DE10342828A1 - Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid - Google Patents

Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid Download PDF

Info

Publication number
DE10342828A1
DE10342828A1 DE10342828A DE10342828A DE10342828A1 DE 10342828 A1 DE10342828 A1 DE 10342828A1 DE 10342828 A DE10342828 A DE 10342828A DE 10342828 A DE10342828 A DE 10342828A DE 10342828 A1 DE10342828 A1 DE 10342828A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silica
high purity
silicon tetrachloride
purity
metals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10342828A
Other languages
English (en)
Inventor
Hauke Dr. Mobile Jacobsen
Monika Dr. Oswald
Kai Dr. Schumacher
Martin Dr. Mörters
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Evonik Operations GmbH
Original Assignee
Degussa GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Degussa GmbH filed Critical Degussa GmbH
Priority to DE10342828A priority Critical patent/DE10342828A1/de
Priority to PCT/EP2004/010335 priority patent/WO2005026068A2/en
Priority to CNA2004800268452A priority patent/CN1863733A/zh
Priority to KR1020067005468A priority patent/KR100789124B1/ko
Priority to EP04786950A priority patent/EP1663888A2/de
Priority to JP2006526581A priority patent/JP4903045B2/ja
Priority to US10/571,332 priority patent/US20070003770A1/en
Publication of DE10342828A1 publication Critical patent/DE10342828A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
    • C01B33/183—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by oxidation or hydrolysis in the vapour phase of silicon compounds such as halides, trichlorosilane, monosilane
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C03C1/02—Pretreated ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
    • C03B2201/03—Impurity concentration specified
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Abstract

Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid mit Metallgehalten von kleiner 0,2 mug/g wird hergestellt, indem man ein Siliciumtetrachlorid mit Metallgehalten kleiner 30 ppb mittels Flammenhydrolyse umsetzt. DOLLAR A Das Siliziumdioxid kann zur Herstellung von hochreinen Gläsern mittels des Sol-Gel-Verfahrens eingesetzt werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid, ein Verfahren zu seiner Herstellung sowie seine Verwendung.
  • Kieselglas kann vorteilhaft für viele Einsatzzwecke, wie Crucibles, Boards und Quarzröhren zur Herstellung von Halbleitern eingesetzt werden, seitdem es möglich ist, dieses Kieselglas in hoher Reinheit herzustellen.
  • Weiterhin wird das Siliciumdioxidglas für die Glasgeräte in der Chemie oder für die Photozelle verwendet. Es kann zur Herstellung von Lichtleitfasern verwendet werden.
  • Es ist bekannt Siliciumdioxidglas zum Beispiel in Form eines Monolithen herzustellen, indem man Siliciumalkoxid hydrolysiert, pyrogene Kieselsäure zu der hydrolysierten Lösung hinzugibt, die Mischung zu einem Gel gellieren läßt, das Gel trocknet und das erhaltene trockne Gel sintert ( US 4,681,615 , US 4,801,318 ).
  • Bei dem bekannten Verfahren können bekannte pyrogen hergestellte Siliciumdioxide eingesetzt werden.
  • Die bekannten pyrogenen Kieselsäuren weisen den Nachteil auf, daß sie für die besonders hohen Ansprüche an die Reinheit des Glases noch zu viele Fremdelemente enthalten.
    •
  • Gegenstand der Erfindung ist ein hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid, welches gekennzeichnet ist durch einen Gehalt an Metallen von kleiner 9 ppm.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann das hochreine pyrogen hergestellte Siliciumdioxid gekennzeichnet sein durch den folgenden Gehalt an Metallen:
    Figure 00020001
  • Der Gesamtmetallgehalt kann dann 3252 ppb (~ 3,2 ppm) oder kleiner betragen.
  • In einer weiter bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann das hochreine pyrogen hergestellte Siliciumdioxid gekennzeichnet sein durch den folgenden Gehalt an Metallen:
    Figure 00030001
  • Der Gesamtmetallgehalt kann dann 1033 ppb (~ 1,03 ppm) oder kleiner betragen.
  • Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung des hochreinen, pyrogen hergestellten Siliciumdioxides, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man Siliciumtetrachlorid auf bekannte Weise mittels Hochtemperaturhydrolyse zu Siliciumdioxid in der Flamme umsetzt und dabei ein Siliciumtetrachlorid verwendet, welches einen Metallgehalt von kleiner 30 ppb aufweist.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann man ein Siliciumtetrachlorid verwenden, welches neben Siliciumtetrachlorid den folgenden Gehalt an Metallen aufweist:
    Figure 00040001
  • Siliciumtetrachlorid mit diesem niedrigen Metallgehalt kann gemäß DE 100 30 251 oder gemäß DE 100 30 252 hergestellt werden.
  • Das prinzipielle Verfahren zur Herstellung von pyrogenem Siliciumdioxid, ausgehend von Siliciumtetrachlorid, das im Gemisch mit Wasserstoff und Sauerstoff umgesetzt wird, ist bekannt aus Ullmanns Enzyklopädie der technischen Chemie, 4. Auflage, Band 21, Seite 464 ff. (1982).
  • Metallgehalt des erfindungsgemäßen Siliciumdioxides liegt im ppm-Bereich und darunter (ppb-Bereich).
  • Das erfindungsgemäße pyrogen hergestellte Siliciumdioxid kann bei den verschiedensten Glasherstellungsmethoden, wie zum Beispiel dem Sol-Gel-Verfahren eingesetzt werden. Derartige Sol-Gel-Verfahren sind bekannt aus US 4,681,615 oder US 4,801,318 .
  • Das erfindungsgemäße pyrogen hergestellte Siliciumdioxid eignet sich vorteilhaft zur Herstellung von Spezialgläsern mit hervorragenden optischen Eigenschaften.
  • Die mittels dem erfindungsgemäßen Siliciumdioxid hergestellten Gläser weisen eine besonders geringe Adsorption im tiefen UV-Bereich auf.
    •
  • Beispiel 1 (Vergleichsbeispiel)
  • 500 kg/h SiCl4 einer Zusammensetzung gemäß Tabelle 1 werden bei ca. 90 °C verdampft und in das Zentralrohr eines Brenners bekannter Bauart überführt. In dieses Rohr werden zusätzlich 190 Nm3/h Wasserstoff sowie 326 Nm3/h Luft mit einem Sauerstoffanteil von 35 Vol% gegeben. Dieses Gasgemisch wird entzündet und brennt im Flammrohr des wassergekühlten Brenners. In eine die Zentraldüse umgebende Manteldüse werden zur Vermeidung von Anbackungen zusätzlich 15 Nm3/h Wasserstoff gegeben. In das Flammrohr wird außerdem zusätzlich 250 Nm3/h Luft normaler Zusammensetzung gegeben. Nach der Abkühlung der Reaktionsgase wird das pyrogene Siliciumdioxidpulver von den salzsäurehaltigen Gasen mittels eines Filters und/oder eines Zyklons abgetrennt. In einer Entsäuerungseinheit wird das pyrogene Siliciumdioxidpulver mit Wasserdampf und Luft behandelt, um es von anhaftender Salzsäure zu befreien. Die Metallgehalte sind in der Tabelle 3 wiedergegeben.
  • Beispiel 2 (Ausführungsbeispiel)
  • 500 kg/h SiCl4 einer Zusammensetzung gemäß Tabelle 2 werden bei ca. 90 °C verdampft und in das Zentralrohr eines Brenners bekannter Bauart überführt. In dieses Rohr werden zusätzlich 190 Nm3/h Wasserstoff sowie 326 Nm3/h Luft mit einem Sauerstoffanteil von 35 Vol% gegeben. Dieses Gasgemisch wird entzündet und brennt im Flammrohr des wassergekühlten Brenners. In eine die Zentraldüse umgebende Manteldüse werden zur Vermeidung von Anbackungen zusätzlich 15 Nm3/h Wasserstoff gegeben. In das Flammrohr wird außerdem zusätzlich 250 Nm3/h Luft normaler Zusammensetzung gegeben. Nach der Abkühlung der Reaktionsgase wird das pyrogene Siliciumdioxidpulver von den salzsäurehaltigen Gasen mittels eines Filters und/oder eines Zyklons abgetrennt. In einer Entsäuerungseinheit wird das pyrogene Siliciumdioxidpulver mit Wasserdampf und Luft behandelt, um es von anhaftender Salzsäure zu befreien.
  • Die Metallgehalte sind in der Tabelle 3 wiedergegeben.
  • Tabelle 1: Zusammensetzung SiCl4, Beispiel 1
    Figure 00070001
  • Tabelle 2: Zusammensetzung SiCl4, Beispiel 2
    Figure 00070002
  • Figure 00080001
  • Meßmethode
  • Die erhaltenen pyrogen hergestellten Siliciumdioxide werden in Bezug auf ihren Metallgehalt analysiert. Die Proben werden in einer Säurelösung, die hauptsächlich aus HF besteht, gelöst.
  • Das SiO2 reagiert mit dem HF und bildet SiF4 + H2O. Das SiF4 verdampft und läßt die zu bestimmenden Metalle vollständig in der Säure zurück. Die einzelnen Proben werden mit destilliertem Wasser verdünnt und mittels der Perkin Elmer Optima 3000 DV Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectroscopy (ICP-AES) gegen einen internen Standard analysiert. Die Ungenauigkeit der Werte rührt von Proben-Affekten, Spektral Interferencen und der Begrenztheit der Meßmethode her. Größere Elemente haben eine relative Ungenauigkeit von ± 5 %, während die kleineren Elemente eine relative Ungenauigkeit von ± 15 % aufweisen.

