KR20010067273A - 전기 광학 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

TFT 어레이 기판(10)상에 화소 전극(9a)을 구비하고, 대향 기판(20)상에 대향 전극(21)을 구비한다. 데이터선(6a)은 TFT 어레이 기판상에 형성된 홈(201)에 매립되어 평탄화된다. 상기 홈에 주사선(3a)이 홈에 매립되지 않고 용량선(3b)이 매립되어, 돌출부(301) 및 오목형상 부분(302)이 형성된다. 이들이 가지는 경사면 중 러빙 처리가 하향 러빙으로 되어 있는 하향 러빙부(403)는 차광막(23)으로 덮여지고, 상향 러빙부(401, 402)의 영역은 차광막을 형성하지 않도록 한다.
이로 인해, 액정 등에 면하는 기판상 표면의 단차에 기인하는 액정 등의 배향 불량을 저감하여, 화소의 개구율이 높고 동시에 고 컨트라스트 비로 밝은 고품위의 화상 표시를 행한다.

Description

전기 광학 장치 및 그의 제조 방법{Electro-optical device and method for manufacturing the same}
기술분야
본 발명은 액정 장치 등의 전기 광학 장치 및 그 제조 방법의 기술 분야에 속하고, 특히 TN(Twisted Nematic)액정을 사용한 액정 장치에 적합하게 사용할 수 있으며, 또한 특히 열방향 또는 행방향에 서로 인접하는 화소 전극에 인가되는 전위의 극성이 반대가 되도록 화소행마다 또는 화소열마다 구동 전위 극성을 주기적으로 반전시키는 반전 구동 방식을 채용하는 TFT(Thin Film Transistor : TFT) 액티브 매트릭스 구동형 액정 장치에 적합하게 사용하는 것이 가능한 전기 광학 장치 및 그 제조 방법의 기술분야에 속한다.
배경기술
일반적으로 액정 장치 등의 전기 광학 장치는 한 쌍의 기판간에 액정 등의 전기 광학 물질이 삽입되어 있고, 상기 전기 광학 물질의 배향 상태는 전기 광학 물질의 성질 및 기판의 전기 광학 물질측의 면상에 형성된 배향막에 의해 규정되어 있다. 따라서 배향막의 표면에 단차가 있으면, 상기 단차의 정도에 따라서 전기 광학 물질에는 배향 불량이 생긴다. 상기와 같이 배향 불량이 생기면, 이 부분에서는 전기 광학 물질을 양호하게 구동하는 것이 곤란해져, 전기 광학 장치의 광 누설 등에 의해 콘트라스트 비가 저하하게 된다. 그런데, TFT 액티브 매트릭스 구동형의 전기 광학 장치의 경우에는 TFT 어레이 기판상에, 주사선, 데이터선, 용량선등의 각종 배선이나 화소 전극을 스위칭 제어하기 위한 TFT 등이 각처에 형성되어 있기 때문에, 어떠한 평탄화 처리를 실시하지 않으면, 이들의 배선이나 소자의 존재에 따라서 배향막의 표면에는 필연적으로 단차가 생기게 된다.
그래서 종래는 이러한 단차가 생겨 있는 영역을, 서로 인접하는 화소 전극사이의 간극에 대응시킴과 동시에, 대향 기판 또는 TFT 어레이 기판에 형성한 차광막에 의해, 이와 같이 단차가 생겨 있는 영역을 덮어서 숨김으로써 상기 단차에 의해 배향 불량이 생기는 전기 광학 물질 부분에 대해서는 보이지 않도록 또는 표시광에 기여하지 않도록 하고 있다.
한편, 일반적으로 이러한 종류의 전기 광학 장치에서는 직류 전압 인가에 의한 액정 등의 전기 광학 물질의 열화 방지, 표시 화상에 있어서의 크로스 토크나 플릭커의 방지 등을 위해, 각 화소 전극에 인가되는 전위 극성을 소정 규칙으로 반전시키는 반전 구동 방식이 채용되어 있다. 이 중 하나의 프레임 또는 필드의 화상신호에 대응하는 표시를 행하는 동안은 홀수행으로 배열된 화소 전극을 정극성의 전위로 구동하는 동시에 짝수행으로 배열된 화소 전극을 부극성의 전위로 구동하고, 이것에 계속되는 다음 프레임 또는 필드의 화상 신호에 대응하는 표시를 행하는 동안은 반대로 짝수행으로 배열된 화소 전극을 정극성의 전위로 구동하는 동시에 홀수행으로 배열된 화소 전극을 부극성의 전위로 구동하면서, 가해지는 전위 극성을 행마다 프레임 또는 필드 주기로 반전시키는 1H 반전 구동 방식이, 제어가 비교적 용이하여 고품위의 화상 표시를 가능하게 하는 반전 구동 방식으로서 사용되어 있다. 또한, 동일열의 화소 전극을 동일 극성의 전위에 의해 구동하면서, 가해지는 전위 극성을 열마다 프레임 또는 필드 주기로 반전시키는 1S 반전 구동 방식도, 제어가 비교적 용이하여 고품위의 화상 표시를 가능하게 하는 반전 구동 방식으로서 사용되어 있다.
그러나, 상술한 단차를 차광막에 의해 덮어서 숨기는 기술에 의하면, 단차가 있는 영역의 넓이에 따라서 화소의 개구 영역이 좁아지기 때문에, 한정된 화상 표시 영역내에서, 화소의 개구율을 높여, 보다 밝은 화상 표시를 행하는 상기 전기 광학 장치의 기술분야에서의 기본적인 요구를 만족하는 것은 곤란하다. 특히, 고세밀의 화상 표시를 행하기 위한 화소 피치의 미세화에 따라서 단위 면적당의 배선수나 TFT수가 증가하지만, 이들의 배선이나 TFT의 미세화에 일정한 한도가 있는 것에 기인하여, 화상 표시 영역내에서 단차 영역이 차지하는 비율이 상대적으로 높아지기 때문에, 이러한 문제는 전기 광학 장치의 고세밀화가 진행될 수록 심각화하게된다.
한편, 상술한 화소 전극하의 층간 절연막을 평탄화하는 기술에 의하면, TFT 어레이 기판상에 있어서 서로 인접하는 화소 전극이 동일 극성인 경우에는 특히 문제는 생기지 않지만, 상술한 1H 반전 구동 방식이나 1S 반전 구동 방식과 같이, 이들의 전위(즉, 1H 반전 구동 방식에서는 열방향에 서로 인접하는 화소 전극에 인가되는 전위 또는 1S 반전 구동 방식에서는 행방향에 서로 인접하는 화소 전극에 인가되는 전위)가 역극성에 있는 경우에는 평탄화에 의해 화소 전극과 대향 전극과의 간격이, 배선이나 TFT의 상측에 위치하는 화소 전극의 가장자리 부근에서, 평탄화하지 않는 경우보다도 넓게 되기 때문에, 서로 인접하는 화소 전극 사이에 생기는 횡전계(즉, 기판면에 평행인 전계 혹은 기판면에 평행인 성분을 포함하는 경사의 전계)가 상대적으로 증가하게 되는 문제점이 생긴다. 서로 대향하는 화소 전극과 대향 전극 사이의 종전계(즉, 기판면에 수직인 방향의 전계)의 인가가 상정되어 있는 전기 광학 물질에 대하여, 이러한 횡전계가 인가되면, 전기 광학 물질의 디스크리네이션이 생겨, 이 부분에 있어서의 광 누설 등이 발생하여 컨트라스트 비가 저하하게 되는 문제가 생긴다. 이것에 대하여, 횡전계가 생기는 영역을 차광막에 의해 덮어서 숨기는 것은 가능하지만, 이래서는 횡전계가 생기는 영역의 넓이에 따라서 화소의 개구 영역이 좁아지게 되는 문제점이 생긴다. 특히, 화소 피치의 미세화에 의해 서로 인접하는 화소 전극간의 거리가 축소됨에 따라서, 이러한 횡전계는 커지기 때문에, 이들의 문제는 전기 광학 장치의 고세밀화가 진행될수록 심각화하게 된다.
본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 액정 등의 전기 광학 물질에 면하는 기판상 표면의 단차에 기인하는 전기 광학 물질의 배향 불량을 저감하면서 각 화소의 개구 영역을 되도록이면 좁히지 않음으로써, 화소의 개구율이 높으며 동시에 고 컨트라스트 비로 밝은 고품위의 화상 표시가 가능하게 되는 액정 장치 등의 전기 광학 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
도 1은 제 1 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상의 복수의 화소로 형성된 각종 소자, 배선 등의 등가 회로도이다.
도 2는 제 1 및 제 2 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이다.
도 3은 제 1 실시예에 있어서의 도 2의 A-A' 단면도이다.
도 4는 제 1 실시예에 있어서의 도 2의 B-B' 단면도이다.
도 5는 제 1 실시예에 있어서의 도 2의 C-C' 단면도이다.
도 6은 제 1 실시예에서 사용되는 1H 반전 구동 방식에 있어서의 각 전극에 전위 극성과 횡전계가 생기는 영역을 도시한 화소 전극의 도식적 평면도이다.
도 7은 제 1 실시예에서 TN 액정을 사용한 경우의 액정 분자의 배향의 모양을 도시한 도식적 단면도이다.
도 8은 제 1 실시예의 전기 광학 장치의 제조 프로세스를 순서를 따라서 도시한 공정도이다.
도 9는 제 2 실시예에 있어서의 도 2의 A-A' 단면도이다.
도 10은 제 2 실시예에 있어서의 도 2의 B-B' 단면도이다.
도 11은 제 2 실시예에 있어서의 도 2의 C-C' 단면도이다.
도 12는 본 발명의 각 실시예에 있어서 기판상에 형성되는 홈의 각종 변형예를 도시한 단면도이다.
도 13은 각 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판 측에서 본 평면도이다.
도 14는 도 13의 H-H' 단면도이다.
도 15는 전자기기의 실시예이다.
도 16은 본 실시예를 사용한 응용예로서 투사형 표시 장치의 실시예이다.
