WO2000016153A1 - Substrat pour panneau a cristaux liquides, panneau a cristaux liquides, appareil electronique comprenant ce panneau, et procede de fabrication d'un substrat pour panneau a cristaux liquides - Google Patents

Substrat pour panneau a cristaux liquides, panneau a cristaux liquides, appareil electronique comprenant ce panneau, et procede de fabrication d'un substrat pour panneau a cristaux liquides Download PDF

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substrate
film
crystal panel
reflective electrode
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Shigenori Katayama
Ryo Ishii
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Seiko Epson Corporation
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    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/02—Function characteristic reflective

Definitions

  • the present invention relates to a structure of a liquid crystal panel substrate on a reflective electrode side constituting a reflection type liquid crystal panel, a liquid crystal panel configured using the liquid crystal panel substrate, and an electronic device configured using the liquid crystal panel. Also, it belongs to the technical field of a method for manufacturing such a liquid crystal panel substrate.
  • liquid crystal panels have been used as information display devices for mobile devices such as mobile phones and mobile information terminals.
  • the content of information to be displayed varies from character display to dot-matrix liquid crystal panels to display more information at a time, and the number of pixels is gradually increasing and the duty is increasing.
  • a simple matrix type liquid crystal panel was used as a display device.However, in a simple matrix type liquid crystal panel, when multiplex driving is performed, the higher the duty ratio, the higher the duty ratio as a signal for selecting a scanning line. This is a major issue for battery-powered portable devices that demand a small reduction in power consumption.
  • Japanese Patent Application No. 10-212129 a liquid crystal panel substrate as a semiconductor substrate, a memory circuit formed on the semiconductor substrate for each pixel, and a memory circuit holding data.
  • a reflection-type liquid crystal panel driven by a stake which controls the display based on one night. According to such a reflective liquid crystal panel, display is performed by reflecting light incident from the outside, so that a backlight as a light source is not required, so that power consumption is low, and a thin and light weight can be achieved.
  • the contrast is high, the response speed is relatively fast, the driving voltage is low, and the gradation display is difficult.
  • a display such as easy Although it has the required characteristics in a well-balanced manner, it has, on the other hand, problems in principle such as narrow viewing angle and unsuitable for bright display.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and has a wide viewing angle, a reflective liquid crystal panel substrate that enables bright and high-quality reflective display, a liquid crystal panel using the liquid crystal panel substrate, It is an object to provide an electronic device using the liquid crystal panel and a method for manufacturing the substrate for the liquid crystal panel.
  • a liquid crystal panel substrate includes a transistor, a light-shielding film connected to the transistor, a reflection electrode connected to the light-shielding film, and a portion below the reflection electrode.
  • an uneven film which is laminated in a region corresponding to the reflective electrode via an interlayer insulating film and which is formed in an uneven shape.
  • the surface of the reflective electrode that is, the reflective surface formed thereover via the interlayer insulating film is also formed in an uneven shape corresponding to the uneven shape in the uneven film. .
  • the degree of scattering of the reflected light can be increased in accordance with the degree of unevenness on the surface of the reflective electrode.
  • a direct-view reflective liquid crystal device is configured using the liquid crystal panel substrate, it is possible to increase the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles.
  • the reflective electrode having the best possible reflection characteristics enables a bright, high-quality reflective display with a wide viewing angle and a natural ground surface.
  • the light shielding film shields a gap between the reflective electrodes when viewed from a direction perpendicular to the substrate, and is formed of the same film as the uneven film.
  • the uneven film is made of, for example, an A1 film, and a light-shielding film that shields the gap between the reflective electrodes is provided from the same film. Therefore, if a transistor is arranged below the reflective electrode and the uneven film, the light that enters through the gap between the reflective electrodes can be shielded by the light-shielding film. Leaks can be avoided.
  • the uneven film By forming both the concavo-convex film and the light-shielding film from the same film, the number of layers in the laminated structure is increased unnecessarily. It is possible to simplify the device configuration and the manufacturing process of the liquid crystal panel substrate. Note that the uneven film, even if it is a transparent film, retains the basic function of providing unevenness to the reflective electrode as long as it is formed in an uneven shape. Is obtained.
  • the uneven film is made of one conductive film, and further has a wiring formed from the same film as the one conductive film.
  • the uneven film is formed of, for example, one conductive film such as an A1 film, and for example, a wiring such as a fiber interconnect connecting the reflective electrode and the transistor is formed of the one conductive film. . That is, by forming both the concavo-convex film and the wiring from the same film, the number of layers in the laminated structure does not need to be increased unnecessarily, and the device configuration and the manufacturing process in the liquid crystal panel substrate can be simplified. Becomes In addition, as long as the uneven film is an insulating film, as long as it is formed in an uneven shape, the basic function of providing unevenness to the reflective electrode is maintained. The effect of increasing is obtained.
  • another conductive film is further laminated between the one conductive film and the substrate via an interlayer insulating film, and the other conductive film is present depending on the presence and absence of the other conductive film.
  • a configuration may be such that a step is formed in the uneven film formed of the one conductive film portion located above the conductive film.
  • the uneven film is located below the uneven film as compared with the case where there are only two levels on the surface. Due to the presence and absence of the conductive film, three or more levels can be present on the surface of the uneven film. This makes it possible to efficiently increase the degree of scattering of reflected light.
  • the other conductive film may be positively patterned so that a fine step is formed on one surface of the uneven film, or a pattern of a wiring or the like formed from the other conductive film may be used as it is. The step may be configured to generate a step.
  • the uneven film is formed in an uneven shape by forming a large number of fine pores irregularly in a flat film.
  • a hole is formed by etching after forming a flat film, Since the film can be formed, the uneven film can be formed relatively easily.
  • a wiring or a light-shielding film is formed from the same film as the concavo-convex film, such holes can be opened at the same time as patterning the wiring and the light-shielding film by photolithography and etching. This is advantageous in simplifying the manufacturing process.
  • an uneven film by forming fine projections instead of holes, that is, to form an uneven film so as to have a convex portion instead of a concave portion.
  • the wiring and the light-shielding film can be formed at the same time as the patterning by photolithography and etching. This is advantageous in simplifying the process.
  • the substrate is formed of a semiconductor substrate.
  • a transistor for controlling the switching of the reflective electrode can be formed on the semiconductor substrate.
  • the substrate may be formed of single crystal silicon.
  • the substrate is formed of a transparent substrate.
  • the surface of the reflective electrode can be made uneven using the uneven film accumulated via the SOG film, and a transistor is formed on the S0G film using the S0G technology. Can also.
  • the substrate may be formed of glass.
  • the interlayer insulating film includes an SOG film.
  • the surface of the reflective electrode can be made uneven using the uneven film laminated via the SOG film, and a transistor can be formed on the S0G film by using the S0G technology. It becomes possible.
  • the SOG film may be etch back.
  • the SOG film is etched back as described above, it is possible to make the reflective electrode formed thereabove have better reflection characteristics.
  • the liquid crystal panel of the present invention has the above-mentioned liquid crystal panel of the present invention.
  • the liquid crystal is interposed between the liquid crystal substrate and the transparent counter substrate.
  • the above-described liquid crystal panel substrate of the present invention is provided. Therefore, if a direct-view reflective liquid crystal device is configured using the liquid crystal panel, the reflective liquid crystal device having optimal reflection characteristics can be obtained.
  • the electrodes enable bright, high-quality reflective display on a natural ground surface with a wide viewing angle.
  • an electronic apparatus includes the above-described liquid crystal panel of the invention.
  • a direct-view reflective display unit configured using the liquid crystal panel has a wide viewing angle and a natural view. Bright, high-quality reflective display on the ground can be performed.
  • a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal panel includes: a plurality of scanning lines and a plurality of data lines on a substrate; a transistor connected to the scanning lines and the data lines; A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal panel having a reflective electrode connected to the substrate, wherein a step of forming a concave-convex concave-convex film in a region on the substrate corresponding to the reflective electrode; Forming the reflective electrode through an interlayer insulating film.
  • an uneven film having an uneven shape is formed on a region of the substrate corresponding to the reflective electrode. This step is relatively easily performed, for example, by forming a large number of fine holes by etching after forming a flat film.
  • a reflective electrode is formed on the uneven film via an interlayer insulating film. Therefore, the above-described liquid crystal panel substrate of the present invention can be manufactured relatively easily and with good reproducibility.
  • the substrate for a liquid crystal panel comprises: supplying a substrate with a plurality of row scanning lines and a plurality of column scanning lines that intersect each other, a plurality of data lines arranged along the column scanning lines, and a voltage signal. Voltage signal lines, and a plurality of pixel driving circuits arranged corresponding to intersections of the row scanning lines and the column scanning lines,
  • the pixel driving circuit is conductive when a pixel electrode and the row scanning line are selected, and is non-conductive when at least one of the row scanning line and the column scanning line is not selected.
  • a switching circuit a memory circuit for receiving a data signal of the data line when the switching circuit is in a conductive state, and holding a data signal when the switching circuit is in a non-conductive state; When the data signal is at the first level, the first voltage signal is output from the voltage signal line to the pixel electrode, and when the data signal is at the second level, the second voltage signal is output to the pixel electrode from the voltage signal line.
  • a pixel driver that outputs the voltage signal wherein the pixel driver is connected to the reflective electrode via a light-shielding film, and a region corresponding to the light-shielding film via an interlayer insulating film below the reflective electrode.
  • the light-shielding film is formed in the same shape as the light-shielding film, and is formed of the same film.
  • the reflective electrode is connected to the pixel driver via the light-shielding film, in a region corresponding to the gap between the reflective electrodes, incident light enters the pixel driver, and the pixel driver is It can be provided so as to block light so as not to leak light.
  • an uneven film is formed in a region corresponding to the reflective electrode using the same film as the light-shielding film, and the surface of the reflective electrode formed above the uneven electrode corresponding to the uneven shape of the uneven film with an interlayer insulating film interposed therebetween. That is, the reflection surface is also formed in an uneven shape. Therefore, the degree of scattering of the reflected light can be increased in accordance with the degree of unevenness on the surface of the reflection electrode.
  • a direct-view reflective liquid crystal device is configured using the liquid crystal panel substrate, the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles can be increased.
  • the reflective electrode having the optimal reflection characteristics enables bright and high-quality reflective display on a natural ground surface with a wide viewing angle.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view in a pixel region of a first embodiment of a liquid crystal panel substrate on a reflective electrode side constituting a reflective liquid crystal panel to which the present invention is applied.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view in a pixel region of a second embodiment of a liquid crystal panel substrate on a reflective electrode side that constitutes a reflective liquid crystal panel to which the present invention is applied.
  • FIG. 3 shows a liquid crystal panel on a reflective electrode side constituting a reflective liquid crystal panel to which the present invention is applied.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a pixel substrate in a pixel region of a third embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel substrate on a reflective electrode side constituting a reflective liquid crystal panel to which the present invention is applied, in a pixel region of a fourth embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view (FIG. 5 (a)) showing the arrangement of the concave portion of the pixel region and the light-shielding layer in the first, second, and fourth embodiments, and a plan view showing an enlarged portion of the gap between the reflective electrodes.
  • FIG. 5 (b) shows the arrangement of the concave portion of the pixel region and the light-shielding layer in the first, second, and fourth embodiments, and a plan view showing an enlarged portion of the gap between the reflective electrodes.
  • FIG. 6 is a plan view showing the arrangement of the concave portions of the pixel region and the light shielding layer in the third embodiment.
  • FIG. 7 is a block diagram illustrating an example of a pixel of a liquid crystal panel configured using the liquid crystal panel substrate of each embodiment, a driving circuit thereof, and the like.
  • FIG. 8 is a circuit diagram in which the driving circuit based on FIG. 7 is configured by CMOS transistors.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration example of a driving circuit for a pixel region in each embodiment in the case of a single liquid crystal panel.
  • FIG. 10 is a symbolic diagram (FIG. 10 (a)) of one liquid crystal pixel driving circuit included in the driving circuit of FIG. 9 and a circuit diagram showing a specific circuit configuration corresponding thereto (FIG. 10 (b)). ).
  • FIG. 11 is a plan view showing a layout pattern of the drive circuit of FIG.
  • FIG. 12 is an enlarged plan view showing a portion related to one liquid crystal pixel drive circuit in the layout pattern of the drive circuit in FIG. 11.
  • FIG. 13 is a plan view of a reflective liquid crystal panel configured using the liquid crystal panel substrate of each embodiment.
  • FIG. 14 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.
  • FIG. 15 is a perspective view of a mobile phone using the reflective liquid crystal panel of each embodiment (FIG. 15 (a)), a perspective view of a wristwatch-type television (FIG. 15 (b)), and a perspective view of a personal combination (FIG. 15 (b)).
