TW202146540A - 樹脂膜、複合片、以及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的樹脂膜係於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之樹脂膜之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當前述試片的應變為1%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000。本發明的複合片具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之前述樹脂膜。

Description

樹脂膜、複合片、以及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種樹脂膜、複合片、以及半導體裝置之製造方法。 本申請案基於2020年2月27日在日本提出申請之日本特願2020-031717號主張優先權，且將該申請案的內容引用至本文中。
先前，於將MPU(Micro Processor Uint；微處理器單元)或閘極陣列等中所使用之多接腳之LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)封裝體構裝於印刷配線基板之情形時，採用以下之覆晶構裝方法：使用於連接焊墊部形成有由共晶焊料、高溫焊料、金等所構成之凸狀電極(以下，本說明書中稱為「凸塊」)之半導體晶片，藉由所謂倒裝(face down)方式，使這些凸塊與晶片搭載用基板上的相對應的端子部對向接觸，從而進行熔融／擴散接合。
該構裝方法中所使用之半導體晶片例如藉由下述方式獲得：將於電路面形成有凸塊之半導體晶圓中之與電路面(換言之，凸塊形成面)為相反側的面進行研削並進行切割而單片化。於獲得此種半導體晶片之過程中，通常以保護半導體晶圓的凸塊形成面及凸塊為目的，而將硬化性樹脂膜貼附於凸塊形成面，並使該膜硬化，藉此於凸塊形成面形成保護膜。
另一方面，對於半導體裝置，期待具有更高的功能，而存在半導體晶片的尺寸擴大之傾向。但是，尺寸經擴大之半導體晶片因在構裝於基板之狀態下產生翹曲，而使得凸塊容易變形，尤其是位於半導體晶片的端部或其附近之凸塊容易產生龜裂。對於形成於凸塊形成面之保護膜，亦期待抑制此種凸塊之破損。
一邊參照圖8A至圖8D一邊對半導體晶圓的凸塊形成面中的保護膜之形成方法進行說明。 使用如圖8A所示之保護膜形成用片8來形成保護膜。保護膜形成用片8係於基材81上依序積層緩衝層83及硬化性樹脂膜82而構成。緩衝層83對於施加於緩衝層83及與緩衝層83鄰接之層之力具有緩衝作用。
首先，將保護膜形成用片8以該保護膜形成用片8的硬化性樹脂膜82與半導體晶圓9的凸塊形成面9a對向之方式進行配置。 繼而，使保護膜形成用片8壓接於半導體晶圓9，如圖8B所示，於半導體晶圓9的凸塊形成面9a貼合保護膜形成用片8的硬化性樹脂膜82。此時，一邊將硬化性樹脂膜82加熱一邊貼合硬化性樹脂膜82。藉此，於半導體晶圓9的凸塊形成面9a及凸塊91的表面91a密接硬化性樹脂膜82，但若凸塊91貫通硬化性樹脂膜82，則於凸塊91的表面91a的一部分亦密接緩衝層83。 於此種硬化性樹脂膜82之貼合之後，進而視需要將半導體晶圓9中之與凸塊形成面9a為相反側的面(內面)9b進行研削，然後於半導體晶圓9的內面9b另行貼附用以保護該內面9b之保護膜形成用片(省略圖示)。
繼而，如圖8C所示，自硬化性樹脂膜82移除基材81及緩衝層83。 繼而，使硬化性樹脂膜82硬化，如圖8D所示，形成保護膜82'。
於此種保護膜之形成方法中，必須成為凸塊91的上部910貫通保護膜82'而突出之狀態。為此重要的是於使基材81及緩衝層83剝離之階段中成為如下狀態：如上述般凸塊91的上部910貫通硬化性樹脂膜82而突出，且於凸塊91的上部910未殘留硬化性樹脂膜82。將與此相反地於凸塊91的上部910殘留有硬化性樹脂膜82之狀態的一例顯示於圖9。此處，顯示了凸塊91的表面91a的整面由硬化性樹脂膜82被覆之示例，但這係硬化性樹脂膜82的殘留狀態的一例，例如亦存在如下情況：於凸塊91的上部910，表面91a的一部分未由硬化性樹脂膜82被覆而露出。
如此，作為能夠使硬化性樹脂膜不於凸塊的上部殘留而形成保護膜之保護膜形成用片，揭示有以下之保護膜形成用片，係構成為在溫度90℃、頻率1Hz之條件下使緩衝層產生300%之應變時的緩衝層的剪切彈性模數相對於在相同條件下使硬化性樹脂膜產生300%之應變時的硬化性樹脂膜的剪切彈性模數成為同等以上(參照專利文獻1)。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第6344811號公報。
[發明所欲解決之課題]
另一方面，如上文所說明，於一邊將保護膜形成用片中的硬化性樹脂膜進行加熱，一邊藉由該硬化性樹脂膜將保護膜形成用片貼附於半導體晶圓的凸塊形成面之階段(例如圖8B之階段)中，有時相較於貼附前之階段，硬化性樹脂膜的寬度擴大，硬化性樹脂膜自最初的大小外溢。並且，如上述之能夠抑制於凸塊的上部之殘留之硬化性樹脂膜容易產生此種外溢。若如此般硬化性樹脂膜產生外溢，則於使用半導體晶圓或分割半導體晶圓而獲得之半導體晶片後續的各步驟中，有時各種裝置會因所外溢之硬化性樹脂膜之附著而遭受污染。並且，先前的保護膜形成用片並未考慮抑制此種硬化性樹脂膜之外溢。
至此為止，列舉於半導體晶圓的凸塊形成面貼附硬化性樹脂膜之情形為例進行了說明，但並不限定於硬化性樹脂膜，樹脂膜有時貼附於半導體晶圓的凸塊形成面以外的凹凸面。並且，有時於凹凸面的凸部的上部，與凸塊的上部之情形同樣地，要求抑制樹脂膜之殘留。對此，有可能所有此種對凹凸面之貼附皆產生樹脂膜之外溢。
本發明的目的在於提供一種樹脂膜及複合片，前述樹脂膜能夠應用於貼附於凹凸面，且於貼附於凹凸面時，能夠實現凸部之貫通，能夠抑制於凸部的上部之殘留，能夠抑制自最初的大小之外溢，前述複合片於將前述樹脂膜貼附於凹凸面時使用，且具備前述樹脂膜。 [用以解決課題之手段]
本發明提供一種樹脂膜，係於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當前述試片的應變為1%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由下述式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000。
本發明的樹脂膜亦可用於貼附於凹凸面。 本發明的樹脂膜亦可為硬化性。
另外，本發明提供一種複合片，具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之樹脂膜，且前述樹脂膜為上述之本發明的樹脂膜。 另外，本發明提供一種半導體裝置之製造方法，具有：貼附步驟，係將上述之本發明的複合片中之為硬化性之前述樹脂膜貼附於半導體晶圓中之具有凸塊之面，使前述凸塊的頭頂部自前述樹脂膜突出，藉此於前述半導體晶圓設置前述複合片；去除步驟，係於前述貼附步驟之後，將前述複合片中的前述樹脂膜以外的層自前述樹脂膜移除；硬化步驟，係於前述去除步驟之後，使前述樹脂膜硬化，藉此形成第1保護膜；分割步驟，係於前述硬化步驟之後，分割前述半導體晶圓，藉此製作半導體晶片；切斷步驟，係於前述硬化步驟之後，切斷前述第1保護膜；以及構裝步驟，係將具第1保護膜之半導體晶片於前述凸塊的頭頂部覆晶連接於基板，前述具第1保護膜之半導體晶片具備：於前述分割步驟及切斷步驟之後所獲得之前述半導體晶片、及設置於前述半導體晶片中之具有凸塊之面之第1保護膜，且前述凸塊的頭頂部自前述第1保護膜突出。 [發明功效]
根據本發明，提供一種樹脂膜及複合片，前述樹脂膜能夠應用於貼附於凹凸面，且於貼附於凹凸面時，能夠實現凸部之貫通，能夠抑制於凸部的上部之殘留，能夠抑制自最初的大小之外溢，前述複合片於將前述樹脂膜貼附於凹凸面時使用，且具備前述樹脂膜。
◇樹脂膜及其製造方法 本發明的一實施形態的樹脂膜係於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當前述試片的應變為1%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由下述式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000。
進行應變分散測定之前述試片為膜狀，前述試片的平面形狀為圓形。 前述試片亦可為厚度1mm之單層之前述樹脂膜，但就製作容易之方面而言，較佳為厚度未達1mm之單層之前述樹脂膜積層多片而構成之積層膜。 構成前述積層膜之多片之單層之前述樹脂膜的厚度可全部相同，亦可全部皆不同，還可僅一部分相同，但就製作容易之方面而言，較佳為全部相同。
本說明書中，所謂「試片的儲存彈性模數」，意指「於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之樹脂膜之試片產生應變時，與該應變對應之試片的儲存彈性模數」，而並不限於前述Gc1及Gc300。
本實施形態的樹脂膜例如可如後述般藉由與基材及緩衝層積層而構成複合片。
圖1係以示意方式表示本發明的一實施形態的樹脂膜的一例之剖視圖。 此外，為了易於理解本發明的特徵，以下之說明中所使用之圖有時方便起見而將成為要部之部分放大表示，而並不限於各構成要素的尺寸比率等與實際相同。
此處所示之樹脂膜12於樹脂膜12的一面(本說明書中，有時稱為「第1面」)12a上具備第1剝離膜151，於與前述第1面12a為相反側的另一面(本說明書中，有時稱為「第2面」)12b上具備第2剝離膜152。 此種樹脂膜12例如適於以輥狀保存。
樹脂膜12之試片的X值為19以上至未達10000。
第1剝離膜151及第2剝離膜152均可為公知的剝離膜。 第1剝離膜151及第2剝離膜152可相互相同，亦可例如自樹脂膜12剝離時所需之剝離力相互不同等相互不同。
圖1所示之樹脂膜12中將第1剝離膜151及第2剝離膜152之任一剝離膜移除所產生之露出面成為對前述凹凸面之貼附面。並且，將第1剝離膜151及第2剝離膜152之剩餘一剝離膜移除所產生之露出面成為用以構成後述之複合片之其他層(例如緩衝層等)之貼附面。
圖1中顯示了於樹脂膜12的雙面(第1面12a、第2面12b)設置有剝離膜之示例，但剝離膜亦可僅設置於樹脂膜12的任一面，亦即，僅設置於第1面12a或僅設置於第2面12b。
本實施形態的樹脂膜可為硬化性，亦可為非硬化性。例如，前述樹脂膜可藉由硬化而發揮作為保護膜(例如，後述之第1保護膜。以下相同)之功能，亦可以未硬化之狀態發揮作為保護膜之功能。 硬化性之樹脂膜可為熱硬化性及能量線硬化性之任一種，亦可具有熱硬化性及能量線硬化性之雙方的特性。
於使用本實施形態的樹脂膜形成保護膜之情形時，就能夠形成保護能力更高之保護膜之方面而言，前述樹脂膜較佳為硬化性。
本說明書中，所謂「能量線」，意指具有能量量子之電磁波或帶電粒子束。作為能量線的示例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙氣燈、黑光燈或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源而進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等產生之電子束。 另外，本說明書中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。 另外，所謂「非硬化性」，意指藉由加熱或能量線之照射等任意方法均不硬化之性質。非硬化性之保護膜形成用膜在設置(形成)於目標對象物之階段以後視為保護膜。
本實施形態的樹脂膜含有樹脂成分，且可含有樹脂成分以外的成分，亦可不含有樹脂成分以外的成分。 作為較佳的樹脂膜，例如可列舉含有樹脂成分、填充材料、及不相當於這些(樹脂成分及填充材料)之任一者且具有調節樹脂膜的儲存彈性模數之效果之各種添加劑之樹脂膜。
作為具有調節樹脂膜的儲存彈性模數之效果之前述添加劑，例如可列舉：流變控制劑(觸變劑)、界面活性劑、聚矽氧油等。
本實施形態的樹脂膜為軟質，適合用於貼附於凹凸面。 於將本實施形態的樹脂膜一邊加熱一邊貼附於凹凸面時，凹凸面的凸部貫通前述樹脂膜，前述凸部的上部自前述樹脂膜突出。並且，軟化後的樹脂膜以覆蓋前述凸部之方式於凸部間擴展而與凹凸面密接，並且覆蓋凸部的表面、尤其是凹凸面的附近部位的表面而將凸部的基部埋入。於該狀態下，樹脂膜於前述凸部的上部之殘留得到抑制。並且，於樹脂膜為硬化性之情形時，該狀態之樹脂膜之硬化物當然於前述凸部的上部之附著亦得到抑制。進而，該貼附後的樹脂膜自最初的大小之外溢得到抑制，因此例如樹脂膜自前述凹凸面之外溢得到抑制。如此，前述樹脂膜之殘留及外溢得到抑制之原因在於：樹脂膜滿足前述X值之條件(19≦X值＜10000)。 進而，於使用前述樹脂膜之情形時，在前述樹脂膜及其硬化物設置於前述凹凸面之狀態下，凹凸面的凸部中的上部以外的區域(例如凹凸面附近的基部)或凹凸面的凸部附近的區域意外地未由前述樹脂膜及其硬化物覆蓋而露出(亦即所謂之覆蓋闕漏)得到抑制。如此，前述樹脂膜的基本特性良好之原因亦在於樹脂膜滿足前述X值之條件(19≦X值＜10000)。 如此，本實施形態的樹脂膜於如下方面具有極其優異的特性：能夠使凸部露出，並且可藉由樹脂膜本身及其硬化物來被覆凹凸面整體。
將本實施形態的樹脂膜貼附於凹凸面時的樹脂膜的加熱溫度、貼附壓力可根據其他貼附條件而適宜調節，例如可設為與貼附於後述之半導體晶圓的凸塊形成面時相同。
樹脂膜有無殘留於凹凸面的凸部的上部例如可藉由下述方式來確認：針對前述凸部的上部，獲取SEM(Scanning Electron Microscopy；掃描式電子顯微鏡)之攝像資料。 另外，樹脂膜有無自前述凹凸面外溢、及樹脂膜有無於凹凸面上覆蓋闕漏例如可藉由下述方式來確認：針對前述凹凸面上的相應部位，獲取SEM之攝像資料。
於將本實施形態的樹脂膜貼附於凹凸面時，可使用具備本實施形態的樹脂膜之前述複合片。關於複合片，將於後文詳細地進行說明。
作為具備前述凹凸面之前述樹脂膜的貼附對象物，更具體而言，例如可列舉具有凸塊之半導體晶圓。 亦即，前述樹脂膜可貼附於分割成半導體晶片之前的半導體晶圓。該情形時，前述樹脂膜係貼附於半導體晶圓中之具有凸塊之面而使用。
本說明書中，有時將於半導體晶圓及半導體晶片之任一者中具有凸塊之面均稱為「凸塊形成面」。
此時，藉由將前述樹脂膜一邊加熱一邊貼附於凸塊形成面，而使得凸塊貫通樹脂膜，凸塊的頭頂部自前述樹脂膜突出。並且，軟化後的樹脂膜以覆蓋凸塊之方式於凸塊間擴展而與凸塊形成面密接，並且覆蓋凸塊的表面、尤其是凸塊形成面的附近部位的表面而將凸塊的基部埋入。於該狀態下，樹脂膜於凸塊之以頭頂部為代表之上部之殘留得到抑制。並且，於樹脂膜為硬化性之情形時，該狀態之樹脂膜之硬化物當然於凸塊的上部之附著亦得到抑制。進而，該貼附後的樹脂膜自最初的大小之外溢得到抑制，因此例如樹脂膜自半導體晶圓的凸塊形成面之外溢得到抑制。進而，於使用前述樹脂膜之情形時，在前述樹脂膜及其硬化物設置於凸塊形成面之狀態下，凸塊的上部以外的區域或凸塊形成面的凸塊附近的區域意外地露出(亦即覆蓋闕漏)得到抑制。獲得這些效果之原因如上所述。
於前述樹脂膜為硬化性之情形時，該狀態(將凸塊的基部埋入之狀態)之樹脂膜之後藉由硬化而最終形成第1保護膜，於前述樹脂膜為非硬化性之情形時，該狀態(將凸塊的基部埋入之狀態)以後的樹脂膜成為第1保護膜。
本說明書中，將如此設置於半導體晶圓或半導體晶片的凸塊形成面之保護膜稱為「第1保護膜」。並且，將設置於半導體晶圓或半導體晶片中之與凸塊形成面為相反側的面(亦即內面)之保護膜稱為「第2保護膜」。
於將樹脂膜貼附於凹凸面時等貼附於貼附對象物時，樹脂膜自最初的大小外溢之情形時，自上方往下看而俯視該外溢之狀態的樹脂膜，求出將此時的樹脂膜的外周上的不同二點間連結之線段的長度的最大值，進而求出與顯示該最大值之前述線段重疊之位置處的最初(亦即，外溢前)的樹脂膜的寬度的值，自前述線段的長度的最大值減去前述樹脂膜的寬度的值，藉此可算出樹脂膜的外溢量。
圖2係用於以示意方式說明樹脂膜的平面形狀為圓形之情形時的樹脂膜的外溢量之俯視圖。 此外，於圖2以後的圖中，對與既已說明之圖所示相同的構成要素，標附與該已說明之圖之情形相同的符號，並省略該構成要素之詳細說明。
此處所示之樹脂膜101於貼附於貼附對象物102之狀態下成為自最初的大小外溢之狀態。以符號101'所表示的是最初的大小的樹脂膜，為了易於理解外溢量，而以方便的方式表示。最初的樹脂膜101'的平面形狀在此處為圓形，但成為外溢狀態之樹脂膜101的平面形狀為非圓形。但是此為一例，成為外溢狀態之樹脂膜101的平面形狀並不限定於此處所示之形狀。
為了求出樹脂膜101的外溢量，而求出將樹脂膜101的外周1010上的當中一點1010a與此點不同的另一點1010b之間連結之線段的長度D1 的最大值，進而求出與顯示該最大值之前述線段重疊之位置處的最初(亦即，外溢前)的樹脂膜101'的寬度的值D0 即可。D1 與D0 之差(D1 －D0 )成為前述外溢量。 樹脂膜101中之顯示最大值之前述線段有時於俯視下通過最初的樹脂膜101'中的圓的中心，該情形時，與顯示該最大值之前述線段重疊之位置處的最初的樹脂膜101'的寬度的值成為樹脂膜101'的直徑。
此處，參照圖式對樹脂膜的平面形狀為圓形之情形時的樹脂膜的外溢量進行了說明，但於平面形狀為圓形以外之情形時，亦可利用相同的方法算出樹脂膜的外溢量。
於將樹脂膜貼附於貼附對象物的凹凸面時，於凹凸面的凸部的上部(於貼附對象物為具有凸塊之半導體晶圓之情形時，為凸塊的上部)欲貫通樹脂膜而突出之中間階段、及於凸部的上部貫通樹脂膜而突出後由樹脂膜將凸部的基部埋入之最後階段中，樹脂膜的應變程度的大為不同。更具體而言，前述中間階段中的樹脂膜的應變大，前述最後階段中的樹脂膜的應變小。 本實施形態的樹脂膜採用Gc1作為應變小時的儲存彈性模數，採用Gc300作為應變大時的儲存彈性模數，以Gc1變高、Gc300變低之方式，將X值(＝Gc1/Gc300)規定為特定範圍，藉此發揮上文說明之優異的效果。
