TW202040868A - 包括一減少回傳信號之突出部之多層濾波器 - Google Patents

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Abstract

一種多層濾波器可包括一信號路徑，該信號路徑具有一輸入、一輸出及上覆於複數個介電層中之至少一者上之一導電層。該導電層可在第一方向上伸長且可具有與該第一方向對準之一第一邊緣及與該第一邊緣平行之一第二邊緣。該導電層可包括一突出部，該突出部在第二方向上延伸且具有一端邊緣，該端邊緣與該第一邊緣平行且在該第二方向上自該第一邊緣偏移大於約50微米之一突出部長度。該多層濾波器可包括一電感器，該電感器在一第一位置處與該信號路徑電連接且在一第二位置處與該信號路徑或一接地中之至少一者電連接。

Description

包括一減少回傳信號之突出部之多層濾波器
本申請案係關於一種多層濾波器，且更特定而言係關於一種包括一回傳信號之多層濾波器。
電濾波器執行諸多功能且用於多種電裝置中。舉例而言，高頻信號之濾波(諸如高頻無線電信號通信)最近變得越來越流行。對無線連接性之經增加資料傳輸速度之需求已推動對高頻組件(包括經組態以在高頻(包括5G譜頻率)下進行操作之高頻組件)之需求。當前高頻濾波器採用波導或腔設計。然而，此等設計之效能特性難以裁適或定製。
回波損耗指示一電信號之在一濾波器之輸入處被反射之部分。如此，在一通帶頻率中(例如，在高頻下)展現一低回波損耗之一多層濾波器將在此項技術中係受歡迎的。
根據本發明之一項實施例，一種多層濾波器可包括複數個介電層，該複數個介電層在可垂直於一第一方向及一第二方向中之每一者之一Z方向上堆疊。該第一方向可垂直於該第二方向。該多層濾波器可包括具有一輸入及一輸出之一信號路徑。該信號路徑可包括上覆於該複數個介電層中之至少一者上之一導電層。該信號路徑之該導電層可在該第一方向上伸長。該信號路徑之該導電層可具有與該第一方向對準之一第一邊緣及與該第一邊緣平行之一第二邊緣。該信號路徑之該導電層可包括一突出部，該突出部在該第二方向上延伸且在該第一方向上位於該第一邊緣與該第二邊緣之間。該突出部可具有一端邊緣，該端邊緣與該第一邊緣平行且在該第二方向上自該第一邊緣偏移大於約50微米之一突出部長度。該多層濾波器可包括一電感器，該電感器包括一導電層，該導電層在一第一位置處與該信號路徑電連接且在一第二位置處與該信號路徑或一接地中之至少一者電連接。
根據本發明之另一實施例，一種形成一多層濾波器之方法可包括形成一信號路徑，該信號路徑包括上覆於一第一介電層上之一導電層。該信號路徑之該導電層可在第一方向上伸長。該信號路徑之該導電層可具有與該第一方向對準之一第一邊緣及與該第一邊緣平行之一第二邊緣。該信號路徑之該導電層可包括一突出部，該突出部在該第二方向上延伸且在該第一方向上位於該第一邊緣與該第二邊緣之間。該突出部可具有一端邊緣，該端邊緣與該第一邊緣平行且在該第二方向上自該第一邊緣偏移大於約50微米之一突出部長度。該方法可包括形成一電感器，該電感器包括上覆於一第二介電層上之一導電層。該方法可包括堆疊該第一介電層與該第二介電層，使得該電感器在一第一位置處與該信號路徑電連接且在一第二位置處與該信號路徑或一接地中之至少一者電連接。
相關申請案交叉參考 本申請案主張申請日期係2018年12月20日之美國臨時專利申請案第62/782,482號之申請權益，該美國臨時專利申請案以其全文引用之方式併入本文中。
熟習此項技術者應理解，本發明論述僅係例示性實施例之一說明，而非意欲限制本發明之較寬廣態樣，該等較寬廣態樣體現於例示性構造中。
一般而言，本發明係針對於一種包括一突出部之多層濾波器，該突出部可在多層濾波器之一通帶內之一頻率下減少多層濾波器之回傳信號。多層濾波器可包括複數個介電層，該複數個介電層在垂直於一第一方向(例如，一Y方向)及一第二方向(例如，一X方向)中之每一者之一Z方向上堆疊。第一方向可垂直於第二方向。信號路徑可包括上覆於複數個介電層中之一者上之一導電層。信號路徑之導電層可在一第一方向上伸長且可包括在第二方向上延伸之一突出部。突出部可在第二方向上具有大於約50微米之一長度。
突出部可在一通帶頻率範圍內減少多層濾波器之回波損耗。舉例而言，多層濾波器可在通帶頻率範圍內之一頻率下展現小於-20 dB之一回波損耗。類似地，在某些實施例中，多層濾波器可被組態為一低通濾波器且可在低於一截止頻率之一頻率下展現小於-20 dB之一回波損耗。在某些實施例中，多層濾波器可被組態為一高通濾波器且可在高於截止頻率之一頻率下展現小於-20 dB之一回波損耗。
多層濾波器可包括一或多種介電材料。在某些實施例中，一或多種介電材料可具有一低介電常數。介電常數可為小於約100、在某些實施例中小於約75、在某些實施例中小於約50、在某些實施例中小於約25、在某些實施例中小於約15且在某些實施例中小於約5。舉例而言，在某些實施例中，介電常數可介於自約1.5至100之範圍內、在某些實施例中介於自約1.5至約75之範圍內且在某些實施例中介於自約2至約8之範圍內。可在25℃之一操作溫度及1 MHz之頻率下根據IPC TM-650 2.5.5.3而判定介電常數。介電損耗正切可介於自約0.001至約0.04之範圍內，在某些實施例中介於自約0.0015至約0.0025之範圍內。
在某些實施例中，一或多種介電材料可包括有機介電材料。實例性有機介電質包括：基於聚苯醚(PPE)之材料，諸如來自Polyclad之LD621及來自Park/Nelco公司之N6000系列；液晶聚合物(LCP)，諸如來自Rogers公司或W. L.Gore & Associates公司之LCP；碳氫複合物，諸如來自Rogers公司之4000系列；及基於環氧樹脂之層壓物，諸如來自Park/Nelco公司之N4000系列。舉例而言，實例包括基於環氧樹脂之N4000-13、層壓至LCP之無溴材料、具有高K材料之有機層、未經填充高K有機層、Rogers 4350、Rogers 4003材料及其他熱塑性材料，諸如聚苯硫樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚乙烯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、聚四氟乙烯樹脂及接枝樹脂或者類似低介電常數低損耗有機材料。
在某些實施例中，介電材料可為一陶瓷填充之環氧樹脂。舉例而言，介電材料可包括一有機化合物，諸如一聚合物(例如，一環氧樹脂)且可含有一陶瓷介電材料(諸如鈦酸鋇、鈦酸鈣、氧化鋅、低火玻璃氧化鋁或者其他適合陶瓷或玻璃接合材料)之粒子。
然而，可利用其他材料，包括N6000、基於環氧樹脂之N4000-13、層壓至LCP之無溴材料、具有高K材料之有機層、未經填充高K有機層、Rogers 4350、Rogers 4003材料(來自Rogers公司)及其他熱塑性材料，諸如碳氫化合物、特氟隆、FR4、環氧樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺及丙烯酸酯、聚苯硫樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚乙烯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、聚四氟乙烯樹脂、BT樹脂複合物(例如，Speedboard C)、熱固物(例如，Hitachi MCL-LX-67F)及接枝樹脂或類似低介電常數低損耗有機材料。
另外，在某些實施例中，可使用非有機介電材料，包括一陶瓷、半導電或絕緣材料，諸如但不限於鈦酸鋇、鈦酸鈣、氧化鋅、低火玻璃氧化鋁或者其他適合陶瓷或玻璃接合材料。另一選擇係，介電材料可為一有機化合物，諸如一環氧樹脂(其中混合有或無陶瓷、具有或不具有纖維玻璃) (流行作為電路板材料)或通常作為介電質之其他塑膠。在此等情形中，導體通常係以化學方式經蝕刻以提供圖案之一銅箔。在仍其他實施例中，介電材料可包含具有一相對高介電常數(K)之一材料，諸如NPO (COG)、X7R、X5R、X7S、Z5U、Y5V及鈦酸鍶中之一者。在此等實例中，介電材料可具有大於100 (舉例而言，在自約100至約4000之間的一範圍內、在某些實施例中自約1000至約3000之一範圍內)之一介電常數。
在某些實施例中，多層濾波器可包括具有一輸入及一輸出之一信號路徑。信號路徑可包括上覆於介電層中之一或多者上之一或多個導電層。導電層可包括多種導電材料。舉例而言，導電層可包括銅、鎳、金、銀或其他金屬或者合金。導電層可直接形成於各別介電層上。另一選擇係，一或多個中間層或塗層可配置於導電層與各別介電層之間。如本文中所使用，「形成於…上」可指一導電層直接形成於一介電層上或一導電層上覆於介電層上，其間具有一中間層或塗層。
導電層可使用多種適合技術來形成。可在導電材料之板或圖案電鍍中採用減法、半加法或全加法製程後續接著印刷及蝕刻步驟以界定經圖案化導電層。可使用光微影、鍍覆(例如，電解的)、濺鍍、真空沈積、印刷或其他技術來形成導電層。舉例而言，一導電材料之一薄層(例如，一箔)可黏合(例如，層壓)至一介電層之一表面。可使用一遮罩及光微影來選擇性地蝕刻導電材料薄層以在介電材料之表面上產生導電材料之一所要圖案。
在某些實施例中，多層濾波器可包括形成於介電層中之一或多者中之一或多個通孔。舉例而言，一通孔可電連接一個介電層上之一導電層與另一介電層上之一導電層。通孔可包括多種導電材料，諸如銅、鎳、金、銀或其他金屬或者合金。可藉由對貫通孔進行鑽孔(例如，機械鑽孔、雷射鑽孔等)且用一導電材料來鍍覆貫通孔(舉例而言，使用無電式鍍覆或晶種銅)而形成通孔。可用導電材料來填充通孔，使得形成導電材料之一實心柱。另一選擇係，貫通孔之內部表面可經鍍覆使得通孔係中空的。通孔可在Z方向上具有小於約180微米、在某些實施例中小於約100微米且在某些實施例中小於約80微米之長度。
在某些實施例中，介電層中之至少某些介電層可具有如下厚度：小於約180微米、在某些實施例中小於約120微米、在某些實施例中小於約100微米、在某些實施例中小於約80微米、在某些實施例中小於60微米、在某些實施例中小於約50微米、在某些實施例中小於約40微米、在某些實施例中小於約30微米且在某些實施例中小於約20微米。
