TW201935698A - 半導體裝置及發光裝置 - Google Patents

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Abstract

一種具有幾乎不會由於退化的EL元件而產生電流值改變的結構的半導體裝置被提供。電容元件被配置於驅動TFT閘極和源極之間，視頻信號輸入到閘電極，然後它處於浮動狀態。此時，當驅動TFT的閘極源極電壓超過起始值時，驅動TFT被開啟。假定EL元件退化並且陽極電位上升，即驅動TFT的源極電位上升，則藉由電容元件的耦合處於浮動狀態的驅動TFT的閘電極的電位將上升相同量。因此，即使當陽極電位由於EL元件退化而上升，這種上升同樣被加到閘電極電位，而允許驅動TFT的閘極源極電壓保持不變。

Description

半導體裝置及發光裝置
本發明相關於具有電晶體的一種半導體裝置的構成。本發明還相關於包含具有製造於絕緣材料如玻璃和塑膠上的薄膜電晶體(此後稱作TFT)的半導體裝置的主動矩陣顯示裝置的構成。此外，本發明相關於採用這樣的顯示裝置的電子設備。
最近幾年，使用發光元件包括電致發光(EL)元件的顯示裝置的研製已積極展開。發光元件具有高可見度，因為它為自己發光。它不需要在液晶顯示器(LCD)中所需要的背光，因此它適合形成淺型，並且對視場幾乎沒有限制。
此處，EL元件是一種具有能夠藉由施加電場得到光發射的光發射層的元件。光發射層具有從單重激發態返回到基態的光發射(螢光)，和從三重激發態返回到基態的光發射(磷光)。本發明中，光發射裝置可具有上面任何一種光發射形式。
EL元件被構成，其中光發射層被夾在一對電極(陽 極和陰極)之間，形成一般的疊層結構。典型地，陽極/電洞傳輸層/發射層/電子傳輸層/陰極的疊層結構是很有名的，它由Eastman Kodak公司的Tang等人提出。該結構具有相當高的發光效率，它適用於目前研究中的許多EL裝置。
此外，在陽極和陰極之間還有根據電洞注入層/電洞傳輸層/光發射層/電子傳輸層，或電洞注入層/電洞傳輸層/光發射層/電子傳輸層/電子注入層順序排列的其他疊層結構。作為用於本發明光發射裝置的EL元件結構，可採用以上描述的任何結構。此外，螢光染料可被摻雜到光發射層中。
本說明書中，位於陽極和陰極間的所有層在EL元件中被總稱為EL層。因此，電洞注入層，電洞傳輸層，光發射層，電子傳輸層和電子注入層都包括在EL元件中。由陽極、EL層和陰極形成的發光元件稱為EL元件。
圖2A和2B描述了一般發光裝置的像素的構成。另外，作為典型的光發射裝置，舉例說明了一種EL顯示裝置。示於圖2A和2B的像素具有源極信號線201，閘極信號線202，開關TFT203，驅動TFT204，電容元件205，電流供電線206，EL元件207，以及電源線208。圖2A中的驅動TFT204採用p-通道型，圖2B中的驅動TFT204採用n-通道型。開關TFT203是一個用作輸入視頻信號到像素的開關TFT，因此極性不被限定。
每一部分的連接將被描述。此處，TFT具有三個極- 閘極、源極和汲極，但是由於TFT的結構，源極和汲極彼此不能明顯不同。因此，在描述元件間的連接時，源極和汲極其中之一被表示為第一電極，而另外一個被表示為第二電極。當需要描述關於開啟、關斷TFT的每個電極的電位(某種TFT的閘極-源極電壓)時，表示為源極和汲極。
此外，本說明書中，處於開的TFT是指TFT的閘極-源極電壓超過起始值並且源極和汲極間有電流的狀態。處於關的TFT指閘極-源極電壓下降到低於起始值並且源極和汲極間沒有電流的狀態。
開關TFT203的閘電極被連接到閘極信號線202，開關TFT203的第一電極被連接到源極信號線201，而開關TFT203的第二電極被連接到驅動TFT204的TFT的閘電極。驅動TFT204的第一電極被連接到電流供電線206，而驅動TFT204的第二電極被連接到EL元件207的陽極。EL元件207的陰極被連接到電源線208。電流供電線206和電源線208彼此間有電位差。另外，為了保持驅動TFT204的閘極-源極電壓，某個固定的電位，例如，可在驅動TFT204的閘電極和電流供電線206間放置電容元件205。
當給閘極信號線202輸入一個脈衝來開啟開關TFT203時，已被輸出到源極信號線201的視頻信號被輸入到驅動TFT204的閘電極。驅動TFT204的閘極-源極電壓根據被輸入的視頻信號的電位確定，並且驅動TFT204 的源極和汲極間輸送的電流(以後被表示為汲極電流)被確定。該電流被提供給EL元件207來發光。
利用其體積小重量輕的優點，其中在基底上形成TFT並且像素部分和週邊電路被安裝在一塊板內的顯示裝置被應用於明顯增長的行動裝置中。同時，TFT藉由許多製程如膜澱積、藉由重複地蝕刻的裝置製造、以及用於使半導體具有傳導性的雜質元素注入來形成，因此有藉由簡化製程使成本減少的艱巨任務。
然後，當像素部分和週邊電路由單極TFT構成，注入雜質元素製程的一部分可被省略。作為藉由使用單極TFT形成的像素的實例，在發表於ASIA DISPLAY，315頁(2001)，“基於非晶矽薄膜電晶體的主動矩陣有機光發射顯示裝置”一文中，提出了如圖8所示的像素。
圖8所示的像素具有源極信號線801，閘極信號線802，開關TFT803，驅動TFT804，主動電阻TFT805，電容元件806，電流供電線807，EL元件808，以及電源線809，TFT803到805採用n-通道TFT。
開關TFT803的閘電極被連接到閘極信號線802，開關TFT803的第一電極被連接到源極信號線801，而開關TFT803的第二電極被連接到驅動TFT804的閘電極。驅動TFT804的第一電極被連接到EL元件808的陽極，而驅動TFT804的第二電極被連接到主動電阻TFT805的第一電 極。主動電阻TFT805的閘電極和第二電極彼此連接，他們被連接到電流供電線807。EL元件808的陰極被連接到電源線809，和電流供電線807彼此有電位差。電容元件806被配置於驅動TFT804的閘電極和電流供電線807之間，保持施加於驅動TFT804的閘電極的信號電位。
如圖2A和8所示，使用N-通道TFT作驅動TFT的操作將被考慮。圖2C僅顯示了圖2A和B中所示的像素中電流供電線206到驅動TFT204到EL元件207到電源線208的構成部分。驅動TFT204被形成為n-通道型，這樣被連接到EL元件207陽極的一側為源極，而被連接到電流供電線的另一側為汲極。
現在，假設電流供電線206的電位為VDD，EL元件207的陽極電位為VA，它的陰極電位為VC，並且驅動TFT204的閘電極電位為VSig。驅動TFT204的源極-閘極電壓VGS為VGS=(VSig-VA)，EL元件207的陽極-陰極電壓VEL為VEL=(VA-VC)。
圖2D顯示了驅動TFT204和EL元件207的電壓-電流特性曲線。驅動TFT204的電壓-電流曲線與EL元件207的電壓-電流曲線的交點為工作點，它決定被輸送藉由EL元件207的電流值和EL元件的陽極電位VA。此時，當EL元件207的電壓-電流曲線由211表示，並且TFT204的電壓-電流曲線用213表示時，工作點落在215，由此電流值和VA=VA1被確定。此外，這時驅動TFT204的閘極-源極電壓VGS被表示為VGS=(VSig-VA1)。
此處，EL元件207已經退化的情況將被考慮。當EL元件207已經退化時，開始發光的電壓增加，曲線向右行動並由212表示。此處，假設驅動TFT204在飽和區工作，以及退化的EL元件207不引起閘極-源極電壓改變，工作點移到216。更特殊地，它變為VA=VA2。在這種情況下，即使驅動TFT204的源極-汲極電壓被改變，電流值沒有很大改變，因此發光沒有很大改變。但是，目前N-通道TFT被用作驅動TFT204，並且被連接到EL元件207陽極的一側的是源極。這樣，驅動TFT204的閘極-源極電壓VGS變小為VGS=(VSig-VA2)。所以，驅動TFT204的電壓-電流曲線這時由214表示。因此工作點降到217。更特殊地，退化的EL元件207引起驅動TFT204的源極電位升高和閘極-源極電壓減小，這樣電流值被改變很大，導致發光下降。
本發明中，目的是提供一種能夠解決如上所描述由退化的EL元件所引起問題的半導體裝置，其中N-通道TFT被用作驅動TFT，用於為EL元件提供電流。
上面所描述的目的的主要點是退化的EL元件引起EL元件陽極電位，即驅動TFT的源極電位升高和由此使驅動TFT的閘極-源極電壓的減小。
為了使當EL元件退化時電流值不被改變，有必要當退化的EL元件引起EL元件的陽極電位升高時使驅動TFT的閘極-源極電壓不被改變。
在本發明中，採用推挽(bootstrap)運行的結構被應 用到像素。在驅動TFT的閘極和源極間提供一個電容元件，並且在影像信號被輸入到閘電極的過程中，源極電位被設定在某個值。影像信號被輸入後，閘電極處於浮動狀態。此時，如果驅動TFT的源極-汲極電壓超過起始值，驅動TFT變為開。但是，如果驅動TFT的設定源極電位被釋放，電流流向EL元件，結果陽極電位即驅動TFT的源極電位升高。因此處於浮動狀態的閘電極的電位，藉由置於驅動TFT的閘極和源極間的電容元件的耦合，升高相同量。結果，當陽極電位由於EL元件退化不同地升高時，這種升高可同樣加在閘電極電位上，因此可使驅動TFT的閘極-源極電壓保持不變。
電容元件(儲存電容器)的作用被解釋。已輸入影像信號的驅動TFT的閘極電位被電晶體等的漏泄電流改變，並且驅動TFT的源極-閘極電壓被改變。結果，驅動TFT的汲極電流被改變，並且發光減少。因此電容元件需要具有保持電荷使驅動TFT的閘極電位在一個恆定值或在預定的顯示時期內為幾乎恆定值的能力。
101‧‧‧源極信號線
102‧‧‧閘極信號線
103,104,105‧‧‧第一、第二以及第三TFT
106‧‧‧電容元件
107‧‧‧電流供應線
108‧‧‧EL元件
109,110‧‧‧電源線
906‧‧‧薄膜電晶體
Vss‧‧‧電源線
904‧‧‧薄膜電晶體
403‧‧‧第二柵極信號線
407‧‧‧抹除薄膜電晶體
405‧‧‧閘極
408‧‧‧電容元件
402‧‧‧第一閘極信號線
410‧‧‧EL元件
412‧‧‧電源線
圖1A和1B是說明本發明的實施例和其工作的實施例的示意圖；圖2A~2D是說明在藉由習知結構形成單極TFT的情況下的工作示意圖；圖3A~3C是說明根據圖1A所示結構的電路的工作 示意圖；圖4A~4C是說明本發明和工作的實施例的示意圖；圖5A~5C是說明本發明和工作的實施例的示意圖；圖6A~6E是說明本發明和工作的實施例的示意圖；圖7A~7H是對比本發明和習知實例在驅動TFT的閘電極和源極區周圍電位變化的示意圖；圖8介紹由單極TFT構造的像素的一個實例的示意圖；圖9是描述本發明的實施例的示意圖；圖10A和10B是說明時間灰度等級系統的示意圖；圖11A~11C是說明時間灰度等級系統的示意圖；圖12A~12D是說明本發明和工作的實施例的示意圖；圖13A~13D是說明半導體裝置製造製程的示意圖；圖14A~14C是說明半導體裝置製造製程的示意圖；圖15A~15C是半導體裝置的俯視圖和橫截面圖；圖16A~16C是描述用於利用類比視頻信號的顯示器的半導體裝置的結構的示意圖；圖17A和17B是描述如圖16A~16C所示裝置中源極信號線驅動電路和閘極信號線驅動電路實例的示意圖；圖18A和18B是描述用於利用數位視頻信號的顯示器的半導體裝置結構的示意圖；圖19A和19B是描述圖18A和18B所示裝置中的源極信號線驅動電路實例的示意圖； 圖20A~20H是描述可適用於本發明的電子裝置實例的示意圖；圖21A~21C是說明本發明和工作的實施例的示意圖；以及圖22是描述本發明的像素結構的俯視圖的示意圖。
以下描述本發明的構造。
本發明的半導體裝置的特徵在於包含一個具有發光元件的像素；其中像素具有有兩種狀態-導電和非導電狀態的第一和第二開關元件、一個電晶體，一個電容元件以及發光元件；視頻信號被輸入到第一開關元件的第一電極，並且第一開關元件的第二電極被電連接於電晶體的閘電極；電晶體的第一電極被電連接於第二開關元件的第一電極和發光元件的第一電極，並且電晶體的第二電極被電連接於第一電源；第二開關元件的第二電極被電連接於第二電源；發光元件的第二電極被電連接於第三電源，並且電容元件被配置於電晶體的閘電極和第一電極之間。
本發明的半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素；其中像素具有有兩種狀態-導電和非導電狀態的第 一、第二和第三開關元件、一個電晶體、一個電容元件以及發光元件；視頻信號被輸入到第一開關元件的第一電極，並且第一開關元件的第二電極被電連接於電晶體的閘電極；電晶體的第一電極被電連接於第二開關元件的第一電極和發光元件的第一電極，並且電晶體的第二電極被電連接於第一電源；第二開關元件的第二電極被電連接於第二電源；發光元件的第二電極被電連接於第三電源；電容元件被配置於電晶體的閘電極和第一電極之間，並且第三開關元件的第一電極被電連接於電晶體的閘電極，而第三開關元件的第二電極被電連接於電晶體的第一電極、第二電源和第三電源中任何一個。本發明的一種半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素；其中像素具有有兩種狀態-導電和非導電狀態的第一、第二和第三開關元件、一個電晶體、一個電容元件以及發光元件；視頻信號被輸入到第一開關元件的第一電極，並且第一開關元件的第二電極被電連接於電晶體的閘電極；電晶體的第一電極被電連接於第二開關元件的第一電極和發光元件的第一電極，並且電晶體的第二電極被電連接於第一電源； 第二開關元件的第二電極被電連接於第二電源；發光元件的第二電極被電連接於第三電源；電容元件被配置於電晶體的閘電極和第一電極之間，並且第三開關元件的第一電極被電連接於發光元件的第一電極，而第三開關元件的第二電極被電連接於第二電源。
本發明的半導體裝置包含具有發光元件的像素，其中像素具有有兩種狀態-導電和非導電狀態的第一、第二和第三開關元件、一個電晶體、一個電容元件以及發光元件；視頻信號被輸入到第一開關元件的第一電極，並且第一開關元件的第二電極被電連接於電晶體的閘電極；電晶體的第一電極被電連接於第二開關元件的第一電極和發光元件的第一電極，並且電晶體的第二電極藉由第三開關元件被電連接於第一電源；第二開關元件的第二電極被電連接於第二電源；發光元件的第二電極被電連接於第三電源，並且電容元件被配置於電晶體的閘電極和第一電極之間。
