TW434098B - Apparatus and method for machining workpieces - Google Patents

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經濟部中央輮準扃工消费合作社印* 434098 A7 _____B7五、發明説明< ) 〔發明所屬之技術領域〕 本發明，係關於使作用元件接觸在被加工物進行各種 加工時，一面在作用元件和被加工物的接觸部供給加工液 ，而完成加工之加工方法及加工裝置者。 〔習知技藝〕 在各種加工裝置，使作用元件接觸在被加工物進行加 工時，係在作用元件和被加工物的接觸部供給加工液，由 將該接觸部冷卻，而設法提高被加工物之加工精確度及品 質。 做爲一面供給加工液而進行加工的加工裝置，例如， 在第1 4圖所示，有將半導體晶片切塊（dicing )之切塊 裝置50爲眾所周知。在該切塊裝置5 0，被加工物的半導 體晶片W，係如第1 5圖所示，將經由保持帶T被保持在 框架F，而被收容在卡匣7 1。 在半導體晶片W的表面，有隔著所定間隔排列成格子 狀之多數的直線狀領域之間隔線S存在’而在由間隔線S 所區畫的多數之矩形領域’被實施有電路圖型。 收容在卡匣7 1的半導體晶片W，將由搬出入裝置 72各1張地取出至暫時載置領域73 ’以搬送裝置74 吸著，由搬送裝置7 4旋轉動而搬送至夾台5 8，而被吸 引保持。 當半導體晶片W保持在夾台5 8時，夾台5 8將向X 軸方向移動’定位在對準裝置7 5的正下方’由圖型匹配 本紙張尺度遙用中國Η家橾準（CNS ) A4优格（2!OX297公釐)~~ ^^1 I - i ^^^1 HI 1. m ^^^1 .^1^1 l·—— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 沒洚部中央標準局負工消f合作社印裝 434Q98 A7 B" .... ~- 1 - -- — _ I I . — — 五、發明説明（2 ) 等處理檢出應切削之間隔線。然後，更由夾台5 8向X軸 方向移動，一面接受供給加工液的一種之切削液，一面受 作用元件的備有旋轉之切削切片7 6的切削裝置7 7之作 用，而切削被檢出的間隔線。由如此地間隔線被各1條地 直援地被切削而被切塊，形成各個晶片（chip )。 切削裝置7 7，係如第1 6圖所示，成爲切削刀片 7 6由刀片蓋7 8被覆蓋的構成，切削刀片7 6之兩面的 外周部7 9，係金剛石磨刀石粒等之磨刀石粒，以電極電 積（電鑄）被固定而形成固定磨刀石粒。同時，在切削裝 置7 7，如第1 7圖所示，備有將著裝在心軸外殼8 0支 持成能旋轉的旋轉心軸8 1之前端的切削刀片7 6，從兩 側如挾住之切削液噴嘴8 2 a ，8 2 b，在切削中，將從 切削液噴嘴8 2 a，8 2 b供給的每分鐘2公升之切削液 ，而進行半導體晶片W之冷卻。 〔發明所要解決之課題〕 然而，在如此的構成之切削裝置7 7 ’雖然在半導體 晶片W之表面全體有某程度的切削液普及’特別在切削刀 片7 6和半導體晶片W之接觸部，重點性地被供給切削液 ，可是該接觸部之冷卻效果並不充份。因此’由切塊被形 成的晶片之邊緣，容易產生切片’在加工精確度和晶片的 品質之點有問題。 同時，大量地供給半導體晶片W的切削液時’由切削 所產生之切削屑，混合在切削液中而被大量地排出’故也 本紙乐尺度適用中围國家標準（CNS ) Λ4规格（210Χ297公釐）.5 - ---------衣ί (請先閱讀背面之注意事項再填朽本頁 、1Τ 434098 Λ7 ____B7_ 五、發明説明i ) 有會引起環境污染之問題。 更且，由於想要在半導體晶片W和切削刀片7 6的接 觸部，把切削液充份地供給，故將成爲需要以上地使用切 削液，會變成浪費而不經濟。特別係，爲了提高晶片的品 質，而把如蒸餾水之高價的水做爲切削液使用時，極不經 濟。 