TW426869B - Manufacturing method for three dimensional device - Google Patents

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A7 426869 ___BT^____ 五、發明說明（1 ) (技術領域） 本發明係關於一種三維裝置之製造方法者。 {請先閲讀背面之沒t事項再填寫本頁) (習知技術） 習知，在製造三維IC等之三維裝置時，首先，在 S i基板上經多數製程形成包含場效電晶體F E T之第1 層。然後在第1層上形成同樣之第2層。以下，同樣地形 成第3層以後者。 然而，在習知上之三維裝置之製造方法中，由於在相 同基板上依次重疊所形成。因此，形成上層係必須在下層 不會有不良影響下，受到各種限制（例如，下層不會變質 之溫度的上限等）。 又，疊層不同層時，擬以適合各層的裝置參數（例如 ，閘極線寬度，閘極絕緣膜之膜厚，設計定則|製造時之 溫度等之製造條件）形成，非常困難。 ^濟^智慧財產总P工消費合作社印鉍 又，在習知的三維裝置之製造方法中，由於在構成裝 置之基板上形成各層，因此，使用基板係必須兼備作爲裝 置之基板的適合性，及作爲形成各層時之基板的適合性， 故，僅可使用特定之基板，而有所不方便。 由此些理由，三維I C等的三維裝置之實用化尙未實 現。 本發明之目的係在於提供一種可擴張薄膜裝置層之形 成條件的自由度，可容易地製造高性能之三維裝置的三維 裝置之製造方法。 本纸張尺度適用中囿國家標準（CN’S).AJ規格（210*297公爱) -4- A7 426869 ___B7 五、發明說明（2 ) (發明之槪要） 此種目的係介經下述（1 )至（2 2 )之本發明可達 成。 (1) .一種三維裝置之製造方法，屬於將配置於二 維方向之所定領域的複數薄膜裝置層叠層在其厚度方向俾 製造三維裝置的三維裝置之製造方法，其特徵爲：介經轉 印法疊層上述各薄膜裝置層中之至少一層者。 (2) 種三維裝置之製造方法，饜於基體上，在 向二維方向擴展之所定領域內將構成電路之複數薄膜裝置 層疊層在其厚度方向俾製造構成三維方向之電路的三維裝 置之製造方法，其特徵爲：介經轉印法疊層上述各薄膜裝 置層中之至少一層者。 (3) .上述（1)或（2)所述的三維裝置之製造 方法，其中，上述轉印法係在第1基板上經由分離層形成 薄膜裝置層之後，將照射光照射在上述分離層，在上述分 離層之層內及/或介面產生剝離，並將上述第1基板之薄 膜裝置層轉印至第2基板側者。 (4) .上述（3)所述的三維裝置之製造方法，其 中，上述分離層之剝離係介經構成分離層之物質的原子間 或分子間之結合力消失或減少所產生者。 (5) .上述（3 )所述的三維裝置之製造方法，其 中，上述分離層之剝離，係介經由構成分離層之物質發生 氣體所產生者。 本紙張尺度適用令S國家標準（C!V；S)A4規格（210 X 297公轚) ϋ ·Γ ϋ n n n f. n -*T*Jfe I ϋ n ί I (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 426869 A7 __B7 五、發明說明（3 ) (6 ).上述（3 )至（5 )所述的三維裝置之製造 方法，其中，上述照射光係雷射光者· (7) .上述（6 )所述的三維裝置之製造方法，其 中’上述雷射光之波長係100〜350nm者。 (8) .上述（6)所述的三維裝置之製造方法，其 中，上述雷射光之波長係3 5 0〜1 2 0 Onm者。 (9) .上述（3)至（8)任一項所述的三維裝置 之製造方法，其中，上述分離層係由非晶質矽，陶瓷，金 屬或有機高分子材料所構成者。 (10) .上述（3)至（9)任一項所述的三維裝 置之製造方法，其中，上述第1基板係透明基板者。 (11) .上述（1)至（10)所述的三維裝置之 製造方法，其中，在上述薄膜裝置層形成連接電極，介經 該連接電極，電氣式地連接鄰接之上述薄膜裝置層彼此間 者。 (12) .上述（11)所述的三維裝置之製造方法 ，其中，上述連接電極係存在於上述薄膜裝置層之兩面者 〇 (13) .上述（11)或（12)所述的三維裝置 之製造方法，其中，介經各向異性導電膜接合鄰接的上述 薄膜裝置層彼此間者》 (14) .上述（1)至（10)任一項所述的三維 裝置之製造方法，其中，在上述各薄膜裝置層中所對應之 兩層中，在其中一方之層形成發光部，而在另一方之層形 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公餐） -n ϋ r {請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 訂. 蛵濟卽智慧时產局員工消費合作社印裂 A7 4268 6 9 __B7_ 五、發明說明（4 ) 成受光來自上述發光部之光的受光部，介經此等發光部及 受光部，在上述兩層間可實行依光之通信者。 (15) •上述（1)至（14)任一項所述的三維 裝置之製造方法，其中，上述轉印被叠層的薄膜裝置層， 係與其他之薄膜裝置層中之至少一層同時地製造者。 (16) .上述（1)至（15)任一項所述的三維 裝置之製造方法|其中，上述各薄膜裝置層中之至少一層 ’係具有複數之薄膜電晶體者。 (17) .上述（1)至（16)任一項所述的三維 裝置之製造方法，其中，轉印複數次作爲記憶體之上述薄 膜裝置層，俾形成大規模記憶體者。 (18) .上述（1)至（16)任一項所述的三維 裝置之製造方法，其中，轉印複數次作爲邏輯之上述薄膜 裝置層，俾形成大規模邏輯者。 (19) .上述（1)至（16)任一項所述的三維 裝®之製造方法，其中，轉印作爲記憶體之上述薄膜裝置 層與作爲邏輯之上述薄膜裝置層，俾形成系統L S I者。 (2 0 ).上述（19)所述的三維裝置之製造方法 中’上述邏輯與記億體，係由不同設計規則所形成者 e (21).上述（19)所述的三維裝置之製造方法 上述邏輯與記憶體，係由不同設計參數所形成者 〇 (2 2 ).上述（19)所述的三維裝置之製造方法 本纸張尺中國國家標準（CNS)A彳規格（21G * 297公g ) ulflillln/ --— — — — — — ^ ---I — 11 i ^ (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 經-部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 42686 9 ___B7_______ 五、發明說明（5 ) ，其中，上述邏輯與記憶體’係由不同製造處理所形成者 (實施發明所用的最佳形態） 以下，依照表示於所附圖式之適當實施例詳述本發明 的三維裝置之製造方法。 在本發明中，係使用下述之「薄膜構造之轉印方法（ 轉印技術）」來疊層複數之層，俾製造三維裝置（例如， 三維I c等）。首先，說明上述「薄膜構造之轉印方法」 〇 第1圖至第8圖係分別模式地表示本發明的薄膜構造 之轉印方法之實施例之製程的剖面圖。以下，依照此等圖 式，依次說明薄膜構造之轉印方法（剝離方法）的製程。 (1 )如第1圖所示•在基板1之一面（分離層形成 面1 1 )，形成分離層（光吸收層）2。 基板1係將照射光7從基板1側照射時，具有該照射 光7可透射的透光性者較理想。 此時’照射光7之透射率係1 〇 %以上較理想，5 0 %以上者更理想。該透射率過低時，照射光7之衰減變大 ，擬剝離分離層2需要更大光量· 又，基板1係以高可靠性材料所構成較理想，特別是 ，以耐熱性上優異之材料所構成較理想β其理由爲，例如 形成下述之被轉印層4或中間層3時，藉由該種類或形成 方法有處理溫度變高（例如約350〜1〇〇〇 t)，惟 111 ϊ — --- r 11-----^ ·1!1111 {請先W讀背面之注f項再填寫本頁) 控-^智慧时產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國舀家標準（CN：S)A4規格（210x297公餐） 經濟郜智慧时產局員工消費合作社印製 426869 A7 _B7_ 五、發明說明（6 ) 此時若基板1在耐熱性上優異，則被轉印層4等形成在基 板1上時，其溫度條件等之成膜條件之設定寬度較廣。 因此，基板1係將形成被轉印層4時之最高溫度爲 T max時，畸變點爲3 0 0 °C以上者較理想* 5 0 0 °C以 上者更理想。作爲此種者，有例如石英玻璃，鹸玻璃，康 林70 59，日本電氣玻璃0A— 2等耐熱性玻璃》 又，形成下述之分離層2，中間層3及被轉印層4時 之處理溫度較低時，則對於基板1，也可以使用低融點之 價廉的玻璃材料或合成樹脂。 又，基板1之厚度係並未被限定，惟一般係約0 . 1 〜5 . 〇mm較理想，而約〇 · 5〜1 . 5mm更理想· 基板1之厚度過薄時則導致降低強度《而過厚時，基板1 之透射係數較低時，則容易產生照射光7之衰減《又，基 板1之照射光7透射係數較高時，則其厚度超過上述上限 値者也可以。又，爲了均勻地可照射照射光7，基板1之 分離層形成部分之厚度係均勻較理想。 又，基板1之分離層形成面1 1，或照射光入射面 1 2，係並不被限定於如圖示之平面，也可以爲曲面。 在本發明中，並不是介經蝕刻等除去基板1，而是爲 個剝離位於基板1與被轉印層4之間的分離層2而脫離基 板1，作業容易，例如使用較厚之基板等*有關於基板1 之選擇的寬度也較寬廣。 以下，對於分離層2加以說明。 分離層2係吸收下述之照射光7，在其層內及/或界 本紙張汶度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ---b IL·------- -----I I - — — — — — — ^ Lr (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 42686 9