在本發明的半導體裝置中，當電晶體的電導類型為N-通道型時，第一電源的電位V1，第二電源的電位V2以及第三電源的電位V3可能是V1>V2和V1>V3。
在本發明的半導體裝置中，第二電源的電位V2和第三電源的電位V3也可能是V2<V3。
在本發明的半導體裝置中，當電晶體的電導類型為P- 通道型時，第一電源的電位V1，第二電源的電位V2以及第三電源的電位V3可能是V1<V2和V1<V3。
在本發明的半導體裝置中，第二電源的電位V2以及第三電源的電位V3也可能是V2>V3。
本發明的一種半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素；其中像素具有源極信號線、第一和第二閘極信號線、電流供電線、第一、第二和第三電晶體、電容元件以及發光元件；第一電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，第一電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極，而第一電晶體的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第一電源，或不包括該像素的任何一個像素中的第一或第二閘極信號線；第二電晶體的閘電極被電連接於第三電晶體的第一電極，而第二電晶體的第二電極被電連接於電流供電線；第三電晶體的閘電極被電連接於第二閘極信號線，而第三電晶體的第二電極被電連接於源極信號線；發光元件的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第二電源，並且電容元件被配置於第二電晶體的閘電極和第一電極之間。
本發明的一種半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素； 其中像素具有源極信號線、閘極信號線、電流供電線、第一、第二和第三電晶體、電容元件以及發光元件；第一電晶體的閘電極被電連接於閘極信號線，第一電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極，而第一電晶體的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第一電源，或不包括該像素的任何一個像素中的閘極信號線；第二電晶體的閘電極被電連接於第三電晶體的第一電極，而第二電晶體的第二電極被電連接於電流供電線；第三電晶體的閘電極被電連接於閘極信號線，而第三電晶體的第二電極被電連接於源極信號線；發光元件的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第二電源，並且電容元件被配置於第二電晶體的閘電極和第一電極之間。
本發明的一種半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素；其中像素具有源極信號線、第一、第二和第三閘極信號線、電流供電線、第一、第二、第三和第四電晶體、電容元件以及發光元件；第一電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，第一電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極，而第一電晶體的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第一電源、在不包括該 像素的任何一個像素中的第一、第二和第三閘極信號線以及在該像素中的第二和第三閘極信號線中的任何一個；第二電晶體的閘電極被電連接於第三電晶體的第一電極，而第二電晶體的第二電極被電連接於電流供電線；第三電晶體的閘電極被電連接於第二閘極信號線，而第三電晶體的第二電極被電連接於源極信號線；發光元件的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第二電源；電容元件被配置於第二電晶體的閘電極和第一電極之間，並且第四電晶體的閘電極被電連接於第三閘極信號線，第四電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的閘電極，而第四電晶體的第二電極被電連接於第二電晶體的第一電極、第一電源和第二電源中的任何一個。
本發明的一種半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素；其中像素具有源極信號線，第一和第二閘極信號線、電流供電線、第一、第二、第三和第四電晶體、電容元件以及發光元件；第一電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，第一電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極，而第一電晶體的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第一電源，在不包括該像素的任何一個像素中的第一和第二閘極信號線以及在該 像素中的第二閘極信號線中的任何一個；第二電晶體的閘電極被電連接於第三電晶體的第一電極，而第二電晶體的第二電極被電連接於電流供電線；第三電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，而第三電晶體的第二電極被電連接於源極信號線；發光元件的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第二電源；電容元件被配置於第二電晶體的閘電極和第一電極之間，並且第四電晶體的閘電極被電連接於第二閘極信號線，第四電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的閘電極，而第四電晶體的第二電極被電連接於第二電晶體的第一電極、第一電源和第二電源中的任何一個。
本發明的一種半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素；其中像素具有源極信號線、第一、第二和第三閘極信號線、電流供電線、第一、第二、第三和第四電晶體、電容元件以及發光元件；第一電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，第一電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極，而第一電晶體的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第一電源，在不包括該像素的任何一個像素中的第一、第二和第三閘極信號線以及在該像素中的第二和第三閘極信號線中的任何一個； 第二電晶體的閘電極被電連接於第三電晶體的第一電極，而第二電晶體的第二電極被電連接於電流供電線；第三電晶體的閘電極被電連接於第二閘極信號線，而第三電晶體的第二電極被電連接於源極信號線；發光元件的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第二電源；電容元件被配置於第二電晶體的閘電極和第一電極之間，並且第四電晶體的閘電極被電連接於第三閘極信號線，第四電晶體的第一電極被電連接於發光元件的第一電極，而第四電晶體的第二電極被電連接於第一電源。
本發明的一種半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素；其中像素具有源極信號線、第一和第二閘極信號線、電流供電線、第一、第二、第三和第四電晶體、電容元件以及發光元件；第一電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，第一電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極，而第一電晶體的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第一電源，在不包括該像素的任何一個像素中的第一、第二和第三閘極信號線以及在該像素中的第二和第三閘極信號線中的任何一個；第二電晶體的閘電極被電連接於第三電晶體的第一電極，而第二電晶體的第二電極被電連接於電流供電線； 第三電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，而第三電晶體的第二電極被電連接於源極信號線；發光元件的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第二電源；電容元件被配置於第二電晶體的閘電極和第一電極之間，並且第四電晶體的閘電極被電連接於第二閘極信號線，第四電晶體的第一電極被電連接於發光元件的第一電極，而第四電晶體的第二電極被電連接於第一電源。
本發明的一種半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素；其中像素具有源極信號線、第一、第二和第三閘極信號線、電流供電線，第一、第二、第三和第四電晶體、電容元件以及發光元件；第一電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，第一電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極，而第一電晶體的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第一電源，在不包括該像素的任何一個像素中的第一、第二和第三閘極信號線以及在該像素中的第二和第三閘極信號線中的任何一個；第二電晶體的閘電極被電連接於第三電晶體的第一電極，而第二電晶體的第二電極被電連接於電流供電線；第三電晶體的閘電極被電連接於第二閘極信號線，而第三電晶體的第二電極被電連接於源極信號線； 發光元件的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第二電源；電容元件被配置於第二電晶體的閘電極和第一電極之間，電容元件保持第二電晶體的閘電極和第一電極之間的電壓，並且第四電晶體被配置於第二電晶體的第二電極和電流供電線之間，或第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極之間，並且第四電晶體的閘電極被電連接於第三閘極信號線。
本發明的一種半導體裝置的特徵在於包含具有發光元件的像素；其中像素具有源極信號線、第一和第二閘極信號線、電流供電線、第一、第二、第三和第四電晶體、電容元件以及發光元件；第一電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，第一電晶體的第一電極被電連接於第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極，而第一電晶體的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第一電源，在不包括該像素的任何一個像素中的第一和第二閘極信號線以及在該像素中的第二閘極信號線中的任何一個；第二電晶體的閘電極被電連接於第三電晶體的第一電極，而第二電晶體的第二電極被電連接於電流供電線；第三電晶體的閘電極被電連接於第一閘極信號線，而第三電晶體的第二電極被電連接於源極信號線； 發光元件的第二電極被電連接於與電流供電線彼此間有電位差的第二電源；電容元件被配置於第二電晶體的閘電極和第一電極之間，電容元件保持第二電晶體的閘電極和第一電極之間的電壓，並且第四電晶體被配置於第二電晶體的第二電極和電流供電線之間，或第二電晶體的第一電極和發光元件的第一電極之間，並且第四電晶體的閘電極被電連接於第三閘極信號線。
在本發明的半導體裝置中，第一和第三電晶體可以是相同的導電類型。
在本發明的半導體裝置中，包含於像素中的電晶體可以是相同的導電類型。
在本發明的半導體裝置中，當第二電晶體的一種導電類型為一種N-通道型時，電流供電線的電位V1、第一電源的電位V2以及第二電源的電位V3是V1>V2和V1>V3。
在本發明的半導體裝置中，當第二電晶體的導電類型為N通道型時，第一電源的電位V2以及第二電源的電位V3是V2>V3。
在本發明的半導體裝置中，當第二電晶體的導電類型為P-通道型時，電流供電線的電位V1、第一電源的電位V2以及第二電源的電位V3是V1<V2和V1<V3。
在本發明的半導體裝置中，當第二電晶體的導電類型 為P-通道型時，第一電源的電位V2以及第二電源的電位V3是V2<V3。
用於驅動本發明的半導體裝置的方法的特徵在於具有發光元件的像素被配置，其中像素具有有兩種狀態-導通和非導通狀態的第一和第二開關元件，具有一個電晶體，一個電容元件以及發光元件，視頻信號被輸入到第一開關元件的第一電極，並且第一開關元件的第二電極被電連接於電晶體的閘電極，電晶體的第一電極被電連接於第二開關元件的第一電極和發光元件的第一電極，而電晶體的第二電極被電連接於第一電源，第二開關元件的第二電極被電連接於第二電源，發光元件的第二電極被電連接於第三電源，電容元件被配置於電晶體的閘電極和第一電極之間，用於驅動顯示裝置的方法包含：第一步導通第一和第二開關元件以輸入視頻信號到電晶體的閘電極，並固定電晶體的第一電極電位；第二步不導通第一和第二開關元件以使電晶體的閘電極處於浮動狀態；以及第三步提供對應於施加到電晶體閘電極電位的電流給發光元件來發射光，其中在第三步，電容元件保持電晶體的閘極-源極電壓以使電晶體的第一電極的電位的改變等於電晶體的閘電 極的電位改變。
