TW311904B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW311904B
TW311904B TW084103815A TW84103815A TW311904B TW 311904 B TW311904 B TW 311904B TW 084103815 A TW084103815 A TW 084103815A TW 84103815 A TW84103815 A TW 84103815A TW 311904 B TW311904 B TW 311904B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
silica
silicon
agent
ministry
page
Prior art date
Application number
TW084103815A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Wacker Chemie Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6519579&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW311904(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Wacker Chemie Gmbh filed Critical Wacker Chemie Gmbh
Application granted granted Critical
Publication of TW311904B publication Critical patent/TW311904B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/12Water-insoluble compounds
    • C11D3/124Silicon containing, e.g. silica, silex, quartz or glass beads
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D19/00Degasification of liquids
    • B01D19/02Foam dispersion or prevention
    • B01D19/04Foam dispersion or prevention by addition of chemical substances
    • B01D19/0404Foam dispersion or prevention by addition of chemical substances characterised by the nature of the chemical substance
    • B01D19/0409Foam dispersion or prevention by addition of chemical substances characterised by the nature of the chemical substance compounds containing Si-atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/145After-treatment of oxides or hydroxides, e.g. pulverising, drying, decreasing the acidity
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09CTREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/28Compounds of silicon
    • C09C1/30Silicic acid
    • C09C1/3081Treatment with organo-silicon compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09CTREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C3/00Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
    • C09C3/12Treatment with organosilicon compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/43Thickening agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/66Additives characterised by particle size
    • C09D7/67Particle size smaller than 100 nm
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/32Materials not provided for elsewhere for absorbing liquids to remove pollution, e.g. oil, gasoline, fat
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/22Rheological behaviour as dispersion, e.g. viscosity, sedimentation stability
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • C08K3/36Silica
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/54Silicon-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/08Ingredients agglomerated by treatment with a binding agent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Developing Agents For Electrophotography (AREA)
  • Paper (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)

Description

311904 A7 B7五、發明説明(1 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 矽t搖石安之揮或具親發之酮*(级上脂劑面矽性異所之 :Μ及矽持間發統確度常®): 四業樹著表面變而用的 如 劑之保基分条石高物 如 第工酯黏石表搖統作目 例 化成及醇充性矽有狀 ί 或在烯或矽即有条變明 及 或 稠形展矽以極,具網 基 基前乙物時亦具因搖發 物 ί 之所發之得非内基石 性g胺目、成展ί其多及本 化 内内之粒用在 W醇矽 極 亞,坦組發石使且化, 氧 體體物徹作,氣矽維Ξ氧),、統拉覆物矽並,稠以 機t液液狀石互是砂面三(^含基基条烏塗狀性統大使所 無^作由網矽相的 表,體括羧胺性聚、網極条常可, 性用可内鄰等言申石内液包或醛極、漆粒用等非基性 極_5)果體相該斷 矽質性..基、等脂油徹使該化醇定 非性矽效液-’定聚對介極如 g 基脂樹作M1® 化變砂安 度 i 變。成内肯g干之度例、胺樹氣用三試稠,等去 棰: 或 } 高卩 搖釋形體常 若 高。基级或環等低曾以會該失 種W例及解之液非烴在I ,石BI三物:液降 ,}機内物 一 高{化以鍵性以:。 此矽、第合是化為果石功統狀 於該物稠予氫極可$0:用由因量基或聚例乳,效矽成条網 關€-化。物由非,_作 。大醚级、實及中定之之性粒 相δ氣開狀經在以(^之‘象用、次劑其液例安少試極徹 明種機公網偽。所统劑如現使基、溶,散案不減霄在維 發一無經維要用。条化 j定須氧级之要分等之量等於三 本 將業三主作果性稠5安必環初}重性該基含該由之 K 劑粒,互效極體力不化、:基為水在醇基但 需 石 變徹定相其低液和生稠基如銨極或。矽醇。 必 (請先閱讀f.面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家梂準(CNS > A4規格(210X297公釐) 311904 at __B7_ 五、發明説明(2 ) 一僳有效地消除矽石表面矽醇基,亦邸將該矽石予以徹底 砂院化。 製備非極性矽石之方法業經公開。 德國專利DE-B 11 63 784(德國金銀精煉廠)及其後缠 之德國專利DE 32 11 431(迪古薩公司)曽掲示矽石矽烷化 之方法。該等文獻内所敘述之方法中,偽在溫度600¾ 至 lOOOC (尤以8001C至90〇υ更佳)之乾燥惰性氣體流中,將 表面具有矽醇基之矽石乾燥至絶對乾燥,再用矽烷化劑( 例如:烷基-或芳基或混合之烷基-芳基-鹵素矽烷)予 以矽烷化。在該方法中,僳在溫度200 Ρ至8 0 0 Ό (尤以400 至60010更佳)及無氣存在之情況下,用少量蒸汽、一惰 性氣體及一氣態矽烷化劑處理矽石。該方法之缺點是:矽 鍵結矽烷化劑之産率低。該方法之另一缺點是:矽石表面 矽醇基之殘餘含量。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 (請七閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 德國專利DE-A 19 16 360(德國金銀精煉廠)曾掲示一 種方法,其中,矽石偽在一流動床體内,利用溫度60010 至1000ΧΜ尤以8001C至900Χ:更佳)之乾燥惰性氣體流予以 乾燥至徹底乾燥,在溫度25它至350Τ之下,將該經乾燥 之矽石,連同直線型及/或環型有機聚矽氧烷及(假若必 要時)有機鹵矽烷(業經轉變成氣相)装入反應器内,並於 125Ό至500C溫度下實施後處理之前,在35010至6501C之 溫度範圍内,矽石與該等有機矽化合物發生反應。所用矽 烷化劑偽直線型或環型有機聚矽氣烷,該等有機聚矽氣烷 可在前述溫度範圍内氣化或在該溫度範圍内事先予以製成 -4 - 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 311904 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (3 ) 1 1 I 蒸 氣 或 混 合 物 〇 1 1 | 上 述 方 法 之 操 作 偽 採 用 氣 態 矽 院 化 劑 〇 所 以 9 矽 烷 化 1 I 作 用 之 實 際 化 學 反 應 係 發 生 在 氣 態 與 表 面 黏 附 矽 院 化 劑 間 請 先· 1 1 達 到 吸 附 / 脱 附 平 衡 之 後 〇 在 高 溫 情 況 下 (此 乃 矽 烷 化 劑 閱 讀 1 1 之 化 學 固 定 所 必 需 者 ) , 該 項 平 衡 主 要 視 矽 院 化 劑 白 矽 石 之 1 1 表 面 脱 附 之 情 形 而 定 〇 因 此 f 可 獲 得 之 産 率 傺 基 於 所 用 矽 注 意 1 I 事 1 院 環 化 境 劑 污 與 染 矽石鍵結矽烷化劑間之比而較低 (由於未經反應矽烷化劑之存在) 〇 並 低 提 産 高 率 成 可 本 導 〇 致 項 再 填 寫 本 1 1 1 德 國 專 利 DE -A 25 13 608 (德國金銀精煉廠)曽 掲 示 一 頁 S—«· 1 I 種 方 法 9 其 中 9 矽 石 僳 在 一 流 動 床 體 内 » 利 用 溫 度 6 0 0 t: 1 1 1 至 1000 V (尤以8 0 0 至 9 0 0 t:更佳) 之 乾 燥 惰 性 氣 體 流 予 以 1 1 乾 燥 至 徹 底 乾 燥 9 隨 後 , 在 約 200 1C 至 3 00 V 溫 度 範 圍 内 加 1 訂 熱 之 情 況 下 » 將 該 經 乾 燥 之 矽 石 作 成 流 動 化 狀 態 * 在 該 過 1 程 中 $ 使 其 與 一 逐 滴 加 入 之 揮 發 性 有 機 矽 烷 (該 有 機 矽 院 1 | 在 低 於 3 0 0 t:溫度下保持安定並沸騰) 混 合 0 但 由 實 驗 室 實 1 I 驗 顯 示 若 有 機 矽 院 逐 滴 添 加 於 矽 石 時 之 溫 度 超 過 該 矽 烷 1 1 之 沸 點 1 産 率 將 甚 低 9 此 外 9 亦 將 無 法 獲 致 預 期 之 高 度 矽 飞 I 院 化 作 用 0 1 1 德 國 專 利 DE -A 24 03 7 8 3 (拜耳公司) 曾 掲 示 一 種 矽 石 1 | 矽 烷 化 之 方 法 9 其 中 9 偽 在 溫 度 0 v 至 10 0V ( 尤 以 室 溫 更 1 1 佳 )之情況下, 用- -液體有機矽氨烷(該 有 機 矽 氣 院 與 水 之 1 1、 反 應 非 常 缓 慢 )與大量水(水 之 用 量 超 過 所 用 矽 氨 烷 量 50%) 1 I 所 形 成 之 混 合 物 9 將 矽 石 噴 麗 在 流 動 化 矽 石 上 9 並 在 溫 度 1 1 1 30 t :至1 70 之 情 況 下 » 將 所 5 得 産 物 内 之 揮 發 性 組 成 分 除 1 1 1 1 1 1 本紙伕尺度逍用中國國家梂準(CNS > A4規格(210X297公釐) A7 B7 311904 五、發明説明(4 ) 去。如該文獻中所述,該項處理工作大幅減低所製矽石之 稠化效果。 請 先- 閱 讀 背- 面 之 注 意 事 項 再 填 窝 本 頁 在德國專利DE 27 28 490(德國金銀精煉廠)中曽述及 利用有機聚矽氣烷在適當溶劑内將矽石予以矽烷化。所形 成之矽石既無實質上之稠化功能亦不具液體之結構。 此外,若干方法業經公開,其中,粉狀無機氣化物( 例如:若干矽石)傣連同液體有機矽化合物,以小型液體 滴噴灑。非常微細之粉狀無機氧化物(例如:高度分散之 矽石),其特擻是:基本粒子徑極小,在次撤米範圍内。 經發現藉傳統式噴灑技術連同一矽烷化劑噴灑,可導致覆 蓋不夠均勻及該等微粒僅係物理性塗覆且未完全非極性。 因此,吾人所作實驗室實驗顯示,該等方法不適於:對高 度分散之矽石施以均勻之覆蓋,完成高度矽烷化作用並消 除所有活化之矽醇基,以及形成一矽烷化劑塗層(該塗層 傜完全化學性固定,亦即其不再溶解)。尤其使用高黏度 矽烷化劑時,該等問題更易發生。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在德國專利DE 21 070 82(帝國化學工業公司)中曾述 及:熱解法矽石僳連同液醱有機矽化合物噴灑。但該矽石 僅能達到中度矽烷化,該中度矽烷化可由其甲醇值(如該 文獻内所界定者,係甲醇在水中之重量百分比,以此足以 將矽石完全潤濕,換言之,可使矽石完全沉沒在一水/甲 醇混合物内)低於35顯示之。 在德國專利DE 20 57 731(德國金銀精煉廠)之方法中 ,另外需要添加氨,可使矽石於連同烷氣矽烷及/或烷氧 本紙浪尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 311904 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、 發明説明 (5 ' 1 1 I 終 止 之 有 機 矽 氣 烷 同 時 噴 灑 時 9 具 有 疏 水 性 t 亦 即 無 法 用 1 1 I 水 潤 濕 0 1 I 德 國 專 利 DE -A 37 07 226 (瓦克化學公司) 中 曽 掲 示 一 請 先一 1 1 種 用 以 製 備 高 度 分 散 金 靥 氣 化 物 之 方 法 » 該 高 度 分 散 金 羼 閲 讀 1 背- 1 氣 化 物 之 表 面 經 用 銨 -官能有機聚矽氣烷 (用作正- 控 制 電 之 1 荷 劑 )加以修飾, 其中, 於二氧化矽内曽添加- -銨- 官 能 有 注 意 1 | 事 1 機 聚 矽 氧 院 之 醇 溶 液 0 項 再 1 前 項 既 有 技 術 之 缺 點 是 雖 妖 MV、 使 用 非 常 過 量 之 矽 烷 化 填 寫 本 Λ A 劑 (此乃代表可對環境造成污染) » 以 保 留 矽 石 之 稠 化 效 果 頁 1 I f 但 其 徹 底 之 -矽 院 化 作 用 則 無 法 達 成 〇 1 I 本 發 明 之 百 的 係 改 良 現 已 公 開 之 矽 院 化 方 法 並 提 供 一 1 1 具 有 改 良 性 質 之 高 度 非 極 性 矽 石 〇 該 百 的 業 由 本 發 明 達 成。 1 訂 本 發 明 相 關 於 一 種 用 以 將 極 微 細 粉 狀 無 機 氧 化 物 矽 院 1 化 之 方 法 9 其 特 戡 是 該 極 微 細 粉 狀 無 機 氣 化 物 僳 用 至 少 1 1 一 種 矽 烷 化 劑 (該 矽 烷 化 劑 在 全 程 溫 度 範 圍 内 具 有 相 對 地 1 1 非 揮 發 性 ) 予 以 矽 烷 化 但 該 相 對 地 非 揮 發 性 矽 院 化 劑 係 1 1 呈 一 液 體 與 該 等 極 撤 細 粉 狀 無 機 氧 化 物 混 合 » 形 成 一 極 徹 飞 1 細 之 霧 化 氣 溶 膠 0 I 1 在 本 發 明 之 方 法 中 , 可 能 使 用 極 徹 細 之 粉 狀 無 機 金 屬 1 I 氧 化 物 9 其 平 均 基 本 粒 子 徑 高 達 1 微 米 0 該 等 金 屬 氣 化 物 1 最 好 是 : 二 氣 化 鈦 氣 化 鋁 及 二 氣 化 矽 (例如: 矽石) 0 矽 1 1.、 石 可 由 濕 -化學沉澱法或熱解法, 使四氣矽烷實施火焰水 1 I 解 而 製 得 〇 1 本 發 明 合 使 用 之 矽 石 9 7 其 平 均 基 本 粒 子 徑 高 達 250 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4说格(210X297公釐) 311904 at B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (6 ) 1 1 I 毫 黴 米 9 以 低 於 100 毫 黴 米 更 佳 尤 以 平 均 基 本 粒 子 徑 為 1 1 I 2 至 5C 毫 微 米 最 佳 t 其 比 表 面 積 以 大 於 25平 方 公 尺 / 公 克 1 為 佳 9 以 50 平方公尺/公克至400 平 方 公 尺 / 公 克 更 佳 t 請 先‘ 1 1 尤 以 150平方公尺/公克至2 50平 方 公 尺 / 公 克 (依 照 德 國 閲 讀 眢 1 I 工 業 標 準 D I N 66 1 3 1及D IN 66132以 BET低溫氮吸附法測得) 之 1 1 最 佳 0 親 水 性 或 經 已 矽 院 化 之 矽 石 可 以 採 用 0 沉 澱 法 矽 石 注 意 1 | 事 1 或 熱 解 法 矽 石 可 以 採 用 〇 以 已 公 開 之 方 式 (例 如 * 德 國 專 項 再 1 利 DE 26 20 737 中 所 述 及 者 ) 由 熱 解 鹵 矽 化 合 物 而 製 得 之 填 寫 袭 高 度 分 散 矽 石 最 為 合 αύε. 0 此 外 9 另 有 其 他 學 者 專 家 利 用 在 頁 1 | 氫 氣 氣 體 火 焰 中 將 四 氛 化 矽 水 解 製 得 該 等 矽 石 〇 1 I 該 熱 解 法 矽 石 可 能 直 接 來 白 燃 燒 器 或 同 時 予 以 儲 存 或 1 1 業 經 以 習 知 商 業 方 式 妥 為 包 裝 〇 1 訂 本 發 明 方 法 中 所 用 無 機 氣 化 物 » 最 好 係 一 無 機 氣 化 物 1 (例如 熱解法矽石) t 其 表 面 曾 以 二 院 基 矽 氧 基 加 以 修 飾 1 I 者 9 例 如 依 照 德 國 專 利 DE 42 2 1 7 1 6 (瓦克化學公司) 所 1 1 製 經 修 飾 之 矽 石 9 該 經 修 飾 之 矽 石 之 磺 含 量 低 於 1 % 重 量 比 1 1 » 其 比 表 面 積 為 1 00平方公尺/ 公 克 (依照D IN 66131 及 66 132 I t 用 BET低溫氮吸附法測得) 0 該 類 矽 石 像 最 合 3^. 者 0 該 矽 1 1 石 可 能 % 新 鮮 製 品 0 但 所 用 該 矽 石 亦 可 能 % 經 過 儲 存 或 經 1 I 過 商 業 包 裝 之 矽 石 〇 1 I 所 用 矽 院 化 劑 偽 一 種 有 機 矽 化 合 物 或 由 兩 種 或 更 多 種 1 I 有 機 矽 化 合 物 所 形 '成 之 混 合 物 t 其 中 9 所 用 之 有 機 矽 化 合 1 1 物 中 至 少 有 — 種 在 全 程 溫 度 範 圍 0 X ::至 350 1C (以20亡至250 1 V 更 佳 尤 以 20 至 180 1最佳) -8 * 之 情 況 下 具 有 相 對 地 非 揮 1 1 1 1 1 1 本紙伕尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 311904 五、發明説明(6 ) (請先閲讀背•面之注意事項再填寫本頁) 發性。此外,假若在一合意具體實施例内使用揮發性有機 矽化合物,則其沸點低於前述全程溫度範圍。就此點而言 ,「方法」一詞葆指全部矽烷化過程,自矽石與矽烷化劑 之混合作用開始,並包括所有隨後之後處理及純化等步驟。 所用有機矽化合物最好像具有下列化學通式之有機矽 院
