JPH05231835A - 半導体装置の外観検査方法および外観検査装置 - Google Patents
半導体装置の外観検査方法および外観検査装置Info
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- JPH05231835A JPH05231835A JP4033684A JP3368492A JPH05231835A JP H05231835 A JPH05231835 A JP H05231835A JP 4033684 A JP4033684 A JP 4033684A JP 3368492 A JP3368492 A JP 3368492A JP H05231835 A JPH05231835 A JP H05231835A
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- semiconductor device
- lead
- lead tips
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- tips
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置のリードの上下方向の位置ズレ、す
なわち浮き上がり量を非接触で正確に検出することであ
る。 【構成】複数のリード先端部の三次元内における位置を
計測し（ステップ２からステップ５）、半導体装置が実
装されたときおける半導体装置に対する位置関係が、実
際の実装面と同じ仮想実装面を求め（ステップ８および
ステップ９）、定めた仮想実装面とすべてのリード先端
部との距離を浮き上がり量として求める（ステップ１
０）。
なわち浮き上がり量を非接触で正確に検出することであ
る。 【構成】複数のリード先端部の三次元内における位置を
計測し（ステップ２からステップ５）、半導体装置が実
装されたときおける半導体装置に対する位置関係が、実
際の実装面と同じ仮想実装面を求め（ステップ８および
ステップ９）、定めた仮想実装面とすべてのリード先端
部との距離を浮き上がり量として求める（ステップ１
０）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のリードの
位置を検査する半導体装置の外観検査方法、および外観
検査装置に関する。
位置を検査する半導体装置の外観検査方法、および外観
検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置などのリード端子の上
下・左右方向の曲がり等を検査する方法としては、例え
ば、特開昭６２−２４５９０６号公報に記載されたもの
がある。
下・左右方向の曲がり等を検査する方法としては、例え
ば、特開昭６２−２４５９０６号公報に記載されたもの
がある。
【０００３】この検査方法は、半導体装置を４側方向か
ら撮像し、この撮像されたデータに基づき、リードの上
下・左右方向の曲がり等を検査するものである。この検
査方法においては、リードの上下方向の曲がり量、つま
り、電子部品を基板等に搭載した際のリードの浮き上が
り量を検査する場合には、図９および図１０に示すよう
に、半導体装置１を吸着する吸着ヘッド４の軸方向に対
して、垂直な線を基準線５とし、ここから各リード３，
３，…の先端までの距離を求め、この最小値Ｙminと最
大値Ｙmaxとの差を最大浮き上がり量Ｄとしている。そ
して、この最大浮き上がり量Ｄが所定の許容値内におさ
まっていないものは、不良品として取り扱うようにして
いる。
ら撮像し、この撮像されたデータに基づき、リードの上
下・左右方向の曲がり等を検査するものである。この検
査方法においては、リードの上下方向の曲がり量、つま
り、電子部品を基板等に搭載した際のリードの浮き上が
り量を検査する場合には、図９および図１０に示すよう
に、半導体装置１を吸着する吸着ヘッド４の軸方向に対
して、垂直な線を基準線５とし、ここから各リード３，
３，…の先端までの距離を求め、この最小値Ｙminと最
大値Ｙmaxとの差を最大浮き上がり量Ｄとしている。そ
して、この最大浮き上がり量Ｄが所定の許容値内におさ
まっていないものは、不良品として取り扱うようにして
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の検査方法では、例えば、図９に示すように、
半導体パッケージ２が変形していたり、半導体パッケー
ジ２の吸着の仕方が悪い場合などには、実際には、各リ
ード３，３，…の先端部がすべて現実の実装面６に接し
て、浮き上がり量が０の良品であるものでも、不良品と
して判断してしまうことがある。また、図１０に示すよ
うに、半導体パッケージ２が変形し、かつあるリード３
が極端に下方に曲がって、現実の実装面６に載せると、
実際の最大浮き上がり量Ｄ0が許容値を超える不良品で