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the pixel region of the liquid crystal panel substrate on the reflective electrode side according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 5 (a) is a plan view of this pixel region
  • FIG. 5B is an enlarged plan view showing the gap between the reflection electrodes in FIG. 5A.
  • FIG. 13 is a plan view of the entire liquid crystal panel
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line AA ′.
  • a semiconductor substrate is used as the substrate 1 as shown in FIG.
  • the material of the substrate 1 is not limited to this embodiment.
  • a transparent substrate such as a glass substrate may be used.
  • an image display area 20 is provided in the center of the substrate 1 on the reflective electrode side (the lower side in FIG. 14).
  • Row scanning lines and column scanning lines are arranged in a matrix. Each pixel is arranged according to the intersection of a row scanning line and a column scanning line, each pixel is provided with a reflective electrode 13, and a liquid crystal pixel is provided on the substrate 1 below each reflective electrode 13 as described later.
  • a drive circuit is provided.
  • row scanning line driving circuits 1 1 1 that supply row scanning signals to row scanning lines
  • column scanning line driving circuits 1 1 3 that supply column scanning signals to column scanning lines
  • An input data line 22 for taking in input data from outside via a pad area 26 is arranged.
  • the liquid crystal 37 is sealed in the gap to form a liquid crystal panel 30.
  • light is supplied to the row scanning line driving circuit 111, the column scanning line driving circuit 113, and the input data line 222.
  • a light-shielding film 25 that prevents light from entering and that defines the frame of the image display area 20 is formed.
  • a substrate 1 is composed of a P-type semiconductor substrate (or N-type semiconductor substrate) such as single-crystal silicon, and an N-type region having a higher impurity concentration than the substrate 1 is provided on the surface of the substrate 1. 2 (or P-type metal region) is formed.
  • This well area 2 is different from the well area where the elements constituting the peripheral circuits such as the column scanning line driving circuit 113, the row scanning line driving circuit 111, and the input data line 22 shown in FIG. 13 are formed. They may be formed separately.
  • a field oxide film (so-called LOCOS) 3 for element isolation formed on the substrate 1 is formed.
  • the field oxide film 3 is formed by, for example, selective thermal oxidation.
  • An opening is formed in the field oxide film 3, and a gate electrode 5 made of polysilicon or metal silicide is formed in the center of the inside of the opening via a gate oxide film formed by thermal oxidation of the silicon substrate surface.
  • Source / drain regions 6a and 6b composed of an impurity layer (hereinafter referred to as a doping layer) are formed on the surface of the gate region 2 on both sides of the gate electrode 5, and a field-effect transistor (hereinafter referred to as a FET) is formed.
  • a field-effect transistor hereinafter referred to as a FET
  • the first layer of the first layer counted from the substrate 1 is interposed via a first interlayer insulating film 7 made of, for example, a BPSG (Boron Phosphorus Silica Grass) film.
  • Conductive layers 8a and 8b are formed.
  • the first conductive layers 8a and 8b are formed, for example, by depositing an aluminum layer or a tantalum layer to a thickness of 500 nm by a sputtering method.
  • the first conductive layer 8a is electrically connected to a source region (or a drain region) 6a through a contact hole formed in the first interlayer insulating film 7, and connects a source electrode (or a drain electrode) of the FET.
  • the first conductive layer 8b is electrically connected to a drain region (or a source region) 6b through a contact hole formed in the first inter-layer insulating film 7, and is connected to a drain electrode (or a source electrode) of the FET. Is composed.
  • a second interlayer insulating film 9 made of, for example, a silicon oxide film is formed above the first conductive layers 8a and 8b, and a contact hole 9b is formed in the second interlayer insulating film 9. You. Above that, the second conductive layers 10a and 10b of the second layer counted from the substrate 1 side are formed.
  • the second conductive layers 10a and 10b are formed, for example, by depositing an aluminum layer or a tantalum layer to a thickness of 500 nm by a sputtering method.
  • the first conductive layer 8b and the second conductive layer 1 Ob are electrically connected via a contact hole 9b.
  • the second interlayer insulating film 9 can be formed by, for example, a sputtering method or a plasma CVD method using TEOS (tetraethylorthosilicate).
  • the second conductive layer 10 a on which the second interlayer insulating film 9 is formed for example, by depositing a silicon oxide film by
  • the corresponding region has a function of blocking light so that incident light does not enter the semiconductor layer side (cell region 2) on the substrate 1 and the FET does not leak light.
  • a planar layout is formed so as to cover the gap between the reflective electrodes 13 without forming a concave portion (ie, without opening a fine hole).
  • the second conductive layer 10a in a region corresponding to the reflective electrode 13, a concave portion in which holes are irregularly arranged in a burrow shape is formed.
  • the hole preferably has a diameter of 0.5 to 10 zm, and may have any size or several sizes in this range. Further, the shape of the hole is not limited to this embodiment. For example, a polygon such as a regular octagon may be applied.
  • the step of forming such holes can be performed simultaneously with the step of patterning the wiring and the light shielding film from the second conductive layers 10a and 10b by photolithography and etching, which is advantageous in the manufacturing process.
  • the second conductive layer 10b is directly connected to the first conductive layer 8b through the contact hole 9b.
  • the second conductive layer 10b is connected using a connection plug made of a refractory metal such as tungsten. Is also good.
  • third interlayer insulating films 11a, 1 lb and 11c having a three-layer structure are formed above the second conductive layers 10a and 10b.
  • the third interlayer insulating film 11a is formed of, for example, a silicon oxide film having a thickness of 600 nm by TEOS plasma CVD
  • the third interlayer insulating film 11b is formed of, for example, an SOG (Spin On Glass) film.
  • SOG Spin On Glass
  • the thickness of the SOG film is not limited to the present embodiment, but is preferably about 100 to 50 Onm in order to form an appropriate concave portion in a region corresponding to the reflective electrode 13.
  • the SOG film and the third interlayer insulating film 11a may be etched under non-selective conditions or arbitrary conditions.
  • 1 lb and 1 la of the third interlayer insulating film made of the SOG film is etched by 500 nm under conditions having no selectivity.
  • the amount of etching at this time is not limited to the present embodiment, and is preferably about 100 to 50 Onm.
  • the third interlayer insulating film 11c is formed of, for example, a 500 nm-thick silicon oxide film by plasma CVD of TES, similarly to the third interlayer insulating film 1la.
  • the taper of the concave portion formed on the surface of the third interlayer insulating film 11a, lib, 11c corresponding to the reflective electrode 13 has a gentle curved shape.
  • a reflective electrode 13 having characteristics is formed.
  • connection between the second conductive layer 1 Ob formed at the same time as the second conductive layer 10 a and the reflective electrode 13 is performed through contact holes opened in the third interlayer insulating films 11 a, 11 b, 11 c, and tungsten.
  • the connection plug 12 made of a high melting point metal is embedded and formed by a CVD method or the like.
  • the third conductive layer which is the third layer counted from the substrate 1 side, is formed of, for example, aluminum by a low-temperature sputtering method as the reflective electrode 13. Thereby, the reflective electrode 13 having a high reflectance of 90% or more can be formed.
  • the presence or absence of the first conductive layers 8a and 8b causes the second conductive layer 10a located above the first conductive layers 8a and 8b to be formed.
  • a step is generated in a, and the step is finally formed in the reflective electrode 13 due to the step. Therefore, a recess is formed in the flat second conductive layer 10a.
  • the steps such as the wiring formed from the first conductive films 8a and 8b are used as they are so that a step is generated.
  • the first conductive films 8a and 8b are also actively patterned so as to have a large number of minute irregularities so that fine steps are formed over one surface of the second conductive layer 10a. Good.
  • a reflective electrode 1 having a large number of smooth uneven portions is provided on a second conductive layer 10a having a large number of concave portions. 3 is formed, and the second conductive layer 10 a in which no concave portion is formed is formed so as to cover the gap between the reflective electrodes 13. Further, at the center of each reflective electrode 13, a contact hole 9 b serving as a connection portion between the drain electrode (or source electrode) 8 b and the second conductive layer 1 O b is formed as described above. A connection plug 12 for connecting the second conductive layer 1Ob and the reflective electrode 13 is formed adjacent to this. As shown in FIG.
  • the second conductive layer 10a has a concave portion in which holes are irregularly arranged in a burrow shape in a region B corresponding to the reflective electrode 13. In the region corresponding to the gap between the reflective electrodes 13 excluding the region B, no recess is formed so that incident light enters the semiconductor layer side on the substrate 1 and the FET does not leak light.
  • a circle is applied to the shape of the hole.
  • the diameter of the hole is desirably 0.5 to 5 zm, and may be any size or several sizes in this range.
  • the shape of the hole is not limited to this embodiment. For example, a polygon such as a regular octagon may be applied.
  • the distance A from the end of the reflective electrode 13 to the end of the concave region is not particularly limited, but is about 3 zm or more in order to have a light shielding function. It is desirable that (Second Embodiment of Liquid Crystal Panel Substrate of the Present Invention)
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a second embodiment of the liquid crystal panel substrate on the reflective electrode side of the reflective liquid crystal panel to which the present invention is applied. Note that, in FIG. 2, the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the second conductive layer 1 Ob and the reflective electrode 13 are directly connected via a contact hole without using the connection plug 12 as in the first embodiment. ing.
  • the present embodiment is very effective in simplifying the process.
  • a first conductive layer 8c is formed in addition to the first conductive layers 8a and 8b.
  • the first conductive layer 8c is patterned so as to have a portion in which a number of minute concave portions are formed so that a fine step is formed over one surface of the second conductive layer 10a.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a third embodiment of the liquid crystal panel substrate on the reflective electrode side of the reflective liquid crystal panel to which the present invention is applied. Note that, in FIG. 3, the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the drain electrode (or source electrode) 8 b and the reflection electrode 13 do not use the second conductive layer 1 Ob as the relay wiring as in the first embodiment. Are electrically connected by the connection plug 12. Evening on plug 1 2
  • the concave portions of the second conductive layer 10a in which the holes are irregularly arranged in the form of burrows reflect the area around the contact hole where the connection plug 12 is formed in each pixel. Since it can be formed over the entire pixel display region 20 except for the gap between the electrodes 13, it is possible to form a reflective electrode having more optimal reflection characteristics.
  • the interlayer insulating film 9 is subjected to a flattening process.
  • the surface of the reflective electrode 13 can be made uneven by the recesses formed in the second conductive layer 10a, regardless of the steps or unevenness in the base of the second conductive layer 10a. Therefore, one surface of the reflective electrode 13 can be formed into a uniform uneven shape.
  • Other configurations are the same as those of the first embodiment shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a fourth embodiment of the liquid crystal panel substrate on the reflective electrode side of the reflective liquid crystal panel to which the present invention is applied.
  • the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the substrate 1 is made of quartz or an alkali-free glass substrate, and a single crystal, polycrystal, or amorphous Is formed on the silicon film (the layer for forming the source and drain regions 6a, 6b ').
  • a silicon oxide film formed by thermal oxidation and silicon nitride deposited by CVD are used.
  • a gate insulating film made of an insulating film having a two-layer structure is formed.
  • the silicon film is doped with an N-type impurity (or a P-type impurity) to form the source / drain regions 6a 'and 6b' of the TFT, and the TFT is formed on the gate insulating film.
  • Gate electrode 5 is formed of polysilicon or metal silicide. Other configurations are the same as those in the first embodiment.
  • the first interlayer insulating film 7 the first conductive layers 8a, 8 b, Second interlayer insulating film 9
  • the second conductive layers 10a, 1Ob, the third interlayer insulating films 11a, 1lb, 11c, and the reflective electrode 13 are laminated in this order.
  • the arrangement of the concave portion in the pixel area and the light shielding layer in the fourth embodiment is the same as that in the first embodiment shown in FIG.
  • the gate electrode 5 is a top-gate type in which the gate electrode is located above the channel.However, the gate electrode is formed first, and a bottom-gate type in which a silicon film serving as a channel is disposed above a gate insulating film. You may.
  • the second conductive layer 10a is formed in an uneven shape by forming a hole in the second conductive layer 10a, that is, by forming a concave portion. (See FIGS. 1 to 4), the second conductive layer 10a is formed by forming a convex portion on the second conductive layer or by forming the second conductive layer into a number of fine projections. It may be formed in an uneven shape. Also in this case, it is possible to form the second conductive layer in an uneven shape by photolithography and etching simultaneously with the step of forming the second conductive layer 1 Ob.
  • FIG. 7 is a block diagram showing an example of a pixel of the liquid crystal panel of the present invention and a driving circuit thereof
  • FIG. 8 is a circuit diagram in a case where the driving circuit of FIG. .
  • the row scanning lines 110-n (n is a natural number indicating the row of the row scanning line) and the column scanning line 112-m (m is a natural number indicating the column of the column scanning line) ) are arranged in a matrix, and the driving circuit of each pixel is arranged at the intersection of the scanning lines.