RlnSiX4-n (工) 其中 R1在毎個案例内可能相同或不同,且傜一單價、可隨意鹵 化及具有1至18個碩原子之烴基, X在毎値案例内可能相同或不同,且係一鹵素(以氣為佳) ,或 OH , OR2 , 0C0R2 , 0 (CH2 )x OR2 , •飞 R2在毎痼案例内可能相同或不同,且係一單價及具有1至 8個碩原子之烴基, η係1或2,以2較佳,及 X傺1、2或3,以1較佳, 及/或具有下列化學式之有機矽氧烷 (R1aXbSi01/2) z(Rl2si02/2)x(R3Rlsi02/2)y(s:LXbRla) z (丄工) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 其中 R1係如以上所界定者, R2僳如以上所界定者, R3在每個案例内可能相同或不同,且係一氫及一單價、可 隨意鹵化及具有1至1 3痼δ#原子並與R1不同之烴基, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4说格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、 發明説明 (8 ' 1 1 I X 像 如 以 上 所 界 定 者 ,£ k 0H 較 佳, 1 1 1 a 像 0、 1 2 或 3 , 以2 較佳, 1 I b 係 0、 1 2 或 3 , 以1 較佳, 請 先、 1 1 閲 I a + b之和等於3 讀 1 背 1 X 係 0 或 一 白 1 至 20 0之 整數, 以10至5 0較佳, 之 1 注 | y 像 0 或 —- 白 1 至 2 0 0之 整數, 但X 與 y之比至少等於5 比 1 意 事 1 及 X + y之和等於0 或 白1 至 2 00之整數, 尤以10至50較佳, 項 再 1 填 z 傜 0或] 但若X + y 之和傺 0 , 2:大 於 0 , 且以z 像1 較 佳 〇 寫 本 A 有 機 矽 院 如 何 製 備偽眾 所 週知 者 , 其實 施 均係 以 一 般 頁 •—^ 1 1 習 知 之 製 備 方 法 為 基 準。 1 I R1 之 實 例 是 院 基, 例 如 :甲 基 乙基 丙基 » 如 : 1 1 異 丙 基 或 正 -丙基, 丁基 ,如 第三 i级- 丁基 或 正-丁基, 1 訂 1 戊 基 » 如 新 戊 基 異戊基 或 正-戊基, 己基, 如 正- 己 基 » 庚 基 » 如 正 -庚基 ,辛基,如 2 -乙基己基或正- 辛 1 1 基 f 癸 基 > 如 : 正 癸 基, 十 二 基, 如 正-十二基, 十六 1 I 基 » 如 * 正 -十六基, 十 八基, 如 正- 十八 基 ,烯 基 » 如 1 1 : 乙 烯 基 2- 烯 丙 基 或5 -己 烯 基, 芳 基 ,如 苯基 、 二 苯 ~Ίί I 基 或 萘 基 、 院 芳 基 * 如: 苯 甲 基、 乙 苯 基、 甲 苯基 或 二 甲 1 苯 基 9 鹵 化 烷 基 > 如 :3 -氛 丙 基、 3 , 3 , 3-三 氣 丙基 或 過 氣 1 1 己 基 乙 基 » 或 鹵 化 芳 基, 如 • 氛苯 基 或 氛苯 甲 基。 R1 之 合 1 I 意 實 例 是 甲 基 、 乙 基、 丙 基 ,如 異 -丙基或正- 丙 基 t 1 1,* 及 丁 基 » 如 : 第 三 级 -丁 基或正-丁 基 〇 尤以 甲 基最 合 意 〇 1 | R2 之 實 例 是 : 院 基, 如 ; 甲基 N 乙 基、 丙 基, 如 異 1 1 丙 基 或 正 -丙基, 丁基, 如 第三级- 丁 基或 正 -丁基, 戊 1 1 I - 10 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐} A7 B7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (9 ' 1 1 1 基 * 如 新 戊 基 異 戊 基 或 正 -戊基, 己基, 如 正- 己 基 1 1 | 9 庚 基 9 如 正 -庚基, 辛基, 如 2 -乙基己基或正- 辛 基 1 • R2 之 合 意 實 例 是 甲 基 、 乙 基 及 丙 基 t 尤 以 甲 基 最 合 /€、0 請 kjr 1 1 R3 之 實 例 是 院 基 f 如 甲 基 乙 基 丙 基 9 如 異 閲 讀 1 背 1 丙 基 或 正 -丙基, 丁基, 如 第三级- 丁 基 或 正 -丁基, 戊 之 1 基 9 如 新 戊 基 異 戊 基 或 正 -戊基, 己基, 如 •正- 己 基 注 意 % 1 1 9 庚 基 > 如 正 -庚基, 辛基, 如 2 -乙基己基或正- 辛 基 項 再 1 » 癸 基 9 如 正 癸 基 » 十 二 基 » 如 正 -十二基, 十六基, 4 寫 A 如 正 -十六基, 十八基, 如 正- 十 八 基 f 烯 基 9 如 乙 頁 1 I 烯 基 2- 烯 丙 基 或 5 - 己 烯 基 t 芳 基 9 如 苯 基 > 二 苯 基 或 1 1 萘 基 院 芳 基 9 如 苯 甲 基 乙 苯 基 甲 苯 基 或 二 甲 苯 基 1 1 鹵 化 烷 基 如 3- 氯 丙 基 3 , 3 , 3 - 三 氣 丙 基 或 過 氟 己 基 1 訂 乙 基 f 或 鹵 化 芳 基 > 如 : 氛 苯 基 或 氛 苯 甲 基 0 其 中 以 正 - 1 辛 基 Λ 正 -十八基、 乙烯基及 3 , 3 , 3 - 三 氣 丙 基 較 為 合 1 1 | 尤 以 正 -辛基最合意。 1 I 具 有 化 學 式 (I ) 之 有 機 矽 院 之 實 例 是 甲 基 三 氣 矽 烷 1 1 % 乙 烯 基 三 氛 矽 院 二 甲 基 二 氣 矽 烷 > 乙 烯 基 甲 基 二 氣 矽 飞 I 烷 、 甲 基 三 甲 氣 基 矽 院 V 乙 烯 基 三 甲 氣 基 矽 院 二 甲 基 二 1 1 甲 氣 基 矽 烷 > 乙 烯 基 甲 基 二 甲 氧 基 矽 院 Λ 甲 基 三 乙 氣 基 矽 1 I 烷 •N 乙 烯 基 三 乙 氣 基 矽 院 二 甲 基 二 乙 氧 基 矽 院 > 乙 烯 基 1 1 甲 基 乙 氧 基 矽 院 甲 基 三 乙 m 氧 矽 院 、 二 甲 基 二 乙 醛 氧 矽 1 1 ·, 院 、 辛 基 甲 基 二 氛 矽 院 及 十 八 基 甲 基 二 氛 矽 院 〇 其 中 以 二 1 I 院 基 矽 烷 較 合 思 9 且 以 二 院 基 二 氛 矽 院 9 如 二 甲 基 二 氯 瞧 1 矽 院 辛 基 甲 基 二 氛 矽 院 及 十 八 基 甲 基 二 氱 矽 院 Λ 二 甲 基 1 1 I - 11 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明(1 〇) 1 I I 二 甲 氧 基 及 二 甲 基 二 乙 氧 基 矽 院 更 合 /贾、 0 尤 以 二 甲 基 二 氛 1 1 1 矽 烷 最 合 意 0 5 先- 1 I 亦 可 能 使 用 依 照 任 何 預 期 比 例 所 配 有 機 矽 烷 之 任 何 預 1 f 期 混 合 物 〇 就 此 點 而 言 , 合 rrti 之 混 合 物 僳 具 有 化 學 式 (I ), 閱 讀 背 1 1 且 η = 2 之 化 合 物 之 含 量超過80¾莫耳比, 尤以超過90¾莫 耳 面— 之 1 注 I 者 更 為 合 ιΤΛ. t%S^ 0 就 此 點 而 V- 9 待 別 合 意 之 混 合 物 9 至 少 含 有 意 事 1 一 種 具 有 化 學 式 (I)之化合物, 該化合物中之R1係不同者, 項 再 1 填 Η 例 如 * —* 甲 基 及 具 有 至 少 6 個 碩 原 子 之 烷 基 0 在 該 案 例 窝 本 内 f 合 之 混 合 物 包 括 之 二 甲 基 二 氣 矽 院 及 辛 基 甲 基 二 氛 頁 1 1 矽 院 之 比 例 為 5 1至 50 1 〇 1 I 有 機 矽 氧 烷 之 實 例 是 直 線 型 或 環 型 二 院 基 聚 矽 氣 院 1 1 « 其 二 烷 基 矽 氣 基 BD 単 元 之 平 均數高達2 0 0, 以5至 100較佳, 1 訂 1 1 尤 以 1 0至 50最 佳 〇 二 烷 基 聚 矽 氧 院 較 為 合 意 » 其 中 尤 以 二 甲 基 聚 矽 氣 烷 更 合 0 最 合 意 者 係 具 有 下 列 終 端 基 之 直 線 1 1 型 聚 二 甲 基 矽 氧 烷 三 甲 基 矽 氣 院 二 甲 基 羥 矽 氣 基 二 1 I 甲 基 氛 矽 氣 基 二 甲 基 甲 氣 矽 氣 基 二 甲 基 乙 氣 矽 氧 基 1 1 甲 基 二 氯 矽 氧 基 % 甲 基 二 甲 氣 矽 氣 基 % 甲 基 二 乙 氣 矽 氧 基 二 甲 氧 乙 醯 氣 矽 氧 基 及 甲 基 二 乙 醛 氧 矽 氧 基 ; 該 等 終 端 1 | 基 可 相 同 或 不 同 0 在 前 述 聚 二 甲 基 矽 氧 院 中 » 特 別 合 意 者 1 1 % 其 25 t: 溫 度 下 之 黏 度 為 10 至100毫 帕 斯 卡 ♦ 秒 者 t 更 合 1 I 意 者 係 其 黏 度 為20至 60毫 帕 斯 卡 • 秒 者 9 且 其 中 兩 値 终 端 1 基 皆 為 二 甲 基 羥 矽 氣 基 者 0 依 照 任 何 預 期 比 例 所 配 前 述 有 1 1 機 矽 氯 院 之 任 何 預 期 混 合 物 亦 可 使 用 0 1 I 具 有 化 學 式 (I ) 及 (I L )之 矽 烷 化 劑 或 矽 院 化 劑 混 合 物 1 1 1 - 12 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 311904五、發明説明(1 1 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 高矽耳甲 劑案及種不化之種 矽 彡 係發烷較對任 該E-莫二 化艏,兩種有烷一 之 j 劑揮矽巴相照 0 X 尤 予 8 以 烷每烷少兩具氧與 比 化非該毫,依 賦該>9尤 砂在砂至少種砂物 量S院地 ,00劑可 所 _ P 及 作,機一至一機合 重 3 矽對内:1化物 物佳 用物有或一或有混 份:?用相圍01烷合 基 5 合g佳為 法化之,及,之之 ο 所r 範為矽化 混基 方砂}院物物}院10II,,度壓用矽 砂更 I I 重 劑 -b氧 之機ί氧合合<矽 於 中物溫氣所機 化烴it矽 明有式矽混混式機 關 f 例合之蒸。有 B. ly 烷有 基 發之學聚之之學有 相10施化法以佳性 矽具纟烷 本I)化機烷烷化之。比 至 實矽方例更發 或層90二 ,(1有有矽氧有1)烷量 2 體機該案巴揮 劑蓋少以 中式具之機矽具(I氣重 以 具有在一毫與 化覆至s(例學種I)有機一式矽數 ,.意性:此10物 院之b(煙to施化一(I之有與學機份 量 合發實.,至合 砂石ibIM實及獨式}之烷化有述 加。一 揮事相ο化 等矽莫兩7T體I)單學ίΙ)矽有之所 添佳法及項氣為矽 該法%由4具(1:化式(1機具1)内 之更方性一為壓機 因解80佳意式表有學式有 一(I書 劑比明發指成氣有 ,熱有 ί 最合學代具化學之或式明 化量發揮俗附蒸性 者 意性少}基一 化能種有化I),學說 烷重本非詞脱以發 合極至佳氣在有可 一 具有(I物化本 矽份在地一不尤揮 別非基最矽 具内獨同具式合有 。50對 J劑,非 待度氣比基 ,例單不同學混具 石 至 相性化佳地 (請先閲讀背Φ之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家揉半(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、 發明説明(1 2; 1 1 | 何 預 期 之 比 例 配 製 且 以 包 括 1至9 9 Si重 量 比 之 非 揮 發 性 有 1 1 1 機 矽 化 合 物 為 佳 f 以20至 95%重量比更佳, 尤以5 0至9 0 %重 1 I 量 比 最 佳 〇 請 先·' 閲 讀 背. 1 1 在 本 發 明 方 法 一 合 -ήί 具 體 實 施 例 中 9 除 有 機 矽 化 合 物 1 1 外 > 亦 使 用 質 子 性 溶 劑 0 該 等 溶 劑 可 以 液 體 霧 狀 或 氣 態 面 之 1 使 用 0 該 等 溶 劑 最 好 包 括 有 水 及 / 或 低 醇 〇 所 使 用 者 可 能 注 意 事 1 1 是 不 同 醇 之 混 合 物 或 一 種 或 更 多 種 醇 與 水 之 混 合 物 0 用 水 項 再 1 醇 及 另 外 揮 發 性 有 機 矽 化 合 物 作 進 一 步 處 理 時 9 可 依 昭 填 寫 本 Μ 任 何 預 期 之 順 序 實 施 0 用 水 醇 及 另 外 揮 發 性 有 機 矽 化 合 頁 1 | 物 作 進 * 步 之 處 理 » 可 在 用 相 對 地 非 揮 發 性 有 機 矽 化 合 物 1 | 處 理 之 刖 之 同 時 或 之 後 實 施 〇 I 1 本 發 明 方 法 中 所 用 之 質 子 性 溶 劑 以 低 醇 或 不 同 低 醇 之 1 訂 1 混 合 物 為 佳 〇 具 有 不 超 過 8 値 磺 原 子 之 醇 更 佳 » 尤以 甲 醇 乙 醇 •V 異 丙 醇 丁 醇 及 己 醇 最 佳 0 1 1 醇 或 醇 混 合 物 之 使 用 量 9 以 0 . 5 至 50份 重 量 比 為 佳 9 1 I 以 1 至20份 重 量 比 更 佳 • 尤 以 2 至 10份 重 量 比 最 佳 0 1 1 如 同 本 發 明 方 法 所 用 之 質 子 性 溶 劑 $ 水 亦 可 用 以 與 一 飞 1 低 醇 或 與 不 同 低 醇 之 混 合 物 形 成 一 均 勻 混 合 物 〇 水 之 使 用 1 | 量 以 0 . 5至50份重量比為佳, 且尤以2至 20份 重 量 比 最 佳 0 1 1 若 一 醇 混 合 物 中 使 用 水 > 所 用 水 與 醇 之 比 以 1 = 1 0至 10 • 1 1 1 為 佳 t 尤 以 1 4至4 1 更 佳 〇 持 別 是 水 之 重 量 不 超 過 1 I ·* 矽 烷 化 劑 之 重 量 最 為 合 意 〇 1 I 在 本 發 明 方 法 中 » 未 經 待 別 乾 燥 之 矽 石 1 可 能 含 有 水 1 份 及 氛 化 氫 氣 體 > 可 用 適 當 之 方 法 予 以 流 動 化 使 其 不 停 蓮 1 1 I - 14 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (1 3 1 1 I 動 * 舉 例 -X- 之 可 藉 用 輸 送 裝 置 9 如 風 扇 或 壓 縮 空 氣 隔 1 1 1 膜 泵 t 或 藉 助 於 攪 拌 (例如 :藉助1 0至5 0 0 0轉/ 分 鐘 9 尤 以 1 100 至 20 0 0 轉 / 分 鐘 更 佳 之 槳 -拌) » 或 於 一 流 體 床 内 9 用 一 1 ! 氣 體 予 以 流 動 化 或 如 德 國 專 利 DE 42 2 1 7 16 ( 瓦 克 化 學 公 閲 | 讀 背 司 ) 中 所 述 之 方 法 > 於 一 圓 槽 内 9 在 溫 度 0 t:至 350 V > 尤 面-1 之 以 20 t: 至 250t:更佳及尤以20t:至1 80 t: 最 佳 之 情 況 下 f 與 i j 事1 該 有 機 矽 化 合 物 ( 在 該 溫 度 下 9 該 有 機 矽 化 合 物 呈 相 對 地 1 j 填一1 非 揮 發 性 、 液 體 及 極 微 細 之 霧 狀 氣 溶 膠 該 有 機 矽 化 合 物 寫 1 本十 極 微 細 地 分 布 在 整 個 反 應 空 間 内 ) 劇 烈 地 混 合 〇 厂 極 徹 細 瓦1 霧 狀 有 機 矽 化 合 物 J 一 詞 相 關 於 一 平 均 滴 徑 低 於 5 0 0微米, 1 1 以 低 於 250微米更佳, 尤以低於1 00徹 米 最 佳 0 厂 氣 溶 膠 J 1 1 一 詞 係 指 一 呈 氣 溶 膠 霧 狀 之 分 散 % 統 » 其 中 包 括 液 / 氣 相 1 訂 1 0 該 液 相 傷 矽 烷 化 劑 及 氣 相 偽 周 圍 之 氣 體 > 如 惰 性 氣 髏 (包括氮氣及/或二氧化碩)、 空 氣 % 或 惰 性 氣 體 與 空 氣 之 1 1 混 合 物 0 極 微 細 之 霧 化 工 作 傜 藉 助 於 噴 嘴 轉 盤 或 超 磬 波 1 | 霧 化 技 術 達 成 〇 列 其 勒 公 司 製 造 之 一 種 超 磬 波 噴 霧 器 或 奈 1 1 羅 霧 化 器 公 司 製 造 之 若 干 轉 盤 可 作 此 種 用 途 〇 由 不 同 有 機 .1 矽 化 合 物 配 製 成 之 混 合 物 亦 可 使 用 〇 實 施 此 項 操 作 所 需 之 1 I 駐 留 時 間 為 1 秒 鐘 至 24小 時 9 但 以 5 秒 鐘 至 60分 鐘 為 佳 0 1 1 m 合 操 作 僳 在 100毫巴至3 巴 之 壓 力 下 實 施 尤 以 在 大 氣 壓 1 I 力 之 下 較 佳 〇 1 1、 隨 之 > m 本 混 合 操 作 之 後 9 於 該 反 應 器 之 外 另 一 容 器 1 | (必要時可予以封閉)内 或 最 好 仍 在 同 一 反 應 器 内 9 藉 助 於 1 1 —· 後 處 理 (在溫度0 t: 至 40 0 1C , 以50=至350 較 佳 9 尤 以 1 | - 15 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(14 ) 6〇υ至180TC最佳之情況下之一項熱處理),歴時1分鐘至 48小時,尤以15分鐘至6小時更佳,使反應達到完成。該 後處理可能在靜態之矽石上實施,該矽石業經藉助於樓拌 使其不斷蓮動,或經藉助於一氣體流(以惰性氣髏流為佳) ,於一流動床體内,予以流動化。後處理可在一艏或更多 個反應器内實施。 此外,隨後需要另一矽石純化步驟以清除該反應之副 産品,該步驟偽在溫度501C至400TC,以150t至380t:較 佳及尤以2501C至36010最佳之下及壓力0.01毫巴至大氣壓 ,尤以大氣壓力最佳之下實施,歴時1分鐘至6小時。該 純化工作可在靜態之矽石上實施,該矽石曾經藉攪拌使其 蓮動,或曾藉助於一氣體流(以惰性氣體流為佳)將其加以 請 先- 閲 S 背 面一 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 工氣發 實 、 分 ο , 化空劑 之 結 度40小 純與化 等 凝 高在的 及體烷 化 呈 及均對 理氣矽 純 劑 性度相 處性免 及 化 極溫例 後惰避 理 烷 非程比 之或可 處 矽 度全佔 石磺, 後 之 高、所 矽化以 、 結 一定劑 ,氣所 合 鍵 得固化 合二- 混。未 製學烷 混或施 :式, 可化矽 之氣實 如方中 :全性 物氮下 例缠驟 是完發 合以境 ,連步 點之揮 化ί環 驟或之 優劑, 矽體之 步式法 之化低 機氣}。各方方 法烷耗 有性佳能之批本。方矽消 與惰為可法分有態明,源 。石在物之方採所形發石能 化矽偽合燒本可在體本矽 , 動均混燃 , 氣 之下 流 作之生 施 非 散以 本纸張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A7 B7 五、發明説明(15 ) 反應産率高,所以,帶有矽烷化劑之廢氣所造成之污染程 度減低,比較更經濟且對環境之傷害較小。 該相對地非揮發性有機矽化合物之均勻反應係在矽石 之表面上進行。雖經添加相對地非揮發性有機矽化合物以 作矽石之表面處理,所製得之矽石較用相對應(依照含碩 量之基準量测)等量氣態但化學性質相同之有機矽化合物 所得之矽石具有較佳、較高之反應産率、較高度之非極性 及較佳之流變學效果。此外,儘管曾使用一相對地非揮發 性有機矽化合物,成品矽石上未發現有機矽化合物之任何 部分不實施鍵結(因而可以溶解)者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用本方法製備之高度非極性、極徹細粉狀無機氣化物 ,以高度非極性矽石為佳,尤以具有一平均基本粒子徑低 於100毫徹米(更以具有一平均基本粒子徑2至50毫徹米較 佳,尤以具有一平均基本粒子徑5至20毫撤米最佳,尤以 具有一比表面積大於25平方公尺/公克為佳,更以50至300 平方公尺/公克較佳,尤以100至2 00平方公尺/公克最佳, 依照德國工業標準DIN 66131及66132所述之BET低溫氮吸 附法測得)之高度非極性熱解法砂石最佳。本發明之高度 非極性矽石(由於比表面積100平方公尺/公克,依照 DIN 66131及66132所述之BET低溫氮吸附法測得)之碩含量至少 為1¾重量比,以至少1.53;重量比較佳,尤以至少2.0¾:重量 比最佳。用紅外線光譜儀,於波數為3750公分_1處,無法 在矽石表面偵檢出隔離之矽醇基。