あっても、基準線６からの最大値Ｙmaxと最小値Ｙminと
の差が許容値内におさまってしまうことがあり、これを
良品として判断してしまうことがある。
うな従来の検査方法では、例えば、図９に示すように、
半導体パッケージ２が変形していたり、半導体パッケー
ジ２の吸着の仕方が悪い場合などには、実際には、各リ
ード３，３，…の先端部がすべて現実の実装面６に接し
て、浮き上がり量が０の良品であるものでも、不良品と
して判断してしまうことがある。また、図１０に示すよ
うに、半導体パッケージ２が変形し、かつあるリード３
が極端に下方に曲がって、現実の実装面６に載せると、
実際の最大浮き上がり量Ｄ0が許容値を超える不良品で
あっても、基準線６からの最大値Ｙmaxと最小値Ｙminと
の差が許容値内におさまってしまうことがあり、これを
良品として判断してしまうことがある。
【０００５】すなわち、従来の検査方法では、例えば、
半導体パッケージが変形していたり、半導体パッケージ
の吸着の仕方が悪いと、良品を不良品として判定した
り、不良品を良品として判定するなど、正確に判定する
ことができないという問題点がある。本発明は、このよ
うな従来の問題点について着目してなされたもので、半
導体装置のリード位置の良・不良を正確に判定すること
ができる半導体装置の外観検査方法および外観検査装置
を提供することを目的とする。
半導体パッケージが変形していたり、半導体パッケージ
の吸着の仕方が悪いと、良品を不良品として判定した
り、不良品を良品として判定するなど、正確に判定する
ことができないという問題点がある。本発明は、このよ
うな従来の問題点について着目してなされたもので、半
導体装置のリード位置の良・不良を正確に判定すること
ができる半導体装置の外観検査方法および外観検査装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の半導体装置の外観検査方法は、複数のリード先端部の
三次元内における位置を計測し、複数の前記リード先端
部のうち、以下の３条件を満たす３つのリード先端部を
求めて、該３つのリード先端部が通る仮想実装面を定
め、 条件１：全リードの先端部が求める仮想実装面の上方に
ある 条件２：最低３つのリード先端部が求める仮想実装面に
接する 条件３：３本のリード先端部を頂点とする三角形内に前
記半導体装置の重心がある 定めた前記仮想実装面とすべての前記リード先端部との
距離を浮き上がり量として求め、求めた複数の前記浮き
上がり量のうち、最大浮き上がり量が予め定めた許容値
を超えるものを不良品とすることを特徴とするものであ
る。
の半導体装置の外観検査方法は、複数のリード先端部の
三次元内における位置を計測し、複数の前記リード先端
部のうち、以下の３条件を満たす３つのリード先端部を
求めて、該３つのリード先端部が通る仮想実装面を定
め、 条件１：全リードの先端部が求める仮想実装面の上方に
ある 条件２：最低３つのリード先端部が求める仮想実装面に
接する 条件３：３本のリード先端部を頂点とする三角形内に前
記半導体装置の重心がある 定めた前記仮想実装面とすべての前記リード先端部との
距離を浮き上がり量として求め、求めた複数の前記浮き
上がり量のうち、最大浮き上がり量が予め定めた許容値
を超えるものを不良品とすることを特徴とするものであ
る。
【０００７】
【作用】半導体装置は、各リードの長さのバラツキや、
パッケージ部分の変形等によって、パッケージ上面と実
装面とが平行にならない、つまり傾いた状態で実装され
ることがある。そこで、本発明では、半導体装置が実際
に実装されたときおける、半導体装置に対する位置関係
が、実際の実装面と同じ仮想実装面を求め、実際に実装
された状態を間接的にシミュレートしている。
パッケージ部分の変形等によって、パッケージ上面と実
装面とが平行にならない、つまり傾いた状態で実装され
ることがある。そこで、本発明では、半導体装置が実際
に実装されたときおける、半導体装置に対する位置関係
が、実際の実装面と同じ仮想実装面を求め、実際に実装
された状態を間接的にシミュレートしている。
【０００８】仮想実装面が求められると、この仮想実装
面と各リード先端部との距離を浮き上がり量として求め
る。このように求められた浮き上がり量は、半導体装置
の重量がないものを実装したときの浮き上がり量と一致
する。そして、この浮き上がり量と予め定めた許容値と
を比較して、この半導体装置が良品であるか否かを判断
する。
面と各リード先端部との距離を浮き上がり量として求め
る。このように求められた浮き上がり量は、半導体装置
の重量がないものを実装したときの浮き上がり量と一致
する。そして、この浮き上がり量と予め定めた許容値と
を比較して、この半導体装置が良品であるか否かを判断
する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係る一実施例について図１か