Claims (6)

  1. Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Metallen von kleiner 9 ppm.
  2. Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid gemäß Anspruch 1, gekennzeichnet durch den folgenden Gehalt der Metalle:
    Figure 00100001
  3. Verfahren zur Herstellung des hochreinen, pyrogen hergestellten Siliciumdioxides gemäß den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man Siliciumtetrachlorid auf bekannte Weise mittels Hochtemperaturhydrolyse zu Siliciumdioxid in der Flamme umsetzt und dabei ein Siliciumtetrachlorid verwendet, welches einen Metallgehalt von kleiner 30 ppb aufweist.
  4. Verfahren zur Herstellung des hochreinen, pyrogen hergestellten Siliciumdioxides gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß man Siliciumtetrachlorid auf bekannter Waise mittels Hochtemperaturhydrolyse zu Siliciumdioxid in der Flamme umsetzt und dabei ein Siliciumtetrachlorid verwendet, welches neben Siliciumtetrachlorid den folgenden Gehalt an Metallen aufweist:
    Figure 00110001
  5. Verwendung des hochreinen, pyrogen hergestellten Siliciumdioxides gemäß Anspruch 1 zur Herstellung von Gläsern.
  6. Verwendung des hochreinen, pyrogen hergestellten Siliciumdioxides gemäß Anspruch 5 zur Herstellung von Gläsern mittels dem Sol-Gel-Verfahren.
DE10342828A 2003-09-17 2003-09-17 Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid Withdrawn DE10342828A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10342828A DE10342828A1 (de) 2003-09-17 2003-09-17 Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid
PCT/EP2004/010335 WO2005026068A2 (en) 2003-09-17 2004-09-16 High-purity pyrogenically prepared silicon dioxide
CNA2004800268452A CN1863733A (zh) 2003-09-17 2004-09-16 高纯度的热解制备的二氧化硅
KR1020067005468A KR100789124B1 (ko) 2003-09-17 2004-09-16 발열 제조된 고순도 이산화규소, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 수득한 실리카 유리 및 성형품
EP04786950A EP1663888A2 (de) 2003-09-17 2004-09-16 Hochreines pyrogen hergestelltes siliciumdioxid
JP2006526581A JP4903045B2 (ja) 2003-09-17 2004-09-16 熱分解により製造された高純度の二酸化ケイ素
US10/571,332 US20070003770A1 (en) 2003-09-17 2004-09-16 High-purity pyrogenically prepared silicon dioxide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10342828A DE10342828A1 (de) 2003-09-17 2003-09-17 Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10342828A1 true DE10342828A1 (de) 2005-04-14

Family

ID=34305816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10342828A Withdrawn DE10342828A1 (de) 2003-09-17 2003-09-17 Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20070003770A1 (de)
EP (1) EP1663888A2 (de)
JP (1) JP4903045B2 (de)
KR (1) KR100789124B1 (de)
CN (1) CN1863733A (de)
DE (1) DE10342828A1 (de)
WO (1) WO2005026068A2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1700831A1 (de) 2005-03-09 2006-09-13 Novara Technology S.R.L. Verfahren zur Herstellung von Monolithen durch ein Sol-Gel Verfahren
EP1700830A1 (de) 2005-03-09 2006-09-13 Novara Technology S.R.L. Prozess für die Herstellung von Monolithen mittels eines Sol-Gel Prozesses
EP1700829A1 (de) 2005-03-09 2006-09-13 Degussa AG Verfahren zum Herstellen eines Glasmonolithes mittels eines Sol-Gel-Verfahrens

