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經濟部中央標準局員工消f合作社印製 A7 ___ _B7___ 五、發明説明（1 ) 〔技術領域〕 本發明係關於一種試驗如RAM ’ ROM，電荷轉送 裝置（CCD)，記憶體等之半導體記億體的方法及實施 該方法的裝置，尤其是，關於一種可圓滑地讀出記憶半導 體記憶體之試驗結果（判定良否結果）之不良解析記憶內 容的不良之磁滯的半導體記憶體試驗方法及實施該方法之 裝置》 〔背景技術〕 首先，參照第1 3圖簡述以往之這種半導體記億體試 驗裝置之基本構成的一例子，該半導體記億體試驗裝置係 由定發生器1 ，試驗圖案發生器2，波形整形器3，邏輯 比較器4，及不良解析記憶體5所構成，實施被試驗記憶 體6之試驗，試驗圖案發生器2係應答於從定時發生器1 所供應之基準時鐘脈衝CK，發生供應於被試驗記憶體6 之位址信號ADS，試驗資料信號PD，及控制信號CS ，與供應於邏輯比較器4及不良解析記憶體5之期待值資 料信號E D。這些信號（資料）係一旦被輸入於波形整形 器3，在此被整形成被試驗記憶體6之試驗所必需之波形 之後施加於被試驗記億體6。 被試驗記憶體6係藉施加控制信號C S來控制試驗資· 料信號之寫入或讀出。亦即，藉由施加有寫入用之控制信 號CS，試驗資料信號依次寫入在由位址信號ADS所指 定的被試驗記億體6之位址，又藉由施加有讀出用之控制 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）-4 - ---------裝-- _請先閎讀背面乏注意事』，填寫本頁)

、1T 經濟部中央棣芈局員工消費合作杜印製 A7 __B7_五、發明説明（2 ) 信號C S，依次讀出由位址信號AD S所指定之被試驗記 憶體6之位址寫入之試驗資料信號。由被試驗記憶體6所 讀出之讀出資料信號RD係給與邏輯比較器4，在此，與 從試驗圖案發生器之所輸出之期待值資料信號E D相比較 ，由比較結果的兩者之一致，不一致來實行被試驗記憶體 6之良否的判定。 使用於該半導體記憶體試驗裝置之不良解析記憶體5 ，係儲存被試驗記憶體6之判定結果爲不良之週期的試驗 圖案發生器2之輸出的順序資料，亦即，儲存位址信號 ADS，試驗資料信號PD及期待值資料信號ED，與表 示不良所發生之被試驗記憶體6之資料輸出插腳之狀態的 不良資訊者。完成試驗之後，讀出該不良解析記億體5之 記憶內容並調査俾實行被試驗記憶體6之不良解析。 在上述以往之半導體記憶體試驗裝置，對於被試驗記 憶體6施加由一台試驗圖案發生器2所發生之位址信號 ADS，試驗資料信號PD，及控制信號CS，而被試驗 記憶體6之不良資料係被儲存於一台之不良解析記憶體5 。故將被試驗記憶體6之判定良否結果爲不良之週期的順 序資料及不良資訊儲存在不良解析記憶體5時，僅儲存判 定良否結果爲不良之週期者即可以。一方面，不良解析時 之不良解析記憶體5的記億內容之讀出係藉從不良解析I己 憶體5之初期住址依次讀出記憶內容，即可依所發生之順 序讀出資料。 然而，在半導體記憶體之試驗，常常採用計數被試驗 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公釐_) ~ 請先閱靖背面之*注意事項hi/寫本頁) 裝· 訂 線 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 __________B7_ 五、發明説明（3 ) 記億體6之不良數，在計數值達到某一規定值爲止將不良 資料儲存在不良解析記憶體5，而當計數值達到該規定值 時則停止該值以上之不良資料的所謂，不良解析記億體5 之使用法之情形。參照第1 3圖簡述在此時所使用的半導 體記憶體試驗裝置之基本構成的一例子。 如圖示，在表示於第1 2圖之構成的半導體記憶體試 驗裝置，係在邏輯比較器4之輸出側，具有附加計數被試 驗記憶體輸出插腳之不良合計數（OR電路之輸出）的計 數器7，及事先儲存不良數之規定值的暫存器8，及相比 較該不良數之規定值與計數器7之計數值的比較電路9， 及控制對於不良解析記憶體5之不良資料之寫入的記億體 控制電路1 0之構成，計數器7之計數值比不良數規定值 大時，則比較電路9係在記憶體控制電路1 0之寫入禁止 信號，禁止對於不良解析記憶體5之此值以後之不良資料 的寫入。 爲了使用上述構成之半導體記憶體試驗裝置來試驗高 速半導體記億體，須高速動作試驗圖案發生器2來高速地 發生位址信號ADS，試驗資料信號PD，控制信號CS ，惟在試驗圖案發生器2之髙速化上本身就有限制。因此 ，在上述之半導體記憶體試驗裝置係試驗圖案發生器2之 動作速度限制整體之試驗速度，而無法試驗超過試驗圖案^ 發生器2之動作速度的高速半導體記憶體。因此，在高速 半導體記億體之試驗，使用有設置多數台試驗圖案發生器 2，交錯動作這些試驗圖案發生器，結果可髙速地發生試 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS > A4規格（2丨0 X 297公釐） ---------^-- 請先閱讀背面之.注意事項一寫本頁) 訂丨· 線 -6 - 2^9445 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 驗圖案的半導體記億體試驗裝置。 以下，參照第1 4圖簡述實行交錯動作之半導體記億 體試驗裝置之基本構成的一例子。如圖所示，分別設置定 時發生器1 ，試驗圖案發生器2，波形整形器3，邏輯比 較器4，及不良解析記憶體5各η台（1 ，2.......... η ，但是η係2以上之整數），又，在被試驗記憶體6之輸 入側設置第1交錯電路7 i，而在輸出側設置第2交錯電 路72,將η台之波形整形器1 ，2，η之輸出資料信號 1 Ν 1 * I Ν 2 ......... INn經由第1交錯電路施加 於被試驗記億體6，而將從被試驗記億體6所讀出之讀出 資料信號經由第2交錯電路7 2篩分並輸出於η台之邏輯 比較器1 ，2.......... 11者》 如上所述，設置η台之試驗圖案發生器1 ，2 ....... …η與η台之不良解析記載體1 ，2 .......... η實行η方 法之交錯動作時.則在被試驗記憶體6，可施加試驗圖案 發生器之台數倍，亦即，以η倍速度可施加順序資料（位 址信號ADS，試驗資料信號pd，及控制信號CS) » 第15圖係表示用於施加於被試驗記憶體6的η台之 試驗圖案發生器1 ，2 .......... η同時所發生的輸入資料 信號I Ν 1 ，I Ν 2 ......... I Ν η之一例子。這些輸入資 料信號INI ，ΙΝ2 ......... INn，係在交錯動作之第. 1週期，從η台之試驗圖案發生器1 ，2.......... η分別