多層濾波器可展現優良效能特性，諸如針對在多層濾波器之一通帶頻率範圍內之頻率之低插入損耗。通帶頻率範圍可被界定為一連續頻率範圍，在該連續頻率範圍內，多層濾波器展現大於約-5 dB、在某些實施例中大於約-3 dB且在某些實施例中大於約-2 dB之插入損耗。
另外，多層濾波器可展現自通帶頻率範圍至通帶以外的頻率之陡峭滾降。舉例而言，針對緊接在通帶頻率範圍以外的頻率，插入損耗可以約0.1 dB / MHz、在某些實施例中大於約0.2 dB / MHz、在某些實施例中大於約0.3 dB / MHz且在某些實施例中大於約0.4 dB / MHz之一速率降低。
多層濾波器亦可跨越一寬廣範圍之溫度而展現一致效能特性(例如，插入損耗、回波損耗等)。在某些實施例中，多層濾波器之插入損耗可跨越大的溫度範圍而變化小於5 dB或更小。舉例而言，多層濾波器可在約25℃及一第一頻率下展現一第一插入損耗。多層濾波器可在一第二溫度及約第一頻率下展現一第二插入損耗。第一溫度與第二溫度之間的一溫度差可為約70℃或更大、在某些實施例中約60℃或更大、在某些實施例中約50℃或更大、在某些實施例中約30℃或更大且在某些實施例中約20℃或更大。作為一實例，第一溫度可為25℃，且第二溫度可為85℃。作為另一實例，第一溫度可為25℃，且第二溫度可為-55℃。第二插入損耗與第一插入損耗之間的差可為約5 dB或更小、在某些實施例中約2 dB或更小、在某些實施例中約1 dB或更小、在某些實施例中約0.75 dB或更小、在某些實施例中約0.5 dB或更小且在某些實施例中約0.2 dB或更小。
在某些實施例中，多層濾波器可具有介於自約0.5 mm至約30 mm、在某些實施例中自約1 mm至約15 mm且在某些實施例中自約2 mm至約8 mm之範圍內之一整體長度。
在某些實施例中，多層濾波器可具有介於自約0.2 mm至約20 mm、在某些實施例中自約0.5 mm至約15 mm、在某些實施例中自約1 mm至約10 mm且在某些實施例中自約2 mm至約8 mm之範圍內之一整體寬度。
多層濾波器可通常係低輪廓或薄的。舉例而言，在某些實施例中，多層濾波器可具有介於自約100微米至約2 mm、在某些實施例中自約150微米至約1 mm且在某些實施例中自約200微米至約300微米之範圍內之一整體厚度。
不管所採用之特定組態如何，本發明人已發現，透過對一信號路徑突出部之形狀及配置進行選擇性控制，可達成在所選擇頻率下(例如，在一通帶頻率範圍內)展現低回波損耗之一多層濾波器。
更具體而言，信號路徑可包括在一第一方向(例如，Y方向)上伸長之一導電層。突出部可在垂直於第一方向之一第二方向(例如，X方向)上自信號路徑延伸。信號路徑之導電層可具有一第一邊緣及一第二邊緣。第一邊緣及第二邊緣中之每一者可與第一方向平行。突出部可在第一方向上位於第一邊緣與第二邊緣之間。突出部可具有一端邊緣，該端邊緣與第一邊緣平行且在第二方向上自第一邊緣偏移一突出部長度。突出部長度可介於自約50微米至約1200微米、在某些實施例中自約100微米至約800微米、在某些實施例中自約150微米至約400微米(例如，約200微米)之範圍內。
第一邊緣可與第二邊緣間隔開一相對小的距離。舉例而言，可在第二方向(例如，X方向)上於第一邊緣與第二邊緣之間界定一距離。在某些實施例中，該距離可為小於200微米、在某些實施例中小於約150微米、在某些實施例中小於約100微米、在某些實施例中小於約50微米、在某些實施例中小於約20微米且在某些實施例中小於約10微米。
突出部可位於相對接近於與一輸入之一或多個電連接。電連接可包括通孔或其他適合垂直電連接(例如，雉堞部(castellation)、外部鍍層等)。更具體而言，突出部可具有與第二方向(例如，X方向)平行之一第一側邊緣。第一側邊緣可延伸於端邊緣與第一邊緣之間。可在第一方向(例如，Y方向)上於第一側邊緣與電連接之間界定一距離。在某些實施例中，該距離可為小於約500微米、在某些實施例中小於約400微米、在某些實施例中小於約300微米、在某些實施例中小於約200微米、在某些實施例中小於約100微米，例如約50微米。
突出部可在垂直於突出部長度之一方向上具有一寬度。舉例而言，突出部可具有與第二方向(例如，X方向)平行之一第二側邊緣。第二側邊緣亦可與第一側邊緣平行。第二側邊緣可延伸(例如，連接)於端邊緣與第二邊緣之間。第二側邊緣可與第一側邊緣間隔開一突出部寬度。在某些實施例中，突出部寬度可介於自約50微米至約1200微米、在某些實施例中自約100微米至約800微米、在某些實施例中自約150微米至約400微米(例如，約300微米)之範圍內。
一長度/寬度比率可被界定為突出部長度與突出部寬度之一比率。長度/寬度比率可介於自約0.2至約2、在某些實施例中自約0.3至約1.8、在某些實施例中自約0.4至約1.5且在某些實施例中自約0.5至約1.2之範圍內。
突出部之第二邊緣可近似與一第一電感器之一邊緣對準。第一電感器之邊緣可與第二方向(例如，X方向)對準。可在突出部之第二邊緣與第一電感器之間界定第一方向(例如，Y方向)上之一距離。該距離可為小於約200微米、在某些實施例中小於約100微米、在某些實施例中小於約50微米、在某些實施例中小於約20微米且在某些實施例中小於約10微米。
信號路徑可在第二方向(例如，X方向)上具有介於第一邊緣與一第三邊緣之間的一第一寬度。第三邊緣可與第一邊緣平行。第一寬度可介於自約100微米至約1200微米、在某些實施例中自約200微米至約800微米、在某些實施例中自約300微米至約400微米(例如，約350微米)之範圍內。
信號路徑可在第二方向(例如，X方向)上具有一第二寬度。第二寬度可界定於端邊緣與第三邊緣之間。第二寬度可介於自約200微米至約1400微米、在某些實施例中自約300微米至約1000微米、在某些實施例中自約400微米至約800微米(例如，約600微米)之範圍內。
信號路徑可在第二方向(例如，X方向)上具有一第三寬度。第三寬度可界定於第二邊緣與第三邊緣之間。第三寬度可介於自約100微米至約1200微米、在某些實施例中自約200微米至約800微米、在某些實施例中自約300微米至約400微米(例如，約300微米)之範圍內。
一第二/第一寬度比率可被界定為信號路徑之導電層之第二寬度與第一寬度之一比率。第二/第一寬度比率介於自約1.05至約3、在某些實施例中自約1.1至約2.5、在某些實施例中自約1.2至約2.2、在某些實施例中自約1.3至約2且在某些實施例中自約1.5至約1.7之範圍內。
突出部可在Z方向上與其他導電層間隔開至少約30微米、在某些實施例中至少約50微米、在某些實施例中至少約100微米、在某些實施例中至少約150微米、在某些實施例中至少約200微米、在某些實施例中至少約300微米。
在某些實施例中，多層濾波器可被組態為一帶通濾波器且可具有一通帶頻率範圍。多層濾波器可在通帶頻率範圍內之一頻率下展現如下一回波損耗：小於-15 dB、在某些實施例中小於-20 dB、在某些實施例中小於-25 dB、在某些實施例中小於約-30 dB、在某些實施例中小於約-35 dB且在某些實施例中小於約-40 dB。
舉例而言，多層濾波器可跨越通帶頻率範圍內之某些或所有頻率而展現小於-10 dB之回波損耗值。舉例而言，第一頻率範圍可界定於一第一頻率與一第二頻率之間，且第一頻率及第二頻率中之每一者可屬於通帶頻率範圍內。第一頻率範圍之第二頻率與第一頻率之間的一差可為約5 GHz或更大、在某些實施例中約4 GHz或更大、在某些實施例中約2 GHz或更大且在某些實施例中約1 GHz或更大。
舉例而言，多層濾波器可跨越通帶頻率範圍內之某些或所有頻率而展現小於-15 dB之回波損耗值。舉例而言，第二頻率範圍可界定於一第一頻率與一第二頻率之間，且第一頻率及第二頻率中之每一者可屬於通帶頻率範圍內。第二頻率範圍之第二頻率與第一頻率之間的一差可為3 GHz或更大、在某些實施例中2 GHz或更大且在某些實施例中1 GHz或更大。
在某些實施例中，多層濾波器可跨越屬於通帶頻率範圍內之此一第三頻率範圍而展現小於-20 dB之回波損耗值。舉例而言，第三頻率範圍可界定於一第一頻率與一第二頻率之間。第三頻率範圍之第二頻率與第一頻率之間的一差可為1,400 MHz或更大、在某些實施例中1,000 MHz或更大且在某些實施例中800 MHz或更大並且在某些實施例中400 MHz或更大。
在某些實施例中，多層濾波器可跨越屬於通帶頻率範圍內之一第四頻率範圍而展現小於-30 dB之回波損耗值。第四範圍可界定於一第一頻率與一第二頻率之間，且第一頻率及第二頻率中之每一者可屬於通帶頻率範圍內。第四頻率範圍之第二頻率與第一頻率之間的一差可為200 MHz或更大且在某些實施例中100 MHz或更大。
在某些實施例中，多層濾波器可經組態以在高頻下進行操作。多層濾波器可具有大於6 GHz之一特性頻率(例如，一低通頻率、一高通頻率、一帶通頻率之一上限或帶通頻率之一下限)。在某些實施例中，濾波器可具有如下一特性頻率：大於約6 GHz、在某些實施例中大於約10 GHz、在某些實施例中大於約15 GHz、在某些實施例中大於約20 GHz、在某些實施例中大於約25 GHz、在某些實施例中大於約30 GHz、在某些實施例中大於約35 GHz、在某些實施例中大於約40 GHz、在某些實施例中大於約45 GHz、在某些實施例中大於約50 GHz、在某些實施例中大於約60 GHz、在某些實施例中大於約70 GHz且在某些實施例中大於約80 GHz。
舉例而言，在某些實施例中，多層濾波器之一通帶頻率範圍可具有如下一下限：大於約6 GHz、在某些實施例中大於10 GHz、在某些實施例中大於20 GHz、在某些實施例中大於30 GHz、在某些實施例中大於40 GHz、在某些實施例中大於50 GHz、在某些實施例中大於約60 GHz、在某些實施例中大於約70 GHz且在某些實施例中大於約80 GHz。
I.  多層濾波器  圖1係根據本發明之態樣之一多層濾波器100之一簡化示意圖。濾波器100可包括一或多個電感器102、104、106及一或多個電容器108、110、112。一輸入電壓(由圖1中之Vi 表示)可輸入至濾波器100，且一輸出電壓(由圖1中之Vo 表示)可由濾波器100輸出。帶通濾波器100可顯著減少低頻及高頻，同時允許使在一通帶頻率範圍內之頻率傳輸穿過濾波器100而實質上不受影響。應理解，上文所闡述之簡化濾波器100僅係一帶通濾波器之一簡化實例且本發明之態樣可應用於更複雜帶通濾波器。另外，本發明之態樣可應用於其他類型之濾波器，包括(舉例而言)一低通濾波器或一高通濾波器。
