JPH0590365A - 検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】カメラ７で撮像した半導体素子の画像を、検査
に先立ってＣＰＵ１３で検査し、検査エリア、しきい値
等のデータとして記憶装置２６に格納し、検査時にこの
データを使用する。 【効果】検査時に検査エリア、しきい値等のデータを求
める過程が省略できるので、検査時間が短縮できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体素子あるいは他の
電子部品等の外観検査を行なうのに好適な検査装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来の検査装置は、特開平２−１０３６
７４号公報に記載のように、基準対象物を撮像装置で撮
像してその画像を基準画像として第一の記憶部に記憶
し、基準対象物の特徴ある部分の画像及び基準画像にお
ける位置、方向に関する特徴情報を第二の記憶部に記憶
しておき、第二の記憶部に記憶した特徴情報に基づい
て、被検査対象物の画像と位置合せを行ない、この位置
合せされた被検査対象物の画像と第一の記憶部に記憶し
た基準画像とを比較して一致しているか否かを判断して
検査を行なっていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、半導
体素子の外観検査の点から考慮してみると、被検査対象
物の画像と基準画像の位置合せには効果があるが、検査
そのものについて考慮がされておらず、検査時間が長い
という問題があった。

【０００４】これは、半導体素子の外観検査項目が多
く、各検査工程が複雑であることに起因している。

【０００５】半導体素子の外観検査項目には、大きく分
類して、形状検査、リード表面検査、モールド表面検
査、マーク検査がある。これらの検査を行なうには被検
査対象物の画像を撮像手段で撮像し、撮像画像から半導
体素子の位置、傾きを演算して全体位置を認識し、次に
各リード、モールド、マークの個々の位置や形状を認識
し、次にその位置や形状から個々の検査エリアを設定
し、次に各検査毎の検査しきい値を決定し、検査エリア
と検査しきい値を使用して検査する方式が取られてい
る。これらの検査は、被検査対象物の全個に対して毎回
同様に検査を行なうため検査時間が長くなっている。

【０００６】本発明の目的は検査時間を短縮する検査装
置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に被検査対象物を撮像する撮像手段と、前記撮像手段で
得られる撮像画像を記憶する画像メモリと、前記画像メ
モリに記憶した画像に対して演算処理を行なうＣＰＵ
と、前記ＣＰＵが演算処理を行なって得た情報を記憶す
る記憶装置より構成とし、検査に先だって一個又は複数
個の被検査対象物を使用して、被検査対象物の画像を撮
像手段で撮像して画像メモリに記憶し、ＣＰＵで演算処
理を行ない検査に必要な検査エリア位置、検査しきい
値、検査特徴量をティーチングデータとして記憶装置に
記憶し、検査時に前記ティーチングデータを使用して被
検査対象物の検査を行なうようにしたものである。

【０００８】すなわち、半導体素子の外観検査におい
て、今まで個々の半導体素子毎に行なっていた検査エリ
ア位置検出、検査しきい値検出、検査特徴量検出を検査
に先だって一個又は複数個の被検査対象物を使用して計
測して、これらをティーチングデータとして記憶してお
き、検査段階では、ティーチングデータを使用又は利用
してこれらの検出を行なわないようにして検査時間を短
縮するようにしたものである。

【０００９】

【作用】撮像手段は、ティーチングデータ作成段階との
それぞれで被検査対象物を撮像するのに使用される。撮
像手段で得られた被検査対象物の撮像画像は画像メモリ
で記憶される。ティーチングデータ作成段階で複数個の
被検査対象物を使用してティーチングデータ作成する場
合には、一個毎に撮像画像を画像メモリに記憶させ、検
査エリア位置検出、検査しきい値検出、検査特徴量検出
を行なう操作を繰り返す。最後に一個毎の検査エリア位
置、検査しきい値、検査特徴量を統計処理してティーチ
ングデータを作成する。ＣＰＵは、ティーチングデータ
作成段階では画像メモリに記憶した画像に対して検査エ
リア位置検出、検査しきい値検出、検査特徴量検出の演
算処理を行なう。又、ＣＰＵは、検査段階ではティーチ
ングデータを使用又は利用して検査を行なう。記憶装置
は、ＣＰＵが演算処理を行なって得た情報をティーチン
グデータとして記憶するのに使用される。