成爲各一個之η個串聯態樣的輸入資料IND1 ，IND 2 ......... I N D η，以一台之試驗圖案發生器之動作比率 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（no〆297公釐）_ 7 _ ---------裝-- 請先K讀背面之注意事^.填寫本頁) 訂 線 N D ( η + I N D 2 A7 B7 五、發明説明（5 ) 的η倍之動作比率依這些輸入資料IND1 ，IND2... ......I N D η之順序供應於第1交錯電路7 1。又在交錯 動作之第2週期，從η台之試驗圖案發生器1 ，2 ....... …η作爲串聯態樣的η個之输入資料I ND ( η + ；[), I N D ( n + 2 ) ’ IND2n ’以丄台之試驗圖案發生 器之動作比率的η倍之動作比率依這些輸入資料 N D ( η + 2 ) 之順序供應於第1交錯電路7 i。以下，繼續在交錯動作 ，對於從η台之試驗圖案發生器1，2 .......... η所發生 之輸入資料I ND ( 2 η + 1 )以後的串聯態樣之η個的 輸入資料也同樣地，以一台之試驗圖案發生器之動作比率 的η倍之動作比率供應於第1交錯電路7 ιβ 供應於第1交錯電路7 ,所供應之第i 個的輸入 資料I ND 1至I NDii，係同樣地依這些输入資料 請先¾讀背面之注意事'填寫本頁)

I N D 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 1 ND η之順序，以一台之試 驗圖案發生器之動作比率的η倍之動作比率從第1交錯電 路7 X讀出而被施.加於被試驗記憶體6。供應於第1交錯 電錯電路7ι之第2之η個的輸入資料Ind(n+1) 〜Ϊ ND 2 η也同樣地，以一台之試驗圖案發生器之動作 比率的π倍之動作比率，依這些輸入資料I nd ( η + 1 I N D 2 N D ( η + 2 )，

I N D 之順序，從落 1交錯電路7 1被讀出’而施加於被試驗記憶體6 ^ 以下’繞續在各週期，對於從η台之試驗圖案發生器 1 ，2，......... η所發生之輸入資料 N D ( 2 η 本張尺^遴用中國國家橾芈（CNS ) Μ規格（210χ297公釐） ' 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 以後之各η個的輸入資料也同樣地，以一台之試驗圖案發 生器之動作比率的η倍之動作比率.，從第1交錯電路 被讀出，而施加於被試驗記憶體6。如此，從η台之試驗 圖案發生器1 ，2 .......... η同時地發生之輸入資料信號 I Ν 1 ，I Ν 2 ......... I Ν η，係如表示於記載在第1 5 圖之最後一行之被試驗記憶體施加圖案I Ν，成爲藉由η 方法之交錯動作，以一台之試驗圖案發生器之之動 作比率的η倍之動作比率施加於被試驗記憶體6。 —方面，對於經由第1交錯電路7:以高速施加於被 試驗記億體6的輸入資料信號INI，ΙΝ2 ......... 1 Ν η之試驗結果，係输入資料信號施加於被試驗記億體 6之順序，且以一台之試驗圖案發生器之動作比率的η倍 之動作比率，從被試驗記憶體被讀出在第2交錯電路72 〇 第16圖係表示從被試驗記憶體6被讀出在第2交錯 電路72之試驗結果的輸出資料信號OUT 1 ，OUT 2 ..........〇 U Τ η之一例子。這些輸出資料信號0 U T 1 ，0UT2.......... OUTn，係在交錯動作之第1週期 ，作爲η個之串聯態樣之輸出資料0UTD1 ， 〇 U T D 2 .......... OUTDn，以一台之試驗圖案發生 器之動作比率的η倍之動作比率，從被試驗記憶體6以路 讀出順序相同之順序被讀出篩分在η台之邏輯比較器1 ， 2 .......... η而供應在第2交錯電路72。又在交錯動作 之第2週期，輸出資料信號係作爲η個之串聯態樣之輸出 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210Χ 297公釐）_ g ^-- 請先閏讀背面之注意事一/:%寫本頁)

、1T Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 五、發明説明（7 ) 資料 0 U T D η + 1，0 U T D η + 2 ......... 0UTD2n，以一台之試驗圖案發生器之動作比率的η 倍之動作比率，從被試驗記憶體6以與讀出順序相同之順 序被讀出，篩分在η倍之邏輯比較器1 ，2.......... η而 供應在第2交錯電路72。以下也同樣地，在交錯動作之 第3週期以後，各η個之串聯態樣之輸出資料 0 U Τ 2 η + 1 .........，以一台之試驗圖案發生器之動作 比率的η倍之動作比率，從被試驗記憶體6以與讀出順序 相同之順序被讀出，篩分在η台之邏輯比較器1，2，… ......η而供應在第2交錯電路7 2。 在這些邏輯比較器1，2 .......... η，分別比較從第 2交錯電路7 2供應之試驗結果的輸出資料信號OUT 1 〇U T 2.......... 〇 U Τ η與從相對應之試驗圖案發生器 1 ，2.......... η分別供應的期待值資料信號EDI ， ED2 .......... EDn，這些比較結果係儲存在相對應之 η台之不良解析記億體1，2，η。對於這些不良解析記 憶體1，2，…·.··…η之比較結果的儲存之順序係表示於 第16圖之第1行所述之被試驗記憶體讀出資料OUT之 順序，該比較結果之儲存係對於η台之不良解析記憶體1 ，2 .......... η在每一各週期同時地實行。 