例如:經由搖動,即使 經過長時間與水作強烈接觸,該矽石無任何部分可遭受水 -17 - 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 3119Q4 A7 B7 經濟部中央樑準局貝工消费合作社印«. 五、 發明説明 (1 6 ) 1 1 潤 濕 〇 該 矽 石 所 顯 示 之 甲 醇 值 (附錄I ) 大 於 或 等 於 50 1 以 1 1 | 大 於 65較 佳 9 尤 以 大 於 75 最 佳 0 矽 石 上 之 矽 烷 化 劑 係 完 全、 1 1 地 Ν 化 學 地 堅 牢 地 固 定 著 » 且 m 任 何 成 分 可 從 矽 石 上 萃 請 先 1 取 出 來 或 溶 解 (附錄I ) 0 本 發 明 之 高 度 非 極 性 矽 石 顯 示 對 閲 讀 1 t 羥 離 子 相 對 吸 附 容 量 之 殘 餘 含 量 較 低 (附錄I ) 〇 該 殘 餘 含 之 1 量 低 於 未 經 處 理 親 水 矽 石 對 羥 離 子 吸 附 容 量 初 始 值 之 25% , 注 意 1 I 事 1 尤 以 低 於 15¾ 更 佳 〇 依 昭 該 等 待 性 » 本 發 明 之 矽 石 可 認 作 項 再 1 完 全 非 極 性 或 高 度 非 極 性 0 本 發 明 矽 石 之 待 徵 是 具 有 高 % 寫 本 度 稠 化 效 果 9 持 別 是 在 極 性 % 统 内 > 如 水 溶 液 9 例 如 • 頁 1 I 水 與 低 醇 (如 甲醇、 乙醇、 異丙醇及正- 丙 醇 ) 之 混 合 物 J I > 尤 其 水 含 量 超 過 50 % 重 量 比 者 9 在 水 分 散 液 及 乳 化 液 内 1 1 但 亦 在 其 他 極 性 % 統 内 » 例 如 聚 酯 乙 烯 酯 環 氧 化 1 訂 物 及 聚 烏 拉 坦 〇 在 一 特 別 合 意 之 具 體 實 施 例 中 $ 經 以 二 院 1 基 矽 氧 基 αα 早 元 矽 烷 化 之 高 度 非 極 性 矽 石 之 待 徽 是 其 稠 化 1 1 效 果 較 經 以 三 烷 基 矽 氣 基 αα 卑 元 修 飾 並 對 羥 離 子 具 有 相 同 吸 1 I 附 容 量 之 矽 石 者 為 高 〇 1 1 一 高 度 非 極 性 熱 解 法 矽 石 » 其 中 9 至 少 80% 莫 耳 比 之 1 鍵 結 矽 院 化 劑 包 括 經 以 兩 値 烴 基 取 代 之 矽 氧 基 者 9 最 為 合 画 1 ztse. /%Σ\ 0 1 1 該 兩 個 烴 基 最 好 是 以 上 所 界 定 之 R1 及 R3 基 0 1 | 當 用 作 一 流 變 學 添 加 劑 時 > 本 發 明 之 高 度 非 極 性 矽 石 1 1.4 顯 示 : 無 黏 箸 或 塗 層 間 黏 著 之 缺 點 亦 無 超 可 塗 覆 性 ( 例 1 I 如 起 麻 點 ) 之 缺 點 > 該 等 缺 點 可 能 由 於 未 鍵 結 矽 烷 化 劑 1 1 組 成 分 之 遷 移 而 産 生 〇 1 1 | - 18 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 83.1 10,000 A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裂 五、 發明説明(I7 ) 1 1 I 矽 石 最 好 用 於 非 極 性 % 統 内 作 為 一 流 變 學 添 加 劑 〇 在 1 1 1 非 極 性 % 統 内 > 由 矽 石 建 立 黏 度 9 特 別 是 藉 肋 於 矽 石 徹 粒 1 I 表 面 矽 醇 基 間 之 氮 鍵 0 在 極 性 % 統 内 » 矽 石 之 表 面 矽 醇 基 請 1 1 I 可 能 導 致 黏 度 之 消 失 0 所 以 t 由 此 得 知 » 在 極 性 % 統 内 9 讀 背 1 I 例 如 • 醇 水 溶 液 9 或 在 環 氧 樹 脂 内 乙 烯 酯 樹 脂 内 或 聚 烏 面- 之 1 I 拉 坦 内 > 親 水 性 矽 石 不 能 産 生 流 變 學 添 加 劑 之 滿 意 作 用 〇 意 事 1 尤 其 經 長 期 儲 存 後 f 黏 度 減 低 1 流 動 極 限 亦 同 時 銳 減 0 因 項 再 1 填 1 此 導 致 垂 直 表 面 塗 層 稍 厚 時 之 安 定 性 較 低 f 隨 之 於 固 化 時 寫 本 導 致 不 必 要 之 流 動 〇 長 期 儲 存 後 , 經 矽 院 化 之 傳 統 式 矽 石 頁 1 1 9 同 樣 無 法 達 成 滿 -tv. 之 流 變 學 效 果 〇 1 I 本 發 明 亦 相 關 於 將 用 本 發 明 方 法 製 備 之 高 度 非 極 性 I 1 熱 解 法 矽 石 用 在 極 性 条 統 内 作 稠 化 劑 » 作 油 之 吸 收 劑 f 1 訂 用 以 改 良 調 色 劑 之 流 動 性 及 用 在 抗 泡 沫 組 成 物 内 0 1 I 依 照 本 發 明 之 方 法 製 備 之 高 度 非 極 性 熱 解 法 矽 石 ⑴ 1 1 顯 示 其 黏 度 有 顯 著 提 高 » 尤 其 對 於 極 性 液 體 或 音 狀 介 質 » 1 I 該 等 液 體 或 音 狀 介 質 偽 由 若 干 化 合 物 所 組 成 (該 等 化 合 物 1 1 可 形 成 氫 鍵 或 進 行 雙 性 相 互 作 用 ) 9 例 如 環 氣 樹 脂 聚 I 烏 拉 坦 或 聚 乙 烯 酯 樹 脂 » (2) 並 可 在 該 等 % 統 内 導 致 一 流 動 1 I 極 限 之 擴 展 及 搖 變 性 〇 1 1 所 以 9 本 發 明 之 高 度 非 極 性 矽 石 傜 用 在 極 性 聚 合 物 1 I 樹 脂 及 溶 劑 条 統 内 > 如 環 氧 樹 脂 聚 烏 拉 坦 乙 烯 酯 樹 1 脂 及 其 他 差 不 多 之 % 統 内 » 作 為 一 流 變 學 添 加 物 9 以 達 到 1 I 某 一 層 次 之 黏 度 (該黏度相當高且於儲存期間足夠安定) 1 結 構 性 黏 度 及 一 流 動 極 限 0 1 1 1 19 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(18 ) 一般而言,本發明相關於所有無溶劑、含溶劑、水溶 -· —- ....... 性、造膜塗層組成物,彈性至堅硬塗層、黏著劑、封閉及 熔_組成物,且相關於其他差不多之条統。本發明亦相關 於具有低度至高度極性之条統,該等条統含有矽石作為可 賦予黏度之成分。 本發明尤其相關於下列諸条統: 環氣樹脂条統 環氣樹脂条統僳含溶劑或無溶劑、可用水稀釋之反應条統 ,例如:環氣樹脂/酚、環氧樹脂/胺、環氧樹脂/異氰 酸酯烘烤条統、環氣樹脂之環氣樹脂/酯類及胺類固化劑 ,例如:脂族型、環脂族型或雜環脂族型聚胺類。 聚烏拉坦条統(P U R ) 聚烏拉坦条統包括:①PUR單成分条統,該等条統以經油 修飾之烏拉坦為主,於實施冷固化時,偽藉助於一不飽和 之油成分,以氣化作用使其固化,②PUR單成分条統,該 等条統可實施水氣固化,其冷固化傺藉助於異氛酸酯基, 利用大氣所含水氣而實施,③PUR單成分条統,該等条统 以嵌段聚異気酸酯為主,於冷固化時,用脂族型羥基使異 氛酸酯基實施去除嵌段作用,該等条统得以固化,④PUR 單成分条統,在室溫下,藉蒸發作用可實施物理性乾燥作 用,⑤PUR單成分糸統,該等条統以水性者為主 (PUR離子 體),且可藉乾燥作用除去水份而實施物理性固化,或⑥ PUR雙成分糸統,其中包括:異氰酸酯預聚合物及多羥基 化合物。 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先Η·讀背面•之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、 發明説明(1 9 ) 1 1 I 乙 烯 酯 樹 脂 1 1 I 與 傳 統 式 % 不 飽 和 聚 酯 樹 脂 相 反 » 於 乙 烯 酯 樹 脂 内 使 用 親 1 1 1 水 型 或 傳 統 式 經 矽 院 化 之 矽 石 作 為 __ 流 變 學 添 加 物 則 發 生 S 請 1 | 先- 1 許 多 困 難 0 閲 讀 1 背 1 本 發 明 之 高 度 非 極 性 矽 石 9 於 該 等 糸 統 内 作 為 流 變 學 ir' 之 1 添 加 物 9 可 提 供 預 期 及 必 要 之 黏 度 結 構 性 黏 度 搖 變 注 意 畫 1 | 性 及 保 持 垂 直 表 面 上 安 定 性 之 適 當 流 動 極 限 〇 m 使 該 等 糸 Ψ 項 再 1 1 统 業 經 長 期 儲 存 9 亦 繼 缠 具 有 同 樣 效 果 0 關 於 此 方 面 9 本 填 寫 本 1 發 明 之 矽 石 優 於 親 水 型 且 未 依 昭 本 發 明 方 法 予 以 矽 烷 化 之 頁 1 I 矽 石 0 1 1 就 此 點 而 言 9 本 發 明 矽 石 可 提 供 作 為 一 流 變 學 添 加 物 1 1 之 該 等 性 質 而 不 致 導 致 黏 著 或 塗 層 間 黏 著 之 缺 點 〇 所 以 9 1 訂 本 發 明 之 矽 石 未 曾 發 生 超 可 塗 覆 性 (例如 起麻點) 之 缺 點 1 » 該 等 缺 點 傺 由 於 矽 院 化 劑 非 鍵 結 組 成 分 之 遷 移 而 産 生 者。 1 I 此 外 9 本 發 明 之 矽 石 可 用 作 礦 物 油 、 聚 矽 氧 油 及 生 物 1 油 之 吸 收 劑 〇 本 發 明 之 矽 石 適 於 改 良 調 色 劑 之 流 動 性 0 1 1 再 者 » 該 矽 石 適 用 於 抗 泡 沫 組 成 物 9 尤 其 清 潔 劑 等 水 性 % —i \ 統 内 之 矽 石 0 1 1 實 驗 例 : 1 | 實 驗 例 1 1 1 在 30 ^ 溫度下, 將4 • 5公 克 經 極 徹 細 蓀 化 之 液 體 水 » 1 I .* 16 .0公 克 經 極 徹 細 霧 化 之 液 體 甲 醇 及 32 .0公 克 經 極 徹 細 霧 1 I 化 之 液 體 二 甲 基 二 氣 矽 院 (市上可購得, 商名瓦克矽烷M2 , 1 1 瓦 克 化 學 公 司 出 品 贵 慕 尼 黑 » 德 國 )混人100公 克 熱 解 法 矽 1 1 I - 2 1 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4说格(210X297公釐) 311904 A7 B7 五、發明説明(2〇 ) 石(該矽石偽用槳式攪拌器,於一 6公升容器内,以1000轉 /分鐘之攪拌速率予以流動化,其比表面積為200平方公尺 /公克,僳依照DIN 66131及66132之BET低溫氮吸附法測得 者,其在不飽和聚酯樹脂8)中之稠化效果為6000毫帕斯卡 •秒,其在25¾乙醇溶液~内之稠化效果為10毫帕斯卡· 秒,且該矽石可依照德國專利D E 2 6 2 0 7 3 7製得,但市上 可購得,商名瓦克HDK N20,瓦克化學公司出品,慕尼黑, 德國)歷時15分鐘。在本案例中,該極撤細之蓀化作用, 傜用一孔徑0.1公厘之實心錐形噴嘴及10巴壓力達成者。 以此方式裝填之矽石,首先於烘乾箱内,在6〇υ溫度下予 以熱處理,歴時180分鐘,之後,於一流動床髏内,流速 2.5公分/秒之氮氣流中,在601C溫度下予以純化,歴時180 分鐘。依照100¾重量比之反應産率為基準,矽烷化劑之使 用量對應於矽石内碩含量S!重量比= 5¾重量比 [3:重量 比Cg_/100 =二甲基二氛矽烷之量(公克)* 0.186除以 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請t閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 100+二甲基二氣矽烷之量(公克)* 0.574]。對該矽石之 含碩量作元素分析,於10001C溫度下之氣氣内焚燒該矽石 ,所形成之二氧化碩以红外線光譜儀(來可CS 244儀器) 測定之。依照矽石鍵結之矽烷化劑為基準,該元素分析結 果顯不,反應産率為60¾。 矽石之分析數據 外觀 疏鬆白色粉末 比表面積(BET低溫氮吸附法υ) 160平方公尺/公克 裝填密度2) 55公克/公升 -22 - 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(21 ) 〈0 . U重量比 3 . 0 S!重量比 4.5 未偵檢出 未偵檢出 22¾ 55 5 5 0 0毫帕斯卡 8 00毫帕斯卡< 依照德國工業標準DIN 66131及66132 2) 依照德國工業標準DIN國際標準組織ISO 787/XI,日 本工業標準JIS K 5101/18 3) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/1 ,美國材 料試驗協會規格ASTM D280,日本工業標準JIS K 5101 /2 1 4) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/IX,美國材 料試驗協會規格D1280,日本工業標準JIS K 5101/24
5) 請參閲附錄I 6) 請參閲附錄]r 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 乾燥損失3)(在2 3 0它溫度下2小時) 含碩量 酸鹼值4> (在4¾分散液内) 红外線譜帶(偏差,在3 7 5 0公分-1處) 可萃取之矽烷化劑殘留物5) 對0H_之相對吸收容量Μ 甲醇值7) 在不飽和聚酯樹脂内之稠化效果8) 在25¾乙醇溶液内之稠化效果9) 1) 秒 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7) 請參閲附錄Μ
8) 請參閲附錄IV
9) 請參閲附錄V 實驗例2 (未依照本發明) 在100C溫度下,將4.5公克之水及16.0公克經極徹細 -23 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經濟部中央揉準局負工消費合作社印装 A7 _B7_ 五、發明説明(22 ) 霧化之液體甲醇及32.0公克氣態二甲基二氣矽烷(市上可 購得,商名瓦克矽烷M2,瓦克化學公司出品,慕尼黑,德 國)混入1 0 0公克熱解法矽石(該矽石係用奬式攪拌器,於 一 6公升容器内,以1000轉/分鐘之攪拌速率予以流動化, 其比表面積為200平方公尺/公克,僳依照 DIN 66131及 6 6 1 3 2之BET低溫氮吸附法測得者,其在不飽和聚酯樹脂8> 中之稠化效果為6000毫帕斯卡♦秒,其在25¾乙醇溶液~ 内之稠化效果為10毫帕斯卡•秒,且該矽石可依照德國專 利DE26 20 737製得,但市上可購得,商名瓦克HDK N20, 瓦克化學公司出品,慕尼黑,德國)歴時15分鐘。以此方 式裝填之矽石,首先於烘乾箱内,在ιοου 溫度下予以熱 處理,歴時180分鐘,之後,於一流動床體内,流速2.5公 分/秒之氮氣流中,在100t:溫度下予以純化,歷時180分 鐘。依照100¾重量比之理論反應産率為基準,矽烷化劑之 使用量對應於矽石内磺含量:);重量比= 5¾重量比 [!«重 量比/100 =二甲基二氛矽烷之量(公克)* 0.186除 以100 +二甲基二氣矽烷之量(公克)* 0.574]。依照矽 石鍵結之矽烷化劑為基準,對該矽石之含碩量所作元素分 析结果顯示,反應産率為30^1。 矽石之分析數據 外觀 疏鬆白色粉末 比表面積(BET低溫氮吸附法υ) 180平方公尺/公克 裝填密度2) 50公克/公升 乾燥損失3)(在230C溫度下2小時) 0.5¾重量比 -24 - 本纸張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 83.3.10,000 ----------Γ'私------tr------1 (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 311904 A7 B7 五、發明説明(23 ) 含碩量 酸驗值4)(在4¾分散液内) 紅外線譜帶(偏差,在3750公分 可萃取之矽烷化劑殘留物Μ 對OH·之相對吸收容量6) 甲醇值7) 在不飽和聚酯樹脂内之稠化效果 在25¾乙醇溶液内之稠化效果9) -1 8) 1 . 5 X重量比 4 . 2 處)出現 可偵檢出 45¾ 40 3 5 0 0毫帕斯卡 300毫帕斯卡< 秒 秒 經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 1) 依照德國工業標準DIN 66131及66132 2) 依照德國工業標準DIN國際標準組織ISO 787/XI,日 本工業標準J IS K 5101/18 3) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/H ,美國材 料試驗協會規格ASTM D280,日本工業榡準JIS K 5101 /21 4) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/IX,美國材 料試驗協會規格D1280,日本工業標準JIS K 5101/24 5) 請參閲附錄I 6) 請參閲附錄I 7) 請參閲附錄Μ 8) 請參閲附錄IV 9) 請參閲附錄V 實驗例3 在180C溫度下,將15.5公克二甲基有機矽氧烷(該二 甲基有機矽氧烷未含反應終端基,且具有相對地非揮發性 -25 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4说格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (24 ) 1 1 I 9 呈 極 徹 细 霧 狀 )混入1 00公 克 熱 解 法 矽 石 該 矽 石 係 用 槳 1 1 1 式 搜 拌 器 f 於 一 6公升容器内, 以1 0 00 轉 / 分 鐘 之 攪 拌 速 率 1 I 予 以 流 動 化 , 其 比 表 面 積 為 2 0 0|平方公尺/ 公 克 9 偽 依 照 D IN 請 先· 閲 1 1 I 66 1: 1¾ 661 32 之BET低 溫 氮 吸 附 法 測 得 者 > 其 在 不 飽 和 聚 讀 1 8) 背 1 酯 樹 脂 中 之 稠 化 效 果 為 6 0 0 0 毫 帕 斯 卡 ♦ 秒 > 其 在 25¾ 乙 面 之 1 I 醇 溶 液 9) 中 之 稠 化 效 果 為 1 0 毫 帕 斯 卡 ♦ 秒 9 且 該 矽 石 可 依 注 意 事 1 1 照 德 國 專 利 DE 26 20 737製 得 > 但 巿 上 可 購 得 9 商 名 瓦 克 項 再 1 填 HDK N20 , 瓦克化學公司出品, 慕尼黑, 德國) > 歴 時 1 5 分 寫 本 鐘 〇 所 用 二 甲 基 有 機 矽 氣 烷 % 一 用 三 甲 基 矽 氣 基 加 以 封 堵 頁 1 1 之 聚 二 甲 基 矽 氣 烷 » 其 25 V 溫 度 下 之 黏 度 為 10 毫 帕 斯 卡 1 I 秒 (該 聚 二 甲 基 矽 氧 院 > 市 上 可 購 得 9 商 名 瓦 克 聚 矽 氣 油 I 1 AK10 » 瓦 克 化 學 公 司 出 品 » 慕 尼 黑 > 德 國 ) 〇 在 本 案 例 中 1 訂 1 I t 該 極 微 細 之 霧 化 作 用 9 偽 用 一 孔 徑 0 . 1 公 厘 之 實 心 錐 形 噴 嘴 及 15 巴 壓 力 達 成 者 0 所 用 AK 1 0 聚 矽 氣 油 9 在 該 溫 度 1 1 下 之 揮 發 度 低 於 0 . 5¾ 重 量 bb 〇 以 此 方 式 裝 填 之 矽 石 > % 在 1 I 180 t: 溫 度 下 繼 壤 攪 拌 15分 鐘 之 後 於 一 烘 乾 箱 内 1 在 1 1 3 0 0 1C溫度下, 用輕缓之沖洗氪氣予以純化, 歴時1 20分 鐘 0 依 照 100¾ 重 量 比 之 反 應 産 率 為 基 準 9 矽 烷 化 劑 之 使 用 量 1 I 對 應 於 矽 石 内 m 含 量 3!重量比C 理論= 5 %重量比[3;重量比匸 理論 1 1 / 1 00 = 二甲基有機矽氧烷之量(公 克 ) 0 . 32 4除以1 00 + 1 I 二 甲 基 有 機 矽 氣 院 之 量 (公克)] 〇 依 照 矽 石 鍵 結 之 矽 烷 化 1 | ,, 劑 為 基 準 » 對 該 矽 石 之 含 m 量 所 作 元 素 分 析 結 果 顯 示 f 反 1 I 應 産 率 為 64¾ 0 1 I 矽 石 之 分 析 數 據 1 1 1 - 26 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 五、 發明説明 (25 ) 1 i | 外 觀 疏鬆白色粉末 1 1 | 比 表 面 積 (BET 低 溫 氮 吸 附法 ”) 170平方公尺/ 公 克 1 裝 填 密 度 2) 55公克/公升 請 先- 1 1 乾 燥 損 失 3) (在 230 t: 溫 度下 2小時) < 0 . 1 $重量比 閲 ik 1 背 1 含 m 量 3 . 2 3!