도 17은 본 실시예를 사용한 응용예로서의 퍼스널 컴퓨터의 실시예이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1a : 반도체층 1a' : 채널 영역
1b : 저농도 소스 영역 1c : 저농도 드레인 영역
1d : 고농도 소스 영역 1e : 고농도 드레인 영역
1f : 제 1 축적 용량 전극 2 : 절연 박막
3a : 주사선 3b : 용량선
4 : 제 1 층간 절연막 5 : 컨택트 홀
6a : 데이터선 7 : 제 2 층간 절연막
8 : 컨택트 홀 9a : 화소 전극
10 : TFT 어레이 기판 12 : 기초 절연막
16 : 배향막 20 : 대향 기판
21 : 대향 전극 22 : 배향막
23 : 차광막 30 : TFT
50 : 액정층 50a : 액정 분자
70 : 축적 용량 201 : 홈
301 : 돌출부 302 : 오목형상 부분
401, 402 : 상향 러빙부 403 : 하향 러빙부
C1 : 횡전계의 발생 영역
발명의 개시
본 발명의 제 1 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향 배치하여, 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 사이에 개재한 전기 광학 물질과, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 배향막 표면에 형성되며, 상기 러빙 처리 방향에 대해 하향 러빙이 되는 단차부와, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 하향 러빙이 되는 단차부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명자의 연구에 의하면, 러빙 처리가 상향 러빙이 되는 경우와 러빙 처리가 하향 러빙이 되는 경우를 비교하면, 단차에 의한 전기 광학 물질의 배향 불량은 후자와 비교하여 전자인 쪽이 현저히 적은 것이 판명되고 있다. 즉, 러빙 상부에서는 단차에 의하지 않고 비교적 양호한 배향을 기대할 수 있는 데 반해, 러빙 하부에서는 단차에 의해서 현저한 배향 불량이 생기게 되는 것이다. 이것은 러빙 처리에 의해 최종적으로 얻어진, 전기 광학 물질의 배향 상태를 규정하는 배향막과전기 광학 물질과의 상호 작용이, 상향 러빙의 경우와 평평한 면을 러빙하는 경우에는 동일 또는 유사한 경향을 나타내는 데 반해, 하향 러빙인 경우와 평평한 면을 러빙하는 경우에는 유사가 아닌 경향을 나타내는 기인하는 것으로 고찰된다.
그래서 본 발명에서는 하향 러빙이 되는 단차부에 대향하는 영역을 차광부에서 차광함으로써, 하향 러빙부에서는 전기 광학 물질에 배향 불량이 생기지만, 이 부분은 차광되어 각 화소의 비개구 영역내에 위치하고 있어, 광 누설이 없다. 즉, 하향 러빙부를 차광함으로써, 배향 불량에 의한 컨트라스트 비의 저하를 초래하지 않게 된다.
또한, 하향 러빙부에서의 단차에 기인한 전기 광학 물질의 배향 불량 개소를 덮어서 숨기기 위해서, 하향 러빙부의 폭보다도 차광부의 폭을 약간 넓혀 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 단차부는 러빙 처리 방향과 교차하는 방향으로 형성된 돌출부로 구성하여도 된다.
상기 돌출부는 서로 다른 극성으로 구동되는 인접한 화소 전극간에 대응하는 영역에 형성되는 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 돌출부상의 종전계를 강화하여, 화소 전극 사이에 생기는 횡전계를 약하게 할 수 있다.
상기 구동 방식으로서는 예를 들면, 1H 반전 구동 방식이나, 1S 반전 구동 방식 등의 반전 구동 방식을 채용하는 매트릭스 구동형 액정 장치 등의 전기 광학 장치가 있다.
또한, 상기 돌출부의 러빙 처리 방향에 대하여 상향 러빙이 되는 상향 러빙부는 차광막과는 대향하지 않는 것이 바람직하다.
상향 러빙부에서는 거의 광 누설되지 않게 표시에 기여하는 부분이고, 상향 러빙부를 가능한 한 차광하지 않으므로써, 컨트라스트 비를 저하시키지 않고, 화소 개구율을 높일 수 있다.
또한, 단차부는 러빙 처리 방향과 교차하는 방향에 형성된 오목부로 구성하여도 된다.
오목부는 제 1 기판과 제 2 기판의 한쪽에 형성된 홈부로 형성하고, 홈부의 영역에 배선을 배치하여도 된다.
상기 오목부에 형성되는 러빙 처리 방향에 대하여 상향 러빙이 되는 상향 러빙부는 차광막과는 대향시키지 않으므로써, 컨트라스트 비를 저하시키지 않고 화소 개구율을 높이는 데 기여할 수 있다.
또한, 서로 동극성으로 구동되는 인접한 화소 전극간에 대응하는 영역에는 평탄화 처리가 되어 있는 것이 바람직하다.
평탄화 처리에 의해, 화소 전극간에는 단차에 의한 전기 광학 물질의 배향 불량이 거의 생기지 않는다. 그러므로, 상기 영역을 차광하는 경우는 폭이 좁은 차광막으로 차폐할 수 있다. 따라서, 화소 개구율을 한층 높일 수 있다.
또한, 평탄화 처리로서 기판에 형성된 홈부로 형성하고, 상기 홈부의 영역에 배선을 배치하여도 된다.
배선은 예를 들면, 데이터선 등의 배선을 사용하도 되고, Al(Aluminium)막등의 차광성 막으로 형성하면, 상기 영역에 대해서는 데이터선 등에 차광 기능을 갖게 하는 것도 가능해진다.
또한, 평탄화 처리를 실시한, 서로 동극성으로 구동되는 인접한 화소 전극간의 거리는 전기 광학 물질의 층 두께보다 크게하는 것이 바람직하다.
이로써, 횡전계에 의한 전기 광학 물질의 디스크리네이션의 발생을 저감할 수 있다.
또한, 상기 러빙 처리 방향은 단차부의 하향 러빙부에 대하여 직교하는 방향이어도, 상기 단차부의 하향 러빙부에 대하여 경사지게 교차하는 방향이어도 된다.
또한, 본 발명의 제 2 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향 배치하여, 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 사이에 개재한 액정과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 배향막 표면에 형성되고, 리버스 틸트 각을 이루는 액정의 영역부와, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 상기 리버스 틸트 각을 이루는 액정의 영역부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치에 의하면, 리버스 틸트 각을 이루는 액정의 영역부를 차광함으로써, 컨트라스트 비를 저하시키지 않고, 화소 개구율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 제 3 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 복수의 화소 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향배치하여, 대향 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 사이에 개재한 전기 광학 물질과, 상기 제 1 기판의 화소 전극사이에 대응하는 상기 배향막 표면에 형성되며, 상기 러빙 처리 방향에 대하여 하향 러빙이 되는 단차부와, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 상기 하향 러빙이 되는 단차부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 4 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 복수의 화소 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향 배치하여, 대향 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 사이에 개재한 전기 광학 물질과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판에 형성되며, 화소 영역을 규정하는 차광부와, 상기 제 1 기판의 상기 배향막 표면의 상기 차광부에 대향하는 영역 근방에 형성되며, 러빙 처리 방향에 대해 상향 러빙이 되는 단차부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 4 전기 광학 장치에 의하면, 상향 러빙부를 가능한 한 차광하지 않으므로써, 컨트라스트 비를 저하시키지 않고 화소 개구율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 제 5 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 복수의 화소 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 복수의 층으로 이루어지는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향 배치하여, 대향 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 사이에 개재한 전기 광학 물질과, 상기 제 1 기판에 형성된 홈부와, 상기 홈부를 따라 배치된 배선과, 상기 홈부의영역상의 상기 배향막 표면에 형성된 단차부 및 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의, 상기 하향 러빙이 되는 단차부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하여 이루어지며, 상기 제 1 기판의 상기 러빙 처리 방향은 상기 단차부에 대해 하향 러빙이 되는 방향인 것을 특징으로 한다.
배선은 축적 용량을 형성하도록 용량 전극을 형성하여도 된다.
또한, 본 발명의 제 6 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 복수의 화소 전극을 갖는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향 배치한 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 사이에 개재한 전기 광학 물질과, 서로 다른 극성으로 구동되는 인접한 상기 화소 전극간에 대응하여, 상기 제 1 기판의 배향막 표면에 형성된 돌출부와, 상기 돌출부는 상기 제 1 기판의 러빙 처리 방향에 대하여 하향 러빙이 되는 하향 러빙부를 갖고, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의, 상기 하향 러빙부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 복수의 화소 전극을 갖는 기판은 상기 과제를 해결하기 위해서, 러빙 처리되는 배향막과, 상기 화소 전극간에 대응하는 상기 배향막 표면에 형성되고, 상기 러빙 처리 방향에 대하여 상향 러빙이 되는 단차부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
단차부는 배선을 배치하기 위한 홈부로 형성하거나, 화소 전극간의 횡전계를 저감하기 위해 돌출부로 형성하여도 된다.
또한, 단차부의 하향 러빙이 되는 부분에서는 차광부에서 차광하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은 전기 광학 물질을 삽입하여 서로 대향하는 제 1 기판 및 제 2 기판과, 상기 제 1 기판상에 설치되는 복수의 화소 전극 및 배향막과, 상기 화소 전극에 대향하여 상기 제 2 기판상에 설치되는 대향 전극을 구비하여 이루어지는 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 화소 전극이 인접하는 한 방향에 있어서, 해당 화소 전극 간의 배향막 및 상기 화소 전극상의 배향막이 평탄화하도록 기초면을 형성하고, 또한 다른 방향으로 화소 전극이 인접하는 화소 전극 사이의 기초면에 볼록형상의 제 1 단차 부분을 형성하는 공정과, 상기 제 1 단차 부분에 상기 화소 전극의 가장자리가 위치하도록 상기 화소 전극을 형성하는 공정과, 상기 배향막에 대하여 러빙 처리를 실시하는 공정과, 상기 제 1 단차 부분의 경사면 중 상기 배향막에 대한 러빙 처리의 방향이 하향 러빙이 되는 경사면에 평면적으로 겹치도록, 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판 중 적어도 한쪽에 차광막을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 전기 광학 장치의 제조방법은 전기 광학 물질을 삽입하여 서로 대향하는 제 1 기판 및 제 2 기판과, 상기 제 1 기판상에 설치되는 복수의 화소 전극 및 배향막과, 상기 화소 전극에 대향하여 상기 제 2 기판상에 설치되는 대향 전극을 구비하며, 상기 복수의 화소 전극은 제 1 주기로 반전 구동되기 위한 제 1 화소 전극군과, 상기 제 1 주기와 상보의 제 2 주기로 반전 구동되기 위한 제 2 화소 전극군으로 이루어지는 전기 광학 장치의 제조방법에 있어서, 상기 동일 화소 전극군에 속하는 화소 전극끼리가 이웃하는 방향에 있어서, 해당 동일 화소전극군에 속하는 화소 전극 사이의 배향막 및 상기 화소 전극상의 배향막이 평탄화하도록 기초면을 형성하며, 또한 상기 제 1 화소 전극군에 속하는 화소 전극과 상기 제 2 화소 전극군에 속하는 화소 전극이 인접하는 화소 전극간의 기초면에 볼록형상의 제 1 단차 부분을 형성하는 공정과, 상기 제 1 단차 부분에 화소 전극의 가장자리가 위치하도록 해당 화소 전극을 형성하는 공정과, 상기 배향막에 대하여 러빙 처리를 실시하는 공정과, 상기 제 1 단차 부분의 경사면 중 상기 배향막에 대한 러빙 처리의 방향이 하향 러빙이 되는 경사면에 평면적으로 겹치도록, 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판 중 적어도 한쪽에 차광막을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
이들의 제조 방법에 의해, 전기 광학 장치를 비교적 용이하게 제조할 수 있다.
본 발명의 이러한 작용 및 다른 이득은 다음에 설명하는 실시예로부터 분명해진다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. 상기 실시예는 본 발명의 전기 광학 장치를 액정 장치에 적용한 것이다.