實行如上述所構成之η方法之交錯動作的半導體記懷 體試驗裝置，係使用η台之試驗圖案發生器1，2....... …η與η台之不良解析記億體1，2.......... η。在如第 1 5圖所示之交錯圖案發生時，一個被試驗記億體6之比 本紙張尺度適用中國國家標準（€奶）八4規格（2丨0乂 297公釐）_1〇 _— (請先閱请背面之.注意事項寫本頁) -裝. 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（8 ) 較試驗結果的讀出輸出資料信號0UT1 ，0UT2，… ......OUTn，係如第16圖所示，被分散並儲存在η台 之不良解析記憶體1 ’ 2.......... η。如上所述，對於η 台之不良解析記憶體1，2.......... η的資料之儲存，係 對於各不良解析記憶體同時地實行各交錯週期之η個的資 料信號。因此，邏輯比較器1 ，2.......... η的邏輯比較 之結果，即使各交錯週期之η個資料內之一個資料存有不 良時，該不良資料係須儲存在不良解析記憶體*惟如上所 述，由於將各交錯週期之η個資料一下子篩分儲存於η台 之不良解析記憶體，因此未存有不良之相同週期之其他資 料也會儲存在不良解析記憶體而作爲沒有不良者之資料β 第1 7圖係表示被檢出發生不良之資料的結果，第1 〜第9之各交錯週期之η個資料一下子分散儲存在η台之 不良解析記憶體1 ’ 2 .......... η時的各不良解析記憶體 之資料儲存狀態的一例子。在圖中，以斜線所示區域係表 示被檢出不良之資料。因此，第1 7圖係表示在第1週期 之η個資料1 — 1 ，2-1 ，3 — 1 ，η-I ，不良存在 於第π個之資料n — 1 ’而在第2週期之^個資料1 — 2 * 2 - 2 » 3 - 2 * ......... η — 2，不良存在於第1個資 料1 一 2與第3個資料3 — 2，而在第3週期之η個資料 1 3，2 — 3 , 3 - 3 , ......... η — 3 ,不良存在於第 、 1個資料1 一 3，以下同樣地，在第9週期之η個資料1 一 9，2 — 9，3 — 9 .......... n — g，不良存在於第η 個之資料η 一 9。但是，因各交錯週期之η個資料均被儲 本紙張尺度適用中國國家樣準（CN-S-)A4洗格（21〇χ 297&^) _ _ -— Α7 Β7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 存，因此在該狀態，無法特定實際上發生不良之資料所屬 之交錯週期在那一週期。 又，不良解析記憶體係有計數不良數，而計數值達到 某一規定值爲止仍儲存資料的使用法|惟因將η個資料一 下子分散並儲存在η台之不良解析記憶體1 ，2 .......... η，因此，儲存於不良解析記億體之資料數產生比不良數 之規定值超過+1資料週期至+ (η — 1 )資料週期分量 的缺點。 又，因交錯動作之各週期（交錯週期）係由η個資料 所構成，因此在以下之說明中交錯勲作之各週期係以交錯 週期表現，而對於η個資料係以資料週期表現。 〔發明之揭示〕 本發明之目的係在於提供一種解決上述之以往技術之 問題點的半導體記憶體試驗方法及實施該方法之裝置。 依照本發明之第1項，提供一種半導體記億體試驗方 法，係屬於將從多數台之試驗圖案發生器所發生之試驗資 料信號經由第1交錯電路藉由交錯動作寫入在被試驗記憶 體，並從該被試驗記憶體經由第2交錯電路藉由交錯動作 讀出試驗結果之資料之後篩分施加於多數台之邏輯比較器 ，在這些邏輯比較器相比較試驗結果之資料與從上述試驗 圖案發生器所供應之期待值資料，在比較結果有不良時， 將包括不良資料之交錯週期的資料篩分並儲存於多數台之 不良解析記憶體的半導體記憶體之試驗方法，其特徵爲： (請先閱讀背面之注憙事項再頁) I.;· •-β

L Γ 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（2丨0X29?公釐） -1Ζ - A 7 B7 五、發明説明（10 ) 從上述多數台之邏輯比較器發生與不良資料一起表示不良 之發生的不良標記信號*也將該不良標記信號與不良資料 相對應而儲存於上述多數台之不良解析記憶體，在被試驗 記憶體之試驗完成後，從上述不良解析記憶體依次讀出不 良標記信號俾特定發生不良之資料週期者" 較理想之實施例中，上述交錯動作係4方法，8方法 或是16方法之交錯動作者。 依照本發明之第2項，提供一種半導體記憶體試驗裝 置，係靥於將從多數台之試驗圖案發生器所發生之試驗資 料信號經由第1交錯電路藉由交錯動作寫入在被試驗記億 體，並從該被試驗記憶體經由第2交錯電路藉由交錯動作 讀出試驗結果之資料之後篩分施加於多數台之邏辑比較器 ，在這些邏輯比較器相比較試驗結果之資料與從上述試驗 圇案發生器所供應之期待值資料，在比較結果有不良時， 將包括不良資料之交錯週期的資料篩分並儲存於多數台之 不良解析記億體的半導體記憶體試驗裝置，其特徵爲：上 述多數台之邏輯比較器係具有發生依據上述不良資料表示 發生有不良之不良標記信號的電路。 上述多數台之不良解析記憶體係具有將從相對應之邏 輯比較器所發生之不良標記信號與上述不良資料相對應並 予以儲存的儲存領域。 依照本發明之第3項，上述半導體記憶體試驗裝置^ 供設有：計數上述不良標記信號並輸出計數值之下位位元 的不良計數器，及儲存有不良數之規定值，且输出其下位 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} 請先閱讀#·面之注意事項再^,_本頁 r 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（11) 位元的規定值儲存暫存器，及相加上述不良計數之下位位 元輸出與上述規定值儲存暫存器之下位位元输出的加器， 及在上述加器之相加結果相加常數並輸出該相加結果之下 位位元的常數相加電路，及施加有上述加器之下位位元輸 出與上述常數相加電路之下位位元输出，且藉上述規定值 儲存暫存器之下位位元來轉換上述加器之輸出或上述常數 相加電路之输出並予以輪出的多路轉換器的半導體記憶體 試驗裝置。 