CN1790141A - 显示装置和薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置、用于显示装置的薄膜晶体管(TFT)阵列装置及其制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板具有透射区和反射区，且包括：基板；透射电极，形成于所述基板上；反射电极，形成于所述透射电极上且设置于所述反射区上；第一延迟层，形成于所述反射电极上；和第二延迟层，形成于所述第一延迟层上且所述第二延迟层的快轴与所述第一延迟层的快轴面对不同的方向。

Description

显示装置和薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置、用于显示装置的薄膜晶体管(TFT)阵列装置及其制造方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。LCD包括夹置在设置有电场产生电极的两个面板之间的液晶(LC)层。通过将电压施加到电场产生电极以在LC层中产生电场，所述电场决定LC层中LC分子的取向来调整入射光的偏振，从而LCD显示图像。
根据光源，LCD被分为透射型LCD和反射型LCD，而透射LCD具有作为光源的背光。反射型LCD使用外部光作为光源。
使用背光和外部光作为光源的透反型(transflective)LCD也在开发中。透反型LCD具有透射LCD和反射LCD的优点。反射型LCD的优点是低功耗和在亮环境中的好的可见度，而透射型LCD的优点包括在比如室内的暗环境中的好的可见度。因此，无论环境的亮度如何，透反LCD均可以被使用，而且透反LCD由于其低功耗也用于移动显示器。
透反型LCD包括两个偏振膜，其仅允许特定的偏振光组分通过且设置于LCD的液晶面板的两侧。需要将λ/4延迟膜夹置于液晶面板和一个偏振膜之间。λ/4延迟膜引起对偏振光到达偏振光的1/4波长的相延迟。因此，将线偏振光通过λ/4延迟膜改变为圆偏振光且将圆偏振光通过λ/4延迟膜改变为线偏振光。当考虑到可见光的所有范围时，需要比如λ/2延迟膜的附加的延迟膜来引起λ/4相延迟。
但是，这样的延迟膜较昂贵。因此，制造透反型LCD的制造成本高于透射型LCD的制造成本。
发明内容
本发明提供了一种在液晶面板内形成有延迟层的LCD，由此减少制造成本。
本发明提供了一种具有延迟层的TFT阵列面板及其制造方法。
本发明提供了一种TFT阵列面板，所述阵列面板具有透射区和反射区，所述面板包括：基板；透射电极，形成于基板上；反射电极，形成于透射电极上且设置于反射区上；第一延迟层，形成于反射电极上；和第二延迟层，形成于第一延迟层上，且第二延迟层的快轴与第一延迟层的快轴面对不同的方向。
根据本发明的实施例，第一延迟层的快轴与第二延迟层的快轴形成50°和70°之间的角度。
根据本发明的实施例，第一延迟层是λ/4相延迟层，且第二延迟层是λ/2相延迟层。
根据本发明的实施例，TFT阵列面板还包括：第三延迟层，设置于透射区上；和第四延迟层，设置于第三延迟层上。
根据本发明的实施例，TFT阵列面板还包括：偏振膜，形成于基板的底表面上，其中第三和第四延迟层的快轴平行于或垂直于偏振膜的透射轴。
根据本发明的实施例，第三延迟层是λ/4相延迟层，且第四延迟层是λ/2相延迟层。
根据本发明的实施例，第一和第三延迟层形成为单层，且第二和第四延迟层形成为单层。
根据本发明的实施例，第一到第四延迟层是由液晶形成的液晶层。
根据本发明的实施例，反射电极的高度与透射电极的高度不同。
本发明提供了一种显示装置，所述显示装置具有透射区和反射区，所述显示装置包括：第一基板，具有内表面和外表面；第二基板，具有内表面和外表面，第一基板的内表面面对第二基板的内表面；透射电极，形成于第一基板上；反射电极，形成于透射电极上且设置于反射区上；第一延迟层，形成于反射电极上；和第二延迟层，形成于第一延迟层上，且第二延迟层的快轴与第一延迟层的快轴面对不同的方向；滤色器，形成于第二基板上；和公共电极，形成于滤色器上。
根据本发明的实施例，第一延迟层的快轴与第二延迟层的快轴形成50°和70°之间的角度。
根据本发明的实施例，第一和第二延迟层的快轴与偏振膜的透射轴形成为选自75°和15°、-75°和-15°、15°和75°、-15°和-75°的一对。
