CN1452000A - 具有反射层的显示装置 - Google Patents

具有反射层的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1452000A
CN1452000A CN03107054A CN03107054A CN1452000A CN 1452000 A CN1452000 A CN 1452000A CN 03107054 A CN03107054 A CN 03107054A CN 03107054 A CN03107054 A CN 03107054A CN 1452000 A CN1452000 A CN 1452000A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
substrate
reflection horizon
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN03107054A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1239946C (zh
Inventor
小川真司
井上和弘
小间德夫
石田聪
山田努
山下彻
小田信彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2002057306A external-priority patent/JP3953338B2/ja
Priority claimed from JP2002059336A external-priority patent/JP2003255378A/ja
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Publication of CN1452000A publication Critical patent/CN1452000A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1239946C publication Critical patent/CN1239946C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种具备反射层的显示装置,其在第1基板上形成反射层,该反射层在覆盖于每一像素中设置的开关元件的绝缘膜上与开关元件绝缘,而由第2基板侧将透过由ITO等所形成的第2电极而入射的光予以反射;而在比反射层更靠近液晶层侧之处形成有具备与第2电极相同的功率函数且由ITO等透明导电材料所构成的第1电极,并与开关元件相连接。第1电极的膜厚设定在100以下,或是750至1250之间的程度。借此,不但可防止因第1电极所引起的颜色不均或反射率的降低,同时可借由第1、第2电极,在良好的对称性下交流驱动液晶层。此外,亦可使开关元件与反射电极相连接,并使挟持绝缘膜而形成的第1电极与反射电极形成电容结合,再借由该电容,由反射电极驱动第1电极。

Description

具有反射层的显示装置
技术领域
本发明涉及一种具备反射功能的反射型或半透过型的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置(以下称之为LCD),具备体积小、且耗电力低的特征,目前,广泛地被应用在计算机显示器、便携式信息机器等的显示器上。上述的LCD,在一对基板间封入液晶,并借由形成于各基板的电极控制位于其间的液晶定向而进行显示,不同于CRT(阴极线管)显示、电致发光(以下、称之为EL)显示等,因原理上无法自行发光,故对观察者显示影像时需具备光源。
因此,透过型LCD采用透明电极作为形成于各基板的电极,在液晶显示面板的后方或侧方配置光源,并借由液晶面板控制该光源光的透过量,借此,即使在昏暗的环境下亦可清楚显示。然而,由于透过型LCD需长时间地点亮光源以进行显示,因而具有:无法避免因光源所导致的电力消耗,以及在如白天的室外般、光线相当强烈的环境下,无法确保充分对比显示的特性。
另一方面,反射型LCD,采用太阳、室内照明等外光作为其光源,并借由形成于非观察者侧的基板的反射电极,反射入射于液晶面板的上述的周围光源。然后,依每一像素,控制入射于液晶层且经由反射电极所反射的光的液晶面板所射出的光量而进行显示。上述反射型LCD,由于采用外光作为光源,因此在缺少外光的状况下即无法显示,但不同于透过型LCD,其并无因光源所导致的电力消耗而为一种耗电力极低的LCD,此外,在室外等周围环境十分明亮的状态下亦可获得充分的对比显示。然而,该反射型LCD一直存在有:在颜色的重现性及显示亮度等一般的显示品质上均较透过型的LCD不充分的问题。
另一方面,在要求更加降低机器的耗电的情况下,相较于透过型LCD,具有低耗电力的反射型LCD较为有利,故尝试将其使用于便携式机器的高精细显示用途等上,并进行提升显示品质的研究开发。
图1显示于各像素中具备薄膜晶体管(TFT:Thin film Transistor)的传统主动矩阵型的反射型LCD的1像素的平面构造(第1基板侧),图2显示位于第1图的C-C线的反射型LCD的概略剖面构造。
反射型LCD在间隔预定距离而贴合的第1基板100与第2基板200间封入液晶层300而构成。第1、第2基板100、200采用玻璃基板或塑料基板等,至少在本实施例中,配置于观察面侧的第2基板200采用透明基板。
在第1基板100的液晶侧的面上依照各像素而形成TFT110。该TFT110的有源层120之例如漏极区域,隔着形成于层间绝缘膜134的接触孔,而连接有用以将数据信号供给至各像素的数据线136,而源极区域则借由贯通层间绝缘膜134与平坦化绝缘膜138而形成的接触孔,而与依每一像素形成个别图案的第1电极(像素电极)150相连接。
上述第1电极150使用具备反射功能的Al、Ag等,在该反射电极150上形成有用以控制液晶层300的初期定向的定向膜160。
当显示装置为彩色显示装置时,滤色器(R,G,B)210对应各像素电极150而形成于与第1基板100相对向配置的第2基板200的液晶侧,而在滤色器210上形成有使用ITO(Indium Tin Oxide)等透明导电材料而作成的透明电极250,以作为第2电极。此外,在该透明电极250上,又形成与第1基板侧相同的定向膜260。
反射型LCD具有上述的构成,并依照每一像素控制入射于液晶面板且经由反射电极150所反射再由液晶面板射出的光量,而进行所希望的显示。
不限于反射型LCD,在LCD中,交流电压驱动液晶以防止烧焦的发生。而透过型LCD,因第1基板上的第1电极与第2基板上的第2电极需使用透明的材质,故两者均采用ITO作为电极材料。因此,在进行液晶的交流驱动时,第1与第2电极可在大致相同的条件下交互地将正、负电压施加于液晶。
然而,如上述图2所示,使用由金属材料所形成的反射电极作为第1电极150,并使用由ITO等透明金属氧化材料所形成的透明电极作为第2电极250的反射型LCD中,视驱动条件而定,有时会产生显示的不稳定(闪烁不定),或液晶烧焦等问题。该种问题举例而言,在低于最近所报告的临界闪烁频率(CFF)的情况下驱动液晶时愈形显著。低于CFF的驱动,是指:为进一步达到LCD的低耗电化,而尝试将液晶的驱动频率(分别形成于第1与第2电极的对向区域的位于各像素中的液晶(液晶电容)的数据写入频率),设定为比NTSC规格等所基准化的60Hz低,亦即将其设定为人的视觉可感受到闪烁不定的CFF以下,例如设定在40Hz至30Hz之间。然而,以上述的低于CFF的频率,驱动现有的反射型液晶面板的各像素时,会使上述的闪烁不定以及液晶烧焦等问题愈形显著,并导致显示品质的大幅降低。
有关图2、图3所示的反射型LCD的闪烁不定或液晶烧焦的发生原因,根据专利申请人研究的结果,此问题是因于第1电极与第2电极对上述液晶层300的电性性质的非对称性。该非对称性起因于:使用于第2电极250的ITO等透明金属氧化物的功率函数为4.7eV至5.2eV的程度,而使用于第1电极150的AL等金属的功率函数约为4.2eV至4.3eV的程度,两者间的差异过大之故。功率函数的差异在将同一电压施加于各电极时,会使实际透过定向膜160,260而诱起于液晶界面的电荷产生差异。此外,借由诱起于上述液晶定向膜界面的电荷的差异,液晶层内的杂质离子等会偏向一方的电极侧,其结果导致残留DC电压蓄积于液晶层300中。液晶的驱动频率愈低,该残留DC对液晶的影响则愈大,且闪烁不定、液晶烧焦的问题也愈形显著,因此,特别是低于CFF的驱动有其实质上的困难。
此外,现有技术中的反射型LCD尚具有:如透过型LCD般于第1与第2电极中使用ITO,并在第1基板的外侧(液晶的非对向侧)另外设置反射板的构成。然而,在第1基板的外侧设置反射板时,光程长度仅延伸透明的第1电极150与透明的第1基板的厚度,因此容易导致显示品质的降低。因此,要求高显示品质的显示用途的反射型LCD,使用反射电极作为像素电极,如上所述,当驱动频率过低时会产生闪烁不定的问题,因此为达到低耗电力化的目的,便无法降低驱动频率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶显示装置,具有对应液晶层的第1与第2电极的电性特性,可消除闪烁不定或视差影响,减少颜色不均等问题,而实现高品质的显示、以及低耗电化。
为了实现本发明的目的,本发明提供一种液晶显示装置,将液晶层封入具备第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间的液晶显示装置,所述第1基板上具备:将从所述第2基板入射于所述液晶层的光予以反射的反射层,而所述第1电极系由覆盖所述反射层而形成的透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极的膜厚约在750至1250的范围。
本发明的一方面在于,提供将液晶层封入具备第1电极的第1基板以及具备第2电极的第2基板之间的液晶显示装置,所述第1基板上具备:将从所述第2基板入射于所述液晶层的光予以反射的反射层,而所述第1电极系由覆盖所述反射层而形成的透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极的膜厚约在1至100的范围。但理想的所述透明电极的膜厚在10以上。
此外,本发明的另一方面在于:提供将液晶层封入具备第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间的液晶显示装置,在所述第1基板上,形成将从所述第2基板入射于所述液晶层的光予以反射的反射层以作为第1电极,并形成覆盖所述反射层而由透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极的膜厚约在1至100的范围。
