のコンタクトホール２９
を介して画素電極１９と電気的に接続されている。

【００４３】図４には示していないが、下地電極３１ｂ
と次段のゲートバスライン２２とが、ゲート絶縁膜１２
を介して重なるような構造とすることにより、補助容量
を設けることができる。

【００４４】さらに、下地電極３１ｂを後述する凹凸樹
脂部が存在するほぼ全領域に形成することにより、プロ
セスの影響を均一にすることが可能となる。

【００４５】端子領域では、図７（ｈ−２）に示すよう
に、ガラス基板１１上にゲートバスライン２２と同じ材
料からなる金属層２３ａが形成され、その上を覆うゲー
ト絶縁膜１２の開口部上にソースバスラインと同じ材料
からなる金属層５０及びＩＴＯ層５１が積層形成されて
いる。

【００４６】この反射型液晶表示装置において、アクテ
ィブマトリクス基板は例えば以下のようにして作製する
ことができる。

【００４７】まず、図５（ａ−１）に示すように、ガラ
ス基板１１上に図２０に示すような複数のゲートバスラ
イン２２とこのゲートバスライン２２から分岐したゲー
ト電極２３とをＣｒやＴａ等により形成する。このと
き、端子領域では、図５（ａ−２）に示すように、ガラ
ス基板上にゲートバスライン２２と同じ材料からなる金
属層２３ａを形成する。本実施形態では、ガラス基板１
１として厚さ１．１ｍｍのコーニング社製７０５９（商
品名）を用いた。

【００４８】次に、ゲートバスライン２２及びゲート電
極２３を覆って、ガラス基板１１上の全面にＳｉＮ_Xや
ＳｉＯ_X等からなるゲート絶縁膜１２を形成する。この
とき、端子領域では、ゲート絶縁膜１２を金属層２３ａ
を覆うように形成し、その後、ドライエッチング等によ
り開口部を設ける。

【００４９】続いて、ゲート絶縁膜１２の上に、非晶質
シリコン（ａ−Ｓｉ）や多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等か
らなる半導体層２７を形成し、ｎ⁺−ａ−Ｓｉ等からな
るコンタクト層２８ａ、２８ｂを半導体層２７の両端部
に重畳するように形成する。

【００５０】その後、図５（ｂ−１）に示すように、ソ
ースバスライン２４を構成するＴｉ等の金属層３１ａを
形成し、同時に一方のコンタクト層２８ａの上にはソー
ス電極２５を重畳形成する。それと共に他方のコンタク
ト層２８ｂの上にはドレイン電極２６を重畳形成し、ド
レイン電極２６の延長部は下地電極３１ｂとなる。この
とき、端子領域では、図５（ｂ−２）に示すように、ゲ
ート絶縁膜１２の開口部にソースバスライン２４と同じ
材料からなる金属層５０を形成する。

【００５１】次に、図５（ｃ−１）に示すように、ソー
スバスライン２４を構成する金属層３１ａの上にＩＴＯ
層３０をスパッタリング法によりパターニングする。こ
のように、ソースバスライン２４を構成する層を金属層
３１ａとＩＴＯ層３０との２層構造にすることにより、
金属層３１ａの一部に膜欠陥が生じたとしても、ＩＴＯ
層により電気的に接続されるためにソースバスライン２
４の断線を少なくすることができるという利点がある。
このとき、端子領域では、図５（ｃ−２）に示すよう
に、金属層５０の上に最上層としてＩＴＯ層５１を形成
する。このように、接続端子電極の最上層に、空気に対
して安定で接続抵抗が低いＩＴＯ層５１をソースバスラ
イン２４のＩＴＯ層３０と同時に形成することができる
ので、層数増加を防ぐことができる。

【００５２】続いて、図６（ｄ−１）に示すように、画
素電極１９がパターニングされる領域の下の部分に、感
光性樹脂からなる角落としされた断面略円形状の凸部１
４ａ及び１４ｂを形成する。

