:4十 *v^^rJn-T-^f A7 B7 五、發明説明（I ) 發明之背景 發明的領域
I 本發明一般相關於半導體元件之冗餘電路。更特別的 是其相關於可控制高電壓產生器操作的半導體元件之冗餘 電路，其已經被用在測定一個晶片是否正常。 相關枝術之描沭 假若任一個多重極小單元之一組成一個動態隨機存取 記憶體（DRAM)或同步記憶元件失效，此動態隨機存取 記憶體（DRAM)無法執行一個正常功能。這種情形下， 應用冗餘結構以設於動態隨機存取記憶體（DRAM)或同 步記憶元件之額外記憶體單元取代有缺陷的單元，可有較 好的良率方面成效。 在冗餘結構裡，記億體的冗餘單元以次陣列方塊安置 。在1 6 Μ動態隨機存取記憶體（DRAM)的情形，額外 之列與行預先被提供到每一個2 5 6 K單元陣列，並且假 使一個記憶體單元失效，其它（冗餘單元）將列或行爲單 位在電路操作中生效。 換言之，假使晶圓製程完成，其內部電路被設定來改 變冗餘單元的位址信號。亦即是，假使一個位址的輸入在 實際使用時對應到失效的線上，則會有一個選擇改到一個 外在線。此程式之特徵係一種電子保險絲技術，其保險絲 隨著過多電流融熔而被截斷，以及一個雷射束技術，其保 險絲被雷射束燒毀。 假使電力被施加到一個高電壓產生器，其係設於一正 _ ___3 (锖先閱讀背而之注¾事項再祯巧本页) •f1* 木紙浓尺度递m屮闪w象打呤（> Λ4叱格（2丨OX297公梦） "'•r-^-JI:^1?-^’u l,-'-!nfr <" Μ··;;.印" Α7 Β7 五、發明説明（>) . 常晶片（記憶體單元）與維修晶片，它總是被驅動著。因 此，假^只有正常晶片被操作，則不需要之電力損耗會發 生。 更特別的是，對正常晶片而言，維修時之保險絲燒毀 不存在，並且維修位址啓動通過被關閉。即使相關於維修 位址形成的高電壓產生器僅維持一個較低電壓（大約Vcc-Vt :假使高電壓產生器之環形振盪器被關閉且施加電源的 同時，於驅動電荷幫浦之前施加此預充電電壓的準位）低 於一個高電壓（例如超過1.5 Vcc)，則對於高電壓產生器 的電壓無問題發生。假如電源施加上去，高電壓產生器一 直維持在操作狀態，將引起不必要的電力損耗。 發明之槪要 本發明係針對一種半導體元件之冗餘電路，其實質上 排除上述因相關技術限制與缺點所引起之問題。 本發明的一個目的在於提供一種半導體元件之冗餘電 路，其決定是否晶片是正常，並且對於正常晶片而言，被 使用之高電壓產生器被關閉，因此避免了待機狀態之不必 要電力損耗。 爲了實現以上目的，本發明提供一種半導體元件之冗 餘電路，其包含一個保險絲程式機制，產生一個控制信號 決定是否晶片正常；一個高電壓產生機制1，根據自保險絲 程式機制的控制信號而產生第一電壓或第二電壓；以及一 個晶片上冗餘解碼機制，由高電壓產生機制而得之第一電 壓或第二電壓所驅動。假若晶片是正常的，高電壓產生機 4 0¾ (諳先閱讀背而之注念事項再蛾巧本订) -•β 木紙依尺度垅川屮闪內家（) ΛΟίί格（2丨0X297公梦} A7 五、發明説明（^) - 制產生第一電壓，而假使此晶片失效，高電壓產生機制產 生第二電壓。第一電壓爲一個自高電壓產生機制而來的輸 [ 出電壓'，而第二電壓則爲高於第一電壓之輸出電壓。 高電壓產生機制包含：一個高電壓準位偵測器，其感 測一個高電壓準位來回應自保險絲程式機制而來的控制信 號輸出；一環形振盪器，其接受自高電壓準位偵測器之信 號輸出以產生一個振盪信號；以及一個電荷幫浦，其產生 一個高電壓被自環形振盪器產生之振盪信號所抽汲。此由 電荷幫浦產生之高電壓即爲第二電壓。 附圖之簡明描述 圖一爲根據本發明較佳實施例所提半導體元件冗餘電 路之方塊不意圖； 圖二爲圖一中保險絲程式機制之電路示意圖； 圖三爲圖一中高電壓產生器機制的高電壓準位偵測器 之電路示意圖； 圖四爲根據本發明圖一中高電壓產生器機制的環形振 盪器之電路示意圖； 圖五爲根據本發明圖一中高電壓產生器機制的電荷幫 浦部分之電路示意圖； 圖六a到六h爲圖一中電荷幫浦部分之時序示意圖； 圖七爲圖一中冗餘解碼器於一個晶片'上冗餘解碼器之 電路示意圖。 