TW202200373A - 樹脂膜、複合片、以及具第1保護膜之半導體晶片的製造方法 - Google Patents

樹脂膜、複合片、以及具第1保護膜之半導體晶片的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明的樹脂膜係硬化性的樹脂膜，藉由將前述樹脂膜的厚度0.5mm、寬度4.5mm之硬化物用作為第1試片，將第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，使第1試片的溫度自常溫上升至100℃為止，繼而，藉由將第1試片以降溫速度5℃/min進行冷卻，使第1試片的溫度下降至-75℃，繼而，藉由將第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，進行使第1試片的溫度上升至260℃為止之熱機械分析，當測定第1試片的溫度自-75℃至成為與玻璃轉移溫度相同溫度為止之第1試片的線膨脹係數α1時，前述α1為65ppm/K以下。

Description

樹脂膜、複合片、以及具第1保護膜之半導體晶片的製造方法
本發明係關於一種樹脂膜、複合片、以及具第1保護膜之半導體晶片之製造方法。 本申請案基於2020年2月27日在日本提出申請之日本特願2020-031717號主張優先權，且將該申請案的內容引用至本文中。
先前，於將MPU(Micro Processor Uint；微處理器單元)或閘極陣列等中所使用之多接腳之LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)封裝體構裝於印刷配線基板之情形時，採用以下之覆晶構裝方法：使用於連接焊墊部形成有由共晶焊料、高溫焊料、金等所構成之凸狀電極(以下，本說明書中稱為「凸塊」)之半導體晶片，藉由所謂倒裝(face down)方式，使這些凸塊與晶片搭載用基板上的相對應的端子部對向接觸，從而進行熔融/擴散接合。
該構裝方法中所使用之半導體晶片例如藉由下述方式獲得：將於電路面形成有凸塊之半導體晶圓中之與電路面(換言之，凸塊形成面)為相反側的面進行研削並進行切割而單片化。於獲得此種半導體晶片之過程中，通常以保護半導體晶圓的凸塊形成面及凸塊為目的，而將硬化性樹脂膜貼附於凸塊形成面，並使該膜硬化，藉此於凸塊形成面形成保護膜。
另一方面，對於半導體裝置，期待具有更高的功能，而存在半導體晶片的尺寸放大之傾向。但是，尺寸經放大之半導體晶片因在構裝於基板之狀態下產生翹曲，而使得凸塊容易變形，尤其是位於半導體晶片的端部或其附近之凸塊容易產生龜裂。對於形成於凸塊形成面之保護膜，亦期待抑制此種凸塊之破損。
一邊參照圖8A至圖8D一邊對半導體晶圓的凸塊形成面中的保護膜之形成方法進行說明。 使用如圖8A所示之保護膜形成用片8來形成保護膜。保護膜形成用片8係於基材81上依序積層黏著劑層83及硬化性樹脂膜82而構成。
首先，將保護膜形成用片8以該保護膜形成用片8的硬化性樹脂膜82 與半導體晶圓9 的凸塊形成面9a 對向之方式進行配置。 繼而，使保護膜形成用片8壓接於半導體晶圓9，如圖8B所示，於半導體晶圓9的凸塊形成面9a貼合保護膜形成用片8的硬化性樹脂膜82。此時，一邊將硬化性樹脂膜82加熱一邊貼合硬化性樹脂膜82。藉此，於半導體晶圓9的凸塊形成面9a及凸塊91的表面91a密接硬化性樹脂膜82，但若凸塊91貫通硬化性樹脂膜82，則於凸塊91的表面91a的一部分亦密接黏著劑層83。於此種硬化性樹脂膜82之貼合之後，進而視需要將半導體晶圓9中之與凸塊形成面9a為相反側的面(內面)9b進行磨削，然後於半導體晶圓9的內面9b另行貼附用以保護該內面9b之保護膜形成用片(省略圖示)。
繼而，如圖8C所示，自硬化性樹脂膜82移除基材81及黏著劑層83。 繼而，使硬化性樹脂膜82硬化，如圖8D所示，形成保護膜82'。
此般作為可在半導體晶圓的凸塊形成面形成保護膜之保護膜形成用片，揭示了一種硬化性樹脂膜為熱硬化性且具有特定範圍的熔融黏度，且黏著劑層在特定的溫度範圍具有特定範圍的剪切彈性模數之保護膜形成用片(參照專利文獻1)。 [先前技術文獻][專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-092594號公報。
[發明所欲解決之課題]
另一方面，作為將半導體晶圓分割成半導體晶片之方法，已知有各種方法。作為其中一例，已知有如下方法：作為半導體晶圓使用在半導體晶圓之凸塊形成面進而設置有成為分割部位之溝槽之半導體晶圓，如先前所說明，藉由對與半導體晶圓的凸塊形成面為相反側的面(內面)進行磨削，使磨削面(內面)到達前述溝槽，將半導體晶圓分割成半導體晶片。於採用該方法之情形時，當於分割半導體晶圓之前，在半導體晶圓的凸塊形成面貼合了保護膜形成用片中的硬化性樹脂膜之情況，只要在前述溝槽充分地填充硬化性樹脂膜，藉由分割半導體晶圓，將硬化性樹脂膜或是保護膜切斷為半導體晶片的尺寸，不僅是半導體晶片的凸塊形成面、其側面亦可以保護膜所被覆。如此般，不僅是凸塊形成面、其側面亦具備保護膜之半導體晶片如圖9所示。圖9係示意方式表示假設在使用了上述的保護膜形成用片8之情形時可正常地獲得之在凸塊形成面與側面具備了保護膜之半導體晶片(具保護膜之半導體晶片)的一例。
此處所表示之具保護膜之半導體晶片909，係具備：半導體晶片9’、設置於半導體晶片9’的側面9c’以及凸塊形成面9a’之第1保護膜820’。半導體晶片9’各自於側面9c’以及凸塊形成面9a’以切斷後的第1保護膜820’所保護，半導體晶片9’所獲得之保護效果係顯著地高。
此種於半導體晶片之凸塊形成面與側面具備保護膜之多面保護半導體晶片的製造過程中，溝槽被保護膜或是硬化性樹脂膜填充之狀態下，半導體晶圓的內面被磨削之情形時，因磨床等的磨削手段與半導體晶圓之摩擦導致半導體晶圓變得高溫，進而，包括溝槽在半導體晶圓與保護膜或是硬化性樹脂膜之界面產生負荷。因此，可能導致保護膜或是硬化性樹脂膜的一部分自半導體晶圓剝離。此外，即使在將多面保護半導體晶片藉由迴焊而於基板進行覆晶構裝之過程、或是在覆晶構裝後，會因為保護膜與半導體晶片置於高溫條件下、進而於保護膜與半導體晶片之界面產生負荷，而可能導致保護膜的一部分自半導體晶片剝離。 對此，專利文獻1所揭示之保護膜形成用片(保護膜形成用膜)是否可解決此種問題點則沒有定論。
至此，舉例說明了在半導體晶圓的凸塊形成面貼附硬化性樹脂膜之情形，但並不限定於此，樹脂膜有時會貼附於半導體晶圓的凸塊形成面以外的凹凸面。並且，與半導體晶圓的情形相同，需要利用樹脂膜對凹凸面上的細微的溝槽進行充分的填充、以及抑制保護膜自凹凸面剝離。對此，有可能在對凹凸面之貼附整個過程中發生樹脂膜對細微的溝槽的填充不良、以及保護膜自凹凸面剝離。
本發明的目的在於提供一種樹脂膜，可應用於對凹凸面之貼附，並可形成保護膜，可藉由樹脂膜充分地填充凹凸面上的細微的溝槽，可抑制保護膜自凹凸面剝離；並提供一種具備前述樹脂膜之複合片，用於將前述樹脂膜貼附於凹凸面。 [用以解決課題之手段]
本發明係提供一種樹脂膜，係硬化性的樹脂膜，於前述樹脂膜為熱硬化性的情形時，藉由一邊將前述樹脂膜以0.5MPa的壓力加壓，一邊以130℃加熱4小時，使前述樹脂膜進行熱硬化，另外於前述樹脂膜為能量線硬化性的情形時，藉由對前述樹脂膜以照度230mW/cm2 、光量560mJ/cm2 的條件照射能量線，使前述樹脂膜進行能量線硬化，所獲得厚度0.5mm、寬度4.5mm之硬化物用作為第1試片，藉由對前述第1試片的長度15mm的部位進行下述熱機械分析，當測定前述第1試片的溫度自-75℃至成為與玻璃轉移溫度相同之溫度為止之前述第1試片之線膨脹係數α1時，前述α1成為65ppm/K以下；前述熱機械分析係將前述第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，使前述第1試片的溫度自常溫上升至100℃，之後，藉由將前述第1試片以降溫速度5℃/min進行冷卻，使前述第1試片的溫度下降至-75℃，之後，藉由將前述第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，使前述第1試片的溫度上升至260℃為止。
本發明的樹脂膜中，其中於前述熱機械分析時，測定前述第1試片的溫度自與玻璃轉移溫度相同之溫度至成為260℃為止之前述第1試片的線膨脹係數α2時，前述α2亦可成為165ppm/K以下。 將本發明的樹脂膜之直徑25mm、厚度1mm者用作為第2試片，以溫度90℃、頻率1Hz的條件，使前述第2試片產生應變，並測定前述第2試片的儲存彈性模數，設前述第2試片的應變為1%時之前述第2試片的儲存彈性模數為Gc1，設前述第2試片的應變為300%時之前述第2試片的儲存彈性模數為Gc300時，藉由下述式：X＝Gc1/Gc300所算出之X值亦可為19以上至未達10000。本發明的樹脂膜亦可用於貼附至凹凸面。本發明的樹脂膜亦可用於保護半導體晶片的凹凸面以及側面。
此外，本發明係提供一種複合片，係具備：支撐片、以及設置於前述支撐片其中一面上之樹脂膜；前述樹脂膜係前述本發明的樹脂膜。 本發明的複合片中，其中前述支撐片係具備：基材、以及設置於前述基材其中一面上之黏著劑層；前述緩衝層亦可被配置於前述基材與前述樹脂膜之間。
此外，本發明係提供了一種使用了半導體晶圓來製造具第1保護膜之半導體晶片；前述具第1保護膜之半導體晶片係具備：半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片的側面以及具有凸塊之面之第1保護膜；前述半導體晶圓係於其中一面具有：凸塊、以及成為前述半導體晶圓的分割部位之溝槽；前述具第1保護膜之半導體晶片之製造方法係具有：貼附步驟，係藉由將上述的本發明的複合片中的前述樹脂膜貼附於前述半導體晶圓的前述其中一面，來製作出於前述其中一面具備前述樹脂膜、且前述溝槽被前述樹脂膜所填充之具樹脂膜之半導體晶圓；前述具第1保護膜之半導體晶片之製造方法進而具有：硬化步驟(1)，在前述貼附步驟後，藉由使前述樹脂膜硬化，形成前述第1保護膜，以製作具備前述半導體晶圓、以及設置於前述半導體晶圓的前述其中一面且填充於前述溝槽之前述第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶圓；分割步驟(1)，在前述硬化步驟(1)後，藉由分割前述半導體晶圓，以製作具備複數個的前述半導體晶片、以及設置在複數個的前述半導體晶片的前述具有凸塊之面以及前述半導體晶片間的間隙之前述第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶片群；切斷步驟(1)，在前述分割步驟(1)後，藉由沿著前述具第1保護膜之半導體晶片群中的前述半導體晶片間的間隙來切斷前述第1保護膜，以製作前述具第1保護膜之半導體晶片； 或是進而具有：切斷步驟(2)，在前述貼附步驟後、且在前述硬化步驟(1)後，藉由沿著前述具第1保護膜之半導體晶圓中的前述溝槽切入前述第1保護膜，以製作經切入之具第1保護膜之半導體晶圓；分割步驟(2)，在前述切斷步驟(2)後，藉由分割前述半導體晶圓，以製作前述具第1保護膜之半導體晶片； 或是進而具有：分割步驟(3)，在前述貼附步驟後，藉由分割前述半導體晶圓，以製作具備複數個的前述半導體晶片、設置在複數個的前述半導體晶片的前述具有凸塊之面以及前述半導體晶片間的間隙之前述樹脂膜而成之具樹脂膜之半導體晶片群；硬化步驟(3)，在前述分割步驟(3)後，藉由使前述樹脂膜硬化，形成前述第1保護膜，以製作具備複數個的前述半導體晶片、設置在複數個的前述半導體晶片的前述具有凸塊之面以及前述半導體晶片間的間隙之前述第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶片群；切斷步驟(3)，在前述硬化步驟(3)後，藉由沿著前述具第1保護膜之半導體晶片群中的前述半導體晶片間的間隙切斷前述第1保護膜，以獲得前述具第1保護膜之半導體晶片。 [發明功效]
根據本發明，提供一種樹脂膜，可應用於對凹凸面之貼附，並可形成保護膜，可藉由樹脂膜充分地填充凹凸面上的細微的溝槽，可抑制保護膜自凹凸面剝離；並提供一種具備前述樹脂膜之複合片，用於將前述樹脂膜貼附於凹凸面。
◇樹脂膜以及其製造方法 本發明的一實施形態之樹脂膜，係硬化性的樹脂膜，於前述樹脂膜為熱硬化性的情形時，藉由一邊將前述樹脂膜以0.5MPa的壓力加壓，一邊以130℃加熱4小時，使前述樹脂膜進行熱硬化，另外於前述樹脂膜為能量線硬化性的情形時，藉由對前述樹脂膜以照度230mW/cm2 、光量560mJ/cm2 的條件照射能量線，使前述樹脂膜進行能量線硬化，所獲得厚度0.5mm、寬度4.5mm之硬化物用作為第1試片，對前述第1試片的長度15mm的部位進行熱機械分析(TMA；Thermal Mechanical Analyzer)，當測定前述第1試片的溫度自-75℃至成為與玻璃轉移溫度(Tg)相同之溫度為止之前述第1試片之線膨脹係數α1(本案說明書中，有時簡稱為α1)時，前述α1成為65ppm/K以下；所述熱機械分析係藉由將前述第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，使前述第1試片的溫度自常溫上升至100℃，之後，藉由將前述第1試片以降溫速度5℃/min進行冷卻，使前述第1試片的溫度下降至-75℃，之後，藉由將前述第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，使前述第1試片的溫度上升至260℃為止。
本實施形態的樹脂膜適合用於貼附至凹凸面。此外，本實施形態的樹脂膜具有硬化性，可藉由硬化來形成保護膜。
將本實施形態的樹脂膜一邊加熱一邊貼附至凹凸面時，軟化後之樹脂膜以覆蓋前述凸部之方式於凸部間擴展而與凹凸面密接，並且覆蓋凸部的表面、尤其是凹凸面的附近部位的表面而將凸部的基部埋入。此時，較佳係凹凸面的凸部貫通前述樹脂膜，前述凸部的上部自前述樹脂膜突出。並且，凹凸面具有細微的溝槽之情形時，可藉由前述樹脂膜來充分地填充此種溝槽，結果可藉由保護膜充分地填充溝槽。並且，可抑制保護膜自凹凸面剝離。如此般，可藉由樹脂膜以及保護膜來充分地填充溝槽，而可抑制保護膜自凹凸面剝離的理由在於，使用前述樹脂膜所製作之前述第1試片的前述α1為65ppm/K以下。
本實施形態的樹脂膜貼附於凹凸面時的樹脂膜的加熱溫度、貼附壓力可根據其他貼附條件、以及凹凸面上的溝槽的寬度以及深度而適宜調節，例如可設為與貼附於後述之半導體晶圓的凸塊形成面時相同。
藉由樹脂膜或是保護膜對凹凸面上的溝槽的填充的程度(本說明書中有時稱為「溝槽的填充適性」)，可藉由對具備了樹脂膜或是保護膜之凹凸面使用光學顯微鏡觀察來確認。 抑制保護膜自凹凸面剝離的程度，可藉由對具備了保護膜之凹凸面使用光學顯微鏡觀察來確認。
於將本實施形態的樹脂膜貼附於凹凸面時，可使用具備本實施形態的樹脂膜之複合片。關於複合片，將於後文詳細地進行說明。
作為具備前述凹凸面之前述樹脂膜的貼附對象物，更具體而言，例如可列舉具有凸塊之半導體晶圓。 亦即，前述樹脂膜可貼附於分割成半導體晶片之前的半導體晶圓。該情形時，前述樹脂膜係貼附於半導體晶圓中之具有凸塊之面而使用。
本說明書中，有時將於半導體晶圓及半導體晶片之任一者中具有凸塊之面均稱為「凸塊形成面」。
藉由將前述樹脂膜一邊加熱一邊貼附於凸塊形成面，而使得軟化後的樹脂膜以覆蓋凸塊之方式於凸塊間擴展而與凸塊形成面密接，並且覆蓋凸塊的表面、尤其是凸塊形成面的附近部位的表面而將凸塊的基部埋入。此時，較佳係凸塊形成面的凸塊貫通前述樹脂膜，凸塊的頭頂部自前述樹脂膜突出。並且，凸塊形成面具有細微的溝槽之情形時、可藉由前述樹脂膜充分地填充這種溝槽，結果，可藉由保護膜充分地填充溝槽。並且，可抑制保護膜自凹凸面剝離。可獲得這些效果之理由係如上所述。
設置於凸塊形成面且填充於溝槽之樹脂膜，之後，藉由直接以該狀態硬化而最終形成第1保護膜。
本說明書中，將如此設置於半導體晶圓或半導體晶片的凸塊形成面之保護膜稱為「第1保護膜」。並且，將設置於半導體晶圓或半導體晶片中之與凸塊形成面為相反側的面(亦即內面)之保護膜稱為「第2保護膜」。
前述樹脂膜可為熱硬化性以及能量線硬化性之任一種，亦可具有熱硬化性以及能量線硬化性之兩者的特性。
本說明書中，所謂「能量線」，意指具有能量量子之電磁波或帶電粒子束。作為能量線的示例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙氣燈、黑光燈或LED(LightEmitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源而進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等產生之電子束。 另外，本說明書中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。另外，所謂「非硬化性」，意指藉由加熱或能量線之照射等任意方法均不硬化之性質。
前述第1試片為膜狀，前述第1試片之平面形狀為矩形。 第1試片亦可為厚度0.5mm的單層的前述樹脂膜的硬化物，但就製作容易之方面而言，較佳係積層複數片厚度未達0.5mm的單層的前述樹脂膜所構成之積層膜的硬化物。構成前述積層膜之複數片的單層的前述樹脂膜(換言之係複數片的單層的前述樹脂膜的硬化物)的厚度可全部相同，亦可全部皆不同，還可僅一部分相同，但就製作容易之方面而言，較佳為全部相同。
第1試片的TMA係對第1試片的長度15mm的部位進行。為此，第1試片的長度較佳係18mm以上。
第1試片在進行TMA之前，使其溫度自常溫(例如室溫)上升至100℃。理由在於，為了在TMA的開始前消除第1試片之內在的應力。藉此，可更高精度地測定α1。 使第1試片的溫度上升至100℃時的升溫速度較佳係4℃/min至6℃/min，例如亦可為5℃/min。
第1試片使其溫度上升至100℃之後冷卻，使其溫度下降至-75℃。此時，較佳係第1試片在使其溫度上升至100℃之後，不維持該溫度(100℃)而立即冷卻。前述第1試片的冷卻時的降溫速度較佳係4℃/min至6℃/min，例如亦可為5℃/min。
第1試片使其溫度下降至-75℃之後，再加熱使其溫度上升至260℃。此時，較佳係第1試片使其溫度下降至-75℃之後，不維持該溫度(-75℃)而立即加熱。前述第1試片的加熱時的升溫速度較佳係4℃/min至6℃/min，例如亦可為5℃/min。
第1試片的TMA中，若將第1試片的溫度與加熱時間的數據進行圖表化，可觀測到反曲點。當觀測到該反曲點時的第1試片的溫度為玻璃轉移溫度(Tg)。本實施形態中，第1試片的溫度自-75℃至成為與玻璃轉移溫度相同之溫度為止之間所決定之第1試片的線膨脹係數被採用作為α1。並且，第1試片的溫度自與前述玻璃轉移溫度相同之溫度至成為260℃為止之間所決定之第1試片的線膨脹係數被採用作為後述之α2。