前述樹脂膜中，X值為19以上至未達10000即可，例如X值可為5000以下、2000以下、1000以下、500以下、300以下、100以下、及70以下之任一種。 例如，X值可為19至5000、19至2000、19至1000、19至500、19至300、19至100、及19至70之任一種。
有別於本實施形態的樹脂膜，X值為10000以上之其他樹脂膜即便藉由貼附於凹凸面而使得凸部的上部自其他樹脂膜突出，亦未見抑制覆蓋闕漏之效果，其他樹脂膜之硬化物仍維持在產生覆蓋闕漏之狀態。
前述樹脂膜中，Gc1只要X值成為19以上至未達10000，則並無特別限定。 但是，如上文所說明，就樹脂膜於凸部的上部之殘留得到抑制之效果、樹脂膜之外溢得到抑制之效果、及樹脂膜及其硬化物之覆蓋闕漏得到抑制之效果均高度發揮之方面而言，Gc1較佳為1×104 Pa至1×106 Pa。
前述樹脂膜中，Gc300只要X值成為19以上至未達10000，則並無特別限定。 但是，基於與上述之Gc1之情形相同的理由，Gc300較佳為1Pa至5000Pa。
前述樹脂膜中，較佳為同時滿足上述條件，亦即Gc1為1×104 Pa至1×106 Pa且Gc300為1Pa至5000Pa。
前述樹脂膜的儲存彈性模數並不限於Gc1及Gc300之情形，可藉由調節樹脂膜的含有成分的種類或含量而容易地調節。為此，只要調節用以形成樹脂膜之組成物中的含有成分的種類或含量即可。例如，於使用後述之熱硬化性樹脂膜形成用組成物(III)之情形時，可藉由調節該組成物中的聚合物成分(A)、填充材料(D)等主要含有成分的種類或含量，或調節流變控制劑、界面活性劑或聚矽氧油等添加劑(I)的種類或含量，而容易地調節樹脂膜的儲存彈性模數。 例如，若使熱硬化性樹脂膜及前述組成物(III)的前述填充材料(D)或添加劑(I)的含量增大，則X值容易變大。
無論前述樹脂膜為硬化性及非硬化性之任一種，並且，於為硬化性之情形時，無論為熱硬化性及能量線硬化性之任一種，樹脂膜均可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之多層所構成。於樹脂膜由多層所構成之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
本說明書中，並不限於前述樹脂膜之情形，所謂「多層相互可相同亦可不同」，意指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」，進而，所謂「多層相互不同」，意指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。
無論前述樹脂膜為硬化性及非硬化性之任一種，並且，於為硬化性之情形時，無論為熱硬化性及能量線硬化性之任一種，前述樹脂膜的厚度均較佳為1μm至100μm，更佳為5μm至75μm，尤佳為5μm至50μm。藉由樹脂膜的厚度為前述下限值以上，樹脂膜所發揮之效果變得更高。例如，於使用樹脂膜形成保護膜之情形時，能夠形成保護能力更高之保護膜。另一方面，藉由樹脂膜的厚度為前述上限值以下，可抑制厚度過厚。 此處，所謂「樹脂膜的厚度」，意指樹脂膜整體的厚度，例如所謂由多層所構成之樹脂膜的厚度，意指構成樹脂膜之全部層的合計厚度。
[樹脂膜形成用組成物] 前述樹脂膜可使用含有前述樹脂膜的構成材料之樹脂膜形成用組成物而形成。例如，前述樹脂膜可藉由於前述樹脂膜的形成對象面塗敷樹脂膜形成用組成物，並視需要使之乾燥而形成。樹脂膜形成用組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與樹脂膜中的前述成分彼此的含量之比率相同。本說明書中，所謂「常溫」，意指不特別冷或特別熱的溫度，亦即平常的溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
熱硬化性樹脂膜可使用熱硬化性樹脂膜形成用組成物而形成，能量線硬化性樹脂膜可使用能量線硬化性樹脂膜形成用組成物而形成，非硬化性樹脂膜可使用非硬化性樹脂膜形成用組成物而形成。此外，本說明書中，於樹脂膜具有熱硬化性及能量線硬化性之雙方特性之情形時，當對於樹脂膜之硬化(例如保護膜之形成)而言，樹脂膜之熱硬化之貢獻大於能量線硬化之貢獻之情形時，將樹脂膜視為熱硬化性之膜。相反地，當對於樹脂膜之硬化而言，樹脂膜之能量線硬化之貢獻大於熱硬化之貢獻之情形時，將樹脂膜視為能量線硬化性之膜。
前述樹脂膜中，樹脂膜中的1種或2種以上之後述之含有成分的合計含量相對於樹脂膜的總質量之比例不超過100質量%。 同樣地，樹脂膜形成用組成物中，樹脂膜形成用組成物中的1種或2種以上之後述之含有成分的合計含量相對於樹脂膜形成用組成物的總質量之比例不超過100質量%。
利用公知的方法塗敷樹脂膜形成用組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、Meyer棒式塗佈機、輕觸式塗佈機等。
無論前述樹脂膜為硬化性及非硬化性之任一種，並且，於為硬化性之情形時，無論為熱硬化性及能量線硬化性之任一種，樹脂膜形成用組成物的乾燥條件均無特別限定。但是，於樹脂膜形成用組成物含有後述溶媒之情形時，較佳為進行加熱乾燥。並且，含有溶媒之樹脂膜形成用組成物例如較佳為於70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行加熱乾燥。但是，熱硬化性樹脂膜形成用組成物較佳為以該組成物本身、及由該組成物所形成之熱硬化性樹脂膜不會熱硬化之方式來進行加熱乾燥。
以下，對熱硬化性樹脂膜及能量線硬化性樹脂膜進一步詳細地進行說明。
◎熱硬化性樹脂膜 關於使熱硬化性樹脂膜硬化而成為硬化物時、尤其是形成保護膜時的硬化條件，只要前述硬化物成為充分地發揮前述硬化物的功能之程度的硬化度，則並無特別限定，根據熱硬化性樹脂膜的種類、前述硬化物的用途等適宜選擇即可。 例如，於形成保護膜之情形時，熱硬化性樹脂膜硬化時的加熱溫度較佳為100℃至200℃，更佳為110℃至170℃，尤佳為120℃至150℃。並且，前述熱硬化時的加熱時間較佳為0.5小時至5小時，更佳為0.5小時至4小時，尤佳為1小時至3小時。
[熱硬化性樹脂膜形成用組成物] 作為熱硬化性樹脂膜形成用組成物，例如可列舉含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材料(D)、及添加劑(I)之熱硬化性樹脂膜形成用組成物(III)(本說明書中，有時簡稱為「組成物(III)」)等。
[聚合物成分(A)] 聚合物成分(A)係用以對熱硬化性樹脂膜賦予造膜性及可撓性等之聚合物化合物。此外，本說明書中，聚合物化合物中亦包含縮聚反應之產物。 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之聚合物成分(A)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些聚合物成分(A)的組合及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(A)，例如可列舉：聚乙烯醇縮醛、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚矽氧樹脂、飽和聚酯樹脂等。 這些之中，聚合物成分(A)較佳為聚乙烯醇縮醛。
作為聚合物成分(A)中的前述聚乙烯醇縮醛，可列舉公知的聚乙烯醇縮醛。 其中，作為較佳的聚乙烯醇縮醛，例如可列舉聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯醇縮丁醛等，更佳為聚乙烯醇縮丁醛。 作為聚乙烯醇縮丁醛，可列舉具有下述式(i)-1、式(i)-2及式(i)-3所表示之構成單元之聚乙烯醇縮丁醛。
[化1]
Figure 02_image001
(式中，l、m及n分別獨立地為1以上之整數)
聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量(Mw)較佳為5000至200000，更佳為8000至100000。藉由聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量為此種範圍，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凹凸面的凸部的上部之殘留之效果(例如，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凸塊形成面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凸塊的上部之殘留之效果。以下相同)、抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面自最初的大小之外溢之效果(例如，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凸塊形成面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凸塊形成面自最初的大小之外溢之效果。以下相同)、及抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果(例如，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凸塊形成面時，抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於凸塊形成面上之覆蓋闕漏之效果。以下相同)變得更高。
此外，本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則係指藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法所測定之聚苯乙烯換算值。
聚乙烯醇縮醛的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為40℃至80℃，更佳為50℃至70℃。藉由聚乙烯醇縮醛的Tg為此種範圍，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凹凸面的凸部的上部之殘留之效果、抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果、及抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果變得更高。
構成聚乙烯醇縮醛之3種以上之單體之比率可任意選擇。
作為聚合物成分(A)中的前述丙烯酸樹脂，可列舉公知的丙烯酸聚合物。 丙烯酸樹脂的重量平均分子量(Mw)較佳為5000至1000000，更佳為8000至800000。藉由丙烯酸樹脂的重量平均分子量為此種範圍，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凹凸面的凸部的上部之殘留之效果、抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果、及抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果變得更高。
丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-50℃至70℃，更佳為-30℃至60℃。藉由丙烯酸樹脂的Tg為此種範圍，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凹凸面的凸部的上部之殘留之效果、抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果、及抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果變得更高。
於丙烯酸樹脂具有2種以上之構成單元之情形時，該丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)可使用Fox公式而算出。作為此時所使用之衍生前述構成單元之單體的Tg，可使用高分子資料手冊或黏著手冊中所記載之值。
構成丙烯酸樹脂之單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些單體的組合及比率可任意選擇。
作為丙烯酸樹脂，例如可列舉：1種或2種以上之(甲基)丙烯酸酯之聚合物；選自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等中的2種以上之單體之共聚物；1種或2種以上之(甲基)丙烯酸酯與選自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等中的1種或2種以上之單體之共聚物等。
本說明書中，「(甲基)丙烯酸」的概念包括「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似的用語亦相同，例如「(甲基)丙烯酸酯」的概念包括「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者，「(甲基)丙烯醯基」的概念包括「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者。
作為構成丙烯酸樹脂之前述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯；(甲基)丙烯醯亞胺；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「取代胺基」，意指胺基的1個或2個氫原子被氫原子以外的基取代而成之基。
丙烯酸樹脂亦可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等可與其他化合物鍵結之官能基。丙烯酸樹脂的前述官能基可經由後述之交聯劑(F)與其他化合物鍵結，亦可不經由交聯劑(F)而與其他化合物直接鍵結。藉由丙烯酸樹脂經由前述官能基與其他化合物鍵結，例如有使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性提高之傾向。
組成物(III)中，無論聚合物成分(A)的種類如何，聚合物成分(A)的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比例(亦即，熱硬化性樹脂膜中的聚合物成分(A)的含量相對於熱硬化性樹脂膜的總質量之比例)均較佳為5質量%至25質量%，更佳為5質量%至15質量%。
[熱硬化性成分(B)] 熱硬化性成分(B)係具有熱硬化性，且用以使熱硬化性樹脂膜熱硬化而形成硬質之硬化物之成分。 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之熱硬化性成分(B)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些熱硬化性成分(B)的組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化性成分(B)，例如可列舉：環氧系熱硬化性樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。 這些之中，熱硬化性成分(B)較佳為環氧系熱硬化性樹脂。
[環氧系熱硬化性樹脂] 環氧系熱硬化性樹脂由環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)所構成。 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些環氧系熱硬化性樹脂的組合及比率可任意選擇。
・環氧樹脂(B1) 作為環氧樹脂(B1)，可列舉公知的環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。
環氧樹脂(B1)亦可為具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂相較於不具有不飽和烴基之環氧樹脂而言，與丙烯酸樹脂之相容性較高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如有使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性提高之傾向。
作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂的一部分環氧基變換為具有不飽和烴基之基而成之化合物。此種化合物例如藉由使(甲基)丙烯酸或其衍生物與環氧基進行加成反應而獲得。 另外，作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：於構成環氧樹脂之芳香環等直接鍵結有具有不飽和烴基之基之化合物等。 不飽和烴基為具有聚合性之不飽和基，作為該不飽和烴基的具體例，可列舉：次乙基(乙烯基)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯胺基等，較佳為丙烯醯基。
環氧樹脂(B1)的數量平均分子量並無特別限定，就熱硬化性樹脂膜的硬化性、以及熱硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的強度及耐熱性之方面而言，較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。 環氧樹脂(B1)的環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為200g/eq至800g/eq。