如以上的問題點，不僅在上述之切塊裝置，係在一面 將加工液供給作用元件和被加工物的接觸部完成加工之各 種加工共同地發生者。因此，在各種加工•係在加工精確 度及由加工所形成的成品之品質不招致降低地節減加工液 的使用量，具有應解決之課題》 〔爲了解決課題之裝置〕 Μ濟部中央搮率局負工消费合作社印製 i^i In I I ϋ in 1^1 «. 3. '-Co (請先聞讀背面之注意事項再镇商本頁) 做爲解決上述課題的具體裝置，本發明，將提供至少 包含保持被加工物的保持裝置，和備有接觸在該保持裝置 所保持之被加工物完成加工的作用元件之加工裝置，及把 加工液供給該作用元件和被加工物的接觸部之加工液供給 裝置，配設有使從該加工液供給裝置被供給的加工液，會 侵入作用元件和被加工物之接觸部地噴出氣體的氣體噴出 裝置之加工裝置者。 然後，將作用元件係由固定磨刀石粒構成者，固定磨 刀石粒係硏削磨刀石，而加工裝置爲硏削裝置者，保持裝 置爲夾台，被加工物爲半導體.晶片，加工液爲水，而氣體 噴出裝置噴出的氣體爲空氣者，保持裝置係夾台，固定磨 本纸張尺度通用中國8家揉準（CNS ) Α4规格（210XW7公釐）""" 經濟部中央標準局負工消费合作社印裂 ^14 Q9 3 A7 _B?五、發明说明4 ) 刀石粒係切削刀片，加工裝置爲切削裝置者，被加工物係 半導體晶片，加工液係水，而氣體噴出裝置噴出之氣體爲 空氣做爲附加性要件者。 同時，本發明，主要係使加工裝置的作用元件接觸在 保持裝置所保持之被加工物，在該被加工物施以所要的加 工之加工方法，其特徵爲，提供在一面將加工液供給作用 元件和被加工物的接觸部進行加工時，使加工液會侵入作 用元件和被加工物的接觸部地，一面噴出氣體一面進行加 工之加工方法者。 然後，將做爲作用元件使用固定磨刀石粒者，做爲固 定磨刀石粒使用硏削磨刀石，所要的加工爲被加工物之表 面硏削加工者，將保持裝置做爲夾台，被加工物做爲半導 體晶片，做爲加工液使用水，做爲氣體使用空氣|表面硏 削加工爲半導體晶片之面硏削加工者，把保持裝置做爲夾 台，做爲固定磨刀石粒使用切削刀片，所要之加工爲切削 加工者，把被加工物做爲半導體晶片，做爲加工液使用水 .做爲氣體使用空氣、切削加工爲該半導體晶片之切塊加 工做爲附加性要件者。 根據如此地構成的加工裝置及加工方法時，由於將噴 出空氣等氣體，加工液會被強制性地被推入作用元件和被 加工物之接觸部，加工液會極有效且有效率地供給該接觸 部β 〔發明之實施形態〕 ^^1 ^i·^— fn n n^i n^— .,一^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國B家揉率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 434098 A7 B7 經濟部令失揉率局貝Η消费合作杜印製 五、發明説明$ ) 做爲本發明的第1實施例，以第1圖所示的硏削裝置 3 0及使用該硏削裝置3 0 —面供給硏削水而進行硏削半 導體晶片之方法爲例進行說明》 在硏削裝置3 0，要硏削的被加工物之半導體晶片， 將從卡匣3 7由搬出入裝置3 7 c搬出至中心對準台3 7 d，以搬送裝置3 5 d，載置在位於中心對準台3 7 b近 傍的保持裝置之夾台3 3。 然後，該夾台33，由轉台3 2旋轉而被定位在加工 裝置的硏削裝置3 4 b正下方，和夾台3 3之旋轉，由著 裝在硏削裝匱3 2 b下部的作用元件和硏削磨刀石一面降 低而被加上適當的推壓力，將進行半導體晶片之硏削*例 如在此將進行鏡面修飾。 保持如此地已進行硏削的半導體晶片之夾台3 3，將 由轉台3 2的旋轉移動至暫時支持台3 6 a近傍，硏削後 之半導體晶片，將由搬送裝置3 5 a搬送至暫時支持台3 6 a，而被進行洗淨。洗淨後將被搬送至對準中心台3 7 e，然後由搬出入裝置3 7 c被收容在卡匣3 7 a » 從作業台3 1的端部，有壁體3 8被立起設置，在該 壁體3 8之內側面，有一對軌3 9向垂直方向倂設，隨著 滑板4 0沿著軌3 9上下動，成爲固定在滑板4 0之硏削 裝置34a，34b會上下動。 