α1為65ppm/K以下，較佳係62ppm/K以下，例如可為55ppm/K以下、以及48ppm/K以下之任一種。 α1的下限值並無特別限定。例如α1為20ppm/K以上之前述樹脂膜之製造更為容易。α1可設定在將前述下限值與前述上限值適宜組合之數值範圍內，較佳係20ppm/K至65ppm/K，更佳係20ppm/K至62ppm/K，例如可為20ppm/K至55ppm/K、以及20ppm/K至48ppm/K之任一種。
第1試片的TMA中，測定第1試片的溫度自與前述玻璃轉移溫度相同之溫度至成為260℃為止的第1試片的線膨脹係數α2時，前述α2較佳係成為165ppm/K以下。藉由使得前述樹脂膜除了滿足α1以外亦滿足這種α2的條件，就可充分地填充凹凸面上的細微的溝槽，可抑制保護膜自凹凸面剝離的方面而言，可獲得更高的效果。
α2為165ppm/K以下，較佳為162ppm/K以下，例如亦可為140ppm/K以下、以及120ppm/K以下之任一種。 α2的下限值並無特別限定。例如α2為90ppm/K以上之前述樹脂膜其製造更為容易。α2可設定於將前述下限值與前述上限值適宜組合之數值範圍內，較佳係90ppm/K至165ppm/K，更佳係90ppm/K至162ppm/K，例如亦可為90ppm/K至140ppm/K、以及90ppm/K至120ppm/K之任一種。
作為較佳之前述樹脂膜，例如可列舉α1係65ppm/K以下，較佳係62ppm/K以下，或是55ppm/K以下、以及48ppm/K以下之任一種，且α2係165ppm/K以下，較佳係162ppm/K以下，或是140ppm/K以下、以及120ppm/K以下之任一種。
α1以及α2可藉由調節前述樹脂膜的含有成分的種類或是含量而容易地調節。為此，只要調節用以形成樹脂膜之組成物中的含有成分的種類或是含量即可。例如使用後述之熱硬化性樹脂膜形成用組成物(III)之情形時，藉由調節該組成物中的熱硬化性成分(B)(例如環氧樹脂(B1)以及熱硬化劑(B2))、填充材料(D)等主要含有成分的種類或是含量，可容易地調節α1以及α2。 例如若減低熱硬化性樹脂膜以及前述組成物(III)的熱硬化性成分(B)的含量(例如環氧樹脂(B1)以及熱硬化劑(B2)的總含量)，則α1以及α2容易變小。此外，若增大填充材料(D)的含量，則α1以及α2容易變小。
本實施形態中，較佳係將直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜用作為第2試片，以溫度90℃、頻率1Hz的條件，使前述第2試片產生應變，並測定前述第2試片的儲存彈性模數，設前述第2試片的應變為1%時之前述第2試片的儲存彈性模數為Gc1，設前述第2試片的應變為300%時之前述第2試片的儲存彈性模數為Gc300時，藉由下述式： X＝Gc1/Gc300所算出之X值為19以上至未達10000(19≦X值＜10000)。這種將樹脂膜貼附至凹凸面之情形時，當凹凸面的凸部貫通樹脂膜，前述凸部的上部自前述樹脂膜突出時，於凸部的上部中，樹脂膜的殘留得到抑制。並且，該狀態的樹脂膜的硬化物亦當然地可抑制附著於前述凸部的上部。並且，由於該貼附後的樹脂膜中，自最初的大小外溢得到抑制，故例如樹脂膜自前述凹凸面的外溢得到抑制。並且，在前述樹脂膜以及其硬化物設置於前述凹凸面之狀態下，凹凸面的凸部當中的上部以外的區域(例如凹凸面附近的基部)或是凹凸面的凸部附近的區域意外地未由前述樹脂膜以及其硬化物所覆蓋而露出(亦即所謂之覆蓋闕漏)得到抑制。如此般，藉由前述X值為19以上至未達10000，前述樹脂膜於如下方面具有極其優異的特性：可使凸部露出，並且藉由樹脂膜本身以及其硬化物來被覆凹凸面整體。
進行應變分散測定之前述第2試片為膜狀，前述第2試片的平面形狀為圓形。 第2試片亦可為厚度1mm之單層之前述樹脂膜，但就製作容易之方面而言，較佳為厚度未達1mm之單層之前述樹脂膜積層複數片而構成之積層膜。構成前述積層膜之複數片之單層之前述樹脂膜的厚度可全部相同，亦可全部皆不同，還可僅一部分相同，但就製作容易之方面而言，較佳為全部相同。
本說明書中，所謂「第2試片的儲存彈性模數」，意指「於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm的樹脂膜的第2試片產生應變時，對應於該應變之第2試片的儲存彈性模數」，而並不限於前述Gc1及Gc300。
於將樹脂膜貼附於貼附對象物的凹凸面時，於凹凸面的凸部的上部(於貼附對象物為具有凸塊之半導體晶圓之情形時，為凸塊的上部)欲貫通樹脂膜而突出之中間階段、及於凸部的上部貫通樹脂膜而突出後由樹脂膜將凸部的基部埋入之最後階段中，樹脂膜的應變程度的大為不同。更具體而言，前述中間階段中的樹脂膜的應變大，前述最後階段中的樹脂膜的應變小。 本實施形態的樹脂膜採用Gc1作為應變小時的儲存彈性模數，採用Gc300作為應變大時的儲存彈性模數，以Gc1變高、Gc300變低之方式，將X值(＝Gc1/Gc300)規定為特定範圍，藉此發揮上文說明之優異的效果。
樹脂膜有無殘留於凹凸面的凸部的上部例如可藉由下述方式來確認：針對前述凸部的上部，獲取SEM(Scanning Electron Microscopy；掃描式電子顯微鏡)之攝像資料。 另外，樹脂膜有無自前述凹凸面外溢、及樹脂膜有無於凹凸面上覆蓋闕漏例如可藉由下述方式來確認：針對前述凹凸面上的相應部位，獲取SEM之攝像資料。
前述樹脂膜中，X值係例如可為5000以下、2000以下、1000以下、500以下、300以下、100以下、以及70以下之任一種。 另一方面，就可將凹凸面上的細微的溝槽藉由前述樹脂膜充分地填充之效果更提高之方面而言，X值例如亦可為25以上、30以上、35以上、40以上、45以上以及50以上之任一種。
例如X值亦可為19至5000、19至2000、19至1000、19至500、19至300、19至100、以及19至70之任一種，亦可為25至70、30至70、35至70、40至70、45至70、以及50至70之任一種。
X值為10000以上之其他樹脂膜即便藉由貼附於凹凸面而使得凸部的上部自其他樹脂膜突出，亦未見抑制覆蓋闕漏之效果，其他樹脂膜之硬化物仍維持在產生覆蓋闕漏之狀態。
前述樹脂膜中，Gc1以X值成為19以上至未達10000之值為佳。 並且，如上文所說明，就樹脂膜於凸部的上部之殘留得到抑制之效果、樹脂膜之外溢得到抑制之效果、及樹脂膜及其硬化物之覆蓋闕漏得到抑制之效果均高度發揮之方面而言，Gc1較佳為1×104 至1×106 Pa，更佳為1×105 至7×105 Pa。
前述樹脂膜中，Gc300以X值成為19以上至未達10000之值為佳。 並且，與上述的Gc1的情形相同的理由，Gc300較佳為1Pa至30000Pa，例如亦可為1Pa至5000Pa，亦可為5000Pa至30000Pa。
前述樹脂膜中，較佳係滿足上述全部的條件，亦即，Gc1為1×104 Pa至1×106 Pa，較佳為1×105 Pa至7×105 Pa，且Gc300為1Pa至30000Pa，較佳為1Pa至5000Pa、或是5000Pa至30000Pa。
前述樹脂膜的儲存彈性模數並不限於Gc1及Gc300之情形，可藉由調節樹脂膜的含有成分的種類或含量而容易地調節。為此，只要調節用以形成樹脂膜之組成物中的含有成分的種類或含量即可。例如，於使用後述之熱硬化性樹脂膜形成用組成物(III)之情形時，可藉由調節該組成物中的聚合物成分(A)、填充材料(D)等主要含有成分的種類或含量，或調節流變控制劑、界面活性劑或聚矽氧油等添加劑(I)的種類或含量，而容易地調節樹脂膜的儲存彈性模數。 例如，若使熱硬化性樹脂膜及前述組成物(III)的前述填充材料(D)或添加劑(I)的含量增大，則X值容易變大。
本實施形態的樹脂膜，例如後述般藉由與支撐片積層而構成複合片。
圖1係以示意方式表示本發明的一實施形態的樹脂膜的一例之剖視圖。 此外，為了易於理解本發明的特徵，以下之說明中所使用之圖有時方便起見而將成為要部之部分放大表示，而並不限於各構成要素的尺寸比率等與實際相同。
此處所示之樹脂膜12於樹脂膜12的一面(本說明書中，有時稱為「第1面」)12a上具備第1剝離膜151，於與前述第1面12a為相反側的另一面(本說明書中，有時稱為「第2面」)12b上具備第2剝離膜152。 此種樹脂膜12例如適於以輥狀保存。
樹脂膜12的第1試片的α1為65ppm/K以下。 樹脂膜12的第1試片的α2較佳為165ppm/K以下。樹脂膜12的第2試片的X值較佳為19以上至未達10000。
第1剝離膜151及第2剝離膜152均可為公知的剝離膜。 第1剝離膜151及第2剝離膜152可相互相同，亦可例如自樹脂膜12剝離時所需之剝離力相互不同等相互不同。
圖1所示之樹脂膜12中將第1剝離膜151及第2剝離膜152之任一剝離膜移除所產生之露出面成為對前述凹凸面之貼附面。並且，將第1剝離膜151及第2剝離膜152之剩餘一剝離膜移除所產生之露出面成為用以構成後述之複合片之其他層(例如緩衝層、黏著劑層等)之貼附面。
圖1中顯示了於樹脂膜12的雙面(第1面12a、第2面12b)設置有剝離膜之示例，但剝離膜亦可僅設置於樹脂膜12的任一面，亦即，僅設置於第1面12a或僅設置於第2面12b。
本實施形態的樹脂膜含有樹脂成分，且可含有樹脂成分以外的成分，亦可不含有樹脂成分以外的成分。 作為較佳的樹脂膜，例如可列舉含有樹脂成分、熱硬化性成分、填充材料，且依必要性含有不相當於這些樹脂成分、熱硬化性成分以及填充材料之任一者且具有調節樹脂膜的儲存彈性模數之效果之各種添加劑而成之樹脂膜。
作為具有調節樹脂膜的儲存彈性模數之效果之前述添加劑，例如可列舉：流變控制劑(觸變劑)、界面活性劑、聚矽氧油等。
於將樹脂膜貼附於凹凸面時等貼附於貼附對象物時，樹脂膜自最初的大小外溢之情形時，自上方往下看而俯視該外溢之狀態的樹脂膜，求出將此時的樹脂膜的外周上的不同二點間連結之線段的長度的最大值，進而求出與顯示該最大值之前述線段重疊之位置處的最初(亦即，外溢前)的樹脂膜的寬度的值，自前述線段的長度的最大值減去前述樹脂膜的寬度的值，藉此可算出樹脂膜的外溢量。
圖2係用於以示意方式說明樹脂膜的平面形狀為圓形之情形時的樹脂膜的外溢量之俯視圖。 此外，於圖2以後的圖中，對與既已說明之圖所示相同的構成要素，標附與該已說明之圖之情形相同的符號，並省略該構成要素之詳細說明。
此處所示之樹脂膜101於貼附於貼附對象物102之狀態下成為自最初的大小外溢之狀態。以符號101'所表示的是最初的大小的樹脂膜，為了易於理解外溢量，而以方便的方式表示。最初的樹脂膜101'的平面形狀在此處為圓形，但成為外溢狀態之樹脂膜101的平面形狀為非圓形。但是此為一例，成為外溢狀態之樹脂膜101的平面形狀並不限定於此處所示之形狀。
為了求出樹脂膜101的外溢量，而求出將樹脂膜101的外周1010上的當中一點1010a與此點不同的另一點1010b之間連結之線段的長度D1 的最大值，進而求出與顯示該最大值之前述線段重疊之位置處的最初(亦即，外溢前)的樹脂膜101'的寬度的值D0 即可。D1 與D0 之差(D1 -D0 )成為前述外溢量。 樹脂膜101中之顯示最大值之前述線段有時於俯視下通過最初的樹脂膜101'中的圓的中心，該情形時，與顯示該最大值之前述線段重疊之位置處的最初的樹脂膜101'的寬度的值成為樹脂膜101'的直徑。
此處，參照圖式對樹脂膜的平面形狀為圓形之情形時的樹脂膜的外溢量進行了說明，但於平面形狀為圓形以外之情形時，亦可利用相同的方法算出樹脂膜的外溢量。
無論前述樹脂膜為硬化性及非硬化性之任一種，並且，於為硬化性之情形時，無論為熱硬化性及能量線硬化性之任一種，樹脂膜均可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之複數層所構成。於樹脂膜由複數層所構成之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層的組合並無特別限定。
本說明書中，並不限於前述樹脂膜之情形，所謂「複數層相互可相同亦可不同」，意指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」，進而，所謂「複數層相互不同」，意指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。
無論前述樹脂膜為熱硬化性及能量線硬化性之任一種，前述樹脂膜的厚度均較佳為1μm至100μm，更佳為5μm至80μm，尤佳為5μm至60μm。藉由樹脂膜的厚度為前述下限值以上，樹脂膜所發揮之效果變得更高。例如，於使用樹脂膜形成保護膜之情形時，能夠形成保護能力更高之保護膜。另一方面，藉由樹脂膜的厚度為前述上限值以下，可抑制厚度過厚。 此處，所謂「樹脂膜的厚度」，意指樹脂膜整體的厚度，例如所謂由複數層所構成之樹脂膜的厚度，意指構成樹脂膜之全部層的合計厚度。
[樹脂膜形成用組成物] 前述樹脂膜可使用含有前述樹脂膜的構成材料之樹脂膜形成用組成物而形成。例如，前述樹脂膜可藉由於前述樹脂膜的形成對象面塗敷樹脂膜形成用組成物，並視需要使之乾燥而形成。樹脂膜形成用組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與樹脂膜中的前述成分彼此的含量之比率相同。本說明書中，所謂「常溫」，意指不特別冷或特別熱的溫度，亦即平常的溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
熱硬化性樹脂膜可使用熱硬化性樹脂膜形成用組成物而形成，能量線硬化性樹脂膜可使用能量線硬化性樹脂膜形成用組成物而形成。此外，本說明書中，於樹脂膜具有熱硬化性及能量線硬化性之雙方特性之情形時，當對於樹脂膜之硬化(例如保護膜之形成)而言，樹脂膜之熱硬化之貢獻大於能量線硬化之貢獻之情形時，將樹脂膜視為熱硬化性之膜。相反地，當對於樹脂膜之硬化而言，樹脂膜之能量線硬化之貢獻大於熱硬化之貢獻之情形時，將樹脂膜視為能量線硬化性之膜。
前述樹脂膜中，樹脂膜中的1種或2種以上之後述之含有成分的合計含量相對於樹脂膜的總質量之比率不超過100質量%。 同樣地，樹脂膜形成用組成物中，樹脂膜形成用組成物中的1種或2種以上之後述之含有成分的合計含量相對於樹脂膜形成用組成物的總質量之比率不超過100質量%。
利用公知的方法塗敷樹脂膜形成用組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、Meyer棒式塗佈機、輕觸式塗佈機等。
無論前述樹脂膜為熱硬化性及能量線硬化性之任一種，樹脂膜形成用組成物的乾燥條件均無特別限定。但是，於樹脂膜形成用組成物含有後述溶媒之情形時，較佳為進行加熱乾燥。並且，含有溶媒之樹脂膜形成用組成物例如較佳為於70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行加熱乾燥。但是，熱硬化性樹脂膜形成用組成物較佳為以該組成物本身、及由該組成物所形成之熱硬化性樹脂膜不會熱硬化之方式來進行加熱乾燥。
以下，對熱硬化性樹脂膜及能量線硬化性樹脂膜進一步詳細地進行說明。
◎熱硬化性樹脂膜 關於使熱硬化性樹脂膜硬化而成為硬化物時、尤其是形成保護膜時的硬化條件，只要前述硬化物成為充分地發揮前述硬化物的功能之程度的硬化度，則並無特別限定，根據熱硬化性樹脂膜的種類、前述硬化物的用途等適宜選擇即可。例如，於形成保護膜之情形時，熱硬化性樹脂膜硬化時的加熱溫度較佳為100℃至200℃，更佳為110℃至170℃，尤佳為120℃至150℃。並且，前述熱硬化時的加熱時間較佳為0.5小時至5小時，更佳為0.5小時至4小時，尤佳為1小時至4小時。並且，熱硬化性樹脂膜可一面加壓一面硬化，該情形的加壓壓力較佳為0.1MPa至1MPa。
[熱硬化性樹脂膜形成用組成物] 作為熱硬化性樹脂膜形成用組成物，例如可列舉含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、及填充材料(D)之熱硬化性樹脂膜形成用組成物(III)(本說明書中，有時簡稱為「組成物(III)」)等。
[聚合物成分(A)] 聚合物成分(A)係用以對熱硬化性樹脂膜賦予造膜性及可撓性等之聚合物化合物。此外，本說明書中，聚合物化合物中亦包括縮聚反應之產物。組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之聚合物成分(A)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些聚合物成分(A)的組合及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(A)，例如可列舉：聚乙烯醇縮醛、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚矽氧樹脂、飽和聚酯樹脂等。 這些之中，聚合物成分(A)較佳為聚乙烯醇縮醛。
作為聚合物成分(A)中的前述聚乙烯醇縮醛，可列舉公知的聚乙烯醇縮醛。 其中，作為較佳的聚乙烯醇縮醛，例如可列舉聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯醇縮丁醛等，更佳為聚乙烯醇縮丁醛。作為聚乙烯醇縮丁醛，可列舉具有下述式(i)-1、式(i)-2及式(i)-3所表示之構成單元之聚乙烯醇縮丁醛。
[化1]
Figure 02_image001
(式中，l、m及n分別獨立地為1以上之整數)
聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量(Mw)較佳為5000至200000，更佳為8000至100000。藉由聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量為此種範圍，下述效果均變得更高：於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，充分地填充凹凸面上的細微的溝槽，並抑制保護膜自凹凸面剝離之效果(例如將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凸塊形成面時，充分地填充凸塊形成面上的細微的溝槽並抑制保護膜自凸塊形成面剝離之效果。以下相同)；於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凹凸面的凸部的上部之殘留之效果(例如，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凸塊形成面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凸塊的上部之殘留之效果。以下相同)；抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面自最初的大小之外溢之效果(例如，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凸塊形成面時，抑制熱硬化性樹脂膜於凸塊形成面自最初的大小之外溢之效果。以下相同)；以及，抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果(例如，於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凸塊形成面時，抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於凸塊形成面上之覆蓋闕漏之效果。以下相同)。
本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則意指藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法所測定之聚苯乙烯換算值。
聚乙烯醇縮醛的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為40℃至80℃，更佳為50℃至70℃。藉由聚乙烯醇縮醛的Tg為此種範圍，以下之效果變得更高：於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，充分地填充凹凸面上的細微的溝槽而抑制保護膜自凹凸面剝離之效果；抑制熱硬化性樹脂膜在前述凹凸面的凸部的上部殘留之效果；抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果；以及，抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果。
構成聚乙烯醇縮醛之3種以上之單體之比率可任意選擇。
作為聚合物成分(A)中的前述丙烯酸樹脂，可列舉公知的丙烯酸聚合物。 丙烯酸樹脂的重量平均分子量(Mw)較佳為5000至1000000，更佳為8000至800000。藉由丙烯酸樹脂的重量平均分子量為此種範圍，以下效果變得更高：於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，充分地填充凹凸面上的細微的溝槽而抑制保護膜自凹凸面剝離之效果；抑制熱硬化性樹脂膜在前述凹凸面的凸部的上部殘留之效果；抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果；及抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果。
丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-50℃至70℃，更佳為-30℃至60℃。藉由丙烯酸樹脂的Tg為此種範圍，以下的效果變得更高：於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，充分地填充凹凸面上的細微的溝槽而抑制保護膜自凹凸面剝離之效果；抑制熱硬化性樹脂膜在前述凹凸面的凸部的上部殘留之效果；抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果；以及，抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果。
於丙烯酸樹脂具有2種以上之構成單元之情形時，該丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)可使用Fox公式而算出。作為此時所使用之衍生前述構成單元之單體的Tg，可使用高分子資料手冊或黏著手冊中所記載之值。
構成丙烯酸樹脂之單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些單體的組合及比率可任意選擇。
作為丙烯酸樹脂，例如可列舉：1種或2種以上之(甲基)丙烯酸酯之聚合物；選自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等中的2種以上之單體之共聚物；1種或2種以上之(甲基)丙烯酸酯與選自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等中的1種或2種以上之單體之共聚物等。
本說明書中，「(甲基)丙烯酸」的概念包括「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似的用語亦相同，例如「(甲基)丙烯酸酯」的概念包括「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者，「(甲基)丙烯醯基」的概念包括「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者。
作為構成丙烯酸樹脂之前述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數為1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯；(甲基)丙烯醯亞胺；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等含取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「取代胺基」，意指胺基的1個或2個氫原子被氫原子以外的基取代而成之基。
丙烯酸樹脂亦可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等可與其他化合物鍵結之官能基。丙烯酸樹脂的前述官能基可經由後述之交聯劑(F)與其他化合物鍵結，亦可不經由交聯劑(F)而與其他化合物直接鍵結。藉由丙烯酸樹脂經由前述官能基與其他化合物鍵結，例如有使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性提高之傾向。
組成物(III)中，無論聚合物成分(A)的種類如何，聚合物成分(A)的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比率(亦即，熱硬化性樹脂膜中的聚合物成分(A)的含量相對於熱硬化性樹脂膜的總質量之比率)均較佳為5質量%至35質量%，更佳為5質量%至27質量%。
[熱硬化性成分(B)] 熱硬化性成分(B)係具有熱硬化性，且用以使熱硬化性樹脂膜熱硬化而形成硬質之硬化物之成分。組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之熱硬化性成分(B)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些熱硬化性成分(B)的組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化性成分(B)，例如可列舉：環氧系熱硬化性樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。 這些之中，熱硬化性成分(B)較佳為環氧系熱硬化性樹脂。
[環氧系熱硬化性樹脂] 環氧系熱硬化性樹脂由環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)所構成。組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些環氧系熱硬化性樹脂的組合及比率可任意選擇。
・環氧樹脂(B1) 作為環氧樹脂(B1)，可列舉公知的環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。
環氧樹脂(B1)亦可為具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂相較於不具有不飽和烴基之環氧樹脂而言，與丙烯酸樹脂之相容性較高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如有使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性提高之傾向。
作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂的一部分環氧基變換為具有不飽和烴基之基而成之化合物。此種化合物例如藉由使(甲基)丙烯酸或其衍生物與環氧基進行加成反應而獲得。 另外，作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉：於構成環氧樹脂之芳香環等直接鍵結有具有不飽和烴基之基之化合物等。不飽和烴基為具有聚合性之不飽和基，作為該不飽和烴基的具體例，可列舉：次乙基(乙烯基)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯胺基等，較佳為丙烯醯基。
環氧樹脂(B1)的數量平均分子量並無特別限定，就熱硬化性樹脂膜的硬化性、以及熱硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的強度及耐熱性之方面而言，較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。 環氧樹脂(B1)的環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為100g/eq至600g/eq。
環氧樹脂(B1)可單獨使用1種，亦可併用2種以上，於併用2種以上之情形時，這些環氧樹脂(B1)的組合及比率可任意選擇。
・熱硬化劑(B2) 熱硬化劑(B2)發揮作為針對環氧樹脂(B1)之硬化劑之功能。作為熱硬化劑(B2)，例如可列舉：1分子中具有2個以上之可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，例如可列舉：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(B2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。 作為熱硬化劑(B2)中具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉雙氰胺(以下，有時簡稱為「DICY」)等。
熱硬化劑(B2)亦可具有不飽和烴基。 作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(B2)，例如可列舉：酚樹脂的一部分羥基由具有不飽和烴基之基取代而成之化合物、於酚樹脂的芳香環上直接鍵結具有不飽和烴基之基而成之化合物等。熱硬化劑(B2)中的前述不飽和烴基與上述之具有不飽和烴基之環氧樹脂中的不飽和烴基相同。
熱硬化劑(B2)中，例如多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等樹脂成分的數量平均分子量較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。 熱硬化劑(B2)中，例如聯苯酚、雙氰胺等非樹脂成分的分子量並無特別限定，例如較佳為60至500。
熱硬化劑(B2)可單獨使用1種，亦可併用2種以上，於併用2種以上之情形時，這些熱硬化劑(B2)的組合及比率可任意選擇。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中，熱硬化劑(B2)的含量相對於環氧樹脂(B1)的含量100質量份，較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份，例如可為5質量份至150質量份、10質量份至100質量份、及15質量份至75質量份之任一種。藉由熱硬化劑(B2)的前述含量為前述下限值以上，熱硬化性樹脂膜變得更容易進行硬化。藉由熱硬化劑(B2)的前述含量為前述上限值以下，熱硬化性樹脂膜的吸濕率降低，例如使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性進一步提高。
組成物(III)中，熱硬化性成分(B)的含量相對於溶媒以外的所有成分的總含量(例如環氧樹脂(B1)以及熱硬化劑(B2)的總含量)的比率(亦即，熱硬化性樹脂膜中之熱硬化性成分(B)的含量相對於熱硬化性樹脂膜的總質量之比率)較佳為10質量%至75質量%，更佳為15質量%至70質量%，例如可為15質量%至50質量%、以及15質量%至30質量%之任一種，亦可為35質量%至70質量%、以及55質量%至70質量%之任一種。藉由前述比率為這種範圍，以下的效果變得更高：於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，充分地填充凹凸面上的細微的溝槽而抑制保護膜自凹凸面剝離之效果；抑制熱硬化性樹脂膜在前述凹凸面的凸部的上部殘留之效果；抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果；以及，抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果；且能夠形成硬質之硬化物(例如保護膜)。尤其是前述比率變得越低，前述α1以及α2可更容易變小。 進而，就更顯著地獲得此種效果之方面而言，熱硬化性成分(B)的含量可根據聚合物成分(A)的種類而適宜調節。
[填充材料(D)] 藉由調節組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中的填充材料(D)的量，能夠更容易地調節前述α1、α2以及X值。例如，藉由調節組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中的填充材料(D)的量，能夠更容易地調節熱硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的線膨脹係數，例如藉由使保護膜(例如第1保護膜)的線膨脹係數對於保護膜之形成對象物而言最適化，使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性進一步提高。另外，藉由使用含有填充材料(D)之熱硬化性樹脂膜，亦能夠降低熱硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)的吸濕率或提高散熱性。
填充材料(D)可為有機填充材料及無機填充材料之任一種，較佳為無機填充材料。 作為較佳的無機填充材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材料球形化而成之珠粒；這些無機填充材料的表面改質品；這些無機填充材料的單晶纖維；玻璃纖維等。這些之中，無機填充材料較佳為二氧化矽或氧化鋁。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之填充材料(D)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些填充材料(D)的組合及比率可任意選擇。
組成物(III)中，填充材料(D)的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比率(亦即，熱硬化性樹脂膜中的填充材料(D)的含量相對於熱硬化性樹脂膜的總質量之比率)較佳為10質量%至65質量%，更佳為15質量%至55質量%，例如可為15質量%至40質量%、以及15質量%至30質量%之任一種，亦可為30質量%至55質量%、以及40質量%至55質量%之任一種。藉由前述比率為此種範圍，以下的效果變得更高：於將熱硬化性樹脂膜貼附於前述凹凸面時，充分地填充凹凸面上的細微的溝槽而抑制保護膜自凹凸面剝離之效果；抑制熱硬化性樹脂膜在前述凹凸面的凸部的上部殘留之效果；抑制熱硬化性樹脂膜於前述凹凸面之外溢之效果；以及，抑制熱硬化性樹脂膜及其硬化物於前述凹凸面上之覆蓋闕漏之效果；並且能夠更容易地調節上述線膨脹係數。尤其是前述比率越高，則前述α1以及α2可更容易變小。
[添加劑(I)] 組成物(III)以及熱硬化性樹脂膜亦可含有添加劑(I)。作為添加劑(I)，例如可列舉用以調整前述X值之成分。其中，就能夠更容易地調節前述X值之方面而言較佳之添加劑(I)，例如可列舉：流變控制劑、界面活性劑、聚矽氧油等。
更具體而言，作為前述流變控制劑，例如可列舉：聚羥基羧酸酯、多元羧酸、聚醯胺樹脂等。 作為前述界面活性劑，例如可列舉：改質矽氧烷、丙烯酸聚合物等。作為前述聚矽氧油，例如可列舉：芳烷基改質聚矽氧油、改質聚二甲基矽氧烷等，作為改質基，可列舉：芳烷基；羥基等極性基；乙烯基、苯基等具有不飽和鍵之基。
作為添加劑(I)，除上述以外，例如亦可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、吸氣劑(gettering agent)、紫外線吸收劑、黏著賦予劑等其他各種通用添加劑。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之添加劑(I)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些添加劑(I)的組合及比率可任意選擇。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中的添加劑(I)的含量並無特別限定，可根據該添加劑(I)的種類或目的而適宜調節。 例如，於以調節前述X值為目的之情形時，組成物(III)中，添加劑(I)的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比率(亦即，熱硬化性樹脂膜中的添加劑(I)的含量相對於熱硬化性樹脂膜的總質量之比率)較佳為0.5質量%至10質量%，更佳為0.5質量%至7質量%，進而較佳為0.5質量%至5質量%。