用於驅動本發明的半導體裝置的方法的特徵在於具有發光元件的像素被配置，其中像素具有有兩種狀態-導通和非導通狀態的第一、第二和第三開關元件，具有電晶體，電容元件和發光元件，視頻信號被輸入到第一開關元件的第一電極，並且第一開關元件的第二電極被電連接於電晶體的閘電極，電晶體的第一電極被電連接於第二開關元件的第一電極和發光元件的第一電極，而電晶體的第二電極被電連接於第一電源，第二開關元件的第二電極被電連接於第二電源，發光元件的第二電極被電連接於第三電源，電容元件被配置於電晶體的閘電極和第一電極之間，並且第三開關元件的第一電極被電連接於電晶體的閘電極，而第三開關元件的第二電極被電連接於電晶體的第一電極，第二電源和第三電源中任何一個，用於驅動顯示裝置的方法包含：第一步導通第一和第二開關元件以輸入視頻信號到電晶體的閘電極，並固定電晶體的第一電極電位；第二步不導通第一和第二開關元件以使電晶體的閘電極處於浮動狀態；第三步提供對應於施加到電晶體閘電極電位的電流給 發光元件來發射光；並且第四步導通第三開關元件使得電晶體的閘極-源極電壓等於或低於起始值電壓絕對值，並停止提供電流給發光元件，其中在第三步，電容元件保持電晶體的閘極-源極電壓以使電晶體的第一電極的電位的改變等於電晶體的閘電極的電位改變。
用於驅動本發明的半導體裝置的方法的特徵在於具有發光元件的像素被配置，其中像素具有有兩種狀態-導通和非導通狀態的第一、第二和第三開關元件，具有電晶體，電容元件和發光元件，視頻信號被輸入到第一開關元件的第一電極，並且第一開關元件的第二電極被電連接於電晶體的閘電極，電晶體的第一電極被電連接於第二開關元件的第一電極和發光元件的第一電極，而電晶體的第二電極被電連接於第一電源，第二開關元件的第二電極被電連接於第二電源，發光元件的第二電極被電連接於第三電源，電容元件被配置於電晶體的閘電極和第一電極之間，並且第三開關元件的第一電極被電連接於發光元件的第一電極，而第三開關元件的第二電極被電連接於第二電源，用於驅動顯示裝置的方法包含： 第一步導通第一和第二開關元件以輸入視頻信號到電晶體的閘電極，並固定電晶體的第一電極電位；第二步不導通第一和第二開關元件以使電晶體的閘電極處於浮動狀態；第三步提供對應於施加到電晶體閘電極電位的電流給發光元件來發射光；並且第四步導通第三開關元件使得電晶體的閘極-源極電壓等於或低於起始值電壓絕對值，並停止提供電流給發光元件，其中在第三步，電容元件保持電晶體的閘極-源極電壓以使電晶體的第一電極的電位的改變等於電晶體的閘電極的電位改變。
用於驅動本發明的半導體裝置的方法的特徵在於具有發光元件的像素被配置，其中像素具有有兩種狀態-導通和非導通狀態的第一、第二和第三開關元件，具有電晶體，電容元件和發光元件，視頻信號被輸入到第一開關元件的第一電極，並且第一開關元件的第二電極被電連接於電晶體的閘電極，電晶體的第一電極被電連接於第二開關元件的第一電極和發光元件的第一電極，而電晶體的第二電極藉由第三開關元件被電連接於第一電源，第二開關元件的第二電極被電連接於第二電源，光發射元件的第二電極被電連接於第三電源，並且 電容元件被配置於電晶體的閘電極和第一電極之間，用於驅動顯示裝置的方法包含：第一步導通第一和第二開關元件以輸入視頻信號到電晶體的閘電極，並固定電晶體的第一電極電位；第二步不導通第一和第二開關元件以使電晶體的閘電極處於浮動狀態；第三步導通第三開關元件以提供對應於施加到電晶體閘電極電位的電流給發光元件來發射光；並且第四步不導通第三開關元件並停止提供電流給發光元件，其中在第三步，電容元件保持電晶體的閘極-源極電壓以使電晶體的第一電極的電位的改變等於電晶體的閘電極的電位改變。
具體實施方式 [實施例1]
圖1A表示本發明的一個實施例。本發明的像素具有源極信號線101，閘極信號線102，第一、第二和第三TFT103~105，電容元件106，電流供電線107，EL元件108，以及電源線109和110。TFT103的閘電極被連接到閘極信號線102，TFT103的第一電極被連接到源極信號線101，而TFT103的第二電極被連接到TFT104的閘電極。TFT104的第一電極被連接到電流供電線107，而TFT104的第二電極被連接到TFT105的第一電極和EL元 件的第一電極。TFT105的閘電極被連接到閘極信號線102，而TFT105的第二電極被連接到電源線110。EL元件108的第二電極被連接到電源線109。電容元件106被配置於TFT104的閘電極和第二電極之間，用來保持閘極-源極電壓。
現在，所有TFT103~105為N-通道TFT，並且當閘極-源極電壓超過起始值時它們被開啟。此外，在EL元件108中，第一電極是陽極，而第二電極為陰極。陽極電位設定為VA，而陰極電位即電源線109的電位設定為VC。此外，電流供電線107的電位設定為VDD，電源線110的電位設定為VSS。視頻信號的電位設定為VSig。
電路的工作將用圖1A，1B和3A~3C說明。此處，TFT104的閘極(G)、源極(S)，和汲極(D)如圖3A所定義。
在某些像素中選擇閘極信號線102來開啟TFT103和105。如圖3A所示，視頻信號從源極信號線101被輸入到TFT104的閘電極，並且電位變為VSig。同時，TFT105導通，這樣VA=VSS。此時當設定VSS VC時，在書寫視頻信號時電流不流經EL元件108。但是，設定VSS>VC，則電流可以流經EL元件108。這裏關鍵是VA被固定在一固定電位。根據該工作，電容元件106的兩個電極間的電壓轉變為(VSig-VSS)。然後，當閘極信號線102的選擇期結束，並且TFT103和105關閉時，儲存於電容元件106的電荷的遷移路徑已不存在，以及TFT104的閘極-源極電 壓(VSig-VSS)被保持。(圖3B)。
此時，當(VSig-VSS)超過TFT104的起始值時，TFT104開啟，電流被啟動從電流供電線流107經EL元件，並且啟動光發射(圖3C)，增加TFT104的源極電位。在這一時期，TFT104的閘電極處於浮動狀態，並且電容元件106保持TFT104的閘極-源極電壓。因此，閘電極的電位隨源極電位的上升而增加。在這一時期，在TFT104和105中的半導體層(在源極區或汲極區)和閘電極間存在電容分量，但是電容元件106的電容值被設定為遠遠高該於電容分量，由此使TFT104源極電位的增加量幾乎等於TFT104閘極電位的增加量。
基於該工作，根據退化或不退化的EL元件的工作將在圖1B中考慮。圖1B圖解示出151為閘極信號線102的電位，152和153為TFT104的閘電極的電位VG，154和155是EL元件108的陽極電位VA即TFT104的源極電位，而156是TFT104的閘極-源極電壓VGS。
現在，在圖1B所示由i表示的部分中，閘極信號線102被選定在高電位。因此視頻信號被寫在這部分，並且TFT104的閘極電位VG升高。同時，TFT105導通，因此EL元件108的陽極電位VA，即TFT104的源極電位變為等於VSS。結果TFT104的閘極-源極電壓VGS變大。此外，當在這部分中VA=VSS<VC時，無論視頻信號值VSig為多大，EL元件108不發射光。
在由ii表示的時刻，閘極信號線102的選定是低電位 結束，並且TFT103和105被關閉。此時在電容元件106中保持VGS=(VSig-VA)。
隨後，進入由iii表示的部分，並且光發射被啟動。此時，當TFT104的閘極-源極電位VGS超過起始值，TFT104開啟以傳送汲極電流，發光元件108發射光。同時，TFT104的源極電位也升高。此處如上所述，TFT104的閘極電位處於浮動狀態，因此該電位類似於在TFT104的源極電位上升而上升。
此處，將考慮EL元件108已退化的情況。當EL元件108退化時，如上所述在傳送一定值電流經過EL元件108時，陰極-陽極電壓變大。結果VA上升如155所表示。但是，在本發明中，VG也由於VA的上升而上升，結果表現出VGS保持不變。
另一方面，如圖7A~7H所示，在圖2B所示習知結構情況下，當視頻信號一旦被輸入並且電位變為VSig時，在此之後TFT104的閘極電位不被改變。因此，當EL元件207退化且VA上升時，TFT204的閘極-源極電壓變得比退化前小(圖7G和7H)。在這種狀況下，即使TFT204在飽和區工作，工作點的電流值也將被改變。因此，當EL元件207退化且電壓-電流特性曲線被改變，流經EL元件207的電流變小導致光發射減小。
如上所述，即使在EL元件退化時電流值也不被改變，由此本發明可消除EL元件退化的影響。
此外，電源線的兩個電位VSS和VC可被任意設定。 因此，設定VSS<VC，由此反向偏壓可以容易地施加到EL元件。
此外，TFT103和105僅起開關元件的功能是好的，並且因此極性不被限定。更特別地，即使所有構成像素的TFT被設定為單極型，也可以進行正常工作。在圖1A中，TFTF103和105被設定為具有相同極性並且只被閘極信號線102控制。但是，使用彼此不同的第一和第二閘極信號線來控制各個TFT是可以的。在這種情況下，TFT103和105彼此可以具有不同的極性。但是，考慮到像素的數位孔徑，引線數量盡可能地少是理想的。
[實施例2]
根據圖1A所示結構，用於通向像素部分的線路，需要五條：源極信號線、閘極信號線、電流供電線(VDD)、電源線(VC)以及電源線(VSS)。在本實施例中，將描述用於引線的線路共用的結構，由此使得用於每個像素的引線的線路數量減少並獲得高數位孔徑。
圖9描述本實施例的結構。與實施例1所不同點僅僅在於TFT906的第二電極被連接到電源線(VSS)，但在本實施例中它被連接到下一行像素中的閘極信號線。假定由虛線框900表示的像素處於第I行，TFT906的第二電極被連接到第i+1行的閘極信號線。
作為選擇閘極信號線的脈衝條件，TFT904的閘極-源電壓足夠大地超過在高電位的起始值是可以接受的。更特 別地，電位足夠大於起始值達到視頻信號VSig的最大值是可以接受的。同時，電位以低電位安全地關閉TFT904為好。因此，處於低電位的電位被設定為等於閘極信號線的VSS。
當第i閘極信號線被選擇在高電位並且TFT904和906被開啟時，第i+1閘極信號線卻不被選擇。更特別地，它處於低電位並且電位為VSS。因此，與本實施例相似，EL元件的陽極電位VA藉由TFT906變得等於VSS。因此，當用於引線的線路與本實施例一致被共用，可得到與實施例1相同的效果。
此外，連接TFT906的第二電極的位置不限定於第i+1閘極信號線，此時它是一個能夠施加固定電位VSS的位置，同時第i閘極信號線被選擇在高電位，且TFT906導通。例如，它可以是第i-1閘極信號線或此外的其他線。當鄰近行中的信號線被共用，信號線的脈衝彼此不重疊是理想的。
此外，如實施例1所描述的，TFT904和906僅起開關元件的功能為好。因此極性不被限定，極性不限於被如圖9所示的單個閘極信號線902所控制。
[實施例3]
驅動TFT的閘極-源極電壓被控制，和流經EL元件的電流值被用於顯示的類比量控制被稱為類比灰度等級系統。同時，提出數位灰度等級系統，其中EL元件只藉由 兩種狀態驅動-零發光或百分之百發光。在該系統中，只有兩個灰度等級，黑和白可被顯示，但是它具有幾乎不受限於TFT特性變化的優點。為了想藉由數位灰度等級系統獲得多級灰度等級，採用與時間灰度等級系統相結合的驅動方法。時間灰度等級系統是一種藉由元件長時間或短時間發光的時間長度表示灰度等級的方法。
當數位灰度等級系統與時間灰度等級系統結合時，如圖10A所示一個圖框周期被分成幾個子圖框周期。每個子圖框周期具有定址(寫)期，持續(光發射)期和抹除期，如圖10B所示。灰度等級被表示出來，其中對應於用於顯示的位元數的子圖框周期被排列，其中持續(光發射)期的長度在每個子圖框周期被設定為2(n-1)：2(n-2)：...：2：1，EL元件在每個持續(光發射)期被選擇發光或不發光，並且當EL元件發光時在總時間長度上的不同被利用。當發光時間長則亮度高，而發光時間短則亮度低。此外，圖10A和10B描述了四位元灰度等級的實例，其中一個圖框周期被分成四個子圖框周期，且24=16灰度等級位準可藉由持續(光發射)期的群組合表示。此外，灰度等級可以在不特別設定持續期的長度比為二的冪次比時被表示出來。另外，某個子圖框周期可以被進一步分割。
當利用時間灰度等級系統獲得多級灰度等級時，較低位元的持續(光發射)期的長度變得更短。因此後續的定址期必須緊隨持續(光發射)期完成後開始時，與不同子圖框周期的定址(寫)期重疊的周期產生。在此情況下， 被輸入到某個像素的視頻信號同時也被輸入到不同像素，因此不能進行正常的顯示。抹除期被配置用於解決該問題。如圖10B所示，它被配置於Ts3和Ts4後以便兩個不同的定址(寫)期彼此不重疊。對應地，在持續(光發射)期足夠長並且兩個不同定址(寫)期彼此將不會重疊的SF1和SF2中不配置抹除期。
這樣，為了藉由將數位灰度等級系統和時間灰度等級系統相結合的方法驅動EL元件，可能出現增加光發射被強制停止和配置抹除期的工作的情況。
圖4A描述了增加一個第二閘極信號線403和一個抹除TFT407到具有實施例1所示結構的像素，以回應將數位灰度等級系統和時間灰度等級系統相結合的驅動方法的實例。抹除TFT407的閘電極被連接到第二閘極信號線403，抹除TFT407的第一電極被連接到TFT405的閘電極和電容元件408的第一電極，而抹除TFT407的第二電極被連接到TFT405的第二電極和電容元件408的第二電極。
第一閘極信號線402被選擇以輸入視頻信號的工作與實施例1所示相同，因此此處將其省略。此外，視頻信號輸入過程中，第二閘極信號線處於低位準且抹除TFT407是關閉的。此時VSig既產生確實開啟TFT405的電位也產生關閉TFT405的電位。
此處，從持續(光發射)期到抹除期的工作將用圖4A~4C和圖11A~11C描述。圖11A與圖10A所示相 同。如圖11B所示，一個圖框周期有四個子圖框周期。在具有短持續(光發射)期的子圖框周期SF3和SF4中，他們分別具有抹除期Te3和Te4。此處，在SF3中的工作將被舉例說明。
視頻信號輸入完成後，對應於TFT405的閘極-源極電壓VGS的電流傳送經EL元件410以發射光，如圖10B所示。然後，當計時到達持續(光發射)期的完成時，脈衝被輸入到要處於高電位的第二閘極信號線403，並且抹除TFT407被開啟以將TFT405的閘極-源極電壓VGS設定為零，如圖4C所示。對應地，TFT405被關閉，通入EL元件的電流被截止，EL元件410被強制停止光發射。