重量比 之 1 酸 鹸 值 4) (在4¾分散液内) 4.3 注 意 1 I 事 1 红 外 線 譜 帶 (偏差, 在37 5 0公分_ 1處) 未偵檢出 項 再 1 」 可 萃 取 之 矽 烷化 劑 殘 留 物5) 未偵檢出 填 窝 本 對 ΟίΓ之相對吸收容量6) 24¾ 頁 1 | 甲 醇 值 7) 55 1 I 在 不 飽 和 聚 酯樹 脂 内 之 稠化 效果 8) 46 0 0毫帕斯卡 • 秒 1 1 在 2 5 S!乙醇溶液内之稠化效果9) 8 0 0毫帕斯卡· 秒 1 訂 1) 依 照 德 國工 業 標 準 DIN 66131 及 661 32 1 2) 依 昭 ,、、、 德 國工 業 標 準 D IN 國際 標準組 織 ISO 787/XI > 曰 1 1 本 工 業 標準 J IS K 5101 /18 1 3) 依 照 德 國工 業 標 準 DIN 國際 標準組 織787/I ,美 國 材 1 1 料 試 驗 協會 規 格 ASTM D280, 日本工業標準J IS K 5 10 1 1 /2 1 1 4) 依 照 德 國工 業 標 準 DIN 國際 標準組 織 7 8 7 / IX ,美 國 材 1 1 料 試 驗 協會 規 格 D 1 2 8 0 , 日本工業標準JIS K 510 1 / 24 1 | 5) 請 參 閲 附錄 I 1 I .* 6) 請 參 閲 附錄 I 1 I 7) 請 參 閲 附錄 I 1 1 8) 請 參 閲 附錄 IV 1 1 | - 27 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (2 6 ) 1 1 1 9) 請 參 閲 附 錄 V 1 1 1 實 驗 例 4 ( 未 依 照 本 發 明 ) 1 I 在 180 t:溫度下, 將15 . 5公克二甲基有機矽氣烷( 該 二 請 先 1 甲 基 有 機 矽 氣 烷 未 含 反 應 終 XUf m 基 9 且 具 有 揮 發 性 )潺入1 00 閲 讀 1 背 1 公 克 熱 解 法 矽 石 (該矽石係用槳式攪拌器, 於_ -6公 升 容 器 之 内 以 1000 轉/ 分 鐘 之 攪 拌 速 率 予 以 流 動 化 9 其 比 表 面 積 注 意 1 1 事 1 為 20 0平方公尺/公 克 9 係 依 照 D IN661 3 1 及 66 132之BET低 溫 項 再 1 I 氮 吸 附 法 測 得 者 t 其 在 不 飽 和 聚 酯 樹 脂 8) 中 之 稠 化 效 果 為 填 寫 本 1 6 5 00 毫 帕 斯 卡 秒 9 其 在 25¾ 乙 醇 溶 液 9) 中 之 稠 化 效 果 為 頁 1 | 10 毫 帕 斯 卡 秒 9 且 該 矽 石 可 依 照 德 國 專 利 DE 26 20 737 1 製 得 但 市 上 可 購 得 9 商 名 瓦 克 Η DK N20 > 瓦 克 化 學 公 司 1 1 出 品 » 慕 尼 黒 德 國 ) 歴 時 15分 鐘 〇 所 用 二 甲 基 有 機 矽 氧 1 訂 1 院 係 八 甲 基 環 四 矽 氧 院 〇 以 此 方 式 裝 填 之 矽 石 > 首 先 在 180 V 溫 度 下 m 缠 攪 拌 15分 鐘 » 之 後 > 於 一 烘 乾 箱 内 » 在 3 0 0 1 1 溫 度 下 9 用 輕 缓 之 沖 洗 氮 氣 予 以 純 化 9 歴 時 120 分 鐘 〇 依 1 I 照 100¾ 重 量 bb 之 反 應 産 率 為 基 準 t 矽 烷 化 劑 之 使 用 量 對 應 1 1 於 矽 石 内 碩 含 量 S:重量比C 理論= 53!重量比 [% 重 量 fch e理論 / Λ \ 100 = 二 甲 基 有 機 矽 氧 烷 之 量 (公克) 山 0 .324 除以1 00 + 1 1 二 甲 基 有 機 矽 氣 院 之 量 (公克)] 〇 依 昭 八、、 矽 石 鍵 結 之 矽 院 化 1 1 劑 為 基 準 9 對 該 矽 石 之 含 磺 量 所 作 元 素 分 析 結 果 顯 示 » 反 1 I 應 産 率 為 34¾ 〇 1 矽 石 之 分 析 數 據 1 I 外 觀 疏 鬆 白 色 粉 末 1 比 表 面 積 (B ET低 溫 氮 吸 附 法 1) ) 185平方公尺/ 公 克 1 1 | - 28 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) 3119Q4 A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 五、 發明説明 (27 ) 1 1 1 裝 填 密 度 2) 48公克 /公升 1 1 I 乾 燥 損 失 3) (在 23C υ溫度下 2小時) < 0.1% 重 量比 1 含 碩 量 1.7" 量 比 請 先- 1 1 酸 鹼 值 4) (在4¾分散液内) 4.3 閲 1 背· 1 红 外 線 譜 帶 (偏差, 在3750公分處) 出現 面 之 1 可 萃 取 之 矽 烷 化 劑 殘留物W 未偵檢 出 i 1 事 1 對 0H -之相對吸收容量~ 62¾ 項 再 1 I 甲 醇 值 7) 效果~ 35 填 窝 本 表 1 在 不 飽 和 聚 酯 樹 脂 内之稠化 3 5 0 0 毫 帕 斯卡 .秒 頁 >—✓ 1 I 在 2 5 3;乙醇溶液内之稠化效果~ 2 0 0毫帕斯卡· 秒 1 1 1 1) 依 照 德 國 工 業 標準D IH 66131 及 661 32 1 1 2) 依 照 德 國 工 業 標準D IN 國際標準组 織ISO 7 8 7 /X I ,曰 1 訂 本 工 業 標 準 J IS K 5 10 1 /18 1 3) 依 照 德 國 工 業 標準D IN 國際標準組 織 7 8 7 / Π ,美 國材 1 | 料 試 驗 協 -tSif 規 格ASTM D 28 0,日本工業標準J IS K 5 10 1 1 I /2 1 1 1 4) 依 照 德 國 工 業 標準D IN 國際標準組 織 7 8 7 / IX ,美 國材 飞 I 料 試 驗 協 規 格 D 1 2-8 0, 日本工業標準JIS K 510 1/24 1 1 5) 請 參 閲 附 錄 I 1 I 6) 請 參 閲 附 錄 I 1 I 7) 請 參 閲 附 錄 I 1 I 8) 請 參 閲 附 錄 IV 1 I 9) 請 參 閲 附 錄 V 1 實 驗 例 5 1 1 I - 29 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) A7 B7 五、發明説明(28 ) 在lOOt:溫度下,將75公克/小時之0H -终結聚二甲基 矽氧烷(其25t:溫度下之黏度為40毫帕斯卡•秒,市上可 購得,商名瓦克助塑劑 X 345,瓦克化學公司出品,德國 ,其與氮之混合物傺1 :1000份體積比,壓力為為10巴, 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 並呈液體、極徹細霧狀,其霧化作用傺用一孔徑0.1公厘 之實心錐形噴嘴達成)加入一 1000公克/小時之熱解法矽石 質量流,該熱解法矽石偽以空管氣體流速為0.1公分/秒之 氮氣予以流動化,其比表面積為200平方公尺/公克,偽依 照D I N 6 6 1 3 1及6 6 1 3 2之B E T低溫氮吸附法測得者,其在不飽 和聚酯樹脂8)中之稠化效果為6500毫帕斯卡•秒,其在25¾ 乙醇溶液~中之稠化效果為10毫帕斯卡♦秒,該熱解法矽 石可依照德國專利DE 26 20 737製得,但市上可購得,商 名瓦克HDK N20,瓦克化學公司出品,慕尼黑,德國),及 60公克/小時之水蒸汽、30公克/小時之甲醇蒸氣及135公 克/小時之二甲基二氣矽烷(市上可購得,商名瓦克矽烷M2 ,瓦克化學公司出品,慕尼黑,德國),以氣態予以混合。 在1001 溫度下,以此方式裝填之矽石,其駐留時間為2 小時。隨後,於附近另一反應器内,在300它溫度下將該 矽石加以純化,歴時30分鐘,該矽石偽用空管氣體流速為 1.0公分/秒之氮氣予以流動化,之後,再於第三艏反應器 内,在300t:溫度下,將矽石加以純化,歴時15分鐘,其 流動化作用係用空管氣體流速為2.5公分/秒之空氣/氮氣 混合物而達成者。依照100«重量比之反應産率為基準,矽 烷化劑之使用量對應於矽石内磺含量 3;重量比5¾重 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明(29 A7 B7 量比[:«重量比C理論/100 =二甲基二氯矽烷之量(公克)* 0.186 +聚二甲基砂氧烷(公克)* 0.324除以100 +聚二 甲基矽氣烷之量(公克)+二甲基二氛矽烷之量(公克)* 0.574]。依照矽石鍵結之矽烷化劑為基準,對該矽石之含 磺量所作元素分析結果顯示,反應産率為88¾重量比。 矽石之分析數據 外觀 比表面積(BET低溫氮吸附法U ) 裝填密度2) 乾燥損失3)(在230C溫度下2小時) 含磺量 酸驗值4)(在4¾分散液内) 红外線譜帶(偏差,在3750公分-1處) 可萃取之矽烷化劑殘留物5) 對0H_之相對吸收容量6) 甲醇值7) 在不飽和聚酯樹脂内之稠化效果8) 在25¾乙醇溶液内之稠化效果~ 疏鬆白色粉末 125平方公尺/公克 55公克/公升 < 0 . 1 ϋί重量比 4 . 4 %重量比 4.4 未偵檢出 未偵檢出 13¾ 80 7800毫帕斯卡•秒 1 8 0 0毫帕斯卡♦秒 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央橾準局負工消費合作社印裝 1) 依照德國工業標準DIN 66131及66132 2) 依照德國工業標準D I H國際標準組織I S 0 7 8 7 / X I ,日 本工業標準J IS K 5101/18 3) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/H ,美國材 料試驗協會規格ASTM D280,日本工業標準JIS K 5101 /2 1 -31- 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 83. 3.10,000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(30 ) 4) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/IX,美國材 料試驗協會規格D1280,日本工業標準JIS K 5101/24
5) 請參閲附錄I
6) 請參閲附錄]I 7) 請參閲附錄Μ
8) 請參閲附錄IV 9) 請參閲附錄V 實驗例6 在30t!溫度下,歴時20分鐘,利用一孔徑0.1公厘之 實心錐形噴嘴及10巴之壓力,將10公克之 0Η -終端反應聚 二甲基矽氣烷(其251C溫度下之黏度為40毫帕斯卡•秒, 市上可購得,商名瓦克助塑劑 X 345,瓦克化學公司出品 ,德國,該 0Η -終端反應聚二甲基矽氣烷呈液滴狀,該等 液滴係用一轉盤式蓀化器霧化成極微細小滴者,其平均半 徑低於100微米),10.0公克經極徹細菝化之液態水,10.0 公克經極撤細蓀化之液態甲醇及10.0公克經極徹細霧化之 液態二甲基二氣矽烷(市上可購得,商名瓦克矽烷M2,瓦 克化學公司出品,慕尼黑,德國)混入100公克熱解法矽石 中(該熱解法矽石偽於一 6公升容器内,用獎式攪拌器,以 1000轉/分鐘之攪拌速率予以流動化,其比表面積為200平 方公尺/公克,偽依照DIN 66131及66132之BET低溫氮吸附 法測得者,其在不飽和聚酯樹脂8)中之稠化效果為6500毫 帕斯卡•秒,其在25¾乙醇溶液9)中之稠化效果為10毫帕 斯卡•秒,該熱解法矽石可依照德國專利D E 2 6 2 0 7 3 7製 -32 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -β 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 311904 五、發明説明(31 ) 得 9 但 市 上 可 購 得 1 商 名 瓦 克 HDK N 20 t 瓦 克 化 學 公 司 出 品 f 慕 尼 黑 9 德 國 ) 0 以 此 方 式 装 填 之 矽 石 9 首 先 於 — 烘 乾 箱 内 t 在 loot:溫度下予以熱處理, 歷時1 20 分 鐘 9 之 後 » 於 — 烘 乾 箱 内 t 在 3 0 0 t: 溫 度 下 » 用 輕 缓 之 冲 洗 氮 氣 予 以 純 化 » 歴 時 120分鐘。 依照1 00¾ 重 量 比 之 反 應 産 率 為 基 準 9 矽 烷 化 劑 之 使 用 量 對 應 於 矽 石 内 碩 含 量 :(;重量比C 理論: 5 . 1% 重 量 比 [X重量比C 理論7 100 = 二 甲 基 二 氯 矽 院 之 量 ( 公 克 )* 0 丨.1 86 + 聚 二 甲 基 矽 氣 烷 之 量 (公克) 山 η» 0 .324 除 以 100 + 聚 二 甲 基 矽 氣 烷 之 量 (公克) + 二 甲 基 二 氯 矽 院 之 量 (公克) kU η、 0 . 57 4] 0 依 照 矽 石 鍵 結 之 矽 烷 化 劑 為 基 準 9 對 該 矽 石 之 含 磺 量 所 作 元 素 分 析 結 果 顯 示 f 反 疲 産 率 為 95¾ 重 量 比 0 矽 石 之 分 析 數 據 外 觀 疏 鬆 白 色 粉 末 比 表 面 積 (B ET低 溫 氮 吸 附 法 1) ) 11 8平方公尺/ 公 克 裝 填 密 度 2) 52 公 克 /公升 乾 燥 損 失 3) (在 230 溫 度 下 2小時) < 0 . 1¾ 重 量 比 含 量 4 . 8% 重 量 比 酸 驗 值‘ (在4¾分散液内) 4 . 6 紅 外 線 譜 帶 (偏差, 在3750公分 L處) 未 偵 撿 出 可 萃 取 之 矽 院 化 劑 殘 留 物 5) 未 偵 撿 出 對 0H _之相對吸收容量6) 11 % 甲 醇 值 7) 8 0 在 不 飽 和 聚 酯 樹 脂 内 之 稠 化 效 果 8) 76 0 0 毫 帕 斯 卡 • 秒 -33- (請讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(32 ) 在25ϋί乙醇溶液内之稠化效果9) 1900毫帕斯卡♦秒 1) 依照德國工業標準DIN 66131及66132 2) 依照德國工業標準DIN國際標準組織ISO 787/XI,曰 本工業標準《I IS K 5101/18 3) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/1,美國材 料試驗協會規格ASTM D280,日本工業標準JIS K 5101 /2 1 4) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/IX,美國材 料試驗協會規格D 1 2 8 0,日本工業標準JIS K 5101/24
5) 請參閲附錄I
6) 請參閲附錄I 7) 請參閲附錄Μ
8) 請參閲附錄IV 9) 請參閲附錄V 實驗例 7 (未依照本發明) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在30¾溫度下,歴時20分鐘,利用一噴嘴,將10公克 之0H-終結聚二甲基矽氧烷(其25Ό溫度下之黏度為40毫帕 斯卡♦秒,市上可購得,.商名瓦克助塑劑 X 345,瓦克化 學公司出品,德國,該 0H -終结聚二甲基矽氣烷呈液體徹 滴狀,平均液體微滴直徑大於500微米)噴入100公克熱解 法矽石(該矽石係用奬式攪拌器,於一 6公升容器内,以 1000轉/分鐘之攪拌速率予以流動化,其比表面積為200平 方公尺/公克,像依照DIN 66131及66132之BET低溫氮吸附 法測得者,其在不飽和聚酯樹脂8)中之稠化效果為6 5 0 0毫 -34 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐)ι A7 B7 經濟部中央揉準局員工消费合作社印裝 五、 發明説明 (33 ) 1 1 帕 斯 卡 • 秒 » 其在25¾ 乙 醇 溶液 9) 中 之 稠 化 效 果 為 10 毫 帕 1 1 I 斯 卡 秒 9 且 該矽石 可 依 照 德國 專 利 DE 26 20 7 3 7製 得 9 1 1 但 市 上 可 購 得 ,商名 瓦 克 HDK N20 > 瓦 克 化 學 公 司 出 品 9 請 先· 1 1 慕 尼 黑 德 國 ),並利用- -孔徑0 .1 公 厘 之 實 心 錐 形 噴 嘴 f 閲 讀 1 背. 1 將 10 .0 公 克 經 極徹細 霧 化 之 液態 水 1 10 .0公 克 經 極 黴 細 孬 之 1 1 化 之 液 態 甲 醇 及10 . 0公 克 經 極徹 細 m 化 之 二 甲 基 二 氣 矽 院 意 事 1 1 (市上可購得, 商名瓦克矽烷M2 t 瓦 克 化 學 公 司 出 品 9 慕 再 1 石 填 尼 黑 t 德 國 ) 在壓力 10 巴 下 混入 0 以 此 方 式 裝 填 之 矽 , 寫 本 首 先 於 一 烘 乾 箱内, 在 ιοου溫度下予以熱處理, 歴時1 20 頁 1 I 分 鐘 » 之 後 於一烘 乾 箱 内 ,在 3 0 0 t: 溫 度 下 1 用 輕 缓 之 1 1 沖 洗 氮 氣 予 以 純化, 歷 時 120分鐘。 依照1 00% 重 量 tb 之 反 1 1 應 産 為 基 準 ,砂院 化 劑 之 使用 量 對 應 於 矽 石 内 m 含 量 % 1 訂 1 1 重 量 比 C理論 = 5 . 1黑重 量 比 [%重量tb C理論/ 100 = 二 甲 基 — 氯 矽 院 之 量 (公克)* 0 .1 86 +聚 二 甲 基 矽 氧 烷 之 量 (公克) 1 1 mU •Τ' 0 . 324除以100 +聚二 二甲基矽氣烷之量(公 克 ) + 二 甲 基 1 1 二 氣 矽 院 之 量 (公克) sU 0 . 57 4] 〇 依 照 矽 石 鍵 結 之 矽 院 化 劑 1 1 為 基 準 » 對 該 矽石之 含 磺 量 所作 元 素 分 析 結 果 顯 示 9 反 應 飞 ί 産 率 為 3 5S;重量比。 1 1 矽 石 之 分 析 數 據 1 1 外 觀 疏 鬆 白 色 粉 末 1 1 比 表 面 積 (BET低溫氮 吸 附 法 ^ ) 183平方公尺/ 公 克 1 1 _* 裝 填 密 度 2) 65 公 克 /公升 1 I 乾 燥 損 失 3) (¾ 2 3 0 t 溫 度 下 2小時) < 1 . 6¾ 重 量 比 1 1 含 碩 量 1 . 7 % 重 量 比 1 1 1 - 35 - 1 1 1 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS〉Μ洗格(210X297公釐) 83. 3.10,000 311304 A7 B7 五、發明説明(34 ) 酸鹼值4)(在4¾分散液内) 紅外線譜帶(偏差,在3 7 5 0公分-1 可萃取之矽烷化劑殘留物5) 對0 H_之相對吸收容量6) 甲醇值7) 在不飽和聚酯樹脂内之稠化效果8) p 25¾乙醇溶液内之稠化效果9) 經濟部中央橾準局貝工消費合作杜印製 4.6 處)未偵檢出 未偵檢出 5 2 % 40 3600毫帕斯卡•秒 4 0 0毫帕斯卡•秒 1) 依照德國工業標準DIN 66131及66132 2) 依照德國工業標準DIN國際標準組織ISO 787/XI,曰 本工業標準JIS K 5101/18 3) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/Π ,美國材 料試驗協會規格ASTM D280,日本工業標準JIS K 5101 /21 4) 依照德國工業標準DIN國際標準組織787/IX,美國材 料試驗協會規格D1280,日本工業標準JIS K 5101/24 5) 請參閲附錄I 6) 請參閲附錄I 7) 請參閲附錄m 8) 請參閲附錄IV 9) 請參閲附錄V 實驗例 8 在30C溫度下,歴時20分鐘,利用一孔徑0.1公厘之 實心錐形噴’嘴及10巴之壓力,將10公克之 0H -终結聚二甲 基矽氣烷(其25C溫度下之黏度為40毫帕斯卡•秒,市上 -36 - 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 83. 3.10,000 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 r A7 B7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印装 五、 發明説明 (3 5 1 1 I 可 購 得 f 商 名 瓦 克 助 塑 劑 X 345 9 瓦 克 化 學 公 司 出 品 , 德 1 1 | 國 9 該 0H- 終 結 聚 二 甲 基 矽 氣 院 呈 液 髏 微 細 滴 狀 « 該 等 液 1 1 體 微 細 滴 像 用 一 轉 盤 式 霧 化 器 霧 化 成 極 撤 細 小 滴 者 1 其 平 請 先 1 均 半 徑 低 於 100徹米) » 1 0 .0 公 克 經 極 徹 細 霧 化 之 液 態 水 9 閲 讀 1 背 10 .0 公 克 經 極 微 細 霧 化 之 液 態 甲 醇 及 10 .0 公 克 經 極 撤 細 霧 之 1 化 之 二 甲 基 二 氣 矽 烷 (市 上 可 購 得 9 商 名 瓦 克 矽 院 M2 瓦 注 意 事 1 1 克 化 學 公 司 出 品 , 慕 尼 黑 > 德 國 )混入1 00公 克 熱 解 法 矽 石 再 1 中 (該熱解法矽石像於- -6公 升 容 器 内 > 用 奬 式 攪 拌 器 > 以 填 窝 本 1000 轉 / 分 鐘 之 樓 拌 速 率 予 以 流 動 化 t 且 經 以 二 甲 基 矽 氧 頁 S_^ 1 I 基 加 以 表 面 修 飾 其 含 m 量 為 1 . 