控--·智a)pi產局員工消費合作社印U Α7 Β7 五、發明說明（7 ) 面2a或2b產生剝離（以下，稱爲「層內剝離」，「界 面剝離」）之性質者"較理想爲，介經照射光7之照射， 使其構成分離層2之物質的原子間或分子間的結合力消失 或減少，亦即，產生磨損而成爲層內剝離及/或界面剝離 者。 又，介經照射光7之照射，從分離層2被放出氣體， 也有分離效果被發現之情形。亦即，含有分離層2之成分 成爲氣體而被放出之情形，及分離層2吸收光而一瞬間成 爲氣體，使該蒸汽被放出，有助於分離之情形》 作爲此種分離層2之組成，有例如以下所述者。 ①.非晶質矽（a — S i ) 在該非晶質矽中，含有氫氣Η也可以。此時，Η之含 有量係約2原子％以上較理想，而約2至2 0原子％更理 想。如此，氫氣Η含有所定量時，之後藉由照射光7之照 射使氫氣被放出，在分離層1 2 0發生內壓，該內壓減爲 剝離上下之薄膜的力量。 非晶質矽中的氫Η之含有量•係介經適當地設定例如 CVD之氣體組成，氣體壓，氣體環境氣氛，氣體流量， 溫度，基板溫度，投入動力等之條件可調整。 在本實施形態中，除了藉由該處理條件在分離層 1 2 0中含有氫氣之外，如上所述，還在形成非晶質矽層 之後的任何時期，作爲剝離促進用離子可離子植入氫離子 。由此，不受非晶質矽之處理條件，可將一定量以上之氫 氣含有在非晶質矽層內。 本紙張又度这用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 29Γ公轚） -1u - 111 ϊ 11 ------ Λ4·ιι!ί 訂·!I#、 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟却智慧时產局員工消費合作杜印友 A7 B7 五、發明說明（8) ② ·有氧化矽或矽酸化合物，氧化鈦或鈦酸化合物， 氧化鉻或锆酸化合物’氧化鑭或鑭酸化合物等各種氧化物 陶瓷，介質（強介質）或是半導體。 作爲氧化矽，有SiO、Si〇2、Si3〇2，作爲 矽酸化合物，有例如尺25丨〇3、 Li2Si〇3、 CaSi〇3、 ZrSi〇4、NaaSi〇3 等。 作爲氧化鈦’有TiO、Ti2〇3、Ti〇2，作爲 鈦酸化合物，有例如BaTi04、 BaTiOu、 B a 2 T i 9 0 2 〇 , B a T i 5 0 1 1 , C a T i 0 3 , S r T i 0 3 , PbTi〇3> MgTi〇3, Z r T i 0 2 ,SnTi〇4、A 1 2 T i 0 5 , FeTiOs。 作爲氧化锆，有Z r 0 2 :而作爲鉻酸化合物，有例如 BaZrOs, ZrSi〇4, PbZr〇3,MgZr〇3 、K s Z r 0 3。 ③ .PZT' PLZT、PLLZT，PBZT 等之 陶瓷或介質（強介質） ④ .氮化矽’氮化鋁，氮化鈦等之氮化物陶瓷 ⑤ .有機高分子材料 作爲有機高分子材料，係具有一 CH -、一 C0 —、 -CONH-、- NH-、- COO-、- N = N-、 一 CH = N —等之結合（介經照射光7之照射，此等結合 被切斷）者’特別是，具有很多此等結合者，則任何者均 可以。又，有機高分子材料係在構成式中具有芳香族碳化 氫（1或2以上之苯環或其稠環）者也可以· 纸張尺度遠用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公髮) -11 ' 一 ----Γ I I -------------I — -------^ <锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^686 9 A7 B7 五、發明說明（9) 作爲此等有機高分子材料之具體例，係例如聚乙稀， 聚丙烯之聚烯，聚亞醯胺，聚醯胺，聚酯，聚甲基丙稀酸 酯（PMMA)，聚苯撐硫化物（PPS)，聚酸擴（ PES)，環氧樹脂等。 ⑥.金屬 作爲金屬，有例如Ai ，Li ，Ti ，Mn， in，

Sn > Sm或含有這些中之至少一種的合金。 又，分離層2之厚度係依剝離目的或分離層2之組成 ，層構成，形成方法等諸條件而不相同，惟一般係約1 nm至2 0 jum較理想，而約1 0 nm至2 更理想， 又約4 0 nm至1 最理想。 若分離層2之膜厚過薄時，則成膜之均勻性受損，在 剝離時產生不均勻，又，若膜厚過厚時，則爲了確保分離 層2之良好剝離性，需增大照射光7光量，同時在後續之 除去分離層2時，在其作業上費時。又，分離層2之膜厚 係儘量形成均勻較理想* 分離層2之形成方法，係並不被特別限定，隨著膜組 成或膜厚等之諸條件被適當地選擇。例如有C VD (包括 MQCVD，低壓CVD，ECR-CVD)，蒸鍍’分 子線蒸鍍（MB)，濺散，離子植入，PVD等之各種氣 相成膜法，電鍍*浸漬鍍，無電解鍍等之各種鍍法’ LB 法，旋轉塗布*噴霧塗佈，輥塗布等之塗布法’各種印刷 法，轉印法，墨水噴射法，粉末噴射法等，也可組合這些 中之以上所形成者〃 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公餐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 知--------訂-------声 經濟β智慧財產局員工消費合作社印製 -VI- A7 B7 爲非晶質砍（a — S i )時’ CVD或電漿CVD形成膜較 -凝膠法的陶瓷所構成時，或 則依塗布法，特別是，依旋轉 二製程以上之製程（例如層之 行也可以。 上之層所構成也可以。此時， 性，係相同也可以，或不相同 在分離層2上面形成中間層3 426869、 五、發明說明（10) 例如*分離層2之組成 則C V D，特別是，由低屋 理想。 又，分離層2以依溶膠 以有機高分子材料構成時， 塗布形成成膜較理想· 又，形成分離層2係以 形成製程與熱處理製程）實 這些分離層2係以2以 上述2以上之層的組成或特 也可以。 (2 )如第2圖所示， 該中間層3係以各種形成目的所形成，例如，有發揮 作爲將製造或使用時將下述之被轉印層4物理性或化學性 地保護之保護層，絕緣層，導電層，照射光7之遮光層， 阻止對於被轉印層4或來自被轉印層4之成分之遷移用的 障層，反射層的功能內之至少一種者。 作爲該中間層3之組成，係隨著其形成目的適當地被 設定，例如1形成在依非晶質矽之分離層2與依薄膜電晶 體TFT之被轉印層4之間的中間層3時，有S i 0 2等之 氧化矽，而形成在分離層2與依P ZT之被轉印層4之間 的中間層3時，有例如Pt ，Au，K1 ，Ta，Mo， A 1 ，C r，T i或如以此等爲主之合金的金屬。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公餐） ^ f I ^ I ^ ^ n n kf I * *1 ^ ϋ ^ n 一aJI ^ ^ ^ *1 t— it K. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁》 ^-r-5?"时產局員工消費合作社印y -13 - 42686 9 A7 B7 蛵濟郎智^財產局員工^-費合作社印衮 五、發明說明（11) 此等中間層3之厚度係隨著其形成目的或可發揮之功 能程度適當地決定，惟一般係約1 〇 nm〜5 Am較理想 ，而約4 0 nm至1 μιη更理想》 又，中間層3之形成方法，也有與上述分離層2所列 舉之形成方法相同方法。又，形成中間層3係以2製程以 上之製程實行也可以。 又，這些中間層3係將相同或不相同之組成者形成兩 層以上也可以。又，在本發明中，未形成中間層3，而在 分離層2上直接形成被轉印層4也可以。 (3 )如第3圖所示，在中間層3上面形成被轉印層 (被剝離物）4。 該被轉印層4係被轉印至下述之轉印體6之屏，介經 與在上述分離層2所列舉之形成方法同樣之方法可形成。 被轉印層4之形成目的，種類，形態，構造，組成， 物理性或化學性特性等，並未特別加以限制》惟考慮轉印 之目的或有用性，爲薄膜，特別是功能性或功能性薄膜或 薄膜裝置較理想。 作爲功能性薄膜及薄膜裝置，例如有薄膜電晶體 ΤΕΤ，薄膜二極體*其他之薄膜半導體裝置，電極（例 如：I TO,如氧化錫膜的透明電極），或使用於太陽電 池或感像器等之光電變換元件，交換元件，記憶體，壓電 元件等之主動器，微型鏡（壓電薄膜陶瓷），磁性記錄媒 體，光磁性記錄媒體，光記錄媒體，磁性記錄薄膜磁頭， 線圈，感應器，薄膜高透磁材料及組合這些的微磁性裝置 {請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 表！ —訂！梦 本纸張尺度連用中舀國家標車（CNS)AJ規格（210x 297公釐） 426869 蛵-名智"財產局員工消費合作钍印Η ____B7___五、發明說明（12) ，濾波器，反射膜，分色鏡，俾光元件等之光學薄膜’半 導體薄膜，超傳導薄膜（例如YBCO薄膜），磁性薄膜 •金屬多層薄膜，金屬陶瓷多層薄膜，金屬半導體多層薄 膜，陶瓷半導體多層薄膜，有機薄膜及其他物質之多層薄 膜等。 