【００５３】その後、さらに滑らかな凹凸面を形成する
ため、図６（ｅ−１）に示すように、高分子樹脂膜１５
を塗布した。

【００５４】次に、図６（ｆ−１）及び図６（ｆ−２）
に示すように、Ｍｏ層１９ｂを形成する。このＭｏ層１
９ｂは、基板内に設けられているＩＴＯ層とＡｌ層との
間の電食を防止するバリアメタルとして使用されるの
で、その膜厚は５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であればよ
く、本実施形態では２００ｎｍとなるようにスパッタリ
ング法により成膜した。

【００５５】続いて、図７（ｇ−１）及び図７（ｇ−
２）に示すように、画素電極１９を構成するＡｌ層１９
ａを形成する。このＡｌ層１９ａは、反射電極として使
用するために高い反射率が得られる５ｎｍ〜１０００ｎ
ｍ程度の膜厚が必要であり、本実施形態では２００ｎｍ
となるようにスパッタリング法により成膜した。但し、
Ａｌ層１９ａとＭｏ層１９ｂとの膜厚は、各々の目的を
達成するために適当な組み合わせに設定することができ
る。また、成膜方法も蒸着等、各種の薄膜作製方法によ
り行うことができる。

【００５６】このようにして形成されたバリアメタルと
してのＭｏ層１９ｂと光反射効率の高い層であるＡｌ層
１９ａとからなる画素電極１９は、連続的な波状の高分
子樹脂膜１５の上に形成され、その上表面が連続する波
状となる。そして、この画素電極１９は、高分子樹脂膜
１５のコンタクトホール２９を介してドレイン電極２６
と導通している。

【００５７】その後、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す
ように、Ａｌ層１９ａ及びＭｏ層１９ｂの２層膜の上に
フォトレジスト膜４を形成し、図８（ｃ）及び図８
（ｄ）に示すように、フォトマスク５を用いてフォトリ
ソグラフィ法により所望のパターンにパターニングす
る。そして、基板にシャワー方式のみを用いてエッチン
グ液を噴射して、図８（ｅ）に示すようにＡｌ層１９ａ
及びＭｏ層１９ｂをパターニングする。この工程によ
り、端子領域に存在するＡｌ層１９ａ及びＭｏ層１９ｂ
も図７（ｈ−２）に示すように除去し、接続端子電極の
最上層にあるＩＴＯ層５１を露出させる。このときのエ
ッチング液の混合比は適当に選択することができ、本実
施形態では硝酸、リン酸、酢酸及び水の混合液をエッチ
ング液として用いた。なお、Ａｌ層１９ａ及びＭｏ層１
９ｂを１回のエッチング工程でパターニングすることが
できるエッチング液であれば、他のものを用いてもよ
い。

【００５８】エッチング後、フォトレジスト膜を除去す
ることにより、図８（ｆ）に示すような順テーパの断面
形状を有する画素電極１９が得られる。なお、この図８
においては、説明を簡単にするために、ＴＦＴ、配線、
凸部、高分子樹脂膜を省略して示してある。

【００５９】以上により、図７（ｈ−１）及び図７（ｈ
−２）に示すようなアクティブマトリクス基板が作製さ
れる。

【００６０】さらに、エッチング方法としてディップ方
式とシャワー方式とを併用した処理について行った場合
にも、シャワー処理を支配的に行えば、図８（ｆ）と同
様な順テーパ形状が得られた。従って、膜厚方向に対し
てエッチングの速度を増大させるようにエッチング液を
噴射させることにより、図１に示すように断面が順テー
パ形状で、膜強度の高い２層構造の電極や配線が得られ
ることがわかる。

【００６１】このようにしてＡｌ層及びＭｏ層をパター
ニングした基板に対して、以下のようなピールテストに
より密着性試験を行い、膜強度を調べた（参考文献：
「薄膜の力学的特性評価技術」、金原粲、河野彰
夫、生地文也、馬場茂編集、ＲＥＡＬＩＺＥＩ
ＮＣ．）。

【００６２】まず、Ａｌ層及びＭｏ層をパターニングし
た基板に、テープを約１ｃｍ²貼り付け、一定の力で基
板に対して水平方向に引っ張ってテープを剥す。このと
きのＡｌ層及びＭｏ層の剥がれ方によってその膜密着強
度を調べることができる。金属層のパターニング形状
は、所望する精細度によって数μｍ〜数ｍｍと異なる
が、ここでは数百μｍピッチのパターニングを行った基
板で実験を行った。