工作是如圖11C所示時間表。抹除期Te3是持續(光發射)期Ts3之後的周期，一個脈衝被輸入到第二閘極信號線403，EL元件停止光發射，然後一個脈衝再被輸入到第一閘極信號線402以開始輸入下一個視頻信號。
此外，在圖4A所示的結構中，TFT406的第二電極被連接到電源線412，但是電源線412可被如實施例2中所示的鄰近行中的閘極信號線所代替。此外，在本實施例中，第二閘極信號線403被配置用於控制抹除TFT407，並且因此TFT406的第二電極可被連接到第二閘極信號線403。
雖然TFT404和406被閘極信號線402控制，但可增加一條新的閘極信號線。在這種情況下，TFT404和406可被閘極信號線402和新增閘極信號線分別控制。
[實施例4]
圖5A描述了在不同於實施例3中示出的位置配置抹除TFT的實施例。在本實施例中，一個抹除TFT507被配置於通向電容元件508的第一電極的TFT505的閘電極和電源線512之間。
類似實施例3，有關從視頻信號輸入到光發射，藉由將數位灰度等級系統和時間灰度等級系統結合的方法實施驅動方法是可以接受的。因此，此處省略該描述，而抹除期的工作將被描述。
當計時到達持續(光發射)期的結束時，脈衝被輸入到第二閘極信號線503達到高位準，抹除TFT507被開啟，並且TFT505的閘電極的電位轉變為VSS，如圖5C所示。更特別地，在抹除期，TFT505的閘極-源極電壓VGS設定在起始值以下為好。
TFT505的源極電位處於至少等於或大於VSS的電位。因此抹除TFT507的工作允許TFT505的閘極-源極電壓VGS為VGS 0，並且TFT505被關閉。對應地，抹除期是EL元件510停止光發射的周期。一個脈衝被再次輸入到第一閘極信號線502，並且下一個視頻信號再開始被輸入。
此外，在圖5A所示的結構中，TFT506的第二電極被連接到電源線512，但電源線512可被如實施例2所示的鄰近行中的閘極信號線所取代。另外，在本實施例中，第 二閘極信號線503被配置用於控制抹除TFT507。因此，TFT506的第二電極可被連接到第二閘極信號線503。
雖然TFT504和506被閘極信號線502控制，但是可增加一條新的閘極信號線。在這種情況下，TFT504和506可被閘極信號線402和新增閘極信號線分別控制。
[實施例5]
圖6A描述了在不同於實施例3和4所示位置配置抹除TFT的實例。在本實施例中，抹除TFT607被配置於TFT605的第一電極和電流供電線之間。
電路的工作將被描述。第一閘極信號線602被選定在高位準，TFT604被開啟，並且視頻信號被從源極信號線601輸入到像素。同時，TFT606也被開啟使EL元件610的陽極電位VA等於VSS。此時，當設定VSS VC，在寫視頻信號時電流不被傳送流經EL元件610，因此TFT607處於導通或關閉為好。
當視頻信號輸入完成並且第一閘極信號線602不被選擇時，TFT605的閘電極處於浮動狀態並且所儲存電荷的遷移路徑在電容元件608中受阻塞。因此，閘極-源極電壓VGS在電容元件608中被保持。
隨後，第二閘極信號線603被選定在高位準並且TFT607被開啟，由此電流如圖6D所示被傳送，EL元件610的陽極電位VA上升，產生與陰極電位VC的電位差，電流被傳送以發射光。此外，TFT607從輸入視頻信號狀 態被開啟是可以接受的。在此情況下，在第一閘極信號線602轉變為不被選擇的時刻，電流藉由TFT607和605被提供給EL元件610，並且EL元件610的陽極電位VA上升，產生與陰極電位VC的電位差，傳送電流以發射光。
當計時到達持續(光發射)期的結束時，第二閘極信號線603不被選定在低位準，TFT607被關閉，並且從電流供電線609到EL元件610的電流路徑被阻塞。因此，電流不流經EL元件610，光發射停止。之後，抹除期是一個脈衝被再次輸入到第一閘極信號線602，並且下一個視頻信號再開始被輸入的周期。
此外，在TFT605的第一電極和EL元件610的陽極間配置TFT607為好。更特別地，TFT607被配置於電流供電線609和EL元件610之間的電流路徑中，並且在抹除期中提供給EL元件610的電流可能被切斷是可以接受的。
雖然TFT604和606被閘極信號線602控制，但是可增加一條新的閘極信號線。在這種情況下，TFT604和606可被閘極信號線602和新增閘極信號線分別控制。
[實施例6]
在實施例3~5中，增加TFT來配置抹除期的實例已被描述，但在本實施例中，將描述不增加抹除TFT而進行相同工作的實例。
圖21A描述該結構。該結構幾乎類似於實施例1所示 結構，但不同在於TFT2104和2106分別被獨立的閘極信號線2102和2103控制。
如圖21B所示，在持續(光發射)期，電容元件2107固定TFT2105的閘極-源極電壓，並且與之相伴的電流流經EL元件2109以發射光。
隨後，進入抹除期，一個脈衝信號被輸入到第二閘極信號線2103以開啟TFT2106。此時，被連接到TFT2106的第二電極的電源線2111的電位被設定為低於EL元件2109的陰極電位，即電源線2110的電位，由此電流不被傳送流經EL元件2109。對應地，此時的電流如圖21C所示被傳送。
此外，在鄰近行的閘極信號線可用作電源線2111，如其它實施例中所描述的。
[實施例7]
N-通道型TFT被用作向EL元件提供電流的TFT。但是，本發明可藉由用P-通道型TFT作為驅動TFT來完成。圖12A描述了範例結構。
該電路結構與圖1A中所示的使用N-通道型TFT的結構相同。但是，不同點在於EL元件1208的結構是反向的，被連接於TFT1204的第二電極的一側是陰極，而被連接於電源先1209的另一側是陽極，並且電流供電線1207的電位為VSS，電源線1209的電位為VA，而電源線1210的電位為VDD。此處，VSS<VDD且VA<VDD。
電路的工作將用圖12B~12D描述。此外，TFT的極性為P-通道型，輸入一個低位準到閘電極以開啟TFT，而輸入高位準用以關閉TFT。
在某一行，閘極信號線1202被選定在低位準，並且TFT1203和1205被開啟。如圖12B所示，視頻信號從源極信號線1201被輸入到TFT1204的閘電極，並且電位變為VSig。同時，TFT1205是導通的，並且因此EL元件1208的陰極電位VC變為VC=VDD。此時，當設定VA VDD時，在寫視頻信號時，電流不被傳送流經EL元件1208。根據該工作，電容元件1206的兩個電極間的電壓，即TFT1204的閘極-源極電壓變為(VSig-VDD)。然後，當閘極信號線1202的選擇期結束處於高位準並且TFT1203和1205被關閉時，電容元件1206中儲存的電荷的遷移路徑消失，並且TFT1204的閘極-源極電壓(VSig-VDD)被保持(圖12C)。
此處，當(VSig-VDD)低於TFT1204的起始值電壓時，TFT1204被開啟，電流被傳送流經電源線1209、EL元件1208和電流供電線1207以開始光發射(圖12D)，並且TFT1204的源極電位下降。此時，TFT1204的閘電極處於浮動狀態，而電容元件1206保持TFT1204的閘極-源極電壓。因此，閘極電位也隨源極電位的減小而下降。
在圖12A中，所有構成像素的TFT使用P-通道型TFT。但是，TFT1203和1205只起開關元件功能作用為好，如在其他實施例中所描述的。因此，極性不被限定。 此外，TFT1203和1205不必只被閘極信號線1202驅動。各獨立的TFT被另一個閘極信號線控制的結構也是可以接受的。
實例
此後，本發明的實例將被描述。
[實例1]
在該實例中，將描述一個光發射裝置的結構，其中採用類比視頻信號作為顯示用視頻信號。圖16A描述了光發射裝置的範例結構。裝置具有像素部分1602，在此多個像素在基底1601上按矩陣形排列，而且在像素部分周圍它具有一個源極信號線驅動電路1603和第一和第二閘極信號線驅動電路1604和1605。在圖16A中使用兩個閘極信號線驅動電路。但是，當在如圖1A所示的像素中使用一條閘極信號線時，則閘極信號線被從兩側同時控制。當在圖4A和5A所示像素中使用兩條閘極信號線時，各獨立閘極信號線驅動電路控制各自的閘極信號線。
被輸入到源極信號線驅動電路1603和第一及第二閘極信號驅動電路1604和1605的信號藉由一個撓性的印刷電路(FPC)1606被從外側饋送。
圖16B描述源極信號線驅動電路的範例結構。這是用於使用類比視頻信號作顯示視頻信號的源極信號線驅動電路，它具有一個移位暫存器1611、一個緩衝器1612，以 及一個取樣電路1613。雖然沒有特地指出，但必要時可增加一個位準移位器。
源極信號線驅動電路的工作將被描述。圖17A表示更詳細的結構，因此參考圖式。
移位暫存器1701由多個雙穩態多諧振盪電路(FF)1702形成，時脈信號(S-CLK)、反時脈信號(S-CLKb)，以及啟動脈衝(S-SP)被輸入到該電路。回應這些信號的計時，取樣脈衝被按順序地輸出。
從移位暫存器1701輸出的取樣脈衝經過緩衝器1703並被放大，然後被輸入到取樣電路。取樣電路1704由多個取樣開關(SW)1705形成，取樣電路根據輸入的取樣脈衝計時取樣某個列的視頻信號。更特別地，當取樣脈衝被輸入到取樣開關時，取樣開關1705開啟。此時視頻信號保持的電位被藉由取樣開關輸出到各獨立源極信號線。
隨後，描述閘極信號線驅動電路的工作。圖17B描述了圖16C中所示的第一和第二閘極信號線驅動電路1604和1605的更詳細的範例結構。第一閘極信號線驅動電路具有一個移位暫存器電路1711，和一個緩衝器1712，它回應時脈信號(G-CLK1)、反時脈信號(G-CLKb1)，以及啟動脈衝(G-SP1)被驅動。第二閘極信號線驅動電路1605也可同樣被構造。
從移位暫存器到緩衝器的工作與源極信號線驅動電路相同。被緩衝器放大的取樣脈衝各自選擇獨立的閘極信號線。第一閘極信號線驅動電路按順序選擇第一閘極信號線 G11、G21、...Gm1，而第二閘極信號線驅動電路按順序選擇第二閘極信號線G12、G22、...Gm2。第三閘極信號線驅動電路，圖中未示出，也像第一和第二閘極信號線驅動電路一樣，按順序選擇第三閘極信號線G13、G23、...Gm3。在被選擇行中，視頻信號被寫在像素中以根據實施例中所描述的程式發射光。
此外，作為移位暫存器的實例，此處顯示了由多個D雙穩態多諧振盪電路形成的移位暫存器。但是藉由一個解碼器選擇信號線的結構也是可以接受的。
[實例2]
在本實例中，將描述其中使用數位視頻信號作為顯示用視頻信號的光發射裝置的結構。圖18A描述了光發射裝置的範例結構。該裝置具有像素部分1802，在此多個像素在基底1801上按矩陣形排列，而且在像素部分周圍它具有一個源極信號線驅動電路1803和第一和第二閘極信號線驅動電路1804和1805。在圖18A中使用兩個閘極信號線驅動電路。但是，當在如圖1A所示的像素中使用一條閘極信號線時，閘極信號線被從兩側同時控制。當在圖4A和5A所示像素中使用兩條閘極信號線時，獨立的閘極信號線驅動電路控制各自的閘極信號線。
被輸入到源極信號線驅動電路1803以及第一和第二閘極信號線驅動電路1804和1805的信號藉由一個撓性的印刷電路(FPC)1806被從外側饋送。
圖18B描述源極信號線驅動電路的範例結構。這是用於使用數位視頻信號作為顯示用視頻信號的源極信號線驅動電路，它具有一個移位暫存器1811、一個第一閂鎖電路1812、一個第二閂鎖電路1813，以及一個D/A轉換器電路1814。雖然圖中沒有特地示出，但必要時可增加一個位準移位器。
第一和第二閘極信號線驅動電路1804和1805是實例1中所示結構為好，因此此處省略圖示和描述。
源極信號線驅動電路的工作將被描述。圖19A示出更詳細的結構，因此參考圖式。
移位暫存器1901由多個雙穩態多諧振盪電路(FF)1910形成，時脈信號(S-CLK)、反時脈信號(S-CLKb)，以及啟動脈衝(S-SP)被輸入到該電路。回應這些信號的計時，取樣脈衝被按順序輸出。
從移位暫存器1901輸出的取樣脈衝被輸入到第一閂鎖電路1902。數位視頻信號被輸入到第一閂鎖電路1902。回應輸入取樣脈衝的計時，數位視頻信號被保留在每一階段。此處，數位視頻信號按三位元被輸入。在每個位元的視頻信號被保留在單獨的第一閂鎖電路中。此處，三個第一閂鎖電路由一個取樣脈衝平行操作。
當第一閂鎖電路1902完成將數位視頻信號保留直到最後階段時，閂鎖脈衝在水平回追蹤期被輸入到第二閂鎖電路1903，並且保留在第一閂鎖電路1902中的數位視頻信號立即被傳輸到第二閂鎖電路1903。之後，保留在第 二閂鎖電路1903中的一行數位視頻信號同時被輸入到D/A轉換器電路1904。
當保留在第二閂鎖電路1903的數位視頻信號被輸入到D/A轉換器電路1904的同時，移位暫存器1901再次輸出取樣脈衝。隨之重複該操作以處理一個圖框的視頻信號。
D/A轉換器電路1904將輸入的數位視頻信號從數位轉換為類比信號，並輸出到源極信號線作為具有類比電壓的視頻信號。
上述工作在一個水平周期的所有階段進行。因此視頻信號被輸出到全部源極信號線。
此外，如實例1所述，使用解碼器取代移位暫存器來選擇信號線的結構也是可接受的。
[實例3]
在實例2中，數位視頻信號藉由D/A轉換器電路被從數位轉換到類比信號，並且被寫入像素中。本發明的半導體裝置也可藉由時間灰度等級系統表示灰度等級。在此情況下，不需要D/A轉換器電路，如圖19B所示，並且藉由由EL元件長時間或短時間發射光的時間長度決定的運算式控制灰度等級。因此，每個位元視頻信號不需進行平行處理。因此，第一和第二閂鎖電路以一位元為好。此時，每個位元的數位視頻信號被依次輸入，按順序保存在閂鎖電路中並被寫入像素中。當然，必要位元數的閂鎖電 路平行排列是可以接受的。
[實例4]
在本說明書中，一個其上具有驅動器電路、具有用於開關的TFT和用於驅動的TFT的像素部分的基底被形成，為方便起見，該基底被稱為主動矩陣基底。在本實例中，藉由使用單極TFT製造的主動基底將參考圖13A~14C被描述。
在其表面上形成絕緣膜的石英基底、矽基底、金屬基底或不鏽基底被用作基底5000。此外，具有熱阻的塑膠基底，它可承受本製造製程中的處理溫度，可被使用。在本實例中，由玻璃諸如鋇硼矽酸鹽玻璃或鋁硼矽酸鹽玻璃製成的基底5000被使用。
其次，在基底5000上形成由絕緣膜諸如氧化矽膜、氮化矽膜或氮氧化矽膜製成的基底膜5001。在本實例中，一雙層結構被用於基底膜5001。然而絕緣膜的單層結構或其中兩層或多層絕緣膜疊層的結構也可以使用。
