TW390998B - Magnetic recording media and magnetic recording system using the same - Google Patents

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A7 B7 _ 五、發明说明（1 ) 發明背景 本發明係關於一種磁性記錄系統，且更特別而言，係 關於一種磁性記錄系統，其具有2 0億位元或更髙之記錄 密度，和薄膜磁性記錄介質具有低雜訊以完成此種系統。 對於具有大容量之磁性記錄系統之需求與日倶增。在 習知技藝中，使用感應頭，其利用由磁通隨時間改變而引 起之電應變化。此種感應頭執行讀和寫。近年來，複合頭 之使用快速的發展，其使用不同的頭以讀和寫，並引進具 有較高霊敏度之磁阻頭當成讀取頭。磁阻頭使用頭元件之 電阻會隨著介質之漏磁通之改變之現象。現今正在發展的 爲一種頭，其具有由多數叠層在多數非磁性層間之磁性餍 所構成之較高霊敏性，且其使用非常大的磁阻改變（大的 磁阻效應或旋轉閥效應）。大的磁阻效應爲由相關於安插 在非磁性層間之多數磁性層之磁化方向之改變而引起之電 阻之.改變。且此相關之方向改變由記錄介質之漏磁通所引 起。 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 現在實際使用之磁性記錄介質之磁性層由合金製成， 其主要成份爲Co，例如CoCrPt，CoCrTa和 CoN i Cr。此種Co合金具有六角密封構造（h cp 構造），其具有一C軸當成磁性簡易軸。因此，較佳的是 ，平面磁性記錄介質具有結晶定向，其C軸位在沿著平面 方向之方向。但是，此種方向是不穩定的，因此，如果 C 〇合金直接位在一基底上時，則無法形成。具有本體中 央立方構造（be c構造）之Cr之（1 0 0 )平面具有 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS)A4規格（ 210X297公羞) 4 · A7 B7 _ 五、發明説明（2 ) 和Co合金之（1 1 . 0 )平面良好的晶格匹配。藉由使 用此種良好的晶格匹配，具有（1 〇 0 )平面之Cr之下 層首先在一基底上製造，而後C 〇合金層磊晶成長在C r 下層上，藉以形成具有定向在平面方向之C軸之（ 1 1 . 0)平面。爲了進一步改善在介於Co合金磁性層 和C r下層間之介面上之晶格匹配，對C r加入第二元索 以增加間隙距離。因此，C 〇合金之結晶定向可進一步增 加，且可增加嫌頑磁力。道些技術之範例爲添加V、Ti 等，如 JP-A-62-257618 和 JP-A — 63 -197018所揭示者。 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印装 (請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 醫用於高密度磁性記錄之圖素包括記錄介質之低雜訊 以及高矯頑磁力。介質雜訊主要由形成在介於記錄位元間 之磁化轉移面域中之不規則鋸齒圚樣所引起的。必需使道 些轉移面域平順以降低介質雜訊。已知細磁晶粒和均匀晶 粒尺寸可有效的降低介質雜訊。結果，可有效的形成下層 之細且均勻晶粒。藉由添加第二元素至C r下層，上述已 知之技術可增加下册之晶格常數，但不會形成下層之細且 均勻晶粒。因此，雎然上述之技術可有效的用以增加燔頑 磁力，但它們無法有效的降低介質雜訊。 磁碟介質之重要需求爲對防霣之改善。由磁碟介質之 可靠度之觀點而言，防霣改善是非常重要之課题，特別是 針對安裝在例如筆記型個人電腦之手提資訊裝置之磁碟臛 動器。除了使用具有Ni P電鍍表面之A1合金基底（以 下稱爲A 1合金基底），使用具有强化表面之玻璃基底或 本紙張尺度適用中國困家樣率（匚阳>六4规格（210><297公秦）5 - A7 B7__ 五、發明说明（3 ) 結晶玻璃基底亦可改善磁碟介質之防震。和習知之A 1合 金基底比較，玻璃基底具有更平滑之表面，由於它可有效 的降低介於磁頭和介質間之飛行空間，其非常通於高密度 記錄。但是，玻璃基底具有一些問题如相關於基底之不充 足黏合和雜質離子之散佈在基底上，或在基底表面之吸收 氣《滲入C r合金下層。由於道些問題，如果玻璃基底受 加熱時，膜黏合特性會特別的受到破壞，如J . Vac .Sc i . Techno 1. A4(3)，1986，第 5 3 2 至 5 3 5 頁所述。 道些問題之對策包括製造例如金屬膜，合金膜，和氧 化膜之薄膜在玻璃基底和C r合金下層間（J P — A — 62-293512，JP-A_2-29923，JP - 5 - 1 3 5 3 4 3 )。 經濟部中央樣準局貞工消费合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再嗔寫本頁) 和A 1合金基底比較，平面磁性記錄介質之玻璃基底 在萵線性記錄密度tt域具有較差的電磁轉換特性。其理由 如下.。直接在玻璃基底上製造或經由如上述習知技藝之金 屬之一或其合金而在玻璃基底上製造之C r合金下層和製 造在A 1合金基底上者比較，並未顯示較强之（1 0 〇 ) 定向。因此，非Co合金磁性層之（11·0)平面之結 晶面（其爲磁性簡易軸）在其變小時，會平行於基底表面 和C軸之平面定向而成長。因此，嫌頑磁力降低且在高線 性記錄密度上之讀出输出降低。再者，如果使用玻璉基底 時，在磁性層中之晶粒變成比使用A1合金基底巨大，且 晶粒尺寸敝佈變大約2 0至3 0%。此爲使用玻璃基底會 增加介質雜訊和降低介質之電磁轉換特性之主要原因。 本紙張尺度適用中國B家標準（CNS) A4規格（ 210X297公卷）6 - A7 _B7_ 五、發明説明（4 ) J P_ A — 4一1 5 3 9 1 0揭示磁性層之晶粒尺寸可受 抑制以防止變成巨大，且如果由Y和Ti ，Zr，Hf， V，Nb，Ta，Cr，Mo，W之一製成之非晶膜插入 玻璃基底和下層間時，亦可改替磁性特性。 但是，以此方法，雎然磁性層之晶粒尺寸可降低至某 種程度，磁性簡易軸之平面分量降低，且如此無法使磁性 頭充份的完成毎平方时2 0億位元之高記錄密度ό再者， 降低晶粒分佈之效果相當少，且無法獏得良好的電磁轉換 特性。 雎然由於磁阻頭具有非常高之讀取霊敏度以致於非常 逋於高密度記錄，但是相關於雜訊之霊敏度亦會變高。因 此，更需要具有低雜訊之平面磁性記錄介質。 即使在高記錄密度時，爲了降低介質雜訊和獲得良好 的電磁轉換特性，必需使晶粒尺寸細小並降低晶粒分佈， 而不會降低Co合金磁性層之hep(11.0)定向。 經濟部中央樣率局貞工消费合作杜印装 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 再者，即使磁碟驅動器之樣本乃製造成用以和低雜訊 平面磁性介質和高靈敏性磁阻頭之結合一起使用時，無法 始終獲得電磁轉換特性。此可歸因於磁頭和平面磁性記錄 介質之獨立發展，和歸因於未充分的考慮用於磁碟«動器 之高記錄密度之磁碟之結合方式。 發明概要 本發明之目的乃在解決上述之間題，並提供具有高可 靠度和毎平方英吋2 0億位元或更高之記錄密度之磁性記 本紙張尺度遄用中國蠲家樣率（CNS ) A4规格（210XW7公廣·）7 - A 7 B7 五、發明説明（5 ) 錄系統，和具有低雜訊以逋於高密度記錄之平面磁性記錄 介質。 依照本發明之一觀點，一種磁性記錄系統，包含：一 平面磁性記錄介質具有一磁性層形成在一單一下屠上或在 —基底上之多數下層上；一驅動單元用以矚動該平面磁性 記錄介質在一寫方向；一磁頭具有讀取單元和一寫單元； 移動單元用以移動該磁頭相關於該平面磁性記錄介質：和 讀/寫訊號處理單元用以由該磁頭讀取一输出訊號和將一 输入訊號寫至該磁頭，其中該磁頭之讀取單元包括磁阻頭 ，且單一下層或多數下層之一由含鈷非晶材料或細晶材料 製成，或由合金材料製成，該合金材料具有至少一元素選 自包括C r，Mo，V和Ta之第三群當成主要成份和含 有至少一元素選自包括B，C，P和Bi之群。 本發明之另一目的乃在消除當膜在玻璃基底加熱後製 造而易於發生之黏合缺點。如果可消除黏合缺點，則可放 宽製造膜之條件以降低記錄介質之雜訊，且剛好在膜製造 之前可加熱基底。因此，可移除吸收在基底表面之雜質氣 體且可改善磁性膜特性之再生率。 經濟部中央樣準局貝工消费合作杜印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如前所述，和習知Ni P鍍A1合金基底比較，由於 C軸之平面分量（其爲C 〇合金磁性層之磁性簡易軸）較 小且結晶晶粒尺寸較大，玻璃基底會降低電特性°磁性層 之結晶晶粒驀晶成長在下層之晶粒尺寸和表面型態所影響 。