其中，特別是，適用於薄膜裝置，微磁性裝置，微三 維構造物之構成，主動器1微型鏡等之有用性較高而較理 想。 此等功能性薄膜或薄膜裝置係與其形成方法之關係， —般，經較高之處理溫度所形成&因此，此時，如上所述 ，作爲基板1，係成爲需可耐於其處理溫度的高可靠性者 〇 又，被轉印層4係單層或複數層之叠層也可以。又， 如上述薄膜電晶體等，施以所定之圖案者也可以》被轉印 層4之形成（叠層），圖案係介經隨著此之所定方法來實 行。此等被轉印層4係一般經複數製程所形成。 依薄膜電晶體之被轉印層之形成，係例如依照日本特 公平2 - 5 0 6 3 0號公報或文獻：H. Ohshima et al: International Symposium Digest of Technical Papers SID 1 983 " B/W and Color LC Video Display Addressed by Poly Si TFTs”所述之方法可實行。 又，被轉印層4之厚度也並未特別加以限定，隨著其 形成目的，功能，組成，特性等諸條件而被適當設定。被 轉印層4爲薄膜電晶體時，其合計厚度係較理想爲約 I I I Ji I J — — — — — . ♦ I I I I i >!li! (請先閱讀背面之注悉事項再填寫本頁> 本紙張尺度遠用申园國家標準（CNS)/U規格（210 X 297公s ) -It)- 426869 A7 B7 歧濟护Ifttp.i產局員工消費合作钍印裂 五、發明說明（13) 〇 . 5〜200jum，更理想爲約1 . 0〜10//me又 •其他之薄膜時，較理想之合計厚度係在更廣範圍也可以 ，例如可作成約50nm〜1 ΟΟΟαπί。 又，被轉印層4係並不被限定於如上述之薄膜，例如 ，塗布膜或薄片之厚膜也可以。 (4)如第4圖所示|在被轉印層（被剝離物）4上 形成黏接層5 .經由黏接層5黏接）接合）轉印層6。 作爲構成黏接層5之黏接劑的最佳例子，係有反應硬 化型黏接劑，熱硬化型黏接劑，紫外線硬化型黏接劑等之 光硬化型黏接劑，厭氣硬化型黏接劑等之各種硬化型黏接 劑。作爲黏接劑之組成，係例如環氧系，丙烯酸酯系，矽 酮系等，任何一種者均可以。此種黏接層5之形成係例如 介經塗布法所實施。 使用上述硬化型黏接劑時，例如在被轉印層4上塗布 硬化型黏接劑，並在其上面接合下述之轉印體6之後，介 經對應於硬化型黏接劑之特性的硬化方法使上述硬化型黏 接劑硬化，俾黏接，固定被轉印層4與轉印體6。 使用光硬化型黏接劑時，將透光性之轉印體6配置在 未硬化之黏接層5上之後，從轉印體6照射硬化用之光而 將黏接劑予以硬化較理想。又*若基板1具有透光性者， 從基板1與轉印體6之兩側照射硬化用之光而將黏接劑予 以硬化，則硬化成爲確實較理想· 又，與圖示不相同，在轉印體6側形成黏接層5，而 在其上面黏接被轉印層4也可以《又，在被轉印層4與黏 請 先 Μ 讀 背 面 I h 頁 訂 表纸張尺度適用中國因家標準（CNS)vVl規格（210 * 297公笼） ^智髮^產局員工"費合作钍印.t 426869 A7 ____B7___ 五、發明說明（14) 接層5之間，設置如上述之中間層也可以。又，例如轉印 體6本體具有黏接功能時等，省略黏接層5之形成。 作爲轉印體6，係並未特別限定，惟有基板（板材） ，特別有透明基板。又，即使此等基板係平板，或是彎曲 板也可以。 又，轉印體6係比上述基板1，耐熱性，耐蝕性等特 性較差者也可以。其理由係在本發明，由於在基板1側形 成被轉印層4，之後，將被轉印層4轉印在.轉印體6。因 此，被要求在轉印體6之特性，特別是耐熱性，係並不依 存在形成被轉印層4時的溫度條件等。 因此，將形成被轉印層4時之最高溫度作爲T max時 ’作爲轉印體6之構成材料，可使用玻璃轉變點Tg或軟 化點爲T max以下者。例如，轉印體6係玻璃變點T g或 軟化點較理想爲8 0 0 °C以下，更理想爲5 0 0 t以下， 而最理想爲3 2 0°C以下之材料所構成。 又，作爲轉印體6之機械性特性，具有某一程度之剛 性（強度）較理想，惟具有可撓性，彈性者也可以。 作爲此種轉印體6之構成材料，有各種合成樹脂或各 種玻璃材料，特別是，各種合成樹脂或一般之（低融點之 )價廉的玻璃材較理想。 作爲合成樹脂，熱可塑性樹脂，熱硬化性樹脂之任可 一種樹脂均可以，例如可使用聚乙烯，聚丁烯，乙烯一丁 烯共聚體，乙烯一醋酸乙烯共聚體（EVA)等之聚烯烴 ，環狀聚烯烴，改性聚烯烴，聚氯化乙烯，聚偏二氯乙烯 本紙張尺度通用中囡國家標車（CNS)A4規格（210* 297公釐> -ΎΓ- - - ----^ I II I I ^ ^ ·1111111 ^ · I H I 1 ---^ (請先閱讀背面之;1意事項再填寫本頁) 426869 B7 五、發明說明（15) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 控-κ智慧財產局員工消費合作社印裒 ，聚苯乙烯，聚醯胺，聚醯亞胺，聚醯胺一醯亞胺，聚碳 酸酯，聚（4一甲基戊烯_1)，離子鍵聚合物，丙烯酸 系樹脂，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)，丙烯腈一丁二 烯一苯乙烯共聚體（ABS樹脂），丙烯腈一苯乙烯共聚 體（AS樹脂），丁二烯一苯乙烯共聚體，聚氧化亞甲基 ，聚乙烯醇（PVA)，乙烯—乙烯醇共聚體（EVOH )，聚對一酞酸乙二酯（PE丁），聚對苯二甲酸丁二醇 酯（PBT)，聚環己烷對酞酸酯酸酯（PCT)等之聚 酯，聚醚，聚醚酮（PEK)，聚醚醚酮（PEEK)， 聚醚醯亞胺，聚縮醛（POM)，聚苯醚，改性聚苯醚， 聚碩，聚苯硫醚（PPS)，聚醚硯（PES)，聚芳酯 ，芳香族聚酯（液晶聚合物），聚四氟乙烯，聚偏二氟乙 烯’其他氟系樹脂，苯乙烯系，聚烯烴系，聚氯化乙烯系 ’聚尿烷系，聚酯系，聚醯胺系，聚丁二烯系，轉聚戊二 烯系*氟橡膠系 > 氯化聚乙烯系等之各種熱可塑性彈性體 ’環氧樹脂，酚樹脂，脲醛樹脂，三聚氮胺樹脂，不飽和 聚酯’矽酮樹脂，聚尿烷等，或是以此爲主的共聚體，摻 合體’聚合物-合金等，可使用組合此等中之一種或兩種 以上（例如作爲兩層以上之疊層體）。 作爲坡璃材料，係例如有矽酸玻璃（石英玻璃），矽 酸鹼玻璃，鈉石灰玻璃，鉀石英玻璃，鉛（鹼）玻璃，鋇 玻璃，硼矽酸玻璃等·»此中*矽酸玻璃以外者，係與矽酸 玻璃相比較融點較低，又，成形，加工也較容易，而且價 廉而較理想。 各紙張又度iS用中國國家標準(CNS)A·! *見格（210 X 297公《 ) 经濟^½¾^產局員工消費合作社印裝 ^2686^ A7 __B7__ 五、發明說明（16) 作爲轉印體6使用以合成樹脂所構成者時’可享受一 體地成形大型轉印體6，同時，具有彎曲面或凹凸者等之 複雜形狀也可容易地製造*又，材料費用，製造費用也低 廉的各種優點。因此，合成樹脂之使用係在製造大型又價 廉的裝置（例如，液晶顯示裝置）上較有利。 又轉印體6係例如液晶格，爲構成其本體獨立之裝置 者，或例如濾色器，電極層，介質層，絕緣層，半導體元 件，構成裝置之一部分者也可以。 又，轉印體6係金屬，陶瓷，石材，木材’紙等物質 也可以，或是構成某一物品之任意面上（時鐘之鐘面上， 空調機之表面上，印刷基板上等），或牆壁，柱，樑，天 花板|窗玻璃等構造物之表面上也可以》 (5 )如第5圖所示，從基板1之背面側（照射光入 射面1 2側）來照射照射光7。該照射光7係透射基板1 之後，從界面2 a側照射在分離層2。由此，如第6圖或 第7圖所示，由於在分離層2產生層內剝離及/或界面剝 離•而結合力被減少或消滅，因此，將基板1與轉印體6 予以互相遠離，則被轉印層4從基板1脫離後，被轉印至 轉印體6。 又，第6圖係表示在分離層2產生層內剝離之情形； 第7圖係表示在分離層2產生界面2 a之界面剝離之情形 。產生分離層2之層內剝離及/或界面剝離的原理，係推 想依在分離層2之構成材料產生磨耗，又，依包含於分離 層2的氣體之放出，或是依產生在剛照射後之熔融*蒸散 本纸張尺度適用中國國家標单（CN’S)A4规格（210x297公笼> — — — hllmlt ^ - — — — In— ^ < — — — — — 1! ^ W {請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) ^26869 A7 B7 五、發明說明（17) 等之相變化者。 在此’所謂磨耗係指吸收照射光之固定材料（分離層 2之構成材料）被光化學地或熱地被激勵，而切斷其表面 或內部之原子或分子之結合並被放出之情形，主要出現作 爲分離層2之構成材料的全部或一部分產生熔融，蒸散（ 氣化）等之相變化的現象。又，藉由上述相變化成爲微小 之發泡狀態，而也使結合力降低之情事。 分離層2產生層內剝離，或是產生界面剝離，或產生 該雙方’係受到分離層2之組成，或其他各種要因之影響 ，作爲其要因之一要因，有照射光7之種類，波長，強度 ，到達深度等條件。 作爲照射光7，係在分離層2可產生層內剝離及/或 界面剝離者之任何一種均可。例如有X線，紫外線，可視 光，紅外線（熱線），雷射光，毫波，微波，電子線，放 射線（α線》Θ線，r線）等。其中，在容易產生分離層 2之剝離（磨耗）上，雷射光較理想》 作爲發生該雷射光的雷射裝置，有各種氣體雷射，固 體雷射（半導體雷射）等，惟激元雷射，Nd— YAG雷 射，Ar雷射，C〇2雷射，C0雷射，He— Ne雷射等 適當地被使用，其中以激元雷射特別理想。 