0¾ 重 量 比 9 其 比 表 面 積 為 1 I 160平方公尺/公克, 偽依照D IN 66 1 3 1 及 66 13 2之BET低 溫 1 1 氮 吸 附 法 測 得 者 9 其 在 不 飽 和 聚 酯 樹 脂 8) 中 之 稠 化 效 果 為 1 9) 訂 40 0 0 毫 帕 斯 卡 ♦ 秒 , 其 在 25¾ 乙 醇 溶 液 中 之 稠 化 效 果 為 1 200 毫 帕 斯 卡 ♦ 秒 9 該 熱 解 法 矽 石 可 依 照 德 國 tad 專 利 DE 42 1 1 2 1 7 16 製 得 9 但 市 上 可 購 得 商 名 瓦 克 Η DK Η 20 » 瓦 克 化 1 | 學 公 司 出 品 > 慕 尼 黑 » 德 國 ) 0 以 此 方 式 裝 填 之 矽 石 1 首 1 1 先 於 一 烘 乾 箱 内 , 在 1〇〇υ溫度下, 予以熱處理, 歴時1 20 1 分 鐘 I 之 後 » 於 一 烘 乾 箱 内 9 在 3 0 0 t: 溫 度 下 • 用 輕 缓 之 1 1 I 冲 洗 氮 氣 予 以 純 化 9 歴 時 120分鐘。 依照1 00¾ 重 量 比 之 反 1 1 應 産 率 為 基 準 矽 烷 化 劑 之 使 用 量 對 應 於 矽 石 内 5戾 含 量 % 1 | 重 量 比 C理論 - 1 . 0¾ 重 量 比 = 5 . 1 % 重 量 比 [!«重量比 理論/1 00 1 I ' = 二 甲 基 二 氣 矽 烷 之 量 (公 克 ) 、u 0 . 186 + 聚 二 甲 基 矽 氣 1 | 院 之 量 (公克) •Λ· •V 0 .324 除以1 00 + 二甲基二氛矽烷之量( 1 1 公 克 ) 0 . 5 74 + 聚 二 甲 基 矽 氧 烷 之 量 (公克) ] 0 依 昭 /v»、 在 1 1 | - 37 - 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 83. 3.10,000 A7 B7 經濟部中夬揉準局貝工消費合作社印氧 五、 發明説明 (36 ) 1 1 I 該 處 理 中 另 外 矽 石 鍵 結 之矽 烷化 劑為 基 準,對 該 矽 石 之 含 1 1 I 量 所 作 元 素 分 析 結 果 顯示 ,反 應産 率 為9 2»;重量比。 1 I 矽 石 之 分 析 數 據 請 先 I 外 觀 疏鬆白 色 粉 末 閲 讀 1 背 1 比 表 面 積 (B ET低 溫 氮 吸 附法 105平方公尺/ 公 克 之 '1 装 填 密 度 2) 42公克 /公升 注 意 辜 1 1 乾 燥損 失 3) (在 230 X: 溫 度下 2小時) < 0 · U 重 量 比 再 1 丄 含 m 量 5 . 7¾ 重 量 比 填 寫 本 酸 驗 值 4) (在4¾分散液内) 4.8 頁 1 | 红 外 線 譜 帶 (偏差, 在375 0公分- 1處) 未偵檢 出 1 I 可 萃 取 之 矽 烷 化 劑 殘 留 物5) 未偵檢 出 1 1 對 0H一之相對吸收容量6) 8¾ 1 訂 1 甲 醇 值 7) 85 在 不 飽 和 聚 酯 樹 脂 内 之 稠化 效果 8) 10,600 毫 帕 斯 卡 •秒 1 1 在 2 5 5U乙醇溶液内之稠化效果9) 290 0 毫 帕 斯 卡 ♦ 秒 1 I 1) 依 照 德 國 工 業 標 準 D IH 66 13 1 及 66 1 32 1 1 2) 依 照 德 國 工 業 標 準 D IN 國際 標準 組 織ISO 7 8 7 / XI 9 曰 I 本 工 業 標 準 J IS K 5 1 0 1 /18 1 I 3) 依 照 德 國 工 業 標 準 DIN 國際 標準 組 織 7 8 7 / I t 美 國 材 1 1 料 試 驗 協 規 格 ASTM D 2 8 0, 曰本工業標準J IS K 5 10 1 1 I /2 1 1 4) 依 照 德 國 工 業 標 準 DIN 國際 標準 組 織 7 87 / IX f 美 國 材 1 | 料 試 驗 協 會 規 格 D 1 2 8 0, 曰本工業標準J I S K 5 10 1/ 24 1 | 5 ) 請 參 閲 附 錄 I 1 1 I - 38 - 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 83. 3.10,000 A7 B7 311904 五、發明説明(37 )
6) 請參閲附錄I
7) 請參閲附錄I 8) 請參閲附錄W 9 ) 請參閲附錄V 實驗例9至1 6 為對無溶劑環氣-聚胺基醯胺条統内之矽石加以研究, 在室溫下,歴時5分鐘,於用水冷卻及運轉中之分解機( 市上可購得,商名分散機F105,格Η曼公司出品,來奇秀 福-海恩巴哈,德國,齒盤直徑5公分,轉速2800轉/分鐘) 内,將210公克環氣樹脂(以雙酚及環氧氛丙烷為主,其25 t:溫度下之黏度為9 0 0 0毫帕斯卡♦秒,依照D I Ν 5 3 1 8 8測 定,其環氣化物值為0.54,市上可購得,商名歐羅帕克斯 730,協林公司出品,桕卡門,德國),2. 10公克駄箐藍色 素(市上可購得,商名天然藍L 6700T,巴德苯胺純鹼公司 出品,斯圖加,德國)及每値案例8.4公克矽石(在每値案 例中,依照實驗例1、2、3、 4、5、6、7或8製得)送入 ,隨後,用一三棍研磨機(愛克薩科特80 S,愛克薩科特-阿帕雷持保鄂圖赫爾曼公司出品,諾德爾斯特,德國)(前 棍距:2公厘,後棍距:3公厘,轉速80轉/分鐘,3行程) 予以分散。隨後,為測定「儲存前黏度」及測定「儲存前 垂直表面膜厚」,或於60¾溫度下儲存14天之後,為測定 「儲存後黏度」及测定「儲存後垂直表面膜厚」,於251C 溫度下,歴時5分鐘,利用一混合機(葉式搜拌器,直徑70 公厘,市上可購得,商名IKA RW27 ,簡克-昆克爾公司出 -39 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4规格(210X297公釐) ----------ΜII (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁) 訂
I 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印裝 83. 3.10,000 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印氧 A7 B7 五、發明说明(38) 品,德國,轉速400轉/分鐘)將50公克聚胺基醛肢(在25Ό 下之黏度為550毫帕斯卡♦秒,依照DIN 16945测定,其胺 值為440,市上可購得,商名歐羅杜爾250 ,協林公司出品 ,桕卡門,德國)混入。之後,立即將用此方法製得之組 成物分作兩份,其中,一份用以測定黏度,另一份用以測 定垂直表面膜厚。 黏度之測定:該組成物之黏度,像在25C溫度下,利用布 魯克費爾德黏度計RVT DV-I, 6號轉子,測定。 垂直表面膜厚之測定:利用分级式刮刀片,將該組成物塗 覆在一黒/白對比卡上,膜厚自600至2600徹米(細分成每 次100微米一级),並將卡放在垂直位置。 記錄之參數像所敷组咦物未完全固化前開始流動之膜厚-( 以徹米為單位)。 儲存前及儲存後所測得之黏度及垂直表面膜厚,經彙 整如表1。 實驗例1 7 將賁驗例9之程序重複一遍,但不用依照實驗例1製 備之矽石,改用一熱解法矽石,該熱解法矽石業經以二甲 基矽氣基加以表面修钸,其含磺量為1.0%重量比,比表面 積為160平方公尺/公克(依照DIN 66131及66132之BET低溫 氪吸附法测得),且可依照德國專利DE 42 21 7 1 6製得(市 上可購得,商名瓦克HDK H20,瓦克化學公司出品’慕尼 黑,德國)。測得之結果如表1所示。 實驗例1 8 -40 - 本紙張尺度適用中國國家樑準(CNS ) A4洗格(210XW7公釐) 83. 3.10,000 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ^ 311904 A7 B7 經濟部中央揉準局工消费合作社印製 五、發明説明(39 ) 將實驗例9之程序重複一遍,但不用依照實驗例1製 備之矽石,改用一熱解法矽石,該熱解法矽石業經以三甲 基矽氧基加以表面修飾,其含磺量為2.53;重量比,比表面 積為140平方公尺/公克(依照DIN 66131及66132之BET低溫 氮吸附法測得),且可依照德國專利DE 23 44 388製得(市 上可購得,商名瓦克 HDK H2000,瓦克化學公司出品,慕 尼黑,德國)。測得之結果如表1所示。 實驗例19 將實驗例9之程序重複一遍,但不用依照實驗例1製 備之矽石,改用一熱解法矽石,該熱解法矽石業經以銨官 能有機聚矽氧烷加以表面修飾,其含碩量為5.53;重量比, 比表面積為110平方公尺/公克(依照DIH 66131及66132之 BET低溫氮吸附法潮得),且可依照德國專利 DE-A 37 07 226製得(市上可購得,商名瓦克HDK H2050 EP,瓦克化學 公司出品,慕尼黑,德國)。測得之结果如表1所示。 實驗例20 將實驗例9之程序重複一遍,但不用依照實驗例1製 備之矽石,改用一親水性熱解法矽石,其比表面積為200 平方公尺/公克(依照DIN 66131及66 1 32之BET低溫氰吸附 法測得),且可依照德國專利DE 26 20 737製得(市上可購 得,商名瓦克HDK N20,瓦克化學公司出品,慕尼黑,德 國)。測得之結果如表1所示。 表1實驗例9至20 儲存前及在60TC溫度下儲存14天後之黏度(毫帕斯卡•秒) -41 - 本纸張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 83. 3.10,000 — (請^.-閲讀背,面之注意事項再填寫本頁) 灯 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作钍印裝 五、發明説明(4〇) 及垂直表面膜厚(徹米) 實 驗 例 黏 度 (毫帕; 断卡♦秒) 膜厚(微米) 儲存前 儲 存後 儲存前 儲存後 9 1 7 , 000 1 4 ,600 1700 1200 10 1 0 , 300 6 ,900 900 <600 11 1 6 , 300 1 3 ,800 1600 1200 12 9 , 700 6 ,800 1000 <600 13 2 1 , 200 2 1 ,100 2 2 0 0 2 10 0 14 1 9 . 900 19 ,300 2100 2100 15 1 0 , 200 6 ,200 8 0 0 <600 16 23 , 800 23 ,200 2 5 0 0 2 40 0 17 9 , 900 7 ,900 800 <600 18 5 , 800 5 ,200 <600 <600 19 5 , 100 5 ,100 <600 <600 20 1 8 , 700 5 ,600 2 10 0 <600 實 驗 例 2 1 至 28 為 對 — 雙 成 分聚 烏 拉 坦塗覆組 成 物 内之矽 石加以研究 9 於 一 運 轉 中 之 之分 解 機 (市上可購得, 商名分散機F105 , 格 Η 曼 公 司 出 品 ,來 奇 秀 福-海恩巴哈, 德國, 齒盤分解 機 直 徑 5公分, 轉速2 8 0 0轉/分鐘) 内 9 將 2 0 2 · 67公克無溶 劑 » 含 有 醚 基 及 酯基 之 分 枝型聚醇 (其0 Η含量為5¾重量比, 當 量 為 3 40, 酸值為2 t 在 溫度2 0 υ 及 剪 力梯度 1 4 7秒-1之 情 況 下 其 黏 度 為 49 0 0 毫 帕 斯卡•秒 > 該 分枝型 聚醇(市上 可 購 得 9 商 名 迪 斯莫 11 50 ,拜耳 公 司 山口 ffi 口Π > 列弗爾古森 -42 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) 311904 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (41) 1 1 I 德 國 ), 40 . 00公 克 分 子 篩 軟 音 f 該 軟 音 在 溫 度20 下 之 黏 1 1 1 度 為 1 8 ,000 毫 帕 斯 卡 « 秒 9 並 含 有 50¾ 重 量 比之 沸 石 9 該 1 沸 石 之 平 均 孔 徑 為 0 . 3毫微米, 在蓖麻油中(市上 可 購 得 9 請 先 1 1 商 名 拜 立 斯 -L -軟音, 拜耳公司出品, 列弗爾古森, 德國) 閲 讀 背 1 » 在 每 値 案 例 中 9 8 . 10公 克 依 昭 實 驗 例 1 、 2、3 、 4、 5 之 6, 7或 8 製 得 之 矽 石 » 176. 00公 克 硫 酸 η 填 料[ 其 平 均 粒 注 意 1 事 1 徑 為 8 徹 米 ( 市 上 可 購 得 9 商 名 重 晶 石 C7 9 薩哈 特 里 本 化 項 再 1 學 公 司 出 品 » 杜 易 斯 堡 9 德 國 )] 24 . 00公 克金 紅 石 顔 料 4 窝 本 1 (含有二氣化鈦92¾ 重 量 比 > 市 上 可 購 得 9 商 名克 羅 諾 斯 RN 頁 1 I 57 S 克 羅 諾 斯 鈦 金 羼 公 司 出 品 1 列 弗 爾 古 森 ,德 國 ) 9 及 1 1 2 . 27公 克 氣 化 鐵 (I ) 及 氧 化 猛 (I ) 混 合 顔 料 [其氣化鐵( I ) 1 1 含 量 為 59¾重量比, 平均粒徑為6 微米(市 上 可購 得 9 商 名 1 訂 拜 鐵 氣 30 3 T > 拜 耳 公 司 出 品 9 列 弗 爾 古 森 9 德國 ) 送 入 9 1 經 在 室 溫 下 將 該 混 合 物 予 以 預 行 分 散 9 歴 時 10分 鐘 之 後 1 | 9 利 用 一 三 棍 研 磨 機 (愛克薩科特80 S, 愛克薩科待- 阿 帕 1 1 雷 待 保 鄂 圖 赫 爾 曼 公 司 出 品 S 諾 德 爾 斯 特 9 德國 )(前 m 距 1 1 : 2公厘, 後棍距: 3公 厘 9 轉 速 80 轉 /分鐘, 3行程) 對 其 實 施 主 要 分 散 作 用 〇 緊 接 之 後 » 為 測 定 厂 儲 存前 黏 度 J 及 1 1 測 定 厂 儲 存 前 垂 直 表 面 膜 厚 J 9 或 於 60 溫 度下 儲 存 14天 1 | 之 後 参 為 测 定 厂 儲 存 後 黏 度 J 及 測 定 厂 儲 存 後垂 直 表 面 膜 1 I 厚 J 9 於 25 X: 溫 度 下 t 歴 時 5分鐘, 利用- -混合機( 附 有 葉 1 | ./ 式 攪 拌 器 9 直 徑 70 公 厘 > 市 上 可 購 得 t 商 名 IKA RW27 > 簡 1 I 克 -昆克爾公司出品, 德國, 轉速400 轉 /分鐘)將 39 .6 公 克 1 1 無 溶 劑 聚 異 氰 酸 酯 (以 二 苯 基 甲 烷 二 異 氛 酸 酯為 主 , 其 異 I 1 I - 43 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 311904 五、發明説明(44 ) A7 B7 經濟部中央揉準局負工消費合作社印製
實 驗 例 黏度 (毫 帕斯卡♦秒) 膜厚(微 米) 儲存前 儲 存後 儲存前 儲存後 2 1 28 , 200 25 ,100 1800 1700 22 10 , 800 7 ,900 <600 <600 23 27 , 900 24 ,900 1900 1600 24 9 , 800 6 ,400 <600 <600 25 41 , 900 40 ,800 2 5 0 0 2 40 0 26 41 . 400 41 ,000 2 5 0 0 2 40 0 27 10 , 900 6 ,900 <600 <600 28 43 , 000 42 ,300 2 5 0 0 2 5 0 0 29 11, 000 6 ,000 <600 <600 30 8 , 000 4 ,400 <600 <600 31 6 , 000 4 ,000 <600 <600 32 8 , 000 5 ,500 <600 <600 實 驗 例 33 至 40 為 對 一 乙烯 酯条统 内 矽石之 稠 化 效 果加以 研 究 ,在室 溫 下 » 歴 時 15分 鐘, 於 一 分解機 ( :市 上 可購得 9 商 名分散 機 F 10 5 , 格玆曼公 司出品,來奇秀福- 海恩巴 哈 9 德國, 齒 盤 分 解 機 直徑 5公分 % - 圓周線 速 率 7 . 3公尺/ 秒 ) 内,將 145 . 50公 克 濃度 40¾ 重 量 比之聚 乙 烯 酯 樹脂在 苯 乙 烯内之 溶 液 (其25 t溫度下 之黏度為500 毫 帕 斯 卡•秒 9 市 上可購 得 t 商 名 帕 拉格 爾 A430 9 巴德苯 胺 純 鹼 公司出 品 * 路特維 克 斯 哈 芬 9 德國 )及 每艏案例中4 .5 1公 克 依照實 驗 例 1、2、 3、 4 5、 6、7 或8 製 備 之矽石 予 以 分 散。隨 後 9 該組成 物 之 黏 度 俗 在25 r 溫度下,利用布魯克費爾德黏度計R V T -4 6 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 83. 3.10,000 A7 B7 經*部中央棣準局貝工消费合作社印装 五、 發明説明 (45) 1 1 I D V II , 6 號轉子, 測定。 1 1 1 測 得 之 結果, 經窠 整如 表3所 示 〇 /—N 1 I 實 驗 例 41 請 先 * 將 實 驗 例31之 程序 重複 一遍, 但 不 用 依 照 實 驗 例 1 製 Η 讀 背 1 I 備 之 矽 石 f 改用一 熱解 法矽 石,該 熱 解 法 矽 石 業 /jrr 经 以 二 甲 面 之 表 面 注 | 基 矽 氣 基 加 以表面 修飾 ,其 含碩量 為 1 . 0% 重 量 比 > 比 $ 1 積 為 160平方公尺/公克 (依照DIN 66131及 66 132之BET低 溫 項 再 1 X 氮 吸 附 法 測 得),且可依照德國專利D E 42 21 716製得(市 >具 寫 本 1 上 可 購 得 9 商名瓦 克 HDK H20,瓦 克 化 學 公 司 出 品 * 慕 尼 頁 1 1 黑 9 德 國 )。 測得之結果如表3所示。 1 I 實 驗 例 42 1 1 將 實 驗 例3 1之 程序 重複 一遍, 但 不 用 依 照 實 驗 例 1 製 1 訂 1 備 之 矽 石 9 改用一 熱解 法矽 石,該 熱 解 法 矽 石 業 經 以 三 甲 基 矽 氣 基 加 以表面 修飾 ,其 含碩量 為 2 . 5¾ 重 量 比 » bb 表 面 1 1 積 為 140平方公尺/ 公克 (依照 D I N 6 6 13 1 及 66 132之BET低 溫 1 I 氮 吸 附 法 測 得),且可依照德國專·利D E 23 44 3 88製得(市 1 1 上 可 購 得 商名瓦 克 HDK H2000, 瓦 克 化 學 公 司 出 品 » 慕 ) 1 尼 黑 9 德 國 )。测得之結果如表3所示。 1 | 實 驗 例 43 1 1 將 實 驗 例9之 程序 重複 一遍, 怛 不 用 依 照 實 驗 例 1 製 1 | 備 之 矽 石 1 改用一 熱解 法矽 石,該 熱 解 法 矽 石 業 經 以 銨 - I 官 能 有 機 聚 矽氧烷 加以 表面 修飾, 其 含 碩 量 為 5 . 5¾ 重 量 比 1 1 , 比 表 面 積 為110平方公尺/公克(依 照 DIN 66 13 1 及 661 32 1 I 之 BET低溫氮吸附法測得), 且可依 照 德 國 專 利 DE -A 37 07 1 1 1 4 7 - 1 1 1 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公瘦) 83.3.10,000 A7 B7 311904 五、發明説明(46 226製得(市上可購得,商名瓦克 HDK H2050,瓦克化學公 司出品,慕尼黑,德國)。測得之結果如表3所示。 實驗例44 將實驗例9之程序重複一遍,但不用依照實驗例1製 備之矽石,改用一親水性熱解法矽石,其比表面積為200 平方公尺/公克(依照D IN 66131及6 6 1 3 2之BET低溫氮吸附 法測得),且可依照德國專利D E 2 6 2 0 7 3 7製得(市上可購 得,商名瓦克 HDK N20,瓦克化學公司出品,慕尼黑,德 國)。測得之結果如表3所示。 表3 實驗例33至44/黏度(毫帕斯卡•秒) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樑準局負工消費合作社印装 實驗例 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 黏度(毫帕斯卡 440 0 2 3 0 0 45 0 0 2 100 5 9 0 0 5 8 0 0 2 2 0 0 7 3 0 0 3 0 0 0 1800 1900 1200 4 8 *· 秒) 83. 