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2028228B1 (de) 2004-10-25 2018-12-12 IGM Group B.V. Funktionalisierte Nanopartikel
EP1700824A1 (de) * 2005-03-09 2006-09-13 Degussa AG Granulate basierend auf pyrogen hergestelles silicon dioxid, sowie Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung dergleichen
EP1717202A1 (de) * 2005-04-29 2006-11-02 Degussa AG Sinterwerkstoffe aus Siliciumdioxid
CN102167334A (zh) * 2011-03-18 2011-08-31 中国恩菲工程技术有限公司 多晶硅副产物四氯化硅处理方法
JP5737265B2 (ja) * 2012-10-23 2015-06-17 信越化学工業株式会社 珪素酸化物及びその製造方法、負極、ならびにリチウムイオン二次電池及び電気化学キャパシタ
JP6355729B2 (ja) * 2013-07-11 2018-07-11 エボニック デグサ ゲーエムベーハーＥｖｏｎｉｋ Ｄｅｇｕｓｓａ ＧｍｂＨ 可変の粘度を有するケイ酸の製造方法
CN104568535A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Vpd样品收集方法
FR3097802B1 (fr) 2019-06-27 2021-07-02 Qwarzo Machine et procede pour la production de touillettes ou de batonnets de melange pour boissons
CN110790489A (zh) * 2019-11-28 2020-02-14 福建工程学院 一种低维材料掺杂的无水解凝胶玻璃的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681615A (en) * 1982-12-23 1987-07-21 Seiko Epson Kabushiki Kaisha Silica glass formation process
DE3703079A1 (de) * 1987-02-03 1988-08-11 Rolf Dipl Chem Dr Rer Bruening Verfahren zur herstellung von wasserfreiem synthetischem siliciumdioxid
DE10211958A1 (de) * 2002-03-18 2003-10-16 Wacker Chemie Gmbh Hochreines Silica-Pulver, Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2898391A (en) * 1953-12-15 1959-08-04 Degussa Natural rubber composition containing a pyrogenically formed mixture of silica and another metal oxide and process of preparation
US3391997A (en) * 1964-12-21 1968-07-09 Cabot Corp Pyrogenic silica production
US4282196A (en) * 1979-10-12 1981-08-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of preparing optical fibers of silica
US4372834A (en) * 1981-06-19 1983-02-08 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Purification process for compounds useful in optical fiber manufacture
CS223494B1 (cs) * 1982-02-09 1983-10-28 Jaromir Plesek Způsob čištění kovalentníeh anorganických halogenidů pro optická vlakna
US4961767A (en) * 1987-05-20 1990-10-09 Corning Incorporated Method for producing ultra-high purity, optical quality, glass articles
US4789389A (en) * 1987-05-20 1988-12-06 Corning Glass Works Method for producing ultra-high purity, optical quality, glass articles
US5165907A (en) * 1988-04-14 1992-11-24 Imcera Group Inc. Method of production of high purity silica and ammonium fluoride
DD298493A5 (de) * 1989-01-02 1992-02-27 Chemiewerk Bad Koestritz Gmbh,De Verfahren zur herstellung von kieselsaeure hnher reinheit
JPH0717370B2 (ja) * 1989-11-30 1995-03-01 イー・アイ・デュポン・ドゥ・メムール・アンド・カンパニー 高純度ケイ酸水溶液の製造方法
US5063179A (en) * 1990-03-02 1991-11-05 Cabot Corporation Process for making non-porous micron-sized high purity silica
JPH0431334A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Tosoh Corp 遠紫外線透過石英ガラスおよびその製造方法
JP2980510B2 (ja) * 1994-01-28 1999-11-22 信越石英株式会社 紫外線ランプ用高純度シリカガラスおよびその製造方法
DE4419234A1 (de) * 1994-06-01 1995-12-07 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Silylierung von anorganischen Oxiden
JP2542797B2 (ja) * 1994-09-29 1996-10-09 日本化学工業株式会社 高純度シリカの製造方法
WO1996021617A1 (fr) * 1995-01-12 1996-07-18 Mitsubishi Chemical Corporation Gel de silice, poudre de verre de quartz synthetique, moulage de verre de quartz et leur procedes de production
DE19855816A1 (de) * 1998-12-03 2000-06-08 Heraeus Quarzglas Verfahren für die Reinigung von Si0¶2¶-Körnung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE10030251A1 (de) * 2000-06-20 2002-01-03 Degussa Abtrennung von Metallchloriden aus gasförmigen Reaktionsgemischen der Chlorsilan-Synthese