【００１０】このように、検査に先だって一個又は複数
個の被検査対象物を使用して、被検査対象物の検査エリ
ア、検査しきい値、検査特徴量に関するティーチングデ
ータを作成し、これらのティーチングデータを検査時に
使用（又は利用）することにより被検査対象物の検査段
階で行なっていた検査エリア位置検出、検査しきい値検
出、検査特徴量検出時間を短縮することが可能となる。

【００１１】

【実施例】以下に本発明の実施例を図１から図１６によ
り説明する。

【００１２】図１は本発明による半導体素子の外観検査
装置の一実施例を示すブロック図である。図１におい
て、外観検査装置１は外観検査装置本体２、全体制御部
３、ディスプレイ４、磁気ディスク５、駆動機構制御部
２２、画像処理部２３、モニタ１８、ハードディスク装
置１５、フロッピーディスク装置１６から構成されてい
る。外観検査装置本体２はローダ・アンローダ１９、搬
送部２１、四つの検査部２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０
ｄを持つ検査部２０から構成している。

【００１３】外観検査装置本体２のローダ・アンローダ
１９から供給されて位置決めの行なわれた被検査対象物
の半導体素子６は、検査部２０の第一検査部２０ａ、第
二検査部２０ｂ、第三検査部２０ｃ、第四検査部２０ｄ
においてそれぞれ所定の外観検査が実施された後、搬送
部２１によってローダ・アンローダ１９に戻される。こ
の半導体素子６の移動は、例えば、コンベア等の搬送手
段によって行なわれ、これらは駆動機構制御部２２によ
って制御されている。検査部２０の第一検査部２０ａ、
第二検査部２０ｂ、第三検査部２０ｃ、第四検査部２０
ｄでの検査はそれぞれ対応する画像処理部２３ａ，２３
ｂ，２３ｃ，２３ｄで処理され、モニタ１８ａ，１８
ｂ，１８ｃ，１８ｄによってオペレータの目視による監
視が可能となっている。この駆動機構制御部２２及び画
像処理部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは全体制御部
３によって制御される構成である。

【００１４】図２は一個の画像処理部２３のブロック図
である。画像処理部２３はＡ／Ｄ変換部１０、画像メモ
リ１１、二値化回路１２、ＣＰＵ１３、記憶装置２６、
外部記憶装置制御部１４、Ｄ／Ａ変換部１７から構成さ
れる。

【００１５】外観検査装置本体２内の検査部２０の第一
検査部２０ａ、第二検査部２０ｂ、第三検査部２０ｃ、
第四検査部２０ｄはそれぞれは撮像手段であるカメラ７
ａ，カメラ７ｂ，カメラ７ｃ，カメラ７ｄを装備してお
り、それらはそれぞれ画像処理部２３ａ，２３ｂ，２３
ｃ，２３ｄに撮像画像の画像信号を出力する。カメラ７
でから入力された半導体素子６の画像信号は、先ず、Ａ
／Ｄ変換部１０でＡ／Ｄ変換された後、画像メモリ１１
に格納される。画像メモリ１１からは直接あるいは二値
化回路１２により二値化されたデータが読みだされ、Ｃ
ＰＵ１３で演算処理されたる。ティーチングデータ作成
段階では、ＣＰＵ１３は検査エリア位置検出、検査しき
い値検出、検査特徴量検出を行ない、これらの結果をテ
ィーチングデータとして記憶装置２６に格納する。検査
段階では、ＣＰＵ１３はティーチングデータを使用し
て、リード表面検査、モールド表面検査、マーク検査を
行なう。これらの検査は予め設定された判定値と比較し
て半導体素子６の外観不良の有無を検査するものであ
る。外観不良データは外部記憶装置制御部１４により制
御されるハードディスク装置１５あるいはフロッピーデ
ィスク装置１６に格納される。又、画像メモリ１１の画
像及びＣＰＵ１３の処理結果はＤ／Ａ変換部１７でＤ／
Ａ変換された後、モニタ１８に表示される。