【００６３】その結果、Ａｌ層及びＭｏ層のパターニン
グをシャワー方式のみ、又はディップ方式とシャワー方
式とを併用してシャワー処理を支配的に行った場合に
は、膜剥がれが全く発生しなかったのに対し、ディップ
方式のみでパターニングを行った図１５に示すような断
面を有する２層構造の金属層では、１ｃｍ²当たりに約
数十箇所の膜剥がれが発生した。

【００６４】さらに、このアクティブマトリクス基板を
用いて反射型液晶表示装置を作製する場合には、反射電
極を形成後、配向膜形成プロセスを経ることになる。こ
の配向膜の形成方法は、オフセット印刷法やスピンコー
ディング法等で基板上に配向膜を塗布し、熱焼成工程及
び硬化工程を経た後、ラビングと称される配向処理工程
が行われる。従って、Ａｌ層とＭｏ層とをパターニング
した基板に対して、外的衝撃が加えられることになる。

【００６５】しかし、上述のようにシャワー方式のみ、
またはディップ方式とシャワー方式とを併用してシャワ
ー処理を支配的に行った場合には、膜剥がれが生じるこ
とはなかった。

【００６６】その後、図９に示すように、配向膜３２ａ
が設けられたアクティブマトリクス基板と、ガラス基板
３５上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層３４ａと遮光層３４ｂと
を有するカラーフィルター３４、ＩＴＯ層３３からなる
対向電極及び配向膜３２ｂを形成した対向基板３８とを
スペーサーを介して熱硬化性接着剤により貼り合わせ、
真空注入法により液晶３６を注入する。そして、対向基
板３８側に位相差板３６及び偏光板３７を配置すること
により反射型液晶表示装置が完成する。

【００６７】なお、上記実施形態においては、画素が反
射電極で構成されている反射型液晶表示装置の製造方法
を例として説明したが、本発明はこれに限られるもので
はない。例えば、図１０及びそのＢ−Ｂ’線部分の断面
図である図１１に示すように、画素がＡｌ層１９ａから
なる反射電極とＩＴＯ層３９からなる透明電極とで構成
されている透過反射両用型液晶表示装置において、Ａｌ
層１９ａの下層にＭｏ層を設けた構成についても、同様
の効果を得ることができ、端子部のみではなく画素部に
おいても電食を防ぐことができた。なお、この図１１に
おいて、１２ａは下地膜、１２ｂはバックライトであ
る。

【００６８】さらに、エッチングレートの異なる金属層
についても、Ａｌ層とＭｏ層との組み合わせに限られ
ず、上層にエッチングレートの遅い金属層が設けられ、
下層にそれよりもエッチングレートの速い金属層が設け
られている構成であれば、他の金属材料についても適用
可能であり、例えば、上層にＴｉ層、下層にＡｌ層が積
層形成された２層構造の配線であってもよい。さらに、
３層以上の電極又は配線であってもよく、ＴａＮ／Ｔａ
／ＴａＮの３層構造の場合、エッチングレートが遅いＴ
ａ層（２層目）とそれよりもエッチングレートが速いＴ
ａＮ層（３層目）について、形状がオーバーハングしな
いようにすることができる。

【００６９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、エッチングレートが遅い金属層の下層にエッチン
グレートがそれよりも速い金属層が積層されている２層
以上の電極又は配線を形成する際に、１回のエッチング
工程でその上層と下層とをパターニングすることができ
るので、製造工程の簡略化を図ることができる。また、
順テーパ状の断面形状が得られるので、膜強度を強くし
て信頼性を向上させることができる。さらに、電極や配
線を形成した後の製造工程においても、膜剥がれが生じ
難いので、表示装置の製造歩留りを向上させることがで
きる。

【００７０】端子領域や表示領域にＩＴＯ層を有する基
板上に、上層にＡｌ層を有し、その下層にＭｏ層を有す
る電極や配線を形成することができるので、電食を防い
で製造歩留りを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により得られる電極又は配線の形状につ
いて説明するための断面図である。