ら図８を用いて説明する。本実施例において検査する半
導体装置は、図８に示すように、フラットパッケージ型
の半導体装置１である。この半導体装置１のパッケージ
２の各側面ａ，ｂ，ｃ，ｄには、それぞれ、複数のガル
ウィング型リード３，３，…が設けられている。
ら図８を用いて説明する。本実施例において検査する半
導体装置は、図８に示すように、フラットパッケージ型
の半導体装置１である。この半導体装置１のパッケージ
２の各側面ａ，ｂ，ｃ，ｄには、それぞれ、複数のガル
ウィング型リード３，３，…が設けられている。
【００１０】本実施例の外観検査装置は、図２および図
３に示すように、半導体装置１を撮像するカメラ２１
と、検査結果等を表示するモニタ２２と、半導体装置１
に光を当てる照明器２３と、カメラ２１により得られた
画像データを処理する画像処理部１０と、画像処理部１
０が演算処理するためのデータやプログラムを格納する
フロッピーディスク装置２５およびハードディスク装置
２４と、半導体装置１のパッケージ２を吸着することに
より半導体装置１を固定する吸着パッド２９と、吸着パ
ッド２９に固定されている半導体装置１を回転させる回
転ステージ２８と、吸着パッド２９に固定されている半
導体装置１を移動させてカメラ２１との距離を変えるＸ
ステージ２７と、半導体装置１を吸着パッド２９まで搬
送する搬送部３０と、複数の半導体装置１が収納されて
いるパレット（図示されていない）から一つの半導体装
置１を取り出して搬送部３０から吸着パッド２９へ移動
させるローダ・アンローダ３１と、Ｘステージ２７や搬
送部３０等を制御する制御部２６と、を有して構成され
ている。
３に示すように、半導体装置１を撮像するカメラ２１
と、検査結果等を表示するモニタ２２と、半導体装置１
に光を当てる照明器２３と、カメラ２１により得られた
画像データを処理する画像処理部１０と、画像処理部１
０が演算処理するためのデータやプログラムを格納する
フロッピーディスク装置２５およびハードディスク装置
２４と、半導体装置１のパッケージ２を吸着することに
より半導体装置１を固定する吸着パッド２９と、吸着パ
ッド２９に固定されている半導体装置１を回転させる回
転ステージ２８と、吸着パッド２９に固定されている半
導体装置１を移動させてカメラ２１との距離を変えるＸ
ステージ２７と、半導体装置１を吸着パッド２９まで搬
送する搬送部３０と、複数の半導体装置１が収納されて
いるパレット（図示されていない）から一つの半導体装
置１を取り出して搬送部３０から吸着パッド２９へ移動
させるローダ・アンローダ３１と、Ｘステージ２７や搬
送部３０等を制御する制御部２６と、を有して構成され
ている。
【００１１】画像処理部１０は、図４に示すように、カ
メラ２１の画像データをＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器１
１と、このデータ等を記憶する画像メモリ１３と、画像
メモリ１３に記憶されている内容を２値化処理する２値
化回路１４と、各種演算等を実行する処理部１５と、フ
ロッピーディスク装置２５およびハードディスク装置２
４を制御する外部記憶装置制御部１６と、を有して構成
されている。
メラ２１の画像データをＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器１
１と、このデータ等を記憶する画像メモリ１３と、画像
メモリ１３に記憶されている内容を２値化処理する２値
化回路１４と、各種演算等を実行する処理部１５と、フ
ロッピーディスク装置２５およびハードディスク装置２
４を制御する外部記憶装置制御部１６と、を有して構成
されている。
【００１２】なお、本実施例において、撮像手段は、後
述する図１のフローにおけるステップ２を実行する部
分、すなわちカメラ２１と回転ステージ２８と制御部２
６とを有して構成され、位置算出手段は、図１のフロー
におけるステップ３からステップ５を実行する画像処理
部１０により構成される。また、仮想実装面設定手段と
浮き上がり量算出手段と浮き上がり量判断手段とは、い
ずれも画像処理部１０により構成している。
述する図１のフローにおけるステップ２を実行する部
分、すなわちカメラ２１と回転ステージ２８と制御部２
６とを有して構成され、位置算出手段は、図１のフロー
におけるステップ３からステップ５を実行する画像処理
部１０により構成される。また、仮想実装面設定手段と
浮き上がり量算出手段と浮き上がり量判断手段とは、い
ずれも画像処理部１０により構成している。
【００１３】次に、図１に示すフローチャートに従っ
て、外観検査装置の動作について説明する。ステップ１
では、複数の半導体装置１が収納されているパレットか
ら一つの半導体装置１をローダ３１で取り出し、これを
搬送部３０まで移送する。搬送部３０は、この半導体装