圖2係根據本發明之態樣之一帶通濾波器200之一實例性實施例的一示意圖。一信號路徑201可界定於濾波器200之一輸入202與一輸出204之間。一輸入電壓(由圖1中之Vi 表示)可在濾波器200之輸入202與一接地206之間輸入至濾波器200。一輸出電壓(由圖1中之Vo 表示)可在輸出204與接地206之間由濾波器200輸出。
濾波器200可包括彼此並聯電連接之一第一電感器208及一第一電容器210。第一電感器208及第一電容器210可電連接於信號路徑201與接地206之間。濾波器200可包括彼此並聯電連接之一第二電感器212及第二電容器214。第二電感器212及第二電容器214可與信號路徑201串聯連接(例如，可形成信號路徑201之一部分)。濾波器200可包括彼此並聯電連接之一第三電感器216及第三電容器218。第三電感器216及第三電容器218可與信號路徑201串聯連接(例如，可形成信號路徑201之一部分)。濾波器200可包括彼此並聯電連接之一第四電感器220及第四電容器222。第四電感器220及第四電容器222可電連接於信號路徑201與接地206之間。 電感器208、212、216、220之電感值及電容器210、214、218、222之電容值可經選擇以產生帶通濾波器200之所要帶通頻率範圍。帶通濾波器200可顯著減少在通帶頻率範圍以外的頻率，同時允許使在一通帶頻率範圍內之頻率傳輸穿過濾波器200而實質上不受影響。
圖3A及圖3B係根據本發明之態樣之一實例性帶通濾波器300之透視圖。圖3C係圖3A及圖3B之濾波器300之一側視立面圖。參考圖3A至圖3C，帶通濾波器300可包括複數個介電層(為清晰起見而係透明的)。參考圖3C，一第一介電層304、第二介電層306及第三介電層308可經堆疊以形成一整體式結構。濾波器300可安裝至一安裝表面302，諸如一印刷電路板。導電層303、305、307、309可形成於介電層304、306、308上。導電層303可形成於第一介電層304之一底部表面上。導電層305、307可分別形成於第二介電層306之一頂部表面及一底部表面上。一接地可包括沿著濾波器300之一底部表面(導電層303之底部表面)曝露及/或終止之一接地平面312。安裝表面可包括用於與接地平面312連接之一或多個端子310。
圖4A至圖4E係濾波器300之一系列連續俯視圖，其中在每一圖中展示一額外層。更具體而言，圖4A圖解說明安裝表面302及第一導電層303。圖4B圖解說明形成於第一介電層304之底部表面上之接地平面312。圖4C另外圖解說明形成於第一介電層304之頂部表面上之導電層305。圖4D另外圖解說明形成於第二介電層306上之導電層307。圖4E圖解說明形成於第三層308上之導電層309。介電層304、306、308係透明的以展示各種經圖案化導電層303、305、307、309之相對重新定位。
帶通濾波器300可包括具有一輸入318及一輸出320之一信號路徑316。信號路徑316可電連接輸入318與輸出320。更具體而言，信號路徑316可包括形成於複數個介電層304、306、308中及其上且電連接於輸入318與輸出320之間的複數個介電層及/或通孔。信號路徑316可包括一或多個通孔322，該一或多個通孔可電連接輸入318與安置於第一層304與第二層306之間的一中間導電層324。信號路徑316可包括一或多個通孔326，該一或多個通孔電連接中間層324與形成於第二介電層306上之一導電層328。
一第一電容器可形成於信號路徑316之一部分336與一導電層330之間，該部分形成於第二層306之一上部表面上，該導電層形成於介電材料之第二層306之一下部表面上。導電層330可與接地平面312電連接。濾波器300之第一電容器可與圖2之電路圖200之第一電容器210對應。導電層330可與信號路徑316之一部分336電容性耦合。導電層330可在一Z方向上與信號路徑316之部分336間隔開。導電層330可藉由一或多個通孔334而與接地平面312電連接。第一電容器可為自對準的。
第一電容器可對第一電容器之電極之相對不對準係不敏感的，此可闡述為「自對準」。濾波器300之第一電感器342可與圖2之電路圖200之第一電感器208對應。第一電感器342可藉由一連接器部分338而與信號路徑316之形成第一電容器之部分336連接。第一電感器342可藉由一或多個通孔344而與接地平面312電連接(圖3B中最佳所見)。
濾波器300之信號路徑316可包括一第二電感器346，該第二電感器可與圖2之電路圖200之第二電感器212對應。第二電感器346可形成於第三層308上(圖3C中最佳所見)。第二電感器346可在一第一位置349及一第二位置351中之每一者處與信號路徑316電連接。換言之，第二電感器346可在輸入318與輸出320之間形成信號路徑316之一部分。
一或多個通孔348可連接第一位置349處之第二電感器346與信號路徑316之位於第二層306上之一部分354 (圖3B、圖4D及圖4E中最佳所見)。一或多個通孔348可連接第二位置351處之第二電感元件346與信號路徑316之位於第二層306之頂部表面上之一部分369以及位於第二層306之底部表面上之一導電層352 (其與信號路徑316之部分354形成一第二電容器，下文所闡述)中之每一者。如圖3A及圖4E中最佳所見，電感器346可具有四個隅角。如此，第二電感器346可形成大於一「迴路」之一半。
第二電容器可形成於導電層352與信號路徑316之部分354之間。第二電容器可與圖2之電路圖200之第二電容器214對應。第二電容器可為一自對準電容器。
濾波器300之第三電感器356可與圖2之電路圖200之第三電感器216對應。第三電感器356可在一第一位置357處藉由一或多個通孔360而與信號路徑316之部分369連接，該部分與第二電感器346連接。第三電感器356可在一第二位置359處藉由一或多個通孔360而與信號路徑316之部分361連接，該部分與輸出320連接。信號路徑316之部分361可藉由一或多個通孔366及/或中間層368而與輸出320電連接。換言之，第三電感器356可在第二電感器346與輸出320之間形成信號路徑316之一部分。
一第三電容器可與第三電感器356並聯形成。第三電容器可與圖2之電路圖200之第三電容器218對應。濾波器300之第三電容器可包括一導電層367，該導電層與信號路徑316之部分369電容性耦合。
一第四電感器370可藉由通孔374而在一第一位置371處與信號路徑316電連接且在一第二位置373處與接地平面312。通孔374可藉由中間層376而連接。濾波器300之第四電感器370可與圖2之電路圖200之第四電感器220對應。濾波器300之第四電感器370可在信號路徑316之部分361處與信號路徑316連接，該部分與輸出320電連接。第四電感器370可具有三個隅角372且形成一迴路之近似四分之一。
一第四電容器可包括與信號路徑316之部分361電容性耦合之一導電層380，該部分與輸出320連接。第四電容器之導電層380可藉由通孔382而與接地平面312電連接。第四電容器可與圖2之電路圖200之第四電容器222對應。
圖6A圖解說明根據本發明之態樣之一多層濾波器600之另一實施例的一透視圖。圖6B圖解說明圖6A之多層濾波器600之另一透視圖。濾波器600可通常以與上文參考圖3至圖5D所闡述之濾波器300類似之一方式組態。濾波器600可包括一輸入602、一輸出604及連接輸入602與輸出604之一信號路徑606。濾波器600亦可包括與一或多個接地電極610電連接之一接地平面608。
濾波器600可包括與接地平面608電連接之一第一電感器612。第一電感器612可與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第一電感器208對應。濾波器600可包括與接地平面608電耦合之一第一電容器614。第一電容器614可與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第一電容器210對應。
濾波器600可包括彼此並聯連接之一第二電感器616及一第二電容器618。第二電感器616及第二電容器618可分別與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第二電感器212及第二電容器214對應。第二電感器616及第二電容器618可在輸入602與輸出604之間形成信號路徑606之一部分。濾波器600可包括彼此並聯連接且可在輸入602與輸出604之間形成信號路徑606之一部分之一第三電感器620及第三電容器622。第三電感器620及第三電容器622可分別與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第三電感器216及第三電容器218對應。最後，濾波器600可包括彼此並聯連接且連接於信號路徑606與接地平面608之間的一第四電感器624及第四電容器626。第四電感器624及第四電容器626可分別與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第四電感器220及第四電容器222對應。
電感器612、616、620、624及電容器614、618、622、626可以與上文參考圖3至圖5D所闡述類似之一方式藉由通孔627而連接。電感器612、616、620、624中之每一者可在一各別第一位置處與信號路徑606連接且在一各別第二位置處與信號路徑606或接地平面608連接。電感器612、616、620、624中之每一者可具有介於第一位置與第二位置之間的一各別有效長度(例如，在X-Y平面中)。另外，電感器612、616、620、624中之每一者可沿著其各別有效長度具有一各別寬度。