【００１６】図３に被検査対象物である半導体素子６の
説明図を示す。図３の半導体素子６は、パッケージ名称
がフラットパッケージと呼ばれる半導体素子６である
が、この半導体素子６にはリードの本数の異なったり、
リードの長さが異なる品種がある。

【００１７】図４は本発明による外観検査装置１の一実
施例を示す斜視図である。図４において、外観検査装置
１は、外観検査装置本体２と、これを制御するパソコン
システム等からなる全体制御部３から構成されており、
全体制御部３には制御情報を表示するためのディスプレ
イ４の他に外部記憶手段としての磁気ディスク装置５が
備えられている。又、モニタ１８が備えられている。駆
動機構制御部２２、画像処理部２３、ハードディスク１
５、フロッピーディスク１６は外観検査装置本体２に内
蔵されている。

【００１８】図５は図１及び図４の外観検査装置内にお
ける被検査対象物の半導体素子６の移動手順を装置上の
レイアウトで具体的に示す配置図である。図６におい
て、半導体素子６は外観検査装置本体２内の収納トレイ
２４に収納された状態でローダ・アンローダ１９に供給
され、その収納トレイ２４から、順次、一個ずつ取り出
されて、位置決め部２５において半導体素子６の位置決
めが行なわれた後、検査部２０の第一検査部２０ａ、第
二検査部２０ｂ、第三検査部２０ｃ、第四検査部２０ｄ
の順に送られ、半導体素子６の反転により表裏の所定の
外観検査が実施される。

【００１９】図６（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は図
１及び図５の検査部２０のそれぞれ第一検査部２０ａ、
第二検査部２０ｂ、第三検査部２０ｃ、第四検査部２０
ｄにおける被検査対象物の半導体素子６とカメラ７との
位置関係を示す斜視図である。

【００２０】図６において、（ａ）に示す第一検査部２
０ａの位置関係では半導体素子６の側面方向にカメラ７
が配置されており、半導体素子６のθＹテーブルを回転
移動して、リードの平坦度、パッケージ側面のボイド、
リード根本部分の半田付着等が検査される。（ｂ）に示
す第二検査部２０ｂの位置関係では半導体素子６の上方
にカメラ７が配置されており、主としてパッケージ表面
のボイド、異物付着、パッケージの欠け／くぼみ、パッ
ケージクラック、マーキング状態、リードの曲がり、打
痕等が検査される。（ｃ）に示す第三検査部２０ｃの位
置関係では反転された半導体素子６の上方にカメラ７が
配置されており、半導体素子６の裏面側から（ｃ）に示
した第二検査部２０ｂでと同様の検査項目を実施する。
なお、（ｄ）に示す第四検査部２０ｄの位置関係では反
転された半導体素子６の側面方向にカメラ７が配置され
ており、半導体素子６のθＹテーブルを回転移動して、
リードの平坦度及び曲がり等を精密に検査するかあるい
は第一検査部２０ａから第三検査部２０ｃで検査するこ
とのできない部分のリード裏側等の検査を行なうように
してもよい。

【００２１】図７は画像入力方法とその光学系の構造図
である。図７において、被検査対象物の半導体素子６に
対して上方に反射光を受光可能な位置に撮像手段のカメ
ラ７と、光を照射する照明手段の照明装置８とが設置さ
れ、他方に照明装置８からの光の反射光をカメラ７に戻
さないための一定角度のテーパを持つ円錐上の背景を成
す検査ステージ９が設置されており、照明装置８によっ
て適切に照明された半導体素子６をカメラ７によって撮
像し、この撮像画像を外観検査装置１の画像入力として
いる。

【００２２】図８は図７の光学系の反射状態を示す説明
図である。図８において検査ステージ９は傾斜角４５度
程度の円錐としており、この円錐の表面を鏡面にした場
合には上方からの照明光が全反射しても、その反射光は
カメラ７に戻らないため撮像した画像の背景は暗くな
り、半導体素子６の画像に対して良好なコントラストが
得られる。

【００２３】本検査装置はティーチングモードと検査モ
ードの二つのモードを持っている。ティーチングモード
では、検査しようとする被検査対象物の半導体素子６の
一ロットの中から一個又は数個を抜き出し、リード形状
検査しきい値、リード表面検査しきい値、モールド表面
検査しきい値といったしきい値データと、リード寸法、
モールド検査エリアといった寸法位置データ及び半導体
素子の位置合せのためのパターンデータ等のティーチン
グデータを入手することを目的としている。