3. 10,000 本紙張尺度適用中國國家椹準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、 發明説明 Η 7 ) 1 1 I 附 錄 1 1 I 附 錄 I 可 萃 取 之 矽 烷 化 劑 1 用 一 刮 勺 將 25公 克 矽 石 摻 入 100公克四氫呋喃内, 請 1 1 隨 後 9 在 用 冰 塊 冷 卻 之 情 況 下 » 予 以 攪 拌 成 稠 狀 液 體 * 再 閱. 讀 1 背 1 在 —- 分 解 機 (賓待勞利克實驗室用分解機LD 50 t 附 40公 厘 之· 1 齒 盤 ), 以8400轉/分 鐘 之 轉 速 剪 切 60秒 鐘 並 以 超 聲 波 予 注 意 1 事 1 以 平 衡 化 * 歴 時 6 0分 鐘 9 兩 天 後 > 以 加 壓 過 濾 法 加 以 過 濾 項 再 1 I t 可 得 一 澄 清 濾 液 0 利 用 原 子 吸 收 光 譜 儀 分 析 該 濾 液 之 矽 窝 本 1 ,裝 含 量 > 再 於 濃 縮 10倍 之 後 9 用 氣 體 層 析 法 測 定 其 有 UrH 饿 矽 化 頁 I 合 物 之 含 量 0 以 矽 石 為 基 準 9 偵 檢 極 限 < 1 00 個 百 萬 分 點 之 I 1 有 機 矽 化 合 物 0 1 1 附 錄 I 對 0Η '之相對吸收容量 訂 依 據 席 爾 斯 等 人 在 厂 分 析 化 學 J 1956 > 12 9 198 1 中 所 1 述 f 矽 石 内 酸 性 矽 烷 基 之 含 量 9 可 在 飽 和 氛 化 鈉 溶 液 内 以 1 I 0 . 1 當 量 濃 度 之 氫 氧 化 鈉 溶 液 滴 定 之 0 假 若 此 方 法 適 用 於 1 1 高 度 非 極 性 矽 石 1 一 般 而 f 可 偵 檢 出 對 羥 離 子 (0H ) 之 1 1 吸 收 容 量 〇 所 以 > 相 對 吸 收 容 量 經 界 定 為 广 非 極 性 矽 石 益 ) 之 吸 收 容 量 除 以 親 水 性 原 始 矽 石 之 吸 收 容 量 > 乘 以 1 00 J 0 1 1 附 錄 I : 甲 醇 值 1 | 依 據 定 義 » 非 極 性 矽 石 9 尤 其 高 度 非 極 性 矽 石 f 不 易 1 I 受 水 潤 溼 因 此 1 即 使 經 振 盪 之 後 非 極 性 矽 石 仍 漂 浮 在 1 其 下 面 之 水 上 〇 水 中 添 加 甲 醇 , 可 使 該 混 合 物 之 表 面 張 力 1 I 相 對 地 低 於 純 水 者 〇 若 水 / 甲 醇 混 合 物 之 表 面 張 力 (毫 牛 1 1 頓 / 公 尺 ) 等 於 矽 石 之 表 面 能 量 (毫焦耳/平方公尺) 1 該 1 1 I - 49 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 3113Q4 B7 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 五、 發明説明 (43 ) 1 1 | 基 矽 氧 基 加 以表面修飾 ,其含碩量 為 2 . 5¾ 重 量 比 t 比 表 面 1 1 1 積 為 140平方公尺/公克 (依照 D IN 66131 及 66132之 BET低 溫 y»—N 1 I 氮 吸 附 法 测 得),且可依照德國專利D E 23 44 3 8 8製得(市 請 1 1 慕 ή 上 可 購 得 9 商名瓦克 HDK H2000, 瓦 克 化 學 公 司 出 品 > 讀 背 1 | 尼 黑 » 德 國 )。測得之結果如表2所示。 面 之 注 1 實 驗 例 3 1 意 事 1 將 實 驗 例21之程序 重複一遍, 但 不 用 依 照 實 驗 例 1 製 項 再 1 填 丄 備 之 矽 石 » 改用一熱解 法矽石,該 熱 解 法 矽 石 業 經 以 銨 - 寫 本 I 官 能 有 機 聚 矽氣烷加以 表面修飾, 其 含 碩 量 為 5 . 5¾ 重 量 比 頁 1 1 » 比 表 面 積 為110平方公尺/公克(依 照 D I N 66 13 1 及 66 1 32 1 I 之 B E T低溫氮吸附法測得),且可依 照 德 國 專 利 DE -A 37 07 1 1 22 6製得 (市上可購得, 商名瓦克 HDK H 2 0 5 0 EP * 瓦 克 化 1 訂 1 I 學 公 司 出 品 ,慕眉黑, 德國)。測得之結果如表2所示。 實 驗 例 32 1 1 將 實 驗 例2 1之程序 重複一遍, 但 不 用 依 照 實 驗 例 1 製 1 I 備 之 矽 石 t 改用一親水 性熱解法矽 石 9 其 比 表 面 積 為 200 1 1 平 方 公 尺 /公克(依照D IN 66131¾ 66 132之BET低 溫 氮 吸 附 法 測 得 ), 且可依照德國專利DE 26 20 737製得( 币 上 可 購 1 I 得 9 商 名 瓦 克 HDK H20 ,瓦克化學 公 司 出 品 慕 尼 黑 t 德 1 1 國 )0 測得之結果如表2所示。 1 1 I 表 2 實 驗 例 21 至 32 1 * 1 1 儲 存 前 及 在 60 υ溫度下 儲存1 4天後 之 黏 度 (毫帕斯卡 秒) 1 I 及 垂 直 表 面 膜厚(微米) 1 1 1 -4 5 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(42 ) 氣酸酯基之含量為31.5¾重量比及23Ό溫度下之黏度為120 毫帕斯卡♦秒,市上可購得,商名迪斯莫杜爾VL,拜耳公 司出品,列弗爾古森,德國)混入,之後,立即將用此方 法製得之组成物分作兩份,其中,一份用以測定黏度,另 一份用以測定垂直表面膜厚。 黏度之測定:該組成物之黏度,偽在25C溫度下,利用布 魯克費爾德黏度計R V T D V - I,6號轉子,测定。 垂直表面膜厚之測定:利用分级式刮刀片,將該組成物塗 覆在一黑/白對比卡上,膜厚自600至2600微米(細分成每 次100徹米一级),並將卡放在垂直位置。記錄之參數偽所 敷組成物未完全固化前開始流動之膜厚(以徹米為單位)。 儲存前及儲存後所測得之黏度及垂直表面膜厚,經彙 整如表2。 實驗例29 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 將實驗例21之程序重複一遍,但不用依照實驗例1製 備之矽石,改用一熱解法矽石,該熱解法矽石業經以二甲 基矽氧基加以表面修飾,其含硪量為1.0¾重量比,比表面 積為160平方公尺/公克C依照DIN 66131及66132之BET低溫 氮吸附法測得),且可依照德國專利D E - 4 2 2 1 7 1 6製得(市 上可購得,商名瓦克 HDK H20,瓦克化學公司出品,慕尼 黑,德國)。测得之結果如表2所示。 實驗例30 將實驗例21之程序重複一遍,但不用依照實驗例1製 備之矽石,改用一熱解法矽石,該熱解法矽石業經以三甲 -44 - 83. 3.10,000 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) S11Q04 A7 B7 五、發明説明(48) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 矽石得經以潤濕而沉人該水/甲醇混合物内。甲醇值係界 定為:半數矽石經以潤濕而沉入該水/甲醇混合液體内時 ,甲醇在該液體内之ϋ!重量比。於水/甲醇混合物之上面, 添加等體積之矽石,經劇烈振盪5分鐘使其徹底混合,之 後,靜置10分鐘,再量測沉没矽石之量。 附錄IV :在不飽和聚酯樹脂中之稠化效果 利用一分解機(賓特勞利克實驗室用分解機LD 50,附 40公厘齒盤),將9公克每種矽石攪拌入141公克濃度663:重 量比之不飽和聚酯樹脂在苯乙烯内之溶液(依照DIN 53402 測得其酸值為31,其在231C溫度下之黏度為1000毫帕斯卡 •秒,市上可購得,商名廉道帕爾Ρ6,巴德苯胺纯鹼公司 出品,路特維克斯哈芬,德國)内,之後,以2800轉/分鐘 之速率予以分散。依照DIN 53019第一節,用一轉動式黏 度計以剪力梯度9.7公分d測出25T 溫度下之黏度,即偽 「在不飽和聚酯樹脂中之稠化效果」。 附錄V ··在25¾乙醇溶液中之稠化效果 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 於16.7公克水及33.3公克分析级乙醇所形成之混合物 内,將15公克每種矽石攪入成為軟音狀,之後,添加85公 克水,用一分解機(賓特勞利克實驗室用分解機LD 50,附 40公厘齒盤)予以攪入,繼之,以2 8 0 0轉/分鐘之速率將該 混合物予以分散,歴時5分鐘。依照DIN 53019第一節,用 一轉動式黏度計以剪力梯度9.7公分_1測出251C 溫度下之 黏度,即傜「在25¾乙醇溶液中之稠化效果」。 -50 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. Γ Α8 Β8 C8 D8 86-06-16 修正 85-11-27 修正 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、 冲請專刹範圍 : 1 1 . 一 種 極 微 细 粉 Μ fb 鋁 二 氧 化 钛 矽 石 (二氧化矽) 1 1 或 遇 期 表 第 三 四族 及 四 次 族 無 機 氧 化 物 矽 烷 化 之 方 法 1 1 f 其 中 該 等 極 撤 细 粉狀 無 襪 氧 化 物 之 處 理 X 作 係 用 至 少 /«—S 請 1 先 1 * 種 矽 烷 化 劑 9 該 矽 烷 化 劑 在 全 程 溫 度 範 園 內 具 有 相 對 地 閱 非 揮 發 性 » 但 該 相 對 地 非 揮 發 性 矽 烷 化 劑 係 與 極 微 细 粉 狀 背 面 i I 之 1 無 機 氧 化 物 混 合 為 液 體 * 形 成 —- 極 微 细 霧 狀 氣 溶 膠 0 1 1 I 2 . 如 Φ 讅 專 利 範 圃 第 1 項 之 方 法 > 其 中 該 等 捶 撖 细 粉 狀 事 項 1 I 再 1 | 無 機 氧 化 物 更 Μ 至 少 種 矽 烷 化 劑 作 進 —- 步 之 處 理 » 該 矽 填 寫 1 烷 化 爾 在 全 程 溫 度 範 園 内 具 有 揮 發 性 * 但 該 揮 發 性 矽 焼 化 本 頁 i I m 係 與 該 等 極 微 细 粉 狀 無 機 氧 化 物 形 成 氣 態 〇 1 1 3 . 如 甲 請 專 利 範 圔 第 1 或 2 項 之 方 法 > 其 中 包 括 第 — 1 I 步 9 極 微 细 粉 狀 無 機 氧 化 物 與 矽 烷 化 劑 之 混 合 t 第 二 步 » 1 1 藉 热 處 理 所 作 之 後 處 理 9 第 三 步 $ 於 — 氣 髖 流 内 之 純 化 作 訂 | 用 0 1 I 4 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 1 或 2 項 之 方 法 > 其 中 全 程 溫 度 低 I 1 於 400 t: 〇 1 I 5 . 如 申 請 專 利 範 園 第 1 或 2 項 之 方 法 9 其 中 所 用 矽 烷 化 劑 包 括 一 種 或 更 多 種 相 同 或 不 同 之 有 櫬 矽 化 合 物 〇 t l 6 . 如 串 請 專 利 範 醑 第 1 或 2 項 之 方 法 f 其 中 該 等 極 微 细 1 1 粉 狀 無 機 氧 化 物 係 用 一 質 子 性 溶 劑 作 進 一 步 之 處 理 0 I 1 7 . 如 申 請 專 利 範 圃 第 1 或 2 項 之 方 法 9 其 中 該 等 極 微 细 1 I 粉 狀 無 櫬 氧 化 物 已 具 之 碳 含 量 低 於 IX 重 量 比 9 比 表 面 積 為 1 1 100平方公尺/公克(依 照 D IN 661 31 及 66 132之BET低 溫 氮 1 1 吸 附 法 澜 得 )0 1 1 - 51 - 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 311904 ?8 D8 々、申請專利範圍 8. 如申謫專利範第1或2項之方法,所用該極微细粉 狀無機氧化物係矽石。 如申請專利範面第1或2項之方法,其中所用矽烷化 劑包括之有機矽化合物具有下列化學通式 R1nSiX4_n (I) 其中 R 1 在每個案例内可能相同或不同,且係一單價、可随意 鹵化,具有1至18涸碳原子之烴基, X 在每個蒹例内可能相同或不同,且係鹵素,或〇H, 0R ,0C0R2 , 0(CH 2 ) X OR2 , R2 在每®案例内可能相同或不同,且係一單價,具有1 至 8個礙原子之烴基, η 係1或2 ,及 X ft 1、2 或 3 , 及/或具有下列化學式之有機矽氧烷 (RlaXbSi〇l/2)z(R12Si〇2/2)x(R3R1Si〇2/2)y(SiXbR1a)z (工工) 其中 R 1 係如Μ上所界定者,且在每儀菜例中可相同或不同, Ra 係如以上所界定者, R3 在每個案例内可能相闻或不同,且係一氫及一單價、 可»意鹵化及具有1至18個碳原子烴基,該烴基與R1 不同, -52 - 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ---------ί-------、玎------線{ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 對解處 ,烴 矽良 相溶1 。石涸 法改 之石-基矽兩 解 Μ 子矽分醇法由 热, 離從公矽解括 、劑 羥可50雄熱包 性收 對劑37隔、劑 極吸 ,化數之性化 非之 50烷波上極烷 度類 於矽在石非矽 高油 等之儀矽度结 之、。 或分譜法高鍵 項劑性 於部光解之之11化動 大何線熱項比 或稠流 值任外性10耳10之之 酵無紅極第莫 第内物 甲,藉非鼸 X 園统成 其$ 且度範80。範系組 ,25而高利少基利性沫 }於,出專至氧專檯泡 得低來檢請:矽請作抗 测量下偵申是之申用及 法容取法如激代如係劑 附收萃無.特取.,色 吸吸或 ,11其基12石調 311904 H C8 D8 六、申請專利範圍 x 係如以上所界定者, a 係 0、1、2 或 3 , b 係 0、1、2 或 3 · a + b之和等於3, X係0或一自1至200之整數, y係0或一自1至2 0 0之整數, x + y之和係0或一自1至200之整數, z係0或1 ,但若x + y之和係0, z大於0。 10. —種如申請專利範_第1、2、3、4、5、6、7、8或 9項之方法所製備之高度非極性、熱解法矽石,其特戡是 :其平均基本粒子徑低於100毫微米,尤其,其比表面積 大於25平方公尺/公克(依照DIN 66131及66132之BET低潘 氮吸附法測得),碳含量至少為1%重量比,經由比表面積 100平方公尺/公克(依照DIM 66131及66132之BET低溫氮 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    311904 A8 Βδ C8 D8 申請專利範圍 8或魏鲔 係用作極性糸統內ϋ 如申請專利範圃第1、2、3、4、5、6、7、 -$·高度非極性、熱解法矽石 油類之吸收劑,Μ改良調色劑及抗泡沫組成物之流 動性 ---------广-------1Τ------^ I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局WC工消費合作社印裝 54 本紙張尺度適用肀困两家標準(匚阳)八4規格(210父297公釐)
TW084103815A 1994-06-01 1995-04-18 TW311904B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4419234A DE4419234A1 (de) 1994-06-01 1994-06-01 Verfahren zur Silylierung von anorganischen Oxiden

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW311904B true TW311904B (zh) 1997-08-01

Family

ID=6519579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW084103815A TW311904B (zh) 1994-06-01 1995-04-18

Country Status (15)

Country Link
US (2) US5686054A (zh)
EP (1) EP0686676B1 (zh)
JP (1) JP2918092B2 (zh)
CN (1) CN1051747C (zh)
AT (1) ATE169948T1 (zh)
AU (1) AU669647B2 (zh)
BR (1) BR9502619A (zh)
CA (1) CA2149821C (zh)
DE (2) DE4419234A1 (zh)
ES (1) ES2121261T3 (zh)
FI (1) FI116832B (zh)
NO (1) NO316383B1 (zh)
RU (1) RU2137712C1 (zh)
TW (1) TW311904B (zh)
UA (1) UA43328C2 (zh)

Families Citing this family (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IN191468B (zh) * 1996-03-29 2003-12-06 Degussa
US6191122B1 (en) 1996-03-29 2001-02-20 DEGUSSA HüLS AKTIENGESELLSCHAFT Partially hydrophobic precipitated silicas
DE19742761A1 (de) * 1997-09-27 1999-04-01 Gerd Dr Rossmy An ihrer Oberfläche anisotrop verteilte überwiegend hydrophile und überwiegend hydrophobe Domänen aufweisende amphiphile Teilchen oder Moleküle
DE19756831A1 (de) * 1997-12-19 1999-07-01 Wacker Chemie Gmbh Siliciumdioxid, das an seiner Oberfläche teil- oder vollständig silylierte Polykieselsäureketten trägt
DE19757210A1 (de) * 1997-12-22 1999-07-01 Degussa Hydrophobierte, pyrogen hergestellte Oxide
DE69921450T2 (de) * 1998-01-15 2005-10-13 Cabot Corp., Boston Verfahren zur herstellung von behandelter kieselsäure
DE69915590T2 (de) * 1998-01-15 2004-08-05 Cabot Corp., Boston Verfahren zur herstellung von organisch modifizierter kieselgel
DE69902223T2 (de) * 1998-01-15 2003-01-23 Cabot Corp., Boston Polyfunktionelle organosilan behandlung von kieselsäure
US5981131A (en) * 1998-07-27 1999-11-09 Mitsubishi Chemical America, Inc. Electrostatic toner composition to enhance copy quality by rejection of ghosting and method of manufacturing same
US6383466B1 (en) * 1998-12-28 2002-05-07 Battelle Memorial Institute Method of dehydroxylating a hydroxylated material and method of making a mesoporous film
US6174926B1 (en) 1999-01-13 2001-01-16 Cabot Corporation Method of preparing organically modified silica
GB9927431D0 (en) * 1999-11-22 2000-01-19 Ciba Sc Holding Ag Casting resin and process for the fabrication of resin molds