圖6C係圖6A及圖6B之濾波器600之一側視立面圖。帶通濾波器600可包括複數個介電層(在圖6A及圖6B中為清晰起見而係透明的)。參考圖6C，一第一層632、一第二層636及一第三層640可經堆疊以形成一整體式結構。導電層630、634、638、642可形成於介電層632、636、640上。導電層630可形成於第一介電層632之一底部表面上。導電層634、638可分別形成於第二介電層636之一頂部表面及一底部表面上。導電層642可形成於第三介電層640之一頂部表面上。
圖7A至圖7D係圖6A至圖6C之濾波器600之一系列連續俯視圖，其中在每一圖中展示一額外介電層。更具體而言，圖7A圖解說明一安裝表面628，諸如一印刷電路板。第一導電層630可包括接地平面608，該接地平面可形成於第一層632之一底部表面及一頂部表面上。圖7B另外圖解說明形成於第一介電層632上之第二導電層634。第二導電層634可包括第一電容器614、第二電容器618、第三電容器622及第四電容器626。圖7C另外圖解說明形成於第二介電層636上之第三導電層638。第三導電層638可包括信號路徑606之部分及第一電感器612。圖7D圖解說明形成於第三介電層640上之第四導電層642。第四導電層642可包括第二電感器616、第三電感器620及第四電感器624。介電層632、636、640係透明的以展示各種經圖案化導電層630、634、638、642之相對重新定位。
圖8A圖解說明根據本發明之態樣之一多層濾波器800之另一實施例的一透視圖。濾波器800可通常以與上文參考圖3至圖5D所闡述之濾波器300類似之一方式組態。濾波器800可包括一輸入802、一輸出804及連接輸入802與輸出804之一信號路徑806。濾波器800亦可包括與一或多個接地電極810電連接之一接地平面808。
濾波器800可包括與接地平面808電連接之一第一電感器812。第一電感器812可與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第一電感器208對應。濾波器800可包括與接地平面808電耦合之一第一電容器814。第一電容器814可與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第一電容器210對應。濾波器800可包括彼此並聯連接之一第二電感器816及第二電容器818。第二電感器816及第二電容器818可分別與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第二電感器212及第二電容器214對應。第二電感器816及第二電容器818可在輸入802與輸出804之間形成信號路徑806之一部分。濾波器800可包括彼此並聯連接且可在輸入802與輸出804之間形成信號路徑806之一部分之一第三電感器820及第三電容器822。第三電感器820及第三電容器822可分別與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第三電感器216及第三電容器218對應。最後，濾波器800可包括彼此並聯連接且連接於信號路徑806與接地平面808之間的一第四電感器824及第四電容器826。第四電感器824及第四電容器826可分別與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第四電感器220及第四電容器222對應。
電感器812、816、820、824及電容器814、818、822、826可以與上文參考圖3至圖5D所闡述類似之一方式藉由通孔827而連接。電感器812、816、820、824中之每一者可在一各別第一位置處與信號路徑806連接且在一各別第二位置處與信號路徑806或接地平面808連接。電感器812、816、820、824中之每一者可具有介於第一位置與第二位置之間的一各別有效長度(例如，在X-Y平面中)。另外，電感器812、816、820、824中之每一者可沿著其各別有效長度具有一各別寬度。
圖8B係圖8A之濾波器800之一側視立面圖。帶通濾波器800可包括複數個介電層(在圖8A中為清晰起見而係透明的)。參考圖8B，一第一層832、一第二層836及一第三層840可經堆疊以形成一整體式結構。導電層830、834、838、842可形成於介電層832、836、840上。導電層830可形成於第一介電層832之一底部表面上。導電層834、838可分別形成於第二介電層836之一頂部表面及一底部表面上。導電層842可形成於第三介電層840之一頂部表面上。
圖9A至圖9D係圖8A及圖8B之濾波器800之一系列連續俯視圖，其中在每一圖中展示一額外介電層。更具體而言，圖9A圖解說明一安裝表面828，諸如一印刷電路板。第一導電層830可包括接地平面808，該接地平面可形成於第一層832之一底部表面及一頂部表面上。圖9B另外圖解說明形成於第一介電層832上之第二導電層834。第二導電層834可包括第一電容器814、第二電容器818、第三電容器822及第四電容器826。圖9C另外圖解說明形成於第二介電層836上之第三導電層838。第三導電層838可包括信號路徑806之部分及第一電感器812。圖9D圖解說明形成於第三介電層840上之第四導電層842。第四導電層842可包括第二電感器816、第三電感器820及第四電感器824。介電層832、836、840係透明的以展示各種經圖案化導電層830、834、838、842之相對重新定位。
圖10A圖解說明根據本發明之態樣之一多層濾波器1000之另一實施例的一透視圖。圖10B圖解說明圖10A之多層濾波器1000之另一透視圖。濾波器1000可通常以與上文參考圖3至圖5D所闡述之濾波器300類似之一方式組態。濾波器1000可包括一輸入1002、一輸出1004及連接輸入1002與輸出1004之一信號路徑1006。濾波器1000亦可包括與一或多個接地電極1010電連接之一接地平面1008。
濾波器1000可包括與接地平面1008電連接之一第一電感器1012。第一電感器1012可與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第一電感器208對應。濾波器1000可包括與接地平面1008電耦合之一第一電容器1014。第一電容器1014可與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第一電容器210對應。濾波器1000可包括彼此並聯連接之一第二電感器1016及第二電容器1018。第二電感器1016及第二電容器1018可分別與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第二電感器212及第二電容器214對應。第二電感器1016及第二電容器1018可在輸入1002與輸出1004之間形成信號路徑1006之一部分。濾波器1000可包括彼此並聯連接且可在輸入1002與輸出1004之間形成信號路徑1006之一部分之一第三電感器1020及第三電容器1022。第三電感器1020及第三電容器1022可分別與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第三電感器216及第三電容器218對應。最後，濾波器1000可包括彼此並聯連接且連接於信號路徑1006與接地平面1008之間的一第四電感器1024及第四電容器1026。第四電感器1024及第四電容器1026可分別與上文參考圖2所闡述之電路圖200之第四電感器220及第四電容器222對應。
電感器1012、1016、1020、1024及電容器1014、1018、1022、1026可以與上文參考圖3至圖5D所闡述類似之一方式藉由通孔1027而連接。電感器1012、1016、1020、1024中之每一者可在一各別第一位置處與信號路徑1006連接且在一各別第二位置處與信號路徑1006或接地平面1008連接。電感器1012、1016、1020、1024中之每一者可具有介於第一位置與第二位置之間的一各別有效長度(例如，在X-Y平面中)。另外，電感器1012、1016、1020、1024中之每一者可沿著其各別有效長度具有一各別寬度。
圖10B係圖10A及圖10B之濾波器1000之一側視立面圖。帶通濾波器1000可包括複數個介電層(在圖10A中為清晰起見而係透明的)。參考圖10B，一第一層1032、一第二層1036、一第三層1040可經堆疊以形成一整體式結構。導電層1030、1034、1038、1042可形成於介電層1032、1036、1040上。導電層1030可形成於第一介電層1032之一底部表面上。導電層1034、1038可分別形成於第二介電層1036之一頂部表面及一底部表面上。導電層1042可形成於第三介電層1040之一頂部表面上。
圖11A至圖11D係圖10A及圖10B之濾波器1000之一系列連續俯視圖，其中在每一圖中展示一額外介電層。更具體而言，圖11A圖解說明一安裝表面1028，諸如一印刷電路板。第一導電層1030可包括接地平面1008，該接地平面可形成於第一層1030之一底部表面及一頂部表面上。圖11B另外圖解說明形成於第一介電層1032上之第二導電層1034。第二導電層1034可包括第一電容器1014、第二電容器1018、第三電容器1022及第四電容器1026。圖11C另外圖解說明形成於第二介電層1036上之第三導電層1038。第三導電層1038可包括信號路徑1006之部分及第一電感器1012。圖11D圖解說明形成於第三介電層1040上之第四導電層1042。第四導電層1042可包括第二電感器1016、第三電感器1020及第四電感器1024。介電層1032、1036、1040係透明的以展示各種經圖案化導電層1030、1034、1038、1042之相對重新定位。
II. 回波損耗減少突出部  圖5係根據本發明之態樣之一多層濾波器之一信號路徑之一導電層500的一俯視圖。信號路徑可與上文參考圖8A至圖9D所闡述之多層濾波器800之信號路徑806及/或上文參考圖10A至圖11D所闡述之多層濾波器1000之信號路徑1006對應。另外，在某些實施例中，上文參考圖3A至圖4E所闡述之濾波器300及/或上文參考圖6A至圖7D所闡述之濾波器600可經組態以包括如本文中所闡述之一突出部。