  • column data lines 1 15—d (d is a natural number indicating a column of the column data lines) branched from the input data lines 1 14 along the column scanning lines 1 12—m are also arranged. You.
  • a row scanning line driving circuit 111 is arranged in a row-side peripheral area of the image display area, and a column scanning line driving circuit 113 is arranged in a column-side peripheral area of the image display area.
  • the row scanning line driving circuit 111 is controlled by the row scanning line driving circuit control signal 120.
  • a selection signal is output to the selected row scanning line 110-n. Line scan lines that are not selected are set to the unselected potential.
  • the column scanning line driving circuit 1 13 is controlled by the column scanning line driving circuit control signal 1 2 1, a selection signal is output to the selected column scanning line 1 1 2-m, and the unselected column
  • the scanning line is set to a non-selection potential. Which row scanning line and which column scanning line to select is determined by the control signals 12 0 and 12 1.
  • control signals 12 0 and 12 1 are address signals that specify the selected pixels.
  • the control signals 1 2 0 and 1 2 1 are arranged near the intersection of the selected row scanning line 1 1 0—n and the selected column scanning line 1 1 2—m.
  • the switching control circuit 109 outputs an ON signal in response to the selection signal of both scanning lines, and turns off when at least one of the row scanning line 110-n and the column scanning line 112-m is not selected. Output a signal. That is, the ON signal is output only from the switching control circuit 109 of the pixel located at the intersection of the selected row scanning line and the column scanning line, and the OFF signal is output from the other switching control circuits 109 .
  • the liquid crystal pixel driving circuit 101 is controlled by the ON / OFF signal of the switching control circuit 109.
  • the liquid crystal pixel drive circuit 101 includes a switching circuit 102, a memory circuit 103, and a liquid crystal pixel driver 104.
  • the switching circuit 102 is turned on by the ON signal of the switching control circuit 109 and is turned off by the OFF signal.
  • the switching circuit 102 When the switching circuit 102 is turned on, it writes the data signal of the column data line 115-d connected thereto to the memory circuit 103 via the switching circuit 102.
  • the switching circuit 1 2 becomes non-conductive by the off signal of the switching control circuit 109, and holds the data signal written in the memory circuit 103.
  • the data signal held in the memory circuit 103 is supplied to a liquid crystal pixel driver 104 arranged for each pixel.
  • the liquid crystal pixel driver 104 receives the first voltage 1 16 supplied to the first voltage signal line 118 depending on the level of the supplied data signal, or One of the second voltages 1 17 supplied to the second voltage signal line 1 19 is supplied to the reflective electrode 13 of the liquid crystal pixel 105.
  • the first voltage 1 16 is a voltage for bringing the liquid crystal pixel 105 into a black display state when the liquid crystal panel is in a normally white display
  • the second voltage 1 17 is a voltage for bringing the liquid crystal pixel 105 into a black state. This is a voltage for setting a white display state.
  • the liquid crystal pixel driver 104 connects to the first voltage signal line 118 that causes the liquid crystal to display black in the case of the normally single white display.
  • the connected gate becomes conductive, the first voltage 1 16 is supplied to the reflection electrode 13 in each pixel, and the liquid crystal pixel 1 is generated by the potential difference from the reference voltage 1 2 2 supplied to the counter electrode 108. 05 becomes a black display state.
  • the gate connected to the second voltage signal line 119 in the liquid crystal pixel driver 104 becomes conductive, and the reflection electrode 13 is turned on.
  • the second voltage 1 17 is supplied, the liquid crystal pixel 105 enters a white display state.
  • the power supply voltage, the first voltage 1 16, the second voltage 1 17, and the reference voltage 1 2 2 can be driven at about the logic voltage, and if there is no need to rewrite the screen display, the memory circuit Since the display state can be held by the data holding function of 103, almost no current flows.
  • the liquid crystal pixel 105 selects one of the first voltage 116 and the second voltage 117 output from the liquid crystal pixel driver 104 in accordance with the held data signal.
  • the supplied reflective electrode 13 is provided for each pixel, and a potential difference between the two electrodes is applied to the liquid crystal layer 107 interposed between the reflective electrode 13 and the counter electrode 108.
  • a black display state also referred to as an ON display state
  • a white display state also referred to as an OFF display state
  • the liquid crystal panel is filled with a liquid crystal 37 between a substrate 1 such as a semiconductor substrate and a substrate 35 such as glass (see FIG. 14), and is formed on the substrate 1 in a matrix.
  • a reflective electrode 13 is arranged, and a liquid crystal pixel driving circuit 101, a row scan line 110-n, a column scan line 112-m, and a column data line 115 below the reflective electrode 13 are arranged. d, a row scanning line driving circuit 111 and a column scanning line driving circuit 113 are formed (see FIG. 13). Each pixel applies a voltage for each pixel between the reflective electrode 13 and the counter electrode 33, and applies a voltage for each pixel interposed therebetween. A voltage is supplied to the liquid crystal layer 37 to change the orientation of liquid crystal molecules for each pixel. -Next, an example of a specific circuit configuration of the liquid crystal pixel driving circuit configured as described above will be described.
  • the switching control circuit 109 is constituted by a logic circuit of a NOR gate circuit 109-1 having a CMOS transistor configuration and an inverter 109-2 having a CMOS transistor configuration. be able to.
  • the N ⁇ R gate circuit 109-9-1 outputs a positive-logic ON signal when both inputs receive a negative-logic selection signal, and outputs a negative-logic ON signal through the inverter 109-2.
  • the switching circuit 102 can be constituted by a transmission gate 102-1 having a CM ⁇ S transistor configuration.
  • the transmission gate 102-1 conducts based on the ON signal of the switching control circuit 109, connects the column data line 115 to the memory circuit 103, and becomes non-conductive based on the OFF signal.
  • the memory circuit 103 can have a configuration in which a clock driver 103-3 having a CMOS transistor configuration and an inverter 103-3 having a CM0S transistor configuration are connected in a feedback manner.
  • the data signal is taken into the memory circuit 103 from the switching circuit 102 by the ON signal of the switching control circuit 109, inverted by the inverter circuit 103, and inverted by the OFF signal of the switching control circuit 109.
  • the output is fed back by the clocked inverter 1 0 3— 1 that operates, and the output signal is held.
  • the liquid crystal pixel driver 104 can be composed of two transmission gates 1044-1 and CMOS4-2 composed of CMOS transistors.
  • the liquid crystal pixel driver 104 sets the first voltage signal line 11 1 for normally-white display to display the liquid crystal black.
  • the transmission gate 10 04-1 connected to 8 becomes conductive, the first voltage 1 16 is supplied to the reflective electrode 13, and the potential difference from the reference voltage 1 2 2 supplied to the counter electrode 108 As a result, the liquid crystal pixel 105 enters a black display state.
  • the transmission gate 104-2 connected to the second voltage signal line 119 becomes conductive, and the second voltage is applied to the reflective electrode 13.
  • FIGS. 9 to 12 show another example of a drive circuit provided in each pixel configured to drive each pixel using the reflective electrode configured as in each of the above embodiments as a pixel electrode.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing another example of the pixel of the liquid crystal panel of the present invention and its driving circuit
  • FIG. 10 shows the detailed configuration of one of the liquid crystal pixel driving circuits.
  • FIG. 11 is a circuit diagram
  • FIG. 11 is a plan view showing a layout pattern thereof
  • FIG. 12 is an enlarged plan view showing a portion related to one liquid crystal pixel driving circuit.
  • FIGS. 9 to 12 the same components as those shown in FIGS. 7 and 8 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
  • the configuration example of the drive circuit shown in FIG. 9 is particularly suitable for a color liquid crystal panel, and one switching control circuit 109 ′ is arranged in the row direction for R, G, ⁇ ⁇ R, G, B in order.
  • the six liquid crystal pixel driving circuits 101 ′ thus connected are connected.
  • These six liquid crystal pixel driving circuits 101 ′ are respectively connected to the six serial-to-parallel converted (sequentially, R, G, B, R, and G) via separate input data lines 114, respectively.
  • , B) are configured to be simultaneously input under the control of the same switching control circuit 109 (that is, as a driving circuit of the same address).
  • each liquid crystal pixel driving circuit 101 On the reflective electrode 13 connected to each liquid crystal pixel drive circuit 101, a color filter of each color (R, G or B) is formed on the opposing position on the substrate 1 or substrate 2.
  • the six liquid crystal pixel driving circuits can display a color corresponding to a color image signal in each pixel.
  • the switching control circuit 109 includes a NOR gate circuit having a CMOS transistor configuration and an inverter having a CMOS transistor configuration, as shown in FIG.
  • the clock signal CK is supplied to the clock input terminals of the six liquid crystal pixel driving circuits 101, 1 via the, and the six liquid crystal pixel driving circuits 101 1 'are connected via the inverted clock signal line 126. It is configured to supply the inverted clock signal / CK to the inverted clock input terminal.
  • one liquid crystal pixel driving circuit 101 ′ is as shown in the symbol diagram of FIG. 10 (a), and the specific circuit configuration corresponding to this is , Illustration
  • Fig. 10 (b) as shown in Fig. 8, it consists of a transmission gate of CMOS transistor configuration, a clock driver and a CMOS transistor configuration, and the timing of the clock signal CK.
  • the first voltage 116 or the second voltage 117 is applied to the reflective electrode 13 according to the data (DATA) supplied and held from the input data lines 114,. Therefore, the operation of the drive circuit shown in FIG. 9 is the same as that shown in FIGS. 7 and 8, except that the plurality of reflective electrodes 13 are driven simultaneously.
  • DATA data supplied and held from the input data lines 114
  • FIG. 11 shows an example of a specific planar layout pattern of the drive circuit shown in FIG. 9, and
  • FIG. 12 is an enlarged view of a portion related to one liquid crystal pixel drive circuit 101 ′.
  • a liquid crystal pixel driving circuit 10 1 ′ and various wirings connected thereto are arranged below each pixel electrode 13.
  • Most of the various wirings such as the first voltage signal line 118 and the second voltage signal line 119 are formed from the first conductive layer (the layer formed in the hatched area in the figure). ing.
  • a relay wiring portion is mainly formed from the same conductive polysilicon film as the gate electrode (a film formed in a region indicated by hatching in the figure). Is formed.
  • contact holes for electrically connecting different conductive layers and semiconductor layers are indicated by black squares, and connection plugs may or may not be arranged in each contact hole.
  • a gate electrode made of a conductive polysilicon film is provided on a P-type or N-type semiconductor film (a film formed in a hatched region in the figure) via an insulating film (not shown). And are arranged facing each other.
  • the first conductive layer (drain or source electrode) and the reflective electrode 13 are connected to the center of the reflective electrode 13 by the second conductive layer 1 Ob and the connection plug 12 in the same manner as shown in FIG. ing.
  • the second conductive layer 10b is slightly Since it is sufficient if the second conductive layer is formed in the area of the substrate, the second conductive layer can be formed to be spread over most of the area on the substrate, and the second conductive layer not shown in FIGS. 11 and 12 can be formed.
  • the conductive layer 10a see FIGS. 1 to 6 in an uneven shape, it is possible to provide the reflective electrode 13 with good reflection characteristics in most of the region on the substrate.
  • the presence and absence of the first conductive layer 8a is utilized to make the reflective electrode 1 through the second conductive layer 10a. Steps can be given to the surface of No.
  • the first conductive layer 8 a is formed as in the above-described second embodiment by using a plane region where the first conductive layer 8 a is not formed (that is, a region where no wiring is formed).
  • a plane region where the first conductive layer 8 a is not formed that is, a region where no wiring is formed.
  • tuning c see FIG. 2
  • FIG. 13 is a plan view of the entire liquid crystal panel
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along a line AA ′.
  • the row scanning line driving circuit 111, the column scanning line driving circuit 113, and the input data line 22 are provided as described above.
  • the switching control circuit 109, the switching circuit 102, the memory circuit 103, and the liquid crystal pixel driver 104 are provided in the display area 20 (below the reflective electrode 13).
  • the light-shielding film 25 is formed of a third conductive layer formed in the same step as the reflective electrode 13 shown in FIG. 1, and is configured to apply a predetermined potential such as an LC common electrode potential. .
  • a predetermined potential such as an LC common electrode potential.
  • pads or terminals used to supply a power supply voltage are formed.
  • a substrate 32 made of glass, ceramic, or the like is adhered to the back surface of the substrate 1 with an adhesive.
  • a counter electrode 3 made of a transparent conductive film (ITO) to which an LC common electrode potential is applied is provided on the front side of the substrate 1.
  • a glass substrate 35 on the incident side having 3 is disposed at an appropriate interval, and a liquid crystal 3 7 is formed around the periphery in the gap bonded by the sealing material 36 formed in the sealing material forming area 36 in FIG.