WO2003008332A1 (fr) * 2001-07-19 2003-01-30 Mitsubishi Chemical Corporation Poudre de quartz de grande purete, procede de fabrication et article obtenu a partir de cette poudre
JP3970692B2 (ja) * 2002-05-31 2007-09-05 信越化学工業株式会社 プリフォーム製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681615A (en) * 1982-12-23 1987-07-21 Seiko Epson Kabushiki Kaisha Silica glass formation process
DE3703079A1 (de) * 1987-02-03 1988-08-11 Rolf Dipl Chem Dr Rer Bruening Verfahren zur herstellung von wasserfreiem synthetischem siliciumdioxid
DE10211958A1 (de) * 2002-03-18 2003-10-16 Wacker Chemie Gmbh Hochreines Silica-Pulver, Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1700831A1 (de) 2005-03-09 2006-09-13 Novara Technology S.R.L. Verfahren zur Herstellung von Monolithen durch ein Sol-Gel Verfahren
EP1700830A1 (de) 2005-03-09 2006-09-13 Novara Technology S.R.L. Prozess für die Herstellung von Monolithen mittels eines Sol-Gel Prozesses
EP1700829A1 (de) 2005-03-09 2006-09-13 Degussa AG Verfahren zum Herstellen eines Glasmonolithes mittels eines Sol-Gel-Verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007505808A (ja) 2007-03-15
WO2005026068A2 (en) 2005-03-24
JP4903045B2 (ja) 2012-03-21
KR100789124B1 (ko) 2007-12-28
US20070003770A1 (en) 2007-01-04
KR20060087570A (ko) 2006-08-02
CN1863733A (zh) 2006-11-15
EP1663888A2 (de) 2006-06-07
WO2005026068A3 (en) 2006-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3390304B1 (de) Sprühgranulieren von siliziumdioxid bei der herstellung von quarzglas
EP3390303B1 (de) Herstellung von quarzglaskörpern mit taupunktkontrolle im schmelzofen
DE10342828A1 (de) Hochreines, pyrogen hergestelltes Siliciumdioxid
DE602005003198T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Monolithen durch ein Sol-Gel Verfahren
EP1686093B1 (de) Pyrogen hergestelltes Siliciumdioxidpulver
EP3390302B1 (de) Herstellung eines quarzglaskörpers in einem schmelztiegel aus refraktärmetall
DE602005002265T2 (de) Durch flammenhydrolyse hergestelltes silicium-titan-mischoxidpulver
WO2017103156A2 (de) Herstellung von quarzglaskörpern aus siliziumdioxidpulver
WO2017103168A1 (de) Gasspülung für schmelzofen und herstellungsverfahren für quarzglas
EP3390305A1 (de) Herstellung von quarzglaskörpern aus siliziumdioxidgranulat
EP3390294A1 (de) Verringern des erdalkalimetallgehalts von siliziumdioxidgranulat durch behandlung von kohlenstoffdotiertem siliziumdioxidgranulat bei hoher temperatur
WO2017103133A9 (de) Herstellen und nachbehandeln eines quarzglaskörpers
EP3390296A2 (de) Herstellung eines quarzglaskörpers in einem mehrkammerofen
WO2017103124A2 (de) Erhöhen des siliziumgehalts bei der herstellung von quarzglas
WO2017103167A2 (de) Verringern des kohlenstoffgehalts von siliziumdioxidgranulat und herstellung eines quarzglaskörpers
EP3390300A1 (de) Herstellung eines quarzglaskörpers in einem stehendem sintertiegel
EP3390306A2 (de) Herstellung eines quarzglaskörpers in einem hängenden sintertiegel
WO2017103153A9 (de) Glasfasern und vorformen aus quarzglas mit geringem oh-, cl- und al-gehalt
WO2017103112A9 (de) Herstellung eines quarzglaskörpers in einem hängenden blechtiegel
EP1083146A1 (de) Bakterizides, mit Silber dotiertes Siliciumdioxid
EP1991502B1 (de) Verfahren zur wiederverwertung von hochsiedenden verbindungen innerhalb eines chlorsilanverbundes
CH493610A (de) Verfahren zur Herstellung feinverteilter Oxyde von Metallen oder Metalloiden
DE102009029640A1 (de) Verfahren zur Oberflächenmodifizierung von Metalloxidpartikeln
EP3156459B1 (de) Siliciumdioxidpulver mit grosser porenlänge
DE10134382A1 (de) Mit Erbiumoxid dotierte pyrogene Oxide

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: DEGUSSA GMBH, 40474 DUESSELDORF, DE

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: EVONIK DEGUSSA GMBH, 40474 DUESSELDORF, DE

8130 Withdrawal