JP2000284749A - 画像表示装置 - Google Patents
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- JP2000284749A JP2000284749A JP11088343A JP8834399A JP2000284749A JP 2000284749 A JP2000284749 A JP 2000284749A JP 11088343 A JP11088343 A JP 11088343A JP 8834399 A JP8834399 A JP 8834399A JP 2000284749 A JP2000284749 A JP 2000284749A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １つのＴＦＴで電流駆動型発光素子をアクテ
ィブマトリクス駆動できるようにする。 【解決手段】 駆動用トランジスタ１２と発光素子１１
とを電源線１５とアース１６間に接続した表示セルを複
数配置し、トランジスタ１２を選択的に駆動して表示す
る画像表示装置において、トランジスタ１２のゲート−
エミッタ間に電位を保持するための保持容量１３を接続
して保持容量の一方の電極をデータ線に接続し、保持容
量の他方の電極をプラズマセルに接続したものである。
ィブマトリクス駆動できるようにする。 【解決手段】 駆動用トランジスタ１２と発光素子１１
とを電源線１５とアース１６間に接続した表示セルを複
数配置し、トランジスタ１２を選択的に駆動して表示す
る画像表示装置において、トランジスタ１２のゲート−
エミッタ間に電位を保持するための保持容量１３を接続
して保持容量の一方の電極をデータ線に接続し、保持容
量の他方の電極をプラズマセルに接続したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）等の電流駆動型の発光素子を用いた
画像表示装置に関するものである。
ロルミネッセンス）等の電流駆動型の発光素子を用いた
画像表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示ディスプレイ（ＬＣＤ）
用にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）技術が多用されてい
る。ＬＣＤは電圧駆動素子であるので、液晶にかかる電
圧を保持するだけで動作状態が維持されて電流を供給す
る必要はなく、等価回路的には容量素子であるので、電
圧を印加した後、回路接続を遮断することにより電荷が
保持され、動作状態を維持することが可能である。この
ため、ＴＦＴーＬＣＤでは、１素子につき１回路のＴＦ
Ｔでアクティブマトリクス駆動することが可能である。
また、電荷の保持に着目すると、放電素子により誘起さ
れる電位を利用することにより、放電時にＬＣＤ素子に
電圧を印加し、放電を停止することにより、その電荷を
保持して表示する、いわゆるプラズマアドレスト液晶表
示装置（ＰＡＬＣ）も開発されている（例えば、特開平
４ー２６５９３１号公報）。
用にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）技術が多用されてい
る。ＬＣＤは電圧駆動素子であるので、液晶にかかる電
圧を保持するだけで動作状態が維持されて電流を供給す
る必要はなく、等価回路的には容量素子であるので、電
圧を印加した後、回路接続を遮断することにより電荷が
保持され、動作状態を維持することが可能である。この
ため、ＴＦＴーＬＣＤでは、１素子につき１回路のＴＦ
Ｔでアクティブマトリクス駆動することが可能である。
また、電荷の保持に着目すると、放電素子により誘起さ
れる電位を利用することにより、放電時にＬＣＤ素子に
電圧を印加し、放電を停止することにより、その電荷を
保持して表示する、いわゆるプラズマアドレスト液晶表
示装置（ＰＡＬＣ）も開発されている（例えば、特開平
４ー２６５９３１号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ等
の電流駆動型発光素子は電流を流すことにより発光する
ため、発光状態を保持するためには、電流を流し続ける
必要がある。このため、電流駆動型素子をアクティブマ
トリクス駆動するためには、電流を流し続けるための素
子とこの素子を電圧で制御するための素子の合計２素子
が必要となる。
の電流駆動型発光素子は電流を流すことにより発光する
ため、発光状態を保持するためには、電流を流し続ける
必要がある。このため、電流駆動型素子をアクティブマ
トリクス駆動するためには、電流を流し続けるための素
子とこの素子を電圧で制御するための素子の合計２素子
が必要となる。
【０００４】図３は従来のＴＦＴーＥＬの表示装置の例
を示す図である。ここではＴＦＴーＥＬの１つの素子を
示している。ＥＬ発光素子１は電流駆動用のトランジス
タ２に接続されて、共通の電源線６と共通の接地線７間
に接続されている。この電流駆動用トランジスタ２のゲ
ートとデータ線４との間には、制御用のトランジスタ３
が接続され、制御用トランジスタ３のゲートは走査線５
に接続されている。走査線５からはＯＮ／ＯＦＦ信号が
供給され、トランジスタ３のゲートにＯＮ信号が加えら
れた時にデータ線４のデータが取り込まれ、このデータ
はトランジスタ３がＯＦＦすることにより、保持され
る。その結果、電流用駆動用トランジスタ２が導通して
発光素子１は発光を維持する。この状態でトランジスタ
３のゲートにＯＮ信号を加えて導通させ、データ線の低
レベル信号を取り込む、即ちトランジスタ２のゲートに
蓄えられていた電荷を放電すると非導通となり、ＥＬ発
光素子１は非発光となる。
を示す図である。ここではＴＦＴーＥＬの１つの素子を