根據道些知識，發明人藉由改變下層之材料，屠構造， 膜厚度，膜製造條件等而製造各種平面磁性記錄介質，並 本紙張尺度適用中國B家梯準（CNS) A4规格（2丨〇><297公奢）8 - 經濟部中央樣準局貝工消费合作杜_*. A7 __B7_ 五、發明説明（6 ) 結合具有感應頭當成寫單元和磁阻頭當成讀單元之複合磁 頭以評估讀/寫特性。所發現的是藉由使用下層之多層構 造》和藉由插入由含鈷非晶材料或細晶材料製成之新的下 層（以下稱爲第一下層）在基底和由C r合金等製成之 b c c_造下層（其可改替晶各與磁性層之匹配）間，即 可改善《特性。其細節詳細說明如下。 非晶意即一清潔的尖峰無法由X射線練射置測所觀察 到，或清潔的折射點或環無法由《子束折射量測所觀察到 ，而可由暈光折射環而觀察到。細晶意即晶粒尺寸小於磁 性層，且最好具有8 nm或更小之平均晶粒尺寸。 如果含鈷合金含有任何與C 〇形成含鈷非晶或細晶材 料之元素時，多層下層之含鈷非晶或細晶材料並無特別的 限制。如果由含鈷非晶或細晶材料製成之第一下層製造在 一玻璃基底上時，由具有b c c構造之C r合金所構成且 形成在第一下層上之下層（以下稱爲第二下層）之晶粒製 成較細且同時b c c構造之（1 0 0 )平面易於平於於膜 表面而成長。因此，鈷合金磁性膜之晶粒成長且其磁性簡 易軸平行於膜平面方向，而晶粒變小。因此，可增加嫌頑 磁力且可降低雜訊。如果使用未含鈷之非晶或細晶材料時 ，磁性層之晶粒尺寸在苯些例中欒成較小。但是，如寅施 例7所示，如果使用合鈷非晶或細晶材料時，晶粒更細且 晶粒尺寸散佈變成較小。此可歸因於含鈷非晶或細晶材料 形成均勻且細突起在膜表面上，而第二層之晶粒使用此均 匀且細突起當成晶種而成長。 本纸張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（2丨0X297公奢）9 - ---------rr^.------1T----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本霣) A7 B7 五、發明説明（7 ) 較佳的是，第一層之構造爲非晶構造。此種非晶構造 可達成具有比細晶構造更低雜訊之介質，此乃由於第二下 屠和磁性層之晶粒較細。但是，即使第一下層之構造爲細 晶構造，其具有8 nm或更小之平均晶粒尺寸，亦可獏得 良好的電特性。雖然細晶構造產生了稍高之雜訊，由於磁 性層具有强（1 1 . 0 )定向，在髙記錄密度上之讀取输 出變成較大。因此，此種構造逋合使用於具有相當高雜訊 之頭中。 第一下層之特殊材料最好爲Co和至少一添加元素遘 自含 Ti ，Y，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta，W， 經濟部中央樣準扃貝工消费合作社印裝 (請先Μ讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) S i和B (以下稱爲第一群）之群之合金*或選自第一群 之添加元素之氣化物和C 〇之化合物。添加元素之含量最 好在5%或更高和7 0%或更低之範園內。如果添加元索 之澳度小於5 %，磁性層之晶粒變成大於第二下層直接在 玻璃.基底上製造之情形，而如果大於7 0 %C軸由磁性膜 之表面上升之分董變大，且垂直各向異性變强。因此，在 上述範園外的含量並不合逋。特別好的是使用在群中之 Z r，Ta，或W當成第一添加元索，因爲磁生簡易軸之 平面定向分置變强。 第一下層之磁化會影響讀/寫特性。因此，第一下層 最好由非磁性材料製成。但是，由發明人之硏究得知如果 殘餘通密度和第一下層之膜厚度之乘稹爲殘餘磁通密度和 磁性層之膜厚度之乘稹之2 0 %或更小時，沒有任何實際 之問题。如果殘餘磁通和第一下層之膜厚度之乘稹趄過殘 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐）10二 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明（8 ) 餘磁通和磁性厝之膜厚度之乘稹之2 0 %時，藉由使用磁 阻頭而得之输出訊號之基線會振盪，且會增加低頻雜訊。 因此，上述範園之外是不逋當的。爲了避免道些情形，有 效的是使第一下層較薄，增加添加元素之澳度，或增加第 二添加元索。由於Cr，V，Mn (以下稱爲第二群）可 顯著的降低磁化其可有效的當成第二添加元索。 第二下層最好爲C r或C r之合金，且至少一元素選 自Ti ，Mo和V。第二下層可由具有bcc構造之兩層 所構成。如果第二下層由具有至少一元素選自含Cr，. Mo，V和Ta (以下稱爲第三群）當成主要成份和至少 一元索選自含B . C · P和B i (以下稱爲第四群）之合 金所製成，下層之晶粒變成較細且晶粒尺寸變成較均勻。 S此，在下層上製造之磁性層之晶粒變成較細且較均勻， 因此，介質雜訊可進一步降低。 讕1爲在使用Cr 一 1 5%Ti下層或加入5%B之 下層，亦即，Cr 一 1 4 . 3%、Ti—5%B之介質之 B r X t上之S/N和標準化介質雜訊之相依性。道些介 質藉由改變膜構造和處理狀況以獲得幾乎相同的矯頑磁力 而製造。附在毎個元索之頂部之數字或符號表示由原子百 分比（％ )所表示之毎個元素之溫度。標準化介質雜訊界 定爲由隔離讀取訊號和軌寘度之输出所檁準化之介質雜訊 。在下述之說明中，介質雜訊使用標準化介質雜訊所抽空 。標準化雜訊降低約1 5%，且在使用任何B r X t之値 時，和使用CrTi卞屠之介質比較，使用CrTiB下 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐）11 _ (請先»讀背由之注項再填寫本頁) 訂' 五、發明説明（9 ) 層之介質之S/N比可加强。和C r T i下層相似的， CrTi B下層具有bcc構造和（1 0 0)定向，Co 合金磁性層之h c p ( 1 1 . 0 )定向不會受到損壞。 圖2爲介於B加至Cr — l 5%Ti _B下層之澳度 和標準化介質雜訊間之關係。介質雜趴由B之添加而降低 。但是，如果B.澳度超過2 0%時，則喪失雜訊降低效果 。此可歸因於下層之結晶構造之破壞且因使磁性層之結晶 結構受到破壞。如果B澳度小於1 %，則晶粒之精細和均 勻性不足，且因此雜訊降低效果較差。 當加入選自除B外之第四群之元素時，亦可確認雜訊 降低效果。和B之添加相似的，P之添加會顧著的降低雜 訊。另一方面，C之添加會期著的增加矯頑磁力和矯頑磁 力平方S_ ，且Bi之添加允許製造具有良好抗腐蝕之介 質。所添加之元索之澳度最好爲1%或更高或2 0%或更 低，.旦在2至8%之範圍內，可獲得具有低雜訊之介質。 經濟部中夾樣率局員工消费合作社印製 (請先《讀背面之注$項再填寫本頁) 爲了改替在介於下屠和C 〇合金磁生層間之介面上之 晶格匹配和爲了改替磁性特性，可添加如V，Mo和T i 之元索。已確認的是，如果選自第四群之元素加至C r V 合金或C rMo合金下屠時，晶粒製成較細且均勻如同其 添加至C i Ti合金，且會發生雜訊降低之效應。和具有 含有由第四群所選出之添加元索之C i T i或C rMo合 金之介質比較下，具有含有選自第四群元索之添加元素之 C r V下層之介質具有特別良好的覆寫特性。如果第四群 加至C rMo下層中，即使在相當低溫下，亦可達成强的 本紙張尺度適用中國國家榣準（CNS ) A4规格（210X297公釐）12 * 經濟部中央橾準局負工消费合作社印裝 A7 B7_ 五、發明说明（1Q) b c c ( 1 0 0 )定向和良好的結晶結構。因此，碳保護 膜可在低溫下製造，且具有改善之膜品質，因此可達成具 有良好C S S效能之介質。此合成比較可說明如下。特別 的，具有添加T i用以改替晶格匹配之B添加C r T i合 金之下層之介質具有C 〇合金之磁性簡易軸，强烈的定向 在平面方向上，且晶粒製成細且均勻至一相當大的程度。 因此，可達成具有良好讀和寫特性且可滿足高解析度和低 雜訊之介質。 磁性層可使用具有Co之合金當成主要成份，如 CoCrPt »CoCrPtTa»CoCrPeTi * CoCrTa，和CoNiCr。爲了獲得高的矯頑磁力 ，最好使用含P t之C 〇合金。亦可使用含稀土元素之磁 性合金，如SmC 〇和F e SmN。値得注意的是，