信號路徑806之導電層500可在一第一方向(例如，Y方向)上伸長且可包括在第二方向(例如，X方向)上延伸之一突出部502。更具體而言，導電層500可具有一第一邊緣504及一第二邊緣506。第一邊緣504及第二邊緣506中之每一者可與第一方向(例如，Y方向)平行。第一邊緣504可近似與第二邊緣506對準。舉例而言，可在第二方向(例如，X方向)上於第一邊緣504與第二邊緣506之間界定一距離507。在某些實施例中，距離507可為小於200微米。
突出部502可在第一方向(例如，Y方向)上位於第一邊緣504與第二邊緣506之間。突出部502可具有可與第一邊緣504平行之一端邊緣508。端邊緣508可在第二方向(例如，X方向)上自第一邊緣504偏移一突出部長度510。突出部長度510可為大於約50微米。
突出部502可位於相對接近於與輸入802 (圖8A至圖9D中所圖解說明)之一垂直電連接512。垂直電連接512可包括一或多個通孔，舉例而言如參考圖8A至圖9D所闡述。舉例而言，垂直電連接512可通常如上文參考圖3A至圖4E參考通孔326所闡述而組態，該等通孔電連接中間層324與形成於第二介電層306上之導電層328。另一選擇係，在其他實施例中，垂直電連接512可為或包括一雉堞部或外部終端。
突出部502可具有與第二方向(例如，X方向)平行之一第一側邊緣514。第一側邊緣514可延伸於端邊緣508與第一邊緣504之間。可在第一方向(例如，Y方向)上於第一側邊緣514與電連接512之間界定一距離516。在某些實施例中，距離516可為小於約500微米。
突出部502可具有與第二方向(例如，X方向)平行之一第二側邊緣518。因此，第二側邊緣518可與第一側邊緣514平行。第二側邊緣518可延伸(例如，連接)於端邊緣508與第二邊緣506之間。第二側邊緣518可與第一側邊緣514間隔開一突出部寬度520。在某些實施例中，突出部寬度520可為大於約100微米。
突出部502之第二邊緣506可近似與一第一電感器812之一邊緣522對準。第一電感器812之邊緣522可與第二方向(例如，X方向)對準。上文參考圖8A至圖9D而闡述第一電感器812。可在突出部之第二邊緣506與第一電感器812之間界定第一方向(例如，Y方向)上之一距離。該距離可為小於約200微米。在此實例中，該距離係約0微米。
信號路徑316之導電層500可在第二方向(例如，X方向)上具有介於第一邊緣504與一第三邊緣526之間的一第一寬度524。第三邊緣526可與第一邊緣504平行。
信號路徑316之導電層500可在第二方向(例如，X方向)上具有一第二寬度528。第二寬度528可在第二方向(例如，X方向)上界定於端邊緣508與第三邊緣526之間。
信號路徑316之導電層500可在第二方向(例如，X方向)上具有一第三寬度530。第三寬度530可在第二方向(例如，X方向)上界定於第二邊緣506與第三邊緣526之間。
信號路徑316之導電層500可不具有在突出部502處之電連接。舉例而言，導電層500可不具有在第一方向(例如，Y方向)上介於側邊緣514與518之間的電連接及/或在第二方向(例如，X方向)上介於端邊緣508與第一邊緣504之間的電連接。
在某些實施例中，信號路徑316之導電層500可關於第一方向(例如，Y方向)係不對稱的。更具體而言，導電層500可不包括在第二方向(例如，Y方向)上自第三邊緣526延伸之另一突出部。然而，在其他實施例中，導電層500可包括呈任何適合配置(包括關於第一方向(例如，Y方向)對稱)之多個突出部。
III. 應用  本文中所闡述之濾波器之各種實施例可在任何適合類型之電組件中找到應用。濾波器可在接收、傳輸或以其他方式採用高射頻信號之裝置中找到特定應用。實例性應用包括智慧型電話、信號中繼器(例如，小型單元)、中繼站及雷達。
實例  使用電腦模型化來模擬根據本發明之態樣之多層濾波器。另外，構建並測試濾波器。應理解，以下尺寸僅作為實例而給出且並不限制本發明之範疇。
將各種多層濾波器(包括上文所闡述之多層濾波器800、1000)模型化，該等多層濾波器包括具有一導電層之一信號路徑，該導電層包括具有以下尺寸之突出部：
濾波器800 濾波器1000
近似通帶(GHz) 34.5 - 37.5 43 - 46.5
突出部長度510 (微米) 203 254
突出部寬度520 (微米) 305 305
第一寬度524 (微米) 355 355
第二寬度528 (微米) 560 609
第三寬度530 (微米) 305 305
第一邊緣504與第二邊緣506之間的距離507 (微米) 51 51
第一側邊緣514與垂直電連接512之間的距離516 (微米) 51 51
表 1 ： 實例性突出部尺寸
介電層之厚度可通常小於約180微米(「microns」)。舉例而言，在某些實施例中，第一層304、632、832、1032可為約60微米厚。第二層306、636、836、1036可為約20微米厚。第三層308、640、840、1040可為約60微米厚。
在某些實施例中，濾波器之整體長度可為4.3 mm。整體寬度可為約4 mm。整體厚度可為約230微米。
圖12至圖17呈現各種濾波器之測試結果及模擬資料。參考圖12，構建並測試根據本發明之態樣之一多層濾波器。自0 GHz至45 GHz標繪所量測插入損耗(S21 )值及所量測回波損耗(S11 )值。自0 GHz至35 GHz標繪經模擬插入損耗(S21 )值及經模擬回波損耗(S11 )值。所量測通帶係自約13.2 GHz至約15.8 GHz。
參考圖13，構建並測試根據本發明之態樣之一多層濾波器。自0 GHz至45 GHz標繪所量測插入損耗(S21 )值及所量測回波損耗(S11 )值。自0 GHz至35 GHz標繪經模擬插入損耗(S21 )值及經模擬回波損耗(S11 )值。通帶係自約16.1 GHz至約18.2 GHz。
參考圖14，既模擬又構建並實體測試上文參考圖3A至圖4E所闡述之多層濾波器300。自0 GHz至45 GHz標繪所量測插入損耗(S21 )值及所量測回波損耗(S11 )值。自0 GHz至35 GHz標繪經模擬插入損耗(S21 )值及經模擬回波損耗(S11 )值。通帶係自約17.0 GHz至約21.2 GHz。
參考圖15，模擬上文參考圖6A至圖7D所闡述之多層濾波器600。自0 GHz至50 GHz標繪經模擬插入損耗(S21 )值及經模擬回波損耗(S11 )值。通帶係自約24.6 GHz至約27.8 GHz。
參考圖16A，模擬上文所闡述之多層濾波器800，其包括突出部502，如上文參考圖5及圖8A至圖9D所闡述。亦模擬不包括突出部502之一經修改版本之濾波器800。圖16A呈現針對兩個版本之濾波器800之自0 GHz至55 GHz之經模擬插入損耗(S21 )值及經模擬回波損耗(S11 )值。針對每一版本，通帶頻率範圍係自約34.6 GHz至約37.4 GHz。如圖16A中所展示，在通帶頻率範圍內，回波損耗(S11 )值低得多。
圖16B係自32 GHz至40 GHz之經模擬回波損耗(S11 )值之一曲線圖。如圖16B中所展示，包括突出部502之濾波器800之版本展現比缺乏突出部502之濾波器之版本低的回波損耗值。更具體而言，具有突出部502之濾波器800展現如下表中所列示之回波損耗(S11 )值：
頻率範圍 回波損耗
34.4 GHz至37.7 GHz 小於-10 dB
34.95 GHz至37.0 GHz 小於-15 dB
35.3 GHz至36.55 GHz 小於-20 dB
35.55 GHz至36.25 GHz -25 dB或更小
35.75 GHz至36.05 GHz 小於-30 dB
表 2 ： 濾波器 800 之實例性回波損耗值
參考圖17A，模擬上文所闡述之多層濾波器1000，其包括突出部502，如上文參考圖5及圖8A至圖9D所闡述。亦模擬不包括突出部502之一經修改版本之濾波器1000。圖17A呈現針對兩個版本之濾波器1000之自0 GHz至55 GHz之經模擬插入損耗(S21 )值及經模擬回波損耗(S11 )值。針對每一版本，通帶頻率範圍係自約42.9 GHz至約46.6 GHz。如圖17A中所展示，在通帶頻率範圍內，回波損耗(S11 )值低得多。
圖17B係自32 GHz至40 GHz之經模擬回波損耗(S11 )值之一曲線圖。如圖16B中所展示，包括突出部502之濾波器1000之版本展現比缺乏突出部502之濾波器之版本低的回波損耗值。更具體而言，具有突出部502之濾波器1000展現如下表中所列示之回波損耗(S11 )值：
頻率範圍 回波損耗
42.35 GHz至47.35 GHz 小於-10 dB
43.6 GHz至46.7 GHz 小於-15 dB
44.85 GHz至46.3 GHz 小於-20 dB
45.5 GHz至45.9 GHz -25 dB或更小
45.6 GHz至45.8 GHz 小於-30 dB
表 3 ： 濾波器 1000 之實例性回波損耗值
測試方法  參考圖18，一測試總成1800可用於測試根據本發明之態樣之一多層濾波器1802之效能特性，諸如插入損耗及回波損耗。濾波器1802可安裝至一測試板1804。一輸入線1806及一輸出線1808各自與測試板1804連接。測試板1804可包括微帶線1810，該等微帶線電連接輸入線1806與濾波器1802之一輸入且電連接輸出線1808與濾波器1802之一輸出。使用一源信號產生器(例如，一1806吉時利(Keithley) 2400系列源量測單元(SMU)，舉例而言，一吉時利2410-C SMU)將一輸入信號施加至輸入線且在輸出線1808處量測濾波器1802之所得輸出(例如，使用源信號產生器)。針對濾波器之各種組態而重複此。
熟習此項技術者可實踐本發明之此等及其他修改及變化形式，此並不背離本發明之精神及範疇。另外，應理解，各種實施例之態樣可整體或部分地互換。此外，熟習此項技術者將瞭解，前述說明僅藉由實例之方式，且並不意欲限制附隨申請專利範圍中所進一步闡述之本發明。