根据本发明的实施例，第一延迟层是λ/4相延迟层，且第二延迟层是λ/2相延迟层。
根据本发明的实施例，显示装置还包括：第三延迟层，设置于透射区上；和第四延迟层，设置于第三延迟层上。
根据本发明的实施例，TFT阵列面板还包括：偏振膜，形成于第一基板的外表面上，其中第三和第四延迟层的快轴平行于或垂直于偏振膜的透射轴。
根据本发明的实施例，第三延迟层是λ/4相延迟层，且第四延迟层是λ/2相延迟层。
根据本发明的实施例，设置于反射区的滤色器的厚度不同与设置于透射区的滤色器的厚度。
根据本发明的实施例，显示装置还包括：第一绝缘层，夹置于第二基板和滤色器之间且设置于透射区上；第二绝缘层，形成于公共电极上且设置于反射区上；其中滤色器在反射区上具有孔。
本发明提供了一种用于显示装置的TFT阵列面板的制造方法，所述面板具有反射区和透射区，所述方法包括：在基板上形成透射电极；在透射电极上形成反射电极以设置于反射区上；在反射电极上形成第一延迟层；和在第一延迟层上形成第二延迟层，第二延迟层的快轴与第一延迟层的快轴面对不同的方向。
根据本发明的实施例，形成第一延迟层包括：在反射电极上涂布第一光对准配向层；通过第一掩模照射第一光对准配向层以产生对准方向；在第一光对准配向层上涂布液晶材料以形成第一液晶层；和硬化第一液晶层。
根据本发明的实施例，形成第二延迟层包括：在第一延迟层上涂布第二光对准配向层；通过第二掩模照射第二光对准配向层以产生对准方向；在第二光对准配向层上涂布液晶材料以形成第二液晶层；和硬化第二液晶层。
根据本发明的实施例，所述方法还包括：在透射电极上形成第三延迟层以设置于透射区上；和在第三延迟层上形成第四延迟层。
根据本发明的实施例，第一和第三延迟层通过相同的工艺形成且第二和第四延迟层通过相同的工艺形成。
附图说明
从以下结合附图的描述，可以更详细地理解本发明的优选实施例，在附图中：
图1是根据本发明的实施例的LCD的布图；
图2和3是分别沿线II-II’和III-III’所取的图1所示的LCD的截面图；
图4是根据本发明的另一实施例的LCD的截面图；
图5到8是根据本发明的其他实施例的LCD的截面图；
图9、11、13和15是依次示出制造根据图1和4的实施例的LCD的TFT阵列面板的中间步骤的布图；
图10、12、14和16是分别沿图9的线X-X’、图11的XII-XII’、图13的XIV-XIV’和图15的XVI-XVI’所取的TFT阵列面板的截面图；
图17是根据图1和4的实施例的LCD的TFT阵列面板的截面图。
具体实施方式
现将参考附图在其后更加全面地描述本发明的优选实施例，在附图中显示了本发明的优选实施例。但是，本发明可以以不同的形式实现且不应解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开充分和完整，且将本发明的范围全面地传达给本领域的技术人员。
在附图中，为了清晰，夸大了层、膜和区的厚度。通篇相似的标号指示相似的元件。可以理解当比如层、膜、区和基板的元件被称为在另一元件“上”时，其可以直接在其他元件上，也可以存在中间元件。
现将参考附图详细描述根据本发明的实施例的显示装置、用于该显示装置的面板及其制造方法。
首先，将参考图1到3描述根据本发明的实施例的显示装置。
图1是根据本发明的实施例的LCD的布局图。图2和3是分别沿线II-II’和III-III’所截取的图1所示的LCD的截面图。
根据本实施例的LCD具有TFT阵列面板100、面对TFT阵列面板100的公共电极面板200、和夹置于两个面板100和200之间的液晶层3，且液晶层3具有与两个面板100和200平行排列或垂直排列的液晶。
可以将液晶层3中的液晶排列为在液晶层3的底侧和顶侧之间扭曲90°(扭曲向列模式，TN)。液晶层3中的液晶可以垂直于两个面板100和200排列(垂直配向模式，VA)。液晶层3中的液晶也可以平行于两个面板100和200且彼此平行排列(电控双折射模式，ECB)。
两个偏振膜12和22分别设置于两个面板100和200的外部。上偏振膜22的透射轴垂直于下偏振膜12的透射轴。
其后，将详细描述TFT阵列面板100。
参考图1到3，多条栅线121和存储电极线131形成于绝缘基板110上。
栅线121主要形成于水平方向且传输栅信号。每条栅线121具有成为多个栅电极124的突出。栅线121的端部分125具有用于与比如驱动电路的外部电路的扩展的宽度。