在本實例中，作為基底膜5001的第一層，厚度為10nm~200nm(較佳50nm~100nm)的氮氧化矽膜5001a藉由使用SiH4、NH3和N2O作反應氣體的電漿CVD法被形成。在本實例中，厚度50nm的氮氧化矽膜5001a被形成。其次，作為基底膜5001的第二層，厚度為50nm~200nm(較佳100nm~150nm)的氮氧化矽膜5001b藉由使用SiH4和N2O作反應氣體的電漿CVD法被形成。在本 實例中，厚度100nm的氮氧化矽膜5001b被形成。
順序地，在基底膜5001上形成半導體層5002~5005。半導體層5002~5005形成如下。即厚度為25nm~80nm(較佳30nm~60nm)的半導體膜藉由已知方法(如濺射法、LPCVD法或電漿CVD法)形成。其次，半導體膜藉由已知結晶化法(如鐳射結晶化法、使用RTA或退火爐的熱結晶化法、使用促進結晶化的金屬元素的熱結晶化法等)被結晶化。然後，所得結晶半導體膜被作成預定形狀圖案以形成半導體層5002~5005。注意無定形半導體膜、微晶半導體膜、結晶半導體膜、具有無定形結構的化合物半導體膜如非晶矽鍺膜等可被用作半導體膜。
在本實例中，藉由電漿CVD法形成厚度55nm的非晶矽膜。含有鎳的溶液被吸附在非晶矽膜上，並且在500℃進行1小時的脫水處理，然後於550℃進行4小時熱結晶化以形成結晶矽膜。之後，使用光刻技術的圖案加工製程被實施以形成半導體層5002~5005。
注意，當藉由鐳射結晶化法形成結晶半導體膜時，較佳使用進行連續振盪或脈衝振盪的氣體或固體雷射器。準分子雷射器、YAG雷射器、YVO4雷射器、YLF雷射器、YAl03雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、Ti：藍寶石雷射器等可被用作前者氣體雷射器。此外，使用晶體如YAG、YVO4、YLF或YAl03的雷射器，其中添加Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti或Tm，可用作後者固體雷射器。雷射器的基波根據摻雜材料而變化，並且具有1μm 領域的基波的鐳射被得到。藉由使用非線性光學元件可獲得基波的諧波。注意，為了在無定形半導體膜的結晶化過程中獲得具有大晶粒尺寸的晶體，優先使用能夠進行連續振盪的固體雷射器，並且採用基波的二次到四次諧波。典型地，採用Nd：YVO4雷射器(1064nm基波)的二次諧波(532nm)和三次諧波(355nm)。
並且從具有10W功率輸出的連續振盪YVO4雷射器發射的鐳射藉由非線性光學元件被轉換成諧波。此外，有一種將一個YVO4晶體和一個非線性光學元件放置在一個諧振器並發射諧波的方法。較佳地，藉由光學系統和輻照被處理物體在輻照表面上形成具有矩形或橢圓形狀的鐳射。此時，要求具有約0.01MW/cm2~100MW/cm2(較佳0.1MW/cm2~10MW/cm2)的能量密度。半導體膜相對於鐳射以約10cm/s~2000cm/s的速度被行動來被鐳射輻照。
並且當上述雷射器被使用時，較佳從鐳射振盪器發射的雷射光束藉由光學系統被線性聚光並輻照到半導體膜。結晶化條件被適當設定。當使用準分子雷射器時，較佳脈衝振盪頻率設定為300Hz，和鐳射能量密度設定為100mJ/cm2~700mJ/cm2(典型地200mJ/cm2~300mJ/cm2)。此外，當使用YAG雷射器時，較佳使用二次諧波，脈衝振盪頻率被設定為到1Hz~300Hz，和鐳射能量密度設定為300mJ/cm2~1000mJ/cm2(典型地350mJ/cm2~500mJ/cm2)。寬度在100μm~1000μm(較佳400μm)的線性聚光的雷射光束被輻照掃過基底整個表面。此時，關 於線性雷射光束的重疊比率可被設定為50%~98%。
但是，在本實例中，非晶矽膜被使用促進結晶化的金屬元素結晶化，以至金屬元素保留在結晶矽膜中。因此，在結晶矽膜上形成厚50nm~100nm的非晶矽膜，進行熱處理(使用RTA法或退火爐熱處理)使金屬元素擴散進入非晶矽膜，並且熱處理後藉由腐蝕去除非晶矽膜。結果，包含在結晶矽膜中的金屬元素可被減少或去除。
注意，形成半導體層5002~5005後，為了控制TFT的起始值可進行少量雜質元素(硼或磷)添加。
其次，覆蓋半導體層5002~5005的閘極絕緣膜5006被形成。閘極絕緣膜5006藉由電漿CVD法或濺射法由包含矽的膜厚40nm~150nm的絕緣膜形成。在本實例中，藉由電漿CVD法形成厚115nm的氮氧化矽膜作為閘極絕緣膜5006。當然，閘極絕緣膜不限於氮氧化矽膜。另一種包含矽的絕緣膜可被用作單層或疊層結構。
注意，當氧化矽膜被用作閘極絕緣膜5006時，電漿CVD法被採用，TEOS(四乙基正矽酸脂)和O2被混合，反應壓力被設定為40Pa，基底溫度被設定為300℃~400℃。然後，在高頻(13.56MHz)功率密度0.5W/cm2~0.8W/cm2下可發生放電形成氧化矽膜。之後，當對藉由上述步驟形成的氧化矽膜在400℃~500℃下進行熱退火時，作為閘極絕緣膜5006可獲得較佳性能。
其次，具有20nm~100nm膜厚的第一導電膜5007和具有100nm~400nm膜厚的第二導電膜5008被疊加在閘 極絕緣膜50096上。在本實例中，膜厚30nm且由TaN膜構成的第一導電膜5007和膜厚370nm且由W膜構成的第二導電膜5008被疊加。
在本實例中，作為第一導電膜5007的TaN膜藉由濺射法使用Ta靶在含氮氣體環境中形成。作為第二導電膜5008的W膜藉由濺射法使用W靶形成。此外，它可藉由熱CVD法使用六氟化鎢(WF6)形成。在任何情況下，當他們被用作閘電極時，有必要減少電阻，W膜電阻率被設定為20μ Ω cm或更低是理想的。當晶體顆粒被增大，W膜的電阻率可能被減小。但是，如果大量雜質元素如氧存在於W膜中，則結晶化被抑制，結果使電阻率增加。因此，在本實例中，考慮到雜質在膜形成時不能從氣相進入膜中，W膜藉由濺射法採用高純W(純度99.9999%)作靶形成。這樣可獲得9μ Ω cm~20μ Ω cm的電阻率。
注意，在本實例中，TaN膜被用作第一導電膜5007，而W膜被用作第二導電膜5008。但是，構成第一導電膜5007和第二導電膜5008的材料不特別限定。第一導電膜5007和第二導電膜5008各自可從Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr和Nd中選擇一種元素形成，或由主要包含上述元素的合金材料或化合物形成。此外，它們可由一種以添加雜質元素如磷或AgPdCu合金的多晶矽膜為代表的半導體膜形成。
其次，由抗蝕劑製成的掩模5009被藉由微縮術形成，並且進行用於形成電極和引線的第一蝕刻製程。該第 一蝕刻製程在第一蝕刻條件和第二蝕刻條件下進行(圖13B)。
在本實例中，作為第一蝕刻條件，採用ICP(感應耦合電漿)蝕刻法。此外，CF4、Cl2和O2被用作蝕刻氣體，並且各氣體流速比設定為25：25：10(sccm)。具有500W和13.56MHz的RF功率被供給線圈型電極使處於1.0Pa壓強下產生電漿，由此進行蝕刻。具有150W和13.56MHz的RF功率被供給基底一側(樣品台)，為其施加實際上的負自偏壓。W膜在這種第一蝕刻條件下被蝕刻，結果第一導電層5007的末端部分被作成斜坡形。
隨後，不將由抗蝕劑製成的掩模5009移走，把蝕刻條件變為第二蝕刻條件。CF4和Cl2被用作蝕刻氣體，並且各氣體流量比設定為30：30(sccm)。具有500W和13.56MHz的RF功率被供給線圈型電極以在1.0Pa壓強下產生電漿，由此進行約15秒的蝕刻。具有20W和13.56MHz的RF功率被供給基底一側(樣品台)，為其施加實際上的負自偏壓。在第二蝕刻條件下，第一導電膜5007和第二導電膜5008都被蝕刻到相同程度。注意，為了進行蝕刻並不留殘留物在閘極絕緣膜5006上，較佳蝕刻時間增加約10%~20%的速率。
在上述第一蝕刻製程中，當由抗蝕劑製成的掩模的形狀製作合適時，第一導電膜5007的末端部分和第二導電膜5008的末端部分藉由施加到基底一側的偏壓的作用變為斜坡形。這樣，從第一導電層5007和第二導電層5008 製成的第一形狀導電層5010~5014藉由第一蝕刻製程被形成。關於絕緣膜5006，未被第一形狀導電層5010~5014覆蓋的區域被蝕刻約20nm~50nm，以便形成較薄區域。
其次，不去掉由抗蝕劑製成的掩模5009(圖13C)進行第二蝕刻製程。在第二蝕刻製程中，SF6、Cl2和O2被用作蝕刻氣體，並且有關氣體流速比被設定為24：12：24(sccm)。具有700W和13.56MHz的RF功率被供給線圈型電極使處於1.3Pa壓強下產生電漿，由此進行約25秒的蝕刻。具有10W和13.56MHz的RF功率被供給基底一側(樣品台)，為其施加實際上的負自偏壓。這樣，W膜被有選擇地蝕刻形成第二形狀導電層5015~5019。此時第一導電層5015a~5018a幾乎沒有被蝕刻。
然後不去掉由抗蝕劑製成的掩模5009而進行第一摻雜製程，以添加低濃度雜質元素，用於為半導體層5002~5005提供N-型電導。第一摻雜製程較佳藉由離子摻雜法或離子注入法進行。至於離子摻雜法的條件，劑量設定為1×1013原子/cm2~5×1014原子/cm2，並且加速電壓設定為40KeV~80KeV。在本實例中，劑量設定為5.0×1013原子/cm2，且加速電壓設定為50KeV。作為用於提供N-型電導的雜質元素，較佳使用屬於15族的元素，典型地，使用磷(P)或砷(As)。在本實例中，使用磷(P)。在此情況下，第二形狀導電層5015~5019成為提供N-型電導的雜質元素的掩模。因此第一雜質區(N--區)5020~ 5023被自對準形成。然後，提供N-型電導的雜質元素以1×1018原子/cm3~1×1020原子/cm3的濃度範圍被添加到第一雜質區5020~5023。
隨後，去掉抗蝕劑製成的掩模5009後，形成一個新的抗蝕劑掩模5024，並且在高於第一摻雜製程的加速電壓下進行第二摻雜製程。在離子摻雜法條件下，劑量設定為1×1013原子/cm2~3×1015原子/cm2，並且加速電壓設定為60KeV~120KeV。在本實例中，劑量設定為3.0×1015原子/cm2，且加速電壓設定為65KeV。在第二摻雜製程中，第二導電層5015b~5018b被用作雜質元素的掩模，這樣進行摻雜使雜質元素被添加到位於第一導電層5015a~5018a的斜坡部分下的半導體層中。
作為上述第二摻雜製程的結果，用於提供N-型電導的雜質元素以1×1018原子/cm3~5×1019原子/cm3濃度範圍被添加到與第一導電層重疊的第二雜質區(N-區；Lov區)5026、5029。此外，用於提供N-型電導的雜質元素以1×1019原子/cm3~5×1021原子/cm3濃度範圍被添加到第三雜質區(N+區)5025、5028、5031和5034。經過第一和第二摻雜製程，在半導體層5002~5005內形成了未添加雜質元素區域或添加少量雜質元素區域。在本實例中，沒有完全添加雜質元素的區域或添加示蹤雜質元素的區域稱為通道區5027、5030、5033和5036。此外，存在藉由上述第一摻雜製程形成的第一雜質區(N-區)5020~5023中的被第二摻雜製程中的抗蝕劑5024覆蓋的區域。在本 實例中，它們繼續被稱作第一雜質區(N-區；LDD區)5032、5035。
注意，在本實例中，第二雜質區(N-區)5026和第三雜質區(N+區)5025、5028、5031和5034只藉由第二摻雜製程形成。但是，本發明不限於此。摻雜製程條件可適當改變，並且可進行多次摻雜製程以形成這些區域。
其次，如圖14A所示，去掉抗蝕劑製成的掩模5024並形成第一層間絕緣膜5037。厚度為100nm~200nm的含矽絕緣膜藉由電漿CVD法或濺射法被形成，作為第一層間絕緣膜5037。在本實例中，藉由電漿CVD法形成膜厚100nm的氮氧化矽膜。當然第一層間絕緣膜5037不限於氮氧化矽膜，因此，另一種含矽絕緣膜可被用作單層或疊層結構。
其次，進行熱處理，用於半導體層結晶性的恢復和添加到半導體層的雜質元素的啟動。這種熱處理藉由熱退火法利用退火爐進行。熱退火法較佳在氮氣體環境中進行，其中氧濃度為1ppm或更小，較佳0.1ppm或更小在400℃~700℃。在本實例中，為啟動製程進行410℃ 1小時的熱處理。注意，除熱退火法外，可使用鐳射退火法或快速熱退火法(RTA法)。
熱處理也可在第一層間絕緣膜5037形成之前進行。但是，如果構成第一導電層5015a~5019a和第二導電層5015b~5019b的材料對熱敏感，較佳形成用於保護引線等的第一層間絕緣膜5037(主要含矽的絕緣膜，如氮化 矽膜)之後再進行熱處理，如同本實例一樣。
如上所述，當熱處理是在第一層間絕緣膜5037(主要含矽的絕緣膜，如氮化矽膜)形成後進行時，半導體層的氫化也可與啟動處理製程同時進行。在氫化步驟中，半導體層的懸空鍵被包含於第一層間絕緣膜中的氫終止。
注意，可進行不同於用於啟動製程的熱處理的用於氫化的熱處理。
此處，無論第一層間絕緣膜5037存在與否，半導體層可被氫化。作為另一些氫化方法，可採用利用電漿激發氫的方法(電漿氫化)或在含氫3%~100%的氣體環境中進行300~450℃，1小時~12小時的熱處理的方法。
其次，第二層間絕緣膜5038在第一層間絕緣膜5037上形成。無機絕緣膜可被用作第二層間絕緣膜5038。例如由CVD法形成的氧化矽膜3、藉由SOG(在玻璃上旋塗)法等施加的氧化矽膜可被使用。此外，有機絕緣膜可被用作第二層間絕緣膜5038。例如，由聚酰亞胺、聚酰胺、BCB苯並環丁烯(benzocyclobutene)、丙烯酸類(acrylic)等構成的膜可被使用。另外，有一種由丙烯酸類膜和氧化矽膜構成的疊層結構可被使用。
在本實例中，厚度為1.6im的丙烯酸類膜被形成。當第二層間絕緣膜5038被形成之後，由形成於基底5000上的TFT引起的不平度降低，表面可被調平。特別地，第二層間絕緣膜5038具有很強的拉平趨向。因此可獲得良好的平整膜。
其次，利用幹法或濕法蝕刻，第二層間絕緣膜5038、第一層間絕緣膜5037，以及閘極絕緣膜5006被蝕刻形成通向雜質區5025、5028、5031和5034的接觸孔。