較理想之實施例，上述不良計數器係計數上述不良標 記信號並輸出該計數值之下位2位元；上述規定值儲存暫 存器係输出上述不良數規定值之最下位位元及下位2位元 :上述加器係相加上述不良計數器之下位2位元输出與上 述規定值儲存暫存器之下位2位元輸出並輸出該相加結果 之下位2位元；上述常數相加電路係在上述加器之下位2 位元輸出相加2;上述多路轉換器係施加有上述加器之下 位2位元输出及上述常數相加電路之下位2位元輸出，藉 由上述規定儲存暫存器之最下位位元輸出來轉換上述加器 之相加結果或上述常數相加電路之相加結果並予以輸出。 較理想之其他實施例，上述不良計數器係計數上述不 良標記信號並輸出該計數值之下位3位元；上述規定值儲 存暫存器係輸出上述不良數規定值之下位2位元及下位3 位元；上述加器係相加上述不良計數器之下位3位元輸出 與上述規定值儲存暫存器之下位3位元輸出並输出該相加 結果之下位3位元；上述常數相加電路係在上述加器之下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（2丨0X297公釐）_ _ (請先閲諫背面之注意事項再\^舄本頁) -裝· •ys A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 位3位元輸出相加2的電路，及相加4的電路，及相加6 的電路等三種電路所構成；上述多路轉換器係施加有上述 加器之下位3位元輸出及上述常數相加電路之3個電路之 各該下位3位元輸出，藉由上述規定值儲存暫存器之下位 2位元輸出來轉換上述加器之相加結果或上述常數相加電 路之相加結果並予以輸出。 較理想之另一實施例，上述不良計數器係計數上述不 良標記信號並輸出該計數值之下位4位元；上述規定值儲 存暫存器係輸出上述不良數規定值之下位3位元及下位4 位元；上述加器係相加上述不良計數器之下位4位元输出 與上述規定值儲存暫存器之下位4位元輸出並输出該相加 結果之下位4位元；上述常數相加電路係在上述加器之下 位4位元輸出相加2的電路，及相加4的電路，及相加6 的電路，及相加8的電路，及相加A的電路，及相加B的 電路，以及相加E的電路等七種電路所構成；上述多路轉 換器係施加有上述加器之下位4位元輸出及上述常數相加 電路之7個電路.之各該下位4位元輸出，藉由上述規定值 儲存暫存器之下位3位元輸出來轉換上述加器之相加結果 或上述常數相加電路之相加結果並予以輸出。 〔實施發明所用之最佳形態〕 以下，參照所附圖式詳述本發明之實施例。 首先，參照第1圖說明依本發明之半導體記憶體試驗 方法及裝置的第1實施例•本發明係以實行如第14圇所 (請先閲m背面之注意事項再一本頁)

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T 本紙張又度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 五、 發明説明 (13) ί 示 之 以 往 之 交 錯 動作的半導體記億體試驗裝置作爲其前提 r. 1 條 件 > 因 本 發 明 係尤其是適用於其不良解析記憶體5，故 \ I 在 第 1 圖 僅 表 示 不良解析記憶體及相關連於此之迴路，裝 1 1 1 置 等 0 又 在 第 1圖，邏輯比較器4係代表性地表示第 請 聞 1 1 Ι 1 4 圖 所 示 的 半 導體記億體試驗裝置之η台邏辑比較器4 背 1 1 內 之 1 台 而 不 良解析記億體5，也同樣地代表性地表示 之 注 音 1 I η 台 不 良 解 析 記 憶體5內之1台。 項 1 1 在 邏 輯 比 較 器，從被試驗記憶體6供應有經由第 本 1 裝 2 交 錯 電 路 7 2 (參照第1 4圖）所讀出之試驗結果的輸 頁 1 l 出 資 料 信 號 又 從相對應之試驗圖案發生器2 1供應有期 1 1 待 值 資 料 信 號 ( 期待值資料1)·這些信號係邏輯比較器 1 1 1 4 i相比較 若比較結果爲不良，則不良資料1從邏輯比 • 1 訂 1 較 器 4 1输出而儲存於相對應之不良解析記憶體5 i。 1 1 在 本 發 明 中 ，通輯比較器4 i係具備，如一般相比較 1 1 從 被 試 驗 記 憶 體 6所讀出之試驗結果的输出資料信號與來 1 1 白 試 驗 圖 案 發 生 器2 i的期待值資料信號之後输出不良資 線 1 料 而 且 發 生 表 示依據不良資料發生有不良標記信號的電 1 1 路 « 因 此 1-^4# 構 成 不 但可輸出不良資料，也能輸出不良標記信 1 | m 0 1 I 不 良 解 析 記 憶體5 i係由：控制對於該不良解析記憶 1 1 1 體 5 不良資料之儲存或讀出的記憶體控制電路5 12， '* 1 1 | 及 記 億 體 領域 5 Ϊ 3所構成，記憶體領域5 i 3係具有儲存不 1 1 良 資 料 1 的 記 憶 體領域•及儲存不良標記信號的記億體領 1 1 域 〇 概 念 地 表 示 這些領域係成爲如第2圖所示· 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐）_ 16 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（14) 在第2圖，記憶體領域513係表示如第1圖所示之不 良解析記憶體5 i的記憶體領域，靼憶體領域5 23係表示 不良解析記憶體5 2(未予圖示）的記憶體領域；以下同 樣地，記億體5„3係表示不良解析記憶體5n (未予圖示 )的記憶體領域。記載於這些記憶體領域5 13〜5 n3之四 方形之方塊內的記號1 - 1至n-9，係左邊記號表示不 良解析記億體，而右邊記號表示資料週期》由圖可容易地 瞭解’左邊記號之「1」係表示不良解析記憶體，左 邊記號「1」係表示不良解析記憶體52，以下同樣地， 左邊記號「η」係表示不良解析記憶體5„。又，右邊記 號「1」係表示第1交錯週期，右邊記號「2」係表示第 2交錯週期，以下同樣地，右側記號「9」係表示第9交 錯週期。在本例子，各交錯週期係由η個資料週期所成， 成爲第1〜第9之所有交錯週期有資料信號施加於被試驗 記憶體者。因此，第2圖係表示將各交錯週期之η個資料 週期分量的資料一下子儲存在η台不良解析記憶體5 5 „時，分散儲存於各不良解析記億體之資料的一例子。 