100:多層濾波器/濾波器/帶通濾波器 102:電感器 104:電感器 106:電感器 108:電容器 110:電容器 112:電容器 200:帶通濾波器/濾波器/電路圖 201:信號路徑 202:輸入 204:輸出 206:接地 208:第一電感器/電感器 210:第一電容器/電容器 212:第二電感器/電感器 214:第二電容器/電容器 216:第三電感器/電感器 218:第三電容器/電容器 220:第四電感器/電感器 222:第四電容器/電容器 300:帶通濾波器/濾波器/多層濾波器 302:安裝表面 303:導電層/第一導電層/經圖案化導電層 304:第一介電層/介電層/第一層 305:導電層/經圖案化導電層 306:第二介電層/介電層/第二層 307:導電層/經圖案化導電層 308:第三介電層/介電層/第三層 309:導電層/經圖案化導電層 310:端子 312:接地平面 316:信號路徑 318:輸入 320:輸出 322:通孔 324:中間導電層/中間層 326:通孔 328:導電層 330:導電層 334:通孔 336:部分 338:連接器部分 342:第一電感器 344:通孔 346:第二電感器/電感器 348:通孔 349:第一位置 351:第二位置 352:導電層 354:部分 356:第三電感器 357:第一位置 359:第二位置 360:通孔 361:部分 366:通孔 367:導電層 368:中間層 369:部分 370:第四電感器 371:第一位置 372:隅角 373:第二位置 374:通孔 376:中間層 380:導電層 382:通孔 500:導電層 502:突出部 504:第一邊緣 506:第二邊緣 507:距離 508:端邊緣 510:突出部長度 512:垂直電連接/電連接 514:第一側邊緣/側邊緣 516:距離 518:第二側邊緣/側邊緣 520:突出部寬度 522:邊緣 524:第一寬度 526:第三邊緣 528:第二寬度 530:第三寬度 600:多層濾波器/濾波器/帶通濾波器 602:輸入 604:輸出 606:信號路徑 608:接地平面 610:接地電極 612:第一電感器/電感器 614:第一電容器/電容器 616:第二電感器/電感器 618:第二電容器/電容器 620:第三電感器/電感器 622:第三電容器/電容器 624:第四電感器/電感器 626:第四電容器/電容器 627:通孔 628:安裝表面 630:導電層/第一導電層/經圖案化導電層 632:第一層/介電層/第一介電層 634:導電層/第二導電層/經圖案化導電層 636:第二層/介電層/第二介電層 638:導電層/第三導電層/經圖案化導電層 640:第三層/介電層/第三介電層 642:導電層/第四導電層/經圖案化導電層 800:多層濾波器/濾波器/帶通濾波器 802:輸入 804:輸出 806:信號路徑 808:接地平面 810:接地電極 812:第一電感器/電感器 814:第一電容器/電容器 816:第二電感器/電感器 818:第二電容器/電容器 820:第三電感器/電感器 822:第三電容器/電容器 824:第四電感器/電感器 826:第四電容器/電容器 827:通孔 828:安裝表面 830:導電層/第一導電層/經圖案化導電層 832:第一層/介電層/第一介電層 834:導電層/第二導電層/經圖案化導電層 836:第二層/介電層/第二介電層 838:導電層/第三導電層/經圖案化導電層 840:第三層/介電層/第三介電層 842:導電層/第四導電層/經圖案化導電層 1000:多層濾波器/濾波器/帶通濾波器 1002:輸入 1004:輸出 1006:信號路徑 1008:接地平面 1010:接地電極 1012:第一電感器/電感器 1014:第一電容器/電容器 1016:第二電感器/電感器 1018:第二電容器/電容器 1020:第三電感器/電感器 1022:第三電容器/電容器 1024:第四電感器/電感器 1026:第四電容器/電容器 1027:通孔 1028:安裝表面 1030:導電層/第一導電層/第一層/經圖案化導電層 1032:第一層/介電層/第一介電層 1034:導電層/第二導電層/經圖案化導電層 1036:第二層/介電層/第二介電層 1038:導電層/第三導電層/經圖案化導電層 1040:第三層/介電層/第三介電層 1042:導電層/第四導電層/經圖案化導電層 1800:測試總成 1802:多層濾波器/濾波器 1804:測試板 1806:輸入線 1808:輸出線 1810:微帶線 Vi:輸入電壓 Vo:輸出電壓
本發明之一全面且授權揭示內容(包括針對於熟習此項技術者之其最佳模式)更特定地闡述於參考附圖之說明書之其餘部分中，在附圖中： 圖1係根據本發明之態樣之一帶通濾波器之一簡化示意圖； 圖2係根據本發明之態樣之另一帶通濾波器之一簡化示意圖； 圖3A及圖3B係根據本發明之態樣之一實例性帶通濾波器之透視圖； 圖3C係圖3A及圖3B之濾波器之一側視立面圖； 圖4A至圖4E係濾波器之一系列連續俯視圖，其中在每一連續圖中展示一額外層； 圖5係一信號路徑之一導電層之一俯視圖，該信號路徑可與圖8A至圖9D之多層濾波器之信號路徑及/或圖10A至圖11D之多層濾波器之信號路徑對應； 圖6A及圖6B係根據本發明之態樣之一多層濾波器之另一實施例之透視圖； 圖6C係圖6A及圖6B之濾波器之一側視立面圖； 圖7A至圖7D係圖8A及圖8B之濾波器之一系列連續俯視圖，其中在每一連續圖中展示一額外層； 圖8A係根據本發明之態樣之一多層濾波器之另一實施例之一透視圖； 圖8B係圖8A之濾波器之一側視立面圖； 圖9A至圖9D係圖8A及圖8B之濾波器之一系列連續俯視圖，其中在每一連續圖中展示一額外層； 圖10A係根據本發明之態樣之一多層濾波器之另一實施例之一透視圖； 圖10B係圖10A之濾波器之一側視立面圖； 圖11A至圖11D係圖10A及圖10B之濾波器之一系列連續俯視圖，其中在每一連續圖中展示一額外層； 圖12包括針對根據本發明之態樣而構造之一濾波器之經量測插入損耗值及回波損耗值之測試資料的一曲線圖； 圖13包括針對根據本發明之態樣而構造之一濾波器之經量測插入損耗值及回波損耗值之測試資料的一曲線圖； 圖14包括針對根據本發明之態樣而構造之一濾波器之經量測插入損耗值及回波損耗值之測試資料的一曲線圖； 圖15係根據本發明之態樣之包括來自一濾波器之一電腦分析之插入損耗值及回波損耗值之模擬資料的一曲線圖； 圖16A係來自根據本發明之態樣之包括一突出部之一濾波器以及不包括一突出部之一濾波器之一電腦分析之模擬資料的一曲線圖； 圖16B係來自根據本發明之態樣之包括一突出部之一濾波器以及不包括一突出部之一濾波器之一電腦分析之回波損耗之一曲線圖的一放大部分； 圖17A係來自根據本發明之態樣之包括一突出部之一濾波器以及不包括一突出部之一濾波器之一電腦分析之模擬資料的一曲線圖； 圖17B係來自根據本發明之態樣之包括一突出部之一濾波器以及不包括一突出部之一濾波器之一電腦分析之回波損耗之一曲線圖的一放大部分；且 圖18係根據本發明之態樣之包括一濾波器之一測試總成的一透視圖。 在本說明書及圖式中重複使用之參考符號意欲表示本發明之相同或類似特徵或元件。
300:帶通濾波器/濾波器/多層濾波器
310:端子
312:接地平面
316:信號路徑
318:輸入
320:輸出
322:通孔
324:中間導電層/中間層
326:通孔
330:導電層
334:通孔
336:部分
338:連接器部分
342:第一電感器
344:通孔
346:第二電感器/電感器
348:通孔
349:第一位置
351:第二位置
352:導電層
354:部分
356:第三電感器
357:第一位置
359:第二位置
360:通孔
366:通孔
368:中間層
370:第四電感器
371:第一位置
373:第二位置
374:通孔
376:中間層
380:導電層

Claims (23)

  1. 一種多層濾波器，其包含： 複數個介電層，其在垂直於一第一方向及一第二方向中之每一者之一Z方向上堆疊，該第一方向垂直於該第二方向； 一信號路徑，其具有一輸入及一輸出，該信號路徑包含上覆於該複數個介電層中之一者上之一導電層，該信號路徑之該導電層在該第一方向上伸長，該信號路徑之該導電層具有與該第一方向對準之一第一邊緣及與該第一邊緣平行之一第二邊緣，且其中該信號路徑之該導電層包含一突出部，該突出部在該第二方向上延伸且在該第一方向上位於該第一邊緣與該第二邊緣之間，並且其中該突出部具有一端邊緣，該端邊緣與該第一邊緣平行且在該第二方向上自該第一邊緣偏移大於約50微米之一突出部長度；及 一電感器，其包含一導電層，該導電層在一第一位置處與該信號路徑電連接且在一第二位置處與該信號路徑或一接地中之至少一者電連接。
  2. 如請求項1之多層濾波器，其中在該第二方向上該第二邊緣與該第一邊緣之間的一距離係小於約200微米。
  3. 如請求項1之多層濾波器，其中該突出部具有一第一側邊緣，該第一側邊緣與該第二方向平行且延伸於該端邊緣與該第一邊緣之間。
  4. 如請求項3之多層濾波器，其中該信號路徑之該導電層包含介於該信號路徑之該輸入與該導電層之間的一垂直電連接，且其中在該第一方向上該垂直電連接與該突出部之該第一側邊緣之間的一距離係小於約500微米。
  5. 如請求項4之多層濾波器，其中該垂直電連接路徑包含一通孔。
  6. 如請求項3之多層濾波器，其中該突出部具有一第二側邊緣，該第二側邊緣與該第二方向平行且延伸於該端邊緣與該第二邊緣之間。
  7. 如請求項6之多層濾波器，其中該第二側邊緣與該第一側邊緣間隔開大於約50微米之一突出部寬度。
  8. 如請求項1之多層濾波器，其中信號路徑之該導電層不具有在該突出部處之電連接。
  9. 如請求項1之多層濾波器，其中該突出部之一長度/寬度比率介於自約0.2至約2之範圍內。
  10. 如請求項1之多層濾波器，其中該突出部之一第二/第一寬度比率介於自約1.05至約3之範圍內。
  11. 如請求項1之多層濾波器，其中該突出部在該Z方向上與其他導電層間隔開至少約30微米。
  12. 如請求項1之多層濾波器，其進一步包含一通孔，該通孔在該第一位置處電連接該電感器與該信號路徑。
  13. 如請求項1之多層濾波器，其中該多層濾波器具有一通帶頻率範圍且在該通帶頻率範圍內之一頻率下展現小於-20 dB之一回波損耗。
  14. 如請求項13之多層濾波器，其中該通帶頻率範圍具有大於約6 GHz之一下限。
  15. 如請求項1之多層濾波器，其中該多層濾波器具有大於約6 GHz之一特性頻率。
  16. 如請求項15之多層濾波器，其中該特性頻率包含一低通頻率、一高通頻率或一帶通頻率之一上限中之至少一者。