【００２４】検査モードでは、ティーチングモードで入
手したティーチングデータを使用して、しきい値データ
や寸法位置データを入手する過程を省略して上記半導体
素子６の一ロット分を検査する。従って、検査時間の短
縮が可能である。

【００２５】このように、本発明は一ロット毎にティー
チングと検査を繰り返すことを特徴としている。

【００２６】以下、第二検査部２０ａを例に取って、テ
ィーチングモードと検査モードに分けて説明する。

【００２７】図９は第二検査部２０ｂにおけるティーチ
ングモードのフローチャートを示す。第二検査部２０ｂ
ではリードの曲がりなどを検査するリード形状検査と、
リード表面の打痕やレジンによる汚れを検査するリード
表面検査と、パッケージ表面のボイド、異物付着、パッ
ケージの欠け／くぼみ、パッケージクラックを検査する
パッケージ表面検査を行なうものとする。

【００２８】ティーチングモードでは、まず二つのリー
ド形状検査しきい値を決定する。これらのリード形状検
査しきい値について説明する。

【００２９】図１０（ａ）はパッケージつけね部分のリ
ードを示す図である。図１０（ｂ）はリードの明暗の状
態を示したものである。上方から光が当るため、水平の
リード面は明るく写り、斜めのリード面は暗く写る。図
１０（ｃ）は適当な二値化しきい値を取りリードの画像
を二つの部分に別けた状態を示す図である。リードの形
状を検査するには、背景９からリードを分離するしきい
値と、リード自体の明部分を暗部分から区別するしきい
値が必要である。そこで前者をリード幅方向走査しきい
値（ＴＨＳ１）、後者をリード長手方向走査しきい値
（ＴＨＳ２）と称することにする。

【００３０】リード幅方向走査しきい値（ＴＨＳ１）
は、リード表面の打痕やレジンによる汚れによる影響を
受けず、リード形状が背景９の上に写り出る二値化しき
い値が望ましい。このため、リード形状検査しきい値
（ＴＨＳ１）は式（１）で示すように、半導体素子６の
周囲の背景９の複数の画素の明るさを基準として決定し
ている。

【００３１】ＴＨＳ１＝Ｘ＋３σ＋α−−−−−（１） 但し、 Ｘ：背景９の明るさの平均値 σ：背景９の明るさの標準偏差 α：一定値（＝２０） である。

【００３２】リード長手方向走査しきい値（ＴＨＳ２）
は、リードの明部分を暗部分から分離するしきい値であ
るから、パッケージの全リードでリードの明部分が暗部
分から分離するまでしきい値を上げていき、全リードで
リードの明部分が暗部分から分離した直後のしきい値を
リード長手方向走査しきい値（ＴＨＳ２）とする方法と
している。なお、リードの明部分が暗部分から分離した
後の二つのリードの明部分を区別するために図１０
（ｃ）で示すように、リード部とルート部の名称をつけ
るものとする。

【００３３】二つのリード形状検査しきい値を決定した
後、リード表面検査用のティーチングデータを求める。
これは、各リードの外形を求め、リード寸法を求め、リ
ード表面検査エリアを求め、リード表面検査しきい値を
決定する順序で行なう。

【００３４】図１１に各リードの外形を求めてから、リ
ード寸法を求め、リード表面検査エリアを求めるまでを
示している。図１１において、図１１（ａ）はリード長
手方向走査しきい値（ＴＨＳ２）で分離したリード一本
分を示している。次に、図１１（ｂ）に示すようにリー
ド部とルート部の周囲を探索し、リード部とルート部の
各々でリード長手方向の最大値と最小値を求める。その
後、しきい値をリード形状検査しきい値（ＴＨＳ１）に
変え、リード幅方向に図１１（ｃ）で示す走査線を引き
リード部とルート部の交点を求める。この走査線は図１
１（ｂ）で求めた最大値と最小値を使用しリード部、ル
ート部の内側を通るようにして引いたものである。次
に、図１１（ｄ）に示すように各リード幅方向の走査線
毎にリード部とルート部の交点の中点を求め、これらの
中点を結んでリード長手方向の走査線を引く。そしてリ
ード部、ルート部の交点を求める。この時、図１１
（ｄ）にイで示す交点を求めるにはリード形状検査しき
い値（ＴＨＳ１）を用い、ロ，ハ，ニの交点を求めるに
はリード長手方向走査しきい値（ＴＨＳ２）を用いてい
る。これは、イはリードと背景の分離部分であるのに対
し、ロ，ハはリード内の明暗の分離部分であるためであ
る。又、ニはリードとパッケージリードとの分離部分で
あるが、リード内の明暗の分離に近いのでリード長手方
向走査しきい値（ＴＨＳ２）を用いる。