環氧樹脂(B1)可單獨使用1種，亦可併用2種以上，於併用2種以上之情形時，這些環氧樹脂(B1)的組合及比率可任意選擇。
・熱硬化劑(B2) 熱硬化劑(B2)發揮作為針對環氧樹脂(B1)之硬化劑之功能。 作為熱硬化劑(B2)，例如可列舉：1分子中具有2個以上之可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，例如可列舉：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(B2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。 作為熱硬化劑(B2)中具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉雙氰胺(以下，有時簡稱為「DICY」)等。
熱硬化劑(B2)亦可具有不飽和烴基。 作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(B2)，例如可列舉：酚樹脂的一部分羥基由具有不飽和烴基之基取代而成之化合物、於酚樹脂的芳香環上直接鍵結具有不飽和烴基之基而成之化合物等。 熱硬化劑(B2)中的前述不飽和烴基與上述之具有不飽和烴基之環氧樹脂中的不飽和烴基相同。
熱硬化劑(B2)中，例如多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等樹脂成分的數量平均分子量較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。 熱硬化劑(B2)中，例如聯苯酚、雙氰胺等非樹脂成分的分子量並無特別限定，例如較佳為60至500。
熱硬化劑(B2)可單獨使用1種，亦可併用2種以上，於併用2種以上之情形時，這些熱硬化劑(B2)的組合及比率可任意選擇。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中，熱硬化劑(B2)的含量相對於環氧樹脂(B1)的含量100質量份，較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份，例如可為5質量份至150質量份、10質量份至100質量份、及15質量份至75質量份之任一種。藉由熱硬化劑(B2)的前述含量為前述下限值以上，熱硬化性樹脂膜變得更容易進行硬化。藉由熱硬化劑(B2)的前述含量為前述上限值以下，熱硬化性樹脂膜的吸濕率降低，例如使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性進一步提高。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中，熱硬化性成分(B)的含量(例如，環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量)較佳為相對於聚合物成分(A)的含量100質量份為600質量份至1000質量份。藉由熱硬化性成分(B)的前述含量為此種範圍，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凹凸面的凸部的上部之殘留之效果、抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果、及抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果變得更高，且能夠形成硬質之硬化物(例如保護膜)。 進而，就更顯著地獲得此種效果之方面而言，熱硬化性成分(B)的含量可根據聚合物成分(A)的種類而適宜調節。
例如，於聚合物成分(A)為前述聚乙烯醇縮醛之情形時，組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中，熱硬化性成分(B)的含量相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，較佳為600質量份至1000質量份，更佳為650質量份至1000質量份，尤佳為650質量份至950質量份。
[填充材料(D)] 藉由調節組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中的填充材料(D)的量，能夠更容易地調節前述X值。另外，藉由調節組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中的填充材料(D)的量，能夠更容易地調節熱硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的熱膨脹係數，例如藉由使保護膜(例如第1保護膜)的熱膨脹係數對於保護膜之形成對象物而言最適化，使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性進一步提高。另外，藉由使用含有填充材料(D)之熱硬化性樹脂膜，亦能夠降低熱硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的吸濕率或提高散熱性。
填充材料(D)可為有機填充材料及無機填充材料之任一種，較佳為無機填充材料。 作為較佳的無機填充材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材料球形化而成之珠粒；這些無機填充材料的表面改質品；這些無機填充材料的單晶纖維；玻璃纖維等。 這些之中，無機填充材料較佳為二氧化矽或氧化鋁。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之填充材料(D)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些填充材料(D)的組合及比率可任意選擇。
組成物(III)中，填充材料(D)的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比例(亦即，熱硬化性樹脂膜中的填充材料(D)的含量相對於熱硬化性樹脂膜的總質量之比例)較佳為5質量%至45質量%，更佳為5質量%至40質量%，進而較佳為5質量%至30質量%。藉由前述比例為此種範圍，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凹凸面的凸部的上部之殘留之效果、抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果、及抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果變得更高，並且能夠更容易地調節上述熱膨脹係數。
[添加劑(I)] 藉由調節組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中的添加劑(I)的種類或量，能夠更容易地調節前述X值。 其中，就能夠更容易地調節前述X值之方面而言較佳之添加劑(I)，例如可列舉：流變控制劑、界面活性劑、聚矽氧油等。
更具體而言，作為前述流變控制劑，例如可列舉：聚羥基羧酸酯、多元羧酸、聚醯胺樹脂等。 作為前述界面活性劑，例如可列舉：改質矽氧烷、丙烯酸聚合物等。 作為前述聚矽氧油，例如可列舉：芳烷基改質聚矽氧油、改質聚二甲基矽氧烷等，作為改質基，可列舉：芳烷基；羥基等極性基；乙烯基、苯基等具有不飽和鍵之基。
作為添加劑(I)，除上述以外，例如亦可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、吸氣劑(gettering agent)、紫外線吸收劑、黏著賦予劑等其他各種通用添加劑。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之添加劑(I)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些添加劑(I)的組合及比率可任意選擇。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中的添加劑(I)的含量並無特別限定，可根據該添加劑(I)的種類或目的而適宜調節。 例如，於以調節前述X值為目的之情形時，組成物(III)中，添加劑(I)的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比例(亦即，熱硬化性樹脂膜中的添加劑(I)的含量相對於熱硬化性樹脂膜的總質量之比例)較佳為0.5質量%至10質量%，更佳為0.5質量%至7質量%，進而較佳為0.5質量%至5質量%。
[硬化促進劑(C)] 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜亦可含有硬化促進劑(C)。硬化促進劑(C)係用以調整組成物(III)的硬化速度之成分。 作為較佳的硬化促進劑(C)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、三(二甲胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(1個以上之氫原子由氫原子以外的基取代而成之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(1個以上之氫原子由有機基取代而成之膦)；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦等四苯基硼鹽等。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之硬化促進劑(C)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些硬化促進劑(C)的組合及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(C)之情形時，組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中，硬化促進劑(C)的含量相對於熱硬化性成分(B)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份。藉由硬化促進劑(C)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得由使用硬化促進劑(C)所帶來之效果。藉由硬化促進劑(C)的前述含量為前述上限值以下，例如抑制高極性之硬化促進劑(C)於高溫、高濕度條件下在熱硬化性樹脂膜中朝熱硬化性樹脂膜與被接著體之接著界面側移動而偏析之效果變高，例如使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性進一步提高。
[偶合劑(E)] 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜亦可含有偶合劑(E)。藉由使用具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基之化合物作為偶合劑(E)，能夠提高熱硬化性樹脂膜對被接著體之接著性及密接性。另外，藉由使用偶合劑(E)，熱硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)在不損害耐熱性的前提下提高耐水性。
偶合劑(E)較佳為具有可與聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)等所具有之官能基反應之官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。 作為較佳的前述矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之偶合劑(E)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些偶合劑(E)的組合及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(E)之情形時，組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中，偶合劑(E)的含量相對於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)的總含量100質量份，較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。藉由偶合劑(E)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得如下之由使用偶合劑(E)所帶來之效果：填充材料(D)於樹脂中之分散性提高，或熱硬化性樹脂膜與被接著體之接著性提高等。藉由偶合劑(E)的前述含量為前述上限值以下，可進一步抑制產生逸氣。
[交聯劑(F)] 於使用具有可與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基之成分作為聚合物成分(A)之情形時，組成物(III)及熱硬化性樹脂膜亦可含有交聯劑(F)。交聯劑(F)係用以使聚合物成分(A)中的前述官能基與其他化合物鍵結而進行交聯之成分，藉由如此進行交聯，能夠調節熱硬化性樹脂膜的起始接著力及凝聚力。
作為交聯劑(F)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，例如可列舉：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物及脂環族多元異氰酸酯化合物(以下，有時將這些化合物統一簡稱為「芳香族多元異氰酸酯化合物等」)；前述芳香族多元異氰酸酯化合物等之三聚物、異氰脲酸酯體及加合物；使前述芳香族多元異氰酸酯化合物等與多元醇化合物反應而獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。前述「加合物」意指前述芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物或脂環族多元異氰酸酯化合物與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等含低分子活性氫之化合物之反應物。作為前述加合物的示例，可列舉如後述之三羥甲基丙烷之苯二甲基二異氰酸酯加成物等。另外，所謂「末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物」，意指具有胺基甲酸酯鍵，並且於分子的末端部具有異氰酸酯基之預聚物。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，更具體而言，例如可列舉：2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-苯二甲基二異氰酸酯；1,4-苯二甲基二異氰酸酯；二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；於三羥甲基丙烷等多元醇的全部或一部分羥基加成了甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯及苯二甲基二異氰酸酯之任1種或2種以上而成之化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多元亞胺化合物，例如可列舉：N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶甲醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
於使用有機多元異氰酸酯化合物作為交聯劑(F)之情形時，作為聚合物成分(A)，較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑(F)具有異氰酸酯基、聚合物成分(A)具有羥基之情形時，藉由交聯劑(F)與聚合物成分(A)之反應，能夠將交聯結構簡便地導入至熱硬化性樹脂膜中。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之交聯劑(F)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些交聯劑(F)的組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑(F)之情形時，組成物(III)中，交聯劑(F)的含量相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.5質量份至5質量份。藉由交聯劑(F)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得由使用交聯劑(F)所帶來之效果。藉由交聯劑(F)的前述含量為前述上限值以下，可抑制使用過量的交聯劑(F)。