(제 1 실시예)
본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 구성에 관해서, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한다. 도 1은 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가 회로이다. 도 2는 제 1 실시예에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이고, 도 3은 제 1 실시예에 있어서의 도 2의 A-A' 단면도이고, 도 4는 제 1 실시예에 있어서의 도 2의 B-B' 단면도이고, 도 5는 제 1 실시예에 있어서의 도 2의 C-C' 단면도이다. 또한, 도 6은 1H 반전 구동 방식에 있어서의 각 전극에서의 전위 극성과 횡전계가 생기는 영역을 도시한 화소 전극의 도식적 평면도이고, 도 7은 TN 액정을 사용한 경우의 액정 분자의 배향의 모양을 도시한 도식적 단면도이다. 또한, 도 3 내지 도 5에 있어서는 각 층이나 각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
도 1에 있어서, 제 1 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소는 화소 전극(9a)과 상기 화소 전극(9a)을 제어하기 위한 TFT(30)가 매트릭스 형상으로 복수 형성되어 있고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(6a)이 상기 TFT(30)의 소스 영역에 전기적으로 접속되어 있다. 데이터선(6a)에 기록하는 화상 신호 S1, S2, …, Sn은 상기 순서로 선순차로 공급하여도 관계없고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a) 끼리에 대하여, 그룹마다 공급하도록 하여도 된다. 또한, TFT(30)의 게이트에 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍으로, 주사선(3a)에 펄스적으로 주사 신호 G1, G2, …, Gm을, 상기 순차로 선순차로 인가하도록 구성되어 있다. 화소 전극(9a)은 TFT(30)의 드레인 영역에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT(30)를 일정 기간만 그 스위치를 닫으므로써, 데이터선(6a)에서 공급되는 화상 신호 S1, S2,…, Sn을 소정의 타이밍으로 기록한다. 화소 전극(9a)을 통해 전기 광학 물질의 일례로서 액정에 기록된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2, …, Sn은 대향 기판(후술한다)에 형성된 대향 전극(후술한다)과의 사이에서 일정 기간 유지된다. 액정은 인가되는 전압 레벨에 의해 분자 집합의 배향이나 질서가 변화함으로써, 광을 변조하여, 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 모드이면, 인가된 전압에 따라서 상기 액정 부분에 대한 입사광의 투과량이 감소하고, 노멀리 블랙 모드이면, 인가된 전압에 따라서 상기 액정 부분에 대한 입사광의 투과광량이 증가하여, 전체로서 전기 광학 장치로부터는 화상 신호에 따른 컨트라스트를 가지는 광이 출사한다. 여기서, 유지된 화상 신호가 리크하는 것을 막기 위해서, 화소 전극(9a)과 대향 전극과의 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(70)을 부가한다.
제 1 실시예에서는 상술한 종래의 각종의 반전 구동 방식 중, 1H 반전 구동 방식을 사용하여 구동이 행하여진다(도 6 참조). 이것에 의해, 직류 전압 인가에 의한 액정의 열화를 피하면서, 프레임 혹은 필드 주기로 발생하는 플릭커나 특히 종 크로스 토크가 저감된 화상 표시를 행할 수 있다.
도 2에 있어서, 전기 광학 장치의 TFT 어레이 기판상에는 매트릭스 형상으로 복수의 투명한 화소 전극(9a)(점선부 9a'에 의해 윤곽이 도시되어 있다)이 형성되어 있고, 화소 전극(9a)의 종횡의 경계의 각각에 따라서 데이터선(6a), 주사선(3a) 및 용량선(3b)이 형성되어 있다. 데이터선(6a)은 컨택트 홀(5)을 통해 예를 들면, 폴리실리콘 막으로 이루어지는 반도체층(1a) 중 후술의 소스 영역에 전기적으로 접속되어 있다. 화소 전극(9a)은 컨택트 홀(8)을 통해 반도체층(1a) 중 후술의 드레인 영역에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 반도체층(1a) 중 도면 중, 우측 하향 사선 영역에서 나타낸 채널 영역(1a')에 대향하도록 주사선(3a)이 배치되어 있고, 주사선(3a)은 게이트 전극으로서 기능한다. 상기와 같이, 주사선(3a)과 데이터선(6a)이 교차하는 개소에는 각기, 채널 영역(1a')에 주사선(3a)이 게이트 전극으로서 대향 배치된 화소 스위칭용 TFT(30)가 형성되어 있다.
용량선(3b)은 주사선(3a)을 따라서 거의 직선형상으로 신장하는 본선부와, 데이터선(6a)과 교차하는 개소에서 데이터선(6a)을 따라서 도면 중 상방으로 돌출한 돌출부를 갖는다.
제 1 실시예에서는 특히, TFT 어레이 기판상에 있어서 각 데이터선(6a), 각 용량선(3b)의 광 투과 영역에 접하는 영역에 대향하는 영역(도면 중 굵은 선으로 그 윤곽이 도시된 영역)에, 홈(201)이 파여져 있다. 이것에 의해 후술과 같이 데이터선(6a)이 형성되는 영역에 대하여 평탄화 처리가 실시되어 있고, 주사선(3a) 중 데이터선(6a)과 교차하지 않는 부분에 제 1 단차 부분의 일례로서의 홈형상의 돌출부가 형성되어 있고, 또한 용량선(3b) 중 개구 영역에 접하는 부분에 제 2 단차 부분의 일례로서의 오목형상 부분이 형성되어 있다.
또한 제 1 실시예에서는 특히, TFT 어레이 기판측에서 액정에 접하는 후술의 배향막에, 화살표(R1)로 나타낸 방향에 러빙 처리가 실시되어 있다. 한편, 대향 기판측에서 액정에 접하는 후술의 배향막에, 화살표(R1)에 대하여 직각인 방향에 러빙 처리가 실시되어 있다. 보다 구체적으로는 대향 기판측의 배향막에, 화살표(R1)에 대하여 직각인 도면 중 좌측 방향에 러빙 처리를 실시하고, TN 액정을 이들의배향막 사이에 배치하면, 이들의 배향막 사이에서 대향 기판측에서 보아 TN 액정이 좌회전에 의해 90도 비틀림과 동시에 우측 경사상 45도 방향에 명시 방향을 갖는 액정 장치가 구성된다. 혹은, 대향 기판측의 배향막에, 화살표(R1)에 대하여 거의 직각인 도면 중 오른쪽 방향에 러빙 처리를 실시하고, TN 액정을 이들의 배향막 사이에 배치하면, 이들의 배향막 사이에서 대향 기판측에서 보아 TN 액정이 오른쪽 주위에 90도 비틀림과 동시에 좌측 경사상 45도 방향에 명시 방향을 갖는 액정 장치가 구성된다. 또한, TFT 어레이 기판측에서 액정에 접하는 후술의 배향막에 화살표(R2 또는R3)의 방향에 러빙 처리하여, 대향 기판측에서 액정에 접하는 후술의 배향막에 화살표(R2 또는 R3)에 대하여 거의 직각인 방향에 러빙 처리를 실시하여도 된다. 이러한 구성을 채용하면, TN 액정의 명시 방향을 R1 방향 혹은 R1과 반대의 방향으로 할 수 있기 때문에, 3장의 액정 장치를 조합하여 구성하는 복판식 프로젝터인 경우에, TN 액정의 명시 방향을 맞출 수 있기 때문에, 표시상의 색 얼룩을 억제할 수 있어 유리하다. 또한, 본 실시예에서는 데이터선(6a) 및 용량선(3b)의 적어도 일부를 매립함으로써 평탄화가 실현되기 때문에, 단차에 의한 액정의 배향 불량을 적극력으로 억제할 수 있다.
다음에 도 3의 단면도에 도시한 바와 같이, 전기 광학 장치는 투명한 TFT 어레이 기판(10)과, 이것에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(20)을 구비하고 있다. TFT 어레이 기판(10)은 예를 들면, 석영 기판, 유리 기판, 실리콘 기판으로 이루어지고, 대향 기판(20)은 예를 들면, 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다. TFT 어레이 기판(10)에는 화소 전극(9a)이 형성되어 있고, 그 위측에는 러빙 처리가 실시된 배향막(16)이 형성되어 있다. 화소 전극(9a)은 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide)막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한 배향막(16)은 예를 들면, 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
한편, 대향 기판(20)에는 그 전면에 걸쳐 대향 전극(21)이 형성되어 있고, 그 아래쪽에는 러빙 처리가 실시된 배향막(22)이 형성되어 있다. 대향 전극(21)은 예를 들면, ITO 막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한 배향막(22)은 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
TFT 어레이 기판(10)에는 각 화소 전극(9a)에 인접하는 위치에, 각 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하는 화소 스위칭용 TFT(30)가 형성되어 있다.
대향 기판(20)에는 또한 도 3에 도시한 바와 같이, 각 화소의 비개구 영역에, 차광막(23)이 형성되어 있다. 따라서, 대향 기판(20)측에서 입사광이 화소 스위칭용 TFT(30)의 반도체층(1a)의 채널 영역(1a')이나 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 침입하지 않는다. 또한, 차광막(23)은 컨트라스트 비의 향상, 컬러 필터를 형성한 경우에 있어서의 색재의 혼색 방지 등의 기능을 갖는다. 또한, 제 1 실시예에서는 Al 등으로 이루어지는 차광성 데이터선(6a)으로, 각 화소의 비개구 영역 중 데이터선(6a)을 따른 부분을 차광함으로써, 각 화소의 개구 영역 중 데이터선(6a)을 따른 윤곽 부분을 규정하여도 되고, 데이터선(6a)을 따른 비개구 영역에 대해서도 중복적으로 또는 단독으로 대향 기판(20)에 형성된 차광막(23)으로 차광하도록 구성할 수 있다.
이와 같이 구성되어, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)이 대면하도록 배치된TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)과의 사이에는 후술의 실재로 둘러싸인 공간에 전기 광학 물질의 일례인 액정이 봉입되어, 액정층(50)이 형성된다. 액정층(50)은 화소 전극(9a)에서의 전계가 인가되어 있지 않은 상태로 배향막(16 및 22)에 의해 소정의 배향 상태를 갖는다. 액정층(50)은 예를 들면, 1종류 또는 수종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어진다. 실재는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)을 그들의 주변에서 접합하기 위한, 예를 들면, 광경화성 수지나 열경화성 수지로 이루어지는 접착제이고, 양 기판간의 거리를 소정치로 하기 위한 유리 파이버 또는 유리 비즈 등의 갭재가 혼입되어 있다.
또한, TFT 어레이 기판(10)과 복수의 화소 스위칭용 TFT(30)과의 사이에는 기초 절연막(12)이 형성되어 있다. 기초 절연막(12)은 TFT 어레이 기판(10)의 전면에 형성됨으로써, TFT 어레이 기판(10)의 표면의 연마시에 있어서의 거칠어짐이나, 세정 후에 남는 오염 등으로 화소 스위칭용 TFT(30)의 특성의 열화를 방지하는 기능을 갖는다. 기초 절연막(12)은 예를 들면, NSG(Nondoped Silicate Glass), PSG(Phosphorus Silicate Glass), BSG(Boron Silicate Glass), BPSG(Boron Silicate Glass) 등의 고절연성 유리 또는 산화실리콘 막, 질화실리콘 막 등으로 이루어진다.