根据本发明的其它方面,在上述液晶显示装置中,所述透明电极的膜厚在10以上。
根据本发明的其它方面,在上述液晶显示装置中,在所述反射层与所述第1基板之间,于每一像素中配置开关元件,而该开关元件与所述第1电极作电性连接。
根据本发明的其它方面,在上述液晶显示装置中,所述第1电极或所述透明电极的所述透明导电性材料的功率函数,与形成于所述第2基板的液晶层侧的所述第2电极的透明导电形材料的功率函数的差在0.5Ev以下。
根据本发明的其它方面,在上述液晶显示装置中,在所述反射层与所述第1基板之间,于每一像素中配置开关元件,而该开关元件与所述透明电极作电性连接,在所述透明电极与所述反射层的层间形成绝缘膜,所述透明电极借由该绝缘膜与所述反射层形成电容结合,由所述开关元件供给至所述反射层的电压,借由挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述透明电极所构成的电容,施加于所述透明电极。
如上所述在第1基板侧中,于液晶层侧配置与第2基板的第2电极具相同特性的透明的第1电极,并于该第1电极的下层配置反射层,借此,可利用第1电极与第2电极以良好的对称性驱动液晶层。特别是,即使将各像素中的液晶层的驱动频率例如设定成低于60Hz时,亦不会产生闪烁不定的现象而得以提供高品质的显示。此外,将透明第1电极的膜厚设定在100以下,或将其设定在750至1250程度的厚度,借此,可避免设置于反射层前的第1电极所导致的颜色不均或反射率降低等问题的产生。
本发明提供一种液晶显示装置,其中,依照每一像素,于具备个别的第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层而构成,以进行每一像素的显示的液晶显示装置,所述第1基板尚具备有:配置于各像素的开关元件;以及部分性地覆盖一像素区域,并于开关元件上与该开关元件进行电性连接,而将从所述第2基板入射于所述液晶层的光加以反射的反射电极;而所述第1电极,在所述反射电极上于其间隔着绝缘膜而形成由透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极与所述反射层形成电容结合,由所述开关元件供给至所述反射电极的电压,借由在所述的空间挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述透明电极所构成的电容,施加于所述透明电极。
如上所述在第1基板侧中,于液晶层侧配置与第2基板的第2电极具有相同特性的透明的第1电极,并在该第1电极的下层配置反射层,借此,可利用第1电极与第2电极以良好的对称性驱动液晶层。此外,所述第1电极的所述透明导电性材料的功率函数,与形成于所述第2基板的液晶层侧的所述第2电极的透明导电性材料的功率函数的差,可借由设定在0.5Ev以下,而特别有助于对称性佳的驱动。此外,借由采用上述构成,即使将各像素中的液晶层的驱动频率例如设定成低于60Hz,亦不会产生闪烁不定的现象而得以提供高品质的显示。此外,本发明采用:借由连接于开关元件的反射电极,并利用电容结合将液晶驱动用的电压施加于透明的第1电极的构造。因此,虽借由反射电极与透明的第1电极间的多层构造来构成第1基板侧的电极,但开关元件与反射电极间的连接构造,可采用与像素电极中使用金属反射电极的现有反射型液晶显示装置大致相同的构造,因此仅以最低限度的设计变更,即可实现显示品质的提升,并降低电力消耗。
根据本发明的其它方面,本发明的液晶显示装置中,依照每一像素,于具备有个别的第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层而构成,以进行每一像素的显示的液晶显示装置,所述第1基板尚具备有:配置于每一像素的开关元件;于所述开关元件上与该开关元件作电性连接,而将从所述第2基板侧入射于所述液晶层的光加以反射的反射电极;而所述第1电极在所述反射电极上,于其间隔着绝缘膜而形成由透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极与所述反射电极形成电容结合,由所述开关元件供给至所述反射电极的电压,借由于所述的空间挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述透明电极之间所构成的电容,而施加于所述透明电极,于其间挟持所述液晶层而对向配置的所述第1电极与所述第2电极所构成的像素电容的电容值C1,与所述反射电极与所述第1电极所构成的电容的电容值C2符合
C2>100×C1的关系式。
根据本发明的其它方面,本发明的液晶显示装置中,依照每一像素,于具备有个别的第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层而构成,以进行每一像素的显示的液晶显示装置,所述第1基板尚具备有:配置于各像素的开关元件;于所述开关元件上与该开关元件作电性连接,而将从所述第2基板入射于所述液晶层的光加以反射的反射电极;而所述第1电极于所述反射电极上,于其间隔着绝缘膜而形成由透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极与所述反射层形成电容结合,由所述开关元件供给至所述反射层的电压,借由所述电容结合而施加于所述透明电极,于其间挟持所述液晶层而与所述第2电极对向配置的所述第1电极的面积C1,与于其间挟持所述液晶层而对向配置的所述反射电极与所述第1电极的重叠面积S2符合
S2>0.1×S1的关系式。
在由金属材料所形成的反射基板上形成透明导电材料时,因在该反射电极表面上形成有自然氧化膜之故,使得反射电极与透明的第1电极形成绝缘状态。但借由将电容值、面积设计成可符合上述关系式,可使连接于开关元件的反射电极,得以借由电容结合而于透明的第1电极中施加足以驱动液晶的电压。
根据本发明的其它方面,在上述液晶显示装置中,与上述反射电极形成电容结合的透明电极的厚度可设定在750至1250的范围,或1至100的范围。
借由设定为上述的厚度,即可实现无颜色不均的高品质显示。
根据本发明的其它方面的发光显示装置,形成于基板的主面侧,且具备由基板侧依序形成第1电极、发光元件层、第2电极而构成的发光元件,在由透明导电材料所构成的所述第1电极与所述基板之间,具备有用以将由所述发光元件层或所述第2电极侧所入射的光加以反射的反射层,而该透明的所述第1电极的膜厚在750至1250的范围内。
根据本发明的其它方面的发光显示装置,形成于基板的主面侧,且具备有由基板侧依序形成第1电极、发光元件层、第2电极而构成的发光元件,所述第1电极由透明导电材料所构成的透明电极,在该透明电极与所述基板之间,具备有反射由所述发光元件层或所述第2电极侧所入射的光的反射层,该透明电极的膜厚在1至100的范围内。
根据本发明的其它方面的发光显示装置,形成于基板的主面侧,且具有具备第1电极、发光元件层、第2电极的发光元件,于所述基板上,形成有用以反射由所述发光元件层或所述第2电极侧所入射的光的反射层以作为第1电极,由透明导电材料构成且膜厚在1至100的范围内的透明电极,覆盖所述反射层而形成,在所述反射层与所述基板之间,又依照每一像素设置开关元件,该开关元件与构成所述第1电极的所述反射层相连接,在所述反射层与所述透明电极的层间形成绝缘膜,所述透明电极透过该绝缘膜与所述反射层形成电容结合,由所述开关元件供给到所述反射层的电压,乃借由挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述透明电极之间所构成的电容而施加于所述透明电极。
如上所述,在发光显示装置中,在具备有叠层于基板侧的反射层与透明电极的构成中,借由将透明电极的膜厚设定在750至1250的范围内,或设定在1至100的范围,即可避免受到反射层反射后射出元件上方的光的颜色不均,并进行高品质的显示。
附图说明
图1为现有技术中的主动矩阵型的反射型LCD的第1基板侧的部分平面构造图。
图2为位于图1的C-C线的现有技术中的反射型LCD的概略剖面构造图。
图3为本发明的第1实施例的主动矩阵型的反射型LCD的第1基板侧的概略平面构造图。
图4为位于第2图的A-A线的反射型LCD的概略剖面构造图。
图5为显示位于本发明的第1实施例的第1电极的各膜厚中的反射率的波长依存性的图例。
图6为显示本发明的第1实施例的第1电极的各膜厚的CIE色度图上的坐标的图例。
图7为显示本发明的第1实施例的主动矩阵型的半透过型LCD的第1基板侧的概略平面构造图。
图8为显示位于第7图的B-B线的半透过型LCD的概略剖面构造图。
图9为显示本发明的主动矩阵型的有机EL显示的概略剖面构造图。
图10为显示本发明的第2实施例的主动矩阵型的反射型LCD的第1基板侧的概略平面构造图。
图11为显示位于第10图的A-A线的反射型LCD的概略剖面构造图。
图12为显示本发明的第2实施例的1像素的等效电路图。
图13为显示本发明的第2实施例的主动矩阵型的半透过型LCD的第1基板侧的概略平面构造图。
20有源层                        20c通道区域
20d漏极区域                  20s源极区域
30栅极绝缘膜                 34层间绝缘膜
36漏极电极                   38、39平坦化绝缘膜
40源极电极                       42金属层
44反射层(反射电极)
46自然氧化膜(自然绝缘膜)
50第1电极                    60定向膜
80阳极                       82正孔输送层
83发光层                     84电子输送层
86阴极                       88有机元件元件层
90有机EL元件元件                100第1基板
110TFT                       120有源层
134层间绝缘膜                136数据线
138平坦化绝缘膜              150第1电极
160、260定向膜               200第2基板
210滤色                      250第2电极(透明电极)
300液晶层
具体实施方式
以下,参照附图,说明本发明的最佳实施例(以下称为实施例)。