[其他成分] 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有不相當於上述之聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材料(D)、添加劑(I)、硬化促進劑(C)、偶合劑(E)、及交聯劑(F)之任一種成分之其他成分。 作為前述其他成分，例如可列舉能量線硬化性樹脂、光聚合起始劑等。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之前述其他成分可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他成分的組合及比率可任意選擇。 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中的前述其他成分的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
[溶媒] 組成物(III)較佳為進而含有溶媒。含有溶媒之組成物(III)的操作性良好。 前述溶媒並無特別限定，作為較佳的溶媒，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 組成物(III)所含有之溶媒可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些溶媒的組合及比率可任意選擇。
作為組成物(III)所含有之更佳的溶媒，例如就能夠將組成物(III)中的含有成分更均勻地混合之方面而言，可列舉甲基乙基酮等。
組成物(III)中的溶媒的含量並無特別限定，例如根據溶媒以外的成分的種類適宜選擇即可。
[熱硬化性樹脂膜形成用組成物之製造方法] 組成物(III)等熱硬化性樹脂膜形成用組成物可藉由調配用以構成該組成物之各成分而獲得。 調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。 調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下之公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。 關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
◎能量線硬化性樹脂膜 關於使能量線硬化性樹脂膜硬化而成為硬化物時、尤其是形成保護膜時的硬化條件，只要前述硬化物成為充分地發揮前述硬化物的功能之程度的硬化度，則並無特別限定，根據能量線硬化性樹脂膜的種類、前述硬化物的用途等適宜選擇即可。 例如，於形成保護膜之情形時，能量線硬化性樹脂膜硬化時的能量線的照度較佳為180mW/cm2 至280mW/cm2 。並且，前述硬化時的能量線的光量較佳為450mJ/cm2 至1000mJ/cm2 。
[能量線硬化性樹脂膜形成用組成物] 作為能量線硬化性樹脂膜形成用組成物，例如可列舉含有能量線硬化性成分(a)、填充材料、及添加劑之能量線硬化性樹脂膜形成用組成物(IV)(本說明書中，有時簡稱為「組成物(IV)」)等。
[能量線硬化性成分(a)] 能量線硬化性成分(a)係藉由照射能量線而硬化之成分，且該成分用以對能量線硬化性樹脂膜賦予造膜性及可撓性等。 能量線硬化性成分(a)較佳為未硬化，且較佳為具有黏著性，更佳為未硬化且具有黏著性。
作為能量線硬化性成分(a)，例如可列舉：具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000至2000000之聚合物(a1)、及具有能量線硬化性基且分子量為100至80000之化合物(a2)。前述聚合物(a1)可至少一部分藉由交聯劑進行交聯，亦可不進行交聯。
[具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000至2000000之聚合物(a1)] 作為具有能量線硬化性基且重量平均分子量為80000至2000000之聚合物(a1)，例如可列舉丙烯酸樹脂(a1-1)，該丙烯酸樹脂(a1-1)係使丙烯酸聚合物(a11)與能量線硬化性化合物(a12)進行聚合而成，該丙烯酸聚合物(a11)具有可與其他化合物所具有之基反應之官能基，該能量線硬化性化合物(a12)具有與前述官能基反應之基及能量線硬化性雙鍵等能量線硬化性基。
作為可與其他化合物所具有之基反應之前述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、胺基、取代胺基(胺基之1個或2個氫原子由氫原子以外的基取代而成之基)、環氧基等。但是，就防止半導體晶圓或半導體晶片等的電路腐蝕之方面而言，前述官能基較佳為羧基以外的基。 這些之中，前述官能基較佳為羥基。
・具有官能基之丙烯酸聚合物(a11) 作為前述具有官能基之丙烯酸聚合物(a11)，例如可列舉：使具有前述官能基之丙烯酸單體與不具有前述官能基之丙烯酸單體進行共聚而成之共聚物，亦可為除這些單體以外，進而使丙烯酸單體以外的單體(非丙烯酸單體)進行共聚而成之共聚物。 另外，前述丙烯酸聚合物(a11)可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物。
作為具有前述官能基之丙烯酸單體，例如可列舉：含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含取代胺基之單體、含環氧基之單體等。
作為前述含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
作為前述含羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；富馬酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
前述具有官能基之丙烯酸單體較佳為含羥基之單體、含羧基之單體，更佳為含羥基之單體。
構成前述丙烯酸聚合物(a11)之具有前述官能基之丙烯酸單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些丙烯酸單體的組合及比率可任意選擇。
作為前述不具有官能基之丙烯酸單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯等。
作為前述不具有官能基之丙烯酸單體，例如亦可列舉：(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯；包含(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等之具有芳香族基之(甲基)丙烯酸酯；非交聯性之(甲基)丙烯醯胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基丙酯等非交聯性之具有三級胺基之(甲基)丙烯酸酯等。
構成前述丙烯酸聚合物(a11)之不具有前述官能基之丙烯酸單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些丙烯酸單體的組合及比率可任意選擇。
作為前述非丙烯酸單體，例如可列舉：乙烯、降冰片烯等烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。 構成前述丙烯酸聚合物(a11)之前述非丙烯酸單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些非丙烯酸單體的組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸聚合物(a11)中，由前述具有官能基之丙烯酸單體衍生之構成單元的量相對於構成該丙烯酸聚合物(a11)之構成單元的總量之比例(含量)較佳為0.1質量%至50質量%，更佳為1質量%至40質量%，尤佳為3質量%至30質量%。藉由前述比例為此種範圍，能夠將由前述丙烯酸聚合物(a11)與前述能量線硬化性化合物(a12)之共聚所獲得之前述丙烯酸樹脂(a1-1)中之能量線硬化性基的含量容易地調節為使能量線硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的硬化程度較佳之範圍。
構成前述丙烯酸樹脂(a1-1)之前述丙烯酸聚合物(a11)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些丙烯酸聚合物(a11)的組合及比率可任意選擇。
組成物(IV)中，丙烯酸樹脂(a1-1)的含量相對於溶媒以外的成分的總含量之比例(亦即，能量線硬化性樹脂膜中的丙烯酸樹脂(a1-1)的含量相對於前述膜的總質量之比例)較佳為1質量%至40質量%，更佳為2質量%至30質量%，尤佳為3質量%至20質量%。
・能量線硬化性化合物(a12) 前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為具有選自由異氰酸酯基、環氧基及羧基所組成之群組中的1種或2種以上作為可與前述丙烯酸聚合物(a11)所具有之官能基反應之基，更佳為具有異氰酸酯基作為前述基。於前述能量線硬化性化合物(a12)例如具有異氰酸酯基作為前述基之情形時，該異氰酸酯基與具有羥基作為前述官能基之丙烯酸聚合物(a11)的該羥基容易反應。
前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為於1分子中具有1個至5個前述能量線硬化性基，更佳為具有1個至2個。
作為前述能量線硬化性化合物(a12)，例如可列舉：異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；藉由二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物、多元醇化合物以及(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。 這些之中，前述能量線硬化性化合物(a12)較佳為異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。
構成前述丙烯酸樹脂(a1-1)之前述能量線硬化性化合物(a12)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些能量線硬化性化合物(a12)的組合及比率可任意選擇。
前述丙烯酸樹脂(a1-1)中，源自前述能量線硬化性化合物(a12)之能量線硬化性基的含量相對於源自前述丙烯酸聚合物(a11)之前述官能基的含量之比例較佳為20莫耳%至120莫耳%，更佳為35莫耳%至100莫耳%，尤佳為50莫耳%至100莫耳%。藉由前述含量之比例為此種範圍，能量線硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的接著力變得更大。此外，於前述能量線硬化性化合物(a12)為一官能(於1分子中具有1個前述基)化合物之情形時，前述含量之比例的上限值成為100莫耳%，但於前述能量線硬化性化合物(a12)為多官能(於1分子中具有2個以上之前述基)化合物之情形時，前述含量之比例的上限值有時超過100莫耳%。
前述聚合物(a1)的重量平均分子量(Mw)較佳為100000至2000000，更佳為300000至1500000。
於前述聚合物(a1)的至少一部分藉由交聯劑進行交聯之情形時，前述聚合物(a1)可使不相當於上述說明之構成前述丙烯酸聚合物(a11)之任一單體且具有與交聯劑反應之基之單體進行聚合，在與前述交聯劑反應之基中進行交聯，亦可在源自前述能量線硬化性化合物(a12)之與前述官能基反應之基中進行交聯。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜所含有之前述聚合物(a1)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些聚合物(a1)的組合及比率可任意選擇。
[具有能量線硬化性基且分子量為100至80000之化合物(a2)] 作為具有能量線硬化性基且分子量為100至80000之化合物(a2)中的前述能量線硬化性基，可列舉包含能量線硬化性雙鍵之基，作為較佳的該基，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。
前述化合物(a2)只要滿足上述條件，則並無特別限定，可列舉：具有能量線硬化性基之低分子量化合物、具有能量線硬化性基之環氧樹脂、具有能量線硬化性基之酚樹脂等。
前述化合物(a2)中，作為具有能量線硬化性基之低分子量化合物，例如可列舉多官能之單體或低聚物等，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。 作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可列舉：甲基丙烯酸2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-雙[4-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-((甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二(甲基)丙烯醯氧基丙烷等2官能(甲基)丙烯酸酯；異氰脲酸三(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、ε-己內酯改質異氰脲酸三-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物等多官能(甲基)丙烯酸酯低聚物等。
前述化合物(a2)中，作為具有能量線硬化性基之環氧樹脂、具有能量線硬化性基之酚樹脂，例如可使用「日本特開2013-194102號公報」之段落0043等中所記載之樹脂。此種樹脂亦相當於構成後述之熱硬化性成分之樹脂，但本發明中視作前述化合物(a2)。
前述化合物(a2)的重量平均分子量較佳為100至30000，更佳為300至10000。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜所含有之前述化合物(a2)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些化合物(a2)的組合及比率可任意選擇。
[不具有能量線硬化性基之聚合物(b)] 於組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜含有前述化合物(a2)作為前述能量線硬化性成分(a)之情形時，較佳為亦進而含有不具有能量線硬化性基之聚合物(b)。 前述聚合物(b)可至少一部分藉由交聯劑進行交聯，亦可不進行交聯。
作為不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉：丙烯酸聚合物、苯氧基樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚酯、橡膠系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂等。 這些之中，前述聚合物(b)較佳為丙烯酸聚合物(以下，有時簡稱為「丙烯酸聚合物(b-1)」)。
丙烯酸聚合物(b-1)可為公知的聚合物，例如可為1種丙烯酸單體之均聚物，亦可為2種以上之丙烯酸單體之共聚物，還可為1種或2種以上之丙烯酸單體與1種或2種以上之丙烯酸單體以外的單體(非丙烯酸單體)之共聚物。
作為構成丙烯酸聚合物(b-1)之前述丙烯酸單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯、含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯、含羥基之(甲基)丙烯酸酯、含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「取代胺基」，如上文所說明。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉與上文說明之構成丙烯酸聚合物(a11)之不具有前述官能基之丙烯酸單體(構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯等)相同的化合物。
作為前述具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯等。
作為前述含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。 作為前述含羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。 作為前述含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等。
作為構成丙烯酸聚合物(b-1)之前述非丙烯酸單體，例如可列舉：乙烯、降冰片烯等烯烴；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
作為至少一部分藉由交聯劑進行交聯且不具有前述能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉前述聚合物(b)中的反應性官能基與交聯劑反應而成之聚合物。 前述反應性官能基根據交聯劑的種類等適宜選擇即可，並無特別限定。例如，於交聯劑為多異氰酸酯化合物之情形時，作為前述反應性官能基，可列舉羥基、羧基、胺基等，這些之中，較佳為與異氰酸酯基之反應性高之羥基。另外，於交聯劑為環氧系化合物之情形時，作為前述反應性官能基，可列舉羧基、胺基、醯胺基等，這些之中，較佳為與環氧基之反應性高之羧基。但是，就防止半導體晶圓或半導體晶片的電路腐蝕之方面而言，前述反應性官能基較佳為羧基以外的基。