  • the liquid crystal panel 30 is formed by filling a well-known TN (Twisted Nematic) liquid crystal or an SH (Super Homeotropic) liquid crystal in which liquid crystal molecules are almost vertically aligned in the absence of a voltage.
  • the position where the sealing material 36 is provided is set so that the pad area 26 is located outside the sealing material 36 in order to input a signal from outside.
  • the light-shielding film 25 on the peripheral circuit is configured to face the counter electrode 33 with the liquid crystal 37 interposed therebetween.
  • the potential of the LC common electrode is applied to the light-shielding film 25
  • the potential of the LC common electrode is applied to the counter electrode 33, so that no DC voltage is applied to the liquid crystal portion interposed therebetween. Therefore, in the case of the TN type liquid crystal, the liquid crystal molecules are always kept twisted by about 90 °, and in the case of the SH type liquid crystal, the liquid crystal molecules are always kept in a vertically aligned state. That is, the liquid crystal 37 does not turn on or off or have a white spot due to the potential change of the light-shielding film 25 in the region facing the light-shielding film 25.
  • a light-shielding film that is disposed in a region surrounded by the sealant 37 and is made of a first, second, or third conductive layer facing the liquid crystal 37 (that is, is formed not for wiring but for light-shielding).
  • inversion driving methods such as normally-black mode, normally-white mode, frame inversion driving, row inversion driving, column inversion driving, and dot inversion driving.
  • the opposing liquid crystal 37 portion is steadily maintained so that the liquid crystal 37 does not have white spots and has high contrast.
  • the liquid crystal 37 is fixed to black or white, and that the liquid crystal 37 is not deteriorated by the application of a direct current at the same time.
  • the strength of the substrate 1 made of a semiconductor substrate is significantly increased because the substrate 32 made of glass or ceramic is bonded to the back surface of the substrate 1 by an adhesive.
  • the substrate 32 is bonded to the substrate 1 and then bonded to the opposite substrate (glass substrate 35), there is an advantage that the gap of the liquid crystal layer becomes uniform over the entire panel. .
  • Various circuits such as a precharge circuit for writing a charge signal, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, etc. of the liquid crystal device during manufacturing or shipping may be additionally provided according to the method of driving the pixels. Good.
  • TN Transmission Nematic
  • VA Very Aligned
  • PDLC Polymer Dispersed Liquid Crystal
  • a polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction according to an operation mode such as a mode or a normally white mode / normally black mode.
  • a color filter of RGB may be formed on the opposing substrate 35 in a predetermined area facing the reflective electrode 13 together with its protective film.
  • the liquid crystal panel of each embodiment can be applied to a color liquid crystal device such as a direct-view or reflection color liquid crystal television. Further, by depositing an interference layer having many different refractive indices on the opposing substrate 35, a dichroic filter for producing RGB colors using light interference may be formed. According to the opposing substrate with the dichroic fill, a brighter liquid crystal device can be realized.
  • FIG. 15A is a perspective view showing a mobile phone.
  • the mobile phone 100 is provided with a liquid crystal display 1001 using the reflective liquid crystal panel of the present invention.
  • FIG. 15B is a perspective view showing a wristwatch-type electronic device.
  • the watch 110 is provided with a liquid crystal display 1101 using the reflective liquid crystal panel of the present invention. Since this liquid crystal panel has pixels with higher definition than a conventional clock display unit, it can also display television images, and can implement a wristwatch-type television.
  • FIG. 15 (C) is a perspective view showing a portable information processing device such as a word processor or personal computer. is there.
  • the information processing device 1200 includes an input unit 1202 such as a keyboard, a liquid crystal display unit 1206 using the reflective liquid crystal panel of the present invention, and an information processing device main unit 1200. 4 are provided.
  • each electronic device is a battery-driven electronic device, using a reflective LCD panel without a light source lamp can extend the battery life. Also, as in the present invention, the peripheral circuit can be built into the panel substrate, so that the number of components is greatly reduced, and the weight and size can be reduced.
  • liquid crystal panel using the liquid crystal panel substrate according to the first to fourth embodiments can be applied to electronic devices such as a television telephone, a POS terminal, and a device having a touch panel. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented by appropriately changing the embodiment without departing from the spirit of the present invention.

Landscapes

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Description

明細書 _ 液晶パネル用基板、 液晶パネル及びそれを用いた電子機器並びに液晶パネル用基 板の製造方法 〔技術の分野〕
本発明は、 反射型液晶パネルを構成する反射電極側の液晶パネル用基板の構造 、 その液晶パネル用基板を用レ、て構成される液晶パネル及びその液晶パネルを用 いて構成される電子機器、 並びにこのような液晶パネル用基板の製造方法の技術 分野に属する。
〔背景技術〕
近年、 携帯電話や携帯情報端末といった携帯機器等の情報表示デバィスとして 液晶パネルが用いられている。 表示する情報の内容は、 キャラクタ表示程度だつ たものから、 一度に多くの情報を表示するためにドットマトリクス型の液晶パネ ルが用いられ、 画素数も次第に多くなり高デューティとなってきている。 このよ うな携帯機器には表示デバイスとして単純マ卜リクス型液晶パネルが用いられて いたが、 単純マトリクス型液晶パネルではマルチプレックス駆動を行う際に行走 査線の選択信号として高デューティになるほど高い電圧が必要となり、 少しでも 消費電力を減らしたいという要求の強いバッテリー駆動を行う携帯機器において は大きな問題となる。
このため、 本願出願人は、 特願平 1 0— 2 1 1 2 9 3号において、 液晶パネル の基板を半導体基板とし、 半導体基板にメモリ回路を画素毎に形成し、 メモリ回 路の保持デ一夕に基づいて表示制御を行うス夕テイツク駆動型の反射型液晶パネ ルを提案している。 このような反射型液晶パネルによれば、 外部から入射した光 を反射させて表示を行うので、 光源であるバックライ 卜が不要であるため消費電 力が低く、 薄型であり軽量化が可能となる。
しかしながら、 上述した本願出願人により提案されている反射型液晶パネル或 いはそれを用いた電子機器によれば、 コントラストが高い、 応答速度が比較的速 い、 駆動電圧が低い、 階調表示が容易であるなど、 ディスプレイとして基本的に 必要とされる諸特性をバランス良く具備しているものの、 一方では、 原理的に視. 野角が狭い、 明るい表示に適さないなどの問題点を有している。
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、 視野角が広く且つ明るく高 品位の反射型表示を可能ならしめる反射型の液晶パネル用基板、 該液晶パネル用 基板を用いた液晶パネル、 該液晶パネルを用いた電子機器及び前記液晶パネル用 基板の製造方法を提供することを課題とする。