存储电极线131主要形成于水平方向，且具有形成存储电极133的多个突出。将比如公共电压的预定电压施加到存储电极线131，将公共电压施加到公共电极面板200的公共电极270。
栅线121和存储电极线131优选地由比如纯Al和Al合金的Al基金属、比如纯Ag和Ag合金的Ag基金属、比如纯Cu和Cu合金的Cu基金属、比如纯Mo和Mo合金的Mo基金属、Cr、Ti和Ta制成。栅线121和存储电极线131可以包括具有不同的物理特性的两层膜：下膜和上膜。上膜优选地由包括比如Al和Al合金的含Al金属的低电阻率金属制成，用于在栅线121和存储电极线131中减小信号延迟或电压降。另一方面，下膜优选地由比如Cr、Mo和比如MoW的Mo合金的材料制成，这些材料具有与比如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的其他材料好的物理、化学和电接触特性。下膜材料和上膜材料的组合的好的实例是Cr和Al-Nd合金。栅线121和存储电极线131可以具有多于或等于三的多层。
另外，栅线121和存储电极线131的横向侧面相对于基板110的表面倾斜，且其倾斜角范围为约30-80角度。
由比如SiNx制成的栅绝缘层140形成于栅线121和存储电极线131上。
由氢化非晶硅(简称“a-Si”)制成的多个半导体条151形成于栅绝缘层140上。每个半导体条151基本沿纵向方向延伸，且具有向栅电极124分出的多个突出154。多个半导体段157从突出154延伸以覆盖部分的存储电极133。
多个欧姆接触条161和岛165优选地由硅化物或n型杂质重掺杂的n+氢化a-Si制成，且形成于半导体条51上。每个欧姆接触条161具有多个突出163，且突出163和欧姆接触岛165成对地位于半导体条151的突出154上。
半导体151和157且欧姆接触161和165的侧面相对于基板110的表面倾斜，且其倾斜角优选地在约30-80度的范围。
多条数据线171、多个数据电极175和多个存储电容器导体177形成于欧姆接触161和165与栅绝缘层140上。
用于传输数据电压的数据线171基本沿纵向延伸且与栅线121相交。每个数据线171包括延展部179，延展部179具有与另一层或外部器件接触的较大的面积。
每个数据线171的多个分支围绕漏电极175的端部，形成了多个源电极173。将每对源电极173和漏电极175彼此分离且相对于栅电极124彼此相对。栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体条151的突出154一起形成TFT，所述TFT具有形成于突出154且设置于源电极173和漏电极175之间的沟道。
存储电容器导体177与部分的存储电极133重叠，且存储电容器导体177形成于半导体段157上。
数据线171、漏电极175和存储电容器导体177优选地由具有强耐化学品的材料制成，比如Cr、Mo基金属、Ta和Ti。数据线171、漏电极175和存储电容器导体177可以具有多层结构，所述结构包括由Mo、Mo合金或Cr制成的下膜和位于其上且由含Al金属或含Ag金属制成的上膜。
相似于栅线121和存储电极线131，数据线171、漏电极175和存储电容器导体177具有相对于基板110的锥形的侧面，且其倾斜角范围为约30-80角。
欧姆接触161和165仅夹置于下面的半导体151、154和157和上面的数据线171、漏电极175和存储电容器导体177之间，且减少了它们之间的接触电阻。半导体条151包括多个暴露的部分，其没有用数据线171和漏电极175覆盖，比如位于源电极173和漏电极175之间的部分。
钝化层180形成于数据线171、漏电极175、存储电极电容器177和没有用数据线171和漏电极175覆盖的半导体条151的暴露的部分上。钝化层180优选地由比如SiNx或SiO2的无机绝缘材料制成。有机绝缘层187形成于钝化层180上。由具有好平坦化特性的感光有机材料形成有机层187。这里，有机层187具有压纹表面。在栅线121和数据线171的延展部125和179上去除有机绝缘层187，由此暴露钝化层180。