激元雷射係在短波長域輸出高能量，故在極短時間內 在分離層2可產生磨耗，如此在鄰接或近旁之中間層3， 被轉印層4或基板1等幾乎不會產生溫度上昇，亦即，不 會產劣化，損傷，可剝離分離層2。 表紙張尺隻遣用中國國家標車（CNS)AJ現格（210 * 297公复） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表.ί I — I — I 訂.ίιί!.^ 绞濟^智慧时產局員工消費合作社印裳 20 ^-='智"財產局0工消費合作社"〜 426869 A7 _______B7_ 五、發明說明（18) 又，在分離餍2產生磨耗時，有照射光之波長依存性 之情形，被照射的雷射光之波長，係約1 0 0 nm至 35〇nm較理想。 又，在分離層2，產生例如氣體放出，氣化，昇華等 相變化而給與分離特性時，所照射之雷射光之波長係約 350至120〇nm較理想。 又，所照射的雷射光之能量密度，特別是，激元雷射 時的能量密度，係約1 0至5000mJ/cms較理想， 而以約1 0 0至5 0 0m J/c πί更理想。又，照射時間 係約1至1 OOOn s e c較理想，而以約1 0至1 〇〇 n s e c更理想。能量密度較低或照射時間較短時，則無 法產生充分磨耗等，又，能量密度較高或照射時間較久時 ，則介經透射分離層2之照射光對於被轉印層4有不良影 響。 在此種雷射光所代表之照射光7係照射成其強度成爲 均勻較理想。 照射光7之照射方向係對於分離層2不限定於垂直方 向，而對於分離層2形成傾斜所定角度之方向也可以。 又|分離層2之面積比照射光一次之照射面積較多時 ，也可對於分離層2之全領域，分複數次來照射照射光。 又，在相同部位也可照射二次以上。 又，將不相同之種類類或不相同之波長（波長域）的 照射光（雷射光）照射兩次以上在相同領域或不相同領域 也可以。 本纸張尺度这用中國國家標m (CNS)A4規格（210 X 297公餐） V2T- ----：----：---—Η-------I H ---— ίρ (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ^26869 _B7____ 五、發明說明（19) (6 )如第8圖所示，介經例如洗淨，蝕刻，灰化， 硏磨等之方法或組合此等之方法來除去附著於中間層3之 分離層2。 在如第6圖所示的分離層2之層內剝離時，也可同樣 地除去附著於基板1的分離層2。 又，在基板1爲如石英玻璃之高價格材料或稀少材料 所構成時等，基板1係較理想可供於再利用。亦即，對於 欲再利用之基板1，可適用本發明，具高有用性。 經由如上之各製程，即完全被轉印層4對於轉印體6 之轉印。之後，也可實行鄰接於被轉印層4之中間層3之 除去，或是也可實行其他任意層之形成等。 在本發明中，並不是直接地剝離被剝離物之被轉印層 4本體，而是在接合於被轉印層4之分離層2施以剝離· 故不管被剝離物（被轉印層4 )之特性，條件等，可容易 且確實地，而且均勻地剝離（轉印），不會有隨著剝離操 作對於被剝離物（被轉印層4 )之損傷，可維持被轉印層 4之高可靠性。 又’在圖示之實施例中，從基板1側來照射照射光7 ’惟例如被轉印層4介經照射光7之照射不受不良影響者 時’則照射光7之照射方向係不被限定於上述，而從與基 板1相反側來照射照射光也可以。 ^ 又，對於分離層2之面方向局部地，亦即以所定之圖 案來照射照射光，以上述圖案來轉印被轉印層4之構成也 可以（第1項方法）。在此時，在上述（5 )之製程時， 本纸張H適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公釐〉 — — — — — ' — — — — In 11111111 V {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-2ZT 蛵-部智慧^產局員工消費合作社印製 42^869 , A7 B7 五、發明說明（2〇) 對於基板1之照射光入射面12，施以對應於上述圖案之 光罩來照射照射光，或是介經精密地控制照射光7之照射 位置等之方法可實行。 又，並不是將分離層2形成在基板1之分離層形成面 11全面，也可以所定圖案形成分離層2(第2項方法） 。此時，介經光罩等將分離層2事先形成在所定圖案，或 是可將分離層2形成在分離層形成面1 1之全面後，介經 蝕刻等施以圖案或修整之方法· 依照如上之第1方法或第2方法|也可將被轉印層4 之轉印，與其圖案或修整同時地實行。 又，介經與上述之方法同樣之方法，重複實行兩次以 上轉印也可以。此時，若轉印次數爲偶數次時，則可將形 成在最後之轉印體的被轉印層之表背位置關係成爲與在基 板1最初形成被轉印層之狀態相同。 又，將大型之透明基板（例如，有效領域爲9 0 0 mmx 1 6 〇 〇mm)作爲轉印體6，而將形成於小型基 板1(例如，有效領域爲45mmx40mm)之小單位 的被轉印層4 (薄膜電晶體）複數次（例如，約8 0 0次 )較理想地依次轉印至鄰接位置，俾在大型透明基板之整 體有效領域形成被轉印層4，而在最後也可製造與上述大 型透明基板相同尺寸的液晶顯示裝置。 又’準備複數形成於基板1上之被轉印層4，將各被 轉印層4依次轉印（重曼）在轉印體6上，俾形成被轉印 層4之疊層體也可以。此時，被叠層之被轉印層4係相同 本紙張尺度遇用中國國家標準（C\’S)A·)規格（210 X 297公餐） — — ^--I I ---I ^ i I I I — 1!^ V (請先閲讀背面之注意事項再填笃本頁) 4 6 9 A7 _B7_ - 五、發明說明（21) 也可以，或是不相同也可以。 以上爲在本發明所使用的薄膜構造之轉印方法。 又，說明使用上述的薄膜構造之轉印方法（轉印技術 )的三維裝置（多層構造之裝置）之製造方法的第1實施 例。 第9圖係模式地表示三維裝置之構成例子的剖面圖： 第10圖至第15圖係分別模式地表示本發明的三維裝置 之製造方法的第1實施例之製程的剖面圖。又，對於與上 述的薄膜構造之轉印方法之共通點係省略說明。 如第9圖所示，三維裝置1 0係具有：作爲基體之基 板（轉印側基板）21，及第1被轉印層（第1薄膜裝置 層）41，及第2被轉印層（第2薄膜裝置層）42。被 轉印層4 1及4 2係分別擴張向二維方向（對於基板2 1 平行之方向），構成所定之電路》 此時，在基板2 1之第9圖中上側，介經黏接層5黏 接（接合）有被轉印層4 1 又，在該被轉印層4 1之第9圖中上側，經由導電性 黏接層2 2黏接（接合）有被轉印層4 2 β 被轉印層41係在該第9圖中上側分別具有連接電極 (連接用端子）4 1 1及4 1 2。又，被轉印層42係在 該第9圖中下側分別具有連接電極42 1及422。該被 轉印層4 1之連接電極4 1 1與被轉印層4 2之連接電極 4 2 1係經由導電性黏接層2 2予以電氣式地連接，或是 ，被轉印層4 1之連接電極4 1 2與被轉印層4 2之連接 本紙張又度遺用中國國家標準（CN'S)AJ規格（210 X 297公釐） III---- ! - k . ! ! I 訂.！ I I ---.^- <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> fet.'s-M智€pi'產局員工消f合作'社印製 ^26869

AT _____B7_ 五、發明說明（22) 電極4 2 2係經由導電性黏接層2 2予以電氣式連接。 作爲導電性黏接層2 2，係各向異性導電膜（A C F :Anisotropic Conductive Film )較理想。介經以各向異性 導電膜予以黏接，由於僅以厚度方向（第9圖中，上下方 向）確保導通，因此，可防止第9圇中橫方向之短路，亦 即，可防止連接電極4 1 1與連接電極4 1 2，連接電極 4 1 1與連接電極422，連接電極42 1與連接電極 422，連接電極421與連接電極412之間的短路。 又，介經以各向異性導電膜施以黏接，可使連接電極 411與連接電極421，連接電極412與連接電極 4 2 2容易對位而分別電氣式地連接*並可黏接（接合） 被轉印層41與被轉印層42^ 又，該三維裝置10之基板（轉印側基板）2 1，係 相當於第4圖至第8圖中之轉印體6。 又，作爲三維裝置10之被轉印層41及42，例如 例示作爲上述之被轉印層4的各種者。 具體而言，被轉印層4 1及4 2係可作爲DRAM， SRAM，EPROM，ROM等記憶體，CPU等邏輯 電路，光察覺器，磁性察覺器等之察覺器等。又，被轉印 層4 1及4 2係當然並不被限定於上述者》 又，被轉印層4 1與被轉印層4 2係相同也可以，或 不相同也可以。 被轉印層4 1與被轉印層4 2作爲相同時，例如，可 將被轉印層4 1及被轉印層4 2之雙方作爲記憶體（記憶 本紙張'度通用中國國家標準（CNSM4規格（210 X 297公g ) ---n - -----1·- k · — I ί I I 訂.！--择 (請先閱讀背面之ii意ί項再填寫本頁)

42686 S A7 ___；_Βί____ 五、發明說明（23) 體格陣列）。由此，實現大容量的記億體（大規摸記憶體 )° 又’除了上述之外，例如也可將被轉印層4 1及被轉 印層4 2之雙方作爲邏輯電路。由此可實現大規模之邏輯 電路。