作為具有前述反應性官能基且不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，例如可列舉：至少使具有前述反應性官能基之單體進行聚合而獲得之聚合物。於丙烯酸聚合物(b-1)之情形時，作為構成該丙烯酸聚合物(b-1)之單體所列舉之前述丙烯酸單體及非丙烯酸單體之任一者或兩者，使用具有前述反應性官能基之單體即可。作為具有羥基作為反應性官能基之前述聚合物(b)，例如可列舉使含羥基之(甲基)丙烯酸酯進行聚合而獲得之聚合物，除此以外，亦可列舉使上文所列舉之前述丙烯酸系單體或非丙烯酸系單體中1個或2個以上之氫原子由前述反應性官能基取代而成之單體進行聚合而獲得之聚合物。
具有反應性官能基之前述聚合物(b)中，由具有反應性官能基之單體衍生之構成單元的量相對於構成該聚合物(b)之構成單元的總量之比例(含量)較佳為1質量%至20質量%，更佳為2質量%至10質量%。藉由前述比例為此種範圍，前述聚合物(b)中，交聯程度成為更佳的範圍。
就組成物(IV)的造膜性更良好之方面而言，不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的重量平均分子量(Mw)較佳為10000至2000000，更佳為100000至1500000。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜所含有之不具有能量線硬化性基之聚合物(b)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些聚合物(b)的組合及比率可任意選擇。
作為組成物(IV)，可列舉含有前述聚合物(a1)及前述化合物(a2)之任一者或兩者之組成物。並且，於組成物(IV)含有前述化合物(a2)之情形時，較佳為亦進而含有不具有能量線硬化性基之聚合物(b)，該情形時，亦較佳為進而含有前述(a1)。另外，組成物(IV)亦可不含有前述化合物(a2)，且一併含有前述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)。
於組成物(IV)含有前述聚合物(a1)、前述化合物(a2)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之情形時，組成物(IV)中，前述化合物(a2)的含量相對於前述聚合物(a1)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的總含量100質量份，較佳為10質量份至400質量份，更佳為30質量份至350質量份。
組成物(IV)中，前述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的合計含量相對於溶媒以外的成分的總含量之比例(亦即，能量線硬化性樹脂膜中的前述能量線硬化性成分(a)及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)的合計含量相對於前述膜的總質量之比例)較佳為5質量%至90質量%，更佳為10質量%至80質量%，尤佳為20質量%至70質量%。藉由前述比例為此種範圍，使得能量線硬化性樹脂膜的能量線硬化性變得更良好。
[填充材料] 藉由調節組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜中的填充材料的量，能夠更容易地調節前述X值。另外，藉由調節組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜中的填充材料的量，能夠更容易地調節能量線硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的熱膨脹係數，例如藉由使保護膜(例如第1保護膜)的熱膨脹係數對於保護膜之形成對象物而言最適化，使用能量線硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性進一步提高。另外，藉由使用含有填充材料之能量線硬化性樹脂膜，亦能夠降低能量線硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的吸濕率或提高散熱性。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜所含有之前述填充材料與上文說明之組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之填充材料(D)相同。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜之含有填充材料之態樣可與組成物(III)及熱硬化性樹脂膜之含有填充材料(D)之態樣相同。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜所含有之填充材料可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些填充材料的組合及比率可任意選擇。
組成物(IV)中，填充材料的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比例(亦即，能量線硬化性樹脂膜中的填充材料的含量相對於能量線硬化性樹脂膜的總質量之比例)例如可為5質量%至45質量%。藉由前述比例為此種範圍，於將能量線硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，抑制能量線硬化性樹脂膜於凹凸面的凸部的上部之殘留之效果、抑制能量線硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果、抑制能量線硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果變得更高，並且能夠更容易地調節上述熱膨脹係數。
[添加劑] 藉由調節組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜中的添加劑的種類或量，能夠更容易地調節前述X值。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜所含有之前述添加劑與上文說明之組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之添加劑(I)相同。 例如，就能夠更容易地調節前述X值之方面而言較佳之添加劑，可列舉：流變控制劑、界面活性劑、聚矽氧油等。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜之含有添加劑之態樣可與組成物(III)及熱硬化性樹脂膜之含有添加劑(I)之態樣相同。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜所含有之添加劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些添加劑的組合及比率可任意選擇。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜中的添加劑的含量並無特別限定，可根據該添加劑的種類或目的而適宜調節。 例如，於以調節前述X值為目的之情形時，組成物(IV)中，添加劑的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比例(亦即，能量線硬化性樹脂膜中的添加劑的含量相對於能量線硬化性樹脂膜的總質量之比例)例如可為0.5質量%至10質量%。
[其他成分] 組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有不相當於能量線硬化性成分(a)、前述填充材料、前述添加劑、及不具有能量線硬化性基之聚合物(b)之任一種成分之其他成分。 作為前述其他成分，例如可列舉：熱硬化性成分、光聚合起始劑、偶合劑、交聯劑等。例如，藉由使用含有前述能量線硬化性成分(a)及熱硬化性成分之組成物(IV)，使得能量線硬化性樹脂膜藉由加熱而對被接著體之接著力提高，該能量線硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的強度亦提高。
作為組成物(IV)中的前述熱硬化性成分、光聚合起始劑、偶合劑及交聯劑，可列舉分別與組成物(III)中的熱硬化性成分(B)、光聚合起始劑、偶合劑(E)及交聯劑(F)相同的化合物。
組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜所含有之前述其他成分可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他成分的組合及比率可任意選擇。 組成物(IV)及能量線硬化性樹脂膜中的前述其他成分的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
[溶媒] 組成物(IV)較佳為進而含有溶媒。含有溶媒之組成物(IV)的操作性變得良好。 作為組成物(IV)所含有之溶媒，例如可列舉與上文說明之組成物(III)所含有之溶媒相同的溶媒。 組成物(IV)所含有之溶媒可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些溶媒的組合及比率可任意選擇。 組成物(IV)中的溶媒的含量並無特別限定，例如根據溶媒以外的成分的種類適宜選擇即可。
[能量線硬化性樹脂膜形成用組成物之製造方法] 組成物(IV)等能量線硬化性樹脂膜形成用組成物可藉由調配用以構成該組成物之各成分而獲得。 關於能量線硬化性樹脂膜形成用組成物，例如除了調配成分的種類不同之方面以外，可利用與上文說明之熱硬化性樹脂膜形成用組成物之情形相同的方法來製造。
作為本實施形態的較佳的樹脂膜的一例，可列舉以下之樹脂膜：係於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當前述試片的應變為1%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000；前述樹脂膜為含有聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)之熱硬化性樹脂膜；前述樹脂膜中的前述聚合物成分(A)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至25質量%；前述樹脂膜中的前述熱硬化劑(B2)的含量相對於前述環氧樹脂(B1)的含量100質量份為0.1質量份至500質量份；前述樹脂膜中的前述環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量相對於前述聚合物成分(A)的含量100質量份為600質量份至1000質量份；前述樹脂膜中的前述填充材料(D)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至45質量%；前述樹脂膜中的前述添加劑(I)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為0.5質量%至10質量%；其中，前述樹脂膜中，前述聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)的合計含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例不超過100質量%。
作為本實施形態的較佳的樹脂膜的另一例，可列舉以下之樹脂膜：係於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當前述試片的應變為1%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000；前述樹脂膜為含有聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)之熱硬化性樹脂膜；前述聚合物成分(A)為聚乙烯醇縮醛；前述添加劑(I)為選自由流變控制劑、界面活性劑及聚矽氧油所組成之群組中的1種或2種以上；前述樹脂膜中的前述聚合物成分(A)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至25質量%；前述樹脂膜中的前述熱硬化劑(B2)的含量相對於前述環氧樹脂(B1)的含量100質量份為0.1質量份至500質量份；前述樹脂膜中的前述環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量相對於前述聚合物成分(A)的含量100質量份為600質量份至1000質量份；前述樹脂膜中的前述填充材料(D)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至45質量%；前述樹脂膜中的前述添加劑(I)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為0.5質量%至10質量%；其中，前述樹脂膜中，前述聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)的合計含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例不超過100質量%。
◇複合片 本發明的一實施形態的複合片具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之樹脂膜，且前述樹脂膜為上述之本發明的一實施形態的樹脂膜。 藉由使用本實施形態的複合片，如上文所說明，可獲得如下優異的效果：能夠將前述樹脂膜良好地貼附於前述樹脂膜之貼附對象物的凹凸面，此時，於凹凸面的凸部的上部，樹脂膜之殘留得到抑制，樹脂膜自最初的大小之外溢得到抑制，於凹凸面上，樹脂膜及其硬化物之覆蓋闕漏得到抑制。
此外，本說明書中，於將前述樹脂膜用於形成前述第1保護膜之情形時，將前述複合片稱為「第1保護膜形成用片」，將第1保護膜形成用片中的前述基材稱為「第1基材」。 另一方面，為了於半導體晶圓或半導體晶片中之與凸塊形成面為相反側的面(內面)設置第2保護膜，而使用具備用以形成第2保護膜之第2保護膜形成用膜而構成之第2保護膜形成用片。作為第2保護膜形成用片，例如可列舉具備切割片、及設置於前述切割片上之第2保護膜形成用膜而構成之片。於切割片具備與前述基材相同的基材之情形時，將該基材稱為「第2基材」。
圖3係以示意方式表示本實施形態的複合片的一例之剖視圖。 此處所示之複合片1係具備基材11、設置於基材11上之緩衝層13、及設置於緩衝層13上(緩衝層13中之與基材11側為相反側的上部)之樹脂膜12而構成。 亦即，複合片1係基材11、緩衝層13及樹脂膜12依序於這些層的厚度方向上積層而構成。 符號13a表示緩衝層13中之設置有樹脂膜12之側的面(以下，有時稱為「第1面」)。
圖4係以示意方式表示本實施形態的複合片的另一例之剖視圖。 此處所示之複合片2除了於基材11與緩衝層13之間具備密接層14(換言之，具備設置於基材11上之密接層14、及設置於密接層14上之緩衝層13)之方面以外，與圖3所示之複合片1相同。 亦即，複合片2係基材11、密接層14、緩衝層13及樹脂膜12依序於這些層的厚度方向上積層而構成。
本實施形態的複合片並不限定於圖3及圖4所示之複合片，亦可在無損本發明的效果之範圍內，於圖3及圖4所示之複合片中變更、刪除或追加一部分構成。 例如，本實施形態的複合片亦可於與基材為相反側的最表層(圖3及圖4所示之複合片中為樹脂膜12)上具備剝離膜。 其次，對構成本實施形態的複合片之各層進行說明。
◎基材 前述基材為片狀或膜狀，作為前述基材的構成材料，例如可列舉各種樹脂。 作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE；low density polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；linear low density polyethylene)、高密度聚乙烯(HDPE；high density polyethylene)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯樹脂等聚乙烯以外的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體所獲得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體所獲得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚-2,6-萘二羧酸乙二酯、全部構成單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；2種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸脂；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之混合物等聚合物合金。前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之聚合物合金較佳為聚酯以外的樹脂的量為相對較少量。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉：至此為止所例示之前述樹脂之1種或2種以上交聯而成之交聯樹脂；使用至此為止所例示之前述樹脂之1種或2種以上之離子聚合物等改質樹脂。
構成基材之樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些樹脂的組合及比率可任意選擇。