[硬化促進劑(C)] 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜亦可含有硬化促進劑(C)。硬化促進劑(C)係用以調整組成物(III)的硬化速度之成分。作為較佳的硬化促進劑(C)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、三(二甲胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等咪唑類(1個以上之氫原子由氫原子以外的基取代而成之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(1個以上之氫原子由有機基取代而成之膦)；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦等四苯基硼鹽等。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之硬化促進劑(C)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些硬化促進劑(C)的組合及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(C)之情形時，組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中，硬化促進劑(C)的含量相對於熱硬化性成分(B)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份。藉由硬化促進劑(C)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得由使用硬化促進劑(C)所帶來之效果。藉由硬化促進劑(C)的前述含量為前述上限值以下，例如抑制高極性之硬化促進劑(C)於高溫、高濕度條件下在熱硬化性樹脂膜中朝熱硬化性樹脂膜與被接著體之接著界面側移動而偏析之效果變高，例如使用熱硬化性樹脂膜所獲得之封裝體的可靠性進一步提高。
[偶合劑(E)] 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜亦可含有偶合劑(E)。藉由使用具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基之化合物作為偶合劑(E)，能夠提高熱硬化性樹脂膜對被接著體之接著性及密接性。另外，藉由使用偶合劑(E)，熱硬化性樹脂膜之硬化物(例如保護膜)在不損害耐熱性的前提下提高耐水性。
偶合劑(E)較佳為具有可與聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)等所具有之官能基反應之官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。 作為較佳的前述矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之偶合劑(E)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些偶合劑(E)的組合及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(E)之情形時，組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中，偶合劑(E)的含量相對於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)的總含量100質量份，較佳為0.03質量份至10質量份，更佳為0.05質量份至6質量份，尤佳為0.1質量份至3質量份。藉由偶合劑(E)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得如下之由使用偶合劑(E)所帶來之效果：填充材料(D)於樹脂中之分散性提高，或熱硬化性樹脂膜與被接著體之接著性提高等。藉由偶合劑(E)的前述含量為前述上限值以下，可進一步抑制產生逸氣。
[交聯劑(F)] 於使用具有可與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基之成分作為聚合物成分(A)之情形時，組成物(III)及熱硬化性樹脂膜亦可含有交聯劑(F)。交聯劑(F)係用以使聚合物成分(A)中的前述官能基與其他化合物鍵結而進行交聯之成分，藉由如此進行交聯，能夠調節熱硬化性樹脂膜的起始接著力及凝聚力。
作為交聯劑(F)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，例如可列舉：芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物及脂環族多元異氰酸酯化合物(以下，有時將這些化合物統一簡稱為「芳香族多元異氰酸酯化合物等」)；前述芳香族多元異氰酸酯化合物等之三聚物、異氰脲酸酯體及加合物；使前述芳香族多元異氰酸酯化合物等與多元醇化合物反應而獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。前述「加合物」意指前述芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物或脂環族多元異氰酸酯化合物與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等含低分子活性氫之化合物之反應物。作為前述加合物的示例，可列舉如後述之三羥甲基丙烷之苯二甲基二異氰酸酯加成物等。另外，所謂「末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物」，意指具有胺基甲酸酯鍵，並且於分子的末端部具有異氰酸酯基之預聚物。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，更具體而言，例如可列舉：2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-苯二甲基二異氰酸酯；1,4-苯二甲基二異氰酸酯；二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯；於三羥甲基丙烷等多元醇的全部或一部分羥基加成了甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯及苯二甲基二異氰酸酯之任1種或2種以上而成之化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多元亞胺化合物，例如可列舉：N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶甲醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
於使用有機多元異氰酸酯化合物作為交聯劑(F)之情形時，作為聚合物成分(A)，較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑(F)具有異氰酸酯基、聚合物成分(A)具有羥基之情形時，藉由交聯劑(F)與聚合物成分(A)之反應，能夠將交聯結構簡便地導入至熱硬化性樹脂膜中。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之交聯劑(F)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些交聯劑(F)的組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑(F)之情形時，組成物(III)中，交聯劑(F)的含量相對於聚合物成分(A)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.5質量份至5質量份。藉由交聯劑(F)的前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得由使用交聯劑(F)所帶來之效果。藉由交聯劑(F)的前述含量為前述上限值以下，可抑制使用過量的交聯劑(F)。
[其他成分] 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有不相當於上述之聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材料(D)、添加劑(I)、硬化促進劑(C)、偶合劑(E)、及交聯劑(F)之任一種成分之其他成分。作為前述其他成分，例如可列舉能量線硬化性樹脂、光聚合起始劑等。
組成物(III)及熱硬化性樹脂膜所含有之前述其他成分可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他成分的組合及比率可任意選擇。 組成物(III)及熱硬化性樹脂膜中的前述其他成分的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
[溶媒] 組成物(III)較佳為進而含有溶媒。含有溶媒之組成物(III)的操作性良好。前述溶媒並無特別限定，作為較佳的溶媒，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。組成物(III)所含有之溶媒可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些溶媒的組合及比率可任意選擇。
作為組成物(III)所含有之更佳的溶媒，例如就能夠將組成物(III)中的含有成分更均勻地混合之方面而言，可列舉甲基乙基酮等。
組成物(III)中的溶媒的含量並無特別限定，例如根據溶媒以外的成分的種類適宜選擇即可。
[熱硬化性樹脂膜形成用組成物之製造方法] 組成物(III)等熱硬化性樹脂膜形成用組成物可藉由調配用以構成該組成物之各成分而獲得。調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下之公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
◎能量線硬化性樹脂膜 關於使能量線硬化性樹脂膜硬化而成為硬化物時、尤其是形成保護膜時的硬化條件，只要前述硬化物成為充分地發揮前述硬化物的功能之程度的硬化度，則並無特別限定，根據能量線硬化性樹脂膜的種類、前述硬化物的用途等適宜選擇即可。例如，於形成保護膜之情形時，能量線硬化性樹脂膜硬化時的能量線的照度較佳為180mW/cm2 至280mW/cm2 。並且，前述硬化時的能量線的光量較佳為450mJ/cm2 至1000mJ/cm2 。
[能量線硬化性樹脂膜形成用組成物] 作為能量線硬化性樹脂膜形成用組成物，例如可列舉含有能量線硬化性成分(a)之能量線硬化性樹脂膜形成用組成物(IV)(本說明書中，有時簡稱為「組成物(IV)」)等。
能量線硬化性成分(a)係藉由照射能量線而硬化之成分，且該成分用以對能量線硬化性樹脂膜賦予造膜性及可撓性等。 能量線硬化性成分(a)較佳為未硬化，且較佳為具有黏著性，更佳為未硬化且具有黏著性。
組成物(IV)以及能量線硬化性樹脂膜亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有不相當於能量線硬化性成分(a)之其他成分。
組成物(IV)以及能量線硬化性樹脂膜所含有之能量線硬化性成分(a)以及前述其他成分可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些成分的組合及比率可任意選擇。
組成物(IV)以及能量線硬化性樹脂膜的能量線硬化性成分(a)以及前述其他成分的含量並無特別限定，例如根據這些成分的種類適宜選擇即可。
組成物(IV)較佳為進而含有溶媒。含有溶媒之組成物(IV)的操作性變得良好。 作為組成物(IV)所含有之溶媒，例如可列舉與上文說明之組成物(III)所含有之溶媒相同的溶媒。組成物(IV)所含有之溶媒可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些溶媒的組合及比率可任意選擇。組成物(IV)中的溶媒的含量並無特別限定，例如根據溶媒以外的成分的種類適宜選擇即可。
[能量線硬化性樹脂膜形成用組成物之製造方法] 組成物(IV)等能量線硬化性樹脂膜形成用組成物可藉由調配用以構成該組成物之各成分而獲得。關於能量線硬化性樹脂膜形成用組成物，例如除了調配成分的種類不同之方面以外，可利用與上文說明之熱硬化性樹脂膜形成用組成物之情形相同的方法來製造。
作為本實施形態的較佳的樹脂膜的一例，可列舉以下之熱硬化性的樹脂膜：前述α1為65ppm/K以下、62ppm/K以下、55ppm/K以下、以及48ppm/K以下之任一種；前述α2為165ppm/K以下、162ppm/K以下、140ppm/K以下、以及120ppm/K以下之任一種；前述樹脂膜係含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)以及填充材料(D)；於前述樹脂膜中前述熱硬化性成分(B)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至75質量%、以及15質量%至70質量%之任一種；於前述樹脂膜中，前述填充材料(D)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至65質量%、以及15質量%至55質量%之任一種；其中，於前述樹脂膜中，前述聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)以及填充材料(D)的合計含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率不超過100質量%。
作為本實施形態的較佳的樹脂膜的另一例，可列舉以下之熱硬化性的樹脂膜：前述α1為65ppm/K以下、62ppm/K以下、55ppm/K以下、以及48ppm/K以下之任一種；前述X值為19以上至未達10000、19至5000、19至2000、19至1000、19至500、19至300、19至100、以及19至70之任一種；前述樹脂膜係含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材料(D)以及添加劑(I)；於前述樹脂膜中，前述熱硬化性成分(B)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至75質量%、以及15質量%至70質量%之任一種；於前述樹脂膜中，前述添加劑(I)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為0.5質量%至10質量%、0.5質量%至7質量%、以及0.5質量%至5質量%之任一種；其中，前述樹脂膜中，前述聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材料(D)以及添加劑(I)的合計含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率不超過100質量%。
作為本實施形態的較佳的樹脂膜的又一例，可列舉以下的熱硬化性的樹脂膜：前述α1為65ppm/K以下、62ppm/K以下、55ppm/K以下、以及48ppm/K以下之任一種；前述α2為165ppm/K以下、162ppm/K以下、140ppm/K以下、以及120ppm/K以下之任一種；前述X值為19以上至未達10000、19至5000、19至2000、19至1000、19至500、19至300、19至100、以及19至70之任一種；前述樹脂膜係含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材料(D)以及添加劑(I)；於前述樹脂膜中，前述熱硬化性成分(B)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至75質量%、以及15質量%至70質量%之任一種；於前述樹脂膜中，前述填充材料(D)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至65質量%、以及15質量%至55質量%之任一種；於前述樹脂膜中，前述添加劑(I)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為0.5質量%至10質量%、0.5質量%至7質量%、以及0.5質量%至5質量%之任一種；其中，於前述樹脂膜中，前述聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材料(D)以及添加劑(I)的合計含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率不超過100質量%。
◇複合片 本發明的一實施形態之複合片，係具備：支撐片、以及設置於前述支撐片其中一面上之樹脂膜；前述樹脂膜係上述的本發明的一實施形態之樹脂膜。藉由使用本實施形態的複合片，如上文所說明，可獲得如下優異的效果：能夠將前述樹脂膜良好地貼附於前述樹脂膜之貼附對象物的凹凸面，此時，可充分地填充凹凸面上的細微的溝槽，並可抑制保護膜自凹凸面剝離。
本說明書中，於將前述樹脂膜用於形成前述第1保護膜之情形時，將前述複合片稱為「第1保護膜形成用片」，將第1保護膜形成用片中的前述支撐片稱為「第1支撐片」。 另一方面，為了於半導體晶圓或半導體晶片中之與凸塊形成面為相反側的面(內面)設置第2保護膜，而使用具備用以形成第2保護膜之第2保護膜形成用膜而構成之第2保護膜形成用片。作為第2保護膜形成用片，例如可列舉具備切割片、及設置於前述切割片上之第2保護膜形成用膜而構成之片。於切割片具備與前述支撐片相同的支撐片之情形時，將該支撐片稱為「第2支撐片」。同樣地，例如於第1支撐片具備基材、黏著劑層之情形時，將這些稱為「第1基材」、「第1黏著劑層」，於第2支撐片具備基材、黏著劑層之情形時，將這些稱為「第2基材」、「第2黏著劑層」。