又，作爲被轉印層4 1與被轉印層4 2不相同時，例 如可將被轉印層4 1及被轉印層4 2中之一方作爲記億體 ，而將另一方作爲邏輯。亦即，三維裝置1 〇係成爲混載 (一體化）記憶體與邏輯的系統I C (例如，系統L S I )0 此種情形時，依照本發明，以不相同之設計定則（最 小線寬）可形成被轉印層4 1與被轉印層4 2。又，以不 相同之設計參數可形成被轉印層4 1與被轉印層4 2 *又 ，以不相同之製程可形成被轉印層4 1與被轉印層4 2。 習知在被叠層之層彼此間，無法或很難變更此些條件。 上述系統I C的記憶體之最小線寬，係例如作爲約 0 . 3 5 V m ( 4 m定則），而邏輯之最小線寬，係例如 作爲0 . 5 // m ( a m定則），（記憶體之最小線寬係比 邏輯之最小線寬小）。又，與此相反地，將記憶體之最小 線寬形成比邏輯之最小線寬大也可以。 上述三維裝置10係介經上述的薄膜構造之轉印方法 ，例如，如下述地製造。 (Α1)如第10圖所示地，在基板（原基板）1之 單面，形成分離層2 -又，如第1 1圖所示地，在基板（ 本纸張尺度適用中园國家標準（CNS).A4規格（210 X 297公釐) •冰- (請先閱讀背面之項再填寫本I) -殳裝 * 1 I I I 1 I 訂·！ i£-r'^"財產局員工消費合作社印.¾ 426869 B7 五、發明說明（24) 原基板）1之單面，形成分離層2。 (A2)如第1 0圖及第1 1圖所示地，在各基板1 之分離層2之上面，分別形成中間層（底子層）3。 (A3 )如第1 0圖所示，在中間層3之上面，形成 第1被轉印層（第1薄膜裝置層）4 1。又，如第1 1圖 所示，在中間層3之上面，形成第2被轉印層2薄膜裝置 )4 2。 將被轉印層4 1之k部分（在第1 0圖中以一點鏈線 所圔繞之部分）的放大剖面圖表示於第10圖中。 如第1 0圖所示地，被轉印層4 1係例如具有形成在 中間層3 (例如，S i 0 :膜）上的薄膜電晶體（T F T ) 6 0° 該薄膜電晶體6 0係由在聚矽層導入η型或p型雜質 所形成的源極層+或ρ+層）6 1及汲極層（n+或ρ + 層）62，及通道層63 |及閛極絕緣膜64，及閘極電 極6 5，及層間絕緣膜6 6，及例如鋁所構成的電極6 7 與68，及保護膜69所構成。 在該薄膜電晶體6 0之保護膜6 9之第1 0圖中下側 ，形成有連接電極4 1 1。該連接電極4 1 1係經由形成 在保護膜6 9的接觸孔，電氣式地連接於電極6 8。 又，將被轉印層4 2之k部分（在第1 1圖中以一點 鏈線所圍繞之部分）的放大剖面圖表示在第11圖中。 如第1 1圖所示地，被轉印層4 2係例如具有形成在 中間層3 (例如，S i Ο 2膜）上的薄膜電晶體（T F 丁） 本纸張尺度適用中國國家標单（CNSW·!規格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) -K·— — — — — — — 訂·！•ίέ. 绥湣^智慧財產局員工消費合作钍印製 428869 έ1-νπ智慧財產局員Η消費合作钍印—" Α7 Β7 五、發明說明（25) 6 0 〇 該薄膜電晶體6 0係由在聚矽層導入η型或p型雜質 所形成的源極層（η +或ρ +層）61及汲極層（η+或ρ + 層）62 *及通道層63，及閘極絕緣膜64，及閘極電 極6 5，及層間絕緣膜6 6，及例如鋁所構成的電極6 7 與6 8，及保護膜6 9所構成。 在該薄膜電晶體6 0之保護膜6 9之第1 1圖中上側 ，形成有連接電極4 2 1 *該連接電極4 2 1係經由形成 在保護膜6 9的接觸孔，電氣式地連接於電極6 7。 又，由於電極4 1 2近旁之被轉印層4 1及電極 4 2 2近旁之被轉印層4 2之構成係與上述大約同樣，故 省略說明= 在本發明中，將被轉印層4 1同時地形成多數在未予 圖示之一枚基板（例如，玻璃製基板），並切出該些也可 以。同樣地，將被轉印層4 2同時地形成多數在未予圖示 之一枚基板（例如，玻璃製基板），並切出該些也可以。 此時，例如將被轉印層4 1 · 4 2所形成的基板分別 設定在探針裝置，而在各被轉印層4 1 ，4 2之連接電極 或未予圖示之端子接觸觸針，實施各被轉印層4 1 | 4 2 的電氣式特性檢査。如此，在被判定爲不良之被轉印層 4 1，4 2以印表機或唱針等作標記。 之後，分別切片各被轉印層41 ，42。此時，介經 有無作標記，將各該被轉印層4 1，4 2 |選別成不良品 與良品。又，經切片之後，實施各該被轉印層41，42 本紙張叉度適用中國國家標準（C\S)A·!規格（210 X 297公餐） -28^ n J· ϋ I IJ ϋ 1 I— I . I* —i n I J« » n n i I {請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 4 2 68 6 9 4 A7 __*_B7___ 五、發明說明（26) 之電氣式特性檢査也可以。 又，在本發明係同時地製造被轉印層4 1與被轉印層 42也可以，特別是，在相同之基板（原基板）1上’同 時地製造也可以。由此，可減少製程數。 (A4 )如第1 2圖所示，經由黏接（接合）形成在 上述基板1上的被轉印層4 1，及基板（轉印側基板） 2卜 (A5)如第1 2圖所示，從基板1之背面側（照射 光入射面1 2側）來照射照射光7。如上所述’該照射光 7係透射基板1之後，照射在分離層2 1由此，在分離層 2產生層內剝離及/或界面剝離，而使結合力減少或消滅 0 如此，隔離基板1與基板21»由此，如第13圖所 示，被轉印層4 1從基板1脫離，而轉印至基板2 1。 (A 6 )如第1 3圖所示，例如介經洗淨，蝕刻，灰 化，硏磨等方法或組合此等之方法除去被轉印層4 1之中 間層3或分離層2。又，視需要，連接電極411 ， 4 1 2能露出之程度地，留下上述中間層2也可以。 又，分離層2之層內剝離等，也同樣地除去附著於基 板1的分離層2 » 又，在基板1爲如石英玻璃之高價格材料或稀少材料 所構成時等，基板1係較理想可供於再利用。亦即，對於 欲再利用之基板1 ，可適用本發明，具高有用性》 經由如上之各製程，即完成被轉印層4 1對於基板 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐) •四- ( — 11.---- I ----· - ------— — — — — — — {請先閱讀背面之>i意事項再填寫本頁) A7 426869 五、發明說明（27) 2 1之轉印。之後，也可實行其他之任意層的形成等。 (A 7 )如第1 4圖所示，相對向對應之連接電極彼 此間，亦即，相對向連接電極411與連接電極421， 且相對向連接電極4 1 2與連接電極4 2 2地施以定位之 狀態下，經由導電性黏接層2 2黏接（接合）形成於上述 基板1上之被轉印層4 2，及轉印於上述基板2 1之被轉 印層4 1。 作爲該導電性黏接層2 2，係如上所述，各向異性導 電膜較理想，惟本發明係並不被限定於此者。 以各向異性導電膜黏接時，係在被轉印層4 1與被轉 印層4 2之間塡充（配置）所定之導電性黏接劑，而將該 導電性黏接劑向第1 4圖中縱方向加壓下使之硬化。由此 ，經由導電性黏接層2 2黏接被轉印層4 1與被轉印層 4 2，同時，該導電性黏接層2 2中之未予圖示之導電粒 子連接（接觸）於第1 4圖中縱向，經由上述導電粒子分 別電氣式地來連接連接電極4 1 1與連接電極4 2 1，連 接電極4 1 2與連接電極4 2 2 » (A8 )如第1 4圖所示，從基板1之背面側（照射 光入射面1 2側）來照射照射光7。如上所述，該照射光 7係透射基板1之後，照射在分離層2，由此，在分離層 2產生層內剝離及/或界面剝離，而使結合力減少或消滅 0 如此，隔離基板1與基板21。由此I如第15圖所 示，被轉印層41從基板1脫離，而轉印至基板21° 本纸張汶度邊用中國1家標準（CNS)AJ蜆格（210 X 297公爱） ----- ---, — lli!^. — i — — ·11. — · — — !·^ <請先閱讀背面之;i意事項再填罵本頁) ^-=-.智"財產局員工消費合作钍印,¾ 426869 控濟的智慧財產局8工消費合作社fn, .¾ Α7 Β7 五、發明說明（28) 又，將被轉印層4 1，42及導電性黏接層22之k 部分（在第1 5圖中以一點鏈線所圍繞之部分）的放大剖 面圖表示於第1 5圖中。 (A 9 )如第1 5圖所示，例如介經洗淨，蝕刻，灰 化，硏磨等方法或組合此等之方法除去被轉印層4 1上之 中間層3或分離層2。又，視需要，留下上述中間層2也 可以。 又，分離層2之層內剝離等，也同樣地除去附著於基 板1的分離層2。 又，在基板1爲如石英玻璃之高價格材料或稀少材料 所構成時等’基板1係較理想可供於再利用。亦即，對於 欲再利用之基板1，可適用本發明，具高有用性。 經由如上之各製程，即完成被轉印層4 2對於被轉印 層4 1上之轉印’亦即，完成被轉印層4 2與被轉印層 4 1之疊層。之後，也可實行其他之任意層的形成等β 如上所述地，依照本發明，介經轉印，可容易地製造 三維裝置（例如，三維元I C ) 1 〇。 特別是’由於分別單獨地製造各薄膜裝置，因此，不 必考慮如習知地對於下層（下側之薄膜裝置層）之不良影 響，製造條件較廣。 又’在本發明係疊層複數薄膜裝置層，故可提高積體 度。亦即’較緩和之設計定則也可將I c形成在較狹窄之 面積。 例如，在三維裝置1 〇具有記憶體時（例如，被轉印 本纸ί長尺度i$用中固固家標準（C>；S).*V1規格（210 x 297公蜚〉