钝化层180具有暴露数据线171的延展部179的接触孔183。钝化层180和栅绝缘层140具有暴露栅线121的延展部125的接触孔182。钝化层180和有机绝缘层187具有暴露漏电极175的接触孔185。接触孔182、183和185可以具有各种水平部分，比如多边形或圆形形状，且可以具有相对于基板110的表面倾斜的侧表面，且其倾斜角优选地在约30-85角的范围中。
多个像素电极190形成于有机绝缘层187上。
每个像素电极190包括透射电极192和形成于其上的反射电极194。透射电极192由比如ITO或IZO的透明导电材料制成，且反射电极194由具有比如Al、Al合金、Ag或Al合金的高反射率的金属制成。由于有机绝缘层187的压纹的表面，反射电极194具有压纹的表面，由此提高了反射电极194的反射特性。
像素电极190还可以包括由Mo、Mo合金、Cr、Ti或Ta制成的接触辅助层(未示出)。接触辅助层提供了透射电极192和反射电极194之间的接触特性，由此防止由于透射电极192对反射电极194的腐蚀。
像素具有透射区TA和反射区RA。透射区TA是没有设置反射电极194的区域且反射区RA是设置反射电极194的区域。有机绝缘层187具有在透射区TA上的透射窗口195。在透射区TA的单元间隙几乎是反射区RA的单元间隙的两倍大。因此，可以控制经过反射区RA的液晶层3的光的路径长度与透射区TA的液晶层3的光的路径长度几乎相同。因此，减小了反射模式和透射模式之间的光特性的差异。
将像素电极190通过接触孔185物理和电连接到存储电容器导体177，而所述导体177连接到漏电极175，使得像素电极190从漏电极175接收数据电压。
提供有数据电压的像素电极190与公共电极270协作产生电场。电场重新取向设置于其之间的液晶层3中的液晶分子。
像素电极190和公共电极270形成液晶电容器，其在关闭TFT之后存储施加的电压。将称为“存储电容器”的附加的电容器并联连接到液晶电容器。通过重叠漏电极175的存储电容器导体177和存储电极133从而实现存储电容器。通过重叠像素电极190和在前的栅线121从而可以实现存储电容器。在该情形，可以省略存储电极线131。
像素电极190与栅线121和数据线171重叠以增加开口率，但这是可选的。
多个接触辅助95和97形成于钝化层180上。接触辅助95和97分别通过接触孔182和183连接到栅线121的暴露的延展部125和数据线171的暴露的延展部179。接触辅助95和97保护延展部125和179且补充延展部125和179与外部器件之间的附着性。接触辅助95和97不是基本的元件，且其可以由与透射电极192或反射电极194之一相同的材料形成。
延迟层13形成于透射电极192的暴露的部分上和反射电极194。延迟层13补偿透过延迟层13的光的相延迟。通过硬化液晶层形成延迟层13。
延迟层13引起对于透过延迟层13的光的最大λ/4的相延迟。
设置于反射区RA上的延迟层13的快轴与上偏振膜22的透射轴形成45°的角度。因此，设置于反射区RA的延迟层13引起对于通过上偏振膜22的偏振光的最大相延迟。延迟层13产生在平行于快轴的偏振光的组分和垂直于快轴的偏振光的组分之间达到为λ/4的相延迟。由此设置于反射区RA上的延迟层13通过上偏振膜22将线偏振光改变为圆偏振光且将圆偏振光改变为线偏振光。
同时，设置于透射区TA上的延迟层13的快轴与下偏振膜12的透射轴平行。因此，延迟层13对于通过下偏振膜的偏振光不产生相延迟。
即，延迟层13在反射区RA对于通过上偏振膜22偏振的反射光引起相延迟，但在透射区TA对于通过下偏振膜12偏振的透射光不引起相延迟。
光对准配向层(未显示)设置于像素电极190和延迟层13之间。照射方向可以在反射区RA和透射区TA之间有差别，从而区分两个区RA和TA之间的对准方向。由此，可以控制延迟层13的快轴在两个区RA和TA之间面对不同的方向。
形成于延迟层13的快轴与两个偏振膜12和22的透射轴之间形成的角度可以在从-5到5度的范围中被调整。
面对TFT阵列面板100的公共电极面板200包括由比如玻璃的透明材料形成的绝缘基板210和称为黑矩阵的光阻挡构件210。光阻挡构件220防止像素电极190之间的光泄漏，且界定相应于像素电极190的开口区。
多个滤色器230形成于基板210和光阻挡构件220上以填充由光阻挡构件220界定的开口区。设置于相邻的两个数据线171之间且排列为列的滤色器230可以彼此连接来形成条。滤光器230可以过滤比如红、绿和蓝色的三原色之一。
