JP2001166311A - 電気光学装置及びその製造方法、電気光学装置用基板 - Google Patents

電気光学装置及びその製造方法、電気光学装置用基板

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、基板上
表面の段差に起因する液晶の配向不良を低減すること
で、画素の開口率が高く且つ高コントラスト比で明るい
高品位の画像表示を行う。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板（１０）上に画素電極
（９ａ）を備え、対向基板（２０）上に対向電極（２
１）を備える。データ線（６ａ）は、ＴＦＴアレイ基板
上に形成された溝（２０１）に埋め込まれて平坦化され
る。この溝に、走査線（３ａ）が溝に埋め込まれず容量
線（３ｂ）が埋め込まれて、盛上り部（３０１）及び窪
み状部分（３０２）が形成される。これらの持つ傾斜面
のうち、ラビング処理が擦り下げとされている擦り下げ
部（４０３）は遮光膜（２３）により覆われ、擦り上げ
部（４０１、４０２）の領域は、遮光膜を設けないよう
にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置等の電気
光学装置及びその製造方法の技術分野に属し、特にＴＮ
（Twisted Nematic）液晶を用いた液晶装置に好適に用
いることができ、また特に列方向又は行方向に相隣接す
る画素電極に印加される電位の極性が逆となるように画
素行毎又は画素列毎に駆動電位極性を周期的に反転させ
る反転駆動方式を採用するＴＦＴ（Thin Film Transist
or:以下適宜、ＴＦＴと称す）アクティブマトリクス駆
動型の液晶装置に好適に用いることが可能な電気光学装
置及びその製造方法の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】一般に液晶装置等の電気光学装置は、一
対の基板間に液晶等の電気光学物質が挟持されており、
この電気光学物質の配向状態は、電気光学物質の性質及
び基板の電気光学物質側の面上に形成された配向膜によ
り規定されている。従って配向膜の表面に段差がある
と、この段差の度合いに応じて電気光学物質には配向不
良が生じる。このように配向不良が生じると、この部分
では、電気光学物質を良好に駆動することが困難とな
り、電気光学装置の光抜け等によりコントラスト比が低
下してしまう。しかるに、ＴＦＴアクティブマトリクス
駆動型の電気光学装置の場合には、ＴＦＴアレイ基板上
に、走査線、データ線、容量線等の各種配線や画素電極
をスイッチング制御するためのＴＦＴなどが各所に形成
されているため、何らかの平坦化処理を施さなければ、
これらの配線や素子の存在に応じて配向膜の表面には必
然的に段差が生じてしまう。
【０００３】そこで従来は、このような段差が生じてい
る領域を、相隣接する画素電極間の間隙に対応させると
共に、対向基板又はＴＦＴアレイ基板に設けた遮光膜に
より、このように段差が生じている領域を覆い隠すこと
で、この段差により配向不良を生じる電気光学物質部分
については見えないように又は表示光に寄与しないよう
にしている。
【０００４】他方、一般にこの種の電気光学装置では、
直流電圧印加による液晶等の電気光学物質の劣化防止、
表示画像におけるクロストークやフリッカの防止などの
ために、各画素電極に印加される電位極性を所定規則で
反転させる反転駆動方式が採用されている。このうち一
のフレーム又はフィールドの画像信号に対応する表示を
行う間は、奇数行に配列された画素電極を正極性の電位
で駆動すると共に偶数行に配列された画素電極を負極性
の電位で駆動し、これに続く次のフレーム又はフィール
ドの画像信号に対応する表示を行う間は、逆に偶数行に
配列された画素電極を正極性の電位で駆動すると共に奇
数行に配列された画素電極を負極性の電位で駆動しつ
つ、係る電位極性を行毎にフレームまたはフィールド周
期で反転させる１Ｈ反転駆動方式が、制御が比較的容易
であり高品位の画像表示を可能ならしめる反転駆動方式
として用いられている。また、同一列の画素電極を同一
極性の電位により駆動しつつ、係る電位極性を列毎にフ
レーム又はフィールド周期で反転させる１Ｓ反転駆動方
式も、制御が比較的容易であり高品位の画像表示を可能
ならしめる反転駆動方式として用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た段差を遮光膜により覆い隠す技術によれば、段差のあ
る領域の広さに応じて画素の開口領域が狭くなってしま
うため、限られた画像表示領域内において、画素の開口
率を高めて、より明るい画像表示を行うという当該電気
光学装置の技術分野における基本的な要請を満たすこと
は困難である。特に、高精細な画像表示を行うための画
素ピッチの微細化に伴って単位面積当たりの配線数やＴ
ＦＴ数が増加するが、これらの配線やＴＦＴの微細化に
一定の限度があることに起因して、画像表示領域内にお
いて段差領域の占める割合が相対的に高くなるため、こ
の問題は電気光学装置の高精細化が進む程深刻化してし
まう。
【０００６】他方、前述した画素電極下の層間絶縁膜を
平坦化する技術によれば、ＴＦＴアレイ基板上において
相隣接する画素電極が同一極性の場合には、特に問題は
生じないが、前述した１Ｈ反転駆動方式や１Ｓ反転駆動
方式のように、これらの電位（即ち、１Ｈ反転駆動方式
では列方向に相隣接する画素電極に印加される電位又は
１Ｓ反転駆動方式では行方向に相隣接する画素電極に印
加される電位）が逆極性にある場合には、平坦化により
画素電極と対向電極との間隔が、配線やＴＦＴの上方に
位置する画素電極の縁付近において、平坦化しない場合
よりも広くなるため、相隣接する画素電極間に生じる横
電界（即ち、基板面に平行な電界或いは基板面に平行な
成分を含む斜めの電界）が相対的に増加してしまうとい
う問題点が生じる。相対向する画素電極と対向電極との
間の縦電界（即ち、基板面に垂直な方向の電界）の印加
が想定されている電気光学物質に対して、このような横
電界が印加されると、電気光学物質のディスクリネーシ
ョンが生じ、この部分における光抜け等が発生してコン
トラスト比が低下してしまうという問題が生じる。これ
に対し、横電界が生じる領域を遮光膜により覆い隠すこ
とは可能であるが、これでは横電界が生じる領域の広さ
に応じて画素の開口領域が狭くなってしまうという問題
点が生じる。特に、画素ピッチの微細化により相隣接す
る画素電極間の距離が縮まるのに伴って、このような横
電界は大きくなるため、これらの問題は電気光学装置の
高精細化が進む程深刻化してしまう。
【０００７】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、液晶等の電気光学物質に面する基板上表面の
段差に起因する電気光学物質の配向不良を低減しつつ各
画素の開口領域をなるべく狭めないことにより、画素の
開口率が高く且つ高コントラスト比で明るい高品位の画
像表示が可能となる液晶装置等の電気光学装置及びその
製造方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の電気光学
装置は上記課題を解決するために、ラビング処理された
配向膜を有する第１基板と、前記第１基板と対向配置
し、ラビング処理された配向膜を有する第２基板と、前
記第１基板と前記第２基板との間に介在した電気光学物
質と、前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方の
基板の配向膜表面に形成され、前記ラビング処理方向に
対して擦り下げとなる段差部と、前記第１基板と前記第
２基板の少なくとも一方の基板の、前記擦り下げとなる
段差部に対向する領域に形成された遮光部と、を具備す
ることを特徴とする。
【０００９】本願発明者の研究によれば、ラビング処理
が擦り上げになる場合とラビング処理が擦り下げになる
場合とを比較すると、段差による電気光学物質の配向不
良は、後者と比べて前者のほうが顕著に少ないことが判
明している。即ち、擦上部では、段差によらず比較的良
好な配向が期待できるのに対し、擦下部では、段差によ
って顕著な配向不良が生じてしまうのである。これは、
ラビング処理により最終的に得られる、電気光学物質の
配向状態を規定する配向膜と電気光学物質との相互作用
が、擦り上げの場合と平らな面を擦る場合とでは同様又
は類似の傾向を示すのに対して、擦り下げの場合と平ら
な面を擦る場合とでは類似でない傾向を示すことに起因
すると考察される。そこで本発明では、擦り下げとなる
段差部に対向する領域を遮光部で遮光することにより、
擦り下げ部では電気光学物質に配向不良が生じるもの
の、この部分は遮光されて各画素の非開口領域内に位置
しており、光抜けしない。即ち、この擦り下げ部を遮光
することにより、配向不良によるコントラスト比の低下
を招かないで済む。
【００１０】尚、擦り下げ部における段差に起因した電
気光学物質の配向不良個所を覆い隠すために、擦り下げ
部の幅よりも遮光部の幅を若干広めに設定するのが望ま
しい。また、段差部は、ラビング処理方向と交差する方
向に形成された盛り上がり部で構成してもよい。
【００１１】この盛上り部は、互いに異なる極性で駆動
される隣接した画素電極間に対応する領域に形成される
ことが望ましい。この構成によれば、盛上り部上の縦電
界を強め、画素電極間に生じる横電界を弱めることがで
きる。
【００１２】この駆動方式としては、例えば１Ｈ反転駆
動方式や、１Ｓ反転駆動方式などの反転駆動方式を採る
マトリクス駆動型の液晶装置等の電気光学装置がある。
さらに、前記盛上り部のラビング処理方向に対して擦り
上げとなる擦り上げ部は、遮光膜とは対向しないことが
望ましい。擦り上げ部では、殆ど光抜けせずに表示に寄
与する部分であり、擦り上げ部をできるだけ遮光しない
ことにより、コントラスト比を低下させること無く、画
素開口率を高めることができる。
【００１３】また、段差部は、ラビング処理方向と交差
する方向に形成された窪み部で構成してもよい。
【００１４】窪み部は、第１基板と第２基板の一方に形
成された溝部で形成し、この溝部の領域に配線を配設し
てもよい。
【００１５】この窪み部に形成されるラビング処理方向
に対して擦り上げとなる擦り上げ部は、遮光膜とは対向
させないことにより、コントラスト比を低下させること
無く、画素開口率を高めるのに寄与できる。
【００１６】また、互いに同極性で駆動される隣接した
画素電極間に対応する領域には、平坦化処理がされてい
ることが望ましい。
【００１７】平坦化処理により、画素電極間には段差に
よる電気光学物質の配向不良が殆ど生じない。そのた
め、この領域を遮光する場合は、幅の狭い遮光膜で隠す
ことができる。従って、画素開口率を一層高めることが
できる。
【００１８】さらに、平坦化処理として基板に形成され
た溝部で形成し、この溝部の領域に配線を配設してもよ
い。
【００１９】配線は、例えば、データ線等の配線を用い
てもよく、Ａｌ（アルミニウム）膜等の遮光性の膜から
形成すれば、この領域についてはデータ線等に遮光機能
を持たせることも可能となる。
【００２０】また、平坦化処理をした、互いに同極性で
駆動される隣接した画素電極間の距離は、電気光学物質
の層厚より大きくすることが望ましい。
【００２１】これにより、横電界による電気光学物質の
ディスクリネーションの発生を低減することができる。
【００２２】また、前記ラビング処理方向は、前記段差
部の擦り下げ部に対して直交する方向であっても、前記
段差部の擦り下げ部に対して斜めに交差する方向であっ
てもよい。
【００２３】また、本発明の第２の電気光学装置は上記
課題を解決するために、ラビング処理された配向膜を有
する第１基板と、前記第１基板と対向配置し、ラビング
処理された配向膜を有する第２基板と、前記第１基板と
前記第２基板との間に介在した液晶と、前記第１基板と
前記第２基板の少なくとも一方の基板の配向膜表面に形
成され、リバースチルト角を成す液晶の領域部と、前記
第１基板と前記第２基板の少なくとも一方の基板の、前
記リバースチルト角を成す液晶の領域部に対向する領域
に形成された遮光部と、を具備することを特徴とする。
【００２４】本発明の第２の電気光学装置によれば、リ
バースチルト角を成す液晶の領域部を遮光することで、
コントラスト比を低下させること無く、画素開口率を高
めることができる。
【００２５】また、本発明の第３の電気光学装置は上記
課題を解決するために、複数の画素電極とラビング処理
された配向膜を有する第１基板と、前記第１基板と対向
配置し、対向電極とラビング処理された配向膜を有する
第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在
した電気光学物質と、前記第１基板の前記画素電極間に
対応する前記配向膜表面に形成され、前記ラビング処理