제 1 실시예에서는 반도체층(1a)을 고농도 드레인 영역(1e)에서 연장 형성하여 제 1 축적 용량 전극(1f)으로 하고, 이것에 대향하는 용량선(3b)의 일부를 제 2 축적 용량 전극으로 하고, 게이트 절연막을 포함한 절연 박막(2)을 주사선(3a)에 대향하는 위치로부터 연장 형성하여 이들의 전극 사이에 삽입된 유전체막으로 함으로써, 축적 용량(70)이 구성되어 있다.
도 3에 있어서, 화소 스위칭용 TFT(30)는 LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖고 있고, 주사선(3a), 주사선(3a)으로부터의 전계에 의해 채널이 형성되는 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 주사선(3a)과 반도체층(1a)을 절연하는 게이트 절연막을 포함하는 절연 박막(2), 데이터선(6a), 반도체층(1a)의 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c), 반도체층(1a)의 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 구비하고 있다. 고농도 드레인 영역(1e)에는 복수의 화소 전극(9a) 중의 대응하는 1개가 컨택트 홀(8)을 거쳐 접속되어 있다. 또한, 주사선(3a) 및 용량선(3b)상에는 고농도 소스 영역(1d)으로 통과하는 컨택트 홀(5) 및 고농도 드레인 영역(1e)으로 통과하는 컨택트 홀(8)이 각각 형성된 제 1 층간 절연막(4)이 형성되어 있다. 또한, 데이터 선(6a) 및 제 1 층간 절연막(4) 상에는 고농도 드레인 영역(1e)으로의 컨택트 홀(8)이 형성된 제 2 층간 절연막(7)이 형성되어 있다. 상술의 화소 전극(9a)은 이와같이 구성된 제 2 층간 절연막(7) 상면에 형성되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 도 2에서 좌우로 서로 인접하는 화소 전극(9a)의 간극에 위치하는 각 화소의 비개구 영역에는 데이터선(6a)이 형성되어 있고, 데이터선(6a)에 의해 각 화소의 개구 영역의 윤곽 중 데이터선(6a)에 따른 부분이 규정되어 있고, 또한 데이터선(6a)에 의해 비개구 영역에 있어서의 광 누설이 방지되고 있다. 또한, 데이터선(6a) 아래에는 용량선(3b)의 본선부로부터 데이터선(6a)의 아래를 따라서 돌출한 부분을 이용하여 축적 용량(7)이 형성되어 있고, 비개구 영역의 유효 이용이 도모되고 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 도 2에서 상하에 서로 인접하는 화소 전극(9a)의 간극에 위치하는 각 화소의 비개구 영역에는 주사선(3a) 및 용량선(3b)이 형성되어 있고, 대향 기판(20)에 형성된 차광막(23)에 의해 각 화소의 개구 영역의 윤곽 중 주사선(3a)에 따른 부분이 규정되어 있고, 또한 차광막(23)에 의해 비개구 영역에서의 광 누설이 방지되어 있다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이 제 1 실시예에서는 특히, TFT 어레이 기판(10)상에 있어서 데이터선(6a), 용량선(3b) 및 TFT(30)에 대향하는 영역에, 홈(201)이 파여져 있고, 이들은 홈(201)에 매립되어 있다. 또한, 데이터선(6a)과 교차하는 주사선(3a)도, 부분적으로 홈(201)에 매립되도록 하여도 된다.
그리고, 도 4에 도시한 바와 같이, 데이터선(6a)의 상측에 위치하는 화소 전극(9a)의 기초면인 제 3 층간 절연막(7)의 상면의 높이가, 각 화소의 개구 영역의 대부분을 차지하는 화소 전극(9a)의 중앙 영역에서의 제 3 층간 절연막(7)의 상면의 높이와 거의 일치하도록, 홈(201)의 깊이가 형성되어 있다. 이로 인해, 데이터선(6a)에 대한 평탄화 처리가 실시되어 있다.
한편, 도 5에 도시한 바와 같이, 주사선(3a)의 상측에 있어서의 화소 전극(9a)의 기초면에 제 1 단차 부분의 일례로서의 돌출부(301)가 형성되어 있고, 용량선(3b)의 상측에 있어서의 화소 전극(9a)의 기초면에 제 2 단차 부분의 일례로서의 오목형상 부분(302)이 형성되어 있다. 상기와 같이 용량선(3b)의 상측에 돌출부가 아니라 오목형상 부분(302)이 형성되는 것은 용량선(3b)의 형성된 영역에서의TFT 어레이 기판(10)으로부터 기초면까지의 층두께가, 데이터선(6a)의 형성된 영역에서의 TFT 어레이 기판(10)으로부터 기초면까지의 층두께보다도 얇기 때문이다. 또한 도 5에 도시한 바와 같이, TFT 어레이 기판(10)측의 배향막(16)에, 예를 들면 화살표(R1)로 나타낸 방향에 러빙 처리가 실시되어 있다. 한편, 대향 기판(10)측의 배향막(22)에는 상술한 바와 같이 화살표(R1)에 대하여 직각인 방향에 러빙 처리가 실시되어 있다. 그리고, 돌출부(301)의 경사면에, 러빙 방향에 대하여 배향막(16)의 표면이 상승하기 때문에 상향 러빙이 되는 상향 러빙부분(401)이 형성되고, 오목형상 부분(302)의 경사면에, 러빙 방향에 대하여 면이 상승하기 때문에 상향 러빙이 되는 상향 러빙부분(402)이 형성되고, 돌출부분(301)으로부터 오목형상 부분(302)에 달하는 경사면에 러빙 방향에 대하여 면이 하강하기 때문에 하향 러빙이 되는 하향 러빙부분(403)이 형성된다. 또한, 도 5에 있어서의 오목형상 부분(302)은 개구 영역에서의 화소 전극(9a)과 같은 높이로 하면 가장 효과가 있다.
여기서, 본 발명자의 연구에 의하면, 상향 러빙부(401 및 402)에서는 단차에 의하지 않고 비교적 양호한 액정의 배향이 확인되어 있다. 한편, 하향 러빙부(403)에서는 단차에 의해서 현저한 액정의 배향 불량이 확인되어 있다. 이것은 액정의 프레틸트 각의 방향이 단차 방향과 거의 일치되어 있으면, 단차가 있더라도 광 누설이 생기지 않고, 프레틸트 각의 방향이 단차 방향과 반대인 경우는 리버스 틸트 현상에 의해 광 누설이 생기게 된다. 그래서, 제 1 실시예에서는 대향 기판(20)에 형성된 차광막(23)에 의해, 하향 러빙부(403)를 차광한다. 이때, 상향 러빙부(401및 402)에 대해서는 가능한 한 차광막(23)에 의해 차광하지 않도록 차광막(23)의 평면 레이아웃을 규정한다. 따라서, 상향 러빙부(401 및 402)상에 각기 배치된 화소 전극(9a)은 거의 광 누설하지 않기 때문에, 종래보다 광을 투과하는 개구 영역을 늘릴 수 있다. 즉, 이와 같이 상향 러빙부(401 및 402)를 가능한 한 차광하지 않으므로써, 컨트라스트 비를 저하시키지 않고 화소 개구율을 높일 수 있다. 이에 반해, 하향 러빙부(403)에서는 액정의 배향 불량이 생기지만, 이 부분은 차광되어 각 화소의 비개구 영역내에 위치하고 있어, 광이 누설되지 않는다. 상기와 같이 차광막(23)에 의해, 하향 러빙부(403)를 차광함으로써, 배향 불량에 의한 컨트라스트 비의 저하를 초래하지 않게 된다. 또한, 하향 러빙부(403)에 기인한 액정의 배향 불량 개소를 덮어서 숨기기 위해서는 하향 러빙부(403)의 폭보다도 차광막(23)의 폭을 약간 넓게 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 차광막(23)은 대향 기판(20)이 아니라 TFT 어레이 기판(10)상에 형성하여도 됨은 말할 필요도 없다.
한편, 데이터선(6a)에 따른 화소 전극(9a)의 가장자리 부근에 관해서는 데이터선(6a)이 홈(201)에 매립됨으로써, 화소 전극(9a)이 평탄화되어 있고, 이 부분에서는 단차에 의한 액정의 배향 불량은 거의 발생하지 않는다. 추가하여, 평탄화 처리가 실시된 데이터선(6a)에 대하여는 단차에 의한 액정의 배향 불량이 거의 생기지 않기 때문에, 그만큼 폭이 좁은 차광막으로 차폐하면 되고, 또한 차광막을 생략하여도 된다. 특히 제 1 실시예에서는 상술한 바와 같이, Al(Aluminium)막 등으로 이루어지는 데이터선(6a)에 차광 기능을 갖게 하고 있기 때문에, 화소 개구율을 높이는 데에 있어서 유리하다.
이상의 결과, 제 1 실시예의 전기 광학 장치에 의하면, 한쪽에서, 데이터선(6a)에 따른 화소 전극(9a)의 가장자리 부근에 평탄화 처리를 실시하고, 다른 한쪽에, 주사선(3a)에 따른 화소 전극(9a)의 가장자리 부근에서는 하향 러빙부(403)를 차광막(23)에 의해 차폐하여 단차에 의한 화상 열화를 극력 저감함으로써, 상향 러빙부(401 및 402)에 있어서의 화소 전극 부분도 적극적으로 이용하여, 컨트라스트 비를 저하시키지 않고 화소 개구율을 높일 수 있다.
여기서 도 6을 참조하여, 제 1 실시예에서 채용하는 1H 반전 구동 방식에 있어서의, 서로 인접하는 화소 전극(9a)의 전위 극성과 횡전계의 발생 영역과의 관계에 관해서 설명한다.
즉, 도 6a에 도시한 바와 같이, n(단지, n은 자연수)번째의 필드 혹은 프레임의 화상 신호를 표시하는 기간 중에는 화소 전극(9a) 마다 + 또는 -로 나타낸 액정 구동 전위의 극성은 반전되지 않고, 행마다 동일 극성으로 화소 전극(9a)이 구동된다. 그 후, 도 6b에 도시한 바와 같이, n+1 번째의 필드 혹은 1 프레임의 화상 신호를 표시할 때에, 각 화소 전극(9a)에서의 액정 구동 전위의 극성은 반전되고, n+1 번째의 필드 혹은 1 프레임의 화상 신호를 표시하는 기간 중에는 화소 전극(9a)마다 + 또는 -로 나타낸 액정 구동 전위의 극성은 반전되지 않고, 행마다 동일 극성으로 화소 전극(9a)이 구동된다. 그리고, 도 6a 및 도 6b에 도시된 상태가, 1 필드 또는 1 프레임의 주기로 반복되어지고, 제 1 실시예에 있어서의 1H 반전 구동 방식에 의한 구동이 행하여진다. 상기 결과, 제 1 실시예에 의하면, 직류 전압 인가에 의한 액정의 열화를 피하면서, 크로스 토크나 플릭커가 저감된 화상표시를 행할 수 있다. 또한, 1H 반전 구동 방식에 의하면, 1S 반전 구동 방식과 비교하여, 세로방향의 크로스 토크가 거의 없는 점에서 유리하다.