其次，由透明導電膜構成的像素電極5039被形成。氧化銦和氧化錫的化合物(氧化銦錫：ITO)、氧化鋅和氧化銦的化合物、氧化鋅、氧化錫、氧化銦等可被用於透明導電膜。此外，可使用添加鎵的透明導電膜。像素電極對應於EL元件的陽極。
在本實例中，厚度為110nm的ITO膜被形成，並被進行圖案化形成像素電極5039。
其次，電連接於有關雜質區的引線5040~5046被形成。注意，在本實例中，膜厚為100nm的Ti膜、膜厚350nm的鋁膜以及膜厚100nm的Ti膜藉由濺射法被形成一個連續的疊層，並且最終的疊層膜被根據預定形狀進行圖案加工，以便形成引線5040~5046。
當然，它們不限於三層結構。單層結構、雙層結構、由四層或更多層構成的疊層結構可被使用。引線材料不限於Al和Ti，因此其他導電膜可被使用。例如，在TaN膜上形成AL膜或Cu膜，其上再形成Ti膜，然後最終的疊層膜被圖案加工形成引線。
此處，像素電極5039上的一部分和引線5045的一部分彼此重疊，以便產生引線5045和像素電極5039間的電連接。
藉由上述步驟，如圖14B所示，包含N-通道TFT的 驅動電路部分和包含開關TFT及驅動TFT的像素部分可在同一基底上被形成。
在驅動電路部分的N-通道TFT包含與構成閘電極一部分的第一導電層5015a重疊的低濃度雜質區5026(Lov區)和分別作為源極區或汲極區的高濃度雜質區5025。
像素部分的N-通道開關TFT包含在閘電極之外形成的低濃度雜質區5032(Loff區)和分別作為源極區或汲極區的高濃度雜質區5031。
其次，形成第三層間絕緣膜5047。無機絕緣膜或有機絕緣膜可被用作第三層間絕緣膜5047。由CVD法形成的氧化矽膜、藉由SOG(在玻璃上旋塗)法施加的氧化矽膜，或由濺射法等形成的氮氧化矽膜可被用作無機絕緣膜。此外，丙烯酸類樹脂膜等可被用作有機絕緣膜。
下面將描述第二層間絕緣膜5038和第三層間絕緣膜5047的群組合實例。
有一種組合，其中由丙烯酸類和濺射法形成的氮氧化矽膜被用作第二層間絕緣膜5038，而由濺射法形成的氮氧化矽膜被用作第三層間絕緣膜5047。此外有一種組合，其中由SOG法形成的氧化矽膜被用作第二層間絕緣膜5038，並且由SOG法形成的氧化矽膜被用作第三層間絕緣膜5047。此外有一種組合，其中由SOG法形成的氧化矽膜和由電漿CVD法形成的氧化矽膜組成的疊層膜被用作第二層間絕緣膜5038，而由電漿CVD法形成的氧化矽膜被用作第三層間絕緣膜5047。此外，有一種組合， 其中丙烯酸類被用作第二層間絕緣膜5038，並且丙烯酸類被用作第三層間絕緣膜5047。此外有一種組合，其中丙烯酸類膜和由電漿CVD法法形成的氧化矽膜組成的疊層膜被用作第二層間絕緣膜5038，而由電漿CVD法形成的氧化矽膜被用作第三層間絕緣膜5047。此外有一種組合，其中由電漿CVD法形成的氧化矽膜被用作第二層間絕緣膜5038，而丙烯酸類被用作第三層間絕緣膜5047。
在對應於第三層間絕緣膜5047中的像素電極5039的位置處形成一個開口部分。第三層間絕緣膜作為堤壩(bank)。當在形成開口部分時使用濕法蝕刻，它可以容易地形成為具有斜坡形的側壁。如果凹槽部分的側壁不是足夠柔軟，EL元件的逐步退化成為突出問題。因此需要注意。
碳顆粒或金屬顆粒可能被添加到第三層間絕緣膜5047中以減少電阻率，由此抑制靜電產生。此時，較佳所添加的碳顆粒或金屬顆粒的量被調節，以使電阻率為1×106Ω m~1×1012Ω m(較佳1×108Ω m~1×1010Ω m)。
其次，EL層5048被在暴露於第三層間絕緣膜5047的凹槽部分的像素電極5039上形成。
已知的有機光發射材料或無機光發射材料可以被用作EL層5048。
基於低分子量的有機光發射材料，基於高分子量的有機光發射材料，或基於中分子量的有機光發射材料可任意用作有機光發射材料。注意在本說明書中，基於中分子量 的有機光發射材料表示沒有昇華特性並且其中分子數量為20或更少或分子鏈的長度為10im或更小的有機光發射材料。
EL層5048一般具有疊層結構。典型地，具有“電洞輸運層，光發射層，和電子輸運層”組成的疊層結構，它由Estman Kodak公司地Tang等提出。除此之外，可使用一種結構，其中“電洞注入層，電洞輸運層，光發射層，和電子輸運層”或“電洞注入層，電洞輸運層，光發射層，電子輸運層和電子注入層”按此順序被疊放在陽極上。光發射層可能摻雜螢光顏料等。
在本實例中，EL層5048藉由蒸發法利用基於低分子量的有機光發射材料被形成。特別地，一種疊層結構被使用，其中厚度20nm的銅酞化菁(CuPc)膜被提供作為電洞注入層，並在其上提供厚度為70nm的三-8-羥基喹啉鋁化合物(Alq3)膜作為光發射層。發光顏色可藉由向Alq3中添加螢光顏料如喹吖啶酮(quinacridon)、二萘嵌苯或DCM1加以控制。
注意圖14C中只有一個像素被示出。但是，可使用一種結構，其中對應於多色，例如R(紅色)，G(綠色)B(藍色)中各有關顏色的EL層5048被分別形成。
作為利用基於高分子量的有機光發射材料的實例，EL層5048也可藉由一種疊層結構被構造，其中厚度為20nm的聚噻吩(PEDOT)膜藉由旋塗法被作為電洞注入層被提供，其上提供厚度約100nm的對亞苯亞乙烯( paraphenylenevinylene)(PPV)膜作為光發射層。當使用π共軛系統PPV聚合物時，從紅色到藍色的光發射波長可被選擇。此外，無機材料如碳化矽可被用作電子輸運層和電子注入層。
注意EL層5048不限於具有其中的電洞注入層、電洞輸運層、光發射層、電子輸運層、電子注入層等各不相同的疊層結構的層。換言之，EL層5048可以具有一種疊層結構，其中構成電洞注入層、電洞輸運層、光發射層、電子輸運層、電子注入層等的材料被相混合。
例如，EL層5048可具有一種結構，其中由構成電子輸運層的材料(此後稱為電子輸運材料)和構成光發射層的材料(此後稱為光發射材料)組成的混合層被置於電子輸運層和光發射層之間。
其次，在EL層5048上提供由導電膜製成的像素電極5049。在本實例情況下，一種鋁和鋰的合金膜可被用作導電膜。當然，已知的MgAg膜(鎂和銀的合金膜)可被使用。像素電極5049對應於EL元件的陰極。由屬於元素周期表中第一族和第二族的一種元素構成的導電膜或其中添加這些元素的導電膜可隨意被用作陰極材料。
當像素電極5049被形成時，EL元件被完成。注意，EL元件表示由像素電極(陽極)5039、EL層5048和像素電極(陰極)5049構成的元件。
提供完全覆蓋EL元件的鈍化膜5050是有效的。單層絕緣膜如碳膜、氮化矽膜或氮氧化矽膜或這些膜組合成的 疊層膜可被用作鈍化膜5050。
較佳具有良好覆蓋能力的膜作為鈍化膜5050，使用碳膜，特別是DLC(類金剛石碳)膜和CN膜是有效的。DLC膜可在從室溫到100℃溫度範圍內被形成。這樣，可以很容易地在具有低熱阻的EL層5047上形成一種膜。此外DLC膜對氧有高的阻擋效應，因而可以抑制EL層的氧化。
注意，第三層間絕緣膜5047形成後，利用多反應室型(或連續型)成膜裝置，在不暴露大氣情況下，連續進行直到形成鈍化膜5050的所有步驟是有效的。
注意，實際上當完成直到如圖14C所示狀態時，為了不暴露大氣，較佳利用保護膜(疊層膜、紫外線固化樹脂膜等)或具有高氣密性和低放氣性的透明密封部件進行封裝(密封)。此時，當被密封部件包圍的內部部分被形成惰性氣體環境或在內部放入吸濕材料(例如氧化鋇)，則EL元件的可靠性被改善。
而且當氣密度被藉由諸如封裝的製程增加後，附接一個連接器(撓性印刷電路：FPC)，用於和從形成於具有外部信號端點的基底5000上的元件或電路引出的端點連接，以使它作為產品被完成。
而且根據本實例描述的步驟，製造半導體裝置要求的光掩模的數量可被減少。結果製程被減少並且對降低製造成本和提高產量有貢獻。
[實例5]
在本實例中，藉由圖15A~15C將描述根據本發明製造半導體裝置的一個實例。
圖15A是一個藉由密封部件密封其中形成TFT元件的基底而獲得的半導體裝置的俯視圖。圖15B是沿圖15A中A-A’線的截面圖。圖15C是沿圖15A中B-B’線的截面圖。
密封部件4009被提供以包圍提供在基底4001上的像素部分4002，源極信號線驅動電路4003，以及第一和第二閘極信號線驅動電路4004a和4004b。此外，在像素部分4002、源極信號線驅動電路4003以及第一和第二閘極信號線驅動電路4004a和4004b上提供密封部件4008。這樣像素部分4002、源極信號線驅動電路4003以及第一和第二閘極信號線驅動電路4004a和4004b被用基底4001、密封部件4009和密封部件4008密封。
而且提供於基底4001上的像素部分4002、源極信號線驅動電路4003以及第一和第二閘極信號線驅動電路4004a和4004b各有多個TFT。在圖15B中，典型示出包含於源極信號線驅動電路4003的TFT(注意此處示出一個N-通道TFT和一個P-通道TFT)4201和包含於像素部分4002中的TFT4202，二者形成於基底膜4010上。
層間絕緣膜(平面化膜)4301形成於TFT4201和4202上，其上形成與TFT4202的汲極電連接的像素電極(陽極)4203。具有大功函數的透明導電膜被用作像素電 極4203。氧化銦和氧化錫的化合物、氧化鋅和氧化銦的化合物、氧化鋅、氧化錫或氧化銦等可被用於透明導電膜。此外，可使用添加鎵的透明導電膜。
在像素電極4203上形成絕緣膜4302。在像素電極4203上的絕緣膜4302中形成開口部分。在開口部分中，有機光發射層4204被形成於像素電極4203上。已知的有機光發射材料或無機光發射材料可被用作有機光發射層4204。此外，有機光發射材料包括基於低分子量(單體系統)材料和基於高分子量(聚合物系統)材料，並且可使用其中任何一種材料。
較佳已知的蒸發技術或施加法技術作為形成有機光發射層4204的方法。此外，藉由隨意組合電洞注入層、電洞輸運層、光發射層、電子輸運層、電子注入層獲得的疊層結構或單層結構較佳用作有機光發射層結構。
由具有光遮罩特性的導電膜(典型地主要包含鋁、銅、或銀的導電膜或導電膜與另一種導電膜的疊層膜)製成的陰極4205被形成於有機光發射層4204上。此外，存在於陰極4205和有機光發射層4204間介面的水分和氧被減少到最小是理想的。因此，需要一種裝置，其中有機光發射層4204在氮氣體環境或稀有氣體中被形成，且陰極4205不暴露於氧和濕氣中被形成。在本實例中，藉由使用多反應室型(組合工具型cluster tool type)成膜裝置形成上述膜是可能的。預定電壓被提供給陰極4205。
藉由上述步驟，由像素電極(陽極)4203、有機光發 射層4204以及陰極4205構成的發光元件4303被形成。在絕緣膜4302上形成覆蓋發光元件4303的保護膜4209。保護膜4209有效防止氧、濕氣等滲入發光元件4303。
參考數4005a表示與電源相連的引線，它與TFT4202的第一電極連接。引線4005a從密封部件4009和基底4001之間藉由，並藉由各向異性導電膜4300與FPC4006的FPC引線4301電連接。
玻璃材料、金屬部件(典型地，不鏽部件)、陶瓷部件、塑膠部件(包括塑膠膜)可被用作封接部件4008。FRP(玻璃纖維增強塑膠)板、PVF(聚氟乙烯)膜、Mylar膜、聚酯膜或丙烯酸類膜可被用作塑膠部件。此外，具有一種結構的薄片可被使用，該結構中鋁箔被夾在PVT膜和聚脂(Mylar)膜之間。
注意，當來自發光元件的光的輻射方向朝向覆蓋部件一側時，要求覆蓋部件是透明的。在此情況下，透明材料如玻璃板、塑膠板聚酯膜或丙烯酸類膜可被使用。
並且除惰性氣體如氮氣或氬氣以外，紫外線固化樹脂或熱固型樹脂可被用於填充劑4210。PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸衍生物、聚酰亞胺、環氧樹脂、矽樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)或EVA(乙烯乙酸乙烯酯)可被使用。在本實例中，氮被用做填充劑。
並且為了將填充劑4210暴露到吸濕材料(較佳氧化鋇)或能吸收氧的材料，在基底4001一側中的密封部件 4008的表面提供一個凹形部分4007，並且放置由4207表示的吸濕材料或能吸收氧的材料。為防止具有吸濕特性或能吸收氧的材料4207飛出，具有吸濕特性或能吸收氧的材料4207藉由凹形覆蓋部件4208被固定在凹形部分4007中。注意凹形覆蓋部件4208被形成細網狀，並且被構造成能透過空氣或濕氣但不能透過具有吸濕特性或能吸收氧的材料4207。當具有吸濕特性或能吸收氧的材料4207被提供時，發光元件4303的退化可被抑制。
如圖15C所示，在引線4005a上形成導電膜4203a，以使它與像素電極4203形成的同時與引線4005a接觸。
而且各向異性導電膜4300具有導電添充劑4300a。當基底4001和FPC4006藉由熱壓彼此鍵合時，位於基底4001上的導電膜4203a和位於FPC4006上的FPC引線4301彼此藉由導電添充劑4300a電連接。
[實例6]
在本實例中，藉由使用有機光發射材料，其三重激發產生的磷光可用於發射光，外部光發射量子效率可得到顯著改善。結果，發光元件的功耗可被減少，其壽命可被延長，並且重量可減輕。
下面是外部光發射量子效率藉由使用三重激發被改善的報告(T.Tsutsui,C.Adachi,S.saito，有機分子系統中的光化學過程，ed.K.Honda,(Elsevier Sci.Pub.,Tokyo,1991)437頁)。
上述文章報告的有機光發射材料的分子式(香豆素色素)表示如下：
(M.A.Baldo, D.F.O’Brien, Y.You, A.Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Nature 395 (1998) p.151)
上述文章報告的有機光發射材料的分子式(Pt絡合物)表示如下：
(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrows, M.E.Thompson, S.R. Forrest,Appl.Phys.Lett, 75 (1999) p.4.)