每个滤色器230具有两个分别相应于透射区TA和反射区RA的部分。透射区TA中的滤色器230的厚度比反射区RA中的滤色器230的厚度更厚，以消除两个区TA和RA之间色调的差异，该差异是由于两个区之间在透过滤色器230的光透射次数的差异而引起。作为另一种补偿该色调差异的方法，滤色器230可以具有设置于反射区RA上的针孔。
由ITO或IZO制成的公共电极270形成于光阻挡构件220和滤光器230上。
将参考图4详细描述构件本发明的另一实施例的LCD。
图4是根据本发明的另一实施例的LCD的截面图。
参考图4，根据本实施例的LCD也具有TFT阵列面板100、面对TFT阵列面板100的公共电极面板200和夹置于两个面板100和200之间的液晶层3。
根据本实施例的LCD具有与图1到3的LCD相似的层结构。
即，TFT阵列面板100具有包括栅电极124的多条栅线121和包括存储电极133的多条存储电极线131，它们形成于基板110上。栅绝缘层140、多个包括突出154的半导体条151和多个具有突出163的欧姆接触条161以及欧姆接触岛165依次形成于栅线121和存储电极线131上。具有源电极173的多条数据线171和多个漏电极175形成于欧姆接触161和165上。钝化层180和有机绝缘层187依次形成于数据线171和漏电极175上。钝化层180和有机绝缘层187具有多个接触孔182、183和185。多个包括透射电极192和反射电极194的像素电极190形成于有机绝缘层187上。下偏振膜12附着于TFT阵列面板100的外侧。
公共电极面板200具有形成于绝缘基板210上的光阻挡构件220、多个滤色器230和公共电极270。上偏振膜22附着于公共电极面板200的外侧。外偏振膜22的透射轴垂直于下偏振膜12的透射轴。
作为与图1到3的LCD区别的特征，两个延迟层15-18形成于反射电极194和透射电极192的暴露的部分上。延迟层15-18补偿透过它们的光的相延迟。通过硬化两个液晶层来形成延迟层15-18。
下延迟层(15和16)引起对通过其的光最大λ/4的相延迟。上延迟层(17和18)引起对通过其的光最大λ/2的相延迟。
其后，将设置于反射电极194上的下延迟层(15和16)的部分称为第一延迟膜15，且将设置于透射电极192上的下延迟层(15和16)的部分称为第二延迟膜16。将设置于反射电极194上的上延迟层(17和18)的部分称为第三延迟膜17，且将设置于透射电极192上的上延迟层(17和18)的部分称为第四延迟膜18。
其后，使用上偏振膜22的透射轴作为基轴(0°)将描述第一到第四延迟膜的快轴方向。
第一延迟层(15、16)的快轴与第二延迟层(17、18)的快轴形成50°和70°之间的角度。具体而言，第一和第三延迟膜15和17的快轴的角度为选自75°和15°、-75°和-15°、15°和75°、-15°和-75°的一对角度。在反射区RA上的第一和第三延迟膜15和17引起对透过上偏振膜22的偏振光的λ/4相延迟。由此设置于反射区RA上的第一和第三延迟膜15和17通过上偏振膜22将线偏振光改变为圆偏振光且将圆偏振光改变为线偏振光。
第三延迟膜17用作补偿膜且与第一延迟膜15一起形成宽带λ/4延迟膜，由此增强了黑色。
同时，透射区TA上的第二和第四延迟膜16和18的快轴平行或垂直于下偏振膜12的透射轴。因此，第二和第四延迟膜16和18对于通过下偏振膜12而偏振的光不产生相延迟。因此，可以省略第二和第四延迟膜16和18。
光对准配向层(未示出)分别设置于像素电极190和下延迟层(15、16)之间和于下延迟层(15、16)和上延迟层(17、18)之间。照射方向可以在反射区RA和透射区TA之间有差异以在两个区域RA和TA之间区分对齐方向。因此，可以控制下和上延迟层的快轴来在两个区RA和TA之间面对不同的方向。
形成于延迟层15-18的快轴与两个偏振膜12和122的透射轴之间角度可以在从-5到5度的范围中被调整。
根据本实施例，可以使用用于透射LCD和便宜的通常的偏振膜，而不是用于透反型LCD的昂贵的偏振膜，由此减少了产品价格。另外，因为第一和第三延迟层15和17完全覆盖反射电极194，所以防止了反射电极194被腐蚀且减轻了反射电极194的不平性，由此减小了反射区RA中的单元间隙的偏差。因此，显著减小了影响大部分产率的过亮(Highover)缺陷。过亮缺陷是像素显示比应被显示的图像更亮的图像。