图3显示作为第1实施例的反射型LCD的反射型主动矩阵型LCD的第1基板侧的平面构造的一部份,而图4则显示,位于图3的A-A线的LCD的概略剖面构造。根据主动矩阵型LCD,在显示区域内以矩阵状设置多个像素,并于各像素中设置TFT等开关元件元件。开关元件元件依照每一像素形成于第1及第2基板的一方、例如第1基板100侧,而形成个别图案的像素电极(第1电极)50连接于该开关元件元件。
第1与第2基板100、200,使用玻璃等透明基板,在与第1基板相对向的第2基板200侧,与现有技术相同地,在彩色型的情况下,对应像素电极50而形成滤色器210,在该滤色器210上则形成由透明导电材料所构成的第2电极250。第2电极250的透明导电材料,采用IZO(Indium Zinc Oxide)或ITO等。此外,为主动矩阵型时,该第2电极250形成为对应各像素的共通电极。另外,在该种第2电极250之上,则形成有由聚酰亚胺所形成的定向膜260。
对于上述构成的第2基板侧,在本实施例中,采用具备对应第1基板侧的液晶层300的电性特性的电极构造。具体而言,如图4所示,在第1基板100上的定向膜正下方,形成由功率函数与第2电极250类似的材料、亦即IZO、ITO等与第2电极250相同的透明导电材料所构成的第1电极50,并非形成以往所采用的反射金属电极。此外,为作成反射型LCD,而在该第1电极50的下层形成用以反射来自第2基板侧的入射光的反射层44。
第1电极50所使用的材料,借由采用与第2电极250相同的材料,而使具同一功率函数的电极得以于其间隔着定向膜60、260而配置于液晶层300,因此,可借由第1电极50与第2电极250,在对称性相当良好的状态下交流驱动液晶层300。但是,即使第1电极50与第2电极250的功率函数并不完全一致,只要两者近似到可在对称性良好状态下驱动液晶层300的程度即可。例如,将两电极的功率函数差值设定在0.5Ev以下时,即使液晶的驱动频率低于上述的CFF,也能够避免闪烁或液晶烧焦等问题的产生,而实现高品质显示。
作为符合上述条件的第1电极50以及第2电极250,例如,可在第1电极50上使用IZO(功率函数4.7eV至5.2eV),而在第2电极250上使用ITO(功率函数4.7eV至5.0eV),或两者相反亦可,在选择材料时,为考量透过率、图案精密度等制程上的特性、及制造成本等,亦可分别选择使用于各电极的材料。
在反射层44方面,至少在其表面侧(液晶层侧)使用Al、Ag、两者的合金(在本实施例中为Al-Nd合金)等反射特性良好的材料。此外,反射层44亦可以是Al等金属材料的单独层,或设置Mo等高溶点金属层作为与平坦化绝缘膜38相接的衬底层。由于形成该种衬底层后,可提升反射层44与平坦化绝缘膜38的密接性,故有助于提升元件元件的可靠性。此外,根据图4的构造,在平坦化绝缘膜38的各像素区域内形成具有所希望的角度的倾斜面,并覆盖该平坦化绝缘膜38以叠层反射层44,而借此在反射层44表面形成相同的倾斜面。以最佳角度、位置形成该种斜面时,可按照每一像素聚集外光并予以射出,例如可提升位于显示器正面位置的显示亮度。当然,该种倾斜面并无绝对存在的必要。
如上所述,反射层44由Al-Nd合金等导电性材料所构成,而叠层于该反射层44上的第1电极50以及反射层44形成电性绝缘。绝缘的理由在于:采用IZO、ITO等作为第1电极50的材料时,两者借由溅射而成膜之故。亦即,由Al等所形成的反射层44借由暴露于溅射环境中,使其表面产生氧化反应,而由自然氧化膜所覆盖。因此,在本实施例中,该反射层44并不像现有技术中的反射型LCD一般,作为驱动液晶的第1电极使用,而是以形成于反射层44上的透明导电层来作为第1电极使用,而配合显示内容对液晶层300施加电压。
根据上述构成,在本实施例1中,上述透明的第1电极50的膜厚在(a)100以下,具体而言在1至100的范围内,而最好是介于10至100的范围。或是(b)750至1250的范围,例如1000左右。即使是采用IZO、ITO等透明材料,其光透过率也并非100%,此外也会受到波长依赖性的影响。特别是,如本实施例的反射型LCD,由于从第2基板侧入射的光通过液晶层300而在反射层44中反射后再由第2基板侧射出,因此光通过第1电极2次。因此,若不考虑第1电极50的光学特性,将使得颜色不均、透过率的降低等影响更为明显。但是,借由将第1电极50的膜厚设定在上述(a)或(b)的范围内,即可避免颜色不均或透过率的降低。此外,将第1电极50作成上述膜厚时,最好将由相同的透明电极材料所形成的对向电极250的膜厚设定在800至1500的程度(举例而言设定在1300)。此外,在本实施例下,反射层44的膜厚设定为500至1500的程度(例如1000左右)。
图5显示在反射层44的上层,形成由厚度d相异的IZO所形成的第1电极50时的反射率的波长依赖性。在图5中,横轴为入射波长(nm)、纵轴为反射率R(%)。第1电极50的厚度d设成:d=0、12、25、50、100、200、500、750、1000、1250。此外,反射层44使用厚度为1000的Al-Nd合金。由图5可清楚得知,当d=12,25,50,100时,与d=0时,亦即未形成第1电极时同样地,在400nm至800nm的波长域中达成将近100%的反射率。而当d=200以及500时,全波长区域的反射率未达100%。此外,当d=750时,在长波长侧,其反射率并不高,但在短于600nm的波长侧则可获得较高的反射率。
图6为在由Al-Nd合金所形成的反射层44上,形成由厚度d相异的IZO所形成的第1电极50时的CIE色度图。第1电极50的厚度d,与上述第3图相同,为d=0、12、25、50、100、200、500、750、1000、1250。由第6图可得知,d=12,25,50,100,1000时,在CIE色度图中,位于与d=0时亦即未形成第1电极50时大致相同的坐标,并实现与未形成第1电极50时相同的色重现性。
下记表1
                            【表1】
    x     y     Y
    d0(Al-Nd)     0.313     0.330     98.8
    d1250(Al-Nd+IZO1250)     0.322     0.349     94.8
    d1000(Al-Nd+IZO1000)     0.307     0.330     92.6
    d750(Al-Nd+IZO750)     0.290     0.312     79.0
    d500(Al-Nd+IZO500)     0.316     0.319     68.7
    d200(Al-Nd+IZO200)     0.324     0.343     88.4
    d100(Al-Nd+IZO100)     0.315     0.331     95.8
    d50(Al-Nd+IZO50)     0.313     0.329     97.6
    d25(Al-Nd+IZO25)     0.313     0.329     98.3
    d12(Al-Nd+IZO12)     0.313     0.330     98.8
Y=K∫S(λ).R(λ).y(λ)dλ
S(λ)照明光的分光分布
R(λ)试料的分光反射率
y(λ)等色函数
λ波长(积分范围原则上为380nm至780nm)
表1显示图6的第1电极50的各厚度d的x、y坐标值,以及各厚度为d时的Y值。该Y值为反射率的指针,表示愈接近100则愈亮,亦即在本实施例中,未见第1电极50的衰减现象。在表1中,d0时的Y值为98.8,相对于此,当d=12,25,50,100,1000,1250中任一者时,可实现高达90以上的Y值。d=750时Y值为79.0,虽较所述者为低,但亦可获得较高的值。
由上述各测定结果得知,形成于反射层44上的第1电极50的膜厚d,以(a)低于100程度,或是(b)介于750至1250的程度最为适当。此外,在维持与共通电极250的驱动的对象性的条件(a)方面,必须大于0,例如在1以上,在考虑制程的信赖性下,最好设定在10。至于条件(b),以大于750、小于1250最为理想,此外,除了光学特性之外,基于对应下层凹凸的被覆性的观点,并考虑到其电阻,则最好设定在1000左右。
然而,近年来,已有同时具备光透过功能与反射功能的所谓半透过型LCD的提案,该半透过型LCD的构成,与透过型LCD相同,先形成ITO等像素电极,并覆盖该透明电极的部分区域而叠层Al等的反射电极。该种半透明型LCD由基板侧依序叠层透明电极层/反射电极层后,2个电极层将产生电性连接而发挥一个像素电极的功能。但是,如上述一般,由于在液晶侧配置反射电极,因此基于与第2电极的功率函数不同,而导致无法在对称性良好的状态下驱动液晶层300的问题。此外,为了使电性的对称性提升,虽考虑将该电极的叠层顺序予以颠倒,但是如上述一般,使用于反射电极的Al或Ag的金属材料,其表面易于形成自然氧化膜,特别是在形成上述金属层后,借由使的暴露于用以形成透明导电材料层的溅射中,可使表面由自然氧化膜所覆盖,而使金属层与透明电极绝缘。因此,仅变更电极的叠层顺序,第1基板侧将无法借由透明电极来驱动液晶。
因此,在本实施例1中,借由使反射层44与第1电极50以及TFT110同时绝缘,并使连接用金属层42介在于第1电极50以及TFT110(例如,TFT110的源极电极40)之间,而连接第1电极50以及TFT110。借此,与第2基板侧相同,在第1基板侧亦能够借由与液晶层呈近接配置的透明导电材料所形成的第1电极50来驱动液晶。
为连接第1电极50与TFT110,本实施例所采用的上述金属层42必备的条件为:
(i)解除与由IZO或ITO等所形成的第1电极50的电性连接,
(ii)如图4所示,若TFT110中设有例如Al等的源极电极40时,可与该源极电极40作电性连接,或省略源极电极40时,可与半导体(在此为多晶硅)有源层作电性连接,
(iii)依照每一像素的个别形状将反射层44图案化时,不会被该反射层44的蚀刻液所去除等。
如上述的金属层42,最好使用Mo、Ti、Cr等高熔点金属材料。
以下,说明本实施例的可确实连接第1电极50与所对应的TFT110的构造,以及实现该种构造的制造方法。
在TFT110方面,采用顶栅极型,此外,有源层20采用借由雷射退火处理将非晶硅(a-Si)多结晶化之后所得的多晶硅(p-Si)。当然,TFT110并不限定于顶栅极型p-Si,亦可使用底栅极型,或在有源层上采用a-Si。掺杂于TFT110的有源层20的源极。漏极区域20s、20d的杂质,可以是n导电型、p导电型的任一型,但是在本实施例中,掺杂磷等n导电型杂质,并采用n-ch型的TFT110。