도 6a 및 도 6b에서 알 수 있는 바와 같이, 1H 반전 구동 방식에서는 횡전계의 발생 영역(C1)은 항상, 세로 방향(Y 방향)에 서로 인접하는 화소 전극(9a) 사이의 간극 부근이 된다.
그래서 도 5에 도시한 바와 같이 제 1 실시예에서는 돌출부(301)를 형성하여, 돌출부(301)상에 배치된 화소 전극(9a)의 가장자리 부근에 있어서의 종전계를 강화하도록 한다. 보다 구체적으로는 도 5에 도시한 바와 같이, 돌출부(301)상에 배치된 화소 전극(9a)의 가장자리 부근과 대향 전극(21)과의 거리(d1)를 돌출부(301)의 단차분만큼 좁힌다. 이것에 대하여 도 4에 도시한 바와 같이, 데이터선(6a)에 대하여는 평탄화 처리가 실시되어 있고, 화소 전극(9a)의 가장자리 부근과 대향 전극(21)과의 거리(d2)는 화소 전극의 대부분을 차지하는 중앙 영역에서의 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)과의 거리(D)와 거의 같아진다.
따라서, 도 6에 도시된 횡전계의 발생 영역(C1)에 있어서, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)과의 사이에서의 종전계를 강화할 수 있는 것이다. 그리고, 도 5에 있어서, 거리(d1)가 좁아지더라도, 서로 인접하는 화소 전극(9a) 사이의 간극(W1)은 일정하기 때문에, 간극(W1)이 좁아질 수록 강해지는 횡전계의 크기도 일정하다. 따라서, 도 6에 도시된 횡전계의 발생영역(C1)에 있어서 국소적으로, 횡전계에 대한 종전계를 강화할 수 있어, 결과적으로 종전계를 보다 지배적으로 함으로써, 횡전계의 발생 영역(C1)에 있어서의 액정의 디스크리네이션의 발생 영역을 축소할 수있는 것이다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 데이터선(6a)에 대하여는 평탄화 처리가 실시되어 있기 때문에, 이 부분에 있어서 데이터선(6a) 등에 의한 단차에 기인한 액정의 배향 불량의 발생을 저감할 수 있다. 여기서는 평탄화 처리가 실시되어 있기 때문에, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21) 간의 거리(d2)가 짧게 됨으로써 종전계가 강화되지는 않지만, 이 부분에서는 도 6에 도시한 바와 같이 서로 인접하는 화소 전극(9a)과의 사이에 횡전계는 발생하지 않는다. 따라서, 이 부분에서는 횡전계에 대한 대책을 강구하지 않고, 평탄화 처리에 의해 액정의 배향 상태를 대단히 양호하게 할 수 있는 것이다.
이상의 결과, 제 1 실시예에 의하면, 1H 반전 구동 방식에 있어서 발생하는 횡전계의 특성에 착안하여, 횡전계의 발생 영역(C1)에서는 돌출부(301)에 화소 전극(9a)의 가장자리를 배치함으로써, 종전계를 강화함으로써 횡전계에 의한 악영향을 저감하면서 동시에, 횡전계가 발생하지 않는 영역에서는 평탄화를 행함으로써, 화소 전극(9a) 표면의 단차에 의한 악영향을 저감한다. 상기와 같이 횡전계에 의한 액정의 디스크리네이션과 단차에 의한 액정의 배향 불량을 종합적으로 저감함으로써, 액정의 배향 불량 개소를 숨기기 위한 차광막(23)도 작아진다. 따라서, 한층더, 광 누설 등의 화상 불량을 일으키지 않고 각 화소의 개구율을 높일 수 있다.
즉 본원 발명자의 연구에 의하면, 액정층(50)의 층두께는 내광성을 어느 정도의 레벨로 유지하여, 액정 주입 프로세스를 곤란하게 하지 않고, 동작 중에 전계인가에 의해 액정 분자가 양호하게 움직이도록 하기 위해서, 어느 정도의 층두께(예를 들면, 현행의 기술에 의하면 13㎛ 정도)가 필요하다. 한편, 서로 인접하는 화소 전극(9a) 사이의 간극(W1)(도 5 참조)을, 이 부분에 있어서의 화소 전극(9a)과 대향 전극(21) 사이의 거리(d1)보다 짧게(즉, W1＜d1)하게 되면, 횡전계에 의한 악영향이 현재화되는 것이 판명되고 있다. 따라서 미세 피치인 화소의 고개구율화를 꾀하기 위해서, 단순히 액정층(50)의 층두께(D)(도 4 및 도 5 참조)를 전체적으로 얇게 한 것에서는, 액정층(50)의 층두께의 불균일화, 내광성의 저하, 주입 프로세스의 곤란화, 액정 분자의 동작 불량 등이 발생하게 된다. 반대로 미세 피치인 화소의 고개구율화를 꾀하기 위해서, 액정층(50)을 얇게 하지 않고 단순히 서로 인접하는 화소 전극(9a) 사이의 간극(W1)을 좁힌 것에서는, 종전계와 비교하여 횡전계가 커지기 때문에, 상기 횡전계에 의한 액정의 디스크리네이션이 현재화하게 된다. 이러한 액정 장치에 있어서의 특질을 감안하면, 상술한 제 1 실시예와 같이, 횡전계가 생기는 영역에서만 액정층(50)의 층두께(d1)를(예를 들면 1.5㎛ 정도)좁히는 동시에 화소 전극(9a)의 대부분을 차지하는 그 밖의 영역에서는 액정층(50)의 층두께(D)를 좁히지 않음으로써, 액정층(50)의 층두께(D)를 충분히(예를 들면 3㎛ 정도)확보 가능하게 하며 또한 횡전계를 상대적으로 강화하지 않도록 하면서 서로 인접하는 화소 전극(9a) 사이의 간극(W1)을 좁히는 구성은 미세 피치인 화소의 고개구율화 및 표시 화상의 고세밀화를 꾀하는 데에 있어서 대단히 유효하다.
제 1 실시예에서는 특히, 도 5에 있어서 바람직하게는 0.5D＜W1이 되는 관계를 만족하도록 화소 전극(9a)을 평면 배치하며, 또한, d1+300㎚≤D가 되는 관계를 만족하도록 돌출부(301)를 형성한다. 즉, 화소 전극(9a) 사이를 지나치게 근접하지않도록 하며 또한 돌출부(301)를 단차가 300㎚이상으로 될때까지 상방향 돌출부로 하면, 횡전계에 의한 악영향이 실용상 표면화하지 않을 정도에까지, 상기 영역에서의 종전계를 횡전계에 대하여 크게 할 수 있다. 또한 미세 피치인 화소의 고개구율화 및 표시 화상의 고세밀화를 꾀하기 위해서는 간극(W1)이나 간극(W2)을 되도록이면 작게 하는 것이 유효하지만, 횡전계의 악영향을 현재화시키지 않기 위해서는 함부로 간극(W1)을 작게할 수는 없다. 여기서, W1≒d1가 될 때까지 간극(W1)을 작게 형성하면, 화질을 떨어뜨리지 않고 미세 피치인 화소의 고개구율화를 꾀하기 위해서는 가장 효과적이다.
또한 제 1 실시예에서는 돌출부(301)의 정점 부근에, 화소 전극(9a)의 가장자리가 위치하도록 구성하는 것이 바람직하다. 상기와 같이 구성하면, 상기 화소 전극(9a)의 끝과 대향 전극(21)간의 거리(d1)를 돌출부(301)의 높이를 최대한으로 이용하여 짧게 할 수 있다. 이로써, 돌출부(301)의 형상을 대단히 효율적으로 이용하여, 횡전계의 발생 영역(C1)에 있어서 횡전계에 대하여 종전계를 강화하는 것이 가능해진다.
추가로, 제 1 실시예에서는 특히, 도 5에 도시한 바와 같이, 돌출부(301) 및 오목형상 부분(302)은 1H 반전 구동시에 역극성의 구동 전압으로 구동되는 화소 전극의 2개의 가장자리를 상이한 높이로 하는 형상을 가지고 있다. 따라서, 이들 2개의 가장자리 사이에서의 거리를, 평면적인 거리 뿐만아니라 높이 방향의 거리에 의해서도 길게 할 수 있다(즉, 평면적인 거리(x) 및 높이 방향의 거리를 y로 하면, 이들의 가장자리의 거리는 (x2+ y2)1/2가 된다). 이로써, 평면적으로 보아 서로 인접하는 화소 전극간을 더욱 좁힐 수 있다. 따라서, 서로 인접하는 화소 전극간의 거리가 길어짐에 따라서 작아지는 횡전계를, 상기 높이 방향의 거리에 따라서 약하게 할 수 있을 뿐아니라, 횡전계가 거의 발생하지 않게 된다. 상기 결과, 횡전계에 의한 액정의 디스크리네이션의 발생을 효율적으로 저감할 수 있다. 또한, 서로 인접하는 화소 전극(9a)의 가장자리를 횡전계의 발생 영역(C1)에 있어서, 돌출부분 (301)이 가장 높게 되는 영역에 형성하여도 된다. 상기 경우는 횡전계가 발생하더라도 화소 전극(9a)의 가장자리와 대향 전극(21)간의 거리(d1)가 좁아지기 때문에, 횡전계에 대하여 종전계를 상대적으로 강화할 수 있고, 횡전계에 의한 액정의 디스크리네이션를 효율적으로 저감할 수 있다.
여기서 도 7b에 도시한 바와 같이, 제 1 실시예에서는 바람직하게는 액정층(50)은 TN(Twisted Nematic) 액정으로 구성되어 있고, 돌출부(301) 측면에는 테이퍼가 부착되어 있다. 더구나, 이러한 TN 액정의 TFT가 어레이 기판(10)상에 서의 프레틸트 각(θ)의 경사 방향과 테이퍼드의 경사 방향이 맞춰져 있다.