基材可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之多層，於為多層之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
基材的厚度較佳為5μm至1000μm，更佳為10μm至500μm，進而較佳為15μm至300μm，尤佳為20μm至150μm。 此處，所謂「基材的厚度」，意指基材整體的厚度，例如所謂由多層所構成之基材的厚度，意指構成基材之全部層的合計厚度。
基材較佳為厚度精度高，亦即無論部位如何厚度不均皆得到抑制之基材。作為上述構成材料中能夠用於構成此種厚度精度高之基材之材料，例如可列舉：聚乙烯、聚乙烯以外的聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材中，除前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填充材料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。
基材可為透明，亦可為不透明，亦可根據目的而著色，亦可蒸鍍其他層。 於前述樹脂膜為能量線硬化性之情形時，基材較佳為使能量線穿透。
基材可利用公知的方法進行製造。例如，含有樹脂之基材可藉由將含有前述樹脂之樹脂組成物成形而進行製造。
◎緩衝層 緩衝層對於施加在緩衝層及與緩衝層鄰接之層之力具有緩衝作用。此處，所謂「與緩衝層鄰接之層」，主要指前述樹脂膜、及相當於前述樹脂膜之硬化物之層(例如第1保護膜等保護膜)。
緩衝層的構成材料並無特別限定。
作為較佳的緩衝層，例如可列舉含有(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等之層。
與上述之前述樹脂膜之情形同樣地，較佳為於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之緩衝層之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gb300時，Gb300為Gc300以上(Gb300≧Gc300)。藉由使用滿足此種條件之前述複合片，將前述樹脂膜貼附於凹凸面，使得凹凸面的凸部(例如半導體晶圓的凸塊)的上部更容易貫通樹脂膜。
如上所述，更佳為使緩衝層之試片在0.01%至1000%之範圍內產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數Gb，使前述樹脂膜之試片在0.01%至1000%之範圍內產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數Gc，比較應變相同之情形時的Gb與Gc時，在應變為0.01%至1000%之整個範圍內，Gb為Gc以上(Gb≧Gc)，進而較佳為在應變為10%至1000%之整個範圍內，Gb為Gc以上。藉由使用滿足此種條件之前述複合片，將前述樹脂膜貼附於凹凸面，使得凹凸面的凸部(例如半導體晶圓的凸塊)的上部更容易貫通樹脂膜。
緩衝層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之多層，於為多層之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
緩衝層的厚度較佳為150μm至1000μm，更佳為150μm至800μm，進而較佳為200μm至600μm，尤佳為250μm至500μm。 此處，所謂「緩衝層的厚度」，意指緩衝層整體的厚度，例如所謂由多層所構成之緩衝層的厚度，意指構成緩衝層之全部層的合計厚度。
[緩衝層形成用組成物] 緩衝層可使用含有前述樹脂等緩衝層的構成材料之緩衝層形成用組成物而形成。例如，對於緩衝層之形成對象面，將緩衝層形成用組成物進行擠出成形，藉此能夠於目標部位形成緩衝層。緩衝層之更具體之形成方法將與其他層之形成方法一起於後文詳細地進行說明。緩衝層形成用組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與緩衝層中的前述成分彼此的含量之比率相同。
[緩衝層形成用組成物(V)] 作為緩衝層形成用組成物，例如可列舉含有(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯之緩衝層形成用組成物(V)等。
緩衝層形成用組成物(V)及緩衝層中的(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯的含量較佳為80質量%至100質量%。
[其他成分] 緩衝層形成用組成物(V)及緩衝層亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯以外的其他成分。 作為前述其他成分，並無特別限定，可根據目的適宜選擇。
緩衝層形成用組成物(V)及緩衝層所含有之前述其他成分可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他成分的組合及比率可任意選擇。 緩衝層形成用組成物(V)及緩衝層中的前述其他成分的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
◎樹脂膜 本實施形態的複合片中的樹脂膜與上文說明之樹脂膜相同，因此此處省略該樹脂膜的詳細說明。
◎密接層 密接層使基材及緩衝層的密接性提高，於複合片中高度地抑制基材及緩衝層之剝離。因此，具備密接層之複合片在使用時能夠更穩定地維持基材、密接層及緩衝層之積層結構。
密接層為片狀或膜狀。 作為較佳的密接層，例如可列舉含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂(EVA；ethylene vinyl acetate copolymer)等之層。
密接層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之多層，於為多層之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
密接層的厚度較佳為10μm至100μm，更佳為25μm至85μm，尤佳為40μm至70μm。 此處，所謂「密接層的厚度」，意指密接層整體的厚度，例如所謂由多層所構成之密接層的厚度，意指構成密接層之全部層的合計厚度。
[密接層形成用組成物] 密接層可使用含有該密接層的構成材料之密接層形成用組成物而形成。例如，對於密接層之形成對象面，將密接層形成用組成物進行擠出成形，藉此能夠於目標部位形成密接層。密接層之更具體之形成方法將與其他層之形成方法一起於後文詳細地進行說明。密接層形成用組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與密接層中的前述成分彼此的含量之比率相同。
[密接層形成用組成物(VI)] 作為密接層形成用組成物，例如可列舉含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂(EVA)之密接層形成用組成物(VI)等。
乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂的密度較佳為1100kg/m3 以下，更佳為850kg/m3 至1100kg/m3 ，尤佳為900kg/m3 至1000kg/m3 。 本說明書中，所謂「乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂的密度」，只要無特別說明，則意指依據JIS K7112：1999所測定之值。
乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂的熔點較佳為50℃至95℃，更佳為65℃至85℃。
乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂於190℃的熔體流動速率(MFR；melt flow rate)較佳為1g/10分鐘至10g/10分鐘，更佳為3g/10分鐘至8g/10分鐘。 本說明書中，所謂「乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂的熔體流動速率」，只要無特別說明，則意指依據JIS K7210：1999所測定之值。
密接層形成用組成物(VI)及密接層中的乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂的含量較佳為80質量%至100質量%。
[其他成分] 密接層形成用組成物(VI)及密接層亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂以外的其他成分。 作為前述其他成分，並無特別限定，可根據目的而適宜選擇。
密接層形成用組成物(VI)及密接層所含有之前述其他成分可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他成分的組合及比率可任意選擇。 密接層形成用組成物(VI)及密接層中的前述其他成分的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
作為本實施形態的較佳的複合片的一例，可列舉以下之複合片：具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之樹脂膜；於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當前述試片的應變為1%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000；前述樹脂膜為含有聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)之熱硬化性樹脂膜；前述樹脂膜中的前述聚合物成分(A)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至25質量%；前述樹脂膜中的前述熱硬化劑(B2)的含量相對於前述環氧樹脂(B1)的含量100質量份為0.1質量份至500質量份；前述樹脂膜中的前述環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量相對於前述聚合物成分(A)的含量100質量份為600質量份至1000質量份；前述樹脂膜中的前述填充材料(D)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至45質量%；前述樹脂膜中的前述添加劑(I)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為0.5質量%至10質量%；其中，前述樹脂膜中，前述聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)的合計含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例不超過100質量%。
作為本實施形態的較佳的複合片的另一例，可列舉以下之複合片：具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之樹脂膜；於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數，當前述樹脂膜之試片的應變為1%時的前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述樹脂膜之試片的應變為300%時的前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000；於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述緩衝層之試片產生應變，測定前述緩衝層之試片的儲存彈性模數，當前述緩衝層之試片的應變為300%時的前述緩衝層之試片的儲存彈性模數設為Gb300時，前述Gb300為前述Gc300以上。
作為本實施形態的較佳的複合片的又一例，可列舉以下之複合片：具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之樹脂膜；於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數，當前述樹脂膜之試片的應變為1%時的前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述樹脂膜之試片的應變為300%時的前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000；於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述緩衝層之試片在0.01%至1000%之範圍內產生應變，測定前述緩衝層之試片的儲存彈性模數Gb，使前述樹脂膜之試片在0.01%至1000%之範圍內產生應變，測定前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數Gc，當比較前述應變相同之情形時的前述Gb與前述Gc時，在前述應變為0.01%至1000%之整個範圍內，前述Gb為前述Gc以上。
作為本實施形態的較佳的複合片的又一例，可列舉以下之複合片：具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之樹脂膜；於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數，當前述樹脂膜之試片的應變為1%時的前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述樹脂膜之試片的應變為300%時的前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000；於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述緩衝層之試片產生應變，測定前述緩衝層之試片的儲存彈性模數，當前述緩衝層之試片的應變為300%時的前述緩衝層之試片的儲存彈性模數設為Gb300時，前述Gb300為前述Gc300以上；前述樹脂膜為含有聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)之熱硬化性樹脂膜；前述樹脂膜中的前述聚合物成分(A)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至25質量%；前述樹脂膜中的前述熱硬化劑(B2)的含量相對於前述環氧樹脂(B1)的含量100質量份為0.1質量份至500質量份；前述樹脂膜中的前述環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量相對於前述聚合物成分(A)的含量100質量份為600質量份至1000質量份；前述樹脂膜中的前述填充材料(D)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至45質量%；前述樹脂膜中的前述添加劑(I)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為0.5質量%至10質量%；其中，前述樹脂膜中，前述聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)的合計含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例不超過100質量%。
作為本實施形態的較佳的複合片的又一例，可列舉以下之複合片：具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之樹脂膜；於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數，當前述樹脂膜之試片的應變為1%時的前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述樹脂膜之試片的應變為300%時的前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000；於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述緩衝層之試片在0.01%至1000%之範圍內產生應變，測定前述緩衝層之試片的儲存彈性模數Gb，使前述樹脂膜之試片在0.01%至1000%之範圍內產生應變，測定前述樹脂膜之試片的儲存彈性模數Gc，當比較前述應變相同之情形時的前述Gb與前述Gc時，在前述應變為0.01%至1000%之整個範圍內，前述Gb為前述Gc以上；前述樹脂膜為含有聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)之熱硬化性樹脂膜；前述樹脂膜中的前述聚合物成分(A)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至25質量%；前述樹脂膜中的前述熱硬化劑(B2)的含量相對於前述環氧樹脂(B1)的含量100質量份為0.1質量份至500質量份；前述樹脂膜中的前述環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量相對於前述聚合物成分(A)的含量100質量份為600質量份至1000質量份；前述樹脂膜中的前述填充材料(D)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為5質量%至45質量%；前述樹脂膜中的前述添加劑(I)的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為0.5質量%至10質量%；其中，前述樹脂膜中，前述聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)、填充材料(D)及添加劑(I)的合計含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例不超過100質量%。