【００３５】以上で各リードの外形が求まるので、次に
リード寸法を求める。リード寸法は、図１１（ｅ）に示
すようなＡ，Ｂ，Ｃの寸法でティーチングデータの一部
である。これらのリード寸法Ａ，Ｂ，Ｃは各リード毎に
演算されるが、各辺（上，下，左，右）毎に平均値を求
め、この平均値をティーチングデータとする。

【００３６】リード寸法を求めた後、図１１（ｆ）に示
すように、全リードについて、リード部とルート部の内
側にリード表面検査エリアを設定する。これには、図１
１（ｃ），（ｄ）で求めたリードの外形を使用し、リー
ドの外形の一画素分内側に入るように設定している。

【００３７】このリード表面検査エリア設定後にリード
表面検査しきい値（ＴＨＬ）が決定可能となる。リード
表面検査しきい値（ＴＨＬ）を決定する方法は、経験的
方法であるが全リードのリード表面検査エリアでリード
に少なくとも一画素分の暗部分が存在するまで低いしき
い値からしきい値を上げていき、全リード表面検査エリ
アで少なくとも一画素分の暗部分が存在した直後のしき
い値をリード表面検査しきい値（ＴＨＬ）とする方法を
とっている。

【００３８】リード表面検査用のティーチングが終了す
ると、次にパッケージ表面検査用のティーチングを行な
う。これには、各リードルート部の端（図１１（ｄ）の
ニ）からパッケージ側に走査していき、パッケージ側の
傾斜部分から水平部分に移る明るさが暗から明に変化す
る部分を全て求める。その後、各辺毎にこれらの複数の
点から最小二乗法を用いて直線を求めこの直線内をパッ
ケージ表面検査エリアに設定する。図１２にパッケージ
表面検査エリアを示す。尚、パッケージ左角のインデッ
クス部分はインデックスにそった検査エリアを設定す
る。

【００３９】パッケージ表面検査エリアを求めた後、パ
ッケージ表面検査しきい値を決定する。パッケージ表面
検査しきい値には二種類の検査しきい値がある。二種類
の検査しきい値とは、パッケージ表面暗部欠陥検査しき
い値（ＴＨＰ１）とパッケージ表面明部欠陥検査しきい
値（ＴＨＰ２）である。すなわち、パッケージ表面のボ
イド、くぼみは画像で見るとパッケージ表面の明るさよ
りも暗く見え、パッケージ表面の異物や欠け、クラック
等はパッケージ表面の明るさよりも明るく見える。この
ため、上記した二種類の検査しきい値が必要なわけであ
る。

【００４０】図１３にパッケージ表面検査しきい値決定
方法を示す。この方法はパッケージ表面検査エリア内の
全画素について明るさの度数分布を求め、このパッケー
ジ表面の明るさの度数分布が正規分布しているとしてパ
ッケージ表面暗部欠陥検査しきい値（ＴＨＰ１）とパッ
ケージ表面明部欠陥検査しきい値（ＴＨＰ２）を求め
る。式（２）、式（３）にパッケージ表面暗部欠陥検査
しきい値（ＴＨＰ１）とパッケージ表面明部欠陥検査し
きい値（ＴＨＰ２）を求める式を示す。 ＴＨＰ１＝ＸＰ−３ＸＳ−−−−−（２） ＴＨＰ２＝ＸＰ＋３ＸＳ−−−−−（３） 但し ＸＰ：パッケージ表面の明るさの度数分布の平均値 ＸＳ：パッケージ表面の明るさの度数分布の標準偏差 である。