3T <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1¾..------—訂----1111— ^ 4.26B6 9 蛵-^-智慧財產局員工消費合作社印·" B7 五、發明說明（29) 層4 1及4 2之雙方爲記憶體時），則可得到記憶體之大 容量化。又在三維裝置1 0具有邏輯時（例如，被轉印層 41及42之雙方爲邏輯時），可得到邏輯之大規模化。 又，在本發明，由於可將各薄膜裝置層一旦形成在不相同 之基板上，因此*可用任意之裝置定則（例如*閘極線寬 ，閘極絕緣膜之膜厚*設計定則，製造時之溫度等製造條 件）形成各薄膜裝置層）》因此，可將各薄膜裝置層分另11 以最適當之裝置參數所形成，由此，提供一種高可靠性及 高性能的三維裝置1 0。 例如，三維裝置1 0爲混載（一體化）記憶體與邏輯 的系統1C (例如，系統LSI)時，當製造其系統1C 時，由於可分別對應之處理形成記憶體與邏輯，因此，容 易製造，生產性高，又量產性上有利。 又，由於在各薄膜裝置層之一端，形成連接電極（連 接用端子），因此，可將鄰接之薄膜裝置層彼此間容易且 確實地電氣式地連接，由此，可得到三維裝置1 0之三維 化（可構成三維方向之電路）。 又，由於僅選別良品之薄膜裝置層並可疊層於每一層 ，因此，與在相同基板上依次形成各層（直接形成各層） 而製造三維裝置之情形相比較，良品率較高。 又，不選定基板（轉印側基板）2 1，也可轉印至各 種基板2 1。亦即，對於以無法直接形成或不適用於形成 薄膜裝置之材料，容易成形之材料，廉價之材料等所構成 者等，也可介經轉印來形成該裝置。換言之，由於在基板 --I L---ιίιί· · ί I ! I 訂.！ιι — ι·^ί (請先閱讀背面之i意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國囤家標準（CNS)zVl規格（210 X 297公笼) -32 - A7 426869 __B7___ 五、發明說明（30) 2 1具自由度，例如在可撓性之基板上形成I C，因此， 可容易地製造I C卡等。 又，作爲基板（原基板）1，由於可使用價格較低且 大面積之玻璃製基板，因此可減低成本。 又，在上述實施例中，被轉印層（薄膜裝置層）4 1 及4 2之轉印次數係分別一次，惟在本創作中*可叠層被 轉印層4 1與被轉印層4 2，而被轉印層4 1之轉印次數 係兩次以上也可以，或是被轉印層4 2之轉印次數係兩次 以上也可以。 例如，將被轉印層之轉印次數作爲兩次時，可將基板 1上之被轉印層轉印在基板1及基板2 1以外之未予圖示 的第3基板上，然後*將該第3之基板上之被轉印層轉印 在基板21上。又，在上述第3基板，形成有上述之分離 層2等。 若被轉印層之轉印次數爲偶數次時，則可將形成在最 後轉印體之基板（轉印側基板）2 1的被轉印層之表，背 之位置關係，形成與在基板（原基板）1最初形成被轉印 層之狀態相同。 又，在本發明中，在基板（轉印則基板）2 1上直接 形成被轉印層4 1 ，介經上述之轉印方法，在該被轉印層 4 1上轉印被轉印層4 2，來製造三維裝置1 0也可以。 又，在本發明中，疊層三層以上被轉印層（薄膜裝置 層）也可以。介經增加被轉印層薄膜裝置層）之層數，可 提高積體度。 ---Jilll-1! .^.1--I I I I illllllt ^ <請先閱讀背面之ii意ί項再填寫本頁) ^¾¾.智«財產局員工消費合作社，5.¾ 本纸張尺度遺用中國囤家標準規格（210x297公釐） •όό- 4 2 6869 at Β7 五、發明說明（31) 例如，將三維裝置1 0之被轉印層（薄膜裝置層）之 層數作爲三層，電氣式地連接鄰接之被轉印層彼此間時’ 如第1 6圖所示，在位於第1被轉印層（第1薄膜裝置層 )4 1與第2被轉印層（第2薄膜裝置層）4 2之間的第 3被轉印層（第3薄膜裝置層）4 3之兩端形成連接電極 (連接用端子）。亦即，在被轉印層43之一端（第16 圖中下側），形成連接電極4 3 1及4 3 2 ’而在另一端 (第1 6圖中上側）形成連接電極4 3 3及4 3 4。 又，經由導電性黏接層2 2電氣式地連接被轉印層 4 1之連接電極4 1 1與被轉印層4 3之連接電極4 3 1 ，經由導電性黏接層2 2電氣式地連接被轉印層4 1之連 接電極4 1 2與被轉印層4 3之連接電極4 3 2。同樣地 ，經由導電性黏接層2 3電氣式地連接被轉印層3 2之連 接電極4 3 3與被轉印層4 2之連接電極4 2 1 ，經由導 電性黏接層2 3電氣式地連接被轉印層4 3之連接電極 4 3 4與被轉印層4 2之連接電極4 2 2。 作爲導電性黏接層2 3，係與導電性黏接層2 2同樣 之理由，使用各向異性導電膜較理想。 又，疊層三層以上被轉印層（薄膜裝置層）時，各層 均相同也可以，或是各層均不相同也可以，又，僅一部分 之層相同也可以。 以下，說明三維裝置之製造方法的第2實施例。 第1 7圖係模式地表示三維裝置之構成例的剖面圖。 又，對於與上述之第1實施例之共通點，則省略說明，而 表纸语叉度这用中國國家標準（CNS)A·!覘格（210 X 297公餐） <請先Μ讀背面之注意事項再填窩本頁) ·· ^--------訂---------镍 A7 ^2686 9 _B7___——— 五、發明說明（32) 說明主要之不同點。 (靖先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 表示於第17圖之三維裝置10也與上述之第1實施 例同樣地，介經薄膜構造之轉印方法來製造* 但是，在該三維裝置1 0係在上述製程（A 7 )中’ 接觸第1被轉印層（第1薄膜裝置層）4 1之連接電極 4 1 1與第2被轉印層（第2薄膜裝置層）4 2之連接電 極4 2 1，並電氣式地連接這些，接觸於被轉印層4 1之 連接電極4 1 2與被轉印層4 2之連接電極4 2 2，並電 氣式地連接這些，同時，經由黏接層2 4黏接（接合）被 轉印層4 1與被轉印層4 2 β 在該第2實施例也可得到與上述之第1實施例同樣之 效果。 又，在本發明中，被轉印層4 1與被轉印層4 2之黏 接（接合）方法，及電氣式地連接對應之連接電極彼此間 的方法，係並不被限定於上述之第1實施例及第2實施例 0 ,4£濟$智«;£:產局員工消費合作钍印.¾ 例如，分別接觸連接電極411與連接電極421， 連接電極4 1 2與連接電極4 2 2，並加熱這些，一旦熔 融接觸面，介經予以固化，固裝所對應之連接電極彼此間 即可以。由此，電氣式地連接所對應之連接電極彼此間· 同時，接合被轉印層4 1與被轉印層4 2。 又，在連接電極4 1 1與連接電極4 2 1之間，及連 接電極4 1 2與連接電極4 2 2之間，分別配置焊劑（導 電性硬焊材），加熱此等焊劑，一旦熔融’固化也可以。 本紙張K度这用中國國家標卓（CNShVl規格（210 x 297公笼） ic.'.i-li那智祛財產局員工消費合作社印,¾ 4 2 6 8 6 9 A7 ____B7___ - 五、發明說明（33 ) 由此，經由焊劑電氣式地連接所對應之連接電極彼此間， 同時，經由焊劑黏接（接合）被轉印層4 1與被轉印層 4 2 ° 以下，說明三維裝置之製造方法的第3實施例《 第18圖係模式地表示三維裝置之構成例的剖面圖。 又，對於與上述之第1實施例之共通點，省略說明，而說 明主要之不同點° 表示於第18圖之三維裝置10也與上述之第1實施 例同樣地，介經薄膜構造之轉印方法來製造。 在該三維裝置1 0的第1被轉印層（第1薄膜裝置層 )41之一端（第18圖中上側），形成有發光部（發光 元件）413及受光部（受光元件）414。 又，第2被轉印層（第2薄膜裝置層）4 2之一端（ 第18圖中下側），形成有發光部（發光元件）423及 受光部（受光元件）424。 在該三維元件10，係在上述製程（A7)中，對應 之發光部與受光部相對向，亦即，發光部4 1 3與受光部 4 2 4相對向，且發光部4 2 3與受光部4 1 4相對向地 定位狀態下，實質上經由透明（對於來質發光部4 1 3及 4 2 3之光具有光透射性）之黏接層2 5來黏接（接合） 被轉印層4 1與被轉印層4 2。 作爲該三維裝置1 0之發光部4 1 3及4 2 3，例如 ，可使用有機EL元件。+ 第1 9圖係表示有機E L元件之構成例的剖面圖。 本纸張又度適用中® S家標準（C-\S)AJ規格（210 X四7公餐） —-------· I I — — — -^------- I I 11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 426869 B7__ 五、發明說明（34) 如同圖所示，有機E L元件3 0係以隔間壁（觸排） 3 4，及形成於該隔間壁3 4之內側的透明電極3 1及發 光層（有機EL) 32，及金屬電極3 3所構成。 此時，在透明電極3 1上形成有發光層3 2，而在隔 間壁3 4及發光層3 2上形成有金屬電極3 3。 透明電極3 1係例如以I T 0等所構成。 又，發光層3 2係例如，主要爲將形成發光層3 2之 共設系高分子有機化合物的前驅體，及爲了變化發光層 3 2之發光特性的螢光色素等溶解或分散於所定溶媒（極 性溶媒）的有機EL元件用組成物（發光層3 2用之組成 物）予以加熱處理，並將該有機E L元件用組成物中之上 述前驅體予以高分子化的薄膜（固體薄膜）所構成。 