硏削裝置3 4 a，3 4 b，係如第2圖所示，成爲心 軸4 2在心軸外殼4 1的中心部支持成能旋轉，在心軸 4 2之下端著裝有圓板上的固定體4 3，並且，在固定體 ---------策-- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 、'βτ 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4说格（210X297公釐） -8 - 經濟部中央標率局負工消费合作社印裝 434098 A7 _B7 _五、發明説明4 ) 4 3之下部著裝有硏削輪4 4的構成。同時’如第6圖所 示，心軸4 2內貫通有使硏削水流通之硏削水供給路4 5 ，該硏削水供給路4 5、係經由固定體4 3內的分叉路 46，貫通至硏削輪44之硏削水供給口 47。更且’在 硏削水供給口 4 7之外側，有作用元件的硏削磨刀石4 8 突設在下方。 在夾台3 3的近傍，有噴嘴1 1設在從作業台3 1立 起之氣體噴出裝置1 0，其前端的噴出口 1 2，係向夾台 3 3之方向。該氣體噴出裝置10，係如第2圖所示，將 從氣體供給部1 3供給例如高壓空氣的氣體，將從噴出口 12噴出氣體14。再者，氣體噴出裝置1 0，可以如第 3 (Α)圖所示，構成從設在能夠旋轉及上下動的噴嘴 1 1之一個噴出口噴出氣體1 4，同時，也可以構成如第 3 (Β)圖，在噴嘴1 1有多數的噴出口1 2向水平方向 配設成逐漸開展狀，而從各噴出口 1 2噴出氣體1 4。更 且，氣體噴出裝置1〇，也可以如第3 (C)圖所示，構 成在噴嘴1 1設有向水平方向的開縫狀之噴出口 1 2。 硏削裝置34 (34a，34b)的上下動，心軸 4 2之旋轉’夾台3 3的旋轉係由控制部2 0控制，如第 4圖所示地構成* 在壁體3 8外側的上部，+設有脈波馬達2 1，在該脈 波馬達2 1所驅動而旋轉之螺桿2 2，卡合有驅動部2 3 。該驅動部2 3係貫通壁體38，而和滑板40連結。然 後’由控制部2 0經由脈波馬達驅動器2 4將脈波馬達 本紙張ΛΑ逋用中國目家標率（CNS ) Α4ΜΛ ( 210X297公釐)~ '-y - ---------束— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 434098

經濟部中央標涑扃負工消费合作社印裝 五、發明説明（7 ) 2 1驅動，螺桿2 2隨脈波馬達2 1旋轉而驅動部2 3將 上下動，由此滑板4 0也將沿著軌 3 9上下動、而使硏削裝置3 4上下動。再者’驅動部 2 3係和控制部2 0直接連接，將在從控制部2 0之控制 下，把心軸4 2的旋轉驅動。 在壁體3 8之外側，有線性標度2 5配設在垂直方向 ，將把在線性標度2 5上的位置資訊傳輸至控制部2 0 ’ 該位置資訊，將供做在控制部2 0的硏削裝置3 4之上下 動的精密控制。 同時，控制部2 0，係經由伺服驅動器2 6和設在夾 台3 3下部的編碼器2 7及伺服馬達2 8連接，由驅動編 碼器2 7及伺服馬達2 8，能夠控制夾台3 3之旋轉。 由硏削裝置34 (34a ，34b)硏削保持在夾台 3 3的半導體晶片W時，將夾台3 3旋轉，同時一面使心 軸42旋轉而使硏削裝置34 (34a ，34b)降低， 對半導體晶片W推壓旋轉之硏削磨刀石4 8而進行硏削。 再者，與此同時，從硏削水供給路4 5的上部，使加工液 之硏削水流入，經由硏削水供給路4 5及分叉路4 6從加 工液供給裝置的硏削水供給口 4 7，對半導體晶片W供給 硏削水4 9。 硏削輪44具有輪基座44a，在其輪基座44a， 如第5圖所示，配設有隔著一定間隔圓弧狀地供給硏削水 的硏削水供給口 4 7，和在其外側每一定間隔圓弧狀地配 設有硏削磨刀石4 8。