方向に対して擦り下げとなる段差部と、前記第１基板と
前記第２基板の少なくとも一方の基板の、前記擦り下げ
となる段差部に対向する領域に形成された遮光部と、を
具備することを特徴とする。
【００２６】また、本発明の第４の電気光学装置は上記
課題を解決するために、複数の画素電極とラビング処理
された配向膜を有する第１基板と、前記第１基板と対向
配置し、対向電極とラビング処理された配向膜を有する
第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在
した電気光学物質と、前記第１基板と前記第２基板の少
なくとも一方の基板に形成され、画素領域を規定する遮
光部と、前記第１基板の前記配向膜表面の前記遮光部に
対向する領域の近傍に形成され、前記ラビング処理方向
に対して擦り上げとなる段差部と、を具備することを特
徴とする。
【００２７】本発明の第４の電気光学装置によれば、擦
り上げ部をできるだけ遮光しないことにより、コントラ
スト比を低下させること無く、画素開口率を高めること
ができる。
【００２８】また、本発明の第５の電気光学装置は上記
課題を解決するために、複数の画素電極とラビング処理
された配向膜を有する複数の層からなる第１基板と、前
記第１基板と対向配置し、対向電極とラビング処理され
た配向膜を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２
基板との間に介在した電気光学物質と、前記第１基板に
形成された溝部と、前記溝部に沿って配設された配線
と、前記溝部の領域上の前記配向膜表面に形成された段
差部と、前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方
の基板の、前記擦り下げとなる段差部に対向する領域に
形成された遮光部と、を備えてなり、前記第１基板の前
記ラビング処理方向は、前記段差部に対して擦り下げと
なる向きであることを特徴とする。
【００２９】配線は、蓄積容量を形成するように容量電
極を成してもよい。
【００３０】また、本発明の第６の電気光学装置は上記
課題を解決するために、複数の画素電極を有する第１基
板と、前記第１基板と対向配置した第２基板と、前記第
１基板と前記第２基板との間に介在した電気光学物質
と、互いに異なる極性で駆動される隣接した前記画素電
極間に対応し、前記第１基板の配向膜表面に形成された
盛上り部と、前記盛上り部は前記第１基板のラビング処
理方向に対して擦り下げとなる擦り下げ部を有し、前記
第１基板と前記第２基板の少なくとも一方の基板の、前
記擦り下げ部に対向する領域に形成された遮光部と、を
具備することを特徴とする。
【００３１】また、本発明の電気光学装置用基板は、上
記課題を解決するために、複数の画素電極と、前記画素
電極上に形成されたラビング処理される配向膜と、前記
画素電極間に対応する前記配向膜表面に形成され、前記
ラビング処理方向に対して擦り上げとなる段差部と、を
具備することを特徴とする。
【００３２】段差部は、配線を配置するための溝部で形
成したり、画素電極間の横電界を低減するために盛上り
部で形成してもよい。
【００３３】また、段差部の擦り下げとなる部分では、
遮光部で遮光することが望ましい。
【００３４】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、電気光学物質を挟持して互いに対向する第１基板及
び第２基板と、前記第１基板上に設けられる複数の画素
電極及び配向膜と、前記画素電極に対向し前記第２基板
上に設けられる対向電極とを備えてなる電気光学装置の
製造方法において、画素電極が隣接する一の方向におい
て、該画素電極の間の配向膜及び前記画素電極上の配向
膜が平坦化するように下地面を形成し、かつ他の方向に
画素電極が隣接する画素電極間の下地面に凸形状の第１
段差部分を形成する工程と、前記第１段差部分に前記画
素電極の縁が位置するように該画素電極を形成する工程
と、前記配向膜に対してラビング処理を施す工程と、前
記第１段差部分の傾斜面のうち前記配向膜に対するラビ
ング処理の方向が擦り下げとなる傾斜面に平面的に重な
るように、第１基板または第２基板の少なくとも一方に
遮光膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【００３５】また、本発明の他の電気光学装置の製造方
法は、電気光学物質を挟持して互いに対向する第１基板
及び第２基板と、前記第１基板上に設けられる複数の画
素電極及び配向膜と、前記画素電極に対向し前記第２基
板上に設けられる対向電極とを備え、前記複数の画素電
極は、第１の周期で反転駆動されるための第１の画素電
極群と、前記第１の周期と相補の第２の周期で反転駆動
されるための第２の画素電極群とからなる電気光学装置
の製造方法において、前記同一の画素電極群に属する画
素電極同士が隣り合う方向において、該同一の画素電極
群に属する画素電極同士の間の配向膜及び前記画素電極
上の配向膜が平坦化するように下地面を形成し、かつ前
記第１の画素電極群に属する画素電極と前記第２の画素
電極群に属する画素電極とが隣接する画素電極間の下地
面に凸形状の第１段差部分を形成する工程と、前記第１
段差部分に前記画素電極の縁が位置するように該画素電
極を形成する工程と、前記配向膜に対してラビング処理
を施す工程と、前記第１段差部分の傾斜面のうち前記配
向膜に対するラビング処理の方向が擦り下げとなる傾斜
面に平面的に重なるように、前記第１基板または第２基
板の少なくとも一方に遮光膜を形成する工程とを備えた
ことを特徴とする。
【００３６】これらの製造方法により、電気光学装置を
比較的容易に製造できる。
【００３７】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の各実施形態は、本発明の電気
光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００３９】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図１から図７を参
照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域
を構成するマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路である。図２は、第１実
施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成さ
れたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面
図であり、図３は、第１実施形態における図２のＡ−
Ａ’断面図であり、図４は、第１実施形態における図２
のＢ−Ｂ’断面図であり、図５は、第１実施形態におけ
る図２のＣ−Ｃ’断面図である。また図６は、１Ｈ反転
駆動方式における各電極における電位極性と横電界が生
じる領域とを示す画素電極の図式的平面図であり、図７
は、ＴＮ液晶を用いた場合の液晶分子の配向の様子を示
す図式的断面図である。尚、図３から図５においては、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４０】図１において、第１実施形態における電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９a
を制御するためのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。デ
ータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接す
る複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給
するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走
査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミング
で、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、
Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されてい
る。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレイン領域に電気
的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３
０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、デ
ータ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ
ｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介し
て電気光学物質の一例として液晶に書き込まれた所定レ
ベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後
述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一
定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルによ
り分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変
調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモー
ドであれば、印加された電圧に応じてこの液晶部分への
入射光の透過量が減少し、ノーマリーブラックモードで
あれば、印加された電圧に応じてこの液晶部分への入射
光の透過光量が増加し、全体として電気光学装置からは
画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。こ
こで、保持された画像信号がリークするのを防ぐため
に、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容
量と並列に蓄積容量７０を付加する。
【００４１】第１実施形態では、前述した従来の各種の
反転駆動方式のうち、１Ｈ反転駆動方式を用いて駆動が
行われる（図６参照）。これにより、直流電圧印加によ
る液晶の劣化を避けつつ、フレーム或いはフィールド周
期で発生するフリッカや特に縦クロストークの低減され
た画像表示を行える。
【００４２】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられてい
る。データ線６ａは、コンタクトホール５を介して例え
ばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち後述のソ
ース領域に電気的に接続されている。画素電極９ａは、
コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述の
ドレイン領域に電気的に接続されている。また、半導体
層１ａのうち図中右下がりの斜線領域で示したチャネル
領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されてお
り、走査線３ａはゲート電極として機能する。このよう
に、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫
々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極とし
て対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設
けられている。
【００４３】容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直
線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所か
らデータ線６ａに沿って図中上方に突出した突出部とを
有する。
【００４４】第１実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板
上において各データ線６ａ、各容量線３ｂの光透過領域
に接する領域に対向する領域（図中太線でその輪郭が示
された領域）に、溝２０１が掘られている。これにより
後述のようにデータ線６ａが形成される領域に対して平
坦化処理が施されており、走査線３ａのうちデータ線６
ａと交差していない部分に第１段差部分の一例としての
土手状の盛上り部が形成されており、更に容量線３ｂの
うち開口領域に接する部分に第２段差部分の一例として