又，金屬電極33係例如以Al—L i等所構成。 又，隔間壁3 4係例如以樹脂黑抗蝕劑等所構成。 在被轉印層4 1及4 2，分別形成有驅動該有機E L 元件3 0之未予圖示的驅動部（驅動電路）》 在該有機E L元件3 0，係當所定電壓從上述驅動電 路施加於透明電極3 1與金屬電極3 3之間時，則電子及 正孔（電洞）注入在發光層3 2，而這些是依藉由所施加 之電壓所產生之電場移動發光層3 2中被再結合♦依該再 結合時所放出的能量產生激子（Exci ton )，而該激子恢復 成基底狀態時則放出能量（螢光或磷光）。亦即.會發光 。又，將該現象稱爲EL發光。 又’作爲該三維裝置1 0之受光部4 1 4及424， 本紙張尺度远用中國國家標準（CVS)AJ規络（210 X 297公爱） — — —— — I J I I 1 1 I ^ j I I I I — I ^ !1111]>1 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁》 控;&^智慧財產局員工消費合作吐^ 426869 蛵濟部智璉时產局員工消費合作社印髮 B7 五、發明說明（35) 例如，可使用P I N光二極體》 第2 0圖係表示P I N光二極體之構成例的剖面圖。 如同圖所示，P I N光二極體5 0係由：受光部窗電 極5 1，及P型a — Si C層（p型半導體層）52 ’及 i型a_Si層（半導體層）53，及η型a — SiC層 (η型半導體層）5 4 ’及兼具受光部上部電極與配線（ 電氣配線）的A 1 — S i _Cu層5 5所構成。 此等受光部窗電極5 1 ’ P型a — S i C層52，i 型 a - S i 層 53 ’ η 型 a-SiC 層 54 及 Al-Si —C u層5 5係從第2 0圖中下側以該順序被叠層。又’ 上述受光部窗電極5 1係例如以I TO等所構成》 如上所述，有機E L元件3 0係介經電氣式地連接於 該有機E L元件3 0之未予圖示的驅動電路被驅動而發光 。亦即，有機EL元件30係傳送（發送）光信號（光） 〇 來自該有機EL元件3 0之光，係透射黏接層2 5後 從受光窗電極51入射。亦即，在PIN光二極體50被 受光。 從P I N光二極體5 0輸出對應於受光光量之大小的 電流，亦即輸出電氣信號（信號）（光信號被變換成電氣 信號而被輸出）。 依據來自該P I N光二極體5 0之信號，電氣式地連 接於該P I N光二極體5 0之未予圖示的電路施以動作 又，如第1 8圖所示，來自發光部4 1 3之光係透射 lll*r!ILIIIIIP — — — — — — II -- ---111 — \ {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 本纸張尺度適闬中國國家標準（CNS).A4規格(210x 297公餐） -此- A7 ^^6869^ __B7_ 五、發明說明（36) 黏接層2 5之後在受光部4 2 4被受光，又，來自發光部 4 2 3之光係透射黏接餍2 5之後在受光部4 1 4被受光 。亦即，介經發光部413及423，受光部414及4 2 4，在被轉印層4 1與被轉印層4 2之間實施依光（光 信號）之通信。 在該第3實施例也可得到與上述之第1實施例同樣之 效果。 如此，在該第3實施例中•層間之信號傳送係並不是 電氣（電氣信號），而是構成以光（光信號）所實行，故 容易製造，特別是可更提高積體度。 又，在本發明中，發光部4 1 3及4 2 3係並不被限 定於有機E L元件，例如，.以無機E L元件，發光二極體 (LED)，半導體雷射（雷射二極體）等所構成也可以 〇 又，在本發明中，受光部4 1 4及4 2 4係並不被限 定於PIN二極體，例如，以PIN光二極體，突崩光二 極體等之各種光二極體，光電晶體，光發光（有機光發光 ，無機光發光等）等所構成也可以。 又’在本發明中，黏接（接合）被轉印層（薄膜裝置 層）41與被轉印層（薄膜裝置層）42之方法，係並不 被限定於上述之方法。亦即，在被轉印層4 1與被轉印層 4 2之間，可實施依光（光信號）之通信，而可黏接（接 合）被轉印層4 1與被轉印層4 2即可以。 例如，局部地黏接（接合）被轉印層4 1與被轉印層 本纸張尺度違用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） I I I ----J I I I I I Γ^·! — !— 訂—11!! -鋒 ·-·請先Μ讀背面之江意事項再填寫本頁) 蛵--^¾財產局負工消費合作社印€ A7 42686 9 B7__ 五、發明說明（37) 42也可以。此時，以發光部413，423，受光部 4 1 4及4 2 4以外之部分施以黏接（接合）時，則以不 透明之黏接層黏接被轉印層4 1與被轉印層4 2也可以。 又，在被轉印層4 1與被轉印層4 2之間設置間隔件 (例如，柱），經由該間隔件黏接（接合）被轉印層4 1 舆被轉印層4 2也可以。在此時，在被轉印層4 1之發光 部4 1 3與受光部4 1 4，及被轉印層4 2之受光部 4 2 4與發光部4 2 3之間形成有空間。 又，分別接觸被轉印層4 1之發光部4 1 3與受光部 414，及被轉印層42之受光部424及發光部423 也可以。 又，在本發明中，將三維裝置的被轉印層（薄膜裝置 層）之層數作爲三層以上時，未鄰接之層間中，構成可依 光（光信號）之通信的構成也構成。 又，在本發明中，發光部係以發光特性（例如•發光 之光的峰値波長）之不同的複數發光元件所構成，而受光 部係以受光來自對應之上述發光元件之光的複數受光元件 所構成也可以。 此時，可同時地通信複數之資訊（信號亦即，成 爲可依多通道之光通信的資訊傳送。 又，在本發明中，設置發光特性（例如，發光之光的 峰値波長）之不同的複數發光部。並設置受光來自對應之 上述發光部之光的複數受光部也可以》 又，在本發明中，在至少一個所定之被轉印層（薄膜 本纸張叉度適用中SS家標聿（CNS)AJ規格（210x 297公餐） ---IJ-IIJI1IH^·! — — — — — 訂- — -^' (if先閱讀背面之注备？事項再填寫本頁) 經-^智祛財產局員工消費合作杜印封 426869 A7 B7 拉濟郜智.€时產局員工消費合作让印製 五、發明說明（38) 裝置層）內，形成可依如上述被轉印層（薄膜裝置層）間 之光（光信號）的通信之構成也可以。 以上，依據圖示之實施例說明本發明的三維裝置之製 造方法，惟本發明係並不被限定於此者。 例如，在本發明中，欲將三維裝置之被轉印層（薄膜 裝置層）之層數作成三層以上時，如第1實施例或第2實 施例地電氣式地連接所定之被轉印層間（被轉印層彼此間 )(以下，稱爲「電氣式地連接」），而在其他之被轉印 層間，如第3實施例等，可依光（光信號）之通信（以下 ，稱爲「光學式地連接」）的構成也可以。. 又，在本發明中，對於所定之被轉印層間，電氣式地 連接其一部分，而光學式地連接其他部分也可以。 又，在本發明中，將構成三維裝置之複數被轉印層（ 薄膜裝置層）中之至少一層介經上述的薄膜構造之轉印方 法（轉印技術）予以轉印來製造該裝置即可以。 又，本發明之轉印方向係並不被限定於上述之方法。 (產業上之利用可能性） 如上所述，依照本發明的三維裝置之製造方法，由於 介經轉印方法來疊層薄膜裝置層，因此，可容易地製造三 維裝置（例如三維I C ) « 特別是，由於可分別單獨地形成各薄膜裝置層，因此 ，不必考慮如以往之對於下層（下側之薄膜裝置層）之不 良影響，而製造條件之自由度較廣。 本紙張K度这用中國國家標準（CN'S).M規格（210 X 297公餐） -41 - II----L I I I I I I ------J I t --------- <請先閱讀背面之it意事項再填寫本頁) 經濟却智慧时產局員工消費合作社印製 4268 6 9 A7 ______B7_^_ 五、發明說明（39) 又，在本發明中，由於叠層複數薄膜裝置層來製造裝 置，因此，可提高積體度。 又，在本發明中，由於可將各薄膜裝置層層形成在不 同之基板上，因此，可用各該最適當之裝置參數形成各薄 膜裝匱層，由此，可提供一種高性能之裝置》 又，在本發明中，由於僅選別良品之薄膜裝置層後可 疊層每一層•因此，與在相同基板上依次形成（直接形成 多層）各層來製造三維裝置時相比較，可得到高良品率。 (圖式之簡單說明） 第1圖係模式地表示本發明的薄膜構造之轉印方法之 實施例之製程的剖面圖。 第2圖係模式地表示本發明的薄膜構造之轉印方法之 實施例之製程的剖面圖。 第3圖係模式地表示本發明的薄膜構造之轉印方法之 實施例之製程的剖面圖。 第4圖係模式地表示本發明的薄膜構造之轉印方法之 實施例之製程的剖面圖。 第5圖係模式地表示本發明的薄膜構造之轉印方法之 實施例之製程的剖面圖。 第6圖係模式地表示本發明的薄膜構造之轉印方法之 實施例之製程的剖面圖。 第7圖係模式地表示本發明的薄膜構造之轉印方法之 實施例之製程的剖面圖。 本纸張尺度適用中國固家標準（CNS)A4規格（210x 297公g ) I n 1™ I n I J I a n It t {请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 426869 A7 ____B7___ 五、發明說明（4〇) 第8圇係模式地表示本發明的薄膜構造之轉印方法之 實施例之製程的剖面圖β (靖先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 第9圖係模式地表示本發明之三維裝置之構成例的剖 面圖。 