置１を吸着パッド２９まで搬送して、吸着パッド２９上
に載置する。吸着パッド２９は、半導体装置１のパッケ
ージ２を真空吸着して、これを固定する。
て、外観検査装置の動作について説明する。ステップ１
では、複数の半導体装置１が収納されているパレットか
ら一つの半導体装置１をローダ３１で取り出し、これを
搬送部３０まで移送する。搬送部３０は、この半導体装
置１を吸着パッド２９まで搬送して、吸着パッド２９上
に載置する。吸着パッド２９は、半導体装置１のパッケ
ージ２を真空吸着して、これを固定する。
【００１４】半導体装置１が固定されると、ステップ２
では、カメラ２１で半導体装置１の４側面を撮像し、こ
れを画像処理部１０に取り込む。このステップでは、半
導体装置１が吸着パッド２９により固定されると、照明
器２３が半導体装置１の側面を照らし、Ｘステージ２８
が駆動して、カメラ２１の焦点を半導体装置１のリード
３先端部に合わせる。カメラ２１の焦点が合うと、半導
体装置１の側面を撮像する。半導体装置１の一の側面の
画像入力が終了すると、回転ステージ２８が駆動して半
導体装置１を９０°回転させ、半導体装置１の一の側面
に隣接する側面を前述同様に撮像する。この一連の動作
を、図５に示すタイムチャートに従って、実行し、半導
体装置１の４側面の画像を取り込む。
では、カメラ２１で半導体装置１の４側面を撮像し、こ
れを画像処理部１０に取り込む。このステップでは、半
導体装置１が吸着パッド２９により固定されると、照明
器２３が半導体装置１の側面を照らし、Ｘステージ２８
が駆動して、カメラ２１の焦点を半導体装置１のリード
３先端部に合わせる。カメラ２１の焦点が合うと、半導
体装置１の側面を撮像する。半導体装置１の一の側面の
画像入力が終了すると、回転ステージ２８が駆動して半
導体装置１を９０°回転させ、半導体装置１の一の側面
に隣接する側面を前述同様に撮像する。この一連の動作
を、図５に示すタイムチャートに従って、実行し、半導
体装置１の４側面の画像を取り込む。
【００１５】取り込まれた画像は、画像処理部１０のＡ
／Ｄ変換器１１によりＡ／Ｄ変換された後、画像メモリ
１３に格納される。画像メモリ１３からは、直接あるい
は２値化回路１４により２値化されたデータが読み出さ
れ、判定処理部１５で、以下に説明するステップ３から
ステップ１１までの処理が実行される。
／Ｄ変換器１１によりＡ／Ｄ変換された後、画像メモリ
１３に格納される。画像メモリ１３からは、直接あるい
は２値化回路１４により２値化されたデータが読み出さ
れ、判定処理部１５で、以下に説明するステップ３から
ステップ１１までの処理が実行される。
【００１６】ステップ３では、図６および図７に示すよ
うに、取り込まれた４側面画像α１，…，α４から、そ
れぞれの画像α１，…，α４内におけるリードの先端位
置を検出する。ここで、以下の説明の都合上、図８に示
すように、半導体パッケージ２の側面ａに設けられてい
るリード３の先端部をリード先端部ａ１，ａ２，…ａ
ｎ、側面ｂに設けられているリード３の先端部をリード
先端部ｂ１，ｂ２，…ｂｎ、側面ｃに設けられているリ
ード３の先端部をリード先端部ｃ１，ｃ２，…，ｃｎ、
側面ｄに設けられているリード３の先端部をリード先端
部ｄ１，ｄ２，…，ｄｎとする。具体的には、ステップ
３では、画像α１からは、リード先端部ｄｎ，ａ１，ａ
２，…，ａｎ，ｂ１についてのＸ−Ｚ座標値を取得す
る。また、画像α２からは、リード先端部ａｎ，ｂ１，
ｂ２，…，ｂｎ，ｃ１についてのＹ−Ｚ座標を取得す
る。同様に、画像α３および画像α４からも、リード先
端部の座標値を取得する。
うに、取り込まれた４側面画像α１，…，α４から、そ
れぞれの画像α１，…，α４内におけるリードの先端位
置を検出する。ここで、以下の説明の都合上、図８に示
すように、半導体パッケージ２の側面ａに設けられてい
るリード３の先端部をリード先端部ａ１，ａ２，…ａ
ｎ、側面ｂに設けられているリード３の先端部をリード
先端部ｂ１，ｂ２，…ｂｎ、側面ｃに設けられているリ
ード３の先端部をリード先端部ｃ１，ｃ２，…，ｃｎ、
側面ｄに設けられているリード３の先端部をリード先端
部ｄ１，ｄ２，…，ｄｎとする。具体的には、ステップ
３では、画像α１からは、リード先端部ｄｎ，ａ１，ａ
２，…，ａｎ，ｂ１についてのＸ−Ｚ座標値を取得す
る。また、画像α２からは、リード先端部ａｎ，ｂ１，
ｂ２，…，ｂｎ，ｃ１についてのＹ−Ｚ座標を取得す
る。同様に、画像α３および画像α４からも、リード先
端部の座標値を取得する。
【００１７】ステップ５では、各画像α１，…，α４間
におけるＺ軸方向のズレを補正する。カメラ３は、吸着
パッド５の回転軸に対し垂直に設置されているため、画
像α１および画像α２の両方の画像に撮像されているリ
ード先端部ａｎ，ｂ１のＺ軸方向のズレが、そのまま、