較佳實施例之詳細描述 詳細參考本發明較佳實施例，其範例展列於伴隨之附 5 木纸张尺度迖；!！屮丨'1丨家行.々（（\\.S )八4規格（210X 297公犛) (請先閱讀背而之注态事項再J-Αϊ-:?本Η ) -裝. ,ιτ 線 A7 ____B7_ 五、發明説明（k) - 圖中。 如^0—所示，半導體元件之冗餘電路包含：一個保險 絲程式機制10，輸出一個控制信號enb來回應決定晶片是 否正常；高電壓產生器機制20，執行高電壓產生動作以回 應自保險絲程式機制10輸出之控制信號；以及晶片上冗餘 解碼機制30，具有許多冗餘解碼器30a到30η，並且依照 高電壓產生器機制20啓動狀態操作。 如圖二所示，保險絲程式機制10具有一個保險絲201 與一個電容202彼此以串聯方式在Vcc與接地之間連接； 第一反相器203，在保險絲201與電容202之間連接並且產 生一個控制信號enb (保險絲條件偵測器的一個反相輸出 );一個N型通道金氧半電晶體204,在接地與保險絲201 節點N201，電容202與第一反相器203之間被耦合；以及 第二反相器205，具有一個輸入接端被連接到第一反相器 203的輸出端與N型通道金氧半電晶體204的閘極接端， 因此產生一個保險絲條件偵測信號的平移信號。 高電壓產生器機制20包括：一個高電壓準位偵測器 22，其產生一個以感測高電壓Vp準位對電荷幫浦26的啓 始或關閉信號；環形振塗器24，產生一個相對應之振盪信 號於自高電壓準位偵測器22輸出之信號附上時；電荷幫浦 26，以幫浦操作產生一個高電壓來回應環形振盪器24的振 盪信號。 較佳的是，高電壓產生器機制20維持一個初始預充電 電壓（VCC — Vt記爲一個臨限電壓）當控制信號enb自保 __ _6_ }紙张尺度述丨Μ·，Pi內家行:呤（（NS ) Λ4叱格（2丨〇〆297公势） ----'--L---^i------iT------.^ {諳先Μ請背而之注悉事項再填巧本订) A7 B7 五、發明説明（^) * 險絲程式機制10輸出，可做爲正常晶片判斷之指標。高電 壓產生$機制20，如圖三所示，包括一個感測部分22a的 信號到環形振盪器24 (將在稍後描述）。 感測部分22a包含：許多N型通道金氧半電晶體301 、302彼此以差動放大器電流鏡型式連接；N型通道金氧半 電晶體303、304介於N型通道金氧半電晶體301、302與 接地之間，並且每一個閘極接端被連接到保險絲程式機制 10的控制信號輸出接端enb 個P型通道金氧半電晶體 305，介於N型通道金氧半電晶體301的汲極接端與高電壓 接端Vpp並且具有一個閘極接端被連接到電源供應電壓； 許多二極體N型通道金氧半電晶體306、307、308，以串 聯方式在N型通道金氧半電晶體301的汲極接端與高電壓 接端Vpp之間連接；以及許多P型通道金氧半電晶體309 、310、311，每一個擁有一個閘極接端被連接到接地，並 且彼此以串聯方式在電源供應電壓與N型通道金氧半電晶 體302汲極接端之間連接。 P型通道金氧半電晶體305施加一個已知之電子電流 到介於N型通道金氧半電晶體301、308之間的節點N301 ，因此避免節點N301浮接。 串聯連接之N型通道金氧半電晶體306、307、308發 射一個高電壓到節點N301，並且假使竜位準高於節點 N301之電位，它們將被啓動來應用電子電流到節點N301 。許多P型通道金氧半電晶體309、310、311以Vcc施加 電子電流到節點N302。驅動器22b包含許多反相器312、 ______7_ 冢紙张疋度地A中W ΐϋ? ( ('NS ) Λ4^格(210 X 297公 ------------裝------訂------線 (誚先閲讀背而之注意事項再硪巧本頁)