Sm C 〇合金膜可由非常細之晶粒製成。但是，由於介於 晶粒.間之磁性交互作用相當强，毎個晶粒並非獨立的，且 磁性的離散。如果此膜製造在具有b c c構造之下屠上時 ，製造在毎個下靨晶粒上之SmC 〇合金晶粒之集合需考 慮作用當成一磁性單元。依照本發明，由含鈷非晶或細晶 材料製成之第一下層形成第二下層之細晶粒。因此， SmC 〇合金之磁生單元亦製成較細，以降低介質之雜訊 。磁生餍亦可構造成單一屠或安插有中介層之多數層。在 此例中，如申請專利範園所述之磁性餍之厚度t窟即磁性 層之整《厚度。 關於磁性層之磁性特性方面，最好設定矯頑磁力爲 本紙張尺度適用中困國家標率（CNS M4規格（210X297公釐）13 - (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) -裝· - 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印装 A7 _B7_'___ 五、發明说明（11 ) 1 . 8千粤斯特（kito oersteds)或更高，其乃藉由應 用磁場在寫方向而量測，且殘餘磁通密度B r和膜厚度1 之乘積爲2 0高斯·微米或更大至1 4 0高斯•微米或更 小，此乃因爲在在毎平方吋2 0僚位元之記錄密度範圔可 獲得良好的讀和寫特性。最好不要使矯頑磁力小於1·8 k 〇 e，因爲在高記錄密度（2 0 0 KFC I或更高）上 之输出會降低。如果BrXt之乘稹大於1 4 0高斯•微 米，則解晰度下降，而如果BrXt之乘稹小於2 0高斯 •微米，則讀取输出變小。因此输出範圍較差。 用於磁性餍之保謨層乃藉由沈積5至3 0 nm厚之碳 而形成，和形成厚度由1至2 0 nm由例如吸收性全氧烴 基聚醚製成之濶滑屠。以此方式，可得具有高可靠度且可 進行高密度記錄之磁性記錄介質。較好的是使用一添加以 氫之碳膜，由例如碳化矽，碳化鎢，（W_Mo〉一C和 (E.r — N b ) — N之化合物製成之膜，或由上述化合物 和碳之混合物製成之膜當成保護層，因爲如此可改善滑動 阻力和磨損阻力。由於介於頭和介質間之接觸面稹需要降 低，最好使用細膜等經由電漿蝕刻以形成突起在沈稹保護 層之表面上，或使用化合物之粑或混合材料以形成不同相 之突起在保謨層表面，或藉由熱處理而形成細突起在保護 層表面上，如此可防止在C S S操作時，頭和介質表面之 黏合。 已發現如果使用本發明之含鈷非晶或細晶材料製成之 第一下層時，即使第一下層在玻璃基底加熱後製造，黏著 本紙張尺度適用中國困家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐）14 - ---------------1Τ----- (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（12 ) 特性亦是良好的，如同基底未加熱之例。此種良好的黏著 特性乃導因於介於第一下層之主要成份之鈷和玻璃基底之 矽或氧間之强鍵結。如果使用選自第一群之添加元素之氧 化物和鈷之化合物，可進一步改善相關於玻瑰基底之黏著 物性，且此種化合物特別適用於磁頭滑動器之飛行量（介 於磁頭和介質問之空間）較小且其間之接觸易於發生之例 中。如上所述，依照本發明，無需用於改善黏著特性之特 殊層。但是，一下層可由低熔點金屬，如A1和Ag，此 種金屬之合金，或金屬化合物製成以製造在基底和第一下 層之間，以形成在介質表面上之突起和改S S特性。 如果第二下層由具有至少一元素選自含Cr，Mo， V和T a之第三群當成主要成份和令有至少一元素選自含 B，C，P和B i之第四群之合金所製成時，第一下層可 由具有含鈷非晶或細晶材料之合金製成之層或丁 a之定向 控制膺，以使第二下屠具有（1 0 0 )定向。 如果例如Ti ，Er和Cr之金屬或其氧化物在定向 控制層和玻璃基底間製造時，可改善相關於玻璃之黏著特 性，且可抑制在基底上之吸收氣體之擴散和在玻璃上之雜 質離子之擴散，因此可能良好的磁性特性。 和玻璃基底相似的，可確認的是使用上述之下層可使 磁性層之晶粒變細且均勻，即使使用N i —P鍍A 1合金 基底。 較佳的是，設定介於兩遮蔽層間之空間（遮释空間） 爲0.35#m或更小，該遮蔽層夾住本發明之平面磁性 本紙張尺度適用中國國家猱牟（CNS ) A4规格（210X297公釐）15 - ---------------訂------/L·. (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印製 A7 £7_ 五、發明说明（13 ) 記錄系統之磁阻頭之磁阻感應單元。設定此種空間之理由 爲如果遮蔽空間爲0 . 3 5//Π1或更大時，解晰度會下降 且訊號抖動變大。 磁阻頭由具有多數導電磁性層和位在磁性層之間之導 電非磁性層之磁阻感應器所構成。道些感應器在毎個磁性 層之磁化方向由外部磁場相關的改變時，會產生大的磁阻 改變，其稱爲大的磁阻效應或旋轉値效應。在此例中，可 進一步加强讀取输出訊號，且可完成一磁性記錄系統，其 具有每平方英吋3 0億位元之高記錄密度且具有高的可寒 度。 較佳實施例之詳細說明 <實施例1 > 以下參考圔3A至5說明本發明之實施例1。圔3A 爲依照實施例1之磁性記錄系統之示意平面圓，和圖3 B 爲磁性記錄系統之示意横截面圈。此系統具有之梅造包含 磁頭1，靨動器2，用於磁頭之讀/寫訊號處理單元3， 磁性記錄介質4，和用以轉動磁性記錄介質之驅動器5。 磁頭之梅造如圓4所示。此種磁頭爲一複合磁頭，其 在基底6上分別形成有感應頭用於資料寫入和磁阻頭用於 資料讀取。資料寫入頭由一上寫入磁極8，一下寫入磁極 ，和夾住一線圈7之上遮蔽層9所構成，介於寫入極間之 間陳層之厚度股爲0.3厚之Cu製成。讀取頭由磁 阻感應器1 0和由感應器1 〇之相反側延伸之電極圆樣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐）16 - ~ -------->(Ί^-- (请先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明（14 ) (請先聞讀背面之注$項再填寫本買) 11所構成。磁阻感應器夾在下讀取磁極和上遮蔽層和下 遮蔽層1 2間，且兩遮蔽層皆具有1 pm之厚度。串於兩 遮蔽層間之距離爲0 . 2 5//m。在圚4中，省略介於寫 入磁極間之閜隙層和介於遮蔽餍和磁阻層間之間嫌層。 騙5爲磁阻感應器之棋截面構造。磁感應器之訊號感 應面域1 3爲横向偏壓層1 5 ,分離層1 6，和磁阻鐵磁 屠1 7循序的形成在由A 1氧化物製成之間隙層1 4上* 層而成。磁阻鐵磁層由2 0 nm之N i Fe合金製成。横 向偏壓層由2 5 nm之N i F e製成。亦可使用其它的薄 磁合金如N i F e Rh，其具有相當高的電阻和良好的软 磁特性。由流經磁阻鐵磁層之感應電流所產生之磁場在正 交於感應電流之膜平面方向（横向方向）磁化横向偏壓層 ，因此，偏壓磁場可應用至在横向上之磁阻鐵磁層。因此 ，所形成之磁感應器可產生線性於介質之漏磁通之讀取输 出'用以防止在磁阻鐵磁層中之感應《流流入横向偏壓麿 之分離層乃由T a製成，其具有相當髙的電阻且膜厚度設 定爲5 n m。 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 訊號感應面域之相對端具有推拔面域1 8。推拔區域 由用以使磁阻鐵磁層具有單一磁領域之永久磁層19和形 成在永久磁層上用以拾取一讀取訊號之一對電極11所構 成。所需的是*永久磁層需要具有大的矯頑磁力，且不能 輕易的改變其磁化方向。可使用例如C 〇 C r和 CoCrPt之合金。 圖6爲實施例1之平面磁性記錄介質之層構造°基底 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）17 · A7 _B7__· 五、發明说明（15 > 2 0由化學强化蘇打鈣玻璃以鎗洗清溶液清洗和旋轉乾燥 而製成。在基底2 0上，以DC濺鍍製造5 0 nm之第一 下層2 1，Cr 一 1 5%Ti合金製成之3 Onm第二下 層 2 2，Co_2 0%Cr_l 2%Pt 之 2 Onm 之磁 性層2 3，和1 0 nm之碳保護膜2 4。第一下層之製造 無#對基底加熱，而後基底以一燈加熱器加熱至2 5 0 °C ，以在第一下層上製造層。在製造碳保護膜後，塗覆以由 碳氟化物楫释之全氟烴基聚醚而形成一潤滑層2 5。使用 C r 一 1 5%T i當成第一下層之介質在如上述相同之條 件下製造且使用當成比較例。 實施例1之介質具有2 6 2 Ο 〇 e之矯頑磁力，其比 比較例之介質高約4 0 0 〇 e，且乘稹BrXt，亦即， 殘餘磁通密度X磁性層厚度，爲8 5高斯•微米。