参考图5到8将描述本发明的其他实施例。
图5到8是根据本发明的其他实施例的LCD的截面图。
其后，将仅描述与图4的LCD的相区别的特征。
在图5所示的LCD中，有机绝缘层187在透射区TA中不具有透射窗口。因此，无论透射区TA或反射区RA，单元间隙都是均匀的。
在图6所示的LCD中，有机绝缘层187在透射区TA中不具有透射窗口，类似图5所示的LCD。但是，涂覆层250具有相应于透射区TA的开口，涂覆层250形成于公共电极面板200的基板210和光阻挡构件220上。滤色器230形成于涂覆层250和基板210上。透射区TA上的滤色器230的厚度大于反射区域RA上的滤色器230的厚度。公共电极270形成于滤色器230上。因此，通过调整涂覆层250的厚度，透射区TA中单元间隙可以形成为反射区RA中的单元间隙的两倍大。
在图7所示的LCD中，透射电极192形成于钝化层180和有机绝缘层187之间，其通过钝化层180的接触孔185连接到存储电容器导体177，该导体177连接到漏电极175。有机绝缘层187形成于透射电极192上，且具有暴露透射电极192的透射窗口195。反射电极194形成于有机绝缘层187且通过透射窗口195连接到透射电极192。
在图8所示的LCD中，公共电极面板200具有形成于基板210上的光阻挡构件220和滤色器230。无论透射区TA或反射区RA，滤色器230具有基本均匀的厚度。每个滤色器230具有在反射区RA上的光孔240来消除两个区TA和RA之间的色调的差异，该差异由于透射滤色器230的次数的差异来产生。
第一绝缘层280形成于透射区TA上的滤色器230上。第一绝缘层280形成于反射区RA上的光孔中以填充光孔240，由此实现滤色器230的表面平面度。
公共电极270形成于第一绝缘层280和滤色器230上。公共电极270具有均匀的厚度。因此，公共电极270的顶表面具有透射区TA和反射区RA之间的高度差，该高度差达到第一绝缘层280的厚度。
第二绝缘层260形成于公共电极270上。第二绝缘层260设置于反射区RA上。第二绝缘层260的顶表面的高度几乎与透射区TA上的公共电极270的顶表面的高度相同。第二绝缘层260优选地由介电常数小于绝缘层3的材料制成。例如，第二绝缘层260可以由比如丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料制成。
在反射区RA中，由于透射窗口，公共电极270和反射电极194之间的距离不同于公共电极270和透射电极192之间的距离。这里，由于第一绝缘层280消除了距离差异。
另外，由于电压分布，施加到设置于反射区RA上的液晶层3的电压小于在没有形成第二绝缘层260时施加到液晶层3的电压。这里，当降低第二绝缘层260的介电常数时，减小了在反射区RA上施加到液晶层3的电压。
因此，减少了由单元间隙差异引起的在反射区RA和透射区TA之间施加到液晶层3上的电压的差异，由此可以决定驱动电压在反射模式和透射模式之间相同。
参考图9到17将描述了图1和4所示的TFT阵列面板的制造方法。
首先，参考图9和10，通过比如溅射在绝缘基板110上沉积由比如纯Al和Al合金的Al基金属、比如纯Ag和Ag合金的Ag基金属、比如纯Cu和Cu合金的Cu基金属、比如纯Mo和Mo合金的Mo基金属、Cr、Ti和Ta之一制成的导电层。
通过采用光致抗蚀剂图案的光蚀刻来构图导电层以形成包括多个栅电极124和延展部125的多条栅线121和包括多个存储电极133的多个存储电极线131。
参考图11和12，通过比如低温化学气相沉积(LPCVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来依次沉积栅绝缘层410、本征a-Si层和非本征a-Si层以覆盖栅线121和存储电极线131。然后，构图本征a-Si层和非本征a-Si层来形成包括多个突出154和延展部157的多个半导体条151和多个欧姆接触图案164。栅绝缘层140由比如SiNx的材料制成。
参考图13和14，通过比如溅射的方法沉积由具有强耐化学品的金属制成的导电层，所述金属比如Cr基金属、Mo基金属、Ta和Ti。然后，通过光蚀刻来构图导电层来形成包括源电极173的多条数据线171和包括存储电容器导体177的多个漏电极175。