〔発明の開示〕
本発明の液晶パネル用基板は上記課題を解決するために、 基板上にトランジス 夕と、 前記トランジスタに接続された遮光膜と、 前記遮光膜に接続された反射電 極と、 前記反射電極の下方に、 層間絶縁膜を介して前記反射電極に対応する領域 に積層されると共に凹凸状に形成された凹凸膜とを有することを特徴とする。 本発明の液晶パネル用基板によれば、 凹凸膜における凹凸状に対応して、 その 上方に層間絶縁膜を介して形成される反射電極の表面 （即ち反射面） も、 凹凸状 に形成される。 このため、 反射電極の表面における凹凸度に応じて、 反射光の散 乱度を高めることができる。 この結果、 当該液晶パネル用基板を用いて直視型の 反射型液晶装置を構成すれば、 あらゆる角度からの入射光に対しても表示画面に 垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させることが可能である最適な反射特性を 有する反射電極により、 視野角が広く且つ自然な下地面上での明るい高品位の反 射型表示が行える。
本発明の液晶パネル用基板の一の態様では、 前記遮光膜は、 前記基板に垂直な 方向から見て前記反射電極の間隙を遮光するとともに、 前記凹凸膜と同一膜から 形成されていることを特徴とする。
この態様によれば、 凹凸膜は例えば A 1膜等からなり、 これと同一膜から反射 電極の間隙を遮光する遮光膜が設けられている。 従って、 反射電極及び凹凸膜の 下方にトランジスタを配置すれば、 この遮光膜により、 反射電極の間隙を介して 入射する光を遮光できるので、 この光がトランジスタを構成する半導体層に入り 込んで光リークを引き起こす事態を回避できる。 そして、 凹凸膜と遮光膜との両 方を同一膜から形成することにより、 積層構造における層数をむやみに増加させ ないで済み、 液晶パネル用基板における装置構成及び製造プロセスの単純化を図― ることが可能となる。 尚、 凹凸膜は、 透明な膜であっても凹凸状に形成されてい る限り、 反射電極に凹凸を付与するという基本的機能は維持されるため、 本発明 における反射電極による反射光の散乱度を高める効果は得られる。
本発明の液晶パネル用基板の他の態様では、 前記凹凸膜は、 一の導電膜からな り、 該一の導電膜と同一膜から形成された配線を更に有する。
この態様によれば、 凹凸膜は、 例えば、 A 1膜等の一の導電膜からなり、 例え ば反射電極とトランジスタとを結ぶ中維配線などの配線が、 この一の導電膜から 形成される。 即ち、 凹凸膜と配線との両方を同一膜から形成することにより、 積 層構造における層数をむやみに増加させないで済み、 液晶パネル用基板における 装置構成及び製造プロセスの単純化を図ることが可能となる。 尚、 凹凸膜は、 絶 縁膜であっても凹凸状に形成されている限り、 反射電極に凹凸を付与するという 基本的機能は維持されるため、 本発明における反射電極による反射光の散乱度を 高める効果は得られる。
この態様では、 前記一の導電膜と前記基板との間には、 層間絶縁膜を介して他 の導電膜が更に積層されており、 該他の導電膜の存在及び不存在により該他の導 電膜の上方に位置する前記一の導電膜部分からなる前記凹凸膜に段差が生じてい るように構成してもよい。
このように構成すれば、 例えば単純に平坦膜に閧孔された貫通孔を凹部とする 凹凸膜の場合にその表面に 2つのレベルしかないのと比べて、 凹凸膜の下方に位 置する他の導電膜の存在及び不存在により、 凹凸膜の表面には 3つ以上のレベル が存在するようにできる。 これにより、 効率良く反射光の散乱度を高めることが 可能となる。 この場合、 他の導電膜については凹凸膜の一面に細かな段差が生じ るように積極的にパターニングしてもよいし、 或いは、 他の導電膜から形成され る配線等のパターンをそのまま利用して段差が生じるように構成してもよい。 本発明の液晶パネル用基板の他の態様では、 前記凹凸膜は、 平坦膜に多数の微 細孔が不規則に形成されることにより凹凸状に形成されている。
この態様によれば、 平坦膜を形成後に、 エッチングにより孔を開孔すれば凹凸 膜を形成できるので、 比較的容易に凹凸膜を形成できる。 特に、 当該凹凸膜と同 一膜から配線や遮光膜を形成する場合には、 これらの配線や遮光膜をフォトリソ グラフィ及びェツチングによりパターニングするのと同時にこのような孔を開孔 可能となるので、 製造プロセスを簡略化する上で有利である。
尚、 孔に代えて微細な突起状部分を形成することにより凹凸膜を形成すること 、 即ち凹部ではなく凸部を持つように凹凸膜を形成することも可能である。 この 場合にも、 当該凹凸膜と同一膜から配線や遮光膜を形成する場合には、 これらの 配線や遮光膜をフォトリソグラフィ及びエッチングによりパ夕一ニングするのと 同時に形成可能となるので、 製造プロセスを簡略化する上で有利である。
本発明の液晶パネル用基板の他の態様では、 前記基板は、 半導体基板からなる ことを特徴とする。
この態様によれば、 半導体基板上に反射電極のスィツチング制御用のトランジ ス夕を形成できる。
この態様では、 前記基板は、 単結晶シリコンで形成されていてもよい。
本発明の液晶パネル用基板の他の態様では、 前記基板は、 透明基板からなる。 この態様によれば、 S O G膜を介して蓄積された凹凸膜を用いて反射電極の表 面を凹凸状にでき、 S 0 G膜上に S 0 G技術を利用してトランジス夕を形成する こともできる。
この態様では、 前記基板は、 ガラスで形成されていてもよい。
本発明の液晶パネル用基板の他の態様では、 前記層間絶縁膜には、 S O G膜が 含まれている。
この態様によれば、 S O G膜を介して積層された凹凸膜を用いて反射電極の表 面を凹凸状にでき、 S 0 G膜上に S 0 G技術を利用してトランジスタを形成する ことも可能となる。
この態様では、 前記 S O G膜は、 ェヅチバックされていてもよい。
このように S O G膜をエッチバックすれば、 その上方に形成される反射電極に 、 より良好な反射特性を持たせることが可能となる。
本発明の液晶パネルは上記課題を解決するために、 上述した本発明の液晶パネ ル用基板と透明な対向基板との間に液晶が挟持されてなることを特徴とする。 本発明の液晶パネルによれば、 上述した本発明の液晶パネル用基板を備えて 、 るので、 当該液晶パネルを用いて直視型の反射型液晶装置を構成すれば、 最適な 反射特性を有する反射電極により、 視野角が広く且つ自然な下地面上での明るい 高品位の反射型表示が行える。
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、 上述した本発明の液晶パネル を具備することを特徴とする。
本発明の電子機器によれば、 上述した本発明の液晶パネルを具備しているので 、 当該液晶パネルを用いて構成された直視型の反射型表示部により、 視野角が広 く且つ自然な下地面上での明るい高品位の反射型表示が行える。
本発明の液晶パネル用基板の製造方法は上記課題を解決するために、 基板上に 複数の走査線及び複数のデータ線と、 前記走査線及び前記データ線に接続された トランジスタと、 前記トランジス夕に接続された反射電極とを有する液晶パネル 用基板の製造方法であって、 前記基板上における前記反射電極に対応する予定の 領域に、 凹凸状の凹凸膜を形成する工程と、 該凹凸膜上に層間絶縁膜を介して前 記反射電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
本発明の液晶パネル用基板の製造方法によれば、 先ず基板上における反射電極 に対応する予定の領域に、 凹凸状の凹凸膜が形成される。 この工程は、 例えば、 平坦膜を形成後に、 エッチングにより多数の微細孔を閧孔することにより比較的 容易に行われる。 次に、 該凹凸膜上に、 層間絶縁膜を介して反射電極が形成され る。 従って、 上述した本発明の液晶パネル用基板を比較的容易に且つ再現性良く 製造することができる。
本発明の液晶パネル用基板は、 . 基板に、 互いに交差する複数の行走査線及び 複数の列走査線と、 前記列走査線に沿って配列された複数のデータ線と、 電圧信 号を供給する電圧信号線と、 前記行走査線と前記列走査線の交差に対応して配置 される複数の画素駆動回路とを有し、
前記画素駆動回路は、 画素電極と、 前記行走査線の選択時に導通状態となり、 前記行走査線と前記列走査線の少なくとも一方の非選択時には非導通状態となる スィツチング回路と、 前記スィツチング回路が導通状態の時に前記デ一夕線のデ 一夕信号を取り込み、 前記スィツチング回路が非導通状態の時にデータ信号を保 持するメモリ回路と、 前記メモリ回路に保持されたデータ信号が第 1レベルの場 合は前記画素電極に前記電圧信号線から第 1の前記電圧信号を出力し、 第 2レべ ルの場合は前記画素電極に前記電圧信号線から第 2の前記電圧信号を出力する画 素ドライバとを備え、 前記画素ドライバは遮光膜を介して反射電極に接続されて なり、 前記反射電極の下方に、 層間絶縁膜を介して前記遮光膜に対応する領域に 積層されると共に凹凸状に形成された前記遮光膜と同一膜からなる凹凸膜とを有 することを特徴とする。
本発明のかかる構成によれば、 反射電極は遮光膜を介して画素ドライバに接続 されるため、 反射電極の間隙部に対応する領域においては、 入射する光が画素ド ライバに入り込んで画素ドライバが光リークしないように遮光するように設ける ことができる。 また、 遮光膜と同一膜により、 反射電極に対応する領域に凹凸膜 を形成し、 凹凸膜における凹凸状に対応して、 その上方に層間絶縁膜を介して形 成される反射電極の表面 （即ち反射面） も、 凹凸状に形成される。 このため、 反 射電極の表面における凹凸度に応じて、 反射光の散乱度を高めることができる。 この結果、 当該液晶パネル用基板を用いて直視型の反射型液晶装置を構成すれば 、 あらゆる角度からの入射光に対しても表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強 度を増加させることが可能である最適な反射特性を有する反射電極により、 視野 角が広く且つ自然な下地面上での明るい高品位の反射型表示が行える。
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかに される。
〔図面の簡単な説明〕
図 1は、 本発明を適用した反射型液晶パネルを構成する反射電極側の液晶パネ ル用基板の第 1実施形態の画素領域における断面図である。
図 2は、 本発明を適用した反射型液晶パネルを構成する反射電極側の液晶パネ ル用基板の第 2実施形態の画素領域における断面図である。
図 3は、 本発明を適用した反射型液晶パネルを構成する反射電極側の液晶パネ ル用基板の第 3実施形態の画素領域における断面図である。
図 4は、 本発明を適用した反射型液晶パネルを構成する反射電極側の液晶パネ ル用基板の第 4実施形態の画素領域における断面図である。
図 5は、 第 1、 第 2及び第 4実施形態における画素領域の凹部及び遮光層の配 置を示す平面図 （図 5 (a) ) 並びにそのうち反射電極の間隙部分を拡大して示 す平面図 （図 5 (b) ) である。 ·
図 6は、 第 3実施形態における画素領域の凹部及び遮光層の配置を示す平面図 である。
図 7は、 各実施形態の液晶パネル用基板を用いて構成された液晶パネルの画素 及びその駆動回路などの一例を示すプロック図である。
図 8は、 図 7に基づく駆動回路を CMOSトランジスタで構成した回路図であ る。
図 9は、 カラ一液晶パネルの場合の各実施形態における画素領域の駆動回路の 構成例を示す回路図である。
図 10は、 図 9の駆動回路に含まれる 1個の液晶画素駆動回路の記号図 （図 1 0 (a) ) 及びこれに対応する具体的な回路構成を示す回路図 （図 10 (b) ) である。
図 1 1は、 図 9の駆動回路のレイアウトパターンを示す平面図である。
図 12は、 図 1 1の駆動回路のレイァゥ卜パターンのうち 1個の液晶画素駆動 回路に係る部分を拡大して示す平面図である。
図 13は、 各実施形態の液晶パネル用基板を用いて構成される反射型液晶パネ ルの平面図である。
図 14は、 図 13の A— A' 断面図である。
図 15は、 各実施形態の反射型液晶パネルを用いた携帯電話の斜視図 （図 15 (a) ) 、 腕時計型テレビの斜視図 （図 15 (b) ) 及びパーソナルコンビユー 夕の斜視図 （図 15 (c) ) である。
〔発明を実施するための最良の形態〕
以下、 本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。 (液晶パネルの概要構成と本発明の液晶パネル用基板の第 1実施形態） 最初に、 本発明の液晶パネル用基板を備えて構成される液晶パネル全体の概要 構成と、 本発明の液晶パネル用基板の第 1実施形態の構成について、 図 1及び図 5並びに図 1 3及び図 1 4を参照して説明する。 ここに、 図 1は、 本発明の第 1 実施形態における反射電極側の液晶パネル用基板の画素領域の断面図であり、 図 5 ( a ) は、 この画素領域の平面図であり、 図 5 ( b ) は、 図 5 ( a ) における 反射電極の間隙部を拡大して示す平面図である。 また、 図 1 3は、 液晶パネル全 体の平面図であり、 図 1 4は、 その A— A ' 断面図である。
本発明における反射電極側の液晶パネル用基板では図 1に示されるように、 基 板 1として半導体基板を用いている。 なお、 この基板 1の材料は本実施形態に限 定されるものではない。 例えばガラス基板のような透明基板を用いてもよい。 ここで先ず、 本発明の反射型液晶パネルの全体構成の概要について図 1 3及び 図 1 4を参照して説明する。