示している。ＥＬ発光素子１は電流駆動用のトランジス
タ２に接続されて、共通の電源線６と共通の接地線７間
に接続されている。この電流駆動用トランジスタ２のゲ
ートとデータ線４との間には、制御用のトランジスタ３
が接続され、制御用トランジスタ３のゲートは走査線５
に接続されている。走査線５からはＯＮ／ＯＦＦ信号が
供給され、トランジスタ３のゲートにＯＮ信号が加えら
れた時にデータ線４のデータが取り込まれ、このデータ
はトランジスタ３がＯＦＦすることにより、保持され
る。その結果、電流用駆動用トランジスタ２が導通して
発光素子１は発光を維持する。この状態でトランジスタ
３のゲートにＯＮ信号を加えて導通させ、データ線の低
レベル信号を取り込む、即ちトランジスタ２のゲートに
蓄えられていた電荷を放電すると非導通となり、ＥＬ発
光素子１は非発光となる。
【０００５】このように、電流駆動型素子の場合には、
１つの素子に能動素子が２つ必要となり、配線もデータ
線、走査線、電源線、接地線の４電極が必要となるため
極めて複雑となる。さらに２つの素子があるため、どち
らの素子が壊れても作動しないので、歩留りとして２倍
の問題が生ずる。また、１画素につき、２つのＴＦＴと
４電極が必要となるため、構造が複雑であると共に開口
率も小さくなってしまう。
１つの素子に能動素子が２つ必要となり、配線もデータ
線、走査線、電源線、接地線の４電極が必要となるため
極めて複雑となる。さらに２つの素子があるため、どち
らの素子が壊れても作動しないので、歩留りとして２倍
の問題が生ずる。また、１画素につき、２つのＴＦＴと
４電極が必要となるため、構造が複雑であると共に開口
率も小さくなってしまう。
【０００６】本発明は上記課題を解決するためのもの
で、１つのＴＦＴで有機ＥＬ等の電流駆動型発光素子を
駆動できるようにすることを目的とする。
で、１つのＴＦＴで有機ＥＬ等の電流駆動型発光素子を
駆動できるようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、電流駆動用ト
ランジスタと発光素子とを電源線とアース間に接続した
表示セルを複数配置し、トランジスタを選択的に駆動し
て表示する画像表示装置において、トランジスタのゲー
ト−エミッタ間に電位を保持するための保持容量を接続
して保持容量の一方の電極をデータ線に接続し、キャパ
シタの他方の電極をプラズマセルに接続したことを特徴
とする。
ランジスタと発光素子とを電源線とアース間に接続した
表示セルを複数配置し、トランジスタを選択的に駆動し
て表示する画像表示装置において、トランジスタのゲー
ト−エミッタ間に電位を保持するための保持容量を接続
して保持容量の一方の電極をデータ線に接続し、キャパ
シタの他方の電極をプラズマセルに接続したことを特徴
とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の画像表示装置の駆
動部の構成を示す図、図２はプラズマ放電セルによる素
子選択を説明する図である。図１において、有機ＥＬ等
の電流駆動型の発光素子１１とこれを駆動するためのＴ
ＦＴ１２は共通の電源線１５と共通の接地線１６の間に
接続されている。ＴＦＴ１２のゲート−エミッタ間には
保持容量１３が接続され、保持容量１３の一方の電極は
データ線に、他方の電極はプラズマセル２０に接続され
ている。
動部の構成を示す図、図２はプラズマ放電セルによる素
子選択を説明する図である。図１において、有機ＥＬ等
の電流駆動型の発光素子１１とこれを駆動するためのＴ
ＦＴ１２は共通の電源線１５と共通の接地線１６の間に
接続されている。ＴＦＴ１２のゲート−エミッタ間には
保持容量１３が接続され、保持容量１３の一方の電極は
データ線に、他方の電極はプラズマセル２０に接続され
ている。
【０００９】図２に示すように、プラズマセル２０は基
板２１上に隔壁２４によって複数のプラズマ室Ｐ1 ，Ｐ
2 ……Ｐn が形成され、各プラズマ室には、カソード電
極２２とアノード電極２３が配置され、また、ガラス基
板２５を介して保持容量１３の一方の電極が接続されて
いる。各プラズマ室にはイオン化可能なガス、すなわち
ヘリウム、ネオン、アルゴンあるいはこれらの混合ガス
が封入されている。カソード−アノード間に所定の電圧
を加えて瞬間的に放電を生じさせてガスをイオン化する
と、プラズマ室内部はカソード電位（０電位）となり、
このプラズマ室に接続された保持容量にはデータ線を通
して電流が流れ、放電が瞬時に停止するためデータが保
持される。一方、非放電のプラズマ室はガラス基板２４
が絶縁されているため、そこに接続れた保持容量には電
流は流れず、電荷は供給されることはない。
板２１上に隔壁２４によって複数のプラズマ室Ｐ1 ，Ｐ
2 ……Ｐn が形成され、各プラズマ室には、カソード電
極２２とアノード電極２３が配置され、また、ガラス基
板２５を介して保持容量１３の一方の電極が接続されて
いる。各プラズマ室にはイオン化可能なガス、すなわち
ヘリウム、ネオン、アルゴンあるいはこれらの混合ガス
が封入されている。カソード−アノード間に所定の電圧
を加えて瞬間的に放電を生じさせてガスをイオン化する
と、プラズマ室内部はカソード電位（０電位）となり、
このプラズマ室に接続された保持容量にはデータ線を通
して電流が流れ、放電が瞬時に停止するためデータが保
持される。一方、非放電のプラズマ室はガラス基板２４
が絶縁されているため、そこに接続れた保持容量には電
流は流れず、電荷は供給されることはない。
【００１０】こうして非放電の行１７に対応した表示セ
ルＤ１は、保持容量１３に電荷が供給されないため、ト
ランジスタはＯＦＦ状態で発光素子１１は非発光とな
る。一方、プラズマ放電中の行１８に対応した表示セル
Ｄ２は、保持容量１３の電位がプラズマセルの電位（０
電位）となるため、保持容量１３にデータ線から電荷が