然後，其上部係以螺栓等固定在固 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!Ox 297.)>t ) (請先閱讀背而之注意事項再填本頁j ，11 4^4098 A7 B7 五、發明説明4 ) 定體4 3。同時，硏削磨刀石4 8，係在一面有金剛石磨 刀石粒，由樹脂型結合劑等結合劑被固定之固定磨刀石粒 〇 使用如上述地構成的硏削裝置3 0將半導體晶片表面 硏削時，如第6圖所示，使要硏削的半導體晶片W在夾台 3 3載置保持，在控制部2 0之控制下，使夾台3 3旋轉 ，同時使心軸4 2旋轉，一面使硏削輪4 4旋轉而使硏肖！1 裝置34 (34a，34b)繼續降低’一面將旋轉的硏 削磨刀石4 8加上適當之按壓力接觸在半導體晶片W，’而 把半導體晶片W之面硏削。 此時在硏削水供給路4 5，將把高價的純水供給約 0 . 4公升/分，該純水將經由分叉路4 6 ’從硏削水供 給口 4 7做爲硏削水1 5烘給半導體晶片W。

經濟部中央揉準局負工消费合作杜印I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，與此同時把氣體供給氣體噴出裝置1 0，從噴 出口 1 2將以3氣壓〜5氣壓爲理想的空氣1 4，噴出5 公升/分〜2 0公升/分。再者，做爲硏削水，不僅爲純 水也可以使用潤滑油等。做爲從氣體噴出裝置1 0噴出之 氣體，除了空氣外，也可以使用惰氣或混入將加工液做爲 霧狀者的氣體等。 由被噴出之空氣1 4 .硏削水1 5流將會加勢，如第 7圖所示，在半導體晶片W和硏削磨刀石4 8的接觸部之 微小空隙，也會強制地進入。然後由如此地進入的硏削水 ，和由硏削水之氣化所產生的氣化熱相輔相成，將會更促 進半導體晶片W之冷卻。 本紙張尺度適用國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐） -11 - 434098 A7 B7 五、發明説明（g ) 如此地，即使硏削水的供給量爲0 . 4公升/分之少 量，也將由於空氣的噴出而被促進半導體晶片W之冷卻， 而在半導體晶片W將不易發生表面燒焦。具體上，對於使 用空氣時即使把半導體晶片約硏削3 0 0張也未發生表面 燒焦，已由實驗被確認未使用空氣時，在第2張之硏削發 生不能硏削狀態。因此，未使用空氣時，需要如已往地供 給2公升/分以上之切削水。 同時，如果供給空氣時，在半導體晶片W將不容易產 生硏削失真和龜裂，表面粗糙會消失而能夠進行鏡面硏削 ，同時，即使不降低心軸4 2的旋轉速度，也能夠把半導 體晶片之厚度，例如2 0 0 Am以下地硏削成薄片。 並且，硏削磨刀石4 8的磨損減少，而會延長壽命。 具體而言，關於如已往地只供給硏削水進行硏削時，和如 本發明地供給硏削水同時從氣體噴出裝置10噴出空氣 1 4進行硏削時，分別測量硏削磨刀石4 8的摩損量，結 果得到第8圖所示之圖表。 在第8圖，橫軸（X軸）係表示硏削張數|直軸（Y 軸）係表示摩損量，雙方皆係硏削張數愈多摩損量也增加 •硏削張數和摩損量雖成正比關係，但是使用空氣的.本發 明時之直線的傾斜爲0 . 6 9 6 9，而未使用空氣之已往 的硏削時直線之傾斜成爲1 . 0 0 3 4，本發明的硏削時 之一方直線的傾斜約小3成，摩損之程度變小》亦即，被 確認本發明的硏削時，能夠把硏削磨刀石之壽命延長約3 成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } 格（210X297公釐） (讀先閱讀背面之注f項再填转本頁) 訂 -12- 紂矛部中央«.芈沿只工消費合竹社印聚 434098 A7 B7 五、發明说明（1〇 ) 同時，爲了防止心軸4 2的旋轉速度會由硏削時之硏 削磨刀石4 8和半導體晶片W的摩擦而降低’有時驅動心 軸4 2之馬達會加上附加電流，但是，本發明的硏削時， 因硏削液會進入硏削磨刀石4.8和半導體晶片W之間所造 成的微小空隙，已由實驗被確認摩擦小，而能把附加電流 變小。