画像α１，α２のズレとなる。補正は、このズレが無く
なるように、いずれか一方のＺ軸方向の座標値を補正す
る。同様にして、画像のＺ軸方向における全ての画像間
のズレを補正して、各画像間のＺ軸方向の値に相関関係
を持たせる。
におけるＺ軸方向のズレを補正する。カメラ３は、吸着
パッド５の回転軸に対し垂直に設置されているため、画
像α１および画像α２の両方の画像に撮像されているリ
ード先端部ａｎ，ｂ１のＺ軸方向のズレが、そのまま、
画像α１，α２のズレとなる。補正は、このズレが無く
なるように、いずれか一方のＺ軸方向の座標値を補正す
る。同様にして、画像のＺ軸方向における全ての画像間
のズレを補正して、各画像間のＺ軸方向の値に相関関係
を持たせる。
【００１８】ステップ６では、二次元座標で表していた
各リード先端部の座標値を三次元座標に変換する。変換
方法は、本実施例の場合は、各画像が垂直方向から撮像
されていることを利用して、例えば、画像α１から得ら
れないリード先端部ａ１，ａ２，…ａｎのＹ座標値、お
よび画像α４から得られないリード先端部ｄ１，ｄ２，
…，ｄｎのＸ座標値をそれぞれ０とし、画像α２から得
られないリード先端部ｂ１，ｂ２，…ｂｎのＸ座標値、
および画像α３から得られないリード先端部ｃ１，ｃ
２，，ｃｎのＹ座標値をそれぞれ定数ａ（パッケージサ
イズ）にする等により実現できる。また、例えば、画像
α１で得られるリード先端部ｂ１のＸ座標値をパッケー
ジ側面ｂに有するすべてのリードの先端部ｂ１，ｂ２，
…ｂｎのＸ座標値として取り扱うことによっても、三次
元座標変換することができる。なお、より正確な三次元
座標変換が必要な場合には、パッケージ情報からの画
像、すなわちＺ軸方向からの画像を取得することによっ
て、不足している次元の座標値を正確に得ることができ
る。
各リード先端部の座標値を三次元座標に変換する。変換
方法は、本実施例の場合は、各画像が垂直方向から撮像
されていることを利用して、例えば、画像α１から得ら
れないリード先端部ａ１，ａ２，…ａｎのＹ座標値、お
よび画像α４から得られないリード先端部ｄ１，ｄ２，
…，ｄｎのＸ座標値をそれぞれ０とし、画像α２から得
られないリード先端部ｂ１，ｂ２，…ｂｎのＸ座標値、
および画像α３から得られないリード先端部ｃ１，ｃ
２，，ｃｎのＹ座標値をそれぞれ定数ａ（パッケージサ
イズ）にする等により実現できる。また、例えば、画像
α１で得られるリード先端部ｂ１のＸ座標値をパッケー
ジ側面ｂに有するすべてのリードの先端部ｂ１，ｂ２，
…ｂｎのＸ座標値として取り扱うことによっても、三次
元座標変換することができる。なお、より正確な三次元
座標変換が必要な場合には、パッケージ情報からの画
像、すなわちＺ軸方向からの画像を取得することによっ
て、不足している次元の座標値を正確に得ることができ
る。
【００１９】次に、以上のように取得したリード先端部
の三次元座標を基に、リード３の左右方向の曲がり（こ
こでは、Ｘ軸方向またはＹ軸方向の曲がり）と、リード
３の上下方向の曲がり（ここでは、Ｚ軸方向の曲が
り）、すなわちリード３の浮き量とを検査する。リード
３の左右方向の曲がりは、ステップ６において、各リー
ド間のピッチを計測することにより求められる。その結
果、リードピッチが予め定められている許容値内であれ
ば、リード３の浮き上がり量検査の工程（ステップ８か
らステップ１２まで）に進み、許容値を超えていれば、
ステップ１３に進み、制御部２６から搬送部３０および
アンローダ３１に対して、この半導体装置１を不良品ト
レイに搬送するように指示され、不良品トレイに搬送さ
れる。
の三次元座標を基に、リード３の左右方向の曲がり（こ
こでは、Ｘ軸方向またはＹ軸方向の曲がり）と、リード
３の上下方向の曲がり（ここでは、Ｚ軸方向の曲が
り）、すなわちリード３の浮き量とを検査する。リード
３の左右方向の曲がりは、ステップ６において、各リー
ド間のピッチを計測することにより求められる。その結
果、リードピッチが予め定められている許容値内であれ
ば、リード３の浮き上がり量検査の工程（ステップ８か
らステップ１２まで）に進み、許容値を超えていれば、
ステップ１３に進み、制御部２６から搬送部３０および
アンローダ３１に対して、この半導体装置１を不良品ト
レイに搬送するように指示され、不良品トレイに搬送さ
れる。
【００２０】半導体装置１を実際に実装した際の実装面
からのリードの浮き上がり量を、非接触で正確に求める
ためには、半導体装置１を実装した際の半導体装置１と
の位置関係が、実際の実装面と同様の位置関係となる仮
想実装面を求め、この仮想実装面と各リード３の先端部
との距離を求める必要がある。なお、リードの浮き上が
り量を非接触で求めるのは、検査の際に、実装面等と接
触させて浮き上がり量を測定すると、そのハンドリング
中に、リードが実装面等はもちろん、他の部位にも接触
することがあり、より変形してからである。