【図２】本発明による電極配線基板の製造方法を説明す
るための断面図である。

【図３】本発明による電極配線基板の製造工程を説明す
るための断面図である。

【図４】実施形態において作製されるアクティブマトリ
クス基板の構成を示す平面図である。

【図５】実施形態におけるアクティブマトリクス基板の
製造工程を説明するための断面図である。

【図６】実施形態におけるアクティブマトリクス基板の
製造工程を説明するための断面図である。

【図７】実施形態におけるアクティブマトリクス基板の
製造工程を説明するための断面図である。

【図８】実施形態における画素電極の製造工程を説明す
るための断面図である。

【図９】実施形態において作製される反射型液晶表示装
置の構成を示す断面図である。

【図１０】本発明を適用可能なアクティブマトリクス基
板の構成を示す平面図である。

【図１１】図２５のアクティブマトリクス基板の構成を
示す断面図である。

【図１２】一般的な液晶表示装置の構成を示す平面図で
ある。

【図１３】図３０の液晶表示装置における端子部の構成
を示す断面図である。

【図１４】従来技術による電極配線基板の製造方法を説
明するための断面図である。

【図１５】従来技術により得られる電極又は配線の形状
について説明するための断面図である。

【図１６】従来技術による電極又は配線の製造工程を詳
細に説明するための断面図である。

【符号の説明】

１、１１、３５ガラス基板２、１９ｂＭｏ層３、１９ａＡｌ層４フォトレジスト膜５フォトマスク１２ゲート絶縁膜１２ａ下地膜１２ｂバックライト１４ａ、１４ｂ凸部１５高分子樹脂膜２０アクティブマトリクス基板２１ＴＦＴ２２ゲートバスライン２３ゲート電極２３ａゲートバスラインと同じ材料からなる金属層２４ソースバスライン２５ソース電極２６ドレイン電極２７半導体層２８ａ、２８ｂコンタクト層２９コンタクトホール３０、３３、３９、５１ＩＴＯ層３１ａ金属層３１ｂ下地電極３２ａ、３２ｂ配向膜３４カラーフィルター３４ａ着色層３４ｂ遮光層３６位相差板３７偏光板３８対向基板４０基板４１ａ上ローラ４１ｂ下ローラ４２エッチング液５０ソースバスラインと同じ材料からなる金属層

フロントページの続きＦターム(参考） 2H092 GA17 GA34 HA06 HA16 HA26 JB69 MA12 MA18 NA18 NA19 NA27 NA29 PA01 4K057 WA11 WB05 WB08 WB15 WM09 WN01 5C094 AA31 AA42 AA43 BA03 BA43 DA09 DA13 DB02 DB04 EA10 FA02 FB02 FB12 GB10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エッチングレートの異なる２種類以上の
金属層からなり、そのうちの隣合う２層に、エッチング
レートが遅い層を上層とし、それよりもエッチングレー
トが速い層を下層として積層されたものを含む配線又は
電極が形成されている電極配線基板の製造方法であっ
て、基板上に該下層及び該上層となる金属膜を積層形成する
工程と、該金属膜に対して膜厚方向にエッチング液を噴射するこ
とにより金属膜をパターニングする工程とを含む電極配
線基板の製造方法。
【請求項２】液晶層を間に挟んで対向配置される一対
の基板のうちの少なくとも一方の基板上に、エッチング
レートの異なる２種類以上の金属層からなり、そのうち
の隣合う２層に、エッチングレートが遅い層を上層と
し、それよりもエッチングレートが速い層を下層として
積層されたものを含む配線又は電極が形成されている液
晶表示装置の製造方法であって、該基板上に該下層及び該上層となる金属膜を積層形成す
る工程と、該金属膜に対して膜厚方向にエッチング液を噴射するこ
とにより金属膜をパターニングする工程とを含む液晶表
示装置の製造方法。
【請求項３】前記上層がＡｌ層であり、その下層がＭ
ｏ層である２層を含む請求項２に記載の液晶表示装置の
製造方法。
【請求項４】前記２種類以上の金属層からなる配線又
は電極の基板側に、ＩＴＯ層からなる他の配線又は電極
が形成されている請求項２又は請求項３に記載の液晶表
示装置の製造方法。