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A7 ____B7__ 五、發明説明（“） · 313以串聯方式連接到節點N302，而感測部分22a的條件 被發送到最後輸出接端vppdet。 ] 假若維修晶片爲高電壓產生產生機制20的操作亦即控 制信號enb自保險絲程式機制10達成一個高準位，此邏輯 準位條件藉由比較每一個流經電流鏡之N型通道金氧半電 晶體301、302的節點N301、N302之電流差異所得輸出信 號vppdet所決定來建立一個高位能。 如果電壓Vpp是低的（Vn301<Vn302)，輸出信號電 壓vppdet達到一個高準位，如果電壓Vpp是高的（Vn301 >Vn302)，輸出信號電壓vppdet達到一個低準位。 在圖四中，環形振盪器24於高電壓產生產生機制20 裡以鏈形連接成時間延遲機制，並與許多反相器402、403 、404與405中間連接，因此形成鏈形連接結構，並且包 含一個反及閘401接收一個環形振盪器關鍵路徑的信號（ 亦即enb，vppdet)來決定周期性脈衝啓始或關閉，而反相 器406具有一個輸入端被連接到一個N401介於反相器405 與反及閘401來產生一個最終輸出信號vpposc。許多鏈形 耦合結構之反相器402、403、404與405根據反及閘401 送出周期性脈衝信號到一個最終輸出節點（亦即vpposc節 點）。 在高電壓產生產生機制20裡的電荷幫浦26，如圖五 所示，包含一個控制部分26a利用自環形振盪器24信號 vpposc輸出提供必要的時序集給一個幫浦26b中，並且幫 浦26b以自控制部分26a的時序集執行幫浦操作並產生高 ----------------I____ 木紙乐尺度域中W R拿樣彳（（，NS ) Λ4圯格（210X297公势) ' ' A7 _____B7 五、發明説明（j ) . 電壓Vpp。 控制部分26a包含：許多反相器501、502、503與504 j ，當作時間延遲機制並且以串聯方式連接到環形振遒器24 的輸出接端vpposc ;—個反或閘505，相關於環形振盪器 24的輸出信號vpposc與反相器504的輸出信號執行一個反 或操作；一個P型通道金氧半電晶體506與一個N型通道 金氧半電晶體507,在電源與接地之間插入同時每一者具 有一個閘極接端共同連接到反相器502的輸出接端；與一 個N型通道金氧半電晶體508，被放在接地與N型通道金 氧半電晶體507的源極接端並且閘極接端被連接到反相器 504的輸出接端。 幫浦部分26b包括：一個N型通道金氧半二極體與一 個N型通道金氧半電晶體513，彼此以平行方式在反或閘 505輸出接端N501與透過電容509之電源之間被連接；N 型通道金氧半電晶體514，在反相器502的輸出接端N503 與透過電容510之電源間被連接並且與N型通道金氧半電 晶體513交錯連接；N型通道金氧半電晶體515，被以平行 於N型通道金氧半電晶體514連接；N型通道金氧半電晶 I 體516，於P型通道金氧半電晶體506輸出接端N506與透 | 過電容511之電源之間相連接，並且一個閘極接端介於電 % 容510與N型通道金氧半電晶體514之間相連接到節點 J 504 ; N型通道金氧半電晶體517，在電容511的節點N507 | 、N型通道金氧半電晶體516與高電壓輸出端Vpp之間被