在這些記億體領域5 13〜5„3，具有儲存藉由上述記 號所示之各交錯週期之η個資料週期之不良資料的記憶體 領域，及相對應於此而儲存不良標記信號的記億體領域， 惟在第2圖，儲存該不良標記信號之記億體領域，係爲了 、 說明之方便上，一併另外表不在圖之左邊。該一併顯示之 不良標記信號記憶體領域之最左邊之第1縱方向列的方塊 (第1不良標記）係表示靥於記億體領域5 13的不良標記 本紙張尺度適用t國國家揉率（CNS ) Α4规格（210X297公釐）_17- ----------裝-- (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) -訂 線 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（15) 信號記憶體領域；第2左邊之第2縱方向列的方塊（第2 不良標記）係表示屬於不良標記信號記憶體領域；以下同 樣地，最右邊之第η縱方向列的方塊（第η不良標記）係 表示屬於記憶體領域5 η3的不良標記信號記億體領域。 在第2圖，以斜線所示之方塊係表示檢出有不良的資 料週期。因此，第2圖係表示在第1交錯週期之η個資料 週期 1 — 1，2 — 1，3 — 1.......... η — 1，係在第 η 個資料週期η — 1存有不良，在第2交錯週期之η個資料 週期 1 — 2，2 — 2，3 — 2.......... η — 2，係在第 1 個資料週期1 一 2與第3個資料週期3 — 2存有不良，而 在第3交錯週期之η個資料週期1 一 3，2 — 3，3 — 3 ..........η - 3，係在第1個資料週期1 一 3存有不良； 以下同樣地、在第9交錯週期之η個資料週期1 — 9，2 —9，3- 9，η — 9，係在第η個資料週期η — 9存有 不良。又，在左邊之不良標記信號記憶體領域記載「1」 之方塊係表示存有不良，因此，不良標記信號記憶體領域 「1」，係與各記憶領域513〜5„3施以斜線的資料週期 相對應。 完成被試驗記憶體6之記驗後，藉調査儲存有不良資 料之η台不良解析記憶體5之記憶內容，實行被試驗記憶 體6之不良解析。在該不良解析中，僅依次掃描η台不良 解析記億體5之各該記億體領域5 13〜5 η3中之不良標記 信號記億體領域，以一併表示於第2圖之左邊之態樣*從 η台不良解析記憶體5讀出不良標記信號|並將這些不良 請先閱讀背面之注意事項vii，寫本頁) 裝- 、1Τ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > Μ規格（2丨0X297公釐）._ 18 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（16) 標記信號記憶在外部記憶體。所讀出之不良標記信號中之 數值「1」係表示在相對應之資料週期存有不良》因此， 在讀出不良標記信號時，僅將輸出數值1之資料週期從η 台不良解析記憶體5依次讀出而記憶於外部記憶體*則能 得到如第2圖之右邊所示之讀出資料。亦即，從η台之不 良解析5僅可讀出儲存有不良資料的資料週期。 如上所述，依照本發明，藉使用不良標記信號，從一 下子儲存在η台不良解析記憶體5的η個資料週期分量之 資料內，依發生順序僅重新並排僅發生不良之資料週期之 儲存資料並予以讀出。 以下，參照第3圖說明依本發明之半導體記憶體試驗 方法及裝置的第2實施例。該第2實施例係表示，計數被 試驗記憶體之不良數，而計數值達到某一規定值爲止在不 良解析記憶體儲存資料，當計數值達到該規定值時則停止 其以上之不良資料的儲存乃採取不良解析記憶體之使用法 的半導體記憶體試驗方法及裝置上適用本發明之情形。 如上所述，本發明係將實行如表示於第1 4圖之以往 交錯動作的半導體記憶體試驗裝置作爲其前提條件，因本 發明係特別適用於關連於計數被試驗記憶體6之不良數的 電路或裝置部分，因此在第3圖僅表示適用本發明之部分 的基本構成。 第3圖係表示在實行4方法（WAY)之交錯動作時 ，使用在用於算出對於比不良數之規定值超過（Over Run )之不良解析記憶體之儲存資料數所用的超過數運算電路 ( CNS ) ( 210X297^* ) _ jg " ---------#-- (請先閱讀背面之&意事項ί 寫本頁) 訂 線· A7 B7 五、發明説明（π) 。在實行4方法之交錯動作之半導體記憶體試驗裝置，可 使用不良數之規定值及不良標記信號之計數值的各該下位 2位元，及不良數之規定值的最下位位元來求出該超過數 〇 例示之超過數運算電路係由：儲存不良數之規定值的 規定值儲存暫存器2 0，及計數不良數的不良計數器2 1 ，及輸入有不良數規定值之下位2位元與計數值之下位2 位元，實行相加運算的加器2 2，及在加器2 2之相加2 並予以輸出的常數相加電路2 3，及輸出有加器2 2之相 加結果A與在該相加結果A相加2之常數相加電路2 3之 相加結果B(=A+2)，而且輸入有儲存在規定值儲存 暫存器2 0之不良數規定值的最下位位元，在該規定值之 最下位位元爲時輸出相加結果A，在該規定值之最 下位爲'1#時輸出相加結果B的多路轉換器2 4等所構 成。 以下，說明上述構成之超過數運算電路的動作。從規 定值儲存暫存器2 0及不良計數器2 1有不良數規定值之 下位2位元及計數值之下位2位元輸入在加器2 2並被相 加。如第4圖所示，不良數規定值之下位2位元係成爲^ 00' ’ '01" ，'10" ，' 1 1 ^ ，而來自計數器 21之下位2位元係各週期均成爲>00' ， '01^〜 ' 1 0 ^ ' 1 1 ^ ，因此，這些相加結果A係成爲如第 4圖所示。又，在該相加結果A相加2之結果B係成爲如 第4圖所示，如上所述，因多路轉換器2 4係在不良規定 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ---------I 請先閱逢背面之注意事項^寫本頁 訂 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 2QQ445 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（is) 值之最下位位元爲0時選擇相加結果A，而在不良數規定 值之最下位位元爲1時選擇輸出相加結果B者，因此，如 第4圖之超過（Over Run)數之欄所示成爲從多路轉換器 2 4輸出有比對於不良數之規定值超過之不良解析記憶體 的儲存資料之數置（超過數）。 