其實驗結果，已在第9圖之圖表，將橫軸做爲硏削 張數，直軸做爲附加電流表示，已被確認本發明的硏削時 ，能夠比已往之硏削時平均減少約0 . 7安培的附加電流 。更且，如圖表所示，在已往的硏削時所發生的由硏削磨 刀石4 8之損耗的參差所引起之附加電流的急激增加已消 失，也被確認附加電流會增加安定性。 接著，做爲本發明的第二實施例，以進行半導體晶片 的切塊之切塊裝置及在切塊裝置一面供給切削液進行半導 體晶片的切塊之方法爲例說明。再者，在此說明的切塊裝 置，因和在習知技藝說明之切塊裝置5 0，只有切削裝置 的構成不同，其他將和已往一樣地被構成，故關於共同之 部位將附以和已往相同的記號，而省略其說明。 加工裝置的切削裝置5 1，係如第1 0圖所示，成爲 作用元件之切削刀片5 2以刀片蓋5 3被覆蓋的構成，切 削刀片5 2之兩面的外周部5 4，係金剛石磨刀石粒等之 磨刀石粒，由電極澱積（電鑄）被固定而形成固定磨刀石 粒。同時，從刀片蓋53，如第11圖所示，如挾著切削 刀片5 2，有加工液供給裝置的2支切削液噴嘴5 5 a， 55b，和切削刀片52隔著一定距離，被平行配設。 本紙張尺度逍用中囷國家榇率（CNS ) A4規格（210X297公釐} (锖先閲1*背面之注意事項再填寫本頁)

—1T -13- 434098 A7 —_____B7__ 五、發明説明（n ) 如第1 1圖所示1在切削刀片5 2的面之延長線上的 位置，配設把加工液之硏削液供給切削刀片5 2和半導體 晶片W的接觸部附近之切削液噴嘴5 6，並且在其外側， 配設有將噴出如高壓空氣的氣體之氣體噴出裝置5 7。 使用如此地構成的切削裝置5 1，將被加工物之半導 體晶片W硏削時，從各切削液噴嘴會被供給切削液，例如 水，同時將半導體晶片w吸引保持的保持裝置之夾台5 8 ，會向X軸方向移動，作用元件的切削刀片5 2會旋轉， 而繼續被形成切塊溝。 如第1 1圖所示，從切削液噴嘴55a，55b所供 給的切削水，將向切削刀片5 2和半導體晶片W之接觸部 流，並且，從切削液噴嘴所供給的切削液，也將向該接觸 部流j然後，並且從切削液噴嘴5 6所供給之切削液，將 由從氣體噴出裝置5 7所噴出的空氣集中在接觸部，切削 液會充份地供給接觸部，也會侵入在切削刀片5 2和半導 體晶片W之間所造成的微小空隙，而被促進冷卻。 妨济部中央秫準豹Μ工消費合作私印掣 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本S ) 同時，由空氣之噴出將會促進切削液的氣化，成爲接 觸部之熱會由氣化熱被奪走，而更增大冷卻效果。 如此地，使切削液集中在切削刀 片52和半導體晶 片W的接觸部，而促進該接觸部之冷卻時，已被確認在切 削時半導體晶片W將不易發生切片，會增加加工精確度而 提高晶片之品質。 再者，切削裝置，也可以如第1 2圖及第1 3圖所示 地構成。在第1 2圖及第1 3圖之例的切削裝置6 2，如 本紙張尺度適用中國闺家捸準（CNS)A4说格（210X297公* ) -14- 434098 A7 _B7 _^_ 五、發明说明（12 ) 挾住切削刀片59地，有2支切削液噴嘴60a，60b ，和切削刀片5 9隔著一定距離平行地配設’並且在其外 側平行地配設有2個氣體噴出裝置6 1 a ’ 6 1 b。然後 ’在氣體噴出裝置6 1 a ’ 6 1 ti之切削液噴嘴側’備有 多數之空氣噴出口（未圖示）。 在如此的構成，一面供給切削液而一面噴出空氣時， 從切削液噴嘴6 0 a所供給的切削液’會由從氣體噴出裝 置6 1 a所噴出之空氣’其大部份將集中在切削刀片5 9 和半導體晶片W的接觸部之一面側。同樣地，從切削液噴 嘴6 0 b所供給的切削液，也將由從氣體噴出裝置6 1 b 噴出之空氣，其大部份會集中在切削刀片5 9和半導體晶 片W的接觸部之另外一面側。 