  17. 如請求項1之多層濾波器，其進一步包含一介電材料，該介電材料具有如在25℃之一操作溫度及1 kHz之頻率下根據ASTM D2149-13而判定之小於約100之一介電常數。
  18. 如請求項1之多層濾波器，其進一步包含一介電材料，該介電材料具有如在25℃之一操作溫度及1 kHz之頻率下根據ASTM D2149-13而判定之大於約100之一介電常數。
  19. 如請求項1之多層濾波器，其進一步包含一介電材料，該介電材料包含一環氧樹脂。
  20. 如請求項1之多層濾波器，其進一步包含一有機介電材料。
  21. 如請求項20之多層濾波器，其中有機介電材料包含液晶聚合物或聚苯醚中之至少一者。
  22. 一種形成一多層濾波器之方法，該方法包含： 形成一信號路徑，該信號路徑包含上覆於一第一介電層上之一導電層，該信號路徑之該導電層在第一方向上伸長，該信號路徑之該導電層具有與該第一方向對準之一第一邊緣及與該第一邊緣平行之一第二邊緣，且其中該信號路徑之該導電層包含一突出部，該突出部在該第二方向上延伸且在該第一方向上位於該第一邊緣與該第二邊緣之間，並且其中該突出部具有一端邊緣，該端邊緣與該第一邊緣平行且在該第二方向上自該第一邊緣偏移大於約50微米之一突出部長度；及 形成一電感器，該電感器包含上覆於一第二介電層上之一導電層； 堆疊該第一介電層與該第二介電層，使得該電感器在一第一位置處與該信號路徑電連接且在一第二位置處與該信號路徑或一接地中之至少一者電連接。
  23. 如請求項22之方法，其進一步包含在該第一介電層中形成一通孔，該通孔形成介於該信號路徑之輸入與該導電層之間的一垂直電連接之至少一部分，且其中在該第一方向上該垂直電連接與該突出部之第一側邊緣之間的一距離係小於約500微米。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7288055B2 (ja) 2018-12-20 2023-06-06 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション 少なくとも２つのビアと接続されたコンデンサを備える多層フィルタ
JP2022515134A (ja) 2018-12-20 2022-02-17 エイブイエックス コーポレイション 高周波数多層フィルタ
JP7355827B2 (ja) 2018-12-20 2023-10-03 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス
US11595013B2 (en) 2018-12-20 2023-02-28 KYOCERA AVX Components Corporation Multilayer electronic device including a high precision inductor
JP2022138075A (ja) * 2021-03-09 2022-09-22 Tdk株式会社 積層型フィルタ装置
JP2023031964A (ja) * 2021-08-26 2023-03-09 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62271502A (ja) * 1987-04-24 1987-11-25 Toshiba Corp マイクロ波装置の整合回路
JPH03209905A (ja) * 1990-01-12 1991-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 増幅器とそれを用いた衛星通信用屋外装置
US5357227A (en) 1992-04-16 1994-10-18 Murata Mfg. Co., Ltd. Laminated high-frequency low-pass filter
JP3209905B2 (ja) 1995-12-22 2001-09-17 松下電器産業株式会社 Ｐｓｋ信号の復調回路およびデータ送受信システム
JP3395754B2 (ja) 2000-02-24 2003-04-14 株式会社村田製作所 デュアルモード・バンドパスフィルタ
JP3567885B2 (ja) 2000-11-29 2004-09-22 株式会社村田製作所 積層型ｌｃフィルタ
DE10064445A1 (de) 2000-12-22 2002-07-11 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement und Anordnung mit dem Bauelement
JP2003068571A (ja) 2001-08-27 2003-03-07 Nec Corp 可変コンデンサおよび可変インダクタ並びにそれらを備えた高周波回路モジュール
US7239219B2 (en) * 2001-12-03 2007-07-03 Microfabrica Inc. Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
JP2003198308A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層型ｌｃフィルタ
US6734755B2 (en) 2002-05-16 2004-05-11 Corning Incorporated Broadband uniplanar coplanar transition
US6900708B2 (en) 2002-06-26 2005-05-31 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
AU2003280468A1 (en) * 2002-06-27 2004-01-19 Memgen Corporation Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components
JP2004304761A (ja) 2003-03-18 2004-10-28 Murata Mfg Co Ltd チップ型共振部品
DE10335331A1 (de) 2003-08-01 2005-03-03 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit überlappenden Elektroden und Verfahren zur Herstellung
JP3866231B2 (ja) * 2003-09-04 2007-01-10 Ｔｄｋ株式会社 積層型バンドパスフィルタ
JP2005109951A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Sony Corp 共振器および誘電体フィルタ
JP4251974B2 (ja) * 2003-12-10 2009-04-08 三菱電機株式会社 高周波フィルタ
EP1731006B1 (en) * 2004-02-23 2007-09-19 Georgia Tech Research Corporation Liquid crystalline polymer- and multilayer polymer-based passive signal processing components for rf/wireless multi-band applications
US6970057B2 (en) 2004-04-02 2005-11-29 Chi Mei Communication Systems, Inc. Lowpass filter formed in a multi-layer ceramic
JPWO2006054601A1 (ja) 2004-11-19 2008-05-29 松下電器産業株式会社 コンデンサ内蔵多層基板とその製造方法、及び冷陰極管点灯装置
JP4539422B2 (ja) 2005-04-27 2010-09-08 株式会社村田製作所 チップ型多段フィルタ装置
JP4523478B2 (ja) 2005-04-28 2010-08-11 京セラ株式会社 帯域通過フィルタ及び高周波モジュール、並びにこれを用いた無線通信機器
JP4246716B2 (ja) 2005-05-02 2009-04-02 Ｔｄｋ株式会社 積層型フィルタ
US20090033439A1 (en) 2005-06-13 2009-02-05 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multilayer filter
US7312676B2 (en) 2005-07-01 2007-12-25 Tdk Corporation Multilayer band pass filter
JP4441886B2 (ja) 2006-03-31 2010-03-31 Ｔｄｋ株式会社 高周波モジュール
JP2008004768A (ja) 2006-06-22 2008-01-10 Tdk Corp 積層電子部品の製造方法
JP2008017243A (ja) 2006-07-07 2008-01-24 Tdk Corp 電子部品
JP2008099060A (ja) 2006-10-13 2008-04-24 Taiyo Yuden Co Ltd 積層型誘電体帯域通過フィルタ
DE102007020783A1 (de) 2007-05-03 2008-11-06 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
TW200908430A (en) 2007-05-18 2009-02-16 Murata Manufacturing Co Stacked bandpass filter
US20090027141A1 (en) 2007-06-22 2009-01-29 Taiyo Yuden Co., Ltd. Filter circuit, filter circuit device, multilayered circuit board, and circuit module each including the filter circuit