由於藉由不良計數器21計數表示發生不良之不良標 記信號，而在該計數值成爲規定值以上時停止對於不良解 析記憶體的不良資料之儲存。因此，如在上述第1實施例 所述，使用不良標記信號而從儲存於4台不良解析記憶體 之第1〜第4之各該4資料週期分量的資料內，依發生順 序僅重新排列並讀出發生不良之資料週期的儲存資料，然 後藉由運算處理不良標記信號之計數值與規定值，可求出 超過規定值之資料週期。藉從重新排列之儲存資料除去超 過規定值之資料週期，可讀出有效資料。 第3圖係表示在實行8方法之交錯動作時，使用在用 於算出對於比不良數之規定值超過（Over Run)之不良解 析記憶體之儲存資料數所用的超過數運算電路。在實行8 方法之交錯動作之半導體記憶體試驗裝置，可使用不良數 之規定值之下位3位元及下位2位元，及不良標記信號之 計數值的下位3位元來求出該超過數。 例示之超過數運算電路係由：儲存不良數之規定值的^ 規定值儲存暫存器2 0 ,及計數不良數的不良計數器2 1 ，及輸入有不良數規定值之下位3位元與計數值之下位3 位元，實行相加運算而输出相加結果之下位3位元的加器 本紙張尺度適用中國囤家標準_( CNS )八4規格（210X 297公釐） ~ ! (請先聞.讚背面之注意事項c,.^寫本頁) .裝. 訂 線 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（19 ) 2 2 » 及 在加器2 2 之 相 加結 果 (下 位3 位 元）分別相加 1 二 種 例 如 在此例子爲 2 1 4， 6 之不 相同 常 數並予以輸出 1 I 的 —_. 種 常 數相加電路 2 3 1 * 2 3 2 - 2 3 3 ，及輸入有加 1 1 I 器 2 2 之 相加結果A 與 在 該相 加 結果 Α分 別 相加2，4， 請 先 聞 1 1 1 6 之 3 種 常數相加電 路 2 3 ! > 2 3 2 ,2 3 3之相加結果 讀 背 1 1 D ( = A + 2 ) ，C ( == A + 4 )， B ( A + 6 )，而且 之 注 1 I 意 1 1 輸 入 有 儲 存在規定值 儲 存 暫存 器 2 0 之不 良 數規定值的下 1 1 位 2 位 元 ，在該規定 值 之 下位 2 位元 β 、 厨 0 〇 *時输出相 k 窝 套· 1 裝 加 結 果 A ，在下位2 位 元 爲' 0 1 ^ 時输 出 相加結果B， 頁 1 | 在 下 位 2 位元爲1 0 家 時輸 出 相加 結果 C ，在下位2位 1 I 元 爲 % 1 1 #時輸出 相 加 結果 D 的多 路轉 換路2 4等所構 1 1 1 成 〇 1 訂 以 下 ，說明上述 構 成 之超 過 數運 算電 路 的動作。從規 1 定 值 儲 存 暫存器2 0 及 不 良計 數 器2 1有 不 良數規定值之 1 1 下 位 3位元及計數值之下位3位元輸入在加器2 2並被相 1 1 加 〇 如 第 4圖所示， 不 良 數規 定 值之 下位 3 位元係成爲"" 線 I 0 0 0 • *'001 Μ 9 '0 1 0 ^ 0 11'，' 1 I 1 0 0 *'101 m > "1 1 0 " 1 11〃 ，而來 1 1 | 白 計 數 器 2 1之下位 3 位 元係 各 週期 均成 爲 ' 0 0 0 *， 1 1 0 0 1 f ，' 0 1 0 /T 0 11 10 0,，' 1 1 1 0 1 •'110 >r 9 '1 1 1 " ，因 此 ，這些之相力 1 1 結 果 A 係 成爲如第6 圖 所 示β 又 ，在 該相 加 結果A相加2 1 1 之 結 果 D ，在相加結 果 A 相加 4 之結 果C 9 及在相加結果 1 I A 相 加 6 之結果B係 分 別 成爲 如 第6 圖所 示 •如上所述， 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 22 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 因多路轉換路2 4係在不良數規定值之下位2位元爲I 〇 時輸出相加結果A，在下位2位元爲1#時輸 出相加結果B，在下位2位元爲"*1 0'時輸出相加結果 C，而在下位2位元爲'I 1'時選擇輸出相加結果D時 ’因此，如第6圖之超過（Over Run)數之欄所示成爲從 多路轉換器2 4輸出有比對於不良數之規定值超過之不良 解析記憶體的儲存資料之數量（超過數）。 第7圖係表示在實行1 6方法之交錯動作時，使用在 用於算出對於比不良數之規定值超過（Ober Run)之不良 解析記憶體之儲存資料數所用的超過數運算電路。在實行 1 6方法之交錯動作之，可使用不良數之規定值之下位4 位元及下位3位元，及不良標記信號之計數值的下位4位 元來求出該超過數。 例示之超過數運算電路係由：儲存不良數之規定值的 規定值儲存暫存器2 0，及計數不良數的不良計數器2 1 ，及輸入有不良數規定值之下位4位元與計數值之下位4 位元，實行相加運算而輸出相加結果之下位4位元的加器 2 2，及在加器2 2之相加結果（下位4位元）分別相加 七種例如在此例子爲2，4，6，8，A ( 1 6進數之數 位），C(16進數之數位），E(16進數之數位）之 不相同常數並予以输出的七種常數相加電路2 3a，2 3¾ ，233，244，23 5，23β，237，及輸入有加器 2 2之相加結果Α與在該相加結果Α分別相加2，4，6 ，8，A，C，E之七種常數相加電路23^ 232， 本紙張尺度適用中國國家標準（〔^)八4規格（210父297公釐）-23 ----------裝-- 請先闓讀背面之注意事¼寫本頁) 訂 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（21 )233，23<t，235，23β，237之相加結果 Η (= A + 2 ) · G ( = A + 4 ) ，F(.A + 6) ，E( = A + 8) · D ( = A + A ) * C ( = A + C ) ，B( = A + E )’而且輸入有儲存在規定值儲存暫存器20之不良數規 定值的下位3位元，在該規定值之下位3位元爲·0 0 0 #時輸出相加結果A，在下位3位元爲|〇0 1#時输出 相加結果B，在下位3位元爲1 0 '時輸出相加結果 C，在下位3位元爲1 1^時輸出相加結果D，在下 位3位元爲〇〇〃時輸出相加結果E，在下位3位元 爲>1 0 1 '時輸出相加結果F，在下位3位元爲' . 