の窪み状部分が形成されている。
【００４５】更に第１実施形態では特に、ＴＦＴアレイ
基板側において液晶に接する後述の配向膜に、矢印Ｒ１
で示した方向にラビング処理が施されている。他方、対
向基板側において液晶に接する後述の配向膜に、矢印Ｒ
１に対し直角な方向にラビング処理が施されている。よ
り具体的には、対向基板側の配向膜に、矢印Ｒ１に対し
直角な図中左方向にラビング処理を施し、ＴＮ液晶をこ
れらの配向膜間に配置すれば、これらの配向膜間で対向
基板側から見てＴＮ液晶が左回りに９０度捩じれると共
に右斜め上４５度方向に明視方向を有する液晶装置が構
成される。或いは、対向基板側の配向膜に、矢印Ｒ１に
対しほぼ直角な図中右方向にラビング処理を施し、ＴＮ
液晶をこれらの配向膜間に配置すれば、これらの配向膜
間で対向基板側から見てＴＮ液晶が右回りに９０度捩じ
れると共に左斜め上４５度方向に明視方向を有する液晶
装置が構成される。また、ＴＦＴアレイ基板側において
液晶に接する後述の配向膜に矢印Ｒ２あるいはＲ３の方
向にラビング処理し、対向基板側において液晶に接する
後述の配向膜に矢印Ｒ２あるいはＲ３に対しほぼ直角な
方向にラビング処理を施しても良い。このような構成を
採れば、ＴＮ液晶の明視方向をＲ１の方向あるいはＲ１
と逆の方向にすることができるため、３枚の液晶装置を
組み合わせて構成する複板式のプロジェクタの場合に、
ＴＮ液晶の明視方向を合わせることが可能となり、表示
上の色むらを抑えることができ有利である。更に、本実
施形態ではデータ線６ａ及び容量線３ｂの少なくとも一
部を埋め込むことにより平坦化が実現できるため、段差
による液晶の配向不良を極力抑えることができる。
【００４６】次に図３の断面図に示すように、電気光学
装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配
置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴア
レイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコ
ン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や
石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電
極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理
が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａ
は例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導
電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。
【００４７】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理が施された配向膜２２が設けられている。対向
電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からな
る。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜から
なる。
【００４８】ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９
ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制
御する画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられてい
る。
【００４９】対向基板２０には、更に図３に示すよう
に、各画素の非開口領域に、遮光膜２３が設けられてい
る。このため、対向基板２０の側から入射光が画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１
ｃに侵入することはない。更に、遮光膜２３は、コント
ラスト比の向上、カラーフィルタを形成した場合におけ
る色材の混色防止などの機能を有する。尚、第１実施形
態では、Ａｌ等からなる遮光性のデータ線６ａで、各画
素の非開口領域のうちデータ線６ａに沿った部分を遮光
することにより、各画素の開口領域のうちデータ線６ａ
に沿った輪郭部分を規定してもよいし、このデータ線６
ａに沿った非開口領域についても冗長的に又は単独で対
向基板２０に設けられた遮光膜２３で遮光するように構
成してもよい。
【００５０】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材によ
り囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入
され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電
極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６
及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、
例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液
晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対
向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例え
ば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、
両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００５１】更に、ＴＦＴアレイ基板１０と複数の画素
スイッチング用のＴＦＴ３０との間には、下地絶縁膜１
２が設けられている。下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ
基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ
基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る
汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化
を防止する機能を有する。下地絶縁膜１２は、例えば、
ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リ
ンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラ
ス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの
高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜
等からなる。
【００５２】第１実施形態では、半導体層１ａを高濃度
ドレイン領域１ｅから延設して第１蓄積容量電極１ｆと
し、これに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電
極とし、ゲート絶縁膜を含んだ絶縁薄膜２を走査線３ａ
に対向する位置から延設してこれらの電極間に挟持され
た誘電体膜とすることにより、蓄積容量７０が構成され
ている。
【００５３】図３において、画素スイッチング用のＴＦ
Ｔ３０は、ＬＤＤ（Lightly DopedDrain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの
低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半
導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイ
ン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅに
は、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つがコンタ
クトホール８を介して接続されている。また、走査線３
ａ及び容量線３ｂの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通
じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１ｅへ
通じるコンタクトホール８が各々形成された第１層間絶
縁膜４が形成されている。更に、データ線６ａ及び第１
層間絶縁膜４の上には、高濃度ドレイン領域１ｅへのコ
ンタクトホール８が形成された第２層間絶縁膜７が形成
されている。前述の画素電極９ａは、このように構成さ
れた第２層間絶縁膜７の上面に設けられている。
【００５４】図４に示すように、図２で左右に相隣接す
る画素電極９ａの間隙に位置する各画素の非開口領域に
は、データ線６ａが設けられており、データ線６ａによ
り各画素の開口領域の輪郭のうちデータ線６ａに沿った
部分が規定されており、且つデータ線６ａにより当該非
開口領域における光抜けが防止されている。また、デー
タ線６ａの下には、容量線３ｂの本線部からデータ線６
ａの下に沿って突出した部分を利用して、蓄積容量７０
が形成されており、非開口領域の有効利用が図られてい
る。
【００５５】図５に示すように、図２で上下に相隣接す
る画素電極９ａの間隙に位置する各画素の非開口領域に
は、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられており、対向
基板２０に設けられた遮光膜２３により各画素の開口領
域の輪郭のうち走査線３ａに沿った部分が規定されてお
り、且つ遮光膜２３により当該非開口領域における光抜
けが防止されている。
【００５６】図３及び図４に示すように第１実施形態で
は特に、ＴＦＴアレイ基板１０上においてデータ線６
ａ、容量線３ｂ及びＴＦＴ３０に対向する領域に、溝２
０１が掘られており、これらは溝２０１に埋め込まれて
いる。更に、データ線６ａと交差する走査線３ａも、部
分的に溝２０１に埋め込むようにしても良い。
【００５７】そして、図４に示すように、データ線６ａ
の上方に位置する画素電極９ａの下地面である第３層間
絶縁膜７の上面の高さが、各画素の開口領域の大部分を
占める画素電極９ａの中央領域における第３層間絶縁膜
７の上面の高さとほぼ一致するように、溝２０１の深さ
が設定されている。これにより、データ線６ａに対する
平坦化処理が施されている。
【００５８】他方、図５に示すように、走査線３ａの上
方における画素電極９ａの下地面に第１段差部分の一例
としての盛上り部３０１が形成されており、容量線３ｂ
の上方における画素電極９ａの下地面に第２段差部分の
一例としての窪み状部分３０２が形成されている。この
ように容量線３ｂの上方に盛上り部ではなく窪み状部分
３０２が形成されるのは、容量線３ｂの形成された領域
におけるＴＦＴアレイ基板１０から下地面までの層厚
が、データ線６ａの形成された領域におけるＴＦＴアレ
イ基板１０から下地面までの層厚よりも薄いためであ
る。更に図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０側の
配向膜１６に、例えば矢印Ｒ１で示した方向にラビング
処理が施されている。他方、対向基板１０側の配向膜２
２には前述のように矢印Ｒ１に対し直角な方向にラビン
グ処理が施されている。そして、盛上り部３０１の傾斜
面に、ラビング方向に対して配向膜１６の表面が上昇す
るため擦り上げとなる擦り上げ部分４０１が形成され、
窪み状部分３０２の傾斜面に、ラビング方向に対して面
が上昇するため擦り上げとなる擦り上げ部分４０２が形
成され、盛上り部分３０１から窪み状部分３０２に至る
傾斜面にラビング方向に対して面が下降するため擦り下
げとなる擦り下げ部分４０３が形成される。尚、図５に
おける窪み状部分３０２は、開口領域における画素電極
９ａと同じ高さにすれば最も効果がある。
【００５９】ここで本願発明者の研究によれば、擦り上
げ部４０１及び４０２では、段差によらず比較的良好な
液晶の配向が確認されている。他方、擦り下げ部４０３
では、段差によって顕著な液晶の配向不良が確認されて
いる。これは液晶のプレチルト角の方向が段差方向とほ
ぼ一致していれば、段差が有っても光抜けが生じず、プ
レチルト角の方向が段差方向と逆の場合は、リバースチ
ルト現象により光抜けが生じてしまう。そこで、第１実
施例では、対向基板２０に形成された遮光膜２３によ
り、擦り下げ部４０３を遮光する。この際、擦り上げ部
４０１及び４０２についてはできるだけ遮光膜２３によ