TI ί·ί 連接；而一個閘極接端介於電容509與Ν型通道金氧半電 ----.-----^------1Τ------.^ {婧先閱讀背而之注*事項再蛾-r5本玎) 木纸张尺度送出十孓彳:?.4 ( ('NS ) Λ4現格（210κ2<)7公犛） A7 _____B7_ a、發明説明（t) . 晶體513之間連接到節點N502 ;以及N型通道金氧半二極 體518 ’在N型通道金氧半電晶體517源極接端與電源之 間被連接。 參考圖六’電荷幫浦26的操作在以下被描述。在此較 佳之實施例中，自環形振遨器24而來的輸出信號 vpposc 被施加到維修晶片的電荷幫浦26。一旦環形振盪器24的 輸出信號vpposc預先使電荷幫浦26自邏輯低準位被充電 到邏輯高準位如圖六A之預充電時序集，二輸入端之反或 閘505輸出部分（如N501)自邏輯高準位轉換到邏輯低準 位。 如圖六C所示，電容509的相對節點N502自高電壓 (Vdd+v)改變到邏輯高準位（Vdd)以關閉N型通道金 氧半電晶體517，且節點N503透過反相器501，502在已 知的時間周期裡自邏輯低準位改變到邏輯高準位，如圖六 D所示，因此電容510的相對節點N504自邏輯高準位（ Vdd)改變到高電壓（Vdd + v)，因此開啓N型通道金氧 半電晶體516。 節點N505在已知的時間周期裡被延遲並且透過反相 器503、504如圖六F所示自邏輯低準位改變到邏輯高準位 ，以開啓N型通道金氧半電晶體508，如圓六G所示，節 點N506自邏輯高準位轉換到邏輯低準位使得電容511相對 節點N507自高電壓（Vdd+v)改變到邏輯高準位，因此 完成電荷幫浦預先充電的操作。 如圖六A所示，如果環形振盪器24的輸出信號 10 -------U---^------ΪΤ------Φ. (諳先閱讀背面之注"事項再功巧本K ) $紙认尺度珅川中KWSUfl ( (，、S > Λ4現格（2丨OX 297公棼) ' A7 _____B7 五、發明説明（I ) . vpposc爲了電荷幫浦26幫浦操作自邏輯高準位轉換到邏輯 低準位’節點N503在已知的時間周期裡透過反相器501、 502被延遲，如圖六D所示，並且自邏輯高準位轉換到邏 輯低準位。亦即是，電容510的相對節點N504的高電壓（ Vdd+v)改變到邏輯高準位來關閉n型通道金氧半電晶體 516 ’如圖六E所示。 當環形振遒器24的輸出信號vpposc達到一個低準位 ’ P型通道金氧半電晶體506被啓動所以節點N506如圖六 G所示’自邏輯危準位改變到邏輯高準位，並且電容511 相對節點N507如圖六Η所示，自邏輯高準位改變到高電 壓（Vdd + v)。節點Ν505在已知的時間周期裡透過反相 器503、504被延遲並且如圖六F所示，其被轉換到邏輯低 準位。因此二輸入端反或閘505的輸出端N501自邏輯低準 位改變到邏輯高準位。電容509相對節點N502如圖六C 所示被改變到高電壓（Vdd+v) 型通道金氧半電晶體 517被啓動使介於節點N507與電荷幫浦26輸出端Vpp的 電位藉著以上重覆操作足夠推動到高電壓，則環形振盪器 , 24的輸出信號Vpp0Sc不再產生周期性脈衝信號，因此電荷 S 幫浦26不執行幫浦操作。 屮 $ 假使在一個已知的周期裡電荷幫浦26的輸出節點Vpp | 發生電荷漏失，則輸出節點Vpp的電位下降，並且則環形 A 振盪器24的輸出信號 vpposc周期性產生來重覆上述操作
IV t 。此在圖六G到六Η之間被省略，而正常晶片則環形振盪 I 器24的輸出信號 vpposc爲設定到邏輯低準位來啓動N型 ___ 11 本紙ί良尺度进屮闲内孓彳〇 ( rN.S ) Λ4圯格ί 2]ΟΧ 297公筇) ----一-----^1------1T------d. (婧先閱讀背而之注憑事項再硪fsT本打) A7 B7___ 五、發明説明（Λ) - 通道金氧半電晶體517。只有Ν型通道金氧半二極體518 在電源與電荷幫浦26输出接端Vpp之間插入並被啓動，以 j 使電荷幫浦26輸出接端Vpp的電位被設定爲Vdd-Vt。圖 七爲一個具有晶片上冗餘解碼器機制30的冗餘解碼器（例 如30a)電路示意圖。