【００４１】パッケージ表面検査用のティーチング後、
撮像画像を四分割し、それぞれをパターンマッチング用
の標準パターンとして登録する。図１４にパターンマッ
チング用の標準パターンを示す。パターンマッチング用
の標準パターンは、撮像画面を四分割した四個のパター
ン３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄで構成している。以
上は一個の半導体素子６を使用してティーチングする場
合であるが、複数の半導体素子６を使用してティーチン
グする場合は、図９に示すように、リード長手方向走査
しきい値（ＴＨＳ２）からパッケージ表面検査しきい値
決定までを半導体素子６の個数分だけ繰り返す。その
後、ティーチングデータ、すなわち、リード幅方向走査
しきい値（ＴＨＳ１）、リード長手方向走査しきい値
（ＴＨＳ２）、リード寸法Ａ，Ｂ，Ｃ、リード表面検査
しきい値（ＴＨＬ）、パッケージ表面検査エリア、パッ
ケージ表面暗部欠陥検査しきい値（ＴＨＰ１）、パッケ
ージ表面明部欠陥検査しきい値（ＴＨＰ２）をティーチ
ング個数で平均化する。

【００４２】このようにして、リード幅方向走査しきい
値（ＴＨＳ１）、リード長手方向走査しきい値（ＴＨＳ
２）、リード寸法Ａ，Ｂ，Ｃ、リード表面検査しきい値
（ＴＨＬ）、パッケージ表面検査エリア、パッケージ表
面暗部欠陥検査しきい値（ＴＨＰ１）、パッケージ表面
明部欠陥検査しきい値（ＴＨＰ２）及びパターンマッチ
ング用の標準パターンを入手してティーチングモードを
終了する。

【００４３】次に、検査モードを説明する。

【００４４】図１５に検査モードのフローチャートを示
す。半導体素子６が第二検査部２０ｂに位置決めされる
とカメラ７により、半導体素子６を撮像される。この撮
像画像とティーチングで入手したパターンマッチング用
の標準パターンをパターンマッチングし、撮像画像をテ
ィーチング時の画像に位置合せする。その後、パッケー
ジ表面検査エリアを設定し、パッケージ表面暗部欠陥検
査しきい値（ＴＨＰ１）、パッケージ表面明部欠陥検査
しきい値（ＴＨＰ２）でパッケージ表面を検査する。す
なわち、パッケージ表面暗部欠陥検査は、パッケージ表
面暗部欠陥検査しきい値（ＴＨＰ１）を使用し、パッケ
ージ表面を白の状態にして黒の部分の画素面積が数画素
以上のものを暗部欠陥として求める。パッケージ表面明
部欠陥検査は、パッケージ表面明部欠陥検査しきい値
（ＴＨＰ２）を使用し、パッケージ表面を黒の状態にし
て白の部分の画素面積が数画素以上のものを明部欠陥と
して求める。このように、パッケージ表面検査エリア、
パッケージ表面暗部欠陥検査しきい値（ＴＨＰ１）、パ
ッケージ表面明部欠陥検査しきい値（ＴＨＰ２）及びパ
ターンマッチング用の標準パターンがティーチングで求
められているので、検査が簡単で検査時間が短縮でき
る。

【００４５】パッケージ表面検査後、リード表面検査に
移る。

【００４６】図１６にリード表面検査の方法を示す。図
１６（ａ）はティーチングで求めたリード幅方向走査し
きい値（ＴＨＳ１）に設定し、リード幅方向に走査し
て、リード幅方向のリード外形を求める方法を示したも
のである。このリード幅方向の走査線は、同じくティー
チングで求めたリード寸法Ａ，Ｂ，Ｃを利用して求めた
ものである。すなわち、リード寸法Ａ，Ｂ，Ｃから数画
素加減してリード部とルート部内を走査する走査線を求
め、この走査線と各リード部とルート部の交点を求め
る。

【００４７】次に、図１６（ｂ）に示すように、ティー
チングで行なったと同様に各リード幅方向の走査線毎に
リード部とルート部の交点の中点を求めこれらの中点を
結んでリード長手方向の走査線を引く。そしてリード
部、ルート部の交点を求める。この時、図１６（ｂ）で
イと示す交点を求めるにはリード形状検査しきい値（Ｔ
ＨＳ１）を用い、ロ，ハ，ニの交点を求めるにはリード
長手方向走査しきい値（ＴＨＳ２）を用いる。