からのリードの浮き上がり量を、非接触で正確に求める
ためには、半導体装置１を実装した際の半導体装置１と
の位置関係が、実際の実装面と同様の位置関係となる仮
想実装面を求め、この仮想実装面と各リード３の先端部
との距離を求める必要がある。なお、リードの浮き上が
り量を非接触で求めるのは、検査の際に、実装面等と接
触させて浮き上がり量を測定すると、そのハンドリング
中に、リードが実装面等はもちろん、他の部位にも接触
することがあり、より変形してからである。
【００２１】そこで、仮想実装面を決定するために、ま
ず、以下の３条件を満たす３点（リード先端部）を求め
る。 条件１：全リードの先端部が求める仮想平面の上方にあ
ること。 条件２：最低３本のリード先端部が求める仮想平面に接
すること。 条件３：上記３本のリード先端部を頂点とする三角形内
に半導体装置２の重心があること。 そして、これの条件を満たす３点を通る平面方程式を求
める。
ず、以下の３条件を満たす３点（リード先端部）を求め
る。 条件１：全リードの先端部が求める仮想平面の上方にあ
ること。 条件２：最低３本のリード先端部が求める仮想平面に接
すること。 条件３：上記３本のリード先端部を頂点とする三角形内
に半導体装置２の重心があること。 そして、これの条件を満たす３点を通る平面方程式を求
める。
【００２２】フロー的には、まず、ステップ８で、条件
２および条件３より、候補となる３点を求め、ステップ
９で、この３点を通る平面、つまり仮想実装面を求め
る。そして、ステップ１０で、全リード先端部の浮き上
がり量（Ｚ軸方向における仮想実装面からリード先端部
までの距離）を計算し、ステップ１１で、条件１を満た
すか否か、つまり負のデータがあるか否かを判断し、負
のデータがあれば、再びステップ８に戻り、別の仮想実
装面を求め、負のデータがなければ、ステップ１２に進
む。
２および条件３より、候補となる３点を求め、ステップ
９で、この３点を通る平面、つまり仮想実装面を求め
る。そして、ステップ１０で、全リード先端部の浮き上
がり量（Ｚ軸方向における仮想実装面からリード先端部
までの距離）を計算し、ステップ１１で、条件１を満た
すか否か、つまり負のデータがあるか否かを判断し、負
のデータがあれば、再びステップ８に戻り、別の仮想実
装面を求め、負のデータがなければ、ステップ１２に進
む。
【００２３】ステップ１２では、ステップ１０で求めた
浮き上がり量のうち、最大浮き上がり量が予め定められ
た許容値内か否かを判断する。なお、ステップ１０で求
めた浮き上がり量は、半導体装置１の自重により自身が
沈み込むことを考慮していない値であるので、前記許容
値は、半導体装置１の自重によって沈み込むことが可能
な値、つまり、浮いてるリード先端部が半導体装置１の
沈み込みにより実装面に接することが可能な範囲内の距
離が、許容値として設定されている。
浮き上がり量のうち、最大浮き上がり量が予め定められ
た許容値内か否かを判断する。なお、ステップ１０で求
めた浮き上がり量は、半導体装置１の自重により自身が
沈み込むことを考慮していない値であるので、前記許容
値は、半導体装置１の自重によって沈み込むことが可能
な値、つまり、浮いてるリード先端部が半導体装置１の
沈み込みにより実装面に接することが可能な範囲内の距
離が、許容値として設定されている。
【００２４】ステップ１２において、許容値内と判断し
た場合には、ステップ１４に進み、この半導体装置１は
良品トレイに搬送される、許容値を超えていると判断し
た場合は、ステップ１３に進み、この半導体装置１は不
良品トレイへ搬送される。
た場合には、ステップ１４に進み、この半導体装置１は
良品トレイに搬送される、許容値を超えていると判断し
た場合は、ステップ１３に進み、この半導体装置１は不
良品トレイへ搬送される。
【００２５】以上のように、本実施例では、仮想実装面
を求めて、ここからリード先端部までの距離を浮き上が
り量として扱っているので、前述したような図９および
図１０に示す場合であっても、現実の実装面６からの距
離を正確に求めることができ、良品、不良品の判定を正
確に行うことができる。
を求めて、ここからリード先端部までの距離を浮き上が
り量として扱っているので、前述したような図９および
図１０に示す場合であっても、現実の実装面６からの距
離を正確に求めることができ、良品、不良品の判定を正
確に行うことができる。
【００２６】なお、本実施例において、撮像によって得
られた各画像α１，…，α４や、三次元座標変換によっ
て得られる半導体装置１の三次元的画像、さらに検査結
果等は、必要に応じて、モニタ２２に表示でき、オペレ
ータの目視による監視が可能となっている。また、本実
施例では、フラットパッケージ型の半導体装置１を検査
する例について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、リードを搭載面に差し込むものではな