◇複合片之製造方法 前述複合片可藉由將上述各層以成為對應的位置關係之方式依序積層而製造。各層之形成方法如上文所說明。
例如，基材、緩衝層及樹脂膜依序於這些層的厚度方向上積層而構成之複合片可利用以下所示之方法製造。 亦即，對於基材，將緩衝層形成用組成物進行擠出成形，藉此於基材上積層緩衝層。另外，於剝離膜的剝離處理面上塗敷上述之樹脂膜形成用組成物，並視需要使之乾燥，藉此積層樹脂膜。然後，將該剝離膜上的樹脂膜與基材上的緩衝層貼合，藉此獲得基材、緩衝層、樹脂膜及剝離膜依序積層而構成之複合片。樹脂膜上的剝離膜於使用複合片時移除即可。
具備上述之各層以外的其他層之複合片可藉由下述方式來製造：於上述之製造方法中，以前述其他層的積層位置成為適當的位置之方式，適宜追加前述其他層之形成步驟及積層步驟之任一步驟或兩步驟而進行。
例如，基材、密接層、緩衝層及樹脂膜依序於這些層的厚度方向上積層而構成之複合片可利用以下所示之方法製造。 亦即，對於基材，將密接層形成用組成物及緩衝層形成用組成物進行共擠出成形，藉此於基材上依序積層密接層及緩衝層。然後，利用與上述相同的方法，另行於剝離膜上積層樹脂膜。繼而，將該剝離膜上的樹脂膜與基材及密接層上的緩衝層貼合，藉此獲得基材、密接層、緩衝層、樹脂膜及剝離膜依序積層而構成之複合片。樹脂膜上的剝離膜於使用複合片時移除即可。
◇半導體裝置之製造方法(樹脂膜及複合片之使用方法) 如上文所說明，本實施形態的樹脂膜於如下方面具有極其優異的特性：於貼附於該樹脂膜之貼附對象物的凹凸面時，能夠使凸部貫通而使凸部的上部露出，並且能夠被覆凹凸面整體。亦即，本實施形態的樹脂膜適合用於貼附於具有凹凸面之貼附對象物的前述凹凸面。 此種本實施形態的樹脂膜例如尤其適合用於製造具備半導體晶片、及設置於前述半導體晶片中之具有凸塊之面(凸塊形成面)之第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶片。該情形時，前述凹凸面為半導體晶片的凸塊形成面，凸部為凸塊。並且，具第1保護膜之半導體晶片藉由於當中的凸塊覆晶連接於基板，而適合用於製造半導體裝置。 本實施形態的樹脂膜適合以上述之複合片之形態使用。 以下，對使用前述複合片之情形時的半導體裝置之製造方法進行說明。
本發明的一實施形態的半導體裝置之製造方法具有：貼附步驟，係將上述之本發明的一實施形態的複合片中之為硬化性之前述樹脂膜貼附於半導體晶圓中之具有凸塊之面(凸塊形成面)，使前述凸塊的頭頂部自前述樹脂膜突出，藉此於前述半導體晶圓設置前述複合片；去除步驟，係於前述貼附步驟之後，將前述複合片中的前述樹脂膜以外的層自前述樹脂膜移除；硬化步驟，係於前述去除步驟之後，使前述樹脂膜硬化，藉此形成第1保護膜；分割步驟，係於前述硬化步驟之後，分割前述半導體晶圓，藉此製作半導體晶片；切斷步驟，係於前述硬化步驟之後，切斷前述第1保護膜；以及構裝步驟，係將具第1保護膜之半導體晶片於前述凸塊的頭頂部覆晶連接於基板，前述具第1保護膜之半導體晶片具備：於前述分割步驟及切斷步驟之後所獲得之前述半導體晶片、及設置於前述半導體晶片中之具有凸塊之面(凸塊形成面)之第1保護膜，且前述凸塊的頭頂部自前述第1保護膜突出。
圖5A至圖5D係以示意方式表示使用圖3所示之複合片1之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 此處，由於將硬化性樹脂膜用於形成第1保護膜，故而將「複合片1」稱為「第1保護膜形成用片1」，將「基材11」稱為「第1基材11」。
[貼附步驟] 於前述貼附步驟中，如圖5A至圖5B所示，將第1保護膜形成用片1中的硬化性樹脂膜12貼附於半導體晶圓9的凸塊形成面9a，使凸塊91的頭頂部9101自硬化性樹脂膜12突出，藉此於半導體晶圓9設置第1保護膜形成用片1。
於前述貼附步驟中，例如首先如圖5A所示，將第1保護膜形成用片1以該第1保護膜形成用片1的硬化性樹脂膜12與半導體晶圓9的凸塊形成面9a對向之方式進行配置。
凸塊91的高度並無特別限定，較佳為120μm至300μm，更佳為150μm至270μm，尤佳為180μm至240μm。藉由凸塊91的高度為前述下限值以上，能夠進一步提高凸塊91的功能。藉由凸塊91的高度為前述上限值以下，抑制硬化性樹脂膜12於凸塊91上部之殘留之效果變得更高。 本說明書中，所謂「凸塊的高度」，意指凸塊中存在於自凸塊形成面起最高位置之部位處的高度。
凸塊91的寬度並無特別限定，較佳為170μm至350μm，更佳為200μm至320μm，尤佳為230μm至290μm。藉由凸塊91的寬度為前述下限值以上，能夠進一步提高凸塊91的功能。藉由凸塊91的寬度為前述上限值以下，抑制硬化性樹脂膜12於凸塊91上部之殘留之效果變得更高。 本說明書中，所謂「凸塊的寬度」，意指於自相對於凸塊形成面垂直的方向往下看而俯視凸塊時，用直線將凸塊表面上的不同2點間連結所獲得之線段的長度的最大值。
相鄰的凸塊91間的距離並無特別限定，較佳為250μm至800μm，更佳為300μm至600μm，尤佳為350μm至500μm。藉由前述距離為前述下限值以上，能夠進一步提高凸塊91的功能。藉由前述距離為前述上限值以下，抑制硬化性樹脂膜12於凸塊91上部之殘留之效果變得更高。 本說明書中，所謂「相鄰的凸塊間的距離」，意指相鄰的凸塊彼此的表面間的距離的最小值。
繼而，於前述貼附步驟中，使硬化性樹脂膜12接觸於半導體晶圓9上的凸塊91，將第1保護膜形成用片1壓抵於半導體晶圓9。藉此，使硬化性樹脂膜12的第1面12a依序壓接於凸塊91的表面91a及半導體晶圓9的凸塊形成面9a。此時，藉由將硬化性樹脂膜12進行加熱，使得硬化性樹脂膜12軟化，以覆蓋凸塊91之方式於凸塊91間擴展而密接於凸塊形成面9a，並且覆蓋凸塊91的表面91a、尤其是凸塊形成面9a的附近部位的表面91a而將凸塊91的基部埋入。 藉由以上步驟，如圖5B所示，於半導體晶圓9的凸塊形成面9a貼附第1保護膜形成用片1中的硬化性樹脂膜12。
如上所述，作為使第1保護膜形成用片1壓接於半導體晶圓9之方法，可應用使各種片壓接於對象物而進行貼附之公知的方法，例如可列舉使用層壓輥之方法等。
第1保護膜形成用片1(硬化性樹脂膜12)壓接於半導體晶圓9時的加熱溫度只要為硬化性樹脂膜12之硬化完全不會進行或過度地進行之程度的溫度即可，例如可為80℃至100℃。 但是，就抑制硬化性樹脂膜12於凸塊91的上部之殘留之效果、抑制硬化性樹脂膜12於凸塊形成面9a之外溢之效果、及抑制硬化性樹脂膜12於凸塊形成面9a面上之覆蓋闕漏之效果變得更高之方面而言，前述加熱溫度更佳為85℃至95℃。
使第1保護膜形成用片1(硬化性樹脂膜12)壓接於半導體晶圓9時的壓力並無特別限定，例如可為0.1MPa至1.5MPa。 但是，就抑制硬化性樹脂膜12於凸塊91的上部之殘留之效果、抑制硬化性樹脂膜12於凸塊形成面9a之外溢之效果、及抑制硬化性樹脂膜12於凸塊形成面9a面上之覆蓋闕漏之效果變得更高之方面而言，前述壓力更佳為0.3MPa至1MPa。
如上所述，若使第1保護膜形成用片1壓接於半導體晶圓9，則第1保護膜形成用片1中的硬化性樹脂膜12及緩衝層13從凸塊91被施加壓力，在初期，硬化性樹脂膜12的第1面12a及緩衝層13的第1面13a變形為凹狀。然後，維持從凸塊91被施加壓力之硬化性樹脂膜12中產生破裂。最終，於硬化性樹脂膜12的第1面12a壓接於半導體晶圓9的凸塊形成面9a之階段中，成為凸塊91之包含頭頂部9101之上部910貫通硬化性樹脂膜12而突出之狀態。此外，於該最終階段中，通常凸塊91的上部910不會貫通緩衝層13。原因在於，緩衝層13對於從凸塊91被施加之壓力具有緩衝作用。
如圖5B所示，於前述貼附步驟結束之階段中，硬化性樹脂膜12完全或幾乎不殘留於凸塊91之包含頭頂部9101之上部910，硬化性樹脂膜12於凸塊91的上部910之殘留得到抑制。此外，本說明書中，所謂「硬化性樹脂膜幾乎不殘留於凸塊的上部」，只要無特別說明，則意指雖硬化性樹脂膜少許殘留於凸塊的上部，但該硬化性樹脂膜的殘留量為將具備該凸塊之半導體晶片覆晶連接於基板時，不妨礙半導體晶片與基板之電性連接之程度的量。
進而，於前述貼附步驟結束之階段中，硬化性樹脂膜12自最初的大小之外溢得到抑制，因此硬化性樹脂膜12自半導體晶圓9的凸塊形成面9a之外溢得到抑制。
進而，於前述貼附步驟結束之階段中，硬化性樹脂膜12於凸塊形成面9a上之覆蓋闕漏得到抑制。更具體而言，於在凸塊形成面9a設置有硬化性樹脂膜12之狀態下，凸塊91中該凸塊91的上部910以外的區域(例如凸塊形成面9a附近的基部)或凸塊形成面9a的凸塊91附近的區域意外地未由硬化性樹脂膜12覆蓋而露出之現象得到抑制。
如此，硬化性樹脂膜12於凸塊91的上部910之殘留得到抑制、硬化性樹脂膜12於凸塊形成面9a之外溢得到抑制、硬化性樹脂膜12於凸塊形成面9a之覆蓋闕漏得到抑制之原因在於，如上文所說明，硬化性樹脂膜12滿足前述X值之條件(19≦X值＜10000)。
前述貼附步驟之後，進而視需要將半導體晶圓9中之與凸塊形成面9a為相反側的面(內面)9b進行研削後，於該內面9b貼附第2保護膜形成用片(省略圖示)。
[去除步驟] 前述貼附步驟之後，於前述去除步驟中，如圖5C所示，將第1保護膜形成用片1中硬化性樹脂膜12以外的層自硬化性樹脂膜12移除。此處所移除的層更具體而言為第1基材11及緩衝層13。 藉由進行去除步驟，可獲得具備半導體晶圓9、及設置於半導體晶圓9的凸塊形成面9a之硬化性樹脂膜12而成之具樹脂膜之半導體晶圓。
[硬化步驟] 前述去除步驟之後，於前述硬化步驟中，使硬化性樹脂膜12硬化，藉此形成第1保護膜。 於前述硬化步驟中，於硬化性樹脂膜12為熱硬化性之情形時，藉由加熱使硬化性樹脂膜12硬化，於硬化性樹脂膜12為能量線硬化性之情形時，藉由照射能量線而使硬化性樹脂膜12硬化。此時的加熱條件及能量線的照射條件如上文所說明。
[分割步驟、切斷步驟] 前述硬化步驟之後，於前述分割步驟中，分割半導體晶圓9，藉此製作半導體晶片9'，於前述切斷步驟中，切斷前述第1保護膜。 前述分割步驟及切斷步驟可利用公知的方法進行。
進行前述分割步驟及切斷步驟之順序並無特別限定，較佳為同時進行分割步驟及切斷步驟、或依序進行分割步驟及切斷步驟。於依序進行分割步驟及切斷步驟之情形時，例如藉由公知的切割進行分割步驟，然後連續地立即進行切斷步驟。 於前述切斷步驟中，沿著半導體晶圓9的分割預定部位或已分割的部位(換言之，半導體晶片9'的外周)，切斷第1保護膜。
藉由進行前述硬化步驟、分割步驟及切斷步驟，如圖5D所示，獲得具備半導體晶片9'、及設置於半導體晶片9'的凸塊形成面9a'之切斷後的第1保護膜(本說明書中，有時簡稱為「第1保護膜」)120'而構成之具第1保護膜之半導體晶片9120'。
具第1保護膜之半導體晶片9120'中，凸塊91的頭頂部9101自第1保護膜120'突出，第1保護膜完全或幾乎未附著於凸塊91之包含頭頂部9101之上部910，第1保護膜於凸塊91的上部910之附著得到抑制。 進而，具第1保護膜之半導體晶片9120'中，第1保護膜120'於半導體晶片9'的凸塊形成面9a'之外溢得到抑制。 進而，第1保護膜120'於半導體晶片9'的凸塊形成面9a'之覆蓋闕漏得到抑制。更具體而言，於在凸塊形成面9a'設置有第1保護膜120'之狀態下，凸塊91中的上部910以外的區域(例如凸塊形成面9a'附近的基部)或凸塊形成面9a'的凸塊91附近的區域意外地未由第1保護膜120'覆蓋而露出之現象得到抑制。
[構裝步驟] 前述分割步驟及切斷步驟之後，於前述構裝步驟中，將具第1保護膜之半導體晶片9120'於凸塊91的頭頂部9101覆晶連接於基板(省略圖示)。此時，具第1保護膜之半導體晶片9120'連接於基板的電路形成面。 具第1保護膜之半導體晶片9120'中的凸塊91的上部910的第1保護膜之附著得到抑制，因此於本步驟中，半導體晶片9'與基板之電性連接度高。
於使用第2保護膜形成用片之情形時，具第1保護膜之半導體晶片9120'在覆晶連接之前，自第2保護膜形成用片中的切割片(省略圖示)扯離而進行拾取。 具第1保護膜之半導體晶片9120'可利用公知的方法進行拾取。 於使用第2保護膜形成用片之情形時，具第1保護膜之半導體晶片9120'中的半導體晶片9'於內面9b'具備切斷後的第2保護膜(省略圖示)。
於第2保護膜形成用片中的第2保護膜形成用膜為硬化性之情形時，第2保護膜形成用膜根據種類藉由在適當的時間點硬化而成為第2保護膜。並且，第2保護膜根據種類在適當的時間點進行切斷。
第2保護膜形成用膜可利用與硬化性樹脂膜12之情形相同的方法硬化，可與硬化性樹脂膜12同時硬化，亦可與硬化性樹脂膜12分別硬化。
第2保護膜可利用與第1保護膜之情形相同的方法切斷。 進行前述分割步驟及第2保護膜之切斷之順序並無特別限定，較佳為同時進行分割步驟及第2保護膜之切斷、或於分割步驟後進行第2保護膜之切斷。於依序進行分割步驟及第2保護膜之切斷之情形時，例如亦可藉由公知的切割進行分割步驟，然後連續地立即進行第2保護膜之切斷。 第2保護膜係沿著半導體晶圓9的分割預定部位或已分割的部位(換言之，半導體晶片9'的外周)進行切斷。
然後，使用如此獲得之已構裝有半導體晶片9'之電路基板，依據公知的方法，製作半導體封裝體，藉由使用該半導體封裝體，能夠製造目標半導體裝置(省略圖示)。
此處對使用圖3所示之複合片(第1保護膜形成用片)1之情形進行了說明，但於使用圖4所示之複合片2等其他實施形態的複合片之情形時，該複合片亦發揮與使用複合片1之情形相同的效果。
圖6A至圖6D係以示意方式表示使用圖4所示之複合片(第1保護膜形成用片)2之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 使用第1保護膜形成用片2時，亦於前述貼附步驟中，如圖6A至圖6B所示，將第1保護膜形成用片2中的硬化性樹脂膜12貼附於半導體晶圓9的凸塊形成面9a，使凸塊91的頭頂部9101自硬化性樹脂膜12突出，藉此於半導體晶圓9設置第1保護膜形成用片2。
於前述貼附步驟中，例如首先如圖6A所示，將第1保護膜形成用片2以該第1保護膜形成用片2的硬化性樹脂膜12與半導體晶圓9的凸塊形成面9a對向之方式進行配置。
繼而，於前述貼附步驟中，使硬化性樹脂膜12接觸於半導體晶圓9上的凸塊91，將第1保護膜形成用片2壓抵於半導體晶圓9。藉此，使硬化性樹脂膜12的第1面12a依序壓接於凸塊91的表面91a及半導體晶圓9的凸塊形成面9a。藉由以上步驟，如圖6B所示，於半導體晶圓9的凸塊形成面9a貼附第1保護膜形成用片2中的硬化性樹脂膜12。 此時，第1保護膜形成用片2可利用與使用第1保護膜形成用片1之情形相同的方法壓接於半導體晶圓9。
如上所述，若使第1保護膜形成用片2壓接於半導體晶圓9，則第1保護膜形成用片2中的硬化性樹脂膜12及緩衝層13從凸塊91被施加壓力，在初期，硬化性樹脂膜12的第1面12a及緩衝層13的第1面13a變形為凹狀。然後，維持從凸塊91被施加壓力之硬化性樹脂膜12中產生破裂。最終，於硬化性樹脂膜12的第1面12a壓接於半導體晶圓9的凸塊形成面9a之階段中，成為凸塊91之包含頭頂部9101之上部910貫通硬化性樹脂膜12而突出之狀態。於該最終階段中，通常凸塊91的上部910不貫通緩衝層13。 另外，藉由使用第1保護膜形成用片2，如上所述，於半導體晶圓9的凸塊形成面9a貼合硬化性樹脂膜12之過程中，密接層14高度抑制第1基材11及緩衝層13之剝離，第1基材11、密接層14及緩衝層13之積層結構得以更穩定地維持。
如圖6B所示，於前述貼附步驟結束之階段中，藉由與第1保護膜形成用片1之情形相同的作用，硬化性樹脂膜12完全或幾乎不殘留於凸塊91之包含頭頂部9101之上部910。 進而，於前述貼附步驟結束之階段中，藉由與第1保護膜形成用片1之情形相同的作用，硬化性樹脂膜12自最初的大小之外溢得到抑制，因此硬化性樹脂膜12自半導體晶圓9的凸塊形成面9a之外溢得到抑制。 進而，於前述貼附步驟結束之階段中，藉由與第1保護膜形成用片1之情形相同的作用，硬化性樹脂膜12於凸塊形成面9a上之覆蓋闕漏得到抑制。
前述貼附步驟之後，進而視需要將半導體晶圓9中之與凸塊形成面9a為相反側的面(內面)9b進行研削後，於該內面9b貼附第2保護膜形成用片(省略圖示)。
使用第1保護膜形成用片2時，亦於前述貼附步驟之後，於前述去除步驟中，如圖6C所示，將第1保護膜形成用片2中之硬化性樹脂膜12以外的層自硬化性樹脂膜12移除。此處所移除的層更具體而言為第1基材11、密接層14及緩衝層13。 藉由進行去除步驟，可獲得具樹脂膜之半導體晶圓，這與使用第1保護膜形成用片1時所獲得之半導體晶圓相同。
然後，可利用與使用第1保護膜形成用片1時相同的方法來製造半導體裝置。 亦即，於前述去除步驟之後，利用與使用第1保護膜形成用片1時相同的方法，於前述硬化步驟中，使硬化性樹脂膜12硬化，藉此形成第1保護膜。 前述硬化步驟之後，利用與使用第1保護膜形成用片1時相同的方法，於前述分割步驟中，分割半導體晶圓9，藉此製作半導體晶片9'，於前述切斷步驟中，切斷前述第1保護膜。 藉由進行硬化步驟及分割步驟，如圖6D所示，可獲得具第1保護膜之半導體晶片9120'。此處所獲得之具第1保護膜之半導體晶片9120'與使用第1保護膜形成用片1時所獲得之半導體晶片相同。 進而，利用與使用第1保護膜形成用片1時相同的方法，進行前述構裝步驟，使用藉此獲得之已構裝有半導體晶片9'之電路基板，製作半導體封裝體，從而能夠製造目標半導體裝置(省略圖示)。