り遮光しないように遮光膜２３の平面レイアウトを規定
する。従って、擦り上げ部４０１及び４０２上に夫々配
置された画素電極９ａは、殆ど光抜けしないため、従来
より光を透過する開口領域を増やすことができる。即
ち、このように擦り上げ部４０１及び４０２をできるだ
け遮光しないことにより、コントラスト比を低下させる
こと無く、画素開口率を高めることができる。これに対
し、擦り下げ部４０３では液晶の配向不良が生じるもの
の、この部分は遮光されて各画素の非開口領域内に位置
しており、光抜けはしない。
【００６０】このように遮光膜２３により、擦り下げ部
４０３を遮光することにより、配向不良によるコントラ
スト比の低下を招かないで済む。尚、擦り下げ部４０３
に起因した液晶の配向不良個所を覆い隠すためには、擦
り下げ部４０３の幅よりも遮光膜２３の幅を若干広めに
設定するのが望ましい。また、遮光膜２３は対向基板２
０ではなく、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けても良いこ
とは言うまでもない。
【００６１】他方、データ線６ａに沿った画素電極９ａ
の縁付近については、データ線６ａが溝２０１に埋め込
まれることにより、画素電極９ａが平坦化されており、
この部分では、段差による液晶の配向不良は殆ど発生し
ない。加えて、平坦化処理が施されたデータ線６ａに対
しては、段差による液晶の配向不良が殆ど生じていない
ため、その分だけ幅の狭い遮光膜で隠せばよく、或いは
遮光膜を省略してもよい。特に第１実施例では前述のよ
うに、Ａｌ（アルミニウム）膜等からなるデータ線６ａ
に遮光機能を持たせているので、画素開口率を高める上
で有利である。
【００６２】以上の結果、第１実施形態の電気光学装置
によれば、一方で、データ線６ａに沿った画素電極９ａ
の縁付近に平坦化処理を施し、他方で、走査線３ａに沿
った画素電極９ａの縁付近では擦り下げ部４０３を遮光
膜２３により隠して段差による表示品位の劣化を極力低
減することにより、しかも擦り上げ部４０１及び４０２
における画素電極部分をも積極的に利用して、コントラ
スト比を低下させることなく画素開口率を高めることが
できる。
【００６３】ここで図６を参照して、第１実施形態で採
用する１Ｈ反転駆動方式における、相隣接する画素電極
９ａの電位極性と横電界の発生領域との関係について説
明する。
【００６４】即ち、図６（ａ）に示すように、ｎ（但
し、ｎは自然数）番目のフィールド或いはフレームの画
像信号を表示する期間中には、画素電極９ａ毎に＋又は
−で示す液晶駆動電位の極性は反転されず、行毎に同一
極性で画素電極９ａが駆動される。その後図６（ｂ）に
示すように、ｎ＋１番目のフィールド或いは１フレーム
の画像信号を表示するに際し、各画素電極９ａにおける
液晶駆動電位の極性は反転され、このｎ＋１番目のフィ
ールド或いは１フレームの画像信号を表示する期間中に
は、画素電極９ａ毎に＋又は−で示す液晶駆動電位の極
性は反転されず、行毎に同一極性で画素電極９ａが駆動
される。そして、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示した状
態が、１フィールド又は１フレームの周期で繰り返され
て、第１実施形態における１Ｈ反転駆動方式による駆動
が行われる。この結果、第１実施形態によれば、直流電
圧印加による液晶の劣化を避けつつ、クロストークやフ
リッカの低減された画像表示を行える。尚、１Ｈ反転駆
動方式によれば、１Ｓ反転駆動方式と比べて、縦方向の
クロストークが殆ど無い点で有利である。
【００６５】図６（ａ）及び図６（ｂ）から分かるよう
に、１Ｈ反転駆動方式では、横電界の発生領域Ｃ１は常
時、縦方向（Ｙ方向）に相隣接する画素電極９ａ間の間
隙付近となる。
【００６６】そこで図５に示すように第１実施形態で
は、盛上り部３０１を形成し、この盛上り部３０１上に
配置された画素電極９ａの縁付近における縦電界を強め
るようにする。より具体的には、図５に示すように、盛
上り部３０１上に配置された画素電極９ａの縁付近と対
向電極２１との距離ｄ１を盛上り部３０１の段差の分だ
け狭める。これに対し図４に示すように、データ線６ａ
に対しては、平坦化処理が施されており、画素電極９ａ
の縁付近と対向電極２１との間の距離ｄ２は、画素電極
の大部分を占める中央領域における画素電極９ａと対向
電極２１との間の距離Ｄとほぼ同じとなる。
【００６７】従って、図６に示した横電界の発生領域Ｃ
１において、画素電極９ａと対向電極２１との間におけ
る縦電界を強めることができるのである。そして、図５
において、距離ｄ１が狭まっても、相隣接する画素電極
９ａ間の間隙Ｗ１は一定であるため、間隙Ｗ１が狭まる
程に強まる横電界の大きさも一定である。このため、図
６に示した横電界の発生領域Ｃ１において局所的に、横
電界に対する縦電界を強めることができ、この結果とし
て縦電界をより支配的にすることにより、横電界の発生
領域Ｃ１における液晶のディスクリネーションの発生領
域を縮小できるのである。
【００６８】尚、図４に示すように、データ線６ａに対
しては、平坦化処理が施されているので、この部分にお
いてデータ線６ａ等による段差に起因した液晶の配向不
良の発生を低減可能である。ここでは平坦化処理が施さ
れているため、画素電極９ａと対向電極２１との間の距
離ｄ２が短くなることにより縦電界が強められることは
ないが、この部分では、図６に示したように相隣接する
画素電極９ａ間に横電界は発生しない。従って、この部
分では、横電界に対する対策を講ずることなく、平坦化
処理により液晶の配向状態を極めて良好にできるのであ
る。
【００６９】以上の結果、第１実施形態によれば、１Ｈ
反転駆動方式において発生する横電界の特性に着目し
て、横電界の発生領域Ｃ１では、盛上り部３０１に画素
電極９ａの縁を配置することで、縦電界を強めることに
より横電界による悪影響を低減すると同時に、横電界の
発生しない領域では、平坦化を行うことで、画素電極９
ａ表面の段差による悪影響を低減する。このように横電
界による液晶のディスクリネーションと段差による液晶
の配向不良を総合的に低減することにより、液晶の配向
不良個所を隠すための遮光膜２３も小さくて済む。従っ
て、より一層、光抜け等の表示品位の劣化を引き起こさ
ずに各画素の開口率を高めることができる。
【００７０】因みに本願発明者の研究によれば、液晶層
５０の層厚は、耐光性をある程度のレベルに維持し、液
晶の注入プロセスを困難にせず、動作中における電界印
加により液晶分子が良好に動くようにするために、ある
程度の層厚（例えば、現行の技術によれば３μｍ程度）
が必要である。他方、相隣接する画素電極９ａ間の間隙
Ｗ１（図５参照）を、この部分における画素電極９ａと
対向電極２１との間の距離ｄ１より短く（即ち、Ｗ１＜
ｄ１に）してしまうと、横電界による悪影響が顕在化す
ることが判明している。従って微細ピッチな画素の高開
口率化を図るために、単純に液晶層５０の層厚Ｄ（図４
及び図５参照）を全体に薄くしたのでは、液晶層５０の
層厚の不均一化、耐光性の低下、注入プロセスの困難
化、液晶分子の動作不良等が発生してしまう。逆に微細
ピッチな画素の高開口率化を図るために、液晶層５０を
薄くすること無く単純に相隣接する画素電極９ａ間の間
隙Ｗ１を狭めたのでは、縦電界と比べて横電界が大きく
なるため、当該横電界による液晶のディスクリネーショ
ンが顕在化してしまう。このような液晶装置における特
質を勘案すれば、上述した第１実施形態のように、横電
界が生じる領域においてのみ液晶層５０の層厚ｄ１を
（例えば１．５μｍ程度にまで）狭めると共に画素電極
９ａの大部分を占めるその他の領域においては液晶層５
０の層厚Ｄを狭めないことにより、液晶層５０の層厚Ｄ
を十分に（例えば３μｍ程度に）確保可能とし且つ横電
界を相対的に強めないようにしつつ相隣接する画素電極
９ａ間の間隙Ｗ１を狭められる構成は、微細ピッチな画
素の高開口率化及び表示画像の高精細化を図る上で非常
に有効である。
【００７１】第１実施形態では特に、図５において好ま
しくは、０．５Ｄ ＜ Ｗ１なる関係を満足するように
画素電極９ａを平面配置し、更に、ｄ１＋３００ｎｍ
（ナノメータ） ≦ Ｄ なる関係を満足するように盛
上り部３０１を形成する。即ち、画素電極９ａ間を余り
近づけないようにし且つ盛上り部３０１を段差が３００
ｎｍ以上となるまで盛り上げれば、横電界による悪影響
が実用上表面化しない程度にまで、この領域における縦
電界を横電界に対して大きくできる。また微細ピッチな
画素の高開口率化及び表示画像の高精細化を図るために
は、間隙Ｗ１や間隙Ｗ２をなるべく小さくするのが有効
であるが、横電界の悪影響を顕在化させないためには、
むやみにこの間隙Ｗ１を小さくすることはできない。こ
こで、Ｗ１≒ｄ１となるまで間隙Ｗ１を小さく設定すれ
ば、表示品位の劣化を引き起こさずに微細ピッチな画素
の高開口率化を図るためには最も効果的である。
【００７２】更に第１実施形態では、盛上り部３０１の
頂点付近に、画素電極９ａの縁が位置するように構成す
るのが好ましい。このように構成すれば、当該画素電極
９ａの端と対向電極２１との間の距離ｄ１を盛上り部３
０１の高さを最大限に利用して短くすることができる。
これにより、盛上り部３０１の形状を極めて効率的に利
用して、横電界の発生領域Ｃ１において横電界に対して
縦電界を強めることが可能となる。
【００７３】加えて第１実施形態では特に、図５に示す
ように盛上り部３０１及び窪み状部分３０２は、１Ｈ反
転駆動時に逆極性の駆動電圧で駆動される画素電極の２
つの縁を相異なる高さとする形状を持っている。従っ
て、これら２つの縁間における距離を、平面的な距離の
みならず高さ方向の距離によっても長くすることができ
る（即ち、平面的な距離ｘ及び高さ方向の距離をｙとす
れば、これらの縁の距離は、（ｘ2＋ｙ2）1/2とな
る）。これにより、平面的に見て相隣接する画素電極間
を更に狭めることができる。よって、相隣接する画素電
極間の距離が長くなるに連れて小さくなる横電界を、当
該高さ方向の距離に応じて弱めることができるだけでな
く、横電界がほとんど発生しなくなる。この結果、横電
界による液晶のディスクリネーションの発生を効率的に
低減できる。尚、相隣接する画素電極９ａの縁を横電界
の発生領域Ｃ１において、盛上り部分３０１の最も高く
なる領域に形成しても良い。この場合は、横電界が発生
しても画素電極９ａの縁と対向電極２１との間の距離ｄ
１が狭まるため、横電界に対して縦電界を相対的に強め
ることができ、横電界による液晶のディスクリネーショ
ンを効率的に低減できる。
【００７４】ここで図７（ｂ）に示すように、第１実施
形態では好ましくは、液晶層５０はＴＮ（Twisted Nema
tic）液晶から構成されており、盛上り部３０１の側面
にはテーパが付けられている。しかも、係るＴＮ液晶の
ＴＦＴアレイ基板１０上におけるプレティルト角θの傾
き方向とテーパの傾き方向とが合わせられている。
【００７５】即ち、図７（ａ）に示すように、ＴＮ液晶
の液晶分子５０ａは、電圧無印加状態では各液晶分子５
０ａが基本的に基板面にほぼ平行な状態で且つＴＦＴア
レイ基板１０から対向基板２０に向けて徐々に捻じれる
ように配向すると共に電圧印加状態では、矢印で夫々示
したように各液晶分子５０ａが基板面から垂直に立ち上
がるように配向する。このため、図７（ｂ）に示すよう
に、盛上り部３０１の側面にテーパが付けられており、
しかもＴＮ液晶のプレティルト角θの傾き方向とテーパ
の傾き方向とが合わせられていれば、盛上り部３０１と
対向基板２０との間においては、液晶の層厚ｄ１が側面
に沿って徐々に小さくなっても、液晶の層厚Ｄが一定し
ている場合に近い良好な液晶の配向状態が得られる。即
ち、盛上り部３０１の存在により生じる段差に起因した
液晶の配向不良を極力抑えることができる。仮に、図７
（ｃ）に示すようにＴＮ液晶のプレティルト角θの傾き
方向とテーパの傾き方向とが合わせられていなければ、
盛上り部３０１と対向基板２０との間においては、他の
液晶分子５０ａとは反対方向に立ち上がる液晶分子５０
ｂが盛上り部３０１の付近に発生し、これにより配向状
態が不連続になり、液晶のディスクリネーションが生じ
てしまうのである。
【００７６】（第１実施形態の製造プロセス）次に、以
上のような構成を持つ第１実施形態における電気光学装
置を構成するＴＦＴアレイ基板側の製造プロセスについ
て、図８を参照して説明する。尚、図８は各工程におけ
るＴＦＴアレイ基板側の各層を、図４及び図５と同様に
図２のＢ−Ｂ’断面及び図２のＣ−Ｃ’断面に対応させ
て示す工程図である。
【００７７】先ず図８の工程（ａ）に示すように、先ず
石英基板、ハードガラス基板、シリコン基板等のＴＦＴ
アレイ基板１０を用意し、データ線６ａ等を形成すべき
領域にエッチング処理等により溝２０１を形成する。
【００７８】次に図８の工程（ｂ）に示すように、薄膜