接下来，通过蚀刻来去除没有用数据线171和漏电极175覆盖的非本征半导体164的部分来完成多个欧姆接触163和165，且暴露部分的本征半导体150。可以在其后进行氧等离子体处理以稳定化半导体150的暴露的表面。
参考图15和16，通过化学气相沉积(CVD)来沉积钝化层180，且在钝化层180上涂布有机绝缘层187。
接下来，构图有机绝缘层187来形成暴露在存储电容器导体177上方的钝化层180的接触孔185、暴露透射区TA上的钝化层180的透射窗口195，以及形成有机绝缘层187的压纹表面。
然后，构图钝化层180来完成接触孔，由此接触孔暴露存储电容器导体177。
参考图17，沉积由比如ITO或IZO的材料制成的透明导电层，且通过光蚀刻来构图透明导电层以形成多个透射电极192，所述透射电极192通过接触孔185连接到漏电极175。然后，在透射电极192上沉积由比如Ag或Al的材料制成的反射金属层，且通过光蚀刻来构图反射金属层以形成设置于反射区RA上的多个反射电极194。
在反射电极194和透射电极192上涂布光对准配向层(未示出)。然后，由通过掩模的光照射所述光对准配向层。照射方向在发射区RA和透射区TA之间不同，由此对准方向在反射区RA和透射区TA之间不同。例如，设置于反射电极194上的部分在与将被附着的偏振膜的透射轴形成±75°或±15°的方向对准，且设置于透射电极192上的部分在与偏振膜的透射轴形成0°或90°的方向对准。接下来，在光对准配向层上涂布液晶材料且硬化液晶材料来形成第一和第二延迟膜15和16。
在第一和第二延迟膜15和16上涂布另一延迟层。然后，由通过掩模的光照射所述光对准配向层。照射方向在发射区RA和透射区TA之间不同，由此对准方向在反射区RA和透射区TA之间不同。例如，设置于反射电极194上的部分在与将被附着的偏振膜的透射轴形成±75°或±15°的方向对准，且设置于透射电极192上的部分在与偏振膜的透射轴形成0°或90°的方向对准。接下来，在光对准配向层上涂布液晶材料且硬化液晶材料来形成第三和第四延迟膜17和18。第一和第三延迟膜15和17的快轴的角度为选自75°和15°、-75°和-15°、15°和75°、-15°和-75°的一对角度。
同时，可以比如通过蚀刻来去除第二和第三延迟层16和18。
根据本发明，由于在LCD内形成延迟层，所以可以使用用于透射型LCD且便宜的通常的偏振膜取代用于透反型LCD的昂贵的偏振膜，由此减小了产品价格。
施加了两个延迟层以形成宽带λ/4延迟膜，由此增强了黑色。
另外，因为上、下延迟膜完全覆盖反射电极，所以防止了反射电极被腐蚀且减轻了反射电极的不平性，由此减小了反射区RA中的单元间隙的偏差。因此，显著减少了影响大部分产率的过亮缺陷。
虽然在以上详细描述了本发明的优选实施例，可以清楚地理解，对于本领域的技术人员明显的是在这里教导的基本发明构思的许多变化和/或修改将仍落在如权利要求所界定的本发明的精神和范围内。

Claims (23)

1、一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板具有透射区和反射区，且包括：
基板；
透射电极，形成于所述基板上；
反射电极，形成于所述透射电极上且设置于所述反射区上；
第一延迟层，形成于所述反射电极上；和
第二延迟层，形成于所述第一延迟层上，且所述第二延迟层的快轴与所述第一延迟层的快轴面对不同的方向。
2、如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一延迟层的快轴与所述第二延迟层的快轴形成50°和70°之间的角度。
3、如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一延迟层是λ/4相延迟层，且所述第二延迟层是λ/2相延迟层。
4、如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括：
第三延迟层，设置于所述透射区上；和
第四延迟层，设置于所述第三延迟层上。
5、如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括：偏振膜，形成于所述基板的底表面上，其中，所述第三和第四延迟层的快轴平行于或垂直于所述偏振膜的透射轴。