冗餘解碼器30a包含：三個保險絲程 式機制706、712與718 個控制信號部分750，合成保 險絲程式機制706的啓動信號與“Redwmp” ；準位平移器 733、734 ;與輸出部分760。三個保險絲程式機制706、 712與718彼此之結構相同，並且只有保險絲程式機制706 之內部結構在此描述，其包括一個保險絲701與電容702 ，以串聯方式在Vdd與接地端之間被連接著；第一反相器 703與第二反相器705，在保險絲701與電容702之間連接 著；及N型通道金氧半電晶體704，插於保險絲201節點 N701、電容202、第一反相器703與接地端之間。保險絲 條件偵測信號爲透過第二反相器705的輸出接端N704被輸 出。保險絲條件偵測信號爲透過第二反相器705的輸出接 端N704輸出爲冗餘行預解碼器整體啓始信號（亦即冗餘解 碼器30a)，並且假使一個正常行被使用，則最終輸出（ rya67i)的預充電狀態（亦即一個ν型通道金氧半電晶體 743被啓動以產生rya67i邏輯低準位）來產生與準位平移 器733、734之一個停滯信號（節點N712 '爲邏輯低準位） 。保險絲程式機制712與718產生互補信號（節點N706、 N707、N709與N710) ’而準位平移器733、734之位址輸 入被提供。 __ 12 本紙依K度（（_NS ) ( 210·〆297公梦） 一 ----.--U---Λ+4------ir------/β {請先閱讀背而之注意事項再"寫本頁) A7 f__—_^___ 五、發明説明（/丨） - 控制信號750包含：一個反相器719，對Redwrup做 反相；，反或閘720，具有一個輸出接端被連接到保險絲 程式機制760的輸出接端N704與反相器719的輸出接端 N711，並且執行其輸入信號的反或操作。準位平移器733 、734彼此內部組成相同，只以準位平移器733的內部組 成被描述。準位平移器733包含：許多P型通道金氧半電 晶體721、722、723與724，每一者具有一個源極接端被連 接到電荷幫浦26輸出接端Vpp並且被連接到應用其輸出信 號Vpp當作本體電壓；N型通道金氧半電晶體725，具有 一個汲極接端被連接到P型通道金氧半電晶體且源極接端 與~~個閘極接端被連接到保險絲程式機制712輸出接端（ 節點N706);許多N型通道金氧半電晶體726、727，在P 型通道金氧半電晶體722與接地之間插入並且具有一個汲 極與源極連接到彼此；N型通道金氧半電晶體728、729， 在P型通道金氧半電晶體723與接地之間插入並且具有一 個汲極與源極連接到彼此；N型通道金氧半電晶體730，具 有〜個汲極被連接到P型通道金氧半電晶體724且源極與 閘極接端被連接到保險絲程式機制712輸出接端（節點 N707); —個N型通道金氧半電晶體731，具有一個閘極 接端被連接到保險絲程式機制718輸出接端（節點N709) 與汲極被連接到N型通道金氧半電晶體725、730之源極（ N717);以及N型通道金氧半電晶體732，具有一個閘極 接端被連接到控制信號部分750輸出接端（節點N712)與 介於N型通道金氧半電晶體731與接地之間插入。P型通 13 .— ------- - — . - —— — 本纸乐尺窣行:々（) Λ4^格（21(>κ 297公犛） ----·--U---U.------ix------0 {請先閱讀背而之注意事項再禎ftT本玎) 十.·)'·^.?νΓ^π.τ^!於 Α=Μί.ι.'ρν A7 ____B7_ 五、發明説明（I i) . 道金氧半電晶體721的閘極接端被連接到p型通道金氧半 電晶體722汲極（節點N714)，且P型通道金氧半電晶體 722閘i接端被連接到P型通道金氧半電晶體721汲極、N 型通道金氧半電晶體725汲極（節點N713)、與N型通道 金氧半電晶體726閘極接端。 