供給され、プラズマ放電が瞬時に停止して保持容量１３
には電荷が保持されるため、ＴＦＴ１２は電流を供給し
続け、発光素子１１は発光状態を維持する。また、非放
電の行１９に対応した表示セルＤ３は、保持容量１３に
電荷が供給されないため、トランジスタはＯＦＦ状態で
発光素子１１は非発光となる。
ルＤ１は、保持容量１３に電荷が供給されないため、ト
ランジスタはＯＦＦ状態で発光素子１１は非発光とな
る。一方、プラズマ放電中の行１８に対応した表示セル
Ｄ２は、保持容量１３の電位がプラズマセルの電位（０
電位）となるため、保持容量１３にデータ線から電荷が
供給され、プラズマ放電が瞬時に停止して保持容量１３
には電荷が保持されるため、ＴＦＴ１２は電流を供給し
続け、発光素子１１は発光状態を維持する。また、非放
電の行１９に対応した表示セルＤ３は、保持容量１３に
電荷が供給されないため、トランジスタはＯＦＦ状態で
発光素子１１は非発光となる。
【００１１】このように、プラズマ放電による電位（一
般にはアース電位）とデータ線の間に電位を保持する保
持容量１３を設けることにより、データ線から供給され
た電荷はプラズマ放電が瞬時に終了した後、この保持容
量に保持されて電流供給用のＴＦＴが導通状態を維持
し、発光状態に保持される。
般にはアース電位）とデータ線の間に電位を保持する保
持容量１３を設けることにより、データ線から供給され
た電荷はプラズマ放電が瞬時に終了した後、この保持容
量に保持されて電流供給用のＴＦＴが導通状態を維持
し、発光状態に保持される。
【００１２】プラズマセルはＴＦＴ、発光素子、電極が
配置される面の裏側に配置されて表面は平らなガラス基
板面となり、単にプラズマセルの電位制御に使用されて
いるだけであるので、表示装置としては１つの画素につ
き１つのＴＦＴと３電極配線、即ちデータ線、電源線、
接地線だけですむため、開口率が高くなり、その結果高
輝度が得られ、配線が容易で歩留りの高いディスプレイ
が実現可能となる。
配置される面の裏側に配置されて表面は平らなガラス基
板面となり、単にプラズマセルの電位制御に使用されて
いるだけであるので、表示装置としては１つの画素につ
き１つのＴＦＴと３電極配線、即ちデータ線、電源線、
接地線だけですむため、開口率が高くなり、その結果高
輝度が得られ、配線が容易で歩留りの高いディスプレイ
が実現可能となる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、有機Ｅ
Ｌ等の電流駆動型の発光素子をアクティブマトリクス駆
動する場合に、従来１画素につき２つのＴＦＴが必要で
あったが、プラズマ放電による電位を利用して保持容量
の電荷を保持するようにしたので、１画素につき１つの
ＴＦＴで駆動が可能となる。また、データ線と電源線と
を平行配線とすることにより、線のクロスがなくなり、
配線を容易に行うことが可能となる。
Ｌ等の電流駆動型の発光素子をアクティブマトリクス駆
動する場合に、従来１画素につき２つのＴＦＴが必要で
あったが、プラズマ放電による電位を利用して保持容量
の電荷を保持するようにしたので、１画素につき１つの
ＴＦＴで駆動が可能となる。また、データ線と電源線と
を平行配線とすることにより、線のクロスがなくなり、
配線を容易に行うことが可能となる。
【図１】 本発明の画像表示装置の駆動部の構成を示す
図である。
図である。
【図２】 プラズマ放電セルによる素子選択を説明する
図である。
図である。
【図３】 従来のＴＦＴーＥＬの表示装置の例を示す図
である。
である。
１１…発光セル、１２…ＴＦＴ、１３…保持容量、１７
…非放電の行、１８…プラズマ放電中の行、１９…非放
電の行、２０…プラズマセル、２１…基板、２２…カソ
ード電極、２３…アノード電極、２４…隔壁、２５…基
板。
…非放電の行、１８…プラズマ放電中の行、１９…非放
電の行、２０…プラズマセル、２１…基板、２２…カソ
ード電極、２３…アノード電極、２４…隔壁、２５…基
板。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB18 BA06 BB00 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EB00 GA02 5C058 AA12 BA05 BA32 BA35 BB25 5C080 AA05 AA06 BB05 DD22 DD28 FF11 JJ02 5C094 AA10 AA15 AA43 AA45 AA54 BA03 BA23 BA27 CA19 DB01 DB10 EA10 FA02 FB12 FB15 GA10
Claims (1)
- 【請求項１】 電流駆動用トランジスタと発光素子とを
電源線とアース間に接続した表示セルを複数配置し、ト
ランジスタを選択的に駆動して表示する画像表示装置に
おいて、トランジスタのゲート−エミッタ間に電位を保
持するための保持容量を接続して保持容量の一方の電極
をデータ線に接続し、キャパシタの他方の電極をプラズ
マセルに接続したことを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11088343A JP2000284749A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11088343A JP2000284749A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000284749A true JP2000284749A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13940217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11088343A Pending JP2000284749A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000284749A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003216110A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2005534990A (ja) * | 2002-08-06 | 2005-11-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｎｍｏｓトランジスタを備えたピクセルを持つエレクトロルミネセントディスプレイ装置 |