く、搭載面上に載せて半田付けするものであれば、本発
明を適用することができることは言うまでもない。
られた各画像α１，…，α４や、三次元座標変換によっ
て得られる半導体装置１の三次元的画像、さらに検査結
果等は、必要に応じて、モニタ２２に表示でき、オペレ
ータの目視による監視が可能となっている。また、本実
施例では、フラットパッケージ型の半導体装置１を検査
する例について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、リードを搭載面に差し込むものではな
く、搭載面上に載せて半田付けするものであれば、本発
明を適用することができることは言うまでもない。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、仮想実装面を求めて、
この面とリード先端部との距離を浮き上がり量として取
り扱っているので、正確に浮き上がり量を把握すること
ができ、半導体装置の良・不良を的確に把握することが
できる。
この面とリード先端部との距離を浮き上がり量として取
り扱っているので、正確に浮き上がり量を把握すること
ができ、半導体装置の良・不良を的確に把握することが
できる。
【図１】本発明に係る一実施例の外観検査装置の動作を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２】本発明に係る一実施例の外観検査装置の全体構
成ブロック図である。
成ブロック図である。
【図３】本発明に係る一実施例の外観検査装置の要部側
面図である。
面図である。
【図４】本発明に係る一実施例の外観検査装置の画像処
理部の回路ブロック図である。
理部の回路ブロック図である。
【図５】本発明に係る一実施例の外観検査装置の画像処
理部と制御部との動作タイミングを示すタイミングチャ
ートである。
理部と制御部との動作タイミングを示すタイミングチャ
ートである。
【図６】本発明に係る一実施例の４側面画像を説明する
ための説明図である。
ための説明図である。
【図７】本発明に係る一実施例の側面画像を示す説明図
である。
である。
【図８】本発明に係る一実施例の外観検査装置で検査さ
れる半導体装置の全体斜視図である。
れる半導体装置の全体斜視図である。
【図９】従来の外観検査方法を説明するための説明図で
ある。
ある。
【図１０】従来の外観検査方法を説明するための説明図
である。
である。
１…半導体装置、２…パッケージ、３…リード、１０…
画像処理部、２１…カメラ、２２…モニタ、２３…照明
器、２６…制御部、２７…Ｘステージ、２８…回転ステ
ージ、３０…搬送部、３１…ローダ・アンローダ。
画像処理部、２１…カメラ、２２…モニタ、２３…照明
器、２６…制御部、２７…Ｘステージ、２８…回転ステ
ージ、３０…搬送部、３１…ローダ・アンローダ。
Claims (7)
- 【請求項１】複数のリードを備えている半導体装置の外
観検査方法において、 複数の前記リード先端部の三次元内における位置を計測
し、 複数の前記リード先端部のうち、以下の３条件を満たす
３つのリード先端部を求めて、該３つのリード先端部が
通る仮想実装面を定め、 条件１：全リードの先端部が求める仮想実装面の上方に
ある 条件２：最低３つのリード先端部が求める仮想実装面に
接する 条件３：３本のリード先端部を頂点とする三角形内に前
記半導体装置の重心がある 定めた前記仮想実装面とすべての前記リード先端部との
距離を浮き上がり量として求め、 求めた複数の前記浮き上がり量のうち、最大浮き上がり
量が予め定めた許容値を超えるものを不良品とすること
を特徴とする半導体装置の外観検査方法。 - 【請求項２】計測した複数の前記リード先端部の位置か
ら、隣合うリード先端部相互間の距離を求め、 求めた前記隣合うリード先端部相互間の距離が予め定め
た許容値を超えるものを不良品とすることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の外観検査方法。 - 【請求項３】複数のリードを備えている半導体装置の外
観検査装置において、 複数の前記リード先端部の三次元内における位置を計測
する計測手段と、 複数の前記リード先端部のうち、以下の３条件を満たす
３つのリード先端部を求めて、該３つのリード先端部が
通る仮想実装面を定める仮想実装面設定手段と、 条件１：全リードの先端部が求める仮想実装面の上方に
ある 条件２：最低３つのリード先端部が求める仮想実装面に
接する 条件３：３本のリード先端部を頂点とする三角形内に前
記半導体装置の重心がある 定めた前記仮想実装面とすべての前記リード先端部との
距離を浮き上がり量として求める浮き上がり量算出手段
と、 求めた複数の前記浮き上がり量のうち、最大浮き上がり
量が予め定めた許容値を超えるものを不良品と判断する