此介質 和磁性記錄系統組裝且在210 KBPI之線性記錄密 度和_9 . 6KTPI之軌跡密度下評估讀/寫特性。結果 可得1 . 8之S/N比，其高於比較例之介質約15%。 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 僅由C 〇 C r Z r製成之單一第一下層乃由如上所述 相同的沈稹方法製成5 O nm厚在一玻璃基底上，而後執 行X射線繞射置射。未觀察到有任何的繞射尖峰。 C o C r Z r合金膜之構造以一透射電子顯微銳（TEM )觀察。可觀察到如圓7所示之TEM影像和有限視角折 射圖樣。在圖7之右上角之白黏和環爲有限視場繞射圖樣 。此種有限視場綸射圖樣由約0.5微米直徑之面域而得 。指示晶格構造之呈現之晶格影像並未在TEM影像中觀 本纸張尺度適用中困國家橾率（CNS ) A4规格（210X297公釐）18 - 五、發明说明（16) 察到。此種有限視場繍射圚樣顯示特別對一非晶構造之光 圈繞射環。由道些事實可知，第一下層之C 〇 C r Z r合 金具有非晶構造。在第一下層之表面上，點反射在一細撖 突起上之變化深度可在TEM影像中觀察到。此突起以數 n m之節距而相當的均勻。 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 對由層至碳保護Λ而製造之實施例1之介質和對比較 例之介質執行X射線繞射置測，且可得圔8所示之繞射圖 樣。在比較例之介質之繞射圚樣中，由於第一和第二下層 具有相同的組成，因此無法辨別介於第一和第二繞射尖峰 。亦無法辨別介於下層之本體中央立方構造（b c c構造 )之（1 1 0 >尖峰和六邊密封構造（hep構造）之（ 0 0 . 2)尖峰，因爲它們互相重叠。但是無論如何，第 二下層並未具有如實施例1之介質之强（1 0 0 )定向， 而具有不同定向之多數晶粒之混合相位。因此，磁性層之 C o.C r P t合金結晶採用各種不同的結晶定向，且在 C oC r P t磁性層中可觀察到多數之繞射尖峰。相反的 ，在實施例1之介質之例中，第一下層之C 〇 C r Z r合 金並未覲示如上述之艉射尖峰，如圚8所示之繍射尖峰爲 第二下層之bee (2 0 0)尖峰和（：〇0：『？1磁性層 之h cp (1 1 . 0)尖峰。由道些亊實可了解的是，在 非晶構造之C 〇 C r Z r合金層上製造之第二下層之 C rT i合金具有（1 00 )定向，且經由磊晶成長而在 第二下層上製造之CoCrPt磁性層具有（1 1 . 〇) 定向。因此，爲C 〇 C r P t合金之磁性簡易軸之C軸之 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）19 · 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明说明（17 ) 平面分量會增加，且可得良好的磁性特性。由TEM可觀 察到磁性餍之晶格影像。結果顯示實施例1之 CoCrPt合金之平均顆粒尺寸約16.lnm，其較 之比較例小3 nm。置測單曆C 〇 C r Z r合金膜之磁化 且不會獲得清楚的磁滞曲線。因此*可假設該合金膜爲非 磁性。 <資施例2 > 和實施例1相似的，使用具有C oMn Ta之第一下 層之平面磁性記錄介質和磁性記錄系統結合。 此介質之膜構造和實施例1相似。在强化玻璃基底加 .熱至1 5 0 °C後，在1 0 m T 〇 r r之氫添加以5 %之氮 之混合氣髏下，製造3 0 nm厚之Co_3 6%Mn_ 1 0%T a之第一下層。在基底再度加热至2 5 0 °C後， 循序的製造3 Onm之CrV合金之第二下層，3 0 nm 之CoCrNi P t合金磁性層，和1 Onm之碳保護膜 。在第二下層上之每一層在5mTo r r之純氫氣壓下製 造。所得介質之嫌頑磁力爲2 5 6 0 〇 e。爲了硏究Co —3 6%Mn — 1 0%Ta之單一第一下層之磁化和膜構 造，在和上述相同的狀況下，在强化玻璃基底上製造3 0 n m之單一層。置測此單一層之磁化。飽和磁通約8 0 G 。以TEM影像評估晶粒尺寸。C oMn Ta合金單一層 之平均晶粒尺寸約3 n m或更小。對具有層達到碳保護層 之介質執行X射線綸射量測。和實施例1相似的，第二下 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS > A4洗格（210X297公釐_) 2〇 - (請先聞讀背面之注f項再凑寫本X) 裝· 訂 汰---------------- 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（18) 層之C rV合金具有（1 0 0 )定向，且由於磊晶成長， CoCrNiPt合金具有（11 . 0)定向。而後執行 磁性層之CoCrN i P t合金之TEM觀察。平均晶粒 尺寸約1 911111。在實施例2中，以DC濺鍍製造膜。亦 可使用具有和上述相同優點之其它方法，如離子束濺射和 E C R濺射。 在澗滑材料塗覆後，在21OKBPI之線性記錄密 度和9 . 6 KTPI之軌密度之條件下，量測讀/寫特性 。此系統顯示1.8高的S/N比。執行接觸啓始/停止 (C S S )測試，且在C S S測試執行三萬次後，磨擦係 數爲0 . 3或更低。在頭捜尋測試由介質之內至外邊綠執 行五萬次後，位元錯誤之數目爲10位元/表面或更小， 且在錯誤發生之前可達成在三十萬小時之平均時間。 <資施例3 > 爲了硏究膜黏著特性，下述之單一第一下層在玻璃基 底上製造，並執行剝落測試。 單一第一下層由實施例1和2之C 〇 C r Z r合金和 CoMnTa 合金，Co — 3 0%Cr 合金，和 Co — 2 0%Cr-l 0%Si 〇2 合金所製成。CoCrZr 合金和C oMn Ta合金之單一屠以上述相同之條件製造 在玻璃基底上。CoCr合金和CoCrS i 〇2合金之 單一層在和實施例2相同的條件下製造在玻璃基底上。藉 由以刮刀刮膜表面以形成3mmX 3mm之2 5小塊，黏 本紙張尺度適用中國«家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐-)21 - ---------------tx------ (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（19) 著帶在膜表面上，和在4 0至4 8小時後剝落賅帶：以執 行剝落測試。由剝離1Ϊ域比例而評估膜黏著特性。由含鈷 合金製成之第一下層具有良好的黏著特性。由（：〇和氣化 物之化合物製成之第一下册和實施例2之第一下靥比實施 例1之第一下層好。 <實施例4 > 和資施例1相似的*使用具有C 〇 C rW合金之第一 下層之平面磁性記錄介質和磁性記錄系統結合。 和實施例1相似的，Co — 2 5%Cr — 1 2%W合 金沈積在一强化玻璃基底上。在此例中，基底並未受到加 熱，且當合金膜製造時，氬氣壓在5至3 OtnTo r r之 範園內改變。在下層形成後，基底加热至2 2 0 °C以循序 的製造5 0nm之CrMoTi»，2 5nm厚之 Co.CrPtTa磁性層，和1 Onm之碳保護層。 經濟部中夬橾準局員工消费合作社印裝 (請先閱讀背面之注$項再填寫本買) 和實施例1和2相似的，在5M2 5mTo r r之範 園之氬氣範園下，只有C 〇 C rW合金之第一下層製造在 —玻璃基底上，並執行X射線練射量測。在膜沈稹時，在 5至1 Om To r r範圍中之相當低之氬氣壓下，在 CoCrW單一層中可觀察到强的hep (00 . 2)尖 峰，並發現此層具有定向在（0 0 . 1 )平面中之h cp 梅造。當氬氣壓增加時，（0 0 . 2 )尖峰之强度顯著的 降低，且在1 5mT o r r或更髙之氣壓下，無法觀察到 清楚的緯射尖峰。具有達到碳保護膜之層之介質受到X射 本紙張尺度逍用中國國家棵率（CNS M4規格（210X297公釐-)22 - 經濟部中央樣準局負工消费合作社印31 A7 B7 五、發明说明（2G ) 線繞射纛測。由所量測之繞射圓樣，可計算c r Mo合金 之第二下層之（2 0 0 )尖峰對（1 0 0 )尖峰之强度比 例和磁性餍之（1 1 · 〇)尖峰對（〇〇 . 2)尖峰之强 度比例，並檢査在膜沈稹時，相關於氬氣壓之關係。此種 結果顯示在圚1 〇中。參考圓1 0，ICo 1 1 . 0意即 CoCrPtTaif之<11 . 