TFT110的有源层20由栅极绝缘膜30所覆盖,在栅极绝缘膜30上形成由Cr等所形成可兼用栅极线的栅极电极32。然后,在形成栅极电极32后,以该栅极电极作为屏蔽而于有源层20上掺杂上述杂质,以形成源极与极极区域20s、20d,以及未掺杂杂质的通道区域20c。接着,覆盖该TFT110整体而形成层间绝缘膜34,于该层间绝缘膜34上形成接触孔后,形成电极材料,并借由该接触孔,分别使源极电极40连接于上述p-Si有源层的源极区域20s,而使漏极电极36连接于漏极区域20d。此外,在本实施例中,漏极电极36兼作为对各TFT110供给对应显示内容的数据信号的数据线来使用。另一方面,源极电极40如后述一般,与作为像素电极的第1电极50相连接。
源极电极40与漏极电极36形成后,覆盖基板整面以形成由丙烯酸(arcylic)树脂等树脂材料所形成的平坦化绝缘膜38,在源极电极40的形成区域形成接触孔,并在此处形成连接用金属层42,以连接源极电极40与该金属层42。若使用Al等作为源极电极40,则可借由使用Mo等金属材料作为金属层42,而使与源极电极40间的连接形成良好的电阻接触。此外,亦可省略源极电极40,此时,金属层42会与TFT110的硅有源层20接触,但Mo等金属可确立与该种半导体之间的电阻接触。
完成连接用金属层42的叠层、图案化后,构成反射层44的Al-Nd合金、或Al等具有优良反射特性的材料借由蒸镀或溅射而叠层于基板整面。以至少不会妨碍金属层42与之后所形成的第1电极50的接触的方式,蚀刻去除所叠层的该反射材料,使的不会残留在TFT110的源极区域附近(金属层42的形成区域),并于各像素中形成第3图所示的图案的反射层44。此外,为了防止光照射到TFT110(特别是通道区域20c)而产生泄漏电流,同时为了尽量扩大可反射的区域(亦即显示区域),在本实施例中,如第3图所示,亦在TFT110的通道上方区域积极形成反射层44。
在进行该种反射层44的图案化时,由上述Mo等形成的金属层42,具备有足够的厚度(例如0.2μm),并对蚀刻亦具有充分的耐性。因此即使在蚀刻去除金属层42上的反射层44之后,该金属层42也不会完全被去除,而得以残存于接触孔内。此外,在多数情况下,源极电极40等由于由与反射层44相同的材料(Al等)所构成,因此若未存在上述金属层42,则源极电极40会被反射层44的蚀刻液所侵蚀而产生断线等问题。但借由设置金属层42,不仅耐于反射层44的图案化,同时可与源极电极40维持良好的电性接触。
完成反射层44的图案化后,为达到上述膜厚条件,而借由溅射层叠透明导电层使的覆盖包含反射层44的基板整面。在此,如上述一般,由Al等所形成的反射层44的表面,此时由具绝缘性的自然氧化膜46所覆盖,而Mo等高熔点金属,即使暴露在溅射环境中其表面也不会产生氧化。因此,露出于接触区域的金属层42,与叠层于该金属层42之上的第1电极用透明电极之间可进行电阻接触。此外,透明导电层于成膜后,如图3所示一般,图案化为依各像素独立的形状,并借此获得像素电极(第1电极)50。此外,在各像素区域中形成第1电极50后,形成由聚酰亚胺等所形成的定向膜60以覆盖基板整面而完成第1基板侧。之后,将形成定向膜260的第2基板200与该第1基板100以一定的间隔分开后贴合于基板的周边部分,再将液晶封入于基板间而获得液晶显示装置。
接着,说明半透过型LCD。上述中,已举例说明于1像素区域内的大致全域中形成反射层44的反射型LCD。但是本发明不仅适用于反射型,同时也适用于半透过型LCD。
图7显示在该种半透过型主动矩阵LCD的一像素附近的平面构成,第8图则显示位于第7图的B-B线上的LCD的概略剖面构成。显示于上述图3以及图4的反射型LCD中,反射层44形成于1像素区域的大致全域(不包括与TFT的接触区域)上。相对于此,在第7图与第8图所示的半透过型LCD中,于一像素内形成有:由反射层44、以及厚度低于100、或厚度约750至1250程度的透明第1电极50所层叠而成的反射区域;以及去除反射层44,仅存有透明第1电极50的光透过区域。
于该种半透过型LCD中,第1电极50配置于比反射层44更靠近液晶层侧,反射层44借由自然氧化膜46与形成于其正上方的第1电极50绝缘,并由该区域去除以避免妨碍到TFT110与第1电极50之间的接触。因此,根据该种半透过型LCD,借由功率函数相近的第1电极50与第2电极250,而得以分别将定向膜挟置于其间并以良好的对称性交流驱动液晶层300,同时,借由配合周围的光的强度切换光源,而得以进行反射显示或是透过显示。在此,将第1电极50的膜厚设定于上述范围,因此可防止进行反射显示时因第1电极50所导致的颜色不均或反射率的降低,同时亦容易使反射显示及透过显示达到高品质的标准。
以上,已针对具备反射层44的反射或半透过型的LCD进行说明,但借由将本发明的开关元件元件(TFT)、连接用金属层、反射层以及透明第1电极的构成适用于其它发光显示装置例如EL显示器,即可使透明的第1电极下部具有反射功能,而得以确实连接该第1电极与下层的TFT。图9显示本实施例的主动矩阵型EL显示器的各像素中的部分剖面构造。
图9的EL显示器所采用的元件元件,作为发光元件的使用有机化合物的有机EL元件90,于阳极80与阴极86之间形成有机元件层88。有机元件层88具备有至少包含有机发光功能分子的发光层83,根据有机化合物的特性、发光色等可构成单层构造、2层、3层或更多层的多层构造。在第9图所示例中,有机元件层88由配置于基板侧100的阳极80侧,依序形成正孔输送层82/发光层83/电子输送层84,发光层83与阳极80同样地依每一像素个别图案化,而正孔输送层82极电子输送层84则与阴极86相同,以全像素共通的方式形成。此外,在邻接的像素间使各阳极绝缘,同时为了防止在阳极80的边缘区域中与上层阴极86产生短路,而在邻接的像素的阳极间区域形成平坦化绝缘膜39。
具上述构成的有机EL元件90,由阳极80所注入的正孔与阴极86所注入的电子在发光层83中再结合而激发有机发光分子,而在有机发光分子回到基底状态时放射光源。如上所述一般有机EL元件90一种电流驱动型的发光元件,阳极80对有机元件层88需具备足够的正孔注入能力,且多使用功率函数高的ITO、IZO等透明导电材料。因此,在多数情况下,由发光层83所发出的光,由该透明的阳极80侧透过透明基板100而射出于外部。但是,  图9所示的主动矩阵型有机EL显示器,由于在阳极80下方形成反射层44,因此可由阴极侧射出光。
亦即,在图9的显示器中,用以驱动有机EL元件90的TFT110、金属层42、反射层44、以及有机EL元件90的阳极80,采用与图2所示的上述TFT110、金属层42、反射层44、以及第1电极50相同的构成。此外,第1电极50的厚度设定为低于100、或约为750至1250的程度。有机EL元件90的阴极86使用与阳极80相同的ITO或IZO等透明导电材料,或是薄至可透过光的程度的Al、Ag等金属材料而形成(亦可设置开口部)。借由形成该种构造,可实现由阴极86侧朝外部有效射出发光层83所发出的光的顶端射出型构造。此外,在所对应的像素中,即使是进行R、G、B光的发光,只要将阳极80(第1电极)的厚度设定在上述范围内,则不论其为何种颜色均可实现高反射率,使进入阳极80侧的光,不会在阳极80中产生衰减或颜色不均等问题,而得以在反射层44中产生反射,并于最后将发光层83所获得的光由阴极86侧射出。因此,可实现亮度极高的显示。
此外,以上说明将透明的第1电极连接于TFT的构成,但是将透明的第1电极50的厚度设定为低于100的范围时,会使透明的第1电极的电性电阻变大,因此较诸于将该透明的第1电极连接于TFT而驱动液晶,最好是将下层的反射层44连接于TFT,并实际以该反射层44作为第1电极使用,而与第2电极一并驱动液晶。当然,将反射层44连接于TFT时,将透明的第1电极50的厚度设定在750至1250的程度,亦同样可获得良好的光学特性。为了将TFT连接于上述反射层44,以驱动液晶,例如可借由采用在反射像素电极的一部份形成可确保与上层透明电极50的连接的Mo层等,而将反射像素电极44连接于TFT的构成加以实现。或是,在透明的第1电极与反射像素电极44为非电性连接的情形下,亦可采用:由连接于TFT的反射像素电极44,将覆盖该反射像素电极44的自然氧化膜所绝缘的透明电极50,隔着该自然氧化膜而与反射像素电极44形成电容结合,再借由该电容由反射像素电极将用以驱动液晶的电压施加于透明电极50的构造。
如以上所说明一般,根据本实施例1,如反射型或半透过型LCD一般,必须在一方的基板侧形成射层时,可将具有同等特性的第1电极与第2电极配置在液晶层的同等位置。此外,借由将透明的第1电极的膜厚设定为低于100或750至1250的程度的厚度,即可防止因配置于反射层之前的第1电极所导致的颜色不均或反射率的降低,此外,借由在上述范围内增加厚度可降低第1电极的电阻并防止断线的产生。因此不仅可以良好的对称性交流驱动液晶,同时亦可实现高显示品质。
接着,参照附图说明借由上述的电容来驱动透明电极50的构成,并以此作为第2实施例。
图10显示作为第2实施例的反射型LCD中反射型主动矩阵LCD的第1基板侧的平面构成的一部份,图11显示位于第10图的A-A线的LCD的概略剖面构成。此外,在上述图面中,以同一符号标记上述说明的构成而省略其说明。与上述构成相异之处在于:由分别形成于平坦化绝缘膜38上的反射金属材料所构成的反射电极44与TFT110的源极电极相连接,而该反射电极44之上,于其间挟持绝缘膜46而形成由形成个别图案的透明导电材料所构成的透明的第1电极50。
于TFT110的栅极电极32,施加栅极信号(扫描信号)后激活TFT110,借此,例如源极电极40侧的电压将等于施加于漏极电极(数据线)36的数据信号电压。由于源极电极40中连接有反射电极44的故,因此该源极电压被施加于反射电极44。
反射电极44由:借由溅射法形成ITO或IZO等与第2基板侧的第2电极250具类似的功率函数的透明导电材料所构成的第1电极50时所形成的自然绝缘膜46所覆盖,且挟持该绝缘膜46而形成透明的第1电极50。根据本实施例,挟持该绝缘膜46而使反射电极44与第1电极50形成电容结合,再借由该电容将施加于反射电极44的显示内容所对应的数据电压施加于第1电极50。
借由使用与第2电极250相同的材料,作为第1电极50的材料,使具有相同功率函数的电极得以于其间隔着定向膜60,260而配置于液晶层300上,因此可借由第1电极50与第2电极250以良好的对称性交流驱动液晶层300。但是,即使第1电极50与第2电极250的功率函数不完全相同,其近似程度只要达到可以良好的对称性驱动液晶层300即可。例如:当两电极的功率函数的差在0.5eV程度以下时,即使液晶的驱动频率在上述的CFF以下,亦不会产生闪烁不定、液晶烧焦等问题,而得以达到高品质的显示。