즉, 도 7a에 도시한 바와 같이, TN 액정의 액정 분자(50a)는 전압 무인가 상태에서는 각 액정 분자(50a)가 기본적으로 기판면에 거의 평행인 상태로 또한 TFT가 어레이 기판(10)으로부터 대향 기판(20)을 향하여 서서히 비틀리도록 배향함과 동시에 전압 인가 상태에서는 화살표로 각기 도시한 바와 같이 각 액정 분자(50a)가 기판면에서 수직으로 상승하도록 배향한다. 따라서, 도 7b에 도시한 바와 같이, 돌출부(301)측면에 테이퍼가 부착되어 있고, 더구나 TN 액정의 프레틸트 각(θ)의 경사 방향과 테이퍼의 경사 방향이 맞춰지지 않으면, 돌출부(301)와 대향 기판(20)과의 사이에서는 액정의 층두께(d1)가 측면을 따라서 서서히 작아지게 되어도, 액정의 층두께(D)가 일정한 경우에 근접하여 양호한 액정의 배향 상태가 얻어진다. 즉, 돌출부(301)의 존재에 의해 생기는 단차에 기인한 액정의 배향 불량을 극력 억제할 있다. 가령, 도 7c에 도시한 바와 같이 TN 액정의 프레틸트 각(θ)의 경사 방향과 테이퍼의 경사 방향이 맞춰져 있지 않으면, 돌출부(301)와 대향 기판(20)과의 사이에서는 다른 액정 분자(50a)와는 반대 방향으로 상승하는 액정 분자(50b)가 돌출부(301)의 부근에 발생하고, 이로써 배향 상태가 불연속이 되어, 액정의 디스크리네이션이 생기게 되는 것이다.
(제 1 실시예의 제조 프로세스)
다음에, 이상과 같은 구성을 가지는 제 1 실시예에 있어서의 전기 광학 장치를 구성하는 TFT 어레이 기판측의 제조 프로세스에 관해서, 도 8을 참조하여 설명한다. 또한, 도 8은 각 공정에서의 TFT 어레이 기판측의 각 층을, 도 4 및 도 5와 같이 도 2의 B-B' 단면 및 도 2의 C-C' 단면에 대응시켜 도시한 공정도이다.
우선 도 8의 공정(a)에 도시한 바와 같이, 우선 석영 기판, 하드 유리 기판, 실리콘 기판 등의 TFT 어레이 기판(10)을 준비하여, 데이터선(6a) 등을 형성해야 할 영역에 에칭 처리 등에 의해 홈(201)을 형성한다.
다음에 도 8의 공정(b)에 도시한 바와 같이, 박막 형성 기술을 사용하여, 홈(201)이 형성된 TFT 어레이 기판(10)상에, 주사선(3a) 및 용량선(3b) 및 데이터선(6a)을 형성한다. 이것과 평행하게, 도 3에 도시한 바와 같은 TFT(30) 및 축적 용량(70)을 형성한다.
보다 구체적으로는 홈(201)이 형성된 TFT 어레이 기판(10)상에, 예를 들면,상압 또는 감압 CVD법 등에 의해 TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 가스, TEB(Tetraethyl borate) 가스, TMOP(Tetramethyl oxy phophate) 가스 등을 사용하여, NSG, PSG, BSG, BPSG 등의 실리케이트 유리막, 질화실리콘 막이나 산화실리콘 막 등으로 이루어지고, 막두께가 약 500 내지 2000㎚의 기초 절연막(12)을 형성한다. 다음에, 기초 절연막(12) 위에, 감압 CVD 등에 의해 아몰퍼스 실리콘 막을 형성하여 열처리를 실시함으로써, 폴리실리콘 막을 고상 성장시킨다. 혹은, 아몰퍼스 실리콘 막을 거치지 않고, 감압 CVD법 등에 의해 폴리실리콘 막을 직접 형성한다. 다음에, 상기 폴리실리콘 막에 대하여, 포토리소그라피 공정, 에칭 공정 등을 실시함으로써, 도 2에 도시된 바와 같은 제 1 축적 용량 전극(1f)을 포함하는 소정 패턴을 갖는 반도체층(1a)을 형성한다. 다음에, 열산화 등에 의해, 도 3에 도시된 TFT(30)의 게이트 절연막과 함께 축적 용량 형성용 유전체막을 포함하는 절연 박막(2)을 형성한다. 상기 결과, 반도체층(1a)의 두께는 약 30 내지 150㎚의 두께, 바람직하게는 약 35 내지 50㎚의 두께가 되고, 절연 박막(2)의 두께는 약 10 내지 150㎚의 두께, 바람직하게는 약 30 내지 100㎚의 두께가 된다. 다음에, 감압 CVD법 등에 의해 폴리실리콘 막을 약 100 내지 500㎚의 두께로 퇴적하고, 또한 P(인)을 열확산 또는 도프함으로써, 폴리실리콘 막을 도전화한 후, 포토리소그라피 공정, 에칭 공정 등에 의해, 도 2에 도시한 바와 같은 소정 패턴의 주사선(3a) 및 용량선(3b)을 형성한다. 또한, 주사선(3a) 및 용량선(3b)은 고융점 금속이나 금속 실리사이드 등의 금속 합금막으로 형성하여도 되고, 폴리실리콘 막 등과 조합한 다층 배선으로서도 가능하다. 다음에, 저농도 및 고농도의 2단계에서 불순물을 도프함으로써, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c), 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 포함하는, LDD 구조의 화소 스위칭용 TFT(30)를 형성한다.
또한, 도 8의 공정(b)과 병행하여, TFT로 구성되는 데이터선 구동 회로, 주사선 구동 회로 등의 주변 회로를 TFT 어레이 기판(10)상의 주변부에 형성하여도 된다.
다음에 도 8의 공정(c)에 도시한 바와 같이, 주사선(3a), 용량선(3b), 절연 박막(2) 및 기초 절연막(12)으로 이루어지는 적층체를 덮도록, 예를 들면, 상압 또는 감압 CVD법이나 TEOS 가스 등을 사용하여, NSG, PSG, BSG, BPSG 등의 실리케이트 유리막, 질화실리콘 막이나 산화실리콘 막 등으로 이루어지는 제 1 층간 절연막(4)을 형성한다. 제 1 층간 절연막(4)은 예를 들면 1000 내지 2000㎚ 정도의 막두께로 된다. 또한, 상기 열소성과 병행하여 혹은 상 전후하여, 반도체층(1a)을 활성화하기 위해서 약 1000℃의 열처리를 행하여도 된다. 그리고, 도 3에 도시된 데이터선(6a)과 반도체층(1a)의 고농도 소스 영역(1d)을 전기적으로 접속하기 위한 컨택트 홀(5)을 제 1 층간 절연막(4) 및 절연 박막(2)에 개공하며, 또한, 주사선(3a)이나 용량선(3b)을 기판 주변 영역에서 도시하지 않은 배선과 접속하기 위한 컨택트 홀도, 컨택트 홀(5)과 동일 공정에 의해 개공할 수 있다. 계속해서, 제 1 층간 절연막(4) 위에, 스퍼터링 등에 의해, Al 등의 저저항 금속막이나 금속 실리사이드막을 약 100 내지 500㎚의 두께로 퇴적한 후, 포토리소그라피 공정 및에칭 공정 등에 의해, 데이터선(6a)을 형성한다.
다음에 도 8의 공정(d)에 도시한 바와 같이, 데이터선(6a) 상에 제 2 층간 절연막(7)이 형성된다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 화소 전극(9a)과 고농도 드레인 영역(1e)을 전기적으로 접속하기 위한 컨택트 홀(8)을, 반응성 이온 에칭, 반응성 이온 빔 에칭 등의 드라이 에칭 혹은 웨트 에칭에 의해 형성한다. 계속해서, 제 2 층간 절연막(7) 위에, 스퍼터링 처리 등에 의해, ITO 막 등의 투명 도전성 박막을, 약 50 내지 200㎚의 두께로 퇴적하고, 또한 포토리소그라피 공정 및 에칭 공정 등에 의해, 화소 전극(9a)을 형성한다. 또한, 상기 전기 광학 장치를 반사형으로서 사용하는 경우에는 Al 등의 반사율이 높은 불투명한 재료로 화소 전극(9a)을 형성하여도 된다.
이상과 같이 제 1 실시예의 제조 방법에 의하면, TFT 어레이 기판(10)에 홈(201)을 파서 데이터선(6a)을 형성하고, 데이터선(6a)에 대한 평탄화 처리를 실시함과 동시에, 용량선(3b) 및 주사선(3a)의 일부를 홈(201)에 매립함으로써, 상술한 상향 러빙부(401 및 402) 또는 하향 러빙부(403)를 가지는 돌출부(301) 및 오목형상 부분(302)을 형성할 수 있다. 이로써, 단차에 의한 액정의 배향 불량이나 횡전계에 의한 액정의 디스크리네이션의 발생을 저감하는 제 1 실시예의 액정 장치를 비교적 용이하게 제조할 수 있다.
(제 2 실시예)
본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 구성에 관해서, 도 2 및 도 9 내지 도 11을 참조하여 설명한다. 즉, 도 2는 제 1 실시예와 공통하고 있고, 제 2 실시예에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이고, 도 9는 제 2 실시예에 있어서의 도 2의 A-A' 단면도이고, 도 10은 제 2 실시예에 있어서의 도 2의 B-B' 단면도이고, 도 11은 제 2 실시예에 있어서의 도 2의 C-C' 단면도이다. 또한, 도 9 내지 도 11에 있어서는 각 층이나 각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 각 층이나 각 부재마다 축척을 달리하고 있다. 또한, 도 9 내지 도 11에 도시된 제 2 실시예에 있어서 도 3 내지 도 5에 도시한 제 1 실시예와 같은 구성 요소에 관해서는 같은 참조 부호를 붙여, 그 설명은 생략한다.
제 2 실시예에 있어서의 회로 구성에 관해서는 도 1에 도시한 제 1 실시예의 경우와 마찬가지이다.
도 9 내지 도 11에 도시한 바와 같이, 제 2 실시예에서는 제 1 실시예에서 홈(201)이 TFT 어레이 기판(10)에 파여져 있었는데 반해, TFT 어레이 기판(10') 상에 형성된 기초 절연막(12')에 홈(201')이 파여져 있다. 그리고, 기초 절연막(12')의 상면의 형상은 제 1 실시예에 있어서의 기초 절연막(12)의 상면의 형상과 같다. 제 2 실시예에 있어서의 그 밖의 구성 및 동작에 관해서는 제 1 실시예의 경우와 같다.
이상의 결과, 제 2 실시예에 의하면, 제 1 실시예와 같은 효과를 얻는 것이 가능하다.
또한, 데이터선(6a) 등을 매립하는 홈으로서는 상술한 제 1 및 제 2 실시예의 홈(201)이나 홈(201')에 한정되지 않는다.