【００４８】以上で各リードの外形が求まるので、図１
６（ｃ）に示すように、全リードについて、リード部と
ルート部の内側にリード表面検査エリアを設定する。こ
れには、上記図１６（ａ），（ｂ）で求めたリードの外
形を使用し、リードの外形の一画素分内側に入るように
設定する。

【００４９】リード表面検査エリアを設定後、リード表
面検査を行なう。この時のしきい値にはリード表面検査
しきい値（ＴＨＬ）を使用し、リード表面を白の状態に
して黒の部分の画素面積が数画素以上のものをリード表
面欠陥として求めるのである。

【００５０】リード表面検査でも、リード幅方向走査し
きい値（ＴＨＳ１）、リード長手方向走査しきい値（Ｔ
ＨＳ２）、リード寸法Ａ，Ｂ，Ｃ、リード表面検査しき
い値（ＴＨＬ）がティーチングで求められているので、
検査が簡単で検査時間が短縮できる。

【００５１】

【発明の効果】本発明によれば、ティーチングモードと
検査モードから成りティーチングモードにおいて検査に
必要なリード形状検査しきい値、リード表面検査しきい
値、モールド表面検査しきい値といったしきい値データ
と、リード寸法、モールド検査エリアといった寸法位置
データ及び半導体素子の位置合せのためのパターンデー
タ等のティーチングデータを入手することができるの
で、検査モードでは、ティーチングモードで入手したテ
ィーチングデータを使用して、しきい値データや寸法位
置データを入手する過程を省略して半導体素子を検査す
ることができ、検査時間の短縮が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体素子の外観検査
装置のブロック図、

【図２】画像処理部のブロック図、

【図３】被検査対象物の説明図、

【図４】半導体素子の外観検査装置の斜視図、

【図５】半導体素子の移動手順を示す配置図、

【図６】被検査対象物とカメラの位置関係を示す斜視
図、

【図７】画像入力方法とその光学系の構造を示す説明
図、

【図８】背景の反射状態を示す説明図、

【図９】ティーチングモードのフローチャート、

【図１０】リードの明暗を示す説明図、

【図１１】ティーチングモードでのリード表面検査方法
を示す説明図、

【図１２】パッケージ表面検査エリアの平面図、

【図１３】パッケージ表面検査しきい値の決定方法を示
す説明図、

【図１４】パターンマッチング用パターンの平面図、

【図１５】検査モードのフローチャート、

【図１６】検査モードでのリード表面検査方法を示す説
明図。

【符号の説明】

２…外観検査装置本体、３…全体制御部、４…ディスプ
レイ、５…磁気ディスク装置、７…カメラ、８…照明装
置、９…検査ステージ（背景）、１０…Ａ／Ｄ変換部、
１１…画像メモリ、１２…二値化回路、１３…ＣＰＵ、
１５…ハードディスク装置、１６…フロッピディスク装
置、１８…モニタ、１９…ローダ・アンローダ、２０…
検査部、２１…搬送部、２２…駆動機構制御部、２３…
画像処理部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｆ 15/62 ４０５ Ａ 9287−5Ｌ 15/70 ４６５ Ａ 9071−5Ｌ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被検査対象物を撮像する撮像手段と、前記
   撮像手段で得られる撮像画像を記憶する画像メモリと、
   前記画像メモリに記憶した画像に対して演算処理を行な
   うＣＰＵと、前記ＣＰＵが演算処理を行なって得た情報
   を記憶する記憶装置よりなる検査装置において、検査に
   先だって一個又は複数個の前記被検査対象物を使用し
   て、前記被検査対象物の画像を前記撮像手段で撮像して
   前記画像メモリに記憶し、前記ＣＰＵで演算処理を行な
   い検査に必要な検査エリア、検査しきい値、検査特徴量
   をティーチングデータとして前記記憶装置に記憶し、検
   査時に前記ティーチングデータを使用して前記被検査対
   象物の検査を行なうことを特徴とする検査装置。