(T.Tsutsui, M.-J. Yang, M. Yahiro, K. Nakamura, T.Watanabe, T. Tsuji, Y. Fukuda, T. Wakimoto, S. Mayaguchi, Jpn, Appl. Phys., 38 (12B) (1999) L1502)
上述文章報告的有機光發射材料的分子式(Ir絡合物)表示如下：
如上所述，如果來自三重激發的磷光能被投入實際應用，原則上可實現外部光發射量子效率達到使用來自單重激發螢光情況下的3~4倍。
[實例7]
使用發光元件的光發射裝置是自發射型，與液晶顯示器相比，呈現更優秀的影像顯示分辨能力。此外，光發射裝置具有更寬的視角。因此光發射裝置可被用於不同的電子設備中的顯示部分。
使用本發明光發射裝置的這些電子設備包括視頻照相機、數位照相機、護目鏡式顯示器(頭置顯示器)、導航系統、聲音複製系統(汽車聲頻設備和組合音響設備)、膝上型電腦、遊戲機、可攜式資訊端點(行動電腦、行動電話、可攜式遊戲機、電子記事本等)、包括記錄媒介(更特別地，一種能複製記錄媒介如數位視盤(DVD)等等，並且包括用於顯示複製影像的顯示器的設備)等。特殊地，在可攜式資訊端點情況下，較佳使用光發射裝置，因為可能被從一個傾斜方向觀看的可攜式資訊端點常常要求具有寬的視角。圖20分別表示出這種電子設備的各種特例。
圖20A表示一種光發射顯示裝置，它包括機殼3001、支撐台3002、顯示部分3003、揚聲器部分3004、視頻輸入端點3005等。本發明可用於顯示部分3003。光發射裝置為自發射型，因此不需要背光。因此它的顯示部分可具有比液晶顯示器薄的厚度。光發射顯示裝置包括用於顯示資訊的整個顯示裝置，如個人電腦、TV廣播接收機和廣告顯示器。
圖20B圖解示出一種數位靜態照相機，它包括主體3101、顯示部分3102、影像接收部分3103、操作鍵3104、外部連接埠3105、快門3106等。根據本發明的光發射裝置可被用作顯示部分3102。
圖20C圖解示出一種膝上型電腦，它包括主體3201、機殼3202、顯示部分3203、鍵盤3204、外部連接埠3205、定位滑鼠3206等。根據本發明的光發射裝置可被用作顯示部分3203。
圖20D圖解示出一種行動電腦，它包括主體3301、顯示部分3302、開關3303、操作鍵3304、紅外埠3305等。根據本發明的光發射裝置可被用作顯示部分3302。
圖20E圖解示出一種包括記錄媒介(更特別地，DVD複製裝置)的可攜式影像複製裝置，它包括主體3401、機殼3402、顯示部分A3403、另一個顯示部分B3404、記錄媒介(DVD等)讀出部分3405、操作鍵3406、揚聲器部分3407等。顯示部分A3403主要用於顯示影像資訊，而顯示部分B3404主要用於顯示字元資訊。根據本發明的 光發射裝置可被用作顯示部分A3403和B3404。包括記錄媒介的影像複製裝置進一步包括遊戲機等。
圖20F圖解示出一種護目鏡式顯示器(頭置顯示器)，它包括主體3501、顯示部分3502、鏡臂部分3503等。根據本發明的光發射裝置可被用作顯示部分3502。
圖20G圖解示出一種視頻照相機，它包括主體3601、顯示部分3602、機殼3603、外部連接埠3604、遙控接收部分3605、影像接收部分3606、電池3607、聲音輸入部分3608、操作鍵3609、目鏡3610等。根據本發明的光發射裝置可被用作顯示部分3602。
圖20H圖解示出一種行動電話，它包括主體3701、機殼3702、顯示部分3703、聲音輸入部分3704、聲音輸出部分3705、操作鍵3706、外部連接埠3707、天線3708等。根據本發明的光發射裝置可被用作顯示部分3703。注意顯示部分3703藉由在黑色背景下顯示白色字元可減少行動電話的功耗。
將來當從有機光發射材料可發射亮度較亮的光時，根據本發明的光發射裝置將適用於前投式和後投式投影儀，其中包含輸出影像資訊的光被透鏡裝置等放大而投影。
前面提到的電子設備更可能被用於顯示藉由電信路徑如因特網、CATV(電纜電視系統)傳播的資訊，以及特別地可能用於顯示活動影像資訊。光發射裝置適合顯示活動影像，因為有機光發射材料可呈現高回應速度。
光發射裝置的發光部分消耗能量，因此藉由其中光發 射部分變得盡可能小的方式來顯示資訊是所希望的。因此，當光發射裝置被應用於主要顯示字元資訊的顯示部分，例如可攜式資訊端點，以及更特別地的可攜式電話或聲音再生裝置的顯示部分時，理想的是驅動光發射裝置以使字元資訊藉由光發射部分形成而非發射部分對應於背景。
如上面提到的，本發明可不同地被應用於各領域廣泛的電子設備中。本實例中的電子設備可藉由利用具有由實例1~6結構自由組合所得結構的光發射裝置獲得。
[實例8]
在本實例中，用圖22描述圖21A所示像素結構的俯視圖。
在圖22中，藉由對區域中的同一層進行圖案加工形成TFT來形成多個主動層。然後，藉由對同一層的圖案加工，形成第一閘極線2102、第二閘極線2103以及各個TFT的閘電極。隨後，源極信號線2101和電流供電線2108藉由對同一層的圖案加工被形成。最後，EL元件(發光元件)的第一電極(此處為陽極)被形成。
然後，一個選擇TFT2104被配置，其第一閘極線2102的一部分為閘電極。TFT2104被形成具有雙閘極結構，其中兩個閘電極在一個主動層中形成，由此它比在一個主動層中形成一個閘電極的單閘極結構有更可靠的選擇(開關)。此外TFT2104也可被形成具有多閘極結構， 其中在一個主動層中形成三個或更多閘電極。
此外，為了減少TFT中的變化，TFT2105的通道長度(L)被設定得較長。另外，L進一步加長，由此可使TFT的飽和區是平的。
除此之外，閘電極藉由接觸被連接於第二閘電極線2103的TFT2106被形成。另外，由主動層和作為掃描線的同一層所形成的電容元件被配置。
對於每個TFT這樣的構造是可採用的，閘電極被置於半導體膜(通道形成區)上的頂部閘極結構或與此相反的底部閘極結構被使用，和補償結構或GOLD結構被用於雜質區(源極區或汲極區)。
根據本發明，在由單極TFT、作為裝置電特性特別優秀的N-通道TFT構成的半導體裝置中，形成這樣一種構造，以至不會由於EL元件的退化而產生驅動TFT的閘極-源極電壓變化，由此，即使EL元件退化也幾乎不會使發光減少。此外，本發明提出的構造既不必是複雜構造也不必增加形成像素的元件數量。因此它可被應用而不引起諸如數位孔徑減少的缺點。因此是非常有用的。
雖然本發明已結合較佳實施例被描述，但本發明並不應限於這些實施例。例如，在本發明中使用的電晶體可以是其中的主動層由結晶半導體或非晶半導體構成的薄膜電晶體(TFT)、單晶電晶體或使用有機半導體材料作為其主動層的電晶體中的任何一種。例如藉由使用SOI技術形成的電晶體可被用作單晶薄膜電晶體，而包含多晶矽或非 晶矽的薄膜電晶體可被用作薄膜電晶體。

Claims (9)

  1. 一種發光裝置，其特徵為：具有第一至第三電晶體、發光元件、及第一至第四配線，上述發光元件之陽極被電連接於上述第三電晶體的源極或汲極之一方及上述第二電晶體的源極或汲極之一方，上述第三電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第四配線，上述第二電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三配線，上述第一電晶體的源極或汲極之一方被電連接於上述第一配線，上述第一電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三電晶體的閘極，上述第一電晶體的閘極被電連接於上述第二配線，上述第一至上述第三電晶體各自為N通道型電晶體，上述第二配線具有向與上述第三配線相同之方向延伸而配置的區域，上述第二配線及上述第三配線各自具有Mo。
  2. 一種發光裝置，其特徵為：具有第一至第三電晶體、發光元件、及第一至第四配線，上述發光元件之陽極被電連接於上述第三電晶體的源極或汲極之一方及上述第二電晶體的源極或汲極之一方， 上述第三電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第四配線，上述第二電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三配線，上述第一電晶體的源極或汲極之一方被電連接於上述第一配線，上述第一電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三電晶體的閘極，上述第一電晶體的閘極被電連接於上述第二配線，上述第一至上述第三電晶體各自為N通道型電晶體，上述第二配線具有向與上述第三配線相同之方向延伸而配置的區域，上述第二配線及上述第三配線各自具有Ti。
  3. 一種發光裝置，其特徵為：具有第一至第三電晶體、發光元件、及第一至第四配線，上述發光元件之陽極被電連接於上述第三電晶體的源極或汲極之一方及上述第二電晶體的源極或汲極之一方，上述第三電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第四配線，上述第二電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三配線，上述第一電晶體的源極或汲極之一方被電連接於上述第一配線， 上述第一電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三電晶體的閘極，上述第一電晶體的閘極被電連接於上述第二配線，上述第一至上述第三電晶體各自為N通道型電晶體，上述第三電晶體為驅動電晶體，上述第二配線具有向與上述第三配線相同之方向延伸而配置的區域，上述第二配線及上述第三配線各自具有Mo。
  4. 一種發光裝置，其特徵為：具有第一至第三電晶體、發光元件、及第一至第四配線，上述發光元件之陽極被電連接於上述第三電晶體的源極或汲極之一方及上述第二電晶體的源極或汲極之一方，上述第三電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第四配線，上述第二電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三配線，上述第一電晶體的源極或汲極之一方被電連接於上述第一配線，上述第一電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三電晶體的閘極，上述第一電晶體的閘極被電連接於上述第二配線，上述第一至上述第三電晶體各自為N通道型電晶體，上述第三電晶體為驅動電晶體， 上述第二配線具有向與上述第三配線相同之方向延伸而配置的區域，上述第二配線及上述第三配線各自具有Ti。
  5. 一種發光裝置，其特徵為：具有第一至第三電晶體、發光元件、及第一至第四配線，上述發光元件之陽極被電連接於上述第三電晶體的源極或汲極之一方及上述第二電晶體的源極或汲極之一方，上述第三電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第四配線，上述第二電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三配線，上述第一電晶體的源極或汲極之一方被電連接於上述第一配線，上述第一電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三電晶體的閘極，上述第一電晶體的閘極被電連接於上述第二配線，上述第一至上述第三電晶體各自為N通道型電晶體，上述第三電晶體的閘極與源極之間的電位被電容元件所保持，上述第二配線具有向與上述第三配線相同之方向延伸而配置的區域，上述第二配線及上述第三配線各自具有Mo。
  6. 一種發光裝置，其特徵為： 具有第一至第三電晶體、發光元件、及第一至第四配線，上述發光元件之陽極被電連接於上述第三電晶體的源極或汲極之一方及上述第二電晶體的源極或汲極之一方，上述第三電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第四配線，上述第二電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三配線，上述第一電晶體的源極或汲極之一方被電連接於上述第一配線，上述第一電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三電晶體的閘極，上述第一電晶體的閘極被電連接於上述第二配線，上述第一至上述第三電晶體各自為N通道型電晶體，上述第三電晶體的閘極與源極之間的電位被電容元件所保持，上述第二配線具有向與上述第三配線相同之方向延伸而配置的區域，上述第二配線及上述第三配線各自具有Ti。
  7. 一種發光裝置，其特徵為：具有第一至第三電晶體、發光元件、及第一至第四配線，上述發光元件之陽極被電連接於上述第三電晶體的源極或汲極之一方及上述第二電晶體的源極或汲極之一方， 上述第三電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第四配線，上述第二電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三配線，上述第一電晶體的源極或汲極之一方被電連接於上述第一配線，上述第一電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三電晶體的閘極，上述第一電晶體的閘極被電連接於上述第二配線，上述第一至上述第三電晶體各自為N通道型電晶體，上述第二配線具有向與上述第三配線相同之方向延伸而配置的區域。
  8. 一種發光裝置，其特徵為：具有第一至第三電晶體、發光元件、及第一至第四配線，上述發光元件之陽極被電連接於上述第三電晶體的源極或汲極之一方及上述第二電晶體的源極或汲極之一方，上述第三電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第四配線，上述第二電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三配線，上述第一電晶體的源極或汲極之一方被電連接於上述第一配線，上述第一電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上 述第三電晶體的閘極，上述第一電晶體的閘極被電連接於上述第二配線，上述第一至上述第三電晶體各自為N通道型電晶體，上述第三電晶體為驅動電晶體，上述第二配線具有向與上述第三配線相同之方向延伸而配置的區域。
  9. 一種發光裝置，其特徵為：具有第一至第三電晶體、發光元件、及第一至第四配線，上述發光元件之陽極被電連接於上述第三電晶體的源極或汲極之一方及上述第二電晶體的源極或汲極之一方，上述第三電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第四配線，上述第二電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三配線，上述第一電晶體的源極或汲極之一方被電連接於上述第一配線，上述第一電晶體的源極或汲極之另一方被電連接於上述第三電晶體的閘極，上述第一電晶體的閘極被電連接於上述第二配線，上述第一至上述第三電晶體各自為N通道型電晶體，上述第三電晶體的閘極與源極之間的電位被電容元件所保持，上述第二配線具有向與上述第三配線相同之方向延伸 而配置的區域。
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TW101102024A TWI576808B (zh) 2001-11-13 2002-11-08 半導體裝置及發光裝置
TW096135567A TWI364740B (en) 2001-11-13 2002-11-08 Display device and method for driving the same
TW104106254A TWI587269B (zh) 2001-11-13 2002-11-08 半導體裝置及發光裝置
TW106132456A TWI685114B (zh) 2001-11-13 2002-11-08 半導體裝置及發光裝置
TW110115573A TW202147625A (zh) 2001-11-13 2002-11-08 顯示裝置
TW091132946A TWI348674B (en) 2001-11-13 2002-11-08 Display device and method for driving the same
TW108116450A TWI745689B (zh) 2001-11-13 2002-11-08 半導體裝置及發光裝置

Family Applications Before (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106109189A TWI608468B (zh) 2001-11-13 2002-11-08 半導體裝置及發光裝置
TW099101959A TWI364741B (en) 2001-11-13 2002-11-08 Semiconductor device and light emitting device
TW102117737A TWI576810B (zh) 2001-11-13 2002-11-08 半導體裝置及發光裝置
TW101102024A TWI576808B (zh) 2001-11-13 2002-11-08 半導體裝置及發光裝置
TW096135567A TWI364740B (en) 2001-11-13 2002-11-08 Display device and method for driving the same
TW104106254A TWI587269B (zh) 2001-11-13 2002-11-08 半導體裝置及發光裝置
TW106132456A TWI685114B (zh) 2001-11-13 2002-11-08 半導體裝置及發光裝置
TW110115573A TW202147625A (zh) 2001-11-13 2002-11-08 顯示裝置
TW091132946A TWI348674B (en) 2001-11-13 2002-11-08 Display device and method for driving the same

Country Status (6)

Country Link
US (7) US8242986B2 (zh)
EP (3) EP2302614B1 (zh)
JP (20) JP5171721B2 (zh)
KR (3) KR100940342B1 (zh)
CN (3) CN101042840B (zh)
TW (10) TWI608468B (zh)

Families Citing this family (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6781567B2 (en) * 2000-09-29 2004-08-24 Seiko Epson Corporation Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
KR100606962B1 (ko) * 2000-12-23 2006-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US7569849B2 (en) * 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
KR100940342B1 (ko) * 2001-11-13 2010-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 구동방법
US7042162B2 (en) * 2002-02-28 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2004054238A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Seiko Epson Corp 電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
JP2004264634A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20040089256A (ko) * 2003-04-11 2004-10-21 윈텍 코포레이숀 균일한 휘도의 액티브 매트릭스 ｏｌｅｄ 디스플레이장치를 달성하기 위한 방법 및 장치
US7928945B2 (en) * 2003-05-16 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP4623939B2 (ja) * 2003-05-16 2011-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3772889B2 (ja) * 2003-05-19 2006-05-10 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置およびその駆動装置
JP4360121B2 (ja) * 2003-05-23 2009-11-11 ソニー株式会社 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JP4168836B2 (ja) 2003-06-03 2008-10-22 ソニー株式会社 表示装置
GB0313041D0 (en) * 2003-06-06 2003-07-09 Koninkl Philips Electronics Nv Display device having current-driven pixels
JP2005017485A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
JP4474262B2 (ja) * 2003-12-05 2010-06-02 株式会社日立製作所 走査線選択回路及びそれを用いた表示装置
US7405713B2 (en) * 2003-12-25 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic equipment using the same
US7502000B2 (en) * 2004-02-12 2009-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Drive circuit and image forming apparatus using the same
US7268498B2 (en) 2004-04-28 2007-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1598199A3 (en) * 2004-05-20 2009-05-06 Seiko Epson Corporation Line head and image forming apparatus incorporating the same
EP1751734A4 (en) 2004-05-21 2007-10-17 Semiconductor Energy Lab DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
US7173590B2 (en) * 2004-06-02 2007-02-06 Sony Corporation Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
GB0417132D0 (en) * 2004-07-31 2004-09-01 Koninkl Philips Electronics Nv A shift register circuit
KR20060054603A (ko) * 2004-11-15 2006-05-23 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
US7830340B2 (en) * 2004-12-01 2010-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof, display module, and portable information terminal
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
CN100459221C (zh) * 2004-12-10 2009-02-04 友达光电股份有限公司 具省电功能的自发光电路与方法
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
JP5128287B2 (ja) 2004-12-15 2013-01-23 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド 表示アレイのためのリアルタイム校正を行う方法及びシステム
KR101142996B1 (ko) 2004-12-31 2012-05-08 재단법인서울대학교산학협력재단 표시 장치 및 그 구동 방법
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
US8847861B2 (en) * 2005-05-20 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device, method for driving the same, and electronic device
KR100718961B1 (ko) * 2005-05-24 2007-05-16 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US7852298B2 (en) 2005-06-08 2010-12-14 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving a light emitting device display
TWI429327B (zh) * 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI485681B (zh) * 2005-08-12 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
US20070040165A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Klaus Dimmler Method of fabricating organic FETs
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
US7692610B2 (en) * 2005-11-30 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1793366A3 (en) 2005-12-02 2009-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
CN101313348B (zh) * 2005-12-02 2011-07-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、显示设备以及电子设备
KR20090006057A (ko) 2006-01-09 2009-01-14 이그니스 이노베이션 인크. 능동 매트릭스 디스플레이 회로 구동 방법 및 시스템
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
TWI450247B (zh) * 2006-02-10 2014-08-21 Ignis Innovation Inc 像素電路顯示的方法及系統
TWI430234B (zh) 2006-04-05 2014-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，顯示裝置，和電子裝置
KR101192790B1 (ko) * 2006-04-13 2012-10-18 엘지디스플레이 주식회사 표시장치의 구동회로
WO2007118332A1 (en) 2006-04-19 2007-10-25 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
TWI442368B (zh) 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
US7851343B2 (en) * 2007-06-14 2010-12-14 Cree, Inc. Methods of forming ohmic layers through ablation capping layers
KR101526475B1 (ko) * 2007-06-29 2015-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 구동 방법
JP2009237558A (ja) 2008-03-05 2009-10-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
JP4807366B2 (ja) * 2008-03-11 2011-11-02 ソニー株式会社 表示装置
WO2009127065A1 (en) 2008-04-18 2009-10-22 Ignis Innovation Inc. System and driving method for light emitting device display
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
JP5736114B2 (ja) 2009-02-27 2015-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、電子機器の駆動方法