図 1 3及び図 1 4に示されるように、 反射電極側 （図 1 4で下側） の基板 1の 中央部には画像表示領域 2 0が設けられ、 画像表示領域 2 0には後述の行走査線 と列走査線とがマトリクス状に配置されている。 行走査線と列走査線との交点に 応じて各画素が配置され、 各画素には反射電極 1 3が設けられ、 更に各反射電極 1 3下における基板 1上には後述のように液晶画素駆動回路が設けられている。 画像表示領域 2 0の周辺領域には、 行走査線に行走査信号を供給する行走査線駆 動回路 1 1 1、 列走査線に列走査信号を供給する列走査線駆動回路 1 1 3及びパ ッド領域 2 6を介して外部から入力データを取り込む入力データ線 2 2が配置さ れている。 基板 1と、 これに対向配置されると共に内面に共通電極 3 3が形成さ れた例えばガラスからなる透明な対向基板 3 5とは、 シール材 3 6により実線と 一点鎖線で挟まれた領域にて接着固定されており、 その間隙に液晶 3 7が封入さ れて液晶パネル 3 0が構成されている。 なお、 基板 1上における画像表示領域 2 0の周囲で点線にて挟まれたハッチング領域には、 行走査線駆動回路 1 1 1、 列 走査線駆動回路 1 1 3及び入力データ線 2 2に光が入射するのを防止すると共に 画像表示領域 2 0の額縁を規定する遮光膜 2 5が形成されている。 次に、 液晶パネル用基板の第 1実施形態の断面構造について図 1を参照して詳 細に説明する。
図 1において、 基板 1は、 例えば単結晶シリコンのような P型半導体基板 （或 いは N型半導体基板） からなり、 基板 1の表面には、 基板 1より不純物濃度の高 い N型ゥヱル領域 2 (或いは P型ゥヱル領域） が形成されている。 このゥェル領 域 2は、 図 13に示した列走査線駆動回路 113や行走査線駆動回路 111、 入 力データ線 22等の周辺回路を構成する素子が形成される部分のゥエル領域とは 、 分離して形成してもよい。
ゥエル領域 2上には、 基板 1上に形成される素子分離用のフィールド酸化膜 （ いわゆる LOCOS) 3が形成されている。 フィールド酸化膜 3は例えば選択熱 酸化によって形成される。 フィールド酸化膜 3に開口部が形成され、 この開口部 の内側中央に、 シリコン基板表面の熱酸化により形成されるゲート酸化膜を介し てポリシリコンまたはメタルシリサイ ド等からなるゲ一卜電極 5が形成され、 こ のゲート電極 5の両側のゥヱル領域 2の表面には不純物層 （以下、 ドーピング層 という） からなるソース ' ドレイン領域 6a， 6bが形成され、 電界効果トラン ジス夕 （以下、 FETという） が構築されている。 そして、 ソース ' ドレイン領 域 6 a及び 6 bの上方には、 例えば BP SG (Boron Phosphorus Silica Grass ) 膜からなる第 1層間絶縁膜 7を介して、 基板 1側から数えて 1層目の第 1導電 層 8 a, 8 bが形成されている。 この第 1導電層 8 a, 8 bは、 例えばアルミ二 ゥム層あるいはタンタル層をスパヅ夕法で 500 nm堆積させることにより形成 される。 第 1導電層 8 aは、 第 1層間絶縁膜 7に形成されたコンタクトホールを 介してソース領域 （またはドレイン領域） 6aと電気的に接続され、 FETのソ —ス電極 （またはドレイン電極） を構成する。 また、 第 1導電層 8bは、 第 1層 間絶縁膜 7に形成されたコンタクトホールを介してドレイン領域 （またはソース 領域） 6 bに電気的に接続され、 FETのドレイン電極 （またはソース電極） を 構成する。
第 1導電層 8a, 8bの上方には、 例えばシリコン酸化膜からなる第 2層間絶 縁膜 9が形成され、 第 2層間絶縁膜 9にはコンタク卜ホール 9 bが閧孔されてい る。 さらにその上方には、 基板 1側から数えて 2層目の第 2導電層 10a， 10 bが形成されている。 この第 2導電層 10 a, 10bは、 例えばアルミニウム層 あるいはタンタル層をスパッ夕法で 500 nm堆積させることにより形成される 。 第 1導電層 8 bと第 2導電層 1 Obとは、 コンタクトホール 9 bを介して電気 的に接続されている。 なお、 第 2層間絶縁膜 9は、 例えばスパッ夕法、 あるいは TEO S (テトラェチルオルソシリケ一ト） を用いたプラズマ CVD法により形 成できる。 本実施形態では、 例えばシリコン酸化膜を TEOSのプラズマ CVD により 110 Onm堆積させることにより、 第 2層間絶縁膜 9が形成されている 第 2導電層 10 aは、 一方で反射電極 13の間隙部に対応する領域においては 、 入射する光が基板 1上の半導体層側 （ゥヱル領域 2) に入り込んで FETが光 リークしないように、 遮光する機能を有する。 即ちこの領域では、 特に凹部が形 成されること無く （即ち微細な穴が開孔されること無く） 、 反射電極 13の間隙 を覆うように平面レイアウトされている。 他方、 第 2導電層 10aは、 反射電極 13に対応する領域においては、 巣穴状に穴が不規則に配置された凹部が形成さ れている。 なお、 この穴の直径は 0. 5〜10 zmが望ましく、 この範囲の任意 のサイズあるいは数種類のサイズであっても良い。 また、 穴の形状は本実施形態 に限定されるものではない。 例えば正八角形のような多角形を適用しても良い。 尚、 このような穴を形成する工程は、 第 2導電層 10 a， 10bから配線や遮 光膜をフォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする工程と同時に 行うことができるので製造プロセス上有利である。
また、 本実施形態では、 第 2導電層 10bは、 コンタクトホール 9 bを介して 第 1導電層 8 bに直接接続したが、 タングステン等の高融点金属からなる接続プ ラグを用いて接続しても良い。
更に、 第 2導電層 10a， 10bの上方には、 3層構造を持つ第 3層間絶縁膜 11a, 1 lb, 11 cが形成されている。 本実施形態では、 第 3層間絶縁膜 1 1 aは、 例えば TEOSのプラズマ CVDによる膜厚 600 nmのシリコン酸化 膜から形成され、 第 3層間絶縁膜 11 bは、 例えば SOG(Spin On Glass)膜に よる膜厚 32 Onmのシリコン酸化膜から形成される。 なお、 SOG膜の厚さは 、 本実施形態に限定されるものではないが、 反射電極 13に対応する領域に適当 な凹部を形成するためには、 100〜50 Onm程度であることが望ましい。 ま た S〇G膜から第 3層間絶縁膜 1 lbを形成した後、 この SOG膜と第 3層間絶 縁膜 11 aを、 選択性のない条件あるいは任意の条件でエッチングしても良い。 本実施形態では、 SOG膜からなる第 3層間絶縁膜 1 lb及び 1 l aを、 選択性 のない条件で 500 nmエッチングする。 なお、 このときのエッチ量は、 本実施 形態に限定されるものではなく、 100〜50 Onm程度であることが望ましい 。 更に、 第 3層間絶縁膜 11 cは、 第 3層間絶縁膜 1 laと同様に、 例えば TE 〇 Sのプラズマ CVDによる膜厚 500 nmのシリコン酸化膜から形成する。 こ のようにして反射電極 13に対応する第 3層間絶縁膜 11 a, l ib, 11 cの 表面に形成される凹部のテーパは、 なだらかな曲線形状となるため、 この上に良 好な反射特性を有する反射電極 13が形成される。
第 2導電層 10 aと同時に形成される第 2導電層 1 Obと反射電極 13との接 続は、 第 3層間絶縁膜 11 a， l ib, 11 cに開口されたコンタクトホールに 、 タングステン等の高融点金属からなる接続プラグ 12を CVD法等で埋め込み 形成して行われる。
接続プラグ 12を形成後、 反射電極 13として、 基板 1側から数えて 3層目の 第 3導電層が、 例えば低温スパッ夕法によりアルミニウムから形成される。 これ により、 90%以上の高反射率を有する反射電極 13が形成可能である。
以上により、 製造プロセスを増加させることなく、 最適な反射特性を有する反 射電極を容易に且つ再現性良く作成することができ、 視野角が広く且つ自然な下 地面上での明るい高品位の反射型表示が行える反射型液晶パネルを提供すること ができる。
尚、 本実施形態では特に、 図 1に示すように、 第 1導電層 8a， 8 bの存在及 び不存在により、 第 1導電層 8a， 8 b膜の上方に位置する第 2導電層 10 aに 段差が生じており、 この段差により最終的に反射電極 13にも段差が生じるよう に構成されている。 このため、 仮に平坦な第 2導電層 10 aに凹部が形成されて いる場合と比べて、 反射電極 1 3の表面には概ね 4つのレベルが存在するように できる。 従って、 効率良く反射光の散乱度を高めることが可能となる。 特に、 仮 に平坦な導電層 1 0 aに凹部が形成されている場合に生じ得る二重写り等の不具 合を回避できる。 尚、 本実施形態では、 第 1導電膜 8 a , 8 bから形成される配 線等のパターンをそのまま利用して段差が生じるように構成されているが、 後述 の第 2実施形態の如く、 第 1導電膜 8 a , 8 bについても、 第 2導電層 1 0 aの 一面に渡って細かな段差が生じるように、 多数の微小な凹凸部を有するように積 極的にパターニングしてもよい。
次に、 図 1に示されている液晶パネル用基板における画素領域の凹部及び遮光 層の配置について図 5を参照して説明する。
図 5 ( a ) において、 第 1実施形態の液晶パネル用基板の画素領域には、 多数 の凹部が形成された第 2導電層 1 0 a上に、 多数の滑らかな凹凸部を有する反射 電極 1 3が形成されており、 凹部が形成されていない第 2導電層 1 0 aが反射電 極 1 3の間隙を覆うように形成されている。 更に、 各反射電極 1 3の中央には、 前述のようにドレイン電極 （またはソース電極） 8 bと第 2導電層 1 O bとの接 続部となるコンタクトホール 9 bが形成されており、 これに隣接して第 2導電層 1 O bと反射電極 1 3とを接続するための接続プラグ 1 2が形成されている。 図 5 ( b ) に拡大して示すように、 第 2導電層 1 0 aは、 反射電極 1 3に対応 する領域 Bでは、 巣穴状に穴が不規則に配置された凹部が形成されており、 この 領域 Bを除く反射電極 1 3の間隙部に対応する領域では、 入射する光が基板 1上 の半導体層側に入り込んで F E Tが光リークしないように、 凹部が形成されてい ない。 本実施形態では、 穴の形状には円を適用している。 なお、 穴の直径は 0 . 5〜5 zmが望ましく、 この範囲の任意のサイズぁるいは数種類のサイズであつ ても良い。 また、 穴の形状は本実施形態に限定されるものではない。 例えば正八 角形のような多角形を適用しても良い。
また、 図 5 ( b ) において、 反射電極 1 3の端部から凹部領域の端部までの距 離 Aは、 特に限定されるものではないが、 遮光機能を有するためには約 3 zm以 上であることが望ましい。 (本発明の液晶パネル用基板の第 2実施形態）
次に、 本発明の液晶パネル用基板の第 2実施形態について図 2及び図 5を参照 して説明する。 ここに、 図 2は、 本発明を適用した反射型液晶パネルの反射電極 側の液晶パネル用基板の第 2実施形態の断面図である。 尚、 図 2では、 図 1に示 した構成要素と同様の構成要素については同様の参照符号を付し、 その説明は省 略する。
図 2に示すように、 第 2実施形態では、 第 1実施形態のように接続ブラグ 1 2 を用いず、 第 2導電層 1 O bと反射電極 1 3とをコンタクトホールを介して直接 接続している。 これにより、 本実施形態は、 工程プロセスの簡略化という点にお いて、 非常に有効である。 更に、 第 2実施形態では、 第 1導電層 8 a， 8 bに加 えて、 第 1導電層 8 cが形成されている。 第 1導電層 8 cは、 第 2導電層 1 0 a の一面に渡って細かな段差が生じるように、 多数の微小な凹部が閧孔された部分 を有するようにパターニングされている。 これにより、 仮に平坦な第 2導電層 1 0 aに凹部が形成されている場合と比べて、 反射電極 1 3の表面全体に渡って概 ね 4つのレベルが存在するようにでき、 効率良く反射光の散乱度を高めることが 可能となる。 その他の構成については図 1に示した第 1実施形態の場合と同様で ある。 特に、 第 2実施形態における画素領域の凹部及び遮光層の配置についても 、 図 5に示した第 1実施形態の場合と同様である。
(本発明の液晶パネル用基板の第 3実施形態）
次に、 本発明の液晶パネル用基板の第 3実施形態について図 3及び図 6を参照 して説明する。 ここに、 図 3は、 本発明を適用した反射型液晶パネルの反射電極 側の液晶パネル用基板の第 3実施形態の断面図である。 尚、 図 3では、 図 1に示 した構成要素と同様の構成要素については同様の参照符号を付し、 その説明は省 略する。
図 3に示すように、 第 3実施形態では、 第 1実施形態のように中継配線として の第 2導電層 1 O bを用いず、 ドレイン電極 （またはソース電極） 8 bと反射電 極 1 3を、 接続プラグ 1 2により電気的に接続している。 接続プラグ 1 2には夕
'等の高融点金属を用いる。 このとき、 図 6に示すように、 第 2導電層 1 0 aの巣穴状に穴が不規則に配置 された凹部は、 各画素における接続プラグ 1 2の形成されるコンタクトホールの 周囲と反射電極 1 3の間隙部を除き、 画素表示領域 2 0の全域に渡って形成する ことができるため、 さらに最適な反射特性を有する反射電極を形成することが可 能となる。
また、 第 3実施形態では、 図 3に示すように、 層間絶縁膜 9に平坦化処理が施 されている。 このように平坦化処理を行えば、 第 2導電層 1 0 aの下地における 段差や凹凸によらずに、 第 2導電層 1 0 aに形成された凹部により反射電極 1 3 の表面を凹凸状にできるので、 反射電極 1 3の一面を均一な凹凸状とすることが できる。 その他の構成については図 1に示した第 1実施形態の場合と同様である
(本発明の液晶パネル用基板の第 4実施形態）
次に、 本発明の液晶パネル用基板の第 4実施形態について図 4及び図 5を参照 して説明する。 ここに、 図 4は、 本発明を適用した反射型液晶パネルの反射電極 側の液晶パネル用基板の第 4実施形態の断面図である。 尚、 図 4では、 図 1に示 した構成要素と同様の構成要素については同様の参照符号を付し、 その説明は省 略する。