0)嫌射尖峰强度。對於 其它的尖峰强度亦採用如似的標示。在第一下層沈稹時， 在1 0mT〇 r r或更低之氬氣壓下，CrMo合金之第 二下層顯示bcc (110)定向且CoCrPtTa合 金之磁性層顯示hep (1 0 · 1 )定向。在1 5 mTo r r或更髙之氬氣壓下，第二下層之< 1 1 0 )尖 峰强度顯著的降低，而（2 0 0 )尖峰隳著的增加。相似 的，C 〇 C r P t Ta合金磁性層之尖峰强度比例顯著的 改變且（1 1 . 0 )尖峰顯著的增加。圚1 1爲在 C 〇. C rW合金層之沈稹時，介於介質之嫌頑磁力和氣壓 間之關係。矯頑磁力在結晶定向顯著改變之邊界上在接近 10至1 5mTo r r之氬氣壓下顯著的上升。由上述之 觀察可知，如果C 〇 C rW合金之第一下層在1 5 mTo r r或更高之氬氣壓下製造時，此下層變成非晶或 細晶，因此，CrMo下層採取（100>定向且 CoCrPtTa磁性層採取（1 1 . 0>定向，和矯頑 磁力增加。 即使第二下屠由例如C r T i和C r V之其它C r合 金製成，或即使磁性層由例如C o C r P t和 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS } A4规格（210X297公嫠-)23 · (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 __B7 __五、發明说明（21) C 〇 C r Ta之其它C 0合金製成時，亦可發現相似的趙 勢0 在塗覆潤滑材料後，在2 1 OKBPI之線性記錄密 度和9.6KTPI之軌密度之條件下，量測臏/寫特性 。在C 〇 C rW合金之沈稹時，當氬氣壓增加下，可改善 系統之S/N比，且在1 5mTo r r或更高下，S/N 比爲1 . 6或更高。在頭搜尋測試由介質之內至外週緣執 行五萬次後，位元錯誤之數目爲10位元/表面或更小， 且在錯誤發生之前可違成在三十萬小時之平均時間。 〈資施例5 > 使用圊1 2所示之感應器當成和實施例1相似之磁性 記錄系統之讚取磁頭。此種感應器之構造爲在一間嫌層 14上，循序的製造5nm之Ta緩衝層，7nm之第一 磁性層2 7，1 . 5nm之Cu中介層2 8，3nm之第 二磁性層2 9，和1 Onm之Fe — 5 0%Μη之抗鐵磁 合金》3 0。第一磁性層由N i — 2 0%Fe合金製成， 和第二磁性層由C 〇製成。藉由交換抗鐵磁層之磁場，第 二磁性層之磁化乃固定在一方向。在第二磁性層下，和非 磁性層接觸之第一磁性層之磁化方向隨著磁性記錄介質g 漏磁場而改變，因此，電阻亦會改變。和兩磁性層之磁化 方向之相關改變一起改變之電阻變化稱爲旋轉閥效應。在 實施例5中，使用此效應之旋轉閥型磁頭使用當成讀取頭 。推拔區域具有和實施例1相同的構造。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐-)24 - A7 B7 五、發明说明（22) 使用在實施例5之磁性記錄介質具有第一下層，第二 下層，磁性層，碳保護層，其以和實施例1相同的製造方 法而循序的製造在玻璃基底上。第一下靨由2 0 nm之 Co — 4 0%V-1 2%M合金製成（M=Ti ) ，Y， Zr，Nb，Mo，Hf，Ta，W，B)，第二下層由 5 0 nm之CrT i合金製成，和磁性層由2 2 nm之 CoCrPt合金製成。 TEΜ觀察結果顯示第一下層爲非晶構造或接近非晶 構造之細晶構造。X射線繞射置測結果爲C r T i合金之 第二下層具有（1 0 0 )定向和Co C r P t合金之磁性 層具有（1 1 . 0 )定向，對於以任何一個Co - V —Μ 合金製成之第一下層而言，亦保持如上述之趙勢。表1類 示具有由C ό _V — Μ合金製成之第一下餍之記錄介質和 CoCr P t磁性層之嫌頑磁力，矯頑磁力平方，和（ 1 1. 0)尖峰對（1 0 . 1)尖峰之强度比（標示以 I C 0 1 1 . 0 / I C 0 1 0 . 1 ) 0 (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) 裝· 經濟部中央樣準扃貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS > A4规格（210X297公*·) 25 -

A B7 五、發明説明（23) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝

(請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -裝-

、tT 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS > A4规格（210X297公釐-)26 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印簟 A7 B7_ 五、發明说明（24 ) 表1躓示具有由C r製成之第一下層之比較例。比較 例之第二下層CrTi具有强的（11〇)定向，因此， CoCrPt磁性層具有（10.1)定向，且無磁性層 之尖蜂（11·0)。相反的，實施例5之介質之每個 CoCrPt磁合金具有强（I1.0)定向。因此，磁 性合金之磁性簡易軸之C軸之平面分Μ較大，且可得高矯 頑磁力和高矯頑磁力平方。特別是，如果M=Zr，Ta 或W時，CoCrPt磁性層之（11.0)繞射變成較 强，且磁性簡易軸之平面分置變成較大。 在塗覆潤滑材料後*在每平方时3 0億位元之記錄密 度之條件下，量測讀/寫特性。每個記錄介質顯示1.6 或更髙之髙S/N比。即使在C S S測試執行三萬次，實 施例5之毎個介質具有0.2或更小之磨擦係數，且所顯 示之CSS特性比實施例2之介質佳。 <實施例6 > 和實施例1相似的，使用具有第一下層之平面磁性記 錄介質和磁性記錄系統結合。使用添加以例如Ti ，Yi ，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta，W和B之氧化物之 Co — 3 0%Cr合金之層用於第一下》以取代實施例2 之 Co-30%Cr - 10%Zr 合金屠。 TEM觀察結果期示第一下層爲非晶構造或接近非晶 構造之細晶構造。X射線嫌射置測結果顯示C r T i合金 之第二下層具有（1 0 0 )定向和CoCrPt合金之磁 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐_) . (請先《讀背面之注$項再填寫本I ) 訂 A7 _ B7_ 五、發明説明（25) 性層具有（1 1 . 〇 )定向。表2顯示使用毎個第一下層 之介質之矯頑磁力，矯頑磁力平方，和ICol1·〇/ I C 〇 1 0 . 1之比例。 (請先閏讀背面之注$項再填寫本頁) 裝-------訂 ▲ 經濟部中央標準局貝工消费合作社印袈 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS > A4規格（2丨0><297公釐-)28 -

A B7 五、發明说明（26) 經濟部中央標準局負工消费合作社印褽

(請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐-> 29 經濟部中夬揉準局貝工消费合作社印轚 A7 B7五、發明説明（27) 如表所示，如果添加Z r，Ta，或W氣化物時， CoCrPt磁性層之（1 1 · 0·)練射尖峰變成較强， 且磁性簡易軸之平面分置變成較大。 在塗覆潤滑材料後，在毎平方时2 0億位元之記錄密 度條件下，置測讀/寫特性。毎個介質顯示1.6或更高 之高S/N比。即使在C S S測試執行三萬次後，資施例 6之每個介質具有0·2或更小之磨擦係數，且所顔示之 C S S特性優於資施例2之介質。 <實施例7 > 製造具有和資施例1相同膜構造之平面磁性記錄介質 ，其第二下層由包括1 Onm之Cr層和2 Onm之Cr —1 5%T i合金層之兩層所梅成。其它的構造和膜沈稹 處理和實施例1相同。關於比較例方面，其磁性記錄介質 具有第一下層由Y (乙）一Μ合金（M=Ti ，Nb，V ，T a )或C τ製成。 實施例7之介質之矯頑磁力爲2 7 1 0 ο e。具有第 一下層由Y—Μ合金而M=V之比較例之介質之矯頑磁力 爲2 0 3 0 〇 e，其小於實施例7之介質。對於M=Ti ，N b和T a可得相似的爝頑磁力。