如此地，切削水將會比第1 1圖之例時更侵入切削刀 片和半導體晶片w的接觸部，冷郤效果將會更提高。結果 ，晶片之加工精確度和品質，也會更提高。 經浐部中央"埤而^^工消费合作社卬" H n^i ^^^1 In 1 ^^^1 In —^ϋ m 1^1 V (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 雖然在本實施例，係做爲加工裝置以硏削裝置和切塊 裝置爲例說明，但是本發明並不限於此，例如，在把由圓 柱狀的鐵所成之軸的外周面硏磨之軸硏磨機，在石材，玻 璃，金屬等的表面實施各種加工之平面硏削盤，硏削各種 硬質材料的切削機，把半導體鑄錠切片之半導體鑄錠切削 機等，也能夠適用本發明。 同時，做爲在此等各種裝置所使用的作用元件，雖然 有各種各樣者，但是，只要將天然金剛石磨刀石粒，人造 金剛石磨刀石粒，CBN磨刀石粒，碳化矽磨刀石粒，鋼 本紙張尺度適用中國困家橾準（CNS ) A狀t格（2丨0X297公釐） -15- 434098 A7 B7 五、發明説明（13 ) 鋁石磨刀石粒等磨刀石粒，以陶瓷結合劑，金屬結合劑， 樹脂型結合劑，電極澱積，電鑄等固定的磨刀在之固定磨 刀石粒即可》 再者，加工裝置被設在淸潔室等比較密閉的房間時， 從氣體噴出裝置噴出之氣體以空氣爲理想。因使用惰氣時 ，有時操作員會引起呼吸困難之故。 .〔發明之效果〕 根據如此地構成的加工裝置及加工方法時，由於將被 噴出空氣等氣體，故加工液會被強制地壓入作用元件和被 加工物之接觸部1加工液會極有效且有效率地被供給，由 噴出氣體將會促進加工液的氣化*接觸部之熱會由氣化熱 被奪走，而增大冷卻效果。 好浐部中央i?.皁而Ί工消免合作41卬緊 ^^1 i -- -- ---- - - - I l·· i^In In ^n· ^^^1 一^I (請先聞讀背面之注項再填穴本頁) 因此，使加工液的供給室比已往大幅地減少，例如， 做爲1/5以下時，也能夠進行和已往毫不遜色的加工， 例如，在半導體晶片之面硏削，也將能夠進行已往無法達 成的2 0 0 以下之留薄硏削及鏡面硏磨。同時，由硏 削時的摩擦之緩和，硏削磨刀石的摩損室也減少，能夠延 長硏削磨刀石之壽命。 更且，在半導體晶片的切塊，將與加工液被強制地壓 入作用元件和半導體晶片之間的接觸部而被供給相輔相成 ，接觸部會由氣化熱被充份地冷卻|故在切塊溝不容易發 生切片，而能夠生產品質優異之晶片。 本發明，並不限定於硏削裝置，切塊裝置等的切削裝 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4規格{21〇Χ2ί>7公釐） -16- 434098 A7 ___ B7 五、發明説明（14 ) (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 置，能夠應用在所有之一面供給加工液由作用元件對被加 工物實施加工的所有之加工裝置，能夠節省加工液同時解 決環境問題及經濟性問題。 同時，當然能夠使被加工物的品質和已往相同，將發 揮使已往不能達成之高品質的加工成爲可能之優異效果。 〔圖面之簡單說明〕 〔第1圖〕 係顯示關於本發明的加工裝置之第一實施例的硏削裝 置之外觀的斜視圖。 〔第2圖〕 係顯示同硏削裝置的硏削方法，夾台及氣體噴出裝置 之說明圖= 〔第3圖〕 係顯示，被配設在同硏削_裝置的氣體噴出裝置之例的 斜視圖 〔第4圖〕 係顯示同硏削裝置之主要部份的構成之說明圖。 〔第5圖〕 係顯示構成同硏削裝置的硏削手段之硏削輪的說明圖 〇 〔第6圖〕 係顯示使用同硏削裝置供給硏削水、同時噴出空氣、 把半導體晶片硏削的情況之說明圖。 本紙張尺度適用中®國家標準（CNS ) Α4規格（2丨ΟΧ297公釐） -17· 耔浐部中央"-4,'^只二消费合作社印聚 434098 A7 __—____B7__ 五、發明説明（15 ) 〔第7圖〕 係在第6圖以A表示的部份之擴大圖。 