図 4に示すように、 第 4実施形態では、 第 1実施形態の場合と異なり、 基板 1 ， は石英や無アルカリ性のガラス基板からなり、 この基板 1 ' 上には単結晶又は 多結晶あるいはアモルファスのシリコン膜 （ソース ' ドレイン領域 6 a， , 6 b ' の形成層） が形成されており、 このシリコン膜上には、 例えば熱酸化して形成 した酸化シリコン膜と C V D法で堆積した窒化シリコンのニ層構造からなる絶縁 膜からなるゲート絶縁膜が形成されている。 また、 このシリコン膜には、 N型不 純物 （または P型不純物） がドーピングされて、 T F Tのソース · ドレイン領域 6 a ' , 6 b ' が形成され、 ゲート絶縁膜上には、 T F Tのゲート電極 5がポリ シリコンまたはメタルシリサイ ド等により形成されている。 その他の構成につい ては第 1実施形態の場合と同様であり、 特にゲート電極 5上には、 第 1実施形態 の場合と同様に、 第 1層間絶縁膜 7、 第 1導電層 8 a , 8 b、 第 2層間絶縁膜 9 、 第 2導電層 1 0 a， 1 O b、 第 3層間絶縁膜 1 1 a， 1 l b , 1 1 c及び反射 電極 1 3が、 この順で積層形成されている。 また、 第 4実施形態における画素領 域の凹部及び遮光層の配置についても、 図 5に示した第 1実施形態の場合と同様 である。
尚、 図 4ではゲート電極 5がチャネルより上方に位置するトップゲートタイプ であるが、 ゲート電極を先に形成し、 ゲート絶縁膜を介した上にチャネルとなる シリコン膜を配置するボトムゲートタイプにしてもよい。
また以上説明した第 1から第 4実施形態においては、 第 2導電層 1 0 aに穴を 開孔することにより、 即ち凹部を形成することにより第 2導電層 1 0 aを凹凸状 に形成したが （図 1から図 4参照） 、 第 2導電層に凸部を形成することにより或 いは第 2導電層を微細な多数の突起状に形成することにより、 第 2導電層 1 0 a を凹凸状に形成してもよい。 この場合にも、 第 2導電層 1 O bを形成する工程と 同時にフォトリソグラフィ及びェツチングにより第 2導電層を凹凸状に形成する ことが可能である。
(本発明の液晶パネルの画素及びその駆動回路の説明）
次に、 上述した各実施形態の如く構成された反射電極を画素電極として画素毎 に駆動するように構成された各画素に設けられる駆動回路の一例について図 7及 び図 8を参照して説明する。 ここに、 図 7は、 本発明の液晶パネルの画素及びそ の駆動回路などの一例を示すブロック図であり、 図 8は、 図 7の駆動回路を C M O Sトランジスタで構成した場合の回路図である。
図 7において、 画像表示領域には、 行走査線 1 1 0— n ( nは行走査線の行を 示す自然数） と列走査線 1 1 2— m (mは列走査線の列を示す自然数） がマトリ クス状に配置され、 互いの走査線の交差点に各画素の駆動回路が配置されている 。 また、 画像表示領域には列走査線 1 1 2—mに沿って入力データ線 1 1 4から 分岐した列データ線 1 1 5— d ( dは列データ線の列を示す自然数） も配置され る。 画像表示領域の行側の周辺領域には行走査線駆動回路 1 1 1が配置され、 画 像表示領域の列側の周辺領域には列走査線駆動回路 1 1 3が配置されている。 行走査線駆動回路用制御信号 1 2 0により行走査線駆動回路 1 1 1が制御され 、 選択された行走査線 1 1 0— nには選択信号が出力される。 選択されない行走 査線は非選択電位に設定される。 同様に、 列走査線駆動回路用制御信号 1 2 1に より列走査線駆動回路 1 1 3が制御され、 選択された列走査線 1 1 2— mに選択 信号が出力され、 非選択の列走査線は非選択電位に設定される。 いずれの行走査 線及びいずれの列走査線を選択するかは制御信号 1 2 0 , 1 2 1により決められ る。 つまり、 制御信号 1 2 0 , 1 2 1は選択画素を指定するアドレス信号である 選択された行走査線 1 1 0— nと選択された列走査線 1 1 2— mの交差点近傍 に配置されるスィツチング制御回路 1 0 9は、 両走査線の選択信号を受けてオン 信号を出力し、 行走査線 1 1 0— nと列走査線 1 1 2— mの少なくとも一方が非 選択となるとオフ信号を出力する。 すなわち、 選択された行走査線と列走査線の 交差点に位置する画素のスィツチング制御回路 1 0 9のみからオン信号が出力さ れ、 他のスイッチング制御回路 1 0 9からはオフ信号が出力される。 本実施形態 では、 このスイッチング制御回路 1 0 9のオン、 オフ信号により液晶画素駆動回 路 1 0 1を制御する。
次に、 液晶画素駆動回路 1 0 1の構成および動作について図 7を参照して説明 する。
図 7に示すように、 液晶画素駆動回路 1 0 1は、 スイッチング回路 1 0 2、 メ モリ回路 1 0 3及び液晶画素ドライバ 1 0 4を備えて構成されている。
スィツチング回路 1 0 2はスィツチング制御回路 1 0 9のオン信号により導通 状態となり、 オフ信号により非導通状態となる。 スイッチング回路 1 0 2は導通 状態となると、 そこに接続されている列デ一夕線 1 1 5— dのデ一夕信号をスィ ヅチング回路 1 0 2を介してメモリ回路 1 0 3に書き込む。 一方、 スィツチング 回路 1◦ 2はスィヅチング制御回路 1 0 9のオフ信号により非導通状態となりメ モリ回路 1 0 3に書き込まれたデ一夕信号を保持する。
メモリ回路 1 0 3に保持されたデ一夕信号は、 画素毎に配置される液晶画素ド ライノ ' 1 0 4に供給される。 液晶画素ドライバ 1 0 4は供給されたデータ信号の レベルに応じて、 第 1の電圧信号線 1 1 8に供給される第 1の電圧 1 1 6、 又は 第 2の電圧信号線 1 1 9に供給される第 2の電圧 1 1 7のいずれかを液晶画素 1 0 5の反射電極 1 3に供給する。 第 1の電圧 1 1 6は、 液晶パネルがノーマリー ホワイ ト表示の場合に、 液晶画素 1 0 5を黒表示状態とする電圧であり、 一方第 2の電圧 1 1 7は液晶画素 1 0 5を白表示状態とする電圧である。
メモリ回路 1 0 3に保持されたデータ信号が Hレベルの場合は、 液晶画素ドラ ィバ 1 0 4において、 ノーマリ一ホワイ ト表示の場合液晶を黒表示させる第 1の 電圧信号線 1 1 8に接続されるゲートが導通状態となり、 各画素における反射電 極 1 3に第 1の電圧 1 1 6が供給され、 対向電極 1 0 8に供給される基準電圧 1 2 2との電位差により液晶画素 1 0 5が黒表示状態となる。 同様に、 保持された デ一夕信号が Lレベルの場合は、 液晶画素ドライバ 1 0 4において第 2の電圧信 号線 1 1 9に接続されるゲ一トが導通状態となり、 反射電極 1 3に第 2の電圧 1 1 7が供給され液晶画素 1 0 5が白表示状態となる。
以上の構成により、 電源電圧、 第 1の電圧 1 1 6、 第 2の電圧 1 1 7及び基準 電圧 1 2 2ともロジック電圧程度で駆動でき、 かつ画面表示の書き換えが必要な い場合はメモリ回路 1 0 3のデ一夕保持機能により表示状態を保持できるのでほ とんど電流が流れない。
なお、 液晶画素 1 0 5は、 保持されたデータ信号に応じて液晶画素ドライバ 1 0 4から出力された第 1の電圧 1 1 6或いは第 2の電圧 1 1 7のいずれか一方が 選択されて供給される反射電極 1 3が画素毎に設けられ、 この反射電極 1 3と対 向電極 1 0 8との間に介在する液晶層 1 0 7に両電極の電位差が印加され、 この 電位差に応じた液晶分子の配向変化に応じて黒表示状態 （オン表示状態ともいう ) と白表示状態 （オフ表示状態ともいう） となる。 液晶パネルは、 上述のように 、 半導体基板等の基板 1とガラス等の基板 3 5との間に液晶 3 7を封入して挟持 し （図 1 4参照） 、 基板 1上に、 マトリクス状に反射電極 1 3を配置し、 その反 射電極 1 3の下方に液晶画素駆動回路 1 0 1、 行走査線 1 1 0— n、 列走査線 1 1 2— m、 列データ線 1 1 5— d、 行走査線駆動回路 1 1 1、 列走査線駆動回路 1 1 3などを形成して構成されている （図 1 3参照） 。 各画素は、 反射電極 1 3 と、 対向電極 3 3との間に画素毎に電圧を印加して、 その間に介在される画素毎 の液晶層 3 7に電圧供給し、 液晶分子の配向を各画素毎に変化させる。 ― 次に、 上述のように構成される液晶画素駆動回路等の具体的な回路構成の一例 について説明する。
図 8に示すように、 本実施形態において、 スイッチング制御回路 1 0 9は C M O Sトランジスタ構成の N O Rゲート回路 1 0 9— 1と C M O Sトランジスタ構 成のインバー夕 1 0 9— 2の論理回路により構成することができる。 N〇Rゲ一 ト回路 1 0 9— 1は 2入力とも負論理の選択信号が入力された時に正論理のオン 信号を出力し、 インバー夕 1 0 9— 2により負論理のオン信号を出力する。 また 、 スィヅチング回路 1 0 2は C M〇 S トランジスタ構成のトランスミッションゲ —ト 1 0 2— 1により構成することができる。 トランスミッションゲート 1 0 2 — 1はスィツチング制御回路 1 0 9のオン信号に基づいて導通して列データ線 1 1 5とメモリ回路 1 0 3を繋ぎ、 オフ信号に基づいて非導通となる。 メモリ回路 1 0 3は C M O Sトランジスタ構成のクロックドィンバ一夕 1 0 3— 1と C M 0 Sトランジスタ構成のインバ一夕 1 0 3— 2を帰還接続した構成とすることがで きる。 データ信号はスイッチング制御回路 1 0 9のオン信号によりスイッチング 回路 1 0 2からメモリ回路 1 0 3に取り込まれ、 インバー夕 1 0 3— 2により反 転され、 スィツチング制御回路 1 0 9のオフ信号により動作するクロックドイン バー夕 1 0 3— 1により出力を帰還してデ一夕信号を保持する。 液晶画素ドライ ノ 1 0 4は 2個の C M O Sトランジスタ構成のトランスミッションゲート 1 0 4 — 1及び 1 0 4— 2により構成することができる。 メモリ回路 1 0 3に保持され たデ一夕信号が Hレベルの場合は、 液晶画素ドライバ 1 0 4において、 ノ一マリ —ホワイ ト表示の場合液晶を黒表示させる第 1の電圧信号線 1 1 8に接続される トランスミッションゲート 1 0 4— 1が導通状態となり、 反射電極 1 3に第 1の 電圧 1 1 6が供給され、 対向電極 1 0 8に供給される基準電圧 1 2 2との電位差 により液晶画素 1 0 5が黒表示状態となる。 同様に、 保持されたデータ信号が L レベルの場合は、 第 2の電圧信号線 1 1 9に接続されるトランスミッションゲー ト 1 0 4— 2が導通状態となり、 反射電極 1 3に第 2の電圧 1 1 7が供給され液 晶画素 1 0 5が白表示状態となる。 次に、 上述した各実施形態の如く構成された反射電極を画素電極として画素毎 . に駆動するように構成された各画素に設けられる駆動回路の他の例について図 9 から図 1 2を参照して説明する。 ここに、 図 9は、 本発明の液晶パネルの画素及 びその駆動回路などの他の例を示す回路図であり、 図 1 0は、 このうち 1個の液 晶画素駆動回路の詳細構成を示す回路図であり、 図 1 1は、 そのレイアウトパ夕 —ンを示す平面図であり、 図 1 2は、 このうち 1個の液晶画素駆動回路に係る部 分を拡大して示す平面図である。 尚、 図 9から図 1 2では、 図 7及び図 8に示し た構成要素と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、 その説明は適宜省略す る。
図 9に示す駆動回路の構成例は、 特にカラー液晶パネルに適しており、 一個の スイッチング制御回路 1 0 9 ' には、 順に R、 G、 Β Ν R、 G、 B用に行方向に 配列された 6個の液晶画素駆動回路 1 0 1 ' が接続されている。 そして、 これら 6個の液晶画素駆動回路 1 0 1 ' には、 夫々別個の入力データ線 1 1 4， を介し て、 シリアル一パラレル変換された 6つの （順に R、 G、 B、 R、 G、 B用の） 画像信号が、 同一のスイッチング制御回路 1 0 9， による制御下で （即ち、 同一 アドレスの駆動回路として） 、 夫々同時に入力されるように構成されている。 各 液晶画素駆動回路 1 0 1， に接続された反射電極 1 3には、 基板 1上又は基板 2 上の対向位置に夫々の色 （R、 G又は B ) のカラ一フィル夕が形成されており、 6個の液晶画素駆動回路により各画素におけるカラー画像信号に応じた色の表示 が可能となる。
尚、 この構成例では、 スイッチング制御回路 1 0 9， は、 図 8に示したのと同 様に、 C M O Sトランジスタ構成の N O Rゲート回路及び C M O Sトランジスタ 構成のインバー夕からなり、 クロック信号線 1 2 5を介して 6個の液晶画素駆動 回路 1 0 1， のクロック入力端子にクロック信号 C Kを供給すると共に反転クロ ック信号線 1 2 6を介して 6個の液晶画素駆動回路 1 0 1 ' の反転クロック入力 端子に反転ク口ック信号/ C Kを供給するように構成されている。
また、 図 9に示した回路のうち、 1個の液晶画素駆動回路 1 0 1 ' は、 図 1 0 ( a ) の記号図に示した通りであり、 これに対応する具体的な回路構成は、 例え ば図 10 (b) に示したように、 図 8に示したのと同様に、 CMOSトランジス 夕構成のトランスミッションゲート、 CMOSトランジスタ構成のクロックドィ ンバ一夕及びィンバ一夕からなり、 クロック信号 CKのタイミングで入力データ 線 114， から供給され保持されたデータ （DATA) に応じて第 1の電圧 11 6又は第 2の電圧 117を反射電極 13に印加するように構成されている。 従って、 図 9に示した駆動回路の動作については、 複数の反射電極 13を同時 に駆動する点を除き、 図 7及び図 8に示した場合と同様である。
ここで、 図 9に示した駆動回路の具体的な平面レイァゥトパターンの一例を図 11に示し、 このうち 1個の液晶画素駆動回路 101' に係る部分を図 12に拡 大して示す。