WO2009052621A1 (en) 2007-10-22 2009-04-30 D-Wave Systems Inc. Systems, methods, and apparatus for electrical filters and input/output systems
DE112008002922B4 (de) 2007-11-05 2018-04-26 Murata Mfg. Co., Ltd. Chip-Typ Filterkomponente
EP2068393A1 (en) 2007-12-07 2009-06-10 Panasonic Corporation Laminated RF device with vertical resonators
JP4995231B2 (ja) 2008-05-30 2012-08-08 キヤノン株式会社 光学フィルタ
JP5402932B2 (ja) 2008-08-11 2014-01-29 日立金属株式会社 バンドパスフィルタ、高周波部品及び通信装置
US8446705B2 (en) 2008-08-18 2013-05-21 Avx Corporation Ultra broadband capacitor
JP2010074825A (ja) 2008-08-20 2010-04-02 Panasonic Corp 積層デバイスと、これを用いた電子機器
KR100982018B1 (ko) * 2008-10-02 2010-09-14 한국전자통신연구원 양방향 광송수신 장치
TWI394189B (zh) 2009-06-04 2013-04-21 Ind Tech Res Inst 電容基板結構
JP4968305B2 (ja) 2009-09-29 2012-07-04 Ｔｄｋ株式会社 積層型バンドパスフィルタ
US9450556B2 (en) * 2009-10-16 2016-09-20 Avx Corporation Thin film surface mount components
JP5035319B2 (ja) 2009-10-23 2012-09-26 Ｔｄｋ株式会社 積層型コンデンサ
US9142342B2 (en) 2010-05-17 2015-09-22 Ronald Lambert Haner Compact-area capacitive plates for use with spiral inductors having more than one turn
TWI442622B (zh) 2010-11-11 2014-06-21 Murata Manufacturing Co Laminated bandpass filter
CN102354777A (zh) 2011-07-18 2012-02-15 西安瓷芯电子科技有限责任公司 一种ltcc低通滤波器
EP2618421A1 (en) 2012-01-19 2013-07-24 Huawei Technologies Co., Ltd. Surface Mount Microwave System
JP5618027B2 (ja) 2012-09-28 2014-11-05 株式会社村田製作所 インピーダンス変換回路およびアンテナ装置
KR20140071724A (ko) 2012-12-04 2014-06-12 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR20140081360A (ko) 2012-12-21 2014-07-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터, 그 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터가 실장된 회로기판
US9349788B2 (en) 2013-08-08 2016-05-24 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Thin film capacitors embedded in polymer dielectric
US10014843B2 (en) 2013-08-08 2018-07-03 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Multilayer electronic structures with embedded filters
US20150296617A1 (en) 2014-04-09 2015-10-15 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Interposer frame with polymer matrix and methods of fabrication
US9240392B2 (en) 2014-04-09 2016-01-19 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co., Ltd. Method for fabricating embedded chips
KR102273027B1 (ko) 2014-06-09 2021-07-05 삼성전자주식회사 위치정보를 사용하여 설정된 관심영역을 사용하여 영상데이터를 생성하는 방법 및 장치
KR20160053380A (ko) 2014-11-04 2016-05-13 삼성전기주식회사 적층형 인덕터
KR101640907B1 (ko) 2015-03-17 2016-07-20 주식회사 모다이노칩 적층칩 소자
JP6578719B2 (ja) 2015-04-14 2019-09-25 Tdk株式会社 コイルとコンデンサを含む積層複合電子部品
KR20170004238A (ko) 2015-07-01 2017-01-11 주식회사 이엠따블유 광대역 모듈 및 이를 포함하는 통신 장치
US10200007B2 (en) 2015-07-17 2019-02-05 Rohm Co., Ltd. Filter chip
JP6380315B2 (ja) 2015-09-26 2018-08-29 株式会社村田製作所 積層型ｌｃフィルタ
JP6504021B2 (ja) * 2015-11-04 2019-04-24 株式会社村田製作所 電子部品
US10063211B2 (en) 2016-02-03 2018-08-28 Qualcomm Incorporated Compact bypass and decoupling structure for millimeter-wave circuits
JP6547707B2 (ja) 2016-07-29 2019-07-24 株式会社村田製作所 積層フィルタ
JP2018067612A (ja) 2016-10-19 2018-04-26 Tdk株式会社 差動伝送回路
US10389329B2 (en) 2017-02-03 2019-08-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer electronic component and multilayer LC filter
US10283566B2 (en) 2017-06-01 2019-05-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with through-stack contact via structures and method of making thereof
JP6791107B2 (ja) * 2017-12-08 2020-11-25 株式会社村田製作所 積層帯域通過フィルタ
JP2019205122A (ja) * 2018-05-25 2019-11-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2022515134A (ja) 2018-12-20 2022-02-17 エイブイエックス コーポレイション 高周波数多層フィルタ
US11595013B2 (en) 2018-12-20 2023-02-28 KYOCERA AVX Components Corporation Multilayer electronic device including a high precision inductor
JP7355827B2 (ja) 2018-12-20 2023-10-03 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション 精密に制御された容量性エリアを有するコンデンサを備える多層電子デバイス
JP7288055B2 (ja) 2018-12-20 2023-06-06 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション 少なくとも２つのビアと接続されたコンデンサを備える多層フィルタ
DE112019006351T5 (de) 2018-12-20 2021-08-26 Avx Corporation Mehrschichtfilter, umfassend eine durchkontaktierung mit geringer induktivität

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Publication number Publication date
JP7558171B2 (ja) 2024-09-30
CN113196561A (zh) 2021-07-30
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