〔第8圖〕 係表示使用關於本發明的硏削裝置進行半導體晶片之 硏削時的硏削張數和硏削磨刀石之摩損室的關係之圖表。 〔第9圖〕 係表示使用同硏削裝置進行硏削半導體晶片時的硏削 張數和心軸附加電流値之關係的圖表。 〔第1 0圖〕 係顯示關於本發明的第二實施例之切塊裝置的切削手 段之說明圖。 〔第1 1圖〕 係顯示同切削手段的第一構成例，以及，使用該切削 手段供給切削水同時一面噴出’空氣將半導體晶片切塊的情 況之說明圖》 〔第1 2圖〕 係顯示同切削手段的第二構成例，以及，使用該切削 手段供給切削水同時一面噴出空氣將半導體晶片切塊的情 況之說明圖。 〔第1 3圖〕 係顯示同切削手段的第二構成例，以及，使用該切削 手段供給切削水同時一面噴出空氣將半導體晶片切塊的情 況之說明圖。 〔第1 4圖〕 本紙張尺度適用中國困家標率（CNS > Α4規格（210X297公釐） (諳先閲讀背面之注意^'項再填寫本頁)

,1T -18 - 434098 Λ ' ΙΓ 五'發明説明（16 ) 係顯示切塊裝置的外觀之斜視圖。 〔第1 5圖〕 係顯示被保持在框架之半導體晶片的表面的說明圖。 〔第1 6圖〕 係顯示在切塊裝置的習知之切削手段的說明圖。 〔第1 7圖〕 係顯示同切削手段之構成及使用該切削手段一面供給 切削水將半導體晶片切塊的情況之說明圖。 〔圖號說明〕 I 0 .........氣體噴出裝置 II .........噴嘴 12 .........噴出口 13 .........氣體供給部 1 4 .........空氣 2 0 .........控制部 2 1 .........脈波馬達 2 2 .........螺桿 2 3 .........驅動部 2 4 .........脈波馬達驅動器 2 5 .........線性糖度 2 6 .........伺服驅動器 2 7 .........編碼器 2 8 .........伺服馬達 本紙張尺度適用中国國家標準（CNS ) A4«L格U10X297公兑）-19 - HI ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 —fl^i .^1 .fl— f* 、T 《請先聞讀背面之;±意事項再頊^?本1) 經浐部中央標準局員工消費合作社印製 ^34093 五、發明说明（17 ) 3 0 .........硏削裝置 3 1 .........作業台 3 2 .........轉台 3 3 .........夾台 34，34a，34b .........硏削裝置 3 5 a > 3 .5 b .........搬送裝置 3 6 a ，3 6 b .........暫時支持台 3 7a >37b .........卡匣 3 7c .........搬出入裝置 3 7 d - 3 7 e .........對準中心台 2 8 .........壁體 3 9 .........軌 4 0 .........溝板 4 1 .........心軸外殼 4 2 .........心軸 4 3 .........固定體 4 4 .........硏削輪 4 4a .........輪基座 4 5 .........硏削水供給路 4 6 .........分叉路 4 7 .........硏削水供給口 4 8 .........硏削磨刀石 4 9 .........硏削水 5 0 .........切塊裝置 ^^^^1 mu r^n^i 「I-1 I ·;·ν ,-° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4)t格（210X29?公t ) -20- 434098 A7 B7 五、發明说明（18 ) 好"_部中决柊蜱^只工消費合作社印衆 5 1 切削裝置 5 2 切削刀片 5 3 ...... … 刀片蓋 5 4 ...... … 外周部 5 5 a > 5 5 b ...... … 切削液 噴 嘴 5 6 .....