GB2357497A (en) * 1999-12-22 2001-06-27 Degussa Hydrophobic silica
DE19963187B4 (de) * 1999-12-27 2006-10-26 Deutsche Amphibolin-Werke Von Robert Murjahn Gmbh & Co. Kg Wässriges Beschichtungsmaterial mit schmutz- und wasserabweisender Wirkung, Verfahren zu seiner Herstellung und dessen Verwendung
PT1173523E (pt) * 2000-02-29 2006-05-31 Feron Aluminium Processo para a preparacao de um material estratificado e material estratificado assim obtido
US20010036437A1 (en) * 2000-04-03 2001-11-01 Andreas Gutsch Nanoscale pyrogenic oxides
DE50005683D1 (de) 2000-04-11 2004-04-22 Degussa Streichfarben für Inkjet-Medien
DE10109484A1 (de) * 2001-02-28 2002-09-12 Degussa Oberflächenmodifizierte, dotierte, pyrogen hergestellte Oxide
US6861115B2 (en) * 2001-05-18 2005-03-01 Cabot Corporation Ink jet recording medium comprising amine-treated silica
EP1276017B1 (en) 2001-07-11 2006-06-14 Seiko Epson Corporation Non-magnetic single-component toner, method of preparing the same, and image forming apparatus using the same
DE10138492A1 (de) * 2001-08-04 2003-02-13 Degussa Hydrophobe, nicht getemperte Fällungskieselsäure mit hohem Weißgrad
DE10145162A1 (de) * 2001-09-13 2003-04-10 Wacker Chemie Gmbh Kieselsäure mit geringem Gehalt an Kieselsäure-Silanolgruppen
DE10150274A1 (de) 2001-10-12 2003-04-30 Wacker Chemie Gmbh Kieselsäure mit homogener Silyliermittelschicht
JP3886363B2 (ja) * 2001-11-14 2007-02-28 電気化学工業株式会社 疎水性シリカ微粉体の製造方法
DE10211313A1 (de) 2002-03-14 2003-10-02 Wacker Chemie Gmbh Mehrfachemulsionen
DE10239425A1 (de) * 2002-08-28 2004-03-11 Degussa Ag Lackformulierungen
DE10260323A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-08 Wacker-Chemie Gmbh Wasserbenetzbare silylierte Metalloxide
EP1597198B1 (de) * 2003-02-20 2009-04-29 Wacker Chemie AG Verfahren zur stabilisierung von dispersionen
US7176144B1 (en) 2003-03-31 2007-02-13 Novellus Systems, Inc. Plasma detemplating and silanol capping of porous dielectric films
US7208389B1 (en) 2003-03-31 2007-04-24 Novellus Systems, Inc. Method of porogen removal from porous low-k films using UV radiation
US7241704B1 (en) 2003-03-31 2007-07-10 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low stress porous low-k dielectric materials using precursors with organic functional groups
US7265061B1 (en) 2003-05-09 2007-09-04 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for UV exposure of low dielectric constant materials for porogen removal and improved mechanical properties
DE10330020A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-20 Degussa Ag Hochgefüllte Silan-Zubereitung
US7169375B2 (en) * 2003-08-29 2007-01-30 General Electric Company Metal oxide nanoparticles, methods of making, and methods of use
DE10342828A1 (de) * 2003-09-17 2005-04-14 Degussa Ag Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid
DE20321548U1 (de) * 2003-09-19 2007-11-29 Gallus Druckmaschinen Gmbh Rotationsdruckmaschine
US7390537B1 (en) 2003-11-20 2008-06-24 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low-k CDO films with low residual stress
US20050205102A1 (en) * 2004-01-30 2005-09-22 Philip Morris Usa Inc. Method of making surface modified silica gel
US7381662B1 (en) 2004-03-11 2008-06-03 Novellus Systems, Inc. Methods for improving the cracking resistance of low-k dielectric materials
US7094713B1 (en) 2004-03-11 2006-08-22 Novellus Systems, Inc. Methods for improving the cracking resistance of low-k dielectric materials
US7341761B1 (en) 2004-03-11 2008-03-11 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low-k CDO films
DE102004014704A1 (de) * 2004-03-25 2005-10-13 Wacker-Chemie Gmbh Partikelstabilisierte Emulsionen
US7781351B1 (en) 2004-04-07 2010-08-24 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low-k carbon doped oxide films with low residual stress
US7253125B1 (en) 2004-04-16 2007-08-07 Novellus Systems, Inc. Method to improve mechanical strength of low-k dielectric film using modulated UV exposure
US7622400B1 (en) 2004-05-18 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. Method for improving mechanical properties of low dielectric constant materials
DE102004039212A1 (de) * 2004-08-12 2006-03-02 Wacker-Chemie Gmbh Rheologiesteuerung von Pickering-Emulsion durch Elektrolyte
US7326444B1 (en) 2004-09-14 2008-02-05 Novellus Systems, Inc. Methods for improving integration performance of low stress CDO films
US9659769B1 (en) 2004-10-22 2017-05-23 Novellus Systems, Inc. Tensile dielectric films using UV curing
US7790633B1 (en) 2004-10-26 2010-09-07 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
US7695765B1 (en) 2004-11-12 2010-04-13 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low-stress carbon-doped oxide films with improved integration properties
US7166531B1 (en) 2005-01-31 2007-01-23 Novellus Systems, Inc. VLSI fabrication processes for introducing pores into dielectric materials
US7510982B1 (en) 2005-01-31 2009-03-31 Novellus Systems, Inc. Creation of porosity in low-k films by photo-disassociation of imbedded nanoparticles
DE102005006870A1 (de) * 2005-02-14 2006-08-24 Byk-Chemie Gmbh Oberflächenmodifizierte Nanopartikel, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102005007753A1 (de) * 2005-02-18 2006-08-31 Wacker Chemie Ag Partikel mit geringer spezifischer Oberfläche und hoher Verdickungswirkung
DE102005012409A1 (de) 2005-03-17 2006-09-21 Wacker Chemie Ag Wäßrige Dispersionen teilhydrophober Kieselsäuren
US8282768B1 (en) 2005-04-26 2012-10-09 Novellus Systems, Inc. Purging of porogen from UV cure chamber
US8454750B1 (en) 2005-04-26 2013-06-04 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US8889233B1 (en) 2005-04-26 2014-11-18 Novellus Systems, Inc. Method for reducing stress in porous dielectric films
US8980769B1 (en) 2005-04-26 2015-03-17 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US8137465B1 (en) 2005-04-26 2012-03-20 Novellus Systems, Inc. Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers
DE102005035442A1 (de) 2005-07-28 2007-05-16 Wacker Chemie Ag Stabilisierte HDK-Suspensionen zur Verstärkung von Reaktivharzen
US7892985B1 (en) 2005-11-15 2011-02-22 Novellus Systems, Inc. Method for porogen removal and mechanical strength enhancement of low-k carbon doped silicon oxide using low thermal budget microwave curing
CA2633444C (en) * 2005-12-16 2012-07-17 Akzo Nobel N.V. Organo-modified silica based material
US9308520B2 (en) 2005-12-16 2016-04-12 Akzo Nobel N.V. Silica based material
US8110493B1 (en) 2005-12-23 2012-02-07 Novellus Systems, Inc. Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask
US7381644B1 (en) 2005-12-23 2008-06-03 Novellus Systems, Inc. Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask
WO2007084245A2 (en) * 2006-01-19 2007-07-26 Dow Corning Corporation Systems and methods for functionalizing particulates silane-containing materials
DE102006014875A1 (de) * 2006-03-30 2007-10-04 Wacker Chemie Ag Partikel mit strukturierter Oberfläche
US7923376B1 (en) 2006-03-30 2011-04-12 Novellus Systems, Inc. Method of reducing defects in PECVD TEOS films
US7527838B2 (en) * 2006-04-06 2009-05-05 Momentive Performance Materials Inc. Architectural unit possessing translucent silicone rubber component
DE102006017592A1 (de) 2006-04-13 2007-10-18 Wacker Chemie Ag Rheologiesteuerung stark basischer Flüssigkeiten
US8530048B2 (en) * 2006-08-06 2013-09-10 Byk-Chemie Gmbh Surface-modified particles and production method
CN101522821B (zh) * 2006-08-06 2013-07-03 比克化学股份有限公司 用聚硅氧烷表面改性的颗粒和其生产方法
WO2008027561A2 (en) * 2006-09-01 2008-03-06 Cabot Corporation Surface-treated metal oxide particles
US8455165B2 (en) 2006-09-15 2013-06-04 Cabot Corporation Cyclic-treated metal oxide
US20080070146A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Cabot Corporation Hydrophobic-treated metal oxide
US8435474B2 (en) 2006-09-15 2013-05-07 Cabot Corporation Surface-treated metal oxide particles
US8202502B2 (en) 2006-09-15 2012-06-19 Cabot Corporation Method of preparing hydrophobic silica
US8465991B2 (en) * 2006-10-30 2013-06-18 Novellus Systems, Inc. Carbon containing low-k dielectric constant recovery using UV treatment
US7851232B2 (en) 2006-10-30 2010-12-14 Novellus Systems, Inc. UV treatment for carbon-containing low-k dielectric repair in semiconductor processing
US10037905B2 (en) 2009-11-12 2018-07-31 Novellus Systems, Inc. UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing
US7906174B1 (en) 2006-12-07 2011-03-15 Novellus Systems, Inc. PECVD methods for producing ultra low-k dielectric films using UV treatment
US20080145545A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Bret Ja Chisholm Metal oxide and sulfur-containing coating compositions, methods of use, and articles prepared therefrom
DE102006061057A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Wacker Chemie Ag Organofunktionelle Silikonharzschichten auf Metalloxiden
US8242028B1 (en) 2007-04-03 2012-08-14 Novellus Systems, Inc. UV treatment of etch stop and hard mask films for selectivity and hermeticity enhancement
DE102007024963A1 (de) 2007-05-30 2008-12-04 Wacker Polymer Systems Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von dämmenden Beschichtungen
US7622162B1 (en) 2007-06-07 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. UV treatment of STI films for increasing tensile stress