1 1 0^時輸出相加結果G，而在下位3位元爲'1 1 1 ^時輸出相加結果Η的多路轉換路24等所構成。 以下，說明上述構成之超過數運算電路的動作。從規 定值儲存暫存器2 0及不良計數器2 1有不良數規定值之 下位4位元及計數值之下位4位元输入在加器2 2並被相 加。如第8圖至第11圖所示，不良數規定值之下位4位 元係成爲 '0000， ， ' 0 0 0 1 ^ ， '0010"， ' 0 0 1 1 ^ ' 0 1 0 0 ^ ' 0 1 0 1 ^ ' 0 1 1 0 ' 0 1 1 1 ^ ，' 1 0 0 0 " ，'1001 ^ ' 1 0 1 0 ^ ，'10 11" ，'1100,，' 1101， ， ，1110， ， 而來自計數器 2 1之下位4位元係各週期均成爲"^0000'， ' 0 0 0 1 " ，' ο ο 1 0 41 ，' 0 0 1 1 ^ ，'0100 f ， '0101, ， ' 0 1 1 0 # ， ' 0 1 1 1 ^ , ' 請先S-讀背面之注意事項寫本頁) -裝· -* 線 本紙張尺度通用中國國家標準（CNSM4規格（210X297公釐）_ 24 _ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（22 ) 1000〃 ，' 1 0 0 1 ^ ，'1010〃 ，'1011 ，'110 0" ，'1101".* '1110"，' 1111"，因此，這些之相加結果A係成爲第8圖至第 1 1圖所示。又，在該相加結果A相加2之結果Η，在相 加結果Α相加4之結果G，在相加結果Α相加6之結果F ，在相加結果A相加8之結果E *在相加結果A相加A之 結果D，在相加結果A相加C之結果C，及在相加結果A 相加E之結果B係分別成爲第8圖至第1 1圖所示•如上 所述，因多路轉換路2 4係在不良數規定值之下位3位元 爲0 0"時輸出相加結果A，在下位3位元爲、 001 "時输出相加結果B，在下位3位元爲、010_ 時輸出相加結果C，而在下位3位元爲1 1"時輸出 相加結果D，在下位3位元爲*1 〇 〇'時輸出相加結果 E，在下位3位元爲*1 0 1"時輸出相加結果F，在下 位3位元爲1 0 '時輸出相加結果G，在下位3位元 >1 1 1#時输出相加結果Η者，因此，如第8圖至第 1 1圖之超過（0.ver Run)數之檷所示成爲從多路轉換器 2 4输出有比對於不良數之規定值超過之不良解析記憶體 的儲存資料之數量（超過數）。 由以上說明可知，依照本發明，從一下子儲存於η台 不良解析記憶體5之η個資料週期分量的資料內，依發生^ 順序僅重新排列藉由不良標記信號所指示之發生不良的資 料週期之儲存資料並可讀出。因此，可從η台不良解析記 億體5僅讀出儲存有不良資料的資料週期。 本紙張尺度遑用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 25 (請先聞讀背面之注意事^d填寫本頁) .裝. •線 Α7 Β7 五、發明説明（23) 又，依照本發明，因設置電路構成之簡單的超過數運 算電路，因此，可求出超過不良數之規定值而儲存於不良 解析記憶體的超過資料週期之數量（超過數），由重新排 列所讀出之不良儲存資料除去該求出之超過資料週期之數 量，而可讀出有效之資料。 如此，適用本發明，則可圓滑地讀出記億半導體記憶 體之試驗結果之不良解析記憶體的記憶內容之不良的磁後 〔圖式之簡單說明〕 第1圖係表示依本發明的半導體記憶體試驗裝置之第 1實施例之邏輯比較器及不良解析記憶體部分的方塊圖。 第2圖係表示適用本發明的半導體記憶體試驗裝置之 η台不良解析記億體之資料儲存狀態之一例的概念圖。 第3圖係表示在依本發明的半導體記憶體試驗裝置之 第2實施例，使用於4方法之交錯動作時之超過數運算電 路的方塊圖。 第4圖係表示第3圚之超過數運算電路之輸入輸出資 料的圖式。 第5圖係表示在依本發明的半導體記憶體試驗裝置之 第2實施例，使用於8方法之交錯動作時之超過數運算電 路的方塊圖。 第6圖係表示第5圚之超過數運算電路之輸入輸出資 料的圔式· 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 請先閱讀背面之注意事項ί 寫本頁 U3- 、言 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（24 ) 第7圖係表示在依本發明的半導體記憶體試驗裝置之 第2實施例，使用於1 6方法之交錯動作時之超過數運算 電路的方塊圖。 第8圖係表示第7圖之超過數運算電路之輸入輸出資 料的圖式。 第9圖係表示第7圖之超過數運算電路之輸入輸出資 料的圖式。 第10圖係表示第7圖之超過數運算電路之輸入輸出 料的圖式。 第11圖係表示第7圖之超過數運算電路之輸入輸出 料的圖式。 第1 2圖係表示以往之半導體記憶體試驗裝置之基本 構成之一例子的方塊圖。 第13圖係表示以往之半導體記億體試驗裝置之不良 數的計數及實行比較之電路之一例子的方塊圖。 第14圖係表示實行交錯動作之以往的半導體記憶體 試驗裝置之基本構成之一例子的方塊圖》 第15圖係表示用於說明第14圖之以往的半導體記 憶體試驗裝置之試驗資料之寫入定時所用的圖式。 第16圖係表示用於說明第14圖之以往的半導體記 憶體試驗裝置之試驗資料之讀出定時所用的圖式* 〜 第17圖係表示以往的半導體記憶體試驗裝置之n台 不良解析記億體之資料儲存狀態之一例子的概念圖· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） 請先閲讀背面之>1意事項寫本頁) .裝· ,νβ -27