浮き上がり量判断手段と、 を有することを特徴とする半導体装置の外観検査装置。 - 【請求項４】前記計測手段により計測された複数の前記
リード先端部の位置から、隣合うリード先端部相互間の
距離を求める相互間距離算出手段と、 求めた前記隣合うリード先端部相互間の距離が予め定め
た許容値を超えるものを不良品と判断する相互間距離判
断手段と、 を備えていることを特徴とする請求項３記載の半導体装
置の外観検査装置。 - 【請求項５】不良品と判断されたものを取り除く、不良
品除去手段を有することを特徴とする請求項３または４
記載の半導体装置の外観検査装置。 - 【請求項６】前記計測手段には、 複数の前記リード先端部のすべてを少なくとも異なる２
方向から撮像する撮像手段と、 撮像により得られた複数の画像から、複数の前記リード
先端部の三次元内における位置を求める位置算出手段
と、 を有していることを特徴とする請求項３、４または５記
載の半導体装置の外観検査装置。 - 【請求項７】各側面に複数のリードが設けられているフ
ラットパッケージ型半導体装置の外観検査装置におい
て、 前記半導体装置のパッケージ部を固定する固定手段と、 前記半導体装置を前記側面の向きが変わるよう回転させ
る回転手段と、 前記回転手段により前記半導体装置が回転する過程で、
前記各側面と対向し、該各側面と対向したときに該側面
に設けられている複数の前記リードの先端部を撮像する
撮像手段と、 撮像によって得られた複数の画像から、複数の前記リー
ド先端部の三次元内における位置を求める位置算出手段
と、 複数の前記リード先端部のうち、以下の３条件を満たす
３つのリード先端部を求めて、該３つのリード先端部が
通る仮想実装面を定める仮想実装面設定手段と、 条件１：全リードの先端部が求める仮想実装面の上方に
ある 条件２：最低３つのリード先端部が求める仮想実装面に
接する 条件３：３本のリード先端部を頂点とする三角形内に前
記半導体装置の重心がある 定めた前記仮想実装面とすべての前記リード先端部との
距離を浮き上がり量として求める浮き上がり量算出手段
と、 求めた複数の前記浮き上がり量のうち、最大浮き上がり
量が予め定めた許容値を超えるものを不良品と判断する
浮き上がり量判断手段と、 を有することを特徴とすことを特徴とする半導体装置の
外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4033684A JPH05231835A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 半導体装置の外観検査方法および外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4033684A JPH05231835A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 半導体装置の外観検査方法および外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05231835A true JPH05231835A (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=12393265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4033684A Pending JPH05231835A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 半導体装置の外観検査方法および外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05231835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0861931A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Hitachi Ltd | Ｊベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置 |
-
1992
- 1992-02-20 JP JP4033684A patent/JPH05231835A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0861931A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Hitachi Ltd | Ｊベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置 |
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