为形成符合上述条件的第1电极50与第2电极250,例如可在第1电极50中使用IZO(功率函数4.7eV至5.2eV)、而在第2电极250中使用ITO(功率函数4.7eV至5.0eV),或使两者相反,在材料的选择上,可考量透过率、图案精密度等工艺上的特性或制造成本而分别选择各电极所使用的材料。
反射电极44至少在其表面侧(液晶层侧)使用Al、Ag、或两者的合金(在本实施例中为Al-Nd合金)等具有良好反射性的材料。此外,反射层44可以是Al等金属材料的单层,或设置Mo等高熔点金属层以作为连接平坦化绝缘膜38的衬底层。形成上述的衬底层时,由于反射电极44与平坦化绝缘膜38间的密接性提升,因而得以提升元件的可靠性。此外,在第11图的构成中,与上述第4图的实施例1相同,在形成于层间绝缘膜34上的平坦化绝缘膜38的各像素区域内形成具有所希望的角度的倾斜面,并借由覆盖该平坦化绝缘膜38并叠层反射电极44,而在反射电极44的表面形成相同的倾斜面。以最适当的角度、位置形成上述的倾斜面时,可于各像素聚集外光并将其射出,例如可提升显示器的正面位置的显示亮度。当然,上述的倾斜面并无一定存在的必要。
反射电极44由上述的Al-Nd合金等导电型材料所构成,而叠层于该反射电极44上的第1电极50,与反射电极44作电性绝缘。产生绝缘的理由在于:采用IZO、ITO等作为上述的第1电极50的材料时,两者借由溅射而成膜。亦即,由Al等所构成的反射电极,借由曝晒于溅射环境中,而在其表面产生氧化反应,而被自然氧化膜(绝缘膜)46所覆盖之故。
在第2实施例中,与习知的反射型LCD中驱动液晶的第1基板侧的反射电极相同地,反射电极44连接于TFT110(在此为源极电极40)。另一方面,反射电极44与第1电极50借由上述自然氧化膜46形成绝缘状态,并挟持形成于其间的自然氧化膜46,使反射电极44与第1电极50构成第2电容(C2)。此外,借由挟持液晶层300而对向配置的第1电极50与第2电极250来构成第1电容(像素电容)(C1)。该第1电容(C1)与第2电容(C2)如第12图所示一般,于1像素内,与串联电性连接于交流电源的电路形成等效。在此
【公式1】
V=V1(第1电容电压)+V2(第2电容电压)……(1)
电极间的电容值C,以下述的公式(2)表示之。
【公式2】
C=ε×ε0×(S/d)……(2)
(但是,ε为电极间材料的介电常数、ε0为真空中的介电常数、S为电容面积、d为电极间距离)
表示。此外,V1以公式(3)表示之。
【公式3】
V1=(C2/C1)×V2……(3)
由公式(3)可得知,当C2远大于C1时,可借由第2电容将极高的电压V1施加于第1电容。举例而言,当第1电容与第2电容的电容值,符合下述公式(4)的关系时,
【公式4】
C2>100×C1……(4)
即可借由第1电极50达到与利用反射电极44直接驱动液晶层300时大致相同的驱动。在此,由于反射电极44与第1电极50之间可形成极薄的自然氧化膜46,因此即使是小面积亦可将第2电容值C2设定为极大值。因此第2电容C2可符合上述的公式(4)。尤其,如图10所示,在反射型LCD中,由于反射电极44与第1电极50的重叠(电容面积)面积极大,故电容值C2亦相对变大,而得以达到上述的公式(4)的关系。
此外,例如,为满足上述的公式(4)的关系,最好将反射电极44与第1电极50的面积加以设定,使第1电容的面积亦即依每一像素形成个别图案的第1电极50的面积S1;与第2电容的面积亦即反射电极44与1电极50的重叠面积S2,得以符合下述的公式(5)的关系。
【公式5】
S2>0.1×S1……(5)
当然,反射电极44与第1电极50具有大致相等的面积的第10图所示的反射型LCD,可确实符合上述公式(5)的关系。
此外,上述公式(4)与公式(5)中,其电压损失低于1%,举例而言,在第1电极50与第2电极250的距离(液晶层300的厚度)d1为5μm,液晶层的介电常数ε1(液晶平均介电常数)为5,反射电极44与第1电极50间的距离(自然氧化膜46等的膜厚)d2为50nm,反射电极44与第1电极50间的介电常数(自然氧化膜以及其它平均介电常数)ε2为5的条件下成立。当然即使未符合上述所有条件,亦可由反射电极44借由电容结合来驱动第1电极50。
图13显示主动矩阵型的半透过型LCD的概略平面构成。与上述图10的构成相比较,其相异点仅在于:形成于第1电极50下层的反射电极44小于1像素区域,且存在有未形成反射电极44的区域。由于1像素区域内的反射电极44的形成面积较小,故相较于反射型LCD,其第2电容较小。但是,反射电极44与透明电极50之间的距离d2与液晶层的厚度d1的比例,即使在上述例中也仅有百分之一,C2的数值可符合上述公式(4)。
此外,半透过型LCD必需发挥光透过功能与光反射功能的两种功能,特别在反射功能上要求进一步的亮度提升,反射电极44在设计上,至少必须大于1像素区域面积的10%。因此,上述公式(5)的条件亦可符合该项要求。
如上所述,即使是半透过型LCD,只要利用与反射型完全相同的连接构造(制造方法),将反射电极44连接于像素TFT110即可。此外,借由将自然氧化膜46直接残留在反射电极44与第1电极50之间,即可借由形成于反射电极44与第1电极50之间的第2电容(C2),由反射电极44将对应于显示内容的电压施加于第1电极50。当然,由透明导电材料所构成的第1电极50形成于比反射电极44更靠近液晶层300侧,因此可借由第1电极50与第2电极250在对称性良好的状况下驱动液晶层300。因此,可以十分低廉的成本提高液晶驱动的对称性并提升显示品质。此外,即使不特别加大反射电极,亦可形成足以驱动第1电极50的第2电容,且在作为透过型LCD使用时同样可获得充分的亮度。
此外,在上述第2实施例的构成中,第1电极50的厚度,最好如上述的第1实施例一般,设定在1至100(最好在10至100之间)的范围、或是750至1250的范围内,如此一来,可防止颜色不均、并获得良好的光学特性。
如上述一般,在第2实施例中,不论是第1基板侧或是第2基板侧,均分别在其液晶相对侧配置由功率函数类似的透明导电性材料所构成的第1与第2电极,因此可借由第1电极与第2电极,在良好的对称性下驱动液晶层。此外在第1电极的下层,形成与开关元件相连接,且用以反射第2基板侧所射入的光的反射电极。
第1电极因与反射电极之间所形成的自然氧化膜等绝缘膜的存在,而得以与该反射电极电性绝缘,借由两电极所构成的电容(第2电容),可由反射电极对第1电极施加与显示内容所对应的电压大致相等的电压。此外,借由反射电极的存在,除了可构成反射型或半透过型LCD外,即使为了实现高对称性的液晶驱动而必须在反射电极上形成透明的第1电极,也无须变更反射型LCD中的反射电极与开关元件的连接构造。因此,不仅可实现制造成本的删减,同时可在简单的构成下,获得显示品质高、且低耗电力的反射型或半透过型液晶显示装置。

Claims (32)

1.一种液晶显示装置,在具备第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层而构成,其特征在于:
在所述第1基板上具备有:将从第2基板侧入射于所述液晶层的光予以反射的反射层;
所述第1电极是由覆盖所述反射层而形成的透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极的膜厚在750至1250的范围内。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于:在所述反射层与所述第1基板之间,在每一像素内设置开关元件,该开关元件与所述第1电极作电性连接。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于:所述第1电极或所述透明电极的所述透明导电性材料的功率函数,与形成于所述第2基板的液晶层侧的所述第2电极的透明导电性材料的功率函数的差值在0.5eV以下。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于:在所述反射层与所述第1基板之间,在每一像素内设置开关元件,该开关元件与所述透明电极作电性连接,在所述透明电极与所述反射层的层间形成绝缘膜,所述透明电极透过该绝缘膜与所述反射层形成电容藕合,由所述开关元件供给到所述反射层的电压,乃借由挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述透明电极所构成的电容而施加于所述透明电极。
5.一种液晶显示装置,在具备第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层而构成,其特征在于::
在所述第1基板上具备有:将从第2基板侧入射于所述液晶层的光予以反射的反射层,
所述第1电极是由覆盖所述反射层而形成的透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极的膜厚在1至100的范围内。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明电极的膜厚在10以上。
7.如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于:
在所述反射层与所述第1基板之间,在每一像素内设置开关元件,该开关元件与所述第1电极作电性连接。
8.如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第1电极或所述透明电极的所述透明导电材料的功率函数,与形成于所述第2基板的液晶层侧的所述第2电极的透明导电性材料的功率函数的差值在0.5eV以下。
9.如权利要求5所述的的液晶显示装置,其特征在于:在所述反射层与所述第1基板之间,在每一像素内设置开关元件,该开关元件与所述透明电极作电性连接,在所述透明电极与所述反射层的层间形成绝缘膜,所述透明电极透过该绝缘膜与所述反射层形成电容藕合,由所述开关元件供给到所述反射层的电压,乃借由挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述透明电极所构成的电容而施加于所述透明电极。
10.一种液晶显示装置,在具备第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层而构成,其特征在于:
在所述第1基板上,形成有将从第2基板侧入射于所述液晶层的光予以反射的反射层,以作为第1电极,并形成覆盖所述反射层而由透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极的膜厚在1至100的范围内。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明电极的膜厚在10以上。