図 11及び図 12に示すように、 各画素電極 13の下に液晶画素駆動回路 10 1' 及びこれに接続された各種配線が配置されている。 特に、 図 12において、 入力デ一夕線 114' 、 行走査線 110、 列走査線 112、 クロック信号線 12 5、 反転クロック信号線 126、 接地ライン （GND)、 所定電源ライン （Vc c)、 第 1の電圧信号線 118、 第 2の電圧信号線 119等の各種配線における 大部分が、 第 1導電層 （図中、 網かけハッチングで示された領域に形成されてい る層） から形成されている。 また、 これらの配線が交差する必要がある部分では 、 主にゲート電極と同一の導電性ポリシリコン膜 （図中、 無ハッチングで示され ている領域に形成されている膜） から中継配線部が形成されている。 尚、 図中、 異なる導電層や半導体層間を電気的接続するコンタクトホールは夫々黒四角で示 されており、 各コンタクトホールには、 接続プラグが配置されてもよいし配置さ れなくてもよい。 また各トランジスタにおいては、 P型又は N型半導体膜 （図中 、 斜線で示されている領域に形成されている膜） に導電性ポリシリコン膜からな るゲート電極が不図示の絶縁膜を介して対向配置されている。 更に反射電極 13 のほぼ中央には、 図 5に示したのと同様に、 第 2導電層 1 Ob及び接続プラグ 1 2により第 1導電層 （ドレイン又はソース電極） と反射電極 13とが接続されて いる。
図 11及び図 12から分かるように、 第 2導電層 10bは、 平面的に見て僅か の領域に形成されていれば足りるので、 第 2導電層を基板上の大部分の領域に広 げて形成することが可能となり、 図 1 1及び図 1 2には図示されていない第 2導 電層 1 0 a (図 1から図 6参照） を凹凸状に形成することにより、 基板上の大部 分の領域において、 反射電極 1 3に良好な反射特性を与えることができるのであ る。 更に、 第 1導電層を用いて各種配線が形成されているため、 前述のように第 1導電層 8 aの存在及び不存在を利用して第 2導電層 1 0 aを介して反射電極 1 3の表面に段差を与えることができ、 その反射特性を更に向上させることが可能 となるのである。 尚、 図 1 2において、 第 1導電層 8 aが形成されていない平面 領域 （即ち、 配線が形成されていない領域） を利用して、 前述した第 2実施形態 のように第 1導電層 8 cを積極的にパ夕一ニングすることにより （図 2参照） 、 第 2導電層 1 0 aにまんべんなく細かな段差を与えることができるのである。 (本発明の液晶パネルの構造の説明）
次に、 上述した各実施形態の液晶パネル用基板を備えて構成される液晶パネル 全体の構造を再び図 1 3及び図 1 4を参照してより詳細に説明する。 ここに、 図 1 3は、 液晶パネル全体の平面図であり、 図 1 4は、 その A— A' 断面図である 図 1 3に示すように液晶パネル 3 0においては、 画素を駆動する回路として、 先ず遮光膜 2 5で覆われた額縁領域に、 前述のように行走査線駆動回路 1 1 1、 列走査線駆動回路 1 1 3及び入力データ線 2 2が設けられており、 更に画像表示 領域 2 0中 （反射電極 1 3下） には前述の如く、 スィッチング制御回路 1 0 9、 スィツチング回路 1 0 2、 メモリ回路 1 0 3及び液晶画素ドライノ ' 1 0 4が設け られている。 遮光膜 2 5は、 図 1に示されている反射電極 1 3と同一工程で形成 される第 3導電層で構成され、 L C共通電極電位等の所定電位が印加されるよう に構成されている。 尚、 パッド領域 2 6には、 電源電圧を供給するために使用さ れるパッドもしくは端子が形成されている。
図 1 4に示すように、 基板 1には、 その裏面にガラスもしくはセラミック等か らなる基板 3 2が接着剤により接着されている。 これとともに、 基板 1の表面側 には、 L C共通電極電位が印加される透明導電膜 （I T O ) からなる対向電極 3 3を有する入射側のガラス基板 3 5が適当な間隔をおいて配置され、 周囲を図 6 のシール材形成領域 3 6に形成したシール材 3 6で接着された間隙内に、 液晶 3 7として周知の T N (Twisted Nematic) 型液晶または電圧無印加状態で液晶分 子がほぼ垂直配向された S H (Super Homeotropic) 型液晶などが充填されて液 晶パネル 3 0として構成されている。 なお、 外部から信号を入力するためにパッ ド領域 2 6はシール材 3 6の外側に来るように、 シール材 3 6を設ける位置が設 定されている。
周辺回路上の遮光膜 2 5は、 液晶 3 7を介在して対向電極 3 3と対向されるよ うに構成されている。 そして、 遮光膜 2 5に L C共通電極電位を印加すれば、 対 向電極 3 3には L C共通電極電位が印加されるので、 その間に介在する液晶部分 には直流電圧が印加されなくなる。 よって T N型液晶であれば常に液晶分子がほ ぼ 9 0 ° ねじれたままとなり、 S H型液晶であれば常に垂直配向された状態に液 晶分子が保たれる。 即ち遮光膜 2 5に対向する領域において遮光膜 2 5の電位変 動により液晶 3 7がオンオフしたり、 白抜けしたりすることはない。 より一般に は、 シール材 3 7で囲まれた領域内に配置され、 液晶 3 7に対向する第 1、 第 2 又は第 3導電層からなる遮光膜 （即ち、 配線用ではなく遮光用に形成されるいず れかの導電層） については、 ノ一マリ一ブラックモードやノーマリーホワイ トモ —ドの別、 フレーム反転駆動、 行反転駆動、 列反転駆動、 ドット反転駆動等の反 転駆動方式の別などに応じて、 例えば、 対向電極 3 3等と同電位或いは所定電源 電位と同電位にすることにより、 液晶 3 7が白抜けせず高コントラストになるよ うに、 対向する液晶 3 7部分を定常的に黒又は白に固定するのが好ましく、 同時 に直流電流の印加により液晶 3 7を劣化させないようにするのが好ましい。 この実施形態においては特に、 半導体基板からなる基板 1は、 その裏面にガラ スもしくはセラミック等からなる基板 3 2が接着剤により接合されているため、 その強度が著しく高められる。 その結果、 基板 1に基板 3 2を接合させてから対 向基板 （ガラス基板 3 5 ) との貼り合わせを行うようにすると、 パネル全体にわ たって液晶層のギャップが均一になるという利点がある。
以上図 1から図 1 4を参照して説明した各実施形態における液晶パネル 3 0の 基板 1上には更に、 画像信号を所定タイミングでサンプリングするサンプリング ― 回路、 画像信号のデ一夕線への書込み負荷軽減のために各デー夕線について画像 信号に先行するタイミングで所定電位のプリチャージ信号を書き込むプリチヤ一 ジ回路、 製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、 欠陥等を検査するための検査 回路等の各種回路を、 画素を駆動する方式に応じて追加的に設けてもよい。
以上図 1から図 1 4を参照して説明した各実施形態では、 対向基板 3 5の外側 に、 例えば、 T N (Twisted Nematic) モード、 VA(Vertically Aligned)モー ド、 P D L C (Polymer Dispersed Liquid Crystal )モード等の動作モードや、 ノ —マリーホワイ トモ一ド /ノーマリ一ブラックモードの別に応じて、 偏光フィル ム、 位相差フィルム、 偏光板などが所定の方向で配置される。 また、 反射電極 1 3に対向する所定領域に； R G Bのカラーフィル夕をその保護膜と共に、 対向基板 3 5上に形成してもよい。 あるいは、 基板 1上の R G Bに対応する反射電極 1 3 上にカラ一レジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。 このよ うにすれば、 直視型や反射型のカラ一液晶テレビなどのカラ一液晶装置に各実施 形態の液晶パネルを適用できる。 更に、 対向基板 3 5上に、 何層もの屈折率の相 違する干渉層を堆積することで、 光の干渉を利用して、 R G B色を作り出すダイ クロイックフィル夕を形成してもよい。 このダイクロイックフィル夕付き対向基 板によれば、 より明るいカラ一液晶装置が実現できる。
(本発明の液晶パネルを用いた電子機器の説明）
次に、 本発明の反射型液晶パネルを表示装置として用いた電子機器の例を説明 する。
図 1 5 (A) は携帯電話を示す斜視図である。 携帯電話 1 0 0 0には、 本発明 の反射型液晶パネルを用いた液晶表示部 1 0 0 1が具備されている。
図 1 5 ( B ) は、 腕時計型電子機器を示す斜視図である。 時計 1 1 0 0には、 本発明の反射型液晶パネルを用いた液晶表示部 1 1 0 1が具備されている。 この 液晶パネルは、 従来の時計表示部に比べて高精細の画素を有するので、 テレビ画 像表示も可能とすることができ、 腕時計型テレビを実現できる。
図 1 5 ( C ) は、 ワープロ、 パソコン等の携帯型情報処理装置を示す斜視図で ある。 情報処理装置 1 2 0 0には、 キ一ボ一ド等の入力部 1 2 0 2、 本発明の反 射型液晶パネルを用いた液晶表示部 1 2 0 6及び情報処理装置本体 1 2 0 4が具 備されている。
各々の電子機器は電池により駆動される電子機器であるので、 光源ランプを持 たない反射型液晶パネルを使えば、 電池寿命を延ばすことが出来る。 また、 本発 明のように、 周辺回路をパネル基板に内蔵できるので、 部品点数が大幅に減り、 より軽量化 ·小型化できる。
以上図 1 5に示した電子機器の他にも、 液晶テレビ、 ビューファインダ型又は モニタ直視型のビデオテープレコーダ、 カーナビゲーシヨン装置、 電子手帳、 電 卓、 ワードプロセヅサ、 エンジニアリング ·ワークステーション （E W S ) 、 テ レビ電話、 P O S端末、 夕ツチパネルを備えた装置等などの電子機器にも、 第 1 から第 4実施形態の液晶パネル用基板を用いた液晶ノ ネルを適用可能である。 尚、 本発明は、 以上説明した実施形態に限るものではなく、 本発明の要旨を変 えない範囲で実施形態を適宜変更して実施することができる。

Claims

請求の範囲
1 . 基板上に、 前記トランジスタに接続された遮光膜と、
前記遮光膜に接続された反射電極と、
前記反射電極の下方に、 層間絶縁膜を介して前記反射電極に対応する領域に積 層されると共に凹凸状に形成された凹凸膜と
を有することを特徴とする液晶パネル用基板。
2 . 前記遮光膜は、 前記基板に垂直な方向から見て前記反射電極の間隙を遮光す るとともに、 前記凹凸膜と同一膜から形成されていることを特徴とする請求項 1 に記載の液晶パネル用基板。
3 . 前記凹凸膜は、 一の導電膜からなり、
該一の導電膜と同一膜から形成された配線を更に有することを特徴とする請求 項 1又は 2に記載の液晶パネル用基板。
4 . 前記一の導電膜と前記基板との間には、 層間絶縁膜を介して他の導電膜が更 に積層されており、 該他の導電膜の存在及び不存在により該他の導電膜の上方に 位置する前記一の導電膜部分からなる前記凹凸膜に段差が生じていることを特徴 とする請求項 3に記載の液晶パネル用基板。
5 . 前記凹凸膜は、 平坦膜に多数の微細孔が不規則に形成されることにより凹凸 状に形成されていることを特徴とする請求項 1から 4のいずれか一項に記載の液 晶パネル用基板。
6 . 前記基板は、 半導体基板からなることを特徴とする請求項 1から 5のいずれ か一項に記載の液晶パネル用基板。
7 . 前記基板は、 単結晶シリコンで形成されていることを特徴とする請求項 6に 記載の液晶パネル用基板。
8 . 前記基板は、 透明基板からなることを特徴とする請求項 1から 5のいずれか 一項に記載の液晶パネル用基板。
9 . 前記基板は、 ガラスで形成されていることを特徴とする請求項 8に記載の液 晶パネル用基板。
1 0 . 前記層間絶縁膜には、 S O G (Silicon On Glass) 膜が含まれていること を特徴とする請求項 1から 9のいずれか一項に記載の液晶パネル用基板。
1 1 . 前記 S O G膜は、 エッチバックされることを特徴とする請求項 1 0に記載 の液晶パネル用基板。
1 2 . 請求項 1から 1 1のいずれか一項に記載の液晶パネル用基板と透明な対向 基板との間に液晶が挟持されてなることを特徴とする液晶パネル。
1 3 . 請求項 1 2に記載の液晶パネルを具備することを特徴とする電子機器。
1 4 . 基板上に複数の走査線及び複数のデータ線と、 前記走査線及び前記データ 線に接続されたトランジスタと、 前記トランジスタに接続された反射電極とを有 する液晶パネル用基板の製造方法であって、
前記基板上における前記反射電極に対応する予定の領域に、 凹凸状の凹凸膜を 形成する工程と、
該凹凸膜上に層間絶縁膜を介して前記反射電極を形成する工程と
を備えたことを特徴とする液晶パネル用基板の製造方法。
1 6 . 基板に、 互いに交差する複数の行走査線及び複数の列走査線と、 前記列走 査線に沿って配列された複数のデータ線と、 電圧信号を供給する電圧信号線と、 前記行走査線と前記列走査線の交差に対応して配置される複数の画素駆動回路と を有し、
前記画素駆動回路は、 画素電極と、 前記行走査線の選択時に導通状態となり、 前記行走査線と前記列走査線の少なくとも一方の非選択時には非導通状態となる スィツチング回路と、 前記スィツチング回路が導通状態の時に前記デ一夕線のデ 一夕信号を取り込み、 前記スィツチング回路が非導通状態の時にデータ信号を保 持するメモリ回路と、 前記メモリ回路に保持されたデ一夕信号が第 1レベルの場 合は前記画素電極に前記電圧信号線から第 1の前記電圧信号を出力し、 第 2レべ ルの場合は前記画素電極に前記電圧信号線から第 2の前記電圧信号を出力する画 素ドライバとを備え、 前記画素ドライバは遮光膜を介して反射電極に接続されて なり、 前記反射電極の下方に、 層間絶縁膜を介して前記反射電極に対応する領域 に積層されると共に凹凸状に形成された前記遮光膜と同一膜からなる凹凸膜とを _ 有することを特徴とする表示パネル用基板。
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