此種矯頑磁力之差異 乃導因於磁性層之（1 1 . 0 )定向之强度差異。亦即， 如果使用Y—Μ合金當成第一下層時，磁性層之< 1 1 . 0 )定向無法如實施例1之介質之强，因此無法獲 得良好的磁性特性。圓13Α爲由ΤΕΜ平面影像而得實 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4规格（2丨0X297公釐-> 30 - 經濟部中央揉準局負工消费合作杜印製 五、發明説明（28) 施例7之介質之磁生層中之晶拉尺寸分佈。圖13B爲由 圖1 3 A所示之資料而得之累稹區域比例曲線，其指示介 於晶粒尺寸和尺寸小於晶粒尺寸之晶粒之區域比例間之關 係。由此資料而得之平均晶粒尺寸爲17.5nm，且尺 寸散佈爲10.1nm。平均晶粒尺寸<D>設定爲圖 1 3 B之累贅ffi域比例之5 0 %値上之晶粒尺寸，且晶粒 尺寸散佈宽度DD設定爲介於在累稹BE域比例之7 5 %和 2 5%値間之差異。表3顯示實施例7和比較例之介質之 平均晶粒尺寸和晶粒尺寸散佈宽度。 表3 • 第一下餍 <D> <△ D> 實施 Co-30 at * Cr-10 at X Zr 1 7.5nm 10 . Inn 例 比較 V-10 at % Y 19.8nnt 12.7nra 例 Cr 21 . 0nm 13 . 1 nm 和由Y — V合金或C r製成之第一下層比較，由C 0 本紙張尺度逋用中國國家梯率（CNS>A4規格（2丨0X297公釐31 - (請先聞讀背面之注意事項再填窝本頁> 經濟部中央揉準局員工消*合作杜印製 A7 _B7__五、發明说明（29) 合金製成之第一下層具有磁性層之晶粒尺寸細約1〇至 2 0%，且晶粒尺寸散佈宽度窄約2 5至3 0%。此可賺 因於在第一下層之C 〇合金之表面上，晶種產生側之分佈 更爲均匀。 在和實施例1相同的條件下，評估讀/寫特性。實施 例7之介質具有1.9之S/N，而具有第一下層由Y— Μ合金製成之比較例之介質具有約0 . 8至1 . 12S/ N比。如前所述，此可歸因於由於由b c c下層之弱（ 100)定向而引起之磁性層之弱（11·0)定向之降 低讀取输出和由於C 〇合金磁性層之不規則晶粒尺寸而引 起之增加介質雜訊。當磁生層由非C 〇合金製成時，可觀 察到道些趨勢。由上述可了解的是由C 〇合金製成之第一 下層可提供比由Y - Μ合金製成之第一下層更好之效能。 第二下層由C r和C r和C r T i兩層製成之介質具有比 實施例1之介質更高的矯頑磁力和高的S/N比。此乃因 爲在第一 C 〇合金下屠上之C r可提供比C r T i更强之 (1 0 0〉定向。 <實施例8 > 和實施例1相似的，使用平面磁性記錄介質和磁性記 錄系統結合。此磁性記錄介質具有第一下詹，第二下層， 第三下層* C 〇合金磁性層，和碳保護膜，分別製造在加 化玻璃基底上。第一下屠之主要目的乃在防止離子和吸收 氣《之滲透在玻璃中，且提供相關於玻璃之良好黏著特性 ---------------ir----- (請先《讀背面之注f項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS>A4規格（ 210X297公釐-)32 - A7 B7__ 五、發明説明（30) 。第二下屠之主要目的乃在提供第三下層之C r B合金之 (1 0 0 )定向。第三下»之主要目的乃在提供Co磁性 層（1 1 · 0)定向。第一下層由50nmZr製成，第 二下層由1 OnmTa製成，第三下層由添加以5%B至 3 0 n m (：1*_15%1'1合金而形成之（：1·-1 4 . 3%Ti —5%B合金製成，磁性層由（：〇 — 2 0 %Cr — 1 2%Pt合金製成，和保護層由碳製成。道些 層循序的在眞空下製造，所有的層以D C濺鍍在5 mTo r r之fi氣應力下，在5至8 nm/s e c之膜沈 稹速率下沈寶。在第二Ta下層製造後，基底加熱至 3 0 0 °C。潤滑層乃藉由塗覆以以碳氟化合物稀耨之合氟 烴基一聚醚而製造。具有第三下層由Cr一15%Ti合 金製造且未添加B和矯頑磁力大約和實施例8相同之介質 乃使用當成比較例。 經濟部中央橾準局男工消费合作杜印裝 {請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) .實施例8之介質具有2 9 0 0 〇 e之矯頑磁力和Br X t爲8 2高斯•撤米。實施例8和比較例之介質乃和磁 性記錄系統組合，如實施例1，且在3 0 nm之頭飛行置 ，2 1 0ΚΒΡΙ之線性記錄速度，和9 . 6KTPI之 軌密度之條件下，評估讀/寫特性。和比較例之介質比較 ，實施例8之介質降低約2 0%之正常介質雜訊，並改善 了約1 0 dB之覆寫特性。因此，在每平方时2 0億位元 之記錄密度下，可達成良好的讀/寫特性。由上述可知， 添加B至下層可有效的降低介質雜訊和改善覆寫特性。 本纸張尺度適用中國國家揉率（CNS > A4规格（210X297公釐4 33 - 經濟部中央標準局WC工消費合作杜印裂 A7 _B7_五、發明说明（31 ) <實施例9 > 和實施例1相似的，使用形成在具有2.5的直徑， 0 . 6 3 5nm厚度和鏟Ni P表面之A1合金基底上之 平面磁性記錄介質和磁性記錄系統結合。 在構造在週緣方向之N i P/A 1合金基底加熱至 3 0 0 1後，循序的製造1 0至3 Onm2Cr- 1 4 · 3%Ti -5%B 合金層，2 Onm 之 CoCrPt合金層，和1Onm之碳保護層。當製造磁 性層時，ft氣壓在5至1 5mTo r r之範園改變。介質 之BrXt在7 0至9 0高斯•微米之範園改變。由於基 底之構造，介質之週緣方向之磁性名向異性。因此，在週 .緣方向之嫌頑磁力大於在徑向上之矯頑磁力，且其定向比 爲1. 4至ί · 6。因此，在寫方向中之磁化方向穩定且 可得良好的寫特性。 .在和實施例1相同的條件下評估介質之讀/寫特性。 介於矯頑磁力和覆寫特性間之關係如圖1 4所示。在園 14中，顯示比較例之評估結果，比較例之介質由和資施 \ 例9相同的方法製造，且具有未添加Β之Cr一15% I T i下層。如果互相比較具有相同程度之矯頑磁力之介質 時，具有Cr一14.3%Ti—5%B下層之介質之覆 寫效能改善了約1 5 d B，其表示B之添加至下層改善了 覆寫效能。在每平方时20億位元之記錄密度上，讀/.寫 特性相當良好。 - X射嫌繞射置測之結果爲C r T i B下層具有强 ^紙張尺度通用中國國家梂率（CNS>A4规格（ 210X297公釐% . (請先《讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部中央標準扃負工消费合作杜印11 A7 B7五、發明说明（32) bcc (100)定向，和形成在其上之CoCrPt磁 性層具有由磊晶成長引起之强（1 1 · 0 )定向。此定向 和使用C r T i下層且未添加B之例相似。亦即，即使添 加B，下層之定向不會改變，因此，不會破壞具有良好磁 性特性之CoCrPt磁性層之（11 . 0)定向。 請 先 聞 背 面 之 注 <實施 雎 但是使 相似的 以 理。在 以D C n m之 性》， 二下層 金方面 C r - 例1 0 > 然平面磁性記錄介質具有和實施 用了實施施例5之感應器當成讀 ，平面磁性記錄介質和磁性記錄 下說明實施例10之平面磁性記 N i P/A 1構造基底以一燈加 濺銨循序的製造2 0 n m之第一 第二C r B合金下Λ» 2 5 nm 1 0 n m之碳保護層。第一 C r bcc (100)定向。關於第 ，可使用 Cr — l 4 · 3%Ti 例1相似的構造， 取頭。和實施例1 系統組合使用。 錄介質之膜沈稹處 热至2 6 0 eC後， C r下層，3 0 之C 〇 C r P t磁 下層作用以控制第 二下層之C r B合 _ 5 % B合金， .3%V-5%B 合金，或Cr 一 1 4 . 3%

Mo_5%B合金。具有由Cr 一 1 5%Ti合金，Cr _1 5%V合金，或Cr — 1 5%Mo合金且未添加B之 第二層之介質亦製造和使用當成比較例 在塗覆湖滑材料後，介質和使用上 性記錄系統組合，且在和實施例1相同 /寫特性。結果癍示在表4中。 述磁阻感應器之磁 的條件下，量測讀

I 旁 裝 訂 本紙張尺度遥用中國國家橾率（CNS)A4規格（ 210X297公釐-)35 - \1/ 3 3 -/V明 説明發 A7B7 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印*.