形成技術を用いて、溝２０１が形成されたＴＦＴアレイ
基板１０上に、走査線３ａ及び容量線３ｂ並びにデータ
線６ａを形成する。これと平行して、図３に示した如き
ＴＦＴ３０及び蓄積容量７０を形成する。
【００７９】より具体的には、溝２０１が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ
法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケ
ート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）
ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレー
ト）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳ
Ｇなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等からなり、膜厚が約５００〜２０００ｎｍの
下地絶縁膜１２を形成する。次に、下地絶縁膜１２の上
に、減圧ＣＶＤ等によりアモルファスシリコン膜を形成
し熱処理を施すことにより、ポリシリコン膜を固相成長
させる。或いは、アモルファスシリコン膜を経ないで、
減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を直接形成する。
次に、このポリシリコン膜に対し、フォトリソグラフィ
工程、エッチング工程等を施すことにより、図２に示し
た如き第1蓄積容量電極１ｆを含む所定パターンを有す
る半導体層１ａを形成する。次に、熱酸化等により、図
３に示したＴＦＴ３０のゲート絶縁膜と共に蓄積容量形
成用の誘電体膜を含む絶縁薄膜２を形成する。この結
果、半導体層１ａの厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚
さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁薄
膜２の厚さは、約１０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは
約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。次に、減圧ＣＶＤ法
等によりポリシリコン膜を約１００〜５００ｎｍの厚さ
に堆積し、更にＰ（リン）を熱拡散あるいはドープする
ことで、このポリシリコン膜を導電化した後、フォトリ
ソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示し
た如き所定パターンの走査線３ａ及び容量線３ｂを形成
する。尚、走査線３ａ及び容量線３ｂは、高融点金属や
金属シリサイド等の金属合金膜で形成しても良いし、ポ
リシリコン膜等と組み合わせた多層配線としても良い。
次に、低濃度及び高濃度の２段階で不純物をドープする
ことにより、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン
領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領
域１ｅを含む、ＬＤＤ構造の画素スイッチング用ＴＦＴ
３０を形成する。
【００８０】尚、図８の工程（ｂ）と並行して、ＴＦＴ
から構成されるデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の
周辺回路をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部に形成して
もよい。
【００８１】次に図８の工程（ｃ）に示すように、走査
線３ａ、容量線３ｂ、絶縁薄膜２及び下地絶縁膜１２か
らなる積層体を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶ
Ｄ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳ
Ｇ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン
膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４を形成
する。第１層間絶縁膜４は、例えば１０００〜２０００
ｎｍ程度の膜厚とされる。尚、この熱焼成と並行して或
いは相前後して、半導体層１ａを活性化するために約１
０００℃の熱処理を行ってもよい。そして、図３に示し
たデータ線６ａと半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ
を電気的に接続するためのコンタクトホール５を第１層
間絶縁膜４及び絶縁薄膜２に開孔し、また、走査線３ａ
や容量線３ｂを基板周辺領域において図示しない配線と
接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール
５と同一の工程により開孔することができる。続いて、
第１層間絶縁膜４の上に、スパッタリング等により、Ａ
ｌ等の低抵抗金属膜や金属シリサイド膜を約１００〜５
００ｎｍの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィ工程
及びエッチング工程等により、データ線６ａを形成す
る。
【００８２】次に図８の工程（ｄ）に示すように、デー
タ線６ａ上に第２層間絶縁膜７が形成される。また、図
３に示したように、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域
１ｅとを電気的に接続するためのコンタクトホール８
を、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッ
チング等のドライエッチング或いはウエットエッチング
により形成する。続いて、第２層間絶縁膜７の上に、ス
パッタリング処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜
を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積し、更にフォトリ
ソグラフィ工程及びエッチング工程等により、画素電極
９ａを形成する。尚、当該電気光学装置を反射型として
用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料か
ら画素電極９ａを形成してもよい。
【００８３】以上のように第１実施形態の製造方法によ
れば、ＴＦＴアレイ基板１０に溝２０１を掘ってデータ
線６ａを形成して、データ線６ａに対する平坦化処理を
施すと共に、容量線３ｂ及び走査線３ａの一部を溝２０
１に埋め込むことにより、上述した擦り上げ部４０１及
び４０２並びに擦り下げ部４０３を持つ盛上り部３０１
及び窪み状部分３０２を形成できる。これにより、段差
による液晶の配向不良や横電界による液晶のディスクリ
ネーションの発生を低減する第１実施形態の液晶装置を
比較的容易に製造できる。
【００８４】（第２実施形態）本発明の第２実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図２及び図９から
図１１を参照して説明する。即ち、図２は、第１実施形
態と共通しており、第２実施形態におけるデータ線、走
査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣
接する複数の画素群の平面図であり、図９は、第２実施
形態における図２のＡ−Ａ’断面図であり、図１０は、
第２実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面図であり、図
１１は、第２実施形態における図２のＣ−Ｃ’断面図で
ある。尚、図９から図１１においては、各層や各部材を
図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各
部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図９から図１
１に示した第２実施形態において図３から図５に示した
第１実施形態と同様の構成要素については、同様の参照
符号を付し、その説明は省略する。
【００８５】第２実施形態における回路構成について
は、図１に示した第１実施形態の場合と同様である。
【００８６】図９から図１１に示すように、第２実施形
態では、第１実施形態で溝２０１がＴＦＴアレイ基板１
０に掘られていたのに対し、ＴＦＴアレイ基板１０’上
に形成された下地絶縁膜１２’に溝２０１’が掘られて
いる。そして、下地絶縁膜１２’の上面の形状は、第１
実施例における下地絶縁膜１２の上面の形状と同様であ
る。第２実施例におけるその他の構成及び動作について
は、第１実施形態の場合と同様である。
【００８７】以上の結果、第２実施形態によれば、第１
実施形態と同様の効果を得ることが可能である。
【００８８】尚、データ線６ａ等を埋め込む溝として
は、上述した第１及び第２実施形態の溝２０１や溝２０
１’に限られない。
【００８９】例えば図１２（ａ）に示すように、ＴＦＴ
アレイ基板１０ａ上に下地絶縁膜１２ａを形成し、下地
絶縁膜１２ａを貫通してＴＦＴアレイ基板１０ａを掘る
ようにエッチング処理を施すことにより、溝２０１ａを
形成してもよい。図１２（ｂ）に示すように、ＴＦＴア
レイ基板１０ｂ上に先ず絶縁膜１２ｂを形成し、これに
対してエッチング処理等を施し、更にこの上に薄い絶縁
膜１２ｂ’を形成することで、２層からなる下地絶縁膜
に溝２０１ｂを形成してもよい。この場合、絶縁膜１２
ｂの膜厚により溝２０１ｂの深さを制御でき、絶縁膜１
２ｂ’により溝２０１ｂの底部の厚みを制御できる。或
いは、図１２（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１
０ｃ上に先ずエッチングされ難い薄い絶縁膜１２ｃを形
成し、この上にエッチングされ易い絶縁膜１２ｃ’を形
成し、この絶縁膜１２ｃ’にエッチング処理を施すこと
により、２層からなる下地絶縁膜に溝２０１ｃを形成し
てもよい。この場合、絶縁膜１２ｃの膜厚により溝２０
１ｃの底部の厚みを制御でき、絶縁膜１２ｃ’により溝
２０１ｃの深さを制御できる。図１２（ｂ）や（ｃ）の
構成の場合、下地絶縁膜とＴＦＴアレイ基板との間に画
素スイッチング用ＴＦＴをＴＦＴアレイ基板側から遮光
するように高融点金属を形成する際に有利である。この
ように、溝を形成した領域に下地絶縁膜を形成すること
で、遮光膜と画素スイッチング用ＴＦＴを電気的に絶縁
することが可能になる。
【００９０】以上説明した各実施形態において、前述し
た１Ｓ反転駆動方式を採用することも可能である。この
場合には、行方向（Ｘ方向）に相隣接する画素電極９ａ
間で横電界が発生するため、走査線３ａに沿って画素電
極９ａの下地面を平坦化すると共に、データ線６ａに沿
って盛上り部３０１を形成して、この横電界の発生する
領域において画素電極９ａと対向電極２１との間の距離
を狭めて縦電界を強めることにより、当該横電界による
悪影響を低減するように構成してもよい。更に、本発明
における１Ｈ反転駆動方式では駆動電圧の極性を、一行
毎に反転させてもよいし、相隣接する２行毎に或いは複
数行毎に反転させてもよい。同様に本発明における１Ｓ
反転駆動方式では駆動電圧の極性を、一列毎に反転させ
てもよいし、相隣接する２列毎に或いは複数列毎に反転
させてもよい。
【００９１】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図１３及び図１４を参照して説明する。尚、図１３
は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図
１４は、図１３のＨ−Ｈ’断面図である。
【００９２】図１３において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば遮光膜２３と同じ或い
は異なる材料から成る画像表示領域の周辺を規定する額
縁５３が設けられている。シール材５２の外側の領域に
は、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給す
ることによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路
１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板
１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査
信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａ
を駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接す
る２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給され
る走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動
回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。
また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿
って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線は
画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆
動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記
画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線
駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。こ
の様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、
データ線駆動回路１０１の占有面積を拡張することがで
きるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更
にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域
の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐた
めの複数の配線１０５が設けられている。また、対向基
板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導
通をとるための導通材１０６が設けられている。そし
て、図１４に示すように、図１３に示したシール材５２
とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２
によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００９３】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。
【００９４】以上図１から図１４を参照して説明した各
実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動
回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、Ｖ
Ａモード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crysta
l)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード
／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィル
ム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置さ
れる。
【００９５】以上説明した各実施形態における電気光学
装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光
学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、
各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイッ
クミラーを介して分解された各色の光が投射光として各
々入射されることになる。従って、各実施例では、対向
基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａ
に対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保
護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このよ
うにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型の
カラー電気光学装置に各実施形態における電気光学装置
を適用できる。
【００９６】更に、以上の各実施形態において、ＴＦＴ
アレイ基板１０上において画素スイッチング用ＴＦＴ３
０に対向する位置にも、例えば高融点金属からなる遮光
膜を設けてもよい。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜
を設ければ、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの裏面反射
や複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせ
て一つの光学系を構成する場合に、他の電気光学装置か
らプリズム等を突き抜けて来る投射光部分等が当該電気
光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができ
る。また、対向基板２０上に１画素1個対応するように
マイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴア
レイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカ
ラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可
能である。
【００９７】このようにすれば、入射光の集光効率を向
上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更に
また、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干
渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色
を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。
このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、よ
り明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【００９８】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学装置の製造方
法或いは電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含ま
れるものである。
【００９９】（電子機器の構成）上述の実施形態の電気
光学装置を用いて構成される電子機器は、図１５に示す
表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、
表示駆動回路１００４、液晶装置等の電気光学装置１０
０、クロック発生回路１００８及び電源回路１０１０を
含んで構成される。表示情報出力源１０００は、ＲＯ
Ｍ、ＲＡＭなどのメモリ、テレビ信号を同調して出力す
る同調回路などを含んで構成され、クロック発生回路１
００８からのクロックに基づいて、画像信号などの表示
情報を出力する。表示情報処理回路１００２は、クロッ
ク発生回路１００８からのクロックに基づいて表示情報
を処理して出力する。この表示情報処理回路１００２
は、例えば増幅・極性反転回路、シリアル・パラレル変
換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路あるいは
クランプ回路等を含むことができる。表示駆動回路１０
０４は、走査線駆動回路及びデータ線駆動回路を含んで
構成され、電気光学装置１００を表示駆動する。電源回
路１０１０は、上述の各回路に電力を供給する。
【０１００】このような構成の電子機器として、図１６
に示す投射型表示装置、図１７に示すマルチメディア対
応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリ
ング・ワークステーション（ＥＷＳ）などを挙げること
ができる。
【０１０１】図１６は、投射型表示装置の要部を示す概
略構成図である。図中、１１０２は光源、１１０８はダ
イクロイックミラー、１１０６は反射ミラー、１１２２
は入射レンズ，１１２３はリレーレンズ、１１２４は出
射レンズ、１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂはライトバル
ブ、１１１２はダイクロイックプリズム、１１１４は投
射レンズを示す。光源１１０２はメタルハライド等のラ
ンプとランプの光を反射するリフレクタとからなる。青
色光・緑色光反射のダイクロイックミラー１１０８は、
光源１１０２からの光束のうちの赤色光を透過させると
ともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光
は反射ミラー１１０６で反射されて、赤色光用ライトバ
ルブ１００Ｒに入射される。一方、ダイクロイックミラ
ー１１０８で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射
のダイクロイックミラー１１０８によって反射され、緑
色光用ライトバルブ１００Ｇに入射される。一方、青色
光は第２のダイクロイックミラー１１０８も透過する。
青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、
入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３、出射レン
ズ１１２４を含むリレーレンズ系からなる導光手段１１
２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用ライト
バルブ１００Ｂに入射される。各ライトバルブにより変
調された３つの色光はダイクロイックプリズム１１１２
に入射する。
【０１０２】このプリズムは４つの直角プリズムが貼り
合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青
光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されてい
る。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成さ
れて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光
は、投射光学系である投射レンズ１１１４によってスク
リーン１１２０上に投射され、画像が拡大されて表示さ
れる。
【０１０３】図１７に示すパーソナルコンピュータ１２
００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４
と、電気光学装置１００とを有する。
【０１０４】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学装置の製造方
法或いは電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含ま
れるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の電気光学装置における画像表示
領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた
各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】第１及び第２実施形態の電気光学装置における
データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレ
イ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】第１実施形態における図２のＡ−Ａ’断面図で
ある。
【図４】第１実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面図で
ある。
【図５】第１実施形態における図２のＣ−Ｃ’断面図で
ある。
【図６】第１実施形態で用いられる１Ｈ反転駆動方式に
おける各電極における電位極性と横電界が生じる領域と
を示す画素電極の図式的平面図である。
【図７】第１実施形態でＴＮ液晶を用いた場合の液晶分
子の配向の様子を示す図式的断面図である。
【図８】第１実施形態の電気光学装置の製造プロセスを