本實施形態的半導體裝置之製造方法中，關於硬化性樹脂膜或保護膜有無殘留於凸塊的上部，例如可藉由對凸塊獲取SEM之攝像資料來確認。 另外，關於硬化性樹脂膜有無於半導體晶圓的凸塊形成面之外溢、及硬化性樹脂膜有無於凸塊形成面上之覆蓋闕漏，例如均可藉由對半導體晶圓的凸塊形成面上的相應部位獲取SEM之攝像資料來確認。 [實施例]
以下，藉由具體的實施例對本發明更詳細地進行說明。但是，本發明完全不受限於以下所示之實施例。
[樹脂膜形成用組成物的製造原料] 以下表示用於製造樹脂膜形成用組成物之原料。 [聚合物成分(A)] (A)-1：具有下述式(i)-1、(i)-2及(i)-3所表示之構成單元之聚乙烯醇縮丁醛(積水化學工業公司製造的「S-LEC BL-10」，重量平均分子量25000，玻璃轉移溫度59℃)。 (A)-2：使丙烯酸丁酯(55質量份)、丙烯酸甲酯(10質量份)、甲基丙烯酸縮水甘油酯(20質量份)及丙烯酸-2-羥基乙酯(15質量份)共聚而獲得之丙烯酸樹脂(重量平均分子量800000，玻璃轉移溫度-28℃)。
[化2]
Figure 02_image003
(式中，l1 為約28，m1 為1至3，n1 為68至74之整數)
[環氧樹脂(B1)] (B1)-1：液狀改質雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製造的「Epiclon EXA-4850-150」，分子量900、環氧當量450g/eq) (B1)-2：液狀雙酚F型環氧樹脂(三菱化學公司製造的「YL983U」，環氧當量165g/eq至175g/eq) (B1)-3：多官能芳香族型環氧樹脂(日本化藥公司製造的「EPPN-502H」)，環氧當量158g/eq至178g/eq) (B1)-4：二環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製造的「Epiclon HP-7200HH」，環氧當量254g/eq至264g/eq) [熱硬化劑(B2)] (B2)-1：鄰甲酚型酚醛清漆樹脂(DIC公司製造的「Phenolite KA-1160」) (B2)-2：酚醛清漆型酚樹脂(昭和電工公司製造的「BRG-556」) [填充材料(D)] (D)-1：經環氧基修飾之球狀二氧化矽(Admatechs公司製造的「Admanano YA050C-MKK」，平均粒徑50nm) [添加劑(I)] (I)-1：流變控制劑(聚羥基羧酸酯，BYK公司製造的「BYK-R606」) (I)-2：界面活性劑(丙烯酸聚合物，BYK公司製造的「BYK-361N」) (I)-3：聚矽氧油(芳烷基改質聚矽氧油，Momentive Performance Materials Japan公司製造的「XF42-334」) [硬化促進劑(C)] (C)-1：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業公司製造的「Curezol 2PHZ-PW」)
[實施例1] [第1保護膜形成用片之製造] [熱硬化性樹脂膜形成用組成物之製造] 使聚合物成分(A)-1(100質量份)、環氧樹脂(B1)-1(350質量份)、環氧樹脂(B1)-4(270質量份)、(B2)-1(190質量份)、硬化促進劑(C)-1(2質量份)、填充材料(D)-1(90質量份)及添加劑(I)-1(9質量份)溶解或分散於甲基乙基酮，於23℃進行攪拌，藉此獲得溶媒以外的全部成分的合計濃度為45質量%之組成物(III)作為熱硬化性樹脂膜形成用組成物。此外，此處所示之溶媒以外的成分的調配量全部為不含溶媒之目標物的調配量。
[第1保護膜形成用片之製造] 使用聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET381031」，厚度38μm)，於前述剝離膜的前述剝離處理面塗敷上述所獲得之組成物(III)，於120℃加熱乾燥2分鐘，藉此形成厚度30μm之熱硬化性樹脂膜。
使用相當於第1基材、密接層、及緩衝層之積層物之積層片(琳得科公司製造的「E-9485」，厚度485μm)，使該積層片中的緩衝層與上述所獲得之剝離膜上的熱硬化性樹脂膜貼合。藉此，獲得第1基材、密接層、緩衝層、熱硬化性樹脂膜、及剝離膜依序於這些層的厚度方向上積層而構成之圖4所示之構成之第1保護膜形成用片。
[第1保護膜形成用片之評價] [熱硬化性樹脂膜之Gc1及Gc300之測定、以及X值之算出] 除了變更組成物(III)的塗敷量之方面以外，利用與上述相同的方法，製作厚度50μm之熱硬化性樹脂膜20片。繼而，將這些熱硬化性樹脂膜進行積層，將所獲得之積層膜裁斷成直徑25mm之圓板狀，藉此製作厚度1mm之熱硬化性樹脂膜之試片。 將黏彈性測定裝置(Anton Paar公司製造的「MCR301」)中的試片的設置部位預先於90℃保溫，將上述所獲得之熱硬化性樹脂膜之試片載置於該設置部位，將測定治具壓抵於該試片的上面，藉此將試片固定於前述設置部位。 繼而，於溫度90℃、測定頻率1Hz之條件下，使試片所產生之應變在0.01%至1000%之範圍內階段性地上升，測定試片的儲存彈性模數Gc。並且，由Gc1及Gc300之測定值算出X值。結果顯示於表1。
[熱硬化性樹脂膜的外溢量之測定] 使用聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET381031」，厚度38μm)，於前述剝離膜的前述剝離處理面塗敷上述所獲得之組成物(III)，於120℃加熱乾燥2分鐘，藉此形成厚度30μm之熱硬化性樹脂膜。 繼而，將該熱硬化性樹脂膜與前述剝離膜一起加工成直徑170mm之圓形狀，藉此製作具剝離膜之試片。 將所獲得之試片的露出面(換言之，與具備剝離膜之側為相反側的面)整面與透明的帶狀的背面研磨帶(琳得科公司製造的「E-8180」)的表面貼合，藉此獲得圖7所示之積層物。圖7係以示意方式表示自積層物中的背面研磨帶側的上方往下看所獲得之積層物時的狀態之俯視圖。 如此處所示，所獲得之積層物101係背面研磨帶7、試片120(熱硬化性樹脂膜12)、及剝離膜依序於這些層的厚度方向上積層而構成。
繼而，自所獲得之積層物移除前述剝離膜，使新產生之前述試片的露出面(換言之，前述試片中之與具備前述背面研磨帶之側為相反側的面)壓接於直徑12吋的矽晶圓的一表面，藉此於矽晶圓的表面貼附前述試片。此時，試片之貼附係使用貼附裝置(輥式層合機，琳得科公司製造的「RAD-3510 F/12」)，於工作臺溫度90℃、貼附速度2mm/sec、貼附壓力0.5MPa、輥貼附高度-200μm之條件下，一邊將熱硬化性樹脂膜加熱一邊進行。 繼而，針對貼附於矽晶圓之具背面研磨帶之前述試片，測定將前述試片的外周上的不同二點間連結之線段的長度的最大值，使用該測定值(前述線段的長度的最大值)，藉由參照圖2進行說明之方法，算出前述試片(換言之，熱硬化性樹脂膜)的外溢量(mm)。
[確認熱硬化性樹脂膜有無於凸塊的上部之殘留] 於上述所獲得之第1保護膜形成用片中移除剝離膜，使藉此露出之熱硬化性樹脂膜的表面(露出面)壓接於具有凸塊之直徑8吋之半導體晶圓的凸塊形成面，藉此將移除了剝離膜之第1保護膜形成用片貼附於半導體晶圓的凸塊形成面。此時，作為半導體晶圓，使用凸塊的高度為210μm、凸塊的寬度為250μm、凸塊間的距離為400μm之半導體晶圓。另外，第1保護膜形成用片之貼附係使用貼附裝置(輥式層合機，琳得科公司製造的「RAD-3510 F/12」)，於工作臺溫度90℃、貼附速度2mm/sec、貼附壓力0.5MPa、輥貼附高度-200μm之條件下，一邊將第1保護膜形成用片加熱一邊進行。 繼而，使用多晶圓貼片機(multi wafer mounter)(琳得科公司製造的「RAD-2700 F/12」)，自熱硬化性樹脂膜移除第1基材、密接層及緩衝層，使熱硬化性樹脂膜露出。 繼而，使用掃描式電子顯微鏡(SEM，基恩士公司製造的「VE-9700」)，自相對於半導體晶圓的凸塊形成面垂直的方向及成為60°之角度之方向，觀察半導體晶圓的凸塊的表面，確認熱硬化性樹脂膜有無於凸塊的上部之殘留。結果顯示於表1。
[確認熱硬化性樹脂膜之熱硬化物於凸塊形成面之覆蓋闕漏] 利用與上述之「確認熱硬化性樹脂膜有無於凸塊的上部之殘留」之情形相同的方法，使用相同的半導體晶圓，於該半導體晶圓的凸塊形成面貼附第1保護膜形成用片，自熱硬化性樹脂膜移除第1基材、密接層及緩衝層。 繼而，使用加壓烘箱(琳得科公司製造的「RAD-9100」)，將貼附於半導體晶圓之熱硬化性樹脂膜於溫度130℃、時間2h、爐內壓力0.5MPa之加熱條件下進行加熱處理，藉此使熱硬化性樹脂膜熱硬化。 繼而，使用掃描式電子顯微鏡(SEM，基恩士公司製造的「VE-9700」)，自前述硬化物側觀察熱硬化性樹脂膜之硬化物(換言之，第1保護膜)與半導體晶圓之積層物整體。並且，於存在能夠直接確認凸塊的基部或半導體晶圓的凸塊形成面之區域之情形時，判定為「有覆蓋闕漏」，於不存在能夠直接確認凸塊的基部或半導體晶圓的凸塊形成面之區域之情形時，判定為「無覆蓋闕漏」。
[實施例2、比較例1至比較例3] [第1保護膜形成用片之製造及評價] 以熱硬化性樹脂膜形成用組成物的含有成分的種類及含量成為如表1所示之方式，變更製造熱硬化性樹脂膜形成用組成物時的調配成分的種類及調配量的任一者或兩者，除此方面以外，利用與實施例1之情形相同的方法，製造第1保護膜形成用片並進行評價。結果顯示於表1。 此外，表1中的含有成分一欄記載為「-」時，意指熱硬化性樹脂膜形成用組成物不含該成分。
[表1]
    實施例 比較例
1 2 1 2 3
熱硬化性樹脂膜形成用組成物的含有成分(質量份) 聚合物成分(A) (A)-1 100 100 100 100 -
(A)-2 - - - - 100
環氧樹脂(B1) (B1)-1 350 290 350 - -
(B1)-2 - - - 190 80
(B1)-3 - - - 130 60
(B1)-4 270 220 270 210 90
熱硬化劑(B2) (B2)-1 190 160 190 - -
(B2)-2 - - - 270 120
硬化促進劑(C) (C)-1 2 2 2 2 1
填充材料(D) (D)-1 90 200 90 230 370
添加劑(I) (I)-1 9 - - - -
(I)-2 - 25 - - -
(I)-3 - 3 - - -
第1保護膜形成用片的評價結果 X值 29 65 18 10000以上 18
熱硬化性樹脂膜的外溢量(mm) 0 0 90 0 0
熱硬化性樹脂膜於凸塊的上部之殘存 無 無 無 無 有
熱硬化性樹脂膜之熱硬化物於凸塊形成面之覆蓋闕漏 無 無 無 有 無
由上述結果可明顯看出，實施例1至實施例2中，熱硬化性樹脂膜的外溢量為0mm(未確認到熱硬化性樹脂膜之外溢)，且未確認到熱硬化性樹脂膜於凸塊的上部之殘留。 進而，實施例1至實施例2中，未確認到熱硬化性樹脂膜之熱硬化物於凸塊形成面之覆蓋闕漏，熱硬化性樹脂膜的基本特性良好。另外，此時同時觀察凸塊的上部，結果當然未確認到熱硬化性樹脂膜之熱硬化物。 實施例1至實施例2中，X值為29至65。
相對於此，比較例1中，熱硬化性樹脂膜之外溢未得到抑制。 比較例1中，X值為18，相較於實施例1至實施例2之情形明顯較小。原因在於比較例1中Gc1過低。
比較例2中，確認到熱硬化性樹脂膜之熱硬化物於凸塊形成面之覆蓋闕漏，熱硬化性樹脂膜的基本特性差。 比較例2中，X值為10000以上，相較於實施例1至實施例2之情形明顯較大。原因在於比較例2中Gc300過低。比較例2中，由於Gc300為檢測極限值以下，故而無法特定出，僅能特定出X值為10000以上。
比較例3中，確認到熱硬化性樹脂膜於凸塊的上部之殘留。確認熱硬化性樹脂膜之熱硬化物有無覆蓋闕漏時，同時觀察凸塊的上部，結果亦確認到熱硬化性樹脂膜之熱硬化物。 比較例3中，X值為18，相較於實施例1至實施例2之情形明顯較小。原因在於比較例3中Gc300過高。
此外，實施例1至實施例2中，針對前述積層片中的緩衝層，製作與上述之熱硬化性樹脂膜之試片相同的試片(直徑25mm、厚度1mm之圓板狀)，與熱硬化性樹脂膜之試片之情形同樣地，使該緩衝層之試片所產生之應變在0.01%至1000%之範圍內階段性地上升，測定緩衝層之試片的儲存彈性模數Gb。 結果，比較應變相同之情形時的Gb與Gc時，在應變為0.01%至1000%之整個範圍內，Gb為Gc以上(Gb≧Gc)。 [產業可利用性]
本發明能夠用於製造覆晶連接方法中所使用之於連接焊墊部具有凸塊之半導體晶片等。
1,2:複合片(第1保護膜形成用片) 7:背面研磨帶 8:保護膜形成用片 9:半導體晶圓 9a:半導體晶圓的凸塊形成面 9b:半導體晶圓的內面 9':半導體晶片 9a':半導體晶片的凸塊形成面 9b':半導體晶片的內面 11,81:基材(第1基材) 12:樹脂膜(硬化性樹脂膜) 12a:樹脂膜(硬化性樹脂膜)的第1面 12b:樹脂膜(硬化性樹脂膜)的第2面 13,83:緩衝層 13a:緩衝層的第1面 14:密接層 82:硬化性樹脂膜 82':保護膜 91:凸塊 91a:凸塊的表面 101:成為外溢狀態之樹脂膜 101':最初的樹脂膜 102:貼附對象物 120:試片 120':第1保護膜(切斷後的第1保護膜) 151:第1剝離膜 152:第2剝離膜 910:凸塊的上部 1010:樹脂膜的外周 1010a:樹脂膜的外周上的一點 1010b:樹脂膜的外周上的另一點 9101:凸塊的頭頂部 9120':具第1保護膜之半導體晶片 D0 :寬度 D1 :長度
[圖1]係以示意方式表示本發明的一實施形態的樹脂膜的一例之剖視圖。 [圖2]係用於以示意方式說明樹脂膜的平面形狀為圓形之情形時的樹脂膜的外溢量之俯視圖。 [圖3]係以示意方式表示本發明的一實施形態的複合片的一例之剖視圖。 [圖4]係以示意方式表示本發明的一實施形態的複合片的另一例之剖視圖。 [圖5A]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 [圖5B]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 [圖5C]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 [圖5D]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 [圖6A]係以示意方式表示使用圖4所示之複合片之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 [圖6B]係以示意方式表示使用圖4所示之複合片之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 [圖6C]係以示意方式表示使用圖4所示之複合片之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 [圖6D]係以示意方式表示使用圖4所示之複合片之情形時的半導體裝置之製造方法的一例之剖視圖。 [圖7]係以示意方式表示實施例1中測定熱硬化性樹脂膜的外溢量時所製作之包含熱硬化性樹脂膜之積層物之俯視圖。 [圖8A]係用於以示意方式說明於半導體晶圓的凸塊形成面之保護膜之形成方法之剖視圖。 [圖8B]係用於以示意方式說明於半導體晶圓的凸塊形成面之保護膜之形成方法之剖視圖。 [圖8C]係用於以示意方式說明於半導體晶圓的凸塊形成面之保護膜之形成方法之剖視圖。 [圖8D]係用於以示意方式說明於半導體晶圓的凸塊形成面之保護膜之形成方法之剖視圖。 [圖9]係以示意方式表示於凸塊的上部殘留有硬化性樹脂膜之狀態的一例之剖視圖。
1:複合片(第1保護膜形成用片)
11:基材(第1基材)
12:樹脂膜(硬化性樹脂膜)
12a:樹脂膜(硬化性樹脂膜)的第1面
13:緩衝層
13a:緩衝層的第1面

Claims (5)

  1. 一種樹脂膜，係於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當前述試片的應變為1%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc1、前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由下述式： X＝Gc1/Gc300 所算出之X值為19以上至未達10000。
  2. 如請求項1所記載之樹脂膜，其中前述樹脂膜用於貼附於凹凸面。
  3. 如請求項1所記載之樹脂膜，其中前述樹脂膜為硬化性。
  4. 一種複合片，具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之樹脂膜； 前述樹脂膜為如請求項1至3中任一項所記載之樹脂膜。
  5. 一種半導體裝置之製造方法，具有： 貼附步驟，係將如請求項4所記載之複合片中之為硬化性之前述樹脂膜貼附於半導體晶圓中之具有凸塊之面，使前述凸塊的頭頂部自前述樹脂膜突出，藉此於前述半導體晶圓設置前述複合片； 去除步驟，係於前述貼附步驟之後，將前述複合片中的前述樹脂膜以外的層自前述樹脂膜移除； 硬化步驟，係於前述去除步驟之後，使前述樹脂膜硬化，藉此形成第1保護膜； 分割步驟，係於前述硬化步驟之後，分割前述半導體晶圓，藉此製作半導體晶片； 切斷步驟，係於前述硬化步驟之後，切斷前述第1保護膜；以及 構裝步驟，係將具第1保護膜之半導體晶片於前述凸塊的頭頂部覆晶連接於基板，前述具第1保護膜之半導體晶片具備於前述分割步驟及切斷步驟之後所獲得之前述半導體晶片、及設置於前述半導體晶片中之具有凸塊之面之第1保護膜，且前述凸塊的頭頂部自前述第1保護膜突出。
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