* … 切削液噴 嘴 5 7 ...... … 氣體噴出 裝 置 5 8 刀片蓋 5 9 切削刀片 6 0 a ， 6 〇 b ...... … 切削液 噴 嘴 6 1 a * 6 lb…… 氣體噴 出 裝置 6 2 ...... … 切削裝置 7 1 ...... … 卡匣 7 2 搬出入裝 置 7 3 ...... … 暫時載置 領 域 7 4 搬送裝置 7 5 對準裝置 7 6 ...... … 切削刀片 7 7 切削裝置 7 8 刀片蓋 7 9 …… … 刀片蓋 8 0 ...... … 心軸外殼 8 1 …… … 旋轉心軸 8 2 a ， 8 2 b ...... … 切削液噴 嘴 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 434098 888 8 ABCD 經濟部中央梂率局負工消费合作社印装 六、申請專利範圍 1 .—種加工裝置，主要係，至少包含：將被加工物 保持的保持裝置，和備有接觸在該保持裝置所保持的被加 工物進行加工之作用元件的加工裝置，和將加工液供給該 作用元件與該被加工物之接觸部的加工液供給裝置，其特 徵爲： 使從該加工液供給裝置所供給的加工液侵入至該作用 元件和該被加工物之接觸部地配設噴出氣體的氣體噴出裝 匱者。 2 .如申請專利範圍第1項之加工裝置，其中，前述 作用元件係由固定磨刀石粒構成。 3 .如申請專利範圍第2項之加工裝置，其中，前述 固定磨刀石粒爲硏削磨刀石粒，而加工裝置爲硏削裝置。 4 .如申請專利範圍第3’項之加工裝置，其中，前述 保持裝置爲夾台，被加工物爲半導體晶片，加工液爲水， 而氣體噴出裝置噴出的氣體爲空氣者。 5 .如申請專利範圍第2項之加工裝置，其中，前述 保持裝置爲夾台，固定磨刀石粒爲切削刀片，而加工裝置 爲切削裝置者。 6 .如申請專利範圍第5項之加工裝置，其中，前述 被加工物爲半導體晶片，加工液爲水，而氣體噴出裝置噴 出的氣體爲空氣者。 7 種加工方法，主要係，在保持裝置所保持的被 加工物使加工裝置之作用元件接觸而對該加工物施以所要 的加工之加工方法，其特徵爲： —I H— ? —- _ I ^^1 I 1^1 —1.i. - -- I (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 -表 本纸張尺度速用taia家揉準（CNS ) Λ4规格（210X297公羞） -22- 434098 六、申請專利範圍 在該作用元件和該被加工物的接觸部一面供給加工液 實施加工時，使該加工液會侵入該作用元件和該被加工物 之接觸部地一面噴出氣體而一面實施加的加工方法。 ' 丨 8 .如申請專利範圍第7項之加工裝=缉，其中，做爲 作用元件使用固定磨刀石粒。 9 .如申請專利範圍第8項之加工方法， 其中，做爲固定磨刀石粒使用硏削磨刀石，所要的加 工爲被加工物的表面硏削加工者。 10.如申請專利範圔第9項之加工方法，其中，把 保持裝置做爲夾台，把被加工物做爲半導體晶片，做爲加 工液使用水，做爲氣體使用空氣，而表面硏削加工爲半導 體晶片的面硏削加工者。 1 1 .如申請專利範圍第.8項之加工方法，其中，把 保持裝匱做爲夾台，做爲固定磨刀石粒使用切削刀片，所 要的加工爲切削加工者。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之加工方法，其中， 把被加工物做爲半導體晶片，做爲加工液使用水，做爲氣 體使用空氣，切削加工爲該半導體晶片的切塊加工者。 ---------裝----；---_訂—^---^丨—泉 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 鲤濟部中夬棣率局貝工消费合作社印*. 衣纸張尺龙逋用中國«家#準（CNS ) A4規格（210X2?7公釐） -23-