圖3係以示意方式表示本實施形態的複合片的一例之剖視圖。 此處所示之複合片1係具備支撐片10、設置於支撐片10其中一面(本說明書中有時稱為「第1面」)10a上之樹脂膜12而構成。支撐片10係具備基材11、設置於基材11其中一面(本說明書中有時稱為「第1面」)11a上之緩衝層13、設置於緩衝層13中之與基材11側為相反側的面(本說明書中有時稱為「第1面」)13a上之黏著劑層14而構成。亦即，複合片1係基材11、緩衝層13、黏著劑層14、樹脂膜12依序於這些層的厚度方向積層而構成。黏著劑層14係支撐片10其中一個(樹脂膜12側)的最表層，黏著劑層14當中與緩衝層13側為相反側的面(本說明書中有時稱為「第1面」)14a係與支撐片10的第1面10a相同。
複合片1中，緩衝層13與黏著劑層14之任一者皆配置在基材11與樹脂膜12之間。
樹脂膜12係上述的本發明的一實施形態之樹脂膜。 樹脂膜12中之與緩衝層13側為相反側的面(第1面)12a係樹脂膜12(換言之即複合片1)對前述凹凸面之貼附面。
本實施形態的複合片並不限定於圖3所示之複合片，亦可在無損本發明的效果之範圍內，於圖3所示之複合片中變更、刪除或追加一部分構成。
例如作為本實施形態的複合片中之支撐片，除了上述具備基材、緩衝層以及黏著劑層而構成之支撐片以外，可列舉如僅以基材而構成之支撐片；具備基材、設置於前述基材其中一面上之黏著劑層而構成之支撐片；具備基材、設置於前述基材其中一面上之緩衝層而構成之支撐片。 支撐片具備基材與黏著劑層之情形時，於前述複合片中，黏著劑層係配置於基材與前述樹脂膜之間。支撐片具備基材與緩衝層之情形時，於前述複合片中，緩衝層係配置於基材與前述樹脂膜之間。這些當中，作為支撐片更佳係上述具備基材、緩衝層以及黏著劑層而構成之支撐片。
例如本實施形態的複合片中，亦可於支撐片(如圖3所示之複合片1中之支撐片10)之基材(如圖3所示之複合片1中之基材11)與緩衝層(如圖3所示之複合片1中之緩衝層13)之間具備密接層。 前述密接層使基材及緩衝層的密接性提高，於複合片中高度地抑制基材及緩衝層之剝離。因此，具備密接層之複合片在使用時能夠更穩定地維持基材、密接層及緩衝層之積層結構。密接層為片狀或膜狀。作為較佳的密接層，例如可列舉含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂(EVA；ethylene vinyl acetate copolymer)等之層。
例如，本實施形態的複合片亦可於與基材為相反側的最表層(如圖3所示之複合片1中之樹脂膜12)上具備剝離膜。 其次，對構成本實施形態的複合片之各層進行說明。
◎基材 前述基材為片狀或膜狀，作為前述基材的構成材料，例如可列舉各種樹脂。作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE；lowdensitypolyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；linearlowdensitypolyethylene)、高密度聚乙烯(HDPE；highdensitypolyethylene)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯樹脂等聚乙烯以外的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體所獲得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體所獲得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚-2,6-萘二羧酸乙二酯、全部構成單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；2種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸脂；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之混合物等聚合物合金。前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之聚合物合金較佳為聚酯以外的樹脂的量為相對較少量。另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉：至此為止所例示之前述樹脂之1種或2種以上交聯而成之交聯樹脂；使用至此為止所例示之前述樹脂之1種或2種以上之離子聚合物等改質樹脂。
構成基材之樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些樹脂的組合及比率可任意選擇。
基材可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之複數層，於為複數層之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層的組合並無特別限定。
基材的厚度較佳為5μm至1000μm，更佳為10μm至500μm，進而較佳為15μm至300μm，尤佳為20μm至180μm。 此處，所謂「基材的厚度」，意指基材整體的厚度，例如所謂由複數層所構成之基材的厚度，意指構成基材之全部層的合計厚度。
基材較佳為厚度精度高，亦即無論部位如何厚度不均皆得到抑制之基材。作為上述構成材料中能夠用於構成此種厚度精度高之基材之材料，例如可列舉：聚乙烯、聚乙烯以外的聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材中，除前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填充材料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。
基材可為透明，亦可為不透明，亦可根據目的而著色，亦可蒸鍍其他層。 於前述樹脂膜為能量線硬化性之情形時，基材較佳為使能量線穿透。
基材可利用公知的方法進行製造。例如，含有樹脂之基材可藉由將含有前述樹脂之樹脂組成物成形而進行製造。
◎緩衝層 緩衝層為片狀或是膜狀，對於施加在緩衝層及與緩衝層鄰接之層之力具有緩衝作用。此處作為「與緩衝層鄰接之層」，例如可列舉前述樹脂膜、相當於前述樹脂膜之硬化物之層(例如第1保護膜等保護膜)、及黏著劑層。
緩衝層的構成材料並無特別限定。
作為較佳的緩衝層，例如可列舉含有(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等之層。
與上述之前述樹脂膜之情形同樣地，較佳為於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之緩衝層之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gb300時，Gb300為Gc300以上(Gb300≧Gc300)。藉由使用滿足此種條件之前述複合片，將前述樹脂膜貼附於凹凸面，使得凹凸面的凸部(例如半導體晶圓的凸塊)的上部更容易貫通樹脂膜。
如上所述，更佳為使緩衝層之試片在0.01%至1000%之範圍內產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數Gb，使前述樹脂膜之試片在0.01%至1000%之範圍內產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數Gc，比較應變相同之情形時的Gb與Gc時，在應變為0.01%至1000%之整個範圍內，Gb為Gc以上(Gb≧Gc)，進而較佳為在應變為10%至1000%之整個範圍內，Gb為Gc以上。藉由使用滿足此種條件之前述複合片，將前述樹脂膜貼附於凹凸面，使得凹凸面的凸部(例如半導體晶圓的凸塊)的上部更容易貫通樹脂膜。
緩衝層可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之複數層所構成，於由複數層所構成之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層的組合並無特別限定。
緩衝層的厚度較佳為150μm至1000μm，更佳為150μm至800μm，進而較佳為200μm至600μm，尤佳為250μm至500μm。 此處，所謂「緩衝層的厚度」，意指緩衝層整體的厚度，例如所謂由複數層所構成之緩衝層的厚度，意指構成緩衝層之全部層的合計厚度。
[緩衝層形成用組成物] 緩衝層可使用含有前述樹脂等緩衝層的構成材料之緩衝層形成用組成物而形成。例如，對於緩衝層之形成對象面，將緩衝層形成用組成物進行擠出成形，藉此能夠於目標部位形成緩衝層。緩衝層之更具體之形成方法將與其他層之形成方法一起於後文詳細地進行說明。緩衝層形成用組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與緩衝層中的前述成分彼此的含量之比率相同。
[緩衝層形成用組成物(V)] 作為緩衝層形成用組成物，例如可列舉含有(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯之緩衝層形成用組成物(V)等。
緩衝層形成用組成物(V)及緩衝層中的(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯的含量較佳為80質量%至100質量%。
[其他成分] 緩衝層形成用組成物(V)及緩衝層亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯以外的其他成分。作為前述其他成分，並無特別限定，可根據目的適宜選擇。
緩衝層形成用組成物(V)及緩衝層所含有之前述其他成分可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他成分的組合及比率可任意選擇。 緩衝層形成用組成物(V)及緩衝層中的前述其他成分的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
◎黏著劑層 黏著劑層為片狀或是膜狀，且含有黏著劑。作為前述黏著劑，例如可列舉丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等的黏著性樹脂，較佳為丙烯酸樹脂。
本說明書中，「黏著性樹脂」係包括具有黏著性之樹脂、及具有接著性之樹脂兩者。例如前述黏著性樹脂不僅包含樹脂本身具有黏著性者，亦包括藉由併用添加劑等的其他成分而表現黏著性之樹脂、或因著熱或是水等的觸發因子(trigger)的存在而表現接著性之樹脂等。
黏著劑層可僅由1層(單層)所構成，亦可由2層以上的複數層所構成，由複數層所構成之情形時，這些複數層相互可相同亦可不同，這些複數層的組合並無特別限定。
黏著劑層的厚度較佳為10μm至180μm，更佳為30μm至120μm，尤佳為40μm至80μm。藉由黏著劑層的厚度為前述下限值以上，可更顯著地獲得設置黏著劑層之效果。藉由黏著劑層的厚度為前述上限值以下，可將支撐片進行薄層化。 此處，所謂「黏著劑層的厚度」意指黏著劑層整體的厚度，例如所謂由複數層所構成之黏著劑層的厚度，意指構成黏著劑層之所有的層的合計的厚度。
黏著劑層亦可為使用能量線硬化性黏著劑而形成之黏著劑層，亦可為使用非能量線硬化性黏著劑而形成之黏著劑層。亦即，黏著劑層可為能量線硬化性以及非能量線硬化性之任一種。能量線硬化性的黏著劑層可容易地調節其硬化前以及硬化後之物性。例如藉由在後述之具第1保護膜之半導體晶片的拾取前，使能量線硬化性的黏著劑層硬化，可更容易地拾取具第1保護膜之半導體晶片。
[黏著劑組成物] 黏著劑層可使用含有黏著劑之黏著劑組成物而形成。例如可藉由於黏著劑層的形成對象面塗敷黏著劑組成物，視需要使之乾燥而於目標部位形成黏著劑層。於黏著劑組成物中，常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與黏著劑層中的前述成分彼此的含量之比率相同。
黏著劑組成物的塗敷例如可以與上述的樹脂膜形成用組成物的塗敷的情形相同的方法來進行。
黏著劑組成物的乾燥條件並無特別限定。黏著劑組成物含有後述之溶媒之情形時，較佳係使之加熱乾燥。含有溶媒之黏著劑組成物，例如較佳為在70℃至130℃、10秒至5分鐘的條件下使之乾燥。
於基材上或是緩衝層上設置黏著劑層之情形時，例如藉由於基材上或是緩衝層上塗敷黏著劑組成物，並視需要使之乾燥，而將黏著劑層積層於基材上或是緩衝層上即可。此外，於基材上或是緩衝層上設置黏著劑層之情形時，例如亦可藉由於剝離膜上塗敷黏著劑組成物，並視需要使之乾燥，而預先於剝離膜上形成黏著劑層，將該黏著劑層的露出面貼合於基材或是緩衝層其中一個的表面，而將黏著劑層積層於基材上或是緩衝層上。該情形時之剝離膜，可在複合片的製造過程或是使用過程之任一時間點移除即可。
黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為能量線硬化性的黏著劑組成物，例如可列舉含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)及能量線硬化性化合物之黏著劑組成物(I-1)；含有於前述黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)之黏著劑組成物(I-2)；含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性低分子化合物之黏著劑組成物(I-3)等。
作為前述黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)以及黏著劑組成物(I-3)，例如可列舉「國際公開第2017/078047號」的段落0045至段落0105所記載之第1黏著劑組成物(I-1)、第1黏著劑組成物(I-2)以及第1黏著劑組成物(I-3)等。
黏著劑層為非能量線硬化性之情形時，作為非能量線硬化性的黏著劑組成物，例如可列舉含有前述黏著性樹脂(I-1a)之黏著劑組成物(I-4)等。
[黏著劑組成物之製造方法] 黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)等的黏著劑組成物，可藉由調配前述黏著劑及視需要而添加之前述黏著劑以外的成分等用以構成黏著劑組成物之各成分而獲得。調配各成分時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上的成分。調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下之公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
◎樹脂膜 本實施形態的複合片中的樹脂膜與上文說明之樹脂膜相同，因此此處省略該樹脂膜的詳細說明。
作為本實施形態的較佳的複合片的一例，可列舉以下之複合片：具備支撐片、及設置於前述支撐片其中一面上之樹脂膜；前述支撐片具備基材、設置於前述基材其中一面上之緩衝層、設置於前述緩衝層中之與前述基材側為相反側的面上之黏著劑層，前述緩衝層以及黏著劑層配置於前述基材與前述樹脂膜之間；前述樹脂膜為熱硬化性樹脂膜；前述α1為65ppm/K以下、62ppm/K以下、55ppm/K以下、以及48ppm/K以下之任一種；前述α2為165ppm/K以下、162ppm/K以下、140ppm/K以下、以及120ppm/K以下之任一種；前述樹脂膜係含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)以及填充材料(D)；於前述樹脂膜中，前述熱硬化性成分(B)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至75質量%、以及15質量%至70質量%之任一種；於前述樹脂膜中，前述填充材料(D)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至65質量%、以及15質量%至55質量%之任一種。
作為本實施形態的較佳的複合片的另一例，可列舉以下之複合片：具備支撐片、設置於前述支撐片其中一面上之樹脂膜；前述支撐片係具備基材、設置於前述基材其中一面上之緩衝層、設置於前述緩衝層中之與前述基材側為相反側的面上之黏著劑層，前述緩衝層以及黏著劑層係配置於前述基材與前述樹脂膜之間；前述樹脂膜為熱硬化性樹脂膜；前述α1為65ppm/K以下、62ppm/K以下、55ppm/K以下、以及48ppm/K以下之任一種；前述X值為19以上至未達10000、19至5000、19至2000、19至1000、19至500、19至300、19至100、以及19至70之任一種；前述樹脂膜係含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材料(D)以及添加劑(I)；於前述樹脂膜中，前述熱硬化性成分(B)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至75質量%、以及15質量%至70質量%之任一種；於前述樹脂膜中，前述添加劑(I)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為0.5質量%至10質量%、0.5質量%至7質量%、以及0.5質量%至5質量%之任一種。
作為本實施形態的較佳複合片的又一例，可列舉以下之複合片：具備支撐片、設置於前述支撐片其中一面上之樹脂膜；前述支撐片具備基材、設置於前述基材其中一面上之緩衝層、設置於前述緩衝層中之與前述基材側為相反側的面上之黏著劑層，前述緩衝層以及黏著劑層係配置於前述基材與前述樹脂膜之間；前述樹脂膜為熱硬化性樹脂膜；前述α1為65ppm/K以下、62ppm/K以下、55ppm/K以下、以及48ppm/K以下之任一種；前述α2為165ppm/K以下、162ppm/K以下、140ppm/K以下、以及120ppm/K以下之任一種；前述X值為19以上至未達10000、19至5000、19至2000、19至1000、19至500、19至300、19至100、以及19至70之任一種；前述樹脂膜係含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)、填充材料(D)以及添加劑(I)；於前述樹脂膜中，前述熱硬化性成分(B)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至75質量%、以及15質量%至70質量%之任一種；於前述樹脂膜中，前述填充材料(D)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為10質量%至65質量%、以及15質量%至55質量%之任一種；於前述樹脂膜中，前述添加劑(I)之含量相對於前述樹脂膜的總質量的比率為0.5質量%至10質量%、0.5質量%至7質量%、以及0.5質量%至5質量%之任一種。