예를 들면 도 12a에 도시한 바와 같이, TFT 어레이 기판(10a) 상에 기초 절연막(12a)을 형성하고, 기초 절연막(12a)을 관통하여 TFT 어레이 기판(10a)을 파 도록 에칭 처리를 실시함으로써, 홈(201a)을 형성하여도 된다. 도 12b에 도시한 바와 같이, TFT 어레이 기판(10b) 상에 우선 절연막(12b)을 형성하고, 이것에 대하여 에칭 처리 등을 실시하며, 또한 이 위에 엷은 절연막(12b')을 형성함으로, 2층으로 이루어지는 기초 절연막에 홈(201b)을 형성하여도 된다. 상기 경우, 절연막(12b)의 막두께에 의해 홈(201b)의 깊이를 제어할 수 있고, 절연막(12b')에 의해 홈(201b)의 밑바닥부의 두께를 제어할 수 있다. 또는 도 12c에 도시한 바와 같이, TFT 어레이 기판(10c) 상에 우선 에칭되기 어려운 엷은 절연막(12c)을 형성하고, 이 위에 에칭되기 쉬운 절연막(12c')을 형성하고, 상기 절연막(12c')에 에칭 처리를 실시함으로써, 2층으로 이루어지는 기초 절연막에 홈(201c)을 형성하여도 된다. 상기 경우, 절연막(12c)의 막두께에 의해 홈(201c)의 밑바닥부의 두께를 제어할 수 있고, 절연막(12c')에 의해 홈(201c)의 깊이를 제어할 수 있다. 도 12b나 도 12c의 구성의 경우, 기초 절연막과 TFT 어레이 기판과의 사이에 화소 스위칭용 TFT를 TFT 어레이 기판측에서 차광하도록 고융점 금속을 형성했을 때에 유리하다. 상기와 같이, 홈을 형성한 영역에 기초 절연막을 형성함으로, 차광막과 화소 스위칭용 TFT를 전기적으로 절연하는 것이 가능하게 된다.
이상 설명한 각 실시예에 있어서, 상술한 1S 반전 구동 방식을 채용하는 것도 가능하다. 상기 경우에는 행방향(X 방향)에 서로 인접하는 화소 전극(9a) 사이에서 횡전계가 발생하기 때문에, 주사선(3a)을 따라서 화소 전극(9a)의 기초면을평탄화하는 동시에, 데이터선(6a)을 따라서 돌출부(301)를 형성하고, 상기 횡전계의 발생하는 영역에서 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)간의 거리를 좁혀 종전계를 강화함으로써, 상기 횡전계에 의한 악영향을 저감하도록 구성하여도 된다. 또한, 본 발명에 있어서의 1H 반전 구동 방식에서는 구동 전압의 극성을, 일행마다 반전시켜도 되고, 서로 인접하는 2행마다 또는 복수행마다 반전시켜도 된다. 마찬가지로 본 발명에 있어서의 1S 반전 구동 방식에서는 구동 전압의 극성을, 일렬마다 반전시켜도 되고, 서로 인접하는 2열마다 혹은 복수열마다 반전시켜도 된다.
(전기 광학 장치의 전체 구성)
이상과 같이 구성된 각 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 전체 구성을 도 13 및 도 14를 참조하여 설명한다. 또한, 도 13은 TFT 어레이 기판(10)을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판(20)측에서 본 평면도이고, 도 14는 도 13의 H-H' 단면도이다.
도 13에 있어서, TFT 어레이 기판(10)위에는 실재(52)가 그 가장자리를 따라서 형성되어 있고, 그 안쪽에 병행하여, 예를 들면 차광막(23)과 같거나 혹은 다른 재료로 이루어지는 화상 표시 영역의 주변을 규정하는 액자(53)가 형성되어 있다. 실재(52)의 외측의 영역에는 데이터선(6a)에 화상 신호를 소정 타이밍으로 공급함으로써 데이터선(6a)을 구동하는 데이터선 구동 회로(101) 및 외부 회로 접속 단자(102)가 TFT 어레이 기판(10)의 1변을 따라 형성되어 있고, 주사선(3a)에 주사신호를 소정 타이밍으로 공급함으로써 주사선(3a)을 구동하는 주사선 구동 회로(104)가, 상기 1변에 인접하는 2변을 따라서 형성되어 있다. 주사선(3a)에 공급되는 주사 신호 지연이 문제가 되지 않은 정도이면, 주사선 구동 회로(104)는 한 쪽만으로도 가능함은 말할 필요도 없다. 또한, 데이터선 구동 회로(101)를 화상 표시 영역의 변을 따라서 양측으로 배열하여도 된다. 예를 들면 홀수열의 데이터선은 화상 표시 영역의 한쪽 변을 따라서 배치된 데이터선 구동 회로에서 화상 신호를 공급하고, 짝수열의 데이터선은 상기 화상 표시 영역의 반대측 변을 따라서 배치된 데이터선 구동 회로에서 화상 신호를 공급하도록 하여도 된다. 이렇게 데이터선(6a)을 빗살모양으로 구동하도록 하면, 데이터선 구동 회로(101)의 점유 면적을 확장할 수 있기 때문에, 복잡한 회로를 구성하는 것이 가능해진다. 또한 TFT 어레이 기판(10)의 나머지 1변에는 화상 표시 영역의 양측에 형성된 주사선 구동 회로(104) 사이를 연결하기 위한 복수의 배선(105)이 형성되어 있다. 또한, 대향 기판(20)의 코너부의 적어도 1개소에서는 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)과의 사이에서 전기적으로 도통을 갖기 위한 도통재(106)가 형성되어 있다. 그리고, 도 14에 도시한 바와 같이, 도 13에 도시된 실재(52)와 거의 같은 윤곽을 가지는 대향 기판(20)이 상기 실재(52)에 의해 TFT가 어레이 기판(10)에 고착되어 있다.
또한, TFT 어레이 기판(10)상에는 이들의 데이터선 구동 회로(101), 주사선 구동 회로(104) 등에 부가하여, 복수의 데이터선(6a)에 화상 신호를 소정의 타이밍으로 인가하는 샘플링 회로, 복수의 데이터선(6a)에 소정 전압 레벨의 프리챠지 신호를 화상 신호에 선행하여 각각 공급하는 프리챠지 회로, 제조 도중이나 출하시의 상기 전기 광학 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성하여도된다.
이상, 도 1 내지 도 14를 참조하여 설명한 각 실시예에서는 데이터선 구동 회로(101) 및 주사선 구동 회로(104)를 TFT 어레이 기판(10)위에 형성하는 대신에, 예를 들면 TAB(Tape automated bonding)기판상에 실장된 구동용 LSl에, TFT 어레이 기판(10)의 주변부에 형성된 이방성 도전 필름을 통해 전기적 및 기계적으로 접속하도록 하여도 된다. 또한, 대향 기판(20)의 투사광이 입사하는 측 및 TFT 어레이 기판(10)의 출사광이 출사하는 측에는 각각, 예를 들면, TN 모드, VA 모드, PDLC(Polymer dispersed liquid crystal) 모드 등의 동작 모드나, 노멀리 화이트 모드/모멀 블랙 모드의 구별에 따라서, 편광 필름, 위상차 필름, 편광판 등이 소정의 방향에 배치된다.
이상 설명한 각 실시예에 있어서의 전기 광학 장치는 프로젝터에 적용되기 때문에, 3장의 전기 광학 장치가 RGB용 라이트 밸브로서 각각 사용되고, 각 라이트 밸브에는 각각 RGB색 분해용 다이클로익 미러를 통해 분해된 각 색의 광이 투사광으로서 각각 입사되어지게 된다. 따라서, 각 실시예에서는 대향 기판(20)에, 컬러 필터는 형성되지 않는다. 그러나, 차광막(23)이 형성되지 않은 화소 전극(9a)에 대향하는 소정 영역에 RGB의 컬러 필터를 그 보호막과 함께, 대향 기판(20)상에 형성하여도 된다. 상기와 같이 하면, 액정 프로젝터 이외의 직시형이나 반사형 컬러 전기 광학 장치에 각 실시예에 있어서의 전기 광학 장치를 적용할 수 있다.
또한, 이상의 각 실시예에 있어서, TFT 어레이 기판(10)상에 있어서 화소 스위칭용 TFT(30)에 대향하는 위치에도, 예를 들면, 고융점 금속으로 이루어지는 차광막을 형성하여도 된다. 상기와 같이 TFT의 아래쪽에도 차광막을 형성하면, TFT 어레이 기판(10)측에서의 이면 반사나 복수의 전기 광학 장치를 프리즘 등을 통해 조합하여 하나의 광학계를 구성하는 경우에, 다른 전기 광학 장치로부터 프리즘 등을 뚫고 나오는 투사광 부분 등이 상기 전기 광학 장치의 TFT에 입사하는 것을 미연에 막을 수 있다. 또한, 대향 기판(20)상에 1화소 1개 대응하도록 마이크로 렌즈를 형성하여도 된다. 또는, TFT 어레이 기판(10)상의 RGB에 대향하는 화소 전극(9a) 아래에 컬러 레지스터 등으로 컬러 필터층을 형성하는 것도 가능하다. 이와 같이 하면, 입사광의 집광 효율을 향상함으로써, 밝은 전기 광학 장치가 실현된다. 또한, 대향 기판(20)상에, 어느 층이나 굴절율이 상위하는 간섭층을 퇴적함으로써, 광의 간섭을 이용하여, RGB색을 만들어내는 다이클로익 필터를 형성하여도 된다. 상기 다이클로익 필터 첨부 대향 기판에 의하면, 보다 밝은 컬러 전기 광학 장치가 실현된다.
본 발명은 상술한 각 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체에서 알 수 있는 발명의 요지 혹은 사상에 반하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하며, 그와 같은 변경에 따른 전기 광학 장치의 제조 방법 혹은 전기 광학 장치도 또한 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.
(전자기기의 구성)
상술의 실시예의 전기 광학 장치를 사용하여 구성되는 전자기기는 도 15에 도시한 표시 정보 출력원(1000), 상기 표시 정보 처리 회로(1002), 표시 구동 회로(1004), 액정 장치 등의 전기 광학 장치(100), 클록 발생 회로(1008) 및 전원회로(1010)를 포함하여 구성된다. 표시 정보 출력원(1000)은 ROM, RAM 등의 메모리, 텔레비젼 신호를 동조하여 출력하는 동조 회로 등을 포함하여 구성되고, 클록 발생 회로(1008)로부터의 클록에 근거하여, 화상 신호 등의 표시 정보를 출력한다. 표시 정보 처리 회로(1002)는 클록 발생 회로(1008)로부터의 클록에 근거하여 표시정보를 처리하여 출력한다. 표시 정보 처리 회로(1002)는 예를 들면, 증폭 극성 반전 회로, 시리얼 패러랠 변환 회로, 로테이션 회로, 감마 보정 회로 또는 램프 회로 등을 포함할 수 있다. 표시 구동 회로(1004)는 주사선 구동 회로 및 데이터선 구동 회로를 포함하여 구성되고, 전기 광학 장치(100)를 표시 구동한다. 전원 회로(1010)는 상술의 각 회로에 전력을 공급한다.
이러한 구성의 전자기기로서, 도 16에 도시한 투사형 표시 장치, 도 17에 도시한 멀티미디어 대응의 퍼스널 컴퓨터(PC) 및 엔지니어링·워크 스테이션(EWS) 등을 들 수 있다.