12.如权利要求10所述的液晶显示装置,其特征在于:在所述反射层与所述第1基板之间,在每一像素内设置开关元件,该开关元件与所述第1电极作电性连接。
13.如权利要求10所述的液晶显示装置,其特征在于:所述第1电极或所述透明电极的所述透明导电性材料的功率函数,与形成于所述第2基板的液晶层侧的所述第2电极的透明导电性材料的功率函数的差值在0.5eV以下。
14.如权利要求10所述的液晶显示装置,其特征在于:
在所述反射层与所述第1基板之间,在每一像素内设置开关元件,该开关元件与构成所述第1电极的所述反射层相连接,在所述反射层与所述透明电极的层间形成绝缘膜,所述透明电极透过该绝缘膜与所述反射层形成电容藕合,由所述开关元件供给到所述反射层的电压,乃借由挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述透明电极所构成的电容而施加于所述透明电极。
15.一种液晶显示装置,在每一个像素内的具备个别的第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间封入构成液晶层,以进行各像素的显示,其特征在于:
所述第1基板还具备有:
设置于每一像素内的开关元件;以及
部分性地覆盖一像素区域,并于所述开关元件上与该开关元件作电性连接,而将从第2基板侧入射于所述液晶层的光予以反射的反射电极,
作为所述第1电极,在所述反射电极上,于其间隔着绝缘膜而形成由透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极与所述反射电极形成电容藕合,由所述开关元件供给到所述反射电极的电压,乃借由于所述空间挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述第1电极所构成的电容而施加于所述透明电极。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第1电极的所述透明导电性材料的功率函数,与形成于所述第2基板的液晶层侧的所述第2电极的透明导电性材料的功率函数的差值在0.5eV以下。
17.如权利要求16所述的液晶显示装置,其特征在于;
各像素中的液晶层的驱动频率低于60Hz。
18.一种液晶显示装置,在每一像素内的具备个别的第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层而构成,以进行各像素的显示,其特征在于:
所述第1基板还具备有:
设置于每一像素内的开关元件;以及
于所述开关元件上与该开关元件作电性连接,而将从第2基板侧入射于所述液晶层的光予以反射的反射电极,
作为所述第1电极,在所述反射电极之上,于其间隔着绝缘膜而形成由透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极与所述反射电极形成电容藕合,由所述开关元件供给到所述反射电极的电压,乃借由于所述空间挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述第1电极所构成的电容而施加于所述透明电极,
于其间挟持所述液晶层而相对向配置的所述第1电极与第2电极之间所构成的像素电容的电容值C1,以及由所述反射电极与所述第1电极所构成的电容的电容值C2,符合
C2>100×C1的关系。
19.如权利要求18所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第1电极的所述透明导电性材料的功率函数,与形成于所述第2基板的液晶层侧的所述第2电极的透明导电性材料的功率函数的差值在0.5eV以下。
20.如权利要求19所述的液晶显示装置,其特征在于:
各像素中的液晶层的驱动频率低于60Hz。
21.如权利要求18所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明电极的膜厚在750至1250的范围内。
22.如权利要求18所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明电极的膜厚在1至100的范围内。
23.一种液晶显示装置,在每一像素内的具备个别的第1电极的第1基板与具备第2电极的第2基板之间封入液晶层而构成,以进行各像素的显示,其特征在于:
所述第1基板还具备有:
设置在每一像素内的开关元件;以及
于所述开关元件上与该开关元件作电性连接,而将从第2基板侧入射于所述液晶层的光予以反射的反射电极,
作为所述第1电极,在所述反射电极上,于其间隔着绝缘膜而形成由透明导电材料所构成的透明电极,该透明电极与所述反射电极形成电容藕合,由所述开关元件供给到所述反射电极的电压,乃借由于所述空间挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述第1电极所构成的电容而施加于所述透明电极,
于其间挟持所述液晶层而与所述第2电极相对向配置的所述第1电极的面积S1,与于其间挟持所述绝缘膜而相对向配置的所述反射电极与所述第1电极的重叠面积S2,符合
S2>0.1×S1的关系。
24.如权利要求23所述的液晶显示装置,其特征在于;
所述第1电极的所述透明导电性材料的功率函数,与形成于所述第2基板的液晶层侧的所述第2电极的透明导电性材料的功率函数的差值在0.5eV以下。
25.如权利要求23所述的液晶显示装置,其特征在于:
各像素中的液晶层的驱动频率低于60Hz。
26.如权利要求13所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明电极的膜厚在750至1250的范围内。
27.如权利要求13所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明电极的膜厚在1至100的范围内。
28.一种发光显示装置,形成于基板的主面侧,且具备有由基板侧依序形成第1电极、发光元件层、第2电极而构成的发光元件,其特征在于::
在由透明导电材料所构成的所述第1电极与所述基板之间,具备有反射由所述发光元件层或所述第2电极侧所入射的光的反射层,
透明的所述第1电极的膜厚在750至1250的范围内。
29.如权利要求28所述的发光显示装置,其特征在于:
在所述反射层与所述基板之间,又依照每一像素设置开关元件,该开关元件与所述第1电极作电性连接。
30.一种发光显示装置,形成于基板的主面侧,且具备有由基板侧依序形成第1电极、发光元件层、第2电极而构成的发光元件,其特征在于:
所述第1电极是由透明导电材料所构成的透明电极,在该透明电极与所述基板之间,具备有反射由所述发光元件层或所述第2电极侧所入射的光的反射层,该透明电极的膜厚在1至100的范围内。
31.如权利要求30所述的发光显示装置,其特征在于:
在所述反射层与所述基板之间,还在每一像素内设置开关元件,该开关元件与所述第1电极作电性连接。
32.一种发光显示装置,形成于基板的主面侧,且具有具备第1电极、发光元件层、第2电极的发光元件,其特征在于:
于所述基板上,形成用以反射由所述发光元件层或所述第2电极侧所入射的光的反射层以作为所述第1电极,
由透明导电材料所构成且膜厚在1至100的范围内的透明电极,覆盖所述反射层而形成,
在所述反射层与所述基板之间,还在每一像素内设置开关元件,
该开关元件与构成所述第1电极的所述反射层相连接,在所述反射层与所述透明电极的层间形成绝缘膜,所述透明电极透过该绝缘膜与所述反射层形成电容藕合,由所述开关元件供给到所述反射层的电压,乃借由挟持所述绝缘膜而配置的所述反射电极与所述透明电极所构成的电容而施加于所述透明电极。
CNB03107054XA 2002-03-04 2003-03-04 具有反射层的显示装置 Expired - Fee Related CN1239946C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002057306 2002-03-04
JP2002057306A JP3953338B2 (ja) 2002-03-04 2002-03-04 液晶表示装置
JP2002059336 2002-03-05
JP2002059336A JP2003255378A (ja) 2002-03-05 2002-03-05 液晶表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200510080737XA Division CN100523963C (zh) 2002-03-04 2003-03-04 具有反射层的显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1452000A true CN1452000A (zh) 2003-10-29
CN1239946C CN1239946C (zh) 2006-02-01

Family

ID=29253507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB03107054XA Expired - Fee Related CN1239946C (zh) 2002-03-04 2003-03-04 具有反射层的显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7133094B2 (zh)
KR (1) KR100582131B1 (zh)
CN (1) CN1239946C (zh)
TW (1) TWI230304B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100339754C (zh) * 2004-04-28 2007-09-26 友达光电股份有限公司 应用于反射式平面显示器的反射电极的制作方法及光罩
CN101535876B (zh) * 2007-02-14 2011-04-20 夏普株式会社 半透过型液晶显示装置
CN101276108B (zh) * 2007-03-26 2012-05-16 乐金显示有限公司 透反射型液晶显示面板及其制造方法
CN106950746A (zh) * 2017-04-01 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6250850B1 (en) * 1999-08-19 2001-06-26 Rockwood Retaining Walls, Inc. Block with multifaceted bottom surface