6、如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第三延迟层是λ/4相延迟层，且所述第四延迟层是λ/2相延迟层。
7、如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一延迟层和第三延迟层形成为单层，且所述第二延迟层和第四延迟层形成为单层。
8、如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一到第四延迟层是由液晶形成的液晶层。
9、如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述反射电极的高度与所述透射电极的高度不同。
10、一种显示装置，所述显示装置具有透射区和反射区且包括：
第一基板，具有内表面和外表面；
第二基板，具有内表面和外表面，所述第一基板的内表面面对所述第二基板的内表面；
透射电极，形成于所述第一基板上；
反射电极，形成于所述透射电极上且设置于所述反射区上；
第一延迟层，形成于所述反射电极上；
第二延迟层，形成于所述第一延迟层上，且所述第二延迟层的快轴与所述第一延迟层的快轴面对不同的方向；
滤色器，形成于所述第二基板上；和
公共电极，形成于所述滤色器上。
11、如权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一延迟层的快轴与所述第二延迟层的快轴形成50°和70°之间的角度。
12、如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一延迟层和第二延迟层的快轴形成为选自75°和15°、-75°和-15°、15°和75°、-15°和-75°的一对角度。
13、如权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一延迟层是λ/4相延迟层，且所述第二延迟层是λ/2相延迟层。
14、如权利要求11所述的显示装置，还包括：
所述第三延迟层，设置于所述透射区上；和
第四延迟层，设置于所述第三延迟层上。
15、如权利要求14所述的显示装置还包括：
偏振膜，形成于所述第一基板的外表面上，其中，所述第三和第四延迟层的快轴平行于或垂直于所述偏振膜的透射轴。
16、如权利要求14所述的显示装置，其中，所述第三延迟层是λ/4相延迟层，且所述第四延迟层是λ/2相延迟层。
17、如权利要求11所述的显示装置，其中，设置于所述反射区的滤色器的厚度不同于设置于所述透射区的滤色器的厚度。
18、如权利要求11所述的显示装置，还包括：
所述第一绝缘层，夹置于所述第二基板和所述滤色器之间且设置于所述透射区上；
第二绝缘层，形成于所述公共电极上且设置于所述反射区上，
其中，所述滤色器在所述反射区上具有孔。
19、一种用于显示装置的TFT阵列面板的制造方法，所述面板具有反射区和透射区，所述方法包括：
在基板上形成透射电极；
在所述透射电极上形成反射电极以设置于所述反射区上；
在所述反射电极上形成第一延迟层；和
在所述第一延迟层上形成第二延迟层，所述第二延迟层的快轴与所述第一延迟层的快轴面对不同的方向。
20、如权利要求19所述的方法，其中，所述形成第一延迟层包括：
在所述反射电极上涂布第一光对准配向层；
通过第一掩模照射所述第一光对准配向层以产生对准方向；
在所述第一光对准配向层上涂布液晶材料以形成第一液晶层；和
硬化所述第一液晶层。
21、如权利要求19所述的方法，其中，所述形成第二延迟层包括：
在所述第一延迟层上涂布第二光对准配向层；
通过第二掩模照射所述第二光对准配向层以产生对准方向；
在所述第二光对准配向层上涂布液晶材料以形成第二液晶层；和
硬化所述第二液晶层。
22、如权利要求19所述的方法，还包括：
在所述透射电极上形成第三延迟层以设置于所述透射区上；和
在所述第三延迟层上形成第四延迟层。
23、如权利要求22所述的方法，其中，所述第一延迟层和第三延迟层通过相同的工艺形成，且所述第二延迟层和第四延迟层通过相同的工艺形成。
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