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 _ _ _ D8 六、申請專利範圍 1 . 一種半導體記億體試驗方法，係屬於將從多數台 之試驗圖案發生器所發生之試驗資料信號經由第1交錯電 路藉由交錯動作寫入在被試驗記憶體，並從該被試驗記憶 體經由第2交錯電路藉由交錯動作讀出試驗結果之資料之 後篩分施加於多數台之邏辑比較器，在這些邏輯比較器相 比較試驗結果之資料與從上述試驗圖案發生器所供應之期 待值資料，在比較結果有不良時，將包括不良資料之交錯 週期的資料篩分並儲存於多數台之不良解析記憶體的半導 體記憶體之試驗方法，其特徵爲： 從上述多數台之邏辑比較器發生與不良資料一起表示 不良之發生的不良標記信號，也將該不良標記信號與不良 資料相對應而儲存於上述多數台之不良解析記憶體，在被 試驗記憶體之試驗完成後，從上述不良解析記憶體依次讀 出不良標記信號俾特定發生不良之資料週期者。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體記憶體試驗 方法，其中，上述交錯動作係4方法，8方法或是1 6方 法之交錯動作者。 3. —種半導體記憶體試驗裝置，係屬於將從多數台 之試驗圖案發生器所發生之試驗資料信號經由第1交錯電 路藉由交錯動作寫入在被試驗記憶體，並從該被試驗記憶 體經由第2交錯電路藉由交錯動作讀出試驗結果之資料之^ 後篩分施加於多數台之邏輯比較器，在這些邏輯比較器相 比較試驗結果之資料與從上述試驗圚案發生器所供應之期 待值資料，在比較結果有不良時，將包括不良資料之交錯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐）_ 28 _ 請先閱讀背面之注意事ϊί 4填寫本頁) •裝· 訂 線 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 週期的資料篩分並儲存於多數台之不良解析記億饈的半導 體記憶體試驗裝置，其特徵爲： 上述多數台之邏輯比較器係具有發生依據上述不良資 料表示發生有不良之不良標記信號的電路， 上述多數台之不良解析記憶體係具有將從相對應之邏 辑比較器所發生之不良標記信號與上述不良資料相對應並 予以儲存的儲存領域。 4. 如申請專利範圔第3項所述之半導體記億體試驗 裝置，其中，上述交錯動作係4方法，8方法或是1 6方 法之交錯動作者。 5. 如申請專利範圈第3項所述之半導體記憶體試驗 裝置，其中，又包括：計數上述不良標記信號並輸出計數 值之下位位元的不良計數器，及 儲存有不良數之規定值，且輸出其下位位元的規定值 儲存暫存器，及 相加上述不良計數之下位位元輸出與上述規定值儲存 暫存器之下位位元輸出的加器，及 在上述加器之相加結果相加常數並输出該相加結果之 下位位元的常數相加電路，及 施加有上述加器之下位位元輸出與上述常數相加電路 之下位位元输出，且藉上述規定值儲存暫存器之下位位元 來轉m上述加器之輸出或上述常數相加電路之輸出並予以 輸出的多路轉換器的半導體記憶體試驗裝置。 6 .如申請專利範圍第5項所述之半導體記憶體試驗 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）_ 29 - (請先閲讀背面之注意事ϊί-?.填寫本頁) -裝- 、νβ 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 六、申請專利範圍 裝置，其中，上述不良計數器係計數上述不良標記信號並 輸出該計數值之下位2位元； 上述規定值儲存暫存器係输出上述不良數規定值之最 下位位元及下位2位元； 上述加器係相加上述不良計數器之下位2位元輸出與 上述規定值儲存暫存器之下位2位元輸出並輸出該相加結 果之下位2位元； 上述常數相加電路係在上述加器之下位2位元輸出相 加2 上述多路轉換器係施加有上述加器之下位2位元輸出 及上述常數相加電路之下位2位元輸出，藉由上述規定儲 存暫存器之最下位位元輸出來轉換上述加器之相加結果或 上述常數相加電路之相加結果並予以輸出。 7.如申請專利範圍第5項所述之半導體記憶體試驗 裝置，其中上述不良計數器係計數上述不良標記信號並輸 出該計數值之下位3位元； 上述規定值儲存暫存器係輸出上述不良數規定值之下 位2位元及下位3位元； 上述加器係相加上述不良計數器之下位3位元输出與 上述規定值儲存暫存器之下位3位元輸出並輸出該相加結 果之下位3位元； ~ 上述常數相加電路係在上述加器之下位3位元輸出相 加2的電路，及相加4的電路，及相加6的電路等三種電 路所構成： (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐）-30 - 2^^445 έ88 C8 D8 六、申請專利範圍 上述多路轉換器係施加有上述加器之下位3位元输出 及上述常數相加電路之3個電路之各該下位3位元輸出， 藉由上述規定值儲存暫存器之下位2位元輸出來轉換上述 加器之相加結果或上述常數相加電路之相加結果並予以輸 出。 8.如申請專利範圍第5項所述之半導體記憶體試驗 裝置，其中，上述不良計數器係計數上述不良標記信號並 輸出該計數值之下位4位元： 上述規定值儲存暫存器係輸出上述不良數規定值之下 * 位3位元及下位4位元； 上述加器係相加上述不良計數器之下位4位元输出與 上述規定值儲存暫存器之下位4位元输出並输出該相加結 果之下位4位元； 上述常數相加電路係在上述加器之下位4位元输出相 加2的電路，及相加4的電路，及相加6的電路，及相加 8的電路，及相加A的電路，及相加B的電路，以及相加 E的電路等七種電路所構成； 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 請先聞讀背面之注意事^^填寫本頁) 上述多路轉換器係施加有上述加器之下位4位元输出 及上述常數相加電路之7個電路之各該下位4位元輸出， 藉由上述規定值儲存暫存器之下位3位元輸出來轉換上述 加器之相加結果或上述常數相加電路之相加結果並予以輔K 出。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐）-31 -