JP2004053896A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Sharp Corp 表示装置
JP4207818B2 (ja) * 2003-07-16 2009-01-14 日本ビクター株式会社 反射型液晶表示装置
TWI293750B (en) * 2003-10-02 2008-02-21 Sanyo Electric Co Method for driving a liquid crystal display device, a liquid crystal display device, and a driving device for such liquid crystal device
KR100611157B1 (ko) * 2003-11-29 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
CN1961617B (zh) * 2004-03-29 2010-04-28 富士胶片株式会社 有机电致发光元件及其制造方法和显示装置
US7573551B2 (en) * 2004-05-21 2009-08-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device and color liquid crystal display device
KR100930920B1 (ko) * 2004-06-30 2009-12-10 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치 및 그 제조방법
US7864281B2 (en) * 2004-08-24 2011-01-04 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display unit provided with it
CN100414408C (zh) * 2004-11-26 2008-08-27 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 液晶显示装置
JP2006258923A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4434166B2 (ja) * 2005-06-09 2010-03-17 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び電子機器
JP3892882B2 (ja) 2005-06-13 2007-03-14 三菱電機株式会社 半透過型液晶表示装置
TWI279918B (en) * 2005-06-29 2007-04-21 Quanta Display Inc A method for forming a liquid crystal display
JP4678291B2 (ja) * 2005-11-29 2011-04-27 三菱電機株式会社 表示装置及び表示装置の修復方法
JP4907193B2 (ja) * 2006-02-24 2012-03-28 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US7683988B2 (en) * 2006-05-10 2010-03-23 Au Optronics Transflective liquid crystal display with gamma harmonization
WO2007129480A1 (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Sharp Kabushiki Kaisha 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
JP5000937B2 (ja) * 2006-06-30 2012-08-15 三菱電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
US7932183B2 (en) * 2006-11-14 2011-04-26 Mitsubishi Electric Corporation Method of manufacturing multilayer thin film pattern and display device
WO2008099535A1 (ja) * 2007-02-13 2008-08-21 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示装置および電子機器
JPWO2008111259A1 (ja) * 2007-03-15 2010-06-24 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US20080238297A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Masuyuki Oota Organic el display and method of manufacturing the same
KR20080101237A (ko) * 2007-05-16 2008-11-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN101681046B (zh) * 2007-06-05 2012-01-11 夏普株式会社 液晶显示装置
JP2009111023A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機el表示装置及びその製造方法
TWI470787B (zh) 2008-03-31 2015-01-21 Japan Display Inc 有機el顯示裝置及其製造方法
JP4775863B2 (ja) * 2008-09-26 2011-09-21 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
JP5287100B2 (ja) * 2008-09-30 2013-09-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US20110108812A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Shiro Sumita Organic el device
JP2011113736A (ja) * 2009-11-25 2011-06-09 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el装置及びその製造方法
JP6808335B2 (ja) 2016-03-11 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP6980498B2 (ja) * 2017-11-22 2021-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2020181190A (ja) * 2019-04-24 2020-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 表示装置及びその製造方法
TWI740484B (zh) 2020-05-04 2021-09-21 宏碁股份有限公司 顯示裝置與其製造方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5414442A (en) * 1991-06-14 1995-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving the same
CN1244891C (zh) * 1992-08-27 2006-03-08 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器
US5592190A (en) * 1993-04-28 1997-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus and drive method
JPH07321328A (ja) 1994-05-27 1995-12-08 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ駆動液晶表示装置およびその製法
JP3301219B2 (ja) 1994-06-09 2002-07-15 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
JP3116761B2 (ja) 1994-12-29 2000-12-11 日本ビクター株式会社 液晶表示装置
US5633736A (en) * 1995-03-28 1997-05-27 Eastman Kodak Company Scan lens and an optical scanner system incorporating two deflectors
JPH09113931A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Sharp Corp 液晶表示装置
TW409194B (en) * 1995-11-28 2000-10-21 Sharp Kk Active matrix substrate and liquid crystal display apparatus and method for producing the same
JP3191085B2 (ja) * 1996-01-29 2001-07-23 株式会社日立製作所 反射型液晶表示素子および液晶表示装置
US5832563A (en) * 1996-05-28 1998-11-10 Simpson; Ronald Keith Forearm assistant device
JPH1054995A (ja) * 1996-06-06 1998-02-24 Pioneer Electron Corp 反射型液晶表示装置