覆寫性質 [dB] 28. 2 ί_ C<l o CO ΙΑ » 00 卜 • 卜 CO • • ca CO 標準化媒介雜訊 [β Vrms * βΛ1/ζ/β Vpp] 1. 96Χ ΙΟ-3 1_^__ 1. 97X l〇-3 21· 5X l〇-3 16. 7X 10~3 17. 7X ΙΟ-3 _____*__1 1 19. IX 10"3 1 矯頑磁性 [kOe] LO 卜 C<J a> CO 00 C4 00 CO 卜 csa a> c- oa 下曆 Cr-15 at X Ti Cr-15 at % V Cr-15 at X Mo Cr-14.3 at X Ti-5 at « B Cr-14.3 at X V-5 at X B — .. ________1 ! Cr-14.3 at X Mo-5 at % B 比較例 實施例 Λ A (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐-)36 經濟部中央樣準局貝工消费合作杜印裝 A7 B7 五、發明说明（34) 和比較例之介質比較，實施例1 〇之任何介質皆降低 約10%或更大的標準介質雜訊，並改善了覆寫特性。因 此，可在每平方吋2 0億位元之記錄密度下，達成良好的 讀/寫特性。 實施例1 0之介質，亦即具有CrTi B下層之介質 具有最低的標準介質雜訊和最好的覆寫效能。 <資施例1 1 > 和實施例1相似的，平面磁性記錄介質和磁性記錄系 統結合。平面磁性記錄介質具有之下層由Cr—l4.3 %M〇-5%B合金，Cr一14.3%Mo—5%C合 金，Cr-1 4 . 3%Mo - 5%P 合金，或Cr — 14 .3%Mo-5%Bi合金所構成。 在Ni P/A1基底加热至2 5 0 eC後，循序的形成 30.nm之每個合金之下層，20nm之 C 〇 Cr P t Ta磁性層和10 nm之碳保護層。在塗覆 潤骨層後，在和實施1相同的條件下*量測讀/寫特性。 由3 0 nm之C r T i合金製成之下層之介質亦在相同的 條件下形成和評估，並使用當成比較例。 實施例1 1之介質之所有下層具有b c c構造和（ 1 0 0 )定向，且經由磊晶定向，特性層具有（1 1 . 0 )定向。實施例11和比較例之介質之讀/寫特性如表5 所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（ 210X297公釐·）37 · ---------------tr------ (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 五、發明说明（ 35 A7 B7

In谳 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 覆寫性質 [dB] 04 r-H CO OO * CO 33. 1 t- • in • CO 檩準化媒介雜訊 [β Vrms * βη1/ζ/β Vpp] 19.1X ΙΟ-3 16. 8X 10~3 18. 2X ΙΟ-3 17. 2X 10~3 1 18.3X10-3 矯頑磁性 [kOe] oo in cnj OO 03 卜 CS1 2. 79 CD CM 下層 1 _______________ Cr-15 at % Ti Cr-14.3 at X Ti-5 at X B Cr-14.3 at X Ti-5 at X C Cr-14.3 at % Ti-5 at X P Cr-14.3 at X Ti-5 at % Bi 比較例 實施例 11 (請先閱讀背面之注$項再填寫本I ) ---------------Γν·^.------訂 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS>A4規格（ 210X297公釐_) 38 - 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（36) 和比較例之介質比較，實施例1 1之任何介質皆降低 了介質雜訊，並改善了覆寫效能。因此，在毎平方吋2 0 億位元之記錄密度下，可實現良好的讀/寫特性。 資施例1 1之介質，亦即具有CrTi B下層或 CrTi P下層之介質具有低的介質雜訊。可了解的是， B或P之添加有助於雜訊之降低。具有CrTi C下層之 介質具有最强hep(11.0)定向，高燏頑磁力和高 矯頑磁力平方S’ 。和其它資施例比較，具有 CrTi B i下層之介質具有良好的抗腐蝕力。即使在 CSS執行三萬次後，實施例11之介質之CSS測試亦 顯示0·3或更小的良好磨擦係數。 <實施例1 2 > 和資施例1相似的，在一强化玻璃基底上，製造1 0 nm_ 之 Cr 一 1 3 . 5%Ti — 1 0%B 之第一下層，而 後對基底加熱至2 0 0 °C，以循序的製造3 0 nm之C r 一 1 0%Ti合金之第二下層，2 5nm之CoCrPt 磁性層，和1Onm之碳保護膜。 執行X射線繞射置測。繞射圚樣見艱示下層之b c c (200)尖峰和CoCrPt合金層之hep( 1 1 . 0 )尖峰 〇Cr — 1 3 . 5%Ti-l 0%B 合金 之第一下餍和C r 一 1 0. %T i合金之第二下層具有非常 互相接近之晶格常數。因此，非常雖以判断那個下層具有 bee <200)尖峰。因此，10nm 之 CrTiB 單 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規《格（210X297公釐-> 39 _ (請先Η讀背面之注f項再填寫本頁) 經濟部中央標準局属工消费合作社印«. A7 B7 五、發明说明（37) ~下層在如同沈稹上述介質之相同條件下製造，並執行X 射線繞射置射。由於在所得繞射圇樣中無法觐察到淸晰之 尖峰，因此假設bcc (200)尖峰乃由第二下層之 CrTi B合金所產生。因此，可了解的是，第一下層之 C i T i B合金具有非晶構造或接近非晶構造之細晶構造 ，且製造在其上之CrT iif具有（1 0 0 )定向。因此 ，Co合金磁性層經由磊晶成長而採取了（ 1 1 . 0 )定 向。如果第一下屠之C i T i B合金爲3 0 nm或更厚時 ，其具有强（1 1 〇 )定向，因此第二下層之C i Ti合 金具有（1 1 0)定向且CoCrPt合金層具有（ 10 . 1〉定向。和具有（11 · 〇)定向之 CoCrP t層比較，具有（10 . 1)定向之 C oC r P 降低了 C軸之平面分量（其爲磁性簡易軸 )，且會玻璃磁性特生。因此，此構造並不佳。 .具有10 n m之第一下層之介質之矯頑磁力爲 2 4 8 0 〇 e。和實施例5相似的’，此介質和磁性記錄系 統組裝，並評估讀/寫特性。覆寫效能爲4 5 dB。在磁 頭搜尊測試由介質之內週緣至外週緣進行五萬次後，位元 錯誤之數目爲1〇位β/表面或更小，且可達成15萬小 時之錯誤前之平均時間（MTBF)。 雖然實施例1 2之膜沈稹經由DC濺鍍執行，明期的 是，亦可使用其它的方法如P F濺鍍，離子束濺鍍，和 EC R濺鍍，而達成相同之效果° 本紙張尺度適用中國國家梯率（CNS ) A4规格（210X297公釐·）40 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 裝· 訂- A7 B7 五、發明说明（38 ) 圖式之簡單說明 圖1爲依照本發明和依照比較例之標準介質雜訊和一 系統S/N相關於B r X t磁性記錄介質之圖： 圓2爲依照本發明，介於添加至磁性記錄介質之毎個

I 下湣之B之澳度和標準介質雜訊間之關係圖： 圓3A和3 B爲依照本發明之實施例1之磁性記錄系 〆 .啤 · 統之示意平面圖和沿圚3 A之A_A "線截取之横截面圇 9 圚4爲本發明之磁性記錄系統之磁頭之構造例之立腾 圚： 圊5爲本發明之磁性記錄系統之磁頭之磁阻感應器之 部份構造之示意圊： .圖6爲本發明之磁性記錄系統之部份構造之示意圖； 圚7爲依照本發明之實施例1之含鈷之第一下層之有 > 暇視場折射圖樣和透射電子隳微平面影像之示意圊： /圖8爲依照本發明之實施例1和依照比較例之磁性記 錄介質之X射ϋ繍射圖樣之示意圚： 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 圖分爲依照本發明之實施例3之磁性記錄介質之第一 1層之黏著特性園： 圖1 0爲當依照本發明之實施例4裂造磁性記錄介質 之第一下層時，介於氩氣壓力和C 〇 C r P t Ta磁性層 和C r Mo下層之繞射尖峰强度比間之關係圓： 圚1 1爲當依照本發明之實施例4製造磁性記鋒介f 之第一下層時，介於氫氣壓力和矯頑磁力間之關係圓L 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐J - A7 B7 五、發明说明（39 ) 圚1 2爲依照本發明之實施例5之磁性記錄系統之磁 頭之磁阻感應器之部佾構造之示意圖： 圔1 3 A爲依照本發明之實施例7之磁性記錄介質之 磁性層之晶粒尺寸分佈和-累稹面域比例曲線之圖：和 園1 4爲依照本發明之資施例9和依照比較例之磁性 記錄介質之矯頑磁力和讀寫特性間之關係圚。 •- .-、 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐-)42 -

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第861 06549號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國88年9月修正 1 ·—種平面磁性記錄介質，包含： 釋一底層，其由含鈷之非晶材料和細晶材料之一所構 成； 第二底層，其具有實質體中央立方構造形成在第一底 層上，且具有至少Cr ，Mo，V和T a之一元件當成主 要成份：和 —磁性層，其具有實質六邊密封晶格構造形成在第二 底層上，且具有含鈷之合金和稀土元素之一當成主要成份 〇 2 .如申請專利範圍第1項之-平面磁性記錄介質，其 牛包括含鈷材料之底層之平均晶粒尺寸爲8 rrm或更小。 3 種平面磁性記錄介質，包含： 第一底層，其由一非晶材料和含鈷之細晶材料之一所 構成，和至少第一添加元素選自含T i ，Y，Z r，Nb ，Mo，Hf，Ta，W，Si和B所組成之第一群； .第二底層，其具有實質體中央立方構造形成在第—底 層上，且具有至少C r，Mo，V—和Ta之一元件當成主 要成份：和 一磁性層，其具有實質六邊密封晶格構造形成在第二、 底層上，且具有含鈷之合金和稀土元素之一當成主要成份 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) .* 訂 線 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 1