第1 0圖係模式地表示本發明的三維裝置之製造方法 之第1實施例之製程的剖面圖。 第1 1圖係模式地表示本發明的三維裝置之製造方法 之第1實施例之製程的剖面圖。 第1 2圖係模式地表示本發明的三維裝置之製造方法 之第1實施例之製程的剖面圖。 第1 3圖係模式地表示本發明的三維裝置之製造方法 之第1實施例之製程的剖面圖。 第1 4圖係模式地表示本發明的三維裝置之製造方法 之第1實施例之製程的剖面圖。 第1 5圖係模式地表示本發明的三維裝置之製造方法 之第1實施例之製程的剖面圖。 第1 6圖係模式地表示本發明的三維裝置之其他構成 例的剖面圖。 經-那智慧財產局員工消費合作社印製 第1 7圖係模式地表示本發明的三維裝置之其他構成 例的剖面圖。 第1 8圖係模式地表示本發明的三維裝置之其他構成 例的剖面圖。 第1 9圖係表示本發明之有機EL元件之構成例的剖 面圖。 -^43- 本紙張又度適用中國S家標準（CNS)A4規烙（210x 297公釐） 42686s 經-^'智慧时產局員工消費合作社印起 A7 _____B7_ 五、發明說明（41) 第2 0圖係表示本發明之P I N光二極體之構成例的 剖面圖。 (記號之說明） 1 :基板，1 1 :分離層形成面，1 2 :照射光入射 面，2 :分離，2a ，2b :界面，3 :中間層’ 4、 41〜43:被轉印層，411、412:連接電極， 421、 422:連接電極，413、 423:發光部， 414、424:受光部，431〜424:連接電極， 5 :黏接層，6 :轉印體，7 :照射光，10 :三維裝置 ，21 :基板，22、23 :導電性黏接層，24 :黏接 層，25 :透明之黏接層，30 :有機EL元件，31 : 透明電極，32 :發光層，33 :金屬電極，34 :隔間 壁，50 : PIN光二極體，51 :受光部窗電極，52 :口型3-810層，53:1型3-31層，54:11 型 a — SiC 層，55 :A1— S i— Cu 層，60 _薄 膜電晶體，61 :源極層，62 :汲極層，63 :通道層 ，6 4 :閘極絕緣膜，6 5 :閘極電極，6 6 :層間絕緣 膜，67、68:電極，69:保護膜。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A·)規格（210 X 297公髮） -44 - ----^ — L----I -叙— — II 訂---------綠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 42686 9 A8 B8 C8 D8 〃、申請專利範圍 1 . 一種三維裝置之製造方法，屬於將配置於二維方 向之所定領域的複數薄膜裝置層叠層在其厚度方向俾製造 三維裝置的三維裝置之製造方法，其特徵爲：介經轉印法 疊層上述各薄膜裝置層中之至少一層者。 2 .—種三維裝置之製造方法，屬於基體上，在向二 維方向擴展之所定領域內將構成電路之複數薄膜裝置層疊 層在其厚度方向俾製造構成三維方向之電路的三維裝置之 製造方法，其特徵爲：介經轉印法叠層上述各薄膜裝置層 中之至少一層者。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的三維裝置之製造方 法，其中，上述轉印法係在第1基板上經由分離層形成薄 膜裝置層之後，將照射光照射在上述分離層，在上述分離 層之層內及/或介面產生剝離，並將上述第1基板之薄膜 裝置層轉印至第2基板側者。 4.如申請專利範圍第2項所述的三維裝置之製造方 法，其中，上述轉印法係在第1基板上經由分離層形成薄 膜裝置層之後，將照射光照射在上述分離層，在上述分離 層之層內及/或介面產生剝離|並將上述第1基板之薄膜 裝置層轉印至第2基板側者。 5 .如申請專利範圍第3項所述的三維裝置之製造方 法，其中，上述分離層之剝離係介經構成分離層之物質的 原子間或分子間之結合力消失或減少所產生者。 6.如申請專利範圍第4項所述的三維裝置之製造方 法，其中，上述分離層之剝離係介經構成分離層之物質的 -4t5 - 一 ---_---.-----^------1T------- k (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度遑用中國g家揉準（CNS ) Α4说格（210Χ297公釐） B8 C8 DS 4268 6 9 六、申請專利範圍 # 原子間或分子間之結合力消失或減少所產生者。 7 .如申請專利範圍第3項所述的三維裝置之製造方 法，其中，上述分離層之剝離，係介經由構成分離層之物 質發生氣體所產生者》 8 .如申請專利範圍第4項所述的三維裝置之製造方 法，其中，上述分離層之剝離，係介經由構成分離層之物 質發生氣體所產生者。 9 ·如申請專利範圍第3項所述的三維裝置之製造方 法，其中，上述照射光係雷射光者* 1 0 .如申請專利範圍第4項所述的三維裝置之製造 方法，其中，上述照射光係雷射光者。 1 1 .如申請專利範圍第9項所述的三維裝置之製造 方法，其中，上述雷射光之波長係1 0 0〜3 5 0 nm者 0 1 2 .如申請專利範圍第1 0項所述的三維裝置之製 造方法，其中，上述雷射光之波長係1 00〜350nm 者。 1 3 ·如申請專利範圍第9項所述的三維裝置之製造 方法，其中，上述雷射光之波長係3 5 0〜1 2 0 0 nm 者。 1 4 .如申請專利範圍第1 0項所述的三維裝置之製 造方法，其中，上述雷射光之波長係3 5 0〜1 2 0 0 Π ΙΠ 者。 1 5 .如申請專利範圍第3項所述的三維裝置之製造 本紙張尺度逋用中國國家標丰（CNS ) A4規格（2ΐ〇χ297公釐） ----------^------ir------- ^ (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 426869 六、申請專利範圍 方法’其中，上述分離層係由非晶質矽、陶瓷、金屬或有 機高分子材料所構成者β 1 6 .如申請專利範圍第4項所述的三維裝置之製造 方法，其中，上述分離層係由非晶質矽、陶瓷、金屬或有 機高分子材料所構成者。 1 7 ·如申請專利範圍第3項所述的三維裝置之製造 方法’其中，上述第1基板係透明基板者。 1 8 .如申請專利範圍第4項所述的三維裝置之製造 方法’其中，上述第1基板係透明基板者。 1 9 .如申請專利範圍第1項所述的三維裝置之製造 方法’其中，在上述薄膜裝置層形成連接電極，介經該連 接電極，電氣式地連接鄰接之上述薄膜裝置層彼此間者》 2 0 .如申請專利範圍第1 9項所述的三維裝置之製 造方法，其中，上述連接電極係存在於上述薄膜裝置層之 兩面者。 2 1 .如申請專利範圍第1 9項所述的三維裝置之製 造方法，其中，介經各向異性導電膜接合鄰接的上述薄膜 裝置層彼此間者》 2 2 .如申請專利範圍第1項至第1 8項中任何一項 所述的三維裝置之製造方法，其中，在上述各薄膜裝置層 中所對應之兩層中，在其中一方之層形成發光部，而在另 一方之層形成受光來自上述發光部之光的受光部，介經此 等發光部及受光部，在上述兩層間可實行依光之通信者。 2 3 .如申請專利範圍第1項所述的三維裝置之製造 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) Α4規格（2】0Χ297公釐） I n IT In —Γ n n n n I n T n I ! I n .< «ΛΚ. 0¾ i ---r ^ (诗先E讀背面之注意i項再填寫本瓦) 經濟部智慧財產局員H消費合作社印製 -47 - C8 D8 4 2 686 9 K、申請專利範圍 方法’其中’上述轉印被疊層的薄膜裝置層，係與其他之 薄膜裝置層中之至少一層同時地製造者》 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 4 如申請專利範圔第i項所述的三維裝置之製造 方法’其中，上述各薄膜裝置層中之至少—層，係具有複 數之薄膜電晶體者。 2 5 .如申請專利範圍第1項所述的三維裝置之製造 方法’其中，轉印複數次作爲記億體之上述薄膜裝置層， 俾形成大規模記憶體者》 2 6 如申請專利範圍第1項所述的三維裝置之製造 方法’其中，轉印複數次作爲邏輯之上述薄膜裝置層，俾 形成大規模邏輯者。 2 7 .如申請專利範圍第1項所述的三維裝置之製造 方法’其中•轉印作爲記憶體之上述薄膜裝置層與作爲邏 輯之上述薄膜裝置層，俾形成系統L S I者。 2 8 .如申請專利範圍第2 7項所述的三維裝置之製 造方法，其中，上述邏輯與記憶體，係由不同設計規則所 形成者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 9 .如申請專利範圍第2 7項所述的三維裝置之製 造方法，其中，上述邏輯與記憶體，係由不同設計參數所 形成者》 3 0 .如申請專利範圍第2 7項所述的三維裝置之製 造方法，其中，上述邏輯與記億體’係由不同製造處理所 形成者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（2丨OX297公釐）