JP3751681B2 (ja) 1996-06-11 2006-03-01 ソニー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US6104450A (en) * 1996-11-07 2000-08-15 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device, and methods of manufacturing and driving same
US5764324A (en) * 1997-01-22 1998-06-09 International Business Machines Corporation Flicker-free reflective liquid crystal cell
JPH10333168A (ja) 1997-06-04 1998-12-18 Toshiba Corp 液晶表示装置および液晶表示システム
JPH10333169A (ja) 1997-06-05 1998-12-18 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2955277B2 (ja) 1997-07-28 1999-10-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JPH1197182A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Pioneer Electron Corp 発光ディスプレイパネル
JPH11109406A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置とその製造方法
US6281952B1 (en) * 1997-12-26 2001-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US6873383B1 (en) * 1998-04-08 2005-03-29 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2001125096A (ja) 1998-04-08 2001-05-11 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器
US6693698B2 (en) * 1998-07-22 2004-02-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
US6236440B1 (en) 1998-07-22 2001-05-22 U.S. Philips Corporation Display device in which one of the two electrodes of a pixel is coated with a dipole material to equalize the electrode work functions
JP3324120B2 (ja) * 1998-07-27 2002-09-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、投射型表示装置及び電子機器
JP4090594B2 (ja) 1998-10-20 2008-05-28 三菱電機株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP3474167B2 (ja) * 1999-02-23 2003-12-08 シチズン時計株式会社 液晶表示装置
TWI251697B (en) * 1999-05-26 2006-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display element and producing method thereof
TW548484B (en) 1999-07-16 2003-08-21 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device, electronic apparatus and substrate for liquid crystal device
JP2001043980A (ja) 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
KR100312328B1 (ko) * 1999-08-06 2001-11-03 구본준, 론 위라하디락사 반사투과형 액정 표시장치
JP4449116B2 (ja) 1999-09-20 2010-04-14 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置
JP3864636B2 (ja) 1999-09-29 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 液晶パネル用基板、液晶パネル及びそれを用いた電子機器並びに液晶パネル用基板の製造方法
JP3670577B2 (ja) * 2000-01-26 2005-07-13 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
JP4278834B2 (ja) * 2000-06-02 2009-06-17 株式会社日立製作所 液晶表示装置とその製造方法
JP3824889B2 (ja) * 2000-07-14 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板及び液晶装置、並びにこれらの製造方法
JP2002162645A (ja) * 2000-09-14 2002-06-07 Sony Corp 半透過型液晶表示装置
KR100397399B1 (ko) * 2001-02-22 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2002365664A (ja) 2001-06-05 2002-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶表示装置
TWI255375B (en) * 2003-04-25 2006-05-21 Sanyo Electric Co Display device
JP2005092122A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Nec Corp 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100339754C (zh) * 2004-04-28 2007-09-26 友达光电股份有限公司 应用于反射式平面显示器的反射电极的制作方法及光罩
CN101535876B (zh) * 2007-02-14 2011-04-20 夏普株式会社 半透过型液晶显示装置
CN101276108B (zh) * 2007-03-26 2012-05-16 乐金显示有限公司 透反射型液晶显示面板及其制造方法
CN106950746A (zh) * 2017-04-01 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20040004686A1 (en) 2004-01-08
KR100582131B1 (ko) 2006-05-23
KR20030072234A (ko) 2003-09-13
CN1239946C (zh) 2006-02-01
TW200304028A (en) 2003-09-16
TWI230304B (en) 2005-04-01
US7133094B2 (en) 2006-11-07
US20070013837A1 (en) 2007-01-18
US7482746B2 (en) 2009-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1239946C (zh) 具有反射层的显示装置
CN1184524C (zh) 显示装置及其制造方法
CN1186684C (zh) 显示装置及其制造方法
CN1169394C (zh) 全色有机电致发光显示屏及其制造方法和驱动电路
US9711751B2 (en) Organic light emitting display device
CN106972042B (zh) 有机发光显示装置
US9018621B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
CN103715231B (zh) 有机发光显示面板、显示装置
CN1947464A (zh) 发光显示器
CN1186803C (zh) 液晶显示装置
CN1638547A (zh) 显示装置的制造方法
CN1638580A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1450841A (zh) 发光设备、液晶显示设备及它们的制造方法
CN1725921A (zh) 有机电致发光显示器及其制造方法
CN1604707A (zh) 有机电致发光显示面板
CN1645978A (zh) 有机电致发光设备及其制造方法
CN1674749A (zh) 有机发光显示装置
KR102399435B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10269876B2 (en) Organic light emitting diode display
CN1573488A (zh) 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板
EP2945201B1 (en) Organic light emitting display device
CN101030003A (zh) 具有反射层的显示装置
CN105826356B (zh) 一种高开口率的显示面板及其制作方法
CN1705420A (zh) 有机el显示器及其制作方法
JP2007140547A (ja) 表示装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20060201

Termination date: 20140304