順を追って示す工程図である。
【図９】第２実施形態における図２のＡ−Ａ’断面図で
ある。
【図１０】第２実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面図
である。
【図１１】第２実施形態における図２のＣ−Ｃ’断面図
である。
【図１２】本発明の各実施形態において基板上に形成さ
れる溝の各種変形例を示す断面図である。
【図１３】各実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴア
レイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基
板の側から見た平面図である。
【図１４】図１３のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１５】電子機器の実施形態である。
【図１６】本実施形態を用いた応用例としても投射型表
示装置の実施形態である。
【図１７】本実施形態を用いた応用例としてのパーソナ
ルコンピュータの実施形態である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…第１蓄積容量電極 ２…絶縁薄膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線 ４…第１層間絶縁膜 ５…コンタクトホール ６ａ…データ線 ７…第２層間絶縁膜 ８…コンタクトホール ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５０ａ…液晶分子 ７０…蓄積容量 ２０１…溝 ３０１…盛上り部 ３０２…窪み状部分 ４０１、４０２…擦り上げ部 ４０３…擦り下げ部 Ｃ１…横電界の発生領域

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ラビング処理された配向膜を有する第１
    基板と、前記第１基板と対向配置し、ラビング処理され
    た配向膜を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２
    基板との間に介在した電気光学物質と、前記第１基板と
    前記第２基板の少なくとも一方の基板の配向膜表面に形
    成され、前記ラビング処理方向に対して擦り下げとなる
    段差部と、前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一
    方の基板の、前記擦り下げとなる段差部に対向する領域
    に形成された遮光部と、を具備することを特徴とする電
    気光学装置。
  2. 【請求項２】 前記段差部は、前記ラビング処理方向と
    交差する方向に形成された盛り上がり部で構成されるこ
    とを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
  3. 【請求項３】 前記第１基板と第２基板の一方に複数の
    画素電極を有し、前記盛上り部は、互いに異なる極性で
    駆動される隣接した画素電極間に対応する領域に形成さ
    れることを特徴とする請求項２記載の電気光学装置。
  4. 【請求項４】 前記盛上り部の前記ラビング処理方向に
    対して擦り上げとなる擦り上げ部は、前記遮光膜とは対
    向しないことを特徴とする請求項２記載の電気光学装
    置。
  5. 【請求項５】 前記段差部は、前記ラビング処理方向と
    交差する方向に形成された窪み部で構成されることを特
    徴とする請求項１記載の電気光学装置。
  6. 【請求項６】 前記窪み部は、前記第１基板と前記第２
    基板の一方に形成された溝部で形成され、前記溝部の領
    域に配線を配設したことを特徴とする請求項５記載の電
    気光学装置。
  7. 【請求項７】 前記窪み部の前記ラビング処理方向に対
    して擦り上げとなる擦り上げ部は、前記遮光膜とは対向
    しないことを特徴とする請求項６記載の電気光学装置。
  8. 【請求項８】 前記第１基板と第２基板の一方に複数の
    画素電極を有し、互いに同極性で駆動される隣接した画
    素電極間に対応する領域は、平坦化処理がされているこ
    とを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
  9. 【請求項９】 前記平坦化処理は、基板に形成された溝
    部で形成され、前記溝部の領域に配線を配設したことを
    特徴とする請求項８記載の電気光学装置。
  10. 【請求項１０】 前記互いに同極性で駆動される隣接し
    た画素電極間の距離は、前記電気光学物質の層厚より大
    きいことを特徴とする請求項８記載の電気光学装置。
  11. 【請求項１１】 前記ラビング処理方向は、前記段差部
    の擦り下げ部に対して直交する方向であることを特徴と
    する請求項１記載の電気光学装置。
  12. 【請求項１２】 前記ラビング処理方向は、前記段差部
    の擦り下げ部に対して斜めに交差する方向であることを
    特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
  13. 【請求項１３】 ラビング処理された配向膜を有する第
    １基板と、前記第１基板と対向配置し、ラビング処理さ
    れた配向膜を有する第２基板と、前記第１基板と前記第
    ２基板との間に介在した液晶と、前記第１基板と前記第
    ２基板の少なくとも一方の基板の配向膜表面に形成さ
    れ、リバースチルト角を成す液晶の領域部と、前記第１
    基板と前記第２基板の少なくとも一方の基板の、前記リ
    バースチルト角を成す液晶の領域部に対向する領域に形
    成された遮光部と、 を具備することを特徴とする電気光学装置。
  14. 【請求項１４】 複数の画素電極とラビング処理された
    配向膜を有する第１基板と、前記第１基板と対向配置
    し、対向電極とラビング処理された配向膜を有する第２
    基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在した
    電気光学物質と、前記第１基板の前記画素電極間に対応
    する前記配向膜表面に形成され、前記ラビング処理方向
    に対して擦り下げとなる段差部と、前記第１基板と前記
    第２基板の少なくとも一方の基板の、前記擦り下げとな
    る段差部に対向する領域に形成された遮光部と、 を具備することを特徴とする電気光学装置。
  15. 【請求項１５】 前記段差部の擦り下げ部は、互いに異
    なる極性で駆動される隣接した画素電極間に形成される
    ことを特徴とする請求項１４記載の電気光学装置。
  16. 【請求項１６】 複数の画素電極とラビング処理された
    配向膜を有する第１基板と、前記第１基板と対向配置
    し、対向電極とラビング処理された配向膜を有する第２
    基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在した
    電気光学物質と、 前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方の基板に
    形成され、画素領域を規定する遮光部と、 前記第１基板の前記配向膜表面の前記遮光部に対向する
    領域の近傍に形成され、前記ラビング処理方向に対して
    擦り上げとなる段差部と、 を具備することを特徴とする電気光学装置。
  17. 【請求項１７】 前記段差部は、前記ラビング処理方向
    と交差する方向に形成された盛り上がり部で構成される
    ことを特徴とする請求項１６記載の電気光学装置。
  18. 【請求項１８】 前記段差部の領域上の電気光学物質の
    層厚は、前記段差部が形成されていない領域上の電気光
    学物質の層厚より薄いことを特徴とする請求項１７記載
    の電気光学装置。
  19. 【請求項１９】 前記段差部は、前記ラビング処理方向
    と交差する方向に形成された窪み部で構成されることを
    特徴とする請求項１６記載の電気光学装置。
  20. 【請求項２０】 前記窪み部は、前記第１基板に形成さ
    れた溝部で形成され、前記溝部の領域に配線を配設した
    ことを特徴とする請求項１９記載の電気光学装置。
  21. 【請求項２１】 前記段差部の擦り上げ部は、光透過性
    領域に形成されていることを特徴とする請求項１６記載
    の電気光学装置。
  22. 【請求項２２】 複数の画素電極とラビング処理された
    配向膜を有する複数の層からなる第１基板と、前記第１
    基板と対向配置し、対向電極とラビング処理された配向
    膜を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板と
    の間に介在した電気光学物質と、前記第１基板に形成さ
    れた溝部と、前記溝部に沿って配設された配線と、前記
    溝部の領域上の前記配向膜表面に形成された段差部と、
    前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方の基板
    の、前記擦り下げとなる段差部に対向する領域に形成さ
    れた遮光部と、を備えてなり、 前記第１基板の前記ラビング処理方向は、前記段差部に
    対して擦り下げとなる向きであることを特徴とする電気
    光学装置。
  23. 【請求項２３】 前記配線は、蓄積容量を構成すること
    を特徴とする請求項２２記載の電気光学装置。
  24. 【請求項２４】 複数の画素電極を有する第１基板と；
    前記第１基板と対向配置した第２基板と；前記第１基板
    と前記第２基板との間に介在した電気光学物質と；互い
    に異なる極性で駆動される隣接した前記画素電極間に対
    応し、前記第１基板の配向膜表面に形成された盛上り部
    と、前記盛上り部は前記第１基板のラビング処理方向に
    対して擦り下げとなる擦り下げ部を有し；前記第１基板
    と前記第２基板の少なくとも一方の基板の、前記擦り下
    げ部に対向する領域に形成された遮光部と；を具備する
    ことを特徴とする電気光学装置。
  25. 【請求項２５】 前記盛上り部は、配線を配設して形成
    されることを特徴とする請求項２４記載の電気光学装
    置。
  26. 【請求項２６】 前記盛上り部は、ラビング処理方向に
    対して擦り上げとなる擦り上げ部を有し、前記擦り上げ
    部は光透過性領域に形成されることを特徴とする請求項
    ２４記載の電気光学装置。
  27. 【請求項２７】 請求項１乃至２６のいずれか１つの電
    気光学装置からなるライトバルブと、投射光学系を備え
    たことを特徴とするプロジェクタ。
  28. 【請求項２８】 複数の画素電極と、 前記画素電極上に形成されたラビング処理される配向膜
    と、 前記画素電極間に対応する前記配向膜表面に形成され、
    前記ラビング処理方向に対して擦り上げとなる段差部
    と、 を具備することを特徴とする電気光学装置用基板。
  29. 【請求項２９】 前記段差部は、配線を配置するための
    溝部で形成されていることを特徴とする請求項２８記載
    の電気光学装置用基板。
  30. 【請求項３０】 前記段差部は、画素電極間の横電界を
    低減するための盛上り部で形成されていることを特徴と
    する請求項２８記載の電気光学装置用基板。
  31. 【請求項３１】 前記段差部は、前記ラビング処理方向
    に対して擦り下げとなる擦り下げ部を有し、前記擦り下
    げ部に対向する領域に遮光部を形成したことを特徴とす
    る請求項２８記載の電気光学装置用基板。
  32. 【請求項３２】 電気光学物質を挟持して互いに対向す
    る第１基板及び第２基板と、前記第１基板上に設けられ
    る複数の画素電極及び配向膜と、前記画素電極に対向し
    前記第２基板上に設けられる対向電極とを備えてなる電
    気光学装置の製造方法において、 画素電極が隣接する一の方向において、該画素電極の間
    の配向膜及び前記画素電極上の配向膜が平坦化するよう
    に下地面を形成し、かつ他の方向に画素電極が隣接する
    画素電極間の下地面に凸形状の第１段差部分を形成する
    工程と、 前記第１段差部分に前記画素電極の縁が位置するように
    該画素電極を形成する工程と、 前記配向膜に対してラビング処理を施す工程と、 前記第１段差部分の傾斜面のうち前記配向膜に対するラ
    ビング処理の方向が擦り下げとなる傾斜面に平面的に重