US9047815B2 (en) * 2009-02-27 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
KR101646812B1 (ko) 2009-05-22 2016-08-08 가부시키가이샤 제이올레드 표시 장치 및 그 구동 방법
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
TWI409759B (zh) * 2009-10-16 2013-09-21 Au Optronics Corp 畫素電路以及畫素驅動方法
US8633873B2 (en) 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
WO2011125107A1 (ja) 2010-04-05 2011-10-13 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその制御方法
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8922464B2 (en) 2011-05-11 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device and driving method thereof
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
WO2012156942A1 (en) 2011-05-17 2012-11-22 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
CN106910464B (zh) 2011-05-27 2020-04-24 伊格尼斯创新公司 补偿显示器阵列中像素的系统和驱动发光器件的像素电路
CN103597534B (zh) 2011-05-28 2017-02-15 伊格尼斯创新公司 用于快速补偿显示器中的像素的编程的系统和方法
US9305486B2 (en) * 2011-06-29 2016-04-05 Joled Inc. Display device and method for driving same having selection control wire for scanning wires and secondary data wire
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
DE112012003074T5 (de) 2011-07-22 2014-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemissionsvorrichtung
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US8710505B2 (en) 2011-08-05 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102549647B1 (ko) 2011-10-18 2023-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
JP6077280B2 (ja) * 2011-11-29 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
TWI587261B (zh) 2012-06-01 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP6228753B2 (ja) 2012-06-01 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
WO2014108879A1 (en) 2013-01-14 2014-07-17 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
EP3043338A1 (en) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays
DE112014001402T5 (de) 2013-03-15 2016-01-28 Ignis Innovation Inc. Dynamische Anpassung von Berührungsauflösungen einer Amoled-Anzeige
WO2014174427A1 (en) 2013-04-22 2014-10-30 Ignis Innovation Inc. Inspection system for oled display panels
TWI679772B (zh) * 2013-05-16 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
DE112014003719T5 (de) 2013-08-12 2016-05-19 Ignis Innovation Inc. Kompensationsgenauigkeit
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
CN111129039B (zh) 2013-12-27 2024-04-16 株式会社半导体能源研究所 发光装置
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
US10483293B2 (en) 2014-02-27 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device, and module and electronic appliance including the same
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
TWI655442B (zh) 2014-05-02 2019-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 輸入／輸出裝置
JP6530591B2 (ja) * 2014-07-25 2019-06-12 旭化成株式会社 フレキシブル回路デバイス及びそれを備える筋電位測定装置
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
US10083991B2 (en) 2015-12-28 2018-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
JP6388004B2 (ja) 2016-06-21 2018-09-12 トヨタ自動車株式会社 燃料電池、および、燃料電池の製造方法
WO2018025883A1 (ja) 2016-08-05 2018-02-08 旭硝子株式会社 ガラス基板、半導体装置および表示装置
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
JP2019179695A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP7449466B2 (ja) 2018-07-31 2024-03-14 日亜化学工業株式会社 画像表示装置
CN109378325B (zh) * 2018-09-14 2020-06-16 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
JP6782288B2 (ja) * 2018-11-22 2020-11-11 株式会社ユニバーサルエンターテインメント 遊技機
US11049469B2 (en) * 2019-11-19 2021-06-29 Sharp Kabushiki Kaisha Data signal line drive circuit and liquid crystal display device provided with same
JP2021143237A (ja) 2020-03-10 2021-09-24 三星電子株式会社Samsung Electronics Co., Ltd. 樹脂膜、樹脂膜の作成方法および表示装置

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US680580A (en) * 1900-09-15 1901-08-13 Frederic Fouche Soldering-tool.
JPS59119390A (ja) 1982-12-25 1984-07-10 株式会社東芝 薄膜トランジスタ回路
JPH084153B2 (ja) 1987-04-08 1996-01-17 沖電気工業株式会社 発光ダイオ−ド駆動回路
JP3242941B2 (ja) 1991-04-30 2001-12-25 富士ゼロックス株式会社 アクティブｅｌマトリックスおよびその駆動方法
JPH07248494A (ja) * 1994-03-14 1995-09-26 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US5714968A (en) 1994-08-09 1998-02-03 Nec Corporation Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
JP2689916B2 (ja) * 1994-08-09 1997-12-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
JP3272209B2 (ja) 1995-09-07 2002-04-08 アルプス電気株式会社 Ｌｃｄ駆動回路
TW364275B (en) 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
JPH1069238A (ja) 1996-08-26 1998-03-10 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
DE69739633D1 (de) * 1996-11-28 2009-12-10 Casio Computer Co Ltd Anzeigevorrichtung
JPH10319909A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
US5990629A (en) 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
US6525718B1 (en) 1997-02-05 2003-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Flexible circuit board and liquid crystal display device incorporating the same
TW444152B (en) * 1997-02-05 2001-07-01 Sharp Kk Flexible circuit board and liquid crystal display device incorporating the same
EP0923067B1 (en) 1997-03-12 2004-08-04 Seiko Epson Corporation Pixel circuit, display device and electronic equipment having current-driven light-emitting device
US5952789A (en) 1997-04-14 1999-09-14 Sarnoff Corporation Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
KR20050084509A (ko) * 1997-04-23 2005-08-26 사르노프 코포레이션 능동 매트릭스 발광 다이오드 화소 구조물 및 이를동작시키는 방법
JPH113048A (ja) 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
US6229508B1 (en) 1997-09-29 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JP3543170B2 (ja) * 1998-02-24 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
JP3629939B2 (ja) 1998-03-18 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器
JPH11338439A (ja) 1998-03-27 1999-12-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置
JP3800831B2 (ja) * 1998-10-13 2006-07-26 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP3137095B2 (ja) 1998-10-30 2001-02-19 日本電気株式会社 定電流駆動回路
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
JP3686769B2 (ja) 1999-01-29 2005-08-24 日本電気株式会社 有機ｅｌ素子駆動装置と駆動方法
JP2000284749A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Dainippon Printing Co Ltd 画像表示装置
JP4588833B2 (ja) 1999-04-07 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置および電子機器
US7122835B1 (en) 1999-04-07 2006-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and a method of manufacturing the same
JP2001036408A (ja) 1999-05-17 2001-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｄ／ａ変換回路および半導体装置
TW521223B (en) 1999-05-17 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab D/A conversion circuit and semiconductor device
JP2000347622A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
JP3259774B2 (ja) 1999-06-09 2002-02-25 日本電気株式会社 画像表示方法および装置
JP4092857B2 (ja) 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
JP4126909B2 (ja) 1999-07-14 2008-07-30 ソニー株式会社 電流駆動回路及びそれを用いた表示装置、画素回路、並びに駆動方法
US7379039B2 (en) 1999-07-14 2008-05-27 Sony Corporation Current drive circuit and display device using same pixel circuit, and drive method
JP3733582B2 (ja) * 1999-07-22 2006-01-11 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌ表示装置
JP2001042822A (ja) 1999-08-03 2001-02-16 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリクス型表示装置
JP2001056667A (ja) * 1999-08-18 2001-02-27 Tdk Corp 画像表示装置
GB9919536D0 (en) * 1999-08-19 1999-10-20 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
JP2001083924A (ja) 1999-09-08 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流制御型発光素子の駆動回路および駆動方法
JP2001092413A (ja) 1999-09-24 2001-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置および電子装置
JP2001100696A (ja) 1999-09-29 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリックス型ｅｌ表示装置
GB9923261D0 (en) * 1999-10-02 1999-12-08 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
JP2001109432A (ja) 1999-10-06 2001-04-20 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置
US6587086B1 (en) 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
TW484117B (en) 1999-11-08 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP2001222256A (ja) 1999-11-08 2001-08-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
TW525122B (en) 1999-11-29 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW587239B (en) 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
TW493152B (en) 1999-12-24 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Electronic device
US6825488B2 (en) 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4485078B2 (ja) * 2000-01-26 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
JP4831873B2 (ja) * 2000-02-22 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 自発光装置及びその作製方法
TW521303B (en) 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW521226B (en) 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
JP3644493B2 (ja) * 2000-03-27 2005-04-27 セイコーエプソン株式会社 ネットワークシステム、広告情報受付・掲載処理方法及びその方法を記録した記録媒体
GB0008019D0 (en) * 2000-03-31 2000-05-17 Koninkl Philips Electronics Nv Display device having current-addressed pixels
TW521237B (en) 2000-04-18 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP4531923B2 (ja) * 2000-04-25 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6611108B2 (en) 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
TW531901B (en) 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW493153B (en) 2000-05-22 2002-07-01 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
TW522454B (en) 2000-06-22 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
US6828950B2 (en) * 2000-08-10 2004-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same
TW463393B (en) 2000-08-25 2001-11-11 Ind Tech Res Inst Structure of organic light emitting diode display
JP4925528B2 (ja) 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP3871916B2 (ja) 2000-10-27 2007-01-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TW550530B (en) * 2000-10-27 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Display device and method of driving the same
JP4785271B2 (ja) 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
WO2003001496A1 (en) 2001-06-22 2003-01-03 Ibm Corporation Oled current drive pixel circuit
GB0115780D0 (en) * 2001-06-27 2001-08-22 Univ Cambridge Tech Therapeutic molecules and uses thereof
JP2003077399A (ja) 2001-08-31 2003-03-14 Sony Corp プラズマ表示装置
CN1555549A (zh) 2001-09-18 2004-12-15 ������������ʽ���� 发光元件驱动电路
CN102290005B (zh) 2001-09-21 2017-06-20 株式会社半导体能源研究所 有机发光二极管显示装置的驱动方法
JP4052865B2 (ja) * 2001-09-28 2008-02-27 三洋電機株式会社 半導体装置及び表示装置
JP2003122303A (ja) 2001-10-16 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP4498669B2 (ja) 2001-10-30 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、及びそれらを具備する電子機器
JP2003208127A (ja) 2001-11-09 2003-07-25 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003150105A (ja) 2001-11-09 2003-05-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003150106A (ja) 2001-11-09 2003-05-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US20030103022A1 (en) 2001-11-09 2003-06-05 Yukihiro Noguchi Display apparatus with function for initializing luminance data of optical element
KR100940342B1 (ko) * 2001-11-13 2010-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 구동방법
JP4485119B2 (ja) 2001-11-13 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3854161B2 (ja) * 2002-01-31 2006-12-06 株式会社日立製作所 表示装置
TW540025B (en) 2002-02-04 2003-07-01 Au Optronics Corp Driving circuit of display
WO2003075256A1 (fr) 2002-03-05 2003-09-12 Nec Corporation Affichage d'image et procede de commande
JP3750616B2 (ja) 2002-03-05 2006-03-01 日本電気株式会社 画像表示装置及び該画像表示装置に用いられる制御方法
KR100488835B1 (ko) 2002-04-04 2005-05-11 산요덴키가부시키가이샤 반도체 장치 및 표시 장치
JP4122404B2 (ja) 2002-04-11 2008-07-23 レーザーテック株式会社 試料ステージ及びそれを用いた顕微鏡又は測定器
JP4357413B2 (ja) * 2002-04-26 2009-11-04 東芝モバイルディスプレイ株式会社 Ｅｌ表示装置
TW558699B (en) 2002-08-28 2003-10-21 Au Optronics Corp Driving circuit and method for light emitting device
TW564390B (en) 2002-09-16 2003-12-01 Au Optronics Corp Driving circuit and method for light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101127188A (zh) 2008-02-20
CN101042840A (zh) 2007-09-26
JP6126711B2 (ja) 2017-05-10
JP2016191930A (ja) 2016-11-10
KR100940342B1 (ko) 2010-02-04
EP1310937A1 (en) 2003-05-14
US20030090481A1 (en) 2003-05-15
CN100350447C (zh) 2007-11-21
TWI745689B (zh) 2021-11-11
US20180138215A1 (en) 2018-05-17
KR20070116763A (ko) 2007-12-11
JP5648088B2 (ja) 2015-01-07
KR20070110242A (ko) 2007-11-16
EP2302614A2 (en) 2011-03-30
TW201023145A (en) 2010-06-16
US20210296372A1 (en) 2021-09-23
US8508443B2 (en) 2013-08-13
TW200303498A (en) 2003-09-01
US8059068B2 (en) 2011-11-15
JP2012123405A (ja) 2012-06-28
JP6247716B2 (ja) 2017-12-13
JP2021073501A (ja) 2021-05-13
TW200818100A (en) 2008-04-16
TW201727610A (zh) 2017-08-01
JP2013167880A (ja) 2013-08-29
JP2022031778A (ja) 2022-02-22
US20070210720A1 (en) 2007-09-13
JP5973025B2 (ja) 2016-08-17
JP2015165305A (ja) 2015-09-17
KR20030040056A (ko) 2003-05-22
JP2019148802A (ja) 2019-09-05
JP6126678B2 (ja) 2017-05-10
EP2309479B1 (en) 2016-04-20
JP6077582B2 (ja) 2017-02-08
EP1310937B1 (en) 2012-02-01
TWI576810B (zh) 2017-04-01
EP2309479A2 (en) 2011-04-13
JP2019135550A (ja) 2019-08-15
JP2015172754A (ja) 2015-10-01
CN101127188B (zh) 2012-05-02
TWI685114B (zh) 2020-02-11
TWI608468B (zh) 2017-12-11
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