◇複合片之製造方法 前述複合片可藉由將上述各層以成為對應的位置關係之方式依序積層而製造。各層之形成方法如上文所說明。
例如，基材、緩衝層、黏著劑層以及樹脂膜依序於這些層的厚度方向上積層而構成之複合片可利用以下所示之方法製造。 亦即，對於基材，將緩衝層形成用組成物進行擠出成形，藉此於基材上積層緩衝層。另外，於剝離膜的剝離處理面上塗敷上述之黏著劑組成物，並視需要使之乾燥，藉此積層黏著劑層。然後，將該剝離膜上的黏著劑層與基材上的緩衝層貼合，藉此獲得基材、緩衝層、黏著劑層以及剝離膜依序於這些層的厚度方向積層而構成之具剝離膜之積層片。藉由另行於剝離膜的剝離處理面上塗敷上述的樹脂膜形成用組成物，視需要使之乾燥，而積層樹脂膜。並且，自上述所獲得之積層片移除剝離膜，將藉此而新產生之黏著劑層的露出面與上述的剝離膜上的樹脂膜的露出面貼合，藉此獲得基材、緩衝層、黏著劑層、樹脂膜以及剝離膜依序於這些層的厚度方向積層而構成之複合片。樹脂膜上的剝離膜只要在使用複合片時移除即可。
具備上述之各層以外的其他層之複合片可藉由下述方式來製造：於上述之製造方法中，以前述其他層的積層位置成為適當的位置之方式，適宜追加進行前述其他層之形成步驟及積層步驟之任一步驟或兩步驟。
◇具第1保護膜之半導體晶片之製造方法(樹脂膜以及複合片的使用方法) 如上文所說明，本實施形態的樹脂膜於如下方面具有極其優異的特性：於貼附於該樹脂膜之貼附對象物的凹凸面時，能夠使凸部貫通而使凸部的上部露出，並且能夠被覆凹凸面整體。亦即，本實施形態的樹脂膜適合用於貼附於具有凹凸面之貼附對象物的前述凹凸面。並且，凹凸面具有細微的溝槽之情形時，可藉由前述樹脂膜來充分地填充此種溝槽，結果可藉由保護膜充分地填充溝槽。並且，可抑制保護膜自凹凸面剝離。此種本實施形態的樹脂膜適合用作為保護半導體晶片的凹凸面以及側面，例如尤其適合用於製造具備半導體晶片、及設置於前述半導體晶片的側面以及具有凸塊之面(凸塊形成面)之第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶片。該情形時，前述凹凸面為半導體晶片的凸塊形成面，凸部為凸塊。此外，凹部係包含有凸塊形成面上的溝槽。並且，具第1保護膜之半導體晶片藉由當中的凸塊覆晶連接於基板，而適合用於製造半導體裝置。本實施形態的樹脂膜適合以上述之複合片之形態使用。以下，對使用前述複合片之情形時的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法進行說明。
本發明的一實施形態之具第1保護膜之半導體晶片之製造方法係使用了半導體晶圓來製造具第1保護膜之半導體晶片；前述具第1保護膜之半導體晶片係具備：半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片的側面以及具有凸塊之面之第1保護膜；前述半導體晶圓係於其中一面具有凸塊以及成為前述半導體晶圓的分割部位之溝槽；前述具第1保護膜之半導體晶片之製造方法係具有貼附步驟，係藉由將上述的本發明的一實施形態之複合片中的前述樹脂膜貼附於前述半導體晶圓的前述其中一面，來製作出在前述其中一面具備前述樹脂膜、且前述溝槽被前述樹脂膜所填充之具樹脂膜之半導體晶圓；前述具第1保護膜之半導體晶片之製造方法進而具有：硬化步驟(1)，在前述貼附步驟後，藉由使前述樹脂膜硬化來形成前述第1保護膜，以製作具備前述半導體晶圓、以及設置於前述半導體晶圓的前述其中一面且填充於前述溝槽之前述第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶圓；分割步驟(1)，在前述硬化步驟(1)後，藉由分割前述半導體晶圓，以製作具備複數個的前述半導體晶片、以及設置在複數個的前述半導體晶片的前述具有凸塊之面以及前述半導體晶片間的間隙之前述第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶片群；切斷步驟(1)，在前述分割步驟(1)後，藉由沿著前述具第1保護膜之半導體晶片群中的前述半導體晶片間的間隙來切斷前述第1保護膜，以製作前述具第1保護膜之半導體晶片(該情形之製造方法在本說明書中有時稱為「製造方法(1)」)；或是進而具有：切斷步驟(2)，在前述貼附步驟後、且在前述硬化步驟(1)後，藉由沿著前述具第1保護膜之半導體晶圓中的前述溝槽切入前述第1保護膜，以製作經切入之具第1保護膜之半導體晶圓；分割步驟(2)，在前述切斷步驟(2)後，藉由分割前述半導體晶圓，以製作前述具第1保護膜之半導體晶片(該情形之製造方法在本說明書中有時稱為「製造方法(2)」)；或是進而具有：分割步驟(3)，在前述貼附步驟後，藉由分割前述半導體晶圓，以製作具備複數個的前述半導體晶片、設置在複數個的前述半導體晶片的前述具有凸塊之面以及前述半導體晶片間的間隙之前述樹脂膜而成之具樹脂膜之半導體晶片群；硬化步驟(3)，在前述分割步驟(3)後，藉由使前述樹脂膜硬化來形成前述第1保護膜，以製作具備複數個的前述半導體晶片、設置在複數個的前述半導體晶片的前述具有凸塊之面以及前述半導體晶片間的間隙之前述第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶片群；切斷步驟(3)，在前述硬化步驟(3)後，藉由沿著前述具第1保護膜之半導體晶片群中的前述半導體晶片間的間隙切斷前述第1保護膜，以獲得前述具第1保護膜之半導體晶片(該情形之製造方法在本說明書中有時稱為「製造方法(3)」)。 以下對於這些製造方法進行說明。
[製造方法(1)] 圖4A至圖4E係以示意方式表示使用如圖3所示之複合片1之情形時的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的一例之製造方法(1)之剖視圖。此處，由於將樹脂膜用於形成第1保護膜，故而將「複合片1」稱為「第1保護膜形成用片1」，將「基材11」稱為「第1基材11」。
[貼附步驟] 製造方法(1)的前述貼附步驟中，如圖4A至圖4B所示，將第1保護膜形成用片1中的樹脂膜12貼附於半導體晶圓9其中一面(以下，有時稱為「凸塊形成面」)9a。半導體晶圓9係於其凸塊形成面9a具有複數個的凸塊91、成為半導體晶圓9的分割部位之複數條的溝槽90。藉由在本步驟中於半導體晶圓9設置第1保護膜形成用片1，可製作出於半導體晶圓9的凸塊形成面9a具備樹脂膜12、且溝槽90被樹脂膜12所填充而成之具樹脂膜之半導體晶圓901。
此處，凸塊91的頭頂部9101係呈現自樹脂膜12突出之狀態。凸塊91的頭頂部9101自樹脂膜12突出之程度，可藉由調節樹脂膜12的組成以及厚度、或是樹脂膜12的貼附條件而調節。
於製造方法(1)的前述貼附步驟中，例如首先如圖4A所示，將第1保護膜形成用片1以該第1保護膜形成用片1的樹脂膜12與半導體晶圓9的凸塊形成面9a對向之方式進行配置。
樹脂膜12的貼附對象之半導體晶圓9的厚度並無特別限定，較佳為100μm至1000μm，更佳為200μm至900μm，又更佳為300μm至800μm。藉由半導體晶圓9的厚度為前述下限值以上，變得容易抑制伴隨樹脂膜12的硬化時之翹曲。藉由半導體晶圓9的厚度為前述上限值以下，可更縮短後述之半導體晶圓9的分割時間。 本說明書中，所謂「半導體晶圓的厚度」，當半導體晶圓具有前述溝槽之情形時，意指不存在有前述溝槽之區域之半導體晶圓的厚度。
凸塊91的高度並無特別限定，較佳為120μm至300μm，更佳為150μm至270μm，尤佳為180μm至240μm。藉由凸塊91的高度為前述下限值以上，能夠進一步提高凸塊91的功能。藉由凸塊91的高度為前述上限值以下，抑制樹脂膜12於凸塊91上部之殘留之效果變得更高。 本說明書中，所謂「凸塊的高度」，意指凸塊中存在於自凸塊形成面起最高位置之部位處的高度。
凸塊91的寬度並無特別限定，較佳為170μm至350μm，更佳為200μm至320μm，尤佳為230μm至290μm。藉由凸塊91的寬度為前述下限值以上，能夠進一步提高凸塊91的功能。藉由凸塊91的寬度為前述上限值以下，抑制樹脂膜12於凸塊91上部之殘留之效果變得更高。 本說明書中，所謂「凸塊的寬度」，意指於自相對於凸塊形成面垂直的方向往下看而俯視凸塊時，用直線將凸塊表面上的不同2點間連結所獲得之線段的長度的最大值。
相鄰的凸塊91間的距離並無特別限定，較佳為250μm至800μm，更佳為300μm至600μm，尤佳為350μm至500μm。藉由前述距離為前述下限值以上，能夠進一步提高凸塊91的功能。藉由前述距離為前述上限值以下，抑制樹脂膜12於凸塊91上部之殘留之效果變得更高。 本說明書中，所謂「相鄰的凸塊間的距離」，意指相鄰的凸塊彼此的表面間的距離的最小值。
溝槽90的深度只要為最終目標之半導體晶片的厚度以上且未達進行後述之磨削之前的半導體晶圓9的厚度，則並無特別限定，較佳為30μm至700μm，更佳為60μm至600μm，又更佳為100μm至500μm。藉由溝槽90的深度為前述下限值以上，使後述之半導體晶圓9的分割變得更容易。藉由溝槽90的深度為前述上限值以下，使半導體晶圓9變得更高強度。 本說明書中，溝槽的深度若非一定值之情形時，將溝槽的深度的最大值採用作為「溝槽的深度」。
溝槽90的寬度並無特別限定，較佳為10μm至2000μm，更佳為30μm至1000μm，又更佳為40μm至500μm，尤佳為50μm至300μm。藉由溝槽90的寬度為前述下限值以上，在後述之半導體晶圓9的分割時，可提高防止相鄰之半導體晶片彼此的接觸之效果。藉由溝槽90的寬度為前述上限值以下，使半導體晶圓9變得更高強度。 本說明書中，溝槽的寬度若非一定值之情形時，將溝槽的寬度的最大值採用作為「溝槽的寬度」。
繼而，於製造方法(1)的前述貼附步驟中，使樹脂膜12接觸於半導體晶圓9上的凸塊91，將第1保護膜形成用片1壓抵於半導體晶圓9。藉此，使樹脂膜12的第1面12a依序壓接於凸塊91的表面91a及半導體晶圓9的凸塊形成面9a。此時，藉由將樹脂膜12進行加熱，使得樹脂膜12軟化，以覆蓋凸塊91之方式於凸塊91間擴展而密接於凸塊形成面9a，並且覆蓋凸塊91的表面91a、尤其是凸塊形成面9a的附近部位的表面91a而將凸塊91的基部埋入。因此，凸塊形成面9a與凸塊91的基部充分地密接著樹脂膜12，並且，半導體晶圓9上的溝槽90被樹脂膜12所充分地填充。 藉由以上步驟，如圖4B所示，獲得具樹脂膜之半導體晶圓901。
如上所述，作為使第1保護膜形成用片1壓接於半導體晶圓9之方法，可應用使各種片壓接於對象物而進行貼附之公知的方法，例如可列舉使用層壓輥之方法等。
第1保護膜形成用片1(樹脂膜12)壓接於半導體晶圓9時的加熱溫度只要為樹脂膜12之硬化完全不會進行或過度地進行之程度的溫度即可，例如可為80℃至100℃。 基於更為提高樹脂膜12充分地密接於凸塊形成面9a與凸塊91的基部且樹脂膜12充分地填充於溝槽90之效果的觀點，前述加熱溫度較佳為85℃至95℃。
使第1保護膜形成用片1(樹脂膜12)壓接於半導體晶圓9時的壓力並無特別限定，例如可為0.1MPa至1.5MPa。 基於更為提高樹脂膜12充分地密接於凸塊形成面9a與凸塊91的基部且樹脂膜12充分地填充於溝槽90之效果的觀點，前述壓力較佳為0.3MPa至1MPa。
如上所述，若使第1保護膜形成用片1壓接於半導體晶圓9，則第1保護膜形成用片1中的樹脂膜12、黏著劑層14及緩衝層13從凸塊91被施加壓力，在初期，樹脂膜12的第1面12a、黏著劑層14的第1面14a、及緩衝層13的第1面13a變形為凹狀。然後，維持從凸塊91被施加壓力之樹脂膜12中有時會產生破裂。若前述X值為19以上至未達10000(19≦X值＜10000)，會產生這種樹脂膜12的破裂。此情形時，最終，於樹脂膜12的第1面12a壓接於半導體晶圓9的凸塊形成面9a之階段中，成為凸塊91之包括頭頂部9101之上部910貫通樹脂膜12而突出之狀態。此外，於該最終階段中，通常凸塊91的上部910不會貫通緩衝層13。原因在於，緩衝層13對於從凸塊91被施加之壓力具有緩衝作用。
如圖4B所示之情形，於前述貼附步驟結束之階段中，樹脂膜12完全或幾乎不殘留於凸塊91之包括頭頂部9101之上部910，樹脂膜12於凸塊91的上部910之殘留得到抑制。 此外，本說明書中，所謂「樹脂膜幾乎不殘留於凸塊的上部」，只要無特別說明，則意指雖樹脂膜少許殘留於凸塊的上部，但該樹脂膜的殘留量為將具備該凸塊之半導體晶片覆晶連接於基板時，不妨礙半導體晶片與基板之電性連接之程度的量。
前述X值為19以上至未達10000之情形時，進而，於前述貼附步驟結束之階段中，樹脂膜12自最初的大小之外溢得到抑制，因此樹脂膜12自半導體晶圓9的凸塊形成面9a之外溢得到抑制。
前述X值為19以上至未達10000之情形時，進而，於前述貼附步驟結束之階段中，樹脂膜12於凸塊形成面9a上之覆蓋闕漏得到抑制。更具體而言，在凸塊形成面9a設置有樹脂膜12之狀態下，凸塊91當中之上部910以外的區域(例如凸塊形成面9a附近的基部)或凸塊形成面9a的凸塊91附近的區域意外地未由樹脂膜12覆蓋而露出之現象得到抑制。
[硬化步驟(1)] 於製造方法(1)的前述貼附步驟後的前述硬化步驟(1)中，將第1支撐片10自具樹脂膜之半導體晶圓901移除之後，如圖4C所示，藉由使樹脂膜12硬化，而形成第1保護膜12’，以製作具備半導體晶圓9、及設置於半導體晶圓9的凸塊形成面9a且被填充於溝槽90之第1保護膜12’而成之具第1保護膜之半導體晶圓902。於前述硬化步驟(1)中，若樹脂膜12為熱硬化性之情形時，藉由加熱使樹脂膜12硬化，若樹脂膜12為能量線硬化性之情形時，藉由照射能量線使樹脂膜12硬化。此時的加熱條件以及能量線的照射條件如上文所說明。
符號9b係表示半導體晶圓9中之與凸塊形成面9a為相反側的面(內面)。
若支撐片10中的黏著劑層14為能量線硬化性之情形時，可藉由使黏著劑層14硬化，更容易自具樹脂膜之半導體晶圓901移除支撐片10。
由於具樹脂膜之半導體晶圓901中，於半導體晶圓9上的溝槽90充分地填充樹脂膜12，藉由前述硬化步驟(1)，可獲得於前述溝槽90充分地填充第1保護膜12’之具第1保護膜之半導體晶圓902。此外，於具第1保護膜之半導體晶圓902中，第1保護膜12’充分地密接於凸塊形成面9a與凸塊91的基部，第1保護膜12’ 自這些部位的剝離得到抑制。
[分割步驟(1)] 前述硬化步驟(1)後的前述分割步驟(1)中，藉由分割半導體晶圓9，如圖4D所示，來製作具備複數個的半導體晶片9’、及設置於複數個的半導體晶片9’的具有凸塊之面(以下，有時稱為「凸塊形成面」)9a’以及半導體晶片9’間的間隙90’之第1保護膜12’而成之具第1保護膜之半導體晶片群903。
所謂半導體晶片9’間的間隙90’，意指相鄰之半導體晶片9’的側面9c’所包圍之區域。
半導體晶圓9的分割可以公知的方法進行，於本實施形態中，例如可使用磨床等的磨削手段對半導體晶圓9的內面9b進行磨削。此時，自半導體晶圓9的內面9b朝向凸塊形成面9a之方向上，將半導體晶圓9磨削至磨削面(內面9b)到達前述溝槽90為止(換言之，到前述溝槽90出現為止，進而換言之，到形成前述間隙90’為止)。藉此，使半導體晶圓9的厚度薄化，且溝槽90成為分割部位而分割半導體晶圓9，同時，自溝槽90形成前述間隙90’。半導體晶圓9的內面9b的磨削係進行至半導體晶片9’的厚度成為目標值為止，例如亦可在磨削面到達溝槽90之階段停止磨削，亦可在磨削面到達溝槽90之後，與存在於前述間隙90’內部之第1保護膜12’一起磨削前述內面9b。
於分割步驟(1)中，亦可視需要而在具第1保護膜之半導體晶圓902的凸塊形成面9a側的面貼附背面研磨帶，磨削半導體晶圓9的內面9b。
本說明書中，為方便說明起見，於磨削中的半導體晶圓9的內面也附加上符號9b。 符號9b’係表示半導體晶片9’中之與凸塊形成面9a’為相反側的面(內面)。
具第1保護膜之半導體晶片群903中，所有的半導體晶片9’可藉由1片的第1保護膜12’而被保持為一體。如上述般使用背面研磨帶之情形時，所有的半導體晶片9’係藉由1片的第1保護膜12’與貼附於具第1保護膜之半導體晶片群903的凸塊形成面9a’側的面之前述背面研磨帶而被保持為一體。
[切斷步驟(1)] 前述分割步驟(1)後的前述切斷步驟(1)中，藉由沿著具第1保護膜之半導體晶片群903中的半導體晶片9’間的間隙90’來切斷第1保護膜12’，如圖4E所示，製作具第1保護膜之半導體晶片900。具第1保護膜之半導體晶片900係具備半導體晶片9’、及設置於半導體晶片9’的側面9c’以及凸塊形成面9a’之第1保護膜120’。半導體晶片9’係各自於側面9c’以及凸塊形成面9a’被切斷後的第1保護膜120’保護，半導體晶片9’所獲得之保護效果顯著地高。
將半導體晶片9’自凸塊形成面9a’側的上方往下看而俯視時，半導體晶片9’的平面形狀為四角形之情形時，1個的半導體晶片9’係具有4個的側面9c’。因此，具第1保護膜之半導體晶片900中，於半導體晶片9’的所有(亦即4個)的側面9c’、及1個的凸塊形成面9a’係整體地設置有切斷後的第1保護膜120’。本說明書中，有時將「切斷後的第1保護膜」簡稱為「第1保護膜」。
前述切斷步驟(1)中，第1保護膜12’係沿著半導體晶片9’的外周(換言之為側面9c’)進行切斷。此時，較佳係將被填充於相鄰之半導體晶片9’間的間隙90’之第1保護膜12’沿著半導體晶片9’的外周(換言之為側面9c’)進行切斷，分成2個。藉此，可於半導體晶片9’各個側面9c’可設置形狀更均勻的切斷後的第1保護膜120’。
第1保護膜12’可藉由例如刀片切割、雷射切割等的公知的方法進行切斷。
第1保護膜12’的切斷例如可在以下的狀態進行：於具第1保護膜之半導體晶片群903中的半導體晶片9’的內面9b’貼附公知的切割片，並移除了背面研磨帶。若背面研磨帶具備能量線硬化性的黏著劑層之情形時，藉由能量線照射黏著劑層使之硬化，可更容易地自具第1保護膜之半導體晶片群903移除背面研磨帶。
具第1保護膜之半導體晶片900中，第1保護膜120’係充分地密接於半導體晶片9’的凸塊形成面9a’、凸塊91的基部、及側面9c’，可抑制第1保護膜120’自這些部位剝離。並且，於半導體晶片9’的側面9c’設置有充分的厚度的第1保護膜120’。
此外，前述X值為19以上至未達10000之情形時，進而於具第1保護膜之半導體晶片900中，凸塊91的頭頂部9101自第1保護膜120’突出，第1保護膜120’完全或幾乎不附著於凸塊91的包括頭頂部9101之上部910，在凸塊91的上部910之第1保護膜120’之附著得到抑制。 並且，於具第1保護膜之半導體晶片900中，半導體晶片9’的凸塊形成面9a’之第1保護膜120’的外溢得到抑制。並且，在半導體晶片9’的凸塊形成面9a’的第1保護膜120’的覆蓋闕漏得到抑制。更具體而言，於凸塊形成面9a’設置有第1保護膜120’之狀態下，凸塊91當中之上部910以外的區域(例如凸塊形成面9a’附近的基部)、或是凸塊形成面9a’的凸塊91附近的區域意外地未受到第1保護膜120’覆蓋而導致露出之現象得到抑制。
[製造方法(2)] 圖5A至圖5E係示意方式表示使用如圖3所示之複合片1之情形時，作為具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的另一例之製造方法(2)之剖視圖。
[貼附步驟、硬化步驟(1)] 製造方法(2)中，如圖5A至圖5C所示，以與製造方法(1)的情形相同方法，進行前述貼附步驟以及硬化步驟(1)，製作前述具第1保護膜之半導體晶圓902。
[切斷步驟(2)] 於製造方法(2)的前述硬化步驟(1)後的前述切斷步驟(2)中，藉由沿著具第1保護膜之半導體晶圓902中的溝槽90而切入第1保護膜12’，如圖5D所示，製作經切入之具第1保護膜之半導體晶圓904。本步驟中，較佳係將填充於溝槽90之第1保護膜12’沿著溝槽90的側面90c切入。藉此，最後可在半導體晶片的各個側面設置形狀更均勻的切斷後的第1保護膜。
前述切斷步驟(2)中，自第1保護膜12’中之與半導體晶圓9側為相反側的面12b’往半導體晶圓9側的面12a’切入第1保護膜12’。此時，亦可不使第1保護膜12’的切口到達溝槽90的深度方向上第1保護膜12’的前端部，但從使後述之半導體晶圓9的分割變得更容易的方面而言，切口的到達位置越接近前述前端部越佳，更佳係使切口到達前述前端部，亦即更佳係切斷第1保護膜12’。圖5D中，係表示使第1保護膜12’的切口到達前述前端部為止，切斷了第1保護膜12’(呈現切斷後的第1保護膜120’)之情形。 另一方面，基於藉由後述之半導體晶圓9的內面9b的磨削來將半導體晶圓9分割為半導體晶片時，抑制半導體晶片的角部的破裂或是缺損以及存在於半導體晶片的角部附近之第1保護膜12’的破裂或是缺損的觀點，第1保護膜12’的切口的到達位置較佳係與預想最後形成半導體晶片的內面之部位一致、或是在這種部位的附近。
第1保護膜12’係可與前述切斷步驟(1)的情形同樣地藉由例如刀片切割、雷射切割等的公知的方法進行切斷。
[分割步驟(2)] 前述切斷步驟(2)後的前述分割步驟(2)中，藉由分割半導體晶圓9，如圖5E所示，製作具第1保護膜之半導體晶片900。分割步驟(2)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片900係與前述切斷步驟(1)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片900相同。
半導體晶圓9的分割可與前述分割步驟(1)的情形同樣地以公知的方法來進行。 例如使用磨床等的磨削手段磨削半導體晶圓9的內面9b之情形時，自前述內面9b往凸塊形成面9a之方向上，將前述內面9b磨削至磨削面(內面9b)到達前述溝槽90為止。切斷步驟(2)中，當第1保護膜12’的切口未到達溝槽90的深度方向中第1保護膜12’的前端部之情形時，進而與第1保護膜12’一起磨削內面9b使磨削面到達第1保護膜12’的切口為止。
與製造方法(1)的情形相同，分割步驟(2)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片900中，第1保護膜120’自半導體晶片9’的凸塊形成面9a’、凸塊91的基部、以及側面9c’的剝離得到抑制。並且，於半導體晶片9’的側面9c’設置有充分的厚度的第1保護膜120’。
此外，前述X值為19以上至未達10000之情形時，與製造方法(1)的情形同樣地獲得以下之效果：分割步驟(2)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片900中，上述的凸塊91的上部910之第1保護膜120’的附著得到抑制之效果、凸塊形成面9a’之第1保護膜120’的外溢得到抑制之效果、及凸塊形成面9a’之第1保護膜120’的覆蓋闕漏得到抑制之效果。
[製造方法(3)] 圖6A至圖6E係示意方式表示使用如圖3所示之複合片1之情形時，作為具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的又一例之製造方法(3)之剖視圖。
[貼附步驟] 製造方法(3)中，如圖6A至圖6B所示，係與製造方法(1)的情形相同方法進行前述貼附步驟，製作前述具樹脂膜之半導體晶圓901。
[分割步驟(3)] 製造方法(3)的前述貼附步驟後的前述分割步驟(3)中，藉由分割半導體晶圓9，如圖6C所示，製作具備複數個的半導體晶片9’、以及設置於複數個的半導體晶片9’的凸塊形成面9a’以及半導體晶片9’間的間隙90’之樹脂膜12而成之具樹脂膜之半導體晶片群905。
半導體晶圓9的分割係可與前述分割步驟(1)的情形同樣地以公知的方法進行。
具樹脂膜之半導體晶片群905中，所有的半導體晶片9’係藉由1片的樹脂膜12與支撐片10而被保持為一體。
[硬化步驟(3)] 前述分割步驟(3)後的前述硬化步驟(3)中，藉由將第1支撐片10自半導體晶片群905移除之後，使樹脂膜12硬化，而形成第1保護膜，如圖6D所示，製作具備複數個的半導體晶片9’、以及設置於複數個的半導體晶片9’的凸塊形成面9a’以及半導體晶片9’間的間隙90’之第1保護膜12’ 而成之具第1保護膜之半導體晶片群903。硬化步驟(3)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片群903係與前述分割步驟(1)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片群903相同。
樹脂膜12的硬化係可與前述硬化步驟(1)的情形同樣地以公知的方法進行。
[切斷步驟(3)] 前述硬化步驟(3)後的前述切斷步驟(3)中，藉由沿著具第1保護膜之半導體晶片群903中的半導體晶片9’間的間隙90’切斷第1保護膜12’，製作具第1保護膜之半導體晶片900。切斷步驟(3)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片900係與前述切斷步驟(1)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片900相同。
第1保護膜12’的切斷係可與前述切斷步驟(1)的情形同樣地以公知的方法進行。
與製造方法(1)的情形相同，切斷步驟(3)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片900中，第1保護膜120’自半導體晶片9’的凸塊形成面9a’、凸塊91的基部、及側面9c’的剝離得到抑制。並且，於半導體晶片9’的側面9c’設置有充分的厚度的第1保護膜120’。
此外，前述X值為19以上至未達10000之情形時，與製造方法(1)的情形同樣地獲得以下效果：切斷步驟(3)所獲得之具第1保護膜之半導體晶片900中，上述的凸塊91的上部910之第1保護膜120’的附著得到抑制之效果、凸塊形成面9a’之第1保護膜120’的外溢得到抑制之效果、以及凸塊形成面9a’之第1保護膜120’的覆蓋闕漏得到抑制之效果。
至此為止，對於使用了如圖3所示之複合片(第1保護膜形成用片)1之情形進行了說明，但於使用先前所說明之其他實施形態的複合片之情形時，該複合片亦發揮與使用複合片1之情形相同的效果。
上述之製造方法(1)至製造方法(3)，在不脫離本發明的主旨之範圍中，亦可具有與至此所說明之步驟不同之其他步驟。
例如於半導體晶片的內面設置第2保護膜之情形時，製造方法(1)至製造方法(3)亦可在任一時間點具有：於半導體晶片的內面貼附第2保護膜形成用片中的第2保護膜形成用膜之步驟、第2保護膜形成用膜為硬化性之情形時使第2保護膜形成用膜硬化而形成第2保護膜步驟、以及將第2保護膜形成用膜或是第2保護膜沿著半導體晶片的外周(側面)進行切斷之步驟等。
例如在前述貼附步驟後續之任一種的階段，樹脂膜12、第1保護膜12’或是切斷後的第1保護膜120’殘留於凸塊91的包括頭頂部9101之上部910之情形時，製造方法(1)至製造方法(3)亦可在貼附步驟後續之任一時間點具有將樹脂膜12、第1保護膜12’或是切斷後的第1保護膜120’的殘留物自凸塊91的上部910除去之除去步驟。
於凸塊91的上部910中，樹脂膜12、第1保護膜12’ 或是切斷後的第1保護膜120’的殘留物可以例如照射電漿等的公知的方法來除去。
至此為止，說明了對於半導體晶圓的凸塊形成面或是半導體晶片群的凸塊形成面，經由樹脂膜或是第1保護膜來設置支撐片或是背面研磨帶，進行半導體晶圓的內面或是半導體晶片群的內面的磨削等，但於本實施形態中，亦可替代這些支撐片或是背面研磨帶，改為設置這些支撐片或是背面研磨帶以外的樹脂片，進行半導體晶圓的內面或是半導體晶片群的內面的磨削等。此處，前述樹脂片可為使用具有流動性之樹脂，埋入前述半導體晶圓的凸塊形成面上或是前述半導體晶片群的凸塊形成面上的樹脂膜或是第1保護膜，進而埋入凸塊的表面之後，使之硬化而形成者。設置這種樹脂片之情形時，亦可在使用前述具有流動性之樹脂之前，使用可追隨於前述凸塊形成面上的樹脂膜或是第1保護膜、以及凸塊的表面之具有柔軟性之其他樹脂，預先形成被覆這些對象物表面之樹脂膜，經由該樹脂膜而設置前述樹脂片。藉由如此設置前述樹脂膜，可在進行前述半導體晶圓的內面或是半導體晶片群的內面的磨削等之後，容易地移除已不再需要之前述樹脂片。
◇具第1保護膜之半導體晶片的使用方法 藉由使用前述具第1保護膜之半導體晶片，可製造半導體裝置。例如將具第1保護膜之半導體晶片中的凸塊的頭頂部覆晶連接(構裝)於電路基板的電路形成面。使用了第2保護膜形成用片之情形時，具第1保護膜之半導體晶片在覆晶連接之前，自第2保護膜形成用片中的切割片扯離具備有第2保護膜之具第1保護膜之半導體晶片而進行拾取。具備有第2保護膜之具第1保護膜之半導體晶片可以公知的方法進行拾取。
後續可使用如此所獲得之已構裝半導體晶片之電路基板，依據公知的方法製作半導體封裝體，藉由使用該半導體封裝體而製造目標之半導體裝置。 [實施例]
以下，藉由具體的實施例對本發明更詳細地進行說明。但是，本發明完全不受限於以下所示之實施例。
[樹脂膜形成用組成物的製造原料] 以下表示用於製造樹脂膜形成用組成物之原料。[聚合物成分(A)](A)-1：具有下述式(i)-1、式(i)-2及式(i)-3所表示之構成單元之聚乙烯醇縮丁醛(積水化學工業公司製造的「S-LECBL-10」，重量平均分子量25000，玻璃轉移溫度59℃)。
【化2】
Figure 02_image003
(式中，l1 為約28，m1 為1至3，n1 為68至74之整數)
[環氧樹脂(B1)] (B1)-1：液狀改質雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製造的「Epiclon EXA-4850-150」，分子量900，環氧當量450g/eq)(B1)-2：二環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製造的「EpiclonHP-7200HH」，環氧當量254g/eq至264g/eq)(B1)-3：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造的「jER828」，環氧當量184g/eq)至194g/eq)[熱硬化劑(B2)](B2)-1：鄰甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製造的「Phenolite KA-1160」，軟化點80℃，羥基當量117g/eq)(B2)-2：聯苯芳烷基型酚樹脂(明和化成公司製造的「MEHC-7851-H」，固體分散型潜伏性硬化劑，羥基當量218g/eq)[硬化促進劑(C)](C)-1：2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑(四國化成工業公司製造的「Curezol 2PHZ-PW」)[填充材料(D)](D)-1：經環氧基修飾之球狀二氧化矽(Admatechs公司製造的「Admanano YA050C-MKK」，平均粒徑50nm)(D)-2：經環氧基修飾之球狀二氧化矽(Admatechs公司製造的「5SE-CH1」、平均粒徑500nm)[偶合劑(E)](E)-1：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(矽烷偶合劑，信越矽利光公司製造的「KBM-403」)[添加劑(I)](I)-1：界面活性劑(丙烯酸聚合物，BYK公司製造的「BYK-361N」)(I)-2：聚矽氧油(芳烷基改質聚矽氧油，Momentive Performance Materials Japan公司製造的「XF42-334」)(I)-3：流變控制劑(聚羥基羧酸酯，BYK公司製造的「BYK-R606」)
[實施例1] [第1保護膜形成用片的製造][熱硬化性樹脂膜形成用組成物的製造]使聚合物成分(A)-1(100質量份)、環氧樹脂(B1)-1(290質量份)、環氧樹脂(B1)-2(220質量份)、(B2)-1(160質量份)、硬化促進劑(C)-1(2質量份)、填充材料(D)-1(200質量份)、添加劑(I)-1(25質量份)以及添加劑(I)-2(3質量份)溶解或分散於甲基乙基酮，於23℃進行攪拌，藉此獲得溶媒以外的全部成分的合計濃度為45質量%之組成物(III)作為熱硬化性樹脂膜形成用組成物。此外，此處所示之溶媒以外的成分的調配量全部為不含溶媒之目標物的調配量。
[熱硬化性樹脂膜的製造] 使用聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET381031」，厚度38μm)，於前述剝離膜的前述剝離處理面塗敷上述所獲得之組成物(III)，於120℃加熱乾燥2分鐘，藉此形成厚度45μm之熱硬化性樹脂膜。
[第1保護膜形成用片的製造] 使用相當於第1基材、緩衝層以及第1黏著劑層之積層物之積層片(背面研磨帶，琳得科公司製造的「E-8510HR」，亦相當於前述支撐片)，使該積層片中的第1黏著劑層與上述所獲得之剝離膜上的熱硬化性樹脂膜貼合。藉此，獲得第1基材、緩衝層、第1黏著劑層、熱硬化性樹脂膜、及剝離膜依序於這些層的厚度方向上積層而構成之圖3所示之構成之第1保護膜形成用片。
[熱硬化性樹脂膜的評價] [α1以及α2的測定][熱硬化性樹脂膜以及第1試片的製造]除了變更組成物(III)的塗敷量之方面以外，利用與上述相同的方法，製作厚度25μm的熱硬化性樹脂膜20片。繼而，將這些熱硬化性樹脂膜進行積層，將所獲得之積層膜使用加壓烘箱(琳得科公司製造的「RAD-9100」)，於溫度130℃、時間4h、爐內壓力0.5MPa之加熱條件下進行加熱處理使之熱硬化。藉由將所獲得之硬化物切斷成寬度4.5mm、長度20mm的矩形，製作由厚度0.5mm的前述硬化物所構成之第1試片。
[α1以及α2的測定] 使用熱機械分析裝置(珀金埃爾默公司製造的「TMA4000SA」)，對於上述所獲得之第1試片如以下所示之順序進行了熱機械分析(TMA)。亦即，藉由將第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，使第1試片的溫度自常溫上升至100℃。之後立即藉由將第1試片以降溫速度5℃/min進行冷卻，使第1試片的溫度下降至-75℃。之後立即藉由將第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，使第1試片的溫度上升至260℃。對於長度為20mm之第1試片之中長度15mm的部位進行這種熱機械分析。並且，測定了第1試片的溫度自-75℃至成為與玻璃轉移溫度(Tg)相同溫度為止之第1試片的線膨脹係數α1。並且，測定了第1試片的溫度自與Tg相同溫度至成為260℃為止之第1試片的線膨脹係數α2。結果如表1所示。另外，第1試片的Tg係設為於上述的熱機械分析時所獲得之第1試片的溫度與加熱時間的圖表中顯示反曲點之溫度，此處為約60℃。
[熱硬化性樹脂膜於晶圓表面的溝槽的填充適性的評價] [具第1保護膜之矽晶圓的製作]使用半切切割機(DISCO公司製造的「DFD6361」)，以獲得大小為6mm×6mm的晶片的方式，於矽晶圓(直徑12吋、厚度750μm)的表面形成了複數條網目狀之寬度為60μm且深度為230μm之溝槽。使用貼附裝置(輥式層合機、琳得科公司製造的「RAD-3510　F/12」)，於工作臺溫度90℃、貼附速度2mm/s、貼附壓力0.5MPa、輥貼附高度-200μm之條件下，將上述所獲得之第1保護膜形成用片藉由其中的熱硬化性樹脂膜貼附於矽晶圓之形成有前述溝槽之表面。繼而，自熱硬化性樹脂膜移除了前述積層片(支撐片)。繼而，藉由使用加壓烘箱(琳得科公司製造的「RAD-9100」)，於溫度130℃、時間4h、爐內壓力0.5MPa之加熱條件下進行加熱處理使熱硬化性樹脂膜熱硬化，而形成第1保護膜。如以上方式製作具第1保護膜之矽晶圓。
[熱硬化性樹脂膜於晶圓表面的溝槽的填充適性的評價] 使用光學顯微鏡，觀察上述所獲得之具第1保護膜之矽晶圓。並且，依據下述基準，評價第1保護膜(亦即熱硬化性樹脂膜)於晶圓表面的溝槽的填充適性。結果如表1中的「溝槽的填充適性」的欄所示。(評價基準)A：未發現第1保護膜的形狀有變形，溝槽的填充適性高。B：雖然在相當於溝槽的開口部附近之部位發現第1保護膜的形狀有略為變形，但溝槽的填充適性良好。C：雖然有部分間隙，但大致可填充至溝槽，具有溝槽的填充適性。D：不相當於上述A、B、C，溝槽的填充適性不良。
[抑制第1保護膜自晶片側面剝離的效果的評價] [具第1保護膜之矽晶片的製造]使用貼附裝置(輥式層合機，琳得科公司製造的「RAD-3510　F/12」)、與上述相同之積層片(背面研磨帶，琳得科公司製造的「E-8510HR」)、以及進行了前述填充適性的評價之具第1保護膜之矽晶圓，藉由將積層片中的第1黏著劑層貼附於具第1保護膜之矽晶圓的第1保護膜側的面，獲得具備了積層片之具第1保護膜之矽晶圓。繼而，藉由將具備了該積層片之具第1保護膜之矽晶圓的內面進行磨削，使磨削面到達前述溝槽，而將矽晶圓分割為矽晶片，進行磨削至矽晶片的厚度成為200μm為止。繼而，使用貼附裝置(輥式層合機，琳得科公司製造的「RAD-3510　F/12」)，於上述所獲得之所有的矽晶片的內面(磨削面)貼附切割帶(琳得科公司製造的「D-686H」)。並且，使用刀片切割機(DISCO公司製造的「DFD6362」)，藉由刀片切割，沿著所獲得之矽晶片的外周切斷第1保護膜。此時，刀片的移動速度設為10mm/s，刀片的旋轉速度設為50000rpm，將切割帶的基材自矽晶片側的面藉由刀片切入至20μm的深度為止。藉由以上步驟，獲得了複數個的具第1保護膜之矽晶片，係具備大小為6mm×6mm的矽晶片、及一體地設置於前述矽晶片的4個的側面以及1個的表面(矽晶圓具有溝槽之面)之第1保護膜處於被固定於切割帶上之狀態。
[抑制第1保護膜自晶片側面剝離的效果的評價] 繼而，自與矽晶圓的中央部之部位相當之位置、以及與位於矽晶圓的周緣部附近且相對於前述中央部位於大致等距離且彼此等距離之部位相當之4個位置，來將具第1保護膜之矽晶片自切割帶扯離並進行拾取。使用光學顯微鏡來觀察如此所取得之5個的具第1保護膜之矽晶片。並且，確認在4個的側面之中任1個存在第1保護膜的剝離之具第1保護膜之矽晶片的數量(不良品數量)。將此時的「不良品數量/評價數(＝5)」的結果表示於表1中的「剝離抑制效果」之欄。
[熱硬化性樹脂膜的Gc1以及Gc300的測定、以及X值的算出] [熱硬化性樹脂膜以及第2試片的製造]除了變更組成物(III)的塗敷量之方面以外，利用與上述相同的方法，製作厚度50μm之熱硬化性樹脂膜20片。繼而，將這些熱硬化性樹脂膜進行積層，將所獲得之積層膜裁斷成直徑25mm之圓板狀，藉此製作厚度1mm之熱硬化性樹脂膜之第2試片。
[熱硬化性樹脂膜的Gc1以及Gc300的測定、以及X值的算出] 將黏彈性測定裝置(Anton Paar公司製造的「MCR301」)中的試片的設置部位預先於90℃保溫，將上述所獲得之熱硬化性樹脂膜之第2試片載置於該設置部位，將測定治具壓抵於該第2試片的上面，藉此將第2試片固定於前述設置部位。繼而，於溫度90℃、測定頻率1Hz之條件下，使第2試片所產生之應變在0.01%至1000%之範圍內階段性地上升，測定第2試片的儲存彈性模數Gc。並且，由Gc1及Gc300之測定值算出X值。結果顯示於表1。
[熱硬化性樹脂膜的外溢量的測定] [熱硬化性樹脂膜以及第3試片的製造]使用聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET381031」，厚度38μm)，於前述剝離膜的前述剝離處理面塗敷上述所獲得之組成物(III)，於120℃加熱乾燥2分鐘，藉此形成厚度30μm之熱硬化性樹脂膜。繼而，將該熱硬化性樹脂膜與前述剝離膜一起加工成直徑170mm之圓形狀，藉此製作具剝離膜之第3試片。
[熱硬化性樹脂膜的外溢量的測定] 將所獲得之第3試片的露出面(換言之，與具備剝離膜之側為相反側的面)整面與透明的帶狀的背面研磨帶(琳得科公司製造的「E-8180」)的表面貼合，藉此獲得圖7所示之積層物。圖7係以示意方式表示自積層物中的背面研磨帶側的上方往下看所獲得之積層物時的狀態之俯視圖。如此處所示，所獲得之積層物101係背面研磨帶7、第3試片120(熱硬化性的樹脂膜12)、及剝離膜依序於這些層的厚度方向上積層而構成。
繼而，自所獲得之積層物移除前述剝離膜，使新產生之第3試片的露出面(換言之，第3試片中之與具備前述背面研磨帶之側為相反側的面)壓接於直徑12吋的矽晶圓的一表面，藉此於矽晶圓的表面貼附第3試片。此時，第3試片之貼附係使用貼附裝置(輥式層合機，琳得科公司製造的「RAD-3510F/12」)，於工作臺溫度90℃、貼附速度2mm/s、貼附壓力0.5MPa、輥貼附高度-200μm之條件下，一邊將第3試片加熱一邊進行。 繼而，針對貼附於矽晶圓之具背面研磨帶之第3試片，測定將第3試片的外周上的不同二點間連結之線段的長度的最大值，使用該測定值(前述線段的長度的最大值)，藉由參照圖2進行說明之方法，算出第3試片(換言之，熱硬化性樹脂膜)的外溢量(mm)。結果如表1所示。
[實施例2、參考例1] [熱硬化性樹脂膜以及第1保護膜形成用片的製造、以及熱硬化性樹脂膜的評價]以熱硬化性樹脂膜形成用組成物的含有成分的種類及含量成為如表1所示之方式，變更製造熱硬化性樹脂膜形成用組成物時的調配成分的種類及調配量的任一者或兩者，除此方面以外，利用與實施例1之情形相同的方法，製造熱硬化性樹脂膜以及第1保護膜形成用片並評價熱硬化性樹脂膜。結果顯示於表1。此外，表1中的含有成分一欄記載為「-」時，意指熱硬化性樹脂膜形成用組成物不含該成分。
[表1]
實施例 參考例
1 2 1
熱硬化性樹脂膜形成用組成物的含有成分 (質量份) 聚合物成分(A) (A)-1 100 100 100
環氧樹脂(B1) (B1)-1 290 - 350
(B1)-2 220 - 270
(B1)-3 - 66.7 -
熱硬化劑(B2) (B2)-1 160 - 190
(B2)-2 - 20 -
硬化促進劑(C) (C)-1 2 1.3 2
填充材料(D) (D)-1 200 - 90
(D)-2 - 213.3 -
偶合劑(E) (E)-1 - 1.3 -
添加劑(I) (I)-1 25 - -
(I)-2 3 - -
(I)-3 - - 9
[環氧樹脂(B1)以及熱硬化劑(B2)的總含量(質量份)]/[溶媒以外的成分的總含量(質量份)]×100 (質量%) 67 21.5 80.1
[填充材料(D)的含量(質量份)]/[溶媒以外的成分的總含量(質量份)]×100 (質量%) 20 53 8.9
熱硬化性樹脂膜的 評價結果 α1(ppm/K) 60 40 70
α2(ppm/K) 160 110 170
溝槽的填充適性 A C B
抑制剝離的效果 (不良品數量/評價數(=5)) 0/5 0/5 5/5
Gc1(Pa) 215000 400000 115000
Gc300(Pa) 3300 20000 3900
X值 65 20 29
熱硬化性樹脂膜的外溢量(mm) 0 - 0
由上述結果可明顯看出，實施例1至實施例2中，熱硬化性樹脂膜於矽晶圓表面的溝槽的填充適性為良好。此外，實施例1至實施例2中，在具第1保護膜之半導體晶片的4個的側面未確認到第1保護膜的剝離，當然亦未確認到第1保護膜的缺陷，第1保護膜自矽晶片側面的剝離顯著地得到抑制。實施例1至實施例2中，即使於矽晶片的表面(矽晶圓具有溝槽之面)也未確認到第1保護膜的剝離，當然亦未確認到第1保護膜的缺陷，第1保護膜自前述表面的剝離顯著地得到抑制。實施例1至實施例2中，α1為60ppm/K以下(40ppm/K至60ppm/K)。 此外，在實施例1至實施例2中α2為160ppm/K以下(110ppm/K至160ppm/K)，推測由於熱硬化性樹脂膜不僅滿足α1的條件亦滿足這種α2的條件，故在上述的溝槽的填充適性、及抑制第1保護膜自矽晶片側面的剝離這兩方面變得更佳。其中在實施例1，熱硬化性樹脂膜的溝槽的填充適性特別高。在實施例1中X值大於實施例2。
此外，實施例1之中(實施例2係未評價)，第3試片的外溢量為0mm(未確認到熱硬化性樹脂膜的外溢)，該熱硬化性樹脂膜的基本的特性良好。 實施例1至實施例2中，X值為20至65，可判斷在實施例1至實施例2的熱硬化性樹脂膜貼附至凹凸面(例如半導體晶圓的凸塊形成面)時可貫通凸部(例如凸塊)，可抑制在凸部的上部之殘留，可抑制在凹凸面之外溢，可抑制在凹凸面上之熱硬化性樹脂膜本身與其硬化物的覆蓋闕漏。
相對於此，參考例1中，在具第1保護膜之半導體晶片的4個側面中之其中一側面確認到第1保護膜的剝離。參考例1中，α1為70ppm/K。 此外，參考例1中，α2為170ppm/K，確認到熱硬化性樹脂膜除了α1不滿足前述條件以外，α2亦未滿足如先前列舉之條件(α1≦65ppm/K、α2≦165ppm/K)，故在抑制上述第1保護膜自矽晶片側面剝離的方面具有更不佳之特性。[產業可利用性]
本發明能夠用於製造覆晶連接方法中所使用之於連接焊墊部具有凸塊之半導體晶片等。
1:複合片(第1保護膜形成用片) 7:背面研磨帶 8:保護膜形成用片 9、901:半導體晶圓 9a:半導體晶圓的凸塊形成面 9b:半導體晶圓的內面 9'、900:半導體晶片 9a':半導體晶片的凸塊形成面 9b':半導體晶片的內面 9c':半導體晶片的側面 10:支撐片(第1支撐片) 10a:支撐片其中一面 11,81:基材(第1基材) 11a:基材其中一面 12:樹脂膜 12':第1保護膜 12a:樹脂膜的第1面 12b:樹脂膜的第2面 13:緩衝層 13a:緩衝層的第1面 14:黏著劑層 14a:黏著劑層的第1面 82:硬化性樹脂膜 82':保護膜 83:黏著劑層 90:半導體晶圓的溝槽 90':間隙 91:凸塊 91a:凸塊的表面 101:成為外溢狀態之樹脂膜 101':最初的樹脂膜 102:貼附對象物 120:第3試片 120':第1保護膜(切斷後的第1保護膜) 151:第1剝離膜 152:第2剝離膜 900:具第1保護膜之半導體晶片 901:具樹脂膜之半導體晶圓 902:具第1保護膜之半導體晶圓 903:具第1保護膜之半導體晶片群 904:經切入之具第1保護膜之半導體晶圓 905:具樹脂膜之半導體晶片群 910:凸塊的上部 1010:樹脂膜的外周 1010a:樹脂膜的外周上的一點 1010b:樹脂膜的外周上的另一點 9101:凸塊的頭頂部 D0 :寬度 D1 :長度
[圖1]係以示意方式表示本發明的一實施形態之樹脂膜的一例之剖視圖。 [圖2]係用於以示意方式說明樹脂膜的平面形狀為圓形之情形時的樹脂膜的外溢量之俯視圖。[圖3]係以示意方式表示本發明的一實施形態的複合片的一例之剖視圖。[圖4A]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的一例之剖視圖。[圖4B]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的一例之剖視圖。[圖4C]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的一例之剖視圖。[圖4D]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的一例之剖視圖。[圖4E]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的一例之剖視圖。[圖5A]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的另一例之剖視圖。[圖5B]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的另一例之剖視圖。[圖5C]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的另一例之剖視圖。[圖5D]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的另一例之剖視圖。[圖5E]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的另一例之剖視圖。[圖6A]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的又一例之剖視圖。[圖6B]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的又一例之剖視圖。[圖6C]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的又一例之剖視圖。[圖6D]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的又一例之剖視圖。[圖6E]係以示意方式表示使用圖3所示之複合片之情形的具第1保護膜之半導體晶片之製造方法的又一例之剖視圖。[圖7]係以示意方式表示於實施例1中在熱硬化性樹脂膜的外溢量的測定時所製作之包括熱硬化性樹脂膜之積層物之俯視圖。[圖8A]係用於以示意方式說明半導體晶圓的凸塊形成面中保護膜的形成方法之剖視圖。[圖8B]係用於以示意方式說明半導體晶圓的凸塊形成面中保護膜的形成方法之剖視圖。[圖8C]係用於以示意方式說明半導體晶圓的凸塊形成面中保護膜的形成方法之剖視圖。[圖8D]係用於以示意方式說明半導體晶圓的凸塊形成面中保護膜的形成方法之剖視圖。[圖9]係以示意方式表示在凸塊形成面與側面具備保護膜之半導體晶片的一例之剖視圖。
1:複合片(第1保護膜形成用片)
10:支撐片(第1支撐片)
10a:支撐片其中一面
11:基材(第1基材)
11a:基材其中一面
12:樹脂膜
12a:樹脂膜的第1面
13:緩衝層
13a:緩衝層的第1面
14:黏著劑層
14a:黏著劑層的第1面

Claims (9)

  1. 一種樹脂膜，係硬化性的樹脂膜； 於前述樹脂膜為熱硬化性的情形時，藉由一邊將前述樹脂膜以0.5MPa的壓力加壓，一邊以130℃加熱4小時，使前述樹脂膜進行熱硬化，另外於前述樹脂膜為能量線硬化性的情形時，藉由對前述樹脂膜以照度230mW/cm2 、光量560mJ/cm2 的條件照射能量線，使前述樹脂膜進行能量線硬化，將所獲得厚度0.5mm、寬度4.5mm之硬化物用作為第1試片，對前述第1試片的長度15mm的部位進行下述熱機械分析，當測定前述第1試片的溫度自-75℃至成為與玻璃轉移溫度相同之溫度為止之前述第1試片之線膨脹係數α1時，前述α1成為65ppm/K以下； 前述熱機械分析係藉由將前述第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，使前述第1試片的溫度自常溫上升至100℃，之後，藉由將前述第1試片以降溫速度5℃/min進行冷卻，使前述第1試片的溫度下降至-75℃，之後，藉由將前述第1試片以升溫速度5℃/min進行加熱，使前述第1試片的溫度上升至260℃為止。
  2. 如請求項1所記載之樹脂膜，其中於前述熱機械分析時，測定前述第1試片的溫度自與玻璃轉移溫度相同之溫度至成為260℃為止之前述第1試片的線膨脹係數α2時，前述α2成為165ppm/K以下。
  3. 如請求項1或2所記載之樹脂膜，其中將直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜用作為第2試片，以溫度90℃、頻率1Hz的條件，使前述第2試片產生應變，並測定前述第2試片的儲存彈性模數，設前述第2試片的應變為1%時之前述第2試片的儲存彈性模數為Gc1，設前述第2試片的應變為300%時之前述第2試片的儲存彈性模數為Gc300時，藉由下述式： X＝Gc1/Gc300 所算出之X值為19以上至未達10000。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之樹脂膜，其中前述樹脂膜係用於貼附至凹凸面。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之樹脂膜，其中前述樹脂膜係用於保護半導體晶片的凹凸面以及側面。
  6. 一種複合片，係具備：支撐片、以及設置於前述支撐片其中一面上之樹脂膜； 前述樹脂膜係如請求項1至5中任一項所記載之樹脂膜。
  7. 如請求項6所記載之複合片，其中前述支撐片係具備：基材、以及設置於前述基材其中一面上之黏著劑層；前述黏著劑層被配置於前述基材與前述樹脂膜之間。
  8. 如請求項6所記載之複合片，其中前述支撐片係具備：基材、以及設置於前述基材其中一面上之緩衝層；前述緩衝層被配置於前述基材與前述樹脂膜之間。
  9. 一種具第1保護膜之半導體晶片之製造方法，係使用了半導體晶圓來製造具第1保護膜之半導體晶片； 前述具第1保護膜之半導體晶片係具備：半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片的側面以及具有凸塊之面之第1保護膜； 前述半導體晶圓係於其中一面具有：凸塊、以及成為前述半導體晶圓的分割部位之溝槽； 前述具第1保護膜之半導體晶片之製造方法係具有：貼附步驟，係藉由將如請求項6至8中任一項所記載之複合片中的前述樹脂膜貼附於前述半導體晶圓的前述其中一面，來製作出在前述其中一面具備前述樹脂膜、且前述溝槽被前述樹脂膜所填充之具樹脂膜之半導體晶圓； 前述具第1保護膜之半導體晶片之製造方法進而具有： 硬化步驟(1)，在前述貼附步驟後，藉由使前述樹脂膜硬化，形成前述第1保護膜，以製作具備前述半導體晶圓、以及設置於前述半導體晶圓的前述其中一面且填充於前述溝槽之前述第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶圓；分割步驟(1)，在前述硬化步驟(1)後，藉由分割前述半導體晶圓，以製作具備複數個的前述半導體晶片、以及設置在複數個的前述半導體晶片的前述具有凸塊之面以及前述半導體晶片間的間隙之前述第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶片群；切斷步驟(1)，在前述分割步驟(1)後，藉由沿著前述具第1保護膜之半導體晶片群中的前述半導體晶片間的間隙來切斷前述第1保護膜，以製作前述具第1保護膜之半導體晶片； 或是進而具有：切斷步驟(2)，在前述貼附步驟後、且在前述硬化步驟(1)後，藉由沿著前述具第1保護膜之半導體晶圓中的前述溝槽切入前述第1保護膜，以製作經切入之具第1保護膜之半導體晶圓；分割步驟(2)，在前述切斷步驟(2)後，藉由分割前述半導體晶圓，以製作前述具第1保護膜之半導體晶片； 或是進而具有：分割步驟(3)，在前述貼附步驟後，藉由分割前述半導體晶圓，以製作具備複數個的前述半導體晶片、設置在複數個的前述半導體晶片的前述具有凸塊之面以及前述半導體晶片間的間隙之前述樹脂膜而成之具樹脂膜之半導體晶片群；硬化步驟(3)，在前述分割步驟(3)後，藉由使前述樹脂膜硬化，形成前述第1保護膜，以製作具備複數個的前述半導體晶片、設置在複數個的前述半導體晶片的前述具有凸塊之面以及前述半導體晶片間的間隙之前述第1保護膜而成之具第1保護膜之半導體晶片群；切斷步驟(3)，在前述硬化步驟(3)後，藉由沿著前述具第1保護膜之半導體晶片群中的前述半導體晶片間的間隙切斷前述第1保護膜，以獲得前述具第1保護膜之半導體晶片。
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