    なるように、前記第１基板または第２基板の少なくとも
    一方に遮光膜を形成する工程とを備えたことを特徴とす
    る電気光学装置の製造方法。
  33. 【請求項３３】 電気光学物質を挟持して互いに対向す
    る第１基板及び第２基板と、前記第１基板上に設けられ
    る複数の画素電極及び配向膜と、前記画素電極に対向し
    前記第２基板上に設けられる対向電極とを備え、 前記複数の画素電極は、第１の周期で反転駆動されるた
    めの第１の画素電極群と、前記第１の周期と相補の第２
    の周期で反転駆動されるための第２の画素電極群とから
    なる電気光学装置の製造方法において、 前記同一の画素電極群に属する画素電極同士が隣り合う
    方向において、該同一の画素電極群に属する画素電極同
    士の間の配向膜及び前記画素電極上の配向膜が平坦化す
    るように下地面を形成し、かつ前記第１の画素電極群に
    属する画素電極と前記第２の画素電極群に属する画素電
    極とが隣接する画素電極間の下地面に凸形状の第１段差
    部分を形成する工程と、 前記第１段差部分に前記画素電極の縁が位置するように
    該画素電極を形成する工程と、 前記配向膜に対してラビング処理を施す工程と、 前記第１段差部分の傾斜面のうち前記配向膜に対するラ
    ビング処理の方向が擦り下げとなる傾斜面に平面的に重
    なるように、前記第１基板または第２基板の少なくとも
    一方に遮光膜を形成する工程とを備えたことを特徴とす
    る電気光学装置の製造方法。
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US09/667,233 US6762809B1 (en) 1999-09-30 2000-09-22 Electro-optical device and method for manufacturing the same
CNB001290819A CN1145072C (zh) 1999-09-30 2000-09-29 电光装置及其制造方法
KR10-2000-0057706A KR100484552B1 (ko) 1999-09-30 2000-09-30 전기 광학 장치 및 그의 제조 방법

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7122954B2 (en) * 2002-08-30 2006-10-17 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US7283191B2 (en) 2003-11-19 2007-10-16 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device and electronic apparatus wherein liquid crystal molecules having particular pre-tilt angle
CN100409272C (zh) * 2002-03-19 2008-08-06 精工爱普生株式会社 液晶显示装置、电光装置及其制造方法、电子装置
CN1811532B (zh) * 2002-03-19 2010-11-10 精工爱普生株式会社 液晶显示装置、电光装置以及电子装置
US7970456B2 (en) 2005-12-23 2011-06-28 Biocompatibles Uk Limited Method and apparatus for detecting the presence of dermal melanin in epithelial tissue
JP2017167542A (ja) * 2006-12-26 2017-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US20180364535A1 (en) * 2017-06-19 2018-12-20 Japan Display Inc. Liquid crystal display device

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI291072B (en) * 2001-09-28 2007-12-11 Sanyo Electric Co Liquid crystal display unit
KR100860468B1 (ko) * 2002-04-17 2008-09-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 기판
JP2004037874A (ja) * 2002-07-03 2004-02-05 Seiko Epson Corp 実装ケース入り電気光学装置及び投射型表示装置
US7061564B2 (en) * 2003-07-04 2006-06-13 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, method for producing the liquid crystal device, and electronic apparatus
JP2006010859A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法
JP4702067B2 (ja) * 2006-01-16 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器及びプロジェクタ
JP4462280B2 (ja) * 2007-02-22 2010-05-12 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び電子機器
JP5360673B2 (ja) * 2007-08-09 2013-12-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US8193999B2 (en) * 2008-06-05 2012-06-05 Sony Corporation Display device
JP5532899B2 (ja) * 2009-12-16 2014-06-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR20120019017A (ko) * 2010-08-24 2012-03-06 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN102169851B (zh) * 2011-02-24 2013-07-24 华映视讯（吴江）有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
JP6835090B2 (ja) * 2016-07-29 2021-02-24 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
US11772029B2 (en) * 2019-12-20 2023-10-03 Microjet Technology Co., Ltd. Gas detection and purification device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2828990B2 (ja) 1988-04-19 1998-11-25 株式会社東芝 液晶表示素子
JP2528967B2 (ja) 1989-07-04 1996-08-28 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
JPH0490514A (ja) 1990-08-02 1992-03-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JPH04305625A (ja) 1991-04-03 1992-10-28 Sony Corp 液晶表示装置
JP2702319B2 (ja) 1991-07-25 1998-01-21 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JP2543286B2 (ja) 1992-04-22 1996-10-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
JP2503845B2 (ja) 1992-08-28 1996-06-05 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶素子
JPH0695094A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示パネル
JPH06265934A (ja) 1993-03-11 1994-09-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3077445B2 (ja) 1993-03-24 2000-08-14 富士ゼロックス株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
JP3109979B2 (ja) * 1994-06-20 2000-11-20 キヤノン株式会社 液晶表示装置
JPH0829806A (ja) * 1994-07-11 1996-02-02 Toshiba Corp 液晶表示素子および液晶表示装置
JP2827920B2 (ja) 1994-10-13 1998-11-25 松下電器産業株式会社 カラー液晶表示パネル
JP3699828B2 (ja) * 1997-10-06 2005-09-28 シャープ株式会社 液晶表示素子およびその製造方法
US6433841B1 (en) 1997-12-19 2002-08-13 Seiko Epson Corporation Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same
JP3786515B2 (ja) 1998-01-30 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及びその製造方法並びに電子機器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100409272C (zh) * 2002-03-19 2008-08-06 精工爱普生株式会社 液晶显示装置、电光装置及其制造方法、电子装置
CN1811532B (zh) * 2002-03-19 2010-11-10 精工爱普生株式会社 液晶显示装置、电光装置以及电子装置
US7122954B2 (en) * 2002-08-30 2006-10-17 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US7283191B2 (en) 2003-11-19 2007-10-16 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device and electronic apparatus wherein liquid crystal molecules having particular pre-tilt angle
US7970456B2 (en) 2005-12-23 2011-06-28 Biocompatibles Uk Limited Method and apparatus for detecting the presence of dermal melanin in epithelial tissue
JP2017167542A (ja) * 2006-12-26 2017-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US20180364535A1 (en) * 2017-06-19 2018-12-20 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US10495934B2 (en) * 2017-06-19 2019-12-03 Japan Display Inc. Liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
US6762809B1 (en) 2004-07-13
CN1145072C (zh) 2004-04-07
KR100484552B1 (ko) 2005-04-22
KR20010067273A (ko) 2001-07-12
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