도 16은 투사형 표시 장치의 요부를 도시한 개략 구성도이다. 도면 중, 1102는 광원, 1108은 다이클로익 미러, 1106은 반사 미러, 1122는 입사 렌즈, 1123은 릴레이 렌즈, 1124는 출사 렌즈, 100R, 100G, 100B는 라이트 밸브, 1112는 다이클로익 프리즘, 1114는 투사 렌즈를 나타낸다. 광원(1102)은 메탈파라이드 등의 램프와 램프의 광을 반사하는 리플렉터로 이루어진다. 청색광·녹색광 반사의 다이클로익 미러(1108)는 광원(1102)으로부터의 광속 중의 적색광을 투과시킴과 동시에, 청색광과 녹색광을 반사한다. 투과한 적색광은 반사 미러(1106)에서 반사되어, 적색광용 라이트 밸브(100R)에 입사된다. 한편, 다이클로익 미러(1108)에서 반사된 색광 중 녹색광은 녹색광 반사의 다이클로익 미러(1108)에 의해서 반사되고, 녹색광용 라이트 밸브(100G)에 입사된다. 한편, 청색광은 제 2 다이클로익 미러(1108)도 투과한다. 청색광에 대하여는 긴 광로에 의한 광 손실을 막기 위해서, 입사 렌즈(1122), 릴레이 렌즈(1123), 출사 렌즈(1124)를 포함하는 릴레이 렌즈계로 이루어지는 도광 수단(1121)이 형성되고, 이것을 통해 청색광이 청색광용 라이트 밸브(100b)에 입사된다. 각 라이트 밸브에 의해 변조된 3개의 색 광은 다이클로익 프리즘(1112)에 입사한다. 상기 프리즘은 4개의 직각 프리즘이 접합되고, 그 내면에 적색광을 반사하는 유전체 다층막과 청광을 반사하는 유전체 다층막이 십자모양으로 형성되어 있다. 이들의 유전체 다층막에 의해서 3개의 색 광이 합성되어, 컬러 화상을 나타내는 광이 형성된다. 합성된 광은 투사 광학계인 투사 렌즈(1114)에 의해서 스크린(1120)상에 투사되어, 화상이 확대되어 표시된다.
도 17에 도시한 퍼스널 컴퓨터(1200)는 키보드(1202)를 구비한 본체부(1204)와, 전기 광학 장치(100)를 갖는다.
본 발명은 상술한 각 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체에서 알 수 있는 발명의 요지 혹은 사상에 반하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하며, 그와 같은 변경을 수반하는 전기 광학 장치의 제조 방법 혹은 전기 광학 장치도 또한 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.
본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 액정 등의 전기 광학 물질에 면하는 기판상 표면의 단차에 기인하는 전기 광학 물질의 배향 불량을 저감하면서 각 화소의 개구 영역을 되도록이면 좁히지 않음으로써, 화소의 개구율이 높으며 동시에 고 컨트라스트 비로 밝은 고품위의 화상 표시가 가능하게 되는 액정 장치 등의 전기 광학 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 효과가 있다.

Claims (33)

  1. 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 1 기판과,
    상기 제 1 기판과 대향 배치하여, 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재한 전기 광학 물질과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 배향막 표면에 형성되며, 상기 러빙 처리 방향에 대해 하향 러빙이 되는 단차부와,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 상기 하향 러빙이 되는 단차부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단차부는 상기 러빙 처리 방향과 교차하는 방향으로 형성된 돌출부로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 기판과 제 2 기판의 한쪽에 복수의 화소 전극을 가지며,
    상기 돌출부는 서로 다른 극성으로 구동되는 인접한 화소 전극 사이에 대응하는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 돌출부의 상기 러빙 처리 방향에 대해 상향 러빙이 되는 상향 러빙부는 상기 차광막과는 대향하지 않는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 단차부는 상기 러빙 처리 방향과 교차하는 방향으로 형성된 오목부로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 한쪽에 형성된 홈부로 형성되며, 상기 홈부의 영역에 배선을 배치한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 오목부의 상기 러빙 처리 방향에 대해 상향 러빙이 되는 상향 러빙부는 상기 차광막과는 대향하지 않는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판과 제 2 기판의 한쪽에 다수의 화소 전극을 가지며, 서로 동극성으로 구동되는 인접한 화소 전극 사이에 대응하는 영역은 평탄화 처리가 되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 평탄화 처리는 기판에 형성된 홈부로 형성되며, 상기 홈부의 영역에 배선을 배치한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 서로 동극성으로 구동되는 인접한 화소 전극 사이의 거리는 상기 전기 광학 물질의 층 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 러빙 처리 방향은 상기 단차부의 하향 러빙부에 대해 직교하는 방향인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 러빙 처리 방향은 상기 단차부의 하향 러빙부에 대해 비스듬히 교차하는 방향인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  13. 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 1 기판과,
    상기 제 1 기판과 대향 배치하여, 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재한 액정과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 배향막 표면에 형성되며, 리버스 틸트 각을 이루는 액정 영역부와,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 상기 리버스 틸트 각을 이루는 액정 영역부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  14. 복수의 화소 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 1 기판과,
    상기 제 1 기판과 대향 배치하여, 대향 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 사이에 개재한 전기 광학 물질과,
    상기 제 1 기판의 상기 화소 전극 사이에 대응하는 상기 배향막 표면에 형성되며, 상기 러빙 처리 방향에 대해 하향 러빙이 되는 단차부와,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의 상기 하향 러빙이 되는 단차부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 단차부의 하향 러빙부는 서로 다른 극성으로 구동되는 인접한 화소 전극 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  16. 복수의 화소 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 1 기판과,
    상기 제 1 기판과 대향 배치하여, 대향 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재한 전기 광학 물질과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판에 형성되며, 화소 영역을 규정하는 차광부와,
    상기 제 1 기판의 상기 배향막 표면의 상기 차광부에 대향하는 영역 근방에 형성되며, 상기 러빙 처리 방향에 대해 상향 러빙이 되는 단차부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 단차부는 상기 러빙 처리 방향과 교차하는 방향으로 형성된 돌출부로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 단차부 영역 상의 전기 광학 물질의 층 두께는 상기 단차부가 형성되어 있지 않은 영역 상의 전기 광학 물질의 층 두께가 얇은 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 단차부는 상기 러빙 처리 방향과 교차하는 방향으로 형성된 오목부로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 제 1 기판에 형성된 홈부로 형성되며, 상기 홈부의 영역에 배선을 배치한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 단차부의 상향 러빙부는 광 투과성 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  22. 복수의 화소 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 복수의 층으로 이루어지는 제 1 기판과,
    상기 제 1 기판과 대향 배치하여, 대향 전극과 러빙 처리된 배향막을 갖는 제 2 기판과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재한 전기 광학 물질과,
    상기 제 1 기판에 형성된 홈부와,
    상기 홈부를 따라 배치된 배선과,
    상기 홈부 영역 상의 상기 배향막 표면에 형성된 단차부, 및
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의, 상기 하향 러빙이되는 단차부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하여 이루어지며,
    상기 제 1 기판의 상기 러빙 처리 방향은 상기 단차부에 대해 하향 러빙이 되는 방향인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 배선은 축적 용량을 구성하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  24. 복수의 화소 전극을 갖는 제 1 기판과,
    상기 제 1 기판과 대향 배치한 제 2 기판과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재한 전기 광학 물질과,
    서로 다른 극성으로 구동되는 인접한 상기 화소 전극 사이에 대응하여, 상기 제 1 기판의 배향막 표면에 형성된 돌출부와,
    상기 돌출부는 상기 제 1 기판의 러빙 처리 방향에 대해 하향 러빙이 되는 하향 러빙부를 가지며,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 중 적어도 한쪽 기판의, 상기 하향 러빙부에 대향하는 영역에 형성된 차광부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 돌출부는 배선을 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 돌출부는 러빙 처리 방향에 대해 상향 러빙이 되는 상향 러빙부를 가지며, 상기 상향 러빙부는 광 투과성 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  27. 제 1 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항의 전기 광학 장치로 이루어지는 라이트 밸브와, 투사 광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 프로젝터.
  28. 러빙 처리되는 배향막과,
    상기 화소 전극 사이에 대응하는 상기 배향막 표면에 형성되며, 상기 러빙 처리 방향에 대해 상향 러빙이 되는 단차부를 구비하는 것을 특징으로 하는 복수의 화소 전극을 갖는 기판.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 단차부는 배선을 배치하기 위한 홈부로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 복수의 화소 전극을 갖는 기판.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 단차부는 화소 전극 사이의 횡전계를 저감하기 위한 돌출부로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 복수의 화소 전극을 갖는 기판.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 단차부는 상기 러빙 처리 방향에 대해 하향 러빙이 되는 하향 러빙부를 가지며, 상기 하향 러빙부에 대향하는 영역에 차광부를 형성한 것을 특징으로 하는 복수의 화소 전극을 갖는 기판.
  32. 전기 광학 물질을 협지하고 서로 대향하는 제 1 기판 및 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 상에 설치되는 복수의 화소 전극 및 배향막과, 상기 화소 전극에 대향하여 상기 제 2 기판 상에 설치되는 대향 전극을 구비하여 이루어지는 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서,
    화소 전극이 인접하는 한 방향에 있어서, 해당 화소 전극 사이의 배향막 및 상기 화소 전극 상의 배향막이 평탄화하도록 기초면을 형성하고, 또한 다른 방향으로 화소 전극이 인접하는 화소 전극 사이의 기초면에 볼록 형상의 제 1 단차 부분을 형성하는 공정과,
    상기 제 1 단차 부분에 상기 화소 전극의 가장자리가 위치하도록 해당 화소 전극을 형성하는 공정과,
    상기 배향막에 대해 러빙 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제 1 단차 부분의 경사면 중 상기 배향막에 대한 러빙 처리 방향이 하향 러빙이 되는 경사면에 평면적으로 겹치도록, 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판 중 적어도 한쪽에 차광막을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  33. 전기 광학 물질을 협지하고 서로 대향하는 제 1 기판 및 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 상에 설치되는 복수의 화소 전극 및 배향막과, 상기 화소 전극에 대향하여 상기 제 2 기판 상에 설치되는 대향 전극을 구비하며,
    상기 복수의 화소 전극은 제 1 주기로 반전 구동되기 위한 제 1 화소 전극군과, 상기 제 1 주기와 상보의 제 2 주기로 반전 구동되기 위한 제 2 화소 전극군으로 이루어지는 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 동일 화소 전극군에 속하는 화소 전극끼리가 이웃하는 방향에 있어서, 해당 동일 화소 전극군에 속하는 화소 전극끼리 사이의 배향막 및 상기 화소 전극 상의 배향막이 평탄화하도록 기초면을 형성하고, 또한 상기 제 1 화소 전극군에 속하는 화소 전극과 상기 제 2 화소 전극군에 속하는 화소 전극이 인접하는 화소 전극 사이의 기초면에 볼록 형상의 제 1 단차 부분을 형성하는 공정과,
    상기 제 1 단차 부분에 상기 화소 전극의 가장자리가 위치하도록 해당 화소 전극을 형성하는 공정과,
    상기 배향막에 대해 러빙 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제 1 단차 부분의 경사면 중 상기 배향막에 대한 러빙 처리 방향이 하향 러빙이 되는 경사면에 평면적으로 겹치도록, 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판 중적어도 한쪽에 차광막을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
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