US8501856B2 (en) * 2007-07-13 2013-08-06 Momentive Performance Materials Inc. Curable silicon-containing compositions possessing high translucency
DE102007033448A1 (de) 2007-07-18 2009-01-22 Wacker Chemie Ag Hochdisperse Metalloxide mit einer hohen positiven Oberflächenladung
DE102007035955A1 (de) * 2007-07-30 2009-02-05 Evonik Degussa Gmbh Oberflächenmodifizierte, pyrogen hergestellte Kieselsäuren
DE102007035956A1 (de) * 2007-07-30 2009-02-05 Evonik Degussa Gmbh Oberflächenmodifizierte, pyrogen hergestellte Kieselsäuren
US8211510B1 (en) 2007-08-31 2012-07-03 Novellus Systems, Inc. Cascaded cure approach to fabricate highly tensile silicon nitride films
DE102007055879A1 (de) * 2007-12-19 2009-06-25 Wacker Chemie Ag Hydrophobierung von Kieselsäuren und oxidierenden Bedingungen
DE102008041466A1 (de) 2008-08-22 2010-02-25 Wacker Chemie Ag Wäßrige Dispersionen hydrophober Kieselsäuren
US9050623B1 (en) 2008-09-12 2015-06-09 Novellus Systems, Inc. Progressive UV cure
FR2937338B1 (fr) * 2008-10-17 2013-03-22 Biomerieux Sa Milieu reactionnel pour la detection et/ou l'identification de bacteries du genre legionella
DE102008054592A1 (de) 2008-12-12 2010-06-17 Wacker Chemie Ag Pyrogene Kieselsäure hergestellt in einer Produktions-Anlage mit kleiner Kapazität
CN102428145B (zh) * 2009-03-18 2014-03-26 巴斯夫欧洲公司 改性的二氧化硅粒子和包含它们的防污聚合物组合物
JP4893836B2 (ja) * 2010-01-29 2012-03-07 オムロン株式会社 一液性エポキシ樹脂組成物およびその利用
FR2979107A1 (fr) * 2011-08-16 2013-02-22 Bluestar Silicones France Procede de preparation d'une silice greffee par un compose organosilicie
DE102011084048A1 (de) 2011-10-05 2013-04-11 Wacker Chemie Ag Polymerpulver enthaltende Baustofftrockenformulierungen
DE102012203826A1 (de) * 2012-03-12 2013-09-12 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Oberflächenmodifikation von partikulären Feststoffen
WO2013156337A1 (en) * 2012-04-20 2013-10-24 Evonik Degussa Gmbh Reinforced epoxy resin adhesive
EP2781558B1 (de) 2013-03-19 2016-12-14 Evonik Degussa GmbH Modifizierte kieselsäure enthaltende zusammensetzung und diese zusammensetzung enthaltender silikonkautschuk
DE102013224210A1 (de) 2013-11-27 2015-05-28 Wacker Chemie Ag Silanisierte hochhydrophobe Kieselsäuren
DE102013224206A1 (de) * 2013-11-27 2015-05-28 Wacker Chemie Ag Oberflächenmodifizierte partikuläre Metalloxide
DE102013226494A1 (de) 2013-12-18 2015-06-18 Wacker Chemie Ag Modifizierung der Oberflächen von Metalloxiden mittels kettenartiger Strukturen
FR3020766B1 (fr) * 2014-05-07 2020-05-08 Pylote Particules inorganiques individualisees
DE102015214883A1 (de) 2015-08-04 2017-02-09 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Formkörpern
DE102015216505A1 (de) 2015-08-28 2017-03-02 Wacker Chemie Ag Silica Formkörper mit geringer thermischer Leitfähigkeit
EP3245046B1 (de) 2015-11-09 2019-02-13 Wacker Chemie AG Siliconzusammensetzungen zur herstellung elastomerer formteile mittels ballistischer verfahren
CN108025494B (zh) 2015-11-26 2020-03-10 瓦克化学股份公司 用于通过弹道生成方法生产弹性体模制部件的高粘性硅酮组合物
EP3344438B1 (de) 2016-08-26 2019-05-22 Wacker Chemie AG Verfahren zur herstellung von formkörpern
US9847221B1 (en) 2016-09-29 2017-12-19 Lam Research Corporation Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing
US20200317923A1 (en) 2017-02-23 2020-10-08 Wacker Chemie Ag Generative method for producing molded bodies using a support material made of wax
DE102017209782A1 (de) 2017-06-09 2018-12-13 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Wärmedämmung eines evakuierbaren Behälters
WO2019170264A1 (de) 2018-03-05 2019-09-12 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur herstellung eines aerogelmaterials
KR20200134310A (ko) 2018-03-28 2020-12-01 와커 헤미 아게 성형체를 제조하기 위한 생성 방법
EP3823939A1 (en) 2018-07-17 2021-05-26 Evonik Operations GmbH Thermal insulating composition based on fumed silica granulates, processes for its preparation and uses thereof
EP3597615A1 (en) 2018-07-17 2020-01-22 Evonik Operations GmbH Granular mixed oxide material and thermal insulating composition on its basis
US11987528B2 (en) 2018-07-18 2024-05-21 Kingspan Insulation Limited Process for hydrophobizing shaped insulation-material bodies based on silica at ambient pressure
KR102057036B1 (ko) * 2019-10-04 2019-12-18 박희대 소수성 나노실리카가 배합된 접착력이 우수한 열가소성 핫멜트 필름
US20230002627A1 (en) 2020-01-14 2023-01-05 Evonik Operations Gmbh Silica-based hydrophobic granular material with an increased polarity
ES2914063T3 (es) 2020-01-14 2022-06-07 Evonik Operations Gmbh Sílice pirógena con actividad superficial modificada
KR20230130714A (ko) 2021-03-05 2023-09-12 와커 헤미 아게 실록산-작용화된 실리카

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1163784C2 (de) * 1962-03-30 1973-05-03 Degussa Verfahren zur Oberflaechenbehandlung von hochdispersen Oxyden
US3963627A (en) * 1970-02-16 1976-06-15 Imperial Chemical Industries Limited Surface treatment of particulate solids
US3830738A (en) * 1970-02-16 1974-08-20 Ici Ltd Surface treatment of particulate solids
GB1348372A (en) * 1970-02-16 1974-03-13 Ici Ltd Foam-compatible powder compositions
DE2344388B2 (de) * 1973-09-03 1978-06-22 Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh, 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von hydrophobem Siliciumdioxyd
US4036933A (en) * 1974-01-18 1977-07-19 Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler Highly-active, finely divided super-dry silicon dioxide
DE2403783C2 (de) * 1974-01-26 1982-10-21 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur Herstellung hydrophobierter pyrogener Kieselsäure
DE2513608C2 (de) * 1975-03-27 1982-08-05 Degussa Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur Hydrophobierung von Kieselsäuren und Silikaten mit Organosilanen
DE2620737C2 (de) * 1976-05-11 1982-07-29 Wacker-Chemie GmbH, 8000 München Verfahren zum Herstellen von hochdispersem Siliciumdioxid
DE2728490C2 (de) * 1977-06-24 1981-09-17 Degussa Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur Hydrophobierung von Kieselsäure
DE3211431A1 (de) * 1982-03-27 1983-09-29 Degussa Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur hydrophobierung von pyrogen hergestelltem siliciumdioxid
DE3616133A1 (de) * 1985-09-25 1987-11-19 Merck Patent Gmbh Kugelfoermige sio(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-partikel
DE3707226A1 (de) * 1987-03-06 1988-09-15 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von hochdispersem metalloxid mit ammoniumfunktionellem organopolysiloxan modifizierter oberflaeche als positiv steuerndes ladungsmittel fuer toner
US5614177A (en) * 1987-11-04 1997-03-25 Rhone-Poulenc Chimie Dentifrice-compatible silica particulates
US5153030A (en) * 1988-11-18 1992-10-06 Cabot Corporation Continuous treatment process for particulate material
JPH0657337B2 (ja) * 1988-11-18 1994-08-03 キヤボツト コーポレーシヨン 低嵩密度材料連続処理方法
DE3913938A1 (de) * 1989-04-27 1990-10-31 Degussa Presslinge auf basis von pyrogen hergestelltem titandioxid, verfahren zu ihrer herstellung sowie ihre verwendung
DE3919940A1 (de) * 1989-06-19 1990-12-20 Merck Patent Gmbh Dispersionen kugelfoermiger anorganischer partikel
JPH0616971A (ja) * 1992-06-30 1994-01-25 Nippon Shirika Kogyo Kk 塗料の耐アルカリ性を改良する方法
DE4221716A1 (de) * 1992-07-02 1994-01-05 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Hydrophobierung von pyrogen hergestelltem Siliciumdioxid
JP3146679B2 (ja) * 1992-08-31 2001-03-19 三菱マテリアル株式会社 疎水性金属酸化物粉体
JP3318997B2 (ja) * 1993-02-03 2002-08-26 三菱マテリアル株式会社 疎水性シリカ粉体、その製法および電子写真用現像剤

Also Published As

Publication number Publication date
RU2137712C1 (ru) 1999-09-20
UA43328C2 (uk) 2001-12-17
FI952622A (fi) 1995-12-02
AU2037595A (en) 1996-01-04
EP0686676B1 (de) 1998-08-19
FI952622A0 (fi) 1995-05-30
EP0686676A1 (de) 1995-12-13
NO952158D0 (no) 1995-05-31
JP2918092B2 (ja) 1999-07-12
CN1121044A (zh) 1996-04-24
NO952158L (no) 1995-12-04
RU95109149A (ru) 1997-06-20
CA2149821C (en) 2000-05-16
BR9502619A (pt) 1996-01-02
JPH07330324A (ja) 1995-12-19
DE4419234A1 (de) 1995-12-07
AU669647B2 (en) 1996-06-13
NO316383B1 (no) 2004-01-19
CN1051747C (zh) 2000-04-26
DE59503235D1 (de) 1998-09-24
CA2149821A1 (en) 1995-12-02
ATE169948T1 (de) 1998-09-15
FI116832B (fi) 2006-03-15
ES2121261T3 (es) 1998-11-16
US5851715A (en) 1998-12-22
US5686054A (en) 1997-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW311904B (zh)
AU597989B2 (en) Method for modifying the surface of finely divided silica
JP3217759B2 (ja) その表面に部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸連鎖を有する二酸化珪素及びその製法、これを含有するトナー、シリコン組成物及びシリコンエラストマー
CN101568603B (zh) 金属氧化物上的有机官能硅树脂层
JP4688895B2 (ja) シリカのシラノール基含有率が低いシリカ
EP1304361B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Kieselsäure mit homogener Silyliermittelschicht
US7585993B2 (en) Organosilane-modified polysiloxanes and their use for surface modification
JP2009513741A (ja) 高い充填剤含量を有するシラン製剤
JP5394390B2 (ja) 酸化条件下でのシリカの疎水化法
ATE312868T1 (de) Aminoalkylalkoxysiloxanhaltige gemische, deren herstellung und deren verwendung
TWI830873B (zh) 無機氧化物粒子、無機氧化物粒子分散液及其製造方法以及表面修飾劑之製造方法
CN101755016B (zh) 表面-改性的、热解制备的二氧化硅
JP2008521980A (ja) 広範囲のpHで永久的な正の表面電荷を有する金属酸化物
JPH01266137A (ja) 第4級アンモニウム基含有シリコーン樹脂微粉末
CN103221472B (zh) 基于有机硅化合物的水性可交联分散体
TW399087B (en) The metallic powder whose surface is treated and the usage in the aqueous coating compositions
JPH0524949B2 (zh)
JPS61159463A (ja) 塗膜形成材組成物
JPS61159467A (ja) 防塵性塗膜形成材組成物