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第861 06549號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國88年9月修正 1 ·—種平面磁性記錄介質，包含： 釋一底層，其由含鈷之非晶材料和細晶材料之一所構 成； 第二底層，其具有實質體中央立方構造形成在第一底 層上，且具有至少Cr ，Mo，V和T a之一元件當成主 要成份：和 —磁性層，其具有實質六邊密封晶格構造形成在第二 底層上，且具有含鈷之合金和稀土元素之一當成主要成份 〇 2 .如申請專利範圍第1項之-平面磁性記錄介質，其 牛包括含鈷材料之底層之平均晶粒尺寸爲8 rrm或更小。 3 種平面磁性記錄介質，包含： 第一底層，其由一非晶材料和含鈷之細晶材料之一所 構成，和至少第一添加元素選自含T i ，Y，Z r，Nb ，Mo，Hf，Ta，W，Si和B所組成之第一群； .第二底層，其具有實質體中央立方構造形成在第—底 層上，且具有至少C r，Mo，V—和Ta之一元件當成主 要成份：和 一磁性層，其具有實質六邊密封晶格構造形成在第二、 底層上，且具有含鈷之合金和稀土元素之一當成主要成份 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) .* 訂 線 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 1 六、申請專利範圍 其中殘餘，磁通密度和第一底層之厚度之乘稹等於或小 .... -·-·· (請先《讀背面之注$項再填寫本頁) 於殘餘磁通密度和磁性層之厚度之乘積之2 0 % · 4 .如申請專利範圍第3項之平面磁性記錄介質，其 * 中包含在含鉑底層之第一添加元素之濃度爲5 %或更高和 7 0 %或更低· 5 .如申請專利範圍第3項之平面磁性記錄介質，其 中包括含鈷材料之底層之平均晶粒尺寸爲8 nm或更小* 6 ·如申請專利範圍第3項之平面磁性記錄介質，其 中含鈷底層進一步包含至少第二添加元素，其選自含C r ，乂和1^11之第二群。 7 種平面磁性記錄介質，具有一磁性層p成在一 基底上之第二底層之上，其中 第二底層之一包括合金材料，該合金材料具有至少一 元素選自包括Cr ，Mo，V和Ta之第三群當成主要成 份，且含有至少一元素選自包括B、 C、P和Bi之第四 群· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .8 .如申請專利範圍第7項之平面磁性記錄介質，其 中選自..第四群且包含在包括具有至少一元素遒自第三群當 成主要元素且含有至少一元素選自第四群之合金材料之底 層中之元素之澳度爲1 %或更髙和2 0%或更低。 9.一種平面磁性記錄介質，具有一磁性層形成在一 基底上之第二底層之一上，其中 第二底層之一包括含鈦合金材料，賅合金材料具有至 本紙尺度逋用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ___D8 六、申請專利範園 少一元素選自包括C r，Mo，V和T a之第三群當成主 要成份和含有至少一元素選自包括B，C，P和B i之第 四群· 1〇·如申請專利範圍第9項之平面磁性記錄介質， 其中包括具有至少一元素選自第三群當成主要成份且含有 至少一元素選自第四群之合金材料之底層實質的包括C r ,，B 和 T i · 11.如申請專利範圍第9項之平面磁性記錄介質， 、 其中包括具有至少一元素選自第三群當成主要成份且含有 至少一元素選自第四群之合金材料之底層實質的包括C r ，C 和 T i。 1 2 .如申請專利範圍第9項之平面磁性記錄介質， 其中選自第四群且包含在包括具有至少一元素選自第三群 當成主要元素且含有至少一元素選自第四群之合金材料之 底層中之元素之濃度爲1%或更高和2 0%或更低· 13.—種平面磁性記錄系統，包含： ’一平面磁性記錄介質具有一磁性層形成在一基底上； 第二底層上； —驅動單元用以驅動該平面磁性記錄介質在一寫方向 一磁頭具有讀取單元和一寫單元； 移動機構用以移動該磁頭相關於該平面磁性記錄介質. :和 讀/寫訊號處理機構用以由該磁頭讀取一输出訊號和 l纸張尺度逋用中國國家標率（CNS)A4规格（2丨0X297公釐） ---------Γ-----1T------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -3 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ___ —_ D8 六、申請專利範困 將一輸入訊號寫至該磁頭， 其中該磁頭之讀取單元包括一磁阻頭·和至少多數之 底層之一包括含鈷非晶材料或含鈷細晶材料· 1 4 .如申請專利範圍第i 3項之平面磁性記錄系統 ，其中： 該磁阻頭之磁阻感應單元形成在兩個由軟磁材料所製 成之遮蔽層之間，且該遮蔽餍互相間隔〇 . 3 5 Am或更 短之距離； Brxt之乘積爲2 0髙斯·微米或更大和1 4 0髙 斯•微米或更小，其中t爲磁性_厨之厚度，且B r爲在寫 操作時應用·-磁場沿著該磁頭之運行方向相關於該平面磁 性記錄介質而量測之殘餘磁通密度； 藉由應用一磁場區和運行方向相同的方向而置測之平 面磁性記錄介質之矯頑磁力爲1.8KOe或更高· 15.如申請專利範圍第13項之平面磁性記錄系統 ，.其中該磁阻頭包括多數之導電和磁性層，當導電和磁性 層之磁化方向由外部磁場相關的改變時，其產生大的電阻 改變*和一磁阻感應器具有導電和非磁性層位在導電和磁 性層之間。 1 6 . —種平面磁性記錄系統，包含： 一平面磁性記錄介質具有一磁性層形成在一基底上之 第二底層上； 一驅動單元用以驅動該平面磁性記錄介質在一寫方向 » _ _______ _______________ 本紙張尺度逍用中《國家梯率（CNS ) A4規格（210X297公釐） C—----tr------绛 ί、1 <請先Η讀背面之注f項再填窝本頁) -4 - B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、 申請專利範圍 1 1 — 磁 頭 具 有 讀 取 單 元 和 — 痛 單 元 9 1 1 移 動 機構 用 以 移 動 該磁頭相 關 於 該 平面磁性記錄介質 1 1 :和 請 1 I 先 1 讀 / 寫 訊 號 處 理 機 構 用 以 由 該 磁 頭 讀 取一輸出訊 號 和 Η 讀 1 背 1 將一 輸 入 訊 號 寫 至 該 磁頭 1 面 之 1 注 1 其 中 該 磁 頭 之讀 取 單 元 包括 —. 磁 阻頭 *至少多數 之 底 $ 1 I 層之 一 包括 合 金 材料包括 含 至 少 第 添 加 元衆和鈷之 合金 其 t 1 材料 * 第 一 添 加 元 素 選 自 含 T i Y Z r _'，N b， Μ 0 本 頁 r Ί ,Η f T a 9 W S i 和 B 之第 — 群 且殘餘磁通 密 度 | 1 和底 層之 層 厚 度 之 乘稹爲 殘 餘 磁 通 密 度和 磁性層之層厚g 1 1 之乘 積 之 2 0 % 或 更 小 9 1 訂 1 7 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 6 項 之 平 面磁性記錄 系 統 1 ，其 中 含 鈷 底 層 進 — 步 包 含 至 少 第 二 添 加 元素，其選 自 含 1 1 1 C r V 和 Μ η 之 第 二 群 〇 1 1 1 8 • 一 種 平 面 磁 性 記 錄 系 統 包 含 ： 1 線 — 平面 磁性記錄介 質 具 有 一 磁 性 層 形 成在一基底 上 之 { A*» 第一 底 層 上 1 I 一 驅 動 單 元 用 以 驅 動 該 平面 磁 性 記 錄介質在一寫 方 向 1 1 I 一 磁 頭 具 有讀 取 單 元 和 — 寫 單 元 參 I 1 1 移 動 機 構 用 以 移 動 該 磁 頭 相 關 於 該 平 面磁性記錄 介 質 1 1 :和 1 1 讀 / 寫 訊 號 處 理 機 構 用 以 由 該 磁頭 讀 取一输出訊 號 和、 1 I 將— 輸 入 訊號 寫 至 該 磁 頭 1 本紙張尺度逋用中國圃家揉率（CNS ) A4il格（210X297公羞） B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 其中該磁頭之讀取單元包括磁阻頭，和第二底層之一 包括一合金材料•該合金材料具有至少一元素選自包括 C r ’ M o ’ v和T a之第三群當成主要成份和含有至少 一元素選自包括B，C，P和B i之第四群· 1 9 .如申請專利範圔第i 8項之平面磁性記錄系統 *其中： 該磁阻頭之磁阻感應單元形成在兩個由軟磁材料所製 _成之遮蔽層之間，且該遮蔽層互相間隔〇 . 35仁m或更 短之距離； B r X t之乘稹爲2 0髙斯•微米或更大.和1 4 0髙 ..... .澌•微米或更小，其中t爲磁性層之厚度，且B r爲在寫 .操作時應用一磁場沿著該磁頭之運行方向相關於該平面磁 性記錄介質而量測之殘餘磁通密度： 藉由應用一磁場面和運行方向相同的方向而量測之平 面磁性記錄介質之矯頑磁力爲1.8KOe或更高* 2 0 .如申請專利範圍第1 8項之平面磁性記錄系統 ，其中該磁阻頭包括多數之導電和磁性層，當導電和磁性 層之磁化方向由外部磁場相關的改變時*其產生大的零阻 改變，和一磁阻感應器具有導電和非磁性層位在導電和磁 性層之間· 21.如申請專利範圍第18項之平面磁性記錄系統 *其中由具有至少一元素選自第四群之合金材料所製成之 底層進一步包含T i · (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 線 /f,r\ 本紙張尺度埴用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐）