TW202125603A - 統計資料產生方法、切斷裝置及系統 - Google Patents

統計資料產生方法、切斷裝置及系統 Download PDF

Info

Publication number
TW202125603A
TW202125603A TW109144401A TW109144401A TW202125603A TW 202125603 A TW202125603 A TW 202125603A TW 109144401 A TW109144401 A TW 109144401A TW 109144401 A TW109144401 A TW 109144401A TW 202125603 A TW202125603 A TW 202125603A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
inspection
package
aforementioned
data
statistical data
Prior art date
Application number
TW109144401A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI798610B (zh
Inventor
高橋和宏
尾關貴俊
水田彩香
Original Assignee
日商Ｔｏｗａ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 filed Critical 日商Ｔｏｗａ股份有限公司
Publication of TW202125603A publication Critical patent/TW202125603A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI798610B publication Critical patent/TWI798610B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D5/00—Arrangements for operating and controlling machines or devices for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
    • B26D5/005—Computer numerical control means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D5/00—Arrangements for operating and controlling machines or devices for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
    • B26D5/007—Control means comprising cameras, vision or image processing systems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D7/00—Details of apparatus for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/22—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
    • B28D1/24—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising with cutting discs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D7/00—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Details Of Cutting Devices (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Complex Calculations (AREA)
  • Measurement Of Velocity Or Position Using Acoustic Or Ultrasonic Waves (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本發明所欲解決的問題在於提供一種統計資料產生方法、切斷裝置及系統，用來實現後段步驟中的高度的生產管理。本發明的解決手段是一種統計資料產生方法，包含以下步驟：匯集檢查資料，該檢查資料包含封裝體零件的檢查的結果資訊，且該封裝體零件是藉由切斷封裝體基板而生產出；及，基於所匯集的檢查資料來產生統計資料。

Description

統計資料產生方法、切斷裝置及系統
本發明關於統計資料產生方法、切斷裝置及系統。
日本特開2008-4806號公報(專利文獻1)揭露了一種晶圓的加工結果管理方法。該方法中，藉由拍攝手段對在晶圓的加工過程中所形成的切削溝進行拍攝，並基於所產生的影像資訊來產生切削溝資料。該切削溝資料，與影像資訊和位置資訊附加上關聯並以累積的方式記憶於記憶手段中。被記憶住的切削溝資料和影像資訊等，顯示到顯示面板上(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] (專利文獻) 專利文獻1：日本特開2008-4806號公報。
(發明所欲解決的問題) 如上述專利文獻1所揭示，在半導體的生產步驟之中的晶圓製程中，進行高度的生產管理。另一方面，半導體的生產步驟之中的後段步驟中，並未進行高度的生產管理。然而，由於封裝體零件的小型化等因素，造成即便是在後段步驟中，相較於先前技術，也被要求進行高度的生產管理。
本發明是為了解決這樣的問題而完成，目的在於提供一種統計資料產生方法、切斷裝置及系統，用來實現後段步驟中的相較於先前技術更高度的生產管理。
(用於解決問題的手段) 遵照本發明的其中一態樣的統計資料產生方法，包含以下步驟：匯集檢查資料，該檢查資料包含封裝體零件的檢查的結果資訊，且該封裝體零件是藉由切斷封裝體基板而生產出；及，基於所匯集的檢查資料來產生統計資料。
又，遵照本發明的另一態樣的切斷裝置，具備：切斷機構、檢查機構及演算部。切斷機構，被構成為可藉由切斷封裝體基板來生產複數個封裝體零件。檢查機構，被構成為可檢查複數個封裝體零件的各者。演算部，被構成為可進行演算，該演算有使用到檢查資料，且該檢查資料包含由檢查機構所作的檢查的結果資訊。演算部，被構成為可匯集檢查資料，並基於所匯集的檢查資料來產生統計資料。
又，遵照本發明的另一態樣的系統，具備：上述切斷裝置與該切斷裝置的外部的記憶裝置。記憶裝置，被構成為可記憶檢查資料。
(發明的功效) 根據本發明，能夠提供一種統計資料產生方法、切斷裝置及系統，用來實現後段步驟中的相較於先前技術更高度的生產管理。
以下，針對本發明的實施型態，一邊參照圖式一邊詳細加以說明。此外，對於圖中相同或相當的部分附加上相同符號並且不重複該說明。
[1.系統的構成] 第1圖是示意性表示遵照本實施型態之系統100的圖。如第1圖所示，系統100包含切斷裝置1與記憶裝置30。
切斷裝置1，被構成為可藉由切斷封裝體基板(切斷對象物)來將該封裝體基板單片化成複數個封裝體零件。在封裝體基板中，已安裝半導體晶片之基板或引線框架被樹脂密封。
作為封裝體基板的一例，可舉出：BGA(球柵陣列)封裝體基板、LGA(平面柵格陣列)封裝體基板、CSP(晶片尺寸封裝體)封裝體基板、LED(發光二極體)封裝體基板、QFN(四方平面無引腳)封裝體基板。
又，切斷裝置1，被構成為可對已單片化的複數個封裝體零件的各者進行檢查。切斷裝置1中，拍攝下各封裝體零件的影像，並基於該影像來進行各封裝體零件的檢查。經由該檢查而產生檢查資料，並且各封裝體零件被分類成「良品」或「不良品」。
記憶裝置30，被構成為可記憶住經由切斷裝置1中的檢查而產生的檢查資料。在記憶裝置30中，依序蓄積有檢查資料。此外，檢查資料並不一定要記憶在記憶裝置30中，例如亦可記憶在切斷裝置1內的記憶體等之中。
一般而言，在半導體的生產步驟之中的晶圓製程中，進行高度的生產管理。另一方面，在半導體的生產步驟之中的後段步驟中，並未進行高度的生產管理。然而，由於封裝體零件的小型化等因素，造成即便是在後段步驟中也被要求進行高度的生產管理。
遵照本實施型態之切斷裝置1，被構成為可匯集包含封裝體零件的檢查的結果資訊之檢查資料，並基於所匯集的檢查資料來產生統計資料。藉由使用包含封裝體零件的檢查的結果資訊之檢查資料的統計資料，例如能夠促使早期發現在後段步驟中發生的問題。亦即，根據切斷裝置1，能夠產生可用於後段步驟中的相較於先前技術更高度的生產管理的資料(統計資料)。以下，對遵照本實施型態之切斷裝置1詳細加以說明。
[2.切斷裝置的構成] (2－1.切斷裝置的全體構成) 第2圖是示意性表示遵照本實施型態之切斷裝置1的平面圖。本實施型態中，使用封裝體基板P1作為切斷對象物，並藉由切斷裝置1將封裝體基板P1單片化為複數個半導體封裝體S1。以下，在封裝體基板P1的雙面之中，將已被樹脂密封的面稱為模塑面，並將與模塑面相反的一面稱為焊球/引線面。
如第2圖所示，切斷裝置1，作為構成要素而包含切斷模組A1、及檢查和收納模組B1。切斷模組A1，被構成為可藉由切斷封裝體基板P1來生產複數個半導體封裝體S1。檢查和收納模組B1，被構成為可對所生產出的複數個半導體封裝體S1進行檢查，然後將半導體封裝體S1收納到托盤。切斷裝置1中，各構成要素相對於其他構成要素為可拆裝且可交換。
切斷模組A1，主要包含：基板供給部3、定位部4、切斷平台5、轉軸部6及搬送部7。
基板供給部3，自收容有複數個封裝體基板P1之基板匣M1將封裝體基板P1每次一片地推出，藉此將封裝體基板P1每次一片地供給至定位部4。此時，封裝體基板P1被配置成焊球/引線面朝上。
定位部4，將已自基板供給部3推出的封裝體基板P1配置到軌道部4a上，藉此進行封裝體基板P1的定位。然後，定位部4，將已定位的封裝體基板P1搬送至切斷平台5。
切斷平台5，對要被切斷的封裝體基板P1加以保持。本實施型態中，是例示具有2個切斷平台5之雙切割平台構成的切斷裝置1。切斷平台5，包含：保持構件5a、旋轉機構5b及移動機構5c。保持構件5a，自下方吸附由定位部4搬送而來的封裝體基板P1，藉此來保持封裝體基板P1。旋轉機構5b，可使保持構件5a在圖中的θ方向旋轉。移動機構5c，可使保持構件5a沿圖中的Y軸移動。
轉軸部6，藉由切斷封裝體基板P1來將封裝體基板P1單片化成複數個半導體封裝體S1。本實施型態中，是例示具有2個轉軸部6之雙轉軸構成的切斷裝置1。轉軸部6，可沿圖中的X軸和Z軸移動。此外，切斷裝置1，亦可作成具有1個轉軸部6之單轉軸構成。
第3圖是示意性表示轉軸部6的側面圖。如第3圖所示，轉軸部6，包含：刀刃6a、旋轉軸6c、第1凸緣6d、第2凸緣6e及緊固構件6f。
刀刃6a，藉由高速旋轉來切斷封裝體基板P1，以將封裝體基板P1單片化成複數個半導體封裝體S1。刀刃6a，以被一方的凸緣(第1凸緣)6d和另一方的凸緣(第2凸緣)6e夾持的狀態，安裝於旋轉軸6c。第1凸緣6d和第2凸緣6e，藉由螺帽等的緊固構件6f而固定於旋轉軸6c。第1凸緣6d，亦稱為內凸緣。第2凸緣6e，隔著刀刃6a而配置在緊固構件6f側，亦被稱為外凸緣。
在轉軸部6中設有切削水用噴嘴、冷卻水用噴嘴及洗淨水用噴嘴(皆未圖示)等，該切削水用噴嘴向高速旋轉的刀刃6a噴射切削水，該冷卻水用噴嘴向刀刃6a噴射冷卻水，該洗淨水用噴嘴向刀刃6a噴射用來洗淨切削屑等之洗淨水。
再次參照第2圖，切斷平台5吸附封裝體基板P1後，藉由第1位置確認攝影機5d來拍攝封裝體基板P1，以確認封裝體基板P1的位置。使用第1位置確認攝影機5d之確認，例如是確認設於封裝體基板P1上的標記的位置。該標記，例如表示封裝體基板P1的切斷位置。
然後，切斷平台5，沿圖中的Y軸，向轉軸部6移動。切斷平台5移動到轉軸部6的下方後，藉由使切斷平台5與轉軸部6相對移動來切斷封裝體基板P1。然後，根據需要，藉由第2位置確認攝影機6b來拍攝封裝體基板P1，以確認封裝體基板P1的位置等。使用第2位置確認攝影機6b之確認，例如是確認封裝體基板P1的切斷位置和切斷寬度等。
切斷平台5，在封裝體基板P1的切斷完畢後，在吸附有已單片化的複數個半導體封裝體S1的狀態下，沿圖中的Y軸向遠離轉軸部6的方向移動。該移動過程中，藉由第1清潔器5e來進行半導體封裝體S1的上表面(焊球/引線面)的洗淨和乾燥。
搬送部7，自上方吸附已被保持在切斷平台5上的半導體封裝體S1，並將半導體封裝體S1搬送至檢查和收納模組B1的檢查平台11。該搬送過程中，藉由第2清潔器7a來進行半導體封裝體S1的下表面(模塑面)的洗淨和乾燥。
檢查和收納模組B1，主要包含：檢查平台11、第1光學檢查攝影機12、第2光學檢查攝影機13、配置部14及抽出部15。
檢查平台11，為了進行半導體封裝體S1的光學檢查而保持半導體封裝體S1。檢查平台11，可沿圖中的X軸移動。又，檢查平台11，能夠上下倒轉。在檢查平台11中設有保持構件，該保持構件藉由吸附半導體封裝體S1來保持半導體封裝體S1。
第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13，對半導體封裝體S1的雙面(焊球/引線面和模塑面)進行拍攝。基於藉由第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13所產生的影像資料，來進行半導體封裝體S1的各種檢查。第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13的各者，被配置成在檢查平台11的附近處對上方加以拍攝。第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13的各者中，設有可在檢查時照射光線的照明裝置(未圖示)。此外，第1光學檢查攝影機12，亦可設於切斷模組A1。
第1光學檢查攝影機12，對藉由搬送部7而搬送到檢查平台11之半導體封裝體S1的模塑面加以拍攝。然後，搬送部7，將半導體封裝體S1載置在檢查平台11的保持構件上。在保持構件已吸附半導體封裝體S1後，檢查平台11便上下倒轉。檢查平台11移動到第2光學檢查攝影機13的上方，並且藉由第2光學檢查攝影機13拍攝半導體封裝體S1的焊球/引線面。如上述，基於藉由第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13所產生的影像資料，來進行半導體封裝體S1的各種檢查。關於該檢查中的檢查項目，將在之後詳細說明。
配置部14中，配置有已檢查完畢的半導體封裝體S1。配置部14，可沿圖中的Y軸移動。檢查平台11，將已檢查完畢的半導體封裝體S1配置於配置部14。
抽出部15，將已被配置於配置部14的半導體封裝體S1移送到托盤。半導體封裝體S1，基於使用第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13的檢查結果，被區分成「良品」或「不良品」。抽出部15，基於區分的結果來將各半導體封裝體S1移動到良品用托盤15a或不良品用托盤15b。亦即，良品被收納至良品用托盤15a，且不良品被收納至不良品用托盤15b。良品用托盤15a和不良品用托盤15b的各者，一旦裝滿半導體封裝體S1便更換成新的托盤。
切斷裝置1，更包含電腦50。電腦50，控制切斷模組A1、及檢查和收納模組B1的各部之動作。根據電腦50，例如控制以下各部的動作：基板供給部3、定位部4、切斷平台5、轉軸部6、搬送部7、檢查平台11、第1光學檢查攝影機12、第2光學檢查攝影機13、配置部14及抽出部15。
又，電腦50，例如基於藉由第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13所產生的影像資料，來進行半導體封裝體S1的各種檢查。電腦50，將經由各種檢查而產生的檢查資料匯集到記憶裝置30(第1圖)中，並基於所匯集的檢查資料來產生統計資料。接著，對電腦50詳細加以說明。
(2－2.電腦的硬體構成) 第4圖是示意性表示電腦50的硬體構成的圖。如第4圖所示，電腦50，包含演算部70、輸入出介面(interface)90、通訊介面91及記憶部80，且各構成經由匯流排而電性連接。
演算部70，包含：CPU(中央處理單元)72、RAM(隨機存取記憶體)74及ROM(唯讀記憶體)76等。演算部70，被構成為可對應於資訊處理而控制電腦50內的各構成要素以及切斷裝置1內的各構成要素。
輸入出介面90，被構成為可經由訊號線而與切斷裝置1中所包含的各構成要素通訊。輸入出介面90，用於將資料自電腦50傳送到切斷裝置1內的各構成要素、以及接收自切斷裝置1內的各構成要素傳送到電腦50的資料。
通訊介面91，被構成為可經由網際網路與設於切斷裝置1的外部的外部裝置(例如第1圖的記憶裝置30)通訊。通訊介面91，例如是以有線LAN(區域網路)模組或無線LAN模組來加以構成。
記憶部80，例如是硬碟驅動器、固態硬碟驅動器等的輔助記憶裝置。記憶部80，被構成為例如可記憶有控制程式81。記憶部80，亦可記憶有檢查資料，該檢查資料是藉由使用第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13的檢查所產生。
(2－3.與封裝體零件的檢查相關的軟體構成) 第5圖是表示藉由電腦50來實現的各功能之關係的圖。演算部70，將記憶於記憶部80中的控制程式81展開於RAM 74中。並且，藉由CPU 72來編譯和執行演算部70已展開於RAM 74中的控制程式81，來使電腦50控制切斷裝置1內的各構成要素。如第5圖所示，電腦50，作為影像取得部52、檢查部54、統計資料產生部56及影像產生部58來運作。
影像取得部52，將拍攝指示傳送至第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13。在拍攝指示中，例如包含對封裝體基板P1中的拍攝範圍加以特定的資訊。此外，影像取得部52，依序變更拍攝範圍。藉此，可拍攝下封裝體基板P1中所包含的全部半導體封裝體S1的雙面。影像取得部52，經由輸入出介面90來取得藉由第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13所產生的影像資料。
檢查部54，將藉由影像取得部52所取得的影像資料加以解析，藉此進行影像資料中所包含的各半導體封裝體S1的各種檢查。作為檢查項目的一例，可舉出QFN中的「端子數(Lead Pad Number)」、「晶粒墊缺陷(Die Pad Defect)」、「標記角度(Mark Angle)」。
第6圖是用來說明QFN中的端子數的檢查的圖。參照第6圖，影像ID1是藉由第2光學檢查攝影機13所拍攝下的影像中所含的影像。亦即，影像ID1是表示與封裝體零件60的模塑面相反的一面(焊球/引線面)的影像。在封裝體零件60的中央部配置有晶粒墊61，且在封裝體零件60的周圍配置有複數個端子(電極墊)62。
在封裝體零件60的端子數檢查中，檢查部54，經由影像解析而檢測各邊中的端子數(引線墊數)。檢查部54，判定各邊中的端子數是否為規定數。檢查部54，若各邊中的端子數是規定數，則判定就「端子數」而言封裝體零件60是良品，若各邊中的端子數不是規定數，則判定就「端子數」而言封裝體零件60是不良品。檢查部54，將檢測出的各邊的端子數以及良品/不良品的判定結果，與封裝體基板中的封裝體零件60的位置資訊附加上關聯並記憶於記憶裝置30中。亦即，檢查部54，根據檢查項目，可不僅記憶良品/不良品的判定結果，亦將經由影像解析所得到的測量對象的測量值(本例中為「端子數」)與封裝體基板中的封裝體零件60的位置資訊附加上關聯並記憶於記憶裝置30中。
第7圖是用來說明QFN中的晶粒墊缺陷的檢查的圖。參照第7圖，影像ID2是藉由第2光學檢查攝影機13所拍攝下的影像中所含的影像。亦即，影像ID2是表示與封裝體零件60的模塑面相反的一面(焊球/引線面)的影像。
在封裝體零件60的晶粒墊缺陷的檢查中，檢查部54，經由影像解析來檢測晶粒墊61上的異物。除此之外，檢查部54更判定晶粒墊61上存在的異物等級是否在規定範圍內。檢查部54，若晶粒墊61上存在的異物等級在規定範圍內，則判定就晶粒墊缺陷而言封裝體零件60是良品，並且若晶粒墊61上存在的異物等級不在規定範圍內，則判定就晶粒墊缺陷而言封裝體零件60是不良品。檢查部54，將良品/不良品的判定結果，與封裝體基板中的封裝體零件60的位置資訊附加上關聯並記憶於記憶裝置30中。
第8圖是用來說明QFN中的標記角度的檢查的圖。參照第8圖，影像ID3是藉由第1光學檢查攝影機12所拍攝下的影像中所含的影像。亦即，影像ID3是表示封裝體零件60的模塑面的影像。
在封裝體零件60的模塑面上，例如印刷有封裝體零件60的品牌標記等。在封裝體零件60的標記角度的檢查中，檢查部54，經由影像解析來判定已印刷於封裝體零件60的表面上的標記Mk1的傾斜程度是否在規定範圍內。檢查部54，若標記Mk1的傾斜程度在規定範圍內，則判定就標記角度而言封裝體零件60是良品，並且若標記Mk1的傾斜程度在規定範圍外，則判定就標記角度而言封裝體零件60是不良品。檢查部54，將良品/不良品的判定結果，與封裝體基板中的封裝體零件60的位置資訊附加上關聯並記憶於記憶裝置30中。
檢查部54，除此之外亦能夠執行各種檢查項目的檢查。可藉由檢查部54來加以檢查的檢查項目的一例表示於以下的表1。
[表1]
種類 檢查項目 測量/判定內容
BGA (焊球/引線面) Package Size 測量各邊長度，並判定各邊長度是否在規定範圍內。
Corner Angle 測量各角的角度，並判定各角的角度是否在規定範圍內。
Ball Offset 測量各焊球自規定位置的偏離量，並判定偏離量是否在規定範圍內。
Bad Mark 判定有無不良標記。
Ball Number (Extra Ball) 判定焊球數量是否比規定更多。
Ball Number (Missing Ball) 判定焊球數量是否比規定更少。
Extra & Missing Ball 判定有無在規定位置不存在的焊球以及存在於規定位置以外的焊球。
Ball Pitch 測量焊球間的長度，並判定該長度是否在規定範圍內。
Ball Position 判定焊球的位置是否自規定位置偏離規定等級以上。
Ball Size 判定焊球的大小是否在規定範圍內。
Ball Shape 判定焊球的形狀是否是規定形狀。
Double Ball 判定鄰接的2個焊球是否結合在一起。
QFN (焊球/引線面) Package Size 測量各邊長度，並判定各邊長度是否在規定範圍內。
Corner Angle 測量各角的角度，並判定各角的角度是否在規定範圍內。
Lead Pad Offset 測量端子(引線)自規定位置的偏離量，並判定偏離量是否在規定範圍內。
Bad Mark 判定有無不良標記。
Lead Pad Number 判定端子數量是否如規定。
Lead Pad Size 判定端子的大小是否在規定範圍內。
Lead Pad Pitch 判定端子間的長度是否在規定範圍內。
Lead Pad Defect 判定端子上是否有異物。
Die Pad Size 判定露出於外部的晶粒墊的大小是否在規定範圍內。
Die Pad Defect 判定晶粒墊上是否有異物。
Die Pad Number 判定晶粒墊數量是否如規定。
Lead Pad Side 判定端子的切斷面狀態是否適當。
共通 (模塑面) Package Size 測量各邊長度，並判定各邊長度是否在規定範圍內。
Corner Angle 測量各角的角度，並判定各角的角度是否在規定範圍內。
Mark Offset 測量標記(品牌標記等)自規定位置的偏離量，並判定偏離量是否在規定範圍內。
No Marking 檢測到沒有原本應該存在的標記。
Mark Angle 判定封裝體零件上的標記的傾斜程度是否在規定範圍內。
Broken Mark 判定是否有構成標記的文字的一部分缺漏。
Broken Charater 檢測到構成標記的文字的一部分並未被完整印刷。
Splash Charater 判定構成標記的文字的一部分的滲出是否在規定範圍內。
Wrong Charater 檢測到構成標記的文字的一部分變成不同的文字。
PKG Scratches 判定封裝體零件上的傷痕等級是否在規定範圍內。
PKG Crack 判定封裝體零件中的破裂是否在規定範圍內。
表1中，與BGA對應的檢查項目，表示BGA的焊球/引線面中的檢查項目。又，與QFN對應的檢查項目，表示QFN的焊球/引線面中的檢查項目。又，與共通對應的檢查項目，表示BGA和QFN的模塑面中的檢查項目。
表1中所含的各種檢查項目中，封裝體零件特有的檢查的一例，有「Lead Pad Offset」、「Lead Pad Number」、「Lead Pad Size」、「Lead Pad Pitch」、「Lead Pad Defect」、「Die Pad Size」、「Die Pad Defect」、「Die Pad Number」、「Lead Pad Side」、「Mark Offset」、「No Marking」、「Mark Angle」、「Broken Mark」、「Broken Character」、「Splash Character」、「Wrong Character」。
在「Lead Pad Offset」中，檢查部54測量各端子(引線)62自規定位置的偏離量，並判定偏離是否在規定範圍內。在「Lead Pad Number」中，檢查部54判定端子62的數量是否如規定。在「Lead Pad Size」中，檢查部54判定各端子62的大小是否在規定範圍內。在「Lead Pad Pitch」中，檢查部54判定端子62間的長度是否在規定範圍內。在「Lead Pad Defect」，檢查部54判定端子62上是否有異物。在「Die Pad Size」中，檢查部54判定露出於外部的晶粒墊61的大小是否在規定範圍內。在「Die Pad Defect」中，檢查部54判定晶粒墊61上是否有異物。在「Die Pad Number」中，檢查部54判定晶粒墊61的數量是否如規定。在「Lead Pad Side」中，檢查部54判定端子的切斷面(封裝體零件60的側面)的狀態是否適當。在「Mark Offset」中，檢查部54測量標記Mk1(品牌標記等)自規定位置的偏離量，並判定偏離量是否在規定範圍內。在「No Marking」中，檢查部54檢測到沒有原本應該存在的標記Mk1。在「Mark Angle」中，檢查部54判定封裝體零件上的標記Mk1的傾斜程度是否在規定範圍內。在「Broken Mark」中，檢查部54判定是否有構成標記Mk1的文字的一部分缺漏。在「Broken Character」中，檢查部54檢測到構成標記Mk1的文字的一部分並未被完整印刷。在「Splash Character」中，檢查部54判定構成標記Mk1的文字的一部分的滲出是否在規定範圍內。在「Wrong Character」中，檢查部54檢測到構成標記Mk1的文字的一部分變成不同的文字。
再次參照第5圖，包含有由檢查部54進行的檢查的結果資訊之檢查資料，被記憶於記憶裝置30。在記憶裝置30中，匯集了複數筆檢查資料，並在資料庫DB1上加以管理。
第9圖是表示資料庫DB1的一例的圖。參照第9圖，資料庫DB1中的各行表示各封裝體零件60的檢查資料。在各行中，「批次」、「編號」、「框架編號」、「位置」及「檢查項目」各項的結果資訊被附加上對應關係。
例如，「編號」為「2」的封裝體零件60，在「框架編號」為「1」的封裝體基板(框架)P1中，存在於X座標上為「2」且Y座標上為「1」的位置。包含該封裝體零件60之框架，被包含在「0000」的「批次」中。「批次」是包含複數個框架(封裝體基板P1)之單位。關於該封裝體零件60，檢查項目「0」的結果為「1(例如是不良品)」，檢查項目「1」的結果為「0(例如是良品)」，檢查項目「2」的結果為「5.005(測量值)」。
系統100(第1圖)的使用者，關於半導體封裝體S1的生產狀況，能夠自系統100取得統計資料。該統計資料，是基於存放於資料庫DB1中的資料而產生。例如，使用者能夠藉由參照統計資料，來分析關於半導體封裝體S1的生產的問題點。使用者，對應於想要取得的統計資料來指定要用於產生統計資料的資料範圍。例如，使用者進行經由後述的影像200(第10圖)的輸入，藉此來指定資料範圍。在系統100中，使用被指定的範圍內的資料來產生統計資料。
再次參照第5圖，統計資料產生部56，遵照來自使用者的指示，自記憶裝置30取得檢查資料，並藉由匯集所取得的檢查資料來產生統計資料。統計資料產生部56，例如產生將封裝體基板P1內的各位置與半導體封裝體S1的良/不良狀況附加上對應關係的統計資料。又，統計資料產生部56，例如自表示特定批次中所含的複數個封裝體基板P1的各者中的每個位置的半導體封裝體S1的良/不良狀況的資料，產生表示封裝體基板P1的每個位置的不良發生率的統計資料。
影像產生部58，產生影像資料，該影像資料是將藉由統計資料產生部56所產生的統計資料加以可視化而成。
第10圖是表示藉由影像產生部58所產生的影像200的一例的圖。如第10圖所示，影像200包含：種類選擇部202、指示部214、區域T1及區域T2。使用者經由種類選擇部202，來選擇分析對象的封裝體基板種類是BGA還是QFN。又，使用者藉由以游標(滑鼠指標)等按下指定示214，來進行統計資料的輸出指示。區域T1，是顯示將特定封裝體基板(框架)中的統計資料加以可視化的影像的區域。區域T2，是顯示將特定批次中的統計資料加以可視化的影像的區域。
區域T1包含：輸入部204、選擇部206及結果輸出部208、218、212。使用者，經由輸入部204來輸入分析對象的封裝體基板(框架)P1的「框架編號」。又，使用者，經由選擇部206來選擇分析對象的「檢查項目」。
結果輸出部208，輸出整體為長方形狀的影像。該長方形狀的影像，包含複數個區塊。該長方形狀的影像對應於封裝體基板P1，且複數個區塊的各者對應於半導體封裝體S1。該例中，長方形狀的影像的左上區塊表示座標(1,1)。X座標自左方朝向右方存在有「1」到「14」，Y座標自上方朝向下方存在有「1」到「48」。該例中，例如對應於各封裝體零件60的不良程度，來進行對應各區塊的顏色區別。使用者，能夠藉由參照結果輸出部208所輸出的影像，而以視覺化的方式認知封裝體基板內的每個位置的不良發生狀況。
結果輸出部210，例如輸出分析對象的封裝體基板P1所含的半導體封裝體S1的總數、良品數量及不良品數量。結果輸出部212，例如輸出不良品的數量和不良品的發生率。
區域T2包含：結果輸出部220、224、226及選擇部222。使用者，經由選擇部222來選擇分析對象的「檢查項目」。
結果輸出部224，輸出用以表示批次中所含的複數個封裝體基板P1中的不良品發生位置的集計結果的影像。該影像中，X座標和Y座標所表示的意義與藉由結果輸出部208所輸出的影像相同。Z座標表示在該位置中發生的不良品總數。使用者，能夠藉由參照結果輸出部224所輸出的影像，而以視覺化的方式認知封裝體基板內每個位置的不良發生狀況。
結果輸出部220，例如輸出分析對象的批次中所含的封裝體基板P1的總數、半導體封裝體S1的總數、良品的數量及不良品的數量。結果輸出部226，例如輸出不良品的數量和不良品的發生率。
再次參照第5圖，藉由影像產生部58所產生的影像，被顯示於切斷裝置1所包含的監視器20上。使用者，能夠藉由參照被顯示於監視器20上的影像，而統計性地掌握半導體封裝體S1的生產狀況。
[3.動作] (3－1.檢查結果的蓄積動作) 第11圖是表示將半導體封裝體S1的檢查結果蓄積在記憶裝置30中之手法的流程圖。該流程圖所示的處理，是藉由電腦50每隔規定循環來執行。
參照第11圖，電腦50指示第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13，對檢查平台11上的封裝體基板P1的規定範圍依序進行拍攝(步驟S100)。電腦50，依序取得藉由第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13產生的影像資料(步驟S110)。電腦50，透過對所取得的影像資料的解析，對各半導體封裝體S1進行各種檢查(步驟S120)。電腦50，以追加透過檢查而產生的檢查資料的方式，來更新資料庫DB1(步驟S130)。
藉由反覆進行步驟S100－S130，各半導體封裝體S1的檢查資料被依序追加至資料庫DB1。
(3－2.統計資料的輸出動作) 第12圖是表示輸出統計資料之手法的流程圖。該流程圖所示的處理，是藉由電腦50每隔規定循環來執行。
參照第12圖，電腦50判定是否有來自使用者的統計資料的輸出指示(步驟S200)。例如，電腦50，判定是否已由使用者按下指示部214(第10圖)。若判定為沒有統計資料的輸出指示(步驟S200中的「否」)，則處理便遷移到「返回」。
另一方面，若判定為有統計資料的輸出指示(步驟S200中的「是」)，則電腦50自記憶裝置30(資料庫DB1)讀出與來自使用者的指示內容相符的檢查資料(步驟S210)。電腦50藉由匯集已被讀出的檢查資料來產生統計資料(步驟S220)。電腦50，產生以視覺性方式來表現統計資料的影像資料(步驟S230)。電腦50，控制監視器20(第5圖)以顯示所產生的影像(步驟S240)。
使用者，能夠藉由參照被顯示於監視器20上的影像，而統計性地掌握半導體封裝體S1的生產狀況。
[4.特徵] 如以上所述，遵照本實施型態的切斷裝置1，被構成為可匯集包含封裝體零件的檢查的結果資訊之檢查資料，並基於所匯集的檢查資料來產生統計資料。藉由使用包含封裝體零件的檢查的結果資訊之檢查資料的統計資料，例如可促使早期發現在後段步驟中產生的問題。亦即，根據切斷裝置1，能夠產生用於後段步驟中的相較於先前技術更高度的生產管理的資料(統計資料)。
又，在切斷裝置1中，檢查資料包含檢查對象的半導體封裝體S1在封裝體基板P1中的位置資訊。因此，根據切斷裝置1，能夠將半導體封裝體S1的檢查的結果資訊與封裝體基板P1中的半導體封裝體S1的位置資訊附加上對應關係來加以管理，因此能夠產生更有用的統計資料。
[5.其他實施型態] 上述實施型態的思想，並不限定於以上說明過的實施型態。以下，對能夠應用上述實施型態的思想之其他實施型態的一例加以說明。
(5－1) 上述實施型態中，是由電腦50來控制切斷裝置1全體。然而，切斷裝置1的控制並不一定要由1台電腦來執行。例如，切斷裝置1的控制亦可由複數台電腦來執行。此時，是藉由在複數台電腦間進行通訊，來實現由複數台電腦進行切斷裝置1的控制。
(5－2) 上述實施型態中，表示所產生的統計資料的影像是顯示於監視器20。然而，所產生的統計資料並不一定要顯示於監視器20。例如，所產生的統計資料，亦可傳送到其他器件。
(5－3) 上述實施型態中，是在同一台切斷裝置1中執行封裝體基板P1的切斷、半導體封裝體S1的檢查以及基於檢查資料的統計資料的產生。然而，該等操作並不一定要在同一台裝置中執行。例如亦可分別由不同裝置來執行。
(5－4) 上述實施型態中，半導體封裝體S1在封裝體基板P1中的位置資訊，是與各檢查項目的結果資訊附加上對應關係而在資料庫DB1上加以管理。然而，資料庫DB1，並不一定要包含半導體封裝體S1在封裝體基板P1中的位置資訊。
(5－5) 上述實施型態中，切斷裝置1具備第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13，且該等攝影機分別拍攝半導體封裝體S1的模塑面和焊球/引線面。然而，切斷裝置1所具備的光學檢查攝影機，並不限定於第1光學檢查攝影機12和第2光學檢查攝影機13。例如，切斷裝置1，亦可更具備用來檢查端子的切斷面(封裝體零件60的側面)之光學檢查攝影機。此時，切斷面檢查用的光學檢查攝影機，例如被設在配置部14與良品用托盤15a之間。
以上，例示性說明了本發明的實施型態。亦即，為了例示性說明而揭露了詳細說明和隨附圖式。因此，在詳細說明和隨附圖式所記載的構成要素中，可能包含有在解決問題時非必須的構成要素。因此，就算該等非必須的構成要素有被記載在詳細說明和隨附圖式中，也不該立刻認定該等非必須的構成要素是必須的。
又，上述實施型態在任何觀點中都僅為本發明的例示。上述實施型態在本發明的範圍內可進行各種改良或變更。亦即，要實施本發明時，能夠對應於實施型態而適當採用具體的構成。
1:切斷裝置 3:基板供給部 4:定位部 4a:軌道部 5:切斷平台 5a:保持構件 5b:旋轉機構 5c:移動機構 5d:第1位置確認攝影機 5e:第1清潔器 6:轉軸部 6a:刀刃 6b:第2位置確認攝影機 6c:旋轉軸 6d:第1凸緣 6e:第2凸緣 6f:緊固構件 7:搬送部 7a:第2清潔器 11:檢查平台 12:第1光學檢查攝影機 13:第2光學檢查攝影機 14:配置部 15:抽出部 15a:良品用托盤 15b:不良品用托盤 20:監視器 30:記憶裝置 50:電腦 52:影像取得部 54:檢查部 56:統計資料產生部 58:影像產生部 60:封裝體零件 61:晶粒墊 62:端子 70:演算部 72:CPU 74:RAM 76:ROM 80:記憶部 81:控制程式 90:輸入出介面 91:通訊介面 100:系統 200:影像 202:種類選擇部 204:輸入部 206:選擇部 208:結果輸出部 210:結果輸出部 212:結果輸出部 214:指示部 220:結果輸出部 222:選擇部 224:結果輸出部 226:結果輸出部 A1:切斷模組 B1:檢查和收納模組 DB1:資料庫 ID1:影像 ID2:影像 ID3:影像 M1:基板匣 Mk1:標記 P1:封裝體基板 S1:半導體封裝體 S100~S130:步驟 S200~S240:步驟 T1:區域 T2:區域
第1圖是示意性表示系統的圖。 第2圖是示意性表示切斷裝置的平面圖。 第3圖是示意性表示轉軸部的側面圖。 第4圖是示意性表示電腦的硬體構成的圖。 第5圖是表示藉由電腦來實現的各功能之關係的圖。 第6圖是用來說明QFN中的封裝體尺寸的檢查的圖。 第7圖是用來說明QFN中的角部角度的檢查的圖。 第8圖是用來說明QFN中的不良標記的檢查的圖。 第9圖是表示資料庫的一例的圖。 第10圖是表示藉由影像產生部所產生的影像的一例的圖。 第11圖是表示將半導體封裝體的檢查結果蓄積在記憶裝置中之手法的流程圖。 第12圖是表示輸出統計資料之手法的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
1:切斷裝置
30:記憶裝置
100:系統

Claims (9)

  1. 一種統計資料產生方法，包含以下步驟： 匯集檢查資料，該檢查資料包含封裝體零件的檢查的結果資訊，且該封裝體零件是藉由切斷封裝體基板而生產出；及， 基於所匯集的前述檢查資料來產生統計資料。
  2. 如請求項1所述之統計資料產生方法，其中，前述檢查資料，包含前述封裝體零件在前述封裝體基板中的位置資訊。
  3. 如請求項1或2所述之統計資料產生方法，其中，更包含以下步驟： 對藉由切斷前述封裝體基板而生產出的複數個封裝體零件的各者進行檢查。
  4. 如請求項3所述之統計資料產生方法，其中，前述檢查，是關於前述封裝體零件的端子之檢查。
  5. 如請求項3所述之統計資料產生方法，其中，前述檢查，是關於前述封裝體零件的晶粒墊之檢查。
  6. 如請求項3所述之統計資料產生方法，其中，前述檢查，是關於被形成在前述封裝體零件的表面上的標記之檢查。
  7. 如請求項1～6中任一項所述之統計資料產生方法，其中，更包含將表示前述統計資料的影像加以顯示之步驟； 並且，在前述影像中，前述封裝體零件在前述封裝體基板中的位置，與前述封裝體零件的檢查的結果附加上對應關係。
  8. 一種切斷裝置，具備： 切斷機構，其被構成為可藉由切斷封裝體基板來生產複數個封裝體零件； 檢查機構，其被構成為可檢查前述複數個封裝體零件的各者；及， 演算部，其被構成為可進行演算，該演算有使用到檢查資料，且該檢查資料包含由前述檢查機構所作的檢查的結果資訊； 其中，前述演算部，匯集前述檢查資料，並基於所匯集的前述檢查資料來產生統計資料。
  9. 一種系統，具備： 請求項8所述的切斷裝置；及， 記憶裝置，其在前述切斷裝置的外部，且被構成為可記憶前述檢查資料。
TW109144401A 2019-12-16 2020-12-16 統計資料產生方法、切斷裝置及系統 TWI798610B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-226092 2019-12-16
JP2019226092A JP7377092B2 (ja) 2019-12-16 2019-12-16 統計データ生成方法、切断装置及びシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202125603A true TW202125603A (zh) 2021-07-01
TWI798610B TWI798610B (zh) 2023-04-11

Family

ID=76431522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109144401A TWI798610B (zh) 2019-12-16 2020-12-16 統計資料產生方法、切斷裝置及系統

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP7377092B2 (zh)
KR (1) KR102716016B1 (zh)
CN (1) CN114746232B (zh)
MX (1) MX2022007395A (zh)
TW (1) TWI798610B (zh)
WO (1) WO2021124602A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023013000A (ja) * 2021-07-15 2023-01-26 Ｔｏｗａ株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590365A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Hitachi Ltd 検査装置
JP3995030B2 (ja) * 1996-09-17 2007-10-24 コグネックス・テクノロジー・アンド・インベストメント・コーポレーション 半導体パッケージの検査装置
JP3055104B2 (ja) * 1998-08-31 2000-06-26 亜南半導体株式会社 半導体パッケ―ジの製造方法
JP2000091177A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Sony Corp データ管理装置とその方法
JP2003042968A (ja) * 2001-07-27 2003-02-13 Hitachi Industries Co Ltd 基板検査結果表示装置
JP2003179193A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置の検査方法
JP4294265B2 (ja) * 2002-06-05 2009-07-08 株式会社ディスコ 検査用チップサイズパッケージ基板
JP2004031676A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Nec Yamagata Ltd ロジック製品の不良回路ブロック解析方法
JP2004333446A (ja) * 2003-05-12 2004-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 外観検査方法、外観検査装置、そのプログラム及びその記録媒体
EP1743368A4 (en) * 2004-05-07 2009-01-28 Hanmi Semiconductor Co Ltd SAWING AND HANDLING SYSTEM FOR THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR HOUSING
JP4537810B2 (ja) * 2004-09-14 2010-09-08 アイパルス株式会社 実装基板の検査用データ作成方法
GB2428182A (en) * 2005-06-24 2007-01-24 Aew Delford Systems Vision system for food cutting and portioning apparatus
JP4933774B2 (ja) * 2005-11-30 2012-05-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4548356B2 (ja) * 2006-02-13 2010-09-22 セイコーインスツル株式会社 自動薄切片標本作製装置及び自動薄切片標本作製方法
JP5134216B2 (ja) * 2006-06-23 2013-01-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工結果管理方法
JP5215556B2 (ja) * 2006-12-20 2013-06-19 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品製造用の個片化装置
JP2009147015A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd 半導体装置の検査方法、検査システム及び製造方法
US20110174445A1 (en) * 2008-11-20 2011-07-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Semi-automated reworkability equipment for de-bonding a display
JP2010165876A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Olympus Corp 欠陥関連付け装置、基板検査システム、および欠陥関連付け方法