P型通道金氧半電晶體724閘極接端被連接到P型通 道金氧半電晶體723汲極，（節點N715)而P型通道金氧 半電晶體723閘極接端被連接到P型通道金氧半電晶體 724汲極、N型通道金氧半電晶體730汲極與N型通道金 氧半電晶體729閘極接端之間。N型通道金氧半電晶體727 閘極接端被連接到N型通道金氧半電晶體728閘極接端， 且共同被連接到反相器719的輸出接端（節點N711)來形 成控制信號部分750。 輸出部分760包括：一個N型通道金氧半電晶體735 ’在正常預解碼輸入信號（gra67(3 : 0))之正常預解碼輸 入信號（gra67(0))接端與最終接端rya67i之間連接，並且 其閘極接端被連接到節點N714 ; N型通道金氧半電晶體 736 ’在正常預解碼輸入信號（gra67(3 : 0))之正常預解碼 輸入信號（gra67(l))接端與最終接端rya67i之間連接，並 且其閘極接端被連接到節點N715 ; N型通道金氧半電晶體 737 ’在正常預解碼輸入信號（gra67(3 : 0))之正常預解碼 輸入信號（gra67(2))接端連接，並且其閘極接端被連接到 準位平移器734的節點N719 ; N型通道金氧半電晶體738 ’在正常預解碼輸入信號（gra67(3 : 0))之正常預解碼輸 ________ 14 木紙張尺度诚川屮阈㈨窣d ( ( NS ) 格（210X297公势) -------U---^------訂------線 (請先閲讀背而之注意事項再硝·Τ·:Γ本灯) A7 B7 五、發明説明（Pj) . 入信號（gra67(3))接端連接，並且其閘極接端被連接到準 位平移—734的節點N720 ;—個N型通道金氧半電晶體 743，在最終輸出接端rya67i與接地之間連接並具有一個閘 極接端被連接到保險絲程式機制706的輸出接端（節點 N704);以及反二極體型式之許多N型通道金氧半電晶體 739、740、741與742，每一者在正常預解碼輸入信號（ gra67(3 : 0))與接地之間連接。 N型通道金氧半電晶體743維持在一個預充電電位（ 例如接地電位）在正常行之操作時最終輸出信號rya67i上 ^ N型通道金氧半電晶體739、741與742阻止每一個正常 預解碼輸入信號（gra67(3 : 0))擁有過多之負電位》 在冗餘解碼器30a的操作裡，當一個維修晶片（ Redpwrup信號達到一個邏輯低準位）處於預備狀態，而n 型通道金氧半電晶體727、728每一者閘極接端被連接到控 制信號部分750的節點N711被啓動，準位平移器733的節 點N714與N715達到接地電位。 當具有閘極接端被連接到節點N714之P型通道金氧 半電晶體721被啓動，節點N713維持在Vpp電位（大約 1.5Vcc)，並且當具有閘極接端被連接到節點N715之P型 通道金氧半電晶體724被啓動，節點N716維持在Vpp電 位（大約1.5VCC)。在此時，N型通道金氧半電晶體725、 730被關閉，而保險絲程式化位址與一個整體性啓始信號 (亦即節點N712)被施加到N型通道金氧半電晶體731與 732每一個閘極接端並且在P型通道金氧半電晶體722、 15 (請先閲讀背而之注意事項再續·V?本页) -4 木紙张尺度中( CNS ) Λ4^格（2丨0X 297公犛） A7 ______B7_ 五、發明説明（PJ^) - 723被關閉，^及N型通道金氧半電晶體726與729被啓 動時以串聯方式在節點N717與接地之間連接。 當f 一個維修晶片致動時，被Vpp電位預充電之一信 號在N型通道金氧半電晶體725或730、731、732被啓動 放電到節點N713與節點N716，並且輸出節點N714與 N715之一上升到Vpp電位，因此完成解碼操作。在解碼之 後，許多N型通道金氧半電晶體735、736、737、738組成 輸出部分760之一被啓動，一個相對應正常預解碼輸入信 號被傳送到最終輸出rya67i。 