| KR100914187B1 (ko) | 2001-11-13 | 2009-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 발광장치 |
| US7808008B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| US8248330B2 (en) | 2002-09-05 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and driving method thereof |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP11088343A patent/JP2000284749A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9825068B2 (en) | 2001-11-13 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
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| KR100914187B1 (ko) | 2001-11-13 | 2009-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 발광장치 |
| KR100930083B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2009-12-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치, 음향재생장치 및 표시장치 |
| KR100940342B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2010-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 구동방법 |
| JP4485119B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2021073501A (ja) * | 2001-11-13 | 2021-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の駆動方法 |
| US11037964B2 (en) | 2001-11-13 | 2021-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| US8242986B2 (en) | 2001-11-13 | 2012-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| US10128280B2 (en) | 2001-11-13 | 2018-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| JP2003216110A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US8508443B2 (en) | 2001-11-13 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| JP2016191930A (ja) * | 2001-11-13 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| JP2005534990A (ja) * | 2002-08-06 | 2005-11-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｎｍｏｓトランジスタを備えたピクセルを持つエレクトロルミネセントディスプレイ装置 |
| CN100378786C (zh) * | 2002-08-06 | 2008-04-02 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有像素的电致发光显示装置及驱动该装置的像素的方法 |
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| US8816359B2 (en) | 2007-06-29 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| US8338835B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| US7808008B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
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