JP5479855B2 (ja) * 2009-11-10 2014-04-23 アピックヤマダ株式会社 切削装置及び切削方法
JP2011210775A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP5613463B2 (ja) * 2010-06-03 2014-10-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2012118038A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Shin King Pay 半導体製造での欠陥信号の検出における、統計システム及びその方法
JP6218511B2 (ja) * 2013-09-02 2017-10-25 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置及び切断方法
WO2015194048A1 (ja) * 2014-06-20 2015-12-23 上野精機株式会社 電子部品検査装置
JP6333648B2 (ja) * 2014-07-16 2018-05-30 Ｔｏｗａ株式会社 個片化物品の移送方法、製造方法及び製造装置
JP6218686B2 (ja) * 2014-07-17 2017-10-25 Ｔｏｗａ株式会社 基板切断装置および基板切断方法
US10379155B2 (en) * 2014-10-02 2019-08-13 Xilinx, Inc. In-die transistor characterization in an IC
JP6212507B2 (ja) * 2015-02-05 2017-10-11 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置及び切断方法
JP6415411B2 (ja) * 2015-09-18 2018-10-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6750035B2 (ja) * 2016-04-19 2020-09-02 アナログ・デヴァイシズ・グローバル 摩耗モニタデバイス
JP2020506541A (ja) * 2017-01-23 2020-02-27 テソロ・サイエンティフィック・インコーポレーテッド 発光ダイオード（ｌｅｄ）検査装置及び製造方法
JP6640142B2 (ja) * 2017-03-31 2020-02-05 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置、半導体パッケージの貼付方法及び電子部品の製造方法
TW201917811A (zh) * 2017-06-26 2019-05-01 美商特索羅科學有限公司 發光二極體質量傳遞設備及製造方法
JP7002369B2 (ja) * 2018-03-08 2022-02-10 株式会社ディスコ チッピング測定方法及びチッピング測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220109463A (ko) 2022-08-04
JP7377092B2 (ja) 2023-11-09
MX2022007395A (es) 2022-07-13
KR102716016B1 (ko) 2024-10-15
WO2021124602A1 (ja) 2021-06-24
CN114746232B (zh) 2024-03-19
TWI798610B (zh) 2023-04-11
JP2021097093A (ja) 2021-06-24
CN114746232A (zh) 2022-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9362183B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US8259295B2 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
US20060000872A1 (en) Printed circuit board inspection device, printed circuit board assembly inspection line system, and computer-readable medium having program recorded thereon
JP2002299401A (ja) 検査システムと検査装置と半導体デバイスの製造方法及び検査プログラム
TWI798610B (zh) 統計資料產生方法、切斷裝置及系統
JP3414967B2 (ja) バンプ検査方法
KR20190011973A (ko) 리드 프레임 자동 검사 시스템
JP4119039B2 (ja) 表面実装部品装着機
JP2001228098A (ja) 検査・テーピング装置
TW202315711A (zh) 切斷裝置及切斷品的製造方法
TWI835241B (zh) 維護方法、及電子零件的製造方法
TW202220542A (zh) 檢查資料製作方法、檢查資料製作裝置及檢查裝置
TWI808864B (zh) 校正方法、及電子零件的製造方法
KR100819796B1 (ko) 반도체패키지의 분류방법
WO2024034171A1 (ja) 切断装置、及び、切断品の製造方法
US6543127B1 (en) Coplanarity inspection at the singulation process
KR20060127537A (ko) 반도체 패키지의 인트레이 검사 장치 및 검사 방법
JPH05114640A (ja) リード測定方法および装置並びにそれが使用されたリード検査装置
TWI802270B (zh) 檢查系統、檢查管理裝置、檢查程式生成方法、及程式
CN112974289B (zh) 分选方法、分选装置、计算机可读存储介质及电子设备
JP2010033593A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP2021166245A (ja) 部品実装方法及び部品実装システム
JP2019158371A (ja) 形状検査装置及び形状検査方法並びに電子部品用パッケージの製造方法
JP2017181270A (ja) 検査方法及び検査装置
JPH05231835A (ja) 半導体装置の外観検査方法および外観検査装置