根據本發明所提相關於半導體元件冗餘電路在以下描 述。 —旦電源供應電壓施加到電路上，保險絲程式機制10 根據保險絲燒斷提供一個互補信號enb並且高電壓產生機 制20傳送一個相對應於正常晶片或維修晶片的信號Vpp之 電壓準位。晶片上冗餘解碼機制30產生一個輸出信號來回 應信號Vpp或維修位址。 於一正常晶片之情形時，由於一保險絲燒斷並未發生 ，保險絲程式機制10之一輸出信號enb係達到一低準位。 即使電源供應電壓係施加，高電壓產生機制20之高電壓準 位偵測器22維持致能電荷幫浦26之狀態，使得信號 vppdet達到一高準位。於高電壓準位偵測器22中之差動放 大器型式感測部分22a切掉在信號enb控制下所流通之電 流，且環形振盪器24在信號enb控制下並不產生一脈衝信 號。隨著電源供應電壓係施加’信號VPP維持於節點vpp --ΊΙ.---„---裝------ΐτ------0 (諳先閲讀背而之注4事項再功β本Η ) 本紙乐尺度鸿( CNS > Λ4悦格（210X297公梦） A7 __B7_ 五、發明説明（if) * 所預先充電之電壓準位Vcc-Vt。 晶片上冗餘解碼機制30因保險絲未燒斷而關閉一個預 | 解碼位i，並且冗餘解碼器30a到30η的啓動信號被關閉 ，因此電壓準位（Vcc —Vt)，在節點Vpp預充電，當電源 供應電壓係施加時被維持住。 反過來說，在維修晶片因保險絲燒斷，保險絲程式機 制10的輸出信號enb達到一個高準位，Μ且一旦電源供應 電壓施加時，高電壓準位偵測器22使電荷幫浦26啓動， 也就是信號vppdet達到一個高準位。換言之，環形振盪器 24當信號vppdet達到一個高準位時產生一個脈衝信號 vpposc 0 當電源供應電壓施加時，在節點Vpp預充電壓（Vcc 一 Vt)的準位以電荷幫浦26提升到一個高電壓準位（ 1.5Vcc)，並且在高電壓準位偵測器22的控制下保持高値 〇 在這種型態之下產生高電壓Vpp，驅動晶片上冗餘解 碼機制30並且冗餘解碼器30a到30η之一依照由另一個保 險絲程式產生之位址選擇機制而接收一預解碼位址。 如以上所述，在正常晶片方面，本發明可在預備狀態 藉由禁能已使用之高電壓產生機制降低功率消耗，並且確 保以低功率消耗之記憶體性能。 因此可知，本發明不受限於特殊實施例所揭示爲了本 發明而成爲最佳之預期模態，更甚的是，本發明不受限於 說明書內所描述之實施例，除了在所附申請專利範圍所定 --TIL--^---裝------訂------線 (請先閲讀背1&之注<^項再^巧本玎) 本紙认尺度（rNS ) Λ4規格（210X297公笫） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7 五、發明說明（丨6 ) 義的項目之外。 〔元件符號說明〕 10、706、712、718 保險絲程式機制 20 高電壓產生機制 22 髙電壓準位偵測器 22a 感測部分 22b 驅動器 24 環形振盪器 26 電荷幫浦 26a 控制部分 26b 幫浦 30 冗餘解碼機制 30a-30n 冗餘解碼器 201 、 701 保險絲 202 、 509-511 、 702 電容 203'205'312'313 ' 402-406 、501-504、703、705、719 反相器 204 ' 301-304 ' 306-308 > 507、508、513-518、704、 725-732'735-743 N型通道金氧半電晶體 305 、 309-311 、 506 、 721-724 P型通道金氧半電晶體 401 反及閘 505 ' 720 反或閘 733 、 734 準位平移器 750 控制信號部分 760 輸出部分 ------------------^,, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）